TOME II Terminé

Cours d’électronique
Tome 2

Peter MUTSHIA KABONGO
Ingénieur A1 en électronique appliquée

Ingénieur A0 en électronique, option : télécommunication
REPUBLIQUE DEMOCRATIQUE DU CONGO

Kinshasa – MASINA
Ce document, tous droits réservés.
Mars 2019, inédit.
INTRODUCTION
L’évolution rapide de l’électronique, et essentiellement de la

microélectronique fait courir le risque à toute publication dans ce domaine d’être désuète.
Ce document d’électronique générale, dit électronique des petits signaux, a été

rédigé à la suite du précédent document intitulé tome 1. Le présent document, hormis
l’introduction, la table de matières et la bibliographie, est subdivisé en six chapitres, dont
le premier : Transistors Bipolaires ; le deuxième : Régime impulsionnel ; le troisième :
Multivibrateurs à transistor ; le quatrième : L’amplificateurs différentiel et
Opérationnel ; le cinquième : Transistor uni-jonction ; le sixième : Eléments à 4 couches.
Ce document met également l’accent sur la structure interne, les propriétés,

les caractéristiques électriques, les schémas équivalents, l’utilisations oules applications
des composants électroniques et/ou les modules électroniques.
Comme soutenu dans le tome précédent ; L’art de l’ingénieur est de savoir

choisir le modèle adéquat en fonction du but visé, cette faculté ne s’acquiert que par une
étude approfondie où la pratique est un addendum qui vient en appui indéniable.
Cependant, la confortation des résultats expérimentaux et ceux escomptés,

donne lieu à la maitrise de la question sous examen. C’est en ce sens que s’inscrit le présent
document dont le but est d’apporter les théoriques de bases indispensables en la matière
d’un bon électronicien.
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TABLE DES MATIERES

INTRODUCTION ....................................................................................................................................... i
CHAPITRE 1. TRANSISTORS BIPOLAIRES .........................................................................................1
1.1. Définition ...................................................................................................................................................1
1.2. Symboles et Types .....................................................................................................................................1
1.3. Fabrications et Constitutions ......................................................................................................................1
1.4. Modèle électrique équivalent .....................................................................................................................2
1.5. Grandeurs caractéristiques .........................................................................................................................3
1.5.1. Relation entre courant ........................................................................................................................3
1.5.2. Relation entre tension .........................................................................................................................3
1.6. Courbes caractéristiques.............................................................................................................................4
1.6.1. Caractéristique statique d’entrée ........................................................................................................5
1.6.2. Caractéristique statique de sortie........................................................................................................6
1.7. Commande du courant de collecteur ..........................................................................................................7
1.8. Mode de fonctionnement............................................................................................................................8
1.8.1. Mode de fonctionnement Normal ......................................................................................................8
1.8.2. Mode Inverse......................................................................................................................................9
1.8.3. Mode Saturé .......................................................................................................................................9
1.8.4. Mode Bloqué ......................................................................................................................................9
1.9. Transistor en régime de commutation ......................................................................................................10
1.9.1. Fonctionnement en relais statique ....................................................................................................10
1.9.2. Fonctionnement en relais dynamique ...............................................................................................11
1.10. Echantillonnage ....................................................................................................................................12
1.11. Influence de la température ..................................................................................................................12
1.12. Différentes polarisations d’un transistor ..............................................................................................13
1.12.1. Polarisation par deux sources de tension..........................................................................................13
1.12.2. Polarisation par une résistance à la base ..........................................................................................13
1.12.3. Polarisation par pont de résistance à la base ....................................................................................14
a. Sans résistance d’émetteur .......................................................................................................................14
b. Avec résistance d’émetteur ......................................................................................................................15
1.13. Recherche des points de repos .............................................................................................................16
1.14. Schéma équivalent ...............................................................................................................................17
1.14.1. Paramètres hybrides .........................................................................................................................17
1.14.2. Interprétations des paramètres..........................................................................................................17
1.14.3. Modèle équivalent ............................................................................................................................18
1.15. Amplification .......................................................................................................................................18
ELETRONIQUE TOME
ELECTRONIQUE TOME II Ir. A0. Peter MUTSHIA +243 992 998 228
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1.16. Montages fondamentaux ......................................................................................................................19

1.16.1. Emetteur Commun ...............................................................................................................................19
1.16.2. Collecteur Commun .............................................................................................................................20
1.16.3. Base commune .....................................................................................................................................20
1.17. Préamplificateurs BF ............................................................................................................................20
1.17.1. Préampli Emetteur commun à RE découplée .......................................................................................21
a. Montage ...................................................................................................................................................21
b. Schéma équivalent ...................................................................................................................................21
c. Tableau des grandeurs électriques ...........................................................................................................22
1.17.2. Préampli Collecteur Commun ..............................................................................................................22
a. Montage .......................................................................................................................................................22
b. Caractéristiques ............................................................................................................................................23
- Impédance d’entrée élevée Ze ~ β fois l’EC ; ...............................................................................................23
- Impédance de sortie faible Zs ~ 1/βfois l’EC. ..............................................................................................23
1.17.3. Préampli Base Commune .....................................................................................................................23
a. Montage ...................................................................................................................................................23
b. Caractéristiques ........................................................................................................................................23
1.17.4. Conclusions ......................................................................................................................................23
1.18. Structures à Transistors ........................................................................................................................24
1.18.1. Montage Darlington .........................................................................................................................24
1.18.2. Montage Push-Pull ...........................................................................................................................24
1.19. Boitier et Brochage ..............................................................................................................................25
CHAPITIRE 2 : REGIME IMPULSIONNEL ..........................................................................................27
2.1. INTRODUCTION ........................................................................................................................................27
2..2. IMPULSION ...............................................................................................................................................27
2.2.1. Définition ...............................................................................................................................................27
2.2.2. Impulsion rectangulaire ..........................................................................................................................27
2.2.3. Impulsion trapézoïdale ...........................................................................................................................28
2.3. DIODE A JONCTION EN COMMUTATION ............................................................................................28
2.3.1. Fonctionnement ......................................................................................................................................29
2.3.2. Montage comprenant une diode de commutation et diagramme des temps des tensions ......................30
2.3.3. Quelques applications de la diode en commutation ...............................................................................32
2.3.3.1. Circuit de comptage (pompe à diode) .................................................................................................32
2.3.3.2. Les portes logiques à diode .................................................................................................................33
2.3.3.3. Le sélecteur à diodes ...........................................................................................................................35
2.3.3.4. Matrice de codage des nombres décimaux en code binaire « BCD » .................................................36
ELETRONIQUE TOME
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24. LES TRANSISTOR EN COMMUTATION .................................................................................................37

2.4.1. Introduction ............................................................................................................................................37
2.4.2. Etat bloqué du transistor.........................................................................................................................38
2.4.3. Etat saturé du transistor ..........................................................................................................................38
2.4.4. Courbes caractéristiques et droite de charge ..........................................................................................40
2.4.5. Transistor inversé ...................................................................................................................................40
2.4.6. Caractéristiques statiques et dynamiques ...............................................................................................41
2.4.6.1. Caractéristiques statiques ....................................................................................................................41
2.4.6.2. Caractéristiques dynamiques ...............................................................................................................42
2.4.7. Applications du transistor en commutation ............................................................................................45
2.4.7.1. Relais à transistors...............................................................................................................................45
2.4.7.2. Principe du convertisseur de tension continue-continue .....................................................................46
CHAPITRES 3. MULTIVIBRATEURS ..................................................................................................49
3.1. Introduction ...................................................................................................................................................49
3.2. Multivibrateur Astable .................................................................................................................................50
a) Montage ...................................................................................................................................................50
b) Fonctionnement ........................................................................................................................................50
c) Oscillogrammes .......................................................................................................................................51
d) Période d’oscillation.................................................................................................................................51
3.3. Multivibrateur monostable .......................................................................................................................52
a) Montage ...................................................................................................................................................52
b) Fonctionnement ........................................................................................................................................52
c) Diagrammes de temps des tensions..........................................................................................................53
d) Période du monostable .............................................................................................................................53
3.4. Multivibrateur Bistable (ou bascule = flip-flop) ......................................................................................54
3.4.1. Bistable à commande par les émetteurs (types Ecclès-Jordan) ........................................................54
3.4.2. Bistable à commande par les bases ..................................................................................................55
3.4.3. Bascule à deux entrées RS ...............................................................................................................57
CHAPITRE 4 : L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ......................................................................59
4.1. INTRODUCTION ........................................................................................................................................59
4.2. L’AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL ET LA SOURCE DE COURANT CONSTANT.........................60
4.2.1. L’amplificateur différentiel ....................................................................................................................60
4.2.1.1. Définition et organisation ....................................................................................................................60
4.2.1.2. Caractérisation des entrées e1 et e2 vis-à-vis d’une sortie 𝑆 = S2.....................................................61
4.2.1.3. Précision sur les signaux du montage .................................................................................................61
4.2.1.4. Taux de rejection de mode commun ...................................................................................................62
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4.2.1.5. Analyse de l’amplificateur différentiel ...............................................................................................63

4.2.1.6. Calcul des Ad et Ac .............................................................................................................................65
4.2.1.7. Calcul du taux de rejection en mode commun ‘’CMRR’’ ..................................................................67
4.2.2. La source de courant constant ................................................................................................................67
4.2.3. Exemple de source de courant constant à TEC ......................................................................................71
4.3. CONCEPTION DE L’AMPLICATEUR OPERATIONNEL .......................................................................71
4.3.1. Structure de base ....................................................................................................................................71
4.3.2. Définitions des caractéristiques..............................................................................................................73
4.3.3. Structure aux performances améliorées .................................................................................................74
4.4. GRANDEURS CARACTERISTIQUES ......................................................................................................78
4.4.1. Caractéristiques d’un AOP idéal ............................................................................................................78
4.4.2. Caractéristiques d’un AOP réel ..............................................................................................................78
4.5. REGIME DE FONCTIONNEMENT D’UN AOP .......................................................................................79
4.5.1. Régime de fonctionnement linéaire..................................................................................................79
4.5.2. Régime de saturation ........................................................................................................................80
4.6. COURBE CARACTERISTIQUE ............................................................................................................80
4.7. MONTAGES FONDAMENTAUX ..............................................................................................................81
4.7.1. Introduction ............................................................................................................................................81
4.7.2. L’amplificateur de tension inverseur......................................................................................................81
4.7.3. L’amplificateur non inverseur ................................................................................................................84
4.7.4. Suiveur de tension, adaptateur d’impédance ..........................................................................................85
4.8. AUTRES MONTAGES IMPORTANTS .....................................................................................................86
4.8.1. L’amplificateur différentiel (de différence) ...........................................................................................86
4.8.2. L’amplificateur comparateur de tension ................................................................................................87
4.8.3. Source de tension de référence ...............................................................................................................88
4.8.4. Source de courant constant.....................................................................................................................89
4.8.4.1. Source de courant à charge flottante ...................................................................................................89
4.8.4.2. Source de courant à charge à la masse ................................................................................................90
4.8.5. Circuit limiteur .......................................................................................................................................91
CHAPITRE 5. TRANSISTOR UNI-JONCTION .....................................................................................94
5.1. Introduction ...................................................................................................................................................94
5.2. FONCTIONNEMENT ET CARACTERISTIQUE ......................................................................................94
5.3. LE TUJ FONCTIONNANT EN GENERATEUR D’IMPULSIONS ..........................................................96
CHAPITRE 6. ELEMENTS A 4 COUCHES ...........................................................................................97
6.1. DESCRIPTION .............................................................................................................................................97
6.2. COURBE CARACTERISTIQUE .................................................................................................................97
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6.3. COMMANDE PAR COURANT DE GACHETTE......................................................................................98

6.4. REDRESSEMENT DE TENSION PAR THYRISTOR ...............................................................................99
6.5. LES PROCEDES DE DECLENCHEMENT DU THYRISTOR ................................................................100
6.5.1. Principe de déclenchement ...................................................................................................................100
6.5.2. Classification des procèdes de déclenchement.....................................................................................101
6.6. LE CIRCUIT DEPHASEUR ......................................................................................................................102
6.6.1. Commande horizontale ........................................................................................................................103
6.6.2. Commande verticale.............................................................................................................................104
6.7. CIRCUITS DE DECLENCHEMENT A SEMI-CONDUCTEURS ...........................................................106
6.7.1. Circuit de base ......................................................................................................................................106
6.7.2. Déclenchement par transistor unijonction (TUJ) .................................................................................107
6.8. NOTE SUR LA JUSTIFICATION PHYSIQUE DE L’AMORCAGE DU THYRISTOR ........................108
6.9. THYRISTOR EN MONTAGE TETE-BECHE ..........................................................................................109
6.10. LES DEUX TYPES DE THYRISTORS ..................................................................................................109
6.11. BLOCAGE DU THYRISTOR CONDUCTEUR .....................................................................................110
6.11.1. Introduction ........................................................................................................................................110
6.11.2. Blocage naturel...................................................................................................................................111
6.11.3. Blocage forcé : principe .....................................................................................................................111
6.11.4. Blocage par capacité et thyristor auxiliaire ........................................................................................112
6.11.5. Blocage par capacité et transistor .......................................................................................................112
6.11.6. Blocage alterné des thyristors aux anodes couplées par capacité « C » .............................................113
6.11.7. Blocage automatique par circuit shunt « LC » ...................................................................................113
6.12. LE TRIAC .................................................................................................................................................114
6.12.1. Constitution ........................................................................................................................................114
6.12.2. Processus d’amorçage ........................................................................................................................115
6.13. LE G.T.O (GATE TURN OFF) ................................................................................................................117
6.14. L’IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR) ....................................................................117
6.14.1. Structure .............................................................................................................................................117
6.14.2. Symbolisme ........................................................................................................................................119
BIBLIOGRAPHIE ..................................................................................................................................120
ELETRONIQUE TOME
COURS D’ELECTRONIQUE GENERALE
Tome II
A l’usage des élèves de la 3ème et 4ème Humanités Electroniques, et ainsi

que ceux de la 4ème Electricité
Mars 2019, Inédit.
Ce document ; tous droits réservés.

