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04extrait Physique Electronique PDF
04extrait Physique Electronique PDF
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Les liens hypertexte permettent une connexion directe sur des pages prcises. Ils apparaissent en bleu soulign
avant davoir t visits et en rouge soulign aprs.
Une liste des constantes physiques et des caractristiques des diffrents matriaux semi-conducteurs est accessible
pour la rdaction des exercices.
La liste des symboles permet dexpliciter chacun dentre eux. Elle renvoie systmatiquement la page dou lon vient.
Plan Gnral
Du Sable la
Puce
Michel DAURIE
Plan Gnral
Physique Electronique
Introduction
Bienvenue
Dmarche Pdagogique
Objectifs
Position du problme
Un point dhistoire
Constantes
Bienvenue
Cest une approche graduelle de la physique des composants permettant une bonne
comprhension de leur fonctionnement ainsi que des limitations des circuits dans lesquels
ils sont utiliss.
Plan Gnral
Dmarche Pdagogique
Ce support de formation a t conu dans le cadre dune pdagogie par objectifs.
Il repose sur un cours plusieurs niveaux et des exercices reprsentatifs de lensemble du savoir et du savoir faire acqurir.
Le 1er niveau est ncessaire la ralisation des exercices.
Les niveaux suivants correspondent des approfondissements accessibles laide de liens hypertextes; ils ne
sont pas indispensables en 1re lecture mais permettent dacqurir une vision plus globale de la discipline et font partie de la
connaissance ncessaire un Ingnieur.
Plan Gnral
Objectifs du Cours
Lobjectif gnral de ce cours est de comprendre le fonctionnement des
composants semi-conducteurs. Il doit permettre de savoir Dimensionner un
composant en vue dune application prcise et de comprendre les limitations
inhrentes ce dimensionnement.
Les objectifs du premier chapitre sont:
tudier les caractristiques des matriaux semi-conducteurs permettant dtablir les relations
explicitant le fonctionnement des composants actifs.
Les objectifs du deuxime chapitre sont:
Dcrire et caractriser la jonction P-N (diode) afin de pouvoir en tablir un modle utilisable dans les
circuits et donner des exemples dapplications.
Les objectifs du troisime chapitre sont:
tudier les composants actifs que sont le transistor J-FET et le transistor bipolaire dans loptique de
relier leurs performances aux caractristiques gomtriques et technologiques.
Les objectifs du quatrime chapitre sont:
tudier la structure M I S afin dexpliciter le fonctionnement du transistor M O S et de le caractriser.
Plan Gnral
Position du problme
La rsolution dun problme passe gnralement par la rponse trois questions qui sont illustres ci dessous.
De quoi est-ce
que je dispose?
- De quoi est ce que je dispose? Ce sont gnralement toutes les donnes ou des constantes physiques, lectriquesetc.
( e r)
Ge
Si
As Ga
0,66
1,12
1,43
1,04 10 19
6,1 10 19
2,8 10 19
1,02 10 19
4,7 10 17
7 10 18
2,4 10 13
1,6 10 10
1,1 10 7
3900
1900
1500
600
8500
400
16
11,8
10,9
~ 10
~ 30
~ 40
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Un point dhistoire
Lhistoire de la Physique des Composants et des Circuits Intgrs qui en sont un des aboutissements peut se
dcomposer en plusieurs phases.
-1833
FARADAY
WILLOUGBY-SMITH
Ferdinand BRAUN
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Un point dhistoire
1935
SCHOTTKY et MOTT
Dcouverte de la barrire de potentiel
1939
SCHOTTKY et SPENKE
Dcouverte de la couche dinversion
K.L HOROWITZ
Mise au point du JFET
Caractrisation totale du Germanium
1947
BRATTAIN et BARDEEN
Dcouverte du transistor pointe
Plan Gnral
Un point dhistoire
Plan Gnral
Un point dhistoire
Plan Gnral
Plan Gnral
Le Matriau
1-A:Le
Matriau
semi-conducteur
semi-conducteur
Intrinsque
Intrinsque
1 - tats nergtiques des lectrons dans un atome
de faon discontinue (quantification de lnergie). Ceux-ci ne peuvent donc occuper quune suite discrte dtats caractriss par les valeurs
correspondantes de quatre nombres quantiques.
Les diffrents tats possibles sont figurs par des droites horizontales positionnes par rapport un axe gradu. Le niveau 0 en
nergie se situe linfini.
E
E1
E2
2p6
2s2
2 pour le niveau s
6 pour le niveau p
E = hn
On peut donc, partir de ces considrations, dresser un tableau faisant apparatre le nombre dlectrons possibles par couche
Couche
K
L
n
1
2
Exemple:
Sous couche
s
s
p
s
p
d
s
p
d
f
l
0
0
1
0
1
2
0
1
2
3
m
0
0
-1, 0, 1
0
-1, 0, 1
-2, -1, 0, 1, 2
0
-1, 0, 1
-2, -1, 0, 1, 2
-3, -2, -1, 0,1,2,3
+1/2, -1/2
+1/2, -1/2
+1/2, -1/2
+1/2, -1/2
Nombre dtats
quantiques
1
1
3
1
3
5
1
3
5
7
Nombre dlectrons
par tat
2
2
6
2
6
10
2
6
10
14
Nombre dlectrons
par couche
2
8
18
32
Hydrogne
Z=1 (1 lectron)
Couche incomplte
1s1
Hlium
Z=2 (2 lectrons)
n=1, l= 0, m=0
Couche complte
1s2
Bore
Z=5 (5 lectrons)
Silicium
E
Bande
dnergie
d0
La distance inter-atomique d0 correspondant la maille lmentaire du cristal dfinit la largeur de la bande permise. Ceci se
produit pour des distances inter-atomiques faibles (de lordre de quelques angstrms) correspondant aux principaux
matriaux.
Plan Gnral
2p
Bande Permise
2s
Bande Interdite
Bande Permise
d0
Pour visualiser le cas du Diamant, cliquer ici
Distance inter-atomique
On remarque donc lapparition de deux bandes permises spares par une bande interdite.
b)-Isolants, Semi-conducteurs, Mtaux
La diffrence entre ces trois lments tient essentiellement la structure de bandes de la couche externe.
Mtal
Semi-conducteur ou isolant
Gap
dM
dsc ou di
Plan Gnral
Cas du Diamant
Le Diamant est constitu de Carbone pur cristallis. Sa formule atomique est: 1s2 2s2 2p2. Les niveaux 2s et 2p correspondant la couche
externe sont appels niveaux de valence . Ils peuvent accepter au total 8 lectrons: 2 sur le niveau 2s, 6 sur le niveau 2p.
Latome de Carbone nen possdant que quatre, peut donc en accepter Quatre de plus et
donc se lier avec quatre atomes voisins afin de former un cristal. La couche externe sera
Atome de Carbone
donc une couche pleine.
Lorsquon met en prsence un grand nombre (N) datomes de mme type et quon les
rapproche, pour des distances suffisamment faible on constate lapparition des bandes
dnergie. Lorsque la distance devient infrieure d1, les bandes se chevauchent. Les N
niveaux 2p de la bande suprieure passent dans les niveaux 2s. Si on continue a
rapprocher les atomes, les bandes se sparent nouveau (voir figure ci dessous).
Pour la distance inter-atomique relle d2 de ce cristal, les 2N niveaux de la bande
infrieure (bande de valence) sont pleins 0K alors que les 2N niveaux 2p de la bande
suprieure (bande de conduction) sont vides.Ces deux bandes sont spares par une bande
Interdite.
lectrons 1s (2)
lectrons 2s, 2p (4): Niveau de Valence
2N niveaux 2p libres
Bande de Conduction
3N niveaux 2p
EC
Bande Interdite
EV
2N niveaux (N 2s, N2p occups)
Bande de Valence
2N niveaux 2s
d2
d1
Il existe donc un seuil dnergie au dessous duquel le matriau se comporte comme un isolant. Ce seuil correspond au Gap :
EG = EC EV
Suivant sa valeur, le matriau pourra tre Isolant ou semi-conducteur.
(Ge)
0,67 eV
Silicium
(Si)
1,12 eV
Arsniure de Gallium
(As Ga)
1,40 eV
Diamant
Semi-conducteurs
Isolant
6,00 eV
Dans le cas des isolants, lnergie ncessaire pour faire passer un lectron dans un tat excit est suprieure celle assurant la
cohsion du cristal. De ce fait, il y aura destruction du matriau avant que de pouvoir gnrer des lectrons libres.
Plan Gnral
E m
kT
__
n n exp
__
nn
__
1
E m
1exp
kT
n n
1
E m
exp
1
kT
Le cas qui nous intresse correspond celui des lectrons et suit donc la statistique de FERMI-DIRAC.
La probabilit de prsence dun lectron sur un niveau nergtique E sera note
(E)
1
E E F
1exp
kT
Cette expression fait apparatre un niveau nergtique EF qui correspond une probabilit de prsence gale :
(E F) 1
2
Ce niveau correspond, au zro absolu, la sparation entre les niveaux vides et les niveaux pleins. On parle parfois dnergie
moyenne ou de taux moyen de remplissage .
Plan Gnral
(E)
T = 0 K
1
T1
Pour T2 > TI
T2 > T1
EF
Dans le cas de matriaux semi-conducteurs, on peut assurer que le niveau de FERMI se trouve dans la bande interdite. En effet, au
zro degr absolu, la bande de valence est pleine et la bande de conduction vide;
f
f
(EC)0
n
(EV)1
n
Exemple du Silicium:
EG = 1,12 eV
k = 8,619 10
eV/k
(E C)
5,35 10 36
80 K
3,92 10 10
300 K
5,36 10
EC
1,12 eV
EF
EV
450 K
Ces probabilits de prsence sont donc trs faibles et varient normment en fonction de la temprature.
Plan Gnral
E E F
exp
kT
est toujours trs grand devant 1. On peut donc simplifier la fonction probabilit de prsence qui devient
(E)
1
E E F
1exp
kT
=====
E E F
(E) exp
kT
lectron
Supposons en effet que lon apporte au matriau une nergie E > EG. La
radiation va changer son nergie avec le matriau et permettre de faire
passer un lectron de la bande de valence vers la bande de conduction. Ce
dpart va donner naissance un trou dans la bande de valence.
lectron
Si
Trou
EC
E > EG
EF
EV
trou
__
Calcul de la densit des porteurs dans les bandes permises, lquilibre thermodynamique.
Lexistence dun porteur, dans un matriau, doit satisfaire simultanment deux contraintes:
- probabilit de prsence non nulle,
- nombre dtats possibles non nul.
Si nous nous plaons dans la bande de conduction, nous pouvons crire, autour dune nergie E:
__
d n n(E)* (E)
fn
dE
Le nombre dlectrons sen dduit par une intgration. Sur la bande de conduction.
_
_
d
n
n n(E)* f n(E) dE
EC
EC
Plan Gnral
dE
exp ( ECEF )
kT
3
N = 23 *(2 m k T) 2
h
(E c)
Tout se passe comme si la bande de conduction se ramenait un seul niveau nergtique dnergie E C
possdant N tats possibles.
On obtient un rsultat analogue pour les trous en changeant EC EF par EF EV.
Ces relations sont toutefois des relations approches mais qui sont bien suffisantes pour dcrire le comportement des dispositifs
semi-conducteurs. En toute rigueur, la masse affecte aux particules nest pas leur masse au repos (m0 = 9,1 10 28 g ), mais leur
masse en mouvement appele masse effective . Cette dernire, qui rsulte dun calcul compliqu, est fonction de lnergie de la
particule cest dire de sa position dans la bande.
Les valeurs moyennes couramment admises sont:
mc = 1,05 m0 pour les lectrons,
mv = 0,62 m0 pour les trous.
Dans la majorit des cas et sauf indication contraire, nous prendrons mc = mv = m0. On en dduit une densit dtats qui vaut:
N = Nc = Nv = 2,7 10 19(T/300) (3/2) cm 3 soit 2,7 10 19 cm 3 300 K
Plan Gnral
Le produit de ces deux densits possde une proprit trs intressante. On peut en effet remarquer quil est indpendant
de la position du niveau de Fermi. Cest une constante temprature donne. Cest la loi daction de masse.
