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sciences de sciences de

l’ingénieur
l’ingénieur

aS m i t h
aS e d r a
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aS m i t h
Circuits
microéléctroniques aS e d r a
Cet ouvrage de référence a été conçu pour couvrir l’ensemble des circuits aS m i t h
électroniques analogiques et digitaux modernes : une ressource inestimable
pour professionnels, enseignants, chercheurs et étudiants.

Une référence en français pour les cours abordant les circuits électroniques

microéléctroniques
analogiques et digitaux, ce livre couvre les composants de base tels que la diode,

Circuits
les transistors bipolaires et MOSFET, ainsi que les circuits qui en découlent.
Un outil complet
L’accent est mis sur l’acquisition des méthodes d’analyse des circuits électro-
niques modernes : amplificateurs opérationnels, filtres, références de tension,

microéléctroniques
convertisseurs analogiques digitaux (D/A et A/D), boucles à verrouillage de
phase (PLL), oscillateurs, mélangeurs (mixers) et circuits de télécommunication.

Circuits
Cet ouvrage étudie également l’analyse de l’architecture des circuits, la réponse
en fréquence, le bruit, etc. Parmi les circuits digitaux, seront abordés l’inver-
seur CMOS et différents circuits mémoire : verrous (latch), bascules (flip-flop),
mémoires flash, etc.
L’objectif de ce livre
L’objectif de ce livre est de développer chez le lecteur la capacité d’analyse et de
conception des circuits électroniques analogiques et digitaux, discrets et intégrés.
Le sujet des circuits analogiques est largement couvert et l’accent est mis sur la
conception des circuits analogiques intégrés. En effet, les progrès de la techno-
logie de fabrication et d’intégration rendent inévitable l’acquisition des méthodes
d’analyse des circuits analogiques, même pour les circuits digitaux. L’analyse
est facilitée par les outils de simulation, largement utilisés dans l’industrie et qui
deviennent de plus en plus abordables et à la portée de chacun.

Traduction
Dr. Dragos DANCILA, est ingénieur civil électricien et a obtenu un doctorat
en sciences de l’ingénieur de l’Université catholique de Louvain, Belgique.
Conférencier associé à l’Université d’Uppsala, Suède. Il s’est spécialisé en
microélectronique et en ingénierie micro-onde.

Pr. Marius DANCILA, est ingénieur civil électromécanicien. Sa carrière profes-


sionnelle s’est partagée entre la recherche (ICEMENERG, Bucarest, Roumanie)
et l’enseignement (IESN, Namur, Belgique). Il s’est spécialisé en modernisation

sciences de
l’ingénieur
énergétique et en sources renouvelables d’énergie.
Conception graphique : Primo&Primo

ISBN : 978-2-8041-7777-5

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ALEXANDER, SADIKU, Analyse des circuits électriques

BEER, JOHNSTON, BENEDETTI, TREMBLAY, Mécanique pour ingénieur. Vol. 1 Statique

BEER, JOHNSTON, COLLET, MAYER, Mécanique pour ingénieur. Vol. 2 Dynamique

BOLES, CENGEL, LACROIX, Thermodynamique. Une approche pragmatique, 2e éd.

GHASEM, HENDA, Bilans matière et énergétique pour l’ingénierie chimique.


Principes et applications pratiques

REDDY, Mécanique des milieux continus

WELTNER, WEBER, SCHUSTER, GROSJEAN, Mathématiques pour physiciens et ingénieurs


Ouvrage original

Copyright © 2011 by Oxford University Press, Inc.

Microelectronic Circuits, sixth edition, was originally published in English in 2011.


This translation is published by arrangement with Oxford University Press.

Microelectronic Circuits, sixth edition, a été publié en anglais en 2011.


Cette traduction est éditée suite à un accord avec Oxford University Press.

Pour toute information sur notre fonds et les nouveautés dans votre domaine de spécialisation, consultez
notre site web : www.deboecksuperieur.com.

© De Boeck Supérieur s.a., 2016


Rue du Bosquet, 7, B-1348 Louvain-la-Neuve
Pour la traduction et l’adaptation française

Tous droits réservés pour tous pays.


Il est interdit, sauf accord préalable et écrit de l’éditeur, de reproduire (notamment par photocopie)
partiellement ou totalement le présent ouvrage, de le stocker dans une banque de données ou de
le communiquer au public, sous quelque forme et de quelque manière que ce soit.

Imprimé en Belgique

Dépôt légal :
Bibliothèque nationale, Paris : septembre 2016 ISBN : 978-2-8041-7777-5
Bibliothèque royale de Belgique, Bruxelles : 2016/13647/106
SOMMAIRE

Avant-propos xix

PREMIÈRE PARTIE : DISPOSITIFS ET CIRCUITS DE BASE

1. Électronique et semiconducteurs 2
2. L’amplificateur opérationnel (ampli op) 86
3. Diodes 156
4. Transistors à jonction bipolaire (BJT) 220
5. Transistor à effet de champ – MOSFET 356

DEUXIÈME PARTIE : AMPLIFICATEURS À CIRCUITS INTÉGRÉS

6. Blocs de construction des amplificateurs à CI 472


7. Amplificateurs différentiels et multi-étages 562
8. Réponse en fréquence 658
9. Rétroaction 766

TROISIÈME PARTIE : CIRCUITS INTÉGRÉS ANALOGIQUES

10. Circuits à amplificateurs opérationnels 870


11. Filtres et amplificateurs accordés 952
12. Générateurs de signaux et circuits de formation 1030
13. Étages de sortie et amplificateurs de puissance 1090

QUATRIÈME PARTIE : CIRCUITS INTÉGRÉS NUMÉRIQUES

14. Circuits CMOS logiques numériques 1154


15. Circuits logiques bipolaires et MOS améliorés 1232
16. Circuits de mémoire 1292

Annexes
A La technologie de fabrication VLSI A-1 (en anglais, sur le CD)
B Simulations et modèles de périphériques à l’aide du logiciel SPICE.
Exemples de conception en utilisant PSpice® and Multisim™ B-1 (en anglais, sur le CD)
C Les paramètres d’un quadripôle C-1 (en anglais, sur le CD)
D Théorèmes utiles pour l’analyse des réseaux D-1 (en anglais, sur le CD)
E Circuits à constante de temps unique (CTU) E-1 (en anglais, sur le CD)
F L’analyse en plan s : les pôles, les zéros et les diagrammes de Bode F-1 (en anglais, sur le CD)
G Bibliographie G-1 (en anglais, sur le CD)
H Valeurs normalisées des séries de résistors et les préfixes des unités de mesure H-1
I Réponses aux problèmes sélectionnés I-1

Index IN-1
Index pour le CD IX-1

v
TABLE DES MATIÈRES

Sommaire v 1.7 Semiconducteurs intrinsèques 40


Table des matières vii 1.8 Semiconducteurs dopés 43
Liste des tableaux xviii 1.9 Circulation du courant
dans un semiconducteur 46
Avant-propos xix 1.9.1 Courant de dérive 46
1.9.2 Courant de diffusion 49
1.9.3 Relation entre D et  
PREMIÈRE PARTIE 1.10 Jonction pn en circuit ouvert 51
1.10.1 Structure physique 51
DISPOSITIFS ET CIRCUITS DE BASE 1.10.2 Fonctionnement de la jonction pn
en circuit ouvert 52
1 Électronique et 1.11 La jonction pn sous tension externe 59
semiconducteurs 2 1.11.1 Description qualitative
du fonctionnement de la jonction 59
Introduction 3 1.11.2 Relation courant-tension
1.1 Signaux 4 pour la jonction pn 61
1.2 Spectre de fréquence des signaux 7 1.11.3 Tension de claquage 66
1.3 Signaux analogiques et numériques 10 1.12 Effets capacitifs dans la jonction pn 67
1.4 Amplificateurs 14 1.12.1 Capacitance de jonction ou
1.4.1 Amplification du signal 14 de déplétion 67
1.4.2 Symbole d’un circuit 1.12.2 Capacitance de diffusion 69
d’amplification 15
1.4.3 Gain de tension 15 Résumé 71
1.4.4 Gain de puissance et gain de courant 16 Problèmes à résoudre 75
1.4.5 Gain exprimé en décibels 16
1.4.6 Sources d’alimentation 2 L’amplificateur opérationnel
d’un amplificateur 17 (ampli op) 86
1.4.7 Saturation de l’amplificateur 19
1.4.8 Notations conventionnelles 20 Introduction 87
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs 21 2.1 Ampli op idéal 88
1.5.1 Amplificateurs de tension 21 2.1.1 Terminaux d’un ampli op 88
1.5.2 Amplificateurs en cascade 23 2.1.2 Fonctions et caractéristiques
1.5.3 Autres types d’amplificateurs 26 d’un ampli op idéal 89
1.5.4 Relations entre les quatre types 2.1.3 Signal d’entrée en mode différentiel et
d’amplificateurs 26 en mode commun 90
1.5.5 Détermination de Ri et Ro 27 2.2 Ampli op comme inverseur 92
1.5.6 Modèles unilatéraux 27 2.2.1 Gain de l’amplificateur
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur 30 à boucle fermée 93
1.6.1 Comment mesurer la réponse 2.2.2 Effet du gain fini en boucle ouverte 95
en fréquence d’un amplificateur 30 2.2.3 Résistance d’entrée et de sortie 96
1.6.2 Bande passante 31 2.2.4 Amplificateur sommateur pondéré 100
1.6.3 Évaluation de la réponse en fréquence 2.3 Configuration non-inverseuse 101
des amplificateurs 32 2.3.1 Gain en boucle fermée 101
1.6.4 Circuits à constante de temps unique 2.3.2 Effet du gain fini en boucle ouverte 103
(CTU) 32 2.3.3 Résistance d’entrée et de sortie 103
1.6.5 Classification des amplificateurs 2.3.4 Le suiveur de tension 103
en fonction de la réponse
en fréquence 38

vii
viii Table des matières

2.4 L’amplificateur différentiel 105 3.3.6 Modèle à diode idéale 174


2.4.1 L’amplificateur différentiel 3.3.7 Le modèle en petit signal 175
à un seul ampli op 106 3.3.8 Utilisation de la diode comme
2.4.2 Amplificateur d’instrumentation 110 stabilisateur de tension 179
2.5 Intégrateurs et différenciateurs 114 3.4 Fonctionnement dans la région
2.5.1 Configuration d’un inverseur 114 de claquage – la diode Zener 181
2.5.2 L’amplificateur intégrateur 3.4.1 Caractéristiques et modélisation
inverseur 116 de la diode Zener 182
2.5.3 Ampli op différenciateur 121 3.4.2 Utilisation de la diode Zener
2.6 Imperfections de l’ampli op en c.c. 122 comme régulateur shunt 183
2.6.1 La tension d’offset 123 3.4.3 Effets de température 185
2.6.2 Polarisation d’entrée et 3.4.4 Remarque finale 186
courants d’offset 126 3.5 Circuits redresseurs 186
2.6.3 Effets de VOS et IOS sur le fonctionnement 3.5.1 Redresseur demi-onde ou
de l’intégrateur inverseur 130 mono-alternance 187
2.7 L’effet du gain fini en boucle ouverte et 3.5.2 Redresseur pleine onde ou
de la bande passante sur les performances double-alternance 188
du circuit 131 3.5.3 Le pont redresseur 190
2.7.1 Dépendance en fréquence du gain 3.5.4 Le redresseur avec condensateur
en boucle ouverte 131 de filtrage 192
2.7.2 Réponse en fréquence des 3.5.5 Redresseur mono-alternance de
amplificateurs à boucle fermée 133 précision – La «superdiode» 198
2.8 Fonctionnement de l’ampli op 3.6 Circuits limiteurs (écrêteurs) 199
à large signal 136 3.6.1 Circuits limiteurs 199
2.8.1 Saturation de la tension de sortie 136 3.6.2 Restaurateur à c.c. 202
2.8.2 Limites du courant de sortie 136 3.6.3 Doubleur de tension 204
2.8.3 Vitesse de balayage 138 3.7 Diodes spéciales 205
2.8.4 Bande passante à pleine puissance 139 3.7.1 Diode Schottky (SBD) 205
3.7.2 Diode varicap 205
3.7.3 Photodiode 206
Résumé 141
3.7.4 Diode électroluminiscente (LED) 206
Problèmes à résoudre 142
Résumé 208
3 Diodes 156 Problèmes à résoudre 209
Introduction 157
3.1 Diode idéale 158 4 Transistors à jonction bipolaire
3.1.1 Caractéristique courant-tension (BJT) 220
(i–v) 158
3.1.2 Une application simple : Introduction 221
le redresseur 159 4.1 Structure physique du transistor et
3.1.3 Porte logique à diode 162 fonctionnement 222
3.2 Caractéristiques aux bornes d’une diode 4.1.1 Structure simplifiée et
à jonction pn 165 modes de fonctionnement 222
3.2.1 Région de polarisation directe 166 4.1.2 Fonctionnement du transistor npn
3.2.2 Région de polarisation inverse 169 en mode actif 223
3.2.3 Région de claquage 170 4.1.3 Structure des transistors réels 231
3.3 Modélisation de la caractéristique 4.1.4 Fonctionnement en mode
de saturation 232
d’une diode 171
4.1.5 Transistor pnp 234
3.3.1 Le modèle exponentiel 171
3.3.2 Analyse graphique associée au modèle 4.2 Caractéristique courant-tension 236
exponentiel 171 4.2.1 Symboles et conventions 236
3.3.3 Analyse itérative associée au modèle 4.2.2 Représentation graphique des
exponentiel 172 caractéristiques du transistor 240
3.3.4 Nécessité d’une analyse rapide 173 4.2.3 Dépendance du courant de collecteur iC
3.3.5 Le modèle à chutes constantes à la tension VCE – l’effet Early 241
de tension (CCT) 173 4.2.4 Variante pour les caractéristiques
à émetteur commun 244
Table des matières ix

4.3 Circuits à BJT en courant continu 248 4.7.4 Polarisation à l’aide d’une source
4.4 Application du BJT à la conception de courant constant 322
des amplificateurs 266 4.8 Circuits pratiques d’amplificateurs
4.4.1 Obtention d’un amplificateur à BJT 323
de tension 266 4.8.1 Structure de base 323
4.4.2 La caractéristique de transfert de tension 4.8.2 Amplificateur à émetteur commun
(CTT) 267 (CE) 325
4.4.3 Polarisation du BJT pour 4.8.3 Amplificateur à émetteur commun
une amplification linéaire 267 avec résistance d’émetteur 327
4.4.4 Gain de tension dans le cas 4.8.4 Amplificateur à base commune
en petit signal 269 (CB) 329
4.4.5 Détermination de la CTT par analyse 4.8.5 L’émetteur-suiveur 330
graphique 271 4.8.6 La réponse en fréquence
4.4.6 Localisation du point Q de l’amplificateur 331
de polarisation 272 4.9 Claquage du transistor et
4.5 Modèles pour fonctionnement l’effet de la température 333
en petit signal 273 4.9.1 Claquage du transistor 333
4.5.1 Courant de collecteur et 4.9.2 Dépendance de  par rapport à IC et
transconductance 274 la température 335
4.5.2 Courant de base et résistance d’entrée
à la base 276 Résumé 336
4.5.3 Courant d’émetteur et résistance Problèmes à résoudre 337
d’entrée à l’émetteur 277
4.5.4 Gain de tension 278 5 Transistor à effet
4.5.5 Séparation du signal 279
de champ – MOSFET 356
4.5.6 Modèle hybride en  280
4.5.7 Modèle en T 281 Introduction 357
4.5.8 Modèles en petit signal 5.1 Structure physique du MOSFET et
pour le transistor pnp 282 fonctionnement 358
4.5.9 Application des modèles équivalents 5.1.1 Structure physique d’un MOSFET 358
en petit signal 282 5.1.2 Fonctionnement sans tension appliquée
4.5.10 Analyse en petit signal par inspection à la grille 360
visuelle du schéma 289 5.1.3 Création d’un canal pour la circulation
4.5.11 Modèles en petit signal qui tiennent du courant 360
compte de l’effet Early 290 5.1.4 Fonctionnement avec
4.5.12 Résumé 292 une petite tension vDS 362
4.6 Configurations de base des amplificateurs 5.1.5 Fonctionnement avec
à BJT 292 vDS augmentée 365
4.6.1 Trois configurations de base 294 5.1.6 Fonctionnement avec vDS  VOV 367
4.6.2 Caractéristiques des amplificateurs 295 5.1.7 Le MOSFET à canal p 370
4.6.3 Amplificateur à émetteur commun 5.1.8 Transistor MOS complémentaire
(CE) 297 ou CMOS 372
4.6.4 Amplificateur à émetteur commun 5.1.9 Fonctionnement du transistor MOS
avec résistor à l’émetteur 302 avec vGS < Vt 372
4.6.5 Amplificateur à base commune 5.2 Caractéristique courant-tension 373
(CB) 306 5.2.1 Symboles de circuit 373
4.6.6 Amplificateur à collecteur commun 5.2.2 Les caractéristiques iD–vDS 374
ou l’émetteur-suiveur 308 5.2.3 La caractéristique iD– vGS 376
4.6.7 Résumé et comparaisons 315 5.2.4 La résistance de sortie en régime
4.7 Polarisation dans les circuits amplificateurs de saturation 379
à BJT 316 5.2.5 Caractéristiques du transistor MOSFET
4.7.1 Polarisation classique du circuit à canal p 382
à composants discrets 317 5.3 Circuits à MOSFET en c.c. 384
4.7.2 Polarisation classique en variante 5.4 Utilisation du MOSFET
à deux sources d’alimentation 320 dans les amplificateurs 394
4.7.3 Polarisation à l’aide d’une résistance 5.4.1 Réalisation d’un amplificateur
de rétroaction collecteur-base 321 de tension 394
x Table des matières

5.4.2 La caractéristique de transfert de tension 5.8.6 Réponse en fréquence


(CTT) 394 de l’amplificateur 448
5.4.3 Polarisation du MOSFET pour obtenir 5.9 L’effet de corps et autres aspects 449
une amplification linéaire 395 5.9.1 Rôle du substrat – l’effet de corps 449
5.4.4 Le gain de tension en petit signal 396 5.9.2 Modélisation de l’effet de corps 450
5.4.5 Établir la CTT par analyse 5.9.3 Effets de la température 451
graphique 400 5.9.4 Le claquage et la protection
5.4.6 Localisation du point Q de l’entrée 451
de polarisation 401 5.9.5 Saturation de vitesse 452
5.5 Modèles de fonctionnement 5.9.6 MOSFET à appauvrissement 452
en petit signal 402
5.5.1 Le point de polarisation en c.c. 402 Résumé 454
5.5.2 Le signal de courant à la borne Problèmes à résoudre 455
du drain 403
5.5.3 Le gain de tension 405
5.5.4 Séparation de l’analyse en c.c.
de l’analyse du signal 406
DEUXIÈME PARTIE
5.5.5 Modèles de circuits équivalents AMPLIFICATEURS
en petit signal 406 À CIRCUITS INTÉGRÉS
5.5.6 Transconductance gm 407
5.5.7 Le modèle équivalent en T 413
5.5.8 Résumé 416 6 Blocs de construction
5.6 Configurations de base d’un amplificateur des amplificateurs à CI 472
à MOSFET 418
Introduction 473
5.6.1 Les trois configurations de base 418
5.6.2 Critères pour caractériser
6.1 La philosophie de conception des CI 474
les amplificateurs 418 6.2 Cellule de base de gain 475
5.6.3 L’amplificateur à source commune 6.2.1 Les amplificateurs CS et CE
(CS) 421 avec comme charge une source
5.6.4 Amplificateur à source commune de courant 475
avec résistor de source 423 6.2.2 Le gain intrinsèque 476
5.6.5 Amplificateur à grille commune 6.2.3 L’effet de la résistance de sortie
(CG) 426 sur la charge active 479
5.6.6 Amplificateur à drain commun ou 6.2.4 Augmenter le gain de la cellule
le suiveur de source 428 de base 485
5.6.7 Résumé et comparaisons 431 6.3 Amplificateur cascode 486
5.7 Polarisation des circuits amplificateurs 6.3.1 Mise en cascode 486
à MOSFET 432 6.3.2 Cascode avec MOS 487
6.3.3 Répartition du gain de tension
5.7.1 Polarisation par réglage de VGS 433
dans un amplificateur cascode 494
5.7.2 Polarisation en fixant VG et
6.3.4 La résistance de sortie
ajout d’un résistor à la source 434
d’un amplificateur CS
5.7.3 Polarisation à l’aide d’un résistor
à source-dégénérée 497
de rétroaction 437
6.3.5 Double cascode 498
5.7.4 Polarisation par source de courant
6.3.6 Cascode repliée 499
constant 438
6.3.7 Cascode à BJT 500
5.7.5 Remarque finale 440
6.3.8 Résistance de sortie d’un amplificateur
5.8 Amplificateurs à MOS et
CE à émetteur-dégénéré 504
à composants discrets 440 6.3.9 Cascode BiCMOS 505
5.8.1 Le circuit structure de base 440
6.4 Polarisation des CI – Sources de courant,
5.8.2 Amplificateur à source commune
(CS) 442
miroirs de courant et circuits de pilotage
5.8.3 Amplificateur CS avec une résistance de courant 506
de source 444 6.4.1 La source de courant à MOSFET 507
5.8.4 Amplificateur à grille commune 6.4.2 Circuits de pilotage de courant
(CG) 444 à MOS 510
5.8.5 Suiveur de source 447 6.4.3 Circuits à BJT 512
Table des matières xi

6.5 Miroirs de courant 7.4 Autres caractéristiques non idéales


à performances améliorées 517 de l’amplificateur différentiel 604
6.5.1 Miroir de courant cascode à MOS 517 7.4.1 Tension d’offset d’entrée pour
6.5.2 Miroir de courant BJT à compensation la paire différentielle MOS 604
de courant de base 519 7.4.2 Tension d’offset d’entrée pour
6.5.3 Le miroir de courant de Wilson 520 l’amplificateur différentiel
6.5.4 Le miroir de Wilson à MOS 522 bipolaire 608
6.5.5 La source de courant de Widlar 523 7.4.3 Polarisation à l’entrée et
6.6 Doubles configurations utiles 526 courant d’offset de l’amplificateur
6.6.1 Configurations CC–CE, CD–CS et différentiel bipolaire 610
CD–CE 526 7.4.4 En guise de conclusion 611
6.6.2 La configuration Darlington 529 7.5 Amplificateur différentiel
6.6.3 Configurations CC–CB et CD–CG 530 à charge active 611
7.5.1 Amplificateur différentiel
Résumé 533 à sortie unique 612
7.5.2 Paire différentielle MOS
Annexe 6.A : à charge active 612
Comparaison entre MOSFET et BJT 534 7.5.3 Gain différentiel de la paire
6.A.1 Valeurs typiques pour les paramètres différentielle MOS à charge active 614
des MOSFET 534 7.5.4 Gain en mode commun et CMRR 617
6.A.1 Valeurs typiques des paramètres 7.5.5 Paire différentielle bipolaire
d’un CI à BJT 536 à charge active 620
6.A.1 Comparaison entre les dispositifs 7.6 Amplificateurs à plusieurs étages 626
MOSFET et BJT 537 7.6.1 Amplificateur CMOS à deux étages 627
6.A.1 Combinaisons de MOS et BJT – 7.6.2 L’ampli op bipolaire 633
Circuits BiCMOS 548
6.A.1 La validité du modèle quadratique Résumé 641
pour le MOSFET 549 Problèmes à résoudre 642

Problèmes à résoudre 550 8 Réponse en fréquence 658


Introduction 659
7 Amplificateurs différentiels et 8.1 Réponse à basse fréquence
multi-étages 562 des amplificateurs CS et CE 661
Introduction 563 8.1.1 Amplificateur à source commune
7.1 Paire différentielle MOS 564 (CS) 661
7.1.1 Fonctionnement avec tension d’entrée 8.1.2 L’amplificateur à émetteur commun
en mode commun 565 (CE) 666
7.1.2 Fonctionnement avec tension d’entrée 8.2 Effets capacitifs internes et le modèle
différentielle 569 à haute fréquence du MOSFET et
7.1.3 Fonctionnement à large signal 570 du BJT 672
7.2 Fonctionnement de la paire différentielle 8.2.1 Le MOSFET 672
MOS en petit signal 575 8.2.2 Le transistor à jonction bipolaire
7.2.1 Gain différentiel 575 (BJT) 677
7.2.2 Demi-circuit différentiel 577 8.3 Réponse à haute fréquence
7.2.3 Amplificateur différentiel à source des amplificateurs CS et CE 682
de courant comme charge 579 8.3.1 L’amplificateur à source commune
7.2.4 Amplificateur différentiel cascode 580 (CS) 683
7.2.5 Gain en mode commun – 8.3.2 L’amplificateur à émetteur commun
Taux de réjection en mode commun (CE) 688
(CMRR) 581 8.4 Outils pour l’analyse de la réponse
7.3 Paire différentielle BJT 588 à haute fréquence des amplificateurs 691
7.3.1 Fonctionnement de base 589 8.4.1 La fonction du gain
7.3.2 Plage d’entrée en mode commun 591 à haute fréquence 691
7.3.3 Fonctionnement à large signal 592 8.4.2 Déterminer la fréquence fH
7.3.4 Fonctionnement en petit signal 594 de la bande passante 692
7.3.5 Gain en mode commun et CMRR 600
xii Table des matières

8.4.3 Utilisation des constantes de temps en 9.2 Propriétés de la rétroaction négative 773
circuit ouvert pour la détermination 9.2.1 Désensibilisation du gain 773
approximative de fH 694 9.2.2 Extension de la bande passante 774
8.4.4 Théorème de Miller 698 9.2.3 Réduction des interférences 775
8.5 Un autre regard sur la réponse à haute 9.2.4 Réduction de la distorsion
fréquence des amplificateurs CS et CE 702 non linéaire 777
8.5.1 Le circuit équivalent 702 9.3 Quatre topologies de base pour le circuit
8.5.2 L’analyse utilisant le théorème de rétroaction 778
de Miller 702 9.3.1 Amplificateurs de tension 778
8.5.3 Utilisation de l’analyse à constantes 9.3.2 Amplificateurs de courant 780
de temps en circuit ouvert 705 9.3.3 Amplificateurs de
8.5.4 L’analyse exacte 707 transconductance 783
8.5.5 Équations adaptées 9.3.4 Amplificateurs de transrésistance 785
pour l’amplificateur CE 710 9.3.5 En guise de conclusion 786
8.5.6 La situation lorsque Rsig est 9.4 Amplificateur de tension à rétroaction
de faible valeur 712 (série-shunt) 787
8.6 Réponse à haute fréquence 9.4.1 Le cas idéal 787
des amplificateurs CG et cascode 715 9.4.2 Le cas pratique 789
8.6.1 Réponse à haute fréquence de 9.4.3 Résumé 791
l’amplificateur CG 715 9.5 Amplificateur de transconductance
8.6.2 Réponse à haute fréquence de à rétroaction (série-série) 797
l’amplificateur MOS cascode 719 9.5.1 Le cas idéal 797
8.6.3 Réponse à haute fréquence de 9.5.2 Le cas pratique 799
l’amplificateur cascode bipolaire 724 9.5.3 Remarque importante 801
8.7 Réponse à haute fréquence des suiveurs 9.6 Amplificateur de transrésistance
de source et d’émetteur 725 à rétroaction (shunt-shunt) 809
8.7.1 Suiveur de source 725 9.6.1 Le cas idéal 809
8.7.2 Suiveur d’émetteur 727 9.6.2 Le cas pratique 811
8.8 Réponse à haute fréquence 9.6.3 Une précision importante 818
des amplificateurs différentiels 729 9.7 Amplificateur de courant à rétroaction
8.8.1 Analyse de l’amplificateur MOS (shunt-série) 818
à charge résistive 729 9.7.1 Le cas idéal 818
8.8.2 Analyse de l’amplificateur MOS 9.7.2 Le cas pratique 819
à charge active 733 9.8 Résumé de la méthode d’analyse
8.9 Configurations d’amplificateurs de la rétroaction 826
de bande large 738 9.9 Comment déterminer le gain de boucle 826
8.9.1 Amplificateur de bande large 9.9.1 Une approche alternative
par dégénérescence de source et pour déterminer A 
d’émetteur 738 9.9.2 Équivalence de circuits par rapport
8.9.2 Configurations CD–CS, CC–CE et à la boucle de rétroaction 830
CD–CE 741
9.10 Problèmes de stabilité 831
8.9.3 Configurations CC–CB et CD–CG 744
9.10.1 La fonction de transfert
8.10 Amplificateurs à étages multiples 747 de l’amplificateur à rétroaction 831
8.10.1 Réponse en fréquence de l’ampli op 9.10.2 Diagramme de Nyquist 832
CMOS à deux étages 747
9.11 Effet de la rétroaction sur les pôles
8.10.2 Réponse en fréquence de l’ampli op
d’un amplificateur 833
bipolaire de la Section 7.6.2 750
9.11.1 Stabilité et position des pôles 833
9.11.2 Pôles d’un amplificateur
Résumé 752 à rétroaction 834
Problèmes à résoudre 753 9.11.3 Amplificateur avec réponse
à pôle unique 835
9 Rétroaction 766 9.11.4 Amplificateur à deux pôles 836
9.11.5 Amplificateurs à trois ou
Introduction 767
plusieurs pôles 840
9.1 Structure générale d’un circuit 9.12 Étude de la stabilité
de rétroaction 768 à l’aide des diagrammes de Bode 842
Table des matières xiii

9.12.1 Marge de gain et marge de phase 842 10.4.1 Le courant de référence


9.12.2 L’effet de marge de phase sur la réponse de polarisation 902
en boucle fermée 843 10.4.2 Polarisation de l’étage d’entrée 902
9.12.3 Approche alternative pour investiguer 10.4.3 Polarisation de l’entrée et
la stabilité 844 les courants d’offset 905
9.13 Compensation de fréquence 846 10.4.4 Tension d’offset d’entrée 905
9.13.1 Quelques notions théoriques 847 10.4.5 Plage d’entrée en mode commun 905
9.13.2 La mise en œuvre 847 10.4.6 Polarisation du deuxième étage 906
9.13.3 Compensation de Miller et 10.4.7 Polarisation de l’étage de sortie 906
fractionnement du pôle 848 10.4.8 En guise de résumé 908
10.5 Analyse en petit signal
Résumé 852 de l’ampli op 741 908
Problèmes à résoudre 853 10.5.1 L’étage d’entrée 908
10.5.2 Le deuxième étage 914
10.5.3 L’étage de sortie 917
10.6 Gain, réponse en fréquence et
TROISIÈME PARTIE
taux de balayage de l’ampli op 741 921
CIRCUITS INTÉGRÉS ANALOGIQUES 10.6.1 Le gain en petit signal 921
10.6.2 Réponse en fréquence 922
10.6.3 Le modèle simplifié 923
10 Circuits à amplificateurs 10.6.4 Vitesse de balayage 924
opérationnels 870 10.6.5 La relation entre ft et SR 925
Introduction 871 10.7 Techniques modernes pour la conception
10.1 L’ampli op CMOS à deux étages 872 des ampli op à BJT 926
10.1.1 Le circuit 873 10.7.1 Exigences sur les performances
10.1.2 Plage d’entrée en mode commun et spéciales 926
le swing à la sortie 873 10.7.2 La polarisation 928
10.1.3 Gain de tension 874 10.7.3 Conception de l’étage d’entrée
10.1.4 Taux de réjection en mode commun pour obtenir VICM rail-à-rail 930
(CMRR) 877 10.7.4 Rétroaction en mode commun
10.1.5 Réponse en fréquence 877 pour contrôler la tension c.c. à la sortie
10.1.6 Vitesse de balayage 880 de l’étage d’entrée 936
10.1.7 Taux de réjection de l’ondulation 10.7.5 Étage de sortie pour un swing proche
d’alimentation (PSRR) 882 de rail-à-rail 940
10.1.8 Compromis de conception 883
10.2 L’ampli op CMOS cascode replié 887 Résumé 945
10.2.1 Le circuit 887 Problèmes à résoudre 946
10.2.2 Plage d’entrée en mode commun et
le swing à la sortie 889 11 Filtres et amplificateurs
10.2.3 Gain de tension 890 accordés 952
10.2.4 Réponse en fréquence 891
10.2.5 Vitesse de balayage 892 Introduction 953
10.2.6 Élargir la plage d’entrée en mode 11.1 Transmission des filtres, types de filtres et
commun : opération rail-à-rail spécifications 954
à l’entrée 894 11.1.1 Transmission des filtres 954
10.2.7 Élargir la plage de tension de sortie : 11.1.2 Types de filtres 955
le miroir de courant à large swing 896 11.1.3 Spécifications des filtres 956
10.3 L’ampli op 741 897 11.2 Fonction de transfert du filtre 958
10.3.1 Le circuit de polarisation 897 11.3 Filtres de Butterworth et de
10.3.2 Le circuit de protection Tchebytchev 961
lors d’un court-circuit 899 11.3.1 Filtre de Butterworth 961
10.3.3 L’étage d’entrée 899 11.3.2 Filtre de Tchebychev 965
10.3.4 Le deuxième étage 900 11.4 Fonctions des filtres du premier et
10.3.5 L’étage de sortie 900 du deuxième ordre 968
10.3.6 Les paramètres des transistors 900 11.4.1 Filtres du premier ordre 969
10.4 Analyse en c.c. de l’ampli op 741 901
xiv Table des matières

11.4.2 Fonctions des filtres Résumé 1024


du deuxième ordre 972 Problèmes à résoudre 1025
11.5 Circuit résonant RLC
du deuxième ordre 977 12 Générateurs de signaux et
11.5.1 Les modes naturels circuits de formation 1030
du circuit résonant 977
11.5.2 Réalisation de zéros Introduction 1031
de transmission 978 12.1 Principes de base des oscillateurs
11.5.3 Réalisation de la fonction sinusoïdaux 1032
passe-bas 978 12.1.1 Boucle de rétroaction
11.5.4 Réalisation de la fonction de l’oscillateur 1032
passe-haut 980 12.1.2 Critère d’oscillation 1033
11.5.5 Réalisation de la fonction 12.1.3 Contrôle non linéaire
passe-bande 980 de l’amplitude 1035
11.5.6 Réalisation des fonctions 12.1.4 Circuit limiteur pour la commande
d’un filtre notch 980 de l’amplitude 1035
11.5.7 Réalisation de la fonction 12.2 Circuits oscillants à ampli op-réseau
passe-tout 982 RC 1038
11.6 Filtres actifs du deuxième ordre 12.2.1 L’oscillateur à pont de Wien 1038
sans inducteur 983 12.2.2 L’oscillateur à déphasage 1040
11.6.1 Le circuit d’Antoniou pour simulation 12.2.3 L’oscillateur à quadrature 1042
d’inductance 983 12.2.4 L’oscillateur à filtre actif accordé 1043
11.6.2 Le résonateur ampli op-réseau RC 984 12.2.5 Une dernière remarque 1045
11.6.3 Réalisation des différents types 12.3 Oscillateurs à circuit LC et à quartz 1045
de filtres 986 12.3.1 Oscillateurs à circuit LC accordé 1045
11.6.4 Le circuit du filtre passe-tout 986 12.3.2 L’oscillateur à cristal de quartz 1048
11.7 Filtres du deuxième ordre en topologie 12.4 Bascules bistables 1051
biquad 991 12.4.1 La boucle de rétroaction 1051
11.7.1 Réalisation d’une boucle à deux 12.4.2 Caractéristique de transfert
intégrateurs (boucle biquadratique) 991 du circuit bistable 1052
11.7.2 Mise en œuvre du circuit 992 12.4.3 L’actionnement du circuit bistable 1053
11.7.3 Variante du circuit biquad 12.4.4 Le circuit bistable en tant qu’élément
à deux intégrateurs 994 de mémoire 1054
11.7.4 Remarques finales 996 12.4.5 Circuit bistable avec caractéristique
11.8 Filtres actifs biquad de transfert non inverseuse 1054
à amplificateur unique 996 12.4.6 Utilisation du circuit bistable
11.8.1 Synthèse de la boucle comme comparateur 1055
de rétroaction 997 12.4.7 Assurer un niveau de sortie
11.8.2 L’injection du signal d’entrée 999 plus précis 1057
11.8.3 Générer des boucles équivalentes 12.5 Générateurs de signal carré et
de rétroaction 1001 triangulaire 1058
11.9 Sensibilité des filtres 1004 12.5.1 Fonctionnement du multivibrateur
11.9.1 En guise de conclusion 1006 astable 1058
11.10 Filtres à capacitances commutées 1007 12.5.2 Génération de signaux
11.10.1 Le principe de base 1007 triangulaires 1060
11.10.2 Circuits pratiques 1008 12.6 Générateur d’impulsions standard –
11.10.3 Dernière remarque 1011 Le multivibrator monostable 1062
11.11 Amplificateurs accordés 1012 12.7 Minuteries 1064
11.11.1 Le principe de base 1012 12.7.1 La minuterie CI 555 1064
11.11.2 Pertes dans l’inducteur 1014 12.7.2 Mise en œuvre d’un multivibrateur
11.11.3 Utilisation de transformateurs 1015 monostable avec le CI 555 1065
11.11.4 Amplificateurs à multiples circuits 12.7.3 Multivibrateur astable
accordés 1017 avec IC 555 1067
11.11.5 Le circuit cascode et 12.8 Forme d’onde non linéaire et
la cascade CC-CB 1018 circuits de formation 1069
11.11.6 Le réglage synchrone 1019 12.8.1 La méthode du point d’arrêt 1070
11.11.7 Réglage par alignement 1020
Table des matières xv

12.8.2 La méthode à amplificateur 13.7.4 Le boîtier du transistor et le dissipateur


non-linéaire 1072 thermique 1125
12.9 Circuits redresseurs de précision 1073 13.7.5 Le domaine de fonctionnement sécurisé
12.9.1 Le redresseur demi-onde de précission – d’un transistor BJT 1128
La «superdiode» 1073 13.7.6 Valeurs des paramètres des transistors
12.9.2 Un circuit alternatif 1075 de puissance 1129
12.9.3 Application pratique : la mesure 13.8 Variantes de configuration d’un étage
de tension en c.a. 1075 de sortie de classe AB 1130
12.9.4 Redresseur de précision 13.8.1 Utilisation des émetteurs-suiveurs
à pleine onde 1077 d’entrée 1130
12.9.5 Pont redresseur de précision pour 13.8.2 Utilisation de dispositifs
applications d’instrumentation 1079 composés 1131
12.9.6 Redresseur de précision de pointe 1080 13.8.3 Protection contre le court-circuit 1133
12.9.7 Détecteur tampon de pointe 1080 13.8.4 Protection thermique 1134
12.9.8 Circuit de précision de serrage 1081 13.9 Amplificateurs de puissance à CI 1135
13.9.1 Amplificateur de puissance à CI et
Résumé 1082 gain fixe 1135
Problèmes à résoudre 1083 13.9.2 Amplificateur de puissance
à ampli op 1139
13 Étages de sortie et amplificateurs 13.9.3 L’amplificateur en pont 1140
de puissance 1090 13.10 Transistors MOS de puissance 1141
13.10.1 Structure d’un MOSFET
Introduction 1091 de puissance 1141
13.1 Classification des étages de sortie 1092 13.10.2 Caractéristiques des MOSFET
13.2 Étage de sortie de classe A 1093 de puissance 1142
13.2.1 Caractéristique de transfert 1093 13.10.3 Effets de la température 1143
13.2.2 Formes d’onde du signal 1095 13.10.4 Comparaison avec les transistors
13.2.3 Dissipation de puissance 1095 BJT 1143
13.2.4 Rendement de conversion 13.10.5 Étage de sortie de classe AB
de la puissance 1097 avec MOSFET de puissance 1144
13.3 Étage de sortie de classe B 1098
13.3.1 Fonctionnement du circuit 1098 Résumé 1146
13.3.2 Caractéristique de transfert 1099 Problèmes à résoudre 1147
13.3.3 Rendement de conversion
de la puissance 1100
13.3.4
13.3.5
Dissipation de puissance 1101
Réduction de la distorsion
QUATRIÈME PARTIE
de croisement 1103 CIRCUITS INTÉGRÉS NUMÉRIQUES
13.3.6 Fonctionnement avec une seule source
d’alimentation 1103
13.4 Étage de sortie de classe AB 1104 14 Circuits CMOS logiques
13.4.1 Fonctionnement du circuit 1105 numériques 1154
13.4.2 Résistance de sortie 1106 Introduction 1155
13.5 Polarisation d’un étage de classe AB 1108 14.1 Inverseurs logiques numériques 1156
13.5.1 Polarisation à diodes 1108 14.1.1 Fonction de l’inverseur 1156
13.5.2 Polarisation par multiplicateur 14.1.2 Caractéristique de transfert de tension
de VBE 1110 (CTT) 1156
13.6 Étage de sortie à CMOS de classe AB 1113 14.1.3 Marges de bruit 1158
13.6.1 Configuration classique 1113 14.1.4 La caractéristique CTT idéale 1159
13.6.2 Circuit alternatif utilisant des transistors 14.1.5 Mise en œuvre de l’inverseur 1160
à source commune 1115 14.1.6 Dissipation de puissance 1171
13.7 Transistors bipolaires de puissance 1122 14.1.7 Le retard de propagation 1173
13.7.1 Température de jonction 1123 14.1.8 Les produits alimentation-retard et
13.7.2 Résistance thermique 1123 énergie-retard 1177
13.7.3 Dissipation de puissance en fonction 14.1.9 La superficie de silicium 1178
de la température 1123
xvi Table des matières

