Electronique Cours

2006 2007
Hamid CHRIETTE
ELECTRONIQUE
ECOLE CENTRALE DE NANTES
Table des mati` eres

1 Introduction 2 G en eralit es - Rappels 2.1 Conventions et Notations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Transform ee de Laplace . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1 D enition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.2 Int er et de de la T L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.3 Quelques propri et es . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.4 Notion de complexe et T L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.5 Utilisation de la T L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.5.1 Un exemple dutilisation de la T L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.5.2 R eponse ` a un echelon damplitude E : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.5.3 R eponse ` a une sollicitation sinuso dale (solution compl` ete, avec i(0) = 0) : 2.2.5.4 R eponse ` a une sollicitation sinuso dale (uniquement le r egime permanent) 2.2.6 Stabilit e dun syst` eme (non d emontr e) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.7 Un exemple de syst` eme non causal : la commutation dune charge inductive . . . . 2.2.8 Quelques fonctions et leurs transform ees de Laplace . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Dip oles et Quadrip oles 3.1 Dip oles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Les dip oles lin eaires passifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2 Les dip oles actifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2.1 R esistance de sortie ou r esistance interne dun dip ole actif . 3.1.2.2 G en erateurs de tensions et de courants . . . . . . . . . . . 3.1.3 Conversion entre g en erateurs de tension et de courant . . . . . . . . 3.1.4 Comment calculer les caract eristiques dun g en erateur (de tension ou 3.1.4.1 Exemple : Caract eristiques du g en erateur . . . . . . . . . . 3.1.5 Th eor` eme de Millman . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.6 Puissance consomm ee par un dip ole . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.7 Deux dip oles tr` es particuliers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Quadrip oles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 D enitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 R esistances dentr ee et de sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Quadrip ole lin eaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 R esolution compl` ete . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.5 R esolution partielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.5.1 Cas g en eral : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.5.2 Dip ole lin eaire ` a la sortie dun quadrip ole lin eaire . . . . . 3.2.5.3 Dip ole actif ` a lentr ee dun quadrip ole lin eaire . . . . . . . 3.2.6 Quadrip ole lin eaire seul . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.7 Puissance consomm ee par un quadrip ole . . . . . . . . . . . . . . . . 3 17 19 19 20 20 20 20 21 21 21 22 22 22 22 23 24 25 25 25 26 26 26 26 27 27 27 27 28 29 29 29 30 31 31 31 31 32 33 34
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . de courant) ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4 3.3
` TABLE DES MATIERES Les amplicateurs sans contre r eaction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1 Amplicateur de tension parfait (g 3.5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.2 Amplicateur de courant parfait (g 3.6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.3 Amplicateur de transimp edance parfait (g 3.7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.4 Amplicateur de transadmittance parfait (g 3.8) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.5 Amplicateur : cas g en eral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Les Filtres de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.1 Filtre (de tension) passe-bas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.2 Filtre (de tension) passe-haut . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.3 Etude des ltres en r egime sinuso dal (r eponse harmonique) . . . . . . . . . . . . . 3.4.4 Filtre (de tension) passe-bas du premier ordre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.4.1 Exemples de ltres (de tension) passifs passe-bas du premier ordre . . . . 3.4.4.2 Propri et es des ltres (de tension) passe-bas du premier ordre . . . . . . . 3.4.4.3 R eponse fr equentielle dans le plan de bode des ltres passe-bas du premier ordre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.5 Filtre (de tension) passe-haut du premier ordre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.5.1 Exemples de ltres (de tension) passifs passe-hau du premier ordre . . . . 3.4.5.2 Propri et es des ltres (de tension) passe-haut du premier ordre . . . . . . 3.4.5.3 R eponse fr equentielle dans le plan de bode des ltres passe-haut du premier ordre (gure 3.14) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.6 Comment etudier un ltre (gure 3.15) ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 34 35 35 36 36 36 36 37 37 37 37 38 38 38 39 39 39 39 43 43 43 44 45 45 45 45 46 47 47 47 47 48 48 48 48 49 49 49 50 50 50 50 51
3.4
4 Les composants de l electronique 4.1 Les r esistances . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1.1 Les grandeurs caract eristiques dune r esistance . . . . . . . 4.1.2 Les potentiom` etres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1.3 Les r esistances variables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1.3.1 Les photor esistances . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1.3.2 Les thermistances . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 Les condensateurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3 Les transformateurs basse tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4 Les semiconducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4.1 D enition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4.2 Semiconducteurs intrins` eques et extrins` eques (gure 4.5) . . 4.4.3 Classication des dispositifs ` a semiconducteurs . . . . . . . 4.5 Calculs des temp eratures et des radiateurs . . . . . . . . . . . . . . 4.5.1 R esistance thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5.1.1 D enition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5.1.2 R esistances thermiques en s erie . . . . . . . . . . . 4.5.2 Composant seul . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5.2.1 Cha ne thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5.2.2 Zone admissible et puissance maximale dissipable 4.5.2.3 Temp eratures de jonction et de bo tier . . . . . . . 4.5.3 Composant associ e` a un radiateur . . . . . . . . . . . . . . 4.5.3.1 Cha ne thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5.3.2 Zone admissible et puissance maximale dissipable 4.5.3.3 Temp eratures de jonction et de bo tier . . . . . . . 4
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
` TABLE DES MATIERES 5 La diode ` a jonction PN 5.1 Symbole et d enition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2 Caract eristiques dune jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2.1 Polarisation directe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2.2 Polarisation inverse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2.3 Destruction dune diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3 Capacit e dune jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3.1 Polarisation directe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3.2 Polarisation inverse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.4 Di erents types de diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5 Diodes de redressement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5.1 Un exemple de diode de redressement : la diode BY252 . . . . 5.5.2 Mod elisations dune diode de redressement . . . . . . . . . . . 5.5.2.1 Mod elisation utilisant la loi de Shockley . . . . . . . 5.5.2.2 Jonction PN lin earis ee . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5.2.3 Jonction PN id eale avec tension de seuil . . . . . . 5.5.2.4 Jonction PN id eale . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5.3 Quelle mod elisation adopter ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5.3.1 Premier exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5.3.2 Second exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5.4 Utilisation des diodes de redressement . . . . . . . . . . . . . . 5.6 Les diodes Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.6.1 Un exemple de diode Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.6.2 Une mod elisation des diodes Zener . . . . . . . . . . . . . . . . 5.6.3 Utilisation typique dune diode Zener : la r egulation en tension 5.6.4 Diodes Zener en s erie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.6.5 Diodes Zener en parall` ele . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5 53 53 53 53 54 54 55 55 55 55 55 55 56 56 56 57 57 58 58 58 59 59 60 60 61 61 62 63 63 63 64 64 64 64 65 65 66 67 67 67 67 68 68 68 68 69 69 69 69
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6 Les transistors bipolaires 6.1 D enitions & Symboles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.1 Grandeurs utiles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.2 Polarisation dun transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.3 Puissance dissip ee dans un transistor . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2 Polarisation dun transistor : Montage Emetteur Commun (MEC) . . . 6.2.1 Cas dun transistor NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2.2 Exemples de polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65subsubsection.6.2.2.1 6.2.2.2 Transistor dans la zone active . . . . . . . . . . . . . . 6.2.2.3 Transistor satur e. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2.2.4 Collecteur ouvert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2.2.5 Puissance dissip ee par transistor dans le cas dun MEC 6.2.3 MEC : cas dun transistor NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3 Caract eristiques des transistors NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.1 Caract eristique Base-Emetteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.2 Caract eristique Emetteur-Collecteur . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.2.1 la zone de blocage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.2.2 la zone active . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.2.3 la zone de saturation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.2.4 la zone davalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.3 Valeurs limites ` a ne pas d epasser . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.3.1 Valeurs limites applicables ` a la jonction BE . . . . . . . 5
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
` TABLE DES MATIERES 6.3.3.2 Valeurs limites applicables ` a la caract eristique CE . . . . . . . . . . . . . 6.3.3.3 Valeur limite applicable ` a la jonction BC . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.3.4 R esum e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.4 Exemples de transistors NPN au Silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.4 Une mod elisation dun transistor polaris e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.4.1 Transistor dans l etat bloqu e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.4.2 Transistor dans la zone active . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.4.3 Transistor satur e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.4.4 Repr esentations graphiques des caract eristiques mod elis ees . . . . . . . . . . . . . 6.4.4.1 Caract eristique IC (IB , VCE ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.4.4.2 Caract eristique VBE (IB , VCE ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.4.5 Mod elisation dun transistor de gain inni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5 Application de la mod elisation ` a di erents montages de polarisation . . . . . . . . . . . . 6.5.1 Montage EC dun transistor NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5.2 Parfaire le blocage dun transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5.3 Polarisation par r eaction d emetteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5.4 Autre types de polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.6 Association de transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.6.1 Le montage Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.6.2 Le montage White . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.6.3 Un montage curieux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.7 Le transistor en commutation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.7.1 D enitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.7.2 Commutation dune charge purement r esistive dans le montage emetteur-commun 6.7.3 Commutation dune charge inductive dans le montage emetteur-commun . . . . . 6.7.4 Electronique de puissance : pourquoi utiliser un transistor en commutation ? . . . 6.7.4.1 R eglage par Rh eostat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.7.4.2 Par transistor en commutation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8 Sources de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8.1 Une source el ementaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8.2 Miroir de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8.3 Am elioration du montage pr ec edent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.9 Sources de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.9.1 Une application du montage collecteur commun : r egulateur de tension ` a transistor et diode Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.9.2 Courant de sortie bidirectionnel : lamplicateur push-pull . . . . . . . . . . . . . . 6.10 Amplicateur di erentiel gures 6.29 et 6.30 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69 70 70 70 71 71 72 72 73 73 73 73 73 74 75 75 75 75 75 76 77 77 77 78 79 80 80 80 81 81 81 81 82 82 82 82 85 85 88 89 89 90 90 90 90 90 91 91 91
7 Les amplicateurs op erationnels : AOP 7.1 Pourquoi les amplicateurs op erationnels ont-ils et e imagin es ? . . . . . 7.2 Pr esentation des amplicateurs op erationnels int egr es . . . . . . . . . . 7.2.1 Amplicateur op erationnel aliment e sous tension sym etrique . . 7.2.2 Amplicateur op erationnel aliment e sous tensions dissym etriques 7.3 Mod elisations dun amplicateur op erationnel en r egime non satur e. . . 7.3.1 In equations caract erisant le r egime non satur e . . . . . . . . . . 7.3.2 Mod elisation des entr ees . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.3.2.1 Entr ee di erentielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.3.2.2 Imp edances dentr ees innies . . . . . . . . . . . . . . . 7.3.3 Mod elisation de la sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.3.3.1 Gain variable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.3.3.2 Gain constant ni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
` TABLE DES MATIERES
7.4
7.5
7.6
7.7
7.8
7.3.3.3 Gain inni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91 Mod elisations classiques dun amplicateur op erationnel . . . . . . . . . . . . . . . 91 Remarques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93 Etude du gain ABO (s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93 7.3.6.1 Fr equence de coupure fcBO en boucle ouverte dun amplicateur op erationnel 93 7.3.6.2 Relation entre f1BO , fcBO et A0BO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94 7.3.7 Comment obtenir les caract eristiques dun amplicateur op erationnel ? . . . . . . . 94 7.3.7.1 Gain en boucle ouverte ` a fr equence nulle A0BO et fr equence de coupure en boucle ouverte fCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94 7.3.7.2 Imp edance de sortie Zs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 7.3.7.3 Imp edance dentr ee di erentielle Zed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 7.3.7.4 Tension de saturation Vsat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 7.3.8 Mise en equation r eduite . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 Montages utilisant la contre r eaction parall` ele de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 7.4.1 Le montage non inverseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 7.4.2 Le montage suiveur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96 7.4.3 Inuence des imp edances dentr ee et de sortie (montage suiveur) . . . . . . . . . . 96 7.4.4 Adjonction dun transistor de sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97 Montages bas es sur la contre r eaction de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97 7.5.1 Lamplicateur op erationnel consid er e comme amplicateur de transimp edance . . 97 7.5.2 Le montage inverseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98 7.5.3 Le montage inverseur sommateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98 7.5.4 Le montage d erivateur inverseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98 7.5.4.1 Le probl` eme particulier du montage d erivateur . . . . . . . . . . . . . . . 99 7.5.5 Le montage int egrateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99 7.5.5.1 Mise en equation de lint egrateur pur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99 7.5.5.2 Le probl` eme particulier du montage int egrateur pur . . . . . . . . . . . . 99 7.5.6 Lamplicateur di erentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 D efauts des amplicateurs op erationnels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 7.6.1 Limitation du courant de sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 7.6.2 Courants de polarisation dentr ee . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101 7.6.2.1 Mod elisation des courants de polarisation constants . . . . . . . . . . . . 101 7.6.2.2 Eet des courants de polarisation sur le montage inverseur . . . . . . . . 101 7.6.2.3 Compensation des courants de polarisation dentr ee dans le montage inverseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101 7.6.3 Tension de d ecalage dentr ee . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102 7.6.4 D efauts pr ec edents cumul es . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102 7.6.4.1 Eet des d efauts cumul es sur le montage inverseur . . . . . . . . . . . . . 102 7.6.4.2 Compensation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 7.6.5 Vitesse nie de balayage de la sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 Lampli op erationnel en r egime satur e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 7.7.1 Caract erisation du r egime satur e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 7.7.2 Mod elisation de lentr ee dun amplicateur op erationnel . . . . . . . . . . . . . . . 103 7.7.3 Mod elisation de la sortie dun amplicateur op erationnel . . . . . . . . . . . . . . . 103 7.7.3.1 Amplicateur dont le gain est inni en r egime non satur e . . . . . . . . . 104 7.7.3.2 Amplicateur dont le gain est ni en r egime non satur e . . . . . . . . . . 104 Exemples de fonctionnement en r egime satur e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104 7.8.1 Le trigger de Schmitt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104 7.8.2 Oscillateur ` a trigger de Schmitt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105 7.8.3 G en erateur de tension triangulaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105 7.3.4 7.3.5 7.3.6 7
` TABLE DES MATIERES 107 107 108 108 108 109 109 110 111 111 111 112 112 113 113 113 114 115 115 116 117 117 117 119 119 119 121 121 121 123 123 123 123 124 124 125 125 126 126 126 126 127 128 129 129 129 130 131
8 Les circuits int egr es num eriques 8.1 R ealisation de fonctions logiques par des transistors bipolaires . . . . . . . . . . . 8.2 Les circuits int egr es num eriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.2.1 Degr e dint egration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.2.2 Les principales technologies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3 Les circuits int egr es logiques TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3.1 Caract eristiques g en erales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3.2 Principe de fonctionnement de linverseur TTL . . . . . . . . . . . . . . . 8.3.3 Caract eristique de transfert dun inverseur et niveaux logiques TTL . . . . 8.3.4 Caract eristiques electriques des entr ees et des sorties TTL . . . . . . . . . 8.3.4.1 Charge nominale dentr ee TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3.4.2 Sortie TTL nominale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3.5 Entr ee ` a trigger de Schmitt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3.6 Sortie collecteur ouvert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3.6.1 Caract eristiques dune sortie TTL ` a collecteur ouvert . . . . . . 8.3.6.2 Quelques exemples dutilisation des sorties ` a collecteur ouvert . 8.4 Les circuits int egr es logiques CMOS (famille CD 4xxx) . . . . . . . . . . . . . . 8.4.1 Caract eristiques g en erales des circuits int egr es logiques CD4xxx . . . . . 8.4.2 Principe de fonctionnement de linverseur CMOS . . . . . . . . . . . . . . 115subsubsection.8.4.2.1 8.4.3 Caract eristique de transfert dun inverseur et niveaux logiques CMOS . . 8.4.3.1 Niveaux logiques des entr ees CMOS (pour VDD VSS 4.5V) 8.4.3.2 Niveaux logiques des sorties CMOS (pour VDD VSS 4.5V) . 8.4.3.3 Courants maxima de sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 R egulateurs de tension int egr es 9.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.2 R egulateurs 78xx et 79xx . . . . . . . . . . . . . . 9.2.1 Puissance dissip ee par un r egulateur 78xx 9.3 Mod elisation dun r egulateur de tension xe (78xx) 9.4 Montage pour courants importants . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
A Exercices A.1 Exercices sur les chapitres 2 & 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.1.1 Transformation de Laplace . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.1.2 Quadrip ole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.1.3 Nullateurs et Norateurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.1.4 R egulateur de tension int egr e . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.2 Exercices sur le chapitre 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.2.1 Diode lin earis ee . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.2.2 Diode Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.3 Exercices sur le chapitre 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.3.1 Montage Emetteur Commun . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.3.2 Montage Collecteur Commun . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.3.3 Etude dun g en erateur de courant constant . . . . . . . . . . A.3.4 Amplicateur push-pull . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.4 Exercices sur le chapitre 7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.4.1 Montage suiveur avec transistor (Voir Chapitre 7, gure 7.12 A.4.2 Etude dun ltre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.4.3 Stabilit e dun montage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.4.4 Convertisseurs Num eriques Analogiques . . . . . . . . . . 8
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
A.5 Exercices sur le chapitre 8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131 A.5.1 Interfaces TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131 A.6 Exercices sur le chapitre 9 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132 132subsection.A.6.1 B Projet d electronique : R egulation de vitesse dun MCC B.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.2 Composants et connectique utilis es pour le projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.3 Etapes de la r ealisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.4 Pr eliminaire : Alimention ` a tension constante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.5 Premi` ere etape : r ealisation de lalimentation +8V . . . . . . . . . . . . . . . . B.6 Deuxi` eme etape : R ealisation dun signal horloge . . . . . . . . . . . . . . . . . B.6.1 Caract eristiques du TL074 : quadruple AOP. . . . . . . . . . . . . . . . . B.7 Troisi` eme etape : Compteur CD4040 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.8 Quatri` eme etape : La rampe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.9 Cinqui` eme etape : Actionneur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.9.1 Caract eristiques du BD680 ou BD680A : transistor darlington PNP . . . B.9.2 Caract eristiques du LM393 : double comparateur . . . . . . . . . . . . . . B.10 Sixi` eme etape : les signaux MV et IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.11 Septi` eme etape : Inhibition de la commande du hacheur . . . . . . . . . . . . . B.12 Huiti` eme etape : Capteur de vitesse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.12.1 Etude de linterrupteur analogique CD4066 : . . . . . . . . . . . . . . . . B.12.2 Caract eristiques du CD4066B : quadruple interrupteur analogique . . . . B.13 Neuvi` eme etape : R ealisation de lasservissement avec correcteur proportionnel C Caract eristiques 135 135 135 137 137 138 138 139 139 139 140 141 141 141 142 142 142 143 143 145
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
10
Table des gures

2.1 2.2 2.3 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 3.10 3.11 3.12 3.13 3.14 3.15 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 4.10 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 6.1 6.2 Utilisation de la T L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuit RL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Commutation dune charge inductive. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dip ole passif. . . . . . . . . . . . . . . . . Dip ole actif. . . . . . . . . . . . . . . . . Repr esentation dun norateur. . . . . . . Repr esentation dun nullateur. . . . . . . Ampli. de tension parfait. . . . . . . . . . Ampli. de courant parfait. . . . . . . . . . Ampli. de transimp edance parfait. . . . . Ampli. de transadmittance parfait. . . . . Filtre RC . . . . . . . . . . . . . . . . . . Filtre LR. . . . . . . . . . . . . . . . . . er R eponse Fr equentielle dun F P B 1 ordre . . Filtre CR. . . . . . . . . . . . . . . . . . Filtre RL. . . . . . . . . . . . . . . . . . er R eponse Fr equentielle dun F P H 1 ordre . . Etude dun ltre. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 21 23 25 25 28 28 35 35 35 36 37 37 38 39 39 40 40 43 44 45 45 47 48 49 49 50 51 53 59 59 59 60 60 61 63 63
Une r esistance r eelle. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Pmax admissible en fonction de la temp erature ambiante. Potentiom` etre. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Un condensateur r eel. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Principaux composants semiconducteurs. . . . . . . . . . . R esistance thermique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R esistances thermiques en s erie. . . . . . . . . . . . . . . . Graphe de P = f (TA ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Cha ne thermique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Graphe de P = f (TC ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Symbole. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Redressement mono-alternance non ltr e (` a vide). Redressement double alternance non ltr e. . . . . Redressement double alternance ltr e. . . . . . . . Redressement double alternance ltr e. . . . . . . . Caract eristiques dune diode Zener & Symbole. . . Montage ` a diode Zener. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Transistor PNP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
12 6.3 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 6.9 6.10 6.11 6.12 6.13 6.14 6.15 6.16 6.17 6.18 6.19 6.20 6.21 6.22 6.23 6.24 6.25 6.26 6.27 6.28 6.29 6.30 7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9 7.10 7.11 7.12 7.13 7.14 7.15 7.16 7.17 7.18 8.1 8.2 8.3
TABLE DES FIGURES Polarisation dun transistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Transistor bloqu e, base court-circuit ee. . . . . . . . . . . . . . . . . . Transistor bloqu e, base ouverte. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . RBB = 34.2 k. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . RBB = 22 k. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . RBB = 34.2 k. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . RBB = 22 k et EBB =15V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Collecteur ouvert. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caract eristique base- emetteur dun transistor NPN au Silicium. . . . Caract eristiques emetteur-collecteur dun transistor NPN au Silicium. Valeurs limites applicables ` a la jonction BE. . . . . . . . . . . . . . . Valeurs limites applicables ` a la jonction CE. . . . . . . . . . . . . . . Polarisation par r eaction de collecteur. . . . . . . . . . . . . . . . . . Polarisation par diviseur de tension. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Le montage darlington. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Le montage White. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Commutation dune charge purement r esistive dans le MEC. . . . . . Graphique 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Commutation dune charge inductive dans le MEC. . . . . . . . . . . Graphique 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Miroir de courant ` a deux transistors NPN. . . . . . . . . . . . . . . . Miroir de courant ` a trois transistors NPN. . . . . . . . . . . . . . . . Montage amplicateur push-pull. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Polarisation dun push-pull. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Utilisation dun push-pull. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R ealisation de la source de courant. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Polarisation par r esistances. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Polarisation par source de courant. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sch ema de base dun syst` eme asservi. . . . . . . . . . . . . La contre r eaction. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . La contre r eaction avec masse commune. . . . . . . . . . . R eseau de pr el` evement de tension. . . . . . . . . . . . . . . R eaction parall` ele de tension. . . . . . . . . . . . . . . . . . Sch ema electrique de la r eaction parall` ele de tension. . . . Repr esentation symbolique dun AOP. . . . . . . . . . . . . Une autre repr esentation dun amplicateur op erationnel. . Diagramme de gain de bode dun Filtre passe-bas 1er ordre. Montage non inverseur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Montage suiveur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Adjonction dun transistor de sortie. . . . . . . . . . . . . . Amplicateur de transimp edance. . . . . . . . . . . . . . . Le montage inverseur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Le sommateur inverseur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Le d erivateur inverseur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Montage int egrateur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Amplicateur di erentiel. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64 65 65 65 66 66 66 67 68 68 69 70 75 75 76 76 78 78 79 79 81 81 82 82 83 83 83 83
. 86 . 86 . 87 . 87 . 88 . 88 . 89 . 90 . 94 . 95 . 96 . 97 . 98 . 98 . 98 . 99 . 99 . 100
Porte NON-ET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107 Porte NON. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107 Porte NON-OU. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107 12
TABLE DES FIGURES 8.4 8.5 8.6 8.7 8.8 8.9 8.10 8.11 8.12 9.1 9.2 9.3 9.4 Sch ema de principe dun inverseur TTL. . . . . . . Caract eristique de transfert dun inverseur TTL. . Porte 7414 : Entr ee ` a trigger de Schmitt. . . . . . Sortie collecteur ouvert. . . . . . . . . . . . . . . . Sortie collecteur ouvert/ entr ee trigger de Schmitt. Sortie ` a l etat OFF. . . . . . . . . . . . . . . . . . Sortie ` a l etat ON. . . . . . . . . . . . . . . . . . Sch ema de principe dun inverseur CMOS. . . . . Caract eristique de transfert dun inverseur CMOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
13 110 111 112 113 114 114 114 115 116 120 120 121 122
Courants et tensions dans un r egulateur de tension xe. . . . . . . . . Alimentations continues r egul ees ` a base de r egulateurs de tension xe. Sch ema equivalent dun r egulateur de tension positive 78xx. . . . . . Montage pour courant fort, sans protection contre les court-circuits. .
A.1 CNA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131 B.1 B.2 B.3 B.4 B.5 B.6 B.7 B.8 B.9 B.10 B.11 B.12 B.13 B.14 B.15 B.16 Mod` ele Fleishmann dune locomotive diesel. Principe de base dune r egulation. . . . . . . Circuit ` a diode Zener. . . . . . . . . . . . . . . Potentiom` etre. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R eseau ferroviaire. . . . . . . . . . . . . . . . . Les alimentations de la table. . . . . . . . . . . Plaquette du 7808. . . . . . . . . . . . . . . . . G en eration dun signal horloge. . . . . . . . . Etude dun CD4040. . . . . . . . . . . . . . . . G en eration dune rampe. . . . . . . . . . . . . Actionneur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R ealisation des signaux IC et MV. . . . . . . Inhibition de la commande. . . . . . . . . . . . Image de la vitesse electrique. . . . . . . . . . Circuit echantillonneur-bloqueur. . . . . . . . Correcteur proportionnel. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135 135 136 136 136 137 138 138 139 139 140 141 142 142 143 144
13
14
TABLE DES FIGURES
14
Liste des tableaux

1.1 2.1 2.2 3.1 3.2 3.3 4.1 4.2 4.3 5.1 6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 6.6 7.1 7.2 7.3 8.1 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6 8.7 8.8 8.9 Emploi du temps Cours/TD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Propri et es de la T L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T L usuels. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dip oles passifs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dip oles actifs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Norateur et Nullateur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Principales caract eristiques des r esistances. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Exemples de condensateurs non polaris es. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Exemples de condensateurs polaris es. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mod elisation dune diode Zener. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . transistors. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 20 24 25 26 28 45 46 46 61 71 71 71 72 72 74
Caract eristiques de di erents transistors. . . . . Valeurs limites ` a ne pas d epasser pour quelques Transistor dans l etat bloqu e. . . . . . . . . . . Transistor dans l etat actif. . . . . . . . . . . . Transistor dans l etat satur e. . . . . . . . . . . Transistor de gain . . . . . . . . . . . . . . .
Mod elisation classique dun AOP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92 Amplicateur dont le gain est en r egime non satur e. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104 Amplicateur dont le gain est ni en r egime non satur e. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104 Circuits int egr es comprenant 4 portes non-et ` a 2 entr ees . . . . . Charge nomimale dentr ee TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sortie TTL nominale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sortie TTL ` a collecteur ouvert (Exemple du 7416). . . . . . . . . Niveaux logiques CMOS, condition forte . . . . . . . . . . . . . Niveaux logiques CMOS, condition faible . . . . . . . . . . . . Tension de sortie CMOS, condition forte . . . . . . . . . . . . . Tension de sortie CMOS, condition faible . . . . . . . . . . . . . Intervalle des valeurs du courant de sortie d ?un circuit CD4xxx . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109 112 112 113 117 117 117 117 118
C.1 Tableau r ecapitulatif. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
15
16
LISTE DES TABLEAUX
16
Chapitre 1
Introduction
Objectifs du cours
Cet enseignement a pour but la pr esentation des composants simples de lElectronique en insistant sur les points suivants : Mise en equation syst ematique des montages, Notion de mod` ele dun composant et les limites de ce mod` ele.
Organisation : Cours, TD, TA et TP.

Cours Cours n 1 : Chapitre 2 & 3 Cours n 2 : Chapitre 5 Cours n 3 : Chapitre 6 Cours n 4 : Chapitre 7 Cours n 5 : Chapitre 8 Cours n 6 : Chapitre 9 TD TD 1 : Exercices A.1.3 et A.2.1 TD 2 : Exercice A.3.3 TD 3 : Exercice A.4.3 - Partie I TD 4 : Exercice A.4.3 - Partie II TD 5 : Exercice A.5.1 - Questions 1 et 3 TA Exercice Exercice Exercice Exercice Exercice Exercice Exercice Exercice
A.1.4 A.2.2 A.3.2 A.3.4 A.4.2 A.4.4 A.5.1 - Question 2. A.6.1
Tab. 1.1 Emploi du temps Cours/TD.
Travaux en Autonomie (TA)

Les coordonn ees de vos tuteurs vous seront communiqu es en cours. Validation des TA : la date limite de la validation des TA est x ee au 30 novembre. Tous les exercices sont ` a traiter mais pour valider votre TA, apr` es avoir pris un rendez-vous par bin ome avec votre tuteur, seul 2 exercices parmi les huit propos es sont ` a pr esenter. Cette rencontre est obligatoire ainsi que le respect de la date limite. M eme si cela nest pas obligatoire, il est vivement conseill e de prendre un RDV interm ediaire pour discuter avec votre tuteur d eventuelles dicult es. La pr esentation nale du travail en autonomie se fera sous forme dun expos e. Outre le fait que votre tuteur vous questionnera sur les deux exercices choisis, vous pouvez etre questionn e sur lensemble des exercices. 17
18
1. Introduction
Travaux Pratiques (TP)

Les TP d electronique ou plus exactement le projet d electronique consiste ` a concevoir et exp erimenter une r egulation de vitesse pour un petit moteur ` a courant continu. Le projet d electronique a une dur ee de 15H (4 s eances de 3 modules horaires). Il donnera lieu ` a la r edaction dun rapport manuscrit qui sera rendu ` a la n de votre derni` ere s eance. La salle de TP se trouve dans le b atiment D, cest la D102.
18
Chapitre 2
G en eralit es - Rappels
2.1 Conventions et Notations
Valeur instantan ee dune grandeur (variable avec le temps) : not ee par une lettre minuscule, et un (des) indice(s) eventuel(s) en majuscule. Exemples : i, u, iE , vCE Valeur constante au cours du temps : not ee par une lettre majuscule, et un (des) indice(s) eventuel(s) en majuscule. Exemples : I, U, IE , VCE Valeur maximale (ou valeur de cr ete) dune grandeur : not ee par une lettre majuscule, suivie de lindice max. Exemples : Imax , Umax Valeur moyenne dune grandeur g entre les instants t1 et t2 (parfois not ee par une lettre majuscule suivie de lindice moy) : t2 1 gdt Gmoy = t2 t1 t1 Valeur ecace dune grandeur g entre les instants t1 et t2 (not ee par une lettre majuscule suivie de lindice e) : t2 1 Geff = g2 dt t2 t1 t1 Grandeur p eriodique : grandeur dont la valeur instantan ee prend des valeurs egales ` a des intervalles de temps egaux, dont la dur ee T de chacun deux est appel e p eriode de la grandeur. Grandeur alternative : grandeur p eriodique dont la valeur moyenne est nulle. Elle est not ee par une lettre minuscule, et un ou plusieurs indice(s) en minuscule. Exemples : i, u, ie , vce Toute grandeur p eriodique peut etre d ecompos ee en la somme de sa valeur moyenne et dune grandeur alternative ; on ecrira : iE = IE + ie et vCE = VCE + vce Grandeur sinuso dale : grandeur g qui peut s ecrire sous la forme : g = Geff 2 cos( t + ) avec f = 1/T = /2 19
20 R esultats classiques :
2.2. Transform ee de Laplace
Gmoy = 0 et Gmax = Geff 2
Valeur complexe G associ ee ` a une grandeur sinuso dale g : g = Geff 2 cos( t + ) G = Geff 2ej R esultats classiques : si G = a + jb, alors : Geff = 1 2 (a + b2 ) 2
2.2
2.2.1
Transform ee de Laplace
D enition
Soit f une application de R+ C ; sa transform ee de Laplace1 est lapplication not ee F de C C d enie par :
+
F (s) = Lf (s) =
0
f (t)est dt
2.2.2
Int er et de de la T L
La transformation de Laplace : Est tr` es utile pour r esoudre des equations di erentielles et d eterminer la fonction de transfert dun syst` eme lin eaire. Par exemple en electronique, elle tient compte de lexistence dun r egime transitoire pr ec edant le r egime permanent (exemple : la prise en compte de lallure du signal avant et apr` es la mise en marche dun g en erateur de fr equence ). Il sut en eet de transposer l equation di erentielle dans le domaine de Laplace pour obtenir une equation beaucoup plus simple ` a manipuler ; Permet dobtenir la r eponse du syst` eme ` a des sollicitations autres que sinuso dales ; Permet de mettre en evidence une fraction rationnelle en s qui caract erise le syst` eme, ind ependamment des sollicitations qui lui sont impos ees ; Les conditions initiales sont prises en compte dans l equation ; Renseigne sur la stabilit e du montage.
2.2.3
Quelques propri et es
Soit F (s) et G(s), respectivement, les T L de f (t) et de g (t) alors : Propri et e Lin earit e D erivation Int egration Fonction origine af (t) + bg (t) f(t)
t 0 f (x)dx
Sa T L aF (s) + bG(s) sF (s) f (0)

1 s F (s)
Tab. 2.1 Propri et es de la T L.

1
Dans la suite on notera la transform ee de Laplace par T L
20
2. G en eralit es - Rappels
21
2.2.4
Notion de complexe et T L
Dans les equations obtenues par T L , on retrouve la notation complexe en imposant : s = jw ; Toutes les conditions initiales (CI) nulles. La T L est ainsi une g en eralisation de la transformation complexe.
2.2.5
Utilisation de la T L
Fig. 2.1 Utilisation de la T L
2.2.5.1
Un exemple dutilisation de la T L
Exemple dun circuit RL s erie, o` u u(t) et i(0) sont donn es ;
Fig. 2.2 Circuit RL. Le comportement du syst` eme est caract eris e par une equation di erentielle du premier ordre en i, avec la condition initiale sur i :
di Ri(t) + L dt = u(t) ;
i = 0. En eectuant la T L, on obtient (bien noter que l equation suivante est equivalente ` a lensemble form e par l equation di erentielle en i et par la CI) : RI (s) + L (sI (s) i(0)) = U (s) 21
22 En posant = L/R, on obtient : I (s) = 1 U (s) + i(0) L 1 + s 1 + s
Ce r esultat est une forme g en erale de la r eponse I (s) en fonction de la sollicitation U (s). 2.2.5.2 R eponse ` a un echelon damplitude E :
TL E s.
On a donc : u(t) = E Lu = U(s) =
Si i(0) = 0, alors : 1 E L 1 + s s
I (s) =
ees de Laplace : et, en consultant le tableau 2.2 des transform i(t) = 2.2.5.3 E 1 et/ R
R eponse ` a une sollicitation sinuso dale (solution compl` ete, avec i(0) = 0) : TL s U(s) = Uef f 2 s2 + . Do` u: On a donc : u(t) = Uef f 2 cos(wt) w2 Uef f 2 1 s I (s) = L s + 1 s2 + w2 Et, en r eduisant en el ements simples sur R : Uef f 2 1 s w2 I (s) = + + R (1 + 2 w2 ) s + 1 s2 + w2 s2 + w2
Enn, en consultant le tableau 2.2 des transform ees de Laplace : Uef f 2 cos(wt) + w sin(wt) et/ i(t) = R (1 + 2 w2 ) 2.2.5.4 R eponse ` a une sollicitation sinuso dale (uniquement le r egime permanent)
Dans l equation U (s) = (R + Ls)I (s), on remplace s par jw et i(0) par 0 ; on obtient : U (jw) = (R + jLw)I (jw) On retrouve l equation obtenue en notation complexe.
2.2.6
Stabilit e dun syst` eme (non d emontr e)
D enition 1 : Un syst` eme est dit stable si, pour toute entr ee born ee, sa sortie reste born ee. On consid` ere les syst` emes, dentr ee e(t) et de sortie s(t), dont le comportement est d ecrit par une equation de la forme : N (s) Sinitiale (s) Einitiale (s) S (s) = E (s) + D(s) D(s) o` u: E (s) et S (s) sont, respectivement, les T L des fonctions e(t) et s(t) ; 22
2. G en eralit es - Rappels
23
Sinitiale (s) est un polyn ome en s d ependant des conditions initiales de s(t) ; cest le polyn ome nul si les conditions initiales de s(t) sont toutes nulles ; Einitiale (s) est un polyn ome en s d ependant des conditions initiales de e(t) ; cest le polyn ome nul si les conditions initiales de e(t) sont toutes nulles ; N et D sont des polyn omes en s, ` a coecients r eels ; pour les syst` emes physiques, on a N (si N > D, le syst` eme nest pas causal, voir la 2.2.7 ci-dessous). D enition 2 : La stabilit e dun syst` eme est fournie par la valeur des z eros de D(s) : le syst` eme est stable si toutes les racines sont ` a partie r eelle strictement n egative ; le syst` eme est instable si il existe au moins une racine ` a partie r eelle strictement positive (en pratique, le syst` eme part en saturation, et d` es lors le mod` ele nest plus valable) ; le syst` eme est ` a la limite de la stabilit e si il existe au moins une racine ` a partie r eelle nulle, les autres etant ` a partie r eelle strictement n egative (ce cas est purement math ematique). D enition 3 : R eponse harmonique2 : sous r eserve que le syst` eme soit stable, le r egime permanent (qui est ind ependant des conditions initiales) est d ecrit par : S (jw) = N (jw) E (jw) D(jw) D
Cette ecriture est obtenue ` a partir de l equation en s en y posant toutes les conditions initiales nulles puis en y rempla cant s par jw.
2.2.7
Un exemple de syst` eme non causal : la commutation dune charge inductive
Soit le montage de la gure 2.3 :
Fig. 2.3 Commutation dune charge inductive.
Charge inductive : U1 (s) = (R + Ls)I (s) Li(0) ; Interrupteur : si ouvert I (s) = 0, si ferm e U2 (s) = 0 ; Loi des mailles : U1 (s) + U2 (s) = E/s. Premi` ere situation : Pour t < 0, linterrupteur reste ouvert en permanence (le courant i est alors uniform ement nul, la tension u2 aussi, et la tension u1 vaut E) ; ` a t=0, linterrupteur est ferm e (l equation a consid ` erer est U2 (s) = 0, et la condition initiale i(0) = 0) ; en r esolvant le syst` eme en U1 (s) et I (s), on obtient : U1 (s) =
2 1 E TL s
u1 (t) = E ;
R eponse harmonique : e(t) est sinuso dal
23
24 I (s) = et donc :
E1 1 R s s+ 1
E 1 et/ R Seconde situation : pour t < 0, linterrupteur reste ferm e en permanence (le courant i vaut alors E/R, la tension u1 vaut E et U2 est nulle) ; ` a t = 0, linterrupteur est ouvert : l equation de linterrupteur est maintenant I (s) = 0 et la condition initiale i(0) = E/R ; en r esolvant le syst` eme en U1 (s) et U2 (s), on obtient : i(t) = U1 (s) = E ; U2 (s) =
E s
+ E .
Par ailleurs, on sait que loriginal de 1 est la fonction de Dirac3 . Autrement dit : u1 (t) est nulle pour t > 0, et pr esente en 0 un pic ` a ; u2 (t) vaut E pour t > 0, et pr esente en 0 un pic en +.
2.2.8
Quelques fonctions et leurs transform ees de Laplace

f (t) K Kt et sin(wt) cos(wt) sin(wt).et cos(wt).et F (s)
K s K s2 1 s+ w s2 + w 2 s s2 + w 2 w (s + )2 + w 2 s+ (s + )2 + w 2
Tab. 2.2 T L usuels.
En dautres termes : 1 (t)
T L 1
24
Chapitre 3
Dip oles et Quadrip oles