Ce terme est appel: Densit Intrinsque et not ni
2
n*p 23 2 mkT *exp( ECEV )N 2*exp EG
h
kT
kT
n* pni
Germanium
(Ge)
2,5 10 13 cm 3
Silicium
(Si)
1,6 10 10 cm-3
Arsniure de Gallium
(As Ga)
1,1 10 7 cm-3
1,04 10-2 eV
n* pni N 2*exp EG
kT
2
Dans cette expression, T apparat de manire explicite dans le terme exponentiel mais aussi dans le terme Densit dtats (N2 ). En
effet, si on dveloppe ce dernier, il scrit:
3
2
3
N 46 *(2 mk) *T
h
ni Cte*T 3*exp EG
kT
2
1 ni
2
ni T
1 n ( 3 EG )
2
2
ni T T kT
2
i
1 n
2
ni T
2
i
Germanium
(Ge)
9,63%
Silicium
(Si)
15,4% / K
Arsniure de Gallium
(As Ga)
19,04% / K
/ K
ni N 2*exp EG
kT
2
3
N 46 *(2 mk) *T
h
soit:
avec
2
3
ni 46*(2 mk) *T *exp EG
kT
h
2
3
3
E
3
E
La drivation de cette quation donne: ni
3 46*(2 mk) *T 2*exp EG
k G2 46*(2 mk) *T *exp kTG
t
kT
h
T h
ni2 4
3
3 EG
6*(2 mk) *T 3*exp EG
2
t
kT
h
T kT
Germanium:
EG = 0,67 eV
Silicium:
EG = 1,12 eV
Arsniure de Gallium:
EG = 1,4 eV
Plan Gnral
Eh h
2
2
Pour une particule libre, son nergie est purement cintique et vaut:
p
E 1 mv2
2
2m
p
On en dduit la vitesse: v m dE
dp
x,t f k .eikxk t dk
f(k)
yy*
La position de la particule
correspond au maximum de
la fonction yy* dfini par:
d x0 d
or: E
dt dk
pdk k
d kxk t 0 soit, x0 d t
dk
dk
d E 1 dE
soit: v dk
dk
comme v
x0
dE
dp
1dE soit,dpdk
il sen suit: dE
dp dk
Relation de De Broglie
p d
2
On peut tirer de tout cela la relation liant lnergie et le vecteur donde. v k
soit d kdk kdk k
m
m
2m
m dk m
2 2
2 2
Comme: E
on obtient :
E k
Pour les lectrons de la bande de conduction on aura
E k EC
2m
2m
Plan Gnral
kx 2 nx
Lx
ky 2 ny
Ly
kz 2 nz
Lz
2
2
2
2
Nk Lx Ly Lz V 3
2 2 2 8
Chaque tat pouvant accepter
deux lectrons de spin
antiparallle, la densit
dlectrons scrit:
n 2 NV 41
k
kx
ky
Plan Gnral
nEdEnk dVk
d n n(E)* (E)
fn
dE
Le volume lmentaire, dans lespace des vecteurs donde est une sphre de rayon k.
2
k dk or: k 2 2mE
2
1
2
3
4
dV
dk
2
k
dou; dVk 4 k dk
Vk k
4 3
2
3
_
_
1
3
2E 2 m 2 dE
en
reportant
dans
d
n
n
nE dE
n(E)* f n(E) dE il vient:
2 3
EC
EC
k
0
1
3
_
_
2E 2 m 2 dE
1
d
n
EEF
23
EC EC1exp kT
1
exp EEF
kT
ky
1exp EEF
kT
En ce qui concerne la borne suprieure de lintgrale,on peut la prendre gale linfini
compte tenu de la fonction exponentielle qui est dcroissante. On obtient donc:
3
1
_ 12 32
EF E12 dE 2 2 m 2 exp EC EF exp EEC E12 dE En posant u = (E-Ec)/(kT), on obtient:
n 2 2m3 Ecexp EkT
kT Ec
kT
23
dk
3
3
1
_ 212m32kT32
1
2
2
kT 2 exp ECEF 1
m
2
2
E
C EF
(Intgrale dEuler).
1/2) vaut 2
exp
exp
u
du
u
n
2
2 3
2 3
E
c
kT
kT
_
3
En remplaant par h
et en rduisant les termes, on obtient:
2
EF
2
n 23 2 mkT exp ECkT
h
Ce rsultat fait apparatre le produit de deux termes:
EF qui reprsente la probabilit de prsence sur le niveau Ec
f nEcexp ECkT
3
qui reprsente la densit dtats correspondant au niveau Ec
N 23 2 mkT 2
h
Tout se passe comme si la bande de conduction se ramenait un seul niveau possdant N tats possibles.
Plan Gnral
Les impurets nfastes proviennent soit du matriau de base, soit de la chane de traitement permettant lobtention du cristal.
Nous avons vu dans ce qui prcde que la densit intrinsque des porteurs vaut, pour le silicium: ni = 1,6 10 10 cm-3. Pour que les
impurets puissent tre considres comme ngligeables dans ce matriau, elles doivent tre en quantit beaucoup plus faibles
(1/100, 1/1000 ), soit des densits de lordre de 10 7 ou 10 8 cm -3. On peut comparer ce chiffre avec le nombre datomes de
silicium par cm 3. Celui-ci se calcule aisment partir de la connaissance du systme de cristallisation du silicium.
1
Soit: N = 5,02 10 22 cm-3
Volume de la maille
En comparant ce nombre celui de la densit intrinsque, on saperoit que le
degr de puret atteindre pour obtenir un matriau intrinsque est de lordre de:
10 8/ 10 22 soit sensiblement 10 14. Ceci est absolument inconcevable compte
tenu des oprations ncessaires pour obtenir le silicium mono-cristallin . Les
limites technologiques permettent datteindre des densits dimpurets
rsiduelles de lordre de 10 12 cm 3.
Le matriau intrinsque, au sens tymologique du terme nexiste donc pas. Il permet toutefois de dfinir une constante
extrmement importante qui est la densit intrinsque ni.
Plan Gnral
Plan Gnral
Ec
ED (Phosphore)
0,44 eV
Si on introduit une quantit relativement faible de phosphore dans le silicium, celui-ci
EG = 1,12 eV
va se substituer des atomes de silicium. Or, il possde 5 lectrons de valence. Quatre
0,45 eV
EA (Bore)
dentre-eux vont tre utiliss pour les liaisons avec les atomes voisins et le cinquime
Ev
pourra facilement tre libr compte tenu du faible cart dnergie entre le niveau ED et
la bande de conduction. Soit ND la concentration en atomes de phosphore; Un faible
apport dnergie va librer llectron excdentaire qui va passer sur le niveau de
conduction et de ce fait devenir libre. Cela se traduit par : ND + nergie ND+ + 1 eIl y a donc apparition de deux types de charges: ND+ qui est un Ion positif totalement
stable car il possde 8 liaisons de valence et un lectron qui pourra trs facilement
Si
tre libr afin de participer au processus de conduction.
5me
lectron
Le processus est similaire avec le Bore. Ce dernier nayant que 3 lectrons de valence
peut en accepter un quatrime provenant de la bande de valence. Il devient alors Ion
ngatif stable et fait apparatre un trou. NA + nergie NA- + 1 trou
Ce processus, appel Dopage permet de gnrer de lectrons OU des
trous et confre un caractre spcifique au matriau qui sera dit de type
N ou de type P.
Plan Gnral
Si
Liaison
manquante
B
BDplacement du trou
Ev
Pour T voisin du zro absolu, le matriau est inerte et tous les porteurs sont figs sur
leurs niveaux. La bande de conduction est vide et la bande de valence et le niveau
donneur sont pleins.
Ds que lon apporte de lnergie, vu le trs faible cart entr EC et ED, les impurets vont sioniser faisant apparatre des lectrons dans la
bande de conduction. La densit des donneurs tant trs faible, ce niveau sera vite compltement ionis (EC-ED = 0,04 eV).
Pour observer une nouvelle volution des densits, li faudra que lnergie devienne suffisante pour gnrer des transitions bande bande
Plan Gnral
Zone intrinsque
Ln(n)
N D N D 1EDEF N D f p(ED)
1exp
kT
La densit des lectrons tant gale celle des donneurs ioniss, on a donc:
n N
La variation assympttique est donc une droite.
D
Zone dpuisement des donneurs.
Epuisement
des
Donneurs
1/T2
1/T1
Ionisation
des
Donneurs
1/T
Lorsque tous les donneurs sont ioniss, la densit des porteurs reste
constante tant que lnergie nest pas suffisante pour faire sauter des
lectrons de la bande de valence (EG >>EC-ED). La densit des porteurs vaut alors: Ln (n) = Ln ( ND).
Zone Intrinsque.
Lorsque la temprature devient suffisamment leve, il est possible de faire passer des porteurs de la bande de valence la bande de
conduction.On gnre alors des paires lectron-trou. La bande de valence permettant de crer un nombre trs important de porteurs ,
ceux issus du niveau donneur sont rapidement en quantit ngligeable et le matriau se comporte alors comme un matriau intrinsque.
Lintersection des assympttes permet de dterminer les tempratures T1 et T2 qui limitent les diffrentes zones. Il faut donc calculer les
valeurs correspondantes afin de positionner la temprature ambiante. Le calcul montre quelle se situe sur le plateau, dans la zone
dpuisement (cliquer ici pour le calcul complet). La courbe reprsentative est trace en bleu.
Plan Gnral
1
N Dexp E DE F
Dans la zone dionisation, la densit des atomes dimpurets ionises scrit: N D N D
kT
1exp E DE F
kT
Cette expression fait apparatre le niveau de Fermi dont on ne connat pas la position.
Il faut donc disposer dune deuximequation faisant intervenir celui-ci. Cest lquation de dfinition de la densit des porteurs que nous
avons tabli au dbut de ce cours. n N *exp ECEF
En galant ces deux expressions, on peut liminer EF. On obtient alors la loi de
kT
variation n=f(T) dans cette premire zone.
donne n, on obtient: Ln(n)Ln(N) E2CkTEV On obtient aussi une droite de pente ECEV et dordonne lorigine Ln(N) .
2k
La dtermination des valeurs des tempratures limites des zones se fait en galant deux deux les quations.
soit: T 1 EC END
Ln (N D) 1 Ln(NN D) ECE D
Pour T1:
2
2kT1
kLn( )
ND
EC EV
soit: T 2
Ln(N D)Ln(N) ECEV
Pour T2:
2kT 2
2kLn( N )
ND
Application numrique:
ND = 10
15
cm-3
On obtient:
EC-ED = 0,04 eV
Silicium: EG = 1,12 eV, N = 2,7 10
T1 = 50 C
19
T2 = 636,8 C
cm-3
On peut remarquer que la temprature ambiante est bien au milieu du plateau. Le matriau est donc stable
en temprature et on peut affirmer que, temprature ambiante, toutes les impurets sont ionises.
Plan Gnral
n* pni
Cette relation ne fait intervenir que des constantes du matriau une temprature donne ( largeur
de bande interdite, nombre de places possibles sur les niveaux, constantes universelles),elle est donc
valable que le semi-conducteur soit dop ou non.
En rsum:
Matriau de type N
n N D
p ni
ND
2
Matriau de type P
p N A
n ni
NA
2
Exemple:
Silicium dop N ( ni = 1,6 10 10 cm 3): ND = 10 16 cm-3;
n = 10 16 cm-3 , p = 2,56 10 4 cm -3
Plan Gnral
n N A p N D
Cette quation na pas de solution analytique et se rsout donc numriquement. Elle est trs complexe.
On peut avoir une ide du rsultat en traant les variations assympttiques des quatre termes de cette quation .
_
pN exp ( EFEV )
kT
_
E
CE F
nN exp (
)
kT
Point thoriquement
N A N A f n(E A)
neutre
N D N D f p(ED)
n N A
NA
p N D
ND
Ces diffrents termes, reprsents en fonction de
lnergie, dans la bande interdite, se coupent en
un point qui correspond la position du niveau
de Fermi (neutralit).
Pour ce, on considre que la somme de deux
logarithmes est le logarithme du plus grand.
Ev
EA
EF
Plan Gnral
ED
Ec
n N A p N D 0
Nous pouvons expliciter les diffrents termes de cette quation; il vient:
pN exp ( EFEV )
kT
_
N N f
nN exp ( ECEF )
kT
_
N N f
(E A)
(E D)
_
p N exp ( EFEI ) exp ( EI EV ) ni exp ( EFEI )
kT
kT
kT
_
n N exp ( ECEI ) exp ( EI EF ) ni exp ( EI EF )
kT
kT
kT
_ _
n p ni exp ( EI EF ) exp ( EI EF ) 2 ni sh EI EF
kT
kT
kT
1
exp EAEF exp EAEI exp EI EF
f n(EA)
kT
kT
kT
E
AE F
1exp
kT
1
(ED)1 f (ED) 1
1 exp EDEI exp EI EF
f
p
n
E
D
kT kT
E
F
1exp
n p ND N A
kT
EDE EI E
2 ni sh EI EF NA exp EAEI exp EI EF ND
1exp kT I exp kT F
kT
kT
kT
kT kT
On a donc une quation de la forme:
E
A sh E kT
I
B exp EI EF C
kT
On dsignera par n et p les densits de porteurs en excs. Les densits totales pour un matriau hors dquilibre scriront alors:
n n n et p p p
Plan Gnral
Ec
densits de porteurs qui valent respectivement: n et p et une galit entre vitesse de gnration et de recombinaison: g0 = r0.
Supposons qu linstant t = t0, on soumette ce matriau un flux lumineux dintensit
constante F tel que lnergie quil transporte soit suprieure la largeur de la bande
interdite: E = hn > EG. Ce flux va gnrer des paires lectrons-trous et la vitesse de
gnration va augmenter (le signe ^ sur un symbole indique un accroissement par rapport
^
lquilibre).
g g0 g r0
Or, la vitesse de recombinaison est proportionnelle aux densits de porteurs dans les bandes
(un lectron se recombinant avec un trou). On peut donc crire:
(A est une constante de proportionnalit)
r A p n
Ev
^ ^
^ ^
^ ^
Type N, pn
^2
soit:
( pn) pn p
^2
et:n p p
Lquation prcdente devient donc: rr0 A pn. Un nouvel quilibre sera atteint lorsque: g = r.
dp
rrr0
dt
^
p0
t1
Il vient:
^
dp
An p
dt
soit,
dp
^
Andt
pt p0etAn p0et
t
Considrons le cas dun semi-conducteur dans lequel existe un niveau pige. Ce dernier va pouvoir capturer puis rmettre de lectrons
aprs un certain temps correspondant au temps de pigeage. Les mcanismes dchange avec les bandes permises son dfinis ci dessous.