14.1.10 Technologies pour les CI et familles 15.1.5 Dimensionnement du circuit 1239


de circuits logiques numériques 1178 15.1.6 Circuits de portes logiques 1240
14.1.11 Styles pour le design des systèmes 15.1.7 Remarques finales 1241
numériques 1181 15.2 Circuits logiques à transistors PTL 1243
14.1.12 L’utilisation de l’outil informatique 15.2.1 Une exigence essentielle
à la conception de systèmes 1181 de conception 1244
14.2 L’inverseur CMOS 1182 15.2.2 Transistors NMOS
14.2.1 Fonctionnement du circuit 1182 en tant qu’interrupteurs 1244
14.2.2 La caractéristique de transfert 15.2.3 Restauration de la tension VOH
de tension 1184 à VDD 1248
14.2.3 La situation lorsque QN et QP 15.2.4 Utilisation de portes de transmission
ne sont pas appariés 1187 CMOS comme commutateurs 1249
14.3 Fonctionnement dynamique 15.2.5 Exemples de circuits PTL 1254
de l’inverseur CMOS 1192 15.2.6 Remarque finale 1256
14.3.1 Détermination du retard 15.3 Circuits logiques dynamiques MOS 1256
de propagation 1192 15.3.1 Le principe de base 1257
14.3.2 Détermination de la capacitance 15.3.2 Des effets non ideaux 1260
équivalente de charge C 1198 15.3.3 Domino logique CMOS 1263
14.3.3 Aspects liés au dimensionnement 1201 15.3.4 Conclusion 1265
14.3.4 Dissipation de puissance 15.4 Circuits logiques à transistors ECL 1265
dynamique 1202 15.4.1 Le principe de base 1265
14.4 Portes logiques à circuits CMOS 1203 15.4.2 Familles de circuits ECL 1266
14.4.1 Structure de base 1203 15.4.3 Le circuit de base
14.4.2 La porte logique NOR d’une porte ECL 1267
à deux entrées 1206 15.4.4 La caractéristique de transfert
14.4.3 La porte logique NAND de tension 1270
à deux entrées 1207 15.4.5 Fan-out 1275
14.4.4 Porte logique complexe 1208 15.4.6 Vitesse de fonctionnement et
14.4.5 Obtenir PUN de la PDN et la transmission du signal 1275
vice versa 1209 15.4.7 Dissipation de puissance 1277
14.4.6 La fonction OU-exclusif 1209 15.4.8 Effets thermiques 1277
14.4.7 Résumé sur la méthode 15.4.9 La fonction OU-câblée 1280
de synthèse 1210 15.4.10 Remarques finales 1280
14.4.8 Dimensionnement des transistors 1210 15.5 Circuits numériques BiCMOS 1281
14.4.9 Effet de fan-in et fan-out sur le retard 15.5.1 L’inverseur BiCMOS 1281
de propagation 1214 15.5.2 Fonctionnement dynamique 1283
14.5 Conséquences de l’essor technologique : 15.5.3 Portes logiques BiCMOS 1284
les enjeux du concept submicronique
profond 1215 Résumé 1286
14.5.1 Conséquences de la mise Problèmes à résoudre 1287
à l’échelle 1215
14.5.2 Saturation de la vitesse 1217 16 Circuits de mémoire 1292
14.5.3 Conduction sous le seuil 1222
14.5.4 Câblage et interconnexion 1223 Introduction 1293
16.1 Bascules et circuits bistables 1294
Résumé 1225 16.1.1 La bascule 1294
Problèmes à résoudre 1227 16.1.2 Le circuit flip-flop SR 1296
16.1.3 Mise en œuvre du circuit CMOS
flip-flop SR 1297
15 Circuits logiques bipolaires et 16.1.4 Circuit flip-flop SR cadencé
MOS améliorés 1232 à MOS 1302
Introduction 1233 16.1.5 Circuits flip-flop D 1302
15.1 Circuits logiques pseudo-NMOS 1234 16.2 Mémoires à semiconducteurs : types et
15.1.1 Inverseur pseudo-NMOS 1234 architecture 1305
15.1.2 Caractéristiques statiques 1235 16.2.1 L’organisation d’une puce
15.1.3 Obtention de la courbe CTT 1236 de mémoire 1306
15.1.4 Fonctionnement dynamique 1239 16.2.2 Le temps d’un cycle de mémoire 1307
Table des matières xvii

16.3 Cellules de mémoire à accès aléatoire 16.5.3 ROM programmables


(RAM) 1308 (PROM et EPROM) 1334
16.3.1 Cellule de mémoire statique
(SRAM) 1308 Résumé 1337
16.3.2 Cellule de mémoire dynamique Problèmes à résoudre 1338
(DRAM) 1315
16.4 Amplificateurs de lecture et
décodeurs d’adresse 1318 ANNEXES
16.4.1 L’amplificateur de lecture 1318
16.4.2 Le décodeur d’adresse de ligne 1326
Annexe H : Valeurs normalisées des séries de résistors
16.4.3 Le décodeur d’adresse de colonne 1328 et les préfixes des unités de mesure H-1
16.4.4 Circuits générateurs d’impulsions 1329 Annexe I : Réponses aux problèmes sélectionnés I-1
16.5 Mémoire en lecture seule (ROM) 1331
16.5.1 La mémoire ROM MOS 1331
16.5.2 ROM à masque INDEX
de programmation 1333
INDEX POUR LE CD

ANNEXES SUR LE CD
Annexe A : La technologie de fabrication VLSI
Annexe B : Simulations et modèles de périphériques
à l’aide du logiciel SPICE. Exemples de
conception en utilisant PSpice® et
Multisim™
Annexe C : Les paramètres d’un quadripôle
Annexe D : Théorèmes utiles pour l’analyse
des réseaux
Annexe E : Les circuits à constante de temps unique
(CTU)
Annexe F : L’analyse en plan s : les pôles, les zéros et
les diagrammes de Bode
Annexe G : Bibliograpie
LISTE DES TABLEAUX

Tableau 1.1 Les quatre types de base d’amplificateurs 26


Tableau 1.2 Réponse en fréquence des réseaux à CTU 34
Tableau 1.3 Résumé des équations importants en physique des semiconducteurs 73
Tableau 2.1 Caractéristiques de l’ampli op idéal 90
Tableau 4.1 Modes de fonctionnement du BJT 223
Tableau 4.2 Résumé des relations de calcul se référant à la caractéristique courant-tension d’un transistor BJT
fonctionnant en mode actif 237
Tableau 4.3 Régimes de fonctionnement et modèles pour les transistors BJT 249
Tableau 4.4 Modèles en petit signal pour les transistors BJT 293
Tableau 4.5 Caractéristiques des amplificateurs à BJT a, b, c 316
Tableau 5.1 Régions de fonctionnement des transistors NMOS avec enrichissement 375
Tableau 5.2 Régions de fonctionnement des transistors PMOS avec enrichissement 383
Tableau 5.3 Modèles équivalents de circuit en petit signal pour les MOSFET 416
Tableau 5.4 Les caractéristiques des amplificateurs à MOSFET 432
Tableau 6.1 Répartition du gain dans l’amplificateur MOS cascode pour différentes valeurs de RL 496
Tableau 6.A.1 Valeurs typiques pour les paramètres des dispositifs CMOS 534
Tableau 6.A.2 Valeurs typiques pour les paramètres des CI à BJT 536
Tableau 6.A.3 Comparaison entre les caractéristiques principales des transistors MOSFET et BJT 537
Tableau 8.1 Le modèle du MOSFET à haute fréquence 677
Tableau 8.2 Le modèle du transistor BJT à haute fréquence 682
Tableau 9.1 Résumé des relations pour les quatre topologies de base des amplificateurs à rétroaction 827
Tableau 10.1 Courants de polarisation de collecteur pour l’ampli op 741 (A) 908
Tableau 11.1 Détails de conception pour les circuits de la Fig. 11.22 989
Tableau 11.2 Détails de conception pour le circuit de la Fig. 11.26 995
Tableau 14.1 Paramètres importants de la CTT de l’inverseur logique (voir Fig. 14.3) 1158
Tableau 14.2 Conséquences du scaling sur les paramètres et la tension d’alimentation des dispositifs 1216
Tableau 14.3 Synthèse des caractéristiques importantes de l’inverseur CMOS logique 1226
Tableau 15.1 Régions de fonctionnement de l’inverseur pseudo-NMOS 1237

xviii
AVANT-PROPOS

Ce livre, intitulé Circuits Microéléctroniques, (la 6e édition internationale), se veut être un texte de référence pour le
cours de base sur les circuits électroniques enseigné aux étudiants en génie électrique et informatique. Il devrait éga-
lement se révéler utile aux ingénieurs et autres professionnels qui souhaitent mettre à jour, par eux-mêmes, leur niveau
de connaissances. Comme ce fut le cas pour les cinq premières éditions, l’objectif de ce livre est de développer chez
le lecteur la possibilité d’analyser et de concevoir des circuits électroniques analogiques et numériques, à composants
discrets ou à circuits intégrés. L’accent est mis sur la conception et le dimensionnement des circuits à transistors,
quoique les aspects liés aux circuits à CI soient également couverts. Les auteurs ont adopté cette politique en pensant
que même si la majorité de ceux qui vont étudier ce livre ne poursuivront pas une carrière dans la conception de circuits
intégrés, le maîtrise approfondie de ce qui est à l’intérieur du boîtier de circuit intégré permettrait l’application intel-
ligente et innovante de ces puces. Par ailleurs, avec le progrès de la technologie VLSI et de la méthodologie de concep-
tion, les circuits intégrés elles-mêmes deviennent accessible à un nombre croissant d’ingénieurs.

Conditions prérequis
La condition préalable pour aborder ce livre est un premier cours d’analyse des circuits. Sous forme d’un mémento,
certaines notions sur les circuits linéaires sont incluses dans les annexes, en particulier l’Annexe C sur les paramètres
des quadripôles, certains théorèmes utiles pour l’analyse des réseaux à l’Annexe D, les circuits à constante unique de
temps (CTU) à l’Annexe E et l’analyse dans le domaine complexe s à l’Annexe F. On ne demande de la part des lec-
teurs aucune connaissance préalable de l’électronique physique. Toute la physique des semiconducteurs est expliquée
en détail par ce manuel et l’annexe A fournit une brève description de la fabrication des circuits intégrés. Toutes ces
annexes peuvent être consultées sur le CD qui accompagne ce livre.

L'accent sur le design


Depuis toujours notre philosophie a tenu compte du fait que la conception des circuits est mieux enseignée en souli-
gnant les différents compromis envisageables en choisissant une configuration de circuit et en jouant sur le choix des
valeurs des composants pour une configuration donnée. L’accent mis sur le design a été renforcé dans cette édition par
des exemples, des simulations, des problèmes et des exercices intercalés dans le texte et par de nombreux problèmes
à résoudre en fin de chapitres. Les problèmes en fin de chapitres qui sont considérés comme orientés vers le design,
sont indiqués par D. En outre, un matériel considérable est fourni à l’aide du logiciel SPICE dans l’Annexe B dispo-
nible sur le CD joint.

Nouveau pour cette édition


Bien qu’ait été retenue la philosophie et l’approche pédagogique des cinq premières éditions, plusieurs modifications
ont été apportées à la fois du point de vue de l’organisation du matériel et aussi sur la couverture des sujets discutés.
1. Une organisation souple. La caractéristique la plus importante de cette édition est la souplesse de l’organi-
sation de l’ouvrage. Parmi les éléments de flexibilité on citera les suivants :
• Les MOSFET et les BJT. Le Chapitre 4 – dédié aux transistors à jonction bipolaire (BJT) et le Chapitre 5
– dédié aux MOSFET, sont écrits de manière à être étudiés d’une façon complètement indépendante les uns
des autres et peuvent donc être enseignés dans n’importe quel ordre souhaité par l’instructeur. Parce que
les deux chapitres ont des structures identiques, le deuxième chapitre à enseigner peut être couvert beau-
coup plus rapidement.

xix
xx Avant-propos

• Couverture élargie du numérique. Le matériel traitant les circuits numériques a été regroupé dans la nou-
velle Quatrième partie, mise à jour et élargie. Le matériel peut être convenablement réparti entre un premier
et un deuxième cours de spécialité. Tout ce qui est nécessaire pour constituer le préalable à la compréhen-
sion de ce matériel se trouve concentré dans les deux chapitres sur les deux types de transistors (Chapitres
4 et 5) ou, à la limite, juste le Chapitre 5, puisque la plupart des appareils électroniques numériques d’au-
jourd’hui sont basés sur la technologie MOS.
• Notions sur les semiconducteurs. Le matériel concernant la physique des semiconducteurs a été regroupé
à la fin du Chapitre 1 de sorte qu’il peut être enseigné, ignoré ou assigné comme matériel de lecture indi-
viduelle, selon le parcours des étudiants et de la philosophie d’enseignement adoptée par l’instructeur. Ce
chapitre sert d’introduction ou comme rappel des notions fondamentales, selon le fait que les étudiants ont
suivi ou non en préalable un cours sur les semiconducteurs.
• L’universalité de l’ampli op. Le chapitre sur les amplificateurs opérationnels (Chapitre 2) peut être ensei-
gné à n’importe quel moment, au premier ou deuxième cours. En autre, ce chapitre peut être entièrement
ignoré si cette matière est enseignée dans d’autres cours.
• Réponse en fréquence. Le matériel sur la réponse en fréquence de l’amplificateur a été regroupé dans un
seul chapitre (Chapitre 8). Ce chapitre est organisé de sorte qu’il permet une couverture sélective en fonc-
tion de l’organisation donnée au cours par l’instructeur. Ainsi, une partie du matériel de base (les Sections
8.1 à 8.3) peut être enseignées plus tôt (après les Chapitres 4 ou 5) dans le cadre d’un premier cours de base.
• Les sujets essentiels. Chaque chapitre est organisé de sorte que les sujets essentiels sont placés en premier
et le matériel plus spécialisé apparaît par la suite. Le matériel plus spécialisé peut être sauté en première
lecture, tandis que l’étudiant doit d’abord apprendre les éléments fondamentaux. Une fois que les étudiants
comprennent et maîtrisent les concepts de base, ils peuvent revenir sur ces sujets importants, mais spécia-
lisés.
2. Présentation moderne des MOSFET et BJT. Les Chapitres 4 (BJT) et 5 (MOSFET) ont été réécrits pour
augmenter la clarté de la présentation et mettre l’accent sur les sujets essentiels. En outre, ces chapitres sont
désormais plus courts et peuvent être dispensés plus rapidement.
3. Configuration cascode. Une approche nouvelle et intuitivement intéressante est utilisée pour introduire la
configuration cascode au Chapitre 6.
4. Comparaison entre MOSFET et BJT. La comparaison entre les transistors MOSFET et BJT a été déplacée
dans une annexe jointe au Chapitre 6. L’annexe comporte également une mise à jour des valeurs des para-
mètres de dispositifs correspondant à différentes générations de procédés technologiques de fabrication.
Cette annexe fournit un important outil de référence.
5. Rétroaction. Le chapitre consacré à la rétroaction (Chapitre 9) a été réécrit pour plus de clarté. En outre, a
été inclus un grand nombre de nouveaux exemples, principalement à base de dispositifs MOS.
6. L’amplificateur de classe AB. Une nouvelle présentation des amplificateurs MOSFET de classe AB a été
incluse au Chapitre 13.
7. Dimensionnement des circuits à transistors BJT à basse tension. Alors que l’ampli op classique 741 est
maintenu, une nouvelle section a été ajoutée au Chapitre 17, sur les techniques modernes pour le dimension-
nement des amplis op à transistors à jonction bipolaire alimentés en basse tension.
8. Conception des circuits à dispositifs submicroniques profonds. En plus d’augmenter et de consolider le
matériel sur l’électronique numérique dans la partie IV, une nouvelle section sur la mise à l’échelle de la
technologie spécifique (loi de Moore) et les problèmes de conception des dispositifs submicroniques pro-
fonds a été ajoutée (Chapitre 14).
9. L’accent sur la technologie MOS. Tout au long du livre, l’accent est mis sur les circuits MOS afin de reflé-
ter la domination actuelle en électronique moderne des dispositifs MOSFET.
10. Bonus d’information sur CD. Du matériel complémentaire sur une grande variété de sujets par rapport aux
éditions précédentes est disponible sur le CD accompagnant le livre (voir la liste ci-dessous).
Avant-propos xxi

11. Exemples, exercices et problèmes à résoudre. Le nombre d’exemples a été augmenté. De plus, les exer-
cices dans le corps des chapitres et les problèmes à résoudre en fin de ceux-ci, ont été mis à jour avec valeurs
des paramètres qui correspondent aux technologies actuelles, afin que les étudiants puissent travailler dans
une perspective du monde réel de la technologie actuelle. Aussi ont été ajoutés plus d’exercices et de pro-
blèmes, d’une plus grande variété.
12. Tableaux récapitulatifs. Comme important outil de travail à l’étude et pour faciliter la consultation, de nom-
breux tableaux récapitulatifs sont inclus. Voir la liste complète des tableaux après la table des matières.
13. Objectifs d’apprentissage. Un nouveau paragraphe, «Dans ce chapitre vous apprendrez», a été ajouté en
début de chaque chapitre pour attirer l’attention du lecteur sur les objectifs importants d’apprentissage de
chaque chapitre.
14. Le logiciel SPICE. Un nombre important de nouveaux exemples de simulation à l’aide de National Instru-
ments™ Multisim™, a été ajouté. Ces exemples se retrouvent sur le CD accompagnant le livre, à l’Annexe
B, décrivant les modèles de simulation à l’aide du logiciel SPICE.
15. Équations clés. Toutes les équations qui seront référencées et ré-utilisées sont numérotées.
Mise à part les différences structurelles mentionnées ci-dessus, des nouveaux éléments complémentaires ont été ajou-
tés par rapport aux éditions précédentes, sur les sujets suivants :
• Le Chapitre 1 focalisé sur la théorie des semiconducteurs a été entièrement réécrit.
• Les deux sections sur les BJT et MOSFET ont été en grande partie réécrites et restructurées, avec de nou-
velle figures et exemples (Chapitres 4 et 5)
• La cellule de base de gain (Chapitre 6)
• L’amplificateur cascode (Chapitre 6)
• Les configurations de circuits CC-CE, CD-CS et CD-CE (Chapitre 6)
• Le taux CMRR (Chapitre 7)
• L’amplificateur différentiel à charge active (Chapitre 7)
• Détermination de la résistance Ro de sortie (Chapitre 7)
• Toutes les nouvelles sections sur la réponse en fréquence (Chapitre 8)
• Des nouveaux exemples MOS à rétroaction (Chapitre 9)
• Étage de sortie CMOS de classe AB (Chapitre 13)
• Taux de réjection (CMRR et PSRR) (Chapitre 10)
• Techniques modernes pour la conception d’amplis op à BJT (Section 10.7)
• Circuits d’inverseurs logiques numériques (Chapitre 14)
• L’inverseur CMOS (Chapitre 14)
• Conception et mise à l’échelle de la technologie submicronique profonde (loi de Moore) (Section 14.5)

Le CD et le site Web
Un CD (en anglais) accompagne ce livre. Il contient des informations complémentaires très utiles et les matériaux destinés
à enrichir l’expérience d’apprentissage de l’étudiant. Il s’agit notamment de :
1. Les fichiers d’entrée pour tous les exemples PSpice® et Multisim™ qui se retrouvent à l’Annexe B.
2. Des conseils, étape par étape, pour aider l’étudiant à résoudre les exemples de simulation.
3. Un lien vers le site web de l’ouvrage, offrant l’accès aux figures sur base de diapositives en PowerPoint que
les étudiants peuvent imprimer et s’en servir en classe pour faciliter la prise de notes de cours.
4. Matériel sous forme de texte, sur des sujets spécialisés qui ne sont pas couverts par l’édition actuelle du
manuel. Il s’agit notamment de :
• Transistors à effet de champ (JFET),
• Dispositifs à arséniure de gallium (GaAs) et circuits utilisant ceux-ci,
• Circuits Transistor-Transistor Logique (TTL),
• Circuits convertisseurs analogique-numérique et numérique-analogique.
xxii Avant-propos

5. Annexes pour le livre :


• Annexe A : La technologie de fabrication VLSI,
• Annexe B : Simulations et modèles de périphériques à l’aide du logiciel SPICE. Exemples de conception
en utilisant PSpice® and Multisim™,
• Annexe C : Les paramètres d’un quadripôle,
• Annexe D : Théorèmes utiles pour l’analyse des réseaux,
• Annexe E : Circuits à constante de temps unique (CTU),
• Annexe F : L’analyse en plan s : les pôles, les zéros et les diagrammes de Bode,
• Annexe G : Bibliographie.
Un site web pour le livre a été mis en place (www.oup.com/sedra-xse). Le site propose des fiches techniques des cen-
taines de transistors de fabrication courante, pour aider dans les expériences de laboratoire, des liens vers de sites in-
dustriels et académiques d’intérêt.

Exercices et problèmes en fin de chapitre


Plus de 475 exercices sont intégrés dans le texte. La réponse à chaque exercice est donnée à la fin de l’énoncé, afin que les
étudiants puissent vérifier leur niveau de compréhension, ainsi que le résultat de leur travail. La résolution de ces exercices
devrait permettre aux étudiants d’évaluer leur compétence par rapport à la matière parcourue. En outre, sont prévus plus de
1200 problèmes à résoudre en fin de chapitre dont beaucoup dans cette édition sont nouveaux ou améliorés par rapport aux
éditions précédentes. Les problèmes sont organisés par rapport aux sections des chapitres individuels et leur degré de diffi-
culté est indiqué par un système de notation : des problèmes difficiles sont marqués d’un astérisque (*), les problèmes plus
difficiles de deux astérisques (**) et les problèmes très difficiles avec trois astérisques (***). Il faut admettre, cependant, que
cette classification n’est pas tout à fait exacte. Les réponses à certains problèmes sélectionnés sont données à l’Annexe I, afin
que les étudiants puissent disposer d’un moyen de contrôle pour vérifier eux-mêmes s’ils ont travaillé correctement les pro-
blèmes proposés. Comme pour les cinq éditions précédentes, de nombreux exemples sont inclus. Les exemples, aussi bien
que la plupart des problèmes et des exercices, sont basés sur des circuits réels et anticipent les questions soulevées pendant
la conception réelle des circuits. Cette édition continue d’utiliser la méthode à étapes numérotées pour la résolution de nom-
breux exemples, comme tentative d’assurer plus de dynamique dans l’activité pédagogique.

L’organisation des cours


Le livre contient suffisamment de matière pour organiser une séquence de deux cours, chacun d’une durée d’un semestre (40
à 50 heures de cours par semestre). L’organisation de l’ouvrage offre pour l’instructeur une certaine souplesse dans son effort
d’organiser le(les) cours. Dans ce qui suit, nous proposons différentes variantes pour les deux cours.

Le premier cours
Au cœur du premier cours doit se trouver les chapitres 3 (Diodes), 4 (BJT) et 5 (MOSFET). De ces trois chapitres, le
chapitre sur les MOSFET est celui qui doit représenter la base. Si ce chapitre est dispensé avant celui qui s’occupe des
BJT, alors ce dernier peut être parcouru beaucoup plus vite car il est structuré identiquement que le chapitre dédié aux
MOSFET. Si le temps ne le permet pas, certaines sections du Chapitre 3 peuvent être ignorées. On recommande le trai-
tement en classe du Chapitre 1. Bien que la théorie sur le signal puisse être affectée comme lecture individuelle hors-
classe, tout ce qui traite des amplificateurs doit être expliqué en classe. Toutefois, si la réponse en fréquence n’est pas
à souligner dans le premier cours, la Section 1.6 peut être ignorée.
Autour de ce noyau, on peut construire trois variantes possibles pour le premier cours :
1. Variante de base ou standard : Les Chapitres 1 à 5. Ici, en partie ou tout le Chapitre 2 (Ampli op) peut être
postposé. En outre, la décision quant au matériel de la seconde moitié du Chapitre 1 à couvrir, dépend de la
formation des étudiants et de la philosophie de l’instructeur. Si cela est souhaité, ce cours peut être complété
par le matériel sur la réponse en fréquence de l’amplificateur, contenu dans les Sections 8.1 à 8.3.
2. Variante à orientation numérique : Les Chapitres 1 (sans la Section 1.6), 3 (sauf les sections des applications ulté-
rieures), 4 (peut-être concentré uniquement sur les premières sections), l’ensemble du Chapitre 5, la Section 8.2 et
Avant-propos xxiii

les Chapitres 14, 15, et 16. Suivant la contrainte de temps, la couverture du Chapitre 4 peut être raccourcie. La Sec-
tion 14.5 sur la loi de Moore et la technologie submicronique profonde peut être ignorée ainsi que les Sections 15.4
et 15.5. Ce cours est recommandé notamment pour les étudiants en génie informatique.
3. Variante à orientation analogique : Les chapitres 1 et 3 (peut-être sans les derniers sections orientées vers
applications), 4, 5, 6 (sauf la Section 6.6), 7, 8 (au moins les Sections 8.1 à 8.3 et le choix de l’instructeur
pour d’autres sujets) et 9 (sélection de sujets laissés à l’appréciation de l’instructeur). Il s’agit d’un cours de
spécialité qui suppose que les étudiants aient déjà acquis un bon niveau de connaissances sur les amplis op,
les diodes ainsi que la physique des semiconducteurs. Ce cours est idéal lorsque le premier cours de génie
électrique est un cours hybride sur les circuits électriques et l’électronique de base, et que, de plus, les étu-
diants ont suivi au préalable un cours de physique des dispositifs semiconducteurs.

Le deuxième cours
Pour ce deuxième cours on propose également trois variantes possibles :
1. Variante ou option standard : Les Chapitres 6 à 10 et 13. Si le temps ne le permet pas, certaines des dernières
sections du Chapitre 8 peuvent être ignorées. En outre, certains des sujets les plus avancés des Chapitres 10
et 13 peuvent être également ignorés. Si vous le souhaitez, certaines sections du Chapitre 11 (Filtres) et du
Chapitres 12 (Oscillateurs) peuvent être inclus. Ce cours fait suite idéalement au premier cours en variante
standard proposé ci-dessus.
2. Variante combinaison analogique et numérique : les Chapitres 6, 7, 8 (choix des sujets), 9 (choix des sujets),
14 (peut-être sauf la Section 14.5 sur la mise à l’échelle de la technologie), 15 (en omettant les Sections 15.4
et 15.5, si le temps est trop court), et 16 (choix des sujets).
3. Variante suivi électrique : les Chapitres 4, 6, 7, 8, 9 et un choix de sujets (si le temps le permet), sélectionnés
parmi les chapitres 10 et 13. Ce cours est idéal pour les étudiants en génie électronique qui ont suivi un pre-
mier semestre la variante (option) d’un premier cours en orientation numérique, comme décrit ci-dessus.

Matériel complémentaire / Le troisième cours


Les Chapitres 11 (Filtres) et 12 (Oscillateurs) contiennent un très riche matériel pouvant être utilisés pour constituer
un troisième cours sur les circuits analogiques. De plus, ce matériel est très orienté vers le design et peut être utilisé
pour aider les étudiants qui poursuivent des projets de conception. Les Chapitres 14, 15 et 16 peuvent être utilisés en-
viron la moitié (15 heures de cours) d’un cours de niveau supérieur sur la conception des circuits numériques à base
de circuits intégrés.

Un bref aperçu pour le lecteur


Les cinq premiers chapitres constituent les sujets fondamentaux et essentiels pour l’étude approfondie des circuits
électroniques. En même temps, ils assurent un ensemble complet et unitaire pour un premier cours sur le sujet.

Chapitre 1. Le livre commence par une introduction aux concepts de base de l’électronique. Sont présentées les
notions sur les signaux et leurs spectres de fréquence, leurs formes analogiques et numériques. Les amplificateurs sont
présentés comme des blocs de construction de circuits et leurs différents types et modèles sont étudiés. Ce chapitre
établit, également, certaines conventions terminologiques qui sont utilisées tout au long du texte. La seconde moitié
du chapitre donne un aperçu sur les concepts de semiconducteurs, à un niveau suffisant pour comprendre le fonction-
nement des diodes et des transistors dans les chapitres suivants. La couverture de ce matériel est utile en particulier
pour les étudiants qui n’ont pas suivi un cours introductif sur la physique des semiconducteurs. Même ceux qui, pen-
dant leur formation ont été confrontés avec une telle présentation, peuvent trouver dans ce chapitre un rappel utile des
concepts de base. L’instructeur peut choisir de couvrir cette matière en classe ou l’assigner pour la lecture individuelle.

Chapitre 2. Le Chapitre 2 s’occupe des amplificateurs opérationnels, de leurs caractéristiques, des applications
simples et des limites d’utilisation pratique. Nous avons choisi de présenter l’ampli op comme bloc de construction de
xxiv Avant-propos

circuits, tout simplement parce qu’il est facile de travailler avec et parce que l’étudiant peut expérimenter lui-même
des circuits à ampli op qui réalisent des tâches non triviales avec une relative facilité et avec le sentiment d’accomplis-
sement. On a trouvé cette démarche très motivante pour les étudiants. Il convient de souligner, cependant, que tout ou
une partie de ce chapitre peut être ignoré et étudié à un stade ultérieur (par exemple, en conjonction avec le Chapitre 8,
Chapitre 10 et/ou Chapitre 12) sans perte de continuité.

Chapitre 3. Le premier dispositif électronique, la diode, est étudié dans ce chapitre. Sont présentées les caractéris-
tiques des diodes, les modèles de circuits utilisés pour la représenter et ses applications dans les circuits de base. En
fonction du temps disponible pour le cours, quelques-unes des applications de diodes (par exemple la Section 3.6)
peuvent être ignorées. En outre, la brève description des types de diodes spéciales (Section 3.7) peut être indiquée en
tant qu’étude individuelle.

Chapitres 4 et 5. Les fondements des circuits électroniques sont basés sur l’étude des deux types de transistors en
usage aujourd’hui : le transistor à jonction bipolaire (BJT) au Chapitre 4 et le transistor MOS au Chapitre 5. Ce sont
les deux plus importants chapitres de l’ouvrage. Ces deux chapitres ont été écrits pour être totalement indépendants
l’un de l’autre et peuvent donc être étudiés dans n’importe quel ordre. En outre, ces deux chapitres ont la même struc-
ture, ce qui rend plus facile et plus rapide l’étude du second type de transistor ainsi que pour établir la comparaison
entre les deux types de dispositifs.
Chacun des chapitres 4 et 5 commence par une étude de la structure du dispositif et de son fonctionnement physique
conduisant à une description de ses caractéristiques par rapport à ses bornes. Par la suite, afin de permettre à l’étudiant
de devenir très familier avec le fonctionnement du transistor comme élément de circuit, un grand nombre d’exemples
sont présentés, notamment des circuits à courant continu utilisant le dispositif étudié. Nous nous demandons ensuite :
comment le transistor peut être utilisé comme amplificateur ? Pour répondre à cette question, nous considérons le fonc-
tionnement à large signal du circuit en configuration de base, à source commune (émetteur commun). On se sert de ce
circuit pour délimiter les régions dans lesquelles le dispositif peut être utilisé comme amplificateur linéaire de celles à
partir desquelles il peut être utilisé en tant que commutateur. Nous avons ensuite continué avec le fonctionnement du
transistor en petit signal, afin de développer des modèles de circuits pour sa représentation. Les différentes configura-
tions dans lesquelles le transistor peut être utilisé comme amplificateur sont ensuite étudiées et comparées. Ceci est
suivi d’une étude de modes de polarisation du transistor pour fonctionner comme amplificateur dans des applications
de circuits à composants discrets. Nous avons ensuite mis tout ensemble, en présentant des schémas complets et pra-
tiques d’amplificateurs à transistors. La dernière section de chacun des chapitres 4 et 5 offre des détails sur les effets
secondaires de l’utilisation des dispositifs dans ce genre de schémas, qui sont inclus par souci d’exhaustivité, mais qui
peuvent être ignorés si le temps ne permet pas une telle couverture. Après l’étude de ces chapitres, l’étudiant sera prêt
à étudier les amplificateurs à circuit intégrés ou les circuits intégrés numériques. Les Chapitres 6 à 9, ainsi que les Cha-
pitres 10 et 13, constituent un exposé cohérent de la conception d’amplificateur à CI et peuvent donc servir en tant que
deuxième cours sur les circuits électroniques.

Chapitre 6. Le chapitre commence par une brève introduction à la philosophie de conception de circuits intégrés.
Le Chapitre 6 présente les composantes fondamentales des circuits qui sont utilisés dans la conception d’amplifica-
teurs à CI. On commence ainsi avec la cellule de base de gain comportant un transistor en configuration source com-
mune (émetteur commun), chargé par une source de courant et on se pose la question : comment pourrait-on augmenter
son gain en tension ? Cela conduit naturellement à la notion de cascode et son utilisation dans l’amplificateur cascode
et la source de courant cascode. On considère ensuite les différentes méthodes utilisées pour polariser les amplifica-
teurs à CI. Le chapitre se termine, comme le font la plupart des chapitres du livre, avec des sujets avancés (les Sections
6.5 et 6.6) qui peuvent être ignorés si le temps est insuffisant en les proposant pour l’étude individuelle.

Chapitre 6 – Annexe 6.A. Le Chapitre 6 comporte une annexe qui fournit une compilation complète ainsi qu’une
comparaison des propriétés du MOSFET et du BJT. La comparaison est facilitée par la prise en compte des valeurs des
paramètres typiques de dispositifs fabriqués avec des procédés technologiques modernes. Cette annexe peut être
consultée à tout instant par le lecteur et devrait servir pour aboutir à un examen concis des caractéristiques importantes
de ces deux types de transistors.

Chapitre 7. Le sujet principal du Chapitre 7 est la paire différentielle en tant que bloc de construction le plus important
des circuits intégrés. La dernière section du Chapitre 7 est consacrée à l’étude des amplificateurs à plusieurs étages.
Avant-propos xxv

Chapitre 8. Le Chapitre 8 présente un traitement presque exhaustif du sujet important de la réponse en fréquence
de l’amplificateur. Ici, les Sections 8.1, 8.2 et 8.3 contiennent la matière essentielle ; les Sections 8.4 et 8.5 fournissent
une analyse approfondie des outils de travail et les Sections de 8.6 à 8.10 présentent l’analyse de la réponse en fré-
quence d’une variété de configurations typiques d’amplificateurs. En fonction du temps disponible, l’instructeur peut
procéder à une sélection parmi les dernières sections.

Chapitre 9. L’objet principal de ce chapitre est consacré à un autre sujet principal du livre : la rétroaction. Sont
présentés d’une manière exhaustive la théorie de la rétroaction négative et son application dans la conception des
amplificateurs à rétroaction. Le problème de la stabilité des amplificateurs à rétroaction est également discuté ainsi que
la compensation en fréquence.

Chapitre 10. Ce chapitre met l’accent sur une application importante, à savoir la conception de circuits d’amplifi-
cateurs opérationnels. On étudie à la fois les amplis op à CMOS et à transistors bipolaires. Dans cette dernière catégo-
rie, outre le circuit 741 classique et toujours d’actualité, on présente les techniques modernes pour la conception des
amplis op à basse tension (Section 10.7).

Chapitre 11. Le Chapitre 11 est focalisé sur la conception de filtres, qui sont des éléments importants de circuit
dans les systèmes de communication et d’instrumentation. Une approche globale est présentée orientée vers le design.
Le matériel fourni doit permettre au lecteur de concevoir lui-même le projet d’un filtre complet, à partir de la spécifi-
cation de projet et se terminant par une prise de conscience sur le circuit complet. Une multitude de tableaux de don-
nées de conception est prévue.

Chapitre 12. Ce chapitre étudie les circuits pour la génération de signaux d’une variété de formes (carré, triangu-
laire, etc.) ainsi que des ondes sinusoïdales. On présente également des circuits pour la mise en forme d’ondes non
linéaires.

Chapitre 13. C’est le chapitre qui présente et étudie les différentes classes d’amplificateurs : A, B et AB ainsi que
des schémas pour la réalisation pratique d’amplificateurs en technologie bipolaire et/ou CMOS. Sont également consi-
dérés les amplificateurs de puissance à BJT et MOSFET ainsi que l’étude des amplificateurs de puissance à CI repré-
sentatives. En fonction de la disponibilité du temps, quelques-unes des dernières sections de ce chapitre, (par exemple,
les Sections 13.8 à 13.10, sur les applications spéciales) peuvent être ignorées en première lecture.

Chapitre 14. Le Chapitre 14 commence par une présentation des inverseurs logiques numériques (Section 14.1),
puis se concentre sur les sujets liés à la conception des circuits intégrés numériques : l’inverseur CMOS (Sections 14.2
et 14.3) et les portes logiques CMOS (Section 14.4). La dernière section (14.5) s’occupe des implications de la mise à
l’échelle (scaling) de la technologie (loi de Moore) et s’attarde sur les questions importantes en matière de technologie
submicronique profonde. À l’exception possible de la Section 14.5, le matériel du Chapitre 14 est le minimum néces-
saire pour apprendre les éléments significatifs sur les circuits numériques modernes.

Chapitre 15. Le Chapitre 15 s’appuie sur les éléments établis au Chapitre 14 et présente trois grands types de cir-
cuits logiques MOS. De même, une famille importante de circuits logiques bipolaires, ainsi que le transistor à émetteur
couplé logique (ECL). Le chapitre se termine par l’analyse d’une technologie de circuit numérique intéressant qui
combine les meilleures caractéristiques du bipolaire et du CMOS: le BiCMOS.

Chapitre 16. Les circuits numériques peuvent être divisés en deux groupes principaux : les circuits logiques et les
circuits de mémoire. Ces derniers constituent l’objet du Chapitre 16.

Annexes. Les huit annexes contiennent du matériel supplémentaire extrêmement utile. On attire l’attention du lec-
teur, en particulier sur les deux premières: l’Annexe A qui présente une introduction concise à la question importante
de la technologie de fabrication des circuits intégrés (CI) et l’Annexe B qui présente les modèles SPICE ainsi qu’un
grand nombre d’exemples de conception et de simulation à l’aide des logiciels PSpice® et Multisim™. Les exemples
renvoient aux chapitres du manuel. Ces annexes ainsi que du matériel complémentaire se retrouvent sur le CD accom-
pagnant le livre.
xxvi Avant-propos

Remerciements
Beaucoup de modifications apportées à cette sixième édition ont été faites en réponse aux réactions signalées par de
nombreux instructeurs qui ont utilisé la cinquième édition. Nous sommes reconnaissants à tous ceux qui ont pris le
temps de nous écrire. En outre, des dizaines de commentaires et suggestions détaillés sur la cinquième édition ont
constitué la base de nombreux changements que nous avons incorporés dans cette nouvelle édition. Tous ceux qui nous
ont écrit sont indiqués plus loin ; à eux tous, nous adressons nos sincères remerciements. Un certain nombre de per-
sonnes ont apporté des contributions significatives à cette édition. Sam Emaminejad et Muhammad Faisal ont préparé
le logiciel Multisim™ et de nouvelles simulations à l’aide de PSpice® et ont participé aussi à de nombreux aspects liés
à la préparation du manuscrit. Olivier Trescases de l’Université de Toronto et ses étudiants ont énormément aidé, en
vérifiant indépendamment toutes les simulations qui sont reprises sur le CD. Wai-Tung Ng, de l’Université de Toronto,
a réécrit l’Annexe A. Gordon Roberts, de l’Université McGill, nous a donné la permission d’utiliser quelques-uns des
exemples tirés de la 2e édition du manuel SPICE de Roberts et Sedra. Sima Dimitrijev de l’Université Griffith, a entre-
pris un examen détaillé du Chapitre 3 sur les dispositifs semiconducteurs et David Pulfrey de l’Université de la Co-
lombie-Britannique ont fait aussi de nombreuses suggestions. Comme pour l’édition précédente, Anas Hamoui de
l’Université McGill a été la source de beaucoup de bonnes idées. Jim Somers de Sonora Designworks a préparé les CD
pour les étudiants et l’instructeur. Jennifer Rodrigues a tapé toutes les révisions avec compétence et bonne humeur et
a contribué à beaucoup d’aspects logistiques. Linda Lyman nous a assisté avec plus de détails que nous ne pouvons
énumérer ici, son aide est inestimable. Laura Fujino a participé à la relecture du livre. À tous ces amis et collègues,
nous adressons un sincère merci.
Nous sommes également reconnaissants aux collègues et amis suivants qui ont fourni de nombreuses suggestions
utiles : Anthony Chan-Carusone, Roman Genov, David Johns, Ken Martin, tous de l’Université de Toronto, David
Nairn de l’Université de Waterloo, Wai-Tung Ng de l’Université de Toronto, Khoman Phang de l’Université de
Toronto, M. Gordon Roberts de l’Université McGill et Ali Sheikholeslami de l’Université de Toronto.
Un grand nombre de personnes travaillant pour Oxford University Press ont contribué à l’élaboration de cette édi-
tion et ses diverses auxiliaires. Nous tenons à mentionner expressément le directeur artistique Paula Schlosser et les
concepteurs Dan Niver, Binbin Li et Annika Sarin, le rédacteur principal Jill Crosson, ainsi que Susanne Arrington,
Andy Batlle, Brian Black, Sonya Borders, Gigi Brienza, Jim Brooks, Chris Critelli , Michael Distler, Diane Erickson,
Ned Escobar, Adam Glazer, Chris Hellstrom, Andrea Hill, Adriana Hurtado, Holly Lewis, Jenny Lupica, Johanna
Marcelino, Bill Marting, Laura Mahoney, Joella Molway, Preeti Parasharami, Emily Pillars, Terry Retchless, Kim
Rimmer, Linda Roths, Sarah Smith, Patrick Thompson, Adam Tyrell, Euan White et David Wright.
Nous tenons à remercier tout particulièrement notre éditeur de chez Oxford University Press, John Challice, et au
collectif de la rédaction technique dirigé par le rédacteur en chef adjoint Zimmermann Rachael ainsi qu’au directeur
de rédaction Patrick Lynch, qui ont minutieusement préparé tout le soutien nécessaire pour l’apparition de ce livre.
À Steve Cestaro, directeur de la rédaction, conception et fabrication, pour son apport précieux, à Barbara Mathieu,
directrice de production, pour son travail sans relâche, avec grâce et créativité, pour porter ce livre à bonne fin. Et la
dernière mais non la moindre, une note spéciale de remerciements et de gratitude à notre rédacteur Danielle
Christensen, qui a été notre principal point de contact avec Oxford University Press sur l’ensemble du projet et qui a
su le gérer avec créativité, réflexion et dévouement.
Finalement, nous tenons à remercier nos familles pour leur soutien et leur compréhension, et remercier tous les étu-
diants et les enseignants pour leur apport de valeur, tout au long de l’histoire de ce livre.