3.1 Dip oles
Le comportement dun dip ole est caract eris e par une equation (sauf pour les norateurs et nullateurs, voir 3.1.7, page 28) de la forme f (i, u) = 0, o` u i est le courant ` a travers le dip ole, et u la tension ` a ses bornes. Un dip ole est dit passif si il ne contient aucune source d energie (gure 3.1) ; il est actif dans le cas contraire (gure 3.2). Un dip ole est dit lin eaire si son equation est lin eaire.
Fig. 3.1 Dip ole passif.
Fig. 3.2 Dip ole actif.
3.1.1
Les dip oles lin eaires passifs
Type Relations Relation entre valeurs instantan ees Transformation de Laplace Grandeurs associ ees complexes R esistance pure R u = Ri Inductance pure L
di L dt
Capacit e pure C C du dt I (s) = CsU (s) Cu(0)

1 jCw I
U (s) = RI (s)
U (s) = LsI (s) Li(0)
U = RI
U = LjwI
U=
Tab. 3.1 Dip oles passifs.
25
26
3.1. Dip oles
3.1.2
3.1.2.1
Les dip oles actifs

R esistance de sortie ou r esistance interne dun dip ole actif
Rint = du dt 3.1.2.2 G en erateurs de tensions et de courants
Pour simplier l ecriture, on va noter G en erateur de Courant par GC et G en erateur de Tension par GT Propri et es Type Caract eristique Relation Sch ema equivalent
GT Parfait
R esistance interne nulle
u=E
GT R eel
Caract eris e par E et Rint
u = E Rint i
GC Parfait
R esistance interne innie
i = Icc
GC R eel
Caract eris e par Icc et Rint
i = Icc
u Rint
Tab. 3.2 Dip oles actifs.
3.1.3
Conversion entre g en erateurs de tension et de courant
G en erateur de tension parfait g en erateur de courant : IMPOSSIBLE G en erateur de courant parfait g en erateur de tension : IMPOSSIBLE G en erateur de tension r eel g en erateur de courant :
G en erateur de courant r eel g en erateur de tension : 26
3. Dip oles et Quadrip oles
27
3.1.4
Comment calculer les caract eristiques dun g en erateur (de tension ou de courant) ?
Un g en erateur est caract eris e pas trois param` etres E , Icc et Rint li es par la relation : E = Icc Rint Il sut donc de deux equations ind ependantes. On choisit deux calculs parmi les trois suivants possibles : 1. Calcul direct de la tension ` a vide (Th eor` eme de Th evenin) E ; 2. Calcul direct du courant de court-circuit Icc ; 3. Calcul direct de la r esistance interne (Th eor` eme de Norton) Rint : pour ce dernier calcul, on remplace chaque g en erateur par sa r esistance interne. 3.1.4.1 Exemple : Caract eristiques du g en erateur
Calcul de la tension ` a vide (i = 0) : E = RI0 Calcul du courant de court-circuit (u = 0) : Icc = I0 /2 Calcul de la r esistance interne : Rint = 2R 0 V erication : Icc Rint = ( I2 )(2R) = RI0 = E
3.1.5
Th eor` eme de Millman
Comment calculer les caract eristiques de ce dip ole ?
3.1.6
Puissance consomm ee par un dip ole
Si courant et tension sont orient es dans le m eme sens, un signe moins appara t dans lexpression de la puissance. 27
28
3.1. Dip oles
3.1.7
Deux dip oles tr` es particuliers
Sont pr esent es ici deux dip oles tr` es particuliers : le norateur et le nullateur. Dip ole Norateur (gure 3.3) Propri et e Le courant ` a travers un norateur et la tension a ses bornes sont quelconques et ind ` ependants ; seul le reste du montage permettra de calculer ces grandeurs Le nullateur impose ` a ses bornes une tension nulle, tout en nabsorbant aucun courant ; ce nest ni un court-circuit (tension nulle, courant quelconque), ni un circuit ouvert (courant nul, tension quelconque) Tab. 3.3 Norateur et Nullateur. Evidemment ces dip oles ne peuvent pas etre synth etis es avec des g en erateurs et des composants passifs uniquement ; cependant ils sont indispensables pour donner une repr esentation graphique de nombreux composants actifs, comme par exemple un amplicateur op erationnel id eal (7.3.4, page 91), un transistor satur e (6.4.3, page 72) ou encore des circuits int egr es g en erateurs de tension (voir chapitre 8). Norateurs et nullateurs ne peuvent appara tre dans un montage r eel quen nombres egaux. Equation Aucune
Nullateur (gure 3.4)
u = 0 et i = 0
Fig. 3.3 Repr esentation dun norateur.
Fig. 3.4 Repr esentation dun nullateur.
28
29
3.2
3.2.1
Quadrip oles
D enitions
Le comportement dun quadrip ole est caract eris e par deux relations ind ependantes qui font intervenir les courants ` a travers lentr ee et la sortie du quadrip ole, et les tensions ` a ses bornes. Un quadrip ole est dit passif si il ne contient aucune source d energie ; il est actif dans le cas contraire. Un quadrip ole est dit lin eaire si ses deux equations qui le caract erisent sont lin eaires.
Les conventions de signe adopt ees dans ce cours sont :
Un quadrip ole est d eni par deux relations ind ependantes liant v1 , v2 , i1 , et i2 : il existe donc six fa cons d ecrire ces deux relations : tensions en fonction des courants courants en fonction des tensions sortie en fonction de lentr ee entr ee en fonction de la sortie relations hybrides relations hybrides inverses v1 (i1 , i2 ) et v2 (i1 , i2 ) i1 (v1 , v2 ) et i2 (v1 , v2 ) v2 (i1 , v1 ) et i2 (i1 , v1 ) v1 (i2 , v2 ) et i1 (i2 , v2 ) v1 (i1 , v2 ) et i2 (i1 , v2 ) v2 (i2 , v1 ) et i1 (i2 , v1 )
Pour un quadrip ole donn e, quelles relations choisir ? d epend de la composition interne du quadrip ole : facilit es pour ecrire certaines relations, impossibilit e den exprimer dautres ; d epend du montage dans lequel est ins er e le quadrip ole.
3.2.2
R esistances dentr ee et de sortie
Dans le cas g en eral, on peut exprimer v1 soit en fonction de i1 et de i2 , soit en fonction de i1 et de v2 , soit en fonction de i2 et de v2 ; il est impossible davoir une relation directe entre v1 et i1 qui ne mentionne pas un troisi` eme param` etre. Cest pourquoi on distingue plusieurs imp edances dentr ees : limp edance dentr ee ` a courant de sortie constant : limp edance dentr ee ` a tension de sortie constante :
v1 i1 v1 i1 i2 v2
De m eme, on distingue les imp edances de sortie suivantes : limp edance de sortie ` a courant dentr ee constant : limp edance de sortie ` a tension dentr ee constante :
v2 i2 v2 i2 i1 v1
Noter le signe - qui provient de lorientation du courant de sortie i2 . 29
30
3.2. Quadrip oles
3.2.3
Quadrip ole lin eaire
Pour un quadrip ole lin eaire, les relations sont lin eaires, et caract eris ees par quatre param` etres : 1. Tensions en fonction des courants : param` etres imp edances : v1 = z11 i1 + z12 i2 v2 = z21 i1 + z22 i2 2. Courants en fonction des tensions : param` etres admittances : i1 = y11 v1 + y12 v2 i2 = y21 v1 + y22 v2 3. Sortie en fonction de lentr ee : param` etres cha nes inverses ; 4. Entr ee en fonction de la sortie : param` etres cha nes : v1 = c11 v2 + c12 i2 i1 = c21 v2 + c22 i2 5. Param` etres hybrides : v1 = h11 i1 + h12 v2 i2 = h21 i1 + h22 v2 6. Param` etres hybrides inverses. Pour un quadrip ole lin eaire, on exprime souvent les imp edances suivantes : imp edance dentr ee ` a sortie non connect ee (courant de sortie nul) ; imp edance dentr ee ` a sortie court-circuit ee (tension de sortie nulle) ; imp edance de sortie ` a entr ee non connect ee (courant dentr ee nul) ; imp edance de sortie ` a entr ee court-circuit ee (tension dentr ee nulle).
Exemple
On a toujours i1 = 0 et on ne peut rien exprimer sur v1 : les param etrages (1), (3), (4) et (5) sont donc impossibles pour ce quadrip ole. param etrage (2) : i1 = 0 et i2 = v2 /R ; param etrage (6) : i1 = 0 et v2 = Ri2 .
Question : mettre en evidence les di erentes

imp edances dentr ee et de sortie de ce quadrip ole.
30
31
Exemple
Pour ce quadrip ole, les six formes sont possibles. En autres : Tensions en fonction des courants (le plus simple ` a calculer) : v1 = 2Ri1 Ri2 et v2 = Ri1 2Ri2 ; Sortie en fonction de lentr ee : v2 = 3Ri1 + 2v1 et i2 = 2i1 v1 /R.
Question : mettre en evidence les di erentes

imp edances dentr ee et de sortie de ce quadrip ole.
3.2.4
R esolution compl` ete
4 inconnues : v1 , i1 , v2 , i2 ; 4 relations ind ependantes : Quadrip ole : deux relations ; Dip ole 1 : une relation ; Dip ole 2 : une relation. la r esolution compl` ete est possible.
3.2.5
3.2.5.1
R esolution partielle
Cas g en eral :
Quand seul un des deux dip oles est connu, la r esolution compl` ete nest pas possible (4 inconnues, 3 equations) ; cependant, une r esolution partielle est envisageable : elle consiste ` a eliminer deux inconnues des equations pour obtenir une relation entre les deux autres inconnues. 3.2.5.2 Dip ole lin eaire ` a la sortie dun quadrip ole lin eaire
Quand un dip ole lin eaire est connect e sur la sortie dun quadrip ole lin eaire, ces relations entre deux inconnues peuvent sexprimer sous la forme dun rapport ; on distingue particuli` erement : v1 /i1 : imp edance dentr ee du montage ; 31
32
3.2. Quadrip oles
v2 /v1 : amplication (ou gain) en tension du montage ; i2 /i1 : amplication (ou gain) en courant du montage ;
Remarques :
Ces rapports d ependent du dip ole plac e` a la sortie ; Ce montage se comporte comme un dip ole lin eaire.
Exemple
Equations du quadrip ole : v1 = 2Ri1 Ri2 v2 = Ri1 2Ri2 Equation de comportement du dip ole de sortie : v2 = Rs i2 ; On peut alors calculer : 3R+2Rs 1 Limp edance dentr ee du montage : v i1 = R 2R+Rs Le gain en tension du montage : Le gain en courant du montage :
v2 v1 i2 i1
= =
Rs 3R+2Rs Rs 2R + Rs
3.2.5.3
Dip ole actif ` a lentr ee dun quadrip ole lin eaire
Quand un dip ole actif est connect e` a lentr ee dun quadrip ole lin eaire, lensemble se comporte comme un dip ole actif, que lon pourra donc caract eriser par : Sa tension ` a vide Em ; Sa r esistance interne Rm ; Son courant de sortie en court-circuit Iccm .
Remarques :
Ces grandeurs d ependent du dip ole actif plac e` a lentr ee ; Ce montage se comporte comme un dip ole actif. 32
33
Exemple
Equations de comportement du quadrip ole : : v1 = 2Ri1 Ri2 v2 = Ri1 2Ri2 Equation de comportement du dip ole : v1 = E Re i1 On calcule : Tension de sortie ` a vide du montage : Em = E 2RR + Re
+2Re R esistance interne du montage : Rm = R 32R R + Re
do` u l equation de comportement du dip ole actif form e par le quadrip ole lin eaire passif et le dip ole actif : R 3R + 2Re v2 = E R i2 2R + R e 2R + R e
3.2.6
Quadrip ole lin eaire seul
Quand le quadrip ole lin eaire nest connect e ni sur son entr ee, ni sur sa sortie, il est a priori vain de vouloir exprimer une inconnue en fonction dune autre ; cependant : dans des quadrip oles particuliers, cest n eanmoins possible (voir lexemple 1 du 3.2.3, et le 3.3) ; si on rajoute une relation suppl ementaire, il est alors possible de le faire ; quelle relation suppl ementaire choisir ? Habituellement on en choisit une parmi les quatre suivantes : i1 = 0 (entr ee non connect ee), v1 = 0 (entr ee en court-circuit), i2 = 0 (sortie non connect ee), v2 = 0 (sortie en court-circuit). (a) Caract eristiques ` a entr ee non connect ee La relation suppl ementaire est : i1 = 0. v2 /v1 : gain en tension ` a entr ee non connect ee ; v2 /i2 : imp edance de sortie ` a entr ee non connect ee ; i2 /v2 : admittance de sortie ` a entr ee non connect ee ; v1 /i2 : imp edance de transfert ` a entr ee non connect ee ; i2 /v1 : admittance de transfert ` a entr ee non connect ee. (b) Caract eristiques ` a entr ee court-circuit ee La relation suppl ementaire est : v1 = 0. i2 /i1 : gain en courant ` a entr ee court-circuit ee ; v2 /i2 : imp edance de sortie ` a entr ee court-circuit ee ; i2 /v2 : admittance de sortie ` a entr ee court-circuit ee ; v2 /i1 : transimp edance ` a entr ee court-circuit ee ; i1 /v2 : transadmittance ` a entr ee court-circuit ee. (c) Caract eristiques ` a sortie non connect ee 33
34
3.3. Les amplicateurs sans contre r eaction
La relation suppl ementaire est : i2 = 0. v2 /v1 : gain en tension ` a sortie non connect ee ; v1 /i1 : imp edance dentr ee ` a sortie non connect ee ; i1 /v1 : admittance dentr ee ` a sortie non connect ee ; v2 /i1 : trans imp edance ` a sortie non connect ee ; i1 /v2 : trans admittance ` a sortie non connect ee. (d) Caract eristiques ` a sortie court-circuit ee La relation suppl ementaire est : v2 = 0. i2 /i1 : gain en courant ` a sortie court-circuit ee ; v1 /i1 : imp edance dentr ee ` a sortie court-circuit ee ; i1 /v1 : admittance dentr ee ` a sortie court-circuit ee ; v1 /i2 : imp edance de transfert ` a sortie court-circuit ee ; i2 /v1 : admittance de transfert ` a sortie court-circuit ee.
3.2.7
Puissance consomm ee par un quadrip ole
p = v1 i1 v2 i2 Les signes sont justi es par les orientations relatives des courants et tensions : en sens contraire ` a lentr ee (donc signe plus), dans le m eme sens ` a la sortie (donc signe moins).
3.3
Les amplicateurs sans contre r eaction
Un amplicateur est un quadrip ole dont la sortie est command ee par lentr ee ; il est de plus sans contre-r eaction si la sortie na aucune inuence sur lentr ee. On distingue habituellement cinq types damplicateurs : amplicateur amplicateur amplicateur amplicateur amplicateur de de de de de tension : la tension de sortie est fonction de la tension dentr ee ; courant : le courant de sortie est fonction du courant dentr ee ; transimp edance : la tension de sortie est fonction du courant dentr ee ; transadmittance : le courant de sortie est fonction de la tension dentr ee ; puissance : la puissance de sortie est fonction de la puissance dentr ee.
Dans ce manuscrit, nous ne consid erons que les quatre premiers.
3.3.1
Amplicateur de tension parfait (g 3.5)
Equations de ce quadrip ole : i1 = 0 et v2 = Avv v1 ; Pour un tel quadrip ole, la r esistance dentr ee, la r esistance de sortie et la gain en tension ne d ependent pas des conditions de mesure : R esistance dentr ee : ; R esistance de sortie : 0 ; Gain en tension : Avv (sans dimension). 34
35
Fig. 3.5 Ampli. de tension parfait.
3.3.2
Amplicateur de courant parfait (g 3.6)
Fig. 3.6 Ampli. de courant parfait. Equations de ce quadrip ole : v1 = 0 et i2 = Aii i1 ; Pour un tel quadrip ole, la r esistance dentr ee, la r esistance de sortie et la gain en courant ne d ependent pas des conditions de mesure : R esistance dentr ee : 0 ; R esistance de sortie : ; Gain en courant : Aii (sans dimension).
3.3.3
Amplicateur de transimp edance parfait (g 3.7)
Fig. 3.7 Ampli. de transimp edance parfait. Equations de ce quadrip ole : v1 = 0 et v2 = Aiv i1 ; Pour un tel quadrip ole, la r esistance dentr ee, la r esistance de sortie et la gain en courant ne d ependent pas des conditions de mesure : R esistance dentr ee : 0 ; R esistance de sortie : 0 ; Transimp edance : Aiv (en ). 35
36
3.4. Les Filtres de tension
Fig. 3.8 Ampli. de transadmittance parfait.
3.3.4
Amplicateur de transadmittance parfait (g 3.8)
Equations de ce quadrip ole : i1 = 0 et i2 = Avi v1 ; Pour un tel quadrip ole, la r esistance dentr ee, la r esistance de sortie et la transadmittance ne d ependent pas des conditions de mesure : R esistance dentr ee : ; R esistance de sortie : ; Transadmittance : Avi (en 1 ).
3.3.5
Amplicateur : cas g en eral
Si les r esistances dentr ee et de sortie ne sont ni nulles, ni innies, les quatre formes suivantes sont equivalentes :
3.4
3.4.1
Les Filtres de tension

Filtre (de tension) passe-bas
Un quadrip ole est un ltre (de tension) passe-bas si son gain en tension (sortie ` a vide) est une fonction G(w) d ependant de la pulsation G(w) de la tension dentr ee qui v erie : Basses fr equences (w 0) G0 Hautes fr equences (w ) 0 36 Fr equence de coupure (wcP B ) G0 G(wcP B ) = 2
G(w)
37
3.4.2
Filtre (de tension) passe-haut
Un quadrip ole est un ltre (de tension) passe-haut si son gain en tension (sortie ` a vide) est une fonction G(w) d ependant de la pulsation G(w) de la tension dentr ee qui v erie : Basses fr equences (w 0) 0 Hautes fr equences (w ) G Fr equence de coupure (wcP H ) G(wcP H ) = G 2
G(w)
3.4.3
Etude des ltres en r egime sinuso dal (r eponse harmonique)
Lexpression la plus g en erale du gain en tension (sortie ` a vide) dun ltre est une fraction rationnelle G(s). Etudier la r eponse harmonique dun ltre consiste ` a le soumettre ` a une sollicitation sinuso dale, et a ` etudier la valeur complexe du gain G(w) obtenue ` a partir de G(s) en rempla cant s par jw. A partir de G(w), on peut d eduire les expressions de : G(w), module du gain en tension G(w) ; (w), phase du gain en tension G(w). G en eralement G(w) nest pas directement int eressant : on pr ef` ere consid erer le gain en d ecibel, d eni par : |G(w)|db = 20 log[G(w)] On repr esente habituellement le gain en d ecibel et sa phase dans le plan de Bode, cest ` a dire : |G(w)|db en fonction de log(w) ; (w) en fonction de w.
3.4.4
Filtre (de tension) passe-bas du premier ordre

er ordre
Un ltre (de tension) passe-bas du permier ordre (F P B 1 tension (sortie ` a vide) est de la forme1 : F P B1
er ordre
) est un quadrip ole dont le gain en
K 1 + Ts
o` u K est une constante r eelle strictement positive, appel ee gain statique, et T une constante r eelle strictement positive appel ee constante de temps. 3.4.4.1 Exemples de ltres (de tension) passifs passe-bas du premier ordre
Fig. 3.9 Filtre RC .

1
Fig. 3.10 Filtre LR.
Voir aussi ` a ce sujet le cours dAutomatique de premi` ere ann ee.
37
38 3.4.4.2
3.4. Les Filtres de tension Propri et es des ltres (de tension) passe-bas du premier ordre
Le gain complexe dun ltre passe-bas du premier ordre est : GP B (w) = Module GP B (w) = 1+K w 2 T2 K 1 + jwT Fr equence de coupure (wcP B ) G0 G(wcP B ) = wcP B = T1 2
GP B (w) 3.4.4.3
Gain Statique G0 = GP B (0) = K
R eponse fr equentielle dans le plan de bode des ltres passe-bas du premier ordre Module GP B (w) = K q
w cP B
PB 2 wc
Phase
+w 2
P B (w) = arctan
w w cP B
On peut ainsi tracer :
Fig. 3.11 R eponse Fr equentielle dun F P B 1
er ordre
3.4.5
Filtre (de tension) passe-haut du premier ordre

er ordre
Un ltre (de tension) passe-haut du permier ordre (F P H 1 tension (sortie ` a vide) est de la forme : F P H1
er ordre
) est un quadrip ole dont le gain en
Ks 1 + Ts o` u K est une constante r eelle strictement positive et T une constante r eelle strictement positive appel ee constante de temps. = 38
3. Dip oles et Quadrip oles 3.4.5.1 Exemples de ltres (de tension) passifs passe-hau du premier ordre
39
Fig. 3.12 Filtre CR. 3.4.5.2
Fig. 3.13 Filtre RL.
Propri et es des ltres (de tension) passe-haut du premier ordre
Le gain complexe dun ltre passe-haut du premier ordre est : GP H (w) = K Module GP H (w) = K 1+w w 2 T2 Gain (w 0) 0 jw 1 + jwT Fr equence de coupure wcP H G(wcP H ) = G wcP H = T1 2
Gain(w )
K T
GP H (w) 3.4.5.3
R eponse fr equentielle dans le plan de bode des ltres passe-haut du premier ordre (gure 3.14) Module GP H (w) = KwcP H q
w
PH 2 wc
Phase
+w 2
P H (w) =
arctan
w w cP H
= arctan
w cP H w
3.4.6
Comment etudier un ltre (gure 3.15) ?

Sassurer que le signal fourni par le g en erateur BF est de forme sinuso dale et centr e; Que les deux voies verticales de loscilloscope sont sur DC ; Choisir une valeur de lamplitude du signal de sortie ; si le ltre contient un amplicateur op erationnel, on veillera ` a ce que lamplicateur ne soit pas satur e, et que son signal de sortie soit bien sinuso dal.
(a) Op erations pr eliminaires :
(b) Nature du ltre ? Passe-haut ou passe-bas dapr` es son sch ema. (c) Fr equence de coupure ? Calculer sa valeur th eorique (dapr` es les valeurs des composants) : cest une valeur approch ee de la valeur qui va etre mesur ee ; Mesurer le gain dans la bande passante ; D eterminer la fr equence pour laquelle le gain est inf erieur de 3dB au gain dans la bande passante : cest la fr equence de coupure. Attention : Un ltre a une imp edance dentr ee qui varie avec la fr equence, et le g en erateur BF utilis e a une imp edance de sortie importante ( 600) : il faut donc veiller ` a maintenir lamplitude du signal de sortie constante, en agissant sur le r eglage correspondant. (d) Trac e des asymptotes : 39
40
Fig. 3.14 R eponse Fr equentielle dun F P H 1
er ordre
Fig. 3.15 Etude dun ltre.
40
3. Dip oles et Quadrip oles Asymptote horizontale par des mesures dans la bande passante ;
41
A partir de la fr equence de coupure, tracer lasymptote oblique (pente 20 dB/d ecade si ltre du premier ordre), r ealiser quelques mesures en dehors de la bande passante.
41
42
42
Chapitre 4
Les composants de l electronique

Les composants utilis es en electronique sont habituellement divis es en deux classes : les composants passifs (r esistances, condensateurs et inductances) ; les composants actifs, le plus souvent ` a base de semi-conducteurs (diodes, transistors, ). Dans ce chapitre, nous exposons quelques consid erations technologiques sur les composants passifs, et des g en eralit es sur les composants actifs.
4.1
Les r esistances
Les caract eristiques dune r esistance r eelle sont fort complexes et ne se limitent ` a la seule valeur ohmique : Les fabricants de r esistances pr ecisent r esistance nominale, tol erance, puissance nominale, coecient de tension, tension de bruit et stabilit e dans le temps ; En r egime variable, une r esistance nest jamais pure : elle pr esente une inductance en s erie et une capacit e en parall` ele (gure 4.1).
Fig. 4.1 Une r esistance r eelle. En g en eral, les r esistances de faible valeur (< 30) sont plut ot inductives, et celles de forte valeur (> 3k) capacitives.
4.1.1
Les grandeurs caract eristiques dune r esistance
1. R esistance nominale : cest la valeur annonc ee par le constructeur. 2. Tol erance : cest le pourcentage autour de la valeur nominale que le constructeur sengage ` a respecter. Suivant la s erie, cette valeur peut etre : 20% : s erie E6 (6 valeurs par d ecade) ; 10% : s erie E12 ; 5% : s erie E24 ; 2% : s erie E48 ; 1% : s erie E96. 3. Coecient de tension : cest laccroissement de la valeur relative de la r esistance en fonction de 1 la tension appliqu ee ` a ses bornes ; il est mesur e en V . 43
44
4.1. Les r esistances 4. Puissance nominale : valeur de la puissance continue que peut dissiper la r esistance dans des conditions particuli` eres, le plus souvent en air calme (sans ventilation forc ee) et ` a une temp erature ambiante inf erieure ` a 70 C . Cette puissance maximale d epend des mat eriaux utilis es pour le corps de la r esistance et pour le bo tier, de ses dimensions et ne d epend pas de la valeur nominale de la r esistance : les constructeurs produisent donc des s eries de r esistances en fonction de la puissance nominale annonc ee : s eries 1/10 W, 1/8 W, 1/4 W, 1/2 W, 1 W, 2 W, . Au dessus de la temp erature de 70 C , la puissance maximum admissible est inf erieure ` a la puissance nominale, comme lindique la courbe 4.2.
Fig. 4.2 Pmax admissible en fonction de la temp erature ambiante. Dautre part, pour sassurer dune bonne stabilit e de la valeur de la r esistance, on nutilisera la r esistance ` a moins de 25 ou 50% de la puissance maximum admissible. 5. Tension maximale aux bornes : deux valeurs maximales sont ` a consid erer : la tension continue P.R pour laquelle la puissance nominale est atteinte ; la tension continue pour laquelle un arc electrique se forme ` a lint erieur du composant, qui d epend des mat eriaux utilis es, des dimensions de la r esistance, et peu de la valeur nominale de celle-ci : elle est donc donn ee en fonction de la puissance nominale de la r esistance. Pour une r esistance donn ee, la tension maximale aux bornes ` a ne pas d epasser est la plus faible de ces deux valeurs. Exemple : les r esistances ` a couche de carbone de la s erie 1/10W ont une tension maximale de 150V ; pour une r esistance de 270 de cette s erie, P.R = 5.2V : la tension maximale ` a ne pas d epasser est donc 5.2 V ; pour une r esistance de 680k de cette s erie, P.R = 260V : la tension maximale ` a ne pas d epasser est donc 150 V. 6. Tension de bruit : tension engendr ee par lagitation thermique, qui d epend des mat eriaux utilis es ; elle se mesure en V /V . 7. Stabilit e : cest la variation de la valeur eective de la r esistance au cours du temps ; elle se mesure en pourcentage (Ne pas confondre tol erance et stabilit e). Le tableau 4.1 r esume les principales caract eristiques des r esistances ` a couche de carbone, ` a couche m etallique et bobin ees.
4.1.2
Les potentiom` etres
Il peut etre rotatif ou rectiligne ; quand il est rotatif, il peut etre : monotour (avec ou sans but ee) ; multi tours (suivant les mod` eles, de 3 ` a 40 tours) pour des r eglages de pr ecision. La loi de commande d enit la variation de la valeur de la r esistance entre une extr emit e et le curseur, en fonction du d eplacement du curseur ; de nombreuses lois existent ; on distingue plus particuli` erement : 44
4. Les composants de l electronique R esistances ` a couche de carbone 1/10W ` a 2W 20% , 10%, 5% 150V (1/10W) ` a 500V (2W) 10 ` a 20 106 V 1 0.1 ` a 2 V /V 1 ` a 10M 1% ` a 1.5% R esistances ` a couche m etallique 1/16W ` a 2W 5% ` a 0.2% 100V (1/16W) ` a 750V (2W) 5` a 20 106 V 1 0.001 ` a 0.01 V /V 1 ` a 1M 0.1% ` a 0.5% R esistances bobin ees
45
Gammes de puissance Gamme de tol erance Tension maximale Coecient de tension Tension de bruit Gamme de valeurs Stabilit e (apr` es 1000h)
1/6W ` a 10W 1% ` a 0.1% 250V (1/6W) ` a 2000V (10W) n egligeable n egligeable 0.1 ` a 10M < 0.5%
Tab. 4.1 Principales caract eristiques des r esistances.
Fig. 4.3 Potentiom` etre. variation lin eaire (loi A) ; variation logarithmique (loi B) ; variation logarithmique inverse (loi C) ;
4.1.3
4.1.3.1
Les r esistances variables

Les photor esistances
Une photor esistance est un composant dont la r esistance varie avec la lumi` ere. 4.1.3.2 Les thermistances
Une thermistance est un composant dont la r esistance varie avec sa temp erature ; on distingue : les thermistances ` a coecient de temp erature n egatif (CTN) : leur r esistance diminue avec la temp erature ; les thermistances ` a coecient de temp erature positif (CTP) : leur r esistance augmente avec la temp erature.
4.2
Les condensateurs
Un condensateur r eel, gure 4.4, pr esente une r esistance en s erie Rs (r esistance des armatures et des connexions), une r esistance Rp en parall` ele (la r esistance de fuite, responsable de la d echarge dun condensateur isol e) et une inductance L (qui perturbe le fonctionnement en r egime variable).
Fig. 4.4 Un condensateur r eel. On distingue les condensateurs non polaris es et polaris es : 45
46
4.3. Les transformateurs basse tension les condensateurs non polaris es, qui peuvent fonctionner aussi bien en alternatif quen continu ; les condensateurs polaris es, qui imposent que la tension ` a leurs bornes ne devienne jamais n egative. Condensateurs c eramique monocouche 50V 1 pF ` a 1 nF 10% 10 000 MHz Condensateurs c eramique multicouches 50V 1 nF ` a 470 nF 10% 200 MHz Condensateurs polyester 63V ` a 400V 1 nF ` a 2200 nF 10% 10 000 MHz
Tension continue maximum Gamme de valeurs Tol erance Fr equence maximum
Tab. 4.2 Exemples de condensateurs non polaris es. En g en eral, les condensateurs non polaris es sont de faible capacit e (1 pF = 1012 F, 1nF = 109 F), mais acceptent des fr equences el ev ees. Condensateurs electrochimiques ` a laluminium 16V ` a 63V 1 F ` a 10 000 F 10%/50% 1 kHz Condensateurs au tantale
Tension continue maximum Gamme de valeurs Tol erance Fr equence maximum
16V ` a 35V 0.1 F ` a 100 F 20% 100 kHz
Tab. 4.3 Exemples de condensateurs polaris es. Ce sont des condensateurs de fortes valeurs, dont la tenue en m ediocre (ils deviennent inductifs) ; ils sont surtout utilis es basse fr equence, par exemple ` a la sortie dun pont de diodes.
4.3
Les transformateurs basse tension
Primaire : secteur domestique : 220V, 50Hz, tension nominale de secondaire : 3V ` a 35V. Certains mod` eles comportent deux secondaires isol es : ceux-ci peuvent etre dispos es en parall` ele (pour augmenter le courant de sortie), en s erie (pour augmenter la tension de sortie). Transformateurs pour circuits imprim es : puissance de 2VA ` a 15VA, deux secondaires de tension nominale de 6V ` a 24V. Transformateurs toriques : rayonnement magn etique r eduit (tr` es utilis es en HiFi) ; puissance de 30VA ` a 300VA ; double secondaire de 6V ` a 35V. Transformateurs ` a etrier ou equerre de xation : puissance de 2,5VA ` a 100VA ; secondaire simple ou double, tension de sortie nominale de 6V ` a 24V. 46
4. Les composants de l electronique
47
4.4
4.4.1
Les semiconducteurs
D enition
Cest un corps dont la r esistivit e: est comprise entre 106 m et 104 m (m etaux 108 m, isolants : souvent sup erieur ` a 1010m) ; diminue avec la temp erature.
4.4.2
Semiconducteurs intrins` eques et extrins` eques (gure 4.5)

Corps purs (taux dimpuret e < 1010 ), comme principalement : le germanium & le silicium. Semiconducteurs intrins` eques dop es, cest ` a dire auxquels des impuret es sont ra 4 6 jout ees (taux 10 ` a 10 ). dopage type N : Antimoine, Phosphore, Arsenic, Bismuth ; dopage type P : Bore, Aluminium, Gallium, Indium.
Intrins` eques : Extrins` eques :
Fig. 4.5 Principaux composants semiconducteurs.
4.4.3
Classication des dispositifs ` a semiconducteurs

diode : 1 N xxxx ; transistor : 2 N xxxx.
Classication am ericaine :
Classication europ eenne : les deux premi` eres lettres caract erisent le dispositif. premi` ere lettre (nature du mat eriau) : A (Germanium) ; B (Silicium) ; 47
48
4.5. Calculs des temp eratures et des radiateurs deuxi` eme lettre (fonction du dispositif) : A : diode ; C : transistor pour audio-fr equence ; D : transistor de puissance ; F : transistor pour radio-fr equence ; Y : diode de redressement ; Z : diode Zener.
4.5
Calculs des temp eratures et des radiateurs
Tout composant (actif ou passif) travers e par un courant consomme une puissance qui provoque une el evation de temp erature par rapport au milieu ambiant. Cette di erence de temp erature entra ne un transfert thermique du composant vers le milieu ambiant. Si la puissance consomm ee est constante, la temp erature du composant tend vers une valeur d equilibre. Or tous les composants imposent une temp erature maximale de fonctionnement, au del` a de laquelle il peut etre d etruit. Lobjet de cette partie est de pr esenter les calculs classiques qui peuvent etre entrepris. Le composant seul peut-il dissiper une certaine puissance ? Quelle est la temp erature de sa jonction, du bo tier ? Associ e` a un radiateur, peut-il dissiper une certaine puissance ? Quel radiateur choisir ? Quelle est alors la temp erature de sa jonction, du bo tier ?
4.5.1
4.5.1.1
R esistance thermique
D enition
Soient deux milieux A et B, de temp eratures respectives TA et TB (gure 4.6). Soit PAB la puissance transmise de A vers B par transfert thermique. Soit RAB la r esistance thermique entre A et B.
Fig. 4.6 R esistance thermique. A l equilibre, ces grandeurs sont li ees par la relation : TA TB = RAB PAB Si les puissances sont en Watt (W), les temp eratures en Celcius ( C), une r esistance thermique sexprime en Celcius/Watt ( C/W). 4.5.1.2 R esistances thermiques en s erie
Soient trois milieux A, B et C (gure 4.7), de temp eratures respectives TA , TB et TC . Soit RAB la r esistance thermique entre A et B et RBC celle entre B et C. A l equilibre : TA TB = RAB PAB TB TC = RBC PBC PAB = PBC 48
49
Fig. 4.7 R esistances thermiques en s erie. De plus, en faisant abstraction du milieu B, on peut ecrire (avec PAC = PAB = PBC ) : TA TC = RAC PAC Il vient : RAB + RBC = RAC Les r esistances thermiques en s erie sadditionnent.
4.5.2
Composant seul
Le premier point est de conna tre la puissance maximale quun composant plac e ` a lair libre peut dissiper. Pour r epondre rapidement ` a cette question, les constructeurs fournissent la courbe de dissipation maximale. Ensuite, dans un second temps, des calculs de temp erature peuvent etre entrepris : les constructeurs fournissent g en eralement les r esistances thermiques RJA (entre la jonction et lair ambiant calme), et RJC (entre la jonction bo tier). En cas de ventilation forc ee, la valeur de RJA est abaiss ee. 4.5.2.1 Cha ne thermique
4.5.2.2
Zone admissible et puissance maximale dissipable
La zone admissible des puissances d epend de la temp erature TA de lair ambiant et a lallure montr ee sur la gure 4.8.
Fig. 4.8 Graphe de P = f (TA ). La courbe en gras correspond ` a la puissance maximale dissible en fonction de la temp erature TA de lair ambiant. 49
50
4.5. Calculs des temp eratures et des radiateurs
Cependant, pour un r egulateur de tension int egr e de type 78xx, cette courbe nest pas directement fournie par les caract eristiques ` a partir de la page 165. La table 1 permet de la retrouver ; par exemple, pour un bo tier de type KC, Pmaxa = 2W , Tam = 25 C et la pente de la droite est 16mW/ C . 4.5.2.3 Temp eratures de jonction et de bo tier
Les constructeurs fournissent g en erallement les r esistances thermiques RJA (entre la jonction et lair ambiant), et RJC (entre la jonction et le bo tier). La temp erature de la jonction est donn ee par : TJ = TA + RJA P Et celle du bo tier : TC = TA + (RJA RJC )P
4.5.3
Composant associ e` a un radiateur
Dans le cas o` u un composant plac e` a lair libre ne peut pas dissiper la puissance demand ee, la seule solution est de lui adjoindre un radiateur an de favoriser l echange thermique avec lair ambiant. Les questions qui se posent alors sont : quel est la puissance maximale que le composant peut dissiper ? quel radiateur choisir ? 4.5.3.1 Cha ne thermique
Fig. 4.9 Cha ne thermique. Lint er et de cette technique est que RCR + RRA soit inf erieur ` a la r esistance thermique entre le bo tier sans radiateur et lair libre. La r esistance thermique RJC est fournie par le constructeur ; RCR d epend du bo tier et de la liaison m ecanique entre le bo tier et le radiateur : suivant les cas, elle varie entre environ 3 C/W et 6 C/W ;RRA , souvent appel ee ` a tort r esistance thermique du radiateur, est une caract eristique propre au radiateur dans un air calme et est fournie par son constructeur. L` a encore, en cas de ventilation forc ee, la valeur de RRA diminue. 4.5.3.2 Zone admissible et puissance maximale dissipable
La zone admissible des puissances d epend de la temp erature TC du bo tier et a lallure montr ee sur la gure 4.10. La courbe en gras correspond ` a la puissance maximale dissible en fonction de la temp erature TC du bo tier. Cependant, pour un r egulateur de tension int egr e de type 78xx, cette courbe nest pas directement fournie par les caract eristiques ` a partir de la page 165. La table 2 permet de la retrouver ; par exemple, pour un bo tier de type KC, Pmaxc = 15W , Tcm = 90 C et la pente de la droite est 250mW/ C . 50
51
Fig. 4.10 Graphe de P = f (TC ). 4.5.3.3 Temp eratures de jonction et de bo tier
Ce sont toujours les m emes relations qui servent : entre la jonction et le bo tier : entre le bo tier et le radiateur : entre le radiateur et lair ambiant : TJ = TC + RJC P TC = TR + RRC P TR = TA + RRA P
Exemple
un r egulateur int egr e 78xx dissipe 2W. La temp erature de lair ambiant est de 50 C . La r esistance thermique entre le bo tier et le radiateur est 1 C/W . La temp erature du bo tier doit etre inf erieure ` a 100 C . Quelle est la r esistance thermique maximum du radiateur ? On dispose dun radiateur de r esistance thermique de 10 C/W . Quelles sont les temp eratures du radiateur, du bo tier et de la jonction ?
51
52
4.5. Calculs des temp eratures et des radiateurs
52
Chapitre 5
La diode ` a jonction PN
Dans ce chapitre nous allons examiner les propri et es dune jonction P.N. Nous donnerons quelques notions sur des composants tels que les diodes de commutation et de redressement, Zener, les diodes de d etection .
5.1
Symbole et d enition
Une diode est un el ement en silicium form e de deux r egions de dopage di erent, ` a savoir dopage P et dopage N. La r eunion des deux zones de dopage, sur une m eme plaquette de silicium, sappelle une jonction PN. La diode est dite sous polarisation directe si VAK > 0a . Elle est dite sous polarisation inverse si VAK < 0. Le courant I est direct quand il est positif, inverse quand il est n egatif.
Fig. 5.1 Symbole.
A = Anode & K = cathode.
5.2
Caract eristiques dune jonction PN