Les mcanismes dchange entre les bandes et le niveau pige peuvent se modliser
par les quatre cas suivants:
Ec
(c)
(d)
Er
-b) mission dun lectron vers la bande de conduction par un pige plein
(Nr)
(a)
(b)
Ev
-d) mission dun trou dans la bande de valence par un pige vide
Les centres piges vont servir de catalyseur la recombinaison des lectrons libres en capturant ceux de la bande de conduction
pour les rmettre vers la bande de valence (cas a et c). Les piges peuvent aussi jouer le rle de donneur (b) ou daccepteurs (d). Le
temps pendant lequel llectron reste pig est plus ou moins long. Cest lui qui dfinit la dure de vie.
Nous allons, dans ce qui suit, modliser les diffrents changes afin den tirer une expression de la dure de vie des porteurs.
Toutefois, ce calcul est simplement indicatif car il ne met en uvre quun seul niveau pige ce qui ne reflte que partiellement la
ralit. Les rsultats obtenus sont malgr tout satisfaisants, lcart par rapport aux mesures ntant que de quelques pourcents.
Capture dun lectron de la bande de conduction par un pige vide
Le flux dlectrons capturs par centimtres cubes et secondes est proportionnel la concentration des lectrons dans la bande de
conduction et la densit de piges vides (chargs positivement). Si nous appelons Cn le coefficient de proportionnalit, le taux de
capture Rcn scrit:
exp(
(N n)
kT
EcEF )
N
exp(
N exp( Ec Er )
f
n(Er)
kT
kT Cn n
E
r EF
E
r
E
F
or
EnCn
exp(
)
C
n
exp(
) donc,
kT
fn(Er)
kT
(N n)
(N n)
(N n)
Le terme n* reprsente la densit qui existerai dans la bande de conduction si le niveau de Fermi tait confondu avec Er.
Lorsque le matriau est hors dquilibre,Rcn et Ren sont diffrents; le flux dlectrons libres rellement capturs vaut:
RnRp
lectron captur
sn
lectron dvi
t s v1 N et t s
n
th
1
vthNr
p
on obtient:
p p
t p nn t n
n p
n p
Cette expression est connue sous le nom de Formule de Hall-Schokley-Read du non des trois chercheurs qui lont tablie.
t = tp
t = tn
Exercices
Ec
Er1
1 1 1 1 ...... 1
t t t t
1
Er2
t1
t2
t3
Er3
Ev
Plan Gnral
UF
EI EF
EI Er
, Ur
kT
kT
Plan Gnral
cc
p p
t p n n t n
n p
n p
E
E
E
CEr
CEI
I
n N exp ( kT ) N exp ( kT ) exp ( kTEr ) ni exp Ur
Ec
Er
Ei
t t
Ev
e e e e
UF
UF
t n eUFeUF
e e
UF
UR
UF
UR
Le niveau de Fermi se trouve au dessous du niveau intrinsque donc, le matriau est de type P.
t t
UR
UR
e
UF
t n eeUF t n , car eeUF 0
e
En reportant les valeurs numriques, on obtient:
UF
or,
t s 1v N et t s
et t 10 ms
n
100 ms
th
1
vthNr
p
Conclusion: pour un matriau de type P la dure de vie est celle des lectrons (porteurs minoritaires).
t t
100 ms
Plan Gnral
t t
Le niveau de Fermi se trouve au dessus du niveau intrinsque donc, le matriau est de type N.
UF
e
e
p UF
UR
t t
Conclusion: pour un matriau de type N la dure de vie est celle des trous (porteurs minoritaires).
t t
UF 0
10 ms
Le niveau de Fermi est confondu avec le niveau intrinsque donc, le matriau est Intrinsque.
t p1e t n 1 t p1e t n
11
11
2
2
UR
UR
A.N:
t 5,49 ms
3)-Si le centre recombinant se situe au milieu de la bande interdite, Ur = 0. Il sen suit exp(Ur) =1 dou:
UF Ur , UF 0 et UF 0
UF 0
rien ne change;
t t
pour un matriau N et
t t t
p
t t
pour un matriau P.
110 ms
4)-Sil ny avait pas de centre recombinant, tout se passerait comme si ce centre se trouvait dans une des
bandes permises; la limite sur EC ou EV.
La valeur de Ur devient alors: Ur = EI Er = EI EC = - EG/(2kT).
Dans le cas dun matriau intrinsque (UF = 0), la dure de vie devient:
t 12 t
exp ( EG ) 1,13104 s
2kT
Cela correspond environ 3 heures et 8 minutes, ce qui est norme et inconcevable. Ce type de matriau, sil existait, ne
prsenterait quasiment aucun intrt car son comportement frquentiel serait fonction de linverse de la dure de vie (10 4 Hz!!!).
Il ne serait donc utilisable quen continu.
Plan Gnral
Ln (t)
ms
104
Pour UF Ur2,3 , UF 0 , la
dure de vie devient constante et
gale tn.
5,5 10 3
Type N: t = tp
Type P: t = tn
103
Pour UF Ur , UF 0 , la dure
de vie devient constante et gale
tp.
110
100
10
Pour UF = Ur = 0, on obtient la
UF
variation assympttique trace en
UF = Ur
UF = - (Ur + 2,3)
bleu
.
Justification des points dintersection des assympttes.
UF
UR
UF
UR
UR
(URUF)
e e
e e
e
Pour Ur < UF < 0, la dure de vie peut se simplifier: t t p eUF eUF t n eUF eUF t t p UF t p e
. Lintersection des
e
assympttes a lieu pour:
t p t pe(URUF) soit; Ln(t p) Ln(e(URUF)) 0URUF, qui donne:UR UF.
Plan Gnral
Suite du cours
1 v
vD N
i
i1
Cette vitesse moyenne est nulle car aucune direction nest privilgie (mouvement Brownien).
d
(
v
S nous appliquons une force extrieure, lquation du mouvement va scrire: m D) F qE
dt
qE
Cette quation a pour solution: vD vD(0) m t
Ce rsultat nest toutefois pas satisfaisant car on saperoit que la vitesse augmente linairement avec le temps et de ce fait, le rgime
tabli nest jamais atteint. Il est donc ncessaire dintroduire une contrainte sur le dplacement des porteurs. Ce terme, appel temps
de relaxation (tR), est li au libre parcours moyen des lectrons ainsi quau temps moyen entre deux collisions. Il rsume lensemble
des mcanismes de collisions et peut tre dfini comme
tant la dure ncessaire au rtablissement de lquilibre.
d(vD) vD
Lquation du mouvement devient donc: m ( dt t R ) F qE
t
vD vD(0) e t R
La suppression de la perturbation entrane un retour lquilibre suivant une loi qui scrit:
qt R
vD m E
La vitesse du porteur est donc proportionnelle au champ lectrique appliqu. La constante de proportionnalit est appele
Mobilit . Elle est note par la lettre m. Elle sexprime en cm2/Vs
Les mobilits des deux types de porteurs diffrent principalement par la valeur des masses effectives, les lectrons tant plus mobiles que
les trous. Cela peut se comprendre intuitivement car ils sont un niveau nergtique suprieur, cest dire moins lis latome.
Plan Gnral
Vth=10 7 cm/s
lectrons
trous
2
E (10 4 V/cm)
Le dopage du matriau
Les atomes dimpurets vont influer sur les trajectoires des lectrons
dans le cristal car, temprature ambiante, ils sont tous ioniss. Le
nombre de collisions va augmenter et cela va se traduire par une
diminution de la mobilit .
Le graphique ci contre montre la variation de m en fonction du dopage
dans le cas du silicium.
Plan Gnral
qt R
E s E
Donc: j q N v D q N
avec:
2t R N
q N m
m
s q
Exercices
2
en sens oppos). En effet s est proportionnel q qui est positif. j n s n E et j p s p E
j j n j p s n s p E
La conductivit est donc fonction des densits des deux types de
porteurs. Elle sexprime par la relation suivante.
s q n m n p m p
r 1
s
q n m n p m p
mn = 1500 cm2/V.s
mp = 600 cm2/V.s
Arsniure de Gallium
mn = 7500 cm2/V.s
mp = 300 cm2/V.s
Exercice n 2- Calculer la rsistivit maximale de ces trois matriaux. Comparer cette valeur avec la rsistivit intrinsque . Conclusion.0
Exercice n 3- La puret maximale possible avec les technologies actuelles tant de 10 13 cm 3, calculer les conductivits correspondantes
pour les trois corps tudis prcdemment.
Exercice n 4- On dope un barreau de silicium avec du phosphore. Donner le type et la valeur du dopage pour obtenir un matriau de
rsistivit r = 0,6 W.cm.
Quelle est la masse de phosphore ncessaire pour doper un lingot de 40 cm de long et de 15 cm de diamtre. Sachant que lon peut garantir
la pese du phosphore au 1/100me de milligramme, quelle est lerreur maximale commise sur le dopage?
Exercice n 5- A partir du semi-conducteur prcdent, on souhaite obtenir un matriau de type oppos. Quel dopant va-t-on utiliser et
quelle est la concentration et le poids ncessaire permettant dobtenir un matriau de rsistivit gale 2 Wcm.
Exercice n 6- Calculer le rapport du courant dlectrons et de trous correspondant au matriau de lexercice n 4. Conclusion.
Exercice n 7- On considre un barreau de silicium de 2 cm de long et 0,1 cm2 de section . Le silicium est de type N (ND = 5 10 15 cm-3). On
applique aux bornes de ce barreau une tension de 12 Volts et on mesure un courant de 720 mA. Calculer la mobilit des lectrons.
Exercice n 8- Comparer la vitesse des lectrons dans un semi-conducteur (par exemple celui de lexercice n 4) celle des lectrons dans
un mtal qui serait parcouru par la mme densit de courant. En dduire la mobilit des lectrons dans le cuivre .
1
q(n mn pm p)
Le matriau tant lquilibre, les densits de porteurs sont relies par la loi daction de masse n p ni2
En utilisant cette dernire relation, on peut exprimer la conductivit en fonction dun seul type de porteurs, par exemple les lectrons.
n2
Il sen suit s q(n mn i m p). En dveloppant cette relation, on obtient une quation du second degr qui permet de relier n et s.
n
mp
n 2 s n ni2
0
qmn
mn
q n 2 mn m p
Les solutions de cette quation peuvent se mettre sous la forme: n s (1 14 i 2
)
2qmn
s
2
q 2
Le terme 4 ni m2n m p est trs petit devant lunit. La racine carre est donc de la forme 1e . Le dveloppement limit au premier
s
ordre de ce terme est 1 e .
2
s 1 (14 q ni2mn m p )
2
2qmn
2s
Une seule des solutions est physiquement raliste. Cest celle qui correspond au signe +. Le signe donnerait la densit des lectrons dans
le cas ou ils sont minoritaires. On obtient donc:
2
q ni2mn m p
n N D s 1
qmn
s2
2
q ni2 mn m p
Lerreur commise en ngligeant les porteurs minoritaires est donc gale :
. Pour une erreur infrieure 1%, on aura:
s2
2
2
1
q ni mn m p
10 2 On obtient donc: s 10 q ni mn m p ou encore, en repassant la rsistivit: r 10 q ni mn m p .
2
s
On peut donc calculer cette valeur pour chacun des matriaux les plus couramment utiliss. Ds que la rsistivit sera infrieure
cette valeur, on pourra considrer que la rsistivit dpend exclusivement de la concentration des porteurs majoritaires.
Les applications numriques sont sur la page suivante.
Plan Gnral
Rsistivit, conductivit
mn = 4500 cm2/V.s
Germanium
mp = 2000 cm2/V.s
ni = 2,5 10 13 cm -3
mp = 600 cm2/V.s
ni = 1,6 10 10 cm -3
mp = 300 cm2/V.s
ni = 10 7 cm -3
Silicium
Arsniure de Gallium
mn = 7500 cm2/V.s
Dans la ralit, cette condition sera TOUJOURS respectes et la rsistivit (ou la conductivit) ne dpendront
que de la densit des porteurs Majoritaires.
Plan Gnral
Rsistivit, conductivit
Exercice n 2-Si la rsistivit passe par un maximum, la conductivit passera par un minimum. Celle ci sexprime en fonction dun seul
2
type de porteurs par la relation (Exercice n 1):
s q(n mn ni m p)
n
ni2
ds
Cette fonction passera par un minimum pour la valeur de n qui annulera la drive; dn q(mn 2 m p ) 0
n
mp
On obtient donc: n ni
. On peut remarquer que cette valeur est infrieure ni car mp est infrieur mn. Le matriau prsentant la
mn
1
rsistivit maximale serait donc de type P. En reportant cette valeur de la densit dans lexpression de r, on obtient: rmax i
2 q ni mn m p
Application Numrique;
mn = 4500 cm2/V.s
Germanium
mp = 2000 cm2/V.s
ni = 2,5 10 13 cm -3
mp = 600 cm2/V.s
ni = 1,6 10 10 cm -3
mp = 300 cm2/V.s
ni = 10 7 cm -3
Silicium
mn = 7500 cm2/V.s
Arsniure de Gallium
Germanium
1
qni (mn m p)
mn = 4500 cm2/V.s
mp = 2000 cm2/V.s
ni = 2,5 10 13 cm -3
mp = 600 cm2/V.s
ni = 1,6 10 10 cm -3
mp = 300 cm2/V.s
ni = 10 7 cm -3
ri = 38,5 W cm-1
mn = 1500 cm2/V.s
Silicium
ri = 186 kW cm-1
Arsniure de Gallium
mn = 7500 cm2/V.s
ri = 70,2 MW cm-1
On pourra remarquer que le matriau le plus rsistif nest pas lintrinsque; Cela est d la diffrence des
mobilits.