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CHAPITRE 1. TRANSISTORS BIPOLAIRES
1.1. Définition
Un transistor bipolaire, est un composant actif électronique monocristal de semi-
conducteur constitué des deux jonctions PN très voisines, càd l’une proche de l’autre. En
outre, un transistor bipolaire, est un SC dont la conduction est assurée par deux types de
porteurs de charges qui se déplacent au même instant.
1.2. Symboles et Types
Il existe deux types de transistors bipolaires :
Et
Type NPN Type PNP

Fig. 1.1
Note : un transistor possède 3 électrodes (ou bornes) ; la Base (B), le Collecteur (C) et
l’Emetteur (E). D’où nous constatons que dans le symbole du transistor la flèche
indique :
- Le type du transistor ;
- L’émetteur du transistor ;
- Le sens de circulation du courant de l’émetteur.
1.3. Fabrications et Constitutions
Il y a deux possibilités de fabriquer le transistor bipolaire :
- En diffusant les impuretés du type N départ et d’autre d’une mince plaquette (ou
lame) de semi-conducteur du type P. dans ce cas, on obtient un transistor de type
NPN. Voir figure 1.2 ;
- En diffusant les impuretés du type P départ et d’autre d’une mince plaquette (ou
lame) de semi-conducteur du type N. dans ce cas, on obtient un transistor de type
PNP. Voir figure 1.3
ELETRONIQUE TOME
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Cependant, pour que le transistor puisse fonctionner normalement, il faut et il

suffit que :
- Que l’un des deux zones extrêmes soit fortement dopé (N+ ou P+, d’après
le type), et on l’appelle « l’Emetteur (E) » ;
- Que la zone (ou région) intermédiaire comprise entre les deux jonctions
soit mince et moins dopé. On l’appelle « la Base (B) » ;
- Que l’autre zone extrême soit faiblement dopé (N- ou P-), et on appelle
« le Collecteur (C) ».
E C E C
N P N & P N P
B B
Fig. 1.2 fig. 1.3
1.4. Modèle électrique équivalent
Le modèle électrique équivalent d’un transistor est assimilé par deux diodes montées en
tête-bêche, voir les figures suivantes :
ET
Fig. 1.4 Fig. 1.5
Note : On ne peut considérer le transistor comme l’association de deux diodes, mais la

représentation ci – haute peut parfois aider dans l’exercice du raisonnement. Les
transistors NPN représentent 80 % du marché des transistors bipolaires car leurs
fonctionnements sont meilleurs lorsque l’on atteint les hautes fréquences.
Remarque : Pour une meilleure compréhension, on travaillera plus sur le transistor du

type NPN.
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1.5. Grandeurs caractéristiques
Soit le transistor représenté à la figure ci – après :
Fig. 1.6
En fonctionnement normal, le courant entre dans le transistor NPN par la base et

le collecteur et sort par l’émetteur. Avec la convention de signe choisie ci-dessus, les
courants sont donc positifs. La tension VCE est normalement positive.
1.5.1. Relation entre courant
En appliquant la loi de nœud à la figure 1.7 ci – dessous ; on aura :
Le courant de base est proportionnel au

courant de base, par la relation suivante :
Fig. 1.7
1.5.2. Relation entre tension
En appliquant la loi de maille à la figure 4.30, on aura :
VCE + VBC – VBE = 0
ELETRONIQUE TOME
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Légende :
IB : courant de base, unité pratique (µA)

IC : courant de collecteur, unité pratique (mA)
IE : courant de l’émetteur, unité pratique (mA)
VBE : tension entre base-émetteur, en (V)
VCE : tension entre collecteur-émetteur, en (V)
VBC : tension entre base-collecteur, en (V)
𝜷 : Gain statique d’amplification du courant
1.6. Courbes caractéristiques
Les caractéristiques électriques du transistor bipolaire sont unidirectionnelles. On

peut donc les réunir sur un seul plan. Comme suite :
Fig. 1.8
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Observations :
- La fonction Ic = f(Vce) est maîtrisée par la valeur du courant de base. Celle-ci
comporte essentiellement deux domaines ; la partie où Ic est peu variable pour une
valeur de Ib c’est le régime linéaire, la partie coudée où le transistor est en régime
saturé ;
- La fonction Vbe = f(Ib) est celle d’une jonction PN entre la base et l’émetteur ;
- La fonction Ic = f(Ib) caractérise « l’effet transistor » en régime linéaire. C’est une
droite de pente β (ordre de grandeur de β ≈100) ;
- En régime linéaire Ic ≈ β.Ib et en régime saturé Ic< β.Ib ;
- En régime saturé Vce< 1Volt ;
- Au point M0 le transistor est bloqué. Entre son collecteur et son émetteur le
transistor est équivalent à un interrupteur ouvert ;
- Au point M1 le transistor est saturé. Entre son collecteur et son émetteur le transistor
est équivalent à un interrupteur fermé ;
- Par la variation spontanée du courant Ib de 0 à Ib4 ou inversement on peut passer de
M0 à M1 ou inversement. Dans ce type de fonctionnement tout ou rien on dit que le
transistor fonctionne en commutation ;
- En faisant varier Ib tout en conservant le transistor en régime linéaire on peut
utiliser le transistor en amplificateur de courant.
1.6.1. Caractéristique statique d’entrée
IB = f(VBE) à VCE constante :
Fig. 1.8.a
La jonction base-émetteur d’un transistor bipolaire, à un fonctionnement analogue

à celle d’une diode ordinaire polarisée en directe. Lorsque, le transistor est en
fonctionnement normal, sa caractéristique statique d’entrée ou d’attaque du transistor est
alors similaire à la courbe caractéristique d’une diode à jonction.
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1.6.2. Caractéristique statique de sortie
IC = f(VCE) à IB constant
Saturation Claquage
Fonctionnement normal
Fig. 1.8 .b
Il s’agit d’un réseau des courbes caractéristiques, il se compose de 3 parties

distinctes :
- Zone de saturation : Pour VCE relativement faible, la caractéristique de sorti est un

réseau de courbe relativement verticale. Dans cette zone, I C dépend fortement de VCE,
quel que soit le type du transistor, cette zone s’étend de V CE =0V à VCE voisine de 1V ;
- Zone de fonctionnement normal : Dans cette zone les caractéristiques à IB sont

constant et deviennent horizontale. Le courant IC dépend très peu de VCE. Ainsi dans la
zone de fonctionnement normal, la tension VCE varie de VCE voisine de 1V à VCEmax
donnée par le constructeur. Généralement VCEmax varie de 40 à 100V environ ;
- Zone de claquage : Dans cette zone, les caractéristiques à IB ne sont plus horizontales,
elles redeviennent verticalement et le courant IC ne dépend plus de VCE et de IB. D’où,
il est déconseillé d’utiliser le transistor dans cette zone car elle conduit le transistor
vers une destruction irréversible, appelée « Claquage ».
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1.6.3. Limites d’utilisation
Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un domaine d'utilisation

bien déterminé. Ce domaine sera limité par trois paramètres :
• Le courant collecteur maximal ICmax. Le dépassement n'est pas immédiatement
destructif, mais le gain en courant β va chuter fortement, ce qui rend le transistor
peu intéressant dans cette zone ;
• La tension de claquage VCEmax : au-delà de cette tension, le courant de collecteur
croît très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor ;
• La puissance maximale que peut supporter le transistor, et qui va être représentée
par une hyperbole sur le graphique, car on a la relation :
𝑷𝑻𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝑪𝑬 . 𝑰𝑪
Fig. 4.1.8.c
Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie du transistor (Figure 9) est

donc interdite. En bref : Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor, c'est que c'est
un amplificateur de courant : c'est un générateur de (fort) courant (en sortie) piloté par un
(faible) courant (en entrée).
1.7. Commande du courant de collecteur
Pour un transistor alimenté et qui fonctionne normalement, si on varie le courant

de base IB, on constate que le courant de collecteur varie dans la même proportion que
celui de base (IB). D’où ; un rapport est défini pour un transistor en fonctionnement
normal, càd que ce rapport « IC/IB », reste considérablement constant et on a :
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𝑰𝑪
= 𝜷 ⟹ 𝑰𝑪 = 𝜷. 𝑰𝑩
𝑰𝑩
Note : beta (β) est le gain statique du courant (ou l’amplification en courant, en court-
circuit) du transistor au fonctionnement normal et à la température ambiante.
Comme IB≪ IC, on s’aperçoit que nous pouvons commander un grand courant
(IC) à partir d’un petit courant (IB) « effet transistor ».
1.8. Mode de fonctionnement

Pour un transistor bipolaire, on distingue 4 modes de fonctionnement :
- Mode normal ;
- Mode inverse ;
- Mode saturé ;
- Mode bloqué.
1.8.1. Mode de fonctionnement Normal

Un transistor bipolaire fonctionne normalement lorsque la jonction base-émetteur
(JBE) est polarisé en directe et la jonction base-collecteur (JBC), est polarisée en inverse.
Dans ce mode où, le transistor fonctionne en amplificateur des signaux électriques
❖ Fonctionnement en amplification
Nous devons pour ce modèle traduire :

- Le fait que Vbe soit en direct, donc d'après la caractéristique de la diode ; Vbe
≈ 0.7V ;
- L’effet transistor : Ic = β x Ib.
Fig. 1.9
Transistor en fonctionnement normal
La valeur de Ic dépend du courant dans une autre branche, en l’occurrence Ib, ceci
ELETRONIQUE TOME
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confirme bien que le transistor est un « robinet d’électron »
1.8.2. Mode Inverse
Le mode inverse d’un transistor bipolaire, est le contraire du mode normal, càd la
jonction base-émetteur (JBE) est polarisé en inverse et la jonction base-collecteur (JBC),
est polarisée en directe. Ce mode est très peu utilisé, car le transistor ne fonctionne pas.
1.8.3. Mode Saturé

Un transistor est dit saturé lorsque ceux deux jonctions (JBE et JBC) sont
polarisées en directe. Dans ce mode, le transistor est assimilé à un interrupteur à l’état
fermé (càd comme un fil conducteur entre le collecteur et l’émetteur).
❖ Fonctionnement en saturation
En fonctionnement normal Ic =β x Ib, si Ib augmente, alors Ic le fera également
mais cela jusqu’à un certain point. Quand Ib aura atteint une certaine valeur appelé Ibjs
alors Ic aura atteint une valeur de seuil que l’on note Icsat et donc Vce vaudra donc
environ 0V. et on dira que le transistor est saturé. D’où on observe les grandeurs
suivantes :
- IB = IBJS> IC /β
- IC = ICsat
- VBE ≥ 𝑽𝑩𝑬𝟎
- VCE = VCEsat≈ 𝟎𝑽 fig. 1.10
1.8.4. Mode Bloqué

Un transistor est dit saturé lorsque ceux deux jonctions (JBE et JBC) sont
polarisées en inverse. Dans ce mode, le transistor est assimilé à un interrupteur à l’état
fermé (càd un conducteur coupé entre le collecteur et l’émetteur).
❖ Fonctionnement en blocage
Ici nous devons traduire le fait que :

• Vbe est en inverse donc que, Ib =0 ;
• Ic est nul car Ib l’est aussi et que : Ic =β x Ib
• VBE< 𝑽𝑩𝑬𝟎
• VCE = VCmax≈ VCC
ELETRONIQUE TOME
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Le modèle en est par conséquent évident :
Fig. 1.11
Note : Les deux derniers types de fonctionnements sont utilisés pour ce que l’on appelle
la commutation, ou le régime Tout Ou Rien « TOR » ; dans ce cas le transistor est
utilisé comme un interrupteur (ouvert quand le transistor est bloqué et fermé quand
il est saturé).
1.9. Transistor en régime de commutation

La commutation par définition, est un passage d’un état de fonctionnement à un
état de non-fonctionnement et vice-versa. Il est alors considéré comme un "relais
statique".
1.9.1. Fonctionnement en relais statique
❖ Soit le transistor à l’état bloqué :
RC
Si ; Ve = 0 et Ib=0 le transistor est bloqué. Vu des bornes C et E, le

Donc il y n’aura pas allumage de la LED, transistor se comporte comme
car Ic = 0. un interrupteur ouvert.
Fig. 1.12
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 11
❖ Soit le transistor à l’état saturé :
RC
Le transistor est saturé si Ic< β.Ib, c’est à dire Vu des bornes C et E, le transistor
si Vcc / Rc< β. (Ve – Vbe) / Rb. Donc il y se comporte pratiquement comme
aura allumage de la LED un interrupteur fermé.
Fig. 1.13
1.9.2. Fonctionnement en relais dynamique
Le transistor permet de commander le relais en tout ou rien (TOR) à partir du

signal Ve. Le relais R comprend entre ses bornes un bobinage que l’on peut assimiler à
une inductance L en série avec une résistance r.
La diode D est une diode de roue libre qui assure la continuité du courant dans
l’inductance du relais au blocage du transistor. Sans la diode (D) une surtension
destructrice pour le transistor se produirait.
Fig. 1.14
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 12
1.10. Echantillonnage
Lorsqu’on charge un échantillon du transistor, on remarque que, la tension VBE

reste constante et avec d’autres grandeurs caractéristiques, à l’exception de β qui varie
d’un échantillon à l’autre. En pratique β varie environ de 30 à 300.
1.11. Influence de la température
La température intervient beaucoup dans le fonctionnement des composants à base

de semi-conducteur. Donc pour prélever les caractéristiques d’un transistor, nous devons
veiller à laisser la température ambiante constante, pour y parvenir il ne suffit pas de
laisser seulement la température constante, il faut veiller aussi à ce que la circulation des
courants dans le transistor ne produit pas un échauffement excessif par effet joule dans la
jonction.
Lorsque la température s’élève de manière trop importante, l’agitation électrique
produit des effets indésirables sur le bon fonctionnement du transistor. Ainsi on observe
au circuit de sorti du transistor, un courant IC dépendant de IB ; alors il existe IC0 et IB0
En fonction de la puissance dissipée (Pd) au collecteur par le transistor, on peut

dimensionner la dernière par la relation suivante :
𝜽𝒋 − 𝜽𝒂
𝑷𝒅 =
𝑹𝒕𝒉𝑻
Avec ; RthT = Rbj + Rja « sans plaque additionnelle de refroidissement (ou sans radiateur) »
RthT = Rbj + Rjr + Rra « avec plaque additionnelle de refroidissement (ou avec radiateur) »
Légende
𝜽𝒋 : Température de la jonction (Tj), en °C

𝜽𝒂 : Température ambiante (Ta), en °C
𝑹𝒕𝒉𝑻 : Résistance thermique totale, en °C/W
𝑹𝒃𝒋 : Résistance thermique boitier-jonction
𝑹𝒋𝒂 : Résistance thermique jonction-ambiant
𝑹𝒋𝒓 : Résistance thermique jonction-radiateur
𝑹𝒓𝒂 : Résistance thermique radiateur-ambiant
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 13
1.12. Différentes polarisations d’un transistor
Pour fonctionner en amplificateur, un transistor doit être alimenté de façon à ce

qu’il soit en régime linéaire. Pour cela un circuit de polarisation doit lui être appliqué.
1.12.1. Polarisation par deux sources de tension
Soit le montage suivant :
VCC
VBB
VBE
Fig. 1.15
❖ Analyse du point de polarisation :
Maille à l’entrée ; VBB – RB.IB – VBE = 0 (1)
Maille à la sortie ; VCC – RC.IC – VCE = 0 (2)
1.12.2. Polarisation par une résistance à la base
La polarisation par la base, illustrée `à la figure 1. 16, est un schéma

très simple qui n’utilise qu’une seule source de tension avec une résistance à la base.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 14
RB
VCC
iB
VBE
Fig. 1. 16
Maille à l’entrée ; VCC – RB.IB – VBE = 0 (1)
1.12.3. Polarisation par pont de résistance à la base
a. Sans résistance d’émetteur
I1
R1
VCC
iB
IP
VBB R2 VBE
Fig. 1.17
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 15
Maille à l’entrée ;
➢ VCC – R1.I1 – VBE = 0 (2)