IDM = f (UAK )
Le comportement dune diode peut se d eduire de sa caract eristique courant - tension :
La courbe obtenue n etant pas une droite (gures ci-dessous), nous parlons dun el ement non-lin eaire. Ce qui signie que le courant qui circule dans l el ement nest pas proportionnel ` a la tension appliqu ee, donc ne d epend pas uniquement de la loi dohm.
5.2.1
Polarisation directe
Le courant cro t exponentiellement en fonction de VAK . Limite dutilisation : maximum admissible IDM du courant direct permanent ( puissance que peut dissiper la diode). La tension de seuil est la tension n ecessaire ` a appliquer ` a la diode pour quelle devienne conductrice. Vseuil 0.6V pour le Si ( 0.2V pour le Ge). Au del` a de la tension de seuil, le courant ne d epend pratiquement plus que de la r esistance totale du circuit.
53
54
5.2. Caract eristiques dune jonction PN
5.2.2
Polarisation inverse
La tension inverse maximale VRM et le courant de fuite IS caract erisent le comportement de la jonction PN sous tension inverse ; ces param` etres d ependent du type de la diode, et peuvent varier notablement entre diodes de m eme type. Le courant inverse atteint la valeur IS sous tr` es faible tension inverse ; puis il augmente ensuite r eguli` erement (en suivant grossi` erement la loi dOhm) et ceci jusqu` a la tension inverse maximale VRM , ` a partir de laquelle il augmente tr` es rapidement.
Deux ph enom` enes peuvent intervenir : 1. leet davalanche (si |VRM | > 8V pour le Silicium), et/ou 2. leet Zener (si |VRM | < 5V pour le Silicium). D epasser la tension VRM ne signie pas n ecessairement la destruction de la jonction : celle-ci est en fait provoqu ee par un courant inverse trop important. Certaines diodes (dites Zener) sont pr evues pour fonctionner au del` a de VRM . Sous tension inverse continue, une jonction PN est sp eci ee par : 1. la tension inverse maximum admissible 2. le courant de fuite (valeur du courant inverse sous une certaine tension inverse).
5.2.3
Destruction dune diode
Deux causes : 1. tension trop importante ( arc electrique) ; 2. temp erature de la jonction trop el ev ee (puissance dissip ee par la diode trop importante). En polarisation directe : la tension est toujours faible (< 2V ) ; courant direct important : courant direct permanent maximum de fa con ` a ne pas d epasser la temp erature maximum admissible (ce courant d epend de la temp erature ambiante) ; courant direct de surcharge : valeur maximum admissible dans un court instant ; En polarisation inverse (En de c` a de la tension davalanche ) : le courant inverse est tr` es faible ; Tension inverse permanente maximum ; Au del` a de la tension davalanche : courant inverse important : pour les diodes Zener, courant inverse maximum de fa con ` a ne pas d epasser la temp erature maximum admissible ; ce courant d epend de la temp erature ambiante ; pour les autres diodes, leur destruction est imm ediate. 54
5. La diode ` a jonction PN
55
5.3
5.3.1
Capacit e dune jonction PN

Polarisation directe
Pr esence dune capacit e de stockage (1nF < Cs < 1F )
5.3.2
Polarisation inverse
Pr esence dune capacit e de transition (1pF < Ct < 100pF ) Ct Cs ; Ct d epend de la valeur de la tension inverse appliqu ee.
5.4
Di erents types de diodes

Diodes de commutation et de redressement Fort courant direct admissible (de quelques Amp` eres ` a plusieurs milliers dAmp` eres) ; Forte tension inverse admissible (de 50V ` a plusieurs milliers de Volts) ; En Silicium. Tension davalanche de quelques volts ` a une centaine de volts ; En Silicium. Cs et Ct tr` es faibles ; Redressement des courants de haute fr equence, mais peu intenses (< 50mA) En Germanium ; Faible puissance exig ee (20mA sous 1.6V) ; Ars eniure de Gallium.
Diodes Zener Diodes de d etection
Diodes electroluminescentes
5.5
Diodes de redressement
Ces diodes utilisent la fonction premi` ere dune jonction PN : laisser passer le courant uniquement dans un seul sens. Dans bien des cas, seuls deux param` etres sont n ecessaires pour choisir une telle diode : Le courant direct maximum acceptable en continu, La tension inverse maximum acceptable en continu.
5.5.1
Un exemple de diode de redressement : la diode BY252
Cest la diode de redressement utilis ee en projet. Voir ses caract eristiques page 146. On y rel` eve notamment : 55
56 La tension inverse continue admissible : 400V ; Le courant direct moyen admissible en continu : 3A ;
5.5. Diodes de redressement
Le courant direct de surcharge accidentelle : 150A pendant au plus 8.3ms ; Le courant inverse : (gure 5) inf erieur ` a 0.4A, sous la tension inverse continue maximum ` a 25 C; La chute de tension directe : au plus 1.0V pour un courant direct de 3A ; On en d eduit : puissance maximum dissipable en continu (jusqu` a 75 C ) : 1V 3A = 3W (voir gure 1) ; Figure 3 : courant direct en fonction de la tension directe : Courant : echelle log, tension : echelle lin eaire ; Tension de seuil : 0.6V (Silicium).
5.5.2
Mod elisations dune diode de redressement
La capacit e de la jonction est n eglig ee dans toutes les mod elisations suivantes. 5.5.2.1 Mod elisation utilisant la loi de Shockley I = IS e UT 1 o` u: IS : courant de saturation inverse ; : un coecient compris entre 1 et 2 ; UT : une valeur qui d epend de la temp erature (` a 25 C, UT =26mV). 5.5.2.2 Jonction PN lin earis ee
VAK
Deux param` etres, VD et Rd , xent les caract eristiques dun mod` ele particulier : VD est la tension de seuil de diode, et Rd sa r esistance dynamique. L equation dune diode lin earis ee :
si VAK
VD alors I = 0 (circuit ouvert)
si VAK VD alors VAK = VD + Rd I (I > 0, g en erateur).
56
5. La diode ` a jonction PN
57
Il faut bien r ealiser que la lin earisation de la caract eristique dune diode est une op eration grossi` ere : ceci revient ` a assimiler une exponentielle ` a deux segments de droite.
Comment calculer Rd ?
Voir les caract eristiques prises sur la gure 1, page 146. VD = 0.6V ; Prendre un point sur la droite : en choisissant VAK = 1V et I =7A, alors : Rd = VAK VD = 0.057 I
en choisissant VAK =1.2V et I =30A, alors : Rd = VAK VD = 0.020 I
5.5.2.3
Jonction PN id eale avec tension de seuil
Cette mod elisation est utilis ee chaque fois que la tension VD nest n egligeable devant les autres tensions, mais que ses variations le sont.
si VAK
VD alors I = 0 (circuit ouvert)
si I
0 alors VAK = VD (g en erateur).
5.5.2.4
Jonction PN id eale
Dans ce sch ema est n eglig ee la chute de tension directe. Ce sch ema est ` a utiliser chaque fois que la tension directe est n egligeable devant les autres tensions.
57
58
5.5. Diodes de redressement
si VAK
0 alors I = 0 (circuit ouvert)
si I
0 alors VAK = 0 (g en erateur).
5.5.3
5.5.3.1
Quelle mod elisation adopter ?

Premier exemple
En supposant la diode id eale : la r esolution est impossible ; Diode id eale avec tension de seuil : la r esolution est impossible ; Diode lin earis ee : VD = 0.6V , Rd = 0.020 ou 0.057. Si on choisit Rd = 0.020, alors : I = Si on choisit Rd = 0.057, alors : I =
VAK VD Rd VAK VD Rd
= 70A = 24.5A
Puissance dissip ee par la diode : 2V 70A = 140W ou 2V 24.5A = 49W . Dans les deux cas, la puissance est tr` es largement sup erieure ` a la puissance maximum dissipable en continu ( 3W). Les deux premi` eres mod elisations ne donnent pas de r esultat, et la derni` ere ` a peine un ordre de grandeur ; en fait, les mod elisations sont tr` es mal adapt ees ` a ce montage, car il ne faut jamais faire d ebiter un g en erateur de tension parfait dans une diode : il faut toujours placer une r esistance en s erie avec une diode. 5.5.3.2 Second exemple
Diode id eale : I =
E R
= 0.2A ;
E VD R
Diode id eale avec tension de seuil : I =
= 0.14A ;
Diode lin earis ee : VD = 0.6V , Rd = 0.020 ou 0.057. 58
5. La diode ` a jonction PN Si on choisit Rd = 0.020, alors : I = Si on choisit Rd = 0.057, alors : I = Comme R

VAK VD R + Rd VAK VD R + Rd
59 = 0.1397A = 0.1392A
Rd , le courant I ne d epend pratiquement pas de Rd .
5.5.4
Utilisation des diodes de redressement
Fig. 5.2 Redressement mono-alternance non ltr e (` a vide).
Fig. 5.3 Redressement double alternance non ltr e.
Fig. 5.4 Redressement double alternance ltr e. Remarque : les constructeurs proposent dans un m eme bo tier des ponts de redressement constitu es de quatre diodes identiques (voir gure 5.5).
5.6
Les diodes Zener
Ces diodes sont con cues pour etre utilis ees au del` a de la tension VRM ; leur conception assure dune certaine stabilit e de cette tension. Elles sont g en eralement employ ees pour obtenir des tensions de r ef erence dans des montages stabilisateurs de tension. Les principaux param` etres qui caract erisent une diode Zener sont : 59
60
5.6. Les diodes Zener
Fig. 5.5 Redressement double alternance ltr e. la tension inverse VRM ; la puissance maximale dissipable en continu (ce qui permet dobtenir IRM ).
5.6.1
Un exemple de diode Zener
Famille BZX55 de diodes Zener, dont les caract eristiques sont donn ees au, page 147. La tension inverse s echelonne suivant les mod` eles : pour la diode BZX55-C2V7 : 2.7V ; pour la diode BZX55-C75 : 75V. la puissance maximum dissipable en continu d epend du bo tier, et vaut 500mW pour toutes les diodes de la famille ; courbes caract eristiques : changement de signe de VZ et de IZ ; Valeurs typiques pour une diode Zener 6.2V : 5.8V < VZ 0 < 6.6V , RZ 0max = 10
5.6.2
Une mod elisation des diodes Zener
Une mod elisation simple conduit ` a assimiler la caract eristique dune diode Zener ` a deux segments de droite ; remarquer le changement du sens conventionnel du courant et de la tension dans la diode.
Fig. 5.6 Caract eristiques dune diode Zener & Symbole. La mod elisation est caract eris ee par les deux param` etres VZ 0 et RZ 0 : Puissance dissip ee dans une diode Zener : PZ = VZ IZ 60
5. La diode ` a jonction PN Condition 0 VZ VZ 0 VZ VZ 0 Equation IZ = 0 VZ = VZ 0 + RZ 0 IZ Commentaire diode Zener bloqu ee diode Zener passante
61
Tab. 5.1 Mod elisation dune diode Zener. Cette puissance est nulle quand la diode Zener est bloqu ee, mais devient importante quand la diode est passante.
5.6.3
Utilisation typique dune diode Zener : la r egulation en tension
Voir lexercice A.2.1 : Diode Zener, page 125.
Fig. 5.7 Montage ` a diode Zener.
5.6.4
Diodes Zener en s erie

Equation de la si VZ 1 VZ 10 si VZ 1 VZ 10 Equation de la si VZ 2 VZ 20 si VZ 2 VZ 20 Les diodes Zener IZ 1 = IZ 2 = IZ V Z 1 = VZ 2 = V Z diode Zener Z1 : alors IZ 1 = 0 alors VZ 1 = VZ 10 + RZ 10 IZ 1 diode Zener Z2 : alors IZ 2 = 0 alors VZ 2 = VZ 20 + RZ 20 IZ 2 sont en s erie :
Deux cas possibles : 1. soit les diodes Zener sont toutes deux bloqu ees : VZ 2 VZ 10 + VZ 20 alors IZ = 0
2. soit les diodes Zener sont toutes deux passantes : VZ 2 V Z 10 + V Z 20
VZ = [VZ 10 + VZ 20 ] + [RZ 10 + RZ 20 ]IZ Conclusion : Deux diodes Zener en s erie se comportent comme une diode Zener unique, dont la tension de Zener est la somme des tensions de Zener des deux diodes, et dont la r esistance dynamique est la somme des r esistances dynamiques des deux diodes. 61
62
5.6. Les diodes Zener
5.6.5
Diodes Zener en parall` ele

de la Equation si VZ 1 VZ 10 si VZ 1 VZ 10 Equation de la si VZ 2 VZ 20 si VZ 2 VZ 20 diode Zener Z1 : alors IZ 1 = 0 alors VZ 1 = VZ 10 + RZ 10 IZ 1 diode Zener Z2 : alors IZ 2 = 0 alors VZ 2 = VZ 20 + RZ 20 IZ 2
Supposons VZ 10 < VZ 20 : Z1 devient passante avant Z2 Par exemple : VZ 10 = 6.2 V ; RZ 10 = 4, VZ 20 = 6.8V. Sous la tension VZ 20 , la diode Zener Z1 dissipe : VZ 20
VZ 20 VZ 10 R Z 10
= 1 W.
Z1 atteindra donc son point de dissipation maximum (500mW) avant que Z2 ne conduise. Supposons VZ 10 = VZ 20 : En pratique ce nest jamais le cas. Conclusion : Brancher deux diodes Zener en parall` ele ne sert ` a rien : cest toujours la diode dont la tension de Zener est la plus faible qui absorbera toute la puissance.
62
Chapitre 6
Les transistors bipolaires

6.1 D enitions & Symboles
Un transistor bipolaire est un dispositif en Silicium ou en Germanium comprenant deux zones de conductibilit es semblables (N ou P), s epar ees par une zone de conductibilit e contraire : on obtient ainsi un sandwich NPN ou PNP, correspondant aux transistors bipolaires NPN et PNP (gures 6.1 et 6.2). Ces trois zones sont accessibles electriquement de lext erieur, et portent les noms de : Base (B) pour la zone centrale, Emetteur (E) et Collecteur (C) pour les deux autres. Les deux jonctions entre base et emetteur dune part, base et collecteur dautre part constituent deux diodes. Mais il ne faut pas en d eduire le comportement dun transistor bipolaire : en eet, si le comportement de la jonction base emetteur est tr` es semblable ` a celui dune diode, celui de la jonction base-collecteur est radicalement di erent, par la proximit e de deux jonctions : cest leet transistor, mis en evidence par Shockley en 1948, qui intervient ici.
Fig. 6.1 Transistor NPN.
Fig. 6.2 Transistor PNP.
6.1.1
Grandeurs utiles
A un instant donn e, le point de fonctionnement dun transistor est caract eris e par six grandeurs, trois tensions et trois courants ; dun point de vue th eorique, on ne consid erera que les quatre grandeurs suivantes : le courant de base iB ; la tension entre base et emetteur (vBE pour les transistors NPN, vEB pour les PNP) ; le courant de collecteur iC ; la tension entre collecteur et emetteur (vCE pour les transistors NPN, vEC pour les PNP). En eet, ` a tout instant, les identit es suivantes sont v eri ees : 63
64 iE = iB + iC ;
6.2. Polarisation dun transistor : Montage Emetteur Commun (MEC)
vCB = vCE vBE (pour les NPN), ou vBC = vEC vEB (pour les PNP). Introduire dans les calculs iE et vCB ne pr esente aucun int er et1 .
6.1.2
Polarisation dun transistor
Comme beaucoup de dispositifs el ementaires ` a semi-conducteurs, les transistors NPN et PNP pr esentent un comportement int eressant uniquement sous certaines conditions de courant et de tension ; de plus, ils ne supportent pas des tensions et courants alternatifs, sauf dans des situations tr` es particuli` eres. Pour fonctionner correctement, il faut que le transistor soit polaris e: Un transistor est polaris e quand il est connect e ` a un circuit ext erieur qui impose des courants et tensions dans les sens indiqu es dans les gures 6.1 et 6.2. Evidemment, il existe de nombreuses mani` eres de polariser un transistor : au 6.2, nous pr esentons une premi` ere technique (la plus simple pour appr ehender le fonctionnement dun transistor) ; au 6.5, page 73, nous verrons plusieurs autres techniques.
6.1.3
Puissance dissip ee dans un transistor
La puissance instantan ee dissip ee dans un transistor est : Transistor NPN p = vCE iC + vBE iB Transistor PNP p = vEC iC + vEB iB
Dans la plupart des cas, seule la puissance moyenne dissip ee est importante, car responsable de l echauement du transistor.
6.2
6.2.1
Polarisation dun transistor : Montage Emetteur Commun (MEC)

Cas dun transistor NPN
Le montage 6.3, comprenant un transistor NPN, est dit Emetteur commun car l emetteur est commun au circuit dentr ee et au circuit de sortie.
Fig. 6.3 Polarisation dun transistor. Le transistor est consid er e comme un quadrip ole : son comportement est sp eci e par deux relations ind ependantes entre vBE , iB , vCE et iC ; dans la plupart des montages, y compris celui-ci, le param etrage int eressant dun transistor consiste en lutilisation des relations hybrides : vBE (iB, vCE ) et iC (iB, vCE ).
Cependant, dun point de vue pratique, il faut sassurer que la tension base-collecteur ne d epasse pas une certaine valeur limite, pr ecis ee par le constructeur.
1
64
6. Les transistors bipolaires
65
6.2.2
6.2.2.1
Exemples de polarisation
Transistor bloqu e2
Dans le montage 6.5, o` u la base est ouverte, le courant de base est evidemment nul ; la base est 3 ottante .
Fig. 6.4 Transistor bloqu e, base court-circuit ee.
Fig. 6.5 Transistor bloqu e, base ouverte.
Dans les deux cas, un courant de collecteur ICE0 existe. Il vaut quelques nano- Amp` ere pour un transistor au Silicium, quelques micro-Amp` ere pour un transistor au Germanium. 6.2.2.2 Transistor dans la zone active
Nous avons proc ed e ` a trois essais suivant trois valeurs di erentes de la r esistance dentr ee RBB , ` a savoir 34.2 k, 22 k et 13.9 k comme montr e, respectivement, sur les gures 6.6, 6.7 et 6.8. Dans les trois cas, nous allons calculer la puissance dissip e par la transistor.
= VBE IB + VCE IC = 0.08mW + 93mW
et
IC IB
= 75.9.
Fig. 6.6 RBB = 34.2 k. Dans ces trois essais, nous pouvons constater : le rapport
IC IB
varie peu ;
la tension vBE varie peu ; la puissance dissip ee dans la base VBE IB est n egligeable devant la puissance dissip ee dans le collecteur VCE IC . Le ph enom` ene primordial ` a observer est le suivant :
Voir 6.3 pour plus de d etails Il est d elicat de mesurer la tension base- emetteur car la pr esence dun appareil de mesure pertube signicativement le montage. Pour le second montage, il en est de m eme pour le courant de base, qui est en fait faiblement n egatif (quelques nA).
3 2
65
66
6.2. Polarisation dun transistor : Montage Emetteur Commun (MEC)
= VBE IB + VCE IC = 0.13mW + 100mW
et
IC IB
= 70.5.
Fig. 6.7 RBB = 22 k.
= VBE IB + VCE IC = 0.22mW + 53.6mW
et
IC IB
= 72.1.
Fig. 6.8 RBB = 34.2 k. Une faible variation du courant de base entra ne une variation importante du courant de collecteur, dans un rapport ` a peu pr` es constant, et valant entre 50 et 300 suivant les transistors et les conditions dutilisation. Ce rapport est appel e gain statique en courant et est not e . 6.2.2.3 Transistor satur e
Le collecteur dun transistor ne fait que r esister au passage du courant : quand le transistor est bloqu e, le collecteur est pratiquement assimilable ` a un circuit ouvert ; dans lautre situation extr eme, quand le transistor est satur e (gure 6.9), le collecteur se comporte pratiquement comme un court-circuit ; le courant de collecteur d epend alors faiblement du courant de base ne peut d epasser une valeur limite x ee par le reste du circuit (ici 15V/560=26.8mA) : augmenter le courant de base nalors plus aucun eet sur le courant collecteur.
= VBE IB + VCE IC = 0.47mW + 3.2mW
et
IC IB
= 41.
Fig. 6.9 RBB = 22 k et EBB =15V.
66
6. Les transistors bipolaires 6.2.2.4 Collecteur ouvert
67
Ici est mis en evidence un ph enom` ene de moindre importance : par comparaison avec les valeurs obtenues lors de la saturation, on observe linuence du courant collecteur sur le courant de base et la tension base- emetteur. Fig. 6.10 Collecteur ouvert.
6.2.2.5
Puissance dissip ee par transistor dans le cas dun MEC
La puissance dissip ee est : P = VBE IB + VCE IC ; en premi` ere approximation, VBE IB peut etre n eglig e devant VCE IC . Do` u, en exprimant VCE en fonction de IC gr ace au dip ole de sortie :
2 P VCE IC = (ECC RC IC ) IC = Rc IC + EC CIC
Un transistor bloqu e ne dissipe aucune puissance ; un transistor satur e dissipe peu (n egliger VBE IB devant VCE IC nest pas toujours possible) ; la puissance est maximale pour VCE = E/2.
6.2.3
MEC : cas dun transistor NPN
6.3
Caract eristiques des transistors NPN
Les caract eristiques de transistors NPN et PNP sont analogues : seuls changent les signes des tensions et courants. 67
68
6.3. Caract eristiques des transistors NPN
6.3.1
Caract eristique Base-Emetteur
Le comportement de la jonction base- emetteur base dun transistor est celui dune jonction PN sous polarisation directe, parcourue par le courant iB + iC . Ce courant est une fonction exponentielle de la tension base emetteur et augmente l eg` erement avec la tension emetteur collecteur (non repr esent e ici).
Fig. 6.11 Caract eristique base- emetteur dun transistor NPN au Silicium.
6.3.2
Caract eristique Emetteur-Collecteur
Comme montr e sur la gure 6.12, la caract eristique emetteur-collecteur fait appara tre quatre zones distinctes.
Fig. 6.12 Caract eristiques emetteur-collecteur dun transistor NPN au Silicium.
6.3.2.1
la zone de blocage
Quand la base est ouverte (IB = 0) ou court-circuit ee (IB 0), la caract eristique emetteur-collecteur est celle dune jonction PN polaris ee en inverse ; le courant collecteur prend la valeur ICE0 (Silicium : quelques nA, Germanium : quelques A), appel ee courant de fuite du collecteur ; le transistor est dit dans l etat bloqu e. Un transistor bloqu e dissipe une puissance tr` es faible VCE ICE0 , le plus souvent assimilable ` a 0. 6.3.2.2 la zone active
La zone active est caract eris ee par un courant de base non nul et une tension collecteur- emetteur ni trop faible (sinon saturation), ni trop forte (avalanche) ; remarquer cependant que IC cro t l eg` erement 68
69
avec VCE . Dans la plupart des cas, on peut n egliger ICE0 devant IC . Cest dans la zone active que la puissance dissip ee est la plus forte ; la puissance dissip ee dans la base est n egligeable devant celle dissip ee dans le collecteur. Le gain statique en courant est ` a peu pr` es constant ; en r ealit e: pour deux transistors dun m eme type, dans les m emes conditions de fonctionnement, peut varier dun facteur qui peut atteindre plusieurs unit es ; d epend du courant ic ( diminue avec les faibles et fortes valeurs de ic ; d epend de la temp erature des jonctions du transistor ; si les courants ne sont pas constants, le gain dynamique en courant d epend de la dynamique des courants dans le transistor, et est di erent du gain statique . 6.3.2.3 la zone de saturation
Le courant de collecteur d epend peu du courant de base et est x e par le reste du montage ; cette zone, quil faut eviter en amplication, pr esente un int eret en logique num erique et en electronique de puissance. La puissance dissip ee par un transistor satur e est faible. 6.3.2.4 la zone davalanche
La zone davalanche voit le courant de collecteur augmenter tr` es rapidement avec la tension collecteur emetteur, entra nant une augmentation de la puissance dissip ee, donc l echauement du composant, et g en eralement la destruction rapide du transistor : cest donc une zone quil faut eviter.
6.3.3
6.3.3.1
Valeurs limites ` a ne pas d epasser

Valeurs limites applicables ` a la jonction BE
la tension base- emetteur peut etre n egative, ` a condition de ne pas devenir inf erieure ` a VbrEB (qui vaut quelques Volts) ; le courant de base nest alors jamais n egatif.
Fig. 6.13 Valeurs limites applicables ` a la jonction BE. la valeur ecace du courant de base ne doit pas d epasser la valeur limite IBmax ; comme la tension VBE varie faiblement en fonction du courant de base (et reste g en erallement <0.8V), aucune valeur limite positive nest pr ecis ee pour cette tension. 6.3.3.2 Valeurs limites applicables ` a la caract eristique CE
la valeur instantan ee du courant collecteur ne doit pas devenir n egative ; la valeur ecace du courant collecteur ne doit pas exc eder la valeur ICmax ; 69
70
6.3. Caract eristiques des transistors NPN la valeur instantan ee de la tension collecteur- emetteur vCE ne doit pas devenir n egative ; la valeur instantan ee dela tension collecteur- emetteur vCE ne doit pas d epasser la valeur VbrCE (risque davalanche) ;
Fig. 6.14 Valeurs limites applicables ` a la jonction CE. la puissance moyenne dissip ee par le transistor : les jonctions du transistor ne doivent pas d epasser une certaine temp erature (Silicium : 180 C, Germanium : 65 C) ; sa capacit e` a evacuer la puissance dissip ee d epend de nombreux param` etres (nature du transistor, du bo tier, pr esence dun radiateur, etc ) : ceci xe une puissance moyenne maximale dissipable ` a ne pas d epasser4 , assimilable ` a VCE IC qui d enit dans un graphe (vCE ,ic ) une hyperbole dite de dissipation maximale (gure 6.14). 6.3.3.3 Valeur limite applicable ` a la jonction BC
la tension instantan ee entre base et collecteur ne doit pas d epasser une valeur limite VbrCE . 6.3.3.4 R esum e 0;
vBE > VbrEB , ce qui implique iB IB 0 0 IBmax ; IC < ICmax ; vCE VbrCE ; Pmax .
VCE IC
6.3.4
Exemples de transistors NPN au Silicium
Voir les extraits des notices constructeur dans le chapitre C : des transistors de faible puissance : les BC107, BC108 et BC109 (page 149) ; un transistor de puissance moyenne : le 2N1711 (page 151) ; un transistor de puissance : le BU508AF (page 153).
Cette valeur peut etre d epass ee temporairement, du moment que la temp erature des jonctions reste en de c` a de la temp erature maximale.
4
70
6. Les transistors bipolaires Param` etre (not e hF E ) RJA (Rth j a ) RJC (Rth j c ) BC107 110 ` a 450 500K/W 200K/W 2N1711 40 ` a 300 219 K/W 58,.3 K/W BU508AF 6` a 30 35K/W < 2.8 K/W
71
Tab. 6.1 Caract eristiques de di erents transistors. Param` etre VbrEB (VEB 0 ) VbrEC (VEC 0 ) IBmax (en pointe) IBmax (en continu) ICmax (en pointe) ICmax (en continu) Pmax (bo tier ` a 25 C) BC107 6V 45V 200mA ? 200mA 100mA 0.3W 2N1711 7V 50V 200mA ? 1A 500mA 3W BU508AF ? 700V 6A 4A 15A 8A 34W
Tab. 6.2 Valeurs limites ` a ne pas d epasser pour quelques transistors.
6.4
Une mod elisation dun transistor polaris e
Le transistor est assimil e` a un quadrip ole : la mod elisation fournit donc deux relations pour le transistor. Il nexiste pas de mod elisation simple d ecrivant lensemble du fonctionnement statique dun transistor : la mod elisation propos ee (bas ee sur le mod` ele dEbers-Moll) pr ecise deux relations ` a utiliser quand le transistor est bloqu e, deux autres quand il est dans la zone active, et encore deux autres quand il est satur e. Chaque etat (bloqu e, actif, satur e) est caract eris e par des in equations.
6.4.1
Transistor dans l etat bloqu e
Cet etat se caract erise par labsence de courant dans le transistor (ICE 0 est n eglig e). Type NPN PNP In equations vBE VBE 0 vEB VEB 0 Equations iB = 0 & iC = 0 iB = 0 & iC = 0
Tab. 6.3 Transistor dans l etat bloqu e. Pour un transistor NPN (PNP) au Silicium, on a : VBE 0 (VEB 0 ) 0.7V. 71
72
6.4. Une mod elisation dun transistor polaris e
6.4.2
Transistor dans la zone active
Les equations de comportement sont : Type NPN PNP In equations iB 0 vCE 0 iB 0 vEC 0 Equations VBE = VBE 0 + rBE (iB + iC ) iC = iB VEB = VEB 0 + rEB (iB + iC ) iC = iB
Tab. 6.4 Transistor dans l etat actif. Dans cette mod elisation : le gain statique en courant est assimil e` a une constante ; la caract eristique de la diode base- emetteur est lin earis ee ; dans la plupart des montages, on consid erera pour simplier les calculs que rBE = 0. Cependant conserver rBE > 0 est imp eratif pour comprendre certains montages, comme par exemple les miroirs de courant (6.8.2).
6.4.3
Transistor satur e
La repr esentation dun transistor satur e fait appara tre un nullateur et un norateur ; les equations de comportement sont donc : Type NPN PNP In equations iB 0 iC iB iB 0 iC iB Equations VBE = VBE 0 + rBE (iB + iC ) vCE = 0 VEB = VEB 0 + rEB (iB + iC ) vEC = 0
Tab. 6.5 Transistor dans l etat satur e.
72
73
6.4.4
6.4.4.1
Repr esentations graphiques des caract eristiques mod elis ees

Caract eristique IC (IB , VCE )
6.4.4.2
Caract eristique VBE (IB , VCE )
6.4.5
Mod elisation dun transistor de gain inni
Dans certains montages (en particulier ceux qui poss` edent une contre-r eaction), consid erer quun transistor pr esente un gain en courant inni est une hypoth` ese viable (voir Exercice A.3.4 : Amplicateur push-pull, page 128)
6.5
Application de la mod elisation ` a di erents montages de polarisation
Les montages de polarisation des transistors am` enent deux principales sortes de probl` eme : 73
74
6.5. Application de la mod elisation ` a di erents montages de polarisation NPN vBE VBE 0 iB = 0 iC = 0 iC 0 vCE 0 VBE = VBE 0 + rBE iC iB = 0 iB 0 iC 0 VBE = VBE 0 + rBE (iB + iC ) VCE = 0 PNP vEB VEB 0 iB = 0 iC = 0 iC 0 vEC 0 VEB = VEB 0 + rEB iC iB = 0 iB 0 iC 0 VEB = VEB 0 + rEB (iB + iC ) VEC = 0
Bloqu e Satur e Actif
In equations Equations In equations Equations In equations Equations
Tab. 6.6 Transistor de gain .
etant donn ees les valeurs des r esistances, de la tension dalimentation et des caract eristiques du transistor, d eterminer les valeurs des tensions et courants dans le circuit ; etant donn e un point de fonctionnement particulier du transistor (quadruplet (VBE ,IB ,VCE ,IC )), d eterminer la valeur des r esistances et/ou de la tension dalimentation.
6.5.1
Montage EC dun transistor NPN
Quatre inconnues : VBE ,IB , VCE , IC . Quatre equations : 1. dip ole dentr ee : VBE = EBB RBB IB ; 2. dip ole de sortie : VCE = ECC RCC IC ; 3. transistor caract eris e par , VBE 0 et rBE = 0 : si VBE si IB si IB VBE 0 : IB = 0 etIC = 0 ; 0 et VCE 0 et IC 0 : VBE = VBE 0 et IC = IB ; IB : VBE = VBE 0 et VCE = 0.
Valeurs num eriques : EBB = 5V,ECC =15V, RBB = 22k , RCC =560. Transistor : VBE 0 = 0.7V , =70. Le transistor est-il bloqu e? si IB = 0 alors VBE = EBB = 5V > VBE 0 = 0.7V : contradiction, donc le transistor nest pas bloqu e Le transistor est donc actif ou satur e. Dans les deux cas, VBE = VBE 0 = 0.7V ; ceci permet de calculer IB : IB = Satur e? Dans ce cas VCE = 0 et il faut v erier IC IB ; or si VCE = 0, alors IC = ECC /RCC = 26.8mA, et IB =13.6 mA, ce qui contredit lhypoth` ese de la saturation. Donc le transistor est actif : IC = IB et il faut v erier VCE IC =13.6 mA et VCE = ECC RCC IC = 7.4 V > 0 74 0. EBB VBE 0 RBB
75
6.5.2
Parfaire le blocage dun transistor
Dans le montage emetteur commun, quelle que soit la valeur de RB , le transistor nest jamais bloqu e si EBB > VBE 0 . En disposant une r esistance RBE en parall` ele entre la base et l emetteur du transistor, on montre que le transistor reste bloqu e jusqu` a une certaine tension EBB > VBE 0 .
6.5.3
Polarisation par r eaction d emetteur
Dans le cas particulier o` u RC = 0, le montage est dit collecteur commun.
6.5.4
Autre types de polarisation
Fig. 6.15 Polarisation par r eaction de collecteur.
Fig. 6.16 Polarisation par diviseur de tension.
6.6
6.6.1
Association de transistors
Le montage Darlington
Le montage darlington, gure 6.17, consiste ` a assembler 2 transistors de m eme polarit e (2 transistors NPN ou 2 transistors PNP) de fa con ` a obtenir un montage se comportant comme un seul transistor (NPN ou PNP), mais de gain statique en courant beaucoup plus elev e5 . Courants dans le transistor T1 : iB 1 , iC 1 , iE 1 ; Courants dans le transistor T2 : iB 2 , iC 2 , iE 2 avec iE 1 = iB 2 ; Courants r esultants : iB , iC , iE , avec : iB = iB 1 , iC = iC 1 + iC 2 , iE = iE 2 Tensions aux bornes de T1 : vBE 1 , vCE 1 ; Tensions aux bornes de T2 : vBE 2 , vCE 2 ; Tensions r esultantes : vBE , vCE , avec : vBE = vBE 1 + vBE 2 , vCE = vCE 2 = vBE 2 + vCE 1 .
On peut concevoir des montages Darlington ` a trois transistors (gain statique en courant denviron un million) ; utiliser quatre transistors ou plus nest pas en pratique viable pour la raison suivante : le courant de fuite du premier transistor est ampli e par les suivants, donnant naissance ` a un courant total de fuite trop important.
5
75
76
6.6. Association de transistors
Fig. 6.17 Le montage darlington.
Travail demand e
` laide de la mod A elisation propos ee (T1 est caract eris e par VBE 01 et 1 , et T2 par VBE 02 et 2 ), montrer que : si un des transistors est bloqu e, lautre lest aussi ; que se passe-t-il en r ealit e? si T1 est actif, alors T2 est actif ; si T1 est satur e, T2 est actif ; T2 nest jamais satur e. Comment se partage la puissance dissip ee entre T1 et T2 ? Quelles sont les equations de comportement dun montage Darlington ? Mettre en evidence trois etats di erents : bloqu e, actif, et quasi-satur e.
6.6.2
Le montage White
Le montage Darlington poss` ede linconv enient de pr esenter une tension ?base emetteur di erente de enient en utilisant deux transiscelle dun seul transistor ; le montage White, gure 6.18, pallie cet inconv tors de polarit es di erentes. Ci-dessous, le montage se comportant comme un transistor PNP ; on peut r ealiser un montage analogue NPN.
Fig. 6.18 Le montage White. Courants dans le transistor T1 : iB 1 , iC 1 , iE 1 ; Courants dans le transistor T2 : iB 2 , iC 2 , iE 2 avec iC 1 = iB 2 ; Courants r esultants : iB , iC , iE , avec : iB = iB 1 , iC = iE 2 , iE = iE 1 + iE 2 76
6. Les transistors bipolaires Tensions aux bornes de T1 : vEB 1 , vEC 1 ; Tensions aux bornes de T2 : vBE 2 , vCE 2 ; Tensions r esultantes : vEB , vEC , avec : vEB = vEB 1 , vEC = vCE 2 = vBE 2 + vEC 1 .
77
Travail demand e
` laide de la mod A elisation propos ee (T1 est caract eris e par VEB 01 et 1 , et T2 par VBE 02 et 2 ), montrer que : si un des transistors est bloqu e, lautre lest aussi ; que se passe-t-il en r ealit e? si T1 est actif, alors T2 est actif ; si T1 est satur e, T2 est actif ; T2 nest jamais satur e.
Comment se partage la puissance dissip ee entre T1 et T2 ? Quelles sont les equations de comportement dun montage White ? Mettre en evidence trois etats di erents : bloqu e, actif, et quasi-satur e.
6.6.3
Un montage curieux
Pourquoi ce montage est-il curieux ?
Etudier le blocage et la saturation des transistors dans le montage ci-contre :
6.7
6.7.1
Le transistor en commutation
D enitions
Un transistor est dit fonctionner en commutation quand le montage dans lequel il est ins er e ne lui permet de prendre que deux etats : satur e ou bloqu e. La puissance dissip ee dun transistor bloqu e est nulle ; celle dun transistor satur e est faible6 .
Avec la mod elisation adopt ee, la puissance dissip ee au collecteur dun transistor satur ee est nulle ; en r ealit e, comme la tension emetteur-collecteur nest pas nulle, cette puissance ne lest pas non plus.
6
77
78
6.7. Le transistor en commutation
Faire fonctionner un transistor en commutation pr esente un int er et dans les deux domaines suivants : 1. l electronique de puissance : les courants et les tensions importants peuvent etre commut es sans entra ner des dissipations trop importantes dans les transistors, ce qui garantit un bon rendement de linstallation ; 2. la logique bool eenne, o` u` a chacun des deux etats correspond une valeur bool eenne.
6.7.2
Commutation dune charge purement r esistive dans le montage emetteurcommun
Quand linterrupteur est en 1, le transistor est bloqu e ; quand il est sur 2, les r esistances Rb et Rc sont telles que le transistor est satur e.
Fig. 6.19 Commutation dune charge purement r esistive dans le MEC. Dans les graphiques 6.20 et 6.22, p est la puissance instantan ee dissip ee par le transistor, assimil ee au produit vCE iC . Ces graphiques montrent que la commutation dissipe une puissance instantan ee tr` es importante par rapport ` a la puissance instantan ee dissip ee en saturation. Cest pourquoi la dissipation dun transistor fonctionnant en commutation augmente avec la fr equence des changements d etats.
Fig. 6.20 Graphique 1.
78
79
Fig. 6.21 Commutation dune charge inductive dans le MEC.
6.7.3
Commutation dune charge inductive dans le montage emetteur-commun
La pr ecaution indispensable ` a prendre lors de la commutation dune charge inductive, gure 6.21, est de supprimer les surtensions de coupure aux bornes du transistor engendr ees par linductance7 : pour cela, on dispose une diode dite diode roue libre comme indiqu e sur le sch ema. Lallure des courants et des tensions devient alors :
Fig. 6.22 Graphique 2. La diode utilis ee est une diode de commutation dont les principales caract eristiques sont : la tension inverse maximale support ee par la diode doit etre sup erieure ` a la tension dutilisation
7
Remarquer que la valeur de linductance na pas besoin d etre connue.
79
80 de la charge ;
6.7. Le transistor en commutation
le courant direct maximal support e par la diode doit etre sup erieur au courant ` a travers la charge. Pour le transistor, remarquer que la tension maximale emetteur-collecteur du transistor est la tension dalimentation ECC augment ee de la chute de tension directe dans la diode roue libre.
6.7.4
Electronique de puissance : pourquoi utiliser un transistor en commutation ?
Probl` eme pos e : on dispose dune source de tension ECC , et dune charge r esistive Rc ; aliment ee CC . On d e sire concevoir directement sur la source de tension ECC , la r esistance consomme une puissance ER c un dispositif permettant de r egler simplement la puissance consomm eee par Rc depuis 0 jusqu` a cest ` a dire que cette puissance soit 6.7.4.1 R eglage par Rh eostat
2 ECC Rc , E CC ; 2 ECC Rc ,
2 ECC Rc ,
avec 0
1.
Si la puissance dissip ee dans Rc est la tension aux bornes de Rc est :
alors :
ECC Rc
le courant dans Rc et dans le rh eostat Rh :
la tension aux bornes du rh eostat : ECC (1 la puissance dissip ee par le rh eostat : le rendement de linstallation : =
). ;
2 (1 ) ECC Rc
Puissance dissip ee dans Rc = Puissance dissip ee dans Rc + Puissance dissip ee dans le rh eostat
Le rendement est d eplorable pour les faibles puissances utiles ! 6.7.4.2 Par transistor en commutation
Un circuit electronique assure la commutation r eguli` ere de linterrupteur avec une p eriodicit eT: pour 0 < t < T , linterrupteur est sur 2 : donc p =
2 ECC Rc
pour T < t < T , linterrupteur est sur 1 : donc p = 0.

