Electromagnétisme I

Electromagnétisme I
MPSI, PCSI, TSI
Hassan ADOCH
Professeur agrégé au Lycée Ibn Timiya
Classes préparatoires aux grandes écoles, Marrakech

TABLE DES MATIÈRES
1
1.1
O C H
1 Électrostatique dans le vide
Champ et potentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Charge électrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
4
4
4
D
1.2 Champ électrostatique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3 Potentiel électrostatique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4 Topographie de champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
A
1.5 Exemples d'application . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.6 Réalisation numérique d'une carte du champ (PCSI/MPSI) . . . . . . . . . . . . . . 12
1.7 Énergie électrostatique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2 Théorème de Gauss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.1 Symétrie et invariance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2 Théorème de Gauss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.4 Analogie gravitationnelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3 Étude d'un condensateur (MPSI/TSI) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.1 Présentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.2 Champ et potentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.3 Énergie électrostatique d'un condensateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2 Magnétostatique dans le vide 26
1 Champ magnétostatique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.1 Distribution du courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.2 Loi de Biot et Savart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2 Théorème d'Ampère . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.1 Symétrie et invariance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.2 Théorème d'Ampère . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.4 Conservation de ux magnétostatique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3 Dipôles électromagnétiques 37
1 Dipôle électrostatique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
1.1 Moment dipolaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2
TABLE DES MATIÈRES
1.2 Potentiel et champ électrostatiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

1.3 Topographie du champ (MPSI/PCSI) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.4 Interaction entre un dipôle et un champ électrostatique extérieur . . . . . . . . . . . . . 41
2 Dipôle magnétique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.1 Champ crée par un dipôle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.2 Interaction entre un dipôle et un champ magnétostatique extérieur . . . . . . . . . . . . 43
O C H
A D
H.ADOCH 3 / 44 adoch.hasaan@gmail.com
CHAPTER 1
ÉLECTROSTATIQUE DANS LE VIDE
O C H
Champ et potentiel
1.1 Charge électrique
D
La charge électrique est une grandeur physique scalaire, algébrique, conservée et quantiée. Les corps qui
→
− → −
possède cette propriété peut crée et interagir avec un champ électromagnétique ( E , B ). La charge électrique
peut être trouvée sous deux formes ou distributions à savoir :
A
~ Distribution discrète : Un ensemble de charges séparées par une distance très grande devant leurs tailles.
La charge totale de la distribution est donnée par :
N
X
Q= qi
i=1
~ Continue : Un ensemble de charges séparées par une distance très proche de la taille des charges. On
trouve trois types de distribution continue :
m Distribution volumique : C'est un volume chargé, on le caractérise par une grandeur appelée
densité volumique de charge notée ρ. Exemples : sphère, cylindre, parallélépipède...etc. La charge totale
est donnée par :
ˆ ˚
Q= dq = ρ dτ
dτ est un élément de volume. alors que dq est la charge de ce petit volume. D'où :
dq
(C.m−3 ) ρ =
dτ
m Distribution surfacique C'est une surface chargée, on la caractérise par une grandeur appelée
densité surfacique de charge notée σ. Exemples : surface d'une sphère, surface d'un cylindre, plan ...etc.
La charge totale est donnée par :
ˆ ¨
Q= dq = σ dS
4
CHAPTER 1. ÉLECTROSTATIQUE DANS LE VIDE
dS est un élément de surface. alors que dq est la charge de cette petite surface. D'où :
dq
(C.m−2 ) σ =
dS
m Distribution linéique C'est un l chargé, on le caractérise par une grandeur appelée densité
linéique de charge notée λ. Exemples : l rectiligne, spire ... etc. La charge totale est donnée par :
ˆ ˆ
Q= dq = λ dl
H
dl est un élément de longueur. alors que dq est la charge de cet élément. D'où :
dq
C
(C.m−1 ) λ =
dl
Remarques :
O
• En réalité, toutes les distributions sont discrets mais on peut modéliser certains distributions par
des distributions continues. Ceci est valable lorsque la distance moyenne entre les particules chargées
est très faible devant la taille caractéristique de la distribution c'est-ce-qu'on appelle l'approximation
D
des milieux continues.
• Toute distribution continue est volumique, alors que les distributions surfaciques et linéaires sont des
A
modélisations. Ceci donne un champ divergent lorsqu'on s'approche d'un distribution linéique et une
discontinuité pour les distributions surfaciques.
• Pour une distribution homogène, la charge totale de la distribution s'écrit sous la forme:
Q = ρVcharg ou Q = σScharg ou Q = λLcharg
−−−→
• Pour trouver l'expression de dτ , dS ou dl, on utilise l'expression de dOM dans le système de
coordonnées approprié à la distribution. On rappelle que :
−−−→
dOM = dx→
−
e x + dy →
−
e y + dz →
−
ez
−−−→
dOM = dr→−
e r + rdϕ→−
e ϕ + dz →
−
ez
−−−→
dOM = dr→
−
e x + rdθ→−
e θ + rsin(θ)dϕ→−
eϕ
1.2 Champ électrostatique

Le champ électrostatique est déni à partir de la loi du Coulomb, qui donne la force d'interaction entre deux
charges q1 et q2 placées respectivement en A et B . La force appliquée par la charge q1 sur la charge q2 s'écrit
sous la forme : −→
→
− →
− q1 q2 AB
F 1/2 = − F 2/1 =
4πε0 AB 2 AB
On dénit le champ électrostatique crée par la charge q1 en un point B par la relation :
→
− −→
→
− F 1/2 q1 AB
E 1 (B) = =
q2 4πε0 AB 2 AB
Alors le champ électrostatique crée en un point M de l'espace par une charge q placée en O s'écrit sous la
forme :
→
− q → −
E (M ) = er
4πε0 r2
e r est la vecteur radial de la base sphérique.

Avec →
−
D'après le principe de superposition, le champ crée en M pour une distribution :

• Discrète de charges s'écrit:
H
−−→
→
− qi →
− qi Pi M
avec : Pi est la position de la charge qi
X X
E (M ) = u i =
4πε0 Pi M 2 4πε0 Pi M 2 Pi M
C
i i
• Continue de charges s'écrit:
O
ˆ −−→
→
− dq PM
E (M ) =
4πε0 P M 2 P M
D
Avec P est un point aléatoire du la distribution alors que dq dépend du type de la distribution :
dq = ρdτ ou dq = σdS ou dq = λdl
A
Remarques :
• On rappelle que l'unité du champ électrostatique est V /m.
• ε0 est une constante appelée la permittivité du vide ou la constante diélectrique :
1
ε0 = 8, 854 10−12 F.m−1 Donc : = 9 × 109 F −1 .m
4πε0
• Le champ électrostatique crée par une charge ponctuelle n'est pas déni en son point source O, car
1
tend vers l'inni. Cette diculté doit être attribuée à la limite de validité du concept de charge
r2
ponctuelle qu'il faut reconsidérer lorsqu'on veut étudier les interactions à très faible distance.
Principe de supersposition :
Le champ électrostatique crée par une distribution de charge (continue ou discrète) est égale à la somme
des champs électrostatiques crée par les parties de cette distribution.
1.3 Potentiel électrostatique

→
−
Considérons une distribution de charge ni, On note E (M ) le champ électrostatique crée par cette distribution.
→
−
On dénit le potentiel V associé au champ électrostatique E par la relation :
ˆ
− −−−→
→ − −−−→
→
dV = − E .dOM ⇒ V (M ) = − E .dOM
On montrer aussi que :

→
− −−→
E = −grad(V )
Exemple :
Considérons une charge ponctuelle q placée en O, le champ électrostatique en un point M de l'espace
est donné par :
→
− q → −
E (M ) = 2
er
4πε0 r
H
En utilisant la dénition :
− −−−→
→ q → − q
dV = − E .dOM = − 2
e r . (dr→
−
e r + rθ→
−
e θ + r sin(θ)dϕ→
−
e ϕ) = − dr
4πε0 r2
C
4πε0 r
Par une simple intégration on trouve :
q
O
V (M ) = + cte
4πε0 r
Le potentiel à l'inni est nul si on n'a pas de charge à l'inni. Donc l'expression du potentiel crée par
D
une charge à un point M est donnée par :
A
V (M ) =
4πε0 r
Pour une distribution de charge quelconque, on utilise le principe de superposition vue précédemment, ce
qui donne :
• Pour une distribution discrète, le potentiel en M s'écrit :
X qi
V (M ) =
i
4πε0 Pi M
• Pour une distribution continue, le potentiel est donné par :

ˆ
dq
V (M ) =
4πε0 P M
Remarques :
• L'unité du potentiel V (M ) est le volt (V ). Ce qui justie l'unité du champ électrostatique.
• Le potentiel V (M ) d'une distribution est toujours déni à une constante additive près.
−−→
• On rappelle que grad est appelé opérateur gradient dont l'expression dépend du système de
coordonnées. En eet :
−−→ ∂V → ∂V → ∂V →
Coordonnées cartésiennes : grad(V ) = −
ex+ −
ey+ −
ez
∂x ∂y ∂z
−−→ ∂V → ∂V → ∂V →
Coordonnées cylindriques : grad(V ) = −
er+ −
eϕ+ −ez
∂r r∂ϕ ∂z
−−→ ∂V → ∂V → 1 ∂V →
Coordonnées sphèriques : grad(V ) = −
er+ −eθ+ −
eϕ
∂r r∂θ r sin(θ) ∂ϕ
• On dénit la circulation de ce champ le long d'un contour L par la relation :
ˆ
− −−−→
→
C= E .dOM Alors : dC = −dV
L
H
• Le potentiel entre deux points A et B de l'espace correspond à la tension UAB vue en électrocinétique.
• Le circulation du champ électrostatique le long d'un contour fermé est toujours nulle (Cf.
C
Electromagnétisme II ). C'est l'origine de la loi des mailles vue en électrocinétique (Cf. Electronique
I ).
O
1.4 Topographie de champ
D
L'étude de la topographie d'un champ se résume en deux propriétés :
• Ligne de champ : c'est l'ensemble des points dont le vecteur champ électrostatique est tangent. L'ensemble
de ligne de champ constitue une carte de champ. L'équation d'une ligne de champ est :
A
− −−−→ →
→ −
E ∧ dOM = 0
• Surface équipotentielle : c'est l'ensemble des points dont le potentiel est le même :
V (M ) = cte
Exemple :
Pour une charge ponctuelle q, le champ électrostatique et le potentiel crée en un point M de l'espace
sont : →
− q → q
E (M ) = −
e r et V (M ) =
2
4πε0 r 4πε0 r
Alors l'équation d'une surface équipotentielle est :
q q
V (M ) = = V0 ⇒ r= = cte
4πε0 r 4πε0 V0
Donc les surfaces équipotentielles sont des sphères concentriques de rayon :
q
r=
4πε0 V0
Chaque sphère est dénie par une valeur de V0 . D'autre part, les lignes de champ sont décrits par
l'équation :
− −−−→
→ q q →
−
E ∧ dOM = dϕ→
−
ez− 2
dz →
−
e ϕ = 0 Alors : dϕ = 0 et dz = 0
4πε0 r 4πε0 r
z = cte c'est l'équation d'un plan. alors que ϕ = 0 correspond à une droite radiale passant par O. Alors
les lignes de champ sont des lignes passants par la charge ponctuelle.
Ligne de champ Ligne de champ