➢ VCC – R1.I1 – R2.IP = 0 (3)
➢ VBE – R2.IP = 0 (4)
Nœud à l’entré : I1 = IB + IP (5) ; Avec, 5.IB ≥ IP ≥ 10. IB
b. Avec résistance d’émetteur
I1
R1
VCC
iB
IP
R2 VBE
RE
Fig. 1.18
Maille à l’entrée ;
➢ VCC – R1.I1 – VBE – RE.IE= 0 (2)

➢ VCC – R1.I1 – R2.IP = 0 (3)
➢ VBE – R2.IP +RE.IE = 0 (4)
Nœud à l’entré :
➢ IE = IC + IB (5) ; Avec, IC = β.IB (6)

➢ I1 = IB + IP (7) ; Avec, 5.IB ≥ IP ≥ 10. IB
Note : la résistance RE sert à stabiliser thermiquement le transistor.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 16
1.13. Recherche des points de repos

On appel, point de repos d’un transistor, le point à partir de lequel un transistor
commence à fonctionner normalement.
1.13.1. Point de repos à l’entrée
Partant de l’équation (1) de la figure 1.15 :
- Si, IB =0 ; ⇒ VBE = VBB (a)

- Si, VBE = 0 ; IB = VBB/RB (b)
IB (µA)
𝑽𝑩𝑩
𝐑𝑩
IBO Pf
VBE(V)
VBE0 VBB
Fig. 1.19
Note : le point de repos à l’entrée est trouvé en faisant l’intersection entre la droite de
d’attaque statique et la courbe caractéristique d’entrée. IBO sur l’axe de IB et VBEO sur
l’axe de VBE sont dit courant et tension de fonctionnement normal.
1.13.2. Point de repos à la sortie
Partant de l’équation (1) de la figure 1.15 :
- Si, IC =0 ; ⇒ VCE = VCC (a)

- Si, VCE = 0 ; IC = VCC/RC (b)
IC (mA)
𝑽𝑪𝑪
𝐑𝑪
Pf
ICO
VCE(V)
VCE0 VCC
Fig. 1.20
𝐈𝐂 𝐕𝐂𝐂 𝑽𝑪𝑪
𝐈𝐂𝐨 = = 𝒆𝒕 𝑽𝑪𝑬 =
𝟐 𝟐. 𝐑 𝐂 𝟐
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 17
Note : le point de repos à l’entrée est trouvé en faisant l’intersection entre la droite de
d’attaque statique et la courbe caractéristique d’entrée. ICO sur l’axe de IC et VCEO
sur l’axe de VCE sont dit courant et tension de fonctionnement normal.
1.14. Schéma équivalent
En fait, il existe des capacités entre les électrodes d’un transistor. Ces capacités
sont faibles et présentent en base fréquence des impédances si grandes que l’on peut
négliger leurs effets. Par contre en haute fréquence, les impédances de ces capacités
parasites modifient le fonctionnement du transistor.
1.14.1. Paramètres hybrides
Les paramètres hybrides permettent de caractériser les performances du

transistor en régime linéaire. L’examen des caractéristiques d’un transistor montre qu’il
existe de zones où son comportement est pratiquement linéaire. Si l’on choisit le point le
fonctionnement dans ces zones linéaires, on peut écrire que les variations des grandeurs
d’entrée et de sortie (notées en minuscules !) sont reliées par la relation :
𝒗 = 𝒉𝟏𝟏 . 𝒊𝒃 + 𝒉𝟏𝟐 . 𝒗𝒄𝒆

{ 𝒃𝒆
𝒊𝒄 = 𝒉𝟐𝟏 . 𝒊𝒃 + 𝒉𝟐𝟐 . 𝒗𝒄𝒆
❖ Notation sous forme matricielle est :
𝒗𝒃𝒆 𝒉 𝒉𝟏𝟐 𝒊𝒃
( ) = ( 𝟏𝟏 ).( )
𝒊𝒄 𝒉𝟐𝟏 𝒉𝟐𝟐 𝒗𝒄𝒆
Avec ;∆𝒉le discriminant hybride :

𝒉 𝒉𝟏𝟐
∆𝒉 = | 𝟏𝟏 | = 𝒉𝟏𝟏 . 𝒉𝟐𝟐 − 𝒉𝟏𝟐 . 𝒉𝟐𝟏
𝒉𝟐𝟏 𝒉𝟐𝟐
1.14.2. Interprétations des paramètres
L’interprétation des paramètres hybrides sont définies comme suit :

𝒗𝒃𝒆
❖ 𝒉𝟏𝟏 = ; à Vce = 0 (constante) : C’est la résistance d’entrée du transistor.
𝒊𝒃
C’est aussi la pente de la caractéristique d’entrée ;
𝒗𝒃𝒆
❖ 𝒉𝟏𝟐 = ; à ib =0 (constant) : C’est le coefficient de transfert inverse en tension.
𝒗𝒄𝒆
On appelle aussi la pente des caractéristiques de réseau de transfert. Ce paramètre
étant voisin de zéro (typiquement 10-5 à 10-6) est souvent négligé ;
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 18
𝒊𝒄
❖ 𝒉𝟐𝟏 = ; à vce = 0 (constante) : C’est le gain en courant du transistor. Il est
𝒊𝒃
voisin de β qui est la pente de la caractéristique de transfert au courant ;
𝒊𝒄
❖ 𝒉𝟐𝟐 = ; à ib = 0 (constant) : C’est l’admittance de sortie du transistor. Elle est
𝒗𝒄𝒆
généralement faible et correspond à la pente des caractéristiques. h22 est fonction
du courant de collecteur et h22-1 = 𝜌 (impédance de sortie) est de l’ordre de 20KΩ
pour des courants de collecteurs de quelques milliampères
1.14.3. Modèle équivalent
Si on néglige les capacités entre les électrodes, on obtient le schéma équivalent

suivant uniquement valable dans la basse fréquence, qui est la traduction graphique du
modèle équivalent hybride du transistor :
ib ic
h11
vbe h21.ib h22 vce
~ h11.vce 12
Fig. 1.21
Comme h12 est voisin de 0 et que h22 est petit, et en considérant que h11 = r et
h21 = β ; on peut simplifier le schéma équivalent comme suit :
ib ic
vbe r β.ib 1/𝝆 vce
12
Fig. 1.22
Note : nous allons plus utiliser le schéma équivalent de la figure 1.21 pour calculer les
grandeurs caractéristiques du transistor.
1.15. Amplification
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 19
L’amplification est un rapport qui existe entre la grandeur d’entrée et la grandeur

de sortie de même nature électrique. Voir la figure 1.x représentant un quadripôle
linéaire :
ie is
ve Q vs
Fig. 1.23
❖ On appel amplification en tension, le rapport de la tension de sortie (VS) et de la
𝐕𝐒
tension d’entrée (Ve) : 𝐀 𝐯 =
𝐕𝐞
❖ On appel amplification en courant (Ai), le rapport du courant de sortie (I S) et celui
𝐢𝐒
de l’entré (Ie) : 𝐀 𝐢 =
𝐢𝐞
❖ On appel amplification en tension (Ap), le rapport de la puissance de sortie (Ps) et
𝐩𝐒
de la puissance d’entrée (Pe) : 𝐀 𝐩 =
𝐩𝐞
Note : l’amplification n’a pas d’unité, mais souvent on l’exprime en gain qui est une
grandeur logarithmique. Le gain a pour unité le bel (B), mais on utilise son
multiple qui est le décibel (dB) :
❖ Le gain en courant vaut :𝑮𝒊 = 𝟐𝟎. 𝐥𝐨𝐠|𝑨𝒊 | ; en (dB)

❖ Le gain en tension vaut :𝑮𝒗 = 𝟐𝟎. 𝐥𝐨𝐠|𝑨𝒗 | ; en (dB)
❖ Le gain en puissance vaut :𝑮𝒑 = 𝟏𝟎. 𝐥𝐨𝐠|𝑨𝒑 | ; en (dB)
1.16. Montages fondamentaux
On distingue 3 sortes de montages fondamentaux :

➢ Emetteur commun ;
➢ Collecteur commun ;
➢ Base commune.
1.16.1. Emetteur Commun
Un transistor est monté en émetteur commun, lorsque son émetteur est relié à
la masse et l’entrée du signal est appliquée à la base et la sortie du signal est prélevée au
collecteur. Voir la figure 1.24 suivante :
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 20
Fig. 1.24
1.16.2. Collecteur Commun
Un transistor est monté en collecteur commun, lorsque son collecteur est

relié à la masse et l’entrée du signal est appliquée à la base et la sortie du signal est
prélevée à l’émetteur. Voir la figure 1.25 suivante :
Vs
Ve
Fig. 1.25
1.16.3. Base commune
Un transistor est monté en base commune, lorsque sa base est reliée à la

masse et l’entrée du signal est appliquée à l’émetteur et la sortie du signal est prélevée au
collecteur. Voir la figure 1.26 suivante :
Ve Vs
Fig. 1.26
1.17. Préamplificateurs BF
Les préamplificateurs basse fréquence « B.F », permettent de rendre le signal

venant soit d’un microphone, soit d’un lecteur CD très sensible à l’amplificateur de
puissance.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 21
1.17.1. Préampli Emetteur commun à RE découplée

a. Montage
Fig. 1.27
b. Schéma équivalent
ib ic
Rg
Ve h11
R2 vbe h22 vce RC RU Vs
R1 h21.ib
eg
~ ~ h11.vce 12
Fig. 1.28.a
❖ Réduction du schéma équivalent par la méthode de Thévenin :

𝑹𝒈 . 𝑹 𝑩 𝑹𝟏 . 𝑹𝟐
✓ RG = Rth = Rg//RB = ; où RB = R1//R2 =
𝑹𝒈 +𝑹𝑩 𝑹𝟏 +𝑹𝟐
𝑹𝑩
✓ EG = Eth = 𝑹 . 𝒆𝒈
𝒈 +𝑹𝑩
❖ En négligeant la charge (RU), le schéma équivalent devient :

ib ic
RG h11
Ve vbe h22 vce RC
h21.ib Vs
EG
~ ~ h11.vce 12
Fig. 1.28.b
ELETRONIQUE TOME
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c. Tableau des grandeurs électriques
Grandeurs
caractéristiques Formule de base Si, h12 = 0 et h22 = 0
Amplification 𝒉𝟐𝟏
en courant (Ai)
𝟏 + 𝒉𝟐𝟐 . 𝑹𝑪 𝒉𝟐𝟏
Amplification 𝒉𝟐𝟏 . 𝑹𝑪 𝒉𝟐𝟏 . 𝑹𝑪

en tension (Av) − −
𝒉𝟏𝟏 + ∆𝒉 . 𝑹𝑪 𝒉𝟏𝟏
Amplification 𝒉𝟐𝟏 𝟐 . 𝑹𝑪 𝒉𝟐𝟏 𝟐 . 𝑹𝑪

en puissance
(Ap) (𝟏 + 𝒉𝟐𝟐 . 𝑹𝑪 ). (𝒉𝟏𝟏 + ∆𝒉 . 𝑹𝑪 ) 𝒉𝟏𝟏
Impédance 𝒉𝟏𝟏 + ∆𝒉 . 𝑹𝑪
d’entrée (Ze) 𝟏 + 𝒉𝟐𝟐 . 𝑹𝑪 𝒉𝟏𝟏
Impédance de 𝑹𝑪 + 𝒉𝟏𝟏 𝑹𝑪
sortie ∆𝒉 + 𝒉𝟐𝟐 . 𝑹𝑪
(Zs)
Note : le montage Emetteur commun, est un inverseur de phase
1.17.2. Préampli Collecteur Commun
a. Montage
Fig. 1.29
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 23
b. Caractéristiques
- Gain d’amplification en tension proche de l’unité ;

- Impédance d’entrée élevée Ze ~ β fois l’EC ;
- Impédance de sortie faible Zs ~ 1/βfois l’EC.
Note : le montage collecteur commun joue le rôle d’un adaptateur d’impédance ; on

l’appelle aussi « l’émetteur suiveur »
1.17.3. Préampli Base Commune
a. Montage
Fig. 1.30
b. Caractéristiques
- Gain d’amplification en tension équivalent à l’EC ;

- Impédance d’entrée faible Ze ~ quelque dizaines d’Ω ;
- Impédance de sortie assez élevée Zs ~ quelque dizaine de kΩ.
1.17.4. Conclusions
Le montage en émetteur commun est utilisé en amplificateur. Par contre, pour

améliorer ses caractéristiques d’entrée et de sortie, on peut lui associer un montage en
collecteur commun en amont et en aval.
Le montage à base commune est peu utilisé. Cependant, il apporte un intérêt dans
les montages à haute fréquence, car l’effet de la capacité Miller est fortement diminué, ce
qui permet une bande passante plus importante
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 24
1.18. Structures à Transistors
1.18.1. Montage Darlington
Fig. 1.31
❖ Caractéristiques électriques
En régime linéaire (VCE>2Volts) :

• IC = IC1+IC2 = β1.IB1+β2.IB2 = β1.IB1+β2.(β1+1)IB1 ≈ β1.β2.IB1= β*.IB1 ;
• La structure fonctionne comme un transistor bipolaire ayant une très forte
amplification en courant ;
• Mais le niveau de saturation VCEsat est élevé, VCEsat = VCEsat1 + VBE2 ≈ 1,5V ;
• Le seuil VBE= VBE1 + VBE2 ≈ 1,4V.
1.18.2. Montage Push-Pull
Fig. 1.32
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 25
❖ Caractéristiques électriques
• T1 et T2 sont des transistors complémentaires de même amplification β ;

• Si IS>0 c’est T1 qui travaille IC1 ≈ IS et T2 est bloqué IC2 = 0 ;
• Si IS<0 c’est T2 qui travaille IC2 ≈ -IS et T1 est bloqué IC1 = 0 ;
• En régime linéaire ([Vcc-1Volt] > Vs < [-Vcc +1Volt]), IS ≈ β.IB ;
• La structure est un étage amplificateur de courant ;
• VS = Ve +VBE ;
• Mais VBE = 0,7V ; si IS>0 et à –0,7V ; si IS<0. Il y a donc distorsion du signal VS
par rapport à Ve. A ce défaut près, la structure est un suiveur de tension.
1.19. Boitier et Brochage
Il varie selon le type de boitier. On trouve essentiellement les boitiers ci-dessous :
À côté de chaque image se situe le nom du boitier ainsi que les résistances
thermiques jonction vers ambiant et jonction vers boitier.
La résistance thermique jonction vers ambiant est particulièrement intéressante
dans le cas de calcul de température et de dissipation de puissance. Si nous avons 1 Watt
à dissiper par exemple, un boitier TO202 s’élèvera de 100°C par rapport à la température
ambiante.
Attention : les valeurs figurant dans ce tableau sont des ordres de grandeur. Pour
plus de précision, consulter les spécifications (ou datasheet) constructeur du composant.
Tableau
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 26
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 27
CHAPITIRE 2 : REGIME IMPULSIONNEL
2.1. INTRODUCTION
Nous pouvons définir la commutation comme étant le changement rapide d’état
de fonctionnement de composants électroniques. C'est-à-dire le passage de l’état de
fonctionnement (conduction) à l’état de non fonctionnement (non conduction) et vice
versa des composants électroniques.
Un composant fonctionnant en commutation présente donc deux états stables.
Donnons quelques exemples :
Exemple 1 : Interrupteur : état ouvert et état fermé
Exemple 2 : Diode : état bloqué et état passant
Exemple 3 : Transistor : état bloqué et état saturé
Dans ce chapitre nous nous proposons d’étudier le comportement des diodes et
des transistors dans chacun des deux états stables et les propriétés de commutation de ces
composants. Quelques applications faites de la diode et du transistor en commutation
seront données afin de justifier l’intérêt pratique de ce chapitre. Il est à noter que le
dopage des semi-conducteurs des composants actifs fonctionnent en commutation est
d’un degré plus important que celui d’autres composants connus assurant principalement
le redressement et l’amplification.
Remarquons qu’en commutation, la nature des signaux utilisés est
impulsionnelle. Les impulsions rectangulaires et trapézoïdales sont les plus utilisées.
2..2. IMPULSION
2.2.1. Définition
Une impulsion est un signal de très courte durée (tension ou courant).

