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THÈSE
présentée
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LE GRADE DE DOCTEUR
par
Pierre LEFRANC
Ingénieur Supélec
Cette thèse a été préparée au Centre de Génie Electrique de Lyon (CEGELY) avec le financement de la société ARCEL,
Champagne Au mont d'Or – 69.
Novembre 2003
Directeur : STORCK A.
Professeurs :
AMGHAR Y. LIRIS
AUDISIO S. PHYSICOCHIMIE INDUSTRIELLE
BABOT D. CONT. NON DESTR. PAR RAYONNEMENTS IONISANTS
BABOUX J.C. GEMPPM***
BALLAND B. PHYSIQUE DE LA MATIERE
BAPTISTE P. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
BARBIER D. PHYSIQUE DE LA MATIERE
BASKURT A. LIRIS
BASTIDE J.P. LAEPSI****
BAYADA G. MECANIQUE DES CONTACTS
BENADDA B. LAEPSI****
BETEMPS M. AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
BIENNIER F. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
BLANCHARD J.M. LAEPSI****
BOISSE P. LAMCOS
BOISSON C. VIBRATIONS-ACOUSTIQUE
BOIVIN M. (Prof. émérite) MECANIQUE DES SOLIDES
BOTTA H. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Développement Urbain
BOTTA-ZIMMERMANN M. (Mme) UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Développement Urbain
BOULAYE G. (Prof. émérite) INFORMATIQUE
BOYER J.C. MECANIQUE DES SOLIDES
BRAU J. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Thermique du bâtiment
BREMOND G. PHYSIQUE DE LA MATIERE
BRISSAUD M. GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
BRUNET M. MECANIQUE DES SOLIDES
BRUNIE L. INGENIERIE DES SYSTEMES D’INFORMATION
BUFFIERE J-Y. GEMPPM***
BUREAU J.C. CEGELY*
CAMPAGNE J-P. PRISMA
CAVAILLE J.Y. GEMPPM***
CHAMPAGNE J-Y. LMFA
CHANTE J.P. CEGELY*- Composants de puissance et applications
CHOCAT B. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Hydrologie urbaine
COMBESCURE A. MECANIQUE DES CONTACTS
COURBON GEMPPM
COUSIN M. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Structures
DAUMAS F. (Mme) CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Energétique et Thermique
DJERAN-MAIGRE I. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL
DOUTHEAU A. CHIMIE ORGANIQUE
DUBUY-MASSARD N. ESCHIL
DUFOUR R. MECANIQUE DES STRUCTURES
DUPUY J.C. PHYSIQUE DE LA MATIERE
EMPTOZ H. RECONNAISSANCE DE FORMES ET VISION
ESNOUF C. GEMPPM***
EYRAUD L. (Prof. émérite) GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
FANTOZZI G. GEMPPM***
FAVREL J. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
FAYARD J.M. BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS
FAYET M. (Prof. émérite) MECANIQUE DES SOLIDES
FAZEKAS A. GEMPPM
FERRARIS-BESSO G. MECANIQUE DES STRUCTURES
FLAMAND L. MECANIQUE DES CONTACTS
FLEURY E. CITI
FLORY A. INGENIERIE DES SYSTEMES D’INFORMATIONS
FOUGERES R. GEMPPM***
FOUQUET F. GEMPPM***
FRECON L. (Prof. émérite) REGROUPEMENT DES ENSEIGNANTS CHERCHEURS ISOLES
GERARD J.F. INGENIERIE DES MATERIAUX POLYMERES
GERMAIN P. LAEPSI****
GIMENEZ G. CREATIS**
GOBIN P.F. (Prof. émérite) GEMPPM***
GONNARD P. GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
GONTRAND M. PHYSIQUE DE LA MATIERE
GOUTTE R. (Prof. émérite) CREATIS**
GOUJON L. GEMPPM***
GOURDON R. LAEPSI****.
GRANGE G. (Prof. émérite) GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
GUENIN G. GEMPPM***
GUICHARDANT M. BIOCHIMIE ET PHARMACOLOGIE
GUILLOT G. PHYSIQUE DE LA MATIERE
GUINET A. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
GUYADER J.L. VIBRATIONS-ACOUSTIQUE
GUYOMAR D. GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
Novembre 2003
vi
Ces travaux de thèse ont été effectués au sein du laboratoire CEGELY de
l’INSA de Lyon et de la société ARCEL. Je tiens en premier lieu à remercier Mon-
sieur le Professeur Jean-Pierre Chante pour m’avoir accueilli au sein de son labo-
ratoire et Monsieur Yves Paris au sein de sa société.
Un grand merci à Hervé Morel et Bruno Allard pour leurs conseils et leurs re-
lectures ; à Dominique Planson pour m’avoir confié des enseignements et m’avoir
grandement aidé pour les simulations ; à Pierre Brosselard pour son aide et ses
histoires de vieux tracteurs ; à Jean-Pierre Masson et Pascal Venet pour m’avoir
fait entrer au CEGELY ; à Cyril Buttay pour son aide gargantuesque ; "l’père",
"l’bombé" et "l’glaude" (ils se reconnaîtrons) ; et toute l’équipe du CEGELY.
vii
Table des matières
ix
TABLE DES MATIÈRES
x
TABLE DES MATIÈRES
Bibliographie 207
xi
Introduction générale
Depuis ses débuts en 1980, l’IGBT a pris une importance énorme pour arriver
à l’heure actuelle à concurrencer tous les autres composants de puissance : bipo-
laire, MOSFET, GTO, . . . Une large gamme de modules IGBT est actuellement
disponible : de quelques dizaines d’Ampère à quelques kilo-Ampère et de 300V à
6500V.
Dans les convertisseurs de puissance, les modules IGBT sont associés à une
carte appelée "driver". Le driver a pour fonction de piloter son module IGBT as-
socié et de garantir son intégrité en cas de défauts (surintensité et surtension). Le
driver constitue un sous système au sein du convertisseur. Il devient aussi impor-
tant que le module IGBT. L’enjeu est de taille car certains modules coûtent plus de
1000 C l’unité.
Dans le troisième chapitre, une modélisation des puces IGBT est proposée afin
d’étudier leurs commutations en vue de leur commande. On propose également de
prendre en compte les effets inductifs dus au câblage dans les boîtiers des modules
IGBT. Afin de finaliser la modélisation des puces IGBT, nous proposons l’étude du
phénomène d’avalanche dynamique présent sur certaines technologies de puces à
l’aide d’équations simples puis de simulations par éléments finis.
xii
Chapitre 1
1
1.2 Les semiconducteurs de puissance
Courant [A]
HVDC
1000
Traction
100
Alimentation
à
découpage
Contrôle Modules
10 moteur IGBT
Automobile
Telecom
0.1
Alimentations
intégrées
Tension [V]
0.01
2
1.3 Les modules IGBT de puissance
1980 [Bal96].
Le MOSFET est très bien adapté pour les convertisseurs basse-tension et à fré-
quence élevée (inférieure à 100V et supérieure à 50kHz) alors que l’IGBT est uti-
lisé pour les tensions supérieures à 300V et des fréquences rarement supérieures à
20kHz. Les GTO10 et thyristors sont dédiés aux applications haute tension (>1kV)
fort courant (>1kA). La figure 1.2 résume cette classification de composants de
puissance en fonction de la fréquence de commutation et du produit U.I des com-
posants.
Les modules IGBT ont un domaine d’application qui recouvre totalement celui
des transistors bipolaires, partiellement celui des MOSFET et des GTO. C’est pour-
quoi les modules IGBT sont des composants d’avenir dans les fortes et moyennes
puissances [Bal96].
3
1.3 Les modules IGBT de puissance
En 1982, General Electric dépose un brevet pour l’IGR11 et RCA pour le COM-
FET12 . En 1983, Motorola propose la structure GEMFET13 . D’autres noms sont
associés à cette structure de composant : IGT14 , TGB15 [Arn92], Bipolar MOS
Transistor, . . .[Per04]. Depuis le début des années 1990, les constructeurs utilisent
couramment le nom d’IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor.
Sur la figure 1.4, on montre le mouvement des trous et des électrons dans une
cellule IGBT lors de la conduction. On fait apparaître la zone de charge d’espace,
la création d’un effet JFET et du canal d’électron sous la grille.
Sur la figure 1.5, apparaissent les éléments constitutifs internes à cette struc-
ture. Tout d’abord, un transistor bipolaire PNP qui a pour émetteur le collecteur de
l’IGBT. Ensuite, un transistor NPN qui a pour collecteur la zone de drain N − . Un
effet JFET est associé à la zone de charge d’espace entre les caissons PP+ près de
l’émetteur de l’IGBT et augmente la résistivité interne de l’IGBT. Les différentes
résistances internes sont également associées aux types de couches.
Sur la figure 1.6, on représente les circuits équivalents d’une cellule IGBT. On
voit apparaître sur la figure 1.6(a) une structure thyristor avec les transistors PNP
11 Insulated Gate Rectifier
12 COnductivity Modulated Field Effect Transistor
13 Gain Enhanced Field Effect Transistor
14 Insulated Gate Transistor
15 Transistor à Grille Bipolaire
4
1.3 Les modules IGBT de puissance
F IG . 1.4 – Conduction d’une cellule IGBT - trajets des trous et des électrons
5
1.3 Les modules IGBT de puissance
et NPN. Celle-ci ne doit pas être activée pour garder le contrôle de l’ouverture de
l’IGBT par la grille.
Collecteur Collecteur
Rn(mod) Rn(mod)
N- N-
Grille Grille
Rb
P+
Emetteur Emetteur
(a) (b)
6
1.3 Les modules IGBT de puissance
7
1.3 Les modules IGBT de puissance
(a) (b)
Une cellule de type NPT est représentée figure 1.9(a). Pour des tensions supé-
rieures ou égales à 1200V, on peut utiliser directement une plaquette brute de type
N − . Il faut compter 10V par micromètre pour la tenue en tension de la couche N − .
L’inconvénient est que pour les tensions inférieures à 1200V, les plaquettes sont
fines et nécessitent des machines à transport par coussin d’air pour éviter les casses
[Alo98] [Per04].
Pour la technologie NPT, la couche N − est le substrat, la couche P+ côté col-
lecteur est réalisée par diffusion ou implantation et est peu épaisse. La tenue en ten-
sion directe bloquée est assurée par la zone épaisse N − . Cette couche N − épaisse
confère à la puce IGBT une chute de tension à l’état passant assez élevée. Ceci
devient très pénalisant surtout pour la gamme des tensions bloquées inférieures à
1200V. Mais, ce problème peut être résolu en utilisant une couche N − plus fine. La
quantité de charges stockées dans la zone N − peut être contrôlée par la réduction
du coefficient d’injection18 de trous en agissant sur l’épaisseur et la concentration
de la couche P+ .
Sur la figure 1.9(b), on représente une cellule de type PT. Le substrat est de
type P+ sur lequel on fait croître par épitaxie la couche N + (couche tampon) puis la
couche N − . Cela permet d’avoir une couche N − plus fine que pour la technologie
NPT pour la même tenue en tension. Ceci est possible grâce à la décroissance
rapide du champ électrique en polarisation directe dans la zone tampon N + . Mais,
la tenue en tension d’une cellule PT est dissymétrique contrairement à une cellule
16 Non Punch Through : structure symétrique
17 Punch Through : structure asymétrique
18 rapport entre le courant total et le courant de trous au niveau de la couche P+ côté collecteur
8
1.3 Les modules IGBT de puissance
de type NPT. Une structure PT offre une chute de tension à l’état passant très faible
grâce à la faible épaisseur de la zone N − mais nécessite soit une injection de métaux
lourds soit une irradiation de la zone N − pour créer des centres de recombinaison
pour accélérer la recombinaison des trous (porteurs minoritaires de la zone N − )
lors de l’ouverture de l’IGBT (queue de courant) mais au détriment du Vcesat .
Eoff Eoff
Sans
Irradiation Trench IGBT
PT
PT Avec
irradiation
NPT NPT
Vcesat Tj
(a) (b)
On voit que la technique "transparent anode" pour les IGBT NPT donne un
meilleur résultat que la technique d’irradiation pour les IGBT PT. Pour améliorer
9
1.3 Les modules IGBT de puissance
Tj
NPT
PT
Trench gate
La structure "trench gate" est apparue en 1987 pour les IGBT [Bal96]. Cette
technologie permet d’éliminer l’effet JFET entre les cellules IGBT : voir figure
1.12.
La chute de tension à l’état passant de l’IGBT est améliorée pour la technologie
trench gate. Par ailleurs, la résistance de canal (Rcanal ) est réduite. La largeur de la
grille est plus petite qu’en technologie planar et permet une meilleure densité de
courant. De plus, le courant de "latch-up" est amélioré [Mot98]. L’inconvénient de
cette technologie est que la capacité grille-émetteur augmente et de ce fait change
le comportement dynamique de l’IGBT [Mal01].
10
1.3 Les modules IGBT de puissance
(a) (b)
F IG . 1.13 – Coupe schématique d’une cellule IGBT Field Stop et profil du champ
électrique lors d’une polarisation directe bloquée
Cette structure est appelée Field Stop (FS) par Eupec et Fuji. La fine couche
N "Field Stop" faiblement dopée modifie l’injection de trous de la couche P (côté
collecteur) et permet de stopper le champ électrique de la zone N − en polarisation
directe bloquée : voir figure 1.13 pour le profil du champ électrique théorique de
la structure Field Stop. Le tableau 1.1 compare les différentes structures de cellule
11
1.3 Les modules IGBT de puissance
PT NPT FS
Couche P côté Fortement dopée, Faiblement Faiblement
collecteur forte injection dopée dopée
dans la couche
N−
Zone de drain N − Fine : épitaxiée Moyennement Fine : substrat fin
épaisse
Couche addition- Stoppe le champ Pas de couche N Permet de stop-
nelle N électrique à l’état per le champ E à
bloqué l’état bloqué
Carrier lifetime Méthodes pour Durée de vie non Durée de vie non
accélérer la optimisée optimisée
recombinaison
TAB . 1.1 – Comparaison des cellules PT, NPT et FS pour une tenue en tension
identique
12
1.3 Les modules IGBT de puissance
F IG . 1.14 – Coupe schématique d’une cellule IGBT Trench Gate et profil de dopage
F IG . 1.15 – Coupe schématique d’une cellule IEGT Trench Gate et profil de dopage
13
1.3 Les modules IGBT de puissance
figure 1.17 montre une cellule d’un HiGT. On note que cette structure est proche de
14
1.3 Les modules IGBT de puissance
à l’état passant réduite grâce à la couche "carrier stored" pour l’IGBT CSTBT et
au dopage augmenté de la couche N − côté émetteur pour l’IEGT.
Dans la plupart des cas, les modules IGBT sont soit en boîtier plastique (avec
semelle métallique), soit en boîtiers "press-pack". Ces deux technologies sont les
plus répandues pour les IGBT disponibles dans le commerce. Nous détaillons ces
deux technologies.
Boîtiers plastiques
Le problème de base de la mise en boîtier des puces IGBT et diode est d’avoir
un bon compromis entre la fiabilité et l’évacuation des pertes des puces vers l’ex-
térieur. Ce compromis va conduire au choix des isolants, des semelles métalliques
et des soudures.
15
1.3 Les modules IGBT de puissance
La figure 1.19 montre la structure d’un boîtier de module IGBT. On voit appa-
raître la semelle (baseplate) qui garantit la rigidité mécanique de l’ensemble et le
transfert thermique de l’intérieur vers l’extérieur du boîtier ; les couches d’isolants
entre les puces de silicium et la semelle pour l’isolation galvanique des boîtiers ;
les "bondings" et les connexions vers l’extérieur.
La fiabilité des modules IGBT en boîtier plastique est limitée par la fatigue des
soudures entre "bondings" et puces IGBT ; entre puces IGBT et isolant puis entre
isolant et semelle.