Plan Gnral
Rsistivit, conductivit
Exercice n 3- La puret maximale permettant dobtenir des dopages de 10 13 cm-3 on pourra, dans le cas du Germanium, obtenir un
matriau Intrinsque. Pour les deux autres, cela ne sera pas possible. Les rsistivits limites que lon pourra obtenir seront donc:
Pour le Silicium
Type P
Type N
p NA , n n
NA
2
i
A.N :
1
1
q(n mn pm p)
q N Am p
r = 1 kW cm-1
2
n N D , p ni
ND
1
1
q(n mn pm p)
q N D mn
r = 417 W cm-1
A.N :
Pour lArsniure de Gallium
Type P
Type N
2
p N A , n ni
NA
A.N :
1
1
q(n mn pm p)
q N Am p
r =1,56 kW cm-1
2
n N D , p ni
ND
A.N :
1
1
q(n mn pm p)
q N D mn
r = 73,5 W cm-1
Les dopages couramment utiliss en technologie tant toujours nettement suprieurs cette valeur de 10
la rsistivit ne dpendra que des majoritaires.
Plan Gnral
13
cm-3,
Rsistivit, conductivit
Exercice n 4- La valeur de la rsistivit que lon souhaite obtenir est nettement infrieure la valeur pour laquelle on peut considrer que
seuls les porteurs majoritaires interviennent. Le phosphore tant de type N on aura donc:
1
q N D mn
On peut tirer la valeur de ND de cette relation. Cela ncessite toutefois la connaissance de mn.
ND
ND
1,610
19
1
q r mn
soit;
1
710
0,6 1500
15
cm
Rsistivit, conductivit
Calcul du poids de Phosphore utilis.
Le lingot est cylindrique de longueur 40 cm et de diamtre 15 cm. Son volume est donc V = r2 h = * 7,52 * 40 = 7068 cm3.
La masse atomique du silicium est de 28.1 g/mole et celle du phosphore vaut 31 g/mole (voir tableau de Mendeleev).
Le nombre datomes par mole est gal 6,02 10 23 (nombre dAvogadro).
La densit datomes de Silicium est de 5,02 10 22 cm-3.
La masse de phosphore utilise vaut donc: M P
7068 *10
6,0210
16
23
* 31 g 3,64 mg
7068 *5,0210
6,0210
23
22
* 28,1 g 16,56 kg
Le poids du dopant est donc infiniment petit par rapport celui du lingot.
Si lerreur absolue sur la pese du Phosphore est de 1/100me de mg, lerreur relative vaut: 0,01/3,64 cest dire 2,7 10-3. Lerreur sur le
dopage sera la mme car la densit datomes dopants est directement proportionnelle au poids. Cette prcision est illusoire car les variations
du process ne permettent pas datteindre de telles prcisions.
Exercice n 5- Pour obtenir un matriau de type oppos, le dopant utilis devra tre un accepteur cest--dire appartenir la colonne III de la
classification priodique des lments. Pour le silicium, le dopant gnralement utilis est le Bore. Le processus sera le mme que celui
dcrit ci-dessus pour le phosphore. Toutefois, le matriau ntant pas intrinsque au dpart de lopration, il faudra dabord injecter une
quantit datomes de Bore gale celle du phosphore pour compenser le matriau. On obtiendra du silicium Intrinsque par
compensation . A partir de ce matriau compens, on appliquera le mme raisonnement que prcdemment.
Le nombre de trous dans ce matriau sera donc: p N A ND
1
1
1
La rsistivit scrit: r q p m p , comme p N A N D il vient : r q (N A N D) m p et donc: N A N D q r m p
On obtient NA = 10 16 + 6,25 10 15 = 1,625 10 16 cm-3. Qui correspond un poids de 2,06 mg de Bore.
Plan Gnral
Rsistivit, conductivit
Exercice n 6- Le matriau tant homogne, le courant est d la conduction. On peut donc crire:
2
I n J n s n q n mn n mn n mn
2
2
I p J p s p q p m p ni m p ni m p
n
Application numrique: ce rapport vaut 0,78 10 12 ce qui revient dire que le courant de conduction est le courant d lectrons
cest--dire le courant des porteurs majoritaires.
Exercice n 7- Le courant de conduction scrit:
I j S s n S E q n m n E S q n v D S
I
I
Donc: v D
A.N: vn = 9000 cm/s
q n S
q ND S
Exercice n 8- Pour une mme densit de courant, on aura:
Dou; q n v sc q N v m on obtient : v m v sc n
N
A.N: vm = 9 10 4 cm/s soit 9 mm/s.
Ceci sexplique simplement par le fait que dans un mtal il y a un lectron libre par atome dou une population extrmement
importante qui se dplacera trs lentement. Il ne faut pas confondre vitesse de dplacement des porteurs et vitesse de propagation du
courant lectrique.
Plan Gnral
Suite du cours
n
Considrons un semi-conducteur dans lequel la densit des
lectrons varie comme le montre la figure ci contre (il en serait
de mme avec les trous). Nous nous placerons dans lhypothse
dun modle unidimensionnel dans lequel nous considrerons
que les lectrons se dplacent uniquement suivant laxe des X.
Les lectrons seront considrs comme tant monocintiques et
le temps mis pour parcourir la distance sera trs petit par
rapport leur dure de vie.
n(x)
n1
nO
n2
N1
x0-
N2
x0
x 0+
Soit N1 le nombre de particules comprises entre x0- et x0 et N2 le nombre entre x0 et x0+ linstant t=0. A un instant t=t0 (t>t0), on
peut considrer que statistiquement, N1/2 particules ont leur vitesse dirige vers la droite, de mme, N2/2 ont leur vitesse dirige vers
la gauche.Le flux qui en rsulte pendant le temps t ncessaire pour parcourir la distance l vaut:
N1 N2
2
n
1n2
D
n
N
1 N2
2
2
n
1n0
n
2n0
F x
N1
et N2 2 soit Fx 2 2 2tR or Dn dn
or
2
t
2t
2 dx x0
Fx dn
dx x0 2t R
a la dimension de cm2/s. Elle est appele Constante de Diffusion et note D (Dn pour
2t R
Plan Gnral
j px qDp grad px
Les gradients de concentration tant opposs, les courants qui en dcoulent sont additifs eu gard aux
charges qui sont opposes.
Semi-conducteur inhomogne l'quilibre thermodynamique,relation dEinstein.
Considrons le semi-conducteur dont la structure de bande est reprsente
ci contre. Le matriau tant isol et lquilibre thermodynamique, le
courant lectrique total est nul.
EC(x)
EF
EV(x)
Le champ lectrique scrit: Ei grad V 1 grad Ec(x) En tout point de la structure le courant est nul. Cela se traduit par: jn(x) jp(x) 0
q
q n(x) mnEi q Dn dn 0
dx
soit:
dp
q p(x) mpE i q Dp 0
dx
Plan Gnral
N
exp
or;
n
(
x
)
N
exp
qui scrit:
kT
kT
kT
kT
Log(n(x))
Log(n(x))
Log(n(x)) EFEI(x)
soit: grad(EI(x)) kT grad[ ni ]
on en dduit:
EFEI(x) kT
ni
ni
kT
grad(n(x))
grad(n(x))
grad(n(x))
1
1
grad(EI(x)) kT[
] or, grad(EI(x))grad(EC(x)) donc; E i q grad Ec(x) q kT [ n(x) ] UT [ n(x) ]
n(x)
On obtient une relation similaire pour les trous en changeant le signe et en remplaant n par p.
UT
grad(p(x))
]
p(x)
Si nous reportons cette expression du champ lectrique dans les quations du courant, nous obtenons:
grad(n(x))
grad(n(x)) mn UT q Dn 0
q n(x) mn UT [
]
q Dn grad(n(x)) 0
n(x)
grad(p(x))
grad(p(x)) mp UT q Dp 0
q p(x) mp UT [
]
q Dp grad(p(x)) 0
p(x)
Dn Dp kT UT
Pour que ces deux relations soient vrifies, il faut:
mn mp q
Exercices
Plan Gnral
On claire ce barreau de silicium avec une radiation de longueur donde telle que la vitesse de gnration des porteurs soit constante dans
tout le volume du matriau. Cette vitesse de gnration vaut: g = 10 17 porteurs/cm3.s.
Dterminer la variation relative de la rsistance du barreau sous clairement.
Exercice n 3- On considre un barreau de semi-conducteur homogne type N (dopage ND = 10 15 cm-3. ) dpaisseur W, dont on claire
la face avant avec une radiation de courte longueur donde. La gnration suit une loi de la forme (fig):
g g0 ex
g g0 ex
Plan Gnral
Lnergie tant inversement proportionnelle la longueur donde, lnergie minimum correspondra la longueur donde maximum
permettant de gnrer des porteurs. La relation scrira donc:
h c
lmax
EG
Applications numriques.
Le tableau des constantes donne:
Silicium:
EG = 1,12 eV
Germanium: EG = 0,67 eV
As Ga:
EG = 1,4 eV
On peut remarquer que pour les trois matriaux, le rayonnement visible sera efficace et que les rayonnements de grande longueur donde ne
seront pas arrts par ces matriaux. La longueur donde maximum correspond au seuil de transparence .
Plus le rayonnement sera de courte longueur donde, plus son nergie sera importante et plus la gnration sera localise au voisinage de la
surface. Cette dernire obira a une loi de la forme: g g0 ex
Le coefficient est fonction de la longueur donde. Il vaut 0 pour lmax
Plan Gnral
Rr l
s
avec: r
1
q(n mn pm p)
Dou; r
Or
et
2
n ni
NA
1
2
n
i
q( mn N Am p)
NA
19
1,6*10
Le courant vaut donc:
p NA
1
1 12 332 W
2.5*61020
4*10
(
1390 1014*470)
14
10
I V 10 3*102 A
R 332
Sous clairement, il y aura gnration de paires lectrons-trous. La variation de rsistance va donc dpendre de la variation de la densit des
porteurs. En effet, on peut crire:
DR Dr or, r 1 ; donc DR Ds
R
r
s
R
s
Il faut donc calculer la conductivit en obscurit et sous clairement.
En obscurit, la conductivit (ou la rsistivit) ne dpendent que des porteurs majoritaires (quilibre thermodynamique).
Sous clairement, les conditions dquilibre ne sont plus ralises. Il faut donc faire attention.
n2
Les densits de porteurs sous clairement scrivent: p p p N A p et n n n i n de plus ; n p g t .
NA
ni2
Donc: s obscurit q(n mn pm p) q N A m p
Et; s clairement q(nmn pm p) q [ ( N A p ) m p ( N A n) mn] q N A m p q (n mn p m p)
DR Ds 3,95*103
Ds q (n mn p m p) g t (mn m p)
A.N:
R
s
s
q NA mp
NA mp
Si lquilibre thermodynamique seuls les majoritaires interviennent, la variation est due aux deux types de
porteurs. On remarque en effet que cest la somme des mobilits qui est prendre en compte.
Abaque des Mobilits
p (x) g0*t ex
J pdiff
La structure tant isole, le courant total est donc nul. Il existe donc un phnomne
antagoniste qui compense la diffusion. Ce phnomne correspondra un corant de
conduction qui va sopposer la diffusion.
p
0
x
J pcond r(x) v q g0 t e *m pE q g0 t ex *m p V
W
Soit;
La recombinaison,
Dz
j p(x)
Fp(x)
q
F
Le flux en Dx vaut: Fp(xDx) Fp(x) p(x) Dx
x
F
Fp(xDx) Fp(x) Dy Dz p(x) Dx Dy Dz
Le bilan dans la direction Ox vaut:
x
Jp(x)
0
Jp(x+Dx)
Dx
Dy
y
On obtient des relations semblables dans les directions y et z. La variation du courant correspond donc une divergence.
Gnration: -Soit g la vitesse de gnration. Son influence par unit de temps se traduit par: g*Dx Dy Dz (ce terme est positif)
Recombinaison: -De la mme manire, le terme correspondant vaut: r* Dx Dy Dz (ce terme est ngatif)
La variation du nombre de porteurs par unit de temps dans le volume donn scrit donc:
dp
dp
Dx Dy Dz 1 div j p g r Dx Dy Dz
soit
1 div j p g r
q
dt
dt
q
On obtient une quation similaire pour les lectrons en remplaant p par n et en changeant le signe de la divergence.
Plan Gnral
^ p
dp
1 div j p g
dt
q
tp
Le courant peut tre constitu de deux termes; un terme de diffusion et un terme de conduction.On obtient donc, dans le cas gnral:
^
^
^
^
d px
p soit,
1 div q px m p E-q Dp grad px g
dt
q
tp
^
^
^
d px
p
Dp D px m p div pxE g
dt
t
p
Dans les cas pratiques, le champ lectrique est gnralement nul. Cela permet de simplifier cette quation.