Précisions les caractéristiques des impulsions rectangulaires et trapézoïdales
couramment utilisées en commutation, prises parmi tant d’autres.
2.2.2. Impulsion rectangulaire
La courbe représentative de l’amplitude de l’impulsion en fonction du temps est
un rectangle. Elle est caractérisée par son amplitude A et par sa durée tp (fig. : 1.1a). Elle
peut être produite à des intervalles de temps égaux ou non ; son amplitude peut être
positive ou négative.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 28
u i
u i
A
A
tp
t t
tr tf
Fig. 2.1.a. : Impulsion trapézoïdale
Fig. 2.1.b. : Impulsion trapézoïdale
A : Amplitude
A : Amplitude
tp: durée de l’impulsion tr: Temps de montée (rise time)
2.2.3. Impulsion trapézoïdale
Dans ce cas la courbe représentative de l’amplitude en fonction du temps à la

forme d’un trapèze (fig. 2.1.b).
Nous définissons alors :
- le temps de montée de l’impulsion : c’est la durée du front oblique qui correspond
à la croissance de l’amplitude de zéro à la valeur maximale A. il est habituellement
désigné par tr (rise time = temps de croissance) ;
- le temps de descente de l’impulsion : c’est la durée du front oblique qui correspond
à la décroissance de l’amplitude de la valeur maximale A à zéro. Il est désigné par
tf (fall time= temps de décroissance).
NOTE : une impulsion donnée subit une certaine déformation à sa traversée dans une
diode ou dans un transistor, ceci est dû au fonctionnement propre de ces
éléments.
2.3. DIODE A JONCTION EN COMMUTATION
Nos explications vont se baser sur la figure 2.2 ci-dessous. Pour changer l’état de
conduction de la diode, le commutateur SW passera rapidement du point A au point B ou
inversement. Sur la position A la diode est bloquée tandis que sur la position B elle est
passante.
P N
0
SW E
B - +
A
E
+ -
Fig. 2.2 : Diode en commutation
SW : Commutateur tournant au point O

SW sur A : diode bloquée
SW sur B : diode passante, les électrons majoritaires vont de N vers P
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 29
2.3.1. Fonctionnement
Lorsque la diode est bloquée, elle n’est traversée que par un courant inverse de
saturation trop faible qu’on peut assimiler à un courant nul, défini par les porteurs
minoritaires dont les électrons vont de P vers N. La diode présente une impédance très
grande approximée à la valeur infinie (cas idéal).
Lorsque la diode est passante, elle est traversée par un courant direct I d défini par
les porteurs majoritaires dont les électrons vont ici de N vers P contrairement au cas
précédent. La diode présente ici une impédance très faible, considérée nulle pour une
diode idéale.
Examinons maintenant les phénomènes qu’accompagnes la commutation.
a) Passage de l’état bloqué à l’état passant :
SW sur A, la jonction est bloquée et présente une forte résistance et est traversée par un
courant très faible Iimv. Si SW passe brusquement de A à B, on soumet brusquement la
diode à une tension directe (de 0,7V par exemple pour une diode au silicium). La diode
va être traversée par un courant direct Id.
Mais ce courant n’atteindra pas instantanément sa valeur maximale Id. il croîtra
progressivement de la valeur zéro à un maximum, au fur et à mesure que les porteurs
majoritaires se mettront en mouvement.
Autrement dit la résistance passera progressivement de l’infini à zéro. Ce temps
d’établissement du courant direct ou de l’effondrement de la résistance est appelé temps
de recouvrement direct et est noté « tson ». Remarquons que la loi d’établissement du
courant direct est une loi exponentielle.
b) Passage de l’état passant à l’état bloqué
Le commutateur SW sur B, la jonction est passante et présente une faible résistance et est
traversée par un courant direct de valeur maximale Id. Si SW passe brusquement de B à
A, on soumet brusquement la diode à une tension inverse. Un courant décroissant de Id à
Iimv va traverser la diode.
En effet, les électrons se trouvant lors de la commutation dans la zone P doivent
ou se recombiner avec des trous, ou retourner dans leur zone d’équilibre (N). Cela veut
dire qu’un courant décroissant de sens contraire à Id circule pendant un intervalle de
temps très court après l’application de la tension inverse.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 30
Ce courant est dû au retour des porteurs majoritaires dans leurs zones

d’équilibres ; son intensité est très supérieure à celle Iimv du courant inverse normal de la
jonction. En effet lors de l’application de la tension inverse, la jonction présente encore
une résistance presque nulle qu’elle avait immédiatement avant.
Donc la diode à jonction ne présente à nouveau une résistance inverse élevée
qu’après un certain temps appelé temps de recouvrement inverse et noté
« ts off ».
Donnons à titre d’exemple les valeurs des temps de recouvrement d’une diode de
commutation : ts on = 15 ns ; ts off = 8 ns.
La descente est donc plus rapide que la montée.
Nous présentons ci-dessous un montage comprenant une diode de commutation
ainsi que les diagrammes des temps des tensions mesurées sur le circuit de ce montage.
2.3.2. Montage comprenant une diode de commutation et diagramme des temps des
tensions
Afin de mettre en évidence les propriétés précédentes, nous utilisons un montage

où le générateur fournit une tension rectangulaire V égale à + U ou à – U (fig. 2.3).
v
+U
t
0
−U
a) Tension rectangulaire symétrique b) Montage

Fig. 2.3
Nous voulons tracer les diagrammes de temps des tensions mesurées
respectivement aux bornes de la résistance (R = 100 Ω par exemple) et aux bornes de la
diode D. lorsque la diode conduit, elle présente une faible résistance R d négligeable
devant R et la tension à ses bornes est presque nulle.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 31
Donc V = VR = R i = + U (fig. 1.4 b et c de 0 à t1).

Lorsque la diode est bloquée, elle présente une résistance très grande (tendant
vers l’infini). La résistance n’est traversée par aucun courant et toute la tension V est
mesurée aux bornes de la diode.
Donc V = VD = - U (fig. 2.4 b et c de t2 à t1).
Lors de la commutation dans le sens de l’état passant à l’état bloqué, instant t r où
la tension passe de + U à – U, la diode présente encore une résistance nulle et est
traversée par un courant tel que VR = - R.i = - U. Mais après un temps de recouvrement
inverse (t4 – t3) la diode présente une résistance nulle et laisse passer un courant i tel que
VR = R.i = + U est donc VD = 0. VR évolue exponentiellement de 0 à + U tandis que VD
de + U à 0 (fig. 2.4.b et c de t3 à t4).
V
t1 t3
0 t
VR
t1 t2 t3 t4
0 t
t s off t s on
VD
0 t2 t3 t4 t
Fig. 2.4 : Diagramme des temps des tensions
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 32
2.3.3. Quelques applications de la diode en commutation
Nous parlerons :
- de la pompe à diodes (compteuse d’impulsions) ;
- des portes logiques (AND, OR) ;
- de la matrice de codage des nombres décimaux en code binaire « BCD ».
2.3.3.1. Circuit de comptage (pompe à diode)
Le montage dit « pompe à diode » est un circuit de comptage qui permet de

dénombrer des impulsions d’amplitude constante A (fig. 2.5.b, a).
Ve
C1
A D1
Ve R D2 Vs
C2
i2
i1
t
0
a) Signal impulsionnel b) Pompe à diode

Fig. 1.5. Signal impulsionnel
Lors de la première impulsion, un courant i1 charge les condensateurs C1 et C2 en

passant par D1. La tension aux bornes de C2 atteint une valeur V’. A la suppression de
cette impulsion, C1 se décharge à traverse R et D2 (courant I2). A la cause de la diode D1,
C2 ne peut pas se décharger : il conserve donc entre ses bornes la tension V’. Lors de la
deuxième impulsion, un nouveau courant i’1 charge C1 donc aussi C2, à travers D1, et la
tension aux bornes de C2 devient V’’  V’). Puis C1 se décharge, etc.
Nous obtenons donc aux bornes de C2 une tension Vs en escalier. Le nombre de
marches de l’escalier est égal au nombre d’impulsions (fig. 2.6). De la mesure de la
tension Vs à l’aide d’un voltmètre gradué à cet effet, il est possible de déduire le nombre
de marches (tant que le condensateur n’est pas complètement chargé).
On peut prendre des dispositions telles que lorsque cette tension atteint une valeur
suffisante U, le condensateur est automatiquement déchargé afin de permettre à nouveau
le comptage d’une autre série d’impulsions ; si U correspond au passage de 10,
impulsions, celles-ci sont donc comptes 10 par 10 ? Le circuit est une diode compteuse.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 33
VS
3
2
1
t
0
Fig. 2.6 : Tension aux bornes de C2
En pointillé, on reconnait l’allure de la courbe de la tension exprimant la charge

d’un condensateur sous une tension E.
2.3.3.2. Les portes logiques à diode
Parmi les circuits de base utilisés dans l’ordinateur, on peut citer les portes AND
(ET) et OR (OU) ; celles-ci peuvent être matérialisées à l’aide des diodes de
commutation. Faisons remarquer qu’en logique électronique (circuit logiques) les deux
états logiques notés 0 et 1 représentent l’absence et la présence de tension (en logique
positive). Nous utiliserons cette notion dans ce qui suit :
a) La porte logique ET (AND GATE)
La porte logique AND est un circuit logique qui a au moins deux entrées et une
sortie telle que la sortie est à l’état 1 uniquement lorsque toutes les entrées sont à l’état 1.
Dans le cas contraire la sortie est à l’état 0 ; ce qui vient d’être dit se résume dans
le tableau suivant dit « table de vérité » établie pour une porte à deux entrées E1 et E2 et
une sortie S. aux entrées E1 et E2 on a représenté toutes les éventualités combinatoires
possibles entre E1 et E2. Nous allons présenter un circuit dont le
ENTREES SORTIES fonctionnement conduit à la table de vérité ci-
E1 E2 S contre. En complétant le tableau (Tab.2.2), en
0 0 0 particulier en indiquant l’état passant (ON) ou
0 1 0
1 0 0 bloquant (OFF), des diodes et en marquant l’état
1 1 1 logiques du point S (1 ou 0), le lecteur montrera
TAB. 2.1 que le circuit de la figure 2.7 matérialise bien la
fonction AND.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 34
+ VCC TAB. 2.2

E1 E2 D1 D2 S
0 0
E1 0 E 2
1 D1 D2 S E1 E2
1 VR 1 0 0
0
D1 1 1
E1 0 1 E1 E2 E1 E 2
0V V Table 2.2
1 0 E E2
1 E1 E2 1
EV2 V E1 E2
1 1
V0 D2
E1 E 2
S
V E1 E2
E1 E2
V E1 E2
V E1 E2
V
V
Fig. 2.7 : circuit AND
On rappellera que la diode ne peut conduire que lorsque son anode est au
potentiel plus élevé que celui de sa cathode.
b) La porte logique OU (OR GATE)
La porte logique OR (OU) est un circuit logique qui a au moins deux entrées et
une sortie tel que la sortie est à l’état 0 uniquement lorsque toutes les entrées sont à l’état
0. Dans le cas d’une porte OR à deux entrées on a la table de vérité suivante (TAB. 2.3).
En complétant le tableau (TAB. 2.3) en particulier en indiquant l’état passant
(ON) ou bloquant (OFF) des diodes et en marquant l’état logique du point S (1 ou 0), le
lecteur
+V
montrera que le circuit de la figure (fig.2.8) matérialise bien la fonction OR.
CC
TAB.Tab.2.3
2.3
E1 E2
V E1 E1 E2E2 DS1 D2 S
0 0
0 0 01
1
E1 D1 0 1 10
0 1 1 E1 E2
1 0 E1 EE21 E2
1 V S Tab.2.4
V V 1 1 E1 E2
V0 E2 D2 E1 E2E1 DE12 D2 E1 E2
V R V
0 0
E1 EE2 1 E2
0 1 E1 E2 E1 E2
V V
V V 1 0
1 1
Fig.2.8 : Porte OR
Par rapport à la porte AND, la porte OR à sa réalisation R de conditionnement au

point froid et à ses diodes renversées.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 35
2.3.3.3. Le sélecteur à diodes
Ce circuit à structure matricielle à diodes est un ensemble de portes « AND »

disposées parallèlement comme il est indiqué sur la fig.1.9 où chaque porte possède trois
entrées X, Y, Z. les sorties de ces portes sont notées respectivement A, B, C, D, E, F, G,
H.
Le sélecteur fonctionne de telle manière qu’à une combinaison de variables
d’entrées, une seule et une seule sortie est active, c'est-à-dire est à l’état 1, toutes autres
étant à l’état 0. Avec trois variables d’entrée, il y a 8 éventualités combinatoires (2 3)
comme représenté sur la table TAB.2.5 : que l’on demande au lecteur intéressé de remplir
en prenant connaissance de la convention suivante :
Chaque entre (X, Y, Z) a deux voies a et b ; un commutateur à deux contacts
permet d’inverser les niveaux logiques de ces deux voies. Nous admettons qu’une
variable X, Y, Z est directe (1 logique) si la voie a est au niveau haut (1 logique). Elle est
inversée (0 logique) si la voie a est à 0 et b à 1.
VCC
R R R R R R R R
1
a3
0 X
b3
1
Y a2
0
b2
1
Z a1
0
b1
1
H G F E D C B A
Fig.2.9 : Sélecteur à diode
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 36
TAB. 2.4
ENTREES LIGNES ACTIVES SORTIE ACTIVE