Les soudures "puce - isolant" et "isolant - semelle" sont soumises à des contraintes
mécaniques si les coefficients de dilatation thermiques sont différents entre les ma-
tériaux à souder. La figure 1.21 montre le type de déformation propre à un empilage
de trois matériaux.
16
1.3 Les modules IGBT de puissance
Si
soudure
isolant
Si
T T
soudure
isolant
17
1.3 Les modules IGBT de puissance
D · ∆α · ∆T · E
S = (1.1)
2 · es
D : Diagonale de la puce
∆α : Différence de coefficient de dilatation Si-brasure
∆T : Différence de température entre les deux matériaux
E : Module d’élasticité Young du matériau
es : Epaisseur de la brasure
18
1.3 Les modules IGBT de puissance
19
1.3 Les modules IGBT de puissance
20
1.3 Les modules IGBT de puissance
Boîtiers "press-pack"
Nous avons vu dans le paragraphe précédent que l’empilage puce - isolant - se-
melle est soumis à des contraintes mécaniques lors de cyclages thermiques menant
à la détérioration des soudures (et des résistances thermiques de ce fait). De même
pour les bondings qui sont soumis à des forces électromagnétiques et contraintes
thermiques. A partir de ce constat, il est intéressant de supprimer les soudures.
C’est possible grâce à la technologie "press-pack" qui élimine les soudures grâce
à une pression permanente en fonctionnement par le système de "clamp". Cette
solution est utilisée pour les diodes, thyristors, IGCT et IGBT dans le cadre d’ap-
plications de traction par exemple où les problèmes de cyclage thermique sont les
plus sévères.
[Sch01] présente une description d’un IGBT press-pack 6.5kV - 650A. Il est
constitué de 21 puces IGBT en parallèle. Une puce est représentée figure 1.25 avec
les connexions métalliques.
21
1.4 Bilan et perspectives
rapport à un boîtier plastique car un radiateur est présent sur les deux faces du
composant. La résistance thermique du composant dépend de la force de serrage
du "clamp" [Eva99]. La figure 1.26 montre un montage de composant press-pack
avec les radiateurs et le clamp.
22
1.4 Bilan et perspectives
4.0 kA
3.5 kA
Courant coupé maximal [A]
3.0 kA single
dual
2.5 kA six−pack
2.0 kA
1.5 kA
1.0 kA
500.0 A
0.0 A
0 V 1 kV 2 kV 3 kV 4 kV 5 kV 6 kV 7 kV
Tension bloquée maximale[V]
23
1.5 Conclusion
1.5 Conclusion
Le début du chapitre a été consacré à l’historique de l’IGBT et à son com-
portement physique. Ensuite, nous avons vu les différentes technologies de cellule
IGBT dont les principales sont : punch through, non punch through et trench gate.
Les nouvelles structures et technologies de cellules ont été exposées pour clarifier
les termes propres à chaque constructeurs (FS, IEGT, CSTBT, HiGT. . . ). Enfin,
nous avons décrit les principaux avantages et inconvénients des boîtiers plastiques
et press-pack.
Dans le chapitre suivant, nous présentons le composant indissociable au mo-
dule IGBT : le driver d’IGBT.
24
Chapitre 2
25
2.1 Description des circuits de commande d’IGBT dans leur environnement
(a) (b)
26
2.2 Commande de grille des modules IGBT
par exemple, le driver doit couper l’IGBT et envoyer une information d’erreur à la
commande globale. En cas d’ouverture en court-circuit, le driver doit piloter l’ou-
verture de l’IGBT de telle manière que sa tension Vce ne dépasse pas sa tension de
claquage. Des mesures et estimations de température peuvent être effectuées pour
la sécurité thermique des modules IGBT. Des sécurités en di/dt et dv/dt peuvent
être implantées pour compléter les sécurités en court-circuit et sur-intensité.
•Isolation galvanique :
Pour répondre à tous les types de module IGBT et tous les types de convertisseurs
statiques, les ordres qui proviennent de la commande globale et appliqués sur la
grille de l’IGBT concerné doivent être isolés galvaniquement. La qualité de cette
isolation galvanique tient dans sa tenue en tension statique qui permet de piloter
des IGBT à des potentiels flottants (300V, 600V, 800V, 1500V, · · · ) et également
à ses caractéristiques dynamiques qui donneront au driver la possibilité de piloter
des modules IGBT de plus en plus rapides sans problèmes de CEM (dv/dt) sur
l’électronique du driver.
La commande de grille nécessite une puissance pour ouvrir et fermer l’IGBT
(charge et décharge des charges stockées dans la grille de l’IGBT). Il faut donc
transmettre cette puissance avec une isolation galvanique du potentiel de la com-
mande globale au potentiel flottant (ou non flottant) de l’IGBT. La qualité de cette
alimentation isolée est soumise aux mêmes caractéristiques que la transmission
d’ordre : il faut tenir la tension statique et minimiser les capacités de couplage
entre le primaire et le secondaire de l’alimentation isolée.
Les capacités parasites entre le primaire et les secondaires ont pour effets de
générer des courants de mode commun lors des variations de tension sur les secon-
daires. Ces courants circulent au primaire du driver et au niveau de la commande
globale. Ils peuvent perturber l’électronique au primaire du driver et au niveau de
la commande globale et ensuite provoquer des dysfonctionnements.
Pour synthétiser les caractéristiques précédentes, on représente figure 2.3 le
synoptique d’un driver de module IGBT. On fait apparaître la notion de primaire et
secondaire pour l’isolation galvanique.
Dans la suite de ce chapitre, nous présentons les quatre grandes fonctionnalités
des drivers de modules IGBT :
• commande de grille
• protection des modules IGBT
• transmission des ordres
• transmission de puissance
27
2.2 Commande de grille des modules IGBT
28
2.2 Commande de grille des modules IGBT
(a) (b)
Vdd qu’il faut commuter sur la résistance de grille de l’IGBT à l’aide d’interrup-
teurs commandés. Nous disposons de composants commandables de type bipolaire
et MOSFET. Suite aux travaux de thèse réalisés par Mohamad Kheir El Chieckh
[EC95], nous exposons la liste des solutions possibles en technologie bipolaire et
MOSFET : figure 2.5.
Les signaux de commande a et b permettent de faire commuter indépendam-
ment l’un ou l’autre des interrupteurs de la structure. Le secondaire du driver doit
générer les signaux de commande a et b en fonction des ordres reçus provenant du
primaire.
•Push-pull à bipolaire :
Les deux transistors bipolaires sont utilisés en suiveur de tension. Le gain en cou-
rant β permet aux sources de tensions a et b de ne pas fournir un courant trop
important dans les bases des transistors bipolaires lors des impulsions du courant
de grille. Les potentiels a et b doivent être reliés, la commande de cette structure
nécessite une seule tension de commande qui commute entre Vcc et Vdd .
•Push-pull à MOSFET :
Cette structure ne permet pas de piloter convenablement une grille d’IGBT. Sur la
figure 2.6, on représente la charge d’une capacité C via une résistance R avec un
transistor MOSFET.
29
2.2 Commande de grille des modules IGBT
(a)
(b)
30
2.2 Commande de grille des modules IGBT
31
2.2 Commande de grille des modules IGBT
32
2.2 Commande de grille des modules IGBT
permanence la puissance Is .VDZ1 quand l’IGBT est fermé et Ip .VDZ2 quand l’IGBT
est ouvert.
Une source de courant peut être réalisée par une source de tension et résistance
en série. La valeur de la source de tension doit être supérieure à la tension de charge
de la grille de l’IGBT (figure 2.9).
(a) (b)
Les diodes zener DZ1 et DZ2 limitent la tension de grille. Cette solution consomme
énormément de puissance car la source de tension débite en permanence dans la
résistance Rg et les diodes zener en régime permanent. Cette solution est envisa-
geable pour la simulation ou pour la caractérisation de composants mais pas pour
un driver industriel pour des raisons évidentes de consommation.
33
2.2 Commande de grille des modules IGBT
34
2.2 Commande de grille des modules IGBT
2.2.5 Conclusion
Nous venons de voir que la commande de grille peut être réalisée avec plusieurs
solutions (commande en tension, courant, mixte). La commande en tension est
35
2.2 Commande de grille des modules IGBT
36
2.3 Protections des modules IGBT
37
2.3 Protections des modules IGBT
38
2.3 Protections des modules IGBT
39
2.3 Protections des modules IGBT
(a) (b)
40
2.3 Protections des modules IGBT
41
2.3 Protections des modules IGBT
Sur la figure 2.19, on remarque que dans le cas d’un court-circuit, la tension
Vce ne décroît pas jusqu’à une valeur proche de quelques Volts. La longueur du
plateau Miller est plus faible que lors de commutation en fonctionnement normal.
42
2.3 Protections des modules IGBT
43
2.3 Protections des modules IGBT
Cette information peut être utilisée pour détecter un régime de court-circuit. Dans
la thèse de Robert Pasterczik [Pas93], différentes méthodes sont exposées pour
détecter le régime de court-circuit par la mesure de la tension grille-émetteur.
En cas de défaut, la montée du courant dans l’IGBT est imposée par l’impé-
dance de défaut. Dans la plupart des cas, on modélise cette impédance par une
inductance de faible valeur, ce qui correspond bien à la réalité. La montée du cou-
rant est très rapide lors d’un défaut. La détection peut être effectuée par la mesure
du di/dt dans l’IGBT. Une méthode consiste à mesurer la tension entre l’émetteur
de puissance et l’émetteur de commande qui donne une image du di/dt dans l’IGBT
grâce aux effets inductifs des connexions internes du module IGBT [Lef05] : voir
section 4.3 page 162.
Sur la figure 2.22, on représente le courant collecteur Ic , les tensions Vge et Vce
sans et avec diode TRANSIL. Avec le système de clamping, la tension Vge remonte
5 marque déposée
44
2.3 Protections des modules IGBT
après le plateau Miller (phénomène expliqué dans le paragraphe 3.2.1 page 78) :
dans cette phase, la tension Vge est fixée à une tension pour limiter la tension Vce à
une valeur proche de la tension de la diode TRANSIL Tr .
Cette solution est très utilisée sur les drivers de module IGBT de type industriel.
Elle comporte néanmoins des risques : la contre-réaction du collecteur sur la grille
peut engendrer des oscillations sur la tension de grille et la tension collecteur. Si
ces oscillations deviennent trop importantes, l’IGBT peut repasser à l’état saturé.
Le courant dans l’IGBT se met à croître, la sécurité en surintensité coupe l’IGBT et
l’ouverture crée une surtension qui dépasse la valeur des diodes TRANSIL. A cause
de ce phénomène, l’IGBT voit son courant augmenter très rapidement, quelques
cycles suffisent pour que le module soit détruit.
Pour éviter ce phénomène, on ajoute une résistance en série avec les diodes
TRANSIL. Cette résistance permet d’amortir les oscillations sur les tensions de
grille et collecteur. Mais, elle a pour conséquence néfaste de modifier la tension
maximale vue par le collecteur. Ceci implique un réglage précis du système de
clamping pour chaque convertisseur : choix de Rg , RT et Tr sur la figure 2.23.
Afin d’étudier ce phénomène, nous avons réalisé des essais de clamping sur
des modules IGBT. Les essais ont été réalisés conformément au schéma de la fi-
gure 2.23. La tension de bus est de 360V environ. La tension Vge passe de +16V à
-16V lors de l’ouverture du module IGBT. Une surtension apparaît sur la tension
Vce , les diodes TRANSIL entrent en conduction et le courant ig qui est alors néga-
45
2.3 Protections des modules IGBT
tif croît rapidement pour atteindre des valeurs positives (figure 2.24). La tension
Vge augmente légèrement après le plateau Miller pour ralentir la décroissance du
courant collecteur et ainsi limiter la surtension.
2.3.5 Conclusion
Compte tenu des coûts des convertisseurs à base de modules IGBT, on com-
prend l’intérêt de mettre en oeuvre des systèmes de protection pour la thermique,
les court-circuits et surintensités, les surtensions.
La protection thermique avec la mesure de la température du système de refroi-
dissement est la plus simple à mettre en oeuvre mais fait intervenir des constantes
46
2.4 Transmission des ordres
47
2.4 Transmission des ordres
Optocoupleur
48
2.4 Transmission des ordres
Les éléments parasites sont représentés sur cette figure pour faire apparaître les
points faibles de cette structure. Avec les composants actuels, on peut avoir une
photodiode qui a une capacité parasite de 10pF et un courant photo-électrique de
10µA. Si l’on prend Vre f = 0.5V (valeur faible), il faut avoir une tension aux bornes
de R3 qui varie entre 0V (presque 0V, dépend du courant de repos de la photodiode
et de la résistance R3 ) et 1V. Il faut donc prendre R3 =1V / 10µA = 100kΩ. Or, la
capacité parasite C1 et la résistance R3 créent une constante de temps τ1 de 1µs.
Ce qui veut dire que la tension VR3 met environ 1µs pour passer de 0V à 0.5V et
49
2.4 Transmission des ordres
de 1V à 0.5V. Ce temps est assez élevé mais reste acceptable. Or, les niveaux de
tension sont très faibles (détecter 0.5V) pour un environnement qui est soumis à de
nombreuses perturbations électromagnétiques. Si l’on augmente R3 à 500kΩ pour
avoir une tension VR3 =5V, on obtient τ1 = 5µs . . .
50
2.4 Transmission des ordres
Principe de base
51
2.4 Transmission des ordres
52
2.4 Transmission des ordres
53
2.4 Transmission des ordres
formateur coreless est piloté par une électronique pour l’émission et la réception :
voir figure 2.30 page 51. Les modes de pilotage du transformateur coreless sont
identiques au transformateur magnétique.
De nombreuses publications montrent les différentes formes de bobinage (carré,
rectangle, cercle) et les conséquences sur les caractéristiques des transformateurs
coreless [Tan99] [Hui99b] [Hui99a] [Tan99] [Tan00] [Tan01] [Hui97]. Des appli-
cations spécifiques ont été réalisées pour la transmission d’ordre par modulation
pour driver d’IGBT [Vas04].
Modes de transmission
Comme pour les transformateurs magnétiques et coreless, on peut utiliser un
transformateur piezo-électrique par modulation et par impulsion. La méthode par
54
2.5 Transmission de puissance
2.4.5 Conclusion
A priori, toutes les méthodes et solutions technologiques exposées précédem-
ment pour la transmission des ordres semblent être utilisables pour un driver in-
dustriel. Or, on peut tout de même émettre quelques réserves vis à vis des solutions
à transformateurs magnétiques et coreless qui utilisent une transmission par im-
pulsion car elles nécessitent une gestion plus complexe des ordres par rapport à
une solution optique qui transmet des états. En effet, les systèmes à impulsions
sont plus propices à créer des défauts sur un bras d’onduleur par exemple si une
impulsion correspondant à l’ouverture est "loupée" ou si un parasite envoie une
impulsion correspondant à la fermeture alors que l’IGBT doit être ouvert.
Les transformateurs piézoélectriques sont difficiles à mettre en oeuvre à cause
de leur multiples résonnances. De plus, des problèmes mécaniques sont attendus
lors des phases de moulage des drivers et d’utilisations en milieux soumis à de
fortes vibrations.
Dans le chapitre 4, nous verrons que la solution optique avec récepteur intégré
permet d’obtenir des performances excellentes bien que son prix soit important.
D’un point de vue économique, la solution à transformateur coreless et trans-
mission par impulsion semble être la meilleure. En effet, ce transformateur est
intégré au circuit imprimé et coûte seulement la surface qu’il occupe. L’inconvé-
nient de cette solution réside dans le pilotage de ce transformateur qui possède des
impédances très faibles. Nous verrons dans le chapitre 4 les contraintes en courant
dans un tel dispositif.