Surface équipotentielle Surface équipotentielle
O C H
A D
Cas d'une charge négative Cas d'une charge positive
Remarques :
• Les lignes du champ électrostatique divergent des charges positives et convergent vers les charges
négatives.
• Les lignes du champ électrostatique sont perpendiculaires aux surfaces équipotentielles.
• Les surfaces équipotentielles sont des surfaces à 3 dimension mais on représente généralement leurs
projection sur le plan.
1.5 Exemples d'application

1.5.1 Fil rectiligne chargé
Considérons un l rectiligne de longueur L chargé par une densité linéique λ de façon homogène. On se
propose de déterminer l'expression du champ et de potentiel en un point M de l'espace.
Le l possède une symétrie cylindrique (c'est un cylindre de rayon très petit) donc on choisit le système
de coordonnées cylindrique (r, ϕ, z). La distribution est linéique donc le champ électrostatique crée en M
s'écrit sous la forme : ˆ
→
− λdl −−→
E (M ) = PM
4πε0 P M 3
Or d'après le schéma, on a :
−−→ −→ −−→
dl = dz et P M = P O + OM = r→
−
e r − z→
−
ez
Donc le champ s'écrit sous la forme : Z

ˆ
→
− b
λdz r→
−
e r − z→
−
ez
E (M ) = 3
a 4πε0 (r2 + z 2 ) 2
P
Ceci peut être écrit sous la forme : b
ˆ
→
− λ b
r→
−
e r − z→
−
ez
E (M ) = 3 dz M
4πε0 a (r2 + z 2 ) 2 O →
−
a r er
H
ˆ ˆ
r→
− z→
−
!
b b
λ er ez →
−
= 3 dz − 3 dz eϕ
4πε0 a (r2 + z2) 2 a (r2 + z2) 2
C
Analysant chaque intégral seul :
ˆ
z→
−
O
b b
ez →
−
h
2 2 − 21
ib
→
− 1
I= 3 dz = − e z (r + z ) =−ez √
a (r2 + z 2 ) 2 a r2 + z 2 a
ˆ ˆ
D
b
r→
−
er b →
−
er
J= 3 dz = 3 dz
(r2 + z 2 ) 2 2 2

a a z
r2 1 + 2
A
r
On pose z = r tan(α) donc dz = r (1 + tg 2 (α)) dα D'où :
ˆ b →
− ˆ α2 ˆ α2
er 1 + tg 2 (α) →
− dα →
−
J= 3 dz = 3 dα e r = 1 er
2 tg 2 (α)) 2 tg 2 (α)) 2

a z 2 α1 r (1 + α1 r (1 +
r2 1 +
r2
1
En utilisant le faite que 1 + tg 2 (α) = . On obtient une intégrale simple à calculer :
cos2 (α)
ˆ α2 ˆ α2 α
dα →
− cos(α) →
− sin(α) 2 →−
J= 1 e r = dα e r = er
α1 2
r (1 + tg (α)) 2 α1 r r α1
donc la deuxième intégration donne :

ˆ b
r→
−
er sin(α2 ) − sin(α1 ) →
−
J= 3 dz = er
a (r2 + z 2 ) 2 r
D'autre part, en introduisant l'angle α l'intégrale I s'écrit sous la forme :

ˆ # α2
z→
− b " α
b
ez →
− 1 1 cos(α) 2
I= 3 dz = − e z √ = −→
−
ez p →
−
=−ez
a (r2 + z 2 ) 2 r + z2
2
a r 1 + tg 2 (α) r α1
α1
On remplace les intégrales I et J par leurs expressions dans la relation :

ˆ ˆ
r→
− z→
−
!
b b
→
− λ er ez
E (M ) = 3 dz − 3 dz
4πε0 a (r2 + z 2 ) 2 a (r2 + z 2 ) 2
Le champ électrostatique crée par le l en M est alors :
→
− λ
E (M ) = ([sin(α2 ) − sin(α1 )] →
−
e r + [cos(α2 ) − cos(α1 )] →
−
e z)
4πε0 r
Tell que :
a b
tan(α1 ) = ; tan(α2 ) = et a + b = L
r r
Le potentiel associé à ce champ peut être déduit en utilisant l'une des relations suivantes :
H
ˆ
→
− −−→ − −−−→
→ λdz
E = −grad(V ) ; dV = − E .dOM ou V (M ) =
4πε0 P M
C
Pour un l inni, on trouve :
λ
O
V (M ) = Ln(r) + Cte
4πε0
Remarques :
D
• Pour un point M appartenant au plan médiateur du l, on aura b = −a donc α1 = −α2 ce qui signie
que le champ s'écrit sous la forme :
A

→
− λ sin(α2 ) + sin(α2 ) →− cos(α2 ) − cos(α2 ) →− λ
E (M ) = er+ ez = sin(α2 )→
−
er
4πε0 r r 2πε0 r
π
• Pour un l inni, on a α1 = − = −α2 ce qui donne :
2
→
− λ → −
E (M ) = er
2πε0 r
• Le champ électrostatique est déni en tout point M de l'espace sauf au niveau du l (r = 0). Ce qui
est dû à la modélisation liforme qui n'est plus valable lorsque r devient très faible. A ce niveau, le l
doit être modéliser par un cylindre plan.
1.5.2 Disque chargé surfaciquement

Considérons un disque de rayon R, chargé par une densité surfacique σ uniforme. On se propose de déterminer
le champ et le potentiel en O le centre de disque.
Pour ce faire, on utilise la relation :

ˆ
→
− σdS −→
E (O) = PO
4πε0 P O3 P
O →
−
er
En utilisant le système de coordonnées cylindriques on écrit :
−→
OP = r→
−
er et dS = rdrdϕ
D'où : ¨ ˆ ˆ
→
− σdr dϕ →− σ →
− dr
E (O) = − er=− e r dϕ
4πε0 r 4πε0 r
Or :
→
−
e r = cos(ϕ)→
−
e x + sin(ϕ)→
−
ey
Donc : ˆ 2π ˆ 2π
→
− →
−
(cos(ϕ)→
−
e x + sin(ϕ)→
−
e y ) dϕ = [sin (ϕ) →
−
e x − cos (ϕ) →
− 2π
e r dϕ = e y ]0 = 0
0 0
Alors le champ crée par le disque au niveau de centre O est nul.
H
→
− →
−
E (O) = 0
C
C'est la valeur attendue, car tout point P du disque possède un point symétrique P 0 par rapport au centre
O. Ce point (P 0 ) crée un champ en O de même module et de direction opposée au champ crée par le point P .
O
Pour déterminer l'expression du potentiel en O, n'utilise par l'expression du champ car elle est valable en
un seul point. On utilise : ˆ ¨
D
dq σdS
V (O) = =
4πε0 P O 4πε0 P O
Ce qui donne :
A
ˆ 2π ˆ R ˆ 2π ˆ R
σrdrdϕ σ σ
V (O) = = dϕ dr ⇒ V (O) = R
0 0 4πε0 r 4πε0 0 0 2ε0
1.6 Réalisation numérique d'une carte du champ (PCSI/MPSI)

L'objectif de cette activité est de cartographier un champ électrostatique créé par une distribution de charge
simple (une particule chargée puis par deux particules chargées). On ne cherche pas à construire les lignes de
champ, mais uniquement à tracer les directions et sens du champ électrostatique en des positions régulièrement
choisies.
1 import numpy as np
2 import matplotlib . pyplot as plt
3
4 x = np . linspace ( -10 , 10 , 11)
5 y = np . linspace ( -15 , 15 , 16)
6 (X , Y ) = np . meshgrid (x , y )
7 u = 4* X
8 v = 4* Y
9 plt . quiver (X , Y , u , v , angles = ' xy ' , scale =1000 , color
= 'b ')
10 plt . xlabel ( " x " )
11 plt . ylabel ( " y " )
12 plt . show ()
1.7 Énergie électrostatique

→
−
Considérons une charge ponctuelle q placée en un point M dans un champ extérieur E ext . La force appliquée
sur cette charge est :
→
− →
−
F = q E ext
L'énergie potentielle associée à cette force est donnée par :
− −−−→
→ →
− −−−→
dEp = − F .dOM = −q E ext .dOM = qdV
Donc l'énergie électrostatique qui est dénie comme étant l'énergie d'interaction entre la charge et le champ
H
est donnée par :
Eint = qV (M )
Pour deux charges q1 et q2 isolées telle que q1 est placée en M1 et q2 est placé en M2 . L'énergie d'interaction
C
est donnée par :
q1 q2
Eint = q1 V2 (M1 ) = = q2 V1 (M2 )
O
4πε0 M1 M2
Ce qu'on peut écrire sous la forme :
1
D
Eint = (q1 V2 (M1 ) + q2 V1 (M2 ))
2
Pour N charges, on montre que :
A
1X
Eint = qi V (Mi )
2 i
Alors que pour une distribution continue de charge :