Adel S. Sedra
Kenneth C. (KC) Smith
Avant-propos xxvii

Vérificateurs pour les problèmes et les résultats des calculs


Mandana Amiri, University of British Columbia, BC
Alok Berry, George Mason University, VA
Marc Cahay, University of Cincinnati, OH
Yun Chiu, University of Illinois–Urbana-Champaign, IL
Norman Cox, Missouri University of Science and Technology, MO
John Davis, University of Texas–Austin, TX
Michael Green, University of California–Irvine, CA
Roger King, University of Toledo, OH
Clark Kinnaird, Southern Methodist University, TX
Robert Krueger, University of Wisconsin–Milwaukee, WI
Shahriar Mirabbasi, University of British Columbia, BC
Daniel Moore, Rose-Hulman Institute of Technology, IN
Kathleen Muhonen, The Pennsylvania State University, PA
Angela Rasmussen, University of Utah, UT
Roberto Rosales, University of British Columbia, BC
John Wilson, Royal Military College, ON

Examinateurs pour la sixième édition


Elizabeth Brauer, Northern Arizona University, AZ
Martin Brooke, Duke University, NC
Yun Chiu, University of Illinois–Urbana-Champaign, IL
Norman Cox, Missouri University of Science and Technology, MO
Robert Bruce Darling, University of Washington, WA
John Davis, University of Texas–Austin, TX
Christopher DeMarco, University of Wisconsin–Madison, WI
Robert Engelken, Arkansas State University, AR
Ethan Farquhar, University of Tennessee, TN
Patrick Fay, University of Notre Dame, IN
George Giakos, University of Akron, OH
John Gilmer, Wilkes University, PA
Tayeb Giuma, University of North Florida, FL
Michael Green, University of California–Irvine, CA
Steven de Haas, California State University–Sacramento, CA
Anas Hamoui, McGill University, QC
William Harrell, Clemson University, SC
Reid Harrison, University of Utah, UT
Timothy Horiuchi, University of Maryland–College Park, MD
Mohammed Ismail, The Ohio State University, OH
Paul Israelson, Utah State University, UT
Zhenhua Jiang, University of Miami, FL
Seongsin M. Kim, University of Alabama, AL
Roger King, University of Toledo, OH
Clark Kinnaird, Southern Methodist University, TX
Tsu-Jae King Liu, University of California–Berkeley, CA
Yicheng Lu, Rutgers University, NJ
David Nairn, University of Waterloo, ON
Thomas Matthews, California State University–Sacramento, CA
Ken Noren, University of Idaho, ID
Martin Peckerar, University of Maryland–College Park, MD
Khoman Phang, University of Toronto, ON
Mahmudur Rahman, Santa Clara University, CA
John Ringo, Washington State University, WA
Norman Scheinberg, City College, NY
xxviii Avant-propos

Kuang Sheng, Rutgers University, NJ


Andrew Szeto, San Diego State University, CA
Joel Therrien, University of Massachusetts–Lowell, MA
Len Trombetta, University of Houston, TX
Mustapha C.E. Yagoub, University of Ottawa, ON
Donna Yu, North Carolina State University, NC
Jiann-Shiun Yuan, University of Central Florida, FL
Sandra Yost, University of Detroit–Mercy, MI
Jianhua (David) Zhang, University of Illinois–Urbana-Champaign, IL

Examinateurs des éditions antérieures


Maurice Aburdene, Bucknell University, PA
Michael Bartz, University of Memphis, TN
Patrick L. Chapman, University of Illinois–Urbana-Champaign, IL
Roy H. Cornely, New Jersey Institute of Technology, NJ
Dale L. Critchlow, University of Vermont, VT
Artice Davis, San Jose State University, CA
Eby G. Friedman, University of Rochester, NY
Paul M. Furth, New Mexico State University, NM
Rhett T. George, Jr., Duke University, NC
Roobik Gharabagi, St. Louis University, MO
Steven de Haas, California State University–Sacramento, CA
Reza Hashemian, Northern Illinois University, IL
Ward J. Helms, University of Washington, WA
Richard Hornsey, York University, ON
Hsiung Hsu, The Ohio State University, OH
Robert Irvine, California State Polytechnic University–Pomona, CA
Steve Jantzi, Broadcom
Marian Kazimierczuk, Wright State University, OH
John Khoury, Columbia University, NY
Jacob B. Khurgin, The Johns Hopkins University, MD
Roger King, University of Toledo, OH
Robert J. Krueger, University of Wisconsin–Milwaukee, WI
Joy Laskar, Georgia Institute of Technology, GA
David Luke, University of New Brunswick, NB
Un-Ku Moon, Oregon State University, OR
Bahram Nabet, Drexel University, PA
Dipankar Nagchoudhuri, Indian Institute of Technology–Delhi, India
David Nairn, Analog Devices
Joseph H. Nevin, University of Cincinnati, OH
Rabin Raut, Concordia University, QC
John A. Ringo, Washington State University, WA
Zvi S. Roth, Florida Atlantic University, FL
Mulukutla Sarma, Northeastern University, MA
John Scalzo, Louisiana State University, LA
Pierre Schmidt, Florida International University, FL
Richard Schreier, Analog Devices
Dipankar Sengupta, Royal Melbourne Institute of Technology, Australia
Ali Sheikholeslami, University of Toronto, ON
Michael L. Simpson, University of Tennessee, TN
Karl A. Spuhl, Washington University in St. Louis, MO
Charles Sullivan, Dartmouth College, NH
Daniel van der Weide, University of Delaware, DE
Gregory M. Wierzba, Michigan State University, MI
Alex Zaslavsky, Brown University, RI
PREMIÈRE PARTIE

Dispositifs et
circuits de base
CHAPITRE 1

Électronique et
semiconducteurs
Introduction. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1 Signaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2 Spectre de fréquence des signaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.3 Signaux analogiques et numériques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.4 Amplificateurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.7 Semiconducteurs intrinsèques. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.8 Semiconducteurs dopés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
1.9 Circulation du courant dans un semiconducteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
1.10 Jonction pn en circuit ouvert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
1.11 La jonction pn sous tension externe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
1.12 Effets capacitifs dans la jonction pn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
Résumé. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
Problèmes à résoudre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
DANS CE CHAPITRE VOUS APPRENDREZ

1. Que les circuits électroniques sont commandés par des signaux, et que la
compréhension des signaux électriques est essentielle pour apprendre
l’électronique.

2. La représentation de sources de signaux à l’aide de théorèmes de Théve-


nin et de Norton.

3. La représentation d'un signal en tant que somme d’ondes sinusoïdales.

4. La représentation analogique et numérique d'un signal.

5. Les fondements du traitement du signal, c’est-à-dire l'amplification du si-


gnal et le fonctionnement d’un amplificateur.

6. Comment les amplificateurs sont modélisés en tant que blocs et circuits in-
dépendants.

7. La manière de mesurer et de calculer la réponse en fréquence d'un ampli-


ficateur, en particulier dans le cas simple d'un circuit à constante de temps
unique (CTU).

8. Les propriétés de base des semiconducteurs et en particulier les semi-


conducteurs à base de silicium, (matériau utilisé dans la plupart des cir-
cuits électroniques d'aujourd'hui).

9. Comment le dopage d'un cristal de silicium pur modifie radicalement la


conductivité du matériau – idée fondamentale à la base de l'utilisation de
semiconducteurs.

10. Les deux mécanismes déterminant la circulation du courant dans les


semiconducteurs : par trous (manque d’électrons) et par la diffusion des
porteurs de charge (électrons libres).

11. La structure et le principe de fonctionnement de la jonction pn en tant


que structure semiconductrice de base, jouant un rôle prédominant dans
la fabrication des transistors.

Introduction
Ce livre se préoccupe de l’électronique moderne, un domaine qui est connu aussi sous le nom
de microélectronique. La microélectronique se réfère particulièrement à la technologie des
circuits intégrés (IC). Ces circuits peuvent contenir des centaines de millions de composants
dans un minuscule morceau de silicium (appelé aussi puce), dont la superficie est de l’ordre
de 1 mm2. Un tel ensemble de circuits microélectroniques, par exemple, peut constituer un
microprocesseur, qui est l’élément de base de la structure d’un ordinateur.

3
4 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Dans ce livre, nous allons étudier les composantes électroniques qui peuvent être utilisés
dans la conception de circuits discrets ou composants d’un circuit intégré (IC). Nous allons
étudier la conception et l’analyse des interconnexions de ces dispositifs, qui constituent des
circuits de complexité variable, capables en même temps d’assurer une grande variété fonc-
tionnelle. Nous allons aussi apprendre les types de circuits intégrés disponibles et leur appli-
cation dans la conception de systèmes électroniques.
Le but de ce premier chapitre est d’introduire quelques concepts de base et la terminologie
spécifique. En particulier, nous allons apprendre davantage sur les signaux et sur l’un des plus
importants traitements du signal, à savoir, l’amplification du signal. Nous allons focaliser
notre étude sur la représentation des circuits ou des modèles des amplificateurs linéaires. Ces
modèles seront employés dans les chapitres suivants dans la conception et l’analyse de cir-
cuits d’amplificateurs réels.
En plus de motiver l’étude de l’électronique, ce chapitre sert de liaison entre l’étude des circuits
linéaires et le principal sujet du livre : la conception et l’analyse des circuits électroniques.
Ensuite, nous présenterons brièvement les propriétés et la physique des semiconducteurs.
L’objectif est de fournir aux lecteurs une plate-forme pour comprendre le fonctionnement
physique des diodes et des transistors afin de permettre leur utilisation effective dans la
conception des circuits. Bien que bon nombre des concepts étudiés dans ce chapitre
s’appliquent aux matériaux semiconducteurs en général, notre attention est fortement orien-
tée vers le silicium, simplement parce qu’il est le matériau utilisé à échelle industrielle dans
la fabrication de la grande majorité des semiconducteurs actuels. Pour compléter le contenu
de ce premier chapitre, l’Annexe A fournit une description détaillée du procédé de fabrication
d’un circuit intégré (IC). Comme indiqué dans l’Annexe A, si le circuit intégré est constitué
d’un seul transistor ou, par exemple, plus de 2 milliards de transistors, il est fabriqué à base
d’un monocristal de silicium, justifiant l’appellation de circuit monolithique. Ce chapitre
commence donc par une étude de la structure cristalline des semiconducteurs et introduit les
deux types de porteurs de charge indispensables à la circulation du courant : les électrons et
les trous. La propriété la plus importante des semiconducteurs est que leur conductivité peut
varier sur une gamme très large et très étroite, dépendance voulue et contrôlée par le concep-
teur, par l’introduction de quantités d’atomes d’impuretés dans le cristal de silicium à l’aide
d’un procédé technologique spécifique, appelé dopage. Les semiconducteurs dopés seront
discutés à la Section 1.8. L’étude continue à la Section 1.9 par l’analyse des deux types de
circulation de courant à travers les semiconducteurs, à savoir : par les trous et par la diffusion
des porteurs de charge (électrons libres).
Armés de ces concepts constituant la base des semiconducteurs, nous passons le reste du
chapitre à l’étude d’une structure semiconductrice importante : la jonction pn. En plus d’être
essentiellement une structure composante électronique d’importance majeure, la diode, la
jonction pn constitue en même temps l’élément de base du transistor à jonction bipolaire
(BJT, voir Chapitre 4) et joue un rôle important dans le fonctionnement des transistors à effet
de champ (FET, voir Chapitre 5).

1.1 Signaux
Dans le monde physique, les signaux contiennent des informations sur une large variété de
choses et d’activités. Les exemples abondent : les prévisions météorologiques sont basées sur
l’analyse des signaux qui représentent la température de l’air, la pression atmosphérique, la
vitesse du vent, etc. La voix d’un présentateur à la radio en lisant les nouvelles en face d’un
microphone fournit un signal acoustique qui contient des informations sur les affaires du
monde. Pour surveiller l’état d’un réacteur nucléaire, nombre d’instruments sont utilisés pour
mesurer une multitude de paramètres, chaque instrument produisant un signal.
Pour extraire les informations requises à partir d’un ensemble de signaux, l’observateur (un
opérateur humain ou une machine) doit toujours traiter les signaux d’une manière prédéterminée.
1.1 Signaux 5

Ce traitement des signaux est habituellement effectué par des systèmes électroniques. Pour que
cela soit possible, le signal qui contient l’information doit d’abord être converti en un signal élec-
trique, habituellement une tension ou un courant. Ce processus est accompli par des dispositifs
appellés transducteurs. Il existe une large variété de transducteurs, adaptés chacun d’entre eux à
un type bien défini de grandeur physique. Par exemple, les ondes sonores générées par un être
humain peuvent être converties en signaux électriques à l’aide d'un microphone. Ce n’est pas notre
but d’étudier ici les transducteurs ; nous allons supposer que les grandeurs physiques qui nous inté-
ressent ont déjà été converties sous forme de signaux électriques et que cette opération est possible
à l’aide d’un des deux circuits équivalents illustrés à la Fig. 1.1. Dans la Fig. 1.1(a) le signal est
représenté par une source de tension vs(t) ; Rs est la résistance électrique de cette source. Dans la
Fig. 1.1(b), le signal est représenté par une source de courant is(t) avec Rs comme résistance de
cette source de courant. Bien que les deux représentations soit équivalentes, en pratique lorsque Rs
présente de faibles valeurs, la situation illustrée par la Fig. 1.1(a) est préférée (connue sous le nom
de source de Thévenin). Tandis que la représentation de la Fig. 1.1(b) (connue sous le nom d’équi-
valent de Norton) est préférée lorsque Rs présente des valeurs élevés. Le lecteur appréciera plus
loin dans ce chapitre cette remarque, lors de l’étude des différents types d’amplificateurs. Pour
l’instant, il est très important que les étudiants maîtrisent les théorèmes de Thévenin et de Norton
(pour un bref aperçu et une mise à niveau, voir l’Annexe D). À noter toutefois que pour les deux
représentations équivalentes de la Fig. 1.1, les paramètres sont liés par l’équation suivante :

vs  t   Rs is  t 

Rs

vs(t)  is(t) Rs
 Figure 1.1 Deux représentations équi-
valentes pour une source de signal : (a) la
source de Thévenin ; (b) l’équivalent de
(a) (b) Norton.

Exemple 1.1

La résistance de sortie d’une source réelle est pratiquement inévitable. Elle représente une imperfection physique qui
limite la capacité d’une source à fournir un signal égale à la tension nominale de cette source. Pour comprendre cet
aspect plus clairement, considérons que la source est branchée à une résistance de charge RL, comme indiqué à la
Fig. 1.2. Pour le cas où la source est représentée par son équivalent de Thévenin, trouver la tension v0 qui apparaît aux
bornes de la résistance de charge RL. Déterminer quelle condition doit satisfaire Rs pour que v0 soit plus proche de la
valeur vs, la tension aux bornes de la source. Répéter l’analyse pour la situation (b) quand la source est représentée par
l’équivalent de Norton. Dans ce cas trouver le courant qui circule à travers la résistance de charge RL et quelle condi-
tion doit satisfaire Rs pour que la valeur de i0 soit la plus proche de is.

Rs

 io

vs  RL vo is Rs RL


Figure 1.2 Circuits pour
(a) (b) l’Exemple 1.1
6 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Solution
Pour la source représentée par l’équivalent de Thévenin, Fig. 1.2(a), la différence de potentiel v0 aux bornes de
la résistance RL est calculée à l’aide d’un diviseur de tension constitué par les deux résistances Rs et RL :
RL
v o = v s -----------------
-
RL + Rs

De cette équation on constate que pour


vo  vs

la résistance de source Rs doit être plus petite que la résistance de charge RL,
Rs  RL

Ainsi, pour une source représentée par son équivalent de Thévenin, la situation idéale est avec Rs = 0 et au fur et
au mesure que Rs augmente par rapport à la résistance de charge, la tension v o qui se manifeste aux bornes de la
charge devient de plus en plus petite, ce qui n’est pas du tout souhaitable.
Ensuite, on considère la représentation pour la source de signal à l’aide de l’équivalent de Norton à la
Fig. 1.2(b). Afin d’obtenir le courant io qui s’écoule à travers la résistance RL, on utilise le diviseur de courant
constitué par les résistances Rs et RL et on obtient :
Rs
i o = i s -----------------
-
Rs + RL

De cette dernière équation on constate que pour avoir le courant

io  is

la résistance de source Rs doit être plus élevée que RL, soit


Rs  RL

Ainsi, pour une source de signal représentée par son équivalent de Norton, la situation idéale est atteinte lorsque
Rs = , et au fur et au mesure que Rs diminue par rapport à la résistance de charge R, le courant io qui s’établit
par la charge devient de plus en plus petit, ce qui n’est pas souhaitable.

EXERCICES

1.1 Pour les situations indiquées dans les Fig. 1.1(a) et 1.1(b), quelles sont les valeurs de tension aux bornes si les
circuits sont ouverts ? Si les bornes de sortie sont en court-circuit, calculer, pour les deux circuits, la valeur du
courant qui s’y établit. Pour que les deux circuits soit équivalents, quelles doivent être les relations entre vs, is
et Rs ?
Réponse : Pour (a), v0c = vs(t) ; pour (b), v0c = Rsis(t) ; pour (a), isc = vs(t)/Rs ; pour (b), isc = is(t) ; la condition
d’équivalence est : vs(t) = Rsis(t).

1.2 Une source de signal présente en circuit ouvert une tension aux bornes de 10 mV et un courant de court-circuit
de 10 µA. Quelle est la valeur de la résistance interne de cette source ?
Réponse : 1 k
1.2 Spectre de fréquence des signaux 7

EXERCICES

1.3 Une source de signal est représentée par son équivalent de Thévenin, avec vs = 10 mV et Rs = 1 k. Si la source
alimente une résistance de charge RL, trouver la tension v0 aux bornes de la charge. Prenez pour RL 100 k,
10 k, 1 k et 100  . Trouver aussi la plus petite valeur de RL pour laquelle la tension à ses bornes est au
moins 80% de la tension de source.
Réponse : 9,9 mV; 9,1 mV; 5 mV; 0,9 mV; 4 k

1.4 Une source de signal est représentée par son équivalent de Norton, avec is = 10 µA et Rs = 100 k Si la source
est connectée sur une résistance de charge RL, trouver le courant i0 qui s’établit à travers la charge pour
RL=1 k, 10 k, 100 k et 1MCalculer aussi la plus grande valeur de RL pour laquelle le courant de
charge est au moins égale à 80% du courant fourni par la source.
Réponse : 9,9 µA; 9,1 µA; 5 µA; 0,9 µA; 25 k.

De ce qui précède, il résulte d’une manière évidente que le signal est une quantité variable
dans le temps et qu’il peut être représenté par un diagramme tel que celui représenté à la
Fig. 1.3. En fait, la quantité d’information contenue dans le signal est représentée par l’évo-
lution de sa grandeur par rapport au temps, c’est-à-dire dans les variations par rapport au
temps de la représentation graphique du signal. En général, telles variations aléatoires sont
difficiles à interpréter mathématiquement. En d’autres termes, il n’est pas facile d’écrire
l’équation d’une évolution quelconque telle que celle décrite par la Fig. 1.3. Évidemment, une
telle description ou interprétation mathématique est d’une grande importance dans le but de
concevoir des circuits appropriés destinés au traitement des signaux. Une approche efficace
pour la caractérisation des signaux est présentée à la section suivante.

vs(t)

Temps, t

Figure 1.3 Signal de tension avec variation aléatoire vs(t).

1.2 Spectre de fréquence des signaux


Une caractérisation très utile d’un signal est représentée par son spectre de fréquence.
Une telle description des signaux est obtenue en faisant appel à des outils mathématiques,
comme par exemple la série de Fourier et la transformée de Fourier1. Nous ne voulons pas
entrer ici dans les détails de ces transformations ; il suffira de dire qu’elles fournissent les

1. Le lecteur qui n’a pas encore approfondi ces sujets ne doit pas s’inquiéter. Aucune application détaillée impli-
quant les deux outils mathématiques signalés ne sera abordée dans les sept premiers chapitres. Néanmoins, une
compréhension générale de la Section 1.2 s’avère extrêmement utile dans l’étude des premiers chapitres de ce
livre.
8 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

moyens pratiques pour représenter un signal de tension vs(t) ou un signal de courant is(t)
comme une somme des signaux sinusoïdaux de fréquence et d’amplitude différentes. Cela
souligne l’importance de l’onde sinusoïdale d’un signal dans l’analyse, la conception et les
tests des circuits électroniques. Par conséquent, nous allons passer brièvement en revue les
propriétés d’une onde sinusoïdale.
La Fig. 1.4 montre un signal de tension sinusoïdale va(t),

v a  t   V a sin t (1.1)

où Va désigne la valeur de crête ou l’amplitude, en volts, et  désigne la fréquence angulaire,


en radians par seconde ; autrement dit  = 2 f rad/s, où f est la fréquence en Hertz,
f = 1/T Hz, et T est la période, exprimée en secondes.

va

Figure 1.4 Signal de tension sinusoïdale


d’amplitude Va et de fréquence f = 1/T Hz.
La fréquence angulaire  = 2 f rad/s.

Le signal sinusoïdal est complètement caractérisé par Va qui est sa valeur de crête, par sa
fréquence, et par sa phase mesurée par rapport à un temps de référence arbitraire. Dans le cas
représenté à la Fig. 1.4, l’origine du temps a été choisie de sorte que l’angle de phase est égal
à 0. Il convient de mentionner qu’il est courant d’exprimer l’amplitude d’un signal sinusoïdal
en termes de sa valeur effective (ou r.m.s.). Ainsi, la valeur efficace de la sinusoïde va(t) de la
Fig. 1.4 est Va  2. Par exemple, lorsque nous parlons du réseau électrique de distribution, la
tension est une onde sinusoïdale avec une valeur de crête de 120 2 volts.
Revenons maintenant à la représentation des signaux en tant que somme de sinusoïdes. Il
est à noter qu’en utilisant la série de Fourier en tant qu’outil mathématique, on peut accomplir
cette tâche difficile qu’est la décomposition d’un signal en une somme de fonctions pério-
diques du temps. D’autre part, la transformée de Fourier est un outil de travail plus puissant
et peut être utilisé pour obtenir le spectre de fréquences d’un signal dont la forme d’onde est
une fonction arbitraire de temps.
La série de Fourier nous permet d’exprimer une fonction périodique du temps comme la
somme d’un nombre infini de sinusoïdes dont les fréquences sont en relation harmonique. Par
exemple, le signal représenté par une onde carrée symétrique, illustré par la Fig. 1.5, peut être
exprimé en tant que :

4V
v  t   ------- ( sin  0 t  1--3- sin 3 0 t  1--5- sin 5 0 t  . . . ) (1.2)

où V est l’amplitude de l’onde carrée et 0 = 2/T (T est la période de l’onde carrée) est ap-
pelée la fréquence fondamentale. Parce que les amplitudes des harmoniques diminuent pro-
gressivement, la série infinie peut être tronquée, ce qui fournit ainsi une approximation de la
forme d’onde carrée.
Les composantes sinusoïdales dans la série définie par l’équation (1.2) constituent le
spectre de fréquence de l’onde carrée symétrique en question. Un tel spectre peut être repré-
senté graphiquement, voir Fig. 1.6 où l’axe horizontal représente la fréquence angulaire  en
radians par seconde.
1.2 Spectre de fréquence des signaux 9

Figure 1.5 Onde carrée symétrique d’amplitude V.

Figure 1.6 Le spectre des fréquences (également connu sous le nom lignes de spectre) pour l’onde carrée
symétrique de la Fig. 1.5.
Répartition de la tension Va(), volts

Figure 1.7 Le spectre de fréquence d’une onde de forme arbitraire, telle qu’à la Fig.1.3.

La transformation de Fourier peut être appliquée également à une fonction non périodique
du temps, tel que celle illustrée à la Fig. 1.3. Son spectre de fréquence est une fonction conti-
nue de la fréquence, comme indiqué à la Fig. 1.7. Contrairement au cas des signaux pério-
diques, où le spectre se compose de fréquences discrètes (pour 0 et ses harmoniques), le
spectre d’un signal non périodique contient en général toutes les fréquences possibles. Néan-
moins, les parties essentielles du spectre des signaux pratiques sont généralement confinées
à des segments relativement courts situés sur l’axe des fréquences (), remarque très utile
dans le processus de traitement de ces signaux. Par exemple, le spectre des sons audibles tels
que la parole et la musique, s’étend sur une plage fréquentielle de 20 Hz à 20 kHz, environ.
10 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Cet intervalle de fréquences est connu sous le nom de bande audio. Il convient de noter ici
que, bien que certains sons musicaux présentent des fréquences supérieures à 20 kHz,
l’oreille humaine est incapable d’entendre des fréquences supérieures à ce seuil. Un autre
exemple se réfère à des signaux vidéo analogiques, avec un spectre se situant dans la plage de
0 MHz à 4,5 MHz.
Nous concluons cette section en soulignant qu’un signal peut être représenté soit par sa
forme d’onde qui varie avec le temps, comme pour le signal de tension va(t) représenté à la
Fig. 1.3, soit par son spectre de fréquence, comme à la Fig. 1.7. Ces deux variantes sont
connues en tant que représentation dans le domaine temporel et dans le domaine fréquentiel
respectivement. La représentation dans le domaine fréquentiel de va(t) sera notée par le sym-
bole Va().

EXERCICES

1.5 Trouver les fréquences f et  d’un signal sinusoïdale avec une période de 1 ms.
3
Réponse : f  1000  Hz ;   2π  10 rad/s

1.6 Quelle est la période T d’une onde sinusoïdale caractérisée par les valeurs suivantes de fréquence :
(a) f = 60 Hz ? (b) f = 10-3 Hz ? (c) f = 1 MHz ?
Réponse : 16,7 ms ; 1 000 s ; 1 µs.

1.7 La ultra haute fréquence (UHF) est la bande de diffusion de la télévision. Cette bande commence avec le canal
14 et s’étend à partir de 470 MHz jusqu’à 806 MHz. La largeur de bande attribuée pour chaque canal est de
6 MHz. Combien de canaux peut accueillir la bande UHF ?
Réponse : 56 ; les canaux 14 à 69.

1.8 Lorsque le signal d’onde carrée de la Fig. 1.5, dont la série de Fourier est exprimée par l’équation (1.2), est
appliquée à un résistor, la puissance totale dissipée peut être calculée directement à l’aide de la relation
P  1  T T0  v  R  dt ou indirectement en additionnant la contribution de chacune des composantes harmo-
2

niques, c’est-à-dire, P = P1 + P3 + P5 + …, qui peuvent être trouvées directement à partir des valeurs efficaces.
Vérifiez que les deux approches sont équivalentes. Quelle fraction de l’énergie de l’onde carrée est due à sa
fondamentale ? Calculer cette fraction pour les cinq premiers harmoniques ? Effectuer le même calcul pour les
sept et pour les neuf premiers harmoniques. Pour quel nombre d’harmoniques peut-on envisager contenir 90%
de l’énergie totale de l’onde carrée ? (Notez qu’à la numérotation des harmoniques, la fondamentale 0 est le
premier, 20 est le deuxième harmonique, etc.).
Réponse : 0,81 ; 0,93 ; 0,95 ; 0,96 ; 3.

1.3 Signaux analogiques et numériques


Le signal représenté à la Fig. 1.3 est appelé signal analogique. Le nom dérive du fait qu’un
tel signal est analogue au signal physique qu’il représente. L’amplitude d’un signal analo-
gique peut prendre n’importe quelle valeur, ce qui veut dire que l’amplitude d’un signal ana-
logique présente une variation continue sur toute sa plage d’activité. La grande majorité des
signaux dans le monde qui nous entoure sont des signaux analogiques. Les circuits électro-
niques qui traitent de tels signaux sont connus comme circuits analogiques. Dans ce livre
nous aurons la possibilité d’étudier une large variété de circuits analogiques.
Une variante de la représentation du signal est celle d’une séquence de valeurs numé-
riques, chaque valeur représentant l’amplitude du signal à un instant précis de temps. Le
signal résultant est appelé signal numérique. Pour bien comprendre comment un signal peut
1.3 Signaux analogiques et numériques 11

être représenté sous cette forme, on doit expliquer d’abord comment les signaux peuvent être
convertis de la forme analogique à la forme numérique. Considérons ainsi la Fig. 1.8(a). La
courbe représente un signal de tension, identique à celui de la Fig. 1.3. A intervalles réguliers
établis le long de l’axe du temps, sont marqués les instants t0, t1, t2, et ainsi de suite. A chacun
de ces instants, l’amplitude du signal est mesurée. Il s’agit d’un processus connu sous le nom
d’échantillonnage. La Fig. 1.8(b) montre la représentation du signal de la Fig. 1.8(a) en
termes correspondant aux échantillons. Ainsi, le signal de la Fig. 1.8(b) est défini uniquement
par rapport aux instants d’échantillonnage, et il n’est plus donc une fonction continue du
temps, mais plutôt, comme on peut facilement constater, le signal prend une forme discrète
par rapport au temps. Toutefois, étant donné que l’amplitude de chaque échantillon peut
prendre n’importe quelle valeur, le signal montré à la Fig. 1.8(b) est toujours un signal ana-
logique.
Si on représente maintenant l’amplitude de chacun des échantillons du signal de la
Fig. 1.8(b) par un nombre fini, l’amplitude du signal ne présentera plus une évolution conti-
nue. Par conséquent, nous pouvons constater que celle-ci a été quantifiée, discrétisée ou
numérisée. Le signal numérique résultant est alors présenté en tant qu’une séquence de
nombres qui représentent, conformément à une certaine convention préétablie, les amplitudes
des échantillons successifs du signal d’origine.

(a)

Figure 1.8 Échantillonnage d’un signal : (a) par rapport au temps, (b) par valeurs discrètes par rapport au
temps.

Le choix du système numérique qui sert à représenter les échantillons du signal peut
influencer le type de signal numérique produit et, par conséquent la complexité des circuits
numériques nécessaires au traitement des signaux. Il s’avère que l’utilisation du système de
numération binaire se traduit par une simplification évidente tant du côté des signaux
numériques que des circuits de traitement. Dans un système binaire, chaque chiffre prend
12 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

seulement l’une des deux valeurs possibles : 0 et 1. En conséquence, les signaux numériques
dans le système binaire réclament seulement deux niveaux de tension, à savoir un niveau haut
et un niveau bas de tension qui correspondent aux valeurs digitales possibles 0 et 1. A titre
d’exemple, dans quelques-uns des circuits numériques étudiés dans ce livre, les deux niveaux
sont 0 V et +5 V. La Fig. 1.9 représente la variation par rapport au temps d’un signal numé-
rique. Notez que la forme d’onde est un train d’impulsions avec 0 V représentant un signal 0,
ou un 0 logique, et +5 V représentant le signal logique 1.

v (t)

5

0
Valeurs logiques 1 0 1 1 0 1 0 0 Temps t

Figure 1.9 Variation d’un signal binaire par rapport au temps.

Si on utilise N chiffres binaires (bits) pour représenter chaque échantillon d’un signal ana-
logique, la valeur numérisée de l’échantillon peut être exprimé comme

D  b 0 2  b 1 2  b 2 2   + b N 1 2
0 1 2 N 1
(1.3)

où b0, b1, ..., bN-1, désignent les N bits et présentent des valeurs égales à 0 ou 1. Ici, le bit b0 est
appelé le bit le moins significatif (LSB), et le bit bN-1 est appelé le bit le plus significatif
(MSB). Conventionnellement, la valeur numérisée s’écrit comme bN-1 bN-2 … b0. Nous obser-
vons qu’une telle représentation analogique quantifie l’échantillon parmi les niveaux à 2N. Il
est évident que plus grand est le nombre de bits (c’est-à-dire, plus N est grand), plus le mot
numérique D se rapproche de la grandeur de l’échantillon analogique. C’est, en augmentant
le nombre de bits qu’on réduit l’erreur de numérisation et on augmente en même temps la
résolution de conversion analogique-numérique. Cependant, cette amélioration est générale-
ment obtenue à l’aide d’un circuit plus complexe et donc plus coûteux. Ce n’est pas notre but
de s’attarder sur ce sujet ; nous voulons simplement attirer l’attention du lecteur sur quelques
aspects qui sont révélateurs de la compréhension de la nature et les particularités des signaux
analogiques et numériques. Néanmoins, il est opportun d’introduire ici une nouvelle notion :
le convertisseur analogique numérique (CAN) illustré en tant que schéma-bloc par la
Fig. 1.10. Il s’agit d’un circuit très important dans la conception et la réalisation des systèmes
électroniques modernes. Un convertisseur analogique numérique (CAN) accepte comme si-
gnaux d’entrée les échantillons d’un signal analogique et fournit pour chaque signal d’entrée
un signal de sortie qui correspond à un signal de N bits en représentation numérique (d’après
l’équation 1.3). Ainsi par exemple, bien que la tension (le signal) à l’entrée puisse être de
6,51 V à chacune des bornes de sortie du convertisseur (par exemple, à la sortie k), la tension
sera soit celle qui correspond au niveau bas (0 V) soit au niveau haut (5 V), si bk est censé être
0 ou 1 respectivement. Le circuit dual d’un convertisseur CAN est le convertisseur numé-
rique analogique (CNA). Ce circuit réalise la conversion d’une entrée numérique à N bits à
une tension de sortie analogique.
1.3 Signaux analogiques et numériques 13

Une fois que le signal est sous forme numérique, il peut être traité en n’utilisant plus que
des circuits numériques. Bien sûr les circuits numériques peuvent traiter également des
signaux qui n’ont pas une origine analogique, tels que les signaux qui représentent les diffé-
rentes instructions d’un ordinateur.
Puisque les circuits numériques traitent exclusivement des signaux binaires, leur concep-
tion est plus simple que celle des circuits analogiques. En outre, les systèmes numériques
peuvent être conçus en utilisant un nombre relativement réduit de types de circuits. Cepen-
dant, un grand nombre de circuits (des centaines de milliers, voire des millions) sont généra-
lement nécessaires pour réaliser un appareil. Ainsi, la conception de circuits numériques pose
aux concepteurs un ensemble spécifique de défis, mais fournit en même temps des solutions
pour des réalisations fiables et économiques pour une énorme variété de fonctions propres au
traitement des signaux dont la plupart ne sont pas envisageables avec des circuits analogiques.
À l’heure actuelle, de plus en plus de fonctions de traitement du signal sont réalisées exclusi-
vement de manière numérique. Les exemples abondent : de la montre numérique et l’ordina-
teur à des appareils photo numériques et, plus récemment la télévision numérique. En outre,
certains systèmes analogiques traditionnels tels que les systèmes de communication télépho-
nique sont aujourd’hui presque entièrement numériques.
Les blocs de base pour la construction des systèmes numériques sont les circuits logiques
et les circuits de mémoire. Cette catégorie de circuits sera étudiée en détail à partir du Cha-
pitre 14.

b0
Entrée  Converteur b1 Sortie
v
analogique A A/D numérique
 bN1

Figure 1.10 Schéma-bloc d’un convertisseur analogique numérique (CAN).

Une dernière remarque : bien que le traitement numérique des signaux soit actuellement
omniprésent, il reste de nombreuses fonctions de traitement du signal qui sont mieux réalisées
par des circuits analogiques. En effet, de nombreux systèmes électroniques comprennent en
égale mesure des circuits analogiques et des circuits numériques. Il s’ensuit qu’un bon ingé-
nieur électronicien doit être aussi compétent dans la conception de circuits analogiques que
dans celle des circuits numériques.

EXERCICE

1.9 Considérer un mot numérique D qui comporte 4 bits : D = b3 b2 b1 b0 (v. Eq. 1.3). Ce mot est utilisé pour re-
présenter un signal vA analogique qui varie entre 0 V et +15 V.
(a) Déterminer D qui corresponde à vA = 0 V, 1 V, 2 V et 15 V.
(b) Quels changements dans vA provoque un changement de 0 à 1 en (i) b0, (ii) b1, (iii) b2 et (iv) b3 ?
(c) Si vA = 5,2 V, quelle est l’expression de D ? Quelle est l’erreur résultant de la représentation numérique ?
Réponse : (a) 0000, 0001, 0010, 1111; (b) 1 V, 2 V, 4 V, 8 V; (c) 0101, –4%.
14 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

1.4 Amplificateurs
Dans cette section, nous allons examiner une des plus importantes fonctions du traitement du
signal, à savoir l’amplification des signaux. Il s’agit d’une opération fondamentale qu’on re-
trouve dans presque tous les systèmes électroniques. Ainsi, nous allons étudier l’amplifica-
teur comme circuit modulaire ; on étudiera également ses caractéristiques, mais les principes
de conception et de réalisation pratique feront l’objet des autres chapitres de ce livre.

1.4.1 Amplification du signal


D’un point de vue conceptuel, la tâche la plus simple rencontrée dans le processus de traite-
ment des signaux est l’amplification du signal. La nécessité de l’amplification des signaux
se pose notamment parce que les signaux en provenance de transducteurs sont généralement
de très faible amplitude et puissance. Dans la plupart des situations, les transducteurs four-
nissent des tensions de l’ordre des microvolts (µV) ou millivolts (mV). Étant donné la très
faible amplitude, leur traitement devient moins fiable. Au contraire, le traitement est beau-
coup plus facile si l’amplitude du signal à traiter est plus grande. Le bloc fonctionnel qui ac-
complit cette tache est dénommé amplificateur de signal.
Il convient à ce stade d’insister sur la linéarité dans le processus d’amplification. Pendant ce
processus, une attention particulière est requise afin de préserver intactes les informations conte-
nues par le signal et en aucun moment d’introduire des informations parasites. Ainsi, lorsque nous
envoyons le signal indiqué à la Fig. 1.3 vers un amplificateur, il est impérativement souhaité que
le signal de sortie soit une réplique exacte du signal appliqué à l’entrée de l’étage amplificateur,
sauf bien évidemment en ce qui concerne son amplitude. En d’autres termes, toutes les petites
variations du signal de sortie doivent être identiques à celles du signal d’entrée. Tout changement
de forme d’onde est considéré une distorsion qui évidemment n’est pas souhaitable.
Un amplificateur qui préserve fidèlement tous les détails de la forme d’onde du signal
d’entrée est caractérisé par la relation

v o  t   Av i  t  (1.4)

où vi et vo sont les signaux d’entrée et de sortie respectivement, et A est une constante représentant
le taux d’amplification. Cette constante est connue aussi sous le nom de gain de l’amplificateur.
L’équation (1.4) est une relation linéaire; ceci permet de décrire l’amplificateur en tant qu’ampli-
ficateur linéaire. Il est facile de remarquer que si la relation entre vo et vi contient des puissances
de vi, dans ce cas la forme d’onde de vo ne sera plus identique à celle de vi. L’amplificateur est alors
décrit comme non-linéaire et le signal de sortie présente des distorsions.
Les amplificateurs qui seront examinés dans les sections suivantes sont principalement
destinés à fonctionner avec des signaux d’entrée très faibles. Leur but est d’amplifier l’ampli-
tude de la tension du signal entrant et donc, cette gamme d’amplificateurs est appelée ampli-
ficateurs de tension. Par exemple, le préamplificateur dans le système stéréo à la maison est
un exemple typique d’un amplificateur de tension.
Il est à signaler aussi un autre type d’amplificateur, à savoir, l’amplificateur de puissance. Un
tel amplificateur peut fournir un faible gain en tension, mais une amplification substantielle du
courant. Ainsi, tout en absorbant très peu de puissance de la source de signal d’entrée auquel il est
relié, l’amplificateur de puissance peut délivrer à la charge une puissance importante. Un exemple
est l’amplificateur de puissance du système stéréo, dont le but est de fournir une puissance suffi-
sante pour alimenter les haut-parleurs, constituant la charge. Il convient de noter que les haut-
parleurs constituent le transducteur de sortie du système stéréo. Ainsi, les haut-parleurs conver-
tissent le signal de sortie électrique du système d’amplification en signal acoustique de puissance,
relativement élevée. Pour cet exemple il convient de souligner l’importance de la linéarité de la
chaîne d’amplification : uniquement un amplificateur de puissance linéaire peut reproduire sans
distorsion des œuvres musicales qui contiennent à la fois des passages doux et forts.
1.4 Amplificateurs 15

1.4.2 Symbole d’un circuit d’amplification


L’amplificateur de signal est évidemment un réseau à deux ports. Sa fonction est idéalement
représentée par le symbole de la Fig. 1.11(a). Ce symbole distingue clairement l’entrée et la
sortie et indique en même temps le sens du signal. Ainsi, dans tous les diagrammes suivants,
il ne sera pas nécessaire d’étiqueter les deux ports «entrée» et «sortie». En général, un ampli-
ficateur dispose de deux bornes d’entrée (terminaux) qui sont distinctes de deux bornes de
sortie. Une situation assez courante est illustrée par la Fig. 1.11(b), dans la quelle une borne
commune existe entre l’entrée et la sortie de l’amplificateur. Cette borne commune est utilisée
en tant que point de référence et est appelée la masse du circuit.

Entrée Sortie Entrée Sortie

(a) (b)

Figure 1.11 (a) le symbole de circuit pour l’amplificateur. (b) l’amplificateur avec une borne commune
(masse) entre l’entrée et la sortie.