55
2.5 Transmission de puissance
56
2.5 Transmission de puissance
Dans cette partie, nous nous attachons aux différentes solutions technologiques
existantes et évaluons les performances sur les points suivants :
• isolation galvanique statique
• isolation galvanique dynamique : capacités de couplage entre primaire et secon-
daires
• immunité aux perturbations électromagnétiques
• rendement
• mise en oeuvre
Contraintes et conséquences
C = ε. Se = ε0 .εr . Se
57
2.5 Transmission de puissance
ε : permittivité de l’isolant
εr : permittivité relative de l’isolant
ε0 : permittivité du vide
S : surface en regard
e : distance entre les surfaces
Transformateur planar
Cette technologie consiste à utiliser les pistes d’un circuit imprimé pour réaliser
les bobinages du transformateur. La ferrite se monte par le biais de découpes dans
le circuit imprimé. La figure 2.36 montre un exemple de transformateur planar.
Il a été développé pour les drivers de la société ARCEL. Le circuit imprimé est
constitué de six couches en matériau FR4 et une épaisseur de cuivre de 70µm.
La mise en oeuvre de ce type de transformateur n’est pas facile pour respecter
la contrainte d’isolation statique. Prenons l’exemple d’un circuit imprimé double
face : un bobinage est effectué sur chaque face du circuit imprimé. Lorsque la
ferrite est insérée sur le circuit imprimé, elle est très proche des pistes des deux
enroulements des deux faces du circuit imprimé : figure 2.37.
Ce problème peut être résolu par l’insertion de deux plaques de circuit imprimé
entre les pistes et la ferrite : figure 2.38.
58
2.5 Transmission de puissance
Les capacités parasites entre les enroulements dépendent des surfaces des pistes
en regard, de leurs dispositions et de l’épaisseur du circuit imprimé. Comme le
processus de gravure des pistes est industrialisé et automatisé, la répétabilité des
caractéristiques des transformateurs planar est excellente.
Cette solution n’est pas retenue par la suite car la résistance des pistes est trop
importante. Les pertes produites par les bobinages sont trop importantes ce qui
cause une élévation de température du circuit imprimé qui n’est pas acceptable.
Transformateur bobiné
Dans ce cas, le bobinage des enroulements est réalisé avec du fil isolé. La ferrite
peut avoir des formes variées : tores, E, U, . . . . Nous nous intéressons au cas d’un
transformateur dit torique : la forme de la ferrite est un tore (figure 2.39).
Cette solution est très utilisée pour des drivers industriels car elle permet d’ob-
tenir d’excellentes caractéristiques (isolation statique et dynamique, rendement,
mise en oeuvre, volume) pour des prix inférieurs aux transformateurs planars.
L’isolation statique est assurée par l’isolant sur les fils des bobinages et la pein-
ture isolante de la ferrite. Celle-ci permet de tenir une tension d’isolement comprise
entre 1500V et 3000V en standard. L’isolant des fils assure des isolations comprises
entre quelques centaines de volts et quelques kilo-volts en fonction de la nature et
l’épaisseur de celui-ci.
Les capacités de couplage sont réduites si l’on diminue le nombre de tours des
bobinages et que l’on éloigne les enroulements les uns des autres : figure 2.40.
Ceci nous incite à utiliser des structures d’alimentation à fréquence élevée pour
diminuer le nombre de tours des bobinages et utiliser au maximum des commuta-
tions à zéro de tension qui utilisent les inductances de fuite des transformateurs :
structures à résonance et quasi résonance.
59
2.5 Transmission de puissance
60
2.5 Transmission de puissance
(a) (b)
(a) (b)
61
2.5 Transmission de puissance
(a) (b)
(c) (d)
(e)
62
2.5 Transmission de puissance
secondaire du transformateur T .
Le deuxième exemple est une alimentation utilisée sur des drivers industriels
disponibles dans le commerce. Cette structure est très simple et fait fonctionner
l’interrupteur à zéro de tension à l’ouverture et à la fermeture. La figure 2.42 re-
présente cette structure.
(a) (b)
Cette structure n’est pas conventionnelle comme le sont les structures flyback
et forward. En effet, lorsque le MOSFET Q est fermé, le transfert d’énergie entre
la source de tension Ve et le récepteur Vs est direct. Lorsque le MOSFET Q s’ouvre,
la tension Vds croît et la tension Vprim décroît. La tension Vsec décroît et le transfert
d’énergie entre le primaire et la source diminue jusqu’à s’annuler. A ce moment,
le courant dans la diode d s’annule, la tension Vsec devient l’image de la tension
Vprim . Le secondaire est déconnecté du primaire. Le primaire est alors constitué de
l’inductance magnétisante Lm et l’inductance de fuite LR avec un courant positif
les traversant. Le condensateur CR et l’inductance Lm + LR constituent un circuit
oscillant. La tension Vds et le courant d’entrée ie sont en quadrature de phase. La
fréquence d’oscillation est :
1
fR = p
2π (Lm + LR ).CR
63
2.5 Transmission de puissance
voit que l’inductance de fuite du transformateur LR intervient très peu dans la fré-
quence d’oscillation fR si celle-ci est négligeable devant Lm . Ceci est vrai dans la
plupart des cas pour les transformateurs bobinés. Cela implique que la façon dont
est bobiné le transformateur a peu d’influence sur la fréquence fR . La valeur de LR
va surtout conditionner les commutations de la diode d du secondaire.
Pour illustrer ces explications, nous avons simulé cette structure avec le logiciel
LTSpice avec les paramètres suivants :
Ton : 0.7µs temps de mise en conduction du MOSFET
T : 2.1µs période de découpage
CR : 1.2nF condensateur de résonance
Cs : 10µF capacité de découplage de la charge
Rch : 470Ω résistance de charge
LR : 100nH inductance de fuite du transformateur
m : 1.29 rapport de transformation
Lm : 56µH inductance magnétisante du transformateur
Vs : 19V tension de sortie de l’alimentation
45 0.3
Vds iLR
40 Vgs id
35 0.2
30
Vds Vgs [V]
25
id [A]
0.1
20
15
iLR
0.0
10
5
0 −0.1
−5
−10 −0.2
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
Temps [s] Temps [s]
60
Vsec
50 Vd
40
30
Vd Vsec [V]
20
10
0
−10
−20
−30
−40
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
Temps [s]
64
2.5 Transmission de puissance
65
2.5 Transmission de puissance
piloter un bras d’onduleur. Les commandes sur les grilles des interrupteurs sont
isolées et complémentaires. L’aspect CEM de cette solution technologique est éga-
lement traité : les auteurs montrent que le transformateur coreless rayonne très peu
car il travaille en "champ proche". Le champ électromagnétique généré par le trans-
formateur coreless est très local. Il se concentre dans le circuit imprimé entre les
deux enroulements et très localement à l’extérieur. Du point de vue immunité aux
rayonnements extérieurs, il est peu sensible dans sa plage d’utilisation : quelques
Méga-Hertz. De plus, les capacités de couplage entre primaire et secondaires sont
de l’ordre de 10pF et peuvent même descendre en dessous de 3pF en fonction de
la taille du transformateur.
Cette solution permet d’envoyer les ordres et la puissance via le même signal.
La solution suivante permet d’avoir une alimentation isolée à base de transforma-
teur coreless. Dans [Tan01], une alimentation stabilisée est mise en oeuvre. Le
transformateur coreless a un diamètre de 4.6mm. L’alimentation permet de trans-
mettre une puissance de 0.5W (5V, 100mA) avec un rendement total de 34%. L’iso-
lation galvanique est assurée par les propriétés diélectriques du circuit imprimé
(10kV à 40kV par millimètre).
Les inductances équivalentes des bobinages et le coefficient de couplage étant
très faibles, le transformateur coreless est utilisé dans une structure à résonance au
secondaire du transformateur. La fréquence de découpage est choisie pour avoir
des commutations à zéro de tension des interrupteurs au primaire et obtenir un
rendement et un gain en tension acceptables. La modélisation simplifiée de ce type
de transformateur permet de prédire son comportement sur une large gamme de
fréquence. L’effet de peau est pris en compte, les auteurs ont choisi de modéliser
l’aspect résistif des bobinages de la façon suivante :
R1 ( f ) = R2 ( f ) = α. f 3 + β. f 2 + γ. f + δ (2.3)
f : fréquence
α, β, γ, δ : coefficients réels
Le couplage inductif est modélisé par deux inductances de fuite L f 1 et L f 2 et
par l’inductance magnétisante Lm . La capacité C12 représente la capacité parasite
entre le primaire et le secondaire. La figure 2.45 représente cette modélisation.
La capacité Cs et la résistance Rs représentent la charge au secondaire du trans-
formateur. La structure de alimentation de l’article [Tan01] est exposée figure 2.46
où l’on représente le circuit de commande, le demi-pont capacitif, le condensateur
de résonance CR au secondaire du transformateur et le régulateur linéaire 5V.
Cette alimentation est peu attractive du point de vue de son rendement : 34%.
En effet, à cause de la fréquence d’excitation élevée, des pertes importantes sont
générées dans les enroulements à cause de l’effet de peau modélisé par l’équation
2.3 et à cause des commutations des MOSFET du demi-pont et celà malgré des
commutations dites "douces". Mais, ses principaux atouts sont sa tenue en tension
statique très importante (plus de 10 kilo-Volts) et sa capacité de couplage entre
primaire et secondaire très petite (environ 10pF).
66
2.5 Transmission de puissance
67
2.5 Transmission de puissance
68
2.5 Transmission de puissance
69
2.5 Transmission de puissance
70
2.5 Transmission de puissance
électriques, il semble assez difficile d’utiliser une telle technologie pour des appli-
cations de drivers classiques : 20% pour les émetteurs infra-rouge et 30% pour les
cellules photo-voltaïques.
On peut se demander comment transmettre une puissance de quelques Watts
avec un isolement de plusieurs dizaines de kilo-Volts avec une capacité de couplage
inférieurs à quelques pico-Farads : la seule réponse possible actuellement est la
transmission de puissance par système photo-électrique.
Une équipe de chercheurs Japonnais a mis en oeuvre une alimentation isolée
à base d’émetteurs et récepteurs optiques pour isoler une source d’énergie à plu-
sieurs dizaines de kilo-Volts (testée à 70kV) [Yas02]. Sur la figure 2.52, on décrit
brièvement le système mis en oeuvre.
Contrôle de Cellules
Diodes laser photovoltaïques convertisseur 5V
l'émission 2W
retour LED
Fibres
optiques
Les émetteurs sont des diodes laser (longueur d’onde : 808nm) et les récepteurs
des cellules photovoltaïques en GaAs dont le maximum du rendement quantique se
situe aux alentours de 800nm. Un convertisseur permet de fournir une tension de
5V en sortie du secondaire. Un système de retour a pour but de couper les émetteurs
en cas de rupture des fibres optiques ou en cas de problème au secondaire sur les
cellules photovoltaïques. Ce système a permis de fournir une puissance de 2W au
secondaire avec un rendement de 2.9%.
2.5.5 Conclusion
Nous venons de voir que les solutions à base de transformateurs piézoélec-
triques ont des rendements faibles. La solution optique a un rendement très faible
mais une excellente tenue en tension statique et une capacité de couplage très
faible.
Le transformateur planar n’est pas utilisable car son volume et les pertes dans
les bobinages sont trop importants.
La meilleure solution semble être celle à base de transformateur magnétique
bobiné. Elle permet d’obtenir des puissances volumiques et des rendements très
71
2.6 Conclusion
2.6 Conclusion
Un driver de module IGBT doit comporter plusieurs fonctions de base. Celles-
ci peuvent être réalisées de différentes manières. Dans le chapitre 4, nous décou-
vrirons les solutions apportées par rapport à celle ce chapitre.
Dans le chapitre suivant, chapitre 3, nous étudions la modélisation et les com-
mutations des modules IGBT afin de connaître au mieux les comportements des
modules IGBT pour la conception des drivers.
72
Chapitre 3
Analyse et modélisation en
commutation des modules IGBT
73
3.1 Modélisation électrique simplifiée de puce IGBT
Ic
Vge=20V Vge=11V
Vge=10V
Zone Zone
ohmique Vge=9V saturée
Vge=8V
Vce
V0
74
3.1 Modélisation électrique simplifiée de puce IGBT
75
3.1 Modélisation électrique simplifiée de puce IGBT
76
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
Nous présentons l’analyse des commutations d’une puce IGBT dans un ha-
cheur sur charge inductive. Les résultats sont issus de simulations analytiques (pour
les sections 3.2.1, 3.2.2, 3.2.3, 3.2.4). On suppose que le courant dans l’inductance
est constant pendant les commutations. La figure 3.6 représente le schéma du ha-
cheur et la commande de grille. On représente seulement Lcab qui modélise les
inductances de câblage.
77
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
Avant tout, il faut modéliser les capacités Cge , Cgc et Cce lors des commutations
car elles ont un comportement non-linéaire. On modélise ces capacités selon les
figures 3.8 (a), (b) et (c).
• Cge : constante, elle est due à la couche d’oxyde sous la grille et à la métallisation
de l’émetteur.
• Cce : représente la capacité entre le collecteur et l’émetteur, elle est non-linéaire
en fonction de Vce .
• Cgc : représente les échanges de charges entre la grille et le drain du MOSFET
interne, c’est à dire entre la grille de l’IGBT et la base du transistor pnp in-
terne. Cette capacité est fortement non-linéaire en fonction de la tension Vce
Dans cette première étude, on ne prend pas en compte l’inductance Lcab . Sur la
figure 3.9, on montre les formes d’onde lors de la mise en conduction.
Sur la figure 3.10, on représente le chemin parcouru par le point de fonction-
nement de l’IGBT sur la courbe statique Ic = f (Vce ,Vge ).
F t < T0 :
Le montage est à l’état de repos, le courant dans la diode est imposé par l’induc-
78
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
(a) (b)
(c)
79
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
80
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
tance I0 , l’IGBT est bloqué, la tension Vce est égale à la pleine tension Vbus , la com-
mande Vg est à Vdd (Vge = Vdd et ig = 0). On a également Cgc = Cgc2 et Cce = Cce2 .
F T0 < t < T1 :
La tension de grille part de Vdd et croît jusqu’à Vth (tension de seuil de l’IGBT). La
capacité Cge se charge alors que Cgc se décharge, la tension Vge évolue comme la
charge de la capacité équivalente Cge +Cgc2 :
− Rg ·(Cget+C )
Vge (t) = (Vcc −Vdd ) · 1 − e gc2 +Vdd (3.2)
Vcc −Vdd − Rg ·(Cget+Cgc2 )
ig (t) = ·e (3.3)
Rg
F T1 < t < T2 :
L’IGBT entre en conduction dans sa zone de saturation. Ic (t) est lié à la tension
Vge (t) :
81
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
Ce courant constant décharge la capacité Cgc (t) = Cgc2 , on a alors l’équation sui-
vante :
dVcg (t) IgeI0 dVce (t) Vcc −VgeI0
= = = (3.7)
dt Cgc2 dt Rg ·Cgc2
F T3 < t < T4 :
A l’instant T3 , la tension Vce atteint la valeur VgeI0 et on a Vcg (t) = 0 et Cgc (t) = Cgc1
(forte augmentation). Les équations sont les mêmes que pour la phase précédente :
F T4 < t < T5 :
A l’instant T4 , l’IGBT entre dans sa zone ohmique. La tension Vge croît pour com-
penser la chute de Vce à courant collecteur constant. La source de tension Vg charge
la capacité équivalente Cge +Cgc1 (>Cge +Cgc2 ) à travers Rg .
F t > T5 :
A l’instant T5 , la tension Vce atteint sa valeur finale Vcesat . La mise en conduction
de l’IGBT est terminée.
Sur la figure 3.11, on représente les formes d’ondes lors de l’ouverture de
l’IGBT et sur la figure 3.12 le chemin parcouru par l’IGBT sur la courbe Ic =
f (Vge ,Vce ).