CC La puissance moyenne absorb ee par Rc est alors R . Il sut donc de choisir = pour r egler la c puissance absorb ee par Rc ` a la valeur souhait ee. Comme un transistor en commutation consomme peu, le rendement de linstallation demeure toujours important, bien meilleur que dans le cas pr ec edent. La p eriode de d ecoupage T est choisie :
E2
pas trop grande, pour que la constante de temps thermique de Rc soit grande par rapport ` a T; pas trop petite, pour que l echauement du transistor durant les commutations successives ne soit pas trop important. Cette p eriode est souvent choisie entre 0.1 ms et 1 ms. 80
81
6.8
6.8.1
Sources de courant
Une source el ementaire
La premi` ere source de courant propos ee est simplement le montage emetteur commun : quand le transistor est actif, le courant IC d epend de IB , et par suite de Rb : ic = Ecc VBE 0 Rb
Comme ce courant ne d epend pas de Rc , le montage emetteur commun se comporte comme une source de courant vis ` a vis de Rc . Pourquoi ne peut-on pas sen contenter ? La pr ecision du courant ic d epend de la pr ecision de et, ` a degr e moindre, de celle de VBE 0 . Or en r ealit e nest pas constant et varie de mani` ere signicative en fonction, entres autres, de la temp erature des jonctions et du courant iC .
6.8.2
Miroir de courant
On suppose les deux transistors identiques, et caract eris es par , VBE 0 et rBE . Quand ils sont tous les deux actifs, quelle est la relation entre iI et iO ? Fig. 6.23 Miroir de courant ` a deux transistors NPN.
6.8.3
Am elioration du montage pr ec edent
En supposant les trois transistors actifs, que devient la relation entre iI et iO ? Les trois transistors sont suppos es identiques.
Fig. 6.24 Miroir de courant ` a trois transistors NPN.
81
82
6.9. Sources de tension
6.9
6.9.1
Sources de tension
Une application du montage collecteur commun : r egulateur de tension ` a transistor et diode Zener
Donn ees : Emin = 10V, Emax = 15V, Emin R = 100 ; Transistor : VBE 0 = 0.7 V, =50. Questions : Quelle est la condition sur RL pour que la diode Zener soit active ? Quelles sont les caract eristiques du g en erateur de tension vu par la r esistance RL ? E Emax ;
Diode Zener DZ : VZ 0 =6.1V, RZ 0 = 4 ;
6.9.2
Courant de sortie bidirectionnel : lamplicateur push-pull
Fig. 6.25 Montage amplicateur push-pull.
Fig. 6.26 Polarisation dun push-pull.
6.10
Amplicateur di erentiel gures 6.29 et 6.30

82
83
Fig. 6.27 Utilisation dun push-pull.
Fig. 6.28 R ealisation de la source de courant.
Fig. 6.29 Polarisation par r esistances.
Fig. 6.30 Polarisation par source de courant.
83
84
6.10. Amplicateur di erentiel gures 6.29 et 6.30
84
Chapitre 7
Les amplicateurs op erationnels : AOP

7.1 Pourquoi les amplicateurs op erationnels ont-ils et e imagin es ?
Comment r ealiser des montages electroniques poss edant des caract eristiques pr ecises, alors que les el ements actifs de base (transistors, diodes) ne pr esentent pas ces qualit es ? Comment faire pour que la mise en oeuvre de ces montages soit technologiquement simple, et ne n ecessite que peu de calculs ? Comment pouvoir r ealiser des montages aux fonctions complexes par lassemblage, comme dans un jeu de construction, de constituants el ementaires se combinant simplement les uns aux autres ? Pareilles possibilit es de combinaison r ev` elent tout leur int er et si le comportement de chaque constituant reste le m eme et reste pr ecis : M eme en cas de variation des caract eristiques des composants discrets avec lesquels le constituant est r ealis e; Quil soit isol e ou quil soit combin e avec dautres constituants. Dans le premier cas, il sagit dannuler linuence des d erives internes sur la sortie dun constituant, et dans le second d eviter les inuences mutuelles parasites de constituants entre eux. Pour illustrer le premier ph enom` ene, prenons lexemple du montage emetteur commun dun transistor. La tension aux bornes de la r esistance de collecteur d epend compl` etement du gain statique en courant du transistor. Par contraste, les valeurs des tensions dans la polarisation dun transistor par pont diviseur de tension (??) d ependent peu du gain statique en courant du transistor ; en particulier, pour un transistor imaginaire de gain inni, ces tensions restent nies, non nulles, alors que dans le montage emetteur commun un transistor imaginaire de gain inni serait toujours satur e. Quelle est la di erence fondamentale entre ces deux montages ? Cette di erence fondamentale sappelle contre r eaction : ce terme signie que le signal de sortie est compar e` a un signal de r ef erence et que le constituant r eagit de lui-m eme pour corriger la sortie en fonction du r esultat de cette comparaison ; ainsi, dans la polarisation par pont diviseur, le courant de sortie (dans l emetteur) r eagit sur le courant dentr ee (dans la base) ; dans le montage emetteur commun, aucune contre r eaction : le courant d emetteur na aucune inuence sur le courant de base. La contre r eaction nest pas toujours facile ` a distinguer dans les montages ` a transistors. Une th eorie g en erale de la contre r eaction nest pas simple non plus ; elle est en revanche abordable dans le cadre des syst` emes lin eaires mono variables. Le sch ema de base dun syst` eme asservi est illustr e par la gure 7.1, o` u: Et le r esultat classique suivant peut etre simplement etabli : Y (s) = KG(s) Yc (s) 1 + KG(s)F (s) 85
86
7.1. Pourquoi les amplicateurs op erationnels ont-ils et e imagin es ? s est la variable de Laplace ; KG(s) la fonction de transfert du syst` eme, tel que K soit un nombre r eel strictement positif (adimensionnel ou dimensionnel) appel e gain statique, G(s) tel que G(0) = 1 ; F (s) la fonction de transfert de la contrer eaction.
Fig. 7.1 Sch ema de base dun syst` eme asservi.
Si K tend vers linni, la relation pr ec edente se simplie en : Y (s) = 1 Yc (s) F (s)
Cette relation simpli ee exprime le comportement du syst` eme uniquement si celui-ci est stable, cest ` dire si les z a eros de 1 + KG(s)F (s) sont tous ` a partie r eelle strictement n egative. Alors le comportement du syst` eme d epend uniquement de la contre r eaction ; une des parties dun montage peut pr esenter un gain inni sans pour cela imposer des valeurs innies ou nulles partout. La pr ecision avec laquelle le montage electronique re etera la fonction de transfert du syst` eme en boucle ferm ee d epend uniquement de la pr ecision des composants qui r ealisent F (s) ; or il est facile et peu dispendieux de fabriquer des r esistances et des capacit es de valeurs pr ecises, et donc de construire ` a prix raisonnable des montages electroniques pr ecis. D` es lors, on est fortement tent e de construire des montages electriques ` a limage de la boucle ` a contre r eaction de la gure 7.2 :
Fig. 7.2 La contre r eaction. Dans ce sch ema, Q1 et Q2 repr esentent des quadrip oles lin eaires, et chaque trait un l electrique ; la esente une ligne electrique de la gure tentation est grande de dire que chaque trait de la gure 7.1 repr 7.2. Malheureusement, ceci est faux a priori. En eet, le comportement dune ligne electrique est d ecrite par deux grandeurs, le courant et la tension, alors que les traits de la gure 7.1 ne repr esente quune seule grandeur. Pour la m eme raison, on observera que chaque quadrip ole lin eaire de la gure 7.2 est caract eris e par quatre grandeurs, alors que dans le sch ema de la gure 7.1, chaque sous-syst` eme est d ecrit par une seule grandeur, la fonction de transfert. Pour pareil cas, pour mod eliser correctement un montage electrique, il faudrait donc utiliser la th eorie des syst` emes multi variables (qui permet de repr esenter les syst` emes ` a plusieurs entr ees et plusieurs sorties d ependantes), ce qui complique singuli` erement la t ache. Peut-on faire abstraction du courant ou de la tension dans un montage ? En r` egle g en erale, courants et tensions sont fonctions des uns et des autres, et il nest pas possible faire abstraction de lun des deux. Par exemple, la tension de sortie dun montage d epend du courant de sortie (du fait de sa r esistance interne de sortie), et donc de limp edance dentr ee du montage connect e sur la sortie. Si on veut sint eresser ` a la tension de sortie en faisant abstraction du courant de sortie, (Y (s) repr esente alors cette tension), les seules solutions sont : De concevoir un montage dont la sortie se comporte comme un g en erateur de tension parfait ; 1 ainsi, la tension de sortie ne d epend pas de ce qui y est branch e ;
1
Sauf si on court-circuite la sortie : cest une situation que lon sinterdira.
86
7. Les amplicateurs op erationnels : AOP
87
Si il nest pas possible de r ealiser une imp edance de sortie nulle, il faut alors connecter sur cette sortie uniquement des montages dont limp edance dentr ee est innie (sortie ` a vide). De m eme, si on veut sint eresser au seul courant de sortie en faisant abstraction de la tension de sortie (Y (s) repr esente alors ce courant), les seules solutions sont : De concevoir un montage dont la sortie se comporte comme un g en erateur de courant parfait ; 2 ainsi le courant de sortie ne d epend pas de qui y est branch e ; si il nest pas possible de r ealiser une imp edance de sortie innie, il faut alors connecter sur cette sortie uniquement des montages dont limp edance dentr ee est nulle (sortie court-circuit ee). Dans ce cadre, il devient donc possible de confondre la gure 7.1 et la gure 7.2. Plusieurs points restent cependant ` a pr eciser. Dabord utiliser deux ls electriques pour chaque signal est trop co uteux : il est beaucoup plus simple dutiliser une masse commune ` a tous les circuits : la gure 7.2 devient la suivante (gure 7.3), o` u la masse commune est repr esent ee par un trait gras.
Fig. 7.3 La contre r eaction avec masse commune. Ensuite, comment r ealiser les circuits not es dans les gures 7.2 et 7.3 par r eseau de mixage et r eseau de pr el` evement ? Le r eseau de pr el` evement doit reporter la grandeur de sortie ` a lentr ee du circuit de r eaction ; dans le cas pr esent, le seul r eseau facilement r ealisable est celui de pr el` evement de tension (gure 7.4).
Fig. 7.4 R eseau de pr el` evement de tension. Pour cette raison, il sera beaucoup plus simple dutiliser un amplicateur d elivrant une tension quun amplicateur d elivrant un courant. Le r eseau de mixage doit r ealiser la di erence de deux signaux, cest ` a dire plus pr ecis ement : soit la di erence de deux tensions : r eseau de mixage de tensions, qui d elivre une tension ` a sa sortie ; soit la di erence de deux courants : r eseau de mixage de courants, qui d elivre un courant ` a sa sortie.
2
Sauf si la sortie nest pas connect ee : cest une situation que lon sinterdira.
87
88
7.2. Pr esentation des amplicateurs op erationnels int egr es Malheureusement, il nest pas possible de r ealiser simplement ni lun ni lautre ; une di erence de deux tensions ayant une masse commune n ecessite un amplicateur di erentiel ; une simple interconnexion r ealise une somme de courants.
Qu` a cela ne tienne : un r eseau de mixage de tension sera donc inclus dans le circuit int egr e. Nous aboutissons donc ` a la r eaction parall` ele de tension (pr el` evement de tension de sortie, mixage des tensions dentr ee), illustr ee par la gure 7.5.
Fig. 7.5 R eaction parall` ele de tension. Nous allons maintenant etablir le cahier des charges du circuit miracle - lamplicateur op erationnel int egr e - qui permet de r ealiser simplement les r eactions parall` eles de courant et de tension. Lamplicateur op erationnel doit se comporter comme un amplicateur de tension di erentielle dont la r esistance dentr ee est innie et la r esistance de sortie nulle. Son gain statique K doit etre positif. Le sch ema electrique (gure 7.6) est limage du sch ema th eorique de la gure 5. Dans ce cas, le seul param` etre utile pour le quadrip ole de r eaction est sa tension de sortie ` a vide : cest ce que repr esente iciF (s).
Fig. 7.6 Sch ema electrique de la r eaction parall` ele de tension. Le gain statique doit etre aussi grand que possible, de fa con ` a pouvoir n egliger 1 devant les expressions en K. Un dernier point ` a pr eciser : que choisir pour G(s) ? Le plus simple serait evidemment de choisir G(s) = 1, pour tout s. Cela signierait que le gain KG(s) est constant, quelque soient les signaux dentr ee. Il est malheureusement impossible de construire un tel circuit : le gain faiblit toujours ` a partir dune certaine fr equence des signaux dentr ee. Par contre, il est possible de contr oler comment cet aaiblissement op` ere : pour des raisons de simplicit e, la plupart des amplicateurs op erationnels sont compens es en fr equence de fa con quils se comportent comme des ltres passe-bas du premier ordre.
7.2
Pr esentation des amplicateurs op erationnels int egr es
Il existe de nombreux types damplicateurs op erationnels ; les plus simples dentre eux (ceux que nous etudierons) pr esentent cinq connexions (gure 7.7) : 88
7. Les amplicateurs op erationnels : AOP les deux connexions dalimentation VCC + et VCC , connect ees ` a deux sources de tensions ;
89
les deux entr ees - et +, respectivement appel ees entr ee inverseuse et entr ee non-inverseuse ; la sortie S. et e con cu de fa con ` a r ealiser simplement la contre Lamplicateur op erationnel int egr e, gure 7.7, a r eaction parall` ele de tension. Son branchement est imm ediat.
Les entr ees + et - correspondent ` a lentr ee du montage et lentr ee de la contre r eaction : ceci correspond exactement ` a la gure 7.6. Fig. 7.7 Repr esentation symbolique dun AOP. Les connexions dalimentations sont n ecessaires pour alimenter les composants internes de lamplicateur ; les constructeurs sp ecient, pour chaque amplicateur op erationnel particulier, les bornes admissibles pour la di erence de tension Vcc+ Vcc entre les deux tensions dalimentation Vcc+ et Vcc ; pour la plupart des amplicateurs op erationnels, cette di erence doit etre comprise entre 5V et 36V.
7.2.1
Amplicateur op erationnel aliment e sous tension sym etrique
Un amplicateur op erationnel est aliment e sous tension sym etrique si la somme Vcc+ + Vcc des tensions dalimentation est nulle. Souvent, on utilise Vcc+ = 15V et Vcc = -15V. La tension de la sortie dun amplicateur op erationnel est alors limit ee ` a lintervalle suivant : Vsat vs Vsat
Vsat est appel ee tension de saturation de la sortie ; cest une caract eristique sp ecique ` a chaque amplicateur op erationnel. Quand lamplicateur op erationnel est aliment e par une tension sym etrique de 15V, alors Vsat est lordre de 12V. Pour la calculer, voir le 7.3.7. Un amplicateur op erationnel est dit en r egime non satur e |vs | < V sat en r egime satur e vs = +Vsat ou vs = Vsat
Remarque : La distinction entre les deux r egimes satur e et non satur e est tr` es importante car lamplicateur op erationnel sy comporte de fa con radicalement di erente.
7.2.2
Amplicateur op erationnel aliment e sous tensions dissym etriques
Un amplicateur op erationnel est aliment e sous tensions dissym etriques si la somme Vcc+ + Vcc des tensions dalimentation nest pas nulle. La tension de la sortie dun amplicateur op erationnel est alors limit ee ` a lintervalle suivant : Vsat + Vcc+ + Vcc Vcc+ + Vcc < vs < Vsat + 2 2
Cest une g en eralisation de lintervalle pr esent e au 7.2.2. 89
90
7.3. Mod elisations dun amplicateur op erationnel en r egime non satur e
7.3
Mod elisations dun amplicateur op erationnel en r egime non satur e
Le v eritable sch ema dun amplicateur op erationnel fait appara tre cinq connexions (voir gure 7.7). Tant que lon ne sint eresse pas aux courants dans les broches dalimentation, on peut utiliser la repr esentation habituelle (gure 7.8) qui omet ces connexions dalimentation. Ne pas essayer de faire un bilan des courants en sy r ef erant.
Fig. 7.8 Une autre repr esentation dun amplicateur op erationnel. Un point de fonctionnement de lamplicateur op erationnel est sp eci e par les valeurs des trois courants i+, i, is et des trois tensions v+ , v , vs . Lamplicateur op erationnel est consid er e comme un hexap ole : son comportement est donc d ecrit par 3 equations : 2 equations d ecrivant le comportement des 2 entr ees, 1 equation d ecrivant le comportement de la sortie. Deux in equations caract erisent le r egime non satur e.
7.3.1
In equations caract erisant le r egime non satur e
Un amplicateur op erationnel est en r egime non satur e si la tension de sortie v erie (cas g en eral pour une alimention sym etrique ou non) : Vsat + Vcc+ + Vcc Vcc+ + Vcc < vs < Vsat + 2 2
7.3.2
7.3.2.1
Mod elisation des entr ees

Entr ee di erentielle Les deux equations sont : 1. i+ + i = 0 ; 2. v+ v = Zed i+ Limp edance Zed est sup erieure ` a 1M. Ne pas confondre cette imp edance dentr ee avec celle dun montage comprenant un amplicateur op erationnel.
7.3.2.2
Imp edances dentr ees innies Les deux equations sont : 1. i+ = 0 ; 2. i = 0 Cette mod elisation est d eduite de la pr ec edente en prenant Zed = . 90
91
7.3.3
7.3.3.1
Mod elisation de la sortie

Gain variable
Le gain en boucle ouverte dun amplicateur op erationnel nest pas constant, d epend de la dynamique des signaux dentr ee ; l equation de la sortie fait appara tre la variable de Laplace3 : Vs (s) = A0BO wCBO Vcc+ + Vcc 1 (V+ (s) V (s)) Zs (s)Is (s) + s + wCBO 2 s
on peut faire appara tre la transform ee de Laplace ABO (s)dugainenboucleouverte : ABO (s) = A0BO wCBO s + wCBO
Zs (s) est la transform ee de Laplace de limp edance de sortie de lamplicateur op erationnel et a une valeur voisine de 100. En fait, cette imp edance de sortie nest pas purement r esistive. Ne pas confondre limp edance de sortie de lamplicateur op erationnel avec limp edance de sortie dun montage contenant un amplicateur op erationnel. A0BO est le gain statique en boucle ouverte de lamplicateur op erationnel, 5 et est sup erieur ` a 10 . wCBO est la pulsation de coupure de lamplicateur op erationnel, cest ` a dire que cet amplicateur op erationnel est un amplicateur de tension de gain statique A0BO , associ e avec un ltre passe-bas de pulsation de coupure wCBO , donc de fr equence de coupure fcBO = wCBO /2 . Le dernier terme est linuence des tensions dalimentation : sous alimentation sym etrique, il dispara t. 7.3.3.2 Gain constant ni
Cette mod elisation est une simplication de la pr ec edente pour laquelle on consid` ere que le gain est constant, ni et ne d epend pas de la dynamique des signaux dentr ee : vs = A0BO (V+ V ) Zs (s)is (s) + Vcc+ + Vcc 1 2 s
Limp edance de sortie Zs est assimil ee ` a une r esistance. L` a encore, le dernier terme est linuence des tensions dalimentation et dispara t dansle cas dune alimentation sym etrique. 7.3.3.3 Gain inni
Cette mod elisation qui pr esente lint er et de la simplicit e ne fait pas appara tre la grandeur vs dans l equation de comportement : v+ = v ceci ne facilite pas la compr ehension des montages ; de plus, cette mod elisation etant trop sommaire, des renseignements importants sont perdus : notamment la stabilit e du r egime non satur e ne peut pas etre montr ee.
7.3.4
Mod elisations classiques dun amplicateur op erationnel
Les quatre cas sont trait es dans le tableau 7.1.

Remarquons que cette expression ne fait pas appara tre les conditions initiales : elles sont implicitement prises egales ` a z ero.
3
91
92
Amplicateur op erationnel de gain variable ABO (s) imp edances dentr ee innies, alimentation sym etrique Equations D enition Cest cette mod elisation qui permet de d etablir i+ = 0 ; la stabilit e du r egime non satur e. Limp edance de sortie est consid e r e e comme nulle. i = 0 ; Cette mod elisation correspond exactement au vs = A0BO (V+ (s) V (s)) comportement de lamplicateur op erationnel wCBO o` u : ABO (s) = A0BO s+w . de la gure 7.6. On peut identier : CBO A0BO K ; wCBO s+ w G(s) ; C
BO
Amplicateur op erationnel de gain constant A0BO , imp edances dentr ee innies, imp edance de sortie nulle, alimentation sym etrique Equations D enition En utilisant cette mod elisation, on obtient des i+ = 0 ; expressions d ecrivant le comportement dun montage qui incluent le gain statique A0BO . i = 0 ; Comme A0BO est g en eralement tr` es grand devs = A0BO (V+ V ). vant les autres grandeurs, on consid` ere la limite de ces expressions quand A0BO . Ces limites sont les r esultats obtenus en consid erant lamplicateur id eal. Amplicateur op erationnel de gain constant A0BO , imp edances nies, alimentation non sym etrique Equations D enition Elle sera utilis ee pour mettre en evidence lini+ + i = 0 ; uence des imp edances dentr ee et de sortie de lamplicateur op erationnel sur celles dun monV+ V = Zed i+ ; tage, et linuence des tensions dalimentation. vs = A0BO (V+ V ) - Zs is + Vcc+ +Vcc . 2 Amplicateur op erationnel id eal Equations D enition Cest la mod elisation la plus brutale dun ami+ = 0 ; plicateur, car la plus trompeuse aussi : les entr ees inverseuse et non inverseuse jouent le i = 0 ; m eme r ole : avec cette mod elisation, la stabilit e V + = V . du montage ne peut pas etre montr ee.
Tab. 7.1 Mod elisation classique dun AOP.
92
93
7.3.5
Remarques
Ze est limp edance di erentielle dentr ee, et est g en erallement comprise entre 100k et 10M ; ne pas la confondre avec limp edance dentr ee du montage dans lequel appara t lamplicateur op erationnel ; Zs est limp edance de sortie de lamplicateur op erationnel et a une valeur voisine de 100. En fait, cette imp edance de sortie nest pas purement r esistive. Ne pas confondre limp edance de sortie de lamplicateur op erationnel avec limp edance de sortie dun montage contenant un amplicateur op erationnel. A0BO est le gain en boucle ouverte de lamplicateur op erationnel ; cest une valeur qui nest pas connue avec pr ecision (dailleurs il est inutile quelle le soit) qui est de lordre de 105 . Cette tr` es grande valeur de A0BO impose de faire r eagir la sortie sur lentr ee inverseuse pour que vs ne parte pas en saturation : comme le laisse supposer la pr esentation en 7.1, lamplicateur op erationnel est con cu pour fonctionner dans une boucle ferm ee : on ne peut pas envisager de montage stable en r egime non satur e sans faire r eagir la tension de sortie sur lentr ee. Ceci ne signie pas que les montages contenant des amplicateurs op erationnels ont un gain inni ! Le gain dun montage est une expression faisant intervenir en premi` ere importance la valeur des composants passifs du montage. Faire r eagir la sortie sur lentr ee ne se fait pas nimporte comment ! En eet, echanger les entr ees - et + rend instable un montage stable : lamplicateur op erationnel part en saturation (cest ` a dire que sa tension de sortie augmente jusqu` a Vsat , ou diminue jusqu` a Vsat , en fonction des conditions initiales). Le mod` ele de comportement de la sortie nest plus valable : il faut mod eliser lamplicateur op erationnel en saturation pour d ecrire le comportement du montage. Ce nest pas parce quun montage est math ematiquement stable quil va eectivement fonctionner ! Il faut sassurer (entre autres), que jamais durant son fonctionnement lamplicateur op erationnel nentrera en saturation.
7.3.6
Etude du gain ABO (s)

w
BO
CBO ABO (s) = A0BO s+w C
ABO (s) est la transform ee de Laplace du gain en boucle ouverte : BO A0BO est la gain statique (0) en boucle ouverte (BO) ; wCBO est la pulsation de coupure (C) en boucle ouverte (BO). Ces trois grandeurs sont caract eristiques de lamplicateur op erationnel, cest ` a dire ind ependantes du montage dans lequel est ins er e lamplicateur op erationnel. Lexpression de ABO (s) montre quun amplicateur op erationnel est un amplicateur de tension de gain statique A0BO , associ e avec un ltre passebas de pulsation de coupure wCBO , donc de fr equence de coupure fcBO = wCBO /2 7.3.6.1 Fr equence de coupure fcBO en boucle ouverte dun amplicateur op erationnel
La fr equence de coupure en boucle ouverte dun amplicateur op erationnel fcBO est une valeur de lordre du Hertz. En fait, comme on le verra par la suite, cest le produit A0BO fcBO , qui intervient dans lexpression des fr equences de coupure des montages. Lallure du module du gain en boucle ouverte |ABO (s)|dB est celle dun ltre passe-bas du premier ordre. La gure 7.9 fait appara tre w1BO , qui est la pulsation de gain unit e en boucle ouverte. Il lui correspond f1BO = w1BO /2 , fr equence de gain unit e en boucle ouverte ; cest cette derni` ere valeur qui est le plus souvent fournie par les constructeurs. 93
94
Fig. 7.9 Diagramme de gain de bode dun Filtre passe-bas 1er ordre. 7.3.6.2 Relation entre f1BO , fcBO et A0BO |ABO (w)| = A0BO Il sut de r esoudre en w1BO : A0BO Il vient : w1BO = wCBO De m eme, on a : f1BO = fCBO A0BO A2 0BO 1 wCBO A0BO wCBO
2 w2 + wC BO
Comme on a :
wCBO
2 2 w1 + wC BO BO
=1
7.3.7
Comment obtenir les caract eristiques dun amplicateur op erationnel ?
Les principales caract eristiques dun amplicateur op erationnel sont : le gain en boucle ouverte ` a fr equence nulle A0BO ; equence de coupure en boucle ouverte la pulsation de coupure en boucle ouverte wCBO , ou la fr fCBO ; limp edance de sortie Zs ; limp edance dentr ee di erentielle Zed ; la tension de saturation Vsat, fonction de la di erence Vcc+ Vcc des tensions dalimentation Vcc+ et Vcc . Elles sont obtenues en consultant les tables et gures edit ees par le constructeur du composant (pour lamplicateur op erationnel que vous utilisez en projet, celles-ci sont a ` la page C). La plupart des caract eristiques peuvent etre d eduites des courbes ; les tableaux fournissent g en eralement des renseignements compl ementaires pour une tension dalimentation particuli` ere. 7.3.7.1 Gain en boucle ouverte ` a fr equence nulle A0BO et fr equence de coupure en boucle ouverte fCBO
La courbe qui donne le gain en boucle ouverte en fonction de la fr equence des signaux (large-signal dierential voltage amplication versus frequency) appara t ` a la gure 12. Cette courbe a lallure dun ltre passe-bas du premier ordre (comparer avec la gure 7.9). Nous pouvons relever sur cette courbe : 94
7. Les amplicateurs op erationnels : AOP la fr equence f1BO : environ 3MHz ;
95
le gain en boucle ouverte dans la bande passante, identique au gain en boucle ouverte ` a fr equence 5 nulle A0BO : environ 2 10 ; La fr equence de coupure en boucle ouverte fCBO est donn ee par la relation f1BO = fCBO A0BO : do` u: fCBO 15Hz . Rechercher aussi dans les tableaux les entr ees large-signal dierential voltage amplication (A0BO ) et unity-gain bandwidth (f1BO ). 7.3.7.2 Imp edance de sortie Zs
Comme la valeur de limp edance de sortie a peu dinuence sur le comportement des montages (voir 7.4.3), elle nest souvent pas mentionn ee. La prendre alors egale ` a z ero. 7.3.7.3 Imp edance dentr ee di erentielle Zed
Cette valeur est pr esent ee dans les tableaux, sous le nom Input Resistance ; elle a pour valeur 1012. 7.3.7.4 Tension de saturation Vsat
La tension de saturation Vsat est fonction de la di erence des tensions dalimentation Vcc+ Vcc . Pour chaque composant, les constructeurs fournissent une courbe donnant (pour une r esistance de sortie donn ee) la valeur maximum de la tension de sortie en fonction de la demie di erence des tensions dalimentation (gure 10 maximum peak output voltage versus supply voltage). Exemple 1, composant TL074 aliment e entre -14V et +14V Vsat = 12.5V. Exemple 2, composant TL074 aliment e entre -6V et +6V Vsat = 5V.
7.3.8
Mise en equation r eduite
Souvent, on suppose que limp edance des entr ees est innie. Il est alors possible dexploiter cette hypoth` ese en supprimant de la mise en equation les inconnues correspondantes. Cette technique est d ecrite sur un montage particulier, le montage non inverseur (7.4.1).
7.4
Montages utilisant la contre r eaction parall` ele de tension
Ces montages utilisent directement la structure illustr ee par la gure 7.6.
7.4.1
Le montage non inverseur
On consid` ere que limp edance des entr ees de lamplicateur op erationnel est innie.
Fig. 7.10 Montage non inverseur.
95
96
7.4. Montages utilisant la contre r eaction parall` ele de tension
Travail demand e
Faire la mise en equation compl` ete, puis la mise en equation r eduite en exploitant lhypoth` ese de la valeur innie des imp edances dentr ee. Caract eriser par deux relations ce montage et calculer son gain en tension : 1. en consid erant le gain en boucle ouverte inni ; 2. en consid erant le gain en boucle ouverte ni et egal ` a A0BO ; 3. en consid erant le gain en boucle ouverte variable ; mettre en evidence le gain statique du montage G0N I , sa pulsation de coupure wcN I , et la valeur du produit G0N I wcN I .
7.4.2
Le montage suiveur
Cest le montage non-inverseur dans lequel on a choisi = 1 ; la r esistance R se trouve donc directement branch ee sur la sortie ; elle na pas dinuence sur la tension de sortie, sous r eserve quelle soit tr` es sup erieure ` a limp edance de sortie de lamplicateur op erationnel.
Fig. 7.11 Montage suiveur. Tous les r esultats du montage non inverseur se retrouvent, en prenant = 1. Quel est lint er et de ce montage ?
7.4.3
Inuence des imp edances dentr ee et de sortie (montage suiveur)
Amplicateur op erationnel :
imp edance dentr ee di erentielle : ZE = 100k ; gain en boucle ouverte constant A0BO = 105 , imp edance de sortie non nulle ZS = 100.
Exercice
faire le bilan des inconnues et ecrire le syst` eme d equations ; obtenir deux relations qui caract erisent le quadrip ole ; calculer les expressions : du gain en tension, sortie ` a vide ; 96
7. Les amplicateurs op erationnels : AOP de limp edance de sortie, entr ee court-circuit ee ; imp edance dentr ee, sortie en court-circuit ; imp edance dentr ee, sortie ` a vide ; imp edance de sortie, entr ee non connect ee ; gain en courant, sortie court-circuit ee ; ce montage convient-il pour r ealiser un amplicateur de courant ? on dispose une r esistance RL sur la sortie : calculer lexpression du gain en tension ;
97
7.4.4
Adjonction dun transistor de sortie
Le courant maximum de sortie des amplicateurs op erationnels reste de lordre de quelques dizaines de milliamp` eres : pour augmenter cette valeur, il para t donc logique dadjoindre un transistor de puissance.
Fig. 7.12 Adjonction dun transistor de sortie. Plusieurs remarques : la sortie dun amplicateur op erationnel peut aussi bien fournir quabsorber un courant ; cette caract eristique nexiste plus avec ladjonction du transistor ; les param` etres dun transistor ( , rBE , VBE 0 ) ne sont pas connus avec pr ecision : il faut donc 4 r ealiser un montage qui limite leur inuence .
7.5
7.5.1
Montages bas es sur la contre r eaction de courant

Lamplicateur op erationnel consid er e comme amplicateur de transimp edance
Mettre en equation le montage en supposant que lamplicateur op erationnel pr esente une imp edance dentr ee di erentielle Zed , une imp edance de sortie ZS , et un gain en tension en boucle ouverte A0BO . Quelles sont les equations qui caract erisent ce quadrip ole ? Quel sont les expressions du gain en courant, du gain en tension, de la transimp edance, du potentiel vE ?
4
Voir lexercice A.4.1, page 129.
97
98
7.5. Montages bas es sur la contre r eaction de courant
Fig. 7.13 Amplicateur de transimp edance.
7.5.2
Le montage inverseur
On consid` ere que limp edance des entr ees de lamplicateur op erationnel est innie. Faire la mise en equation r eduite en exploitant lhypoth` ese de la valeur innie de limp edance dentr ee. Caract eriser par deux relations ce montage et calculer son gain en tension : 1. en consid erant le gain en boucle ouverte inni ; 2. en consid erant le gain en boucle ouverte ni et egal ` a A0BO ; 3. en consid erant le gain en boucle ouverte variable ; mettre en evidence le gain statique du montage G0IN V , sa pulsation de coupure wcIN V , et la valeur du produit G0IN V wcIN V .
Fig. 7.14 Le montage inverseur.
7.5.3
Le montage inverseur sommateur
On consid` ere limp edance des entr ees de lamplicateur op erationnel . Ce montage est une extension du montage pr ec edent : il sut de faire = 0 pour retrouver le montage inverseur.
Fig. 7.15 Le sommateur inverseur.
7.5.4
Le montage d erivateur inverseur
On consid` ere limp edance des entr ees de lamplicateur op erationnel . Mettre en equation en supposant le gain en boucle ouverte inni. 98
99
Fig. 7.16 Le d erivateur inverseur. 7.5.4.1 Le probl` eme particulier du montage d erivateur Malheureusement, dans la r ealit e, le signal vE (t) est toujours bruit e, cest ` a dire quun signal al eatoire lui est superpos e:
vE = Signal + Bruit Le bruit a une amplitude plus faible que le signal, mais une pulsation plus importante : le montage d erivateur lamplie. Nous pouvons avoir une id ee de ce ph enom` ene en supposant signal et bruit sinuso daux : vE = Asignal sin(wsignal t) + Abruit sin(wbruit t) avec : Asignal > Abruit et wsignal < wbruit ; La d eriv ee de vE par rapport au temps : dvE = Asignal wsignal cos(wsignal t) + Abruit wbruit cos(wbruit t) dt Le montage d erivateur augmente limportance relative du bruit. Cest pourquoi il est tr` es peu utilis e.
7.5.5
7.5.5.1
Le montage int egrateur

Mise en equation de lint egrateur pur
On consid` ere limp edance des entr ees de lamplicateur op erationnel .
Fig. 7.17 Montage int egrateur.
7.5.5.2
Le probl` eme particulier du montage int egrateur pur
Lexpression de la sortie vS montre que si le signal vE pr esente une composante continue, la sortie vS ira inexorablement en saturation. En pratique, m eme si vE = 0, il y aura saturation : en continu, 99
100
7.6. D efauts des amplicateurs op erationnels
limp edance de la capacit e C est innie, lamplicateur op erationnel est donc virtuellement en boucle ouverte. Cest pourquoi le montage int egrateur pur nest jamais utilis e seul. Ce nest quint egr e dans un montage plus complet quil est en pratique utilisable.
7.5.6
Lamplicateur di erentiel
Fig. 7.18 Amplicateur di erentiel. En supposant lamplicateur id eal, montrer que la tension de sortie peut sexprimer de la fa con suivante : vs = Gmc o` u: Gmc est le gain en mode commun ; Gmd est le gain en mode di erentiel. Lamplicateur di erentiel est dit equilibr e si Gmc = 0. vE 1 + vE 2 + Gmd (vE 1 vE 2 ) 2
7.6
D efauts des amplicateurs op erationnels
Nous examinons ` a pr esent les principaux d efauts des amplicateurs op erationnels : la limitation du courant de sortie ; les courants de polarisation dentr ee ; la tension de d ecalage dentr ee ; la vitesse de balayage nie.
7.6.1
Limitation du courant de sortie
Le courant de sortie dun amplicateur op erationnel est limit e: limp edance de sortie augmente avec la valeur du courant de sortie ; un courant trop important peut d etruire le composant, par echauement local excessif. Pour les amplicateurs usuels, le courant de sortie doit etre, en valeur absolue, inf erieur ` a 5mA. Lexistence dune telle valeur est importante : elle xe les valeurs minima des imp edances du montage. 100
101
7.6.2
Courants de polarisation dentr ee
L etage dentr ee dun amplicateur op erationnel est un amplicateur di erentiel ; lorsque ce dernier est r ealis e avec des transistors bipolaires, appara ssent dans les entr ees inverseuse et non inverseuse des courants appel es courants de polarisation dentr ee. En premi` ere approximation : les courants de polarisation dentr ee sont constants ; le courant de polarisation de lentr ee inverseuse est egale au courant de polarisation de lentr ee non inverseuse. En deuxi` eme approximation : les courants de polarisation dentr ee sont constants ; le courant de polarisation de lentr ee inverseuse et le courant de polarisation de lentr ee non inverseuse sont di erents ; cette di erence sappelle courant de d ecalage dentr ee. 7.6.2.1 Mod elisation des courants de polarisation constants
Pour un amplicateur op erationnel de gain inni, la mod elisation est la suivante : Eq1. i+ = Ip+ ; Eq2. i = Ip ; Eq3. v+ = v .
7.6.2.2
Eet des courants de polarisation sur le montage inverseur Quelle est lexpression de vs ? Remarquer quun gain inni en boucle ouverte ne supprime pas de d efaut. Pour limiter linuence des courants de polarisation : il faut choisir des imp edances pas trop importantes pour les composants du montage. Pour des amplicateurs de bas de gamme cette limite sup erieure est aux alentours de 100k ; Compenser ces d efauts.
7.6.2.3
Compensation des courants de polarisation dentr ee dans le montage inverseur
Quelle valeur donner ` a R3 pour annuler le terme ind esirable ?
101
102
7.6. D efauts des amplicateurs op erationnels
7.6.3
Tension de d ecalage dentr ee