En rgime permanent, il ny a pas de variation en fonction du temps. On en tire:
^
0 Dp D px g
p
g
qui s'crit aussi: D px
Dpt p
Dp
^
On peut remarquer que la dimension du terme Dptp est cm2. On le posera gal Lp2. Ce terme est appel Longueur de Diffusion
Lp Dpt p
On pourra donc associer trois constantes aux porteurs libres dans un matriau semi-conducteur:
Une constante temporelle
m ou D
Lp Dpt p
et
Dn Dp kT UT
mn mp q
Plan Gnral
Exercices
B)_ Mmes questions lorsque on place un contact Ohmique la distance W = 10-4 cm.
p
p
x
W
Plan Gnral
n ND 10 16 cm3
2
p ni 2,5610 4 cm3
ND
p p et p n
On peut donc considrer que la densit des porteurs en excs obit lquation de conservation des porteurs qui scrit:
^
^ p
dp
1 div j p g
dt
q
tp
Les conditions particulires lies notre cas entranent:
- g = 0 dans le volume car la gnration est localise dans le plan x = 0.
- dp 0 car on se place dans le cas dun rgime permanent.
dt
- Le champ lectrique est nul en volume (pas de tension applique).
2
qui scrit
x
2
d p p 0
L2p
d x2
avec : L2p Dp t p
p (x) A e L p B e L p
Abaque de Mobilits
Abaque de Rsistivit
Phnomnes de diffusion.
A) La longueur de lchantillon est suppose infinie.
1)- La dtermination des constantes dintgration satisfait aux conditions aux limites nonces ci-dessous:
en x 0 p (0) p 0 g0 t
en x p (() 0
On en dduit donc:
car une distance infiniment grande, tous les porteurs sont recombins.
A B p 0
Ae
Be
Cette deuxime relation impose que B = 0 (le terme de rflexion est nul).
Il sen suit: A p 0
x
. Cest la solution gnrale, en physique, de tout systme que lon laisse voluer librement.
La densit du courant de trous (li la diffusion) est proportionnelle la drive de la distribution des porteurs. Elle scrit:
x
Dp p0 x
Lp
Jp (x) q Dp d (p 0 e L p ) q
dx
Lp e
Dp p0
En x = 0, la valeur de la densit de courant est: Jp (0) q Lp
Application Numrique: il faut donc dterminer Dp et Lp. Labaque de mobilits nous donne pour ND = 10 16 cm-3: mp = 450 cm2/V*s
On en dduit: Dp = mp * UT = 450 * 26 10-3 = 11,7 cm2/s, dou; Lp2 = Dp * tp = 11,7 * 10-7 soit, Lp = 1,08 10-3c cm soit, 10,8 mm.
11,7*1010
17,33 mA/cm2
1,08*103
2)- La densit des porteurs dcrot exponentiellement. La distance pour laquelle elle sera divise par 10 se dduit de:
p (x) 1
p 0*e L p
p 0 10
p 0
soit, x Lp Ln 10 2,3 Lp
Au del de cette distance, lexcs de densit de porteurs devient trs faible. Cela permet de relativiser linfini pour un porteur. La densit de
courant varie suivant la mme loi ce qui implique que dans un systme, si on place un contact une distance grande devant la longueur de
diffusion, la densit de courant tendra vers 0. On comprend donc que les dimensions des composants devront tre petites.
Abaque de Mobilits
Abaque de Rsistivit
Phnomnes de diffusion.
3)- Vitesse de diffusion des trous.
L2p
L
Dp
qui donne: vD Dp ou encore vD
p 10,8*103 V /cm
On en tire: q p (x) vD q p (x)
Lp
Lp
L p *t p t p
On peut remarquer que la vitesse du porteur est une constante indpendante de sa position
Le champ lectrique qui communiquerait la mme vitesse aux porteurs serait:
v D m pE
v
soit: E D Dp UT
m p Lp m p Lp
x
Elle sexprime par la relation:
Q q S p(x) dx q S p 0 e- L p dx q S p 0 Lp
0
Q
q p 0 Lp 1,73 pCb/cm2
S
Cette valeur peut paratre faible mais on verra que dans les composants, on obtient des valeurs beaucoup plus petites .
I p0 J p0 S q
Dp p 0
S
Lp
or, Q q S p 0 Lp q
Dp p 0 L2p
L2
*
S I p0 p
Lp
Dp
Dp
Donc,, Q I p0 t p
La constante de temps qui intervient dans le calcul de la charge est la Dure de vie du porteur.
Dans le rgime libre, les paramtres associs au phnomne de diffusion sont les paramtres caractristiques dus porteurs.
Abaque de Mobilits
Abaque de Rsistivit
Phnomnes de diffusion.
B) La longueur de lchantillon est finie, de dimension W.
La seule modification intervient sur les conditions aux limites de lquation de conservation. Elles deviennent:
en x 0 p (0) p 0 g0 t
en x W
Il sen suit:
p ((W) 0
Lannulation de lexcs de densit est due au contact Ohmique qui est recombinant.
A B p 0
W
A e L p B e L p 0
p 0 1
W
W
W
0 e Lp
A
p 0 W e L p W p 0 e L p
1 1
2 shW
e L p e L p
W
Lp
W
e Lp e Lp
1 p 0
W
W
0
e
B
p 0 We L p W p 0 e L p
1 1
2 shW
e L p e L p
W
Lp
W
e Lp e Lp
W
Lp
En reportant, on obtient.
p 0
p (x)
2 shW
Lp
W x
Lp
W x
Lp
shW x
Lp
p 0
W
sh
Lp
Cest la solution gnrale du systme. On pourra vrifier que le passage la limite x infini nous ramne la solution en exponentielle.
Abaque de Mobilits
Abaque de Rsistivit
Phnomnes de diffusion.
La densit de courant peut donc se dduire de la loi de distribution des porteurs.
shW x
Lp ) q Dp p 0 chW x
d
Jp (x) q Dp
(p 0
dx
Lp
shW
Lp shW
Lp
Lp
q Dp p 0 W x
ch
Pour la vitesse de diffusion des porteurs, on aura: Jp (x) q p (x) v D
qui donne:
Lp
Lp shW
Lp
chW x
Jp (x) Dp
Lp Dp cothW x On peut remarquer que v augmente avec x.
vD
q p(x) Lp shW x Lp
Lp
Lp
La proximit du contact ohmique se traduit donc par une acclration des porteurs. La vitesse tend thoriquement vers linfini. En
ralit, la limitation physique correspond la vitesse thermique qui vaut sensiblement 107 cm/s 300 K.
La quantit dlectricit emmagasine sexprime par:
W
W x
chW x
sh
W
W
Lp dx q S p 0 Lp
Lp q S p 0 Lp
Q q S p(x) dx q S p 0
0
0
W
W
sh
sh
shW
Lp
Lp 0
Lp
1ch W
Lp
Ces expressions sont relativement compliques mais vont gnralement se simplifier dans les cas pratiques.
Dans le cas de lexercice, W = 1mm. Dans toutes les expressions prcdentes, on remarque des termes faisant intervenir des
fonctions du rapport W/Lp. Ce terme intervient sous forme de sinus ou de cosinus hyperboliques.
Ds que ce rapport sera infrieur 1/3, on pourra simplifier. En effet:
pour e << , sh e e; ch e 1 + e2/2 etc.
Par exemple; sh(1/3) = 0,339. On considrera donc que ds que le rapport W/L est infrieur 1/3 on peut
linariser les relations en utilisant les dveloppements limits des fonctions correspondantes.
Abaque de Mobilits
Abaque de Rsistivit
Phnomnes de diffusion.
W = 1 mm; W/L = 1:10,8 = 0,0926 <<1/3.
Compte tenu de ce qui prcde, on peut donc linariser les quations. On obtient donc:
shW x
Lp p 0 (1 x )
La distribution est donc linaire.
Pour la distribution des porteurs p (x) p 0
W
W
sh
Lp
Le courant, qui est la drive de la distribution , sera donc constant (les porteurs injects seront rcuprs au niveau du contact!).
shW x
Lp ) q Dp p 0 chW x q Dp p 0 (1 W 2 ) q Dp p 0 (1 W 2 ) q Dp p 0
Jp (x) q Dp d (p 0
dx
Lp
2L2p
W
2L2p
W
shW
Lp shW
Lp W
Lp
Lp
Lp
On peut en effet se contenter dun dveloppement limit au 1er ordre pour le cosinus hyperbolique qui tend donc vers 1 alors que dans
le cas du calcul de la charge ou intervient un terme en 1-che, on prendra le dveloppement au second ordre.
On peut remarquer que par rapport la distance infinie, on a remplac dans lexpression du courant, la longueur de diffusion par la
dimension du barreau. Cette dernire tant beaucoup plus petite que la longueur de diffusion et intervenant en dnominateur dune fraction
fait que le courant devient plus important. De plus, il est indpendant de la distance.
Jp (x) Dp
Dp chW x Dp 1 Dp
En ce qui concerne la vitesse de diffusion, on a: v D q p (x) Lp cothWLp x
Lp
W 1 x W x
Lp shW
Lp
W
On remarque le phnomne dacclration du au contact (sana oublier la limitation due la vitesse thermique).
q S p 0 Lp
shW
Lp
1ch W
Lp
q S p 0 Lp
W
Lp
W2
q S p 0 W
11
2
2
2 Lp
On peut donc remarquer que pour passer de lespace infini au barreau court, il suffit de remplacer Lp par W sauf dans le cas de la charge
stocke ou apparat un facteur 1:2. Ce facteur provient du dveloppement limit au second ordre
Abaque de Mobilits
Abaque de Rsistivit
Phnomnes de diffusion.
Comme dans le cas du barreau infini, on peut crire la charge comme tant le produit dun courant par un temps. Il sen suit:
q S p 0 W
2
or
I p Jp S
q Dp p 0
S
W
donc: Q
2
q Dp p 0 W 2
S
Ip W
W
2Dp
2Dp
Le terme W qui apparat sexprime en secondes. Il sagit du temps de transit entre le plan dinjection et le contact.
2D p
Applications Numriques.
Densit de courant: Jp )
q Dp p 0
mA
187,16
2
W
cm
v D Dp D p
W x W en
260 cm
s
x0
q S p 0 W
Q
pCb
0,08
2
2
S
cm
Ce cas particulier est celui que lon retrouvera dans tous les composants actifs du type
bipolaire: Diodes jonction et transistors bipolaires.
Abaque de Mobilits
Abaque de Rsistivit
La jonction PN.
II-C: La jonction P-N idale en rgime dynamique; modlisation au 1er ordre
1)- Thorme de superposition des tats
2)- Calcul du point de polarisation
3)- Modle quivalent de la Diode en direct
Plan Gnral
La jonction PN.
II-E: La jonction P-N relle en rgime de commutation
Rponse un signal carr
Plan Gnral
Silicium type P
trous
majoritaires
Silicium type N
lectrons
majoritaires
E
+
+
+
+
+
+
_
_
_
_
_
_
Lapparition de ce champ lectrique gnre donc un phnomne de conduction qui cre un flux de porteurs oppos la diffusion.
Lquilibre sera tabli lorsque les deux phnomnes se compenseront. I y aura ce moment l une zone dpourvue de porteurs appele
zone de charge despace sparant deux zones dans lesquelles sont confins les porteurs libres.
Plan Gnral
Plan du chaptre
Si
NB
A
NPD
ECP
EF
EF
EVP
EVN
Matriau type N
Matriau type P
Si nous mettons ces deux matriaux en contact, la seule constante qui va exister dans ce systme sera le niveau de Fermi. Le diagramme
de bandes va donc voluer de manire ce que les niveaux de Fermi de chaque constituant salignent et, par consquence, il y aura une
dformation des bandes dnergie.
Loin de la jonction mtallurgique, on va retrouver les matriaux originels par contre, au voisinage de celle ci, il va y avoir courbure des
bandes car elles restent continues. Le passage de la rgion N la rgion P se fait graduellement, sans discontinuit.
Plan Gnral
Plan du chaptre
ECP
EVP
nergie
F
ECN
EF
EVN
Matriau type N
Matriau type P
Charge despace
Potentiel
La zone centrale appele charge despace est une zone dans laquelle rgne un champ lectrique important (plusieurs kilovolts par
centimtre) et sera donc dpourvue de porteurs libres. Elle se caractrise par sa hauteur F et sa largeur d. Nous allons dans ce qui suit
dterminer les quations permettant de calculer ces deux lments caractristiques.
- Le champ est nul en dehors de la charge despace (donc le potentiel est constant).
Plan Gnral
Plan du chaptre
Rgion dop P
r = + q ND.
xp
-xn
Rgion dop N
0
- qNA
r = - q NA
Lorsque dans un matriau il existe une charge, on peut lui associer un potentiel grce lquation de poisson. Cette dernire scrit:
DV
r
0
e
Dans le cas dun modle unidimensionnel, le Laplacien se ramne une simple drive seconde et la relation scrira donc:
d V r 0
d x2 e
2
On va donc rsoudre cette quation successivement dans chacune des zones charges en tenant compte des hypothses de
Schokley, puis on crira les conditions de continuit du champ lectrique et du potentiel la traverse dune surface. Ce calcul
nous permettra non seulement dtablir la relation donnant la largeur de la charge despace, mais aussi mettra en vidence le fait
que la charge despace est globalement neutre.
