Composants de l’électronique

de puissance
A. TAOUNI

Licence EEAII
 I. Généralités

1. L’électronique de puissance : une électronique de commutation

• Entre l'électrotechnique et l'électronique s'est développée une nouvelle technique,
l’électronique de puissance, appelée aussi électronique des courants forts.
• La principale fonction est d’adapter la forme de l’énergie (alternative ou continue)
fournie par le réseau électrique industriel aux bornes du récepteur.
• Les convertisseurs statiques de puissance assurent cette transformation d’énergie avec
un excellent rendement.
On distingue:
• Hacheurs DC/DC
• Onduleurs DC/AC
• Redresseurs AC/DC
• Gradateurs AC/AC

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 I. Généralités

1. L’électronique de puissance : une électronique de commutation

On distingue:
• Hacheurs DC/DC
• Onduleurs DC/AC
• Redresseurs AC/DC
• Gradateurs AC/AC

HACHEUR
Source continue (=) Récepteur continu (=)

REDRESSEUR HACHEUR

Source alternative (~) Récepteur alternatif (~)

GRADATEUR
Sans changement de
fréquence

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 I. Généralités

1. L’électronique de puissance : une électronique de commutation

Un convertisseur statique est un montage formé par des interrupteurs à semi-conducteurs et
permettant le transfert d’énergie entre une source d’entrée et une source de sortie.

Un « interrupteur » peut être formé par un seul semi-conducteur ou par un groupement

en série ou en parallèle de plusieurs semi-conducteurs.

Diode GTO

Thyristor

IGBT

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 I. Généralités

2. Interrupteur idéal

Un interrupteur idéal K présente deux états

vk vk

ik ik
K K
ik ik
Etat Etat
OUVERT (O) (F)
FERME (O)
(O)
Caractérisé par ik=0 vk vk Caractérisé par vk=0

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 I. Généralités

2. Interrupteur idéal

Il possède les propriétés suivantes :

• Supporte (bloque) des tensions directes (> 0) ou inverses (< 0) de valeur arbitraire avec un courant
nul à l'état ouvert ;
• Conduit des courants de valeur arbitraire avec des chutes de tension nulles à l'état fermé ;
• Commute de façon instantanée de l'état fermé à l'état ouvert et réciproquement ;
• Nécessite une puissance nulle pour la commande.
vk vk

ik ik
K K

Etat
ik ik
Etat
OUVERT (O) (F) FERME (O)
(O)
Caractérisé par ik=0 vk vk Caractérisé par vk=0

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 I. Généralités

3. Interrupteur réel

Il possède les propriétés suivantes :

• Une partie seulement des caractéristiques précédentes est atteinte;

• Unidirectionnalité en tension ou en courant lorsque la tension ou le courant ne peuvent pas
changer de signe dans l'état ouvert ou dans l’état fermé

• L’ouverture (appelée aussi blocage) lorsqu'on passe de (F) a(O);

• La fermeture (appelée aussi amorçage) pour la transition de (O) à (F).

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 I. Généralités

3. Interrupteur réel

• Commutation spontanée ou naturelle se fait par l'inversion du courant ou de la

tension, sans intervention d’un dispositif annexe.

• Commutation commandée que l’on représente par une flèche au niveau de la

caractéristique 𝐢𝐤 (𝐕𝐤 ) de l'interrupteur. Exemple :
ik Amorçage et blocage
commandés

(a)

(b)
vk
Interrupteur unidirectionnel en
courant et en tension

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 I. Généralités

3. Interrupteur réel

• Il existe des limites en tension et en courant pour un interrupteur réel spécifiées dans
les documentations des constructeurs

𝐈𝐅(𝐀𝐕) : Courant direct moyen maximal ;

𝐈𝐅𝐌 : Courant direct maximal :
𝐕𝐑𝐑𝐌 : Tension inverse répétitive maximale ; ... Initiale du mot Traduction
Indice
anglais française
Av AVerage Moyen
D Direct Continu
F Forward (sens direct)
G Gate Gâchette
M Maximum Maximal
P Peak Crête
R Reverse Inverse
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 II. Diode de puissance

1. Symbole et caractéristiques statiques

Une diode est réalisée par la jonction de deux semi-conducteurs, un dopé P (en manque
d’électron, on parle de trous) et l'autre dopé N (en surplus d’électrons).