F t < T6 :
La charge impose le courant collecteur (I0 ), l’IGBT est conducteur en zone oh-
mique (Vce = Vcesat ), ig (t) = 0, Vge (t) = Vcc , Vg (t) = Vcc , la capacité Cgc (t) = Cgc1
est chargée à Vce = Vcesat .
F T6 < t < T7 :
A l’instant T6 , la commande Vg (t) passe de Vcc à Vdd avec un front infiniment raide.
82
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
83
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
Ceci a pour effet de décharger les capacités Cge et Cgc1 . La tension Vge (t) et le
courant ig (t) évoluent de la façon suivante :
− Rg ·(Cget+C )
Vge (t) = (Vdd −Vcc ) · 1 − e gc1 +Vdd (3.9)
Vdd −Vcc − Rg ·(Cget+Cgc1 )
ig (t) = ·e (3.10)
Rg
L’IGBT reste sur la partie ohmique de sa caractéristique statique (Ic = I0 , Vge (t) &,
Vce (t) %)
F T7 < t < T8 :
La tension Vce continue à augmenter légèrement, l’IGBT fonctionne dans sa zone
ohmique (proche de la zone saturée). La tension Vge diminue également pour se
rapprocher de la zone saturée pour garantir Ic = I0 .
F T8 < t < T9 :
A l’instant T8 , l’IGBT entre dans sa zone saturée. La tension Vge se stabilise à la
valeur VgeI0 et répond à l’équation :
r
I0
VgeI0 = +Vth (3.11)
K
Le courant dans la résistance Rg est donc constant :
Vdd −VgeI0
IgI0 = (3.12)
Rg
84
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
Ce courant de grille décharge la capacité Cgc (t) = Cgc1 , on peut écrire l’équation
suivante :
dVcg (t) IgeI0
=− (3.13)
dt Cgc1
85
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
86
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
87
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
88
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
F t < T0 :
L’IGBT est bloqué, la tension de grille est égale à Vdd , la source de courant ig (t)
fournit un courant négatif pour maintenir la tension Vge à Vdd (courant de fuite de
la grille). Les capacités Cgc (t) et Cce (t) ont pour valeur Cgc2 et Cce2 .
F T0 < t < T1 :
Le générateur de courant fournit un courant i+ g0 qui charge la capacité Cge et dé-
charge Cgc . L’IGBT est bloqué. La tension Vge (t) évolue suivant l’équation :
i+
g0
∆Vge (t) = · t +Vdd (3.20)
Cge +Cgc2
F T1 < t < T2 :
La tension Vge dépasse la tension de seuil Vth et le courant de l’IGBT commence
à croître. La diode D est passante et la tension collecteur reste à Vbus . Le courant
collecteur évolue de la façon suivante :
F T2 < t < T3 :
Lorsque le courant collecteur atteint I0 , la diode se bloque et passe par une phase
de recouvrement. Elle impose à Ic la valeur I0 + IRM qui a pour conséquence d’aug-
menter la tension Vge :
r r r
Ic (t) I0 + IRM I0
Vge (t) = +Vth = +Vth > +Vth = VgeI0
K K K
89
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
90
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
F T3 < t < T4 :
La diode D a fini son recouvrement, elle est complètement bloquée. L’équation
3.22 est valide pour cet intervalle de temps.
F T4 < t < T5 :
Lorsque Vce atteint la valeur VgeI0 , on a la capacité Cgc (t) qui passe de Cgc2 à Cgc1
(> Cgc2 ). La pente des tensions Vcg et Vce diminue :
dVce dVgc i+
g0
= =−
dt dt Cgc1
F T5 < t < T6 :
Lorsque la tension Vce atteint des valeurs très faibles proches de Vcesat , l’IGBT fonc-
tionne dans la zone ohmique. La tension Vce continue de diminuer pour atteindre
Vcesat . La tension Vge évolue de la façon suivante :
i+
g0
Vge (t) = · t +VgI0 (3.23)
Cge +Cgc1
F t > T6 :
Lorsque la tension Vge atteint la valeur Vcc , la source de courant se bloque et main-
tient Vge à la tension Vcc . Le courant dans l’IGBT est égale à I0 et sa tension collec-
teur vaut Vcesat .
Pour l’ouverture de l’IGBT avec une source de courant, on considère la figure
3.15. L’IGBT est en conduction et la diode D est bloquée. On prend en compte
l’inductance Lcab . Les formes d’onde pour l’ouverture avec une source de courant
sont représentées figure 3.17.
On observe que la décharge de la grille est la même qu’à la charge (hormis
le phénomène dû au recouvrement de la diode). Une surtension sur le collecteur
est dû au câblage et à la décroissance rapide du courant d’électron de l’IGBT.
Lorsque la tension Vge passe en dessous de Vth , le courant de trous décroît lentement
(phénomène de recombinaison des trous dans la zone de drain N − ).
91
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
92
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
F IG . 3.18 – Circuit de charge d’une capacité avec une source de tension et temps
de montée non nul
Vcc −Vdd
·C · 1 − exp(− τt )
(
i(t) = tm
0 ≤ t ≤ tm Vcc −Vdd
· t + τexp(− τt ) +Vdd · 1 + tτm − tτm ·Vcc
Vc (t) = tm
= Vcc −V
i(t)
R
ctm
· exp(− τt )
t
t ≥ tm Vc (t) = (Vcc −V
ctm ) · 1 − exp(− τ )
Vctm = Vcc · 1 + τ −1 + exp(− t ) +Vdd · τ 1 − exp(− t )
tm τ tm τ
τ = R ·C
Grâce à ces équations, on peut étudier l’influence des trois paramètres (R, C,
tm ) sur la forme de la tension Vc et du courant i. Dans une première approche, on
93
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
Vcc −Vdd
imax1 = i(t = 0) = (3.24)
R
et dans le cas de la source réelle :
Vcc −Vdd tm
imax2 = i(t = tm ) = ·C · 1 − exp(− ) (3.25)
tm τ
Sur la figure 3.20(a), représente la courbe de imax2 en fonction de tm . Lorsque
tm tend vers zéro, on retrouve la valeur imax1 .
Sur la figure 3.20(b), on représente la courbe imax2 en fonction de C. Cette
courbe est la plus intéressante car elle donne la valeur imax2 pour une solution don-
née de commande de grille (tm fixe et R ajustable) et pour différents IGBT modéli-
sés par la capacité C.
Cette modélisation est simpliste mais permet de montrer que si la constante de
temps R.C est du même ordre de grandeur que le temps de montée (et de descente)
de la source de tension, les formes d’ondes et les équations des paragraphes 3.2.1
et 3.2.2 ne sont plus valides. La prise en compte de tm est nécessaire. L’étude de
l’influence de la commande de grille sur la commutation de l’IGBT passe par des
simulations sur une puce IGBT dans un montage hacheur sur charge inductive
(3.6).
Sur la figure 3.21, on montre les simulations pour différents temps de mon-
tée de la tension de commande Vg . Le logiciel est SIMPLORER2 . Les conditions
de simulations sont décrites en détail dans le paragraphe 3.3 page 98. Le schéma
considéré est représenté figure 3.24. La tension Vee représente la tension VE pEs .
On remarque que les commutations en tension et en courant sont retardées si
l’on augmente le temps de montée tm . La vitesse de variation de la tension Vce
diminue très peu si tm augmente. La tension Vge et le courant ig sont influencés
par la valeur de tm . Comme vu précédemment, la courant de grille maximum et la
vitesse de variation du courant ic dépendent de tm .
2 marque déposée
94
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
Courant Ic
9
10nF
33nF
8 100nF
220nF
7
6
Courant [A]
0
0 s 100 ns 200 ns 300 ns 400 ns 500 ns 600 ns 700 ns 800 ns 900 ns 1 us
Temps [s]
Tension Vc
15
10nF
33nF
100nF
10 220nF
5
Tension [V]
-5
-10
-15
0 s 100 ns 200 ns 300 ns 400 ns 500 ns 600 ns 700 ns 800 ns 900 ns 1 us
Temps [s]
F IG . 3.19 – Charge d’une capacité par une source de tension avec un transitoire de
montée non nul - R=3.3Ω et tm =70ns
95
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
(a)
(b)
96
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
20
15
10
Vg [V] 5
0 50ns
200ns
−5 400ns
−10
−15
−20
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
Time [s]
20 12
15
10
10
8 50ns
5 200ns
Igrille [A]
VGsEs [V]
400ns
0 50ns 6
200ns
−5 400ns
4
−10
2
−15
−20 0
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us 12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]
400 50ns
Ic [A]
200ns 200
300 400ns
200 100 50ns
200ns
100 400ns
0
0
−100 −100
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us 12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
Time [s] Time [s]
800 8
700 6 50ns
200ns
600 4 400ns
500
2
VCE [V]
Vee [V]
400 50ns
200ns 0
300 400ns
−2
200
100 −4
0 −6
−100 −8
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us 12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
Time [s] Time [s]
97
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
3.2.5 Conclusion
Deux types de commande (tension et courant) ont été étudiées afin de détermi-
ner les formes d’onde lors de commutations sur charge inductive. On peut dégager
plusieurs remarques qui seront utiles lors de la conception de la fonction de com-
mande de grille ( section 4.2 page 141).
Tout d’abord, on note que les deux types de commande permettent de contrôler
les vitesses de variation des grandeurs électriques côté puissance (Vce et Ic ). Ceci
implique que le choix retenu pour la conception dépend de critères technologiques.
En effet, la solution à base de générateur de courant n’est pas viable pour un driver
industriel, elle est trop complexe à mettre en oeuvre. La solution avec une source
de tension et une résistance de grille est très intéressante car les réalisations tech-
nologiques envisageables sont simples à mettre en oeuvre : voir section 4.2.2 page
154.
En dernier point, nous avons mis en évidence, dans la cas de la commande
en tension, que la vitesse de variation de la source de tension qui commande la
résistance de grille a une influence sur les commutations des modules IGBT. Une
attention toute particulière sera portée sur ce phénomène lors de la conception de
la commande de grille (section 4.2.2 page 154).
98
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
les connexions par bondings et bus-barres. On note également que les connexions
de puissance et de commande sont proches les unes des autres et va engendrer des
couplages entre puissance et commande.
(a) (b)
Descripion du montage
Dans cette partie, nous considérons une puce IGBT connectée aux bornes de
Grille-signal (Gs), Emetteur-signal (Es), Collecteur-signal(Cs), Emetteur-puissance
(Ep) et Collecteur-puissance (Cp) par des connexions modélisées par les induc-
tances propres L1 à L7 et les coefficients de couplage Mi j . Sur la figure 3.23(a), on
représente la puce IGBT, les inductances et les couplages.
D’une manière plus systématique, on représente la puce et le câblage suivant
le schéma de la figure 3.23(b) pour faire apparaître la matrice symétrique d’induc-
tance M :
V1 VCpA L1 M12 M13 M14 M15 M16 M17 i1
V2
VCsA
L2 M23 M24 M25 M26 M27
i2
V3
VAC
L3 M34 M35 M36 M37
d
i3
V4 = VGsG = L4 M45 M46 M47 · i4
dt
V5
VEB
L5 M56 M57
i5
V6 VBEs L6 M67 i6
V7 VBE p L7 i7
99
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
(a) (b)
di
V = M· (3.26)
dt
M = Mt (3.27)
V : vecteur tension
i : vecteur courant
M : matrice d’inductance
100
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
F IG . 3.24 – Montage hacheur sur charge inductive, prise en compte des impédances
de câblage
101
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
si M46 = 0 =⇒ Lg = L4 + L6 + 2.M45 + 2.M56
si M46 ≥ 0 =⇒ Lg ≥ L4 + L6 + 2.M45 + 2.M56
si M46 ≤ 0 =⇒ Lg ≤ L4 + L6 + 2.M45 + 2.M56
102
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
Simulation du montage
Les équations analytiques permettent de comprendre les implications des va-
riations des paramètres de la matrice d’inductance M sur les formes d’ondes as-
sociées au montage hacheur figure 3.24. Les simulations numériques apportent un
complément d’analyse avec le comportement des puces IGBT.
Nous étudions tout d’abord l’influence de L1 , L7 et M17 sur les commutations
d’ouverture et de fermeture.
Sur les figures 3.25, 3.26 et 3.27, on montre l’influence de L1 , L7 et K17 sur les
tensions et courants suivants : VGsEs , ig , VCpE p , ic et Vee . On note que les inductances
103
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
L1 et L7 ont les mêmes effets sur les commutations. La seule différence intervient
di
sur la tension Vee (= L6 . dtg − L7 . didtc ). Le coefficient de couplage K17 est défini par
la formule suivante :
M17
K17 = √
L1 .L7
Les valeurs choisies pour L1 et L7 (10nH, 30nH, 100nH, 300nH) représentent une
large gamme de valeurs et ne sont pas des valeurs conformes à la réalité (comme
1nH et 300nH). Les valeurs de K17 sont choisies arbitrairement à -0.3, 0 et 0.3.
104
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
20 8
15 6
10
4
5
Igrille [A]
VGsEs [V]
2
0 1nH
30nH 0
−5 100nH
300nH
−2
−10
1nH
−4 30nH
−15 100nH
300nH
−20 −6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]
400 1nH
Ic [A]
30nH 200
300 100nH
300nH
200 100 1nH
30nH
100 100nH
0 300nH
0
−100 −100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
1400 12
10
1200
8
1000
6 1nH
30nH
800 4 100nH
VCE [V]
Vee [V]
2 300nH
600
0
400 1nH
30nH −2
200 100nH −4
300nH
−6
0
−8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
105
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
20 8
15 6
10
4
5
Igrille [A]
VGsEs [V]
2
0 1nH
30nH 0
−5 100nH
300nH
−2
−10
1nH
−4 30nH
−15 100nH
300nH
−20 −6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]
400 1nH
Ic [A]
30nH 200
300 100nH
300nH
200 100 1nH
30nH
100 100nH
0 300nH
0
−100 −100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
1200 100
80
1000
60
1nH
800 40 30nH
100nH
20
VCE [V]
Vee [V]
300nH
600
0
400 1nH −20
30nH −40
100nH
200 300nH −60
0 −80
−100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
106
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
20 8
15 6
10
4
5
Igrille [A]
VGsEs [V]
2
0 K17 = − 0.3
K17 = 0 0
−5 K17 = 0.3
−2
−10
K17 = − 0.3
−4 K17 = 0
−15 K17 = 0.3
−20 −6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]
K17 = 0 200
300 K17 = 0.3
200 100 K17 = − 0.3
K17 = 0
100 K17 = 0.3
0
0
−100 −100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 14
12
10
8
600 K17 = − 0.3 6 K17 = − 0.3
K17 = 0 K17 = 0
K17 = 0.3 4
2 K17 = 0.3
VCE [V]
Vee [V]
400 0
−2
−4
−6
200 −8
−10
−12
0 −14
−16
−18
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
107
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
Sur les figures 3.28, 3.29 et 3.30, on montre l’influence de L4 , L6 et K46 sur les
tensions et courants suivants : VGsEs , ig , VCpE p , ic et Vee . Le coefficient de couplage
K46 est défini par la formule suivante :
M46
K46 = √
L4 .L6
Les valeurs choisies pour L4 et L6 (1nH, 30nH, 100nH) représentent une large
gamme de valeurs. Les valeurs de K46 sont choisies arbitrairement à -0.3, 0 et 0.3.
• L4 : sur la figure 3.28, on montre l’influence de L4 sur les commutations. L4 ap-
partient à la maille de commande de grille. Elle ralentit la montée du courant
de grille. Elle peut également provoquer des oscillations sur la tension et le
courant de grille lorsque sa valeur est trop élevée mais n’est pas visible dans
les figures proposées. Elle est également la cause d’un décrochement lors de
la mise en conduction et de la fermeture de l’IGBT sur la tension VGsEs (ten-
sion accessible facilement) : sur la courbe VGsEs de la figure 3.28, on voit ces
deux décrochements pour l’ouverture à 10.1µs et pour la fermeture à 12.5µs.