ˆ
1
Eint = dqV (M )
2
2 Théorème de Gauss
2.1 Symétrie et invariance

Considérons une distribution quelconque de charges. On dit que cette distribution admet :
• Un plan de symétrie : s'il existe un plan passant par M qui divise la distribution en deux parties de
charges égales.
• Un plan d'anti-symétrie : s'il existe un plan passant par M qui divise la distribution en deux parties
de charges opposées.
L'intérêt d'un tel plan est le faite que le champ électrostatique crée par cette distribution :
• Appartient aux plans de symétrie.
• Est perpendiculaire aux plans de d'anti-symétrie.
Cette propriétés permet d'éliminer certains composantes du champ électrostatique. Exemples :
• Si (M, →
−
e x, →
−e y ) est un plan de symétrie donc le champ appartient à ce plan donc :
→
− →
E .−
e z = Ez = 0
• Si (M, →
−
e x, →
−
e y ) est un plan de d'anti-symétrie donc le champ est perpendiculaire à ce plan donc :
→
− → →
− −
E .−
e x = Ex = 0 et E .→ e y = Ey = 0
D'autre part, d'étude de l'invariance consiste à étudier la dépendance du champ en coordonnées. Pour ce
faire, on étudie l'eet de la modication d'une cordonnée de sur la distribution. On a deux types d'invariance
~ Par translation : Si la translation de la distribution (ou du point M) selon une direction ne change
pas la distribution. Dans ce cas, le champ ne dépend pas de la coordonnée associée à cette translation.
Exemples : translation selon l'axe d'un l ou cylindre inni.
~ Par rotation : Si la rotation de la distribution (ou du point M) autour d'un axe ne change pas la
H
distribution. Dans ce cas, le champ ne dépend pas de la coordonnée associée à cette rotation. Exemples :
rotation autour d'un cylindre ou d'une sphère.
C
Principe de Curie:
Les éléments de symétrie (plans de sym., d'antisym. et invariance) des causes (distribution de charge)
doivent se retrouver dans les eets produits (champ et potentiel).
DO
2.2 Théorème de Gauss
Le théorème de Gauss est une méthode de calcul du champ électrostatique d'une distribution en utilisant les
symétries et les invariances de système.
A
Théorème de Gauss :
Le ux Φ de champ électrostatique à travers d'une surface fermée Σ est égal au rapport
de la charge intérieur de cette surface sur la constante diélectrique ε0 :
‹
− −
→ → Qint
Φ= E .dS =
Σ ε0
L'utilisation de ce théorème se fait en suivant ces étapes :

• Choix de système de coordonnées: en général, cylindriques pour les cylindres et le l et sphérique pour
les sphères.
• Détermination des plans de symétrie : ce qui permet de déterminer les composantes non nulle de
champ électrostatique.
• Etude de l'invariance : qui permet de déduire la dépendance du ces composantes.
• Choix de la surface de Gauss Σ : Selon la symétrie du système, on choisit un cylindre de hauteur h ni
ou une sphère.
• Calcul de ux du champ électrostatique à travers la surface Σ.
• Détermination de la charge intérieur : selon la position de point M.
• Déduire l'expression du champ pour tout point de l'espace.

2.3.1 Fil rectiligne inni
Considérons un l inni chargé par une densité linéique λ homogène.
• Coordonnées : Le système possède une symétrie cylindrique donc on choisit les coordonnées cylindriques
(r, ϕ, z ).
→
−
er
→
−
eϕ →
−
ez M
Z O
H
• Symétrie : Les plans de symétrie sont (M, →
−
e r, →
−
e z ) et (M, →
−
e r, →
−
e ϕ ) donc le champ électrostatique :
C
→
−
E (M ) = E(M )→
−
er
• Invariance : Le système est invariant par translation selon OZ donc le champ électrostatique ne dépend
pas de z et il est invariant par rotation autour de l'axe OZ donc le champ est indépendant de l'angle ϕ :
O
→
−
E (M ) = E(r)→
−
er
D
• La surface de Gauss c'est un cylindre de rayon r et de longueur h et centré sur l'axe OZ .
• Application du théorème Le théorème de Gauss s'écrit :
"
A
− −
→ → Qint
E .dS =
Σ ε0
Le ux de champ électrostatique peut être diviser sous la forme :
−
→
dS 3
" ¨ ¨ ¨
− −
→ → − −
→ → − −
→ → − −
→ → M
E .dS = E .dS 1 + E .dS 2 + E .dS 3
Σ 1 2 3 r
−
→ −
→
tel que chaque vecteur surface élémentaire est Z dS 2 dS 1
perpendiculaire à la surface correspondante et dirigé
vers l'extérieur de la surface de Gauss. Alors :
2 3 1
−
→ −
→ −
→
dS 1 = dS1 →
−
ez ; dS 2 = dS2 (−→
−
e z) ; dS 3 = dS3 →
−
er
h
Or le vecteur déplacement élémentaire en coordonnées cylindriques est donnée par :

−−→
dOM = dr→
−
e r + rdϕ→
−
e r + dz →
−
ez
Alors : −
→ −
→ −
→
dS 1 = dr rdϕ (−→
−
e z) ; dS 2 = dr rdϕ (→
−
e z) ; dS 3 = rdϕ dz →
−
er
En remplaçant dans l'expression du ux on trouve :
" ¨ ¨ ¨
− −
→ →
E .dS = − E(r)→
−
e r .dr rdϕ →
−
ez+ E(r)→
−
e r .dr rdϕ →
−
ez+ E(r)→
−
e r .rdϕ dz →
−
er
Σ 1 2 3
On aura alors : " ¨ ˆ 2π ˆ h

− −
→ →
E .dS = E(r)rdϕ dz = rE(r) dϕ dz = 2πrhE(r)
3 0 0
Donc la première partie du théorème de Gauss donne :

"
− −
→ →
E .dS = 2πrhE(r)
D'autre part, la charge intérieur de la surface de Gauss est donnée pour une distribution linéique par :
ˆ ˆ
Qint = λdl = λ dl = λh
Alors le champ crée par le l en un point M est donné par :
H
→
− λ → −
E (M ) = er
C
2πε0 r
Le champ crée par le l n'est pas déni en r = 0, ceci s'explique par le fait que la modélisation linéique n'est
plus valable au voisinage du l. Il faut alors utiliser la modélisation volumique c'est-à-dire considéré le l
O
comme un cylindre de rayon R.
D
2.3.2 Cylindre inni
Le cylindre inni est un cylindre de longueur L très grande devant son rayon R. Ce cylindre est chargé
uniformément par une densité volumique ρ. Dans ce cas l'étude préliminaire donne :
A
• Coordonnées : Le système est un cylindre donc on choisit les coordonnées cylindriques (r, ϕ, z ).
→
−
er
→
−
eϕ →
−
ez M
Z O
• Symétrie : Les plans de symétrie sont (M, →

−
e r, →
−
e z ) et (M, →
−
e r, →
−
e ϕ ) donc le champ électrostatique :
→
−
E (M ) = E(M )→
−
er
• Invariance : Le système est invariant par translation selon OZ donc le champ électrostatique ne dépend
pas de z et il est invariant par rotation autour de l'axe OZ donc le champ est indépendant de l'angle ϕ. Alors
: →
−
E (M ) = E(r)→
−
er
•La surface de Gauss : dans tout les cas c'est un cylindre de rayon r et de longueur h et centré sur l'axe
OZ. Le théorème de Gauss s'écrit : "
− −
→ → Qint
E .dS =
Σ ε0
Le ux de champ électrostatique peut être diviser sous la forme :
" ¨ ¨ ¨
− −
→ → − −
→ → − −
→ → − −
→ →
E .dS = E .dS 1 + E .dS 2 + E .dS 3
Σ 1 2 3
Tel que chaque vecteur surface élémentaire est

perpendiculaire à la surface correspondante et dirigé M
vers l'extérieur de la surface de Gauss. Alors : R r
−
→ −
→ −
→
dS 1 = dS1 →
−
ez ; dS 2 = dS2 (−→
−
e z) ; dS 3 = dS3 →
−
er Z
Or le vecteur déplacement élémentaire en coordonnées

cylindriques est donnée par : 2 3 1
−−→ h
dOM = dr→
−
e r + rdϕ→
−
e r + dz →
−
ez
H
Alors : −
→ −
→ −
→
dS 1 = dr rdϕ →
−
ez ; dS 2 = dr rdϕ (−→
−
e z) ; dS 3 = rdϕ dz →
−
er
En remplaçant dans l'expression du ux on trouve :
C
" ¨ ¨ ¨
− −
→ →
E .dS = E(r)→
−
e r .dr rdϕ →
−
ez− E(r)→
−
e r .dr rdϕ →
−
ez+ E(r)→
−
e r .rdϕ dz →
−
er
O
Σ 1 2 3
On aura alors : " ¨ ˆ 2π ˆ h

− −
→ →
E .dS = E(r)rdϕ dz = rE(r) dϕ dz = 2πrhE(r)
D
3 0 0
A
"
− −
→ →
E .dS = 2πrhE(r)
La deuxième partie du théorème (la charge intérieure) dépend du cas et de la position du point M .
M à l'extérieur (r>R) : M à l'intérieur (r<R) :
M
R r R
r M
Z Z
La charge intérieur Qint est la charge contenue dans La charge intérieur Qint est la charge contenue dans
le surface de Gauss. Dans ce cas elle est donnée par : le surface de Gauss. Dans ce cas elle est donnée par :
˚ ˚ ˚ ˚
2
Qint = ρdτ = ρ dτ = ρV = ρπR h Qint = ρdτ = ρ dτ = ρV = ρπr2 h
Alors on trouve :
E
ρR2 →


 −
e r si r ≥ R
→
− 
2 ε0 r
E (M ) =
 ρr →

 −
er si r < R
2 ε0
R r
Le module de champ électrostatique est continue et le
potentiel aussi. A partir de ces expressions on peut
Allure du champ électrostatique
déduire les expressions du potentiel en utilisant :
H
→
− −−→
E = −grad(V )
C
Le champ électrostatique est suivant →
−
e r et dépend juste de r donc :
ˆ
→
− dV −
E = E(r)→
−
er=− →
O
er ⇒ V (M ) = − E(r)dr
dr
Ce qui donne :
D