1.4.3 Gain de tension


Un amplificateur linéaire accepte à l’entrée un signal vI(t) et fournit à sa sortie un signal de
sortie vO(t) à travers une résistance de charge RL (voir Fig. 1.12a) qui est une réplique ampli-
fiée du vI(t). Le gain de l’amplificateur de tension est défini par

v
Gain de tension  A v   ----O- (1.5)
vI

vO

Av

1
vI (t) vO (t)
0 vI

(a) (b)

Figure 1.12 (a) Amplificateur de tension alimenté par un signal vI (t) et relié à une résistance de charge
RL ; (b) la caractéristique de transfert d’un amplificateur linéaire de tension avec un gain de tension Av.

La Fig. 1.12(b) présente la caractéristique de transfert d’un amplificateur linéaire. Si on ap-


plique à l’entrée de l’amplificateur une tension sinusoïdale d’amplitude V̂ , on obtient à la
sortie une sinusoïde d’amplitude A vV̂ .
16 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

1.4.4 Gain de puissance et gain de courant


Un amplificateur a la possibilité d’augmenter la puissance d’un signal, ce qui représente une
caractéristique importante qui distingue un amplificateur d’un transformateur. Dans le cas
d’un transformateur, même si la tension délivrée à la charge pourrait être supérieure à la ten-
sion d’alimentation du côté entrée (primaire), la puissance délivrée à la charge (à partir du se-
condaire du transformateur) est inférieure ou à la limite égale à la puissance fournie par la
source de signal. D’autre part, un amplificateur fournit à la charge une puissance supérieure
par rapport à celle absorbée à partir de la source de signal. Les amplificateurs se caractérisent
ainsi par ce que l’on appelle gain de puissance. Le gain de puissance de l’amplificateur de la
Fig. 1.12(a) est définit comme

puissance à la charge  P L 
Gain de puissance  A p   --------------------------------------------------------------- (1.6)
puissance à lentrée  P I 

vO iO
 ---------
- (1.7)
vI iI
où iO est le courant que l’amplificateur délivre à la charge RL, iO = vO/RL, et iI est le courant que
l’amplificateur tire de la source de signal. Le gain de courant de l’amplificateur est définit
comme

i
Gain de courant  A i   ---O- (1.8)
iI
Des équations (1.5) à (1.8) on peut noter que

A p  Av Ai (1.9)

1.4.5 Gain exprimé en décibels


Les gains des amplificateurs sont des rapports mathématiques entre des grandeurs qui pré-
sentent des dimensions similaires. Ainsi, les rapports qui en résultent seront exprimés sous
forme de nombres sans dimension. Pour des raisons plutôt pratiques et historiques en même
temps, les ingénieurs ont adopté l’habitude d’exprimer le gain d’un amplificateur à l’aide des
logarithmes. Ainsi, le gain de tension Av, peut être exprimé comme :

Gain de tension en décibels = 20 log A v dB

et le gain de courant Ai peut être exprimé comme

Gain de courant en décibels  20 log A i dB


Puisque la puissance électrique est lié au carré de la tension (ou du courant), le gain de puis-
sance Ap peut être exprimée en décibels comme

Gain de puissance en décibels  10 log A p dB


On utilise les valeurs absolues des gains de tension et de courant parce que dans certains
cas, Av ou Ai prend des valeurs négatives. Un gain négatif Av signifie simplement qu’il y a une
différence de phase de 180° entre les signaux d’entrée et de sortie ; il n’implique cependant
pas que l’amplificateur soit un atténuateur de signal. D’autre part, un amplificateur dont le
gain en tension est par exemple –20 dB, réalise en fait une atténuation du signal d’entrée par
un facteur 10 (à savoir, Av = 0,1 V/V).
1.4 Amplificateurs 17

1.4.6 Sources d’alimentation d’un amplificateur


Comme la puissance délivrée à la charge est supérieure à la puissance tirée de la source de
signal, la question se pose quant à la source de cette puissance supplémentaire. La réponse se
trouve en observant que les amplificateurs doivent être alimentés en c.c. Les sources à c.c.
fournissent une puissance supplémentaire transmise à la charge ainsi que toute la puissance
qui doit être dissipée à travers le circuit interne de l’amplificateur (convertie en chaleur). À la
Fig. 1.12(a) nous n’avons pas montré explicitement ces sources à c.c.
La Fig. 1.13(a) montre le schéma d’un amplificateur qui naturellement nécessite deux sources
à c.c. marquées VCC et VEE. L’amplificateur comporte aussi deux bornes distinctes marquées V+ et
V – qui servent à la connexion aux sources d’alimentation à c.c. Pour que l’amplificateur puisse
fonctionner, la borne marquée V+ doit être connectée à la borne positive d’une source à c.c. dont la
tension est VCC et dont la borne négative est reliée à la masse du circuit. En outre, la borne marquée
V – doit être branchée à la borne négative d’une source à c.c. et par conséquent, la borne positive
de la source VEE est connectée à la masse du circuit. Maintenant, si le courant tiré de l’alimentation
positive est noté ICC et celui tiré de l’alimentation négative est noté IEE (voir la Fig. 1.13a), la puis-
sance totale absorbée par l’amplificateur est
P dc = V CC I CC + V EE I EE

Si la puissance dissipée dans le circuit de l’amplificateur est notée Pdiss, l’équation d’équilibre
de puissances de l’amplificateur peut s’écrire comme :

P dc  P I  P L  P diss
où PI est la puissance tirée de la source de signal et PL est la puissance délivrée à la charge.
Puisque la puissance tirée de la source du signal est généralement de petite taille, l’efficacité
de l’amplificateur de puissance est définie comme

P
  ------L-  100 (1.10)
P dc
Le rendement d’un amplificateur est un paramètre de performance important, notamment
dans le cas des amplificateurs de puissance.

ICC
VCC

ICC

VCC
vI vO vI
IEE vO

_V
IEE VEE EE

(a) (b)

Figure 1.13 Amplificateur avec deux sources d’alimentation à c.c.

Afin de simplifier les schémas des circuits, nous devons adopter la convention du signe
comme indiqué à la Fig. 1.13(b). Ici, la borne V+ est montrée reliée à une flèche pointant vers
le haut et la borne V – à une flèche pointant vers le bas. Les tensions correspondantes sont
18 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

indiquées à côté de chaque flèche. Notez que dans de nombreux cas on ne met pas en évidence
les connexions de l’amplificateur à ses sources d’alimentation à c.c. Enfin, il est à noter aussi
que certains amplificateurs ne nécessitent qu’un seul bloc d’alimentation.

Exemple 1.2

Considérons un amplificateur qui fonctionne avec deux sources d’alimentation à c.c. de ± 10 V. À l’entrée de
l’amplificateur est appliquée une tension sinusoïdale de 1 V crête et à sa sortie l’amplificateur fournit une ten-
sion sinusoïdale de 9 V crête sur une charge de 1 k. L'amplificateur tire un courant de 9,5 mA à partir de
chaque alimentation. Le courant d’entrée de l’amplificateur est sinusoïdale avec 0,1 mA crête. Trouvez le gain
de tension, le gain de courant, le gain de puissance, la puissance totale absorbée de ses sources d’alimentation à
c.c., la puissance dissipée dans l’amplificateur et son rendement.

Solution
9
A v  ---  9 V/V
1
ou
A v  20 log 9  19,1 dB
9V
Iˆo  ------------  9 mA
1 k
Iˆ 9-
A i  ---o-  ------  90 A/A
Iˆ i
0,1

ou
A i  20 log 90  39,1 dB
9 9
P L  V oeff I oeff  ------- -------  40,5 mW
2 2
1- 0,1
P I  V ieff I ieff  ------ -------  0,05 mW
2 2
P 40,5
A p  -----L-  ----------  810 W/W
PI 0,05

ou
A p  10 log 810  29,1 dB
P dc  10  9,5  10  9,5  190 mW
P dissipée  P dc  P I – P L  190  0,05 – 40,5  149,6 mW
P
  ------L-  100  21,3%
P dc

De l’exemple précédent, on remarque que l’amplificateur convertit une partie de la puis-


sance fournie par les deux sources d’alimentation à c.c. et qu’il fournit un signal nettement
plus puissant à la charge.
1.4 Amplificateurs 19

1.4.7 Saturation de l’amplificateur


Pratiquement, la caractéristique de transfert de l’amplificateur reste linéaire seulement sur un
domaine limité de la plage des valeurs des tensions d’entrée et de sortie. Pour un amplificateur
qui fonctionne à partir de deux sources d’alimentation, la tension de sortie ne peut pas dépas-
ser une certaine limite positive et ne peut pas diminuer en dessous d’une certaine valeur né-
gative. La caractéristique de transfert qui en résulte est montrée à la Fig. 1.14, avec les deux
niveaux de saturation – positive et négative, notés L+ et L–. Normalement, chacun des deux
niveaux de saturation est représenté par une fraction de la tension d’alimentation correspon-
dante.

Signal de sortie déformé


par la saturation

Signaux
de sortie

Signaux d’entrée

Figure 1.14 La caractéristique de transfert d’un amplificateur est linéaire, sauf pour le domaine de satura-
tion relié au signal de sortie.

Évidemment, afin d’éviter des effets de distorsion de la forme d’onde du signal de sortie,
le swing du signal d’entrée doit être maintenu dans la plage du fonctionnement linéaire,

L L
-----  v I  -----
Av Av
À la Fig. 1.14 sont illustrées les formes du signal d’entrée et de sortie respectivement ; dans
les régions qui correspondent au phénomène de saturation, la courbe du signal est indiquée
par une ligne interrompue.
20 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

1.4.8 Notations conventionnelles


À ce stade de l’étude, nous attirons l’attention du lecteur sur la terminologie et les notations
que nous allons utiliser tout au long de ce livre. Pour illustrer ces notations, à la Fig. 1.15 est
montrée la forme d’onde d’un courant noté iC(t) qui circule à travers une branche d’un circuit
quelconque. Le courant iC(t) est constitué d’une composante à c.c. IC à laquelle se superpose
une composante sinusoïdale ic(t) dont l’amplitude est Ic. On peut constater que pour l’instant
t par exemple, le courant total momentané iC(t) est la somme du courant IC et du courant ic(t),

iC

Ic
ic

iC

IC

0
t

Figure 1.15 Notations conventionnelles employées tout au long du livre.

iC  t  = I C + ic  t  (1.11)

où le courant ic(t) est défini par


i c  t  = I c sin t

Ainsi, sur la base de ce qui précède, nous allons établir les conventions suivantes :
– les grandeurs totales instantanées seront indiquées par une minuscule avec indice écrit
en majuscule, par exemple : iC(t), vDS(t), etc. ;
– les courants et les tensions c.c. seront indiqués par une majuscule et un indice aussi
écrits en majuscule, par exemple : IC , VDS , etc. ;
– les grandeurs instantanées seront désignées par une minuscule avec un indice écrit aussi
avec une minuscule, par exemple :ic(t), vsg(t), etc. ;
– si le signal est une onde sinusoïdale, l’amplitude est notée par une majuscule avec
indice écrit en minuscule, par exemple :Ic, Vgs, etc. ;
– finalement, bien qu’elles ne figurent pas dans la Fig. 1.15, les alimentations en c.c. sont
désignées par une lettre majuscule avec un indice à double-lettre majuscule, par
exemple, VCC, VDD, etc. Une notation similaire est utilisée pour le courant continu fournit
par les sources d’alimentation, par exemple : ICC, IDD, etc.
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs 21

EXERCICES

1.10 Un amplificateur a un gain de tension de 100 V/V et un gain de courant de 1 000 A/A. Exprimer les gains en
décibels et trouver le gain de puissance.
Réponse : 40 dB ; 60 dB ; 50 dB.

1.11 Un amplificateur est alimenté par une source unique de 15 V. À sa sortie, l’amplificateur fournit un signal si-
nusoïdal de 12 V crête à crête qui est appliqué à une charge de 1 k. Le courant tiré de la source peut-être
considéré comme négligeable. Le courant continu prélevé de la source d’alimentation à c.c. est de 8 mA.
Quelle est la puissance dissipée dans l’amplificateur et quelle est l’efficacité de l’amplificateur ?
Réponse : 102 mW; 15%.

1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs


Une partie importante de ce livre est consacrée à la conception de circuits d’amplification uti-
lisant des transistors de différents types. Ces circuits varient en complexité : on peut réaliser
un amplificateur avec un seul transistor ou on peut en utiliser 20 ou même plus. Afin d’être
en mesure de définir un circuit d’amplificateur en tant qu’élément constructif distinct d’un
schéma bloc, nous devons être d’abord capables de caractériser le circuit ou le modèle choisi
du point de vue de son comportement par rapport à ses bornes d’entrée et sortie respective-
ment. Dans cette section, nous étudions les modèles simples d’amplificateurs. Ces modèles
peuvent être utilisés indépendamment de la complexité du circuit interne de l’amplificateur.
Les valeurs des paramètres du modèle peuvent être trouvées soit en analysant le circuit am-
plificateur soit en effectuant des mesures spécifiques à ses bornes.

1.5.1 Amplificateurs de tension


La Fig. 1.16 (a) présente un modèle de circuit pour l’amplificateur de tension. Le modèle se
compose d’une source de tension contrôlée ayant un facteur de gain Avo, une résistance d’en-
trée Ri qui signifie en fait que l’amplificateur tire un courant d’entrée en provenance de cette
source et une résistance de sortie Ro qui déterminera la variation de tension de sortie que l’am-
plificateur est appelé à assurer pour fournir le courant de sortie à la charge. Pour être plus pré-
cis, on montre à la Fig. 1.16(b) le modèle de l’amplificateur alimenté avec une source de
signal de tension vs et une résistance Rs connecté à la sortie sur une résistance de charge RL.
La résistance Ro non nulle va faire en sorte que seulement une fraction de Avovi se manifestera
aux bornes de sortie. En utilisant le principe du diviseur de tension, on obtient :

RL
v o  A vo v i -----------------
-
RL  Ro
Ainsi, le gain en tension est donné par

v R
A v  ----o  A vo -----------------
L
- (1.12)
vi RL  Ro
Il s’ensuit que pour ne pas perdre du gain au moment du couplage de la charge aux bornes de
sortie de l’amplificateur, la résistance Ro devra être beaucoup plus petite que la résistance de
charge RL. En d’autres termes, pour une résistance de charge donnée RL, il faut concevoir
l’amplificateur de sorte que Ro soit beaucoup plus petite que RL. En outre, il existe de nom-
breuses applications pour lesquelles RL peut varier dans une certaine plage de valeurs. Afin
de maintenir la tension de sortie vo aussi constante que possible, l’amplificateur est conçu
22 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs


vo


(a)

ii io


vs vo


(b)

Figure 1.16 (a) Le modèle de circuit pour l’amplificateur de tension, (b) l’amplificateur de tension avec
une source de signal d’entrée et charge branchée en sortie.

avec une valeur de Ro qui doit être plus petite que la valeur la plus basse de la RL. Un ampli-
ficateur idéal de tension est celui qui présente Ro = 0. L’équation (1.12) indique également
que pour RL = , Av = Avo. Ainsi Avo est appelé le gain de tension de l’amplificateur en cir-
cuit ouvert ou de l’amplificateur sans charge. Il est évident que si on spécifie le gain de ten-
sion d’un amplificateur, il est impérativement nécessaire de préciser la valeur de la résistance
de charge pour laquelle ce gain a été mesuré ou calculé. Dans la situation où aucune résistance
de charge n’est spécifiée, il est normalement supposé que le gain de tension notifié est le gain
en circuit ouvert, Avo.
Aux bornes d’entrée de l’amplificateur la Ri, une résistance de valeur finie, implique aussi
la présence d’un diviseur de tension de sorte que seule une fraction du signal en provenance
de la source se retrouve réellement à l’entrée de l’amplificateur, à savoir :

Ri
v i  v s ---------------
- (1.13)
Ri  Rs
En outre, sont nombreuses les applications pour lesquelles la résistance de la source de signal
peut varier dans une certaine fourchette de valeurs. Afin de minimiser l’effet de cette variation
sur la valeur du signal qui s’applique à l’entrée de l’amplificateur, dès l’étape de conception
de l’amplificateur on prévoit que Ri soit beaucoup plus grand que la plus grande valeur de Rs.
Un amplificateur idéal de tension, par conséquent, est celui avec Ri = . Dans ce cas idéal,
autant le gain de courant que le gain de puissance deviennent infinis.
Le gain total de tension (vo/vs) peut être trouvé en combinant les équations (1.12) et (1.13),

v Ri RL
----o = A vo ---------------
- -----------------
-
vs Ri  Rs RL  Ro
Il existe des situations où l’on ne s’intéresse pas à un gain de tension, mais uniquement à
obtenir un gain important de puissance. Par exemple, le signal en provenance de la source
peut avoir une valeur assez importante de tension, mais la résistance de source est beaucoup
plus grande que la résistance de charge. La connexion de la source directement à la charge
peut aboutir à l’atténuation significative du signal d’entrée. Dans un tel cas, on a besoin d’un
amplificateur avec une entrée à haute résistance (beaucoup plus grande que la résistance de
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs 23

source) et une résistance de sortie faible (plus petite que la résistance de charge), mais avec
un faible gain en tension (ou même un gain unitaire). Un tel amplificateur est appelé ampli-
ficateur tampon. Dans ce livre nous rencontrerons souvent ce type d’amplificateur.

EXERCICES

1.12 Un transducteur caractérisé par une tension de sortie de 1 Veff et d’une résistance de 1 M est disponible pour
actionner une charge de 10 . Si le transducteur est directement connecté à la charge, quels niveaux de tension
et de puissance se retrouvent du côté de la charge ? Si on interpose entre la source de signal et la charge un
amplificateur tampon avec gain unitaire (Avo = 1) avec une résistance d’entrée de 1 M et une résistance aux
bornes de sortie de 10 , que deviennent la tension de sortie et la puissance absorbée par la charge ? Pour le
nouvel arrangement, trouver le gain de tension de la source à la charge et le gain de puissance (exprimés en
décibels).
Réponse : 10 µVeff; 1011 W; 0,25 V; 6,25 mW; 12 dB; 44 dB.

1.13 La tension de sortie d’un amplificateur de tension diminue de 20% quand une résistance de charge de 1 k est
connectée aux bornes de sortie. Quelle est la résistance de sortie de l’amplificateur ?
Réponse : 250 .

1.14 Un amplificateur avec un gain de tension de +40 dB, une résistance d’entrée de 10 k et une résistance de sor-
tie de 1 k est utilisé pour alimenter une charge de 1 k. Quelle est la valeur de Avo ? Trouver la valeur du gain
de puissance exprimée en décibels.
Réponse : 100 V/V; 44 dB.

1.5.2 Amplificateurs en cascade


Pour répondre aux spécifications formulées par l’utilisateur, nous avons souvent besoin de
concevoir l’amplificateur comme une cascade de deux ou plusieurs étages. Les étages ne sont
généralement pas identiques, mais plutôt, chacun d’entre eux est conçu pour servir un certain
but. Par exemple, le premier étage de l’amplificateur doit être prévu avec une entrée de haute
résistance afin de fournir un appareil avec une entrée à haute résistance. En outre, afin d’as-
surer une résistance faible en sortie, le dernier étage de la cascade est généralement conçu
pour présenter une faible résistance de sortie. Pour illustrer l’analyse et la conception d’une
cascade d’amplificateurs, nous considérons ci-après un exemple concret.

Exemple 1.3

La Fig. 1.17 représente un amplificateur composé d’une cascade de trois étages. L’ensemble est alimenté par
une source de signal avec résistance de source de 100 k et alimente en sortie une résistance de charge de
100 . Le premier étage a une résistance d’entrée relativement élevée et un faible gain de seulement 10. Le
deuxième étage a un gain plus élevé, mais la résistance d’entrée est plus faible. Enfin, l’étage de sortie de
l’ensemble a un gain unitaire mais présente une résistance de sortie faible. On souhaite évaluer le gain global de
tension, c’est-à-dire vL/vi, le gain de courant et le gain de puissance.
24 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Source 1er étage 2e étage 3e étage Charge

ii io

vi1 vi2 vi3 vL

vs
10vi1 100vi2 1vi3

Figure 1.17 Les trois étages d’amplification pour l’Exemple 1.3.

Solution
La fraction du signal en provenance de la source appliquée aux bornes d’entrée de l’amplificateur est obtenue
en utilisant le principe du diviseur de tension :
v i1 1 M
------  ---------------------------------------
-  0,909 V/V
vs 1 M  100 k

Le gain de tension du premier étage est obtenu tenant compte de la résistance d’entrée du second étage considé-
rée comme résistance de charge du premier étage, soit :
v 100 k
A v1  -----i2-  10 -------------------------------------  9,9 V/V
v i1 100 k  1 k

De même, le gain de tension du deuxième étage est obtenu tenant compte de la résistance d’entrée du troisième
étage qui constitue la charge du deuxième étage :
v i3 10 k
A v2  -----
-  100 ----------------------------------  90,9 V/V
v i2 10 k  1 k

Finalement, le gain de tension de l’étage de sortie est :


v 100 
A v3  -----L-  1 ----------------------------------  0,909 V/V
v i3 100   10 

Le gain total des trois étages en cascade peut être maintenant exprimé par :
v
A v  -----L-  A v1 A v2 A v3  818 V/V
v i1

ou 58,3 dB.

Pour trouver le gain de tension de la source jusqu’à la charge, on multiplie Av par un facteur qui représente la
perte de gain à l’entrée, soit :
vL v v i1 v i1
-----  -----L- -----
-  A v -----
-
vs v i1 v s vs
 818  0,909  743,6 V/V
ou 57,4 dB.
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs 25

On calcule le gain de courant comme suit :


i v L / 100 
A i  ---o  -------------------------
-
ii v i1  1 M
4 6
 10  A v  8,18  10 A/A

ou 138,3 dB.
Le gain de puissance est donné par :

P vL io
A p  -----L-  ---------
PI v i1 i i

6 8
 A v A i  818  8,18  10  66,9  10 W/W

soit 98,3 dB. Notez que

A p  dB   1--2-  A v  dB   A i  dB  

Quelques remarques s’imposent toutefois sur la cascade d’amplificateurs examinée.


D’abord, pour éviter une perte de puissance à l’entrée de l’amplificateur lorsque le signal
d’entrée est généralement faible, le premier étage est conçu de façon à présenter une résis-
tance d’entrée de valeur relativement importante (1 M), qui est beaucoup plus grande que
la résistance de la source de signal. Le compromis adopté par le concepteur semble être le
choix d’un gain modéré de tension (10 V/V). Le deuxième étage ne doit pas présenter une
résistance d’entrée élevée mais, dans ce cas, on a besoin plutôt d’obtenir l’essentiel du gain
de tension. Le troisième et dernier étage, celui de sortie, ne fournit pas un gain de tension, au
contraire, il doit fonctionner comme amplificateur tampon, fournissant une résistance
d’entrée relativement large et une sortie de faible résistance, beaucoup plus faible que la résis-
tance de charge RL. C’est cet étage qui permet ensuite la connexion de l’amplificateur à la
charge de 10 . Ces aspects peuvent être rendus plus concrets en résolvant les exercices sui-
vants. Ce faisant, le lecteur peut constater par lui-même la manière de calculer le gain d’un
étage amplificateur dans une cascade d’amplificateurs, l’effet de la charge sur le fonctionne-
ment de l’étage d’amplification, etc.

EXERCICES

1.15 Quel serait le gain total de tension de l’amplificateur en cascade de l’Exemple 1.3 sans le troisième étage ?
Réponse : 81,8 V/V.

1.16 Pour l’amplificateur en cascade de l’Exemple 1.3, considérer vs = 1 mV. Trouver vi1, vi2, vi3, et vL.
Réponse : 0,91 mV; 9 mV; 818 mV; 744 mV.

1.17 (a) Modéliser l’amplificateur à trois étages de l’Exemple 1.3 (sans source et sans charge) à l’aide du modèle
d’amplificateur de tension. Quelles sont les valeurs de Ri, Avo, et Ro ?
(b) Si RL varie dans la plage de 10  à 1 000 , trouver la plage correspondante à la variation du gain total en
tension, vo/vs.
Réponse : 1 M, 900 V/V, 10 ; 409 V/V jusqu’au 810 V/V.
26 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

1.5.3 Autres types d’amplificateurs


Dans la conception d’un système électronique, le signal d’intérêt − qu’il s’agisse du signal à
l’entrée du système, du signal qui corresponde à un étage intermédiaire, ou du signal à la sor-
tie du système, est toujours soit une tension soit un courant. Par exemple, certains transduc-
teurs avec valeur élevée de résistance de sortie peuvent être modélisés en tant que sources de
courant. De même, il existe des applications dans lesquelles il est plus intéressant de traiter le
courant de sortie plutôt que la tension. Ainsi, même si en pratique l’amplificateur de tension
considéré ci-dessus semblerait être le plus populaire, il ne s’agit que d’un des quatre types
d’amplificateurs possibles. Les trois autres types d’amplificateurs sont : l’amplificateur de
courant, l’amplificateur de transconductance et l’amplificateur de transrésistance. Le
Tableau 1.1 montre les quatre types d’amplificateurs, leurs modèles de circuit, la définition
de leurs paramètres de gain et les valeurs idéales pour les résistances d’entrée et de sortie res-
pectivement.

Tableau 1.1 Les quatre types de base d’amplificateurs

Type de circuit Modèle du circuit Gain Paramètres idéaux


Amplificateur io Gain de tension
Ro
de tension en circuit ouvert Ri  
  v
vi Ri  Avo vi vo A vo  ----o  V/V 
 vi Ro  0
  i o 0

Amplificateur ii io Gain de courant


de courant en court-circuit Ri  0
 i
Ri Aisi i Ro vvo A is  ---o  A/A 
ii Ro  
 v o 0

Amplificateur io Transconductance
de transconductance en court-circuit Ri  
  i
vi Ri Gmvi Ro vo G m  ---o-  A/V 
vi Ro  
  v o 0

Amplificateur Transrésistance
ii io
de transrésistance Ro en circuit ouvert Ri  0
 v
 R m  ----o  V/A 
Ri  Rm i i vo ii Ro  0
 i o 0

1.5.4 Relations entre les quatre types d’amplificateurs


Bien que pour un amplificateur donné, un des quatre modèles indiqués dans le Tableau 1.1 est par-
ticulièrement préférable, n’importe lequel des quatre modèles peut être envisagé afin de modéliser
l’amplificateur. En fait, des relations simples peuvent être obtenues afin de relier les paramètres
des différents modèles. Par exemple, le gain de tension Avo en circuit ouvert peut être exprimé à
l’aide du gain de courant Ais en court-circuit comme suit : la tension de sortie pour le circuit en
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs 27

circuit ouvert qui correspond au modèle d’amplificateur de tension indiqué par le Tableau 1.1 est
Avovi. Pour le modèle d’amplificateur de courant dans le Tableau 1.1 on a la tension de sortie en
circuit ouvert en tant que AisiiRo. Les deux expressions permettent d’exprimer ainsi le paramètre
recherché qui, pour le cas discuté est ii = vi/Ri et par conséquent on obtient :

A vo  A is  -----o 
R
(1.14)
 Ri 
De même, nous pouvons montrer que
A vo  G m R o (1.15)
et
R
A vo  -----m- (1.16)
Ri
D’une façon similaire, les équations (1.14) à (1.16) peuvent être utilisées pour relier n’im-
porte lequel des deux autres paramètres de gain, à savoir : Avo, Ais, Gm, et Rm.

1.5.5 Détermination de Ri et Ro
À partir des modèles de circuit des amplificateurs indiqués dans le Tableau 1.1, nous obser-
vons que la résistance d'entrée Ri de l'amplificateur peut être déterminée si on applique une
tension d’entrée vi et on mesure (ou on calcule) la valeur du courant d’entrée ii ; ceci nous
amène à conclure que Ri = vi/ii. D’une façon identique, on trouve que la résistance de sortie
Ro est égale au rapport entre la tension de sortie en circuit ouvert et le courant de sortie en
court-circuit. Alternativement, la résistance de sortie peut être déterminée en supprimant la
source de signal à l’entrée de l’amplificateur (dans ce cas ii et vi ont des valeurs nulles) et en
appliquant une tension vx à la sortie de l’amplificateur, comme montré à la Fig. 1.18. Si l’on
note ix le courant qui s’établit suite à l’application de vx aux bornes de sortie (noter que ix est
de sens opposé à io), alors Ro = vx/ix. Bien que ces techniques soient conceptuellement cor-
rectes, dans la pratique des méthodes plus raffinées sont employées afin de mesurer avec pré-
cision les deux résistances, Ri et Ro.

ix

 vx


vx
Ro 
ix Figure 1.18 Détermination de la résistance de sortie.

1.5.6 Modèles unilatéraux


Les modèles d’amplificateurs considérés ci-dessus sont unilatéraux, ce qui signifie que le tra-
jet du signal entre l’entrée et la sortie est unidirectionnel. La plupart des amplificateurs réels
montrent l’existence d’une certaine transmission inverse, qui est généralement non souhai-
table, mais que l’on peut néanmoins modéliser. Nous ne voulons pas insister ici sur ce point,
sauf pour attirer l’attention du lecteur que des modèles plus complexes des réseaux linéaires
de quadripôles − en effet, un amplificateur est un quadripôle − sont illustrés à l’Annexe C.
En outre, dans les chapitres suivants, nous compléterons le contenu du Tableau 1.1 afin de te-
nir compte de la nature non-unilatérale de certains amplificateurs à transistors.
28 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Exemple 1.4

Le transistor à jonction bipolaire (BJT), qui sera étudié en détail dans le Chapitre 4, est un dispositif à trois
bornes. Il est alimenté par une source à c.c. et fonctionne en petit signal. Ce type de transistor peut être modélisé
par le circuit linéaire de la Fig. 1.19(a). Les trois bornes sont appelées : base (B), émetteur (E), et collecteur
(C). Le cœur du modèle est un amplificateur de transconductance représenté par une résistance d’entrée entre B
et E (notée rπ), une transconductance de court-circuit gm et une résistance de sortie ro.
(a) Avec l’émetteur utilisé en tant que borne commune entre l’entrée et la sortie, la Fig. 1.19(b) montre un am-
plificateur à transistor appelé amplificateur à émetteur commun. Obtenir une expression au gain en ten-
sion vo/vs et évaluer son amplitude pour le cas avec Rs = 5 k, rπ = 2,5 k, gm = 40 mA/V, ro = 100 k et
RL = 5 k. Quelle sera la valeur du gain si on néglige l’effet de ro ?
(b) Un modèle alternatif pour le transistor dans lequel est utilisé un amplificateur de courant plutôt qu’un am-
plificateur de transconductance est représenté à la Fig. 1.19(c). Quelle est la valeur du gain de courant  en
court-circuit ? Donner à la fois une expression et une valeur pour ce gain.

B C Rs B C
  
vbe r ro vs  vbe r ro RL vo
gmvbe  gmvbe
  

E E
(a)

(b)
B ib C


vbe r ro
 ib

E
(c)

Figure 1.19 (a) Modèle de circuit pour un transistor à jonction bipolaire (BJT) ; (b) le transistor (BJT) connecté en confi-
guration d’amplificateur à émetteur commun (émetteur en borne commune entre l’entrée et la sortie) ; (c) variante de modèle
de circuit pour le transistor à jonction bipolaire (BJT).

Solution
(a) Se reporter à la Fig. 1.19(b). On applique le principe du diviseur de tension pour déterminer la fraction du
signal d’entrée qui apparaît à la borne d’entrée de l’amplificateur

v be  v s ---------------- (1.17)
r π  Rs

Puis, on détermine la tension de sortie vo en multipliant le courant (gmvbe) par le résistor (RL || ro),
v o  – g m v be  R L  r o  (1.18)

En substituant vbe de l'équation. (1,17) on obtient l’équation du gain de tension


v rπ
----o  – ----------------g  R  r  (1.19)
vs r π  Rs m L o
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs 29

À remarquer que le gain est négatif, indiquant que l’amplificateur est inverseur. Avec les valeurs des compo-
sants, on obtient :
vo 2,5
---- – ----------------  40   5  100 
vs 2,5  5

 – 63,5 V/V
Si l’effet de ro est ignoré, on obtient :
v 2,5
----o  – ----------------  40  5
vs 2,5  5

 – 66,7 V/V
qui est assez proche de la valeur précédemment obtenue. Cela n’est pas du tout surprenant, puisque ro  RL.

(b) Pour que le modèle de la Fig. 1.19(c), l’équivalent à celui de la Fig. 1.19(a),

ib gm v be
Mais ib = vbe/rπ ; donc,
  gmrπ
Pour les composantes précisées par l’énoncé on obtient :
 40 mA/V  2,5 k
= 100 A/A

EXERCICES

1.18 Considérer un amplificateur de courant selon le modèle montré dans la deuxième rangée du Tableau 1.1. Sup-
poser l’amplificateur alimenté par une source de courant is qui comporte une résistance Rs et une sortie connec-
tée sur une résistance de charge RL. Montrer que le gain global de courant est donné par l’équation :

io Rs Ro
---  A is ----------------
- -----------------
-
is Rs  Ri Ro  RL

1.19 Considérer l’amplificateur de transconductance dont le modèle est représenté à la troisième rangée du
Tableau 1.1. Soit vs la tension appliquée à l’entrée en provenance d’une source de tension de résistance Rs.
L’amplificateur débite sur la résistance de charge RL. Montrer que le gain total de tension est donné par
l’équation :

v Ri
-  R  R L 
----o  G m ----------------
vs Ri  Rs o

1.20 Considérer l’amplificateur de transrésistance dont le modèle figure à la quatrième ligne du Tableau 1.1. L’am-
plificateur est alimenté avec un signal is en provenance d’une source de courant de résistance Rs. La sortie dé-
bite sur une résistance de charge RL. Montrer que le gain global est donné par l’équation :

vo Rs RL
----  R m ----------------
- -----------------
-
is Rs  Ri RL  Ro
30 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

EXERCICES

1.21 Trouver la résistance d’entrée entre les bornes B et G du circuit de la Fig. E1.21. La tension vx est une tension d’essai
et la résistance d’entrée Rin  vx / ix.

ix

vx

Figure E1.21
Rin

Réponse : Rin  rπ  (  1)Re

1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur


De la section 1.2, nous savons que le signal d’entrée d’un amplificateur peut toujours être ex-
primé par une somme des signaux sinusoïdaux. Il s’ensuit que la caractérisation d’un ampli-
ficateur peut être décrite en termes de réponse à une onde sinusoïdale d’entrée et cela pour
des fréquences différentes. Une telle caractérisation de l’amplificateur est connue sous le nom
de réponse en fréquence de l’amplificateur 2.

1.6.1 Comment mesurer la réponse en fréquence


d’un amplificateur
Nous allons introduire le sujet de la réponse en fréquence de l’amplificateur en montrant com-
ment elle peut être mesurée. La Fig. 1.20 montre un amplificateur linéaire en tension, alimenté en
entrée avec un signal sinusoïdal d'amplitude Vi, de fréquence . Comme indiqué à la figure, le
signal mesuré à la sortie de l’amplificateur est aussi sinusoïdal et de même fréquence. Il s’agit
d’une remarque importante à retenir : chaque fois qu’un signal sinusoïdal est appliqué à l’entrée
d’un circuit linéaire, la sortie résultante est sinusoïdale et de même fréquence que le signal
d’entrée. En fait, l’onde sinusoïdale est le seul signal qui ne change pas de forme lors de son pas-
sage à travers un circuit linéaire. Observez, toutefois, que la sinusoïde de sortie présentera généra-
lement une amplitude différente et sera déphasée par rapport au signal d’entrée. Le rapport entre
l’amplitude de la sinusoïde de sortie (Vo) et l’amplitude de la sinusoïde d’entrée (Vi) est le gain de
l’amplificateur (ou gain de transmission) à une certaine fréquence. En outre,φ est le déphasage
dû à la transmission de l’amplificateur à la fréquence . Si on désigne par T() la transmission
de l’amplificateur ou fonction de transfert, alors :
V
T     -----o-
Vi

T     φ

2. Sauf pour l’utilisation à l’étude de la réponse en fréquence des amplificateurs opérationnelles dans les Sections
2.5 et 2.7, le matériel de cette section ne sera requis de manière substantielle avant le Chapitre 8.
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur 31

La réponse de l’amplificateur à une sinusoïde de fréquence  est complètement décrite par


|T(ω)| et T(ω). Maintenant, pour obtenir la réponse complète en fréquence de l’amplifica-
teur on doit simplement changer la fréquence de la sinusoïde d’entrée et mesurer |T | et T.
Le résultat final sera un tableau et/ou un graphique de la variation de l’amplitude du gain
[|T(ω)|] en fonction de la fréquence et un tableau et/ou un graphique de la variation du dépha-
sage [T(ω)] en fonction de la fréquence. Ces deux graphiques constituent la réponse en fré-
quence de l’amplificateur. Le premier graphique est connu comme le diagramme de
l’amplitude ou réponse en ampli tude, et le second est la réponse en phase. Enfin, il
convient de mentionner qu’il existe une pratique courante constituant à exprimer l’amplitude
de la transmission en décibels et ainsi tracer le diagramme 20 log |T(ω)| en fonction de la fré-
quence.

Amplificateur linéaire

vi Vi sin  t  vo Vo sin ( t 
)



Figure 1.20 Mesure de la réponse en fréquence d’un amplificateur linéaire. À la fréquence , le gain de
l’amplificateur est caractérisé par son amplitude (Vo/Vi) et son déphasage .

1.6.2 Bande passante


La Fig. 1.21 montre la réponse en amplitude d’un amplificateur. Elle indique que le gain est
presque constant sur une large gamme de fréquences, soit entre 1 et 2. Les signaux dont les
fréquences sont inférieures à 1 ou supérieures à 2 connaîtront un gain inférieur, et ce gain
diminue à mesure que nous nous éloignons de ces fréquences. La bande de fréquences dans
laquelle le gain de l’amplificateur reste constant par rapport à un niveau de référence est ap-
pelé la bande passante. Normalement un amplificateur est conçu de telle sorte que sa bande
passante coïncide avec le spectre des signaux à amplifier. Si ce n’est pas le cas, l’amplificateur
provoque des distorsions dans le spectre de fréquences du signal de sortie.

Largeur
de bande

Figure 1.21 Réponse typique en amplitude d’un amplificateur : |T()| est la magnitude de la fonction de
transfert de l’amplificateur c’est-à-dire le rapport entre l’amplitude du signal de sortie Vo() et celle du
signal d’entrée Vi().
32 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

1.6.3 Évaluation de la réponse en fréquence


des amplificateurs
Ci-dessus, nous avons décrit la méthode utilisée pour mesurer la réponse en fréquence d’un
amplificateur. Nous allons maintenant discuter brièvement une méthode destinée à obtenir
une expression analytique de la réponse en fréquence. Ce que nous sommes sur le point d’ex-
pliquer est en fait un aperçu de ce que nous allons détailler au Chapitre 8.
Pour évaluer la réponse en fréquence d’un amplificateur, il faut analyser le modèle du cir-
cuit équivalent de l’amplificateur, en tenant compte de tous les composants réactifs3 du cir-
cuit. L’analyse du circuit va se faire de la manière habituelle, mais avec les inductances et les
capacités représentées par leur réactances respectives. Ainsi, on rappelle qu’une inductance
L est une réactance inductive jL, et qu’une capacitance C est une réactance capacitive 1/jC.
Ainsi, dans l’analyse du domaine fréquentiel nous traitons seulement avec des impédances ou
admittances. Le résultat de cette analyse est la fonction de transfert T() de l'amplificateur :

V o
T     --------------
-
V i
où Vi() et Vo() désignent les signaux d’entrée et de sortie, respectivement. T() est généra-
lement une fonction complexe dont la magnitude |T()| donne l’ampleur de la transmission
ou l’ampleur de la réponse de l’amplificateur. La phase de T() donne la phase de la réponse
de l’amplificateur.
Dans l’analyse fréquentielle d’un circuit, les manipulations algébriques peuvent être
considérablement simplifiées en utilisant la notion de fréquence complexe s. En utilisant
cette nouvelle notion, les composants réactifs deviennent sL et 1/sC, respectivement. Après
remplacement, l’expression de la fonction de transfert devient :

V os
T  s   ------------
-
V is
Par la suite, dans les calculs nous allons remplacer s par j pour déterminer la fonction de
transfert à des fréquences physiques, T(j). Notez que T(j) est la même fonction appelé pré-
cédemment T()4.

1.6.4 Circuits à constante de temps unique (CTU)


En analysant les circuits des amplificateurs afin de déterminer leur réponse en fréquence, la
charge de travail est largement facilitée si on connaît les caractéristiques de réponse en fré-
quence des circuits à constante de temps unique (CTU). Un tel circuit ou réseau est composé
(ou peut être réduit à) d’une seule composante réactive (inductance ou capacitance) et d’un
résistor. Des exemples sont présentés à la Fig. 1.22. Un réseau CTU constitué d’une induc-
tance L et un résistor R a une constante de temps  = L/R. La constante de temps  d’un réseau
CTU composé d’une capacitance C et un résistor R est donnée par  = CR.
L’Annexe E présente une étude des réseaux CTU et de leurs réponses aux signaux d’entrée
de type sinusoïdal, rampe ou impulsion. La maîtrise de cette étude sera nécessaire à différents
moments tout au long de ce livre, et par conséquent, le lecteur est invité à se référer à
l’Annexe. À ce stade, nous avons besoin des résultats de la réponse en fréquence ; en effet,
nous allons discuter brièvement et dès maintenant ce sujet important.

3. Noter que dans les modèles considérés dans les sections précédentes aucun des composants réactifs n’ont été
inclus. Ceux-là sont des modèles simplifiés qui ne peuvent pas être utilisés pour prédire la réponse en fréquence
amplificateur.
4. À ce stade, on utilise s simplement comme remplaçant de j. On n’exige pas une connaissance détaillée du
concept de plan s qui sera expliqué au Chapitre 8. Une brève analyse du plan s est présenté à l’Annexe F.
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur 33

C
R

 
Vi  C Vo Vi  R Vo
 
 

(a) (b)

Figure 1.22 Deux exemples de réseaux CTU: (a) réseau passe-bas, (b) réseau passe-haut.

