Transistor bipolaire

1- Symbole.
Collecteur Collecteur

Base Base
Emetteur Emetteur
Transistor NPN Transistor PNP

2- Caractristiques lectriques dun transistor NPN.
Les caractristiques lectriques du transistor bipolaire sont unidirectionnelles. On peut donc
les runir sur un seul plan.

Ic Ic =f(Ib) Vce1 Ic Ic =f(Vce) Ib4

Ib M1 Ib3
Vce
Ib2
Vbe Ie
Ib1

M0
Ib 0 Vce1 Vce



Vbe =f(Ib) Vbe
Observations :
- La fonction Ic =f(Vce) est matrise par la valeur du courant de base. Celle-ci comporte
essentiellement deux domaines ; la partie o Ic est peu variable pour une valeur de Ib cest
le rgime linaire, la partie coude o la transistor est en rgime satur.
- La fonction Vbe =f(Ib) est celle dune jonction PN entre la base et lmetteur.
- La fonction Ic =f(Ib) caractrise leffet transistor en rgime linaire. Cest une droite
de pente (ordre de grandeur de 100).
- En rgime linaire Ic .Ib et en rgime satur Ic <.Ib.
- En rgime satur Vce <1Volt.
- Au point M0 le transistor est bloqu. Entre son collecteur et son metteur le transistor est
quivalent un interrupteur ouvert.
- Au point M1 le transistor est satur. Entre son collecteur et son metteur le transistor est
quivalent un interrupteur ferm.
- Par la variation spontane du courant Ib de 0 Ib4 ou inversement on peut passer de M0
M1 ou inversement. Dans ce type de fonctionnement tout ou rien on dit que le transistor
fonctionne en commutation.
- En faisant varier Ib tout en conservant le transistor en rgime linaire on peut utiliser le
transistor en amplificateur de courant.

3- Transistor en commutation.
Exemple de structure : Vcc
Ic

Rc
Ib Rb
Vce
Ve Vbe
Si Ve =0 le transistor est bloqu.
Le transistor est satur si Ic <.Ib, cest dire si Vcc / Rc <.(Ve Vbe) / Rb.
- 1 - Transistor bipolaire.doc
Exemple de commande de relais :

Ic Vcc


R D


Ib Rb
Vce
Ve Vbe

Le transistor permet de commander le relais en tout ou rien partir du signal Ve.
Le relais R comprend entre ses bornes un bobinage que lon peut assimiler une inductance L
en srie avec une rsistance r.
La diode D est une diode de roue libre qui assure la continuit du courant dans linductance
du relais au blocage du transistor. Sans la diode D une surtension destructrice pour le
transistor se produirait.

4- Transistor en amplification.
Le transistor est un composant unidirectionnel, pour amplifier des signaux sinusodaux il faut
donc ajouter une composante continue appele polarisation chaque grandeur qui sollicite
le transistor. Alors X =X
0
+x o x est le signal amplifier et X
0
la composante continue. Il
faut dans tous les cas pour un transistor NPN X >0. Donc la composante continue X0 doit
tre plus grande que lamplitude de x.
En rgime linaire le principe de superposition est applicable, on distinguera donc ltude de
la polarisation et de lamplification des signaux.

41- Modle du transistor en petits signaux :

Ic Ic =f(Ib) Vce
0
Ic Ic =f(Vce) Ib4

Ib Ib3
Vce
pente Ic
0
pente 1/ Ib2
Vbe Ie
Ib1


Ib Ib
0
0 Vce
0
Vce

pente rbe
Vbe
0

Vbe =f(Ib) Vbe

La polarisation fixe Vbe
0
, Ib
0
, Ic
0
, Vce
0
. Autour de la polarisation se dplace le point de
fonctionnement du transistor quand sont appliqus les petits signaux amplifier. Vis vis des
petits signaux les proprits du transistor sont dont caractrises par les pentes des tangentes
aux points de polarisation. Ce sont les paramtres du transistor en petits signaux. Ils varient en
fonction du choix du point de polarisation. On en dduit les quations pour les petits signaux :
vbe =rbe.ib
ic =.ib
ic =.ib +vce/
Conformment ces quations, en petits signaux le transistor peut tre modlis par le circuit
lectrique suivant :
- 2 - Transistor bipolaire.doc
Base ib .ib ic Collecteur

rbe
vbe vce


ie
Emetteur


42- Polarisation du transistor :
structure 1 structure 2
Vcc Vcc

R1 Rc R1 Rc
Ic
0
Ic
0

Vce
0
Vce
0
Ib
0
Ib
0
Vbe
0
Vbe
0
Ie
0
0V
R2 Re

0V

Dans la structure 1 :
Ic
0
=.(Vcc Vbe
0
) / R1
Le point de repos dpend beaucoup de . Mais varie dun transistor lautre bien que la
rfrence soit la mme et pour un mme transistor en fonction de la temprature. Ce montage
trs simple est donc difficilement utilisable.