ρR2
 2 ε Ln(r) + cte si r ≥ R
−



0
V (M ) =
2
A
ρr
si r < R

 − + cte0


4 ε0
Pour trouver les deux constantes, il faut deux conditions sur V(M) la première c'est la continuité en R
alors que la deuxième vient d'un choix (par exemple V(r=0)=0). on trouve alors:
ρR2 ρR2
− Ln(R) + cte = − + cte0 et V (r = 0) = cte0 = 0
2ε0 4ε0
On trouve alors:

ρR2 r ρR2
− Ln( ) − si r ≥ R



 2ε
0 R 4ε0
V (M ) =
ρr2
si r < R

 −


4 ε0
2.3.3 Sphère chargée

En utilisant les coordonnées sphériques, on remarque que le système admet deux plans de symétries a savoir
(M, →
−
e r, →
−e θ ) et (M, →
−
e r, →
−
e ϕ ) donc :
→
−
E (M ) = E(M )→
−
er
D'autre part, le système est invariant par rotation selon les deux angles sphériques ϕ et θ donc la champ
électrostatique s'écrit sous la forme :
→
−
E (M ) = E(r)→
−
er
Le théorème de Gauss s'écrit sous la forme :
"
− −
→ → Qint
E .dS =
ε0
La surface de Gauss à choisir pour une symétrie sphérique est une sphère de rayon r et de même centre que
la distribution. Alors : −→
dS = dS →
−
e r = r dθ rsin(θ) dϕ→
−
e r = r2 sin(θ)dθdϕ
Car: −−−→
dOM = dr→
−
e r + rdθ→
−
e θ + rsin(θ)dϕ→
−
eϕ
" ¨ ˆ 2π ˆ π
− −
→ → 2 2
E .dS = E(r)r sin(θ)dθdϕ = r E(r) dϕ sin(θ)dθ
0 0
H
"
− −
→ →
E .dS = 4πr2 E(r)
C
Pour le deuxième partie du théorème, elle dépend de la position du point M.
O
Pour M à l'extérieur (r>R) Pour M à l'intérieur (r<R)
D
La charge qui existe dans la surface de Gauss La charge qui existe dans la surface de Gauss
correspond à la tout la charge de la distribution donc correspond à la charge de la sphère de Gauss et donc
: ˚ ˚ : ˚ ˚
A
4 4
Qint = ρdτ = ρ dτ = ρV = ρ πR3 Qint = ρdτ = ρ dτ = ρV = ρ πr3
3 3
M
M
R O r r O R
Ce qui donne :
ρ R3 →


 −
e r si r ≥ R
→
− 
3ε0 r 2
E (M ) =
ρ r→− si r < R


 er
3ε0
Pour déterminer l'expression du potentiel on utilise la relation :

ˆ
→
− −−→ dV −
E = −grad(V ) = − → er ⇒ V (M ) = − E(r)dr
dr
Ce qui donne :

ρ R3
 3ε r + cte si r ≥ R



0
V (M ) =
ρ r2
+ cte0 si r < R

 −


6ε0
2.4 Analogie gravitationnelle

En analysant les lois de Coulomb est la loi d'interaction gravitationnel du Newton, On remarque, qu'on a
H
une grande analogie entre l'électrostatique et la gravitation. On se propose dans cette partie de pousser cette
analogie un peu plus loin.
C
Électrostatique Gravitation
Cause charge q masse m
O
q 1 q2 → m1 m2 −
Force −
er −G 2 → er
4πε0 r2 r
→
− →
−
Champ E (M ) G (M )
D
1
Constante −G
4πε0
‚→
− −→ Qint ‚→
− −→
A
Théorème de E .dS = G .dS = −4πGMint
ε0
Gauss
Une application très classique c'est l'utilisation du théorème de Gauss pour déterminer l'expression de la
champ de pesanteur terrestre. Pour ce faire, on considère la terre comme une distribution sphérique homogène
de masse. La terre est caractérisée par son rayon R et sa masse totale MT . Déterminant l'expression de champ
→
−
gravitationnel G (M ) en tout point de l'espace. Premièrement, la masse volumique de la terre est donnée par
:
MT 3MT
ρ= 4 =
3
πR3 4πR3
Pour appliquer le théorème de Gauss, on suit les mêmes étapes du théorème de Gauss de l'électrostatique.
En utilisant les coordonnées sphériques, on remarque que le système admet deux plans de symétries a savoir
(M, →
−
e r, →
−e θ ) et (M, →
−
e r, →
−
e ϕ ) donc :
→
−
G (M ) = G(M )→
−
er
D'autre part, le système est invariant par rotation selon les deux angles sphériques ϕ et θ donc la champ
électrostatique s'écrit sous la forme :
→
−
G (M ) = G(r)→
−
er
Le théorème de Gauss s'écrit sous la forme :
"
− −
→ →
G .dS = −4πGMint
La surface de Gauss à choisir pour une symétrie sphérique est une sphère de rayon r et de même centre que
la distribution. Alors : −→
dS = dS →
−
e r = r dθ rsin(θ) dϕ→
−
e r = r2 sin(θ)dθdϕ→
−
er
Car: −−−→
dOM = dr→
−
e r + rdθ→
−
−
eϕ
" ¨ ˆ 2π ˆ π
− −
→ → 2 2
G .dS = G(r)r sin(θ)dθdϕ = r G(r) dϕ sin(θ)dθ
0 0
"
− −
→ →
G .dS = 4πr2 G(r)
H
Pour le deuxième partie du théorème, elle dépend de la position du point M.
Pour M à l'extérieur (r>R) Pour M à l'intérieur (r<R)
O C
M
M
D
r r O R
A
R O
La masse qui existe dans la surface de Gauss La masse qui existe dans la surface de Gauss
correspond la masse totale de la distribution donc : correspond à la masse de la sphère de Gauss et donc :
˚ ˚ ˚ ˚
4 4 r3
Mint = ρdτ = ρ dτ = ρV = ρ πR3 = MT Mint = ρdτ = ρ dτ = ρV = ρ πr3 = MT 3
3 3 R
Le champ gravitationnel est alors :
MT −


 −G 2 → e r si r ≥ R
→
−  r
G (M ) =
 −G MT r →
−
e r si r < R


R 3
La force d'attraction appliquée par la terre à une masse m s'écrit donc :
m MT −


 −G 2 → e r si la mass est à l'extérieur
→
−  r
F =
 −G mMT r →
−
e r si la masse est à l'intérieur


R 3
3 Étude d'un condensateur (MPSI/TSI)
3.1 Présentation
Un condensateur électrostatique est un ensemble de deux conducteurs chargés en inuence totale c'est-à-dire
que tout ligne de champ sortant de l'un arrive sur l'autre. Cette inuence totale implique que les deux
conducteurs ont des charges opposées. On a trois types de condensateurs à savoir :
• Condensateur plan : c'est l'ensemble de deux conducteurs plans dont les dimensions sont très grandes
devant la distance qui les séparent.
• Condensateur cylindrique : constituée de deux cylindres innis de même axe OZ .
H
• Condensateur sphérique : qui est l'ensemble de deux sphériques concentriques de rayons diérents.
On caractérise un condensateur par une grandeur physique positive appelée la capacité qu'on dénie par
:
C
Q
(F ) C=
U
O
Q > 0 est la charge d'un des conducteurs et U est la tension entre les deux conducteurs.
D
3.2 Champ et potentiel
On se propose d'étudier le condensateur plan. Pour ce faire, on commence par l'étude d'un plan inni chargé
A
uniformément par une densité surfacique σ > 0. Le système est un plan inni donc on choisit les cordonnées
cartésiennes comme système d'étude. On considère que la plan inni correspond au plan z=0. Pour n'importe
qu'il point M dans l'espace, les plans (M, → −e x, →
−
e z ) et (M, →
−
e y, →
−
e z ) sont des plans de symétrie (l'autre plan
est parallèle à la distribution et donc il ne la coupe pas) alors :
→
−
E (M ) = E(M )→
−
ez
La distribution est un plan inni donc elle est invariante par translation le long de OX et OY. Donc le champ
dépend à priori de la coordonnée z seule :
→
−
E (M ) = E(z)→
−
ez
D'autre part, le vecteur champ électrostatique est antisymétrique c'est-à-dire que :
E(−z) = −E(z)
Le théorème de Gauss s'écrit : ‹

− −
→ → Qint
E .dS =
ε0
On a choisit les cordonnées cartésiennes donc la surface de Gauss correspondante est un cube (ou parallélépipède).
Alors : ‹ X¨
− −
→ → −
→
E .dS = E(z)→
−
e z .dS i
i Σi
−
→
Or →−
e z .dS i = 0 pour tout les surfaces de parallélépipède sauf les surfaces Σ1 et Σ2 . Ces deux surfaces
correspondent à deux valeurs de z diérentes (Notés z1 et z2 ). Telle que :
−
→ −
→
dS 1 = dS1 →
−
e z = dxdy →
−
ez dS 2 = −dS2 →
−
e z = −dxdy →
−
ez
Z
Σ1
Σ2
H
En remplaçant dans le théorème du Gauss, on obtient :
‹ ¨ ¨
− −
→ →
E .dS = E(z1 )→
−
e z .dxdy →
−
ez− E(z2 )→
−
e z .dxdy →
−
ez
C
Σ1 Σ2
L'intégration sur x et y donc :

‹ ¨ ¨
O
− −
→ →
E .dS = E(z1 ) dxdy − E(z2 ) dxdy = E(z1 )S1 − E(z2 )S2
Σ1 Σ2
D
Telle que S1 et S2 sont les aires des surfaces Σ1 et Σ2 respectivement, or d'après le schéma S1 = S2 = S .
D'autre part, on choisit z2 = −z1 = −z donc la première partie du théorème de Gauss s'écrit :
‹
A
− −
→ →
E .dS = 2E(z) S
La charge est distribué sur la surface du plan, la partie qui est à l'intérieur du surface de Gauss correspond à
la charge de la surface S qui est homogène donc elle est donnée par:
Qint = σ S
Le champ électrostatique crée alors donné par :
→
− σ →−
E (M ) = ez
2ε0
Une représentation de ce champ donne pour σ > 0 :