Les formes d’onde VGsEs et ig sont légèrement différentes pour des valeurs
de L4 comprises entre 1nH et 100nH (ce qui correspond à des valeurs réelles
de modules IGBT). De ce fait, la tension VCpE p et le courant ic sont très peu
influencés par les variations de L4 .
• L6 : sur la figure 3.29, on montre l’influence de L6 sur les commutations. Elle
appartient à la maille de commande de grille au même titre que L4 . Les re-
marques précédentes concernant L4 sont donc valables pour L6 . La seule
différence concerne la tension Vee qui dépend directement de L6 . On voit, sur
les courbes de la tension Vee , l’influence de L6 et de la variation du courant
de grille ig .
• K46 : sur la figure 3.30, on montre l’influence de K46 sur les commutations. On a
choisi arbitrairement les valeurs -0.3, à et 0.3. Cette dernière valeur a un in-
térêt purement pédagogique car les structures classiques des modules IGBT
privilégient les couplages négatifs (effet bus-barre). K46 modélise le cou-
plage entre la connexion de grille et la connexion d’émetteur de commande.
Lorsque K46 < 0, L4 et L6 réalisent un effet bus-barre. L’inductance vue par
le circuit de commande (modélisé par la tension Vg ) est réduite. Ceci permet
d’accélérer les variations du courant de grille et par conséquent les variations
du courant collecteur. Cela est vérifié sur les courbes de ic et Vce de la figure
3.30. La tension Vee est également sensible aux variations de K46 car elle est
directement liée à M46 et à la vitesse de variation de ic (par le biais de L7 )
qui dépend de K46 .
108
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
20 8
15 6
10
4
5
Igrille [A]
VGsEs [V]
2
0 1nH
30nH 0
−5 100nH
−2
−10
1nH
−4 30nH
−15 100nH
−20 −6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]
400 1nH
Ic [A]
30nH 200
300 100nH
200 100 1nH
30nH
100 100nH
0
0
−100 −100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 25
20
15
600 1nH
30nH 10 1nH
100nH 30nH
5 100nH
Vce [V]
Vee [V]
400 0
−5
−10
200
−15
−20
0 −25
−30
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
109
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
20 8
15 6
10
4
5
Igrille [A]
VGsEs [V]
2
0 1nH
30nH 0
−5 100nH
−2
−10
1nH
−4 30nH
−15 100nH
−20 −6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]
400 1nH
Ic [A]
30nH 200
300 100nH
200 100 1nH
30nH
100 100nH
0
0
−100 −100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 25
20
15
600 1nH
30nH 10 1nH
100nH 30nH
5 100nH
Vce [V]
Vee [V]
400 0
−5
−10
200
−15
−20
0 −25
−30
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
110
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
20 8
15 6
10
4
5
Igrille [A]
VGsEs [V]
2
0 K46 = − 0.3
K46 = 0 0
−5 K46 = 0.3
−2
−10
K46 = − 0.3
−4 K46 = 0
−15 K46 = 0.3
−20 −6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]
K46 = 0 200
300 K46 = 0.3
200 100 K46 = − 0.3
K46 = 0
100 K46 = 0.3
0
0
−100 −100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 30
25
20
600 K46 = − 0.3 15 K46 = − 0.3
K46 = 0 10 K46 = 0
K46 = 0.3 5 K46 = 0.3
Vce [V]
Vee [V]
400 0
−5
−10
200 −15
−20
−25
−30
0
−35
−40
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
111
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
Nous avons vu l’influence sur les commutations des valeurs des inductances
de la maille de commande (L4 et L6 ) et de la maille de puissance (L1 et L7 ). Les
couplages étudiés précédemment font intervenir des inductances appartenant à la
même maille : M46 et M17 . Il est maintenant intéressant d’étudier l’influence des
couplages entre la puissance et la commande. Considérons le cas du couplage entre
L4 de la maille de commande et L7 de la maille de puissance modélisé par la mu-
tuelle M47 et le coefficient de couplage K47 :
M47
K47 = √
L4 .L7
20 8
15 6
10
4
5 Igrille [A]
VGsEs [V]
2
0 K47 = − 0.1
K47 = 0 0
−5 K47 = 0.1
−2
−10
K47 = − 0.1
−4 K47 = 0
−15 K47 = 0.1
−20 −6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
400
600 K47 = − 0.1
K47 = 0
K47 = 0.1 300
VCpEp [V]
400
Ic [A]
200
4 K47 = − 0.1
600 K47 = − 0.1 K47 = 0
K47 = 0 K47 = 0.1
K47 = 0.1 2
VCE [V]
Vee [V]
400
0
200 −2
−4
0
−6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
112
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
Conclusion
Grâce à des hypothèses simplificatrices, nous avons étudié l’influence de cer-
taines valeurs d’inductances propres et mutuelles.
Tout d’abord, on remarque que les inductances de la maille de commande de
grille (L4 et L6 ) ont une faible influence sur les commutations dans la gamme de
valeur : 1nH - 300nH. Ceci implique que la longueur des câbles entre la résistance
de grille et le module IGBT peut être de quelques centimètres à quelques dizaines
de centimètres sans avoir de répercussions sur les commutations. Cette remarque
est intéressante surtout pour les concepteurs de convertisseurs qui peuvent se per-
mettrent de placer les drivers à quelques centimètres des modules IGBT sans avoir
de problème d’oscillations sur la commande de grille. Cette remarque ne prend pas
en compte les effets de couplages qui peuvent exister entre le câblage du circuit de
commande de grille et le reste du convertisseur.
On a pu mettre en évidence l’influence de la contre-réaction de L5 sur la com-
mutation à la mise en conduction. Or, la valeur de cette inductance est imposée par
la topologie des modules IGBT. Dans l’optique de la conception d’un driver, celle
valeur est imposée.
La même remarque se profile pour L1 et L7 dont les valeurs dépendent du mo-
dule IGBT. Elles ont pour conséquence de changer les vitesses de variation des
grandeurs électriques ic et Vce et la valeur de la surtension de Vce . Pour la conception
du driver, ces valeurs sont à prendre en compte pour l’estimation des surtensions
de Vce .
113
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
20 8
15 6
10
4
5
Igrille [A]
VGsEs [V]
2
0 5nH
50nH 0
−5 100nH
−2
−10
5nH
−4 50nH
−15 100nH
−20 −6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
400
600
300
VCpEp [V]
400 5nH
Ic [A]
50nH 200
100nH
200 100 5nH
50nH
100nH
0
0
−100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 6
4 5nH
600 50nH
100nH
2
VCE [V]
Vee [V]
400 5nH
50nH 0
100nH
200 −2
−4
0
−6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
114
3.3 Modélisation et influences des inductances de câblage de module IGBT
20 12
15 10
8
10
6
5
Igrille [A]
4
VGsEs [V]
0 1nH 2
5nH
−5 10nH 0
−2
−10 1nH
−4 5nH
−15 10nH
−6
−20 −8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
400
600
300
VCpEp [V]
400 1nH
Ic [A]
5nH 200
10nH
200 100 1nH
5nH
10nH
0
0
−100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 10
8 1nH
5nH
600 6 10nH
4
2
VCE [V]
Vee [V]
400 1nH
5nH 0
10nH
−2
200
−4
−6
0 −8
−10
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
115
3.4 Estimation et identification de l’inductance d’émetteur de modules IGBT
1200A-3300V
Pour la conception du driver au chapitre 4, nous pouvons retenir que la plus-
part des valeurs des inductances de la modélisation proposée sont imposées par le
module IGBT aux exceptions de L4 et L6 . Nous verrons par la suite que la connais-
sance de la valeur de L7 présente un enjeu important pour la protection en court-
circuit proposée au chapitre 4.
3.4.1 Présentation
(a) (b)
116
3.4 Estimation et identification de l’inductance d’émetteur de modules IGBT
1200A-3300V
3.4.2 Identification de L7 par une mesure en commutation
Le principe de base consiste à modéliser le module IGBT comme sur la figure
3.35 : une seule puce IGBT et sept inductances couplées. On suppose que les cou-
plages Mi7 sont nuls (1 ≤ i ≤ 6). Nous vérifions la validité de ces simplifications à
l’aide des résultats obtenus.
F IG . 3.35 – Montage hacheur sur charge inductive, prise en compte des impédances
de câblage
117
3.4 Estimation et identification de l’inductance d’émetteur de modules IGBT
1200A-3300V
commutation où dic /dt est non nul pour obtenir une estimation de L7 . Pour vérifier
la validité de la valeur trouvée, on superpose VE pEs et L7 .dic /dt.
Les figures 3.36 et 3.37 montrent les commutations et les résultats obtenus pour
les modules FZ1200R33KF2 et CM1200HB66H.
3000 L7 = 3nH
ic
15
2500 Vee
−L7.dIc/dt
10
Vee[V] et −L7.dIc/dt[V]
2000
5
ic[A]
1500
0
1000
−5
500 −10
0 −15
1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
Temps [s] Temps [s]
6000 L7 = 5nH
ic
20
5000 Vee
−L7.dIc/dt
10
Vee[V] et −L7.dIc/dt[V]
4000
ic[A]
0
3000
2000 −10
1000 −20
0 −30
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us
Temps [s] Temps [s]
118
3.4 Estimation et identification de l’inductance d’émetteur de modules IGBT
1200A-3300V
119
3.4 Estimation et identification de l’inductance d’émetteur de modules IGBT
1200A-3300V
La et Lb Lc
Ld
Pour obtenir L7 , on ajoute ces valeurs d’inductance corrigées par leurs coeffi-
cients respectifs :
La Lb + Lc Ld 0.5 25 + 3.25 20
L7 = + + = + + ≈ 6.5nH
3 6 12 3 6 12
120
3.4 Estimation et identification de l’inductance d’émetteur de modules IGBT
1200A-3300V
Nous effectuons le même raisonnement pour le module CM1200HB66H. Il est
constitué de six zones. Elles sont reliées deux par deux à la connexion d’émetteur
de puissance. Le courant est supposé équiréparti entre les trois connexions. On
modélise une seule connexion d’émetteur de puissance puis on divise sa valeur
par trois. La figure 3.41 montre le module CM1200HB66H avec les six zones.
Les connexions d’émetteur de puissance ne sont pas présentes sur la photographie
(arrachées pour pouvoir ouvrir le module). La figure 3.42 montre la modélisation
physique de cette partie du module.
121
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
27
L7 ≈ = 9nH à 1MHz
3
On note que les valeurs données par le logiciel InCa sont plus grandes que les
valeurs identifiées avec les commutations. La tendance est la même avec les deux
modules. On peut expliquer ce phénomène car, avec le logiciel InCa, nous n’avons
pas pris en compte l’effet bus-barre qui existe entre la connexion d’émetteur et la
connexion de collecteur. Dans la réalité, la valeur de l’inductance d’émetteur vue
par le circuit extérieur est plus faible que sa valeur d’inductance propre grâce au
couplage entre le collecteur et l’émetteur.
122
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
Courant [A]
500 770A
Ic=380A 1100A
400 600
770A
300 1100A
400
200
200
100
0 0
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us 0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
Temps [s] Temps [s]
123
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
124
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
Sur la figure 3.43, nous montrons que l’avalanche dynamique apparaît pour
un courant coupé supérieur à deux fois le courant nominal. L’IGBT utilisé est le
CM300DU-24H de technologie PT (Punch Through). Nous faisons commuter un
module IGBT FZ1200R33KF2 (3300V - 1200A) de technologie NPT (Non Punch
Through) pour vérifier si le phénomène existe sur cette technologie. En effet, l’ava-
lanche dynamique n’a jamais été observée. Lors des essais, le courant commuté est
de 8kA, ce qui correspond à six fois le courant nominal de 1200A (figure 3.45).
3000 Vce
2500
Tension [V]
2000
1500
1000
500
0
8.0 us 8.5 us 9.0 us 9.5 us 10.0 us 10.5 us 11.0 us
Temps [s]
Pour expliquer que l’avalanche dynamique apparaît sur les modules IGBT de la
technologie PT et pas sur la technologie NPT, il faut considérer l’équation suivante
[Per04] :
125
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
dE(x,t) q
= − · (ND + p(x,t) − n(x,t)) (3.37)
dx εSC
E(x,t) : champ électrique dans la zone de charge centrale N − de la cellule IGBT [V.cm−1 ]
ND : densité d’atomes donneurs [cm−3 ]
p(x,t) : densité de trous [cm−3 ]
n(x,t) : densité d’électrons [cm−3 ]
q : charge élémentaire 1,6.10−19 C
εSC : permittivité du matériau [F.cm−1 ]
Cette équation peut être développée si l’on considère les paramètres suivants :
dE(x,t) q 1 KPNP (x,t) · δ(x,t) − 1
= − · ND + · · Jc (3.38)
dx εSC q · vn (x,t) 1 + KPNP (x,t)
!
dE(x,t) q 1 βPNPdyn − 1
= − · ND + s
· · Jc (3.39)
dx εSC q ·Vp 1 + βPNPdyn
126
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
127
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
Sur les courbes 3.47 et 3.48, on note que la tension maximale Vce dépend du
courant coupé et légèrement de la résistance de grille dans la gamme [1.5Ω - 22Ω] :
Ic [A] Vce [V ]
380 720
770 730
1100 740
0n pourrait envisager ne pas utiliser de système de protection contre les surten-
sions lors d’ouverture en régime de surintensité. En effet, le système de clamping
fait fonctionner l’IGBT en zone saturée (figure 3.1 page 74 pour absorber l’énergie
des inductances de câblage. Cette énergie est absorbée par les puces IGBT. Lors de
l’avalanche dynamique, la puce IGBT absorbe un courant sous la tension bus et a
pour effet d’absorber l’énergie des inductances de câblage. On voit que le système
de clamping et le fonctionnement en avalanche dynamique ont le même effet final
(limiter la surtension à l’ouverture) et la même conséquence : la puce IGBT ab-
sorbe de l’énergie. Le constructeur ABB proposent des composants auto-protégés
contre les surtensions en régime de défaut : technologie SPT (Soft Punch Through :
voir paragraphe page 11). Cette technologie de puce est proche de la structure PT
(Punch Through) car elle possède une couche tampon entre la couche P+ (côté
collecteur) et la couche N − et de ce fait possède les mêmes comportements (faible
queue de courant, avalanche dynamique).
128
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
Courant [A]
500 =10Ω
=15Ω
400 Rgoff=1.5Ω 200 =22Ω
=4.7Ω
300 =10Ω
=15Ω
200 =22Ω 100
100
0 0
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us 0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
Temps [s] Temps [s]
Courant [A]
Courant [A]
500 =15Ω
700 =22Ω
400 Rgoff=1.5Ω 600
=4.7Ω 500
300 =10Ω 400
=15Ω
200 =22Ω 300
200
100
100
0 0
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us 0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
Temps [s] Temps [s]
129
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
Courant [A]
=10Ω 500 Rgoff=1.5Ω
=15Ω =4.7Ω
200 =22Ω 400 =10Ω
=15Ω
300 =22Ω
100 200
100
0 0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 100 200 300 400 500 600 700 800
Tension [V] Tension [V]
700 =4.7Ω
=10Ω
600
=15Ω
500 =22Ω
400
300
200
100
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
Tension [V]
130
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
à des équations simples qui ont nécessité des hypothèses simplificatrices impor-
tantes. Dans ce paragraphe, nous apportons des précisions sur les phénomènes
physiques mis en jeux grâce aux outils de simulation par éléments finis.
Dans les paragraphes précédents, nous avons obtenu des équations qui per-
mettent de mettre en évidence le phénomène d’avalanche dynamique : équations
3.39 et 3.40 page 126.