La bague indique la cathode

Caractéristique statique idéale

• Diode passante, VAK = 0 pour iAK > 0
• Diode bloquée, iAK = 0 pour VAK < 0
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 II. Diode de puissance

1. Symbole et caractéristiques statiques

(i) symbole — (ii) caractéristique statique réelle — (iii) caractéristique statique idéale

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 II. Diode de puissance

2. Fonctionnement en interrupteur

• Il se ferme pour vD > V0 > 0 (tension de seuil de l'ordre du volt).

• Le courant iD est alors imposé par le reste du circuit. Il faut veiller à ce

que <iD > < IF(AV) (courant direct moyen admissible)

(i) — symbole
(ii) — (ii) caractéristique statique réelle
(iii) — (iii) caractéristique statique idéale
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 II. Diode de puissance

2. Fonctionnement en interrupteur
• Il s'ouvre dès que le courant iD le traversant s’annule.
• La tension négative ou inverse vR (= − VD ) peut prendre sous l'effet de
du reste du circuit, des valeurs élevées.
• Il faut veiller à ce que VR < VRRM (tension inverse répétitive maximale).

(i) — symbole
(ii) — (ii) caractéristique statique réelle
(iii) — (iii) caractéristique statique idéale
Composants de l’électronique de puissance 13
 II. Diode de puissance

3. Comportement dynamique
• Lors de la phase de fermeture, une diode peut être
considérée comme un interrupteur idéal car la transition
de l'état ouvert à l'état fermé s'effectue rapidement
• Par contre, l’ouverture est tributaire de la quantité de
charges électriques emmagasinées dans la diode durant
sa conduction.
• Pendant un temps t rr appelé temps de recouvrement
inverse, le courant est négatif afin d'évacuer les charges
en excès dans la diode et lui permettre de recouvrer (ou
retrouver) son pouvoir de blocage.
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 II. Diode de puissance

3. Comportement dynamique

Composants de l’électronique de puissance 15

 II. Diode de puissance

3. Comportement dynamique

Composants de l’électronique de puissance 16

 II. Diode de puissance

3. Comportement dynamique

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 III. Thyristor

1. Symbole et caractéristiques statiques

Le thyristor est un semi-conducteur à 3 jonctions. Outre l'anode A et la cathode K, il est

muni d’une électrode de déblocage ou gâchette G.

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 III. Thyristor

1. Symbole et caractéristiques statiques

Ce composant unidirectionnel en courant mais bidirectionnel en tension permet de contrôler

l'énergie électrique dans différents montages rencontrés en électronique de puissance
(gradateurs, redresseurs commandés, ...).

(i) symbole — (ii) caractéristique statique réelle — (iii) caractéristique statique idéale

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 III. Thyristor

2. Fonctionnement en interrupteur
En l'absence de courant de gâchette IG , il est ouvert quel que soit le signe de vT .

—(i) symbole
— (ii) caractéristique statique réelle
— (iii) caractéristique statique idéale

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 III. Thyristor

2. Fonctionnement en interrupteur
• Amorçage normal :

Lorsque 𝒗𝑻 > 𝟎, il se ferme si on envoie une impulsion de courant 𝐈𝐆 dans la gâchette, de

valeur supérieure à 𝐈𝐆𝐓 et de durée suffisante pour que le courant d’anode 𝐢𝐓 dépasse le
courant d’accrochage 𝐈𝐋 , (Latching en anglais).

𝐈𝐆𝐓 : Courant d’amorçage par la gâchette.

Après l'amorçage, la gâchette perd son

pouvoir de contrôle, le courant 𝒊𝑮 peut
— (i) symbole
être supprimé. — (ii) caractéristique statique réelle
— (iii) caractéristique statique idéale

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 III. Thyristor

2. Fonctionnement en interrupteur
• Amorçages parasites :

Il peut s'amorcer sans courant de gâchette si: 𝐕𝐓 > 𝐕𝐃𝐑𝐌 (tension de retournement) ou si
la tension directe 𝐯𝐓 croît trop vite, c’est à dire:

dvT dvT
≥
dt dt critique

— (i) symbole
— (ii) caractéristique statique réelle
— (iii) caractéristique statique idéale

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 III. Thyristor

2. Fonctionnement en interrupteur

Lorsqu’il est fermé, il se comporte alors comme une diode. Il s'ouvre dès que 𝐢𝐓 s'annule,
en réalité, lorsque 𝐢𝐓 devient inférieur au courant de maintien 𝐈𝐇 (Holding en anglais)

— (i) symbole
— (ii) caractéristique statique réelle
— (iii) caractéristique statique idéale

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 III. Thyristor

3. Comportement dynamique
• Amorçage
Le passage à l'état passant d'un thyristor recevant une impulsion de courant sur sa gâchette
n'est pas instantané.