La plupart des réseaux CTU peuvent être groupées en deux catégories5 : réseaux passe-
bas (LP) et réseaux passe-haut (HP), chacune de ces catégories montrant des réponses dis-
tinctes. À titre d’exemple, le réseau CTU représenté à la Fig. 1.22(a) est du type passe-bas et
le circuit de la Fig. 1.22(b) est du type passe-haut. Pour argumenter cette classification, on
doit observer que la fonction de transfert de chacun de ces circuits peut être exprimée comme
un rapport qui caractérise un diviseur de tension : le diviseur est composé d’un résistor et d’un
condensateur. Si on se rappelle comment l’impédance d’un condensateur varie avec la fré-
quence (Z = 1/jC), il est facile de comprendre que la transmission du circuit de la
Fig. 1.22(a) diminue au fur et à mesure que la fréquence  approche . Ainsi, le circuit de la
Fig. 1.22(a) agit comme un filtre passe-bas6. Ce type de filtre laisse passer sans atténuation
les signaux à basse fréquence, tandis que les signaux à haute fréquence sont fortement atté-
nués. Le circuit de la Fig. 1.22(b) fait le contraire : son facteur de transmission est égal à
l’unité pour  = , et diminue pour atteindre zéro si  = 0. Ce type de circuit se comporte
donc comme un filtre passe-haut.
Le Tableau 1.2 présente une synthèse des réponses en fréquence pour les deux catégories
de réseaux CTU7. En outre, des exemples pour la réponse en amplitude et en phase sont mon-
trés aux Fig. 1.23 et Fig. 1.24. Ces représentations de la réponse en fréquence sont connues
comme diagrammes de Bode. La fréquence de 3 dB (0) est appelée fréquence de coupure
ou fréquence du pôle. Le lecteur est invité à se familiariser avec ces notions en consultant
l’Annexe E. En particulier, il est important de développer un outil de travail pour une déter-
mination rapide de la constante de temps  d’un circuit CTU. Le processus pratique est très
simple : ramener à zéro la source indépendante de tension ou de courant ; raccrocher aux
bornes de sortie l’élément réactif (condensateur C ou inductance L) ; déterminer la valeur de
la résistance équivalente R qui apparaît entre ces deux bornes. La constante de temps est alors
égale au produit CR ou au rapport L/R.

5. Une exception importante est le réseau CTU passe-bande – objet d’étude du Chapitre 11.
6. Un filtre est un circuit qui laisse passer les signaux dans une bande spécifiée de fréquences (la bande passante
du filtre) et arrête ou atténue fortement les signaux dans une autre bande de fréquence (la bande d’arrêt du filtre).
Les filtres seront étudiés en détail dans le Chapitre 11.
7. Les fonctions de transfert indiquées dans le Tableau 1.2 sont présentées sous forme générale pour les circuits de
la Fig. 1.22, avec K = 1 et 0 = 1/CR.
34 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Tableau 1.2 Réponse en fréquence des réseaux à CTU

Passe-bas (LP) Passe-haut (HP)


Fonction de transfert T(s) K Ks
-------------------------- --------------
1   s  ω0  s  ω0

Fonction de transfert (pour valeurs de K K


------------------------------- -------------------------------
fréquences physiques) T( jω) 1  j  ω  ω0  1 – j  ω0  ω 

Amplitude de la réponse T( jω) K K


----------------------------------
- ----------------------------------
-
1   ω  ω0  1   ω0  ω 
2 2

Phase de la réponse T( jω) – tan  ω  ω 0 


–1
tan  ω 0  ω 
–1

Facteur de transmission à ω  0 (c.c) K 0


Facteur de transmission à ω   0 K
Bande de fréquence à 3 dB ω 0  1τ; τ  constante de temps
τ  CR or LR
Diagramme de Bode à la Fig. 1.23 à la Fig. 1.24

6 db/octave
ou
20 db/décade

0,1 échelle
(a) logarithmique

5,7°
échelle logarithmique
0,1

5,7°

décade

(b)

Figure 1.23 (a) La réponse en amplitude et (b) la réponse en phase des réseaux CTU du type passe-bas.
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur 35

20 dB/décade

échelle
logarithmique
0,1
(a)

5,7° décade
5,7°

échelle
0,1 logarithmique
(b)

Figure 1.24 (a) La réponse en amplitude et (b) la réponse en phase des réseaux CTU du type passe-haut.

Exemple 1.5

La Fig. 1.25 montre un amplificateur de tension avec une résistance d’entrée Ri, une capacitance d’entrée Ci, un
gain µ et une résistance de sortie Ro. L’amplificateur est alimenté par une source de tension Vs avec résistance de
source Rs. La sortie est connectée sur la charge RL.

Rs Ro

 
Vs  Vi Ri Ci  Vi RL Vo
 
 

Figure 1.25 Circuit pour l’Exemple 1.5.

(a) Déduire une expression du gain de tension de l’amplificateur Vo/Vs en fonction de la fréquence. Sur base de
cette équation écrire l’expression du gain de courant et la bande de fréquence à 3 dB.
(b) Calculer les valeurs du gain, de la bande de fréquence à 3 dB et de la fréquence à laquelle le gain devient
0 dB (gain unitaire). Prendre Rs = 20 k, Ri = 100 k, Ci = 60 pF, µ = 144 V/V, Ro = 200  et RL = 1 k.
(c) Trouver vo(t) pour chacune des entrées suivantes :
(i) v i  0,1 sin 102 t, V (ii) v i  0,1 sin 105 t, V (iii) v i  0,1 sin 106 t, V (iv) v i  0,1 sin 108 t, V
36 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Solution
(a) En utilisant le principe du diviseur de tension, on exprime Vi en fonction de Vs comme suit
Zi
V i  V s ----------------
-
Z i + Rs

où Zi est l’impédance d’entrée de l’amplificateur. Puisque Zi se compose de deux éléments parallèles, il est évi-
demment plus facile de travailler en termes de Yi = 1/Zi. À cette fin, nous divisons le numérateur et le dénomina-
teur par Zi et on obtient :

1
V i  V s --------------------
1  Rs Y i
1
 V s ---------------------------------------------------
1  R s   1  R i  + sC i 

Ainsi,
V 1
-----i  -------------------------------------------------
Vs 1   R s  R i   sC i R s

Cette expression peut être mise sous forme standard pour un réseau CTU passe-bas (voir la ligne du haut du
Tableau 1.2) en extrayant [1 + (Rs/Ri)] du dénominateur ; on obtient donc :
V 1 1
-----i  ---------------------------- ---------------------------------------------------------------
- (1.20)
Vs 1   R s  R i  1  sC i   R s R i    R s  R i  

Du côté sortie de l’amplificateur on applique la règle du diviseur de tension et on obtient :


RL
V o  V i -----------------
-
RL  Ro

Cette dernière équation combinée avec l’équation (1.20) conduit à la fonction de transfert de l’amplificateur, à
savoir :
V 1 1 1
-----o-   ---------------------------- -----------------------------
- ----------------------------------------------------------------
- (1.21)
Vs 1   R s  R i  1   R o  R L  1  sC i   R s R i    R s  R i  

On note que seul le dernier facteur de cette équation est en plus par rapport à l’équation précédente. Ce facteur
résulte de l’influence de la capacitance d’entrée Ci, avec une constante de temps donnée par :
Rs Ri
  C i ----------------
-
Rs  Ri (1.22)
 C i  R s || R i 

Nous aurions pu obtenir ce résultat par inspection. De la Fig. 1.25, on note que le circuit d’entrée est un réseau
CTU et sa constante de temps peut être trouvée en réduisant à zéro Vs, de sorte que la résistance vue par Ci est Ri
en parallèle à Rs. La fonction de transfert (équation 1.21) est de la forme K/(1 + (s/0), ce qui correspond à un
réseau CTU passe-bas. Le gain en c.c. est donné par :
V 1 1
K  -----o-  s  0    ---------------------------- ------------------------------ (1.23)
Vs 1   Rs  Ri  1   Ro  RL 

La fréquence à 3 dB (ou la fréquence de coupure) 0 peut être trouvée à partir de


1 1
 0  ---  --------------------------- (1.24)
 C i  R s || R i 
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur 37

Puisque la réponse en fréquence de l’amplificateur est du même type que pour un réseau CTU passe-bas, les
diagrammes de Bode de l’amplitude et de la phase prennent la même allure que celles de la Fig. 1.23, où K est
donné par l’équation (1.23) et 0 par l’équation (1.24).

(b) En remplaçant les valeurs numériques des composantes à l’équation (1.23) on obtient :
1 1
K  144 -------------------------------- -  100 V/V
- ---------------------------------------
1   20  100  1   200  1 000 
Par conséquent, l’amplificateur a un gain de c.c. de 40 dB. En substituant les valeurs numériques à l’équation
(1.24) on obtient la fréquence 3 dB :
1
 0  ---------------------------------------------------------------
60 pF   20 k//100 k 
1 6
 -----------------------------------------------------------------------------------------------------
– 12
- 10 rad/s
3
60  10   20  100   20 + 100    10
Ainsi,
6
10
f 0  --------  159,2 kHz
2
Comme le gain diminue avec un taux de –20 dB/décade à partir de 0 (voir la Fig. 1.23), le gain atteindra 0 dB
en deux décades et nous avons donc
8
Fréquence de gain unitaire = 100   0 = 10 rad/s or 15,92 MHz

(c) Pour trouver vo(t) nous devons déterminer l’amplitude du gain et sa phase pour 102, 105, 106 et 108 rad / s.
Cela peut être fait en utilisant avec une approximation acceptable les diagrammes de Bode de la Fig. 1.23 soit,
pour avoir un haut degré de précision, les équations résultantes des fonctions de transfert de l’amplificateur.
V 100
T  j   -----o-  j  = -------------------------------------
6
-
Vs 1 + j      10 
Nous allons expliciter en détails les deux options possibles.
(i) Pour  = 102 rad/s, ce qui signifie (0/104), le diagramme de Bode de la Fig. 1.23 suggère | T | = K = 100 et
φ = 0°. Si on fait appel à la fonction de transfert on obtient : | T |  100 et φ =–tan–110–4  0°.
Ainsi,
v o(t)  10 sin 102t, V

(ii) Pour  = 105 rad/s, ce qui est (0/10), le diagramme de Bode de la Fig. 1.23 suggère que | T |  K = 100 et
φ = –5,7°. Avec la fonction de transfert on obtient : | T | = 99,5 et φ =–tan–1 0,1 = –5,7 °. Ainsi,
v o(t)  9,95 sin(105t – 5,7), V

(iii) Pour = 106 rad/s = 0, T  100  2  70,7 V/V ou 37 dB et φ = –45°. Ainsi,
v o(t)  7,07 sin(106t  45), V

(iv) Pour  = 108 rad/s, ce qui est (100 0), les diagrammes de Bode suggèrent que | T | = 1 et φ = –90 °. La
fonction de transfert conduit à : | T | = 1 et φ = –tan–1 100 = –89,4°.
| T|  1 et φ  tan–1 100  89,4
Ainsi,
v o(t)  0,1 sin(108t  89,4), V
38 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

1.6.5 Classification des amplificateurs


en fonction de la réponse en fréquence
Les amplificateurs peuvent être classifiés en fonction de la forme de leur réponse en
amplitude. La Fig. 1.26 montre les courbes typiques de réponse en fréquence pour divers
types d’amplificateurs. À la Fig. 1.26(a) le gain reste pratiquement constant sur une large
gamme de fréquences, mais diminue dramatiquement aux très basses et très hautes fré-
quences. Ce type de réponse en fréquence est spécifique pour les amplificateurs audio.
Comme on le verra dans les chapitres suivants, des capacités internes dans le circuit d’ampli-
fication (à transistor par exemple) provoquent l’atténuation du gain à des fréquences élevées
(c’est le cas de Ci présent dans le circuit de l’Exemple 1.5). D’autre part, l’atténuation du gain
à basse fréquence est généralement provoquée par l’existence des condensateurs de
couplage qui sont utilisés pour interconnecter les étages d’amplification, comme indiqué à la
Fig. 1.27. Cette pratique est généralement adoptée pour simplifier le processus de conception
des différents étages. Les condensateurs de couplage sont généralement choisis avec des
valeurs nominales assez élevées (d’une fraction de µF à quelques dizaines de µF), de sorte que
leur réactance soit petite à des fréquences situées dans la plage d’intérêt. Néanmoins, pour des
fréquences suffisamment basses la réactance d’un condensateur de couplage devient suffi-
samment grande pour amener une partie du signal à apparaître comme une chute de tension
aux bornes du condensateur de couplage, donc à ne pas influencer l’étage suivant d’amplifi-
cation. Les condensateurs de couplage vont entraîner une perte de gain aux basses fréquences
et vont provoquer un gain nul en courant continu. Ceci n’est pas du tout surprenant, car à la
Fig. 1.27 on peut remarquer que le condensateur de couplage joint à la résistance d’entrée de
l’étage suivant, forment en effet un circuit CTU passe-haut.

(a) (b)

Fréquence centrale
(c)

Figure 1.26 Réponse en fréquence pour : (a) un amplificateur à couplage capacitif, (b) un amplificateur à
couplage direct, (c) un amplificateur accordé ou passe-bande.
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur 39

Amplificateur
à deux étages

Condensateur
de couplage

Figure1.27 Utilisation d’un condensateur de couplage entre les étages d’un amplificateur.

Il existe de nombreuses applications dans lesquelles il est important que l’amplificateur


maintienne constant son gain aux basses fréquences, voir jusqu’au c.c. En outre, il faut sou-
ligner que la technologie moderne utilisée pour la fabrication des circuits intégrés, ne permet
pas l’utilisation de condensateurs de grande capacité. Ainsi, les amplificateurs qui utilisent
des circuits intégrés (IC) sont généralement conçus comme amplificateurs couplés ou
amplificateurs en c.c. (par opposition au couplage capacitif, ou amplificateurs à c.a.). La
Fig. 1.26(b) montre la réponse en fréquence d’un amplificateur à c.c. Une telle réponse en fré-
quence caractérise un amplificateur passe-bas.
Dans un certain nombre d’applications, telles que la conception de récepteurs radio et de
télévision, il est parfois nécessaire de prévoir un amplificateur autour d’une certaine fré-
quence (appelé fréquence centrale), comme le montre la Fig.1.26(c). Les amplificateurs
avec une telle réponse sont appelés amplificateurs accordés ou amplificateurs passe-
bande. Un amplificateur accordé constitue le cœur du tuner du récepteur radio. Par le réglage
de la fréquence centrale, afin de la faire coïncider avec la fréquence de communication (par
exemple, la fréquence d’émission d’une station radio), le signal à cette fréquence est sélec-
tionné tandis que ceux d’autres fréquences seront atténués ou filtrés.

EXERCICES

1.22 Considérer un amplificateur de tension avec une réponse en fréquence du type circuit CTU passe-bas, avec un
gain en c.c. de 60 dB et une fréquence 3 dB à 1 000 Hz. Trouvez le gain, en dB, pour f = 10 Hz, 10 kHz,
100 kHz et 1 MHz.
Réponse : 60 dB, 40 dB, 20 dB, 0 dB.

D1.23 Considérer un amplificateur de transconductance ayant le modèle montré au Tableau 1.1 avec Ri = 5 k,
Ro = 50 k, et Gm = 10 mA/V. Si la charge de l’amplificateur est constitué par une résistance RL en parallèle
avec une capacitance CL, montrer que la fonction de transfert réalisée Vo/Vi, est celle qui correspond à un circuit
CTU passe-bas. Quelle est la plus petite valeur que RL peut prendre tout en maintenant au moins 40 dB de gain
en c.c.? Pour cette valeur de RL, trouver la valeur la plus élevée de CL pour ne pas dépasser 100 kHz à la fré-
quence de coupure.
Réponse : 12,5 k; 159,2 pF.
40 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

EXERCICES

D1.24 Considérer la situation de la Fig. 1.27. Supposer que la résistance de sortie du premier étage est de 1 k et que
la résistance d’entrée de l’amplificateur de tension suivant (y compris la résistance représentée) est de 9 k.
Le circuit équivalent résultant est représenté à la Fig. E1.24 où Vs et Rs sont la tension de sortie et la résistance
de sortie respectivement du premier amplificateur. C est un condensateur de couplage et Ri est la résistance
d’entrée du deuxième amplificateur. Montrer que V2/Vs est la fonction de transfert du circuit CTU passe-haut.
Quelle est la plus petite valeur de C qui fera en sorte que la fréquence à 3 dB n’est pas supérieure à 100 Hz ?
Réponse : 0,16 µF.

C
Rs 1 k


Vs  Ri 9 k V2


Figure E1.24

1.7 Semiconducteurs intrinsèques


Comme leur nom l’indique, les semiconducteurs sont des matériaux dont la conductivité se
situe entre celle des conducteurs, tels que le cuivre, et des isolateurs, comme le verre. Il existe
deux types de semiconducteurs : les semiconducteurs mono cristallins, tels que le germanium
et le silicium qui sont des éléments chimiques appartenant au groupe IV du tableau pério-
dique, et les semiconducteurs composés, tels que l’arséniure de gallium, qui sont formés en
combinant les éléments des groupes III et V ou des groupes II et VI. Les semiconducteurs
composés sont utiles dans des applications spéciales de circuits électroniques ainsi que dans
des applications qui associent la lumière, telles que des diodes électroluminescentes (LED).
Parmi les semiconducteurs élémentaires, le germanium a été le premier élément utilisé dans
la fabrication de transistors (fin des années 1940, début des années 1950). Il a été rapidement
supplanté par le silicium, sur lequel la technologie des circuits intégrés repose actuellement.
Pour cette raison, tout au long de ce livre, nous allons traiter presque en exclusivité des dis-
positifs à base de silicium8.
Un atome de silicium a quatre électrons de valence, et donc il va chercher quatre autres
électrons pour compléter son orbite de valence. Ce résultat est obtenu en partageant l’un de
ses électrons de valence avec chacun de ses quatre atomes voisins. Chaque paire d’électrons
partagés forme une liaison covalente. Le résultat est un cristal de silicium pur ou intrinsèque
présentant une structure en treillis régulier, où les atomes sont maintenus dans leur position
par des liaisons covalentes fortes. La Fig. 1.28 montre une représentation en deux dimensions
d’une telle structure.
À des températures suffisamment basses, proches du zéro absolu (0 K), toutes les liaisons
covalentes sont intactes et aucun électron n’est disponible pour conduire le courant électrique.
Ainsi, par exemple à très basses températures, le cristal de silicium intrinsèque se comporte
comme un isolant.
À température ambiante, l’énergie thermique est suffisante pour briser quelques-unes des
liaisons covalentes. Il s’agit d’un processus connu sous le nom de génération thermique.
Comme le montre la Fig. 1.29, lorsqu’une liaison covalente est brisée, un électron est libéré.

8. L’exception est le circuit à l’arséniure de gallium (GaAs) utilisé comme semiconducteur ; ce type de semi-
conducteur n’est pas étudié dans cette édition du livre. Le lecteur est invité à consulter les documents fournis sur
le disque accompagnant ce livre.
1.7 Semiconducteurs intrinsèques 41

électrons de liaisons
valence covalentes

  

 4   4   4 
  
atomes de
   silicium

 4   4   4 
  

  

 4   4   4 
  

Figure 1.28 Représentation bidimensionnelle du cristal de silicium. Les cercles représentent le noyau
interne des atomes de silicium, avec +4 indiquant sa charge positive de +4q qui est neutralisée par la charge
des quatre électrons de valence. Noter la façon dont les liaisons covalentes sont formées en partageant les
électrons de valence. À 0 K, toutes les liaisons covalentes sont intactes et aucun électron libre n’est dispo-
nible pour la conduction du courant.

électrons électron
de valence libre

  

 4   4   4 
liaison   
covalente  trou
brisée   

 4   4   4 
  
liaison
covalente atomes de silicium
  

 4   4   4 
  

Figure 1.29 À température ambiante, quelques-unes des liaisons covalentes sont brisées par l’effet ther-
mique. Chaque connexion brisée donne lieu à un électron libre et un trou, tous deux disponibles pour la
conduction du courant.

L’électron libre peut s’éloigner de son atome parent, et si un champ électrique est appliqué
au cristal il devient disponible pour conduire le courant électrique. Comme l’électron quitte
son atome parent, il laisse une charge nette positive non-équilibrée, égale à la valeur de la
charge électrique de l’électron. Ainsi, un électron appartenant à un atome voisin peut être
attiré par cette charge positive, et quitte son atome parent. Par cette action le «trou» qui exis-
tait dans l’atome ionisé se bouche, mais un nouveau trou dans un autre atome est créé. Ce
42 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

processus peut se répéter, avec comme résultat l’existence d’une charge positive, un trou, se
déplaçant à travers la structure cristalline de silicium et en plus, celle-ci est disponible pour
conduire le courant électrique. La charge d’un trou est égale en grandeur à la charge d’un élec-
tron. Nous pouvons constater ainsi que lorsque la température augmente, des liaisons cova-
lentes supplémentaires sont cassées et des paires additionnelles d’électrons-trous sont
générées. L’augmentation du nombre d’électrons libres et de trous conduit à l’augmentation
de la conductivité de silicium qui peut être très prononcée.
La génération thermique au niveau du semiconducteur se traduit par l’apparition d’élec-
trons libres et des trous en nombre égal et donc de concentration identique. La concentration
désigne donc le nombre de porteurs de charge par unité de volume (cm3). Les électrons libres
et les trous se déplacent aléatoirement à travers la structure du cristal de silicium et dans le
processus, certains électrons peuvent combler certains trous. Ce processus est appelé recom-
binaison et a comme résultat la disparition des électrons libres et des trous. Le taux de recom-
binaison est proportionnel au nombre d’électrons libres et des trous, qui à leur tour est
déterminée par le taux de génération thermique. Ce dernier est une fonction directe de la tem-
pérature. À l’équilibre thermique, le taux de recombinaison est égal à la vitesse de génération,
et on peut logiquement conclure que la concentration d’électrons libres n est égale à la
concentration de trous p,
n = p = ni (1.25)

où ni désigne le nombre d’électrons libres et des trous dans l’unité de volume (cm3) de sili-
cium intrinsèque à une température donnée. Selon la physique des semiconducteurs, ni est
donné par :
3  2 e–Eg/2kT (1.26)
n i = BT
15 –3 –3  2
où B est un paramètre dépendant de matériau et sa valeur est 7,3  10 cm K pour le
silicium ; Eg, est un paramètre connu sous le nom d’énergie de bande interdite, sa valeur est
de 1,12 électron-volt pour le silicium9 et k est la constante de Boltzmann ( 8,62  10 –5 eV/K).
Il est intéressant de savoir que l’énergie de bande interdite Eg est l’énergie minimum néces-
saire pour briser une liaison covalente et donc nécessaire à générer une paire électron-trou.

Exemple 1.6

Calculer la valeur de n i pour du silicium à la température ambiante de (T  300 K).

Solution
En remplaçant les valeurs numériques obtenues à l’aide de l’équation (1.25) on obtient :
–5
15 3  2 – 1,12   2  8,62  10  300 
n i = 7,3  10  300  e
10 3
= 1,5  10 porteurs  cm
Apparemment ce chiffre est très élevé. On doit toutefois, le placer dans le contexte réel du silicium qui contient
22 12
environ 5  10 atomes/cm3. Ainsi, à la température ambiante, seulement 5  10 atomes sont ionisés et
contribuent à la génération des électrons libres et des trous !

9. À retenir: 1 eV = 1,6 x 10-19 J


1.8 Semiconducteurs dopés 43

Enfin, il est utile d’exprimer la concentration d’électrons libres et de trous par une autre
équation, à savoir :
2
pn = n i (1.27)

Ainsi, pour le silicium à température ambiante, ni  1,5 x 1010/cm3. Comme nous allons le
constater bientôt, cette relation s’étend aussi au silicium non-intrinsèque ou dopé.

EXERCICE

1.25 Calculer la densité de porteurs ni pour le silicium intrinsèque à la température T1 = 50 K et T2 = 350 K.


– 39 3 3
Réponse : 9,6  10  cm ; 4,15  10 11  cm .

1.8 Semiconducteurs dopés


Le cristal de silicium intrinsèque décrit précédemment a des concentrations égales d’élec-
trons libres et de trous, générés thermiquement. Ces concentrations sont beaucoup trop petites
pour le silicium afin qu’il puisse conduire des forts courants à température ambiante. En
outre, les concentrations de porteurs et donc la conductivité électrique sont des paramètres
hautement dépendants de la température. Heureusement, une méthode a été développée pour
augmenter sensiblement la concentration de porteurs de charge, d’une manière contrôlée et
hautement précise. Il s’agit du processus appelé le dopage et le silicium résultant est dénom-
mé le silicium dopé.
Le dopage consiste à introduire des atomes différents constituant des impuretés dans le
cristal de silicium et dans un nombre suffisant afin d’augmenter sensiblement la concentration
soit des électrons libres soit des trous mais avec peu ou sans changement des propriétés d’ori-
gine d’un cristal de silicium. Pour augmenter la concentration des élections libres, n, le sili-
cium est dopé avec un élément de valence de 5, tel que le phosphore. Le résultat de cette
opération est le silicium dopé dit de type n. Pour augmenter la concentration de trous, p, le
silicium est dopé avec un élément ayant une valence de 3, tel que le bore, et le silicium dopé
résultant est dit de type p.
La Fig. 1.30 montre un cristal de silicium dopé avec du phosphore comme impureté. Les
atomes du dopant (phosphore) remplacent une partie des atomes de silicium dans la structure
cristalline. Puisque l’atome de phosphore dispose de cinq électrons sur son orbite de valence,
quatre de ces électrons forment des liaisons covalentes avec les atomes voisins, et le cin-
quième électron devient un électron libre. Ainsi, chaque atome de phosphore cède un électron
libre à l’atome voisin de silicium. L’impureté de phosphore est ainsi appelée donneur. Il est
évident qu’aucun trou n’est pas généré par ce processus. Par ailleurs, la charge positive asso-
ciée à l’atome de phosphore est une charge liée car elle ne bouge pas dans la structure ato-
mique du cristal.
Si la concentration d'atomes donneurs est ND, où ND est habituellement beaucoup plus
grande que la concentration d’électrons libres ni, la concentration d’électrons libres dans le
silicium de type n sera indiquée par
nn  N D (1.28)

où l’indice n signifie silicium de type n. Ainsi nn est finalement déterminée par la concentra-
tion de dopage et non par la température. Ce n’est pas le cas, cependant, pour la concentration
de trous. Tous les trous dans le silicium de type n sont ceux produits par génération thermique.
La concentration de trous, pn, peut être trouvée en sachant que l’équation (1.27) s’applique
44 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

électrons liaisons
de valence covalentes

  

 4   4   4 
   électron libre cédé
par un atome d’impureté

   atome d’impureté
pentavalente (donneur)
 4   5   4 
  
atomes de silicium
  

 4   4   4 
  

Figure 1.30 Cristal de silicium dopé par un élément pentavalent. Chaque atome dopant cède un électron
libre, raison pour lequel cet élément est appelé donneur. Le semiconducteur ainsi dopé est de type n.

aussi bien pour le silicium dopé, à condition que l’équilibre thermique soit atteint. Ainsi, pour
le silicium de type n on obtient
2
pn nn = ni
En substituant pour nn, dans l’équation (1.28), on obtient pour pn
2
n
p n  ------i- (1.29)
ND
2
Ainsi pn aura la même dépendance en température que celle de n i . Enfin, on note que dans
le silicium de type n la concentration d’électrons libres nn sera beaucoup plus grande que celle
des trous. Ainsi les électrons sont dits être les porteurs majoritaires de charge tandis que les
trous sont les porteurs minoritaires de charge dans le silicium de type n.
Pour obtenir le silicium de type p pour lequel les trous deviennent porteurs majoritaires
de charge, on utilise une impureté trivalente tel que le bore. La Fig. 1.31 montre un cristal de
silicium dopé avec du bore. Notez que les atomes de bore remplacent une partie des atomes
de silicium dans la structure cristalline. Étant donné que chaque atome de bore a trois élec-
trons situés sur l’orbite de valence, les atomes de bore vont accepter un électron venant d’un
atome voisin, formant ainsi des liaisons covalentes. Le résultat est un trou dans l’atome voisin
et une charge négative supplémentaire du côté de l’atome accepteur (atome de bore). Il
s’ensuit que chaque atome accepteur fournit un trou. Si la concentration de dopage accepteur
est NA, et que N A » n i , la concentration des trous devient
pp  N A (1.30)
où l’indice p dénote le silicium de type p. Pour ce type de silicium, les porteurs majoritaires
sont des trous et leur concentration est indiquée par NA. La concentration d’électrons, porteurs
minoritaires, peut être trouvée à l’aide de l’équation suivante
2
p p n p = ni
et après substitution de pp de l'équation (1.30) on obtient,
2
n
n p  ------i- (1.31)
NA
1.8 Semiconducteurs dopés 45

liaisions
électrons
covalentes
de valence
atome de silicium
  

 4   4   4 
  
atome d’impureté
trivalente (accepteur)
  

 4   3   4 
  
atome à électron manquant
conduisant à la création
  
d’un trou
 4   4   4 
  

Figure 1.31 Cristal de silicium dopé avec des impuretés trivalentes. Chaque atome du dopant donne lieu à
un trou et le semiconducteur est de type p.

Ainsi, la concentration des électrons minoritaires aura la même dépendance de température


2
que celle de n i .
Il convient de souligner qu’un morceau de silicium de type n ou de type p est électrique-
ment neutre ; les charges des porteurs majoritaires libres (électrons dans le type n et les trous
dans le silicium de type p) sont neutralisées par les charges liées et associées aux atomes
d’impuretés, (c’est-à-dire aux noyaux de signe opposé).

Exemple 1.7

Considérer du silicium de type n pour lequel la concentration du dopant ND = 1017/cm3. Trouver les concentra-
tions d’électrons et des trous respectivement, à la température T = 300 K.

Solution
La concentration des électrons majoritaires est
17 3
 n n  N D  = 10  cm

La concentration des trous minoritaires est


2
n
p n  ------i-
ND
10 3
Dans l’Exemple 1.6 on a constaté que pour T = 300 K, n i = 1,5  10  cm . Ainsi,
10 2
 1,5  10 
p n = ------------------------------
17
-
10
3 3
= 2,25  10  cm
Observez que n n  n i et que n n est largement supérieur à p n.
46 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

EXERCICES

1.26 Pour la situation de l’Exemple 1.7, trouver les concentrations d’électrons et des trous à 350 K. Utiliser la valeur
de ni à T = 350 K de l’Exercice 1.25.
17 3 6 3
Réponse : n n = 10  cm, p n = 1,72  10  cm .

1.27 Pour un cristal de silicium dopé au bore, quelle valeur doit avoir NA si à la température T = 300 K la concen-
tration d’électrons descend d’un facteur 106 en-dessous du niveau intrinsèque ?
16 3
Réponse : N A = 1,5  10  cm .

1.9 Circulation du courant


dans un semiconducteur
Il existe deux mécanismes distincts qui expliquent le mouvement des porteurs de charge
et donc la circulation du courant dans les semiconducteurs : la dérive et la diffusion.

1.9.1 Courant de dérive


Lorsqu’un champ électrique E est établi dans un cristal semiconducteur, les trous sont accé-
lérés dans la direction de E, et les électrons libres sont accélérés dans la direction opposée.
Cette situation est illustrée à la Fig. 1.32. Les trous peuvent acquérir une vitesse vp-drift donnée
par
vp-drift = μpE (1.32)
où µp est une constante appelée la mobilité des trous. Cette constante représente le degré de
facilité avec laquelle les trous se déplacent dans le cristal de silicium en guise de réponse à
l’action du champ électrique E. De par la définition de cette constante, celle-ci est exprimée
en (cm2/V.s). Pour le silicium intrinsèque µp = 480 cm2/V.s.
Les électrons libres peuvent acquérir une vitesse de dérive vn-drift donnée par
vn-drift = –μn E (1.33)
où le résultat est négatif car les électrons se déplacent dans la direction opposée à E. Ici µn
caractérise la mobilité d’électrons, d’environ 1 350 cm2/V.s pour le silicium intrinsèque. À
remarquer que µn est environ 2,5 fois supérieur à µp, ce qui signifie que par rapport aux trous,
les électrons se déplacent beaucoup plus facilement à travers le cristal de silicium.
Revenons maintenant à la barre de silicium monocristalline de la Fig. 1.32. Supposons
que la concentration en trous est p et que celle en électrons libres est n. On souhaite calculer

 trous Figure 1.32 Le champ électrique E établi dans


 électrons un barreau de silicium provoque le déplacement
des trous (dérive) dans le sens du champ et la
x dérive des électrons libres dans le sens opposé.
Tant le courant dû à la dérive des trous que la
composante due à la dérive des électrons sont
V dans la direction de E.
1.9 Circulation du courant dans un semiconducteur 47

la composante du courant en raison de l’écoulement des trous. Considérons un plan perpen-


diculaire à la direction x. En une seconde, la charge des trous qui traversent ce plan sera
(Aqpvp-drift) coulombs, où A est la superficie de la section transversale du barreau de silicium
et q est la charge électrique de l’électron. Par conséquent, la composante du courant circulant
à travers la section transversale de la barre de silicium, due aux trous, est donnée par :
Ip = Aqpvp-drift (1.34)
En substituant pour vp-drift de l’équation (1.33), on obtient
I p = Aqpμ p E

Nous sommes généralement intéressés par la densité de courant Jp, qui est le courant par unité
de surface de la section transversale :

Ip
J p = ---- = q pμ p E (1.35)
A
La composante du courant due à la dérive des électrons libres peut être trouvée de manière
similaire. Notez, cependant, que les électrons à la dérive qui se déplacent de droite à gauche
provoquent l’apparition d’un courant circulant de gauche vers la droite. Ceci est une consé-
quence de la convention adoptée selon laquelle la direction du courant est le sens de l’écou-
lement des charges positives (opposée au sens d’écoulement des charges négatives). Ainsi,
In = –Aqnvn-drift
En substituant pour vn-drift de l’équation (1.33), on obtient immédiatement la densité de courant
Jn = In/A comme
J n = qnμ n E (1.36)

La densité de courant de dérive total s’obtient en additionnant Jp et Jn des équations (1.35) et


(1.36) ce qui conduit à
J = J p + J n = q  pμ P + nμ n E (1.37)

Cette relation peut être écrite comme


J = E (1.38)
ou
J = E (1.39)
où la conductivité  est donnée par
 = q  pμ p + nμ n  (1.40)

et la résistivité  est donnée par


1 1
  --- = --------------------------------
- (1.41)
 q  pμ p + nμ n 

Observez que l’équation (1.39) est une forme de la loi d’Ohm et peut être écrite en tant que

E
 = --- (1.42)
J
Ainsi, les unités de sont ohm.centimètres.
48 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Exemple 1.8

Trouver la résistivité de : (a) silicium intrinsèque et (b) silicium de type p avec NA = 1016/cm 3. Prendre
ni = 1,5 × 1010/cm3 et supposer que pour le silicium intrinsèque µn = 1 350 cm2/V.s et µp = 480 cm2/V.s ;
pour le silicium dopé considérer µn = 1 110 cm2/V.s et µp = 400 cm2/V.s. (Notez que le résultat du dopage
se traduit par une diminution de la mobilité des porteurs).

Solution
(a) Pour le silicium intrinsèque,
10 3
p = n = n i = 1,5  10  cm

Ainsi,
1
 = ---------------------------------
q  pμ p + nμ n 

1 5
 = ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
– 19 10 10
- = 2,28  10  . cm
1,6  10  1,5  10  480 + 1,5  10  1 350 

(b) Pour le silicium de type p


16 3
p p  N A = 10  cm

2 10 2
n  1,5  10 
- = 2,25 104 /cm3
n p  ------i- = ------------------------------
16
NA 10
Ainsi,
1 1
 = --------------------------------
- = -----------------------------------------------------------------------------------------------------------
-
q  pμ p + nμ n  – 19 16
1,6  10  10  400 + 2,25  10  1 110 
4

1
– 19 16
- = 1,56  . cm
 ---------------------------------------------------------
1,6  10  10  400
Constater que la résistivité du silicium de type p est déterminée presque entièrement par la concentration de
dopage. En outre observer que le dopage du silicium réduit sa résistivité par un facteur d’environ 105, ce qui
représente un remarquable changement.

EXERCICE

1.28 On applique une tension de 1 V à une barre uniforme de silicium de type n, d’une longueur de 2 µm. Si
ND = 1016 cm3 et µn = 1 350 cm2/V.s, trouver : (a) la vitesse de dérive des électrons ; (b) le temps qu’il faut à un
électron pour traverser la longueur de 2 µm ; (c) la densité du courant de dérive ; (d) le courant de dérive si la
barre de silicium a une superficie en coupe transversale de 0,25 µm2.
6 4 2
Réponse : 6,75  10 cm/s; 30 ps; 1,08  10 A  cm ; 27 A.
1.9 Circulation du courant dans un semiconducteur 49

1.9.2 Courant de diffusion


La diffusion des porteurs se produit lorsque la densité de porteurs dans un morceau de semi-
conducteur n’est pas uniforme. Par exemple, si par un mécanisme quelconque la concentra-
tion des trous, augmente dans une partie d’un morceau de silicium par rapport à une autre
région du même morceau de silicium, les trous commencent à se diffuser depuis la région de
concentration élevée vers les régions de faible concentration. La diffusion des porteurs de
charge fait apparaître un flux de charges ou un courant de diffusion.
À titre d’exemple, considérons le barreau de silicium de la Fig. 1.33(a). Par un processus
quelconque, nous l’avons agencé pour injecter des trous dans la région située à gauche du bar-
reau. Cette injection continue de trous suscite l’apparition et maintient un taux élevée de
concentration de trous, situation illustrée à la Fig. 1.33(b). La concentration élevée dans cette
région du barreau provoque une diffusion de trous de gauche à droite le long du barreau de
silicium, entraînant un courant dans la direction x. L’amplitude du courant est proportionnelle
à la pente du profil de concentration, ou le gradient de concentration :

dp  x 
J p = – qD p -------------- (1.43)
dx

où Jp est la densité du courant (A/cm2), q est la charge élémentaire d’un électron, Dp est une
constante appelée constante de diffusion ou diffusivité des trous et p(x) est la concentration
des trous qui correspond au point x. À noter que le gradient (dp/dx) est négatif, ce qui signifie
que le sens du courant est positif dans la direction x, comme on pouvait d’ailleurs s’y attendre.


  
    
   
Injection 
 
de trous    
      
  


(a) x

Diffusion de trous
Concentration de trous, p

Courant de trous

Figure 1.33 Un barreau de silicium


(a) dans lequel sont injectés des trous,
créant ainsi le profil de concentration (b)
suivant l’axe x. Les trous diffusent dans le
sens positif de l’axe x et provoquent
l’apparition d’un courant de diffusion
dans le même sens. Notez que nous
0 n’avons pas montré le circuit auquel la
x
(b) barre de silicium est reliée.

Dans le cas d’une diffusion d’électrons qui résulte de l’existence d’un gradient de concen-
tration d’électrons (voir la Fig. 1.34), une relation similaire peut être déduite, permettant ainsi
d’exprimer la densité de courant provoquée par la diffusion d’électrons :
dn  x 
J n = qD n -------------- (1.44)
dx

où Dn est la constante de diffusion ou la diffusivité d’électrons. Observez que le signe négatif


pour le gradient de concentration (dn/dx) donne lieu à un courant négatif, suite à l’application
de la convention sur le sens du courant. Pour la diffusion de trous et des électrons dans le
50 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

silicium intrinsèque, les valeurs typiques pour les constantes de diffusion sont Dp = 12 cm2/s
et Dn = 35 cm2/s.
À ce stade, le lecteur se demande où va s’écouler le courant de diffusion dans le barreau
de silicium de la Fig. 1.33(a). Ceci est une très bonne question puisque nous n’avons pas mon-
tré de quelle façon le côté droit du barreau de silicium est relié à un circuit quelconque. Nous
allons régler ce problème et toutes les questions connexes en détails au cours de la discussion
sur la jonction pn, dans les sections suivantes.

Diffusion d’électrons
Concentration d’électrons, n

Courant d’électrons

Figure 1.34 Si dans un barreau de silicium


existe une concentration d’électrons, comme
celle représentée par le diagramme, les élec-
trons diffusent dans la direction x, donnant
lieu à l’apparition d’un courant qui s’écoule
0 x dans le sens négatif de x.

Exemple 1.9

Considérer un barreau de silicium avec un profil de la concentration des trous définit par l’équation :
– x  LP
p  x  = p0 e

Trouver la densité du courant de trous au point x = 0. Supposer p0 = 1016/cm3 et Lp = 1 µm. Si la section transver-
sale du barreau est de 100 µm2, trouver le courant Ip.

Solution

dp  x  d – x  LP
J p = – qD p -------------- = – qD p ------  p 0 e 
dx dx
Ainsi,
Dp
J p  0  = q ------ p 0
Lp

– 19 12 16
= 1,6  10  -------------------
–4
 10
1  10
2
= 192 A  cm
Et finalement le courant I p peut être obtenu comme

Ip = Jp  A

–8
= 192  100  10

= 192 A
1.10 Jonction pn en circuit ouvert 51

EXERCICE

1.29 Dans une barre de silicium a été établi le profil de la concentration des électrons comme indiqué à la Fig. E1.29.
Si n0 = 1017/cm3 et W = 1 µm, trouver la densité du courant exprimée en µA/µm2. Quelle doit être la superficie
de la section transversale de la barre de silicium afin d’obtenir un courant de diffusion de 1 mA ?

n(x)
n0

Figure E1.29
0 W x
Réponse : 56 A/m2; 18 m2 .