Si on r ealise lexp erience ci-dessus, quelle est la tension vs que lon observe ? En supposant lamplicateur id eal, on ne peut pas r epondre. Avec toutes les autres mod elisations, on obtient : vs = 0.
En r ealit e, pour un amplicateur op erationnel r eel, la valeur observ ee nest pas nulle ; il se peut m eme que lamplicateur op erationnel soit satur e. Lorigine de ce d efaut est lexistence dune tension de d ecalage dentr ee non nulle. Mod elisation de la tension de d ecalage dentr ee : Pour un amplicateur de bas de gamme, |EdE | < 5mV. L equation de la sortie est la suivante : Eq1. si le gain en boucle ouverte est inni : v+ v EdE = 0 ; Eq2. si il est ni : vs = A0BO (v+ v EdE ).
7.6.4
D efauts pr ec edents cumul es
Nous consid erons un amplicateur op erationnel id eal pr esentant les deux d efauts : Pr esence de courants de polarisation dentr ee constants ; Pr esence dune tension de d ecalage dentr ee. La mod elisation dun tel amplicateur op erationnel est la suivante : Eq1. i+ = Ip+ ; Eq2. i = Ip ; Eq3. v+ v EDE = 0 .
7.6.4.1
Eet des d efauts cumul es sur le montage inverseur
Le montage est d ej` a compens e pour des courants de d ecalage dentr ee constants et egaux. Quelle est lexpression de vs ?
102
7. Les amplicateurs op erationnels : AOP 7.6.4.2 Compensation Quelle est lexpression de vs ? Pour quelle valeur de le montage est-il compens e? Quelle est la condition sur Rg pour que cette compensation puisse etre r ealis ee ?
103
7.6.5
Vitesse nie de balayage de la sortie
La vitesse de balayage de la sortie est la vitesse de mont ee ou de descente de la sortie de lamplicateur op erationnel. Celle-ci est nie, et sexprime en V /s. Nous allons mettre en evidence ce d efaut en prenant lexemple du montage non inverseur (7.4.1).
Si on impose un echelon damplitude E ` a lentr ee, quelle est lexpression de vs ?
La pente ` a lorigine est G0N I wcN I E . Suivant ce r esultat, une pente quelconque peut etre atteinte : il sut de choisir E en cons equence. Dans la r ealit e ceci est faux : la pente maximum est une caract eristique dun amplicateur op erationnel r eel.
7.7
7.7.1
Lampli op erationnel en r egime satur e

Caract erisation du r egime satur e
Un amplicateur op erationnel est dit satur e si : vs = +Vsat ou vs = Vsat
7.7.2
Mod elisation de lentr ee dun amplicateur op erationnel
Les mod elisations possibles comprennent celles d ecrites au 7.3.2, page 90 ; quelque soit le choix, on obtient toujours deux equations, que lon soit en r egime satur e ou non satur e. G en eralement, on consid` ere les imp edances dentr ee innies.
7.7.3
Mod elisation de la sortie dun amplicateur op erationnel
Le comportement de la sortie dun amplicateur op erationnel est toujours r egi par une equation et une in equation, que lon soit en r egime satur e ou non satur e. 103
104
7.8. Exemples de fonctionnement en r egime satur e
Remarquons que si le montage est instable, le comportement en r egime non satur e est seulement transitoire. 7.7.3.1 Amplicateur dont le gain est inni en r egime non satur e Condition R egime Satur e R egime non satur e Equation vs = Vsat vs = Vsat v+ = v In equation v+ v < 0 v+ v > 0 |vs | < Vsat
Tab. 7.2 Amplicateur dont le gain est en r egime non satur e.
7.7.3.2
Amplicateur dont le gain est ni en r egime non satur e
Vsat En pratique, la valeur A est faible (< 0.1mV) : cest pourquoi la mod elisation simpli ee qui consiste 0BO a consid ` erer A0BO inni est souvent adopt ee.
Condition R egime Satur e R egime non satur e
Equation vs = Vsat vs = Vsat vs = A0BO (v+ v )
In equation v+ v < v+ v > |vs | <

Vsat A0BO Vsat A0BO Vsat A0BO
Tab. 7.3 Amplicateur dont le gain est ni en r egime non satur e.
7.8
7.8.1
Exemples de fonctionnement en r egime satur e

Le trigger de Schmitt
On consid` ere limp edance des entr ees de lamplicateur op erationnel , et que le gain en r egime non satur e est .
104
7. Les amplicateurs op erationnels : AOP Evolution de la sortie VS en fonction de la tension dentr e e VE :
105
7.8.2
Oscillateur ` a trigger de Schmitt
Montrer que la sortie de ce montage oscille ; Calculer la p eriode T en fonction de R, C et .
7.8.3
G en erateur de tension triangulaire
Etude : Ce montage est contitu e de deux montages el ementaires ; quels sont ils ? Quelles sont les tensions prises par la sortie y2 ? Etablir la condition sur R1 et R2 pour que cet oscillateur fonctionne ; Etablir lexpression litt erale des extrema des tensions y1 et y2 . Etablir lexpression litt erale de la p eriode (ou de la fr equence) doscillation. 105
106
7.8. Exemples de fonctionnement en r egime satur e
106
Chapitre 8
Les circuits int egr es num eriques

Ce chapitre na pas pour but d etudier la logique, mais de pr esenter les caract eristiques electriques des circuits int egr es de la s erie TTL standard et de la s erie CMOS CD4000.
8.1
R ealisation de fonctions logiques par des transistors bipolaires
Les portes logiques el ementaires peuvent etre r ealis ees gr ace ` a des transistors bipolaires ; ceux-ci doivent fonctionner en commutation. Niveaux logiques : Faux quand la tension (dentr ee, de sortie) est voisine de z ero ; Vrai quand la tension (dentr ee, de sortie) est voisine de la tension dalimentation ;
Fig. 8.2 Porte NON. Fig. 8.1 Porte NON-ET. Fig. 8.3 Porte NON-OU. Les montages 8.1, 8.2 et 8.3 am` enent (entre autres) les probl` emes suivants : Les entr ees ne se comportent pas toutes de la m eme fa con (par exemple les deux entr ees de la porte non-et) ; Si on veut combiner ces portes el ementaires, il faut calculer chaque composant de fa con que les niveaux logiques de la sortie dune porte soient adapt es aux niveaux logiques dentr ee des portes suivantes. Do` u lid ee de r ealiser des assemblages de transistors et de r esistances tels que : Quelle que soit la fonction logique r ealis ee, les entr ees ont toutes les m emes caract eristiques dimp edance et de niveau logique ; Quelle que soit la fonction logique r ealis ee, les sorties ont toutes les m emes caract eristiques dimp edance et de niveau logique ; Les entr ees et les sorties sont compatibles, cest ` a dire que lon peut connecter directement ` a une sortie plusieurs entr ees. 107
108
8.2. Les circuits int egr es num eriques
Il est evidemment int eressant dint egrer cet assemblage sur une m eme pastille : on obtient un circuit int egr e ; ainsi, les montages utilisant des composants discrets ne sont employ es que lorsquun circuit int egr e ne peut pas etre utilis e, cest ` a dire principalement quand le courant ou la tension commut es sont trop importants.
8.2
8.2.1
Les circuits int egr es num eriques

Degr e dint egration
Un circuit int egr e peut regrouper sur une m eme pastille jusqu` a six millions de composants ; le degr e dint egration a et e codi e de la fa con suivante : SSI (Small Scale Integration ) : jusqu` a 100 composants. Ce degr e dint egration permet de r ealiser toutes les fonctions bool eennes el ementaires (portes) et les bascules les plus simples (bascules RS, JK, D). MSI (Middle Scale Integration ) : de 100 ` a 1 000 composants. On trouve les fonctions logiques plus complexes (additionneurs, multiplicateurs, comparateurs, ou exclusif, codeurs, d ecodeurs, multiplexeurs, d emultiplexeurs ), et des circuits combinant logique et bascules (compteurs, registres a ` d ecalage, ). LSI (Large Scale Integration) : de 1 000 ` a 10 000 composants, ce qui permet de r ealiser des m emoires de faible capacit e (< 1kbit), les premiers microprocesseurs 8 bits (Z80 : 8000 transistors ), VLSI (Very Large Scale Integration ) : ` a partir de 10 000 composants : les processeurs 16, 32 et 64 bits (MC68000 : environ 68000 transistors ), les circuits m emoire, les circuits p eriph eriques qui entourent les processeurs,
8.2.2
Les principales technologies
Les principales technologies utilis ees ` a pr esent sont : La technologie TTL (Transistor-Transistor Logic) et ses d eriv ees (TTL LS, S, ) qui int` egrent les transistors bipolaires (NPN uniquement) et les r esistances. la technologie MOS (Metal Oxyde Semiconductor) et ses nombreux d eriv es (CMOS, NMOS, PMOS, ...) qui int` egrent les transistors ` a eet de champ et les r esistances. La technologie TTL, la plus ancienne (les premiers circuits int egr es TTL datent des ann ees 60) permettent de r ealiser des circuits int egr es comportant jusqu` a 10000 composants (LSI). Les circuits int egr es TTL ne n ecessitent quune seule tension dalimentation ` a 5V (5%) (10% pour certaines s eries) et leur consommation ne d epend pas de la fr equence des signaux (tout au moins jusqu` a 1 MHz) ; ils existent en plusieurs s eries : L (Low Power) et H (High Speed) aujourdhui disparues, S (Schottky) en voie de disparition au prot de AS (Advanced Schottky), LS (Low Power Schottky) et ALS (Avanced Low power Schottky). Les technologies MOS et d eriv ees, plus r ecentes que la TTL (les premiers circuits int egr es CMOS datent du d ebut des ann ees 70) pr esentent lavantage dune consommation beaucoup plus faible (quasiment nulle au repos), mais linconv enient dun temps de propagation plus grand. Les circuits int egr es CMOS (Complementary MOS) ne n ecessitent quune seule tension dalimentation pouvant varier entre 3V et 18V ; leur consommation augmente fortement avec la fr equence des signaux et avec la capacit e de la charge. Les circuits int egr es HCMOS (High speed CMOS) sortis ` a partir de 1983 ont des temps de propagations comparables avec les circuits int egr es TTL LS, avec la m eme consommation que les circuits int egr es CMOS ; 108
8. Les circuits int egr es num eriques
109
de plus, ils sont moins sensibles ` a la capacit e de la charge. Leur tension dalimentation peut varier entre 4V et 6V. ` titre de comparaison, consid A erons di erentes r ealisations dun circuit int egr e comportant quatre portes non-et : Technologie TTL Standard TTL L TTL H TTL LS TTL S TTL ALS TTL AS CMOS (repos) CMOS (` a 1kHz) CMOS (` a 1MHz) HCMOS (repos) HCMOS (1Mhz) R ef erence du circuit SN 7400 SN 74L00 SN 74H00 SN 74LS00 SN 74S00 SN 74ALS00 SN 74AS00 CD 4011 UB CD 4011 UB CD 4011 UB 74HC00 74HC00 Temps de propagation 10ns 30ns 4.5ns 9.5ns 3ns 4ns 2ns 60ns 60ns 60ns 8ns 8ns Consommation par porte 10mW 1.5mW 25mW 3mW 33mW 1mW 10mW 0 1.25 ?W 1.25mW 0 1.5mW Tension dalimentation 5V 5% 5V 5% 5V 5% 5V 5% 5V 5% 5V 5% 5V 5% 3V ` a 18V 3V ` a 18V 3V ` a 18V 4V ` a 6V 4V ` a 6V
Tab. 8.1 Circuits int egr es comprenant 4 portes non-et ` a 2 entr ees Une famille technologique repr esente l etat de lart ` a un instant donn e, et un choix dans le compromis rapidit e/consommation. Ainsi les familles TTL standard, TTL L et TTL H pratiquement sorties en m eme temps (m eme etat de lart) re` etent ces choix.
8.3
8.3.1
Les circuits int egr es logiques TTL

Caract eristiques g en erales
Les circuits int egr es TTL existent actuellement en deux familles (famille 54 et famille 74) et, dans chaque famille, en plus de 5 s eries, dont : S erie 54 et s erie 74 : s eries standard, S erie 54 LS et s erie 74 LS : s eries Low power Schottky, S erie 54S et 74 S : s eries Schottky, S erie 54 AS et 74 AS : s eries Advanced Schottky, S eries 54 ALS et 74 ALS : s eries Advanced Low power Schottky. Toutes ces s eries fonctionnent sous une seule tension dalimentation, de valeur nominale 5V. La tol erance sur cette tension est, suivant les s eries de 5% ou de 10%. Les familles 54 et 74 di` erent principalement sur la gamme des temp eratures de fonctionnement ` a lair libre : Famille 54 : -55 C ` a 125 C, Famille 74 : 0 C ` a 70 C. Dans chaque s erie, suivant les circuits, on distingue les di erents types dentr ee et de sortie suivants : 109
110 Di erents types dentr ee : Entr ee ordinaire, Entr ee trigger de Schmitt.
8.3. Les circuits int egr es logiques TTL Di erents types de sortie : Sortie deux etats dite totem pole, Sortie collecteur ouvert, Sortie 3 etats (non trait e dans ce cours).
Dans le reste de ce paragraphe, nous nous restreignons ` a l etude des circuits int egr es de la s erie 74 Standard.
8.3.2
Principe de fonctionnement de linverseur TTL
Etude du circuit 7404, qui comprend 6 inverseurs identiques. Remarquer les conventions de sens des courants dentr ee et de sortie : ils sont tous deux positifs quand le courant entre dans le circuit (voir gure 8.4) .
Fig. 8.4 Sch ema de principe dun inverseur TTL. La d esignation des courants et des tensions utilise un double indice : Le premier est I pour un courant ou une tension dentr ee, et O pour un courant ou une tension de sortie ; Le second d esigne une valeur particuliere du courant ou de la tension : H pour le niveau haut, et L pour le niveau bas. Par convention, dans la suite nous supposerons que GND = 0V. (a) Valeur logique z ero ` a lentr ee Lentr ee I est connect ee ` a la masse, ou tout au moins < 0.8 V (niveau logique 0 en TTL Standard). Le constructeur garantit que : courant dentr ee : -1.6 mA < iI < 0 (pour la TTL Standard). La diode D1 conduisant, le potentiel VB 1 est alors inf erieur ` a 1.4 V, en tout cas insusant pour polariser T2 et T3 qui sont bloqu es. Le blocage de T2 sature T4 . La tension vO est donc proche de 5V, cest ` a dire ` a un niveau logique 1. (b) Valeur logique un ` a lentr ee Lentr ee I est au niveau logique 1 en TTL Standard (vE > 2.0 V). Le constructeur garantit que : courant dentr ee : 0 < iI < 40 A (pour la TTL Standard). D1 est bloqu ee, T2 et T3 sont satur es. La saturation de T2 abaisse le potentiel de son collecteur, ce qui bloque T4 . La tension vO est donc proche de 0V, cest ` a dire ` a un niveau logique 0. 110
111
8.3.3
Caract eristique de transfert dun inverseur et niveaux logiques TTL
La caract eristique de transfert est le graphe de la tension de sortie vO en fonction de la tension dentr ee vI , gure 8.5. Les niveaux logiques sont les plages de tensions correspondant aux valeurs bool eennes 0 et 1.
Fig. 8.5 Caract eristique de transfert dun inverseur TTL. Entr ee ` a 0 : 0 < vI < VILmax avec VILmax = 0.8V ; Entr ee ` a 1 : VIHmin < vI < Vcc avec VIHmin = 2.0V Sortie ` a 0 : 0 < vO < VOLmax avec VOLmax = 0.4V ; Sortie ` a 1 : VOHmin < vO < Vcc avec VOHmin = 2.4V Ces tensions caract erisant les niveaux logiques sont respect ees par pratiquement tous les circuits int egr es TTL standard. Remarquer que le comportement nest pas sp eci e par les constructeurs si le potentiel vI dune entr ee nest pas dans lune des deux plages de tension qui d enissent les niveaux logiques. Cependant, les constructeurs assurent le bon fonctionnement des circuits si les changements de niveaux dentr ee sont r ealis es assez rapidement (moins de 20ns pour la s erie TTL Standard) ; de plus, certains circuits ` a entr ee dite ` a trigger de Schmitt ont un comportement d eni quelque soit la tension de leurs entr ees (voir en 8.3.5).
8.3.4
Caract eristiques electriques des entr ees et des sorties TTL
Dans ce manuscrit, nous nous placerons toujours dans le cas le plus d efavorable. 8.3.4.1 Charge nominale dentr ee TTL
Lentrance dune entr ee TTL (fan-in) est le nombre de charges nominales dentr ees equivalent ` a cette entr ee. Par exemple, une entr ee ayant une entrance egale ` a 2 pr esente des courants dentr ee : Au niveau logique 0 : -3.2mA ; Au niveau logique 1 : 40A. 111
112 Niveau logique 0 1 Equation iIL = 1.6 mA iIH = 40 A
8.3. Les circuits int egr es logiques TTL In equation 0 VIL VILmax = 0.8 V VIHmin = 2V VIH Vcc Cas r eel -1.6mA iIL 0 0 iIH 40A
Tab. 8.2 Charge nomimale dentr ee TTL 8.3.4.2 Sortie TTL nominale Niveau logique 0 1 Equation vOL = 0.4V vOH = 2.4V In equation 0 iOL IOLmax = 16 mA iOHmax = 400A iOH 0 Cas r eel 0 vOL 0.4V 2.4V vOH Vcc
Tab. 8.3 Sortie TTL nominale. La sortance dune sortie TTL (fan-out) est le nombre de charges nominales dentr ees quelle peut conduire. Un simple calcul montre quune sortie TTL nominale pr esente une sortance egale ` a 10.
8.3.5
Entr ee ` a trigger de Schmitt
Contrairement ` a une entr ee ordinaire, une entr ee ` a trigger de Schmitt a un comportement parfaitement d eni quelque soit la valeur de son potentiel. Par exemple, la gure 8.6 pr esente la caract eristique du circuit 7414, compos e de six inverseurs dont lentr ee est un trigger de Schmitt :
Fig. 8.6 Porte 7414 : Entr ee ` a trigger de Schmitt. . Les caract eristiques electriques dune entr ee ` a trigger de Schmitt sont identiques ` a celles dune entr ee ordinaire. Principalement, une les entr ees ` a trigger de Schmitt sont utilis ees pour : Signaux bruit es ou variant lentement (par rapport au temps de commutation) ; Multivibrateurs. 112
113
8.3.6
Sortie collecteur ouvert

Une sortie est dite ` a collecteur ouvert quand son etage de sortie est constitu ee dun seul transistor dont l emetteur est ` a la masse et dont le collecteur est le signal de sortie. Cette sortie se distingue de la sortie Totem pole par labsence du transistor T4 . Ainsi, une sortie ` a collecteur ouvert ne peut quabsorber du courant, et en aucun cas ne peut en fournir.
Fig. 8.7 Sortie collecteur ouvert. Ceci am` ene les remarques suivantes :
Il faut quun montage ext erieur au circuit int egr e` a collecteur ouvert fournisse le courant qui sera absorb e par la sortie ; Pour certains circuits int egr es TTL, ainsi que pour dautres circuits tels que le comparateur LM393, le transistor de sortie supporte une tension collecteur- emetteur sup erieure ` a 5V : jusqu` a 15V pour le circuit 7416 (six inverseurs ` a sortie collecteur ouvert). 8.3.6.1 Caract eristiques dune sortie TTL ` a collecteur ouvert Etat ON OFF Equation vON = 0.4V iOFF = 2.4V In equation 0 iON IONmax = 40 mA 0 vOFF 15V Cas r eel 0 vON 0 iOFF
0.4V 250A
Tab. 8.4 Sortie TTL ` a collecteur ouvert (Exemple du 7416).
8.3.6.2
Quelques exemples dutilisation des sorties ` a collecteur ouvert
(a) Interface de puissance (par exemple relais)
Ce dispositif permet commander en tout ou rien une charge consommant jusqu` a 40mA sous 15V. Remarque : un relais est electriquement compos ee dune r esistance et dune inductance en s erie.
(b) Transmission de signaux logiques : Transmettre sur plusieurs m` etres ne peut pas etre r ealis e par une sortie ` a deux etats (Totem Pole) et une entr ee ordinaire : la liaison serait trop sensible aux parasites. Une solution classique est dassocier une sortie ` a collecteur ouvert avec une entr ee ` a trigger de Schmitt : on montre que cette association est moins sensible aux parasites que la pr ec edente ; on peut transmettre ainsi sur quelques m` etres jusqu` a 250 kHz. Le r ole de la r esistance R est le suivant : quand la sortie est ` a l etat OFF, la r esistance fournit un niveau logique 1 ` a lentr ee. 113
114
8.4. Les circuits int egr es logiques CMOS (famille CD 4xxx)
Fig. 8.8 Sortie collecteur ouvert/ entr ee trigger de Schmitt. Un probl` eme classique est celui du calcul de cette r esistance : en eet, elle doit etre susamment importante pour que la sortie ` a l etat ON puisse imposer un niveau logique 0, et susamment faible pour imposer un niveau logique 1 quand la sortie est ` a l etat OFF. Exercice : quelle condition doit v erier R pour que lentr ee soit au niveau haut ?
Fig. 8.9 Sortie ` a l etat OFF. Exercice : quelle condition doit v erier R pour que lentr ee soit au niveau bas ?
Fig. 8.10 Sortie ` a l etat ON.
8.4
Les circuits int egr es logiques CMOS (famille CD 4xxx)

La s erie CD 4xxx, objet de l etude ci-dessous ; La s erie 74 C xx, en voie de disparition ; La s erie 74 HC xx, caract eris ee par une tension dalimentation entre 2V et 6V, et les niveaux logiques CMOS de la s erie CD 4xxx ; La s erie 74 HCT xx, caract eris ee par une tension dalimentation de 5V 10%, et les niveaux logiques TTL. 114
Quatre s eries de circuits int egr es logiques CMOS existent :
115
8.4.1
Caract eristiques g en erales des circuits int egr es logiques CD4xxx
Les caract eristiques g en erales ont et e pr esent ees au 8.2 ; rappelons-les bri` evement : Tension dalimentation entre 3V et 18V ; Consommation proportionnelle ` a la fr equence des signaux, et ` a la capacit e de la charge ; Imp edance des entr ees tr` es importante : typiquement 1012 , mais capacit e non n egligeable : 5pF. Temps de propagation dune simple porte : 60ns, pour une charge non capacitive. Suivant les circuits, on peut rencontrer trois types di erents dentr ee : 1. Le plus courant, lentr ee dite ordinaire, 2. Entr ee analogique, 3. Entr ee trigger de Schmitt (non trait e dans ce cours). De la m eme fa con, on peut rencontrer trois types di erents de sortie : 1. Sortie deux etats dite Totem pole, 2. Sortie analogique, 3. Sortie 3 etats (non trait e dans ce cours).
8.4.2
8.4.2.1
Principe de fonctionnement de linverseur CMOS

Etude du circuit CD 40691
Pour simplier, nous avons repris les conventions d enies au 8.3.2 pour les circuits TTL pour les sens des courants dentr ee et de sortie : ils sont tous deux positifs quand le courant entre dans le circuit. La d esignation des courants et des tensions utilise un double indice : 1. Le premier est I pour un courant ou une tension dentr ee, et O pour un courant ou une tension de sortie ; 2. Le second d esigne un valeur particuliere du courant ou de la tension : H pour le niveau haut, et L pour le niveau bas. Dans la suite du cours, nous supposerons que VSS = 0 (En projet, vous avez VSS =-5V).
Fig. 8.11 Sch ema de principe dun inverseur CMOS.

1
Cest un circuit CMOS qui comprend 6 inverseurs identiques.
115
116
8.4. Les circuits int egr es logiques CMOS (famille CD 4xxx) (a) Valeur logique z ero ` a lentr ee Lentr ee I est connect ee ` a VSS , ou tout au moins ` a une tension susamment proche : cest un niveau logique 0. Si le circuit est correctement aliment e, T1 est alors satur e et T2 bloqu e : la tension vO est donc proche de VDD , cest ` a dire ` a un niveau logique 1. (b) Valeur logique un ` a lentr ee Lentr ee I est connect ee ` a VDD , ou tout au moins ` a une tension susamment proche : cest un niveau logique 1. Si le circuit est correctement aliment e, T2 est alors satur e et T1 bloqu e : la tension vO est donc proche de VSS , cest ` a dire ` a un niveau logique 0.
8.4.3
Caract eristique de transfert dun inverseur et niveaux logiques CMOS
La caract eristique de transfert est le graphe de la tension de sortie vO en fonction de la tension dentr ee vI . Les niveaux logiques sont les plages de tensions correspondant aux valeurs bool eennes 0 et 1. Les circuits logiques CMOS de la famille CD 4xxx doivent etre aliment es sous une tension VDD VSS comprise entre 3V et 18V. La caract eristique de transfert d epend de la valeur de VDD VSS : Pour VDD VSS <4V, cest une courbe avec hyst eresis (que nous n etudions pas dans ce cours) ; Pour VDD VSS >4V, cest une courbe analogue ` a celle pr esent ee ci-dessous.
Fig. 8.12 Caract eristique de transfert dun inverseur CMOS. En fait, les constructeurs garantissent des caract eristiques pour VDD VSS compris entre 4.5V et 18V. Ces caract eristiques sont de plusieurs natures.
116
8. Les circuits int egr es num eriques 8.4.3.1 Niveaux logiques des entr ees CMOS (pour VDD VSS La tension dune entr ee peut v erier deux types de condition : C1. Une condition forte : Niveau logique 0 1 Condition VSS vIL VSS + 1V + 0.1(VDD VSS ) VSS 1V + 0.9(VDD VSS ) vIH VDD 4.5V)
117
Tab. 8.5 Niveaux logiques CMOS, condition forte C2. Une condition faible : Niveau logique 0 1 Condition VSS vIL VSS + 0.45(VDD VSS ) VSS + 0.55(VDD VSS ) vIH VDD
Tab. 8.6 Niveaux logiques CMOS, condition faible Pour une tension dentr ee en dehors de ces intervalles, les constructeurs ne garantissent rien : cependant, ils assurent le bon fonctionnement des circuits si les changements de niveaux dentr ee sont r ealis es assez rapidement (moins de 60ns). 8.4.3.2 Niveaux logiques des sorties CMOS (pour VDD VSS 4.5V)
Les constructeurs garantissent deux types de condition, suivant que les entr ees v erient les conditions forte ou faible : C1. Les entr ees v erient la condition forte : Niveau logique 0 1 Condition VSS vOL VSS + 0.1(VDD VSS ) VSS + 0.9(VDD VSS ) vOH VDD
Tab. 8.7 Tension de sortie CMOS, condition forte C2. Les entr ees v erient la condition faible : Niveau logique 0 1 Condition VSS vOL VSS + 0.45(VDD VSS ) VSS + 0.55(VDD VSS ) vOH VDD
Tab. 8.8 Tension de sortie CMOS, condition faible
8.4.3.3
Courants maxima de sortie
Quand une sortie est au niveau logique 1, elle fournit un courant : iOH est donc n egatif ; quand une sortie est au niveau logique 0, elle absorbe un courant : iOL est donc positif. Les valeurs maxima d ependent : De la tension dalimentation VDD ; 117
118
8.4. Les circuits int egr es logiques CMOS (famille CD 4xxx) De la tension des entr ees, ` a lint erieur dun niveau logique ; De la temp erature du circuit.
Les constructeurs ne fournissent pas dexpression analytique exprimant ces courants en fonction des param` etres ci-dessus ; au contraire, des tableaux indiquent des valeurs particuli` eres de ces courants, et des courbes pr ecisent leurs valeurs minima et typique. Une r` egle classique consiste ` a v erier que le courant de sortie reste dans les intervalles suivants : VDD VSS 5V 10V 15V Sortie ` a 0 iOL 0 iOL 0 iOL 0 1mA 2.5mA 6.5mA Sortie ` a -1mA -2.5mA -6.5mA 1 iOH 0 iOH 0 iOH 0
Tab. 8.9 Intervalle des valeurs du courant de sortie d ?un circuit CD4xxx
118
Chapitre 9
R egulateurs de tension int egr es

9.1 Introduction
` partir du secteur alternatif, comment obtenir une source de tension continue de tr` A es faible r esistance interne, qui d elivre une tension constante ? Le redressement du secteur alternatif monophas e, m eme ltr e par des capacit es de forte valeur, fournit une tension dont le taux dondulation est trop important : il faut adjoindre un etage qui r egule la tension. Deux techniques largement r epandues permettent dobtenir une tension r egul ee : Utilisation dun circuit int egr e r egulateur de tension (pour un courant jusqu` a 10A environ) ; R ealisation dune alimentation ` a d ecoupage (pour un courant sup erieur ` a 1A). Dans ce chapitre, nous nous limitons ` a l etude des circuits int egr es r egulateurs de tension xe.
9.2
R egulateurs 78xx et 79xx

S erie 78xx pour les tensions positives ; S erie 79xx pour les tensions n egatives.
Les r egulateurs de tension xe se divisent en deux s eries :
xx d esignant la valeur de la tension r egul ee : ainsi par exemple le 7805 est un r egulateur 05V (voir caract eristiques ` a partir de la page 165), et le 7912 un r egulateur de tension -12V. Il existe de nombreux mod` eles r egulant une tension de sortie entre 5V et 24V, et pouvant d elivrer un courant jusqu` a 1.5A. Tous ces r egulateurs comportent notamment : Un limiteur du courant de sortie (protection contre les court-circuits), Un disjoncteur thermique (protection contre une temp erature excessive). Lutilisation de ces circuits est extr emement simple : en eet, ils ne comportent que trois broches : Entr ee non r egul ee (ENR), Sortie r egul ee (SR) et Masse (M). esente les courants et tensions r eels dans des r egulateurs de tension xe positive ou La gure 9.1 repr n egative. IE est le courant dentr ee du r egulateur, IS le courant de sortie, et IM le courant ` a travers la broche de masse, appel e courant de maintien ; cest une valeur qui reste de lordre de quelques mA pour tous les 119
120
9.2. R egulateurs 78xx et 79xx
Fig. 9.1 Courants et tensions dans un r egulateur de tension xe. mod` eles, quelque soient la tension dentr ee et le courant de sortie. Pour les deux types de r egulateurs, on a: IE = IM + IS Remarquons que pour les r egulateurs de tension n egative 79xx, le courant de sortie IS rentre dans le r egulateur, tandis que le courant dentr ee IE sort du r egulateur. VE est la tension dentr ee du r egulateur : pour que celui-ci fonctionne correctement, il faut que cette tension soit au minimum 2V ` a 3V sup erieure ` a la tension nominale de sortie. Par exemple, pour le r egulateur 7805, la tension dentr ee minimum est egale ` a 7V. De plus, la tension dentr ee ne doit pas d epasser une valeur de lordre de 25V (destruction du r egulateur). VS est la tension de sortie du r egulateur : les fabricants la garantissent ` a 5% de la tension nominale pour une certaine plage de la tension dentr ee et du courant de sortie. La r esistance de sortie du r egulateur est de lordre de 0.02. Un montage classique ` a base de r egulateurs de tension xe est le suivant :
Fig. 9.2 Alimentations continues r egul ees ` a base de r egulateurs de tension xe. On distingue les composants suivants : Les deux ponts redresseurs P1 et P2, chacun etant aliment e par le secondaire dun transformateur monophas e; Les condensateurs de ltrage basse fr equence C1 et C4 : ce sont des condensateurs de forte valeur (de 1000F ` a plus de 22000F), qui ltrent les tensions redress ees ; Les condensateurs de ltrage haute fr equence C2, C3, C5 et C6 : ces condensateurs doivent pr esenter une faible imp edance ` a haute fr equence : on choisira des condensateurs au tantale ou au mylar, dont les valeurs sont sup erieures ou egales ` a 0.33F pour C2 et C5 et ` a 1F pour C3 ou C6. 120
9. R egulateurs de tension int egr es
121
9.2.1
Puissance dissip ee par un r egulateur 78xx

P = V E I E V S IS
Cette puissance P est egale ` a: Cette expression peut etre ecrite sous la forme : P = VE (IM + IS ) VS IS = VE IM + (VE VS )IS En pratique, VE IM est le plus souvent n egligeable devant (VE VS )IS .
9.3
Mod elisation dun r egulateur de tension xe (78xx)

Tension dentr ee sup erieure ` a la tension dentr ee minimum Tension dentr ee inf erieure ` a la tension dentr ee maximum Courant de sortie inf erieur ` a sa valeur maximum Courant de sortie positif ou nul Puissance dissip ee inf erieure ` a la puissance maximum VE > VEmin VE > VEmax IS > ISmax IS 0 P < Pmax
Domaine de validit e:
Fig. 9.3 Sch ema equivalent dun r egulateur de tension positive 78xx. Le r egulateur de tension positive est consid er e comme un quadrip ole : son fonctionnement est caract eris e par deux relations faisant intervenir les courants IE et IS ` a travers lentr ee et la sortie, et les tensions ` a lentr ee et ` a la sortie VE et VS : I E = IS + IM VS = VS0 Rint IS o` u IM , VS0 et Rint sont des param` etres caract eristiques ` a un r egulateur ; en premi` ere approximation, ils peuvent etre consid er es constants. Par exemple, ils valent pour le r egulateur 7805 : IM = 5mA, VS0 = 5V, et Rint = 0.02. Les valeurs qui d elimlitent le domaine de validit e des equations pr ec edentes valent, pour le r egulateur 7805 : VEmin = 7V, VEmax = 25V, Ismax = 1.5A, Pmax suivant le bo tier et les conditions dutilisation.
9.4
Montage pour courants importants
Nous allons maintenant pr esenter un montage, gure 9.4, admettant un courant de sortie plus important, gr ace ` a lutilisation dun transistor de puissance, capable d etre travers e par plus de 1.5A, et pouvant dissiper une forte puissance. Ce montage nest pas prot eg e contre les court-circuits. L etude de ce montage est lobjet de lexercice A.6.1 : r egulateur int egr e de tension 7805, page 132.
121
122
9.4. Montage pour courants importants
Fig. 9.4 Montage pour courant fort, sans protection contre les court-circuits.
122
Annexe A
Exercices
A.1
A.1.1
Exercices sur les chapitres 2 & 3

Transformation de Laplace
[1] Mettre en equation le circuit et exprimer V (s) (transform ee de Laplace de v (t)) en fonction de U (s) (transform ee de Laplace de u(t)) et de v (0) (valeur de v (t) ` a t=0).
[2] Donner lexpression de v (t) dans les cas suivants : (a) u(t) = E et v (0) = 0 ; (b) u(t) = E et v (0) = E ; (c) u(t) = 0 et v (0) = E ; (d) u(t) = Ecos(t) et v (0) = 0 ; dans ce dernier cas, donner lamplitude du r egime permanent de v (t), ainsi que sa phase par rapport ` a u(t) ; retrouver ces r esultats en utilisant la notation complexe.
A.1.2
Quadrip ole
les relations de comportement du quadrip ole. [1] Ecrire [2] D eduire de ces deux relations : (a) la r esistance dentr ee, la sortie etant en court-circuit ;
(b) la r esistance dentr ee, la sortie etant ouverte ; (c) la r esistance de sortie, lentr ee etant en court-circuit ; (d) la r esistance de sortie, lentr ee etant ouverte . (e) le gain en courant, la sortie etant en court-circuit ; (f ) le gain en tension, la sortie etant ouverte ; [3] Sur la sortie est branch e un dip ole constitu e dune r esistance R3 . (a) Que devient le syst` eme d equations ? (a) En d eduire la r esistance dentr ee du montage, son gain en tension, et son gain en courant. 123
124
A.1. Exercices sur les chapitres 2 & 3
A.1.3
Nullateurs et Norateurs
[1] Soit le quadrip ole suivant :
(a) Ecrire les deux equations qui le caract erisent ; (b) Quelle est son imp edance de sortie ? (c) Quelle est son imp edance dentr ee ? [2] Le quadrip ole est compl et e de la fa con suivante :
(a) Ecrire les deux equations qui le caract erisent ; (b) Quelle est son imp edance de sortie ? (c) Quelle est son imp edance dentr ee ? [3] Consid erons ce nouveau quadrip ole :
(a) Ecrire les deux equations qui le caract erisent ; (b) Quelle est son imp edance de sortie ? (c) Quelle est son imp edance dentr ee ?
A.1.4
R egulateur de tension int egr e
On consid` ere le circuit int egr e TL431 dont le sch ema equivalent est le suivant : Une utilisation classique
de ce circuit int egr e (encore appel e Zener ajustable) est la conception de r egulateur de tension de faible puissance. Le constructeur pr ecise les contraintes suivantes : Vref IImin vI iI VImax IImax . 124
A. Exercices
125
avec : Vref = 2.5V, VImax = 36V, IImin = 1mA et IImax = 100mA. De plus, la puissance dissip ee ne doit pas exc eder Pmax = 0.4W. [1] Quelles sont les equations ind ependantes qui caract erisent ce quadrip ole ? [2] On consid` ere le quadrip ole suivant :
(a) Bilan des inconnues et mise en equation. (b) Quelles sont les equations ind ependantes (entre vE , iE , vS et iS ) qui caract erisent ce quadrip ole ? (c) Quelle est sa r esistance de sortie ? (d) En prenant uniquement en compte les contraintes sur vI , quel est lintervalle des valeurs permises pour ? (e) Quel est lintervalle des valeurs permises pour iI ? On pourra introduire IIM = inf Pmax , IImax . (1 + )Vref
(f ) Exprimer iS en fonction de vE , RE , , Vref , R et iI . (g) Le circuit est aliment e par un g en erateur fournissant une tension vE variant entre VEmin et VEmax (avec Vref < VEmin < VEmax ). Quel est lintervalle des valeurs de iS qui peut etre assur e pour une telle tension VE ? (h) Calculer la valeur de et les valeurs num eriques de cet intervalle pour VEmin = 8V, VEmax = 12V, RE = 100, R = 27k et vS = 3.75V. (i) Idem, avec vS = 5V.
A.2
A.2.1
Exercices sur le chapitre 5

Diode lin earis ee
[1] Faire le bilan des inconnues et des equations. [2] Ecrire les equations. ` quelle condition la diode est-elle bloqu [3] A ee ? ` [4] A quelle condition la diode est-elle passante ? [5] Transformer le montage de fa con ` a faire appara tre un g en erateur de tension. [6] Retrouver les conditions des questions 3 et 4. 125
126
A.3. Exercices sur le chapitre 6
A.2.2
Diode Zener
Emin < E < Emax , avec Emin = 15V et Emax = 18V ; RLmin < RL < RLmax , avec RLmin = 400 et RLmax = . La diode Zener est caract eris ee par VZ 0 = 6.1V et RZ 0 = 4. [1] Comment choisir R pour que lon ait toujours VL VZ 0 ? [2] Pour cette question et les suivantes, on choisit R = 560. Quelle est la tension maximum VLmax , dans le pire des cas ? [3] Quelle est, dans le pire des cas, la puissance dissip ee dans la r esistance R ? [4] Quelle est, dans le pire des cas, la puissance dissip ee dans la diode Zener ?
A.3
A.3.1