• t d (delay time): temps de retard à la décroissance de la

tension vT (et / ou la croissance du courant iT ) ;
• t r (rise time) ; temps de croissance du courant iT .
• t gt le temps d’amorçage par la gâchette d'un thyristor
initialement bloqué et polarisé en direct.

Ces temps sont de l'ordre d'une fraction de μs à quelques μs.

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 III. Thyristor

3. Comportement dynamique
• Blocage
Thyristor ont les mêmes allures que pour la diode.

• 𝐭 𝐪 : ce temps de recouvrement du pouvoir de blocage (d'une

tension directe) est note et appelé temps de blocage.
• En fonction de sa valeur, les thyristors seront considérés
comme lents (> 50 μs) ou rapides.

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 III. Thyristor

3. Comportement dynamique

Composants de l’électronique de puissance 26

 III. Thyristor

3. Comportement dynamique

Composants de l’électronique de puissance 27

 III. Thyristor

3. Comportement dynamique

Composants de l’électronique de puissance 28

 III. Thyristor

4. Protections des thyristors

𝐝𝐯𝐓 𝐝𝐢𝐓
Protection contre les et surtensions Protection contre les
𝐝𝐭 𝐝𝐭

Objectif: Eviter un amorçage intempestif Objectif: Eviter la destruction du thyristor par

du thyristor soit par dépassement de si la vitesse limite de croissance du courant à
dvT diT
VDRM soit par trop élevé. l'amorçage ( ) critique est dépassée.
dt dt

R=20 à 47Ω
L : quelques dizaines de μH
C =4,7 à 220 nF

il faudra prévoir aussi une protection thermique par radiateur

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 III. Thyristor

5. Thyristors et diodes : Couplage en série et en parallèle

Groupement en parallèle Groupement en série

• Réaliser un débit plus important avec
des composants qui ne supportent
qu'une fraction du courant nécessaire.
• Résistances ri de faible valeur en série
pour équilibrer les courants.
• La mise en parallèle est peu utilisée
avec les thyristors.
• Utilisé lorsque la tension du montage est
trop élevée par rapport aux tensions
d'utilisation des éléments disponibles sur
le marché :
• On place en parallèle, pour équilibrer les
tensions aux bornes des composants à
l’état bloqué (R = 100 kΩ).

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 IV. Transistor bipolaire de puissance

1. Symbole et caractéristiques statiques

La commande s'opère par le courant de base iB
Le courant commandé est celui du collecteur : iC .
La tension considérée est notée vCE ,

(i) symbole — (ii) caractéristique statique réelle — (iii) caractéristique statique idéale

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 IV. Transistor bipolaire de puissance

2. Fonctionnement en interrupteur
Pour jouer le rôle d'interrupteur, le transistor doit fonctionner soit dans la zone saturée
(interrupteur fermé), soit à courant très faible iB = 0 (interrupteur ouvert),

• Il se ferme lorsque le courant de base est suffisamment fort :

iCsat
iB > iBsat =
βmin

• La chute de tension VCE est alors faible (de l'ordre de 1 à 2 V) et est notée VCEsat .

• Il se bloque lorsque le courant de base iB

est nul.

Ce transistor n’a pas de pouvoir de blocage en

inverse.

Composants de l’électronique de puissance 32

 IV. Transistor bipolaire de puissance

3. Transistors DARLINGTON
Le gain β (noté aussi hFE ) est généralement et seulement de l'ordre de quelques dizaines pour
les transistors bipolaires de puissance.

Pour le transistor T1: iC1 = β1 iB

Pour le transistor T2: iC2 = β2 iE1

iE1 = iB + iC1 = 1 + β1 iB
iC = iC1 + iC2 = β1 iB + β2 1 + β1 iB

Donc iC = β. iB

L'inconvénient lié à cette configuration est l'augmentation des temps de commutation

de quelques centaines de ns à quelques μs

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 V. Transistor MOS de puissance

1. Symbole et caractéristiques statiques

Le symbole électrique pour un "MOS" canal N est donné ci-dessous.