X Y Z NOTE : une porte AND est
0 0 0 active lorsque toutes ses entrées
0 0 1 sont à l’état 1.
0 1 0
0 1 1 Pour cela, toutes ses diodes sont
1 0 0 bloquées chacune d’elles
1 0 1 a1b2a3 C recevant une tension positive
1 1 0
1 1 1
(état 1) par sa cathode.
Il est demandé au lecteur intéressé de remplir la table TAB.2.4. Quant à nous

nous le ferons pour la combinaison 101 prise arbitrairement. Pour cette combinaison X
X=1, Y= 0, Z = 1. Les lignes actives sont a1b2a3. Cette situation n’est réalisée que pour
les diodes de la colonne C déterminée par élimination (a1b2) a3.
2.3.3.4. Matrice de codage des nombres décimaux en code binaire « BCD »
TAB. 2.5. Chiffres décimaux en Binaire
Dans l’ordinateur les nombres sont
représentés en binaire ou en un code utilisant la CHIFFRE DECIMAL CHIFFRE CODE BINAIRE
0 0000
représentation binaire. La table TAB.2.5 1 0001
représente les dix symboles décimaux écrits en 2 0010
3 0011
binaire pure. Le code binaire (BCD) procède à la 4 0100
5 0101
juxtaposition des chiffres décimaux écrit chacun 6 0110
en binaire pour composer un nombre de plus d’un 7 0111
8 1000
chiffre décimal.
9 1001
Tab.1.6
Exemple : 245 s’écrit :
0010 0100 0101
2 4 5
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 37
23 2² 21 20
8 4 2 1
DEC
23 2² 21 20
0
1
0
2
1
3 2
4 3
5 4
6 5
7 6
8 7
9
8
Fig. 1.10. Matrice de codage des chiffres décimaux en code binaire
On remarquera les groupes de 4 éléments binaires légèrement espacés en vue de

reconnaître mentalement chaque équivalent décimal des chiffres écrits en binaire.
Considérer le circuit de la fig. 1.10 et remplir la table TAB.2.7 pour montrer que
ce circuit est une matrice de codage des nombres décimaux (0 à 9) en code binaire.
24. LES TRANSISTOR EN COMMUTATION

2.4.1. Introduction
En commutation, le transistor présente deux états stables : l’état bloqué

correspondant à un interrupteur ouvert et l’état saturé comparable à un interrupteur
fermé. Nous allons examiner le comportement du transistor dans chacun de ces états ainsi
que les conditions de chargement d’état (commutation) de celui-ci. Si un interrupteur
ouvert ne laisse passer aucun courant, par contre un transistor bloqué, son équivalent, est
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 38
parcouru par un courant résiduel quoique très faible, courant inverse de saturation I CEO en
montage émetteur-commun.
2.4.2. Etat bloqué du transistor
On peut bloquer le transistor en supprimant son courant de base (I B = 0). Soit en

polarisant la jonction de l’émetteur en inverse à l’aide d’une tension V pol de blocage (fig.
2.11). +VCC
IC
RC
RB
VCE ≈ VCC
Vpol
IB < 0
Fig. 2.11 : Transistor bloqué

- Si IB = 0, IC = ICEO = (β+1) ICBO .la tension aux bornee de RC est négligeable d’où
VCE VCC ;
- Avec une tension de blocage Vpol un courant négatif (IB< 0) très faible parcourt la
jonction d’entrée et a pour effet de réduire le courant de sortie en 𝐼′𝐶𝐸0 ≪ 𝐼𝐶𝐸0 .
𝐈𝐂𝐄𝐎
𝐈′𝐂𝐄𝐎 = , on a de même 𝑅′𝐶𝐸 ≫ 𝑅𝐶𝐸
𝛃
A l’état bloqué donc, les résistances RBE et RCE sont énormes, les deux jonctions
d’émetteur (JE) et de collecteur (JC) étant polarisés dans le sens bloquant.
2.4.3. Etat saturé du transistor
On sature le transistor à l’aide d’un courant de base de valeur convenable (fig.

1.12). Une valeur de courant de base insuffisant ne peut saturer le transistor. Pour chaque
transistor, le constructeur signale le courant minimal IBmin de base qui sature le transistor.
Il est adéquat d’adopter une valeur IB1IBmin pour s’assurer la saturation. Ce courant de
déblocage IB1 = 2 à 10 IBmin en pratique. On définit alors un facteur de saturation.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 39
IB1
FS = , qui est de 2 à 10.
IBmin
+VCC
ICmax
RC
RB
VCE ≈ 0
IB
VB
Fig. 2.12 : Transistor saturé

Pour un transistor saturé, le courant collecteur veut Icmax tel que 𝐈𝐜𝐦𝐚𝐱 = 𝛃𝐍 𝐈𝐁𝐦𝐢𝐧 avec
𝐈𝐂
𝛃𝐍 = 𝐡𝟐𝟏𝐄 = rapport statique de transfert direct du courant (à sortie en court-circuit)
𝐈𝐁
ou gain en courant statique en émetteur-commun. (𝐈𝐂 et 𝐈𝐁 Deux courants continus).
La tension de saturation VCEsat vaut presque zéro. En effet, on a
VCC = R C ICmax + VCEsat est grand et R C chute pratiquement toute la tension à ses bornes.
𝐕𝐂𝐂
D’où :𝐈𝐂𝐦𝐚𝐱 ≈
𝐑𝐂
Par le fait que VCEsat ≈ 0 suggère que R CE ≈ 0, c'est-à-dire que la jonction de

collecteur JC est polarisée dans le sens direct. Il en est bien ainsi malgré qu’on ait pas
inversé la tension VCC qui initialement polarise la même jonction en inverses (situation
d’avant la saturation). Ceci est un phénomène interne au transistor. Ce phénomène peut
se traduire comme suit :
Dans le fonctionnement en amplificateur, la jonction de collecteur propulse dans
le collecteur tous les porteurs (électrons) minoritaires de la base qui l’atteignent.
Pour un transistor saturé, au lieu d’avoir𝐈𝐂 = 𝛃𝐈𝐁 , nous avons 𝐈𝐜𝐦𝐚𝐱 < 𝛃𝐍 𝐈𝐁𝟏 ; on injecte
dans la base plus de porteurs minoritaires que le collecteur ne peut en évacuer. On dit
qu’il y a des charges stockées à la base, ce qui fait que la jonction soit polarisée dans le
sens passant. VCB Change de signe. Dans le cas d’un transistor NPN nous avons à l’état
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 40
saturé : VBE>VCE parsuite𝐕𝐁𝐂 = 𝐕𝐁𝐄 + 𝐕𝐄𝐂 = 𝐕𝐁𝐄 − 𝐕𝐂𝐄 > 𝟎. Mais attention il faut noter
que IC ne s’inverse pas avec VCB ; des mesures vérifient ce résultat.
2.4.4. Courbes caractéristiques et droite de charge
Les deux états de fonctionnement d’un transistor en commutation (état bloqué et

état saturé) correspondent à deux points de repos situés sur la droite de charge (fig. 2.13).
IC
𝐕𝐂𝐂
Q′ IB1
𝐑𝐂
Cette courbe n’existe pas
Q
en régime de commutation
A
IB = 0 μA
A′ IB < 0 V
CE
0 Fig. 1.13 : 𝐕𝐂𝐂
Q : point de repos du transistor saturé avec un courant de base IBmin . Quant on adopte
IB1 ,Q vient en Q’ peut différent de Q.
A : point de repos du transistor bloqué avec 𝐈𝐁 = 𝟎. Avec une tension de blocage Vpol
(avec IB < 0) A vient en A’ réduisant le courant résiduel de sortie.
2.4.5. Transistor inversé
Dans le fonctionnement inversé du transistor, l’émetteur joue le rôle de collecteur

et le collecteur celui d’émetteur (fig. 2.14). La jonction collecteur-base est ici polarisée
dans le sens direct et la jonction émetteur-base dans le sens inverse.
E
B
VEE
VBB
C
Fig. 2.14 : Transistor bloqué, inversé
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 41
Nous pouvons définir une amplification en courant𝛃′𝐈𝐁 . Seules des raisons de

dissymétrie entre collecteur et émetteur (différence des surfaces des jonctions) font que
𝛃′ est inférieur à 𝛃. Ce fonctionnement est néanmoins utilisé en commutation car dans
ces conditions le courant résiduel et la tension de déchet sont très faibles.
En résumé, nous pouvons rassembler dans un tableau les quatre régimes de
fonctionnement du transistor (TAB. 2.8).
TAB. 2.8 : Les 4 régimes de fonctionnement du transistor
REGIME
NORMAL BLOQUE SATURE INVERSE
POLARISATION
Jonction d’émetteur Directe Inverse Directe inverse
Jonction de collecteur Inverse Inverse Directe Directe
Résultats (cas du transistor IC = βIB IC ≈ 0 IC < βIB IE = β′IB
NPN-EC) VCE > 0 VCE = VCC VCE = 0 VCE < 0
2.4.6. Caractéristiques statiques et dynamiques
Nous allons ici indiquer simplement les définitions et les résultats essentiels
concernant le transistor utilisé en commutation ; beaucoup de ces résultats ne pourront
être justifiés qu’après un aperçu des méthodes de calcul.
Les caractéristiques :
- statiques concernant les propriétés du transistor à l’état bloqué et à l’état saturé ;
- dynamiques concernant les modalités du passage de l’état bloqué à l’état saturé et
inversement ; il est essentiel que ces transistors soient rapides afin qu’une
impulsion d’entrée soit restituée par le transistor avec le minimum de déformation.
2.4.6.1. Caractéristiques statiques
a) Transistor bloqué
1. Courants inverses :
Les jonctions de collecteur JC et d’émetteur JE, polarisées en inverse, laissent
passer chacune un courant inverse qui doit être le plus petit possible.
2. Résistances entre collecteur et émetteur et entre base et émetteur
Elles sont énormes, les jonctions étant polarisées en inverse ; puis le courant
résiduel de sortie diminue, plus la résistance entre collecteur et émetteur (R CE )n’est plus
grande.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 42
Cette résistance est donc plus grande pour le transistor au silicium que pour le
transistor au germanium, et peut s’élever jusqu’à plusieurs dizaines de méga ohms.
b) Transistor saturé
1. La tension de saturation 𝐕𝐂𝐄𝐬𝐚𝐭 ≈ 𝟎 :
- dépend du courant de collecteur et du courant de base ;
- est de 0,1 volt suivant le type ;
- est plus petite pour un transistor dissymétrique fonctionnant en inverse (collecteur
et émetteur permutés) que dans le transistor en fonctionnement normal et que pour
un transistor symétrique.
𝐕𝐂𝐄𝐬𝐚𝐭
2. La résistance de saturation 𝐑 𝐂𝐄𝐬𝐚𝐭 = = très faible
𝐈𝐂𝐦𝐚𝐱
- vaut de quelques dixièmes d’ohm (transistor de forte puissance) à quelques
dizaines d’ohms (c’est l’inverse de la pente de la droite de saturation c'est-à-dire de
charge) ;
- est plus faible pour un transistor symétrique que pour un transistor dissymétrique.
3. La résistance entre base et émetteur est très faible la jonction JE d’émetteur étant
passante
2.4.6.2. Caractéristiques dynamiques
Considérons par exemple un transistor NPN et les sens réels des courants I B, IE, IC
fig. 1.15) ; un générateur entre base et émetteur produit une tension 𝐕𝐛𝐞 (impulsion), le
courant de collecteur IC croit à partir de zéro, atteint un maximum (palier) et retourne à
zéro. Un signal de commande rectangulaire produit un signal de sortie caractérisé par
quatre intervalles de temps : +VCC
IC
IB
VBE RB R1
−VP
IB2 Fig. 2.15 : Base pré-polarisée
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 43
- td : temps de retard tr (time delay) ;

- tr : temps de montée tr (rise time) ;
- ts : temps de stockage ts (stockage time) ;
- tf : temps de descente tf (fall time).
Traçons le diagramme des temps de VBE , IB , IC jet définissons tous ces temps sur le
diagramme de IC (fig. 2.16)
VBE
1 2 3 4
a)
t
IB
IB1
0 t
b)
−IB2
IC
0; 9 ICmax
0; 1 ICmax t c)
td tf
tr ts
Fig. 2.16 : Diagramme des temps
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 44
𝐕𝐁𝐄 et𝐈𝐁 prenant naissance à l’instant marqué 1. Quand VBE existe, la jonction de
l’émetteur est pesante jusqu’à l’instant marqué 2 où VBE disparaît. A cet instant un
courant 𝐈𝐁𝟐 de sens contraire à 𝐈𝐁 évolue de −𝐈𝐁𝟐 à zéro, la jonction JE recouvrant se
résistance inverse énorme.
a) Temps de retard td (delay time) :
On l’appelle aussi temps de réponse. Le courant IC ne commence pas avec le
signal d’entrée et croit d’abord lentement (fig. 2.16.c). On appelle temps de retard
l’intervalle des temps entre le début du signal d’entrée et l’instant auquel I C atteint
10% de sa valeur maximale (soit 0,1.Icmax). Le temps de retard s’explique par les
capacités d’émetteur et de collecteur et par la durée de diffusion des porteurs à travers la
base ; il est négligeable aux tensions usuelles.
b) Temps de montée tr (rise time)
Intervalle des temps pendant lequel le courant croit de 10% à 90% de sa
valeur maximale (0,9.Icmax). La somme des deux temps précédant est le temps de
fermeture ton (turn on time).
ton= td+tr
c) Temps de stockage ts (stockage time)
On l’appelle aussi temps d’accumulation ou retard du temps de descente. C’est
l’intervalle de temps pendant lequel IC est supérieur à 0,9 Icmax après la fin du signal
de commande. Il est dû à la charge stockée à la base du transistor saturé.
d) Temps de descente tf (fall time)
Intervalle de temps pendant lequel le courant décroit de 90% à 10% de sa valeur
maximale. La somme des deux temps précédents est le temps de blocage ou temps
d’ouverture toff (turn-off time).
La notation de ces temps a fit l’objet d’un accord international et provient des
termes anglo-saxons.
Notons que la durée d’une impulsion (tp) est l’intervalle des temps pendant lequel
l’amplitude est supérieure à 50% de sa valeur maximale.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 45
2.4.7. Applications du transistor en commutation
Les transistors sont très utilisés en commutation, en particulier dans :