Montage Emetteur Commun
[1] Mettre en equation le montage, sans hypoth` ese sur l etat du transistor ; [2] Pour quelles valeurs de EBB le transistor est-il bloqu e? [3] Pour quelles valeurs de EBB le transistor est-il actif ? [4] Pour quelles valeurs de EBB le transistor est-il satur e?
A.3.2
Montage Collecteur Commun

La tension E est constante et vaut 10V ; le transistor T est caract eris e par VBE 0 = 0.7V, = 199 et rBE = 0. Les deux r esistances RP et (1 )RP forment un potentiom` etre : est un param` etre pouvant varier entre 0 et 1 et RP = 1k . On note IB la valeur du courant dans la base du transistor, et U la tension aux bornes de RL .
[1] Diviser le montage en un dip ole dentr ee comprenant le potentiom` etre et en un dip ole de sortie comprenant la r esistance RL et le transistor T. [2] Mettre en equation le dip ole dentr ee en utilisant le th eor` eme de Th evenin ou de Norton. [3] Mettre en equation le dip ole de sortie : bilan des inconnues, des equations, et ecrire le syst` eme d equations. [4] 126
A. Exercices (a) Quelle est la condition sur pour que le transistor T soit bloqu e? (b) Montrer que le transistor T ne peut pas etre satur e.
127
` partir de cette question, et dans les suivantes, on consid` ere que a une valeur telle que le transistor [5] A T soit actif. (a) Dans le dip ole de sortie, exprimer toutes les inconnues en fonction de IB . (b) Mettre le dip ole de sortie sous la forme dun g en erateur de tension. (c) R esoudre le syst` eme complet. [6] On assimile la puissance dissip ee dans le transistor ` a lexpression VCE IC . Pour quelle valeur de la puissance dissip ee dans le transistor est-elle maximum ? On proc edera de la fa con suivante : (a) Calculer la valeur litt erale de la puissance P dissip ee dans le transistor T en fonction de , RL , E et de IB . (b) Pour quelle valeur IBM de IB la puissance est-elle maximum ? (c) En d eduire l equation en dont la solution M rend P maximum. (d) Quelle est lexpression de cette puissance maximum PM et du courant de collecteur ICM correspondant ? (e) Application num erique : valeurs de IBM , , PM , ICM pour RL = 50. [7] (a) Que deviennent les expressions de ICM et de PM si on consid` ere 1? (b) Que devient l equation de la question 6-c si on consid` ere que RP est n egligeable devant ( + 1)RL ? Donner dans ce cas lexpression de la solution M . (c) Conclusion : quelle est linuence du gain du transistor dans le montage collecteur commun ?
A.3.3
Etude dun g en erateur de courant constant
[1] D ecomposer le montage en deux dip oles, lun comprenant la diode Zener Z et la r esistance R. [2] On etudie tout dabord le sous-ensemble constitu e de la diode Zener Z et de la r esistance R. (a) Bilan des inconnues et mise en equation. (b) Quelle condition doit v erier VB pour que la diode Zener soit passante ? (c) Exprimer dans ce cas la relation litt erale liant VB et IB . [3] On consid` ere maintenant le deuxi` eme sous-ensemble (transistor T, r esistances RB et RL ). (a) Bilan des inconnues et mise en equation. (b) Quelle condition doit v erier VB pour que le transistor soit actif ? (c) Exprimer dans ce cas la relation litt erale liant VB et IB . [4] On r eunit les deux sous-ensembles. (a) R esoudre en VB . (b) Application num erique ; quelle est la condition sur RL pour T soit actif ? 127
128
A.3.4
Amplicateur push-pull
On etudie le montage suivant :
On suppose que les diodes D1 et D2 sont identiques, et lin earis ees : Tension de seuil V0 ; R esistance dynamique : r. On suppose que les transistors T1 et T2 pr esentent un gain courant inni, et quils poss` edent les m emes grandeurs caract eristiques que les diodes : VBE 01 = VEB 02 = V0 ; rBE1 = rEB2 = r. Dans tous le probl` eme, on supposera que les transistors sont actifs, et les diodes passantes. [1] (a) Faire le bilan des inconnues. (b) Ecrire les equations. (c) Simplier le syst` eme obtenu en eliminant les courants d emetteur de T1 et de T2 et les tensions base- emetteur de T1 et de T2 . (d) Exprimer le courant de collecteur de T1 et le courant de collecteur de T2 en fonction de i et de iS . [2] (a) Exprimer v en fonction de i. (b) Quelle est limp edance dentr ee du montage ? (c) Exprimer vS en fonction de iS et de i. (d) D eduire des r esultats pr ec edents deux equations caract eristiques du quadrip ole. [3] Lamplicateur est dit equilibr e si vS = 0 pour i = 0 et iS = 0. (a) Quelle est la condition d equilibrage ? (b) Que deviennent alors les equations caract eristiques ? [4] En supposant lamplicateur equilibr e: (a) Etablir les in equations sur i et i qui garantissent que les diodes sont passantes et les transistors actifs. (b) On veut garantir que iS puisse parcourir lintervalle [IM , IM ] o` u IM est une constante strictement positive. Quelles sont les conditions sur i ? 128
A. Exercices [5] Application num erique : RB = 10k , VCC = 15V, V0 = 0.7V et r = 10. [4] En supposant lamplicateur equilibr e: (a) Calculer I0 pour que lamplicateur soit equilibr e. (b) IM = 1mA. Quel est lintervalle de variation permis pour i ?
129
A.4
A.4.1

Montage suiveur avec transistor (Voir Chapitre 7, gure 7.12
Amplicateur op erationnel : Ze = , A0BO = 104 , RS =100, V sat = 12V ; Transistor T : VBE 0 =0.7V, = 50 et rBE = 0 ; E = 15V. [1] Faire le bilan des inconnues et ecrire le syst` eme d equations. [2] (a) Pour quelles valeurs de VE le transistor est-il bloqu e? (b) Montrer que le transistor nest jamais satur e. [3] En supposant que VE est tel que le transistor T nest pas bloqu e: (a) Exprimer VS en fonction de VE , sous la forme V S = Gv (RL )VE + V0 . (b) Quelle est la condition sur RL pour que Gv (RL) 0.99 ? A.N. (c) Quelle est linuence des param` etres de lamplicateur op erationnel et des param` etres du transistor sur la relation entre VE et VS ? Comment seraient modi ees les equations si on consid erait que rBE > 0?
A.4.2
Etude dun ltre
On consid` ere lamplicateur op erationnel id eal ; vE est un signal sinuso dal de pulsation . [1] Identier les deux quadrip oles composant le montage ci-dessus et donner le nom de chaque quadrip ole. [2] (a) En d euire les equations du montage. (b) Ecrire les equations du quadrip ole. (c) Expression du gain en tension complexe, et de la fr equence de coupure. [3] Une r esistance R3 est branch ee entre A et B. (a) En utilisant les r esultats de la premi` ere partie, en d eduire les equations du nouveau quadrip ole. (b) Ceci change-t-il le comportement de la sortie du montage ? (c) Calculer limp edance dentr ee Ze du montage. (d) Quelle relation entre R2 et R3 doit etre v eri ee pour que Ze puisse s ecrire sous la forme dune r esistance R et dune inductance L en s erie ? Exprimer alors R et L en fonction de R3 et de C. 129
130
A.4.3
Stabilit e dun montage
R1 = 3k , R2 = 7k et R = 10k . AOP pr esente des imp edances dentr ees innies, et un gain en tension d ependant de la dynamique des 5 signaux : A0BO = 10 , fcBO = 1Hz et Vsat = 10V. On a 0 < < 1.
[1] (a) Mettre en equation en utilisant la transform ee de Laplace. (b) Montrer que la transform ee de Laplace du gain en tension du montage G (s) peut s ecrire sous la forme : G (s) = 1 ABO (s ) o` u et sont des expressions adimentionnelles ne d ependant que de R1 et de R2 . (c) Etudier la stabilit e du montage en fonction de . Montrer que cette etude met en evidence une valeur critique c . (d) Montrer que lon peut exprimer G (s) en fonction de , , c , et 1BO = A0BO cBO . (e) vE = 0. D eterminer pour < c puis pour > c le r egime permanent de la sortie vS . (f ) On soumet ce montage ` a un echelon de tension vE = E ; Quelle est lallure de la r eponse en fonction de ? Applications num eriques : = 0.2 et E = 1V, puis = 0.5 et E = 3V. Dans le cas o` u vS se stabilise, calculer le temps de r eponse pour atteindre 90% de la valeur nale. Dans le cas o` u vS ne se stabilise pas , calculer le temps pendant lequel lamplicateur op erationnel nest pas satur e. [2] On consid` ere = 0.5. (a) Construire dans ce cas le diagramme de vS en fonction de vE . (b) On soumet au montage le signal suivant :
Construire le chronogramme de vS . 130
A. Exercices
131
Fig. A.1 CNA.
A.4.4
Convertisseurs Num eriques Analogiques
Dans cet exercice, lamplicateur op erationnel est consid er e comme id eal. [1] Soit le montage de la gure A.1 (a) Exprimer uS en fonction de Vref , k1 , k2 , k3 et k4 . (b) Inconv enients de ce montage ? [2] R eseau R-2R : (a) Montrer que les valeurs des courants i1 ` a i4 ne d ependent pas de la position des interrupteurs It1 ` a It4 . (b) Quelle est la r epartition des courants dans le r eseau suivant ? Quelle est la r esistance equivalente ?
(c) D eduire de la question pr ec edente la r epartition des courants dans le r eseau R-2R, ainsi que sa r esistance equivalente. Donner lexpression du courant
A.5
A.5.1

Interfaces TTL
[1] Prise en compte dun bouton poussoir. 131
132
Comment fonctionne ce dispositif ? Quelle est sa table de v erit e ? Comment choisir R ? Quel est le d efaut de ce montage ? Comment y rem edier ?
[2] On d esire alimenter un moteur ` a courant continu (charge inductive) consommant 0.2A sous 15V ` a partir dun signal TTL. Comme une sortie du 7404 est incapable de commuter cette tension et ce courant, un montage Darlington fonctionnant en bloqu e/satur e est intercal e entre la sortie du 7404 et le moteur :
D ecrire le fonctionnement de ce montage et placer la diode roue libre. Quelles doivent etre les caract eristiques de cette diode ? Sachant que les caract eristiques du transistor Darlington NPN sont VBE 0 = 1.4V et = 750, quelles sont les valeurs ` a adopter pour R ? [3] Pour pouvoir disposer dun courant de sortie plus important, on utilise un circuit dont la sortie est a collecteur ouvert : ` On n egligera le courant de fuite de la sortie collecteur ouvert ` a l etat OFF. D ecrire le fonctionnement de ce montage et placer la diode roue libre. Sachant que les caract eristiques du transistor Darlington PNP sont VBE 0 = 1.4V et = 750, et que le moteur absorbe 2A sous 15V, quelles sont les valeurs ` a adopter pour R ?
A.6
A.6.1

R egulateur int egr e de tension 78051
On consid` ere un r egulateur int egr e de tension de type 7805 dont les caract eristiques sont : VSO = 5V, Rint = 0.02 et IM = 5mA quand 7V < VE < 25V et 0 IS 1.5A. [1] Le r egulateur est aliment e sous VE = 10V et sa sortie est branch ee sur une charge qui absorbe un courant de 1A. (a) Quelle est la puissance dissip ee par le r egulateur ? (b) La temp erature de lair ambiant autour du r egulateur est de 25 C. Le r egulateur peut-il dissiper la puissance demand ee ?
1
M eme si cet exercice est d edi e au chapitre 8, il fait n eanmoins appel aux notions abord ees au 4.5, chapitre 4
132
A. Exercices
133
(c) Le r egulateur est maintenant x e sur un radiateur de r esistance thermique RCA (unit e : C/W), la r esistance thermique RCR entre le bo tier et le radiateur etant n eglig e. La temp erature TC du bo tier est alors : TC = TA + PRCA o` u: TA est la temp erature de lair ambiant ( C) ; P : Puissance dissip ee (W). On veut que la temp erature du bo tier soit inf erieure ` a 75 C (lair ambiant est toujours ` a 25 C). Quelle est la puissance maximum dissipable par le r egulateur ` a cette temp erature du bo tier ? Quelle doit etre la r esistance thermique du radiateur ? [2] On veut maintenant alimenter une charge qui consomme 3A sous 5V. Le r egulateur, dont la sortie est limit ee ` a 1.5A, ne peut pas remplir son r ole seul. On lui ajoint donc un transistor de puissance PNP comme indiqu e au chapitre 6, 6.7. Les caract eristiques de ce transistor sont VEB 0 = 0.7V et = 50.
Montrer que, sans la r esistance R (cest ` a dire une r esistance R innie), ce montage ne peut fonctionner ` a vide (IS = 0). [3] La r esistance R a maintenant une valeur de 10. (a) Jusqu` a quelle valeur de IR le transistor est-il bloqu e? (b) Dans lhypoth` ese o` u T est actif, exprimer VS et IR en fonction de IS . A.N : IS = 3A. (c) Quelle est, pour IS = 3A, la puissance dissip ee par le r egulateur ? Quelle est la temp erature de sa jonction (TA =25 C) ? Doit-on lui adjoindre un radiateur ? (c) Quelle est, pour IS = 3A, la puissance dissip ee par le transistor ? Quelle doit etre la r esistance thermique dun radiateur x e sur ce transistor pour que la temp erature de son bo tier ne d epasse pas 75 C ?
133
134
134
Annexe B
Projet d electronique : R egulation de vitesse dun MCC

B.1 Introduction
Ce projet consiste ` a concevoir et exp erimenter une r egulation de vitesse (Figure. B.2) pour un petit moteur ` a courant continu (Figure. B.1). La mise en uvre sera r ealis ee sur un r eseau ferroviaire miniature.
Fig. B.1 Mod` ele Fleishmann dune locomotive diesel. Il fait appel aux connaissances suivantes : Actionneurs electriques ; Electronique evidemment (EI2). Automatismes ; Signaux et Syst` emes (EI1).
Fig. B.2 Principe de base dune r egulation.
Ce nest pas un (long) TP : en TP, les montages et la valeur des composants vous sont impos es : dans ce projet, vous aurez ` a concevoir vos montages et ` a les calculer. La dur ee du projet est de 15H (4 s eances de 3 modules horaires). Il donnera lieu ` a la r edaction dun rapport manuscrit qui sera rendu ` a la n de votre derni` ere s eance.
B.2
Composants et connectique utilis es pour le projet
1 circuit int egr e 7808 (r egulateur int egr e de tension positive 8V) ; 135
136 1 1 1 1 1 1 1 1
B.2. Composants et connectique utilis es pour le projet circuit int egr e TL074 (quadruple amplicateur op erationnel) ; circuit int egr e LM393 (double comparateur) ; circuit int egr e CD4040 (compteur asynchrone 12 bits) ; circuit int egr e CD4066 (quadruple interrupteur analogique) ; circuit int egr e CD4082 (2 porte ET ` a 4 entr ees) ; transistor BD680 (Darlington PNP) ; diode de commutation BY252 ou BY255 ; circuit contenant deux r esistances et une diode Z ener 7,5V c abl ees comme suit :
Fig. B.3 Circuit ` a diode Zener. 1 1 1 8 1 1 1 1 1 2 1 r esistance de 1,78k ; r esistance de 4,75k ; r esistance de 5k ; r esistances de 10k ou (7 r esistances de 10k + 1 r esistance de 9,09k) ; r esistance de 20k ; r esistance de 40k ; r esistance de 82,5k ; r esistance de 121k ; r esistance de 162k ; r esistances de 475k ; potentiom` etre de 20k (avec une r esistance de 10k sur le curseur) :
Fig. B.4 Potentiom` etre. 2 condensateurs de 560pF ; 50 cordons bleus, 10 rouges, 10 verts et 10 noirs ; 20 cavaliers. Le circuit ferroviaire : Pour prot eger le moteur de la locomotive contre une eventuelle surtension, la voie est aliment ee ` a travers une r esistance de 22.
Fig. B.5 R eseau ferroviaire. En outre, vous disposez directement ` a partir de la table (gure B.6) dune tension n egative de (5V ). 136
B. Projet d electronique : R egulation de vitesse dun MCC
137
Fig. B.6 Les alimentations de la table.
B.3
Etapes de la r ealisation
NE PAS CABLER SOUS TENSION : VOUS POURRIEZ DETRUIRE LES COMPOSANTS PAR APPLICATION DUNE TENSION TEMPORAIRE INCORRECTE. Le circuit nal est complexe. Aussi vous est-il demand e de le concevoir etape par etape. Commencer par lire compl` etement le texte du projet pour avoir une vue densemble. ` la n de chaque s A eance, ne d ec ablez pas votre montage, rep erer soigneusement les connexions vers les alimentations et la locomotive. Laissez la locomotive sur la table. Pour chaque partie, faire un sch ema complet en indiquant le num ero des broches des circuits int egr es. Outre les pr eliminaires et la conclusion, le projet est constitu e de 9 etapes : 1. R ealisation des alimentations. 2. Signal horloge. 3. Compteur CD4040. 4. La rampe. 5. Lactionneur. 6. Les signaux MV et IC. 7. Inhibition de lalimentation du moteur. 8. Mesure de la vitesse. 9. R ealisation de lasservissement.
B.4
Pr eliminaire : Alimention ` a tension constante
Commencer par faire linventaire des composants et de la connectique de votre carton, de fa con ` a signaler de suite tout mat eriel manquant. Identiez votre carton en remplissant l etiquette auto-collante qui vous est fournie de la fa con suivante : Ann ee 2005- 2006 Groupe : .... Table : .... Vos Noms : ...... Alimenter le r eseau ferroviaire sous tension constante par le g en erateur Tektronix. Ne pas d epasser 18V : Vous risquez de d etruire le moteur de la locomotive Constater quune telle alimentation nassure pas une vitesse constante. Justiez votre r eponse a laide des ` equations du moteur ` a courant continu. Protez-en pour mesurer le courant moyen dans le moteur en mont ee et en descente. 137
138
B.5. Premi` ere etape : r ealisation de lalimentation +8V Mesurer aussi la r esistance de linduit, en alimentant le circuit par un ohmm` etre (tenir compte de la r esistance de 22 en s erie). La r esistance de linduit d epend-elle de la position du rotor, et de la position de la locomotive sur le r eseau ? En d eduire le courant maximum au d emarrage. Remarque : Dans la suite, dans chaque etape nous pr esentons le r esum e des caract eristiques du composant utilis e dans l etape en question.
B.5
Premi` ere etape : r ealisation de lalimentation +8V
Lid ee de base est dutiliser un r egulateur int egr e de la s erie A7800, en loccurrence un 7808, pour avoir en sortie +8V. Comme montr e sur la gure (B.7), le 7808 est mont e sur une plaquette comprenant deux condensateurs de ltrages.
Fig. B.7 Plaquette du 7808. ` partir des alimentations de la table et du r A egulateur de tension int egr e (le 7808), faire l etude th eorique (mettre en equation, v erier les in egalit es) dune source d elivrant une tension de +8V . Faire ensuite le montage et mesurer les tensions obtenues.
B.6
Deuxi` eme etape : R ealisation dun signal horloge
En vous basant sur le principe dun oscillateur de Schmitt ( 7.8.2, page 105), dont lAOP est suppos e etre aliment e sous tensions sym etriques, montrer que la p eriode du signal de sortie s ecrit sous la forme : 1+ T = 2RC ln 1 Concevoir un g en erateur de tension carr ee de p eriode environ 150s. Sa r ealisation nutilisera quun seul composant actif : un amplicateur op erationnel. Vous prendrez : R1 = (1 )R1 = 10k et C = 560pF .
Fig. B.8 G en eration dun signal horloge. En pratique, le montage va etre aliment e entre Vcc = 5V et Vcc+ = +8V . Le signal sera t-il toujours carr e ? Justier ? Calculer la tension de saturation de lamplicateur op erationnel (que vous prendrez parmi les quatre du TL074). Mettre en equations, c abler et v erier les caract eristiques du g en erateur. Relever alors la nouvelle allure de la sortie ainsi que la nouvelle valeur de la p eriode. 138
139
B.6.1
Caract eristiques du TL074 : quadruple AOP.

Vcc+ Vcc
Pour les caract eristiques compl` etes, voir page 157. Tension dalimentation : 5V Tension de Tension de Imp edance 30V ; ;
Vcc Vcc lentr ee non-inv. : Vsat + Vcc+ + v+ Vsat + Vcc+ + 2 2 Vcc Vcc lentr ee inv. : Vsat + Vcc+ + v Vsat + Vcc+ + ; 2 2 des entr ees : environ 1012 (entr ees de type JFET).
B.7
Troisi` eme etape : Compteur CD4040
Alimenter le compteur CD4040 (voir caract eristiques et brochage page 171) entre (VSS = 5V ) et (VDD = +8V ) et le c abler de fa con quil compte continuellement, lentr ee dhorloge etant le signal H (gure B.9).
Fig. B.9 Etude dun CD4040. V erier que les tensions dalimentations sont acceptables par les circuits CMOS de la famille CD4xxx et que les niveaux du signal H sont compatibles avec les niveaux logiques de lentr ee dhorloge. Calculer les conditions th eoriques sur les tensions des sorties, et mesurez-les. Les calculs des etapes suivantes utiliseront ces tensions mesur ees
B.8
Quatri` eme etape : La rampe
Consid erer les sorties O0 ` a O5 du CD4040. Elles forment un nombre n compris entre 0 et 63.
Fig. B.10 G en eration dune rampe. Imaginez un montage utilisant six r esistances de valeur R, 2R, 4R, 8R, 16R et 32R de fa con a obtenir une tension ` egale ` a: VSS + R ealiser le montage avec R=5k. 139 n (VDD VSS ) 63
140
B.9. Cinqui` eme etape : Actionneur Modier le montage en introduisant une r esistance de 10k de fa con ` a obtenir une tension RAMPE egale ` a 63 n VSS + (VDD VSS ) 79 79 Relever la tension RAMPE ainsi obtenue.
B.9
Cinqui` eme etape : Actionneur
Fig. B.11 Actionneur. Cet actionneur est un hacheur ; en fonction de la valeur de la tension continue d elivr ee par le montage potentiom etrique aliment e entre 5V et +8V : Quand le signal RAMPE est ` a un potentiel inf erieur ` a cette tension continue, alimenter le moteur sous une tension de 18V , prise sur la voie de droite du g en erateur TEKTRONIX ; Sinon, ne pas alimenter le moteur. Indications : sinspirer dun montage vu en TD ; interrupteur de puissance : transistor darlington PNP BD680 ; etudier le comparateur LM393 ; celui-ci sera aliment e entre 5V et +8V ; v erier que la tension d elivr ee par le montage potentiom etrique est compatible avec la gamme des tensions du comparateur ; larr et doit etre obtenu quand le potentiom` etre est en but ee dans le sens de rotation trigonom etrique ; Attention : le moteur est une charge inductive (Ne pas confondre la diode de commutation et la diode Zener : se tromper de diode peut d etruire le composant). Mettre en equation et v erier toutes les in egalit es. On prendra pour valeur maximale du courant moteur celle calcul ee au d emarrage dans l etape pr eliminaire. Fondamental pour comprendre les etapes suivantes : relever la forme de la tension aux bornes du moteur et la justier. Rappelez-vous que le but du projet est de r ealiser un asservissement de vitesse. Il est indispensable de disposer dun capteur de vitesse. O` u appara t limage de la vitesse sur le chronogramme pr ec edent ? Que se passe-til si le signal de commande est ` a sa valeur maximale ? 140
141
B.9.1
Caract eristiques du BD680 ou BD680A : transistor darlington PNP
Pour les caract eristiques compl` etes, voir page 155. Gain en courant : = 750 ; Courant de collecteur maximum : environ 4 A ; Ce Darlington etant ` a deux transistors : VEB 0 = 1, 4V (Voir page 214 pour le montage). Tension emetteur collecteur maximum : environ 80 V ;
B.9.2
Caract eristiques du LM393 : double comparateur
Pour les caract eristiques compl` etes, voir page 174. Tension dalimentation : 5V VCC GN D 30V ; Tension de lentr ee non-inverseuse : GN D vin+ VCC ; Tension de lentr ee inverseuse : GN D vin VCC ; Type de la sortie : collecteur ouvert (voir cours) ; Caract eristique de la sortie ` a l etat OFF : iout = 0 ; GN D Caract eristique de la sortie ` a l etat ON : Vout = GN D ; 0 Caract eristique de transfert : si vin+ > vin , la sortie est ` a l etat OFF ; si vin+ < vin , la sortie est ` a l etat ON ;
Vout 30V ; iout 20mA ;
B.10
Sixi` eme etape : les signaux MV et IC
De nouveau, consid erons les six sorties O0 ` a O5 du compteur CD4040, qui, rappelons-le, forment un nombre n compris entre 0 et 63.
Fig. B.12 R ealisation des signaux IC et MV. En utilisant le circuit CD4082 (voir caract eristiques et brochage page 174), aliment e entre 5V et +8V , engendrer les signaux logiques suivants : IC (Inhibition Commande), qui est au niveau logique 1 quand 60 n 63, et ` a z ero dans le cas contraire ; MV (Mesure Vitesse), qui est au niveau logique 1 quand n est egal ` a 63, et ` a z ero dans le cas contraire. Relever les chronogrammes de MV et IC ; les situer par rapport au signal RAMPE, et ` a la tension aux bornes du moteur. 141
142
B.11. Septi` eme etape : Inhibition de la commande du hacheur
B.11 Septi` eme etape : Inhibition de la commande du hacheur

` laide du deuxi` A eme comparateur du LM393 et sans aucun autre composant suppl ementaire, modier le montage de la cinqui` eme etape de fa con ` a ne pas alimenter le moteur quand le signal IC est au niveau logique 1.
Fig. B.13 Inhibition de la commande. Mettre en equation et v erier toutes les in egalit es.
B.12
Huiti` eme etape : Capteur de vitesse
` quels instants peut-on faire la mesure de vitesse, ou plus pr A ecisement, la mesure de limage electrique de la vitesse ?
Fig. B.14 Image de la vitesse electrique. La mesure de cette tension sera r ealis ee par un echantillonneur-bloqueur dont le principe est indiqu e sur la gure (B.15).
B.12.1
Etude de linterrupteur analogique CD4066 :
Etude th eorique : quel signal logique utiliser pour r ealiser l echantillonnage de la vitesse ? Le CD4066, dont vous nutiliserez quun quart, sera aliment e avec VSS = 5V et VDD = +8V ; vous prendrez R = 4, 2k et C = 560pF ; 142
143
Etude pratique : dans le sh ema de principe (gure. B.15), quelles sont les extrema de la tension Y ? Sont-ils acceptables par le CD 4066 ? Si cest non, comment peut-on y rem edier (en dautres termes, en utilisant quel composant) ? Compl eter alors le montage. Que se passe-t-il si on branche un oscilloscope (imp edance dentr ee : 1M) sur la sortie Z ? En supposant linductance de linduit n egligeable, d eterminer et tracer l evolution de la tension Z au cours du temps ; la situer en fonction de MV. Constater que ce montage dans l etat actuel ne permet pas de m emoriser ablement la vitesse. Le compl eter avec un amplicateur op erationnel (pas dautre composant) de fa con ` a supprimer linconv enient constat e.
Fig. B.15 Circuit echantillonneur-bloqueur.
B.12.2
Caract eristiques du CD4066B : quadruple interrupteur analogique
Pour les caract eristiques compl` etes, voir page 176. Chaque entr ee E0 , , E3 est une entr ee logique CMOS (voir cours) ; Les bornes Y0 , , Y3 , Z0 , , Z3 ne sont pas des entr ees ou des sorties logiques ; entre Yi et Zi existe une r esistance, dont la valeur d ependant du niveau logique de lentr e e Ei correspondante : Si Ei est au niveau logique 01 , le courant dans Yi et Z i est au maximum de 200nA (` a 25 C, pour une tension dalimentation de 15V) ; Si Ei est au niveau logique 12 , la r esistance entre Yi et Zi est typiquement 60 (` a 25 C, pour une tension dalimentation de 15V). Conditions sur les tensions Yi et Zi : VSS Yi VDD , VSS Zi VDD .
B.13 Neuvi` eme etape : R ealisation de lasservissement avec correcteur proportionnel

Le montage potentiom etrique d elivre maintenant la consigne de vitesse. Construire un amplicateur di erentiel avec un amplicateur op erationnel et quatre r esistances pr esentant un gain de mode commun Gmc nul, et un gain en mode di erentiel Gmd =47,5 (sinspirer du montage vu en cours). Utiliser lamplicateur di erentiel comme correcteur proportionnel. Ne pas connecter directement la consigne sur une entr ee de lamplicateur di erentiel. Utiliser le quatri` eme amplicateur op erationnel du TL074 mont e en suiveur. Le bon fonctionnement de lasservissement appara t nettement pour les tr` es faibles vitesses.
1 2
Linterrupteur n i est ouvert Linterrupteur n i est ferm e
143
144 B.13. Neuvi` eme etape : R ealisation de lasservissement avec correcteur proportionnel
Fig. B.16 Correcteur proportionnel. Proposer un sch ema g en eral regroupant les sch emas electroniques des neuf etapes selon le mod` ele pr esent e en gure (B.2).
Quand vous avez termin e: Faites constater le fonctionnement correct ` a lun des enseignants ; Ensuite, d ec ablez votre montage, enlevez l etiquette du carton, et rangez le dans la r eserve.
144
Annexe C
Caract eristiques
Famille Diodes de redressement : BY251 ` a BY255 Diodes Zener BZX55 Transistors faible puissance : BC107 ` a BC109 Transistor de moyenne puissance : le 2N1711 Un transistor de puissance : le BU508AF Les transistors Darlington BD677 ` a BD 682 Circuit int egr e contenant 4 AOP : le TL074 R egulateurs de tension 78xx Le double comparateur LM393 Le compteur binaire asynchrone 12 bits : le CD4040 Double porte ET ` a 4 entr ees : le CD4082 Quadruple interrupteur analogique : le CD4066 Tab. C.1 Tableau r ecapitulatif. Localisation (Pages) de 146 ` a 146 de 147 ` a 148 de 149 ` a 150 de 151 ` a 152 de 153 ` a 154 de 155 ` a 156 de 157 ` a 164 de 165 ` a 167 de 168 ` a 170 de 171 ` a 173 de 174 ` a 175 de 176 ` a 178
145
146
BY251 THRU BY255

1. Thermal Resistance From Junction to applied at Ambient 0.375"(9.5mm) lead length P.C.Board mounted. 2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts. 3. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A. RATING AND CHARACTERISTIC CURVES BY251 THRU BY255
NOTES:
MEDIUM CURRENT PLASTIC RECTIFIER
VOLTAGE - 200 to 1300 Volts CURRENT - 3.0 Amperes
FEATURES DO-201AD
High surge current capability
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
Low leakage
Void-free molded in DO-201AD plastic package
Fig. 1-FORWARD CURRENT DERATING CURVE
High current operation of 3 Amperes at TA=95 Fig. 2-MAXIMUM PEAK FORWARD SURGE CURRENT
with no thermal runaway
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-201AD Molded plastic
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
146
SYMBOLS BY251 BY252 BY253 BY254 BY255
Polarity: Color band denotes cathode
Mounting Position: Any
Weight: 0.04 ounce, 1.1 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%. 200 140 200 400 280 400 800 560 800 1300 910 1300 Fig. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS VRRM VRMS VDC I(AV) IFSM VF IR CJ TRR R JA TJ TSTG 1.1 1.0 5.0 1000 40 2.5 15.0 -50 to +150 -50 to +150 Volts Volts A A PF A /W 100.0 Amps 600 420 600 3.0 UNITS Volts Volts Volts Amps Fig. 4-TYPICAL JUNCTION CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current .375"(9.5mm) Lead Length at TA=95 Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) Maximum Instantaneous Forward Voltage TJ=25 at 3.0A TJ=100 Maximum DC Reverse Current TA=25 at Rated DC Blocking Voltage TA=100 Typical Junction capacitance (Note 2) TJ=25 Typical Reverse Recovery Time (Note 3) Typical Thermal Resistance (Note 1) Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range
C. Caract eristiques
Fig. 5-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
VISHAY
Vishay Semiconductors Electrical Characteristics
BZX55C.. Partnumber Range1) VZ @ IZT rzjT @ rzjK @ IZT, IZK, f = 1 kHz f = 1 kHz mA min < 85 < 85 < 85 < 85 < 85 < 85 < 75 < 60 < 35 <25 < 10 <8 <7 <7 < 10 10.6 11.6 12.7 12.4 13.8 15.3 16.8 18.8 20.8 BZX55C24 BZX55C27 Symbol RthJA 300 K/W Value Unit BZX55C30 BZX55C33 BZX55C36 BZX55C39 BZX55C43 BZX55C47 Symbol VF 1.5 V Min Typ. Max Unit BZX55C51 BZX55C56 BZX55C62 BZX55C68 BZX55C75
1)
BZX55-Series
Vishay Semiconductors
BZX55-Series
VISHAY
Zener Diodes
Zener Voltage IZT TKVZ IZK Dynamic Resistance Test Current Temperature Coefficient Test Current
Reverse Leakage Current @ VR
Features
V min BZX55C2V4 BZX55C2V7 BZX55C3V0 BZX55C3V3
94 9367
IR @ Tamb = 25 C mA A 1 < 50
IR @ Tamb = 150 C
%/K max -0.06 -0.06 -0.05 -0.08 -0.08 -0.08 -0.05 -0.05 -0.05 -0.09 -0.09 -0.08
V < 100 1 1 1 1 1 < 10 <4 <2 <2 <2 < 50 < 40 < 40 < 40 < 40 1 1 1 1 1 1
max 2.56 2.9 3.2 3.5 3.8 4.1 4.6 5 5.4 6 6.6 7.2 7.9 8.7 9.6 < 600 < 550 < 450 < 200 < 150 < 50 < 50 < 50 < 15 < 20 < 20 14.1 15.6 17.1 19.1 21.2 23.3 < 26 < 30 < 40 < 50 < 55 < 55 < 70 < 70 < 90 < 110 < 110 < 170 < 170 < 220 < 220 < 600 < 600 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 < 600 5 < 600 5 < 600 5 < 600 5 < 600 5
2.28 2.5 2.8 3.1 3.4 3.7 4 4.4 4.8 5.2 5.8 6.4 7 7.7 8.5 9.4 10.4 11.4

BZX55C3V6 BZX55C3V9 BZX55C4V3 BZX55C4V7 BZX55C5V1 BZX55C5V6 BZX55C6V2 BZX55C6V8 BZX55C7V5 BZX55C8V2 BZX55C9V1 BZX55C10 Symbol PV BZX55C13 BZX55C15 BZX55C16 BZX55C18 BZX55C20 BZX55C22 IZ Tj Tstg - 65 to + 175 C 175 C PV/VZ mA 500 mW BZX55C12 Value Unit BZX55C11
Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
-0.06 -0.05 -0.02 -0.05 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.04
-0.03 0.02 0.02 0.05 0.06 0.07 0.07 0.08 0.09 0.1 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.11 0.12
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
<1 < 0.5 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1
< 20 < 10 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2
1 1 1 1 2 3 5 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16
Mechanical Data
Packaging Codes/Options: TR / 10 k per 13 " reel, 30 k/box TAP / 10 k per Ammopack (52 mm tape), 30 k/box
Case: DO-35 Glass Case Weight: approx. 125 mg
147
22.8 25.1 28 31 34 37 40 44 48 52 58 64 70 25.6 28.9 32 35 38 41 46 50 54 60 66 72 79 www.vishay.com 1 www.vishay.com 2
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Test condition
Power dissipation
l = 4 mm, TL = 25 C
Z-current
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Characteristics
< 80 < 80 < 80 < 80 < 80 < 90 < 90 < 110 < 125 < 135 < 150 < 200 < 250 Other tolerances available on request: BZX55A... 1% of VZnom, BZX55F... 3% of VZnom
< 220 < 220 < 220 < 220 < 220 < 500 < 600 < 700 < 700 < 1000 < 1000 < 1000 < 1500
5 5 5 5 5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5
0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04
0.12 0.12 0.12 0.12 0.12 0.12 0.12 0.12 0.12 0.12 0.12 0.12 0.12
1 1 1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
< 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1 < 0.1
<2 <2 <2 <2 <2 <5 <5 <5 < 10 < 10 < 10 < 10 < 10
18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56
Parameter
Test condition
Junction ambient
l = 4 mm, TL = constant
Electrical Characteristics
Parameter
Test condition
Forward voltage
IF = 200 mA
Document Number 85604
Document Number 85604 Rev. 1.3, 16-Apr-04
Rev. 1.3, 16-Apr-04
147
148
BZX55-Series
VISHAY VISHAY
100 10 Tj =25C 1 0.1 0.01 0.001 0 0
95 9605
BZX55-Series
50 40 30 20 10 0 0.2 V F Forward Voltage ( V ) 0.4 0.6 0.8 1.0
95 9607
Typical Characteristics (Tamb = 25 C unless otherwise specified)

1.3 V Ztn=V Zt/V Z(25C) 1.2
TK VZ =10 x 104/K 8 x 104/K 6 x 104/K 4 x 104/K 2 x 104/K
500
Ptot=500mW Tamb=25C
400 1.1 1.0

2 x 104/K 4 x 104/K 0
300
TL=constant 0.8 60 60 120 180 240

95 9599
VZtn Relative VoltageChange
100
0.9
I F Forward Current ( mA)
200
IZ Z-Current ( mA)
0 Tj Junction Temperature (C )
15
20
25
30 V Z Z-Voltage ( V )
35
95 961 1
RthJA Therm.Resist.Junction/ Ambient ( K/W)
10
15
20
l Lead Length ( mm )
Fig. 7 Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 9 Z-Current vs. Z-Voltage
Fig. 1 Thermal Resistance vs. Lead Length

100 15 80 60 40 20 0 5 0 40
95 9604
Fig. 4 Typical Change of Working Voltage vs. Junction Temperature

1000
600
500 10
I Z=1mA 100 5mA 10 10mA
Ptot=500mW Tamb=25C
0 0 10 V Z Z-Voltage ( V ) 20 30 50 4
P tot Total Power Dissipation ( mW)
100
r Z Differential Z-Resistance ( )
200
I Z=5mA
IZ Z-Current ( mA)
95 9602
Tamb Ambient T emperature(C )

95 9600
TK VZ Temperature Coefficient of VZ ( 104 /K)
VZ VoltageChange ( mV )
CD Diode Capacitance ( pF )
Zthp ThermalResistance for PulseCond.(K/W)
148
5 8 12 V Z Z-Voltage ( V )
400
300
1 16 20
95 9606
Tj =25C 0 5 10 15 V Z Z-Voltage ( V ) 20 25
40
80
120
160
200
Fig. 8 Z-Current vs. Z-Voltage
Fig. 10 Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage
Fig. 2 Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Fig. 5 Temperature Coefficient of Vz vs. Z-Voltage

1000
1000
200
Tj =25C 150 V R=2V 100 Tj =25C
100
tp/T=0.5 tp/T=0.2 Single Pulse 10 tp/T=0.1 tp/T=0.02 tp/T=0.05 1 101