Plan Gnral
Plan du chaptre
d V q ND
e
d x2
2
d V q N D x C te E soit E q N D x C te
e
e
dx
La constante se dtermine en crivant que le champ lectrique est nul la limite de la charge despace, cest- dire pour x = - xn. Cela
donne:
q ND
te
xn
C
Le champ lectrique scrit donc:
q ND
( x xn) soit
d V q N D ( x xn)
e
dx
q N D x2
( x xn) C te
e 2
La dtermination de la constante dintgration se fera aussi en utilisant les conditions aux limites. Le champ tant nul lextrieur de la
charge despace, le potentiel qui en est lintgrale premire est constant. On le posera gal Fn dans la rgion N. Il sen suit:
q N D x2
te
C e 2n Fn
q N D ( x x )2
V
En reportant dans lexpression du potentiel, on obtient:
n Fn
2e
Le mme calcul fait entre 0 et xp donnera des quations similaires. Il suffit de changer xn par + xp et + qND par qNA. On obtient, en
posant que la tension dans la rgion P est gale Fp::
q NA
2
q NA
Fp
(
x
x
p
)
2e
q NA
q Nd
xp
xn soit : N A x p N D xn
( x x p) et V
E (0)
Plan du chaptre
2
2
q NA
q ND
(
x
p) Fp
(
x
n) F n
2e
2e
soit :
Fn F p
q
(N A x2p N D xn2)
2e
Fn F p F
On obtient donc deux relations faisant intervenir xn et xp. Il est donc facile de rsoudre le systme afin de calculer d qui est la somme de ces
deux termes.
N A xp ND xn
q
(N A x2p N D xn2)
2e
d ND
N A ND
xn x p xn d
xp
d
soit:
ND N A
N A ND N A
NA
ND N A ND N A
N A ND
*
Pour des simplifications dcriture, on pose:
N ND N A
2
2
d N
q d N
N D
N A
F
Lquation (2) scrit alors:
2e N A
N D
q
d 2e F
F N d 2 qui donne:
Tous calculs faits, on obtient:
qN
2e
xp
ND
et
N A ND
xn d
ND ND N A
Il suffit donc de calculer la hauteur de la barrire de potentiel pour, connaissant les caractristiques du matriau (dopages et constantes
caractristiques), obtenir la dimension de la charge despace.
Plan du chaptre
nergie
ECP
ECN
EF
EVP
EVN
Matriau type N
Matriau type P
Charge despace
ECp
On en tire:
N exp ( EC E F )
kT
Potentiel
ECn q F ECn q
Rgion N:
nN
Rgion P:
nP
Fp
Or:
N exp ( ECN E F )
kT
E
CP E F
N exp (
)
kT
1
F F n F p ECn ECp
q
En reportant cette valeur de ECp dans celle donnant la densit des lectrons dans la rgion P, on obtient:
nP
Ce qui donne:
N exp (
ECn q F E F
E EF
q F
q F
) N exp ( Cn
) exp (
) nN exp (
)
kT
kT
kT
kT
nP nN exp (
F
)
UT
dans lequel
UT
kT
q
n
F
N N
nP nN exp ( ) F UT Ln N UT Ln A 2 D
UT
nP
ni
Donc:
Plan Gnral
np
Exercices
ni2
NA
F UT Ln
Plan du chaptre
N A ND
ni2
Rgion N
Rgion P
Dterminer les caractristiques de la rgion de charge despace (hauteur et largeur) dans les
diffrents cas suivants:
1)- ND = 10 18 cm-3, NA = 10 16 cm-3
2)- ND = 5 10 18 cm-3, NA = 2,5 10 16 cm-3
On tudiera successivement le cas du Germanium et du Silicium.
xn
xp
Mme question dans le cas ou les deux rgions ont des dopages identiques gaux : N = 10 16 cm-3.
Exercice n2) On reprend le cas de la diode correspondant lexercice prcdent (ND = 5 10 18 cm-3, NA = 2,5 10 16 cm-3). Recalculer les
dimensions lectriques des rgions dans les cas suivants:
Diode au silicium polarise par:
Une tension directe de 0,6 V
Une tension inverse de 5 V
Diode au Germanium polarise par:
Une tension directe de 0,3 V
Une tension inverse de 5 V
Plan Gnral
F UT Ln
N A ND
ni2
F 26 10
Ln
1016*1018
1,610
10 2
i
0,813 V
F 0,879V
Pour le germanium, ni = 2,5 10 13 cm-3
Cas n1)- ND = 10 18 cm-3, NA = 10 16 cm-3
F 0,431V
Cas n2)-ND = 5 10 18 cm-3, NA = 2,5 10 16 cm-3
F 0,496V
Abaque de Rsistivit
2e F
q N
1 1 1
N * N A ND
On pourra remarquer que, lorsque les deux dopages sont trs diffrents, cest le plus faible des deux qui conditionne la dimension de
la charge despace.
2 1012
2e F
0,813 0,318 mm
2 1012
2e F
0,879 0,209 mm
1,6 1019 2,51016
q N
La rpartition des extensions de charge despace dans les rgions se fait en raison inverse des dopages.
dp
d n d p d n
d ND
d N et
ND N A
NA
ND
NA
ND N A ND N A
Comme nous avons considr que N* = NA, toute la charge despace sera dans la rgion P. On aura donc:
soit:
dp
dn d N
WN = XN et WP = XP d Cas n1)- XP = 2,5 0,318 = 2,182 mm; cas n2)- XP = 2,5 0,209 = 2,291 mm.
Plan Gnral
ND
2 1012
2e F
0,431 0,232 mm
1,6 1019 1016
q N
2 1012
2e F
0,496 0,157 mm
1,6 1019 2,51016
q N
La rpartition des extensions de charge despace dans les rgions se fait en raison inverse des dopages.
d ND
x p xn x p xn d
xp
d N et
soit:
N
D
N
A
NA
ND
NA
ND N A ND N A
Comme nous avons considr que N* = NA, toute la charge despace sera dans la rgion P. On aura donc:
xn d N
ND
WN = XN et WP = XP d Cas n1)- XP = 2,5 0,232 = 2,268 mm; cas n2)- XP = 2,5 0,157 = 2,343 mm.
Si les deux rgions ont des dopages identiques, on recalcule la hauteur de la barrire. Elle vaut:0,879 V pour le Silicium et 0,496 V pour le Ge.
Pour ce qui est de la largeur, il faut calculer N* . Les deux dopages tant gaux, N* vaudra la moiti. On peut alors calculer les valeurs de d.
On obtient: 0,693 mm pour le silicium et 0,416 mm pour le germanium. Il faut faire attention cette fois-ci que les extensions de charge
despace seront gales dans les deux rgions.
WN xn d
2
WP x p d
2
Plan Gnral
Plan Gnral
Ec
EF
Ev
V
Ec
Ev
Plan Gnral
Plan du chaptre
EF
Polarisation en inverse;
cela correspond une
augmentation de la
hauteur de la barrire. La
nouvelle barrire vaut:
F F VA
NA
ND
ni2
NA
ni2
ND
Charge
despace
Rgion N
Rgion P
Pour une polarisation en direct, la hauteur de la barrire de potentiel diminue. Par consquence, sa largeur aussi. Les densits de
porteurs aux limites de la charge despace vont donc voluer car elles sont fonction de lnergie donc du potentiel. Nous considrerons
dans tout ce qui va suivre que nous sommes dans le cas dune hypothse de faible niveau dinjection cest dire que, au premier
ordre prs, nous ne perturbons que les densits de porteurs minoritaires.
Les densits de porteurs minoritaires aux limites de la charge despace sont fonction de lnergie qui elle mme dpend du potentiel
appliqu. Par exemple pour les lectrons dans la rgion P, leur densit scrit:
EC qV EF
qV
) N exp( EC EF ) exp
n exp V
kT
kT
kT
UT
Lexcs de densit est donc:
n N exp(
n n n n exp V n n exp V 1
UT
UT
Il en est de mme pour les trous dans la rgion N
p p exp V 1
UT
lectrons
excdentaires
Trous
excdentaires
n
p
ni2
ND
Plan Gnral
Plan du chaptre
ni2
NA
Lexcs de densit des porteurs la limite de la charge despace sobtiendra donc en faisant la diffrence entre la densit totale (voir
2
expression ci dessus) et la densit lquilibre thermodynamique ni . On obtient donc:
NA
2
qF
qFVa
qVa
qF
qF
qF
np ni ND exp (
) ND exp (
) ND exp (
) ND exp (
) ND exp (
) exp (
)1
NA
kT
kT
kT
kT
kT
kT
Va
Plan Gnral
Plan du chaptre
Dans ce qui prcde, nous venons de montrer que, lorsquon polarise une diode, on gnre un excs de densit
de porteurs. Il existe donc un gradient de concentration et par consquence, il y aura diffusion de porteurs. La loi de rpartition des porteurs
en excs sera donne par la solution de lquation de conservation (diapositive 71) applique au cas particulier de la diode.
dp
Cette quation scrit, dans le cas gnral,pour les trous :
1 div j p g r
dt
q
On obtient la mme quation pour les lectrons en remplaant p par n.
Rgion N
Contact
mtallique
Charge despace
p x
dp
1 div j p r
dt
q
Plan Gnral
Plan du chaptre
p
p
1 div ( q Dp grad p (x))
t
q
t
p
0
Nous allons tudier cette quation en rgime permanent ce qui implique:
t
Le cas du modle unidimensionnel entrane que les drivations se font exclusivement suivant laxe des x. Il sen suit:
2
p p
Dp d 2 0
dx t
Il suffit donc de connatre les conditions aux limites en 0 et en W pour obtenir la solution de cette quation. Elles scrivent:
en x = 0;
p 0 p0 p exp( V 1)
UT
en x = W;
p W 0
En effet, quelle que soit la distance W, le contact ohmique impose un excs de densit nul
shWN x
WN x
0
p
Lp
WN x
p(x)
e Lp e Lp p0
W
N
W
2 sh
sh N
Lp
Lp
Jn(x)
q DN n0 WP x
ch
Ln
Ln shWP
Ln
Plan Gnral
Plan du chaptre
q DN n0 WPx q DP p0 WN x
Ix AJ Jn(x) Jp(x) AJ
ch
ch
Ln
Lp
Ln shWP
Lp shWN
Ln
Lp
q DN n0 q DP p0
I0 AJ
DN
DP
I0q AJ n
N A Ln thWP ND Lp thWN
Ln
Lp
2
i
exp V 1
UT
Cette expression fait apparatre deux termes. Une constante qui ne dpend que des caractristiques gomtriques et des dopages et
un terme qui fait apparatre la tension de polarisation. Le terme constant est appel courant inverse thorique. Il a pour expression:
DN
DP
Is q AJ n
W
P
N A Ln th
ND Lp thWN
Ln
Lp
2
i
I Is exp V 1
UT
Plan du chaptre
I s q AJ ni2
N A WP N DWN
Ce cas sera celui que lon rencontrera gnralement.
On pourra remarquer que dans ce cas, les diffrentes quations qui ont t tablies sont linarise. La distribution des porteurs suivra une
loi linaire. Cet tat de fait prsente un intrt notable car le courant qui est proportionnel la drive de la distribution est alors constant
et indpendant de la position. Ceci est reprsent sur le schma ci dessous.
P+
Remarques importantes:
La charge despace stend presque exclusivement du
ct le moins dop.
Densit de courant
Les dimensions lectriques qui interviennent dans les
quations sont les dimensions effectives sur lesquelles
diffusent les porteurs. Elles se dduisent des dimensions
gomtriques et des extensions de la charge despace.
Jonction
mtallurgique
Densit dquilibre des minoritaires
Charge despace
Dimensions lectriques
Plan Gnral
Plan du chaptre
Charge de llectron
Aire de la jonction
I s q AJ
Densit des
minoritaires dans la
rgion
ni2 DP
N D WN
Dimension
lectrique de la
rgion
Plan Gnral
Plan du chaptre
Exercices
On donne:
Wp
Wn
xp
xn
ND = 10 18 cm-3
XN = 1,5 mm
NA = 5 10 15 cm-3
XN = 2,5 mm
Aire de la jonction:
tk
Aj = 70 mm * 70 mm
et on donne : t 106 s
pour N 10 16 cm3 .
Plan Gnral
F UT Ln
N A ND
0,745 V
ni2
2e F 0,434 mm
q N
Compte tenu des valeurs de dopages, la charge despace est entirement dans la rgion P. Les dimensions lectriques sont donc:
Ct N : WN = XN = 1,5 mm,
Ct P : WP = XP d = 2,5 0,434 = 2,06 mm.
Dtermination des composantes analytiques des courants:
Pour dterminer les expressions permettant de calculer les courants inverses dans les deux rgions, il est ncessaire de savoir si nous
avons affaire des rgions courtes ou non. Il faut donc calculer les longueurs de diffusion des porteurs minoritaires dans chacune des
rgions afin de les comparer aux dimensions des rgions correspondantes.
Le calcul des longueurs de diffusion ncessite la connaissance de la constante de diffusion qui est elle mme fonction de la mobilit.
Nous allons donc utiliser les abaques de mobilit comme point de dpart.
Dn Dp kT UT
mn mp q
Rgion N Rgion P
ND=10 18
NA=5 10 15
140
1280
D (cm /s)
3,64
33,3
t (s)
108
2 10-6
1,9 10-4
81,6 10-4
0,789
3,18 10-2
Dopage (cm-3)
m
2
minoritaires (cm /Vs)
L (cm)
W
L
Rgion normale
Rgion courte
Pour la rgion P:
DP
I SP q AJ ni2
N D Lp thWN
Lp
5,82 1017 A
DN
I SN q AJ ni2
6,46 1014 A
N A WP
On peut remarquer que le courant est essentiellement constitu de la composante correspondant aux lectrons dans la rgion P ce qui,
compte tenu des valeurs de dopages tait prvisible.