Z E
σ
2ε0
σ σ z
−
2ε0
D'autre part, le potentiel associé à ce champ est donné par :

→
− −−→ σ dV σ
E (M ) = −grad(V ) ⇒ =− ⇒ V (M ) = − z + cte
2ε0 dz 2ε0
Pour un condensateur plan, on a deux plans parallèles et innis donc on a trois régions de l'espace :
• A l'extérieur du condensateur, les champs sont le

même module mais des directions opposées donc :
Z
→
− →
−
E ext = 0
σ
• A l'intérieur du condensateur les champs s'additionne
et donc le champ totale est donné par :
e
→
− σ−
E int = − →ez −σ
H
ε
La tension entre les deux conducteurs est donnée par :
C
ˆ + ˆ z+
σ σ σ
U= dV = V+ −V− = dz = (z+ −z− ) = e
− z − ε0 ε0 ε0
La charge d'une partie de surface S du plan chargé σ est donnée par :
O
¨
Q= σdS = σS
D
La capacité associé à ce condensateur est alors :
A
Q S
C= = ε0
U e
Remarques :
• On trouve aussi des condensateurs cylindriques et sphériques mais les condensateurs plans sont les
plus utilisés en pratique.
• A cause de la valeur faible de ε0 , les valeurs de la capacité est généralement très faibles (10µF − 1pF ).
• Pour augmenter la capacité, il faut soit augmenter la surface des plaques ce qui se fait par traitement
du surface. Soit diminuer la distance entre les deux plaques ce qui est dicile à cause des eets
quantiques qui apparaissent lorsque e est très faible.
• Une autre technique pour augmenter la capacité d'un condensateur, c'est introduire un milieu isolant
à l'intérieur du condensateur. L'expression de la capacité devient :
Q S
C= =ε
U e
ε est appelée permittivité diélectrique (ou constante diélectrique) du milieu.
3.3 Énergie électrostatique d'un condensateur

Le condensateur est constitué de deux conducteurs chargés donc l'énergie électrostatique est donnée par :
1
Ee = (Q+ V− (M+ ) + Q− V+ (M− ))
2
Telle que Q+ est la charge d'une partie du plan chargé positivement et M+ un point de ce plan alors que
V+ et le potentiel crée par ce plan. Pour les grandeurs Q− , M− et V− elles correspondent au plan chargé
négativement. Or :
Q+ = −Q− = Q ; V+ (M− ) = V− et V− (M+ ) = V+
Alors :
1 1
Ee = Q (V+ − V− ) = QU
2 2
On retrouve alors l'expression utilisée en électronique pour l'énergie stockée dans un condensateur :
H
1 1 1 Q2
Ee = QU = CU 2 =
2 2 2C
DO C
A
CHAPTER 2
MAGNÉTOSTATIQUE DANS LE VIDE
O C H
Champ magnétostatique
1.1 Distribution du courant
D
Le courant électrique est déni comme étant le mouvement d'ensemble des charges électriques. On associe
au courant électrique deux grandeurs la première c'est une grandeur vectorielle appelée élément de courant
−
→
notée généralement dC alors que la deuxième c'est l'intensité du courant I qui est une grandeur scalaire.
A
L'expression des deux grandeurs dépend de type de la distribution :
> Distribution linéique : qu'on modélise comme étant une densité linéique λ de charge en mouvement
par une vitesse v . On a alors :
→
− →
−
I = λv et d C = I dl
→
−
dl est l'élément de longueur de la distribution dirigé selon la direction du courant.
→
−
I dl
> Distribution surfacique : qu'on modélise par une densité surfacique σ de charge en mouvement
par une vitesse v . On a donc :
ˆ
→
− → →
− →
− →
−
I= j s .−
n dl Avec : j s = σ→
−
v et d C = j dS
→
−
j s est la densité surfacique de courant (A.m−1 ).
26
CHAPTER 2. MAGNÉTOSTATIQUE DANS LE VIDE
dS
→
− ≡
js dl →
−
n I
> Distribution volumique : ce qui est équivalent à une densité volumique ρ de charge en mouvement
par une vitesse v . Alors :
H
¨
− −
→ → →
− →
− →
−
I= j .dS ⇒ j v = ρ→
−
v = n∗ q →
−
v et d C = j dτ
C
n∗ est la densité volumique de particules chargées qui est déni par :
O
N
n∗ = N le nombre de charge alors que V est le volume de la distribution
V
→
−
D
Alors que j est la densité volumique de courant (A.m−2 ).
A
→
− dτ
j −
→
dS
1.2 Loi de Biot et Savart

Le champ magnétostatique est déni à partir de la partie magnétique de la force de Lorentz. Soit une charge
→
−
q en mouvement avec une vitesse →
−
v dans un champ magnétique B , la force magnétique appliquée sur cette
charge est :
→
− →
−
F = q→
−
v ∧B
−
→
On admet que le champ crée par une distribution du courant caractérisé par son élément de courant dC en
un point M est donné par la loi de Biot et Savart :
ˆ →
− −−→
→
− µ0 d C ∧ PM
B =
4π P M3
Avec P est un point quelconque de la distribution.

Remarques :
→
−
• Le module du champ B est exprimé en Tesla (T ) qui en SI équivalent à kg.s−2 .A−1 . On trouve aussi
une autre unité c'est la Gauss:
1G = 10−5 T
• µ0 est une constante appelée perméabilité magnétique du vide. Elle caractérise la faculté d'un
matériau à modier un champ magnétique.
µ0 = 4π 10−7 H.m−1
• La loi de Biot et Savart été un postulat mais maintenant c'est une loi dont l'origine c'est les équations
de Maxwell (Cf. Electromagnétisme II ).
• Voici quelques ordre de grandeur de champ magnétostatique crée par quelques corps usuels :
Corps Terre Soleil Aimant usuel Electro-aimant Spectromètres RM N Étoile à neutrons
B en T 5 × 10−5 10−3 106
H
0, 3 8, 2 20
C
1.3.1 Fil rectiligne
O
Considérons un l rectiligne parcouru par un courant d'intensité I . Déterminant l'expression du champ
magnétostatique en tout point M de l'espace.
D
Le l possède une symétrie cylindrique donc on choisit le système de
coordonnées cylindriques (r, ϕ, z). La distribution est linéique donc le champ Z
magnétostatique selon la loi de Biot et Savart est :
A
ˆ →
− −−→
→
− µ0 I dl ∧ P M
B (M ) =
4π P M3 P
b
En utilisant le système de coordonnées cylindriques, on écrit :
I
→
− −−→ α
dl = dz →
−
ez et P M = −z →
−
e z + r→
−
er O
M
→
−
er
a
Alors le champ magnétostatique en M est donné par :
ˆ ˆ →
−
eϕ
→
− µ0 I b
dz →
−
e z ∧ (−z →
−
e z + r→
−
e r) µ0 I b
rdz →
−
eϕ
B (M ) = 3 = 3
4π a (r2 + z 2 ) 2 4π a (r2 + z 2 ) 2
Pour résoudre cette intégrale, On pose z = rtan(α) ce qui donne dz = r (1 + tg 2 (α)) dα donc :
ˆ ˆ
→
− µ0 I α2
r2 (1 + tg 2 (α)) dα→
−
eϕ µ0 I →
−
α2
dα
B (M ) = 3 = eϕ 1
4π α1 (r2 + r2 tan2 (α)) 2 4π r α1 (1 + tan2 (α)) 2
1
En utilisant le fait que 1 + tan2 (α) = on trouve :
cos2 (α)
→
− µ0 I →
−
B (M ) = e ϕ (sin(α2 ) − sin(α1 ))
4π r
Avec :
a b
α1 = arctan( ) et α2 = arctan( )
r r
Remarques :
• Le champ magnétostatique dépend de a et b et de r ce qui peut être expliquer par la seule invariance
du système à savoir l'invariance par rotation autour de l'axe OZ .
π
• Pour un l inni, on a α2 = −α1 = . Ce qui donne :
2
→
− µ0 I →
−
B (M ) = eϕ
4π r
H
• Le champ diverge pour r = 0 ce qui s'explique par le faite que la modélisation linéaire n'est plus
valable lorsque M est très proche du l. Le l doit être traité comme un cylindre de rayon R parcouru
→
−
par un courant de densité j avec :
C
→
− I →−
j = ez
πR2
O
• Les lignes de champ magnétostatiques sont l'ensemble des points tangents à →
−
e ϕ ce qui donne un
ensemble de cercles concentriques de rayons variables.
D
1.3.2 Spire circulaire
A
Considérons une spire de rayon R, de centre O et d'axe OZ , parcouru par un Z
courant d'intensité I . On se propose de déterminer l'expression du champ
magnétostatique en un point M sur l'axe.
La spire possède une symétrie cylindrique donc on choisit le système de
coordonnées cylindrique (r, ϕ, z). La distribution est linéique donc le champ M
magnétostatique selon la loi de Biot et Savart est :
ˆ →
− −−→
→
− µ0 I dl ∧ P M
B (M ) =
4π P M3
P
En utilisant le système de coordonnées cylindriques on écrit : O
→
−
er
→
− −−→
dl = Rdϕ→
−
eϕ et P M = z →
−
e z − R→
−
er I
En remplaçant ceci dans l'expression du champ on obtient l'expression :

ˆ ˆ
→
− µ0 I 2π
Rdϕ→
−
e ϕ ∧ (z →
−
e z − R→
−
e r) µ0 IR 2π
B (M ) = 3 = 3 dϕ (z →
−
e r + R→
−
e z)
4π 0 (R2 + z2) 2 4π (R2 + z2) 2 0
La seule grandeur qui dépend de l'angle ϕ est →