Avant d’entrer dans le détail des simulations, nous faisons un rappel les équa-
tions à considérer pour la suite [Cha80] :
→ ρ
div(E ) = − (3.41)
εSC
ρ : densité de charge [C.cm−3 ]
εSC : permittivité diélectrique du matériau [F.cm−1 ]
→
E : champ électrique [V.cm−1 ]
Si l’on considère que le champ varie sur une seule direction de l’espace, on
peut simplifier l’équation 3.42 de la façon suivante :
131
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
Une coupe de la cellule de technologie Punch Through est donnée figure 3.50(a).
Cette représentation ne respecte pas les proportions réelles. La cellule est consti-
tuée d’une zone de drain faiblement dopée N − qui constitue le corps de la cellule
IGBT. Les couches fortement dopées de type N + et P+ côté collecteur sont réali-
sées par diffusion en face arrière. La coupe réelle de la puce est présentée figure
3.50(b) en respectant les proportions réelles.
Les caractéristiques statiques sont présentées sur la figure 3.51 : le réseau de
courbes Ic = f (Vce ,Vge ) et la courbe de claquage en polarisation directe bloquée. La
caractéristique statique ne correspond pas à un IGBT en particulier. On remarque
que les tensions de saturation et les résistances dynamiques sont importantes. La
tension de claquage directe bloquée est de 1200V environ. Nous utiliserons cette
cellule dans le montage hacheur (figure 3.49) avec une tension de bus Vbus de 500V.
Dans le cadre de l’étude sur l’avalanche dynamique d’une cellule IGBT, nous
nous intéressons tout particulièrement au schéma de la figure 3.49 lors de l’ouver-
ture de la cellule IGBT. La simulation mixte MEDICI 3 - SPICE permet de simuler
le comportement physique de la puce (MEDICI) et le comportement électrique du
reste du circuit. La commande de grille Vg est pilotée pour mettre la cellule IGBT
en conduction, le courant collecteur ic atteint un certain niveau de courant par l’in-
termédiaire de l’inductance Lcc , puis la cellule est commandée à l’ouverture. Lors
de l’ouverture, l’inductance Lcab crée une surtension aux bornes de l’IGBT. Cette
phase est tout particulièrement intéressante car elle conjugue une densité de cou-
rant importante dans la cellule IGBT et une tension importante à ses bornes.
3 marque déposée
132
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
1018
dopage [cm−3]
1015
1012
109
(a) (b)
25 A Vge=8V 60 pA
10V
12V 50 pA
20 A 15V
40 pA
Ic [A]
Ic [A]
15 A
30 pA
10 A
20 pA
5 A 10 pA
0 A 0 A
0 V 2 V 4 V 6 V 8 V 10 V 0.0 V 400.0 V 800.0 V 1.2 kV
Vce [V] Vce [V]
(a) (b)
133
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
Nous considérons par la suite que le champ et les autres variables ne dépendent
pas de la position sur l’axe z : la demi-cellule est modélisée en deux dimensions
avec un facteur d’échelle de 4.105 sur l’axe z pour obtenir une cellule de 1cm2 .
On peut reprendre l’équation 3.41 de la page 131 :
→ q
div(E ) = − . {p(x, y,t) + Nd (x, y) − [n(x, y,t) + Na (x, y)]} (3.46)
εSC
Les résultats de simulation sont obtenus avec la configuration suivante :
– Vbus = 500V
– Lcab = 100nH
– Lcc = 2µH
– Rg = 10Ω
– Vg : temps de conduction de 2.5µs
Sur la figure 3.53, on montre la montée du courant dans la cellule IGBT. Ensuite,
sur la figure 3.54, on montre l’ouverture en détail pour identifier l’avalanche dyna-
mique entre 12.85µs et 13µs.
134
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
1 kV
600 A
800 V
400 A 600 V
Vce [V]
Ic [A]
400 V
200 A
200 V
0 A 0 V
9 us 10 us 11 us 12 us 13 us 9 us 10 us 11 us 12 us 13 us
Temps [s] Temps [s]
2.0 A 20 V
1.5 A
15 V
1.0 A
500.0 mA 10 V
Vge [V]
Ig [A]
0.0 A
−500.0 mA 5 V
−1.0 A
0 V
−1.5 A
−2.0 A −5 V
9 us 10 us 11 us 12 us 13 us 9 us 10 us 11 us 12 us 13 us
Temps [s] Temps [s]
700 A 1 kV
900 V
600 A
800 V
500 A 700 V
400 A 600 V
Vce [V]
Ic [A]
500 V
300 A 400 V
200 A 300 V
200 V
100 A
100 V
0 A 0 V
12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us 12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us
Temps [s] Temps [s]
1.0 A 15 V
500.0 mA
10 V
0.0 A
Vge [V]
Ig [A]
−500.0 mA 5 V
−1.0 A
0 V
−1.5 A
−2.0 A −5 V
12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us 12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us
Temps [s] Temps [s]
135
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
136
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
300 kV/m
12.85µs
12.9µs
champ électrique [V/m]
12.95µs
200 kV/m
100 kV/m
0 V/m
5 µm 10 µm 15 µm
distance
4.0e+015
concentration de charge [cm−3]
0.0e+000
−4.0e+015
12.85µs
−8.0e+015 12.9µs
12.95µs
−1.2e+016
−1.6e+016
5 µm 10 µm 15 µm
distance
7e+025
courant de génération [cm−3.s−1]
6e+025 12.85µs
12.9µs
5e+025 12.95µs
4e+025
3e+025
2e+025
1e+025
0e+000
5 µm 10 µm 15 µm
distance
137
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
138
3.6 Conclusion
3.6 Conclusion
Dans un premier temps, nous avons présenté le modèle électrique simplifié
des puces IGBT pour effectuer l’étude analytique d’une cellule de commutation
avec une puce IGBT. L’étude des commandes en tension et courant a permis de
montrer que ces deux solutions sont équivalentes. La commande en tension est bien
évidemment beaucoup plus simple à mettre en oeuvre que la commande en courant.
Dans le chapitre 4, nous présentons plusieurs possibilités pour la commande en
tension. Nous porterons une attention à la montée et la descente de la tension de
commande de grille qui a une influence sur la charge et la décharge de la grille.
Ensuite, pour compléter l’étude analytique, nous avons étudié les influences
des inductances de câblage des modules IGBT à l’aide de simulations. Nous avons
mis en évidence les interactions entre la partie commande et la partie puissance
des modules IGBT. Les valeurs des inductances et des couplages étudiés précé-
demment sont imposés par le modules IGBT sauf pour les inductances notées L4
et L6 . Nous avons montré que leurs valeurs peuvent atteindre 300nH sans que cela
soit pénalisant pour les commutations.
L’estimation et l’identification de l’inductance d’émetteur notée L7 a été réali-
sée pour des modules IGBT issus du commerce. Dans le chapitre 4, nous verrons
que la connaissance de sa valeur nous permet de réaliser une lecture du di/dt du
courant collecteur afin de protéger le module IGBT contre des défauts de surin-
tensité et de court-circuit. Un outil de simulation et une méthode d’identification
ont été confrontés. La méthode expérimentale est plus simple à mettre en oeuvre
et permet d’obtenir des résultats sans connaître la structure physique interne du
module.
Enfin, le phénomène d’avalanche dynamique a été observé puis expliqué grâce
à des équations simples. Afin de mieux comprendre ce phénomène, des simula-
tions par éléments finis ont permis de comprendre le comportement interne d’une
puce IGBT de technologie Punch Through lors d’une ouverture en régime de sur-
intensité. Ce phénomène est intéressant car il permettrait d’auto-protéger les puces
diodes et IGBT des modules lors de l’ouverture en cas de régime de défaut. En
effet, la puce limite la surtension à ses bornes en cas de régime de surintensité.
139
Chapitre 4
141
4.2 Commande de grille
Spécifications A B C
Nombre de voie 2 2 1
Puissance disponible par 2W 4W 4W
voie sur la grille
Isolation galvanique 3kV 3kV 6kV
Courant de grille maxi- 10A 20A 20A
mum
Protection Vcesat oui oui oui
Protection di/dt non non oui
Protection alimentation oui oui oui
secondaire
Temps de propagation des ≤ 1µs ≤ 1µs ≤ 1µs
ordres du primaire au se-
condaire
Commande directe oui oui oui
Commande demi-pont oui oui non car une seule voie
Mode multi niveaux non non oui
Retour défaut oui oui oui
Acquittement de commu- non non oui
tation
142
4.2 Commande de grille
143
4.2 Commande de grille
4.2.1 Conception
Nous nous intéressons à la commande de grille en tension. Elle permet de pi-
loter la grille grâce à une ou plusieurs résistances et une ou plusieurs sources de
tension.
144
4.2 Commande de grille
de sortie minimale pour des raisons de CEM que nous expliquons par la suite. Les
fronts de tension doivent être les plus raides possibles pour ne pas entrer en consi-
dération dans la dynamique de commutation de l’IGBT (voir section 3.2.4 page
93). Le temps de propagation entre Vordre et Vg doit être le plus faible possible.
Pour répondre au mieux à ces caractéristiques, nous développons une méthode
de conception de source de tension commandée en tension : source que nous appe-
lons scv → v, voir figure 4.6 [Ald99].
145
4.2 Commande de grille
Ve Vs
= A·
Ie −Is
Z11 Z11 .Z21 −Z12 .Z21
Z21 Z21
A=
1 Z22
Z21 Z21
146
4.2 Commande de grille
µ 1
lim =
µ→∞ 1 + µ.β β
Comme le gain d’un nulleur est théoriquement infini, on peut synthétiser les quatre
structures de base de sources opérationnelles : scv → v, scv → i, sci → i et sci → v.
Pour cela, on considère les grandeurs e et s comme étant soit des courants soit des
tensions. Sur la figure 4.11 on montre la démarche qui considère le schéma bloc de
la figure 4.10 pour arriver à une source de tension commandée en tension de gain
1/β : scv → v.
Notre but est de créer une source scv → v à gain théoriquement infini. Or, on
voit que la structure scv → v proposée à la figure 4.12 a un gain de valeur finie :
R1 + R2
R1
La mise en cascade de sources commandées incompatibles permet de réaliser
des gains très élevés avec un faible nombre d’étages élémentaires : voir figure 4.13.
Il faut ensuite trouver un composant physique qui correspond au mieux au
comportement du nulleur. Si on considère un transistor bipolaire parfait (β → ∞),
son courant de base est nul et sa tension Base-Emetteur également. Sa tension
Collecteur-Emetteur dépend du circuit externe. La jonction Base-Emetteur peut
être modélisée par un nullateur et le dipôle Collecteur-Emetteur par un norateur :
voir figure 4.14.
La figure 4.15 donne les deux structures scv → i et scv → v à base de transistors
bipolaires.
On reprend le schéma de la figure 4.13 qui représente trois sources comman-
dées scv → i : scv → i : scv → v et l’on applique la représentation en technologie
bipolaire on obtient les schémas de la figure 4.16.
Nous avons choisi une entrée différentielle qui permet de fixer une des deux
entrées à une tension de référence constante (7.5V par exemple) et de connecter
l’autre entrée au signal provenant de la logique de commande. L’information est
ensuite transmise par deux structures scv → i puis à une structure scv → v de gain
unitaire communément appelée push-pull.
Une deuxième façon d’obtenir une source commandée à grand gain consiste à
utiliser des transistors MOSFET en commutation. On considère toujours la figure
4.5 page 144. La tension Vordre varie entre 0V et +15V (signal provenant de la
logique de commande). On utilise un MOSFET de type P et un de type N pour
effectuer la commutation de grille. La figure 4.17 montre une ébauche pour la
commande de grille en technologie MOSFET.
147
4.2 Commande de grille
148
4.2 Commande de grille
Vs R1 +R2
Ve = R1
Is 1
Ve = R
Is
Ie = − R1R+R
2
2
Vs
Ie = −R
149
4.2 Commande de grille
150
4.2 Commande de grille
151
4.2 Commande de grille
152
4.2 Commande de grille
153
4.2 Commande de grille
Technologie MOSFET
154
4.2 Commande de grille
155
4.2 Commande de grille
IR4 IR5
courant dans le MOS 5 courant dans le MOS 6
20 20
R2=R3=22 ohm
47 ohm
100 ohm 15 R2=R3=22 ohm
15
220 ohm 47 ohm
100 ohm
10
Courant [A]
Courant [A]
220 ohm
10
5
5
0
0 −5
−5 −10
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
Temps [s] Temps [s]
Courant [A]
1 2
0 0
−1 −2
−2 −4
−3 −6
−4 −8
−5 −10
3.0 us 3.1 us 3.2 us 3.3 us 1.0 us 1.1 us 1.2 us
Temps [s] Temps [s]
Résultats expérimentaux
(a)
courant dans le MOS 5 courant dans le MOS 6
20 5
R2=R3=22 ohm
47 ohm 0
15 100 ohm
220 ohm
−5
Courant [A]
Courant [A]
10
−10 R2=R3=22 ohm
47 ohm
5
100 ohm
−15
220 ohm
0 −20
−5 −25
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 0.0 s 1.0 us 2.0 us 3.0 us 4.0 us 5.0 us
Temps [s] Temps [s]
Courant [A]
47 ohm
4 100 ohm
−4
3 220 ohm
2 −6
1
−8
0
−1 −10
3.00 us 3.05 us 3.10 us 1.00 us 1.02 us 1.04 us
Temps [s] Temps [s]
156
4.2 Commande de grille
Or, elles ont pour avantage de limiter le courant de croisement dans les MOS-
FET M5 et M6 sans modifier les formes d’ondes de VC1 et iC1 . Le courant de croi-
sement doit être limité car il constitue une perte de puissance pour le driver et donc
une augmentation de température pour l’alimentation du driver et les MOSFET M5
et M6 . De plus, les résistances R2 et R3 limitent les courants de croisement dans
M1 , M2 , M3 et M4 lors des commutations. Plus R2 et R3 sont de forte valeur, moins
il y a de pertes dans les quatre MOSFET M1 -M2 -M3 -M4 .
Tension [V]
5 5
0 0
−5 −5
−10 R2=R3=22 ohm −10 R2=R3=22 ohm
47 ohm 47 ohm
−15 100 ohm −15 100 ohm
220 ohm 220 ohm
−20 −20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
Temps [s] Temps [s]
Courant [A]
5 5
0 0
−5 −5
−10 R2=R3=22 ohm −10 R2=R3=22 ohm
47 ohm 47 ohm
−15 100 ohm −15 100 ohm
220 ohm 220 ohm
−20 −20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
Temps [s] Temps [s]
Technologie bipolaire
Nous considérons le schéma de la figure 4.25. Le signal Vordre provient de la
sortie d’un comparateur en collecteur ouvert. Les résultats expérimentaux et de
simulation sont sur la figure 4.26.
On note que cette structure de commande de grille n’est pas symétrique : les
courants iC1 à la fermeture et à l’ouverture ne sont pas identiques. Ceci vient de la
commande en collecteur ouvert à l’entrée de la structure, la tension Vordre est très
rapide pour commuter de +15V à 0V et lente pour commuter de 0V à +15V. La
résistance R (schéma figure 4.25) a un rôle déterminant sur la rapidité de transmis-
sion de l’ordre à l’ouverture et sur la raideur des fronts de tension sur la résistance
de grille à l’ouverture également. Cette résistance limite le courant de croisement
157
4.2 Commande de grille
Tension [V]
5 5
0 R2=22 ohm 0 R2=22 ohm
47 ohm 47 ohm
−5 100 ohm −5 100 ohm
220 ohm 220 ohm
−10 −10
−15 −15
−20 −20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us
Temps [s] Temps [s]
Courant [A]
5 5
0 0
−5 −5
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us
Temps [s] Temps [s]
158
4.2 Commande de grille
dans les MOSFET M1 et M2 . Elle permet de limiter les pertes dues à ce phéno-
mène. Un compromis doit être fait entre rapidité et dissipation thermique sur M1 ,
M2 et R.