- Relais, relais temporisé ;
- Convertisseur de tension continu ;
- Multivibrateurs ;
- Circuits logiques ;
- Vibreurs (choppers).
Nous allons examiner quelques applications dans ce qui suit :

2.4.7.1. Relais à transistors
Les transistors permettent de commander un relais électromagnétique, insérer

dans le circuit de collecteur avec un très petit courant de base I B et une très faible
puissance.
a) Relais non retardé
La figure 2.17 représente un relais électromagnétique commandé par le transistor
dès qu’un courant de base IB existe par fermeture de l’interrupteur J. Nous négligeons ici
le temps de fermeture ton très faible. L’enroulement de relais est excité par le courant de
collecteur IC qui le traverse.
+VCC
Circuit de charge
commandé à distance
R1
T
J R2
E
−Vpol
Fig. 218 : Relais non retardé
b) Relais temporisé ou retardé à l’attraction
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 46
Il existe des relais dits temporisés, tel celui représenté dans la fig. 2.18. Le circuit
de temporisation introduit un délai entre l’application du signal de commande E et le
changement d’état du transistor utilisé en commutation. D z est une diode Zener, de
tension Vz donnée. La tension de cathode de Dz est celle Vc aux bornes C qui évolue
exponentiellement suivant la charge de ce dernier à travers R 1 et n’atteint Vz qu’après un
temps de délai.
+VCC
Circuit de charge
commandé à distance
R1 DZ
T
VZ
J R2
+
C
− VC
E
−Vpol
Figure 2.19 : Relais retardé à l’attraction
En effet, lorsque la tension E à l’entrée est nulle, C n’est pas chargé. Lorsqu’on
établit E, pour que le courant de commande IB du transistor s’établisse, la tension 𝑉𝑐 aux
bornes du condensateur de temporisation doit atteindreVz et Dz conduit débloquant le
transistor T.
2.4.7.2. Principe du convertisseur de tension continue-continue
Le montage comprenant deux transistors de commutation, grâce à leur conduction

alternée, fournit à partir d’une tension continue V cc (12 volts par exemple) une tension
alternative aux bornes de l’enroulement secondaire d’un transformateur élévateur de
tension. Un redresseur monté au secondaire fournit des tensions continues très élevées
(280V ; 700V par exemple). Il existe des émetteurs-récepteurs équipés de tels montages
pour alimenter l’étage final de l’émetteur qui demande une plus grande puissance. Le
schéma 2.20 donne le principe de ce convertisseur de tension continue-continue.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 47
−
ic1
T1
+VCC N′1 D1 D2
+
− N3
C
R2 D4
T2 D3 Ru
R1
ic2 N1
+
−
N′2
+
−
N2
+
Fig. I.19 : Principe de conversion de tension continue-continue
La source continue Vcc débite alternativement dans les demi-primaires (N1’, N1)
d’un transformateur lorsque les transistors T1 et T2 sont alternativement bloqués et
saturés. La commutation (déblocage et blocage) des transistors est commandée par
l’enroulement auxiliaire (N2, N2) avec prise médiane qui fournit deux tensions de signes
contraires par rapport aux émetteurs réunis, tensions dont les sens dépendent de
l’établissement ou de la disparition des courants de collecteurs. Montrons-le en supposant
au départ que T1 conduit et T2 est bloqué. Ic1 varie de zéro à Ic1max ; pendant ce temps un
flux variable  crée par Ic1 circule dans le noyau. Le demi-primaire N1 embrasse de ce
fait un flux total variable  = N1 et est le siège d’une force électromotrice self-induite.
𝐝𝚽 𝐝𝛗
𝐞= = 𝐍𝟏 Et dont le sens est indiqué sur la figure 2.20
𝐝𝐭 𝐝𝐭
Chaque demi-enroulement N2, embrasse de même un flux variable ϕ = N2 φ et

est le siège d’une force électromotrice d’induction.
𝐝𝛟 𝐝𝛟
𝐞𝟐 = = 𝐍𝟐 Dont les sens sont indiqués sur la figure 2.20.
𝐝𝐭 𝐝𝐭
Dans ces conditions, la base B1 reçoit une tension qui évolue positivement et la
base B2 reçoit une tension qui évolue négativement. T1 conduit d’avantage et T2 assure le
blocage. Lorsque Ic1 tend vers Ic1max le flux  approche de +max et son taux de variation
d/ dt diminue, entraînant la diminution de /c2 et de VBE1 et T1 se bloque ;
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 48
Ic1décroît et cette décroissance inverse toutes les tensions induites : VBE2

augmente de –e2max tend vers zéro, débloque T2 et Ic2 prenant naissance élève
VBE2 vers +e2max ; VBE1 évoluant jusqu’à –e2max. Lorsque Ic2 atteint le maximum,
(𝛟 = −𝛟𝐦𝐚𝐱 )les phénomènes se renversent de nouveau, et ainsi de suite.
L’enroulement N3 secondaire du transformateur, est le siège d’une tension variant
alternativement.
Le secondaire débite sur la charge par l’intermédiaire d’un redresseur constitué de 4
diodes montées en pont de Graëtz et du condensateur C qui assure le filtrage de la tension
redressée.
Le transformateur assure donc deux rôles :
- détermination de la fréquence de commutation ;
- transfère de puissance avec changement de tension.
Son noyau est à cycle d’hystérésis rectangulaire, donc à saturation brusque.
On peut montrer que le flux varie linéairement entre −∅𝐦𝐚𝐱 𝐞𝐭 + ∅𝐦𝐚𝐱 . En effet,
examinons l’équation de maille écrite quand T1 conduit :
𝐝𝛗 𝐝𝛗
𝐕𝐜𝐜 = 𝐍𝟏 + 𝐫𝟏 𝐢𝐜𝟏 + 𝐕𝐂𝐄𝐬𝐚𝐭 ≈ 𝐍𝟏
𝐝𝐭 𝐝𝐭
𝐝𝛗 𝐕𝐜𝐜
d’où = = constante
𝐝𝐭 𝐍𝟏
donc varie linéairement
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 49
CHAPITRES 3. MULTIVIBRATEURS
3.1. Introduction
Les multivibrateurs sont des montages à deux transistors de commutation et deux
circuits RC qui produisent des tensions rectangulaires ; chaque transistor passe
alternativement de l’état bloqué à l’état saturé (en général) ; en dehors des basculements
très rapides d’un état à l’autre, un seul transistor conduit, et l’autre reste bloqué. Les
montages multivibrateurs sont très nombreux, mais leur mode de fonctionnement les
classe en trois types : ASTABLE, MONOSTABLE et BISTABLE.
- LES MULTIVIBRATEURS ASTABLE : véritables oscillateurs, mais à taux de
réaction très élevé ne leur permet pas une tension de sortie sinusoïdale. Bien qu’ils
oscillent spontanément, on les commande souvent par des impulsions afin de les
synchroniser avec un phénomène extérieur ;
- LES MULTIVIBRATEURS MONOSTABLES : restent dans leur état stable en
absence d’impulsion extérieure ; une impulsion les fait basculer dans leur état
instable (ou quasi-stable), d’où ils retournent spontanément à l’état stable, la durée de
l’état instable dépend d’une constante de temps RC : c’est la période du
multivibrateur monostable ;
- LES MULTIVIBRATEURS BISTABES (OU BASCULES) : qu’une impulsion
fait passer de l’un des états stables à l’autre ; en l’absence d’impulsion de commande,
ils restent indéfiniment dans l’un quelconque des deux états stables, celui qu’avait
provoqué la dernière impulsion reçue ; il n’est donc pas question de période comme
dans les deux autres types.
Les buts des multivibrateurs sont : produire et modifier des impulsions, à les
compter, à ouvrir et fermer des circuits à représenter des nombres en binaire… Ce sont
des circuits de base dans d’importantes techniques : calculateurs digitaux, télévision,
radar, oscillographie…
On a tendance à réserver le terme multivibrateur pour le circuit astable, le terme
bascule (ou flip-flop) pour le bistable et le terme temporisateur pour le circuit
monostable, qui est encore nommé univibreur.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 50
3.2. Multivibrateur Astable

a) Montage
+VCC
RC1 RB2 RB1 RC2

C1 C2
K K
T1 T2
K K
Fig. 3.1
b) Fonctionnement
Diagramme de temps des tensions des collecteurs et des bases
La figure 3.2 donne la forme des signaux prélevés au niveau des collecteurs et au
niveau des bases. La tension de sortie, sur l’un des collecteurs, est rectangulaire. On peut
obtenir des impulsions brèves en le dérivant et une tension triangulaire en l’intégrant.
Nous partons de la situation : T1 conduit, T2 bloqué. Ensuite ces instants 1 et 2 :
T1 conduit, VCE reste constant et égal à zéro, VBE reste constant et égal à zéro : CL se
décharge exponentiellement entraînant VB’E’ de croître exponentiellement aussi jusqu’à
débloquer T2 en 2 où VC’E’ décroit brusquement à zéro ; VBE décroît de la même manière
bloquant T1, VCE augmente brusquement confirmant la conduction de T’.
Entre les instants 2 et 3, VCE’ ; VCE’ et VBE’ restent constant, C’ se décharge car T’
conduit alors que C1 se charge lentement et VBE croît jusqu’à débloquer T en 3, et ainsi
de suite.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 51
c) Oscillogrammes
VCE 2 3 4 5 6 7
1
0 t
VBE
0 t
−VCC
VCE
0 t
VBE
0 t
−VCC
Figure 3.2 : Diagramme des temps de l’Astable
d) Période d’oscillation
T= 0,7 (RB1.C2 + RB2CL)
➢ Si R1= R’1= R et CL= C’L= C : ⟺ T= 1,4 RC
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 52
3.3. Multivibrateur monostable
a) Montage
+VCC
RC CL RBD R′C R
C1
R′B
T T′V
E B B′
E′
C
CE R E VR R′B VD
Sy
Fig. 3.3 : Le monostable

b) Fonctionnement
Il dérive du multivibrateur astable par remplacement d’une des liaisons en
alternatif par une liaison R en continu ; en réalité, on laisse une capacité CL en parallèle
avec R pour la transmission des fronts raides de collecteur C à la base B’. lorsqu’on
supprime les impulsions de commande, le courant IB existe et sature T ; le pont de
polarisation R, R’B est choisi de façon que VB’E’<0 lorsque T conduit ; T’ est donc bloqué
et cet état est stable.
Une impulsion négative sur B diminue IB, donc Ic ; VCE croît ainsi que VB’E’
permettant la naissance de I’B et I’C. VC’E’ diminue, il en est de même de VBE confirmant
le blocage de T.
Le montage ne peut rester indéfiniment dans cet état, car C1 se décharge à travers
RB permettant à VBM de dépasser VEM ; le montage retourne spontanément à l’état initial.
Dans l’état stable, le transistor bloqué est donc celui que commande la liaison continu. La
période du multivibrateur monostable, c'est-à-dire la durée de l’état instable, est de
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 53
l’ordre du produit RBC1 ; de cette façon, elle est constante et permet d’obtenir des
impulsions de longueur bien déterminée à partir d’impulsions de Longueur variable, c’est
la mise en forme des impulsions ; le montage sert encore à retarder les impulsions (ligne
de retard).
c) Diagrammes de temps des tensions
VCE
0 t
VC′E
0 t
VB′E
0 t
VBE
0
SC
0 t
Fig. 3.4 : Diagrammes de temps
d) Période du monostable
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 54
T = 0,7. R’B. C1
3.4. Multivibrateur Bistable (ou bascule = flip-flop)

Nous proposons ci-dessous quelques montages des bistables parmi lesquels un
montage du type de ceux utilisés en circuits logiques, en technique digitale. Si on
remplace la liaison en alternatif du multivibrateur monostable par une seconde liaison en
continu, le montage obtenu a deux états stables : la bascule.
3.4.1. Bistable à commande par les émetteurs (types Ecclès-Jordan)
L’impulsion positive de commande agit sur l’émetteur d’un transistor conducteur
pour le bloquer, nous savons que le blocage de l
’un des transistors sature l’autre (fig. 3.5).
+VCC
I′C
RC CL CL
R′C
CC
R C′
RS
T T′ 1 2 3
E B B′
C E′
M t
SC
RB CE R E R′B
t M
Fig. 3.5 : Flip-flop à commande par les émetteurs
Supposons qu’à la mise sous tension le transistor T devienne conducteur (les

deux transistors ne conduiront pas simultanément) ; il s’ensuit que T’ est bloqué à cause
de l’impulsion négative sur B’ à la chute brusque de V CE. Le montage peut rester
indéfiniment dans cet état car les résistances de polarisation R, R B, RB’ sont telles que
VBE0 et VB’E’<0
En effet VB’=VcVE or VBVE
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 55
Une impulsion positive sur les émetteurs n’a d’effet que sur T (conducteur) car
comme VE monte IB diminue, donc Ic. VCE croît ainsi que VB’E’ ; IB prend naissance, ainsi
que I’C donc VC’’E’ décroît, ce qui accélère la décroissance de VBE’ IB et IC, etc…
NOTE : une impulsion qui bloque le transistor conducteur est plus efficace qu’une
impulsion de signé opposé, qui rendrait conducteur le transistor bloqué ; CE empêche le
contre-réaction par RE lors des basculements.
3.4.2. Bistable à commande par les bases
+VCC
CL CL
RC R′C
S1 S2
R C′
T T′
B B′
E E′
R1 R2
RB R′B
D1 D2
CI C2
+V
SC
Fig. 3.6 : Bascule à commande par les bases
Une impulsion négative agissant sur la base d’un transistor conducteur le bloque
alors qu’elle n’a aucun effet sur un transistor déjà bloqué. Le déclenchement se fait au
moyen d’une impulsion positive à partir du front arrière obtenu après que celle-ci est
différenciés par l’ensemble C1 et R1 (ou C2 et R2) ; à cause de la tension positive à
laquelle la résistance R1 (R2) est connectée lorsque T (T’) est bloqué.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 56
SC
Impulsion appliquée sur

les condensateurs
0 t
SE
V
Signal réel de déclenchement
0 t
Signal réel de déclenchement
−V
Fig. 3.7: Signal de commande
La figure 3.7 montre avec assez de clarté, l’allure du signal réellement appliqué sur
les diodes. V+ est une tension positive de maintien, elle sert à bloquer les diodes.
Supposons que T est bloqué et T’ conducteur (état stable). +V est choisi supérieur
à la tension positive de la base du transistor conducteur ; les diodes sont donc bloquées.
La présence de l’impulsion positive rend les diodes plus bloquées ; la tension positive est
donc isolée des bases.
La commutation s’effectue à partir du front arrière du signal de commande
devenant très négatif, débloquant les diodes, atteint les bases des transistors, mais T étant
bloqué il ne réagit pas devant un front négatif du signal de commande tandis que l’étage
T’ qui est saturé, va recevoir le signal négatif sur sa base et se bloque. Le blocage de T’
va débloquer T (effet commutatif connu).
Si une nouvelle impulsion est appliquée au système, le système va de nouveau
commuter. Le système commute à chaque impulsion de commande de telle sorte que le
signal qui apparaît sur les sorties, a une période deux fois plus grande que celle du signal
d’entrée. Le diagramme des temps le confirme (fig. 3.8). C’est une bascule compteuse
dont la principale caractéristique est de diviser la fréquence du signal d’entrée par deux.
Elle peut aussi servir à représenter les nombres binaires (un élément binaire).
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 57
❖ Diagrammes de temps
Soit au départ T bloqué et T’ conducteur, on a la figure suivante :
SC T : période du signal de commande
Fe = 1/Te : fréquence du signal de commande
TS = 2Te = période du signal de sortie
0 t
VCE FS = 1/TS = Fe/2 : fréquence de signal de sortie
Te FS est donc la moitié de Fe.
0 t
VC′E TS = 2Te
Fig. 3.8: Diagrammes de temps d’une bascule