1.9.3 Relation entre D et μ


Une relation simple lie la constante de diffusion à la mobilité,
D Dp
-----n- = ------ = V T (1.45)
μn μp
où VT = kT/q. Le paramètre VT est connu comme tension thermique. À la température am-
biante, T = 300 K et VT = 25,9 mV. Nous allons rencontrer souvent ce paramètre tout au long
du livre. L’équation (1.45) est connue sous le nom de la relation d’Einstein.

EXERCICE

1.30 Utiliser la relation d’Einstein pour trouver Dn et Dp pour le silicium intrinsèque, sachant que
µn = 1 350 cm2/V.s et µp = 480 cm2/V.s.
Réponse : 35 cm2/s; 12,4 cm2 /s.

1.10 Jonction pn en circuit ouvert


Ayant appris les concepts de base de la théorie des semiconducteurs, nous pouvons mainte-
nant considérer la première structure d’un semiconducteur : la jonction pn. Tel que précédem-
ment mentionné, la jonction pn est l’élément fondamental d’une diode (la diode sera étudiée
plus en détail dans le Chapitre 3) ; elle joue un rôle dominant dans la structure et le fonction-
nement du transistor à jonction bipolaire (BJT). En outre, la compréhension du fonctionne-
ment de la jonction pn est très importante pour l’étude et le comportement d’une autre famille
de composantes – les transistors de type MOSFET.

1.10.1 Structure physique


La Fig. 1.35 montre la structure physique simplifiée de la jonction pn. Cette jonction est com-
posée d’un semiconducteur de type p (silicium, par exemple) en étroit contact avec un
52 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

semiconducteur de type n (également du silicium). En pratique, les deux semiconducteurs, de


type p et de type n sont des régions de la même pièce de cristal de silicium, c’est-à-dire la
jonction pn est réalisée à l’intérieur d’un monocristal de silicium en créant artificiellement des
régions de dopage différents (régions p et n). L’Annexe A fournit la description du processus
de fabrication des circuits intégrés, y compris des jonctions pn. Comme indiqué à la Fig. 1.35,
les connexions des régions p et n vers le circuit extérieur sont réalisées à l’aide des fils métal-
liques. Si la jonction pn est utilisée comme une diode, les deux connexions constituent les
bornes de raccordement de la diode et sont donc étiquetés anode et cathode respectivement,
en accord avec la terminologie adoptée pour les diodes10.

Contact métallique Contact métallique

silicium de silicium de
type p type n
Anode Cathode

Figure 1.35 Structure physique simplifiée de la jonction pn (la géométrie réelle est présentée à
l’Annexe A). Puisque la jonction pn implémente la notion de diode, les bornes de cette composante sont
marqués anode et cathode.

1.10.2 Fonctionnement de la jonction pn en circuit ouvert


À la Fig.1.36 est illustrée une jonction pn en circuit ouvert, c’est-à-dire que ses bornes exté-
rieures ne sont pas raccordées à un circuit extérieur. Les signes + dans le matériau de type p
désignent les trous majoritaires. La charge électrique de ces trous est neutralisée par une
quantité égale de charge négative associée aux atomes accepteurs. Par souci de simplification,
ces charges ne sont pas indiquées sur la figure. Par contre, les électrons minoritaires produits
dans le matériau semiconducteur de type p suite à la génération thermique sont également re-
présentés.
Dans le matériau de type n les électrons majoritaires sont indiqués par le signe –. Ici aussi,
la charge positive liée par la structure atomique, qui neutralise la charge des électrons majo-
ritaires, n’est pas représentée afin de simplifier le dessin. Le matériau de type n contient éga-
lement des trous minoritaires générés par le processus thermique, mais ceux-ci ne figurent pas
non plus sur la figure.
Le courant de diffusion, ID Puisque la concentration de trous est élevée dans la ré-
gion p et est moindre dans la région n, des trous diffusent à travers la jonction du côté p vers
le côté n de la jonction et de même, des électrons diffusent à travers la jonction du côté n vers
le côté p. Ces deux composantes du courant additionnées constituent le courant de diffusion
ID, dont la direction du flux de courant est dirigée du côté p vers le côté n de la jonction,
comme indiqué à la Fig. 1.36.
La région ou bande de déplétion Les trous qui diffusent vers la région n à travers
la jonction se recombinent rapidement avec une partie des électrons majoritaires présents
dans cette région et donc disparaissent. Ce processus de recombinaison se traduit également
par la disparition de certains électrons libres à partir du matériau de type n. Ainsi, une partie

10. Cette terminologie résulte d’une extension de la convention adoptée concernant la technologie des tubes élec-
troniques à vide, largement utilisée jusqu’à l’invention et la commercialisation du transistor en 1947. L’appari-
tion du transistor est un événement crucial qui a marqué le début de l’ère des semiconducteurs dans l’industrie
électronique, composants qui ont changé non seulement l’électronique, les communications et les ordinateurs,
mais bien le monde !
1.10 Jonction pn en circuit ouvert 53

de la charge positive liée à la structure atomique ne sera plus neutralisée par les électrons
libres, et donc cette charge positive est appelée déficitaire. Puisque la recombinaison des
charges a lieu à proximité de la jonction, il y aura une région proche de la jonction qui est
appauvrie en électrons libres et qui contient en même temps une charge positive déficitaire,
comme indiqué à la Fig. 1.36. Les électrons qui diffusent à travers la jonction vers la région
p se recombinent rapidement avec quelques-uns des trous majoritaires, et donc disparaissent,
eux aussi. Il en résulte également la disparition de quelques trous majoritaires, ce qui im-
plique qu’une partie des charges négatives deviennent déficitaires (c’est-à-dire, qu’elles ne
sont plus neutralisées par des trous porteurs de charge positive). Ainsi, dans le matériau p
avoisinant la jonction, il y aura une région appauvrie de trous et contenant des charges néga-
tives liées et déficitaires, comme indiqué à la Fig. 1.36. .

ID
IS
Charges liées
Trous Électrons libres
+ + + + – – – –
+ + + + – – – –
+ p + + – – n –
+ + + + – – – –
+ + + + – – – –
Région de déplétion
E
(a)
Potentiel

Barrière de
potentiel,

(b)

Figure 1.36 (a) La jonction pn sans tension appliquée (circuit ouvert). (b) La distribution de potentiel le
long d’un axe perpendiculaire à la jonction.

De ce qui précède, il s’ensuit que nous pouvons définir une région appauvrie de porteurs
située des deux côtés de la jonction, avec le côté n de la région chargée positivement et le côté
p chargée négativement. Cette région est appelée tout simplement région de déplétion. Les
charges électriques présentes dans cette région provoquent l’apparition d’un champ électrique
E dirigé dans le sens indiqué à la Fig. 1.36. Ce phénomène conduit à l’établissement d’une
différence de potentiel à travers la région de déplétion, avec la polarisation montrée à la
Fig. 1.36(b). Ainsi, le champ électrique résultant E s’oppose à la diffusion de trous dans la
région n et d’électrons dans la zone p. En fait, la différence de potentiel qui s’établie entre les
marges de la région de déplétion se manifeste sous forme de barrière qui empêche les trous
de diffuser dans la région n et les électrons de diffuser dans la zone p. Plus importante est la
différence de potentiel plus est réduit le nombre de porteurs de charge qui arrivent à franchir
cette barrière et donc plus faible sera l’amplitude du courant de diffusion. On peut conclure
ainsi que l’existence de cette «barrière de tension» V0 est le facteur qui limitera le processus
de diffusion de charges. Il en résulte logiquement que l’amplitude du courant de diffusion ID
54 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

dépend fortement de l’amplitude de la différence de potentiel V0 qui caractérise la région de


déplétion d’une jonction pn.
Le courant de dérive, IS À part le courant de diffusion ID qui se manifeste en raison
de la diffusion des porteurs majoritaires de charge, à travers la jonction on signale aussi la pré-
sence d’une deuxième composante due à la dérive des porteurs minoritaires. Plus précisé-
ment, certains des trous générés thermiquement dans le matériau de type n se déplacent vers
la jonction et vont atteindre le bord de la région de déplétion. Là, ils sont soumis à l’action du
champ électrique E qui les entraîne dans cette région en direction du matériau de type p. De
même, certains électrons minoritaires générés par l’effet thermique dans la région de type p
et qui se déplacent vers le bord de la région de déplétion, seront soumis aussi à l’action du
même champ électrique qui les repoussent vers le région de type n. Ces deux composants de
courant – les électrons en dérive du côté p vers le côté n et les trous qui dérivent du côté n vers
la région de type p, par addition, constituent ensemble le courant de dérive IS dont la direction
est du côté n de la jonction vers la face p de la jonction, comme illustré à la Fig. 1.36. Comme
le courant IS est en fait un flux de porteurs minoritaires générés thermiquement, sa valeur est
fortement dépendante de la température. Cependant, ce courant est indépendant de l’ampleur
de la différence de potentiel V0 qui se manifeste dans la région de déplétion. Cela est dû au
fait que le courant de dérive est déterminé par le nombre de porteurs minoritaires qui se di-
rigent vers le bord de la région de déplétion.
Dans la situation examinée – la jonction pn en circuit ouvert (voir la Fig. 1.36), il n’y a
pas de courant externe et par conséquent, les deux courants qui traversent la jonction ID et IS
respectivement, sont égaux en amplitude et sont de sens opposés :

ID  IS
Cette condition dite d’équilibre11 est assurée par la barrière de tension V0. Cependant, si par
une raison quelconque, ID dépasse IS, alors il y a plus de porteurs déficitaires qui se trouvent
des deux côtés de la jonction, ce qui entraîne un élargissement de la région de déplétion et par
conséquent, la différence de potentiel V0 augmente également. Ceci provoque une diminution
du courant ID jusqu’au moment où l’état d’équilibre est de nouveau atteint avec comme résul-
tat direct ID = IS. D'autre part, si IS excède ID, le nombre de porteurs déficitaires diminue, la
région de déplétion rétrécira et la différence de tension V0 diminuera elle aussi, ce qui condui-
ra à l’atteinte d’un nouvel état d’équilibre avec ID = IS.
La différence de potentiel interne d’une jonction En l’absence d’une diffé-
rence de potentiel d’origine externe, la valeur de la barrière de tension interne V0, qu’on re-
trouve pour toute jonction pn peut être définie par12 :

V 0  V T ln  --------------
N A N D
(1.46)
 n i2 

où NA et ND sont les concentrations de dopage du côté p et respectivement n de la jonction.


Ainsi, V0 dépend à la fois de la concentration de dopage et de la température. Cette différence
de potentiel est connue sous le nom de tension interne de la jonction. Typiquement, pour le
silicium à la température ambiante, l’ampleur de V0 se situe entre 0,6 V et 0,9 V.
Lorsque les bornes d’une jonction pn sont en circuit ouvert, la tension mesurée entre eux
est nulle. Autrement dit, la tension interne V0 qui correspond à la région de déplétion ne se

11. En fait, à l’équilibre l’égalité des courants de dérive et de diffusion ne s’applique pas seulement pour le courant
total mais aussi aux composants individuels. Autrement dit, le courant de dérive des trous doit être égal au cou-
rant de diffusion des trous et, de même, le courant de dérive des électrons doit être égal au courant de diffusion
des électrons.
12. La démonstration de cette formule et d’un certain nombre d’autres indiquées dans ce chapitre peuvent être trou-
vées dans d’autres manuels, tel que celui écrit par Streetman et Bannerjee (voir les références bibliographiques
à l’Annexe G).
1.10 Jonction pn en circuit ouvert 55

retrouve pas aux bornes externes de raccordement. L’explication consiste dans le fait que pour
toute jonction se trouvant à l’intérieur du matériel semiconducteur, la tension interne est équi-
librée et annulée par les différences de potentiel dues aux contacts métalliques entre le maté-
riel et les bornes. Si cela n’avait pas été vrai, nous aurions été en mesure de puiser de l’énergie
en provenance d’une jonction pn isolée, ce qui serait évidemment contraire au principe de
conservation de l’énergie.
Largeur de la région de déplétion et la charge stockée dans cette
région La Fig. 1.37 fournit une image détaillée sur la situation qui prévaut dans la jonction pn
lorsque la jonction est en équilibre. À la Fig. 1.37(a) est montré une jonction pour laquelle NA> ND,
une situation typique en pratique. Ceci se traduit par l’existence de régions frontalières de deux
côtés de la jonction où, manifestement, les concentrations de porteurs sont différentes comme
illustré à la Fig. 1.37(b). Remarquez que nous avons noté les concentrations de porteurs minori-
taires des deux côtés de la jonction np0 et pn0, l’indice 0 signifiant qu’il s’agit de l’état d’équilibre
(c’est-à-dire avant que des tensions externes ne soient appliqués). Observez que la région de déplé-
tion s'étend à la fois dans le matériel de type p mais aussi dans le matériel de type n et que des quan-
tités égales de charge existent des deux côtés de la jonction ( Q + et Q – , voir la Fig. 1.37(c)).
Cependant, puisque le taux de dopage est différent pour les deux côtés de la jonction, la largeur de
la région de déplétion ne sera pas la même des deux côtés. Par conséquent, la région de déplétion
va s’étendre plus profondément dans le matériau qui est moins dopé. Plus précisément, si l’on
désigne la largeur de la région de déplétion du côté p par xp et celle du côté N par xn, la quantité de
charge dans la région n est définie par :
Q + = qAx n N D (1.47)

et celle qui correspond au côté n de la jonction par :


Q – = qAx p N A (1.48)

où A est la section transversale de la jonction. La condition d’égalité pour la charge électrique


peut être écrite en tant que :
qAx n N D = qAx p N A

et si on regroupe les facteurs, l’équation devient :

x N
----n- = ------A- (1.49)
xp ND

En pratique, il est habituel qu’un côté de la jonction soit beaucoup plus dopé que l’autre, de
sorte que la région de déplétion se résume presque entièrement du côté qui corresponde au
côté le moins dopé.
La largeur W de la région de déplétion peut-être calculée à l’aide de l’équation :

2 s  1
------- ------- + -------  V 0
1
W = xn + x p = (1.50)
q NA ND 

où s est la permittivité du silicium (s = 11,70 = 11,7 × 8,85 × 10-14 F/cm = 1,04 × 10-12
F/cm). Typiquement W est dans la plage de 0,1 à 1 µm. On peut utiliser les équations (1.49)
et (1.50) pour obtenir xn et xp en termes de W comme suit :
NA
x n = W --------------------
- (1.51)
NA + ND

ND
x p = W --------------------
- (1.52)
NA + ND
56 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

ID
IS

    ⴙ ⴙ    
    ⴚ
   
    ⴚ
p ⴙ ⴙ  n 
    ⴚ
       
ⴚ ⴙ ⴙ
    ⴚ    
xp 0 xn

E
(a)

pp NA

Concentration de porteurs
nn ND

W
ni2
pn0
ni2 ND
np0
NA
xp 0 xn x
(b)
Changement
de densité

 Q  Aq ND xn

xp xn x

 Q  Aq NAxp

W
(c)
Potentiel

VO

xp 0 xn
(d)

Figure 1.37 a) Jonction pn en circuit ouvert, (b) concentrations des porteurs ; noter que NA  ND ,(c) la quantité
de charges stockées de chaque côté de la région de déplétion QJ = |Q+| = |Q–|, (d) la tension interne V0.
1.10 Jonction pn en circuit ouvert 57

La quantité de charges stockées de chaque côté de la région de déplétion peut être exprimée
aussi en termes de W en utilisant les équations (1.47) et (1.51) et on obtient :
QJ = Q+ = Q–

N AN D 
Q J = Aq  --------------------
- W (1.53)
 N A + N D

Enfin, nous pouvons substituer W de l'équation (1.50) pour obtenir

N AN D 
Q J = A 2 s q  --------------------
- V (1.54)
 N A + N D 0

Ces expressions pour QJ se révéleront utiles dans les sections suivantes.

Exemple 1.10

Considérer une jonction pn à l’équilibre à température ambiante (T = 300 K) pour laquelle les concentrations de
dopage sont NA = 1018/cm3 et ND = 1016/cm3 et la surface de la section transversale est A = 10-4 cm2. Calculer pp,
np0, nn, pn0, V0, W, xn, xp et QJ. Utilisez ni = 1,5 × 1010/cm3.

Solution
18 –3
p p  N A = 10 cm
2 2 2 10
n n (1,5  10  2 –3
n p0 = -----i-  ------i- = ------------------------------
18
- = 2,25  10 cm
pp N A 10
16 –3
n n  N D = 10 cm
2 2 10 2
n n (1,5  10  4 –3
p n0 = ----i-  ------i- = ------------------------------
16
- = 2,25  10 cm
nn N D 10

Pour trouver V0 on utilise l’équation (1.46)

 N A N D
VO = V T ln  --------------
-
 n 2i 


–5
kT 8,62  10  300 eV –3
V T = ------ = ------------------------------------------ ------- = 25,9  10 V
q q e

Ainsi,

– 3  10  10 
18 16
V 0 = 25,9  10 ln  --------------------------
- = 0,814 V
 2,25  10 20
58 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Pour déterminer W, nous utilisons l’équation (1.50) :


– 12
2  1,04  10  1 1 -  0,814
W = -------------------------------------
- ---------
- + ---------
– 19  18 16
1,6  10 10 10
–5
= 3,27  10 cm = 0,327 m
Pour déterminer xn et xp, on applique les équations (1.51) et 1.52) respectivement et on obtient :
18
NA 10
x n = W -------------------- - = 0,324 m
- = 0,327 --------------------------
18 16
NA + ND 10 + 10
16
ND 10
x p = W -------------------- - = 0,003 m
- = 0,327 --------------------------
18 16
NA + ND 10 + 10
Finalement, pour déterminer la charge stockée de chaque côté de la région de déplétion on applique l’équation
(1.53) qui conduit à :

– 19  10  10  
18 16
–4 –4
Q J = 10  1,6  10 - 0,327  10
 --------------------------
 10 + 10 
18 16

– 12
= 5,18  10 C = 5,18 pC.

EXERCICES

1.31 Montrer que


N AN D  2
V 0 = ---  ----   --------------------
1 q
- W
 
2 s N A + N D 

1.32 Démontrer que pour une jonction pn pour laquelle la région de type p est beaucoup plus dopée que la région
n, (N A  N D ), les équations (1.50) à (1.53) peuvent être écrites en tant que :

2 s
W  ----------
-V (1.50)
qN D 0

xn  W (1.51)

x p  W   N A  N D (1.52)

Q J  AqN D W (1.53)

Q J  A 2 s qN D V 0 (1.54)

1.33 Que doit-on faire pour fabriquer la jonction pn de l’Exemple 1.10, tout en assurant l’augmentation de la
concentration de porteurs minoritaires de la région de type n par un facteur 2 ?
Réponse : Réduire ND par un facteur égal à 2.
1.11 La jonction pn sous tension externe 59

1.11 La jonction pn sous tension externe


Après avoir étudié en détail la jonction pn en circuit ouvert, on est prêts à aborder la jonction
pn sous tension continue externe entre ses deux bornes afin de définir ses propriétés de
conduction électrique. Si la tension extérieure est appliquée de sorte que le côté p est plus po-
sitif que le côté n, on est dans la situation de la polarisation directe13. À l’inverse, si la tension
appliquée rend le côté n plus positif que le côté p, nous nous retrouvons dans le cas d’une po-
larisation inverse de la jonction pn. Comme on le verra dans les sections suivantes, la jonction
pn présente différentes propriétés de conduction dans un sens et dans l’autre. Nous commen-
çons cette section par une simple description qualitative suivie par une description analytique
de la caractéristique tension-courant de la jonction pn.

1.11.1 Description qualitative du fonctionnement


de la jonction
La Fig. 1.38 montre la jonction pn dans trois situations différentes : (a) en circuit ouvert ou
dans la situation d’équilibre comme étudiée à la section précédente ; (b) en condition de po-
larisation inverse et (c) en état de polarisation directe. Observez que pour le cas en circuit ou-
vert, une barrière de tension V0 se manifeste, ce qui fait que la région n est plus positive par
rapport à la région p limitant ainsi le courant de diffusion ID à une valeur égale au courant de
dérive IS. Ceci implique également un courant nul aux bornes de la jonction. En outre, la bar-
rière de tension V0 n’est pas détectable aux bornes de la jonction.
Considérons maintenant le cas de polarisation inverse illustré par la Fig. 1.38(b). La tension
appliquée de l’extérieur, de polarisation inverse VR est dans la même direction et s’ajoute à la ten-
sion de barrière, augmentant ainsi l’efficacité de cette barrière (V0 + VR). Cela réduit le nombre de
trous qui diffusent dans la région n et le nombre d’électrons qui diffusent dans la zone p. Le résultat
final est que l’amplitude du courant de diffusion ID est considérablement réduite. Comme on le
verra, une tension de polarisation inverse de seulement 1 V est suffisante pour amener ID = 0 A, et
donc, le courant à travers la jonction et à travers le circuit externe sera égal à IS. Rappelons-nous
que IS est le courant de dérive à travers la région de déplétion des porteurs minoritaires générés
thermiquement. On s’attend logiquement à ce que son amplitude soit très petite et fort dépendante
de la température. Nous allons montrer par la suite que c’est bien le cas et nous concluons donc
qu’en état de polarisation inverse, la jonction pn ne présente qu’un très faible courant IS.
Avant de quitter le cas de polarisation inverse, il est à remarquer que l’augmentation de la
barrière de tension sera accompagnée d’une augmentation correspondante de la charge défi-
citaire stockée des deux côtés de la région de déplétion. Physiquement, cela signifie un élar-
gissement de la région de déplétion. Analytiquement, ces mêmes résultats peuvent être
obtenus assez facilement par simple extension des résultats caractérisant l’état d’équilibre de
la jonction pn. Ainsi, afin de trouver la largeur de la région de déplétion, on remplace V0 dans
l’équation (1.50) par (V0 + VR), ce qui donne :

2 s  ------
1 1 
-  V + V 
W = xn + x p = -------  N - + ------ (1.55)
q  A ND  0 R

et la valeur de la charge stockée de chaque côté de la région de déplétion est calculée en rem-
plaçant V0 dans l’équation (1.54) par (V0 + VR) :

 N AND 
-  V 0 + V R
Q J = A 2 s q  -------------------- (1.56)
 NA + ND 

13. Pour l’instant nous allons utiliser la notion de polarisation pour désigner tout simplement l’application d’une
tension continue. Cette notion, comme on le verra dans les chapitres suivants, a un sens plus profond dans la
conception des circuits électroniques.
VR VF

ID ID ID
IS IS IS

p n p n p n
60 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

V0 (V0  VR) (V0  VF)

(a) Circuit ouvert (b) Polarisation inverse (c) Polarisation directe


(situation d’équilibre)

Figure 1.38 La jonction pn : (a) à l’équilibre ; (b) avec polarisation inverse ; (c) avec polarisation directe.
1.11 La jonction pn sous tension externe 61

Nous examinons ensuite le cas de polarisation directe montré à la Fig. 1.38(c). Dans ce
cas, la tension appliquée est VF dans le sens opposé à la barrière de tension V0 ce qui se traduit
par une diminution de sa valeur (V0 – VF). La diminution de la barrière de tension sera accom-
pagnée par un rétrécissement de la région de déplétion et, par conséquent, une diminution de
la largeur W de celle-ci. Plus important encore, l’abaissement de la barrière de tension per-
mettra à un nombre plus important de trous à diffuser de la région p vers la région n et à plus
d’électrons de diffuser de la région n vers la région p. Ainsi, le courant de diffusion ID aug-
mente sensiblement et, comme on le verra, celui-ci peut devenir de plusieurs ordres de gran-
deur plus grand que le courant de dérive IS. Le courant qui s’établit dans le circuit externe est
bien sûr la différence entre ID et IS,
I = ID – IS

et il s'écoule dans la direction de p à n. Nous concluons donc que la jonction pn en polarisation


directe peut conduire un courant important et que ce courant est essentiellement un courant
de diffusion dont la valeur est déterminée par la tension de polarisation directe VF.

1.11.2 Relation courant-tension pour la jonction pn


Nous sommes maintenant en situation de donner une expression analytique qui décrit la rela-
tion courant-tension de la jonction pn. Dans ce qui suit on considère le fonctionnement de la
jonction avec une tension appliquée V en polarisation directe et le but est de trouver une équa-
tion pour définir le courant direct I qui circule de la région p vers la région n.
D'après la description qualitative précédente nous savons que la tension de polarisation
directe V diminue la barrière de tension V0. Ce résultat permet à un plus grand nombre de trous
de franchir la barrière de potentiel et de diffuser dans la région n. Une remarque similaire peut
être faite sur la diffusion des électrons de la région n vers la région p.
Considérons maintenant les trous injectés dans la région n. La concentration de trous dans la
région n se trouvant au bord de la bande de déplétion va augmenter considérablement. Ainsi, la
concentration en régime d’équilibre au bord de la région de déplétion est donnée par l’équation
V VT
p n  x n  = p n0 e (1.57)

L’équation (1.57) montre que la concentration de trous minoritaires augmente par rapport
à sa valeur d’équilibre (voir aussi la Fig. 1.37) vers une valeur importante qui est déterminée
principalement par la valeur de la tension V de la polarisation directe. Nous décrivons cette
situation comme suit : la tension V de polarisation directe conduit à un excès des trous mino-
ritaires (excès de concentration) au point x = xn, selon l’équation suivante :
V  VT
Excès de concentration = p n0 e – p n0

V  VT
= p n0  e – 1 (1.58)

L’augmentation de la concentration des porteurs minoritaires dans les équations (1.57) et (1.58) se
produit au niveau du bord de la région de déplétion (x = xn). À mesure que les trous injectés dif-
fusent dans la partie de type n, certains se recombinent avec les électrons majoritaires et dispa-
raissent. Ainsi, la concentration de trous en excès décroît de manière exponentielle avec la
distance. Par conséquent, la concentration totale des trous dans la partie de type n sera donnée par
– x – xn   L p
p n  x  = p n0 +  Concentration en excès e

La substitution du terme « Concentration en excès » de l’équation (1.58) conduit à :


V  VT – x – xn   L p
p n  x  = p n0 + p n0  e – 1 e (1.59)
62 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

La décroissance exponentielle est caractérisée par la constante Lp qui est appelé la longueur
de diffusion des trous dans la partie de type n. Plus la valeur de la Lp diminue, plus vite les
trous injectés se recombinent avec les électrons majoritaires, ce qui entraîne une diminution
plus rapide de la concentration des porteurs minoritaires.

pn , np
Région de
Région de type p Région de type n
déplétion pn (xn)

Excès de
concentration
pn (x)

np (xp)
np(x) pn0
Valeur d’équilibre thermique
np0

xp 0 xn x

Figure 1.39 La distribution de porteurs minoritaires dans une jonction pn en polarisation directe. Il est
supposé que la région p est plus fortement dopée que la région n, NA  ND.

La Fig. 1.39 présente le profil de la variation de concentration des porteurs minoritaires


en état d’équilibre des deux côtés de la jonction pn dans laquelle N A  N D . Examinons plus
attentivement le phénomène de diffusion des trous dans la région n. Notez que la partie
ombrée en dessous de la courbe exponentielle représente les porteurs minoritaires en excès
(trous). De notre étude effectuée à la Section 1.9 sur la diffusion des porteurs, nous savons
que la mise en place d’un profil de la concentration de porteurs, tel que celui de la Fig. 1.39,
est essentiel pour soutenir un courant de diffusion à l’état d’équilibre. En fait, nous pouvons
maintenant trouver la valeur de la densité de courant qui correspond à la diffusion de trous,
en appliquant l’équation (1.43),
d pn  x 
J p  x  = – qD p ----------------
-
dx

La substitution de pn(x) de l’équation (1.59) conduit à


D V  VT – x – xn   LP
J p  x  = q  ------p  p n0  e – 1 e (1.60)
 LP 

Comme on pouvait s’y attendre, Jp(x) a la valeur la plus élevée pour x = xn,
D V  VT
J p  x n  = q  ------p p n0  e – 1 (1.61)
 Lp

et diminue de façon exponentielle pour x > xn, puisque les trous minoritaires se recombinent
avec les électrons majoritaires. Cependant, cette recombinaison signifie qu’on doit réappro-
visionner la région n en électrons par un courant qui injecte des électrons à partir d’un circuit
externe à la jonction. Cette dernière composante de courant a le même sens que le courant
provoqué par la diffusion des trous. Il s’ensuit qu’à mesure que Jp(x) diminue, le nombre
1.11 La jonction pn sous tension externe 63

d’électrons injectés de l’extérieur augmente, rendant ainsi constant le courant total qui circule
à travers la partie de type n, (voir aussi l’équation 1.61).
Un raisonnement similaire peut être appliqué aux électrons qui sont injectés à partir de la
région n, résultant ainsi en un courant de diffusion d’électrons. Par simple adaptation, l’équa-
tion (1.61) devient pour ce cas :
D V  VT
J n  – x p  = q  -----n- n p0  e – 1 (1.62)
 Ln 

Maintenant, bien que les courants définis par les équations (1.61) et (1.62) se trouvent au ni-
veau des deux bords de la région de déplétion, leurs valeurs ne changent pas dans la bande de
déplétion. Ainsi nous pouvons renoncer à tenir compte des positions (xn) et  – x p . Si on addi-
tionne les deux densités de courant et qu’on multiplie ce résultat par l’aire de section trans-
versale A de la jonction, on obtient le courant total I en tant que :
I = A J p + J n

D D V  VT
I = Aq  ------p p n0 + -----n- n P0  e – 1
 Lp Ln 
2 2
La substitution de p n0 = n i  N D et de n p0 = n i  N A conduit à

2 D p Dn  V  V T
I = Aqn i  -------------- + -------------   e – 1 (1.63)
L
 p D N L nN A 

De cette équation, on remarque que pour une tension V négative (polarisation inverse) avec
une magnitude de quelques fois la valeur VT (25,9 mV), le terme exponentiel devient sensi-
blement nul, et le courant à travers la jonction devient négatif et constant. Sur base de la des-
cription qualitative présentée à la Section 1.11.1, nous savons que ce courant doit être IS.
Ainsi,
V  VT
I = I Se – 1 (1.64)

2 D p Dn 
I S = Aqn i  -------------- + -------------  (1.65)
L
 p D N L nN A 

La Fig. (1.40) montre la caractéristique courant-tension pour la jonction pn (équation


1.64). Dans la direction inverse on assiste à une saturation du courant, sa valeur se stabilise
autour de –IS. Pour cette raison, IS est appelé courant de saturation. De l’équation (1.65), on
retient que IS est directement proportionnel à la surface de section transversale A de la jonc-
tion. Les valeurs typiques pour le courant IS, pour différentes jonctions, se trouvent dans la
– 18 – 12
plage de 10 à 10 A.
En plus d’être proportionnelle à la surface de section transversale A de la jonction,
2
l’expression de IS dans l’équation (1.65) indique que le courant est aussi proportionnel à n i ,
qui est un paramètre fort dépendant de la température, conformément à l’équation (1.26).
64 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

0 V
IS

Figure 1.40 La caractéristique courant-tension d’une jonction pn.

Exemple 1.11

Considérer la jonction pn de l’Exemple 1.10 polarisée en direct, pour laquelle NA = 1018/cm3, ND = 1016/cm3, A = 10-4 cm2,
ni = 1,5 × 1010/cm3, Lp = 5 µm, Ln = 10 µm, Dp (dans la région n) = 10 cm2/V.s et Dn (dans la région p) = 18 cm2/V. s. Le cou-
rant de conduction I = 0,1 mA. Calculer : (a) IS, (b) la tension de polarisation directe V, (c) la composante du courant I due à
l’injection des trous et celle due à l’injection d’électrons à travers la jonction.

Solution
(a) En utilisant l’équation (1.65), on trouve IS :

–4 – 19 10 2  10 18  – 15
I S = 10  1,6  10   1,5  10    -----------------------------------
–4 16 –4 18 = 7,3  10
- + --------------------------------------
- A
 5  10  10 10  10  10 

(b) Dans le sens direct (de polarisation) on a :


V  VT V  VT
I = I Se – 1  I Se

Ainsi,

V = V T ln  ----
I
 I S

Pour I = 0,1 mA,

–3  0,1  10 –3 
V = 25,9  10 ln  -------------------------
- = 0,605 V
 7,3  10 –15

(c) La composante du courant due à l’injection de trous peut être trouvée en utilisant l’équation (1.61)
Dp V  VT
I p = Aq ------ p n0  e – 1
Lp

D p n2 V  V T
= Aq ------ ------i-  e – 1
Lp ND
1.11 La jonction pn sous tension externe 65

De manière similaire I n peut être trouvé à l’aide de l’équation (1.63),


2
D n V  VT
I n = Aq -----n- ------i-  e – 1
Ln N A

Ainsi,

Ip Dp L N
---- =  ------   -----n-   ------A- 
In  Dn   L p   N D 

Pour la situation donnée,

Ip 18
---- = 10
------  10
------  10
2
- = 1,11  10 = 111
---------
I n 18 5 10 16

La plupart du courant est conduit par les trous injectés dans la région n.
Plus précisement,
111
I p = ---------  0,1 = 0,0991 mA
112

1
I n = ---------  0,1 = 0,0009 mA
112
Ce résultat s’explique par le fait que la région p dispose d’une concentration d’environ 100 fois plus élevée que
celle de la région n.

EXERCICES
2 Dp
1.34 Montrer que si N A  N D , alors I S  A qn i -------------
-.
LpN D
1.35 Pour la jonction pn de l’Exemple 1.11, trouver la valeur de IS et celle du courant I pour V = 0,605 V (la même
tension que celle de l’Exemple 1.11 pour un courant I = 0,1 mA) si ND est réduit à moitié.
– 14
Réponse : 1,46  10 A; 0,2 mA.

1.36 Pour la jonction pn considérée dans les Exemples 1.10 et 1.11, trouver la largeur de la région de déplétion W
correspondant à la tension de polarisation directe calculée à l’Exemple 1.11. (Indice: Utilisez la formule indi-
quée par l’équation (1.55) avec VR remplacé par – V F .)
Réponse : 0,166 m.

1.37 Pour la jonction pn considérée dans les Exemples 1.10 et 1.11, trouver la largeur de la région de déplétion W
et la charge stockée dans cette région QJ si une tension de polarisation inverse de 2 V est appliquée. Calculer
la valeur du courant inverse I.
– 15
Réponse : 0,608 m ; 9,63 pC ; 7,3  10 A.
66 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

1.11.3 Tension de claquage


La description du fonctionnement de la jonction pn en polarisation inverse et la relation cou-
rant-tension définie par l’équation (1.64), indiquent que lorsqu’on applique une tension de
polarisation inverse –V, avec V  V T, le courant inverse qui circule à travers la jonction est ap-
proximativement égal à IS et il est donc très faible. Cependant, lorsque l’amplitude de la ten-
sion V de polarisation inverse est augmentée, pour une valeur certaine on constate l’apparition
d’un très fort courant inverse comme indiqué à la Fig. 1.41. Remarquez qu’au moment où V
atteint la valeur VZ, la forte augmentation du courant inverse est accompagnée d’une très lé-
gère augmentation de la tension inverse ; ceci dénote le fait que la tension inverse à travers la
jonction reste très proche de la valeur VZ. Le phénomène qui se produit à V = VZ est connu
sous le nom de claquage de la jonction. Ce n’est pas un phénomène destructeur. Autrement
dit, la jonction pn peut fonctionner à répétition dans la région de claquage sans effet perma-
nent et destructeur sur ses caractéristiques. Ceci, cependant, repose sur l’hypothèse théorique
selon laquelle l’amplitude du courant inverse de claquage est limitée par le circuit externe à
une valeur dite de sécurité. La valeur de sécurité est celle qui résulte de la limitation de la puis-
sance dissipée dans la jonction à un niveau de sécurité admissible.

VZ
0 V

Figure 1.41 La caractéristique courant-tension de la jonction pn montrant l’augmentation rapide du cou-


rant inverse dans la région de claquage.

Il existe deux mécanismes possibles pour le claquage d’une jonction pn: par l’effet
Zener14 et par l’effet d’avalanche. Si une jonction pn présente un claquage pour une tension
de claquage VZ < 5 V, le mécanisme de claquage est dû principalement à l’effet Zener. Le cla-
quage par l’effet d’avalanche se produit lorsque VZ est supérieure à 7 V. Pour des tensions
entre les deux valeurs, le mécanisme de claquage peut être soit de l’effet Zener soit de l’effet
d’avalanche ou une combinaison des deux.
Le claquage dû à l’effet Zener se produit lorsque le champ électrique dans la région de
déplétion augmente jusqu’à la limite de rupture des liaisons covalentes. Les électrons générés
ainsi sont entraînés par le champ électrique et dirigés vers la région n tandis que les trous sont
poussés vers la région p de la jonction. De cette manière, les électrons et les trous constituent

14. Nommé d’après le physicien C. M. Zener qui fut le premier à décrire le phénomène des isolants électriques. No-
tez que l’indice Z dans VZ dénote Zener. Nous allons utiliser VZ pour désigner la tension de claquage si le mé-
canisme de claquage est l’effet Zener ou l’effet d'avalanche.
1.12 Effets capacitifs dans la jonction pn 67

un courant inverse à travers la jonction. Une fois l’effet Zener démarré, un grand nombre de
transporteurs seront générés, et par conséquent on constate une augmentation négligeable de
la tension de jonction. Ainsi, le courant inverse dans la région de claquage devient important,
sa valeur étant déterminée par le circuit externe, tandis que la tension inverse qui apparaît
entre les bornes de la diode reste proche de la tension de claquage spécifié VZ.
Le claquage provoqué par l’effet d’avalanche d’autre part, se produit lorsque les porteurs
minoritaires qui traversent la région de déplétion sous l’influence du champ électrique dis-
posent d’une énergie cinétique suffisante pour être en mesure de casser les liaisons covalentes
dans les atomes avec lesquels ils entrent en collision. Les porteurs libérés par ce processus
peuvent disposer d’une énergie suffisamment élevée pour être en mesure de provoquer la libé-
ration d’autres porteurs suite à d’autres collisions ionisantes. Ce processus ne cesse de se
répéter, identiquement à une avalanche, de sorte que nombreux porteurs libres sont créés et
sont capables de soutenir n’importe quelle valeur de courant inverse, tel que déterminé par le
circuit externe, avec en même temps un changement négligeable dans la chute de tension aux
bornes de la jonction.
Comme on le verra dans le Chapitre 3, certaines diodes à jonction pn sont fabriquées pour
fonctionner spécifiquement dans la région de claquage, pour une tension VZ de claquage par
effet Zener bien spécifiée.

1.12 Effets capacitifs dans la jonction pn


Il existe deux mécanismes de stockage des charges dans la jonction pn. L’un d’entre eux est
associé au stockage dans la région de déplétion, l’autre est associé au stockage de charges des
porteurs minoritaires dans les matériaux de type n et p, corollaire aux profils de concentration
établis par l’injection de porteurs. Alors que le premier mécanisme de stockage est plus faci-
lement mis en évidence quand la jonction pn est polarisée en inverse, le second se manifeste
seulement lorsque la jonction est polarisée en direct.

1.12.1 Capacitance de jonction ou de déplétion


Quand une jonction pn est polarisée en inverse avec une tension VR, la charge stockée de
chaque côté de la région de déplétion est donnée par l’équation (1.56),

N AN D
-V + V R
Q J = A 2 s q --------------------
NA + ND 0

Ainsi, pour une jonction pn donnée,

QJ =  V 0 + V R (1.66)

où  est donné par

N AN D
 = A 2 s q --------------------
- (1.67)
NA + ND

Ainsi, QJ est liée à VR d’une façon non linéaire, comme illustré à la Fig. (1.42). À cause de la non-
linéarité de cette relation, il est difficile parfois de définir une capacitance afin de caractériser les
modifications de QJ chaque fois que VR change. Nous pouvons, cependant, supposer que la jonc-
tion fonctionne dans un point Q, comme indiqué à la Fig. 1.42, et définir une capacitance Cj qui
tient compte des changements de la charge QJ par rapport aux modifications de VR.

dQ
C j = ---------J- (1.68)
dV R
V R =V Q
68 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Charge stockée par la région de déplétion, QJ


Pente CJ
Q

Point de polarisation

0 VQ Tension inverse,VR

Figure 1.42 La charge stockée de chaque côté de la bande de déplétion en fonction de la tension de pola-
risation inverse VR.

Cette approche progressive afin de définir la capacitance s’avère très utile dans l’étude des
circuits électroniques, comme on pourra le constater tout au long de ce livre
L’utilisation de l’équation (1.68) avec l’équation (1.66) conduit à :

 (1.69)
C j = ---------------------------
2 V0 + VR

La valeur de Cj qui correspond à une tension nulle de polarisation inverse peut être obtenue à
partir de l’équation (1.69) en tant que


C j0 = ------------- (1.70)
2 V0

ce qui nous permet d’exprimer Cj

C j0
C j = -------------------- (1.71)
V
1 + ------R
V0

où Cj0 est donnée par l’équation (1.70) ; si on substitue pour  de l’équation (1.67) on obtient :

 s q  N A N D   1 
C j0 = A  ------- --------------------- ------- (1.72)
 2   N A + ND  V0 

Avant de quitter le sujet de la capacitance de déplétion ou de jonction, il faut souligner que,


dans la jonction pn que nous avons étudié, la concentration de dopage est l’outil adopté afin
de provoquer des changements drastiques dans la région avoisinant la jonction. Une telle
jonction est aussi appelée jonction abrupte. Il existe un autre type de jonction pn dans la-
quelle la concentration des porteurs est modifiée graduellement d’un côté de la jonction ou
de l’autre. Pour une jonction graduée, la formule de calcul pour trouver la capacitance peut
être écrite sous la forme plus générale

C j0
C j = -------------------------
m
- (1.73)
1 + V R
------
 V0 
1.12 Effets capacitifs dans la jonction pn 69

où m est une constante appelée coefficient de classement (grading coefficient), dont la valeur
varie de 1/3 à 1/2 en fonction de la manière dont les concentrations changent du côté p vers
le côté n de la jonction.