159
4.2 Commande de grille
(a)
(b)
(c)
(d)
160
4.2 Commande de grille
On voit se dégager deux types de commutation en tension : les cas (a) et (d)
sont en commutation rapide et les cas (b) et (c) en commutation lente. En effet,
pour les cas (a) et (d), le gradient en tension (dVce /dt) est imposé par les modules
IGBT du bras, synonyme de commutation rapide. Alors que dans les cas (b) et (c),
la variation du point milieu (et donc des tensions Vce ) est imposée par le courant de
charge I0 et les capacités intrinsèques Cce des modules IGBT et donnent naissance
à des commutations plus lentes lors du temps mort.
Nous analysons ce qui se passe dans les cas (a) et (d) à cause des forts gradients
de tension. Pour le cas (a), le module IGBT est commandé à la fermeture pour faire
fonctionner sa puce diode (figure 4.28(a)). La figure 4.29 modélise l’état du circuit
lors de la commutation en tension [Fre03].
dVAm
i pert = −C1 .
dt
V
geth −Vg
A la mise en conduction du module IGBT, on a dVce /dt < 0. Le terme Cgc .(R g1 +Rg2 )
est négatif : Vgeth = quelques Volt et Vg =+15V. Le terme dVAm /dt est positif ce qui
R
implique que i pert est négatif et que le terme − Cgc .(Rg1g1+Rg2 ) .i pert est positif. Le cou-
rant i pert ralentit la mise en conduction de l’IGBT.
161
4.3 Protection des modules IGBT
Pour le cas (d), le module IGBT est commandé à l’ouverture alors que sa puce
diode conduit (figure 4.28(d)). La figure 4.30 modélise l’état du circuit lors de la
commutation en tension.
162
4.3 Protection des modules IGBT
de la protection. La liste suivante donne toutes les configurations de défaut que l’on
peut rencontrer :
1. Type I avec impédance de défaut très faible (< 1µH)
2. Type I avec impédance de défaut moyenne (de quelques µH à 100µH)
3. Type I avec impédance de défaut élevée (> 100µH)
4. Type II avec impédance de défaut très faible (< 1µH)
5. Type II avec impédance de défaut moyenne (de quelques µH à 100µH)
6. Type II avec impédance de défaut élevée (> 100µH)
7. Défaut de la commande, temps de conduction trop long avec impédance de
charge normale
8. Conduction des deux IGBT en même temps sur le même bras (défaut diamé-
tral)
Type I : le défaut est présent avant que l’IGBT soit commandé à la fermeture,
appelé défaut HSF : Hard Switching Fault.
Type II : le défaut intervient pendant que l’IGBT est fermé, appelé défaut FUL :
Fault Under Load.
La figure 4.31 illustre les défauts de type I et II. L’IGBT est modélisé par un
interrupteur. Dans le cas du défaut de type I, c’est à partir du moment où l’IGBT
est commandé à la fermeture que le défaut a une conséquence sur le circuit. Dans
le cas du type II, l’IGBT est fermé, le défaut est modélisé par un interrupteur qui
est ouvert et qui se ferme pour appliquer le régime de défaut à l’IGBT.
163
4.3 Protection des modules IGBT
temps pendant lequel la mesure de la tension Vce n’est pas active. En effet, lors de la
mise en conduction, la tension Vce décroît de la tension bus pour rejoindre la valeur
Vcesat (= f (Vge , Ic )). Cette décroissance dure entre 3 et 4µs pour des modules du
calibre 1200V-300A et 8 à 10µs pour des calibres 3300V-1200A. La tension Vce est
mesurée à l’aide de diodes haute tension polarisées par un générateur de courant
I0 : voir figure 4.32 pour le schéma. La capacité C et le générateur de courant I0
permettent de calibrer le "blanking time" : voir figure 4.33. Le MOSFET M court-
circuite le condensateur C quand l’IGBT est ouvert ce qui inhibe la lecture de la
tension Vce . La tension Vc permet d’avoir l’image de la tension Vce plus la chute
de tension aux bornes des diodes haute tension. Si la tension Vc dépasse la ten-
sion Vre f préalablement réglée par l’utilisateur, le driver coupe l’IGBT en coupure
douce (résistance de grille à l’ouverture supérieure à la valeur spécifiée lors des
commutations normales) pour limiter la surtension à l’ouverture [Lef04] [Lef05].
Le défaut (8) est équivalent au (1) : dans le cas (8), l’IGBT du bas d’un bras
d’onduleur (par exemple) est commandé à la fermeture alors que l’IGBT du haut
est déjà fermé. Le courant dans le bras de l’onduleur est limité seulement par les
inductances de câblage des condensateurs du bus continu, des modules IGBT et du
bus barre. L’inductance totale de la maille est très faible : entre 30nH et 200nH.
Pour les défauts (1), (4) et (8), l’impédance de défaut est très faible : de 30nH à
quelques µH. Le courant dans l’IGBT croît très rapidement. Le défaut doit être
détecté en quelques µs au début de la fermeture de l’IGBT pour les défauts (1) et
(8).
La méthode de mesure du Vce exposée précédemment n’est pas adaptée à cause
du "blanking time". En effet, lors du "blanking time", le courant peut atteindre
des valeurs prohibitives avec une impédance de 1µH par exemple pendant 10µs
sous 1500V de tension de bus : ∆Ic = ∆T.Vbus /L = 10.10−6 .1500/10−6 = 15kA.
La solution proposée consiste à lire la valeur du dIc /dt imposé par l’impédance de
défaut au début de la mise en conduction pour les défauts (1) et (8). Si la valeur du
dIc /dt est supérieure à une valeur prédéterminée par l’utilisateur, le driver coupe
l’IGBT avec la résistance de grille des commutations normales.
164
4.3 Protection des modules IGBT
(a) (b)
La valeur du dIc /dt est mesurée par le biais de la tension entre l’émetteur de
puissance et l’émetteur de commande : tension Vee, voir section 3.3 page 98. La
figure 4.34 donne le schéma et les formes d’ondes associées.
Cette méthode permet de réaliser une anticipation sur la valeur du courant col-
lecteur. Si juste après la fin de la fermeture du module IGBT le gradient du courant
collecteur est trop élevé, le courant risque d’atteindre des valeurs trop importantes
par la suite si l’IGBT n’est pas ouvert. L’IGBT est alors commandé à l’ouverture
avec la même résistance de grille qu’en commutation normale.
On note que la lecture de la tension Vee doit être effective le plus vite possible
mais pas avant que le diode n’ait fini de recouvrer. Ce temps est compris entre 2µs
et 4µs et dépend du courant commuté. Il doit être ajusté en fonction du module
IGBT et de la diode de roue libre associée. Les figures 4.35 (a), (b) et (c) montrent
des fermetures du module IGBT CM1200HB-66H (Mitsubishi 3300V-1200A) en
montage hacheur avec une inductance de défaut de 13µH. Le courant commuté
varie de 450A à 4300A. On voit bien la proportionnalité entre la tension Vee et le
signal dIc /dt : voir identification de l’inductance du module IGBT dans la section
3.4 page 116. Plus le courant commuté est élevé, plus le temps de commutation du
module IGBT et de la diode de roue libre est important.
Pour le défaut (2), l’impédance de défaut est comprise entre quelques µH et
100µH. La méthode de Vcesat n’est pas très bien adaptée pour les valeurs d’impé-
dances de quelques µH car pendant le "blanking time", le courant peut atteindre
plusieurs kA. Le défaut doit être détecté plus tôt. La méthode du dIc /dt n’est pas
adaptée car la tension Vee est trop faible pour des valeurs d’impédance de défaut
supérieures à quelques µH.
Lors de la fermeture de l’IGBT, on note que la décroissance de la tension Vce
dépend de l’impédance de défaut. Plus l’impédance est faible, plus la tension Vce
165
4.3 Protection des modules IGBT
166
4.3 Protection des modules IGBT
7000 25
450A 450A
900A 20 900A
6000 1300A 1300A
1700A 15 1700A
5000 1900A 10 1900A
3600A 3600A
4300A 5 4300A
Vee [V]
4000
Ic [A]
0
3000 −5
2000 −10
−15
1000
−20
0 −25
1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us
Time [s] Time [s]
(a) (b)
5
450A
4 900A
1300A
3 1700A
2 1900A
3600A
dIc/dt [kA/us]
1 4300A
0
−1
−2
−3
−4
−5
1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us
Time [s]
(c) (d)
167
4.3 Protection des modules IGBT
80 2000
13uH 13uH
70 110uH 110uH
60 1500
50
Vce [V]
Ic [A]
40 1000
30
20 500
10
0 0
1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us 10 us 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us 10 us
Temps [s] Temps [s]
(a) (b)
Nous utilisons ce phénomène pour détecter que l’IGBT commute une induc-
tance de trop faible valeur. Pour cela, on mesure la tension collecteur à l’aide de
diodes haute tension et d’un générateur de courant (comme dans le cas de la mé-
thode Vcesat figure 4.32) qui peut accepter une tension Vc de 40V minimum : figure
4.37.
168
4.3 Protection des modules IGBT
(a) (b)
169
4.3 Protection des modules IGBT
700
650
600
550
∆Vce [V]
500
450
400
350
300
2 kA 4 kA 6 kA 8 kA 10 kA
Courant coupé
Solution complète
La solution finale a pour but de détecter le plus rapidement possible tous les
types de défaut et d’agir en conséquence en fonction du type de détection. Le ta-
bleau 4.3 résume les actions à effectuer en fonction du type de détection qui est
activée :
– di/dt : coupure normale
170
4.3 Protection des modules IGBT
171
4.3 Protection des modules IGBT
Clamping capacitif
Sur la figure 4.43, on note que la valeur maximale de la tension Vce dépend
de la valeur de R5 . Le courant de grille à l’ouverture lors du clamping augmente
pour limiter la vitesse de décharge de la tension de grille et diminuer la vitesse
de commutation du courant collecteur et par conséquent la valeur maximale de la
172
4.3 Protection des modules IGBT
Tension Vce pour différentes valeurs de R5 à 200A Courant ig pour différentes valeurs de R5 à 200A
800 0.3
700 0.2 R5=50Ω
100Ω
0.1
600 250Ω
0.0 330Ω
Tension [V]
Courant [A]
250 R5=50Ω
100Ω
250Ω
200
Courant [A]
330Ω
500Ω
150
100
50
0
9.6 us 9.8 us 10.0 us 10.2 us 10.4 us
Temps [s]
173
4.3 Protection des modules IGBT
tension Vce .
Cette solution est une alternative au clamping à diodes TRANSIL et nécessite
également un réglage pour chaque application. De plus, le domaine d’application
de cette solution est limité aux petits modules IGBT présentant une faible valeur
de capacité de grille. En effet, lors du fonctionnement du système de clamping, le
courant injecté dans la grille de l’IGBT provient de la capacité C :
∆Vc ∆Vge
id2 = C. ≈ Cge .
∆t ∆t
Pour que le système fonctionne convenablement, il faut que la tension Vc n’aug-
mente pas de manière excessive. Pour cela, on pose l’inégalité suivante :
Ce qui implique :
C > Cge
Pour des modules IGBT 1200V-100A, la capacité Cge a une valeur de quelques
nano-Farad. La valeur de la capacité C doit donc être supérieure ou égale à 10nF
par exemple. Cette capacité doit supporter la tension bus plus la surtension présente
sur le collecteur : soit 1kV environ pour un module IGBT 1200V utilisé avec un
bus 600V. Elle doit également pouvoir fournir un courant de quelques Ampère
lors du fonctionnement du circuit de clamping. Le problème survient pour utiliser
cette solution sur des modules de plus fort calibre en courant. Par exemple, le
module Eupec FF800R12KL4C (1200V-800A) a une capacité Cge de 40nF environ.
Il faudrait utiliser une valeur de 100nF pour le condensateur C pour ce module. La
taille de ce condensateur devient prohibitive (son prix également) devant la taille
du driver qui pilote ce module.
174
4.3 Protection des modules IGBT
175
4.3 Protection des modules IGBT
176
4.3 Protection des modules IGBT
Détection Vcesat
La méthode de détection en Vcesat est expliquée section 4.3.1 page 163. Les
résultats suivants permettent de montrer l’efficacité conjointe de la détection en
Vcesat et de la coupure douce : figure 4.46
Tensions Vge et Vce Tension Vcemesure et courant Ic
20
15
Vcemesure [V]
10 5
Vge [V]
5
0
−5
−10 0
−15
−20
−50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us −50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us
1.2 k
1.0 k 2k
Vce [V]
800.0
Ic [A]
600.0 1k
400.0
200.0
0.0 0
−50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us −50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us
Temps [s] Temps [s]
10 5
Vge [V]
5 avec avec
0 sans sans
−5
−10 0
−15
−20
230 us 240 us 250 us 260 us 270 us 230 us 240 us 250 us 260 us 270 us
1.5 k
2k
Vce [V]
1.0 k avec
Ic [A]
sans
1k avec
500.0 sans
0.0 0
230 us 240 us 250 us 260 us 270 us 230 us 240 us 250 us 260 us 270 us
Temps [s] Temps [s]
Pour les résultats obtenus figures 4.46 et 4.47, nous avons pris la configuration
suivante :
– Vbus = 600V
– Rgon = 1.5Ω
– Rgo f f = 1.5Ω
– Rgo f f so f t = 10Ω
– Lcc = 70µH
Sur la figure 4.46, on montre trois conductions de l’IGBT de 150µs, 175µs et
177
4.3 Protection des modules IGBT
Détection en Vcedyn
La méthode en Vcedyn est expliquée à la section 4.3.1 page 163. Les résultats
suivants montrent le détection de défaut avec cette méthode : figure 4.48.
Tension [V]
5 avec
sans 6 avec
0 sans
−5 4
−10 2
−15
0
−20
−2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us −2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us
Temps [s] Temps [s]
Tension [V]
3
200 2 avec
sans
1
100
0
0
−1
−100 −2
−2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us −2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us
Temps [s] Temps [s]
Pour les résultats obtenus figure 4.48, nous avons pris la configuration sui-
vante :
– Vbus = 600V (défaut détecté) et 500V (défaut non détecté)
178
4.3 Protection des modules IGBT
– Rgon = 1.5Ω
– Rgo f f = 1.5Ω
– Lcc = 13µH
La tension "Vce mesurée" correspond à la tension Vce mesurée par le système à
générateur de courant et diode de la figure 4.37 page 168. La tension "Vce mesurée,
atténuée et filtrée" correspond à la tension décrite précédente filtrée par un pont
diviseur résistif.
Nous montrons deux conductions avec et sans détection en Vcedyn . Le système
de mesure (tension "Vcemesure ") commence à lire la tension 3µs après le début de la
commutation, ce qui permet de couper l’IGBT très tôt si un défaut est présent.
Détection en di/dt
La méthode en di/dt est expliquée à la section 4.3.1 page 163. Les résultats
suivants montrent le détection de défaut avec cette méthode : figure 4.49.