−
e r , en eet :
→
−
e r = cos(ϕ)→
−
e x + sin(ϕ)→
−
ey
Alors : ˆ 2π
→
− µ0 IR →
−
B (M ) = 3 z e r dϕ + 2πR→
−
ez
4π (R2 + z 2 ) 2 0
Le champ magnétostatique crée par la spire en un point M de son axe est alors :
→
− µ0 IR2 →
−
B (M ) = 3 ez
2 (R2 + z2) 2
Remarques :
• On trouve que le champ est suivant →
−
e z se qui est évident car tout point P de la spire possède un point
symétrique P' par rapport à O. Ce point (P') crée un champ magnétostatique symétrique au champ
H
crée par P par rapport à l'axe OZ. Ce qui résulte en un champ totale suivant OZ.
• Pour un point M confondu avec O (z=0), le champ est donnée par :
C
→
− µ0 I →
−
B (O) = ez
2R
O
• Si le point M n'appartient pas à l'axe OZ, cette méthode donne une intégrale dicile à résoudre.
D
2 Théorème d'Ampère
A
2.1 Symétrie et invariance
Par analogie aux charges, les distributions de courant possèdent aussi des plans de symétrie et d'anti-symétrie.
Ces plans sont reliés à la direction et l'intensité du courant. Exemples :
I I I I π0
π
Exemple d'un plan (π) d'antisymétrie Exemple d'un plan (π0 ) de symétrie
Le champ magnétostatique toujours appartient aux plans d'anti-symétrie et il est perpendiculaire aux plans
de symétrie. C'est l'inverse du champ électrostatique.
Remarques :
• Les plans doit bien sure passés par le point M.
• Il sut donc de connaître un seule plan de symétrie de la distribution de courant pour déterminer la
direction du champ magnétostatique.
• Il faut deux plans d'anti-symétrie pour déterminer la direction du champ.
→
− →
−
• La diérence entre le champ B et E vient du faite que le champ électrostatique est proportionnel à
la forme électrique alors que le champ magnétostatique est relié à la force magnétique par un produit
→
− →
−
vectoriel. On dit alors que le champ E est un vrai vecteur alors que le champ B est un pseudo-
vecteur.
• Les règles d'invariance reste valable en magnétostatique.
2.2 Théorème d'Ampère

Comme pour le champ électrostatique, on a une théorème qui permet de calculer de manière simple le champ
magnétostatique c'est le théorème d'Ampère.
Théorème d'Ampère :
La circulation du champ magnétostatique le long d'un contour fermé L (appelé contour d'Ampère) est
égale au produit de µ0 et la somme algébrique des courants enlacés par ce contour. C'est-à-dire les
courants qui travers la surface délimitée par le contour d'Ampère:
˛
H
− →
→ − X
B . dl = µ0 Ienlace
L
C
Pour appliquer ce théorème, il faut suivre les mêmes étapes du théorème de Gauss à savoir :
• Choix de système de coordonnées.
O
• Détermination des plans de symétrie et d'anti-symétries pour déduire la direction du champ.
• Etudier l'invariance pour déduire la dépendance du champ.
D
• Choix de contour d'Ampère : si le courant est axial : L circle. si non : L est un rectangle.
• Applications du théorème en calculons les deux parties. Déduire le champ.
A
2.3.1 Fil rectiligne inni
Considérons un l inni parcouru par un courant d'intensité I constante. On se propose de déterminer la
champ magnétostatique crée par ce l en tout point M de l'espace.
• Système de Coordonnées : Le l est un cylindre de rayon très faible donc on choisit le système de
coordonnées cylindrique (r, ϕ, z).
• Symétrie: On trouve deux plans passant par M et qui divise la distribution en deux parties égaux à savoir
→
−
(M, →
− e ϕ ) qui est un plan d'anti-symétrie donc le champ B (M ) appartient à ce plan. Alors que le plan
e r, →
−
(M, →
− e z ) est un plan de symétrie donc le champ est perpendiculaire à ce plan. Ce qui signie que :
e r, →
−
→
−
B (M ) = B(M )→
−
eϕ
• Etude de l'invariance : le système possède deux invariances à savoir : par rotation autour de l'axe OZ
c'est-à-dire que le champ ne dépend pas de ϕ et une invariance translation le long de OZ et donc le champ
ne dépend pas de z . Ce qui permet d'écrire que :
→
−
B (M ) = B(r)→
−
eϕ
• Contour d'Ampère : le courant est axial c'est-à-dire qu'il suit l'axe de la distribution donc le contour
d'Ampère est un cercle de rayon r d'axe OZ et qui passe par M. On choisit une orientation du contour.
• Théorème d'Ampère: ˛
− →
→ −
B . dl = µ0 Ienlac
Pour l'élément de longueur, on le choisit selon l'orientation du contour :

→
− →
−
dl = rdϕ→
−
eϕ et B (M ) = B(r)→
−
eϕ
Donc : ˛ ˆ 2π
− →
→ −
B . dl = B(r)r dϕ = 2πrB(r)
0
La surface délimitée par le contour est traversée par un seul courant à savoir I. Pour connaître le signe de I il
faut utiliser la règle de tire bouchon.
En eet, l'orientation du contour correspond toujours Z

→
−
à l'orientation de dl qui est ici →
−
e ϕ . Donc par la règle
de tire bouchon :
H
Ienlac = +I
En remplaçant dans le théorème d'Ampère :
C
2πrB(r) = µ0 I I
Alors le champ magnétostatique en M est donné par : M
O
r →
−e r
→
− µ0 I →
B (M ) = B(r)→
−
eϕ= −
eϕ
2πr
D
On retrouve alors le résultat du paragraphe 1.3.1.
A
2.3.2 Cylindre inni
L'expression du champ magnétostatique crée par un l inni montre que le champ n'est pas déni en r=0. Ce
qui s'explique par le faite que la modélisation liforme (linéique) n'est plus valable au voisinage du l. Pour
remédier à ce problème, on utilise une modélisation plus réaliste.
→
−
On considère alors un cylindre inni de rayon R parcouru par un courant de densité volumique j uniforme.
L'étude est presque similaire à celle d'un l inni.
• Système de Coordonnées : on choisit le système de coordonnées cylindrique (r, ϕ, z).
→
−
(M, →
− e ϕ ) qui est un plan d'anti-symétrie donc le champ B (M ) appartient à ce plan. Alors que le plan
e r, →
−
(M, →− e z ) est un plan de symétrie donc le champ est perpendiculaire à ce plan. Ce qui signie que :
e r, →
−
→
−
B (M ) = B(M )→
−
eϕ
→
−
B (M ) = B(r)→
−
eϕ
• Contour d'Ampère : le courant est axial c'est-à-dire qu'il suit l'axe de la distribution donc le contour
d'Ampère est un cercle de rayon r d'axe OZ et qui passe par M. On choisit une orientation du contour.
• Théorème d'Ampère: ˛
− →
→ −
B . dl = µ0 Ienlac
Pour l'élément de longueur, on le choisit selon l'orientation du contour :

→
− →
−
dl = rdϕ→
−
eϕ et B (M ) = B(r)→
−
eϕ
Donc : ˛ ˆ 2π
− →
→ −
B . dl = B(r)r dϕ = 2πrB(r)
0
La surface délimitée par le contour est traversée par un seul

Z
courant volumique d'intensité I donnée par :
¨
− −
→ →
Ienlac = I = j .dS
S
Le surface S (la surface grise) c'est la partie de la surface délimité

→
− →
−
H
par le contour qui est traversée par le courant j . La direction du j
−
→
vecteur dS est déterminer par la règle de tire bouchon. En eet
→
−
c'est-toujours la même direction de dl . Alors : M
C
ˆ ˆ r →
−e
2π R r
Ienlac = I = j dϕ rdr = πR j2
si M à l'extérieur : r > R
O
0 0
ˆ 2π ˆ r
Ienlac = I = j dϕ rdr = πr2 j si M à l'intérieur : r < R
D
0 0
En remplaçant dans le théorème d'Ampère, on obtient :
A
jR2 →


µ −
e ϕ si r ≥ R
→
−  0
r
B (M ) =
µ0 jr→− si r < R

eϕ

2.3.3 Solénoïde circulaire

Considérons un cylindre de longueur h entouré par un nombre N de spires de même rayon R et parcouru par
un courant I.
M M
I
I Z Z
Représentation complète de solénoïde Représentation symbolique

La première caractéristique d'un solénoïde est le nombre de spire par unité de longueur qui est dénie par :
N
n=
h
Avec N est le nombre de spire dans une longueur h.
Analysant le cas d'un solénoïde inni (le cas ni peut être traiter en utilisant Biot et Savart).
• Système de Coordonnées : on choisit le système de coordonnées cylindrique (r, ϕ, z).
→
−
(M, →
− e z ) qui est un plan d'anti-symétrie donc le champ B (M ) appartient à ce plan. Alors que le plan
e r, →
−
(M, →
− e ϕ ) est un plan de symétrie donc le champ est perpendiculaire à ce plan. Ce qui signie que :
e r, →
−
→
−
B (M ) = B(M )→
−
ez
H
→
−
B (M ) = B(r)→
−
C
ez
• Contour d'Ampère : le courant est spiral c'est-à-dire qu'il tourne autour de l'axe de la distribution donc
le contour d'Ampère est rectangle ABCD qui passe par M. On choisit une orientation du contour.
O
L
D
B C
D C
A B
r2
A
Z
r1 r2
Z
r1
D
A
L
Contour l'extérieur du solenoide Contour à l'intérieur