EXERCICE

1.38 Pour la jonction pn considérée dans les Exemples 1.10 et 1.11, trouver Cj0 et Cj à VR = 2 V. Prendre
V0 = 0,814 V, NA = 1018/cm3, ND = 1016/cm3 et A = 10-4cm2.
Réponse : 3,2 pF; 1,7 pF.

1.12.2 Capacitance de diffusion


Considérons une jonction pn polarisée en direct. Dans l’état d’équilibre, la distribution des
porteurs minoritaires dans les matériaux de type p et n s’effectue comme à la Fig. 1.39. Ainsi,
une certaine quantité de porteurs minoritaires de charge en excès est stockée dans chacune
des régions p et n (en dehors de la région de déplétion). Si la tension V appliquée aux bornes
change, cette charge devra changer avant qu’un nouvel état d’équilibre soit atteint. Ce phéno-
mène d’accumulation de charges donne lieu à un autre effet capacitif, nettement différent de
celui que nous avons constaté dans la région de déplétion.
Pour calculer la charge de porteurs minoritaires en excès, on se rapporte à la Fig. 1.39. La
charge de trous en excès stockée dans la région n peut être trouvée dans la zone ombragée se
trouvant en dessous de la courbe exponentielle, comme suit15 :
Qp = Aq × [aire de la zone ombragée en-dessous de la courbe pn(x)] = Aq[pn(xn) – pn0] Lp
substituant pour pn(xn) de l’équation (1.57) et en utilisant l’équation (1.61), nous pouvons ex-
primer Qp comme suit :
2
Lp
Q p = ------ I p (1.74)
Dp
2
Le facteur  L p  D p  qui se rapporte à Qp et Ip est un paramètre très utile. Ce paramètre a des
dimensions du temps (s) et est notée p:
2
Lp
 p = ------ (1.75)
Dp

Ainsi,
Q p =  pI p (1.76)

La constante de temps p est connue sous le nom de durée de vie des porteurs minori-
taires en excès (trous). Il s’agit en fait du temps moyen nécessaire pour qu’un trou injecté
dans la région n se recombine avec un électron majoritaire. Cette définition de p implique
que l’entièreté de la charge Qp disparaît et elle doit être reconstituée toutes les p secondes.
Dès lors, le courant accomplissant le réapprovisionnement en charges est Ip = Qp/p. C’est une
variante de l’équation (1.76).
Une relation similaire à celle indiquée par l’équation (1.76) peut être établie pour la
charge des électrons stockés dans la région p,
Qn = n I n (1.77)

15. Rappelez-vous que l’aire en-dessous d’une courbe exponentielle de type Ae-x/B est égale à AB.
70 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

où n représente la durée de vie des électrons dans la région p. La charge totale des porteurs
minoritaires en excès peut être calculée maintenant en additionnant Qp et Qn,
Q =  p I p + n I n (1.78)

La charge totale peut être exprimée en des termes qui correspondent au courant d’une diode
I = Ip + In, en tant que
Q = T I (1.79)

où T est appelé le temps moyen de transit de la jonction. De toute évidence, T est liée à p
et n. En outre, pour la plupart des situations pratiques, un côté de la jonction est beaucoup
plus dopé que l'autre. Par exemple, si N A  N D , on peut montrer que I p  I n, I  I p , Q p  Q n,
Q  Q p et donc  T   p .
Pour de petits changements autour du niveau de polarisation, nous pouvons définir une
capacitance de diffusion progressive Cd en tant que :

dQ
C d = ------- (1.80)
dV
et montrer aussi que
T 
C d =  -------
- I (1.81)
VT 

où I est le courant de polarisation directe. Remarquer que Cd est directement proportionnel au


courant direct I et ainsi il est négligeable lorsque la diode est polarisée en inverse. À noter
également que pour garder Cd petit, le temps de transit T doit avoir une très petite valeur, ce
qui constitue une condition importante pour une jonction pn destinée à un fonctionnement ra-
pide ou a très haute fréquence.

EXERCICE

1.39 Utiliser la définition de Cd donnée par l’équation (1.80) pour obtenir l’expression de l’équation (1.81) à
l’aide des équations (1.79) et (1.64).

1.40 Pour la jonction pn considérée dans les Exemples 1.10 et 1.11, si Dp = 10 cm2/V.s et Lp = 5 µm, trouver
p et Cd pour un courant de polarisation directe de 0,1 mA. Pour ce type de jonction Ip  I.
Réponse : 25 ns; 96,5 pF.
Résumé 71

RÉSUMÉ
 Une source de signal électrique peut être représentée soit tension, de courant, de transconductance, de transrésistance.
par l’équivalent de Thévenin (la source vs de tension en série Pour les modèles des circuits et pour les caractéristiques
avec la résistance de source Rs) soit par l’équivalent de Nor- idéales de ces quatre types d’amplificateurs, se reporter au
ton (une source de courant is en parallèle avec la résistance Tableau 1.1. Un amplificateur peut être modélisé par n’im-
de source Rs). La tension de Thévenin vs est la tension en cir- porte lequel des quatre modèles, raison pour laquelle leurs pa-
cuit ouvert entre les bornes de la source ; le courant de Nor- ramètres respectifs sont liés par les équations (1.14) à (1.16).
ton is est égal au courant de court-circuit entre les bornes de
 Une sinusoïde est le seul signal dont la forme d’onde reste
la source. Pour que les deux représentations soit équiva-
inchangée à travers un circuit linéaire. Les signaux sinusoï-
lentes, vs doit être égal au produit Rsis.
daux sont utilisés pour mesurer la réponse en fréquence des
 Un signal peut être représenté soit par sa fonction d’onde amplificateurs.
temporelle ou en tant que somme des sinusoïdes. La der-
 La fonction de transfert T(s) = V0(s)/Vi(s) d’un amplifica-
nière représentation est connue sous le nom de spectre de
teur de tension peut être déterminée à l’aide de l’analyse des
fréquences du signal.
circuits. En substituant s = j, on a T (j), dont l'amplitude
 Le signal sinusoïdal est complètement caractérisé par sa va- |T(j)| est la réponse en amplitude, et dont la phase () est
leur de crête (ou valeur efficace qui est l’amplitude divisée la réponse en phase de l’amplificateur.
par 2 ), sa fréquence ( en rad/s ou f en Hz;  = 2f et
 Les amplificateurs sont classés en fonction de la forme de
f = 1/T, où T est la période en secondes), et sa phase est dé-
leur réponse en fréquence, |T(j)|. Reportez-vous à la
finie par rapport à un temps de référence arbitraire.
Fig. 1.26.
 Les signaux analogiques ont des amplitudes qui peuvent
 Les réseaux ou circuits à constante unique de temps (CTU)
prendre n’importe quelle valeur. Les circuits électroniques
sont composés (ou peuvent être réduits) d’un composant ré-
qui traitent les signaux analogiques sont appelés circuits
actif (L ou C) et un résistor (R). La constante de temps  est
analogiques. Échantillonner l’amplitude d’un signal analo-
soit L/R, soit CR.
gique à des instants discrets du temps et représenter chaque
échantillon du signal par un nombre résulte en la production  Les réseaux CTU peuvent être classés en deux catégories :
d’un signal numérique. Les signaux numériques sont traités les passe-bas (LP) et les passe-haut (HP). Un réseau LP
par des circuits numériques. laisse passer le signal de c.c. et les signaux de basse fré-
quence, en atténuant les signaux de haute fréquence. Le
 Les signaux numériques les plus simples sont obtenus lors-
contraire est valable pour les réseaux HP.
qu’on utilise le système binaire. Un signal numérique indi-
viduel prend alors une des deux valeurs possibles : valeur  Le gain d’un circuit CTU (LP ou HP), diminue de 3 dB pour
haute ou valeur basse (par exemple 0 V et +5 V), correspon- la fréquence de coupure 0 = 1/ supérieure à la fréquence
dant aux états logiques 0 et 1, respectivement. nulle (ou inférieure à la fréquence infinie). Aux hautes fré-
quences (basses fréquences) le gain diminue d’un taux de
 Un convertisseur analogique-numérique (CAN) fournit à sa
6 dB/octave ou 20 dB/décade. Se reporter au Tableau 1.2 et
sortie les chiffres du nombre binaire qui représente l’échan-
aux Fig. 1.23 et 1.24. De plus amples détails sont donnés à
tillon du signal analogique appliqué à son entrée. Les si-
l’Annexe E.
gnaux à la sortie numérique peuvent alors être traités en
utilisant des circuits numériques. Reportez-vous à la  Aujourd’hui, la technologie microélectronique est presque
Fig. 1.10 et à l'équation (1.3). entièrement basée sur l’utilisation du silicium en tant que
semiconducteur. Pour la fabrication d’un circuit intégré mo-
 La caractéristique de transfert, v0 en fonction de vp, d’un am-
nolithique (IC), on utilise du silicium monocristallin. Avec
plificateur linéaire est une ligne droite avec une pente égale
la technologie actuelle on est arrivé à réaliser des circuits in-
au gain de tension. Reportez-vous à la Fig. 1.12.
tégrés (puces) contenant jusqu’à 2,3 milliards de transistors
 Les amplificateurs augmentent la puissance du signal et né- individuels.
cessitent donc une alimentation à c.c. pour assurer leur
 Dans un cristal de silicium intrinsèque ou pur, les atomes
fonctionnement.
sont maintenus en position par des liaisons covalentes. À
 Le gain de tension de l’amplificateur peut être exprimé des températures très basses, toutes les liaisons sont in-
comme rapport Av, en V/V ou en décibels, 20 log |Av|, dB. tactes, et aucun porteur de charge n’est disponible pour
De même, pour le gain de courant on utilise le rapport Ai, en conduire du courant électrique. Ainsi, à basses tempéra-
A/A ou 20 log |Ai|, dB. Pour le gain de puissance Ap, les uni- tures, le silicium se comporte comme isolant.
tés de mesure sont W/W ou 10 log Ap, dB.
 À température ambiante, l’énergie thermique fait en sorte
 En fonction de la nature du signal à amplifier (tension ou cou- qu’une partie des liaisons covalentes soit brisées, générant
rant) et forme souhaitée du signal de sortie (tension ou cou- ainsi des électrons libres et des trous qui deviennent dispo-
rant), il existe quatre types d’amplificateurs de base : de nibles pour la conduction du courant.
72 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

 Le courant dans les semiconducteurs s’établit indifférem-  Le courant de diffusion ID est dû à la diffusion des trous,
ment par le flux d’électrons libres ou par celui des trous. Le ceux-ci se déplacent à partir de la région de type p vers la
nombre des porteurs de charge positive et négative est égal région de type n et en même temps, à la diffusion des élec-
dans le silicium intrinsèque. trons partant de la zone n vers la région p. Le courant ID cir-
cule à partir de la région p vers la zone n – sens qui est
 La conductivité du silicium peut être augmentée de façon
considéré direct pour la jonction. L’amplitude de ID dépend
spectaculaire par l’introduction de petites quantités d’impu-
de V0.
retés dans le cristal de silicium. Ce processus s’appelle do-
page.  Le courant de dérive IS est dû aux électrons minoritaires
produits suite au processus de génération thermique dans la
 Il existe deux types de semiconducteur dopé : le type n pour
région p et qui sont poussés à travers la jonction vers la ré-
lequel les électrons sont majoritaires, et le type p dans le-
gion n, en même temps avec le déplacement des trous mino-
quel les trous sont majoritaires.
ritaires, résultat du même processus thermique et balayés à
 Il existe deux mécanismes pour le déplacement des porteurs travers la bande de déplétion du côté n vers la région p. Par
de charge dans un semiconducteur : la dérive et la diffusion conséquent, le sens du courant IS est de n vers p, et sa valeur
de charges. dépend fortement de la température mais est indépendant de
V0.
 La dérive des porteurs de charge se produit lorsqu’un
champ électrique E s’applique à travers un morceau de sili-  La polarisation directe de la jonction pn signifie qu’on ap-
cium. Le champ électrique accélère les trous dans la direc- plique à ses bornes une tension V extérieure à la jonction,
tion du champ électrique tandis que les électrons sont de façon à rendre la région p plus positive que la région n.
poussés dans la direction opposée à E. Ces deux compo- Ainsi, on diminue le potentiel de la barrière de tension à
santes de courant s’additionnent afin de constituer ensemble (V0 – V) qui se traduit par une augmentation exponentielle
le courant de dérive dans la direction de E. du courant ID tandis que le courant IS reste inchangé. Le ré-
sultat net est l’apparition d’un courant important, le cou-
 La diffusion des porteurs se produit lorsque leur concentra- rant I = ID – IS qui circule à travers la jonction et le circuit
tion varie d’une région à l’autre du cristal de silicium. Pour extérieur.
établir un courant de diffusion à l’état d’équilibre, un gra-
dient de concentration de charges doit être maintenu à l’in-  Si on applique une tension V négative, de polarisation in-
térieur du cristal de silicium. verse, le résultat est une augmentation de la barrière de ten-
sion et par conséquent, le courant ID s’annule, ce qui signifie
 Une structure de base des semiconducteurs est la jonction que le courant traversant la jonction et donc le circuit exté-
pn. La jonction est réalisée dans un cristal de silicium en rieur devient extrêmement faible. Ce courant est appelé
créant une région de type p juxtaposée à une région de type courant inverse.
n. La jonction pn est une diode et joue un rôle déterminant
dans la structure et le fonctionnement des transistors.  Si l’amplitude de la tension inverse est augmentée jusqu’à
la valeur VZ, spécifique à chaque jonction, la jonction pré-
 Lorsque les bornes d’une jonction pn sont en circuit ouvert, sente le phénomène de claquage et le courant inverse aug-
aucun courant ne circule dans le circuit extérieur. Cepen- mente d’une façon exponentielle. La valeur de ce courant
dant, deux courants égaux et opposés, ID et IS, circulent à tra- inverse est limitée seulement par le circuit externe.
vers la jonction. L’état d’équilibre est maintenu par une
différence de potentiel interne V0 qui se développe à travers  Lorsque l’on modifie la tension aux bornes d’une jonction
la jonction, avec la polarité positive du côté de type n. No- pn, un certain temps doit s’écouler avant que l’état d’équi-
tez, cependant, que la tension aux bornes d’une jonction ou- libre ne soit atteint. Cette situation est due à l’effet d’accu-
verte est de 0 V, puisque V0 est compensé par la différence mulation des charges dans la jonction, phénomène qui est
de potentiel de contact entre l’interface de connexion métal- modélisé par deux capacitances : la capacitance de jonction
lique et le semiconducteur. Cj et la capacitance de diffusion Cd.

 La différence de potentiel V0 se manifeste uniquement dans  Pour rappel, on présente dans le Tableau 1.3 le résumé des
la région de déplétion qui se trouve dans la proximité immé- relations et valeurs des constantes physiques associées.
diate de la jonction.
Résumé 73

Tableau 1.3 Résumé des équations importants en physique des semiconducteurs

Valeurs des constantes et


Quantité Relation des paramètres
(pour Si intrinsèque à T = 300 K)
Concentration des porteurs 3/2 – E g  2kT B  7,3  10 cm K
15 –3 – 3/2
n i  BT e
dans le silicium intrinsèque (cm–3)
E g  1,12 eV
k  8,62  10 eV/K
–5

n i  1,5  10 /cm
10 3

Densité du courant dp q  1,60  10


– 19
J p  – qD p ------ coulomb
de diffusion (A/cm2) dx
D p  12 cm /s
2
dn
J n  qD n ------
D n  34 cm /s
2
dx

Densité du courant J drift  q  pμ p  nμ n E μ p  480 cm /Vs


2

de dérive (A/cm2)
μ n  1350 cm /Vs
2

Résistivité ( cm) ρ  1   q  pμ p  nμ n   μp et μn diminuent avec l’augmentation


du taux de dopage
Relation entre D D
la mobilité et la diffusivité -----n-  ------p  V T V T  kT  q  25,8 mV
μn μp

Concentration de porteurs n n0  N D
dans le silicium de type n (cm –3 )
p n0  n i  N D
2

Concentration de porteurs dans le p p0  N A


silicium de type p (cm–3 )
n p0  n i  N A
2

Tension interne
V 0  V T ln  --------------
N A N D
-
de jonction (V)  2 
ni

Largeur de la région x N
de déplétion (cm) ----n-  ------A-
xp ND
ε s  11,7ε 0
W  xn  x p
ε 0  8,854  10
– 14
F/cm
-------s  ------
2ε 1 1 -  V  V 
 -  ------
q  N A N D 0 R

Charge stockée dans la région N AND


de déplétion (coulomb) Q J  q --------------------
- AW
NA  ND

Courant direct (A) I  I p  In


2 Dp V  VT
I p  Aq n i -------------  e – 1
LpN D
2 Dn V  VT
I n  Aq n i ------------
-e – 1
Ln N A
74 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs

Tableau 1.3 Résumé des équations importants en physique des semiconducteurs

Valeurs des constantes et


Quantité Relation des paramètres
(pour Si intrinsèque à T = 300 K)
Courant de saturation (A)
2
Dp Dn 
I S  Aq n i  -------------  ------------
-
L N Ln N A 
 p D 

Relation courant – tension V  VT


I = I Se – 1

Durée de vie τp  Lp  Dp
2
τn  Ln  Dn
2 L p L n  1 m to 100 m
des porteurs minoritaires (s)
τ p τ n  1 ns to 10 ns
4

Charge stockée par Qp  τpI p Qn  τn I n


les porteurs minoritaires
Q  Q p  Qn  τT I
(coulomb)
Capacitance de déplétion (F)
ε s q  N A N D  1
C j0  A  ------
- --------------------- ------
 2  NA + N  V0
D

V m
C j  C j0  1  ------R 1 1
m  --- to ---
 V 0 3 2

Capacitance de diffusion (F) τT 


C d   ------ I
 V T
Problèmes à résoudre 75

PROBLÈMES À RÉSOUDRE

CHAPITRE 1 PROBLÈMES À RÉSOUDRE


Les problèmes qui se réfèrent à la conception des circuits sont plus petite valeur des deux résistors. Souvent, en particulier au
marqués par un D. En outre, les problèmes sont marqués par cours de test d’un circuit, un résistor est déjà connecté, situation
des astérisques, afin de signaler leur degré de difficulté. Les dans laquelle le deuxième résistor à connecter en parallèle, est
problèmes difficiles sont marqués d’un astérisque (*); les pro- dit shunter le premier. Si le résistor d’origine est de 10 k,
blèmes plus difficiles avec deux astérisques (**), et les très dif- quelle doit être la valeur du résistor shunt pour réduire la valeur
ficiles, avec trois astérisques (***). En outre, si au cours de la du groupement de 1%, 5%, 10% et 50% ? Quels seront les
résolution des problèmes on a besoin d’appliquer des para- résultats si le résistor à shunter est de 10 k et le résistor de
mètres particuliers ou des constantes physiques qui ne sont pas manœuvre est de 1 M, 100 k et 10 k ?
indiquées dans l’énoncé, consulter le Tableau 1.3.
Diviseur de tension
Notions de base des circuits
1.5 La Fig. P1.5(a) montre un diviseur de tension à deux résis-
En tant que révision des éléments de base de l’analyse des cir- tors. Son rôle est de fournir au nœud X une tension V0 (plus
cuits, donnant au lecteur la possibilité d’évaluer son état de pré- petite que celle fournie par la source d’alimentation VDD). Le
paration pour l’étude des circuits électroniques, cette section circuit en discussion est équivalent à celui représenté par la
présente un certain nombre de problèmes d’analyse des circuits. Fig. P1.5(b). Remarquez que ce dernier est l’équivalent de
Pour un résumé sur les théorèmes de Thévenin et de Norton, Thévenin du diviseur de tension d’origine. Trouver les équa-
reportez-vous à l'Annexe D. Les problèmes sont regroupés par tions pour définir correctement V0 et R0.
catégories.

Résistance électrique et loi d’Ohm VDD

1.1 La loi d’Ohm met en relation V, I et R pour un résistor.


Pour chacune des situations suivantes, trouver l’élément
R1
manquant :
X RO X
(a) R = 1 k, V = 10 V VO
(b) V = 10 V, I = 1 mA
(c) R = 10 k, I = 10 mA R2 VO
(d) R = 100 , V = 10 V
1.2 La loi d’Ohm et l’équation de la puissance dissipée par RO
une résistance met en relation V, I, R et P, ce qui conduit à deux
variables indépendantes. Pour chaque paire de paramètres iden- (a) (b)
tifiée ci-dessous, trouver les deux autres éléments manquants :
Figure P1.5
(a) R = 1 k, I = 10 mA
(b) V = 10 V, I = 1 mA
(c) V = 10 V, P = 1 W 1.6 Un diviseur de tension composé de deux résistors, un de
(d) I = 10 mA, P = 0,1 W 3,3 k et l’autre de 6,8 kest relié à une source d’alimentation
(e) R = 1 k, P = 1 W de 9 V et doit fournir au consommateur une tension de 3 V.
Dessiner le circuit. En utilisant les données numériques de
l’énoncé, calculer la valeur exacte de la tension du diviseur
Groupement de résistors
ainsi que la valeur du résistor R0 (comme pour le problème pré-
1.3 On dispose de trois résistors dont les valeurs sont : 10 k, cédent). Si les résistors utilisés présentent une tolérance de
20 k et 40 k. Combien de valeurs différentes pouvez-vous fabrication de ± 5%, quelle est la plage de variation de la ten-
créer à l’aide des groupements en série et en parallèle de ces sion de sortie et quelles sont les valeurs extrêmes pour le résis-
trois résistors ? Inscrivez les résultats dans l’ordre des valeurs. tor R0 qui peuvent en résulter ?
Soyez minutieux et organisé. (Indice : Dans votre recherche,
1.7 On dispose de trois résistors de 10 k et une batterie de
examiner d’abord tous les groupements en parallèle, puis en
9 V dont la borne négative est connectée à la masse. Avec un
série et finalement considérer les groupements série-parallèle
diviseur de tension qui utilise une partie ou l’ensemble des
dont il existe, pour ce cas, deux types).
résistors, combien de valeurs de tension positive mais infé-
1.4 Dans l’analyse et pendant l’évaluation des circuits électro- rieures à 9 V peuvent être obtenues ? Mentionner, pour chaque
niques, il est souvent utile de grouper deux résistors en parallèle situation, quelle sera la valeur du résistor de sortie (c’est-à-dire
pour obtenir une valeur non standard, qui est plus petite que la la résistance équivalente de Thévenin).
Index IN-1

Index
Nombres étage d’entrée, 899
étage de sortie, 900
0 logique mémorisé, 1296 gain en petit signal, 921
1 logique mémorisé, 1296 gain global, 921
gain global de tension en circuit ouvert, 918
A limites de la tension de sortie, 917
méthode de réduction de Gm, 926
Alimentation modèle équivalent en petit signal, 918
négative, 634 modèle simplifié, 923
positive, 634 paramètres des transistors, 900
Ampli op, 87–140 plage d’entrée en mode commun, 905
fonctions et caractéristiques, 89 polarisation de l’étage d’entrée, 902
Ampli op bipolaire, 871 polarisation de l’étage de sortie, 906
Ampli op CMOS, 871 polarisation du deuxième étage, 906
à deux étages, 872–886 réponse en fréquence, 921, 922
circuit équivalent simplifié, 878 résistance d’entrée deuxième étage, 914
CMRR, 877 résistance de sortie deuxième étage, 915
gain en tension, 874 saturation de l’étage d’entrée, 924
le circuit, 873 tension d’offset d’entrée, 905
marge de phase, 878 transconductance du deuxième étage, 915
plage d’entrée en mode commun, 873 vitesse de balayage, 921
réponse en fréquence, 877 Amplificateur
swing à la sortie, 873 à base commune (CB), 306–308
taux de rejet d’ondulation d’alimentation (PSRR), 882 à BJT, configuration de base, 292–315
vitesse de balayage, 880 à circuits intégrés (CI), cellule de base de gain, 473
cascode repliée, 887–897 à collecteur commun (CC), 308–315
élargir la plage de tension de sortie, 896 à couplage capacitif, 125
gain de tension, 890 à couplage direct, 90
le circuit, 887 à drain commun, 447
opération rail-à-rail à l’entrée, 894 à émetteur commun (CE), 28, 294, 297–306
plage d’entrée en mode commun, 889 à gain unitaire, 104
réponse en fréquence, 891 à grille commune (CG), 444
swing à la sortie, 889 à MOS et à composants discrets, 440–449
vitesse de balayage, 892 à MOSFET, configurations de base, 418–431
Ampli op de transconductance (OTA). Voir Ampli op à plusieurs étages, 626–640
CMOS cascode repliée à plusieurs pôles, 840
Ampli op µ741 à source commune (CS), 442
analyse en petit signal, 908 cascode, 486–506
circuit de polarisation, 897 cascode, répartition du gain global, 494
circuit de protection contre court-circuit, 921 CE à source de courant, 473
circuit équivalent du deuxième étage, 916 CMOS à deux étages
courant de polarisation d’entrée, 905 analyse à l’aide du gain de courant, 639
courant de référence de polarisation, 902 circuit de polarisation, 631
courants d’offset, 905 gain de tension, 628
courants de polarisation de collecteur, 908 réponse en fréquence, 747
deuxième étage, 900 tension d’offset d’entrée, 630
IN-2 Index

couplé, 39 graphique, 172


d’erreur, 1116 itérative, 171
d’instrumentation, 109 rapide, 173
de bande large, 738–746 Angle de phase, 8
configurations CC–CB et CD–CG, 744 Anode, 52, 159
configurations CD–CS, CC–CE et CD–CE, 741 Appariement des résistances de drain, 583
par dégénérescence de source et d’émetteur, 738 Approximation
de classe A, 1093 de bande étroite, 1020
de classe AB, 1093 de Miller, 702, 709
de classe C, 1093 du filtre, 957
de courant, 26 en petit signal, 177, 274
de courant à rétroaction, 781 Atténuateur compensé, 82
de lecture, 1318 Atténuation
à rétroaction positive, 1318 à deux pôles, 866
fonctionnement, 1321 unipolaire, 866
de puissance, 1091 Autotransformateur, 1015
de puissance à CI, 1135 Avalanche faible, phénomène d’~, 451
à ampli op, 1139 Axe du plan s, 834
à gain fixe, 1135
le circuit LM380, 1135
de signal, 14 B
de tension, 14 Balancement de tension. Voir Swing
de tension à rétroaction, 783 Bande
de transconductance, 26 audio, 10
différentiel, 105–114, 563 interdite du filtre, 955
différentiel à charge active passante, 31, 90, 660
à sortie unique, 612 à pleine puissance, 139
différentiel-in-différentiel-out, 611 du filtre, 955
différentiel à gain unité, 149 Bande moyenne. Voir Mi-bande
différentiel à un seul ampli op, 106 Barrière de tension, 53
en cascade, 23 Bascule
en cascode, 473 bistable, 1051–1057
en circuit ouvert, 22 CMOS flip-flop SR, 1297
en pont, 1140 MOS flip-flop SR cadencé, 1302
idéal de tension, 22 set/reset (SR), 1296
intégrateur inverseur, 116 type D, 1302
LC accordé, 1012 Biquad
logarithmique, 1087 à amplificateur unique (SAB), 996
multipolaire, 851 à deux intégrateurs, 994
opérationnel compensé de l’intérieur, 131 KHN, 992
opérationnel idéal, 90 Tow-Thomas, 995
passe-bas, 39 Bit
sommateur pondéré, 100 de signe, 78
symétrique saturé, 78 le moins significatif, 78
tampon, 23, 103 le plus significatif, 78
unilatéral, 297 Bord
Amplificateur en c.c. Voir Amplificateur couplé de la bande d’arrêt, 956
Amplificateur opérationnel. Voir Ampli op. de la bande passante, 956
Amplification du signal, 4 Borne d’entrée
Amplification linéaire, 267 inverseuse, 89
Analyse non-inverseuse, 89
en petit signal, 289 Boucle
fréquentielle, 32 biquadratique, 991
Index IN-3

de rétroaction de l’oscillateur, 1032 Cellule 6T. Voir Cellule de mémoire statique


équivalente de rétroaction, 1001 à six transistors
Brouillage. Voir Code de conversion Cellule de mémoire
Bruit du secteur d’alimentation, 776 dynamique (DRAM), 1294
capacitance de stockage, 1315
cellule à transistor unique, 1315
C rafraîchissement, 1315
Câblage, 1223 transistor d’accès, 1315
Canal implanté, 454 statique (SRAM), 1294
Capacitance à six transistors, 1309
commutée équivalente, 1009 Cellule de stockage. Voir Cellule de mémoire
d’intégration, 945 Chaîne
de chevauchement, 673 d’amplification, 79
de compensation, 848 de diodes, 180
de déplétion, 68, 678 Charge à source de courant, 475
de diffusion, 70 Charge active. Voir Charge à source de courant
de jonction, 72, 673 Charge liée, 43
de Miller, 690 Chemin de mise à la masse, 126
de rétroaction, 852 Chemin de rétroaction, 116
grille-canal, 673 Chute de tension par diode, 168
grille-substrat, 673 CI Voir Circuit intégré
source-substrat, 672 Circuit
Capacité interne, 38 à constante de temps unique (CTU), 32
Caractéristique à diodes, 157
de la diode, 158 à signaux mixtes, 882
de transfert, 15 additionneur, 1289
du type hystérésis, 1053 analogique, 10
exponentielle de la diode, 217 atténuateur à couplage capacitif, 214
logarithmique, 218 combinatoire, 1293
Caractéristique courant-tension comparateur, 1055
d’un MOSFET, 373 compensé, 147
d’un transistor BJT, mode actif, 237 d’Antoniou, 983
d’une diode, 158 de comptage, 1056
d’une diode Zener, 182 de mémoire, 13
de la jonction pn, 59 de pilotage de courant, 510
transistor NMOS, 374–379 de précharge et d’égalisation, 1319
Caractéristique CTT idéale d’un inverseur, 1159 de précision de serrage, 1081
Caractéristiques des amplificateurs à BJT, 295–296 de protection contre court-circuit, 1096
Caractéristiques des amplificateurs à MOSFET, 432 de restauration à c.c., 203
Cascade CC-CB, 1018 de rétroaction, 768
Cascade d’amplificateurs. Voir Amplificateur en cascade discret, 4
Cascode égaliseur de retard, 969
à BJT, 500 intégrateur inverseur
avec MOS, 487 limiteur, 199
BiCMOS, 505 limiteur, caractéristique de transfert, 1035
repliée, 499 linéaire, 71
Cathode, 52, 159 monolithique, 4
Cellule multiplexeur, 1289
à grilles empilées, 1334 non compensé, 147
factice, 1322 résonant RLC du deuxième ordre, 977
fictive (dummy-cell), 1318 Sallen-et-Key, 1001
solaire, 206 Circuit à capacitances commutées (SC). Voir Filtre à
capacitances commutées
IN-4 Index

Circuit à MOSFET en c.c., 384–393 Circuits périphériques de mémoire, 1318


Circuit bistable, 1294 Claquage
actionnement, 1053 d’une jonction, 66
caractéristique de transfert, 1052 du transistor, 333
élément de mémoire, 1054 Code de conversion, 1331
utilisation comme comparateur, 1055 Coefficient
Circuit équivalent de Miller, 699 de classement, 69
Circuit flip-flop. Voir Circuit bistable de sommation, 100
Circuit intégré, 4 de température TC, 185
à moyenne échelle (MSI), 1179 Commande de reset, 1067
à petite échelle (SSI), 1179 Commande de set, 1067
analogique, 534, 563 Commutateur
numérique, 534 à transistor NMOS, 1246
Circuit logique commandé en tension, 1160
à émetteur couplé (ECL), principe de base, 1265 pull-down (PD), 1161
à transistors ECL, 1234 pull-up (PU), 1161
à transistors PTL, 1234, 1243 Commutateurs complémentaires, 1161
exigences de conception, 1244 Comparateur à hystérésis, 1056
interrupteurs, 1244 Compensation
dynamique, 1234 de fréquence, 841, 846
dynamique MOS, 1256 de Miller, 848
cascade de portes, 1262 en fréquence, 131
marges de bruit, 1260 Complément PTL, 1255
partage de charge, 1261 Composante discrète, 239
phase d’évaluation, 1257 Composante imbriquée, 535
phase de précharge, 1257 Concentration
NAND, 1240 d’électrons libres, 42
NOR, 1240 de porteurs, 43
Circuit logique pseudo-NMOS de trous, 42
à charge appauvrie, 1235 Concept submicronique profond, 1215
Circuit logique pseudo-NMOS, inverseur, 1235 Conception des circuits, 75
caractéristiques statiques, 1235 Condensateur
circuits de portes logiques, 1240 de by-pass, 442
courant statique, 1238 de couplage, 38, 442
courbe CTT, 1236 de filtrage, 192
dimensionnement du circuit, 1239 monolithique, 848
fan-in, 1234 parasite, 81
fonctionnement dynamique, 1239 Conductance de la diode en petit signal, 177
rapport (W/L)p, 1240 Conduction sous le seuil, 1222
rapport r, 1240 Conduction thermique, 1123
régions de fonctionnement, 1237 Conductivité, 47
Circuit oscillant à ampli op-réseau RC, 1038–1045 Configuration
Circuit redresseur. Voir Redresseur à émetteur commun, 241–247
Circuit séquentiel, 1293 courbes caractéristiques, 241
dynamique, 1294 gain de courant, 244
statique, 1293 résistance de saturation RCEsat, 244
Circuits à BJT en courant continu, 248–265 tension de saturation VCEsat, 244
Circuits numériques BiCMOS, 1281 ampli op inverseur, 92
inverseur BiCMOS, 1281 ampli op non-inverseur, 92
inverseur BiCMOS, fonctionnement dynamique, 1283 CC-CB et CD-CG, 530
inverseur de type R BiCMOS, 1284 CC-CE, 526
porte logique BiCMOS, 1284 CD-CE, 526
porte NAND BiCMOS à deux entrées, 1284 CD–CS, 526
Index IN-5

Darlington, 529 Détection. Voir Démodulation


double, 526 Diagramme
maître-esclave, 1303 de Bode, 117, 835
paire différentielle, 563 de Nyquist, 832
totem, 1281 du lieu des racines, 836
Constante linéaire par parties, 159
de Boltzmann, 167 pôle-zéro pour un filtre, 959
de diffusion, 49 Diagramme de l’amplitude. Voir Réponse en amplitude
de temps, 33 Différenciateur, 114
de temps d’intégration, 116 Diffusion
de temps du circuit différenciateur, 122 de drain, 672
Convertisseur analogique numérique (CAN), 12 de source, 672
Convoyeur de courant de deuxième génération des porteurs de charge, 4
(CCII), 864 Diffusivité. Voir Constante de diffusion
Courant Dimensionnement d’un circuit, 239
d’offset d’entrée, 127 Diode
de collecteur, 274 à barrière de Schottky (SBD), 938
de dérive, 47, 54 à base courte, 84
de diffusion, 49, 52 à jonction de silicium, 157
de Norton, 77 électroluminescente (LED), 158, 206
de polarisation d’entrée, 126 en conduction, 168
de référence, 439, 506 idéale, 157
de rétroaction, 781 modélisation, 158
de saturation, 166 varicap, 205
de sortie de l’ampli op, 136 Zener, 181
Courbe de déclassement de puissance, 1124 Zener à double-anode, 202
Court-circuit virtuel, 93 Dispositif de décalage de niveau, 634
Cristal piézo-électrique, 1048 Dispositif de seuil zéro, 1249
Critère de Barkhausen, 1033 Dissipateur de chaleur. Voir Dissipateur thermique
Critère de Nyquist, 833 Dissipateur infini de chaleur, 1127
Cycle de charge, 1069 Dissipateur thermique, 1125
Cycle de l’horloge, 1028 Dissipation de puissance
au repos, 1108
en fonction de la température, 1123
D instantanée, 1095
Décade, 122 moyenne, 1096
Décodeur Distorsion, 14
arbre, 1329 de croisement, 1099
d’adresse, 1241 du signal, 76
d’adresse de colonne, 1328 harmonique totale (THD), 1071, 1091
d’adresse de ligne, 1326 non linéaire, 139, 777
de colonne, 1307 Diviseur
de rangée, 1307 de courant, 6
Délai de propagation, 1176 de tension, 21
Démodulateur, 197 Domaine
Densité fréquentiel, 10
du courant de dérive, 73 temporel, 10
du courant de diffusion, 73 Domaine de fonctionnement sécurisé d’un transistor BJT
Déphasage, 153 courant maximum admissible, 1128
Déphaseur variable, 1026 deuxième limite de claquage, 1128
Désensibilisation du gain, 773 hyperbole de dissipation de puissance, 1128
Détecteur de crête, 197 tension de claquage collecteur-émetteur, 1129
Détecteur tampon de pointe, 1080 Donneur, 43
IN-6 Index

Dopage, 4 protection thermique, 1134


Double cascode, 498 résistance de sortie, 1106
Doubleur de tension, 204 utilisation de dispositifs composés, 1131
Durée de vie des porteurs, 69 utilisation des émetteurs-suiveurs d’entrée, 1130
Étage de sortie de classe AB à CMOS
à paire de MOSFET complémentaires, 1116
E caractéristique de transfert de tension, 1118
Échantillonnage, processus d’~, 11 configuration, 1113
Échantillonnage-en-tension, 778 résistance de sortie, 1117
Échantillonneur de courant, 780 Étage de sortie de classe B
Échantillonneur de tension, 785 caractéristique de transfert, 1099
EEPROM. Voir Mémoire PROM effaçable dissipation de puissance, 1101
Effet fonctionnement, 1098
capacitif de la grille, 672 fonctionnement avec une seule source
capacitif interne, 672 d’alimentation, 1103
d’avalanche, 66 réduction de la distorsion de croisement, 1103
de canal court, 549 rendement, 1100
de charges capacitives, 544 Étage de sortie, classification, 1092
de fractionnement du pôle, 867 État non-programmé, 1334
de fuite, 170 État programmé, 1336
de marge de phase, 843 Excès de concentration, 61
de Miller, 684 Extension de la bande passante, 774
de modulation de la largeur de base, 242
de trois condensateurs, 667
F
fan-in et fan-out sur le retard de propagation, 1214
Zener, 66 Facteur
Efficacité de l’amplificateur. Voir Rendement de de désensibilisation du gain, 773
l’amplificateur de rétrécissement de largeur de bande, 1019
Électron de rétroaction, 769
de valence, 40 de sélectivité, 956
libre, 4 Q de pôle, 837
partagé, 40 Famille de circuits ECL
Emballement thermique, 1109 caractéristique de transfert de tension, 1270
Émetteur-suiveur, 330–331 caractéristique de transfert NOR, 1273
Voir aussi Amplificateur à collecteur commun (CC) caractéristique OU de transfert, 1271
Énergie de bande interdite, 42 circuit CI MECL10 000, 1275
Équation caractéristique, 830 circuit de base, 1267
Équivalence de boucle, 830 circuit ECL 100K, 1266
Équivalent de Norton, 5 circuit ECL 10K, 1266
Équivalent de Thévenin, 75 courant-mode logique (CML), 1267
Erreur de numérisation, 12 dissipation de puissance, 1277
Essai de stabilité, 832 effets thermiques, 1277
Étage de sortie de classe A fan-out, 1275
caractéristique de transfert, 1093 fonction OU-câblée, 1280
formes d’onde du signal, 1095 marges de bruit, 1273
rendement de conversion de la puissance, 1097 phénomène de sonnerie, 1276
Étage de sortie de classe AB transmission du signal, 1276
caractéristique de transfert, 1106 vitesse de fonctionnement, 1275
circuit de protection contre court-circuit, 1133 Famille de circuits TTL, 1180
dissipation de puissance, 1105 FET à grille isolée. Voir Transistor MOSFET
fonctionnement du circuit, 1105 Fibres optiques, 206
polarisation à diodes, 1108 Filtre
polarisation par multiplicateur de VBE, 1110 à capacitances commutées, 954, 1007–1011
Index IN-7

actif du deuxième ordre sans inducteur, 983–986 Fréquence


actif RC, 954 angulaire, 8
coupe-bande (BS), 955 centrale du filtre, 973
du deuxième ordre, 968 complexe, 32
du deuxième ordre en topologie biquad, 991–996 d’horloge, 1028
du premier ordre, 968 d’oscillation, 1034
notch passe-bas, 973 de 3 dB, 33
notch passe-haut, 973 de gain unitaire, 545
notch régulier, 973 de l’intégrateur, 118
passe-bande (BP), 955 de transition, 544, 674
passe-bas (LP), 33 des pôles, 664
passe-haut (HP), 33 fondamentale, 8
passe-tout (AP), 973 maximale de commutation, 1174
passif LC, 954 notch, 973
Filtre de Butterworth, 961–965 Fréquence de coupure. Voir Fréquence de 3 dB
réponse en amplitude, 962 Fréquence du pôle. Voir Fréquence de 3 dB
réponse maximum plat, 962
Filtre de Tchebychev, 965
atténuation, 966 G
fonction de transfert, 966 Gain
ondulation de bande passante, 966 à mi-bande, 775
Fonction avec rétroaction, 769
booléenne, 1254 de boucle de rétroaction, 769
classique de sensibilité, 1004 détermination du ~, 826–830
d’atténuation, 955 de courant, 16
de filtrage du deuxième ordre du résonateur RLC, 979 de l’amplificateur, 14
de gain, 955 de la cellule de base, 485
de transfert du filtre, 958–961 de puissance, 16
du gain à haute fréquence, 691 de tension, 15, 278
filtre notch, réalisation, 980 en circuit ouvert, 295
logique ET, 162 en petit signal, 269
logique numérique, 162 global, 296
logique OU, 162 différentiel, 90
passe-bande, réalisation, 980 en boucle fermée, 93, 101
passe-bas, réalisation, 978 en boucle ouverte Voir aussi Gain différentiel, 769
passe-haut, réalisation, 980 en décibels, 16
passe-tout, réalisation, 982 fini en boucle ouverte, 95
restauration de niveau, 1248 global de courant, 79
Fonction de transfert intrinsèque, 476, 476–479, 541
bilinéaire, 969 réglable, 141
de l’intégrateur de Miller, 117 unitaire, 23
de la rétroaction, 831 Générateur de fonctions. Voir Oscillateur non linéaire
du circuit différentiateur, 121 Génération thermique, 40
en boucle fermée, 831 Gradient de concentration, 49
en boucle ouverte, 831 Grandeur
Fonctionnement au bord de la conduction, 341 en c.c., 20
Format signe-grandeur, 78 instantanée, 20
Formateur de signal sinusoïdal, 1069 sinusoïdale, 20
Forme discrète, 11 totale instantanée, 20
Forme logique ratioed, 1286 Grille
Formule d’Elmore, 1253 de sélection, 1334
Fractionnement du pôle, 848 flottante, 1334
IN-8 Index