Tension [V]
5 avec 5
sans
0 0
−5 −5
−10 −10
−15 −15
−20 −20
−2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us −2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us
Temps [s] Temps [s]
Tension [V]
2.0 k 6
1.5 k 4
1.0 k
2
500.0
0.0 0
−500.0 −2
−2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us −2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us
Temps [s] Temps [s]
Pour les résultats obtenus figure 4.49, nous avons pris la configuration sui-
vante :
– Vbus = 600V (avec détection) et 90V (sans détection)
– Rgon = Rgo f f = 1.5Ω
– Lcc = 600nH
179
4.4 Transmission des ordres
180
4.4 Transmission des ordres
181
4.4 Transmission des ordres
182
4.4 Transmission des ordres
183
4.4 Transmission des ordres
800
700
600
500
400
Vds [V]
300
200
100
0
-100
-200
-10 ns 0 s 10 ns 20 ns
100
50
dVds/dt [kV/us]
-50
-100
-150
-200
-10 ns 0 s 10 ns 20 ns
Temps [s]
F IG . 4.54 – Tension Vds du MOSFET piloté par le driver - test d’immunité en dv/dt
184
4.4 Transmission des ordres
Comme nous venons de le voir, la solution optique est très performante mais
reste néanmoins très coûteuse. La fonction "retour défaut" permet d’informer le
primaire du driver qu’un défaut est survenu au secondaire (défaut de surintensité
...). On pourrait utiliser la solution optique mais celle-ci est très coûteuse et peut
être remplacée par une solution à base de transformateur coreless dans ce cas pré-
cis. Nous allons voir que cette solution à caractère impulsionnel consomme un
courant crête très important.
La tension Vde f aut vient de la logique de commande. Lors d’un défaut, une
brève impulsion à 0V est générée. Le circuit d’excitation génère une impulsion de
tension aux bornes d’un enroulement de transformateur coreless. L’information est
récupérée côté primaire du driver par un système de redresseur (diode d) et d’effet
mémoire (R3 −C4 ) : voir figure 4.55.
Contraintes technologiques
Nous avons comme contrainte technologique la largeur des pistes sur le circuit
imprimé et le nombre de tours des enroulements. Nous avons réalisé un transfor-
mateur coreless avec une largeur de piste de 0.2mm (espacées de 0.2mm) avec
quatre spires au primaire et au secondaire. Ce nombre de tour dépend de la largeur
disponible entre les empreintes d’une résistance CMS de 0Ω en boîtier 1206 (2mm
x 3mm) : voir figure 4.56 pour un enroulement du transformateur coreless.
185
4.4 Transmission des ordres
186
4.4 Transmission des ordres
RL2 = 172mΩ
187
4.4 Transmission des ordres
Influence de C2
Tension V1 pour différentes valeurs de C2 Tension V2 pour différentes valeurs de C2
15 6
5
C2=100pF 4 C2=100pF
10
1nF 1nF
3 4.7nF
Tension [V]
Influence de C3
Tension V2 pour différentes valeurs de C3
Tension V1 pour différentes valeurs de C3
6
15 5
C2=100pF
Tension [V]
4
3 1nF
2
10 C2=100pF 1
0
1nF −1
Tension [V]
10nF −2
22nF −3
5 6
5
Tension [V]
4 10nF
3 22nF
0 2
1
0
−1
−2
−5 −3
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us 0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
Temps [s] Temps [s]
188
4.4 Transmission des ordres
Courant imos pour différentes valeurs de C2 Courant imos pour différentes valeurs de C3
5 5
0 C2=100pF 0 C3=100pF
1nF 1nF
4.7nF 10nF
Courant [A]
Courant [A]
−5 10nF −5 22nF
−10 −10
−15 −15
−20 −20
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us 0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
Temps [s] Temps [s]
Nous vérifions que le modèle choisi est bien conforme à la réalité. Les résultats
expérimentaux sont présentés figure 4.62 pour l’influence de C2 et C3 .
Nous considérons également l’influence de la résistance R1 sur le circuit : voir
figure 4.63. On note l’importance de sa valeur qui doit être comprise entre quelques
dizaines d’ohm et quelques centaines d’ohm pour C1 = 100nF et R2 = 10kΩ.
Sur la figure 4.64, nous comparons les résultats expérimentaux à ceux de si-
mulation pour la configuration suivante : R1 = 220Ω - C1 = 100nF - R2 = 10kΩ -
C2 = 1nF - C3 = 10nF. Les simulations sont réalisées avec le logiciel LTSpice.
En ajustant les valeur de M et des résistances des bobinages, on obtient les
courbes de la figure 4.65 :
L1 M 100nH 32nH
M= =
M L2 32nH 100nH
RL1 = RL2 = 400mΩ
189
4.4 Transmission des ordres
Influence de C2
Tension V1 pour différentes valeurs de C2 Tension V2 pour différentes valeurs de C2
15 6
5
10 C2=1nF 4 C2=1nF
4.7nF 4.7nF
Tension [V]
Tension [V]
10nF 3 10nF
5 2
1
0 0
−1
−5 −2
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us 0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
Temps [s] Temps [s]
Influence de C3
Tension V1 pour différentes valeurs de C3 Tension V2 pour différentes valeurs de C3
15 5
4 C2=100pF
1nF
10 C2=100pF 10nF
1nF 3
22nF
Tension [V]
Tension [V]
10nF
22nF 2
5
1
0
0
−1
−5 −2
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us 0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
Temps [s] Temps [s]
4 R1=1k
220
10 R1=1k 47
220 3
Tension [V]
Tension [V]
47
2
5
1
0
0
−1
−5 −2
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us 0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
Temps [s] Temps [s]
190
4.4 Transmission des ordres
Tension V1 : comparaison résultats expérimentaux et simulation Tension V2 : comparaison résultats expérimentaux et simulation
15 6
5 expérimental
simulation
4
10 expérimental
simulation 3
Tension [V]
Tension [V]
2
5 1
0
−1
0 −2
−3
500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
Temps [s] Temps [s]
Tension V1 : comparaison résultats expérimentaux et simulation Tension V2 : comparaison résultats expérimentaux et simulation
15 6
5 expérimental
simulation
4
10 expérimental
simulation 3
Tension [V]
Tension [V]
5 1
0
−1
0 −2
−3
500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
Temps [s] Temps [s]
191
4.5 Transmission de puissance
192
4.5 Transmission de puissance
193
4.5 Transmission de puissance
plan (B,H). Pour récupérer une tension alternative, il suffit de coupler un seul
enroulement sur le noyau magnétique. Pour obtenir deux tensions symétriques (-
15V ;0V ;+15V), on utilise un doubleur de tension qui nous permet de créer les
tensions symétriques à partir d’une source alternative : voir figure 4.69. Le schéma
de l’alimentation finale découle des figures 4.68 et 4.69 : voir figure 4.70.
194
4.5 Transmission de puissance
195
4.5 Transmission de puissance
15.0 n [%]
84 f=90kHz
14.5 f=135kHz
f=200kHz
14.0 82 f=285kHz
13.5 80
4 6 8 10 12 14 4 6 8 10 12 14
Ps [W] Ps [W]
sortie.
L’analyseur d’impédance HP 4194A permet d’estimer la capacité de couplage
entre le primaire et les secondaires et entre les secondaires : figure 4.74.
Les capacités parasites proviennent principalement du transformateur. La fi-
gure 4.75 et le tableau 4.5 permettent de mieux appréhender le problème du bo-
binage et de son influence sur les capacités parasites. On effectue six bobinages
différents : on étudie de façon expérimentale l’influence sur les capacités para-
sites le nombre de tours des bobinages et leurs positions relatives sur une ferrite en
forme de tore.
196
4.5 Transmission de puissance
197
4.5 Transmission de puissance
198
4.5 Transmission de puissance
sonance en longueur, largeur et épaisseur à des fréquences bien précises liées aux
paramètres physiques du barreau piézoélectrique. La figure 4.77 donne l’évolu-
tion du gain en tension d’un transformateur en forme de barreau. On constate la
présence d’un grand nombre de pics qui proviennent des différents multiples de
résonance (λ/2, λ, 3.λ/2, . . .) des trois dimensions du matériau : longueur, largeur
et épaisseur.
199
4.5 Transmission de puissance
Nous avons réalisé six transformateurs à base des deux types de céramiques
(figure 4.78). La figure 4.80 donne les dimensions des transformateurs et des mé-
tallisations.
Le tableau 4.6 donne les caractéristiques de chaque transformateur.
Le transformateur 1 est fabriqué avec notre première céramique. Il a été fourni
tel qu’il apparaît sur la figure 4.80. Les métallisations font 10mm de longueur. La
tension crête-à-crête est de 16V à 177kHz sous 200Ω. La puissance au secondaire
est de 0.64W. On constate que la tension et la puissance disponibles au secondaire
sont trop faibles.
Le transformateur 2 est fabriqué avec notre deuxième céramique fournie par le
SATIE. Elle est plus épaisse et plus large que la première. On peut donc s’attendre
à transmettre plus de puissance avec cette céramique. Avec cette configuration, on
transmet 0.31W sous 100Ω à 236kHz. La tension est de 7.9V crête-à-crête. La
tension au secondaire est très faible, ainsi que le puissance disponible.
Pour améliorer les performances, on modifie les métallisations du transforma-
teur 2 pour obtenir le transformateur 3. La surface au secondaire est plus grande
que celle du primaire pour obtenir un effet élévateur par rapport transformateur
2. En effet, la puissance transmise est de 1.64W sous 110Ω à 88kHz. La tension
secondaire est de 19V crête à crête. La capacité parasité augmente à cause de la sur-
face des électrodes : 18pF pour le transformateur 2 et 64pF pour le transformateur
3.
Pour améliorer les performances du transformateur 1, on augmente les sur-
faces des électrodes pour donner le transformateur 4. La puissance transmise est
améliorée. Elle est de 1.13W sous 44Ω à 178kHz. La tension secondaire est de
10V crête-à-crête.
200
4.5 Transmission de puissance
Transformateur 1
Transformateur 2
Transformateur 3
Transformateur 4
Transformateur 5
Transformateur 6
201
4.5 Transmission de puissance
0.8
P [W]
0.6
0.4
0.2
0.0
0 100 200 300 400 500 600 700
R [Ω]
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 100 200 300 400 500 600 700
R [Ω]
202
4.6 Conclusion
4.6 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons découpé le fonctionnement global d’un driver
d’IGBT en fonctions élémentaires. La première, qui est la commande de grille, a
2 Voltage Controlled Oscillator
203
4.6 Conclusion
nécessité une approche très synthétique pour aboutir à des solutions technologiques
à base de transistors bipolaires et MOSFET. Les solutions proposées permettent de
piloter correctement les modules IGBT à l’heure actuelle. Les solutions à base de
transistor MOSFET présentent une bonne symétrie de commande de grille alors
que ce n’est pas le cas pour celles à base de transistors bipolaires.
Ensuite, une nouvelle méthode pour la protection des modules IGBT a été mise
en oeuvre. Elle permet de ne pas faire fonctionner l’IGBT en régime de court-
circuit. Lors des défauts avec des impédances de défauts très faibles, cette solution
permet d’anticiper le niveau de courant et d’ouvrir l’IGBT alors qu’il est en régime
de surintensité avant qu’il passe en régime de court-circuit.
Pour la transmission des ordres, la solution classique par fibre optique est ex-
posée ainsi que son principal inconvénient : sa sensibilité aux rayonnements élec-
tromagnétiques. Comme alternative, nous avons effectué la conception d’un trans-
formateur coreless à l’aide de simulations. Les résultats expérimentaux sont très
satisfaisants et montrent que cette solution devient envisageable pour la transmis-
sion d’ordres du primaire vers le secondaire si les contraintes en courant du circuit
d’excitation du transformateur coreless sont minimisés.
Une solution à base de transformateur magnétique est exposée pour la trans-
mission de puissance. L’analyse des capacités de couplage en fonction du type des
bobinages du transformateur est également présentée. Les positions relatives des
bobinages ne jouent pas un rôle prépondérant pour les valeurs des capacités pa-
rasites. Enfin, une alimentation à base de transformateur piézoélectrique nous a
permis d’effectuer une recherche sur le type de transformateur et de métallisation
les mieux adaptés à nos besoins. A l’heure actuelle, une solution à base de trans-
formateur piézoélectrique ne permet pas de répondre à notre cahier des charges.
204
Conclusion générale et
perspectives
Les travaux présentés dans ce mémoire ont pour principal objectif la concep-
tion et la réalisation d’une gamme de drivers de modules IGBT.
Avant d’aborder la conception des drivers, nous avons étudié les technologies
des modules IGBT disponibles dans le commerce. Pour ce faire, nous avons étudié
les principaux avantages et inconvénients des différentes technologies de puce et
de boîtiers (plastique et press-pack). On a pu constaté que la tendance actuelle des
constructeurs est de proposer des noms de puce qui leur sont propres pour décrire
le même type de puce : Field Stop de Eupec, Light Punch Through de Mitsubishi
et Soft Punch Through de ABB. Cette technologie est née d’un judicieux process
de fabrication qui tente de garder les avantages des structures Punch Through et
Non Punch Through. Depuis quelques années, les technologies ont évoluées vers
des puces dont le profil de dopage s’approche de ceux des GTO afin de réduire les
pertes en conduction : IEGT de Toshiba, CSTBT de Mitsubishi et HiGT de Hitachi.
Ensuite, afin de comprendre aux mieux les contraintes et les fonctions des dri-
vers, nous avons étudié la modélisation des modules IGBT et leurs commutations.
Pour cela nous avons proposé un modèle simple de puce et les équations de com-
mutation qui en découlent. Les effets inductifs ont été pris en considération à l’aide
de simulations. Nous avons mis en évidence que lorsque le circuit de commande et
de puissance sont couplés (soit par impédance commune, soit par couplage induc-
tif) que les gradients de courant et de tension sont modifiés. Nous avons également
apporté un complément d’analyse sur l’avalanche dynamique d’une cellule IGBT
en régime de surintensité. Nous avons montré que le phénomène est dû à l’accumu-
lation de charges positives dans une zone bien précise de la cellule qui a pour effet
d’augmenter très localement le champ électrique et de générer des paires électron-
trou par ionisation par impact.
Après avoir préalablement étudié les drivers existants et les commutations des
modules IGBT, nous avons analysé le cahier des charges de la gamme de drivers à
développer. Le découpage du driver en fonctions élémentaires nous a permis d’ef-
fectuer une synthèse méthodique pour chacune d’elles. Tout d’abord, la fonction
"commande de grille" a été développée de façon synthétique et méthodique pour
aboutir à deux solutions à base de transistors bipolaires et MOSFET. La fonction de
protection a abouti à une solution qui permet d’anticiper la valeur du courant col-
205
4.6 Conclusion
206
Bibliographie
207
BIBLIOGRAPHIE
208
BIBLIOGRAPHIE
209
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211
BIBLIOGRAPHIE
212
FOLIO ADMINISTRATIF
Prénoms : Pierre
RESUME :
L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a pris une part importante dans les applications de l'électronique de puissance. Depuis ses
débuts dans les années 1980, il n'a cessé de concurrencer les composants comme le thyristor, le GTO, le MOSFET et le transistor bipolaire.
A l'heure actuelle, le transistor IGBT permet d'être utilisé dans beaucoup d'applications notamment sous forme de module IGBT dont il est
question dans cette thèse.
Les modules IGBT font partie intégrante des convertisseurs de puissance. Ils sont associés à leurs circuits de commande (aussi appelés
drivers). Ils ont pour fonction de piloter les modules IGBT qui leurs sont associés et de garantir leur intégrité en cas de défauts (surintensité,
surtension).
Dans ce mémoire, nous traitons de la réalisation et la conception de drivers de modules IGBT. Pour mener à bien cette étude, nous
présentons tout d'abord un état de l'art sur les modules IGBT et leurs drivers. Ensuite, nous proposons une analyse et une modélisation des
modules IGBT en prenant en compte le câblage. Nous apportons un complément d'étude sur le phénomène d'avalanche dynamique des
puces IGBT en régime de surintensité. Enfin, nous effectuons la conception et la réalisation de drivers de modules IGBT. La fonction
principale des drivers est découpée en sous fonctions qui permettent d'effectuer une étude structurée. Chaque sous fonction est étudiée et les
solutions apportées sont exposées avec simulations et résultats expérimentaux à l'appui.
MOTS-CLES :
IGBT, commande rapprochée d'IGBT, isolation galvanique, protection des IGBT, modélisation, simulation, CEM, avalanche dynamique.
Président de jury :