• Théorème d'Ampère :
˛ ˆ ˆ ˆ ˆ
− →
→ −
B . dl = B(r)→
−
e z .dr→
−
er+ B(r)→
−
e z .dz →
−
ez+ B(r)→
−
e z .dr(−→
−
e r) + B(r)→
−
e z .dz(−→
−
e z)
AB BC CD DA
Il faut faire attention au faite que BC et DA n'ont pas le même r donc B(r) est diérent. On a alors :
˛
− →
→ −
B . dl = B(r2 )L − B(r1 )L = L (B(r2 ) − B(r1 ))
Dans les deux cas des gures ci-dessus, aucun courant traverse la surface du rectangle. Donc :
Ienlac = 0 ⇒ B(r2 ) = B(r1 )
→
−
Alors le champ est uniforme à l'extérieur du solénoïde on le note dans la suite B ext . De même à l'intérieur,
→
−
le champ est uniforme, on le note B int .
Le champ extérieur est homogène donc il a la même valeur pour tout valeur de r>R. Pour un point M à
→
− →
−
l'inni, le champ est nul donc B ext = 0 . Pour déterminer l'expression du champ à l'intérieur on utilise un
contour d'Ampère qui possède une partie à l'intérieur et une autre à l'extérieur :
L
B C
A D Z
H
Contour partiellement à l'extérieur du solenoide
C
Dans ce cas, la première partie du théorème d'Ampère qui s'écrit :
˛ ˆ ˆ ˆ ˆ
− →
→ −
B . dl = B(r)→
−
e z .dr→
−
er+ B(r)→
−
e z .dz →
−
ez+ B(r)→
−
e z .dr(−→
−
e r) + B(r)→
−
e z .dz(−→
−
e z)
O
AB BC CD DA
donne : ˛
− →
→ −
B . dl = 0 + Bext L + 0 − Bint L = −Bint L
D
D'autre part, la somme des courants enlacées par le contour ABCD est :
A
X
Ienlac = N (−I)
Telle que N est le nombre de courant I traversant la surface du rectangle. Alors que le signe ” − ” vient en
faite de l'orientation du contour ABCD. Cette orientation montrer par la règle du tire bouchon que le sens
positif est le sens entrant. En utilisant n le nombre de spire par unité de longueur, on écrit :
X
Ienlac = −N I = −nLI
Le champ crée par le solénoïde est alors :
→
−
 µ0 nI e z si r < R

→
−
B (M ) =
 →
−
0 si r > R
2.4 Conservation de ux magnétostatique

On admet que pour tout distribution de courant, le champ magnétostatique crée possède un ux conservative.
C'est-à-dire que le ux du champ magnétostatique à travers une surface Σ fermée quelconque est nul:
‹
− −
→ →
B .dS = 0
Σ
Cette équation possède deux origines ou explications équivalentes.

• La première c'est qu'il n'existe pas de charge magnétique, c'est qui explique le fait que même si on coupe
un aiment pour séparer la partie Nord du partie Sud, on remarque la formation de deux pôles dans chaque
partie du l'aiment.
• La deuxième c'est que les lignes de champ magnétostatique sont toujours des courbes fermés.
O C H
A D
CHAPTER 3
DIPÔLES ÉLECTROMAGNÉTIQUES
O C H
Dipôle électrostatique
1.1 Moment dipolaire
D
On appelle un dipôle électrostatique, l'ensemble formé par deux charges électriques égales et de signes opposés
séparées par une distance N P . On caractérise le dipôle électrostatique par une grandeur vectorielle appelée
le moment dipolaire et notée →−
p . Ce moment est déni par :
A
→
− −−→
p = q NP
Remarques :
1 −30
• Il est exprimé généralement en Debye (D) avec 1D = 10 C.m.
3
• En chimie, on utilise µ au lieu de p.
• En général, une distribution dipolaire est une distribution de charge dont la charge totale est nulle
→
−
Qtot = 0 mais le moment dipolaire totale est non nul →−
p tot 6= 0 .
1.2 Potentiel et champ électrostatiques

1.2.1 Cadre d'étude
Pour étudier un dipôle électrostatique, on le modèle par deux charges ponctuelles de signes opposée : une
charge q > 0 en P et une autre −q en N . La distance entre les deux charges est noté a. On s'intéresse à l'eet
de ce dipôle en un point M de l'espace. On note O le centre de dipôle. L'étude d'un dipôle électrostatique se
fait toujours dans le cadre de l'approximation dipolaire.
L'approximation dipolaire :
On s'intéresse au champ électrostatique et au potentiel à des distances OM très grande devant la
dimension du dipôle P N .
37
CHAPTER 3. DIPÔLES ÉLECTROMAGNÉTIQUES
Z
θ M
P r
a O →
−
er
H
Modélisation d'un dipôle électrostatique
C
1.2.2 Potentiel électrostatique (MPSI/PCSI)
Dans un premier temps, on s'intéresse à la détermination du potentiel électrostatique crée par le dipôle en un
O
point M en utilisant le fait que ce potentiel est la somme des potentiels crée par chaque charge en M . On a
alors :
q q q 1 1
D
V (M ) = VP (M ) + VN (M ) = − = −
4πε0 P M 4πε0 N M 4πε0 PM NM
Or d'après le schéma :
A
−−→ −→ −−→ a− −−→ −−→ −−→ a −
P M = P O + OM = − →e z + r→
−
er et N M = N O + OM = →
e z + r→
−
er
2 2
Alors :
a a a2 a2
P M2 = − →−
e z + r→
−
er . − →−
e z + r→
−
er = − ar→
−
e z .→
−
e r + r2 = − ar cos(θ) + r2
2 2 4 4
a a a2 a2
NM = →
− 2 →
−
ez +r er . →
− →
−
ez +r er = + ar→
−
e z .→
−
e r + r2 = + ar cos(θ) + r2
2 2 4 4
Dans le cadre de l'approximation dipolaire, on aura :
12 21
a2

21 a a
PM = − ar cos(θ) + r2 ' −ar cos(θ) + r2 'r 1 − cos(θ) ' r 1 − cos(θ)
4 r 2r
12 21
a2

21 a a
NM = + ar cos(θ) + r2 ' ar cos(θ) + r2 'r 1+ cos(θ) ' r 1 + cos(θ)
4 r 2r
En remplaçant dans l'expression du potentiel on trouve :
 
q  1 1
V (M ) = a − a 
4πε0 r 1 − cos(θ) r 1+ cos(θ)
2r 2r
−1 −1
q a a
= 1− cos(θ) − 1+ cos(θ)
4πε0 r 2r 2r
Un développement limité à l'ordre 1 donne :
q a a qa cos(θ)
V (M ) = 1+ cos(θ) − 1 + cos(θ) =
4πε0 r 2r 2r 4πε0 r2
L'expression du potentiel électrostatique en coordonnées sphérique est alors :
qa cos(θ)
V (M ) =
4πε0 r2
On peut réécrire cette expression sous la forme dite intrinsèque :

→
−p .→
−
er
V (M ) = car →
−
p = qa→
−
ez
4πε0 r2
H
Remarques :
C
• Le potentiel d'un dipôle décroît plus rapidement que le potentiel d'une seule charge.
• Le potentiel dépend de deux variables sphériques à savoir r et θ donc le champ électrostatique aussi
dépend de ces deux variables. Cette conclusion est en accord avec le fait que le système possède une
O
seule invariance qui est l'invariance par rotation autour de l'axe OZ . Cette invariance correspond bien
à l'angle ϕ.
D
1.2.3 Champ électrostatique (MPSI/PCSI)
A
Pour déterminer le champ électrostatique crée par ce dipôle, on utilise l'expression du potentiel électrostatique
et le fait que :
→
− −−→ ∂V →
− 1 ∂V →
− 1 ∂V → −
E (M ) = −grad(V ) = − er− eθ− eϕ
∂r r ∂θ rsinθ ∂ϕ
On obtient alors :
→
− qa 2 cos(θ) →
− sin(θ) →
−
E (M ) = − − er− eθ
4πε0 r3 r3
L'expression du champ électrostatique crée par le dipôle en un point M en coordonnées sphériques est :
→
− qa
E (M ) = (2cos(θ)→
−
e r + sin(θ)→
−
e θ)
4πε0 r3
Pour retrouver l'expression intrinsèque du champ on remplace "qa cos(θ)" par →−p .→
−
e r et on utilise le fait
que :
→
−
e r = cos(θ)→
−e z + sin(θ)→
−
e ρ et →
−
e θ = −sin(θ)→
−
e z + cos(θ)→
−
eρ
Ce qui donne :
→
−
e z = cos(θ)→
−
e r − sin(θ)→
−
eθ ⇒ sin(θ)→
−
e θ = −→
−
e z + cos(θ)→
−
er
Donc l'expression du champ devient :
→
− qa →
− →
− 3 (→
−
p .→
−e r )→
−
er−→−
p
E (M ) = 3
(3 cos(θ) e r − e z ) = 3
4πε0 r 4πε0 r
Remarque :
• Le champ électrostatique d'un dipôle décroît aussi plus rapidement comparant au champ
électrostatique d'une seule charge.
1.3 Topographie du champ (MPSI/PCSI)

La topographie est la détermination de la forme des lignes de champ et des surfaces équipotentielles. Le
potentiel est donné par :
qa cos(θ)
V (M ) =
4πε0 r2
La surface équipotentielle est l'ensemble des points qui ont le même potentiel donc :
qa
V (M ) = V0 ⇒ r2 = cos(θ) = r02 cos(θ)
4πε0 V0
H
L'angle θ varie entre 0 et π donc r varie entre 0 et r0 .
D'autre part, une ligne de champ est dénie par la relation :
− −−−→ →
→ −
C
E ∧ dOM = 0 = (Er →
−
e r + Eθ →
−
e θ ) ∧ (dr→
−
e r + rdθ→
−
−
e ϕ)
Ce qui donne : →
−
Er rdθ→
−
e ϕ − Er r sin(θ)dϕ→
−
e θ − Eθ dr→
−
e ϕ + Eθ r sin(θ)dϕ→
−
O
er= 0
Le projection de cette relation sur les vecteurs de la base sphérique donne :
D
Eθ r sin(θ)dϕ = 0 Er r sin(θ)dϕ = 0 Er rdθ = Eθ dr
Le vecteur champ électrostatique n'a pas de composante selon →

−
e ϕ donc les lignes de champ sont contenues
→
− →
−
dans le plan ( e r , e θ ) d'où dϕ = 0 alors on retrouve :
A
qa qa 2cos(θ) dr
3
2cos(θ) rdθ = sin(θ) dr ⇒ dθ =
4πε0 r 4πε0 r3 sin(θ) r
Une simple intégration donne:
2Ln(sin(θ)) = Ln(r) + cte ⇒ r = A sin2 (θ)
C'est l'équation d'une ligne de champ. Chaque ligne est caractérisée par une valeur de la constante A. L'angle
θ varie entre 0 et θ ce qui correspond à une variation de r entre 0 et A.
Z
Surfaces équipotentielles
Lignes de champ
→
−
p
1.4 Interaction entre un dipôle et un champ électrostatique extérieur