H Lecture de 0 logique, 1320


Lecture de 1 logique, 1320
Harmonique, 77 Liaison covalente brisée, 71
Ligne
I correctement terminée, 1276
de bits, 1307
Impédance de charge, 172
caractéristique, 1276 de mots, 1306
d’entrée d’un ampli op, 89 de transmission, 1276
de sortie d’un ampli op, 89 Limitation de la bande passante, 139
Impureté, 44 Limite inférieure de la bande passante, 663
Inductance simulée, 1024 Limiteur
Inspection visuelle du schéma, 289 double, 200
Intégrateur, 114 doux, 200
Intégrateur de Miller, 116, 991 dur, 200
Interconnexion, 1223 passif, 199
Interférence, 775 simple, 200
Interrupteur NMOS, 1246 Linéarité, 14
Intervalle de conduction, 195 Localisation des pôles, 833
Inverseur Logiciel SPICE, 173
à charge NMOS saturée, 1167 Logique en mode-courant (CML), 1180
de charge, 1227 Loi
MOS à charge résistive, 1163 d’Ohm, 75
Inverseur fan-out. Voir Inverseur de charge de Kirchhoff pour boucle, 171
Inverseur logique numérique de Moore, 455, 1215
caractéristique de transfert en tension (CTT), 1156 Longueur de diffusion, 62
dissipation de puissance, 1171
dissipation dynamique de puissance, 1171
dissipation statique de puissance, 1171 M
fonction, 1156 Marge
la superficie de silicium, 1178 d’erreur, 144
marges de bruit, 1158 de gain, 842
mise en œuvre, 1160 de phase, 842
produit énergie-retard (EDP), 1178 Marge de bruit
produit entre l’alimentation et le retard (PDP), 1177 pour l’entrée basse, 1158
retard de propagation, 1173 pour l’entrée haute, 1158
Masque de programmation, 1333
J Masse
de référence, 88
Jonction de référence pour le signal, 442
abrupte, 68 du circuit, 15
collecteur-base (CBJ), 222 virtuelle, 93
émetteur-base (EBJ), 222 Mélange-en-tension, 778
graduée, 68 Mélangeur de courant, 780
pn, 4 Mélangeur de tension, 783
Mémoire
à accès aléatoire (RAM), 1305
L
auxiliaire, 1305
Largeur d’impulsion, 203 de masse, 1305
Largeur de bande en lecture seule. Voir aussi Mémoire morte
de gain unitaire, 132 flash, 1336
de l’amplificateur à BJT, 332 morte, 1241, 1305
Largeur de la région de déplétion, 55 principale, 1305
Index IN-9

PROM effaçable, 1336 Modèles en petit signal, fonctionnement


ROM MOS, 1331 amplificateur, 273–289
volatile, 1308 Modélisation de la diode, 158
Méthode à courant moyen, 1226 Modes naturels. Voir Pôle
Méthode à résistors équivalents, 1226 Modulation
Méthode des constantes de temps en circuit ouvert, 697 d’amplitude, 197
Méthode du point d’arrêt, 1070 d’impulsion, 203
Mi-bande de largeur de base, 540
limite inférieure, 660 Moitié droite du plan s, 833
limite supérieure, 660 Moitié gauche du plan s, 833
Microélectronique, 3 Montage en cascode, 473
Microprocesseur, 3 MOSFET
Minimum d’atténuation de la bande d’arrêt, 956 à appauvrissement, 452
Minuterie CI 555, 1064 à canal n, 360
schéma bloc du circuit, 1064 à canal p, 370
Miroir de courant, 439, 508 à enrichissement, 358, 452
à large swing, 896 amplificateur à drain commun (CD), 418
cascode, 518 tampon de tension, 428
de Wilson, 520 amplificateur a grille commune (CG), 418
Mise à l’échelle (scaling), 1215 amplificateur à source commune (CS), 418
Mixer. Voir Circuit de comparaison gain global de tension, 422
Mobilité non-unilatéral, 423
d’électrons, 46 résistor de dégénérescence de source, 425
des trous, 46 rétroaction négative, 424
Mode canal pincé, 368
actif, 222 canal pour la circulation du courant, 360
bloqué, 223 capacitance d’oxyde, 362
de saturation, 223 caractéristique courant-tension, 539
différentiel, 569 caractéristiques du transistor à canal p, 382–384
Mode rafale, 1317 circuit équivalent en grand signal, 376
Modèle drain n+, 358
à basse fréquence, 541 effet de corps, 359, 449
à chutes constantes de tension (CCT), 173 électrode de la grille (gate), 358
à diode idéale, 174 fonctionnement, 364
à haute fréquence, 538, 672 gain de tension en petit signal, 396
du MOSFET, 674 mode de déplétion, 452
d’amplificateur de tension, 21 modèle équivalent en T, 413
d’une diode Zener, 183 modèle quadratique, 549
de la diode idéale, 171 modèles en petit signal, 406
en petit signal pour diode, 175–178 modélisation de l’effet de corps, 450
en T, 281 modulation de la longueur du canal, 380
exponentiel, 171 paramètre de transconductance de processus, 363
hybride en , 280 polarisation des amplificateurs
incrémentiel, 180 à l’aide d’un résistor de rétroaction, 437
pour les transistors BJT, 249 par fixation de la tension à la grille, 434
pour signaux forts, 229 par réglage de la tension grille-source, 433
simple d’amplificateur, 21 par source de courant constant, 438
unilatéral, 27 polarisation pour amplification linéaire, 395
Modèle hybride en  profil du canal, 365
bande passante à gain unité, 680 profondeur du canal, 365
fonctionnement à haute fréquence, 678 rapport d’aspect (W/L), 364
fréquence de coupure, 679 région de déplétion, 365
IN-10 Index

région de saturation, 368 Opération d’écriture


région de triode, 368 basculement, 1313
source n+, 358 pour 0 logique, 1313
structure physique, 358–360 Opération d’entrée rail-à-rail, 894
substrat, 449 Opération de lecture
suiveur de source. Voir MOSFET amplificateur à drain processus de précharge, 1309
commun retard de lecture, 1312
tension d’overdrive, 361 Opération de lecture/écriture (R/W), 1305
tension de seuil, 361 Optoélectronique, 206
transconductance, 407 Opto-isolateur, 207
transconductance de corps, 450 Ordre du filtre, 958
utilisation dans les amplificateurs, 394–401 Oscillateur
MOSFET de puissance à auto-limitation, 1047
caractéristiques, 1142 à circuit LC accordé, 1045
comparaison avec BJT, 1143 à crystal de quartz, 1045
étage de sortie de classe AB, 1144 à déphasage, 1040
structure interne, 1141 à filtre actif accordé, 1043
transistor DMOS, 1141 à pont de Wien, 1038
transistor rainuré MOS en V, 1142 à quadrature, 1042
Mot d’entrée, 146 Colpitts, 1045
Multiplexeur du type deux-à-un, 1254 d’onde sinusoïdale, 1032
Multiplicateur analogique, 1088 en anneau, 1329
Multiplicateur de Miller, 685 Hartley, 1045
Multivibrateur linéaire, 1032
astable, 1032, 1058 non linéaire, 1032
astable, fonctionnement, 1058 Oscillation
bistable, 1032 amortie, 1276
monostable, 1032, 1330 entretenue, 1034
monostable, générateur d’impulsions standard, 1062 forcée, 833

N P
Niveau Paire différentielle, 563
bas (logique), 162 à BJT
d’écrêtage, 78 appariement résistors de collecteur, 601
haut (logique), 162 courant d’offset d’entrée, 610
Nœud interne, 81 courants de polarisation d’entrée, 610
inadéquation d’appariement, 609
offset–nulling, 610
O
résistance d’entrée différentielle, 597
Octave, 122 à BJT à charge active
Offset systématique, 630 gain différentiel, 620
Onde gain en mode commun, 622
carrée, 8, 202 taux CMRR, 622
carrée symétrique, 218 à MOS, 564
sinusoïdale, 8 amplificateur différentiel cascode, 580
triangulaire, 217, 285 appariement des transistors, 605
Ondulation appariement résistances de drain, 583
crête-à-crête, 217 demi-circuit différentiel, 577
de bande passante, 957 demi-circuit en mode commun, 583
de l’alimentation, 178 gain différentiel, 575–577
du signal de sortie, 854 gain en mode commun, 581
Onduleur, 1329 inadéquation (W/L), 607
Index IN-11

sortie différentielle, 577 du transistor BJT, 267


sortie simple, 576 inverse, 59
taux de réjection en mode commun (CMRR), 581 Pôle
tension d’offset d’entrée, 605 de la fonction de transfert, 958
tension d’offset de sortie, 604 dominant, 133
tension différentielle de sortie, 576 et zéro du miroir, 734
à MOS à charge active unique, 133
gain différentiel, 614 Pôles complexes conjugués, 834
gain en mode commun, 617 Pont de Wheatstone, 190
résistance de sortie, 616 Pont redresseur, 190
taux CMRR, 617 Pont redresseur de précision, 1079
transconductance, 614 Porte de transmission CMOS, 1243
Paramètre de l’effet de corps, 450 capacitance, 1253
Paramètre de performance, 17 commutateur, 1249
Paramètres d’un CI à BJT, valeurs typiques, 536 résistance équivalente, 1251
Paramètres de conception, 546 symbole de circuit, 1249
Paramètres des MOSFET, valeurs typiques, 534 Porte en silicium polycristallin, 1334
Paramètres des transistors de puissance, 1129 Porte logique
Pente de diminution du gain, 131 à diodes, 162
Période, 8 CMOS, 1225
Période de récupération, 1064 dynamique NAND à quatre entrées, 1258
Perte de puissance dans l’inducteur, 1014 OU-exclusif (XOR), 1330
Phase du signal, 8 Porte logique dynamique. Voir Circuit logique
Phénomène de claquage. Voir Claquage dynamique MOS
Phénomène non-destructif, 170 Porte NAND. Voir Circuit logique NAND
Photocoupleur, 207 Porte NOR. Voir Circuit logique NOR
Photocourant, 206 Porteur
Photodiode, 158, 206 majoritaire, 44
Photonique. Voir Optoélectronique minoritaire, 44
Photons incidents, 206 Potentiomètre, 145
Pic de tension inverse (PIV), 187 Potentiomètre linéaire, 853
Pilotage de courant, 506 Pourcentage d’erreur, 147
PIV. Voir Pic de tension inverse (PIV) Préamplificateur, 776
Plage d’entrée Processus
en mode commun, 566 à basse tension, 536
rail-à-rail en mode commun, 927 à haute tension, 536
Plage du fonctionnement linéaire, 19 de fabrication à 0,18 µm, 550
Plan s, 833 Produit gain-bande passante (GB), 133, 545
Plaquette support de silicium, 1333 Profondeur du canal, 452
Point de fonctionnement, 172, 272 Puissance
Point de polarisation, 268, 572 de l’alimentation, 78
Point de polarisation. Voir Point de fonctionnement délivrée à la charge, 1097
Point de quiescence. Voir Point de polarisation, 572 dissipée, 18
Point de repos. Voir Point de fonctionnement, 268 totale absorbée, 18
Point Q. Voir Point de fonctionnement, 272
Polarisation
à l’aide d’une source de courant constant, 322 Q
à résistance de rétroaction collecteur-base, 321 Quadripôle, 229
classique à composants discrets, 317 Quadripôle linéaire, 1024
classique à deux sources d’alimentation, 320 Quadripôle RC, 1002
dans les circuits amplificateurs à BJT, 316–323 Quantité de charges stockées, 57
des amplificateurs BJT modernes, 928 Quantité de rétroaction, 768, 847
directe, 59 Quartz. Voir Cristal piézo-électrique
IN-12 Index

R amplificateur CG et cascode, 715–724


amplificateur MOS à charge active, 733
Radiateur. Voir Dissipateur thermique amplificateur MOS à charge résistive, 729
Rafraîchissement périodique, 1317 amplificateur MOS cascode, 719
RAM dynamique amplificateurs CS, capacitance totale d’entrée, 686
fonctionnement différentiel, 1322 des amplificateurs différentiels, 729–737
Rampe linéaire, 138 l’amplificateur CS, 683
Rapport de transformation, 217 suiveur d’émetteur, 727
Rapport signal utile à signal perturbateur, 775 suiveur de source, 725
Réaction dégénérative, 102 suiveurs de source et d’émetteur, 725–728
Redresseur Réponse de pôle dominant, 692
de précision à pleine onde, 1077 Réponse en fréquence
de précision de pointe, 1080 amplificateur à étages multiples, 747
demi-onde, 187 amplificateur CMOS à deux étages, 747
demi-onde de précision, 1073 de l’amplificateur, 30
pleine onde, 188 de l’amplificateur à BJT, 331–332
Redresseur double-alternance. Voir Redresseur pleine- de l’amplificateur à boucle fermée, 133
onde de l’intégrateur, 118
Redresseur mono-alternance. Voir Redresseur demi-onde du circuit différentiateur, 121
Région Réseau
de claquage, 166 à deux ports, 15
de déplétion, 52–57, 67 de rétroaction, 769
de l’émetteur, 222 en T, 144
de la base, 222 passe-bas (LP), 33
de polarisation directe, 166 passe-haut (HP), 33
de polarisation inverse, 166 PDN, 1225
du canal, 360 PDN-NMOS, 1225
du collecteur, 222 PUN, 1225
sous le seuil de fonctionnement, 478 PUN-PMOS, 1225
Réglage synchrone, 1019 Réseau CTU. Voir Circuit à constante de temps unique
Règle de la résistance réfléchie, 303, 637 (CTU)
Régulateur shunt, 183 Résistance
Régulateur shunt Zener, 216 d’émetteur, 277
Régulation d’entrée, 96
de charge, 183 d’entrée différentielle, 109
de ligne, 183 de charge, 5
de tension, 171 de dégénération d’émetteur, 305
Réjection de mode commun, 90 de fermeture, 401
Relation d’Einstein, 51 de la diode en petit signal, 177
Rendement de l’amplificateur, 17 de sortie, 5, 97
Rendement maximal atteignable, 1098 de sortie, effet sur la charge active, 479
Répartition du gain, 494 de source-dégénérée, 497
Réponse dégénérative, 435
échelon, 955 dynamique. Voir Résistance de la diode en petit signal
en amplitude, 34 en petit signal, 178
en phase, 31, 34 en position fermée, inverseur, 1160
maximum plat, 838 en position ouverte, inverseur, 1160
Réponse à basse fréquence des amplificateurs CS et équivalente de Thévenin, 75
CE, 661–671 incrémentale, 182
Réponse à haute fréquence, 682–691 négative dépendante de la fréquence (FDNR), 1027
amplificateur cascode bipolaire, 724 standard, 143
amplificateur CE, 688 thermique, 1123
constante de temps en circuit ouvert, 695
Index IN-13

Résistivité, 47 Sommateur pondéré. Voir Amplificateur sommateur


Résistor pondéré
commandé en tension, 364 Source
shunt, 143 de courant, 5
Résolution, 78 de courant contrôlée en tension, 266
Résonateur ampli op-réseau RC, 984 de tension, 5
Rétroaction de Thévenin, 5
en mode commun (CMF), 936 Source de courant
négative, 92, 767 à MOSFET, 507
positive, 92, 768 de Widlar, 523
série-série, 783 en cascode, 473
série-shunt, 778 Spectre de fréquence, 7
shunt-série, 780 Stabilisateur de tension, 179
shunt-shunt, 785 Stabilité d’un amplificateur, 831, 833
ROM investigations, 844
programmable, 1334 Stockage des charges, 67
programmable-effaçable (EPROM), 1334 Stockage optique, 206
Rupture des liaisons covalentes, 206 Substrat, 358
Suiveur de tension, 103–105
Superdiode, 198–199
S Superdiode Voir aussi Redresseur demi-onde de
Saturation de l’amplificateur, 19 précission
Saturation de vitesse, 452, 1142 Swing
Schéma bloc, 21 du signal d’entrée, 19
Section transversale de la jonction, 166 du signal de sortie, 462
Sélection en fréquence, 955 du signal de sortie près de rail-à-rail, 928
Sélectivité de maximum plat, 1029 Symbole
Semiconducteurs de circuit pour MOSFET, 373
composés, 40 de l’ampli op, 88
dopés, 4 Système binaire, 11
intrinsèques, 40 Système de circuits ECL, 1180
mono cristallins, 40 Système sur un puce, 1281
Sensibilité du filtre, 1004 Système VLSI, 872
Série de Fourier, 7
Signal
T
analogique, 10
d’erreur, 770 Tampon de courant, 485
d’horloge, 1257 Tampon de tension à gain unitaire, 429
de courant, 8 Taux
de tension, 8 d’amplification, 14
différentiel, 90 de dopage, 73
échelle, 138 de fermeture, 846
génération d’un ~ triangulaire, 1060 de recombinaison, 42
logique, 12 de réjection en mode commun (CMRR), 106
numérique, 10 de transfert de courant, 533
processus de mise en forme, 1069 Techniques pour la conception des ampli op à BJT, 926
sinusoïdal, 8 Technologie
trigger, 1054 BiCMOS, 474
Signal d’actionnement. Voir Trigger CMOS, 221, 372, 474
Signal de déclenchement. Voir Trigger GaAs, 1180
Silicium dopé MOS, 455
de type n, 43 Technologie d’intégration à grande échelle (VLSI). Voir
de type p, 43 Système VLSI
IN-14 Index

Technologies pour les CI et familles de circuits logiques métal-oxyde à effet de champ. Voir Transistor
numériques, 1178 MOSFET
Temco. Voir Coefficient de température TC MOSFET, 221
Température NMOS, 370
de jonction, 1123 PMOS, 454
interne de la jonction, 1091 PMOS à canal court, 1219
Temps pnp latéral, 536
d’accès en mémoire, 1307 type npn, 222
de cycle de mémoire, 1307 fonctionnement en mode actif, 223–231
de descente, inverseur, 1176 courant d’émetteur, 224, 227
de montée, inverseur, 1176 courant de base, 226
de transit de la base en direct, 678 courant de collecteur, 226
moyen de transit de la jonction, 70 gain de courant à base commune, 228
Tension gain de courant à émetteur commun, 227
continue systématique d’offset de sortie, 873 fonctionnement en mode de saturation, 232–234
d’Early, 242 type pnp, 222
d’offset d’entrée, 123 courant inverse collecteur-base, 238
d’ondulation, 195 fonctionnement, 234–235
de claquage, 66, 170 Transistor IGFET. Voir FET à grille isolée
de coude Zener, 183 Transistor NMOS. Voir MOSFET à canal n
de mise en marche, 168 Transistor PMOS. Voir MOSFET à canal p
de mode commun, 565 Transistors bipolaires de puissance,
de Thévenin, 77 température de jonction, 1122
nominale de sortie de l’ampli op, 136 Transition haut-bas, 1242
régulée, 179 Transmission
thermique, 51, 167 de boucle de rétroaction, 830
Tension interne de la jonction. Voir Barrière de tension de l’amplificateur, 30
interne, 54 du filtre, 954
Théorème optique, 206
de Miller, 698 porte logique, 1243
de Norton, 75 Trigger, 1054
de Thévenin, 75 Trigger de Schmitt. Voir Circuit bistable
Thermomètre électronique, 168 Trou, 4
Topologies de base du circuit de rétroaction, 778–786
Train d’impulsions, 12
Traitement des signaux, 4 V
Transconductance, 274 Valeur
Transconductance d’un transistor BJT, 408 de crête, 8
Transducteur, 5 de sécurité, 66
Transformateur abaisseur de tension, 217 effective, 8
Transformateur d’impédance, 103 moyenne, 159
Transformation passe-bas à bande passante, 1021 Varactor. Voir Diode varicap
Transformée de Fourier, 7 Variation autorisée dans la bande passante, 956
Transistor Vitesse de balayage (SR), 138
à double diffusion (DMOS), 1141 Voltmètre analogique, 146
à effet de champ (FET), 4
à grille flottante, 1334
à jonction bipolaire (BJT), 4 Z
BiCMOS, 222 Zéro de la fonction de transfert, 958
CMOS submicronique, 452 Zéro de transmission, 830
de puissance, 1092 Zone de la jonction émetteur-base, 546
Zone de transition, inverseur logique, 1157
Index pour le CD IX-1

Index pour le CD
Nombres Clean room, oxidation  Salle blanche, oxydation, A2
Clear field, VLSI layout  Champ libre, disposition
741 op amp, PSpice example  Ampli op 741, exemple VLSI, A15,A16
PSpice, B15-B18 CMOS (complementary MOS)  Transistor CMOS
(MOS complémentaire)
A fabrication  fabrication, A1
Multisim example of, CS amplifier  exemple
Active-filter-tuned oscillator, PSpice example  Multisim, amplificateur CS, B88-B92
Oscillateur à filtre actif accordé, exemple PSpice, B77- PSpice example  exemple PSpice, B40-B43
B79 PSpice example of CS amplifier  exemple PSpice
Anisotropic etching  Gravure anisotrope, A4 pour amplificateur CS, B29, B30-B33
twin-well, process  double puits, processus, A7-A9
CMOS (complementary MOS) inverter  Inverseur
B
CMOS (MOS complémentaire)
BiCMOS (bipolar CMOS) circuit  Circuit BiCMOS Multisim example  exemple Multisim, B123-B127
(CMOS bipolaire) PSpice example  exemple PSpice, B60-B63
fabrication  fabrication, A1 CMRR (common-mode rejection ratio)  Taux de
SiGe, process  processus SiGe, A13-A14 réjection en mode commun (CMRR), B3
VLSI process  processus VLSI, A12 Common-emitter (CE) amplifier  Amplificateur à
BJT (Bipolar junction transistor) model  Modèle BJT émetteur commun (CE)
parameters BF and BR in Spice  paramètres directs Multisim example  exemple Multisim, B85-B88
(BF) et invers (BR) en Spice, B12 PSpice example  exemple PSpice, B27-B30
SPICE  SPICE, B9-B12 Common-mode input resistance (Ricm)  Résistance
SPICE Gummel-Poon model  le modèle Gummel- d’entrée en mode commun (Ricm), B3
Poon en SPICE, B11 Common-source (CS) amplifier  Amplificateur à
SPICE parameters  paramètres SPICE, B11 source commune (CS)
BJT (Bipolar junction transistor), PSpice example  Multisim example  exemple Multisim, B75-B84,
Transistor à jonction bipolaire BJT, exemple PSpice, B100-B103, B103-B107
B26-B27 PSpice example  exemple PSpice, B23-B25, B29,
Bode plot  Diagramme de Bode, F3-F6, F6-F7 B30-B33
Conjugate pairs  Paires conjuguées, F2
Corner frequency  Fréquence de coupure, F4
C
Capacitor  Condensateur
D
VLSI process  par processus VLSI, A10-A11
Carrier transport  Transport de porteurs, B10 Dark field, VLSI layout  Champ sombre, disposition
Chebyshev filter, PSpice example  Filtre de VLSI, A15, A16
Tchebychev, exemple PSpice, B69-B71 DC emitter=degeneration resistor  Résistance de
Chemical vapor deposition (CVD), IC fabrication  dégénération d’émetteur, B27
Dépôt chimique en phase vapeur (CVD), fabrication DC power supply  Source de c.c.
d’IC, A5-A6 Design  dimensionnement, B18-B22
Class B bipolar output stage  Étage final à BJT en PSpice example  exemple PSpice, B18-B22
classe B Differential gain at dc  Gain différentiel en c.c., B3
Multisim example  exemple Multisim, B112-B118 Differential-input resistance (Rid)  Résistance d’entrée
Class B BJT output stage  Étage final à BJT en classe B différentielle (Rid), B3
PSpice example  exemple PSpice, B50-B55
IX-2 Index pour le CD

Diffusion, IC fabrication  Processus de diffusion, STC circuit  circuit à CTU, E4-E6


fabrication d’un IC, A4-A5 High-pass (HP) circuit  Filtre passe-haut (HP)
Diode model, SPICE  Modèle d’une diode, SPICE, step response  réponse échelon, E11-E12
B4-B5 Hot electrons  Électron chaud, A8
Discrete CS amplifier, Multisim example 
Amplificateur CS à composantes discrètes, exemple
Multisim, B100-B103 I
Dopants  Élements de dopage, A5 IC (integrated-circuit) amplifier, design  Amplificateur
Dry etching  Gravure sèche, A4 à circuits intégrés (CI), dimensionnement, A1
Dry oxidation  Oxydation en millieu sec, A2 Input bias current (IB)  Courant de polarisation
d’entrée (IB), B3
Input common-mode-range  Plage d’entrée en mode
E
commun, B39
Emiter resistance, PSpice example  Résistance Input offset current (IOS)  Courant d’offset d’entrée
d’émetteur, exemple PSpice, B27-B30 (IOS), B3, 125-128
Emiter-coupled logic (ECL), PSpice example  Circuit Input offset voltage (VOS)  Tension d’offset d’entrée
logique à transistors ECL, exemple PSpice, B64-B69 (VOS), B3, 121-124
Epitaxial layer  Couche épitaxiale, A5 Integrated devices  Dispositifs intégrés, A9
Epitaxy  Épitaxie, A5 Ion implantation, IC fabrication  Implantation d’ions,
Etching  Gravure, processus de ~, A3, A4 fabrication des IC, A5
Isotropic etching  Gravure isotrope, A4
F
L
Feedback amplifier, PSpice example  Rétroaction d’un
amplificateur, exemple PSpice, B46-B50 Large-signal differential transfer characteristic 
First-order function, s-domain  Fonction du premier Caractéristique de transfert à fort signal différentiel,
degré, plan-s, F2-F3 B35
Folded-cascode amplifier  Amplificateur en cascode Lateral pnp transistor  Transistor pnp latéral, A12, 532
pliée Layout, VLSI  Disposition, VLSI, A14-A16
Multisim example  exemple Multisim, B92-B95 Lightly doped drain (LDD)  Drain légèrement dopé
PSpice example  exemple PSpice, B40-B46 (LDD), A8
Frequency response  Réponse en fréquence Linear macromodel, op-amp  Macromodèle linéaire,
Multisim examples  exemples Multisim, B100-B103, ampli op, B1-B3
B103-B107 Local oxidation of silicon (LOCOS)  Oxydation locale
PSpice example  exemple PSpice, B40-B43 de la silicone (LOCOS), A7
STC circuits  circuits à constante de temps unique Loop gain, PSpice example  Gain de boucle, exemple
(CTU), E6-E10 PSpice, B46-B50
Low-pass (LP) circuit  Filtre passe-bas (LP)
frequency response of STC circuits  réponse en
G fréquence des circuits à CTU, E6-E8
Gate-capacitance parameters, MOSFET model  pulse response  réponse à l’impulsion, E13-E14
Paramètres des capacitances de grille, modèle STC circuit  circuit à CTU, E4-E6
MOSFET, B7-B9 step response  réponse à l’échelon, E10-E11
Gummel-Poon model, SPICE BJT model  Modèle
Gummel-Poon, modèle SPICE pour BJT, B11
M
Macromodel  Macromodèle, B1
H Metallization, IC fabrication  Métallisation, fabrication
High-pass (HP) circuit  Filtre passe-haut (HP des IC, A6
frequency response of STC circuits  réponse en Meter conversion factors  Facteurs de conversion
fréquence des circuits CTU, E8-E10 métrique, H2
pulse response  réponse à l’impulsion, E14-E15
Index pour le CD IX-3

MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect, VLSI O


process  Transistor MOSFET, processus VLSI,
A9-A10 Op-amp model, SPICE  Modèle d’un ampli op, SPICE,
MOSFET model  Modèle du transistor MOSFET, B1-B4
B5-B9 Order of the network  Ordre d’un réseau, F2
dimension and gate-capacitance parameters  Output resistance (Ro)  Résistance de sortie (Ro), B3
dimensions et paramètres des capacitances de grille, Oxidation, IC fabrication  Oxydation, fabrication d’un
B7-B9 IC, A2-A3
diode parameters  paramètres d’une diode, B6-B7
Multisim examples. See also PSpice examples  P
Exemples Multisim. Voir aussi Exemples Pspice
CE amplifier with emitter resistance  amplificateur Packaging, IC fabrication  Conditionnement,
CE avec résistance d’émetteur, B58-B88 fabrication des IC, A6
class B bipolar output stage  étage final à BJT en Pair, conjugate  Paire, conjuguée, F2
classe B, B112-B118 Parameter  Paramètre
CMOS CS amplifier  amplificateur CS à CMOS, gate-capacitance, for MOSFET model  capacitance
B88-B92 de grille, pour le modèle de MOSFET, B7-B9
CMOS inverter  inverseur à CMOS, B123-B127 MOSFET diode  diode MOSFET, B6-B7
CS amplifier  amplificateur CS, B75-B83 p-base resistor  Résistance d’une base-p, A12-A13
dependence of  on bias current  dépendance de  du Photolithography, IC fabrication  Photolithographie,
courant de polarisation, B83-B84 fabrication des IC, A3-A4
folded-cascode amplifier  amplificateur cascode Physical frequencies  Fréquences physiques, F1
pliée, B92-B95 Pinched-base resistor  Résistance de base-pincée,
frequency response of discrete CS amplifier  réponse A12-A13
en fréquence d’un ampli CS à composantes discrètes, pn junction diode, VLSI process  Diode à jonction pn,
B100-B103 processus VLSI, A11
two-stage CMOS op amp  ampli op CMOS à deux Pole frequency  Fréquence des pôles, F2, 842, 978
étages, B95-B100, B118-B123 Pole, s-domain analysis  Pôle, analyse dans le plan-s,
two-stage CMOS op amp with series-shunt feedback  F2
ampli op CMOS à deux étages avec rétroaction Poly Si (polycrystalline silicon)  Silicium polycristallin,
série-shunt, B107-B112 A5-A6
Multistage differential BJT amplifier, PSpice amplifier  Power supply  Source d’alimentation
Amplificateur différentiel à BJT multiétages, PSpice example  exemple PSpice, B18-B22
amplificateur PSpice, B33-B40 Processes, VLSI  Processus, VLSI, A6-A14
PSpice example. See also Multisim examples  Exemple
PSpice. Voir aussi Exemples Multisim
N active-filter tuned circuit  circuit à filtre actif
Network theorem  Théoremes des réseaux, B5-B9, accordé, B77-B79
D1-D5, D5-D6 CE amplifier with emitter resistance  amplificateur
Norton’s theorem  théorème de Norton, D1, D2 CE à résistance d’émetteur, B27-B30
source-absorbtion theorem  théorème de l’absorption characteristics of 741 op amp  caractéristiques de
de la source, D3 l’ampli op 741, B15-B18
Thévenin’s theorem  théorème de Thévenin, D1, D2 class B BJT output stage  étage final à BJT en classe
Noninverting amplifier performance, PSpice example  B, B50-B55
Performance d’un amplificateur non-inverseur, CMOS CS amplifier  amplificateur CS à CMOS,
exemple PSpice, B13-B15 B29, B30-B33
Nonlinear macromodel, op-amp  Macromodèle non CS amplifier  amplificateur CS, B23-B25
linéaire pour ampli op, B3-B4 dependence of BJT  on bias current  dépendance du
Norton’s theorem  Théorème de Norton, D1-D2 facteur  d’un BJT du courant de polarisation,
B26-B27
design of DC power supply  dimensionnement d’une
source d’alimentation en c.c., B18-B22
IX-4 Index pour le CD

fifth-order Chebyshev filter  filtre de Tchebychev SiGe BiCMOS process  Fabrication des BiCMOS
du cinquième ordre, B69-B71 à SiGe, A13, A14
folded-cascode amplifier  amplificateur cascode Silicon dioxide, oxidation  Dioxide de silicium,
replié, B43-B46 processus d’oxydation, A2
frequency response of CMOS CS and folded-cascode Silicon wafer, IC fabrication  Plaquette de silicium,
amplifier  réponse en fréquence d’un amplificateur fabrication des IC, A2
CS à CMOS et d’un amplificateur cascode repliée, Single-time-constant circuit  Circuit à constante unique
B40-B43 de temps (CTU)
loop gain of feedback amplifier  gain de boucle classification  classification, E4-E6
de rétroaction d’un amplificateur, B46-B50 evaluating time constant   évaluation de la constante
multistage differential BJT amplifier  amplificateur de temps , E1-E4
différentiel multi-étage à BJT, B33-B40 frequency response of high-pass (HP)  réponse en
operation of CMOS inverter  fonctionnement d’un fréquence d’un filtre passe-haut (HP), E8-E10
inverseur CMOS, B60-B63 frequency response of low-pass (LP)  réponse en
performance of noninverting amplifier  fréquence d’un filtre passe-bas (LP), E6-E8
caractéristiques d’un amplificateur non inverseur, high-pass (HP)  filtre passe-haut (HP), E4, E5
B13-B15 low-pass (LP)  filtre passe-bas (LP), E4, E5
static and dynamic operation of ECL gate  pulse response of HP  réponse à l’impulsion
fonctionnement statique et dynamique d’une porte d’un filtre HP, E14-E15
à ECL, B64-B69 pulse response of LP  réponse à l’impulsion
two-integrator-loop filter  filtre à deux intégrateurs, d’un filtre LP, E13-E14
B71-B74 rapid evaluation of   évaluation rapide
two-stage CMOS op amp  ampli op à deux étages de la constante de temps , E1-E4
à CMOS, B55-B60 step response of HP  réponse à l’échelon d’un filtre
Wien-bridge oscillator  oscillateur à pont de Wien, HP, E11-E12
B75-B77 step response of LP  réponse à l’échelon d’un filtre
p-type silicon  Silicium de type p, A2 LP, E10-E11
Pulse response, STC circuit  Réponse à l’impulsion, Single-time-constant circuit  Circuit à constante unique
circuit à CTU, E13-E15 de temps (CTU), E16-E17
p-well process  Processus d’un puits de type p, A7 Small-signal emitter=degeneration resistance 
Résistance dégénerative d’émetteur à petit signal, B27
SPICE device models  Modèles SPICE
R BJT model  modèle de BJT, B9-B12
Reactive ion etching (RIE)  Gravure à ions réactifs diode model  modèle de diode, B4-B5
(RIE), A3-A4 MOSFET models  modèles pour MOSFET, B5-B9
Resistance values, standard  Valeurs standardisées Multisim examples  modèles Multisim, B75-B127
pour résistances, H1-H2 op-amp model  modèle pour ampli op, B1-B4
Resistor  Résistance PSpice examples  exemples PSpice, B13-B79
p-base and pinched-base  d’une base-p et base- zener diode model  modèle pour diode Zener, B5
pincée, A12-A13 Square-law model  Modèle quadratique, B5
VLSI process  processus VLSI, A10 Stable circuit  Circuit stable, F2
Standard resistance values  Valeurs standardisées pour
les résistances, H1-H2
S Step response, STC circuits  Réponse à l’échelon,
s-domain analysis  Analyse en plan-s, F1-F6, F6-F7 circuits à CTU, E10-E12
Bode plots  diagramme de Bode, F3-F6 Systematic offset  Offset systématique, B37, 626
first-order functions  fonctions du premier ordre,
F2-F3 T
poles  pôles, F2
zeros  zéros, F2 Time constant , single-time constant circuits 
Series-shunt feedback, Multisim examples  Rétroaction Constante de temps , circuits à CTU, E1-E4
série-shunt, exemples Multisim, B107-B112 Transfer-function poles  Pôles d’une fonction
de transfert, F2
Index pour le CD IX-5

Transfer-function zeros  Zéros d’une fonction diffusion  diffusion, A4-A5


de transfert, F2 etching  gravure, A4
Transmission zeros  Zéros de transmission, F2 fabrication steps  étapes de fabrication, A2-A6
Twin-well CMOS process  Réalisation de puits p et n fabrication technology  technologie de fabrication,
pour CMOS, A7- A9 A1-A17
Two-integrator-loop filter  Filtre à deux intégrateurs integrated devices  dispositifs intégrés, A9
en boucle ion implantation  implantation des ions, A5
PSpice example  exemple PSpice, B71-B74 lateral pnp transistor  transistor pnp latéral, A12
Two-integrator-loop filter, PSpice example  Filtre à metallization  métallisation, A6
boucle de deux intégrateurs, exemple PSpice, B71-B74 MOSFETs  fabrication des MOSFET, A9-A10
Two-port network  Réseau à deux portes, quadripôle oxidation  oxydation, A2-A3
characterization of linear  caractérisation de la packaging  conditionnement, A6
linéarité, C1-C7 p-base and pinched-base resistors  résistance de
equivalent-circuit  circuit équivalent, C5-C6 base-p et de base pincée, A12-A13
g parameters  paramètres g, C5 photolithography  photolithographie, A3-A4
h parameters  paramètres h, C4-C5 pn function diodes  fonctionnement d’une diode pn,
y parameters  paramètres y, C2-C3 A11
z parameters  paramètres z, C3-C4 resistors  résistors, A10
Two-port network  Réseau à deux portes, quadripôle, SiGe BiCMOS process  fabrication d’un BiCMOS
C7 SiGe, A13, A14
Two-stage CMOS op amp  Amplificateur à deux étages silicon wafers  plaquettes de silicium, A2
à CMOS twin-well CMOS process  fabrication des CMOS à
Multisim examples  exemples Multisim, B95-B100, double puits, A7-A9
B107-B112, B118-B123 VLSI layout  disposition VLSI, A14-A16
PSpice example  exemple PSpice, B55-B60 VLSI processes  processus VLSI, A6-A14

U W
Unit prefixes  Préfixes pour unités de mesure, H1-H2 Wet etching  Gravure humide, A4
Unity-gain frequency  Fréquence de gain unité, B3 Wet oxidation  Oxydation humide, A2
Wien-bridge oscillator, PSpice example  Oscillateur
à pont de Wien, exemple PSpice, B75-B77
V
VLSI (very-large-scale-integrated circuits)  Circuits
Z
VLSI (circuits à grande échelle d’intégration)
BiCMOS process  fabrication de BiCMOS, A12 Zener diode model  Modèle pour diode zener, B5
capacitors  capacitances, A10-A11 Zero, s-domain analysis  Zéro, analyse en plan-s, F2
chemical vapor deposition  dépôt chimique en phase
vapeur, A5-A6
sciences de sciences de
l’ingénieur
l’ingénieur

aS m i t h
aS e d r a
aS e d r a
aS m i t h
Circuits
microéléctroniques aS e d r a
Cet ouvrage de référence a été conçu pour couvrir l’ensemble des circuits aS m i t h
électroniques analogiques et digitaux modernes : une ressource inestimable
pour professionnels, enseignants, chercheurs et étudiants.

Une référence en français pour les cours abordant les circuits électroniques

microéléctroniques
analogiques et digitaux, ce livre couvre les composants de base tels que la diode,

Circuits
les transistors bipolaires et MOSFET, ainsi que les circuits qui en découlent.
Un outil complet
L’accent est mis sur l’acquisition des méthodes d’analyse des circuits électro-
niques modernes : amplificateurs opérationnels, filtres, références de tension,

microéléctroniques
convertisseurs analogiques digitaux (D/A et A/D), boucles à verrouillage de
phase (PLL), oscillateurs, mélangeurs (mixers) et circuits de télécommunication.

Circuits
Cet ouvrage étudie également l’analyse de l’architecture des circuits, la réponse
en fréquence, le bruit, etc. Parmi les circuits digitaux, seront abordés l’inver-
seur CMOS et différents circuits mémoire : verrous (latch), bascules (flip-flop),
mémoires flash, etc.
L’objectif de ce livre
L’objectif de ce livre est de développer chez le lecteur la capacité d’analyse et de
conception des circuits électroniques analogiques et digitaux, discrets et intégrés.
Le sujet des circuits analogiques est largement couvert et l’accent est mis sur la
conception des circuits analogiques intégrés. En effet, les progrès de la techno-
logie de fabrication et d’intégration rendent inévitable l’acquisition des méthodes
d’analyse des circuits analogiques, même pour les circuits digitaux. L’analyse
est facilitée par les outils de simulation, largement utilisés dans l’industrie et qui
deviennent de plus en plus abordables et à la portée de chacun.

Traduction
Dr. Dragos DANCILA, est ingénieur civil électricien et a obtenu un doctorat
en sciences de l’ingénieur de l’Université catholique de Louvain, Belgique.
Conférencier associé à l’Université d’Uppsala, Suède. Il s’est spécialisé en
microélectronique et en ingénierie micro-onde.

Pr. Marius DANCILA, est ingénieur civil électromécanicien. Sa carrière profes-


sionnelle s’est partagée entre la recherche (ICEMENERG, Bucarest, Roumanie)
et l’enseignement (IESN, Namur, Belgique). Il s’est spécialisé en modernisation

sciences de
l’ingénieur
énergétique et en sources renouvelables d’énergie.
Conception graphique : Primo&Primo

ISBN : 978-2-8041-7777-5

9 782804 177775
SEDRA www.deboecksuperieur.com

978-2-8041-7777-5-SEDRA-210X275.indd 1 09/08/2016 14:41