• La grandeur de commande est la tension vGS ce qui est un avantage indéniable.

• la commande ne consomme pas de puissance en régime statique (grille isolée : iG = 0) et
l'on peut atteindre des gains en courant élevés.
• Elle nécessite tout de même une source susceptible de débiter du courant car il faut charger
les capacités parasites d'entrée CGS et CGD au moment des commutations.

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 V. Transistor MOS de puissance

2. Fonctionnement en interrupteur

• Il se ferme pour VGS > VGS(TH) > 0 (tension de seuil), (threshold voltage en anglais). Cette tension doit être
maintenue pendant tout l'intervalle de conduction du transistor mais aucun courant iG ne circule (donc
vGS . iG = 0 ), excepté durant les commutations, lorsque les capacités sont chargées puis déchargées.

• On note RDS(on) la résistance drain - source à l’état passant.

• Il s'ouvre pour VGS< VGS(th). Comme pour le transistor bipolaire, tension directe bloquée est majorée par
VDSS (tension de claquage) sous peine de voir se développer un phénomène d'avalanche.

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 V. Transistor MOS de puissance

2. Fonctionnement en interrupteur

Composants de l’électronique de puissance 36

 V. Transistor MOS de puissance

2. Fonctionnement en interrupteur

Composants de l’électronique de puissance 37

 V. Transistor MOS de puissance

2. Fonctionnement en interrupteur

Composants de l’électronique de puissance 38

 V. Transistor MOS de puissance

3. Comparaison du transistor MOS avec le transistor bipolaire

Avantages du MOS/BIPOLAIRE Inconvénients du MOS/BIPOLAIRE
 Composant plus rapide que le bipolaire.  Plus fragile que le transistor bipolaire.

 Les temps de commutation vont de quelques dizaines à  L'épaisseur de l'oxyde est faible, d'où un risque de perçage
centaines de 𝑛𝑠 contre quelques us pour le bipolaire (problème par champ électrique si la tension VGS est trop grande.
de la charge stockée)
 Dans les applications Haute Tension, le MOS présente à l'état
 la commande se fait en tension et non en courant. Elle passant une chute de tension plus élevée que le bipolaire :
nécessite un courant moyen de commande pratiquement nul:
𝑖𝐺 ≈ 0 en régime statique car la grille est isolée du substat par vDS = R DS(on) . iD > VCEsat
une couche d'oxyde (𝑆𝑖𝑂2 ) de forte résistance.
car
 Auto équilibrage des courants lorsqu'on met des MOS en //
R DS on = k. VDSS 2,5
Si 𝐼1 ↗ alors 𝜃 ↗
k est une constante dépendant de la géométrie du MOS.
Donc 𝑅𝐷𝑆1(𝑜𝑛) ↗ alors 𝐼1 ↘
R DS(on) augmente très rapidement avec la tension bloquée.

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 VI. Transistor IGBT

Il représente un compromis entre les différents avantages du transistor MOS et du bipolaire :

• Similaire au MOS, il possède une impédance de grille importante, autorisant une commutation avec un faible
apport d’énergie.

• Comme le bipolaire, il possède une tension à l'état passant faible pour des tensions bloquées
importantes.

Composants de l’électronique de puissance 40

 VI. Transistor IGBT

• C'est un composant unidirectionnel en tension et en courant commandé par VGE .

• Si on le compare avec le MOS, son blocage est moins rapide et nécessite une
polarisation de grille négative.

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 VI. Transistor IGBT

Composants de l’électronique de puissance 42

 VI. Transistor IGBT

Composants de l’électronique de puissance 43

 VI. Transistor IGBT

Composants de l’électronique de puissance 44

 VI. Conclusion

• L'IGBT est de plus en plus utilisé en moyenne et haute tension (applications: tous les variateurs MLI actuels), Il a
même tendance à prendre la place des GTO après avoir pris celle des transistors bipolaires de puissance.
• Les transistors MOS de puissance, arrivés récemment sur le marché, permettent la réalisation des systèmes très
performants, au moins en basse tension (< 200 V). Ils tendent aujourd’hui à occuper une place prépondérante dans
l'industrie automobile et dans les télécommunications, où une nouvelle famille de MOS à commande par 3,3 V
maximum à été introduite,

Composants de l’électronique de puissance 45