95 9603
100
I Z=5mA 50
tp/T=0.01
RthJA=300K/W T=TjmaxTamb
10
i ZM =(VZ+(V Z2+4rzj x T/Zthp)1/2)/(2rzj) 100 101 tp Pulse Length ( ms ) 102
1 0 20
95 9601
0 5 V Z Z-Voltage ( V ) 10 15 25
10
15
20
25
95 9598
V Z Z-Voltage ( V )
Fig. 11 Thermal Response
Fig. 3 Typical Change of Working Voltage under Operating Conditions at Tamb=25C
Fig. 6 Diode Capacitance vs. Z-Voltage
www.vishay.com
www.vishay.com 5
DISCRETE SEMICONDUCTORS
Philips Semiconductors
Product specication
NPN general purpose transistors

FEATURES Low current (max. 100 mA) PIN 1 2 APPLICATIONS General purpose switching and amplification. DESCRIPTION NPN transistor in a TO-18; SOT18 metal package. PNP complement: BC177.
3
BC107; BC108; BC109

PINNING DESCRIPTION emitter base 3 collector, connected to the case
DATA SHEET
Low voltage (max. 45 V).
handbook, halfpage 1
3
2
2
MAM264
Fig.1
Simplified outline (TO-18; SOT18) and symbol.
149
QUICK REFERENCE DATA SYMBOL VCBO BC107 BC108; BC109 VCEO BC107 BC108; BC109 ICM Ptot hFE DC current gain BC107 BC108 BC109 fT transition frequency
M3D125
PARAMETER collector-base voltage open emitter
CONDITIONS
MIN.
MAX. 50 30 V V
UNIT
collector-emitter voltage
open base peak collector current total power dissipation Tamb 25 C IC = 2 mA; VCE = 5 V 110 110 200 IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz 100 450 800 800 MHz 45 20 200 300 V V mA mW
BC107; BC108; BC109 NPN general purpose transistors

1997 Sep 03
Product specication Supersedes data of 1997 Jun 03 File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Sep 03
149
150
Product specication
Product specication

CHARACTERISTICS Tj = 25 C unless otherwise specied. MIN. SYMBOL ICBO IEBO emitter cut-off current DC current gain BC107A; BC108A BC107B; BC108B; BC109B BC108C; BC109C hFE DC current gain BC107A; BC108A BC107B; BC108B; BC109B BC108C; BC109C VCEsat VBEsat VBE Cc CONDITIONS note 1 0.2 F K/mW F 0.5 K/mW fT VALUE UNIT Ce collector-emitter saturation voltage IC = 10 mA; IB = 0.5 mA IC = 100 mA; IB = 5 mA base-emitter saturation voltage base-emitter voltage collector capacitance emitter capacitance transition frequency noise gure BC109B; BC109C noise gure BC107A; BC108A BC107B; BC108B; BC108C BC109B; BC109C Notes 1. VBEsat decreases by about 1.7 mV/K with increasing temperature. 2. VBE decreases by about 2 mV/K with increasing temperature. IC = 10 mA; IB = 0.5 mA; note 1 IC = 100 mA; IB = 5 mA; note 1 IC = 2 mA; VCE = 5 V; note 2 IC = 10 mA; VCE = 5 V; note 2 IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz IC = ic = 0; VEB = 0.5 V; f = 1 MHz IC = 10 mA; VCB = 5 V; f = 100 MHz IC = 200 A; VCE = 5 V; RS = 2 k; f = 30 Hz to 15.7 kHz IC = 200 A; VCE = 5 V; RS = 2 k; f = 1 kHz; B = 200 Hz Tamb 25 C 65 65 +150 C 175 C +150 C 300 mW 200 mA 200 mA 100 mA 5 V 6 V IC = 2 mA; VCE = 5 V 110 200 420 550 100 180 290 520 90 200 700 900 620 2.5 9 IC = 0; VEB = 5 V IC = 10 A; VCE = 5 V 40 100 90 150 270 hFE open collector 20 V 45 V open base 30 V 50 V collector cut-off current IE = 0; VCB = 20 V IE = 0; VCB = 20 V; Tj = 150 C PARAMETER CONDITIONS MAX. UNIT MIN.
BC107; BC108; BC109
BC107; BC108; BC109
LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). CONDITIONS open emitter
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MAX. 15 15 50 220 450 800 250 600 700 770 6 4 10 4
UNIT nA A nA
VCBO
collector-base voltage
BC107
BC108; BC109
VCEO
BC107
BC108; BC109
VEBO
emitter-base voltage
BC107
BC108; BC109
IC
collector current (DC)
ICM
peak collector current
IBM
peak base current
mV mV mV mV mV mV pF pF MHz dB dB dB
150
3 1997 Sep 03
Ptot
total power dissipation
Tstg
storage temperature
Tj
junction temperature
Tamb
operating ambient temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
Rth j-c
thermal resistance from junction to case
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
1997 Sep 03
DISCRETE SEMICONDUCTORS
Product specication
NPN medium power transistor

FEATURES High current (max. 500 mA) PIN 1 2 APPLICATIONS DC and wideband amplifiers. DESCRIPTION NPN medium power transistor in a TO-39 metal package.
1 handbook, halfpage 2
2N1711
PINNING DESCRIPTION emitter base 3 collector, connected to case
DATA SHEET
Low voltage (max. 50 V).
book, halfpage
3 2 3 1
MAM317
Fig.1 Simplified outline (TO-39) and symbol.
151
QUICK REFERENCE DATA SYMBOL VCBO VCEO ICM Ptot hFE fT DC current gain transition frequency
M3D111
PARAMETER collector-base voltage collector-emitter voltage peak collector current total power dissipation open base
CONDITIONS open emitter Tamb 25 C IC = 150 mA; VCE = 10 V IC = 50 mA; VCE = 10 V; f = 100 MHz
MIN.
MAX. 75 50 1 0.8 100 70 300 V V A W
UNIT
MHz
2N1711 NPN medium power transistor

1997 May 28
Product specication Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 May 28
151
152
Product specication
NPN medium power transistor
2N1711
LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). CONDITIONS open emitter Tamb 25 C 65 65 +150 C 200 C +150 C 3 W 1.7 W Tcase 100 C Tcase 25 C 0.8 W 200 mA 1 A 500 mA 7 V 50 V open base open collector 75 V MIN. MAX. UNIT
SYMBOL
PARAMETER
VCBO
collector-base voltage
VCEO
VEBO
emitter-base voltage
IC
collector current (DC)
ICM
peak collector current
IBM
peak base current
Ptot
total power dissipation
Tstg
storage temperature
Tj
junction temperature
152
CONDITIONS in free air 58.3 K/W 219 K/W VALUE UNIT CONDITIONS IE = 0; VCB = 60 V 20 300 500 1.3 25 80 mV V MHz pF pF 35 75 35 100 40 70 5 nA 10 A IE = 0; VCB = 60 V; Tamb = 150 C IC = 0; VEB = 5 V IC = 10 A; VCE = 10 V IC = 0.1 mA; VCE = 10 V IC = 10 mA; VCE = 10 V; note 1 IC = 10 mA; VCE = 10 V; Tamb = 55 C IC = 150 mA; VCE = 10 V; note 1 IC = 500 mA; VCE = 10 V; note 1 IC = 150 mA; IB = 15 mA; note 1 IC = 50 mA; VCE = 10 V; f = 100 MHz IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz IC = ic = 0; VEB = 0.5 V; f = 1 MHz 10 nA MIN. MAX. UNIT 3
Tamb
operating ambient temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
Rth j-c
thermal resistance from junction to case
CHARACTERISTICS Tamb = 25 C unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
ICBO
collector cut-off current
IEBO
emitter cut-off current
hFE
DC current gain
VCEsat
collector-emitter saturation voltage IC = 150 mA; IB = 15 mA; note 1
VBEsat
base-emitter saturation voltage
fT
transition frequency
Cc
collector capacitance
Ce
emitter capacitance
Note
1. Pulse test: tp 300 s; 0.02.
1997 May 28
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU508AF
BU508AF
GENERAL DESCRIPTION
Ths = 25 C unless otherwise specified SYMBOL Visol CONDITIONS VBE = 0 V Cisol TYP. MAX. UNIT Capacitance from T2 to external f = 1 MHz heatsink Repetitive peak voltage from all three terminals to external heatsink PARAMETER CONDITIONS
ISOLATION LIMITING VALUE & CHARACTERISTIC

MIN. TYP. MAX. 2500 UNIT V
High voltage, high-speed switching npn transistors in a fully isolated SOT199 envelope, primarily for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.
QUICK REFERENCE DATA
R.H. 65 % ; clean and dustfree
SYMBOL
PARAMETER
22
pF
STATIC CHARACTERISTICS
Ths = 25 C unless otherwise specified SYMBOL ICES ICES PARAMETER Collector cut-off current 1 CONDITIONS MIN. 700 6 TYP. 13 MAX. 1.0 2.0 10 1.0 1.1 30 UNIT mA mA mA V V V -
VCESM VCEO IC ICM Ptot VCEsat ICsat tf Ths 25 C IC = 4.5 A; IB = 1.6 A f = 16 kHz ICsat = 4.5 A; f = 16kHz
Collector-emitter voltage peak value Collector-emitter voltage (open base) Collector current (DC) Collector current peak value Total power dissipation Collector-emitter saturation voltage Collector saturation current Fall time
4.5 0.7
1500 700 8 15 34 1.0 -
V V A A W V A s
153
SYMBOL
case
PINNING - SOT199
PIN CONFIGURATION
PIN
DESCRIPTION
c b
VCEsat VBEsat hFE
IEBO VCEOsus
base
collector
VBE = 0 V; VCE = VCESMmax VBE = 0 V; VCE = VCESMmax; Tj = 125 C Emitter cut-off current VEB = 6.0 V; IC = 0 A Collector-emitter sustaining voltage IB = 0 A; IC = 100 mA; L = 25 mH Collector-emitter saturation voltages IC = 4.5 A; IB = 1.6 A Base-emitter saturation voltage IC = 4.5 A; IB = 2 A DC current gain IC = 100 mA; VCE = 5 V
3
1 3 2
emitter
case isolated
DYNAMIC CHARACTERISTICS
e
fT CC MIN. MAX. UNIT ts tf
Ths = 25 C unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER Transition frequency at f = 5 MHz Collector capacitance at f = 1MHz Switching times (16 kHz line deflection circuit) Turn-off storage time Turn-off fall time CONDITIONS IC = 0.1 A;VCE = 5 V VCB = 10 V ICsat = 4.5 A;Lc 1 mH;Cfb = 4 nF IB(end) = 1.4 A; LB = 6 H; -VBB = -4 V; -IBM = 2.25 A TYP. 7 125 MAX. UNIT MHz pF
LIMITING VALUES
CONDITIONS VBE = 0 V
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL
PARAMETER
6.5 0.7
s s
VCESM VCEO IC ICM IB IBM Ptot Tstg Tj Ths 25 C
Collector-emitter voltage peak value Collector-emitter voltage (open base) Collector current (DC) Collector current peak value Base current (DC) Base current peak value Total power dissipation Storage temperature Junction temperature
-65 -
1500 700 8 15 4 6 34 150 150
V V A A A A W C C
THERMAL RESISTANCES
CONDITIONS without heatsink compound with heatsink compound in free air 35 TYP. MAX. 3.7 2.8 UNIT K/W K/W K/W
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-hs
Junction to heatsink
Rth j-hs
Junction to heatsink
Rth j-a
Junction to ambient
1 Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).
153
July 1998
Rev 1.200
July 1998
Rev 1.200
154
BU508AF
BU508AF
ICsat
+ 50v
90 %
1 0.9
VCESAT / V
10
BU508AD
Zth K/W
bu508ax
100-200R
IC
0.8 0.7
10 % tf ts
0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 0.02
0.6
Horizontal
Oscilloscope
IB IBend
t
0.4 0.3
0.5
Vertical
0.01 0
P D
tp
D=
tp T T
0.001 1.0E-07 1.0E-05 1E-03 1.0E-01
100R
0.1 0
- IBM
1R
0.1 1
0.2
t
1.0E+1
6V
IC / A
30-60 Hz
10
t/s
Fig.1. Test circuit for VCEOsust.
Fig.4. Switching times definitions.
Fig.7. Typical collector-emitter saturation voltage. VCEsat = f (IC); parameter IC/IB

BU508AD
Fig.10. Transient thermal impedance. Zth j-hs = f(t); parameter D = tp/T

Normalised Power Derating 120 110 100 90 80 70 PD%
with heatsink compound
154
+ 150 v nominal adjust for ICsat
1.4
IC / mA
VBESAT / V
1.2
250
1
1mH
IC = 6A IC = 4.5A
200
60 50
IC = 3A
100
IBend 12nF
0.8
LB D.U.T. BY228
40 30 20 10 0
VCE / V
min
-VBB
0.6 0 1 2 3
VCEOsust
IB / A
20
40
60
80 Ths / C
100
120
140
Fig.2. Oscilloscope display for VCEOsust.
Fig.5. Switching times test circuit.
Fig.8. Typical base-emitter saturation voltage. VBEsat = f (IB); parameter IC

VCESAT/V 10
Fig.11. Normalised power dissipation. PD% = 100PD/PD 25C = f (Ths)

BU508AD
TRANSISTOR
ICsat
100
h FE BU508AD
IC t
DIODE
IB t
IBend
10
1 IC = 6A
20us
26us
64us
IC = 4.5A
VCE
1 0.1
IC = 3A
1 IC/A
10
0.1 0.1
IB/A
10
Fig.3. Switching times waveforms.
Fig.6. Typical DC current gain. hFE = f (IC) parameter VCE
Fig.9. Typical collector-emitter saturation voltage. VCEsat = f (IB); parameter IC
July 1998
Rev 1.200
July 1998
Rev 1.200
BD677/677A/678/678A/679/679A/680/680A/681/682
THERMAL DATA
o
BD677/A/679/A/681 BD678/A/680/A/682
R t hj-ca se R t hj- amb Thermal Resistance Junction-case Thermal Resistance Junction-ambient Max Max
3.12 100
C/W C/W
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

Symb ol I CBO I CEO I EBO Collector-Emitter Sustaining Voltage Emitter Cut-off Current (I C = 0) V EB = 5 V Collector Cut-off Current (IB = 0) V CE = half rated V CEO Collector Cut-off Current (IE = 0) V CE = rated V CBO V CE = rated V CBO Parameter Test Cond ition s T C = 100 C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

Min. Typ . Max. 0.2 2 0.5 2 Un it mA mA mA mA
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE
V CEO(sus )
3 2 1
APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT SOT-32

V CE(sat ) Collector-Emitter Saturation Voltage
I C = 50 mA for BD677/677A/678/678A for BD679/679A/680/680A for BD681/682
60 80 100 2.5 2.8 2.5 2.5 750 750
V V V V V V V for BD677/678/679/680/681/682 I C = 1.5 A I B = 30 mA for BD677A/678A/679A/680A IB = 40 mA IC = 2 A for BD677/678/679/680/681/682 I C = 1.5 A V CE = 3 V for BD677A/678A/679A/680A V CE = 3 V IC = 2 A
155
V BE DC Current G ain h FE
Base-Emitter Voltage
DESCRIPTION The BD677, BD677A, BD679, BD679A and BD681 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec SOT-32 plastic package. They are intended for use in medium power linar and switching applications The complementary PNP types are BD678, BD678A, BD680, BD680A and BD682 respectively. INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
hf e
for BD677/678/679/680/681/682 I C = 1.5 A V CE = 3 V for BD677A/678A/679A/680A V CE = 3 V IC = 2 A Small Signal Current Gain I C = 1.5 A V CE = 3 V f = 1MHz
1
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
R 1 Typ.= 7K
R 2 T yp.= 230
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Value NPN PNP 60 60 5 4 6 0.1 40 -65 to 150 150 V A A A W
o o
Safe Operating Areas

Uni t BD681 BD682 100 100 V V
Derating Curve
Symbol BD677/A BD678/A 80 80 BD680/A BD679/A
Parameter
V CBO
Collector-Base Voltage (IE = 0)
V CEO
Collector-Emitter Voltage (I B = 0)
V EBO
Emitter-Base Voltage (I C = 0)
IC
Collector Current
I CM
Collector Peak Current
IB
Base Current
P t ot
Total Dissipation at T c 25 C
T stg
Storage Temperature
C C
Tj
Max. O perating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
September 1997
1/6
2/6
155
156
BD677/677A/678/678A/679/679A/680/680A/681/682
DC Current Gain (PNP type) Base-Emitter On Voltage (NPN type) Base-Emitter On Voltage (PNP type)
BD677/677A/678/678A/679/679A/680/680A/681/682
DC Current Gain (NPN type)
Collector-Emitter Saturation Voltage (NPN type)
Collector-Emitter Saturation Voltage (PNP type)
Freewheel Diode Forward Voltage (NPN types)
Freewheel Diode Forward Voltage (PNP types)
156
Base-Emitter Saturation Voltage (PNP type)
Base-Emitter Saturation Voltage (NPN type)
3/6
4/6
TL071, TL071A, TL071B, TL072 TL072A, TL072B, TL074, TL074A, TL074B LOWNOISE JFETINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
SLOS080J SEPTEMBER 1978 REVISED MARCH 2005 SLOS080J SEPTEMBER 1978 REVISED MARCH 2005
D Low Power Consumption D Wide Common-Mode and Differential

description/ordering information (continued)
ORDERING INFORMATION
TA Tube of 50 PDIP (P) Tube of 50 Tube of 25 Tube of 75 Reel of 2500 Tube of 75 SOIC (D) Reel of 2500 Tube of 50 Reel of 2500 SOP (NS) SOP (PS) Reel of 2000 Reel of 2000 Reel of 2000 Reel of 2000 TSSOP (PW) Tube of 90 Reel of 2000 Tube of 50 PDIP (P) 0C to 70C PDIP (N) Tube of 50 Tube of 25 Tube of 75 Reel of 2500 6 mV Tube of 75 SOIC (D) Reel of 2500 Tube of 50 Reel of 2500 SOP (PS) SOP (NS) PDIP (P) PDIP (N) Reel of 2000 Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 50 Tube of 25 Tube of 75 Reel of 2500 3 mV SOIC (D) Tube of 75 Reel of 2500 Tube of 50 Reel of 2500 SOP (NS) Reel of 2000 10 mV TL074CN TL071CD TL071CDR TL072CD TL072CDR TL074CD TL074CDR TL074CNSR TL071CPSR TL072CPSR TL072CPWR TL074CPW TL074CPWR TL071ACP TL072ACP TL074ACN TL071ACD TL071ACDR TL072ACD TL072ACDR TL074ACD TL074ACDR TL072ACPSR TL074ACNSR TL071BCP TL072BCP TL074BCN TL071BCD TL071BCDR TL072BCD TL072BCDR TL074BCD TL074BCDR TL074BCNSR TL074BC 072BC 071BC TL074AC T072A TL074A 072AC 071AC T074 TL074C TL074 TL071 T072 T072 TL072C TL071C TL072CP PDIP (N) TL071CP VIOmax AT 25C PACKAGE ORDERABLE PART NUMBER
D Low Noise
Voltage Ranges
TOP-SIDE MARKING TL071CP TL072CP TL074CN
D Low Input Bias and Offset Currents D Output Short-Circuit Protection D Low Total Harmonic Distortion
. . . 0.003% Typ
D D D D D
Vn = 18 nV/Hz Typ at f = 1 kHz High Input Impedance . . . JFET Input Stage Internal Frequency Compensation Latch-Up-Free Operation High Slew Rate . . . 13 V/s Typ Common-Mode Input Voltage Range Includes VCC+
description/ordering information
The JFET-input operational amplifiers in the TL07x series are similar to the TL08x series, with low input bias and offset currents and fast slew rate. The low harmonic distortion and low noise make the TL07x series ideally suited for high-fidelity and audio preamplifier applications. Each amplifier features JFET inputs (for high input impedance) coupled with bipolar output stages integrated on a single monolithic chip.
The C-suffix devices are characterized for operation from 0C to 70C. The I-suffix devices are characterized for operation from 40C to 85C. The M-suffix devices are characterized for operation over the full military temperature range of 55C to 125C.
TL071ACP TL072ACP TL074ACN
157
On products compliant to MILPRF38535, all parameters are tested unless otherwise noted. On all other products, production processing does not necessarily include testing of all parameters.
TL071BCP TL072BCP TL074BCN
TL074B Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are available at www.ti.com/sc/package.
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
Copyright 2005, Texas Instruments Incorporated
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
DALLAS, TEXAS 75265
157
158
TL072, TL072A, TL072B D, JG, P, PS, OR PW PACKAGE (TOP VIEW) 1 2 3 4 5 6 7 8
TL071, TL071A, TL071B D, P, OR PS PACKAGE (TOP VIEW) 1 2 3 4 5 6 7 8
ORDERABLE PART NUMBER TL071IP TL072IP TL074IN TL071ID TL071IDR TL072ID TL072IDR 1 2 3 4 5 7 6 8 9 10 TL074ID TL074IDR TL072MJGB TL072MUB TL072MFKB TL074MJB TL074MWB TL074MWB TL071 FK PACKAGE (TOP VIEW) TL074MJB TL072MFKB TL072 FK PACKAGE (TOP VIEW) TL072MUB TL072MJGB TL074I TL072I TL071I TL072 U PACKAGE (TOP VIEW) TL074IN TL072IP TL071IP TOP-SIDE MARKING
TA Tube of 50 Tube of 50 Tube of 25 Tube of 75 Reel of 2500 Tube of 75 Reel of 2500 Tube of 50 Reel of 2500 Tube of 50 Tube of 150 Tube of 55 Tube of 25 Tube of 25
VIOmax AT 25C
PACKAGE
TL074A, TL074B D, J, N, NS, OR PW PACKAGE TL074 . . . D, J, N, NS, PW, OR W PACKAGE (TOP VIEW) 1 2 3 4 5 6 7 14 13 12 11 10 9 8
PDIP (P)
OFFSET N1 IN IN+ VCC
NC VCC+ OUT OFFSET N2
1OUT 1IN 1IN+ VCC
VCC+ 2OUT 2IN 2IN+
PDIP (N)
40C to 85C
6 mV
SOIC (D)
1OUT 1IN 1IN+ VCC+ 2IN+ 2IN 2OUT
4OUT 4IN 4IN+ VCC 3IN+ 3IN 3OUT
CDIP (JG)
6 mV
CFP (U)
NC 1OUT 1IN 1IN+ VCC
NC VCC+ 2OUT 2IN 2IN+
55C to 125C
LCCC (FK)
CDIP (J)
9 mV
CFP (W)
NC OFFSET N1 NC NC NC
4 5 6 7
3 2 1 20 19 18 17 16 15
NC 1OUT NC V CC+ NC
4 5 6 7
3 2 1 20 19 18 17 16 15
3 2 1 20 19 18 4 5 6 7 8 17 16 15 14 9 10 11 12 13
NC
NC
NC No internal connection
symbols
TL071 OFFSET N1 IN+ IN OFFSET N2 + OUT IN IN+ TL072 (each amplifier) TL074 (each amplifier) + OUT
DALLAS, TEXAS 75265
V CC NC OFFSET N2 NC
V CC NC 2IN+ NC
DALLAS, TEXAS 75265
2IN 2OUT NC 3OUT 3IN
NC IN NC IN+ NC
NC VCC+ NC OUT NC
NC 1IN NC 1IN+ NC
14 9 10 11 12 13
NC 2OUT NC 2IN NC
1IN 1OUT NC 4OUT 4IN 1IN+ NC VCC+ NC 2IN+

8 14 9 10 11 12 13
LCCC (FK) Tube of 55 TL074MFKB TL074MFKB Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are available at www.ti.com/sc/package.
TL074 FK PACKAGE (TOP VIEW)
158
4IN+ NC VCC NC 3IN+
schematic (each amplifier)
absolute maximum ratings over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
VCC+
IN+ 64 128 OUT 64
IN
C1
18 pF
Supply voltage (see Note 1): VCC+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V Differential input voltage, VID (see Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V Input voltage, VI (see Notes 1 and 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V Duration of output short circuit (see Note 4) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Unlimited Package thermal impedance, JA (see Notes 5 and 6): D package (8 pin) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97C/W D package (14 pin) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86C/W N package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80C/W NS package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76C/W P package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85C/W PS package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95C/W PW package (8 pin) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149C/W PW package (14 pin) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113C/W U package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185C/W Package thermal impedance, JC (see Notes 7 and 8): FK package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.61C/W J package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15.05C/W JG package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.5C/W W package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.65C/W Operating virtual junction temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150C Case temperature for 60 seconds: FK package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260C Lead temperature 1,6 mm (1/16 inch) from case for 10 seconds: J, JG, or W package . . . . . . . . . . . . 300C Storage temperature range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65C to 150C
TL071 Only
All component values shown are nominal.
COMPONENT TYPE TL071 22 28 4 2 2 2 44 56 6 4 4 4 TL072 TL074
Resistors 11 Transistors 14 JFET 2 Diodes 1 Capacitors 1 epi-FET 1 Includes bias and trim circuitry

DALLAS, TEXAS 75265
5 6
159
1080
1080
VCC
OFFSET N1
OFFSET N2
Stresses beyond those listed under absolute maximum ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under recommended operating conditions is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. NOTES: 1. All voltage values, except differential voltages, are with respect to the midpoint between VCC+ and VCC. 2. Differential voltages are at IN+, with respect to IN. 3. The magnitude of the input voltage must never exceed the magnitude of the supply voltage or 15 V, whichever is less. 4. The output may be shorted to ground or to either supply. Temperature and/or supply voltages must be limited to ensure that the dissipation rating is not exceeded. 5. Maximum power dissipation is a function of TJ(max), JA, and TA. The maximum allowable power dissipation at any allowable ambient temperature is PD = (TJ(max) TA)/JA. Operating at the absolute maximum TJ of 150C can affect reliability. 6. The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7. 7. Maximum power dissipation is a function of TJ(max), JC, and TC. The maximum allowable power dissipation at any allowable case temperature is PD = (TJ(max) TC)/JC. Operating at the absolute maximum TJ of 150C can affect reliability. 8. The package thermal impedance is calculated in accordance with MIL-STD-883.
COMPONENT COUNT
DALLAS, TEXAS 75265
159
160
pA
nA
pA
nA
dB
dB
mV
UNIT
V/C
V/mV
MHz
mA
dB
electrical characteristics, VCC = 15 V (unless otherwise noted)

PARAMETER MIN VIO Full range 9 18 5 65 100 20 200 50 25C RL = 10 k RL 10 k RL 2 k VO = 10 V, TA = 25C TA = 25C VIC = VICRmin, RS = 50 VO = 0, VCC = 9 V to 15 V, RS = 50 VO = 0, VO = 0, No load 25C 25C 25C 80 80 RL 2 k 25C Full range 25C 11 12 12 10 35 15 3 1012 86 86 1.4 2.5 80 80 200 12 to 15 13.5 11 12 12 10 35 15 3 1012 86 86 1.4 2.5 200 V/mV MHz dB dB mA 12 to 15 13.5 V 65 18 5 100 20 200 50 Full range 25C Full range 25C V IO VO = 0, RS = 50 IIO Input bias current VO = 0 Input offset current VO = 0 Temperature coefficient of input offset voltage Input offset voltage VO = 0, RS = 50 25C 3 6 TYP MAX MIN TEST CONDITIONS TA TL071M TL072M TYP 3 TL074M MAX 9 15 mV V/C pA nA pA nA V UNIT
20
100
MAX
200
18
65
12 to 15
200
100
100
1.4 2.5
2.5 13.5 50 25 1012 75 12 12 10 3 80 120
TL071I TL072I TL074I
TYP
MIN
100
MAX
200
11
18
65
12 to 15
200
100
100
1.4
TYP
TL071BC TL072BC TL074BC
13.5
1012
120
IIB
50
25
75
80
11
12
12
MIN
7.5
10
VICR
Common-mode input voltage range
100
MAX
200
2.5
VOM
Maximum peak output voltage swing
18
65
12 to 15
200
100
100
1.4
TYP
13.5
1012
120
TL071AC TL072AC TL074AC
AVD B1 ri CMRR kSVR ICC Supply current (each amplifier) Supply-voltage rejection ratio (VCC/VIO) Common-mode rejection ratio Input resistance Unity-gain bandwidth
Large-signal differential voltage amplification
50
25
75
11
12
12
MIN
10
13
100
MAX
200
18
65
12 to 15
200
100
100
1.4 25C 25C
2.5 13.5 25 15 1012 70 12 12 25C 10 25C 25C 25C 25C Full range Full range 25C 70 120
TL071C TL072C TL074C
TYP
TA
MIN
25C
25C
25C
Full range
Full range
Full range
Full range
25C
11
RS = 50
RS = 50
RL 2 k
TEST CONDITIONS
VO = 0,
VO = 0
VO = 0
RL = 10 k
RL 10 k RL 2 k
VO = 10 V,
VIC = VICRmin, RS = 50 VO = 0,
VCC = 9 V to 15 V, RS = 50 VO = 0,
VO = 0,
No load
Input offset voltage
VO = 0,
Temperature coefficient of input offset voltage
Input offset current
Input bias current
Maximum peak output voltage swing
Large-signal differential voltage amplification
Unity-gain bandwidth
Input resistance
Common-mode rejection ratio Supply-voltage rejection ratio (VCC /VIO) Supply current (each amplifier)
PARAMETER
VIO
V IO
IIO
IIB
VICR
VOM
AVD
B1
ri
CMRR
kSVR
ICC
electrical characteristics, VCC = 15 V (unless otherwise noted)
VO1/ VO2
Crosstalk attenuation
AVD = 100
All characteristics are measured under open-loop conditions with zero common-mode voltage, unless otherwise specified. Full range is TA = 0C to 70C for TL07_C,TL07_AC, TL07_BC and is TA = 40C to 85C for TL07_I. Input bias currents of an FET-input operational amplifier are normal junction reverse currents, which are temperature sensitive, as shown in Figure 4. Pulse techniques must be used that maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible.
160
7 8
10
10
80
VO1/VO2 Crosstalk attenuation AVD = 100 25C 120 120 dB Input bias currents of an FET-input operational amplifier are normal junction reverse currents, which are temperature sensitive, as shown in Figure 4. Pulse techniques must be used that will maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible. All characteristics are measured under open-loop conditions with zero common-mode voltage, unless otherwise specified. Full range is TA = 55C to 125C.
POST OFFICE BOX 655303 DALLAS, TEXAS 75265
DALLAS, TEXAS 75265
operating characteristics, VCC = 15 V, TA = 25C TYPICAL CHARACTERISTICS

TL07xM MIN 5 IIB Input bias current vs Free-air temperature 0.1 20% 18 4 0.01 Phase shift 0.003 % 0.003% Normalized phase shift CMRR ICC PD Normalized slew rate Vn 10 k THD VO VO + RL CL = 100 pF Output voltage Equivalent input noise voltage Total harmonic distortion Large-signal pulse response VI 1 k Total power dissipation Supply current Common-mode rejection ratio Normalized unity-gain bandwidth 0.01 pA/Hz AVD Large-signal differential voltage amplification 4 V 18 nV/Hz VOM Maximum output voltage 20% vs Frequency vs Free-air temperature vs Load resistance vs Supply voltage vs Free-air temperature vs Frequency vs Frequency vs Free-air temperature vs Free-air temperature vs Free-air temperature vs Supply voltage vs Free-air temperature vs Free-air temperature vs Free-air temperature vs Frequency vs Frequency vs Time vs Elapsed time 0.1 s 13 8 13 V/s TYP MAX MIN TYP MAX UNIT ALL OTHERS
PARAMETER
TEST CONDITIONS
Table of Graphs
FIGURE 4
SR
Slew rate at unity gain
VI = 10 V, CL = 100 pF,
RL = 2 k, See Figure 1
tr
Rise-time overshoot factor
VI = 20 mV, CL = 100 pF,
RL = 2 k, See Figure 1
f = 1 kHz
Vn
Equivalent input noise voltage
RS = 20
f = 10 Hz to 10 kHz
5, 6, 7 8 9 10 11 12 12 13 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
In
Equivalent input noise current
RS = 20 ,
f = 1 kHz
THD
Total harmonic distortion
VIrms = 6 V, RL 2 k, f = 1 kHz
AVD = 1, RS 1 k,
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
VI
IN OUT N2 N1 100 k +
IN+
Figure 3. Input Offset-Voltage Null Circuit
161
Figure 2. Gain-of-10 Inverting Amplifier
TL071 1.5 k VCC
VO
CL = 100 pF
RL = 2 k
Figure 1. Unity-Gain Amplifier
DALLAS, TEXAS 75265
10
DALLAS, TEXAS 75265
161
162
TYPICAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs FREQUENCY MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs FREE-AIR TEMPERATURE
15 RL = 10 k 12.5 VCC = 15 V TA = 25C See Figure 2 15 15 VCC = 15 V RL = 10 k TA = 25C See Figure 2 12.5 RL = 2 k 10
MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs LOAD RESISTANCE
100
INPUT BIAS CURRENT vs FREE-AIR TEMPERATURE
VCC = 15 V 12.5
1 5 2.5 VCC = 15 V See Figure 2 50 25 0 25 50 75 100 125 VCC = 5 V 5 5
IIIB IB Input Bias Current nA
0.1 2.5 0 75 TA Free-Air Temperature C
VOM Maximum Peak Output Voltage V VOM
VOM VOM Maximum Peak Output Voltage V
VOM VOM Maximum Peak Output Voltage V 7.5 2.5
VCC = 10 V 7.5 TA = 125C
7.5
VCC = 5 V 2.5
AVD A VD Large-Signal Differential Voltage Amplification V/mV
2.5
0 100 10 M 4M 10 M 40 k 100 k 400 k 1 M f Frequency Hz
1k
1M
0 10 k
Figure 6
Figure 7
Data at high and low temperatures are applicable only within the rated operating free-air temperature ranges of the various devices.
DALLAS, TEXAS 75265
11
12
10 k 100 k f Frequency Hz
162
Figure 5 Figure 8
MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs FREQUENCY
15 15 RL = 10 k TA = 25C TA = 25C 12.5 12.5 VCC = 15 V RL = 2 k See Figure 2 10 TA = 55C 10 7.5 5 2.5 0 0 2 4 6 8 10
TA Free-Air Temperature C
10 k 100 k f Frequency Hz
Figure 4
MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs FREQUENCY
15
MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs SUPPLY VOLTAGE

1000 400 200 100 40 20 10 4 2 12 |VCC| Supply Voltage V 14 16
12.5
VCC = 15 V
RL = 2 k TA = 25C See Figure 2
10
Figure 10
0.01 75 125 0 100 1k 1M 10 M
50
25
25
50
75
100
VCC = 10 V 7.5
7.5

0 0.1 0.2 1 75 50 25
10 10

0.4 VCC = 15 V VO = 10 V RL = 2 k 0
10
0.7 1
2 RL Load Resistance k
7 10
Figure 9
LARGE-SIGNAL DIFFERENTIAL VOLTAGE AMPLIFICATION vs FREE-AIR TEMPERATURE
25
50
75 TA Free-Air Temperature C
100
125
Figure 11
DALLAS, TEXAS 75265
COMMON-MODE REJECTION RATIO vs FREE-AIR TEMPERATURE
89 VCC = 15 V RL = 10 k 1.8 1.6 1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 100 125 75 0 2 4 6 8 10 TA = 25C No Signal No Load 2
SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER vs SUPPLY VOLTAGE
LARGE-SIGNAL DIFFERENTIAL VOLTAGE AMPLIFICATION AND PHASE SHIFT vs FREQUENCY
106 88
105 87
VCC = 5 V to 15 V RL = 2 k TA = 25C 0 45 85 86
104 Differential Voltage Amplification
102 135 84
90
AVD A VD Large-Signal Differential Voltage Amplification
1 50 25 0 25 50 1M
CMRR Common-Mode Rejection Ratio dB
83 75
ICC I CC Supply Current Per Amplifier mA
101
Phase Shift
Phase Shift
103
12 |VCC| Supply Voltage V
14
16
100 1k 10 k 100 k f Frequency Hz
Normalized Phase Shift
PD PD Total Power Dissipation mW
Normalized Unity-Gain Bandwidth
0.8
VCC = 15 V RL = 2 k f = B1 for Phase Shift 0.98 0.97 125
ICC I CC Supply Current Per Amplifier mA
0.2 0 75 50 25 0 25 50 75 TA Free-Air Temperature C 100 125
25 0 75 50 25 0
25 0 25 50 75 100 TA Free-Air Temperature C
Figure 13
DALLAS, TEXAS 75265
13
0.7 75
25
50
Figure 16
Figure 17
14
DALLAS, TEXAS 75265
163
Figure 12 Figure 14
2 1.03 1.8 1.6 1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 Unity-Gain Bandwidth 1.02 1.01 1 0.99
SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER vs FREE-AIR TEMPERATURE

250 VCC = 15 V No Signal No Load 225 200 175
NORMALIZED UNITY-GAIN BANDWIDTH AND PHASE SHIFT vs FREE-AIR TEMPERATURE
1.3
1.2
1.1
Phase Shift
0.9
10
180 10 M
Figure 15
TOTAL POWER DISSIPATION vs FREE-AIR TEMPERATURE
VCC = 15 V No Signal No Load
TL074 150 125 100 75 50 TL072
TL071
50
75
100
125
163
164
EQUIVALENT INPUT NOISE VOLTAGE vs FREQUENCY
28 24 Overshoot 20 90% 16 12 8 4 10% tr 0 0.1 VCC = 15 V RL = 2 k TA = 25C 0.6 0.7
OUTPUT VOLTAGE vs ELAPSED TIME
NORMALIZED SLEW RATE vs FREE-AIR TEMPERATURE

50
1.15
1.10 40
VCC = 15 V RL = 2 k CL = 100 pF
VCC = 15 V AVD = 10 RS = 20 TA = 25C
1 20
Normalized Slew Rate V/ s
10 0
Vn V nV/ Hz n Equivalent Input Noise Voltage nV/Hz
0 125 10 40 100 400 1 k 4 k 10 k f Frequency Hz 40 k 100 k
0.85 75
50
25
25
50
75
100
Figure 18
Figure 19
TOTAL HARMONIC DISTORTION vs FREQUENCY VOLTAGE-FOLLOWER LARGE-SIGNAL PULSE RESPONSE

6
0.4 4 Output 2
VCC = 15 V AVD = 1 VI(RMS) = 6 V
TA = 25C
VCC = 15 V RL = 2 k CL = 100 pF TA = 25C
0.1
0.04 0
0.01 2 Input
0.004 4
THD Total Harmonic Distortion %
VI and VO Input and Output Voltages V
Figure 20
DALLAS, TEXAS 75265
0.001 100 6 0 0.5 1 1.5 t Time s 3.5 2 2.5 3
400
1k 4 k 10 k f Frequency Hz
40 k 100 k
Figure 21
15
16
0.90
VO V O Output Voltage mV
0.95

30 0.2 0.3 0.4 0.5 t Elapsed Time s
1.05
164
Figure 22
DALLAS, TEXAS 75265
A7800 SERIES POSITIVEVOLTAGE REGULATORS

SLVS056K MAY 1976 REVISED APRIL 2005 SLVS056K MAY 1976 REVISED APRIL 2005
schematic
INPUT
D 3-Terminal Regulators D Output Current up to 1.5 A D Internal Thermal-Overload Protection