Considérons maintenant un dipôle électrostatique caractérisé par son moment dipolaire → −
p et qui est placé
→
−
dans un champ électrostatique E ext . Le dipôle est considéré rigide c'est-à-dire indéformable.
1.4.1 Cas d'un champ uniforme

Le champ électrostatique applique sur chaque charge une force, la force totale est donnée par :
→
− →
− →
− →
−
F = q E ext (P ) − q E ext (N ) = 0
H
Alors que le moment associé à ce champ est donnée par :
→
− −→ →
− −−→ →
− −→ −−→ → − →
− →
−
Γ = OP ∧ q E ext + ON ∧ (−q) E ext = q OP − ON ∧ E ext ⇒ Γ =→
−
p ∧ E ext
C
Ces deux résultats signie qu'un champ extérieur uniforme n'a pas d'eet sur le barycentre de dipôle (force
résultante nulle) mais c'est un couple de force donc il provoque une rotation à causse du moment non nul. Le
O
moment devient nul lorsque le moment dipolaire → −
p est aligné avec le champ extérieur.
1.4.2 Cas d'un champ non uniforme
D
Dans ce cas la force n'est plus nulle, d'autre part c'est une force conservative donc elle dérive d'une énergie
potentielle. L'énergie potentielle associée est appelée énergie d'interaction entre le dipôle et le champ
A
extérieur. Pour trouver son expression, on a deux méthodes :
• Première Méthode: L'énergie d'interaction est la somme des énergies d'interaction entre le potentiel
associée au champ extérieur et chaque charge :
Eint = qV (P ) − qV (N ) = q (V (P ) − V (N ))
Or dans le cadre de l'approximation dipolaire, N et très proche de P alors un développement limité s'écrit
sous la forme : −−→ −−→ −−→ →−
V (P ) = V (N ) + N P .grad(V ) = V (N ) − N P . E ext
En remplaçant dans l'expression de l'énergie d'interaction on trouve :
−−→ →− →
−
Eint = −q N P . E ext = −→
−
p . E ext
• Deuxième Méthode : En utilisant la dénition de l'énergie potentielle d'une force on écrit :
→
− −−→ →
− −−−→
dEint = − q E ext .dOP − q E ext .dON
On considère que le champ extérieur est uniforme sur les distances considérées (dON,dOP, dPN) donc :
→
− −−−→ →
− −−→ →
−
dEint = −q E ext .dN P = −d q E ext .N P = d(−→
−
p . E ext )
Alors on retrouve l'expression :

→
−
Eint = −→
−
p . E ext
La force résultantes appliquée sur le dipôle est donc :
→
− −−→ →
− →
−
F = grad p . E ext
D'autre part, on admet que le couple possède la même expression que le cas uniforme :
→
− →
−
Γ =→
−
p ∧ E ext (O)
O est le centre de dipôle.
Remarques :
→
−
• Pour étudier l'eet de ce champ sur le dipôle on note α l'angle entre le vecteur champ extérieur E ext
H
et le moment dipolaire →
−p . La position stable de dipôle est celle pour laquelle l'énergie d'interaction est
minimale ce qui correspond un angle α = 0.
→
− →
−
C
• En utilisant l'angle α on montre que Γ = 0 pour α = 0 ce qui correspond bien à une position
d'équilibre stable.
→
− →
−
• La position α = π correspond aussi à une position d'équilibre ( Γ = 0 ) mais l'énergie correspondante
O
est maximale donc c'est instable.
• Dans le cas d'un champ extérieur uniforme on a retrouve les expressions du paragraphe précédent :
D
→
− −−→ − →− −−→ →
−
F = grad →
p . E ext = grad (pEext cos(α)) = 0
A
2 Dipôle magnétique
2.1 Champ crée par un dipôle

2.1.1 Moment magnétique
Un milieu magnétique peut être considéré comme une assemblé de boucles de courants de dimension atomiques
dont les eets sont étudiés à des distance macroscopiques. Des telles boucles élémentaires sont appelées
dipôles magnétiques. Dans tout la suite, on modélise un dipôle magnétique par une spire de courant I.
On associé à toute boucle une grandeur vectorielle appelée moment
magnétique qu'on dénit par :
→
−
→
− S
→
−
m =IS
→
− I
I est l'intensité du courant passant par la boucle et S un vecteur dont la
norme représente la surface de la boucle et le direction est le vecteur normal
→
−n et dans le sens est donné par la règle de tire bouchon.
2.1.2 Champ magnétostatique (MPSI/PCSI)

Le champ électrostatique crée par un dipôle électrostatique s'écrit sous la forme :
→
− 3 (→
−
p .→
−
e r) →
−
er−→
−
p
E (M ) =
4πε0 r3
Par analogie, on admet que l'expression du champ magnétostatique crée par un dipôle magnétique est :
→
− 3 (→
−
m.→
−
e r) →
−
er−→
−
m
B (M ) = µ0 3
4πr
2.1.3 Carte du champ (MPSI/PCSI)

En utilisant l'expression du champ magnétique, on peut montrer que l'équation des lignes de champ est
similaire à celle des lignes de champ d'un dipôle électrostatique.
H
Z Z
O C
→
−
p →
−
m
A D
Figure 1 : Dipôle électrostatique Figure 2 : Dipôle magnétostatique
La seule diérence c'est que les lignes de champ du dipôle magnétostatique sont fermés alors que celles du
dipôle électrostatique sort du la charge positive vers la charge négative.
2.2 Interaction entre un dipôle et un champ magnétostatique extérieur

Considérons maintenant un dipôle magnétostatique caractérisé par son moment magnétique → −
m et qui est
→
−
placé dans un champ magnétostatique B ext . Le dipôle est considéré rigide c'est-à-dire indéformable. On
admet que :
• L'énergie d'interaction entre le dipôle est le champ est :
→
−
Eint = −→
−
m. B ext
• La force appliquée sur le dipôle est donnée par :

→
− −−→ −−→ − →−
F = −grad(Eint ) = grad(→
m. B ext )
Alors que le couple associé à cette force possède un moment donné par :
→
− →
−
Γ =→
−
m ∧ B ext
Remarques :
→
−
• Pour étudier l'eet de ce champ sur le dipôle on note α l'angle entre le vecteur champ extérieur B ext
et le moment magnétique → −
m . La position stable de dipôle est celle pour laquelle l'énergie d'interaction
est minimale ce qui correspond un angle α = 0.
→
− →
−
• En utilisant l'angle α on montre que Γ = 0 pour α = 0 ce qui correspond bien à une position
d'équilibre stable.
→
− →
−
• La position α = π correspond aussi à une position d'équilibre ( Γ = 0 ) mais l'énergie correspondante
est maximale donc c'est instable.
H
• Dans le cas d'un champ extérieur uniforme on a trouve :
→
− −−→ − →
− −−→ →
−
F = grad →
m. B ext = grad (mBext cos(α)) = 0
DO C
A

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MPSI, PCSI, TSI

Classes préparatoires aux grandes écoles, Marrakech

1.2 Potentiel et champ électrostatiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

ÉLECTROSTATIQUE DANS LE VIDE

1.1 Charge électrique

Q = ρVcharg ou Q = σScharg ou Q = λLcharg

1.2 Champ électrostatique

e r est la vecteur radial de la base sphérique.

D'après le principe de superposition, le champ crée en M pour une distribution :

• Continue de charges s'écrit:

1.3 Potentiel électrostatique

On montrer aussi que :

• Pour une distribution continue, le potentiel est donné par :

Ligne de champ Ligne de champ

1.5 Exemples d'application

Donc le champ s'écrit sous la forme : Z

donc la deuxième intégration donne :

D'autre part, en introduisant l'angle α l'intégrale I s'écrit sous la forme :

On remplace les intégrales I et J par leurs expressions dans la relation :

Le champ électrostatique crée par le l en M est alors :

1.5.2 Disque chargé surfaciquement

Pour ce faire, on utilise la relation :

1.6 Réalisation numérique d'une carte du champ (PCSI/MPSI)

1.7 Énergie électrostatique

Alors que pour une distribution continue de charge :

2.1 Symétrie et invariance

L'utilisation de ce théorème se fait en suivant ces étapes :

2.3 Exemples d'application

Or le vecteur déplacement élémentaire en coordonnées cylindriques est donnée par :

On aura alors : " ¨ ˆ 2π ˆ h

Donc la première partie du théorème de Gauss donne :

Alors le champ crée par le l en un point M est donné par :

• Symétrie : Les plans de symétrie sont (M, →

Tel que chaque vecteur surface élémentaire est

Or le vecteur déplacement élémentaire en coordonnées

On aura alors : " ¨ ˆ 2π ˆ h

2.3.3 Sphère chargée

Pour déterminer l'expression du potentiel on utilise la relation :

2.4 Analogie gravitationnelle

La force d'attraction appliquée par la terre à une masse m s'écrit donc :

3 Étude d'un condensateur (MPSI/TSI)

D'autre part, le vecteur champ électrostatique est antisymétrique c'est-à-dire que :

Le théorème de Gauss s'écrit : ‹

L'intégration sur x et y donc :

Le champ électrostatique crée alors donné par :

Une représentation de ce champ donne pour σ > 0 :

D'autre part, le potentiel associé à ce champ est donné par :

• A l'extérieur du condensateur, les champs sont le

La tension entre les deux conducteurs est donnée par :

ε est appelée permittivité diélectrique (ou constante diélectrique) du milieu.

3.3 Énergie électrostatique d'un condensateur

MAGNÉTOSTATIQUE DANS LE VIDE

1.1 Distribution du courant

1.2 Loi de Biot et Savart

Avec P est un point quelconque de la distribution.

En remplaçant ceci dans l'expression du champ on obtient l'expression :

La seule grandeur qui dépend de l'angle ϕ est →

2.2 Théorème d'Ampère

Pour l'élément de longueur, on le choisit selon l'orientation du contour :

En eet, l'orientation du contour correspond toujours Z

Alors le champ magnétostatique en M est donné par : M

Pour l'élément de longueur, on le choisit selon l'orientation du contour :

La surface délimitée par le contour est traversée par un seul

Le champ électrostatique crée par le l en M est alors :

Alors le champ crée par le l en un point M est donné par :

En eet, l'orientation du contour correspond toujours Z

2.4 Conservation de ux magnétostatique