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USTHB / FGM&GP 2015/2016

2ème STGM Module : science des Matériaux

Chapitre 2. ARCHITECTURE ATOMIQUE

1. Structures amorphes et cristallines


Tous les matériaux qui nous entourent sont formés d’atomes et de molécules. Dans l’état désordonné, les atomes ou
molécules constituant la matière sont disposés de façon essentiellement aléatoire. Les gaz et les liquides appartiennent
naturellement à cette catégorie, mais aussi les solides amorphes, tels que les verres. A l’opposé, dans l’état ordonné ou
cristallin, les éléments constitutifs (atomes, ions ou molécules) sont répartis de façon régulière suivant les trois directions
de l’espace.

(a) (b)

Figure 2.1 :(a) illustration de la structure amorphe ou semi-cristalline (b) illustration de la structure cristalline

2. Cristal Parfait
Le cristal idéal ou parfait (le cristal réel diffère mais peu) est constitué d’une répartition régulière des atomes, des ions ou
des molécules suivant les trois dimensions de l’espace et l’arrangement régulier des atomes s’étend sur de longue
distances.

Un cristal peut être décrit à l’aide d’une entité mathématique, le réseau, et d’un contenu matériel, le motif. «
L’assemblage » constitue le cristal.

• Notions de cristallographie

Le matériau peut donc s’organiser à plus ou moins grande échelle


de manière cristalline. Les atomes s’empilent selon un motif qui se répète
périodiquement dans l’espace, « la maille ».

Il existe de nombreuses structures cristallines. Mais, pour les


matériaux métalliques, seules trois structures sont rencontrées, la structure
cubique à faces centrées (CFC) (ex. Cuivre, Aluminium, Nickel, Argent,
Platine, Or), la structure cubique centrée (CC) (Ferα, Chrome, Tantale,
Vanadium, Molybdène) et la structure hexagonale compacte (HC) (Titane,
Zirconium, Cadmium, Zinc, Hafnium).

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Les céramiques ioniques ou covalentes ont souvent des structures plus complexes, il existe jusqu’à quatorze structures
cristallines (ou réseaux de Bravais), qui consistent en quatorze manières de paver l’espace avec des motifs de base, qui
sont bien plus nombreux.

3. Repérage des directions et des plans


Pour une structure cubique, du fait de la périodicité du réseau, on peut repérer tout atome du réseau cristallin à l’aide
d’indices entiers (x, y et z), et tout plan du réseau cristallin par des indices entiers (indices de Miller), notés généralement
(h, k, l).

3.1. Indexation de directions.

Le système d'axe utilisé est toujours celui qui correspond aux trois vecteurs de translation a, b et c. L'origine est située à
un nœud arbitraire, car tous les nœuds sont géométriquement équivalents. Une direction est désignée par trois indices
[uvw]. C'est la direction d'une droite passant par l'origine et le point de coordonnées u. v et w: pour simplifier l'écriture,
on retient les entiers les plus petits. On note qu'un indice est négatif en plaçant un signe - au-dessus, par exemple : [1 ̅ 1].
La figure 2.2 représente quelques directions indexées dans une maille.
En raison des symétries du cristal, il peut arriver que certaines directions cristallographiques soient équivalentes à une opération de
symétrie près : elles appartiennent alors à une même famille de directions, notée < u v w >
Famille de directions = même densité de nœuds par unité de longueur.

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Figure 2.2 : représentation de directions dans une maille

3.2. Indexation de Plans (Indices de Miller ( h k l)):

Un plan est désigné par trois Indices (hkl) appelés Indices de Miller.
Chaque Indice est l'inverse des intersections du plan avec les trois axes du
cristal, mesurées en fonction de a. b et c (figure 2.3).

Ainsi si un plan coupe ox en 2a, oy à l’infini et oz en c


a b c
x  2a  h  12 , y     k  0,z   1  l  1
h k l
(h,k,l) sont multipliés par 2 pour devenir des entiers. Les indices de
Miller du plan sont : 1, 0, 2, le plan s'écrit (102). La figure 2 présente quelques
plans simples d'indice faible.
Si le plan coupe l'un des axes du côté négatif, l'indice correspondant est négatif. On
l'indique en plaçant une barre au- dessus de l'indice correspondant.
Détermination des indices: Inverses des intersections du plan avec les 3 axes du
cristal en fonction des longueurs a, b et c.

1. déterminer les points d'intersection;

2. prendre les inverses;

3. réduire les 3 fractions au plus petit commun dénominateur;

4. prendre les numérateurs.

 indices de famille de plans {h k l}. axes


Famille de plans = même densité de nœuds par unité de surface.
étape Ox Oy Oz
1 (1) a (1/2) b (2/3) c
2 1/1 2/1 3/2
3 2/2 4/2 3/2
4 h=2 k=4 l=3

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Quelques plans d'indice faible

4. Nombre de nœuds par maille


4.1. Système cubique centré
Nombre de nœuds par maille aux sommets =

Nombre de nœuds par maille au centre

Nombre de nœuds par maille = 1 + 1 = 2 atomes / maille

4.2. Système cubique à faces centrées


Nombre de nœuds par maille aux sommets =

Nombre de nœuds par maille aux faces

Nombre de nœuds par maille = 1 + 3 = 4 atomes / maille

5. Relation entre le paramètre de maille « a » et le rayon atomique « r »


Pour déterminer cette relation, nous considérons la direction la plus dense suivant laquelle les atomes sont en contact.

1.1. Système cubique centré 1.1. Système cubique à face centré


√ √
√ √

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Densité atomique
La densité atomique d’un plan ou d’une rangée cristallographique est le nombre d’atomes par unité de surface (respectivement de
longueur) que contient ce plan (resp. cette rangée). Dans un cristal à atomes tous identiques, une rangée atteint la densité maximale
lorsque les atomes qu’elle contient sont jointifs ; un plan atteint la densité maximale lorsque les atomes y sont disposés selon un
empilement hexagonal de triangles équilatéraux (plan compact, figure 3.9). Comme une famille de plans cristallographiques doit
contenir tous les atomes du cristal, plus sa distance caractéristique dhkl est grande, plus sa densité atomique est élevée. Le classement
des plans cristallographiques par distance et densité décroissante permet de déterminer les plans les plus denses d’une structure
cristalline donnée, qui y constituent des « feuillets » à grand éloignement et forte cohésion.

Empilement compact d’atomes identiques dans un plan cristallographique

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Masse volumique théorique :



= =

N : Nombre d’atomes par maille


M : Masse atomique
: Nombre d’Avogadro
a : Paramètre de maille

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