KTE PACKAGE (TOP VIEW)
D High Power-Dissipation Capability D Internal Short-Circuit Current Limiting D Output Transistor Safe-Area Compensation
KC (TO-220) PACKAGE (TOP VIEW)
COMMON
COMMON
OUTPUT COMMON INPUT OUTPUT COMMON INPUT
KCS (TO-220) PACKAGE (TOP VIEW)
OUTPUT
COMMON
OUTPUT COMMON INPUT
165
ORDERABLE PART NUMBER Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 20 Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 20 Reel of 2000 Tube of 50 Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 20 Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 20 Reel of 2000 Tube of 50 A7824CKC A7824CKTER A7824C A7815CKCS A7815C A7815CKC A7815CKTER A7815C A7812CKCS A7812C A7812CKC A7812CKTER A7812C A7810CKC A7810C A7810CKTER A7810C A7808CKCS A7808C A7808CKC A7808CKTER A7808C A7805CKCS A7805C A7805CKC A7805CKTER A7805C TOP-SIDE MARKING PACKAGE PowerFLEX (KTE) TO-220 (KC/KCS)
This series of fixed-voltage integrated-circuit voltage regulators is designed for a wide range of applications. These applications include on-card regulation for elimination of noise and distribution problems associated with single-point regulation. Each of these regulators can deliver up to 1.5 A of output current. The internal current-limiting and thermal-shutdown features of these regulators essentially make them immune to overload. In addition to use as fixed-voltage regulators, these devices can be used with external components to obtain adjustable output voltages and currents, and also can be used as the power-pass element in precision regulators.
COMMON
absolute maximum ratings over virtual junction temperature range (unless otherwise noted)
TJ
VO(NOM) (V)
PACKAGE
PowerFLEX (KTE)
TO-220 (KC)
Input voltage, VI: A7824C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V All others . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 V Operating virtual junction temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150C Lead temperature 1,6 mm (1/16 inch) from case for 10 seconds . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260C Storage temperature range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65C to 150C
Stresses beyond those listed under absolute maximum ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under recommended operating conditions is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
TO-220, short shoulder (KCS)
PowerFLEX (KTE)
TO-220 (KC)
PowerFLEX (KTE)
package thermal data (see Note 1)

BOARD High K, JESD 51-5 High K, JESD 51-5 qJC 3C/W 17C/W qJA 23C/W 19C/W qJP 3C/W
10
0C to 125C
TO-220 (KC)
PowerFLEX (KTE)
12
TO-220 (KC)
PowerFLEX (KTE)
15
TO-220 (KC)
NOTE 1: Maximum power dissipation is a function of TJ(max), JA, and TA. The maximum allowable power dissipation at any allowable ambient temperature is PD = (TJ(max) TA)/JA. Operating at the absolute maximum TJ of 150C can affect reliability. For packages with exposed thermal pads, such as QFN, PowerPAD, or PowerFLEX, JP is defined as the thermal resistance between the die junction and the bottom of the exposed pad.
PowerFLEX (KTE)
A7824C Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are available at www.ti.com/sc/package.
24
TO-220 (KC)
PowerFLEX is a trademark of Texas Instruments.
DALLAS, TEXAS 75265
DALLAS, TEXAS 75265
165
166

recommended operating conditions

MIN A7805C 7 PARAMETER MIN 7.7 7.6 6 2 55 25C 0C to 125C 0C to 125C 25C 25C 25C VI = 10.5 V to 25 V IO = 5 mA to 1 A 0C to 125C 25C 25C 450 2.2 72 12 4 0.016 0.8 52 2 4.3 Output voltage 0C to 125C 25C f = 120 Hz 0C to 125C Input voltage regulation A C Output voltage regulation Output resistance Temperature coefficient of output voltage Output noise voltage MAX 5.2 5.25 Bias current change mV Short-circuit output current Peak output current dB 100 50 mV/C V V 8 1.3 0.5 750 2.2 A mA mA Input voltage regulation Ripple rejection Output voltage regulation Output resistance Temperature coefficient of output voltage Output noise voltage Dropout voltage Bias current Bias current change Short-circuit output current Peak output current VI = 12.5 V to 28 V IO = 5 mA to 1 A Output voltage mA PARAMETER TEST CONDITIONS VI = 12.5 V to 25 V, TJ 25C IO = 5 mA to 1 A, PD 15 W VI = 12.5 V to 28 V VI = 14 V to 20 V f = 120 Hz IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz IO = 5 mA f = 10 Hz to 100 kHz IO = 1 A VI = 13 V to 23 V, IO = 5 mA to 1.5 A 0C to 125C 25C 0C to 125C 25C 0C to 125C 0C to 125C 25C 25C 25C 0C to 125C 25C 25C 400 2.2 55 MIN 9.6 9.5 mV 3 1 62 15 5 0.017 1.1 40 2 4.2 78 50 100 V Bias current UNIT Dropout voltage IO = 1 A IO = 5 mA f = 10 Hz to 100 kHz IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz Ripple rejection VI = 10.5 V to 23 V, 25C TEST CONDITIONS 10.5 12.5 14.5 17.5 27 1.5 A7800C series 0 125 VI = 11.5 V to 21.5 V, IO = 5 mA to 1.5 A 38 30 VI = 10.5 V to 25 V VI = 11 V to 17 V 30 V 28 IO = 5 mA to 1 A, PD 15 W 25 TJ 25 A7808C A7810C A7812C A7815C A7824C TYP 8 MAX UNIT A7808C
electrical characteristics at specified virtual junction temperature, VI = 14 V, IO = 500 mA (unless otherwise noted)
MAX 8.3 8.4 160 80 160 80 mV mV/C V V 8 1 0.5 mA mA mA mV dB V UNIT
VI
Input voltage
Output current
IO TJ
Operating virtual junction temperature
TJ MIN 4.8 4.75 5 TYP 25C 0C to 125C 25C f = 120 Hz 25C 0C to 125C 0C to 125C 25C 25C 25C 0C to 125C 25C 25C 0C to 125C A7805C
PARAMETER VI = 7 V to 20 V,
TEST CONDITIONS
Output voltage
IO = 5 mA to 1 A, PD 15 W
Input voltage regulation
VI = 7 V to 25 V VI = 8 V to 12 V
Ripple rejection
166
DALLAS, TEXAS 75265
3 4
Output voltage regulation
VI = 8 V to 18 V, IO = 5 mA to 1.5 A
A Pulse-testing techniques maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible. Thermal effects must be taken into account separately. All characteristics are measured with a 0.33-F capacitor across the input and a 0.1-F capacitor across the output.
Output resistance
IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz
Temperature coefficient of output voltage
A7810C TYP 10 10 7 2 71 12 4 0.018 1 70 2 4.3 8 1 0.5 mA mA A Pulse-testing techniques maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible. Thermal effects must be taken into account separately. All characteristics are measured with a 0.33-F capacitor across the input and a 0.1-F capacitor across the output. 200 100 mV mV/C V V mA MAX 10.4 10.5 200 100 mV dB V UNIT
Output noise voltage
IO = 5 mA f = 10 Hz to 100 kHz
Dropout voltage
IO = 1 A
Bias current
Bias current change
VI = 7 V to 25 V IO = 5 mA to 1 A
Short-circuit output current
Peak output current
Pulse-testing techniques maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible. Thermal effects must be taken into account separately. All characteristics are measured with a 0.33-F capacitor across the input and a 0.1-F capacitor across the output.
DALLAS, TEXAS 75265

TJ MIN 11.5 11.4 10 3 55 12 4 0.018 1 75 2 4.3 1 0.5 350 mA Short-circuit output current mA Bias current change VI = 27 V to 38 V IO = 5 mA to 1 A 8 mA Bias current V Dropout voltage IO = 1 A V Output noise voltage mV/C Temperature coefficient of output voltage IO = 5 mA f = 10 Hz to 100 kHz Output resistance 120 mV IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz Output voltage regulation 240 71 dB Ripple rejection f = 120 Hz VI = 28 V to 38 V, IO = 5 mA to 1.5 A 120 mV Input voltage regulation 240 VI = 27 V to 38 V VI = 30 V to 36 V 25C 0C to 125C 25C 0C to 125C 0C to 125C 25C 25C 25C 0C to 125C 25C 50 12.6 V Output voltage VI = 27 V to 38 V, IO = 5 mA to 1 A, PD 15 W 0C to 125C 12 12.5 25C TYP MAX UNIT PARAMETER TEST CONDITIONS 25C 0C to 125C 25C f = 120 Hz 25C 0C to 125C 0C to 125C 25C 25C 25C 0C to 125C 25C 0C to 125C A7812C TJ MIN 23 22.8
A7824C TYP 24 18 6 66 12 4 0.028 1.5 170 2 4.6 8 1 0.5 150 mA mA 480 240 mV mV/C V V mA MAX 25 25.2 480 240 mV dB V UNIT
PARAMETER VI = 14.5 V to 27 V,
TEST CONDITIONS
Output voltage
VI = 14.5 V to 30 V VI = 16 V to 22 V
Ripple rejection
VI = 15 V to 25 V, IO = 5 mA to 1.5 A
Output resistance
IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz
Dropout voltage
IO = 1 A
Bias current
Bias current change
VI = 14.5 V to 30 V IO = 5 mA to 1 A
Peak output current 25C 2.2 A Pulse-testing techniques maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible. Thermal effects must be taken into account separately. All characteristics are measured with a 0.33-F capacitor across the input and a 0.1-F capacitor across the output.
167
TJ MIN 14.4 14.25 11 3 54 12 4 0.019 1 90 2 4.4 1 0.5 230 mA mA 8 mA V V mV/C 150 mV 300 70 dB 150 mV 300 15.75 V 15 15.6 TYP MAX UNIT 25C 0C to 125C 25C f = 120 Hz 25C 0C to 125C 0C to 125C 25C 25C 25C 0C to 125C 25C 0C to 125C A7815C VI = 17.5 V to 30 V,
PARAMETER
TEST CONDITIONS
Output voltage
VI = 17.5 V to 30 V VI = 20 V to 26 V
Ripple rejection
VI = 18.5 V to 28.5 V, IO = 5 mA to 1.5 A
Output resistance
IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz
Dropout voltage
IO = 1 A
Bias current
Bias current change
VI = 17.5 V to 30 V IO = 5 mA to 1 A
DALLAS, TEXAS 75265
DALLAS, TEXAS 75265
167
168
LM193, LM293, LM293A LM393, LM393A, LM2903, LM2903V DUAL DIFFERENTIAL COMPARATORS
SLCS005S JUNE 1976 REVISED OCTOBER 2004 SLCS005S JUNE 1976 REVISED OCTOBER 2004
D Single Supply or Dual Supplies D Wide Range of Supply Voltage

TA PDIP (P) Tube of 75 SOIC (D) Reel of 2500 Reel of 2000 Tube of 150 TSSOP (PW) Reel of 2000 Reel of 2500 Tube of 50 Tube of 75 SOIC (D) 2 mV SOP (PS) TSSOP (PW) MSOP/VSSOP (DGK) PDIP (P) 5 mV 25C to 85C 2 mV 30 V 30 V SOIC (D) MSOP/VSSOP (DGK) SOIC (D) MSOP/VSSOP (DGK) PDIP (P) SOIC (D) 7 mV 40C to 125C 7 mV 32 V 30 V SOP (PS) TSSOP (PW) MSOP/VSSOP (DGK) SOIC (D) TSSOP (PW) 2 mV 32 V SOIC (D) TSSOP (PW) CDIP (JG) 55C to 125C 5 mV 30 V LCCC (FK) SOIC (D) 30 V Reel of 2500 Reel of 2000 Reel of 2000 Reel of 2500 Tube of 50 Tube of 75 Reel of 2500 Reel of 2500 Tube of 75 Reel of 2500 Reel of 2500 Tube of 50 Tube of 75 Reel of 2500 Reel of 2000 Reel of 2000 Reel of 2500 Reel of 2500 Reel of 2000 Reel of 2500 Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 55 Reel of 2500 LM193 . . . FK PACKAGE (TOP VIEW) 0C to 70C MSOP/VSSOP (DGK) PDIP (P) 5 mV 30 V SOP (PS) LM393DR LM393PSR LM393PW LM393PWR LM393DGKR LM393AP LM393AD LM393ADR LM393APSR LM393APWR LM393ADGKR LM293P LM293D LM293DR LM293DGKR LM293AD LM293ADR LM293ADGKR LM2903P LM2903D LM2903DR LM2903PSR LM2903PWR LM2903DGKR LM2903VQDR LM2903VQPWR LM2903AVQDR LM2903AVQPWR LM193JG LM193FK LM193DR LM293 MC_ L393 M9_ LM393D LM393 L393 Tube of 50 LM393P VIOmax AT 25C MAX VCC PACKAGE ORDERABLE PART NUMBER LM193 . . . D OR JG PACKAGE LM293 . . . D, DGK, OR P PACKAGE LM293A . . . D OR DGK PACKAGE LM393, LM393A . . . D, DGK, P, PS, OR PW PACKAGE LM2903 . . . D, DGK, P, PS, OR PW PACKAGE (TOP VIEW) 1 2 3 4 5 6 7
TOP-SIDE MARKING LM393P
D
1OUT 1IN 1IN+ GND
8
D D
VCC 2OUT 2IN 2IN+
NC 1OUT NC VCC NC
D D
3 2 4 5 6 7 8 14 9 10 11 12 13 15 16 17 1 20 19 18
LM393AP LM393A L393A L393A M8_ LM293P
D
NC 1IN NC 1IN+ NC NC GND NC 2IN+ NC NC 2OUT NC 2IN NC
D D
Max Rating . . . 2 V to 36 V Tested to 30 V . . . Non-V Devices Tested to 32 V . . . V-Suffix Devices Low Supply-Current Drain Independent of Supply Voltage . . . 0.4 mA Typ Per Comparator Low Input Bias Current . . . 25 nA Typ Low Input Offset Current . . . 3 nA Typ (LM193) Low Input Offset Voltage . . . 2 mV Typ Common-Mode Input Voltage Range Includes Ground Differential Input Voltage Range Equal to Maximum-Rated Supply Voltage . . . 36 V Low Output Saturation Voltage Output Compatible With TTL, MOS, and CMOS
168
On products compliant to MILPRF38535, all parameters are tested unless otherwise noted. On all other products, production processing does not necessarily include testing of all parameters.
LM293A MD_ LM2903P LM2903 L2903 L2903 MA_ L2903V L2903V L2903AV L2903AV LM193JG LM193FK
These devices consist of two independent voltage comparators that are designed to operate from a NC No internal connection single power supply over a wide range of voltages. Operation from dual supplies also is possible as long as the difference between the two supplies is 2 V to 36 V, and VCC is at least 1.5 V more positive than the input common-mode voltage. Current drain is independent of the supply voltage. The outputs can be connected to other open-collector outputs to achieve wired-AND relationships.
The LM193 is characterized for operation from 55C to 125C. The LM293 and LM293A are characterized for operation from 25C to 85C. The LM393 and LM393A are characterized for operation from 0C to 70C. The LM2903 is characterized for operation from 40C to 125C.
LM193 Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are available at www.ti.com/sc/package. The actual top-side marking has one additional character that designates the assembly/test site.
DALLAS, TEXAS 75265
DALLAS, TEXAS 75265
symbol (each comparator)

OUT PARAMETER MIN 25C 2 9 3 25 25 100 100 300 0 to VCC 1.5 0 to VCC 2 25C 25C Full range 25C VID = 1 V VID = 1 V VCC = 5 V VCC = 30 V Full range 25C 25C 6 0.8 1 150 50 200 0.1 1 400 700 6 0 to VCC 1.5 0 to VCC 2 50 5 Full range 25C Full range 25C Full range 25C Full range VCC VIO Input offset voltage TYP MAX TEST CONDITIONS TA LM193 MIN
electrical characteristics at specified free-air temperature, VCC = 5 V (unless otherwise noted)

LM293 LM393 TYP 2 MAX 5 mV 9 5 25 50 250 250 400 nA nA UNIT
IN+
IN VCC = 5 V to 30 V, VO = 1.4 V, VIC = VIC(min) VO = 1.4 V VO = 1.4 V
schematic (each comparator)
80-A Current Regulator IIO 10 A COMPONENT COUNT IIB Input bias current 80 A Input offset current
10 A
60 A
IN+ OUT VICR
Epi-FET Diodes Resistors Transistors 1 2 2 30 Common-mode input voltage range
IN AVD Large-signal differential-voltage amplification High-level output current VOH = 30 V, IOL = 4 mA, VOL = 1.5 V, Low-level output voltage Low-level output current VID = 1 V
200 0.1 150 50 1 400 700
V/mV nA A mV mA 0.8 1
GND VOL IOL
IOH
VCC = 15 V, VO = 1.4 V to 11.4 V, RL 15 k to VCC VOH = 5 V, VID = 1 V
Current values shown are nominal.
169
DALLAS, TEXAS 75265
3 4
absolute maximum ratings over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
Supply voltage, VCC (see Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V Differential input voltage, VID (see Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V Input voltage range, VI (either input) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3 V to 36 V Output voltage, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V Output current, IO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 mA Duration of output short-circuit to ground (see Note 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Unlimited Package thermal impedance, JA (see Notes 4 and 5): D package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97C/W DGK package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172C/W P package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85C/W PS package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95C/W PW package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149C/W Package thermal impedance, JC (see Notes 6 and 7): FK package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.61C/W JG package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.5C/W Operating virtual junction temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150C Case temperature for 60 seconds: FK package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260C Lead temperature 1,6 mm (1/16 inch) from case for 60 seconds: JG package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300C Storage temperature range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65C to 150C
ICC Supply current RL = mA Full range 2.5 2.5 Full range (MIN or MAX) for LM193 is 55C to 125C, for LM293 is 25C to 85C, and for LM393 is 0C to 70C. All characteristics are measured with zero common-mode input voltage, unless otherwise specified. The voltage at either input or common-mode should not be allowed to go negative by more than 0.3 V. The upper end of the common-mode voltage range is VCC+ 1.5 V, but either or both inputs can go to 30 V without damage.
Stresses beyond those listed under absolute maximum ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under recommended operating conditions is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. NOTES: 1. All voltage values, except differential voltages, are with respect to GND. 2. Differential voltages are at IN+, with respect to IN. 3. Short circuits from outputs to VCC can cause excessive heating and eventual destruction. 4. Maximum power dissipation is a function of TJ(max), JA, and TA. The maximum allowable power dissipation at any allowable ambient temperature is PD = (TJ(max) TA)/JA. Operating at the absolute maximum TJ of 150C can affect reliability. 5. The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7. 6. Maximum power dissipation is a function of TJ(max), JC, and TC. The maximum allowable power dissipation at any allowable case temperature is PD = (TJ(max) TC)/JC. Operating at the absolute maximum TJ of 150C can affect reliability. 7. The package thermal impedance is calculated in accordance with MIL-STD-883.
DALLAS, TEXAS 75265
169
170

LM2903 MIN 2 15 5 200 25 250 500 0 to VCC 1.5 0 to VCC 2 25 100 0.1 Full range 25C Full range 25C VID = 1 V VCC = 5 V VCC = MAX 25C 6 0.8 1 150 50 1 400 700 6 0.8 150 0 to VCC 1.5 0 to VCC 2 25 100 0.1 25 50 5 7 TYP MAX MIN TYP 1 LM2903A TA UNIT MAX 25C Full range 25C Full range 25C Full range 25C Full range 2 4 5 150 25 400 0 to VCC 1.5 V VICR Common-mode input voltage range 0 to VCC 2 50 AVD 0.1 1 IOH VOH = VCC MAX, VID = 1 V IOL = 4 mA, VOL = 1.5 V, VID = 1 V VOL IOL Low-level output current Low-level output voltage 150 700 6 0.8 1 mA mV 400 A High-level output current 50 nA 200 V/mV Large-signal differential-voltage amplification 25C 25C nA IIB Input bias current VO = 1.4 V 250 nA IIO Input offset current VO = 1.4 V 50 mV VIO Input offset voltage VCC = 5 V to MAX, VO = 1.4 V, VIC = VIC(min) MIN 25C 1 Full range 25C Full range 25C Full range 25C Full range 25C 25C Full range 25C Full range 25C 25C TYP LM293A LM393A PARAMETER TEST CONDITIONS TA

MAX 2 mV 4 50 200 250 500 nA nA UNIT
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VIO
Input offset voltage
VCC = 5 V to 30 V, VO = 1.4 V, VIC = VIC(min)
IIO
Input offset current
VO = 1.4 V
IIB
Input bias current
VO = 1.4 V
VICR
AVD VID = 1 V VID = 1 V VID = 1 V
Large-signal differential-voltage amplification
VCC = 15 V, VO = 1.4 V to 11.4 V, RL 15 k to VCC
V/mV 50 1 400 700 mV mA 1 nA A
IOH
High-level output current
VOH = 5 V, VOH = 30 V,
VCC = 15 V, VO = 1.4 V to 11.4 V, RL 15 k to VCC VOH = 5 V, VID = 1 V
VOL VID = 1 V VCC = 5 V
Low-level output voltage
IOL = 4 mA,
IOL
Low-level output current
VOL = 1.5 V,
170
PARAMETER Response time
mA VCC = 30 V Full range 2.5 Full range (MIN or MAX) for LM293A is 25C to 85C, and for LM393A is 0C to 70C. All characteristics are measured with zero common-mode input voltage, unless otherwise specified. The voltage at either input or common-mode should not be allowed to go negative by more than 0.3 V. The upper end of the common-mode voltage range is VCC+ 1.5 V, but either or both inputs can go to 30 V without damage.
ICC
Supply current
RL =
ICC Supply current RL = mA Full range 2.5 2.5 Full range (MIN or MAX) for LM2903 is 40C to 125C. All characteristics are measured with zero common-mode input voltage, unless otherwise specified. VCC MAX = 30 V for non-V devices and 32 V for V-suffix devices. The voltage at either input or common-mode should not be allowed to go negative by more than 0.3 V. The upper end of the common-mode voltage range is VCC+ 1.5 V, but either or both inputs can go to 30 V (32 V for V-suffix devices) without damage.
switching characteristics, VCC = 5 V, TA = 25C
TEST CONDITIONS
LM193 LM293, LM293A LM393, LM393A LM2903 TYP 100-mV input step with 5-mV overdrive RL connected to 5 V through 5.1 k, CL = 15 pF, See Note 8 TTL-level input step 1.3
UNIT
0.3 CL includes probe and jig capacitance. NOTE 8: The response time specified is the interval between the input step function and the instant when the output crosses 1.4 V.
DALLAS, TEXAS 75265
DALLAS, TEXAS 75265
INTEGRATED CIRCUITS
Product specication
12-stage binary counter

DESCRIPTION
HEF4040B MSI
DATA SHEET
The HEF4040B is a 12-stage binary ripple counter with a clock input (CP), an overriding asynchronous master reset input (MR) and twelve fully buffered outputs (O0 to O11). The counter advances on the HIGH to LOW transition of CP. A HIGH on MR clears all counter stages and forces all outputs LOW, independent of CP. Each counter stage is a static toggle flip-flop. Schmitt-trigger action in the clock input makes the circuit highly tolerant to slower clock rise and fall times.
For a complete data sheet, please also download:
The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Family Specifications HEF, HEC The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Package Outlines/Information HEF, HEC
171
Fig.1 Functional diagram. PINNING CP MR O0 to O11 clock input (HIGH to LOW edge-triggered) master reset input (active HIGH) parallel outputs APPLICATION INFORMATION Some examples of applications for the HEF4040B are: Frequency dividing circuits Time delay circuits Fig.2 Pinning diagram. Control counters FAMILY DATA, IDD LIMITS category MSI HEF4040BP(N): HEF4040BD(F): HEF4040BT(D): 16-lead DIL; plastic (SOT38-1) 16-lead DIL; ceramic (cerdip) (SOT74) 16-lead SO; plastic (SOT109-1) ( ): Package Designator North America See Family Specifications
HEF4040B MSI 12-stage binary counter

January 1995
Product specication File under Integrated Circuits, IC04
January 1995
171
172
Product specication
Product specication
HEF4040B MSI 12-stage binary counter

VDD V SYMBOL 50 tWCPH 20 40 tWMRH 30 20 40 tRMR 30 20 10 fmax 15 25 10 20 15 10 20 30 50 15 20 10 ns ns ns ns ns ns ns MHz MHz MHz 30 15 ns 25 ns MIN. TYP. MAX. Minimum clock pulse width; HIGH 15 Minimum MR pulse width; HIGH 15 Recovery time for MR 15 Maximum clock pulse frequency Fig.3 Logic diagram. 15 Note 1. For other loads than 50 pF at the nth output, use the slope given. 10 5 10 5 10 5 10 5
HEF4040B MSI
TYPICAL EXTRAPOLATION FORMULA
see also waveforms Fig.4
172
MIN. TYP. MAX. Dynamic power 105 + + + + + + (0,55 ns/pF) CL (0,23 ns/pF) CL (0,16 ns/pF) CL (0,55 ns/pF) CL (0,23 ns/pF) CL (0,16 ns/pF) CL + + + + + + + + + (0,16 ns/pF) CL (1,0 ns/pF) CL (0,42 ns/pF) CL (0,28 ns/pF) CL (1,0 ns/pF) CL (0,42 ns/pF) CL (0,28 ns/pF) CL January 1995 (0,23 ns/pF) CL (0,55 ns/pF) CL (0,16 ns/pF) CL (0,23 ns/pF) CL (0,55 ns/pF) CL (0,16 ns/pF) CL (0,23 ns/pF) CL 45 35 85 40 30 35 15 10 35 15 10 90 40 30 60 30 20 60 30 20 3 40 ns 6 ns 60 ns 9 ns 120 ns 10 ns 40 ns 6 ns 60 ns 9 ns 120 ns 10 ns 60 ns 22 ns 80 ns 29 ns 180 ns 63 ns 20 ns note 1 30 ns note 1 70 ns note 1 20 ns note 1 30 ns note 1 70 ns note 1 60 ns 22 ns 80 ns 29 ns 170 ns 58 ns 70 ns 27 ns 90 ns 34 ns 210 ns 78 ns (0,55 ns/pF) CL dissipation per package (P) TYPICAL EXTRAPOLATION FORMULA VDD V 5 10 15
AC CHARACTERISTICS VSS = 0 V; Tamb = 25 C; CL = 50 pF; input transition times 20 ns
VDD V
SYMBOL
TYPICAL FORMULA FOR P (W) 400 fi + (foCL) VDD2 2 000 fi + (foCL) VDD2 5 200 fi + (foCL) VDD2 where fi = input freq. (MHz) fo = output freq. (MHz) CL = load cap. (pF) (foCL) = sum of outputs VDD = supply voltage (V)
Propagation delays
CP O0
HIGH to LOW
10
tPHL
15
LOW to HIGH
10
tPLH
15
On On + 1
HIGH to LOW
10
tPHL
15
LOW to HIGH
10
tPLH
15
MR On
HIGH to LOW
10
tPHL
15
Output transition times
HIGH to LOW
10
tTHL
15
LOW to HIGH
10
tTLH
15
January 1995
Product specication
HEF4040B MSI
173
5
Fig.4
Waveforms showing propagation delays for MR to On and CP to O0, minimum MR and CP pulse widths.
January 1995
173
174
INTEGRATED CIRCUITS
Product specication
Dual 4-input AND gate

DESCRIPTION The HEF4082B provides the positive dual 4-input AND function. The outputs are fully buffered for highest noise immunity and pattern insensitivity of output impedance.
HEF4082B gates
DATA SHEET

Fig.2 Pinning diagram.
HEF4082BP(N): HEF4082BD(F): HEF4082BT(D): Fig.1 Functional diagram.
14-lead DIL; plastic (SOT27-1) 14-lead DIL; ceramic (cerdip) (SOT73) 14-lead SO; plastic (SOT108-1) ( ): Package Designator North America
174
January 1995
FAMILY DATA, IDD LIMITS category GATES See Family Specifications January 1995 2
HEF4082B gates Dual 4-input AND gate

Fig.3 Logic diagram (one gate).
Product specication
Dual 4-input AND gate
HEF4082B gates
AC CHARACTERISTICS VSS = 0 V; Tamb = 25 C; CL = 50 pF; input transition times 20 ns SYMBOL 65 tPHL; tPLH 25 60 tTHL 30 20 60 tTLH 20 40 ns 6 ns + (0,28 ns/pF) CL 30 60 ns 9 ns + (0,42 ns/pF) CL 120 ns 10 ns + (1,0 ns/pF) CL 40 ns 6 ns + (0,28 ns/pF) CL 60 ns 9 ns + (0,42 ns/pF) CL 120 ns 10 ns + (1,0 ns/pF) CL 45 ns 17 ns + (0,16 ns/pF) CL 30 60 ns 19 ns + (0,23 ns/pF) CL 125 ns 38 ns + (0,55 ns/pF) CL TYP. MAX. TYPICAL EXTRAPOLATION FORMULA
VDD V
Propagation delays
In On
10
15
Output transition times
HIGH to LOW
10
15
LOW to HIGH
10
15
175
TYPICAL FORMULA FOR P (W) 1500 fi + (foCL) VDD 2 where fi = input freq. (MHz) fo = output freq. (MHz) CL = load capacitance (pF) (foCL) = sum of outputs VDD = supply voltage (V) 6700 fi + (foCL) VDD 2 16 800 fi + (foCL) VDD 2 3
VDD V
Dynamic power
dissipation per
10
package (P)
15
January 1995
175
176
INTEGRATED CIRCUITS
Product specication
Quadruple bilateral switches

DESCRIPTION The HEF4066B has four independent bilateral analogue switches (transmission gates). Each switch has two input/output terminals (Y/Z) and an active HIGH enable input (E). When E is connected to VDD a low impedance bidirectional path between Y and Z is established (ON condition). When E is connected to VSS the switch is
HEF4066B gates
disabled and a high impedance between Y and Z is established (OFF condition). The HEF4066B is pin compatible with the HEF4016B but exhibits a much lower ON resistance. In addition the ON resistance is relatively constant over the full input signal range.
DATA SHEET
176
Fig.1 Functional diagram. Fig.2 Pinning diagram. PINNING HEF4066BP(N): 14-lead DIL; plastic (SOT27-1) HEF4066BD(F): 14-lead DIL; ceramic (cerdip) (SOT73)) HEF4066BT(D): 14-lead SO; plastic (SOT108-1) ( ): Package Designator North America APPLICATION INFORMATION An example of application for the HEF4066B is: Analogue and digital switching E0 to E3 Y0 to Y3 Z0 to Z3 enable inputs input/output terminals input/output terminals
HEF4066B gates Quadruple bilateral switches

January 1995
Fig.3 Schematic diagram (one switch).
January 1995
Product specication
Product specication
HEF4066B gates
RATINGS Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134) P max. 100 mW
Power dissipation per switch
For other RATINGS see Family Specications
DC CHARACTERISTICS Tamb = 25 C MIN. 6,75 2 V 4,50 2 V Iis = 10 A see Fig.9 2,25 1 V 200 nA nA En at VSS nA 5 see Fig.4 10 Vis = VSS to VDD 25 En at VDD 50 155 see Fig.4 65 200 Vis = VDD 120 365 En at VDD 40 115 see Fig.4 50 160 Vis = VSS 115 340 En at VDD 60 175 see Fig.4 Fig.4 Test set-up for measuring RON. 80 245 Vis = VSS to VDD 350 2500 En at VDD TYP. MAX. CONDITIONS
VDD V
SYMBOL
ON resistance
10
RON
15
ON resistance
10
RON
15
177
Tamb (c) 40 MAX. MAX. 1,0 2,0 4,0 300 1000 nA 4,0 30,0 A 2,0 15,0 A VI = VSS or VDD En at VSS or VDD NOTE 1,0 7,5 A VSS = 0; all valid input combinations; MAX. +25 +85 CONDITIONS
En at VDD Iis = 200 A VSS = 0 V
ON resistance
10
RON
15
ON resistance
between any two
10
RON
channels
15
OFF state leakage
current, any
10
IOZ
channel OFF
15
En input voltage
LOW
10
VIL
15
VDD V
SYMBOL
Quiescent device
current
10
IDD
15
Input leakage current at En
15
IIN
Fig.5 Typical RON as a function of input voltage.
To avoid drawing VDD current out of terminal Z, when switch current flows into terminals Y, the voltage drop across the bidirectional switch must not exceed 0,4 V. If the switch current flows into terminal Z, no VDD current will flow out of terminals Y, in this case there is no limit for the voltage drop across the switch, but the voltages at Y and Z may not exceed VDD or VSS. 3 January 1995 4
January 1995
177
178
Product specication
Product specication
HEF4066B gates
AC CHARACTERISTICS (1), (2) VSS = 0 V; Tamb = 25 C; input transition times 20 ns TYP. Dynamic power dissipation per 10 package (P) note 3 15 5 5 10 5 5 80 65 60 80 70 70 40 20 15 45 20 15 0,25 0,04 0,04 1 50 1 90 MHz Fig.6 MHz note 9 MHz MHz MHz note 8 MHz mV mV note 7 mV MHz MHz note 6 MHz % % note 5 % 30 ns 40 ns note 4 90 ns 30 ns 40 ns note 4 80 ns 140 ns 140 ns note 4 160 ns 120 ns 130 ns note 4 160 ns 10 ns Notes 1. Vis is the input voltage at a Y or Z terminal, whichever is assigned as input. 2. Vos is the output voltage at a Y or Z terminal, whichever is assigned as output. 10 ns note 3 20 ns 10 ns 10 ns 20 ns 10 100 fi + (foCL) VDD 2 10 3 500 fi + (foCL) VDD 2 5 800 fi + (foCL) VDD 2 MAX. VDD V TYPICAL FORMULA FOR P (W) where
VDD V
SYMBOL
Propagation delays
fi = input freq. (MHz) fo = output freq. (MHz) CL = load capacitance (pF) (foCL) = sum of outputs VDD = supply voltage (V)
Vis Vos
HIGH to LOW
10
tPHL
15
LOW to HIGH
10
tPLH
15
Output disable times
En Vos
HIGH
10
tPHZ
3. RL = 10 k to VSS; CL = 50 pF to VSS; En = VDD; Vis = VDD (square-wave); see Figs 6 and 10.
15
178
V os - = -3 dB; see Fig. 7. 20 log -------V is 5 January 1995
4. RL = 10 k; CL = 50 pF to VSS; En = VDD (square-wave); Vis = VDD and RL to VSS for tPHZ and tPZH; Vis = VSS and RL to VDD for tPLZ and tPZL; see Figs 6 and 11. 5. RL = 10 k; CL = 15 pF; En = VDD; Vis = 12 VDD(p-p) (sine-wave, symmetrical about 12 VDD); fis = 1 kHz; see Fig.7. 6. RL = 1 k; Vis = 12 VDD(p-p) (sine-wave, symmetrical about 12 VDD); V os (B) - = -50 dB; E n (A) = V SS ; E n ( B ) = V DD ; see Fig. 8. 20 log -----------------V is ( A ) 7. RL = 10 k to VSS; CL = 15 pF to VSS; En = VDD (square-wave); crosstalk is Vos (peak value); see Fig.6. 8. RL = 1 k; CL = 5 pF; En = VSS; Vis = 12 VDD(p-p) (sine-wave, symmetrical about 12 VDD); V os - = -50 dB; see Fig. 7. 20 log -------V is 9. RL = 1 k; CL = 5 pF; En = VDD; Vis = 12 VDD(p-p) (sine-wave, symmetrical about 12 VDD);
LOW
10
tPLZ
15
Output enable times
En Vos
HIGH
10
tPZH
15
LOW
10
tPZL
15
Distortion, sine-wave
response
10
15
Crosstalk between
any two channels
10
15
Crosstalk; enable
input to output
10
15
OFF-state
feed-through
10
15
ON-state frequency
response
10
15
Fig.7
January 1995
Bibliographie
[Bes-a.] R. Besson, Technologie des composants electroniques, Tome 1, Editions Radio. [Bes-b.] R. Besson, Technologie des composants electroniques, Tome 2, Editions Radio. [Man.] D. Mange, Analyse et synth` ese des syst` emes logiques. [Fer.] J.P. Ferrieux, F. Forest Alimentation ` a d ecoupage, convertisseurs ` a r esonance . [Mal.] Albert Paul Malvino, Principes d electronique, McGraw-Hill. [Grab.] Bogdan Grabowski, Les fonctions de lElectronique. [Cam et al.] C. Le Cam, K. Hart, C. de Ruyter, Le transistor ` a jonctions en commutation. [LC.] R. Lyon-Caen, Circuits int egr es logiques. [Leta.] P. Letarq, G. Key, Physique des composants actifs ` a semi conducteurs. [May.] [10] P. May e, Les circuits int egr es analogiques, Connaissance et pratique. [Gar-a.] Ph. Garderet Electronique, Tome 1. [Gar-b.] Ph. Garderet, Electronique, Tome 2.
179

Electronique Cours

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Electronique Cours

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

2006 2007

ECOLE CENTRALE DE NANTES

Table des mati` eres

` TABLE DES MATIERES

` TABLE DES MATIERES

` TABLE DES MATIERES

Table des gures

Transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Transistor PNP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

TABLE DES FIGURES

Liste des tableaux

C.1 Tableau r ecapitulatif. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145

LISTE DES TABLEAUX

Organisation : Cours, TD, TA et TP.

A.1.4 A.2.2 A.3.2 A.3.4 A.4.2 A.4.4 A.5.1 - Question 2. A.6.1

Tab. 1.1 Emploi du temps Cours/TD.

Travaux en Autonomie (TA)

Travaux Pratiques (TP)

2.2. Transform ee de Laplace

Gmoy = 0 et Gmax = Geff 2

Sa T L aF (s) + bG(s) sF (s) f (0)

Tab. 2.1 Propri et es de la T L.

Dans la suite on notera la transform ee de Laplace par T L

Fig. 2.1 Utilisation de la T L

Exemple dun circuit RL s erie, o` u u(t) et i(0) sont donn es ;

22 En posant = L/R, on obtient : I (s) = 1 U (s) + i(0) L 1 + s 1 + s

2.2. Transform ee de Laplace

On a donc : u(t) = E Lu = U(s) =

Stabilit e dun syst` eme (non d emontr e)

Un exemple de syst` eme non causal : la commutation dune charge inductive

Soit le montage de la gure 2.3 :

Fig. 2.3 Commutation dune charge inductive.

R eponse harmonique : e(t) est sinuso dal

2.2. Transform ee de Laplace

Quelques fonctions et leurs transform ees de Laplace

Tab. 2.2 T L usuels.

En dautres termes : 1 (t)

Dip oles et Quadrip oles

Fig. 3.1 Dip ole passif.

Fig. 3.2 Dip ole actif.

Les dip oles lin eaires passifs

Capacit e pure C C du dt I (s) = CsU (s) Cu(0)

U (s) = LsI (s) Li(0)

Tab. 3.1 Dip oles passifs.

3.1. Dip oles

Les dip oles actifs

Rint = du dt 3.1.2.2 G en erateurs de tensions et de courants

R esistance interne nulle

Caract eris e par E et Rint

R esistance interne innie

Caract eris e par Icc et Rint

Tab. 3.2 Dip oles actifs.

Conversion entre g en erateurs de tension et de courant

G en erateur de courant r eel g en erateur de tension : 26

3. Dip oles et Quadrip oles

Th eor` eme de Millman

Comment calculer les caract eristiques de ce dip ole ?

Puissance consomm ee par un dip ole

3.1. Dip oles

Deux dip oles tr` es particuliers

Nullateur (gure 3.4)

Fig. 3.3 Repr esentation dun norateur.

Fig. 3.4 Repr esentation dun nullateur.

3. Dip oles et Quadrip oles

Les conventions de signe adopt ees dans ce cours sont :