I SN
I SP I SN
1
1 I SP
I SN
Ce terme est extrmement voisin de lunit et ncessitera un calcul prcis. Dans notre cas, il vaut:
E = 1 9 10-3 = 0,9991
Plan Gnral
Abaque de Mobilits
I I s exp V
UT
UT Ln
I IS
I
UT Ln 1
IS
IS
Courant (mA)
Tension (V)
0,001
0,43
0,01
0,49
0,1
0,55
1
0,61
10
0,67
ID
Plan Gnral
Abaque de Mobilits
VD
Cas gnral:
Jonction
dissymtrique (N+ P)
Jonction courte
Jonction dissymtrique
courte (N+ P)
DN
DP
I0q AJ n
N A Ln thWP ND Lp thWN
Ln
Lp
2
i
DN
I0 q AJ n
N A Ln thWP
Ln
exp V 1
UT
ID
exp V 1
UT
2
i
DP
DN
I q AJ ni2
exp V 1
UT
N A WP N DWN
DN
I q AJ ni2
exp V 1
N
A
W
P
UT
La caractristique correspondante, pour une diode idale est reprsente sur le graphique dessus. On peut remarquer que cet
lment prsente une caractristique non linaire. En direct elle se comporte comme un interrupteur ferm, en inverse comme un
interrupteur ouvert.
Les diodes ont t utilises en logique pour ralise des fonctions lmentaires avant lutilisation de fonctions intgres.
Plan Gnral
Plan du chaptre
VD
v(t)
Composante continue
V0
{
0
+
v(t)
t
0
Plan Gnral
Plan du chaptre
Composante
variationnelle
Ces diffrentes considrations permettent dtablir le schma quivalent statique qui permettra de calculer la polarisation et dtablir le
modle quivalent dynamique utilis par la suite dans ltude dynamique.
Etude dynamique ou frquentielle.
Pour ltude du comportement frquentiel dun systme, on considrera gnralement trois domaines de frquence dans lesquels les
composants tels que capacits ou bobines auront des comportements diffrents. Dans les circuits que nous tudierons, les composants
passifs que nous utiliserons seront essentiellement des rsistances et des capacits.
Pour les capacits, nous ferons une diffrence entre les capacits physiques introduites dans les circuits afin de raliser des
liaisons ou utilises pour des dcouplages gnralement de fortes valeurs (lordre de grandeur est le Microfarad) et les capacits
structurelles des composants actifs correspondant aux lments du modle dynamique (lordre de grandeur est le Picofarad). Ces lments
auront des comportement diffrents dans chacun des domaines frquentiels que nous allons dfinir
Plan Gnral
Plan du chaptre
Les sources de tension continues seront considres comme des court-circuits (rsistance dynamique nulle).
Cette dcomposition en trois zones permet une tude beaucoup plus aise et donne des
rsultats absolument satisfaisants permettant de dcrire de faon simple le comportement des
circuits linaires.
Plan Gnral
Plan du chaptre
e(t)
E0
s(t)
s(t) =
Tensions continues
= C.O
E0
e(t)
= C.C
Courants continus
S0
+
s(t)
v(t)
v(t)
= C.C
s(t)
= C.C
Plan Gnral
Plan du chaptre
R
VD
E R I D VD
ID Is
exp UV 1
D
1
2
Ce systme dquations na pas de solution analytique car il appartient au groupe des quations transcendantes
Il faut donc trouver des mthodes de rsolution autres. Trois possibilits vont alors soffrir nous:
Une mthode Graphique
Une mthode Itrative
Une mthode Approche.
Nous allons examiner successivement ces diffrentes mthodes.
Plan Gnral
Plan du chaptre
Point de polarisation
ID
VD
Mthode Itrative:
Elle pratique par approximations successives en passant
successivement de la loi dOhm la caractristique de la
diode, puis de la caractristique de la diode la loi dOhm
etc. Cette mthode est assez rapide dans ce cas eu gard
la pente trs importante de la caractristique de la diode.
Le point de dpart peut-tre quelconque. Cette mthode ncessite toutefois de
connatre la valeur de Is ce que les constructeurs ne donnent gnralement pas.
Plan Gnral
Plan du chaptre
ID
ID
Elle est base sur le fait que la caractristique statique dune diode
peut, du fait de la pente trs importante de la loi I(V), sapproximer
par une caractristique rectangulaire comme le montre la figure ci
contre. Il suffira donc de se donner la valeur de la tension de coude
V0 et de rsoudre le systme correspondant.
VD
V0
VD
Exercice dapplication.
Nous allons comparer les rsultats obtenus partir de la mthode approche et de la mthode itrative pour un mme exemple
correspondant au circuit ci dessous.
ID
ID
1,2 mA
10 kW
12 V
VD
D
12 V
VD
Plan Gnral
Plan du chaptre
La diode est caractrise par son courant inverse thorique qui vaut: Is = 10 13 A.
(1)
(2)
Prenons par exemple une tension nulle aux bornes de la diode: point (1)
Le courant dans le circuit vaut: I = (E/R) = 1,2 mA.
(5)
Si ce courant circule dans le circuit, la tension aux bornes de la diode vaut,
point (2). VD = UT Ln (I/Is) = 0,603 V.
(4)
(3)
Avec la mthode approche, nous pouvons crire: VD =0,6 V donc I = (E VD)/R) = 1,14 mA. Si au lieu de prendre VD = 0,6 V on
prend 0,7 (erreur de 16 % sur la tension) la variation de courant est trs faible. On obtient en effet I = 1,13 mA soit une variation relative
de 0,8 % ce qui est ngligeable. Cette mthode sera donc systmatiquement utilise pour calculer les points de polarisation.
v(t)
ID
e~
E0
R
v(t)
VD
t
Ltude de ce circuit peut se dcomposer en deux parties comme dcrit
prcdemment.
La source de tension v(t) peut se
reprsenter de la manire montre cicontre.
v(t)
e~
E0
Nous allons donc, dans une premire phase nous intresser la rponse du circuit vis vis de la valeur moyenne du signal dentre.
Cela permettra de dterminer le point de polarisation cest dire la valeur des tensions continues aux diffrents nuds et des courants
continus dans les diffrentes branches. Pour ce, nous utiliserons la source de tension continue E0.
Plan Gnral
Plan du chaptre
V
0
Plan Gnral
Plan du chaptre
I0
On peut donc en conclure que, pour des petites variations autour dun point de
fonctionnement, on peut linariser la caractristique de la diode et, par
consquent, considrer quelle est assimilable un lment dont la
caractristique , dans le plan I(V), est une droite.
V0
Un tel lment est assimilable une rsistance. On parlera donc de rsistance dynamique .
La rsistance dynamique dune diode autour dun point de fonctionnement est donc le rapport entre la variation de tension et la variation
de courant au point considr (cest la valeur de la drive en ce point).
rd dV
dI
I I 0
ID Is
exp UV 1
dI 1 I S exp V dV
UT
UT
Plan Gnral
soit rd dV
dI
Plan du chaptre
I I 0
UT
UT
IO
I S exp V
UT
Q I p0 t
Le temps qui apparat dans cette relation peut-tre:
- La dure de vie dans le cas dune diode longue,
- Le temps de transit dans le cas dune diode courte.
Le courant tant une fonction de la tension, si celle-ci varie, il en sera de mme pour I, donc pour Q. On peut donc exprimer la variation de
charge induite par une variation de tension.
V
dQ dI p0 t d I s exp UT
t
dV
dV
dV
W2
Dans le cas dune diode courte, le temps qui intervient est gal au temps de transit des porteurs et vaut
. On sait que la drivation de
2D
lexponentielle correspond une division par UT, ce qui donne:
dQ I0 W 2
dV UT 2D
Le terme
dQ
dV
N+
Plan Gnral
Plan du chaptre
P
Variation de
charge due la
variation de
tension
rC
d
W
I 0 UT
UT I0 2D
2
rC
d
En dynamique
Cd
rd
W2
2D
Plan Gnral
Plan du chaptre
N+
CT
e Aj
2e F Va
qN
CT
C0
Variation de la capacit de
transition en fonction de la tension
inverse
CTVa CT0 F
F Va
1
2
0
Plan Gnral
Plan du chaptre
Va
Cd
rd
CT
R=
Plan Gnral
Plan du chaptre
En dynamique
(1)
(6)
(5)
(2)
(8)
Plan du chaptre
(4)
(7)
(3)
N+
Rs = 2,4 kW
Un tel composant correspond une diode idale en srie avec une
rsistance de forte valeur ce qui correspond :
Vext
1 2 mm
ID
VD
Rs
avec:
Vext Rs I D
Plan Gnral
et
~300 mm
I D I s exp VD 1
UT
Plan du chaptre
Diode
Idale
Rsistance srie (2,4 kW)
Tension extrieure
ID (mA)
0,001
0,01
0,1
10
100
VD (V)
0,42
0,48
0,54
0,6
0,66
0,72
Rs * ID (V)
0,0024
0,024
0,24
2,4
24
240
VD + Rs * ID (V)
0,4224
0,504
0,78
24,66
240,72
La caractristique rsultante nest plus celle dune diode mais celle dune rsistance avec un seuil.
ID (mA)
Diode Idale
Diode Relle
10
1
V (Volts)
1
10
15
20
Plan Gnral
25
Plan du chaptre
30
Dopages (Ln)
1 2
N+
N++
25
P-
Dopage
rsultant
PPlan du chaptre
P++
Plan Gnral
Distances en mm
~300
P++
2,5 10 2 W cm , Xn = 2,5 mm
2 W cm ,
Xp = 2,5 mm
Le calcul donne une rsistance srie gale 13,9 W. Si on reprend le tableau prcdent, on obtient:
Diode
Idale
Rsistance srie (13,9 W)
Tension extrieure
ID (mA)
0,001
0,01
0,1
10
100
VD (V)
0,42
0,48
0,54
0,6
0,66
0,72
Rs * ID (V)
13,9 mV
139 mV
1,39 mV
13,9 mV
139 mV
1,39 V
VD + Rs * ID (V)
0,42
0,4801
0,54139
0,613
0,799
2,01
Mis part pour un courant de 100 mA ou lcart semble important, les autres valeurs sont cohrentes. Nous verrons par la suite que pour
une surface correspondant la valeur prise ici (50 mm * 50 mm), le courant maximum se situera aux environs de quelques milli-Ampres.
Lcart par rapport la thorie sera donc acceptable.
Plan Gnral
Plan du chaptre
Or,
n N A
2
n
V
i
n n exp
exp V
UT
NA
UT
La tension correspondant lapparition du fort niveau se dduit donc directement de cette relation et donne:
2
n
i
NA
exp VFN
NA
UT
ce qui donne :
VFN 2 UT Ln N A
ni
On peut donc remarquer que cette tension est fonction du dopage de la rgion correspondante.
Diffrentes thories du fort niveau existent. Elles sont souvent complexes et font largement appel aux calculs numriques.
On peut toutefois faire une approche relativement simple en considrant que la perturbation des majoritaires entrane lapparition dun
champ lectrique qui engendre un phnomne de conduction. Comme dans le cas dun semi-conducteur inhomogne, ce champ sexprime
par la relation:
grad(p (x))
(x) = NA + n(x) .
avec: p(x) = NA + p
i
UT
p(x)
dn dp.
dx dx
Nous pouvons calculer la tension apparaissant aux bornes de la rgion quasi neutre P en intgrant le camp lectrique. Cela donne:
Plan Gnral
Plan du chaptre
VN E x dx UT dn UT
p
O
O
Lintgrale donne:
VN UT Ln p0
dp
p
O
p
UT Ln N A Ln N A p UT Ln1
UT Ln1 n
NA
NA
d
n
d
n
J n q Dn
s n E q Dn
q n mn E
dx
dx
grad n
d
n
J n q Dn
q n mn UT
q Dn dn 1 n
dx
p
dx n N A
J n q Dn dn 1 N A
dx 1 n
NA
Dans le cas dune diode courte, on peut considrer que la distribution des porteurs est linaire. Il sen suit:
La densit du courant vaut donc:
J n q Dn n 1 N A
W 1 n
NA
n
NA
J n 2 q Dn n
W
n
NA
1 n
NA
Plan Gnral
dn
dx
dp
dx
n
W
Plan du chaptre
Or,
VN UT Ln 1 n
NA
V
n n exp
do;
UT
On a donc: VN ~ V.
n exp V
UT
VN UT Ln n UT Ln
NA
N
A
UT Ln n V
NA
ID
Rsistance srie
n exp V
UT 2 q Aj Dn n exp Vext
I J n Aj 2 q Aj Dn
W
W
2 UT
Fort niveau
VFN 2 UT Ln N A 0,65V
ni
Loi thorique
VD
0
Plan du chaptre
fn(Er )
n ni
n p 2 ni
Plan Gnral
Plan du chaptre
n p ni2
n p ni2
1
Rn C Nr
t n p 2 ni
n p 2 ni
Si nous calculons ce taux de recombinaison dans la rgion de charge despace, nous pouvons crire que:
n et p ni
Il sen suit:
donc:
ni
t 2
Rn 1
de mme que
n p ni2
or, dans des conditions dquilibre, Rn = - Gn. Le taux de gnration dans la rgion de charge despace vaut
Gn
ni
2t
Ce taux de gnration va donner naissance un courant lectrique car les porteurs gnrs vont tre entrans par le champ lectrique
important qui rgne dans cette zone. Le courant sera donc proportionnel la charge de llectron et au volume de la charge despace. Il
vaut:
ni
Ig q Aj d Gn q Aj
2t
Ig q Aj
ni
2t
2e F V
q N
Ce courant est effectivement trs grand devant le courant inverse thorique et on pourra considrer que, en inverse, il est prpondrant.
