1.

Nettoyage RCA
Test hydrophobie

Si

2.

Oxydation humide
6000-6500 angstrms

SiO2

Si
SiO2

3.

Photolithographie Masque 1

a-

Dpt rsine photosensible positive

b-

Alignement du masque

SiO2

Si
SiO2
Rsine

Masque

3.

Photolithographie Masque 1

c-

Insolation UV

SiO2

Si
SiO2
Rsine

Masque

Rsine expose UV

3.

Photolithographie Masque 1

d-

Dveloppement rsine DEV > 0

SiO2

Si
SiO2
Rsine

Rsine expose UV

3.

Photolithographie Masque 1

e-

Gravure SiO2
Attention au risque de surgravure

SiO2

Si
SiO2
Rsine

3.

Photolithographie Masque 1

f-

D laquage - Remover

SiO2

Si
Rsine

4.

Dopage / Diffusion Bore

et dcapage de loxyde de Bore ( HF )

B B B B B B B B B B B B B B

SiO2

Si

Si dop P

5.

Photolithographie Masque 2

a-

Ouverture de la grille
Dpt rsine photosensible positive

b-

Alignement du masque

SiO2

Si

Si dop P

Rsine

Masque

5.

Photolithographie Masque 2

c-

Ouverture de la grille
Insolation UV

SiO2

Si

Si dop P

Rsine

Masque

5.

Photolithographie Masque 2
Ouverture de la grille

d-

Dveloppement rsine DEV > 0

SiO2

Si

Si dop P

Rsine

5.

Photolithographie Masque 2
Ouverture de la grille

e-

Gravure SiO2
Attention au risque de surgravure

SiO2

Si

Si dop P

Rsine

5.

Photolithographie Masque 2
Ouverture de la grille

f-

D laquage - Remover
Nettoyage RCA

SiO2

Si

Si dop P

6.

Oxydation sche
Oxyde de grille 900 1000 angstrms

SiO2

Si

Si dop P

7.

Photolithographie Masque 3
Ouverture des contacts

a-

Dpt rsine photosensible positive

b-

Alignement du masque

SiO2

Si

Si dop P

Rsine

Masque

7.

Photolithographie Masque 3
Ouverture des contacts

c-

Insolation UV

SiO2

Si

Si dop P

Rsine

Masque

7.

Photolithographie Masque 3
Ouverture des contacts

d-

Dveloppement rsine DEV > 0

e-

Gravure SiO2
Attention au risque de surgravure
SiO2

Si

Si dop P

Rsine

7.

Photolithographie Masque 3
Ouverture des contacts

f-

D laquage - Remover

SiO2

Si

Si dop P

Rsine

8.

Dpt Aluminium

SiO
SiO2 2

Si

Si dop P

Aluminium

8.

Photolithographie - Masque 4
Isolation des contacts daluminium

a-

Dpt rsine photosensible positive

b-

Alignement du masque

SiO
SiO2 2

Si

Si dop P

Aluminium

Rsine

8.

Photolithographie - Masque 4
Isolation des contacts daluminium

c-

Insolation UV

SiO
SiO2 2

Si

Si dop P

Aluminium

Rsine

8.

Photolithographie - Masque 4
Isolation des contacts daluminium

d-

Dveloppement rsine DEV > 0

e-

Gravure Aluminium

SiO
SiO2 2

Si

Si dop P

Aluminium

Rsine

8.

Photolithographie - Masque 4
Isolation desFIN
contacts daluminium

f-

D
laquage
- Remover
Recuit
aluminium

SiO
SiO2 2

PMOS

Si

Si dop P

Aluminium

Rsine

SiO2
Si
Rsine
Rsine expose UV
Aluminium