Dans la structure 2 :
Le pont R1, R2 sur Vcc peut tre remplac par son modle de Thvenin;

Vcc

Rc
Ic
0

Rb
Vce
0
o Vb =Vcc.R2 / (R1+R2)
Ib
0


Vbe
0
Rb =R1.R2 / (R1+R2)

Vb
Re

0V

Ic
0
=.(Vb Vbe
0
) / (Rb +[+1].Re)

En choisissant Rb faible devant [+1]Re alors Ic
0
(Vb Vbe
0
) / Re devient pratiquement
insensible .
Dans la structure 2, le point de polarisation est donc stable en temprature et
linterchangeabilit des transistors est possible.

- 3 - Transistor bipolaire.doc
43- Amplificateur metteur commun :
La structure 2 pour crer la polarisation est retenue. Les petits signaux amplifier sont
injects au travers dun condensateur de liaison Ce. Ainsi la polarisation nest pas modifie
par le branchement du gnrateur ve. De mme la charge RL est attaque au travers du
condensateur de liaison Cs. Le condensateur C permet par sa trs faible impdance par rapport
Re dans la bande passante dappliquer ve sur la jonction base-metteur.
Vcc

R1 Rc Cs
Ic
Ce
Vce
Ib

ve Vbe RL vs


R2 Re C
0V
La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits signaux.
Pour les petits signaux et dans la bande passante, les condensateurs de liaison Ce et Cs ainsi
que C ont des impdances ngligeables devant celles du circuit et la structure se comporte
comme le schma suivant :

ib .ib

ve R1 R2 rbe Rc RL vs


On en dduit :
- Lamplification en tension dans la bande passante, Av =vs / ve =- .(//Rc//RL) / rbe.
- Limpdance dentre de lamplificateur dans la bande passante, Ze =(R1//R2//rbe).
- Limpdance de sortie dans la bande passante, Zs =(Rc//).

44- Amplificateur collecteur commun :
Vcc

R1
Ic
Ce
Vce
Ib Cs

ve Vbe


R2 Re RL vs

0V
La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits signaux.
Pour les petits signaux et dans la bande passante, les condensateurs de liaison Ce et Cs ont des
impdances ngligeables devant celles du circuit et la structure se comporte comme le schma
suivant :

rbe ib .ib

ve R1 R2 Re RL vs


- 4 - Transistor bipolaire.doc
On en dduit :
- Lamplification en tension dans la bande passante, Av =vs / ve 1.
- Limpdance dentre de lamplificateur dans la bande passante,
Ze =(R1//R2//[rbe+{//Re//RL}]).
- Limpdance de sortie dans la bande passante, Zs =rbe/(+1).
Cette structure se comporte en tage suiveur avec une relativement forte impdance dentre
et une faible impdance de sortie.

45- Amplificateur base commune :
Vcc

R1 Rc Cs
Ic
Ce
Vce
Ib

Vbe RL vs

ve
R2 Re

0V
La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits signaux.
Pour les petits signaux et dans la bande passante, les condensateurs de liaison Ce et Cs ont des
impdances ngligeables devant celles du circuit et la structure se comporte comme le schma
suivant (si on considre trs grand) :

ib .ib

ve Re rbe Rc RL vs


On en dduit :
- Lamplification en tension dans la bande passante, Av =vs / ve = .(Rc//RL) / rbe.
- Limpdance dentre de lamplificateur dans la bande passante, Ze =(Re//rbe).
- Limpdance de sortie dans la bande passante, Zs =Rc.
Cette structure se comporte en amplificateur non inverseur.

5- Structures transistors.
51- Montage Darlington :

Ic1 Ic

Ib1 Vce1 Ic2

Vbe Vbe1 Vce
Ib2
Vbe2


En rgime linaire (Vce>2Volts):
Ic =Ic1+Ic2 =1.Ib1+2.Ib2 =1.Ib1+2.(1+1)Ib1 1.2.Ib1
La structure fonctionne comme un transistor bipolaire ayant une trs forte amplification en
courant.
Mais le niveau de saturation Vcesat est lev, Vcesat =Vce1sat +Vbe2 1,5V.
Le seuil Vbe =Vbe1 +Vbe2 1,4V.
- 5 - Transistor bipolaire.doc
52- Etage push pull :
+Vcc
Ic1
Ib1 T1

Ib Vbe Is


Ve Ib2 T2 Vs
Ic2
-Vcc
0V

T1 et T2 sont des transistors complmentaires de mme amplification .
Si Is>0 cest T1 qui travaille IC1 Is et T2 est bloqu Ic2 =0.
Si Is<0 cest T2 qui travaille IC2 -Is et T1 est bloqu Ic1 =0.
En rgime linaire ([Vcc-1Volt] >Vs <[-Vcc +1Volt]), Is .Ib.
La structure est un tage amplificateur de courant.
Vs =Ve +Vbe.
Mais Vbe =0,7V si Is>0 et 0,7V si Is<0. Il y a donc distorsion du signal Vs par rapport Ve.
A ce dfaut prs la structure est suiveur de tension.

Si ltage est plac dans la chane daction dun systme boucl, la distorsion en sortie peut
tre limine. Par exemple :

R R +Vcc

T1

- Ib Vbe Is
+

Ve T2 Vs

-Vcc


Ici Vs =Ve et la distorsion est reporte sur la sortie de lALI.
- 6 - Transistor bipolaire.doc