0 t
3.4.3. Bascule à deux entrées RS
Jusqu’à présent nous avons rencontré des bascules dont le signal de commande
est appliqué sur les deux transistors simultanément, un aiguillage faisait que ce signal
n’avait d’effet que sur un seul transistor.
Dans les bascules utilisées dans les circuits logiques (dans les ordinateurs) on
rencontre deux entrées distinctes pour deux signaux de commande de la bascule. Dans le
cas de la bascule RS (fig. 1.29), les deux signaux de commande ne doivent être appliqués
simultanément, ceci ne définit aucun état stable précis.
+VCC +VCC
R′C S Q
RC CL CL
Q ̅
Q R ̅
Q
R R
Symbole du basule RS
T′ T′′
D1 R1 R2 D2
R S
Fig. 3.9 : La flip-flop RS
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 58
Pour exprimer que T conduit nous disons que sa tension VCE= 0 nous représenterons cet
état conducteur de T par Q= 0. Pour exprimer que T est bloqué nous dirons que sa
tension VCE= Vcc’ nous représenterons Cest état par Q = 1. Les mêmes notations sont
utilisées pour T’. On peut résumer pour un état stable de la bascule.
T conduit VCE= 0 Q=0 T’ bloqué VCE’Vcc ̅=1

Q
̅ sont complémentaires c'est-à-dire si Q = 0, Q

Q et Q ̅ = 1, si Q = 1, Q
̅ = 0.
La présence d’un signal de commande sur une entrée sera représentée par l’état logique 1
(R = 1, S = 1) ; l’absence sera notée par l’état 0 (R = 0, S = 0).
Il est laissé à la discrétion du lecteur intéressé d’expliquer le fonctionnement du montage
de la fig. 3.9 en remplissant le tableau suivant en se servant des conventions ci-dessus.
❖ Table de vérité de la bascule RS
ENTREES SORTIES
REMARQUES
R S Qn−1 Qn ̅n
Q
0 0 0 0 1 Etat mémoire (ou état précédent de la sortie)
0 0 1 1 0
0 1 0 1 0 Activation (ou mise à 1)
0 1 1 1 0
1 0 0 0 1 Désactivation (ou mise à 0)
1 0 1 0 1 Ou RAZ
1 1 0 Etat indéterminé (ou combinaison interdite)
X X
1 1 1
Q n−1 : était ancien de la bascule

Qn : État future de la bascule après action sur les entrées R ou S.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 59
CHAPITRE 4 : L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
4.1. INTRODUCTION
L’amplificateur opérationnel doit son nom au fait qu’à l’origine, il était très
souvent employé dans les calculateurs analogiques pour effectuer des opérations :
addition, soustraction, dérivation, intégration ou pour élaborer des fonctions telles que les
fonctions logarithmiques, quadratiques, sinus, etc.…
Depuis les applications de l’amplificateur opérationnel se sont étendues à des
nombreuses autres fonctions.
De sa constitution, l’amplificateur opérationnel est bien défini par un ensemble
d’étage amplificateurs dont l’étage d’entrée, essentiellement fait d’un montage
différentiel est le cerveau de ce dernier. Un générateur de courant constant dessert l’étage
différentiel pour son comportement meilleur.
C’est pratiquement dans le but d’augmenter les performances de l’amplificateur
que l’on ajoute à la suite de l’étage différentiel bien d’autres étages comme nous allons le
découvrir dans la suite.
En ce qui nous concerne dans le présent chapitre, nous allons donner un résumé
succinct sur l’étage différentiel et sur le service de courant constant en premier lieu.
Quant au corps du chapitre, nous parlerons de ce qui suit :
- Conception de l’amplificateur opérationnel ;

- Mesures sur l’amplificateur opérationnel ;
- Emploi de l’amplificateur opérationnel ;
- Applicateurs typiques ;
- Eléments de calcul opérationnel ;
- Les circuits correcteurs.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 60
4.2. L’AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL ET LA SOURCE DE COURANT

CONSTANT
4.2.1. L’amplificateur différentiel
4.2.1.1. Définition et organisation
Un amplificateur différentiel est un amplificateur symétrique à deux transistors,

donc à deux entrées sur les bases permettant d’amplifier la différence entre deux signaux.
Il dispose ainsi de deux sorties sur ses deux collecteurs où se mesure une tension
proportionnelle à la différence des deux tensions d’entrées ; (fig. 4.1).
Plus précisément, la sortie de l’amplificateur est soit égal à la différence des
sorties des transistors T1 et T2 (on parle alors d’une sortie différentielle), soit prise
seulement au collecteur de transistor T2 (configuration la plus fréquente).
+Vcc
R1 Rc Rc R1
S1 S2
e1 C1
C2
T1 T2 e2
RE Ve2
Ve1
M
Fig. 4.1.
L’amplificateur différentiel comporte deux transistors identiquesT1 et T2 de
paramètres hybrides identiques et qui sont polarisés au même point de repos. Les
émetteurs de deux transistors sont reliés à la masse par l’intermédiaire d’une
résistance 𝐑 𝐄 .
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 61
4.2.1.2. Caractérisation des entrées 𝐞𝟏 et 𝐞𝟐 vis-à-vis d’une sortie 𝑺 = 𝐒𝟐
Sur la figure 3.1 supprimons une sortie, soit 𝐒2 . Il ne reste qu’une sortie 𝑺 = 𝐒1
dont la tension de sortie se mesure entre cette sortie et la masse. La tension d’entrée Ve1
est inversement proportionnelle à celle de sortie ; en effet :
• si Ve1 augmente, IB1 augmente et IC1 augmente aussi ce qui fait que VS = VS1
diminue ; donc Ve1 et VS sont inversement proportionnels. L’entrée 𝐞𝟏 est donc
appelée entrée inverseuse ou simplement l’entrée – (moins).
Faisons remarque ici que, par définition, la résistance R E est traversée par un
courant constant 𝐼0 .
• si Ve2 augmente, IB2 augmente, IC2 augmente ; 𝐈𝐂𝟏 diminue car
𝐈𝐂𝟏 + 𝐈𝐂𝟐 = 𝐈𝟎 = 𝐂 𝐭𝐞 Dans V𝑆 = VS1 augmente. VS2 Et V𝑆 sont proportionnels.
L’entrée 𝐞𝟐 est donc une entrée non inverseuse ou simplement l’entrée + (plus).
4.2.1.3. Précision sur les signaux du montage
Très souvent on se contente d’une seule sortie, celle prise sur le collecteur de T1 ,
la tension de sortie 𝐕𝐒𝟏 = 𝐕𝐒 s’y mesure par rapport à la masse. Dans ces conditions le
circuit (fig. 3.1) est équivalent à un tripôle avec deux tensions d’entrée 𝐕𝐞𝟏 et 𝐕𝐞𝟐 et une
tension de sortie VS (fig. 4.2).
Ve1 −
Vs
Ve2 +
Fig. 4.2 : e1 (-) entrée inverseuse

e2 (+) entrée non inverseuse
- La tension différentielle d’entrée est la différence de signaux d’entrée :

𝐕𝐝 = 𝐕𝐞𝟏 −𝐕𝐞𝟐
- Elle donne un signal unique de sortie
- Le gain en tension différentielle noté « Ad » de l’amplificateur différentiel est :
𝐕𝐬
𝐀𝐝 =
𝐕𝐞𝟏 −𝐕𝐞𝟐
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 62
- Signal de mode commun : sont le signal commun obtenu en reliant 2 signaux

d’entrée (fig.4.3)
−
Vs
Ve = Ve1 = Ve2
+
Fig. 4.3
Logiquement, en appliquant à l’entrée un signal de mode commun Ve la sortie Vs
devrait être nulle, par :
𝐕𝐬 = 𝐀𝐝 (𝐕𝐞𝟏 −𝐕𝐞𝟐 ) Avec 𝐕𝐞𝟏 = 𝐕𝐞𝟐
En réalité, la sortie ne s’annule pas car un amplificateur différentiel réel ne saurait
être décrit par l’équation ci-dessus. En effet, la sortie ne dépend pas seulement de la
différence des signaux 𝐕𝐞𝐝 = 𝐕𝐞𝟏 −𝐕𝐞𝟐 entre Ve1 et Ve2 , mais aussi d’un signal de
mode commun𝐕𝐞𝐜 définit comme étant la tension moyenne des signaux Ve1 et Ve2 .
𝟏
𝐕𝐜 = (𝐕 +𝐕 )
𝟐 𝐞𝟏 𝐞𝟐
Il en est ainsi du fait de la très grande difficulté d’obtenir deux transistors de
paramètres rigoureusement identiques. D’une façon générale nous écrivons :
𝐕𝐞𝟏 +𝐕𝐞𝟐
𝐕𝐬 = 𝐀𝐝 (𝐕𝐞𝟏 −𝐕𝐞𝟐 ) + 𝐀𝐜 ( )
𝟐
Avec
𝟐𝐕𝐬
𝐀𝐜 = ( ) Lorsque 𝐕𝐞𝟏 = 𝐕𝐞𝟐
𝐕𝐞𝟏 +𝐕𝐞𝟐
𝐀𝐜 Est le gain en tension en mode commun.

Un amplificateur différentiel s’approchera d’autant mieux du cas idéal que Ac
sera faible devant Ad .
𝐀𝐜 ≪ 𝐀𝐝
4.2.1.4. Taux de rejection de mode commun
Un bon amplificateur différentiel est celui qui possède un grand gain Ad et un

gain Ac nul en mode commun. On caractérise la performance d’un amplificateur
différentiel par son taux de rejection en mode commun défini par le facteur de mérite.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 63
|𝐀𝐝 |
𝐂𝐌𝐑𝐑 = 𝐩 =
|𝐀𝐜 |
|𝐀 |
Ou 𝐂𝐌𝐑𝐑 = 𝟐𝟎 𝐥𝐨𝐠 |𝐀𝐝| en dB
𝐜
Nous pouvons écrire :

Ac Vc
Vs = Ad Vd + Ac Vc = Ad Vd (1 + )
Ad Vd
Donc : 𝟏 𝐕𝐜
𝐕𝐬 = 𝐀𝐝 𝐕𝐝 (𝟏 + . )
𝐩 𝐕𝐝
𝐕𝐜
On doit donc concevoir l’amplificateur différentiel tel que 𝐩 ≫
𝐕𝐝
4.2.1.5. Analyse de l’amplificateur différentiel
En régime dynamique, le circuit équivalent du circuit de la figure 4.1 est celui de

la figure 4.4. Chaque transistor est défini par ses paramètres hybrides en émetteur-
commun. h11 et h21 pour T1 et T2 (transistors identiques)
Nous supposons, par approximation, h12 et h22 nuls. Nous négligeons R1 de valeur
suffisamment grande donc parcourue par un courant négligeable.
B1 ib1 B2
C1 C2 ib2
Vs
Ve1 h11 h21 ib1 h11
h21 ib2 Ve2
E
E1 ie E2
RC
RE RC
M
Fig. 4.4
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 64
Une disposition plus pratique du schéma équivalent est celle de la figure 4.5.
h11 h11
B1 E1 (h21 + 1)ib1 (h21 + 1)ib2 E2 B2
h21 ib1 h21 ib2

Ve1 Ve2
C1
Vs1 C2 Vs = Vs1
RC RE RC
Fig. 4.5.
CALCUL DE 𝐕𝐬 (fig. 3.5)
ie = (h21 + 1)ib1 + (h21 + 1)ib2 = (h21 + 1)(ib1 + ib2 ) (1)
Ve1 = h11 ib1 + [R E (h21 + 1)]ib1 + R E (h21 + 1)ib2 (2)
Ve2 = h11 ib2 + [R E (h21 + 1)]ib2 + R E (h21 + 1)ib1 (3)
Soit encore :
Ve1 = [h11 + R E (h21 + 1)]ib1 + R E (h21 + 1)ib2 (4)
Ve2 = [h11 + R E (h21 + 1)]ib2 + R E (h21 + 1)ib1 (5)
Pour simplifier l’écriture posons :
h11 = r ; h21 = β
R = R E (h21 + 1) = R E (β + 1) (6)
ie = ie1 + ie2 = (β+1).ib1 + (β+1).ib2 (7)
VEM = RE.ie = RE.(β+1).(ib1 + ib2) ≈ RE.β.(ib1 + ib2) (8)
Il devient :
Ve1 = rib1 + VEM (9)
Ve2 = rib2 + VEM (10)
Par application de la loi d’Ohm à la résistance R c , nous écrivons pour la tension de
sortie :
Vs1 = −R c ic1 = −R c . β. ib1 (11)
Vs2 = −R c ic2 = −R c . β. ib2 (12)
Partant des équations, calculons (9) – (10) :
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 65
Ve1 − Ve2 = r. (ib1 − ib2) (13)

Partant des équations, calculons (11) – (12) :
Vs1 − Vs2 = − RC.β .(ib1 − ib2) (14)
CALCULONS L’AMPLIFICATION DIFFERENTIELLE DE SORTIE