Plan Gnral
Plan du chaptre
1
1 V
VBR
VBR
Le courant, dans la zone davalanche scrit:
I = M Ig
Zone davalanche
Plan du chaptre
d 2V
rmobiles
2
dx
e
Les lectrons se dplaant dans la charge despace la vitesse limite (vth), on peut crire lexpression du courant sous la forme:
I rmobiles Aj vth
On peut donc en tirer lexpression de la charge qui vaut donc:
rmobiles
I
Aj vth
La diffrence de potentiel engendre par cette charge traversant la charge despace peut donc scrire:
rmobiles 2
V
dx
e
I
0 e Aj vth dx2
Id2
I x2
V
2
e
A
j vth
2 e Aj vth
V
cest dire,
I
d2
2 e Aj vth
Plan Gnral
Plan du chaptre
Diode idale
VBR
0
Zone davalanche
Plan Gnral
Plan du chaptre
Limitation en Puissance.
Directement lie la puissance que peut dissiper la diode, elle est fonction de lenvironnement ainsi que du botier. Elle traduit la
capacit du composant vacuer les calories dues leffet Joule. Le passage dun courant dans le composant sous une tension donne
induit une puissance consomme qui va lever la temprature interne. La temprature maximale de fonctionnement dune jonction est
de 200 C. Il est donc ncessaire dvacuer les calories afin de rester au dessous de cette valeur. Ce sera le rle du botier.
Il est caractris par une Rsistance Thermique qui permettra de calculer la puissance maximum dissippable dans des conditions
donnes. La relation liant cette rsistance thermique et la puissance maximale est:
Pmax
Tj max TA
Rth
avec:
Le lieu Pmax = constante dans le plan I(V) est une hyperbole appele Hyperbole de dissippation maximum . Le point de
fonctionnement devra se situer entre les axes et cette hyperbole.
Plan Gnral
Plan du chaptre
I
Hyperbole de
dissippation maximum
Limitation en Courant.
Lie aux caractristiques du matriau, sa valeur va dpendre des
dimensions gomtriques du composant.
En rgime permanent, le silicium supporte des densits de courant
de lordre de 100 A/ cm2. Cette limite tend tre augmente de
manire significative avec les volutions technologiques qui
permettent dobtenir des matriaux de trs bonne qualit (la limite
de 100 A tend actuellement vers plusieurs centaines dampres au
cm2).
V
Limitation en
courant
Limitation en Tension.
Cette limitation interviendra exclusivement en inverse. Elle sera due au champ lectrique dans la rgion de charge despace. Le silicium,
comme tous les matriaux cristalliss, va pouvoir supporter un champ lectrique interne maximum au del duquel les liaisons atomiques
vont tre casses. Ce champ est appel gnralement Champ disruptif not ECR.
Pour le silicium, sa valeur est de 30 V/mm.
Le champ maximum dans la rgion de charge despace sexprime en fonction de la tension inverse applique. On va donc pouvoir dfinir
une tension maximum admissible qui dcoulera de cette contrainte.
Le champ maximum scrit:
Emax
q N*
Plan Gnral
Plan du chaptre
ECR
ce qui donne:
2e
(F VBR )
q N*
q N*
VBR
eE
2
CR
2 q N*
Exercices
On pourra remarquer que cette tension est inversement proportionnelle au dopage. Pour obtenir des tensions de claquage
importantes, il faudra utiliser des matriaux peu dops.
Une autre limitation en tension peut exister dans les composants semi-conducteurs. Elle est lie la dimension de la charge despace.
Nous avons vu que pour diminuer la rsistance srie de la diode,
on utilisait un substrat fortement dop sur lequel on faisait crotre
une couche faiblement dope. Laugmentation de la tension
inverse se traduit par un largissement de la charge despace qui
peut recouvrir compltement la zone faiblement dope. On dira
alors quil y a percement de la diode . Ce phnomne nest pas
destructif mais la diode na plus du tout les mmes
caractristiques car au lieu davoir une diode N+ P, on a alors une
diode N+ P++ ce qui est totalement diffrent.
N+
Charge despace P-
P++
Plan Gnral
Plan du chaptre
N+
On donne:
P-
P- = 10 16 cm-3
10
N+ = 10 18 cm-3
P++ = 10 19 cm-3
Aj = 0,1 mm2
290
P++
F UT Ln
N A ND
0,813 V
ni2
2e F 0,318 mm
q N
Compte tenu des valeurs de dopages, la charge despace est entirement dans la rgion P. Les dimensions lectriques sont donc:
Ct N : WN = XN = 2 mm,
Ct P : WP = XP d = 10 0,318 = 9,682 mm.
Rgion P-
Rgion P++
m mino (cm2/Vs)
150
1175
110
m majo (cm2/Vs)
275
425
75
D (cm2/s)
3,9
30,55
2,86
t (s)
10 -8
10 -6
10 -9
l (mm)
1,97
55,27
0,534
W/l
1,01
Non courte
0,181
Courte
543
Non courte
Plan Gnral
Abaque de Mobilits
DN
IS q AJ ni2
N AWP
1,251013 A
Il est caractris par le moment ou la densit des minoritaires injects devient gale celle des majoritaires de la rgion correspondante.
Or,
n N A
2
n n exp V ni exp V
UT
NA
UT
La tension correspondant lapparition du fort niveau se dduit donc directement de cette relation et donne:
2
N A ni exp VFN
NA
UT
Application numrique:
ce qui donne :
VFN 2 UT Ln N A
ni
VFN = 0,694 V
I I s exp V
UT
Compte tenu de la valeur de la tension, on peut ngliger lunit devant lexponentielle. Il sen suit:
I 8,45 mA
Ces trois rsistances sont de la forme: R = r*l/s. les rsistivits des rgions valent:
Rgion N+ 2,5 10 2 W cm
Rgion P- 1,5 W cm
Rgion P++ 10 2 W cm
Plan Gnral
13 ( 2,5 102 2 104 1,5 9,682 104 102 290 104) 1,74 W
10
Diode
Idale
Rsistance srie (1,74 W)
Tension extrieure
ID (mA)
0,001
0,01
0,1
10
100
VD (V)
0,412
0,472
0,532
0,592
0,652
0,712
Rs * ID (V)
1,74 mV
17,4 mV
174 mV
1,74 mV
17,4 mV
174 mV
VD + Rs * ID (V)
0,412
0,472
0,532
0,594
0,669
0,886
26103
U
T
rd I 1,31103 19,7 W
W
r C W
C
8,28 pF
2D
2Dr
2
En polarisation inverse.
Tension thorique de percement: elle correspond la tension pour laquelle la charge despace recouvre entirement la rgion P- cest
dire la valeur de tension correspondant d = 10 mm.
q N X p2
2
e
F Vp Vp 2e F 800 V
d Xp
q N
q N*
d dans laquelle d est une fonction de V. Donc:
Le champ maximum la jonction sexprime par la relation: Emax
e
2
e ECR
VBR 27,31 V
VBR
F avec Ecr = 30 V/mm . On obtient:
2 q N*
Le claquage apparatra donc par effet davalanche pour une tension inverse de sensiblement 27 V.
Plan Gnral
2t
Il sera plus facile, afin de tracer la caractristique inverse, dexprimer Ig en fonction de sa valeur lquilibre thermodynamique. Il vient:
I gv I g0 1 V
F
Le calcul donne
1
2
27,31 2
I g28V 40,7 1012 1
1,41 109 A
0
,
813
Ig q Aj
ni
2t
2e F V
q N
La rsistance dynamique est obtenue en drivant cette expression par rapport la tension:
r dV
dIg
2t 2 N
Aj ni qe
1
2
F V
1
2
Abaque de Mobilits
CT
e Aj
e Aj
8,6 1012 F ou 8,6 pF
2e F V
qN
La rsistance dynamique dans la zone davalanche est donne par:
d2
2 e Aj vth
La dimension de la charge despace correspond une tension de 27,31 V et vaut: 1,87 mm.
La rsistance vaut donc: 1,75 W.
On peut donc, compte tenu de ces diffrentes valeurs, tracer la caractristique relle de la diode.
Plan Gnral
Abaque de Mobilits
v
ED
ID
0
R
v(t)
t0
t1
VD
-Ei
Nous allons chercher tablir les quations permettant de reprsenter les volutions de la tension aux bornes de la diode et du courant
dans cette dernire en fonction du temps. Pour ce, il est ncessaire de pouvoir modliser la diode dans les diffrentes phases du
processus de commutation:
1)- t < t0; v(t) = -Ei la diode est bloque.
2)- t0 - e < t < t0 + e; v(t) passe de -Ei ED la diode passe dun tat bloqu un tat conducteur.
3)- t0 < t < t1, v(t) = ED la diode est conductrice.
4)- t1 - e < t < t1 + e; v(t) passe de ED -Ei la diode passe dun tat conducteur un tat bloqu.
Il faut donc modliser notre circuit dans chacune de ces phases.
Plan Gnral Plan du chaptre
CT
e Aj
2e F EI
q N
La modlisation du circuit correspond alors une rsistance R en srie avec une capacit CT. Cest donc ce modle qui va tre la
base de ltude qui suit.
Plan Gnral
Plan du chaptre
CT 1
Ei V0 Ei
qui scrit:
e Aj
CT 1
Ei V0 2e
q N
on obtient donc:
F V
V0
1
2
Ei
e Aj
dV
2e F V
qN
1
e Aj
1
2
dV
2
F
Ei V0 2e
Ei
q N
2e Aj
F Ei
CT 1
Ei V0 2e
q N
VD(t) A e
R CT
1
0 2
ED
pour t t 0 , VD(t0) A B Ei
pour t , VD() B ED A ED Ei
Donc,, VD(t) ED Ei e
F V
1
2
VD
t
R CT
V0
V0
t0
td
ED
-Ei
Plan Gnral
Plan du chaptre
VD
ED
rd Cd
V0
ID
t0
Modle pour
VD < V0
R
VD
CT
ED
-Ei
ID
I
R
Modle pour
VD >V0
ED
CD
DI = (ED + Ei)/R
rd
VD
I = (ED V0)/R
Nous pouvons, dans un mme temps tracer la variation du courant.
Lorsque la tension dentre passe de Ei ED, la capacit se
comporte comme un court circuit. Le courant est donc maximum
et vaut(Ei+ED)/R. La capacit va ensuite se charger et le courant
va dcrotre jusqu (ED V0)/R.
Plan Gnral
Plan du chaptre
VD therique >V0
rd
Modle pour
-Ei
VD
CD
ID
R
Modle pour
VD < V0
Ei
CT
VD
Plan du chaptre
rd C d
V0
0
t0
t1
R CT
-Ei
Temps de dblocage
I
Temps de recouvrement inverse
tri
ED V0
I
R
DI
ED Ei
R
Plan Gnral
Plan du chaptre
vr
D
R
vR
v(t)
t
v(t)
Plan Gnral
Plan du chaptre
vr
v(t)
t
vR
v(t)
On obtient donc une amlioration notable du rendement. Ce systme est utilis dans tous les redresseurs; on lui adjoindra une capacit en
parallle avec la rsistance afin dobtenir une valeur quasi continue ainsi quun ensemble de rgulation permettant de compenser
instantanment des variations pouvant apparatre au niveau de lutilisation. Ce montage est la base des alimentations stabilises.
Plan Gnral
Plan du chaptre
R
D1
e1 = e2 = +5 V
e1 = e2 = -5 V
e1
e1 = +5 V, e2 = -5 V
e2
D2
e1 = - 5 V, e2 = +5 V
Les deux derniers cas sont identiques; nous avons donc trois cas analyser.
1)- e1 = e2 = +5 V; les deux diodes conduisent car la tension leurs bornes est thoriquement suprieure 0,6 V (+5 V sur la cathode et + 10 V
sur lanode). La tension de sortie est donc gale la tension dentre dcale de 0,6 V soit: s = 5,6 V ( 1 logique).
2)- e1 = e2 = -5 V; les deux diodes conduisent car la tension leurs bornes est thoriquement suprieure 0,6 V (-5 V sur la cathode et + 10
V sur lanode). La tension de sortie est donc gale la tension dentre dcale de 0,6 V soit: s = -4,4 V ( 0 logique).
3)- e1 = +5 V, e2 = -5 V o e1 = - 5 V, e2 = +5 V
Il va falloir, dans ce cas faire une hypothse sur ltat des diodes. Trois cas sont possibles:
Plan Gnral
Plan du chaptre
e1
0
1
0
1
La fonction ainsi ralise correspond une fonction
e2
0
1
1
0
s
0
1
0
0
et .
s = e1 et e2 = e1 * e2
Plan Gnral
Plan du chaptre
N+
Plan du chaptre
DC
Signal
Basse
frquence
C0
Plan Gnral
Plan du chaptre