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ELECTRONIQUE DE

PUISSANCE
(ELEC032)

A.GENON Chargé de Cours


Montefiore B28, local I157
AGenon@ulg.ac.be

Cours : 1er quadrimestre, le vendredi de 8h30 à 10h15


TP: second quadrimestre
Domaines d’utilisation
Fonction

SOURCE
d’énergie Convertisseur CHARGE
électrique
Types de convertisseurs
Entrée Sortie U varie? F varie? dénomination
AC DC oui s.o. Redresseur
Variateur DC
AC AC oui non Gradateur
AC AC oui oui Cycloconvertisseur
DC DC oui s.o. Hacheur
Alim. à découpage
DC AC oui oui Onduleur

Autre convertisseur : combinaison AC/DC + DC/AC


Les CONDUCTEURS
• Réseau cristallin – liaisons covalentes –
électrons libres (EL) (OG:1023 /cm3)

Cristal de cuivre Cristal de titane


Les CONDUCTEURS
• Réseau cristallin – liaisons covalentes – électrons
libres (EL) (OG:1023 /cm3)
• Champ électrique  force  déplacement des EL
• EL entrent en collision avec structure qui vibre
(énergie thermique)
 perte d’énergie (effet JOULE)
• Résistivité: OG : 10-7 ohm*m
• La résistivité diminue avec la température
(supraconductivité)
Les ISOLANTS

• Électrons libres (d’origine thermique) peu


nombreux à la température ambiante
(OG de la résistivité : 1014 ohm*m)
• La résistivité diminue si la température
augmente
SEMI-CONDUCTEURS
purs ou intrinsèques
• Si, Ge: réseau cristallin tétraédrique
• 4 électrons périphériques
• liaisons covalentes
SEMI-CONDUCTEURS
purs ou intrinsèques
• A la température ambiante : électrons libres + trous
d’origine thermique (OG: 1010 /cm3 << 1023 /cm3 )
• Se créent et se recombinent sans cesse
(OG durée de vie : τ =1µ s)
∆W

n0 p0 = n = C T e
2
i
2 3 kT

n0 = p0
+
Loi d’action de masse
ni : croissance exponentielle en fonction
de la température
SEMI-CONDUCTEURS
purs ou intrinsèques
• Sous l’effet d’un champ électrique:
• Les trous se déplacent dans sens du champ
• Les électrons libres dans le sens inverse

+
Dopage N  dopage P
Concentration en porteurs = f(T)
Semi-conducteurs : la diode non polarisée

Réalité Modèle
Semi-conducteurs : la diode polarisée
Diode :
caractéristique
statique
Semi-conducteurs : la diode
Avalanche – effet Zéner
•Si VAK <0 et si |Emax |>>( > 500 kV/cm)
•En plus des porteurs minoritaires
d’origine thermique, il y en a qui sont
arrachés aux atomes dans la zone de
déplétion  avalanche et le courant
devient indépendant de la tension.
•Effet Zéner si |Vz| < 4V
(dVz/dT < 0)

•Effet d’avalanche si |Vz| > 6V


(dVz/dT > 0)
Semi-conducteurs : la diode
comportement dynamique
Diode : mise en
conduction
Diode : blocage
Transistor bipolaire de puissance
Transistor : caractéristiques statiques
Transistor de puissance : points de
fonctionnement
Transistor : domaine de fonctionnement
fiable
Thyristor
Thyristor
Thyristor : caractéristique statique
Thyristor : grandeurs caractéristiques
Thyristor : caractéristique d’amorçage
Thyristor : amorçage
Possibilités d’amorçage:
• courant de gâchette + tension directe
• dV/dt
• claquage direct

Dynamique d’amorçage:
• retard à l’amorçage (0,1 à 10 us)
• nécessité de limiter le di/dt
• impulsion unique, train d’impulsions
Thyristor: mise
en conduction
Thyristor : blocage

tq : 10 à 100 us t3

Qrr = ∫ i (t )dt
t0
Influence d’un circuit RC
Thyristor : ordres de grandeur
Pour un thyristor 300A – 2000V
• épaisseur pastille : 0.7 mm
• diamètre pastille : 30 mm
• tq : 10 à 100 us
• Qrr : 20 uC pour I = 20A
• ton : 0.1 à 10 us
Triac : constitution
Triac : commande
GTO : Gate Turn-Off thyristor
GTO : commande
MOSFET de puissance
MOSFET : caractéristiques statique
VMOS : schéma
Insulated Gate Bipolar Transistor = IGBT
IGBT : commande
Radiateurs
Evacuation de la chaleur (statique)

P
TJ = TA +
RJB + RBR + RRA
Evacuation de la chaleur (dynamique)
Domaines d’utilisation
Comparaison entre SC de
puissance
Le composant idéal :
• Tenue en tension infinie
• Tenue en courant infinie
• Temps de commutation nulle
• Courant de fuite nul
• Pertes par commutation et conduction nulles
• Puissance de commande nulle
• Faible coût
Comparaison entre SC de
puissance
Le thyristor :
• Tenues en tension et en courant les plus élevées
• Tension inverse importante
• Robuste, bon marché
• Faibles pertes par conduction
• Temps de mise en conduction long
• Courant de fuite nul
• Ne peut être éteint en agissant sur sa commande
Comparaison entre SC de
puissance
Selon le type de convertisseur:
• Redresseurs à 50 Hz : thyristors ou diodes
• Hacheurs et onduleurs : (commutations rapides, pas de
tension inverse): transistors bipolaires, IGBT, MOSFET,
GTO
– Jusqu’à 15 kHz, GTO pour puissance (faibles pertes)
– Jusqu’à 100 kHz, transistor bipolaire et IGBT (faibles pertes par
conduction)
– au-dessus de 100 kHz, MOSFET uniquement