𝐕 −𝐕 𝐑 𝐜. 𝛃
𝐀𝐝 = 𝐕𝐬𝟏 −𝐕𝐬𝟐 = − (15)
𝐞𝟏 𝐞𝟐 𝐫
ATTENTION
D’où : Vc2c1 = Ad (Ve1 − Ve2 )
Du fait de la très grande difficulté d’obtenir deux transistors de paramètres

rigoureusement identiques (comme déjà signalé), la tension différentielle de sortie est en
fait aussi dépendante de la somme Ve1 + Ve2 , (valeur moyenne).
D’une façon générale, nous écrirons :
(𝐕𝐞𝟏+𝐕𝐞𝟐 )
𝐕𝐜𝟐𝐜𝟏 = 𝐀𝐝 (𝐕𝐞𝟏 − 𝐕𝐞𝟐 ) + 𝐀𝐜 (16)
𝟐
Où Ad est l’amplification en tension différentielle et Ac l’amplification en tension en

mode commun.
4.2.1.6. Calcul des 𝐀𝐝 et 𝐀𝐜
a) Par rapport à ib1

Partant des équations, calculons (9) + (10) :
Ve1 + Ve2 = r. (ib1+ ib2) + 2.VEM = r. (ib1+ ib2) + 2.RE.β.(ib1 + ib2) (17)
(Ve1 +Ve2 ) (Ve1 +Ve2 )
(ib1 + ib2) = ≈ , car 2REβ ≫ 𝑟 (18)
r + 2.RE .β 2.RE .β
De l’équation (13), tirons (ib1 – ib2) et il devient :

(Ve1 − Ve2 )
(ib1 − ib2) = (19)
r
Calculons (18) + (19) :

(Ve1 +Ve2 ) (Ve1 − Ve2 )
(ib1 + ib2) + (ib1− ib2) = +
2.RE .β r
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 66
(Ve1 − Ve2 ) (Ve1 +Ve2 ) (Ve1 − Ve2 ) (Ve1 +Ve2 )

2.ib1 = + ⟺ ib1 = + (20)
r 2.RE .β 2.r 4.RE .β
L’équation (20) dans (11) :

(Ve1 − Ve2 ) (Ve1 +Ve2)
Vs1 = −R c . β. ib1 = −R c . β. [
2.r
+ 4.RE.β
] (21)
L’équation (21), après développement peut s’écrire autrement, comme suit :

Rc .β Rc Ve1 +Ve2
Vs1 = − (Ve1 − Ve2 ) − ( ) (22)
2.r 2.RE 2
Par identification avec l’équation (16) ; nous pouvons conclure que

Rc .β
𝐀𝐝 = − (23)
2.r
Rc
𝐀𝐂 = − (24)
2.RE
b) Par rapport à ib2
Calculons (18) − (19) :

(Ve1 +Ve2 ) (Ve1 − Ve2 )
(ib1 + ib2) − (ib1− ib2) = −
2.RE .β r
(Ve1 − Ve2 ) (Ve1 +Ve2 ) (Ve1 − Ve2 ) (Ve1 +Ve2 )

2.ib2 = − + ⟺ ib2 = − + (25)
r 2.RE .β 2.r 4.RE .β
L’équation (25) dans (12) :

(Ve1 − Ve2 ) (Ve1 +Ve2 )
Vs2 = −R c . β. ib2 = −R c . β. [− + ] (26)
2.r 4.RE.β
L’équation (26), après développement peut s’écrire autrement, comme suit :

Rc .β Rc Ve1 +Ve2
Vs2 = (Ve1 − Ve2 ) − ( ) (27)
2.r 2.RE 2
Par identification avec l’équation (27) ; nous pouvons conclure que

Rc .β
𝐀𝐝 = (28)
2.r
Rc
𝐀𝐂 = − (29)
2.RE
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 67
4.2.1.7. Calcul du taux de rejection en mode commun ‘’CMRR’’

𝐀 𝐑 𝐄 .𝛃
𝐊 = 𝐂𝐌𝐌𝐑 = | 𝐝 | = [ ] (30)
𝐀𝐜 𝐫
On déduit que pour avoir un très bon CMRR, on a intérêt à prendre R E aussi
grand que possible. A la limite, Si R E ⟶ ∞, CMRR→∞. En pratique, on est limité par
les valeurs de R E qu’on ne peut prendre très grandes. En effet, dans ce cas, la chute de
tension aux bornes de R E devient importante. La valeur de la tension VEE doit être plus
grande pour maintenir le courant de polarisation à sa valeur initiale. De plus, on doit
garder en tête que l’équation donnant Ac n’est qu’une solution approchée.
On peut montrer qu’en prenant des valeurs importantes de R E , l’approximation n’est plus
justifiée.
En résumé, on ne peut en aucun cas atteindre la valeur idéale par le taux de
rejection en mode commun que les contraintes pratiques tendent toujours à limiter.
Fréquemment pour améliorer CMRR d’un amplificateur différentiel, on remplace
R E par une source de courant constant, qui présente une très grande résistance interne
(elle est infinie pour une source de courant idéale).
4.2.2. La source de courant constant
Il est possible de concevoir une très bonne source de courant constant avec un
transistor (fig. 4.8). +VCC
RC IC
C
B
VBE0
E
VE RE IE
M
Fig. 4.8
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 68
PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
En appliquant VB = VBM à la base du transistor telle qu’elle soit supérieure à la
tension de seuil de la jonction JBE , VBE , le transistor est rendu actif. La tension émetteur-
masse est sensiblement égale à :
𝐕𝐄 ≈ 𝐕𝐁 − 𝐕𝐁𝐄𝟎 = 𝐕𝐁 − 𝟎, 𝟕
Donc :
𝐕𝐄 𝐕𝐁 − 𝟎, 𝟕
𝐈𝐄 = =
𝐑𝐄 𝐑𝐄
𝐕𝐁 −𝟎,𝟕
Si 𝐡𝟐𝟏 ≫ 𝟏 alors 𝐈𝐜 ≈ 𝐈𝐄 , d′ où𝐈𝐜 = (19)
𝐑𝐄
Le courant Ic est donc indépendant de Vc= VCM tant que le transistor n’est pas
saturé. On a donc bien réalisé une source de courant constant.
La tension base-masse VB= VBM peut être obtenue à partir d’un pont de
résistances R1, R2 (fig. 4.9.a), en utilisant une diode Zener D2 dans le pont de résistance-
diode (fig. 4.9.b), ou encore en utilisant quelques diodes en série dans le pont de
polarisation de base (fig. 4.9.c).
+𝐕𝐂𝐂 +𝐕𝐂𝐂 +𝐕𝐂𝐂

D
𝐑𝐂 RC D 𝐑𝐂
𝐑𝟐 R2
C C D C
B T B T T
E Vz E 𝐕𝐳 E
R1
R1 RE Dz RE RE
(a) (b) (c)
Fig. 4.9 : Sources de courant constant
La figure 3.10 donne le montage d’un amplificateur différentiel desservi par une
source de courant constant avec transistor T3 à base polarisée par pont de résistances.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 69
+VCC
R C1 IC1 IC2 R C2 R6
R5
IS1 IS2 CL
CL IB2
IB1 T1 T2
R4
R7 Ve2
Ve1 R1 I I0
IB3
B3 T3
V0 D
R2 R3 IE3
−VEE
Fig. 4.10 : Montage différentiel avec générateur de courant constant

Le transistor T3 se comporte bien comme une source de courant constant, vérifions-le.
La maille d’entrée du circuit T3 donne :
𝐕𝐁𝟑𝐄𝟑 + 𝐑 𝟑 𝐈𝐄𝟑 = 𝐕𝐁𝟑 − (−𝐕𝐄𝐄 )
𝐕𝐁𝟑𝐄𝟑 + 𝐑 𝟑 𝐈𝐄𝟑 = 𝐕𝐁𝟑 + 𝐕𝐄𝐄 (31)
En négligeant IBS devant le courant I de point, nous pouvons écrire, en
considérant la maille contenant R1, D et R2.
+VEE − R 2 I − V0 − R1 I = 0
1 1
I= VEE − V0 (32)
R1 +R2 R1 +R2
VB3 = −R1 I
R1 R1
VB3 = − VEE + V0 (33)
R1 +R2 R1 +R2
Donc (22) introduite dans (20) donne :

R1 R1
VB3E3 + R 3 IE3 = − VEE + V0 +VEE (34)
R1 +R2 R1 +R2
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 70
R1
Effectuons la somme − VEE + VEE
R1 +R2
R1 VEE −R1 VEE +R1 VEE +R2 VEE R2

− + VEE = = VEE (35)
R1 +R2 R1 +R2 R1 +R2
(24) dans (23) donne :

R2 R1
VB3E3 + R 3 IE3 = VEE + V0 (36)
R1 +R2 R1 +R2
Soit :
R2 R1
R 3 IE3 = VEE + V − VBE
R1 + R 2 R1 + R 2 0
Finalement :
1 R2 R1
IE3 ≈ I0 = ( VEE + V − VBE )
R 3 R1 + R 2 R1 + R 2 0
Si on choisit les paramètres tels que :
R1 V0
= VBE
R1 + R 2
On a alors :
𝐑𝟐
𝐈𝟎 = 𝐕𝐄𝐄 (37)
𝐑𝟑 (𝐑𝟏 +𝐑𝟐 )
Ce courant étant indépendant de Ve1 et Ve2 , le transistor T3 se comporte donc

comme si l’amplificateur différentiel formé de T1 et T2 est alimenté avec un courant
constant I0.
La diode D est ajoutée au circuit pour compenser les dérives thermiques du
courant I0 dues aux variations de VB3E3 en fonction de la température
(VB3E3 diminue d′ environ 2,5 mV/°C). La diode D ayant la même dépendance vis-à-vis
de la température, mais en sens opposé, elle permet d’annuler la variation de VB3E3 .
𝐑𝟏
Si la relation 𝐕𝟎 = 𝐕𝐁𝟑𝐄𝟑
𝐑𝟏 +𝐑𝟐
Ne peut être satisfaite avec une seule diode D, on pourrait utilisés deux diodes en
série pour fixer V0 .
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 71
4.2.3. Exemple de source de courant constant à TEC
Sur la figure 3.11, nous avons représenté une source de courant constant à TEC-
MOS, canal P enrichi.
−15 V
RD
R
ID = I 0
DZ VZ RS
+15 V
Fig. 4.11 : Générateur de courant constant à TEC-MOS
4.3. CONCEPTION DE L’AMPLICATEUR OPERATIONNEL

4.3.1. Structure de base
Un amplificateur opérationnel est constitué d’un certain nombre d’étages

amplificateurs. Ce nombre d’étages est justifié par l’amélioration des performances de ce
dernier. L’étage d’entrée qui est un amplificateur différentiel constitue la base même de
l’amplificateur opérationnel. Ce premier étage différentiel doit avoir des courants
collecteurs imposés par l’emploi d’une source de courant constant afin que le taux de
réjection en mode commun soit important (fig. 4.10) du paragraphe précédent.
On remarquera sur ce schéma, la présence de deux sources de tension continue
+Vcc et VEE ; le point de référence de mesure des tensions est la masse.
Afin que la bande passante de l’amplificateur soit importante, il faut
nécessairement utiliser des transistors :
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 72
- de fréquence de transition élevée

- de faibles capacités d’entrée et de sortie ;
- dont les charges collecteurs sont peu importantes (R c1 , R c2 ).
Pour que l’amplitude maximale des tensions de sortie Vs1 , Vs2 , reste importante
jusqu’à des fréquences élevées, le courant collecteur des transistors T1 et T2 doit être
relativement élevé, c’est en effet ce courant qui charge et décharge les capacités parasites
liées au collecteur. Par suite, l’impédance d’entrée de l’étage est faible en alternatif et les
courants d’entrée ib1 , ib2 sont importants. Dans ces conditions, le bruit de l’étage qui est
proportionnel au courant collecteur n’est pas minimum. Les défauts relatifs à
l’impédance et aux courants d’entrée seront éliminés par l’emploi d’un étage
‘’Darlington’’ (fig. 4.12).
+VCC
R C1 R C2
Vs2
Vs1
Ve1
T3 T4
T1 T2
Ve2 R1
R E3 R E4
R E5 R2
−VEE
Fig. 3.12 : Défaut relatifs à l’impédance et aux courants d’entrée diminuer par les étages
Darlington
En se reportant au schéma de la figure 4.12, on peut noter que :
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 73
- la chute de tension aux bornes de RE5 étant assez faible, manière à conserver une
tension de mode commun élevée, la diode D assure une compensation des
variations des tensions de la tension base-émetteur du transistor T5 ;
- les résistance RE3 - RE4 de fortes valeurs (supérieures à l’impédance d’entrée de T1-
T2) sont destinées à éliminer les charges emmagasinées dans les capacités d’entrée
de T1 et T2. Elles sont particulièrement utiles pour maintenir un fort niveau de
sortie aux fréquences élevées, surtout lorsqu’il est nécessaire d’exploiter au mieux
le mode commun de l’amplificateur ;
- la tension différentielle d’entrée de l’étage doit être très faible, et les courants
d’entrée identiques ; à cet effet, les transistors T1-T2, T3 et T4 sont appariés deux à
deux en tension base-émetteur et en gain en courant, et ce, dans la gamme de
température d’utilisation (deux transistors dans le même boitier).
Définissons ci-dessous les caractéristiques de performance qui sont les qualités
fondamentales d’un amplificateur opérationnel.
4.3.2. Définitions des caractéristiques
Un amplificateur opérationnel polyvalent possède deux entrées et deux sorties

(fig. 4.13).
−VCC −VEE
e1 S1
− +
VS1
Ve1
e2
Ve2 S2 VS2
Fig. 4.13 : Symbole de l’amplificateur opérationnel polyvant
Vs1 , Vs2 sont des tensions de phases opposées dont les valeurs sont soit positives,
soit négatives par rapport au potentiel commun aux deux sources de tension
d’alimentation+Vcc et − VEE .
On doit avoir |+Vcc | = |−VEE | ou sensiblement égaux pour que les valeurs
maximales positives ou négatives des tensions de sortie soient aussi sensiblement égales.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 74
Notons que la plupart des amplificateurs commercialisés (circuit intégrés) ne

possèdent qu’une sortie (fig. 3.14) ; toutefois, la seconde est exploitable moyennant
l’adjonction de quelques composants.
On notera également que Vs1 et Vs2 sont en phase et en opposition de phase avec Vs2 ,
inversement pour Vs2 .
e1
−
+ VS
e2 +
Fig. 4.14 : 𝐞𝟏 : (-) entrée inverseuse

𝐞2 : (+) entrée non inverseuse
Pour plus de simplicité, les tensions d’alimentation +Vcc et − VEE ainsi que la
masse ne sont pas figurées sur les schémas symboliques.
Les qualités fondamentales d’un amplificateur opérationnel sont ici-bas citées :
- une très faible impédance de sortie ;
- une très grande impédance d’entrée ;
- un très grand gain en tension s’il est utilisé avec rétro-action (R-A) ;
- une large bande passante (depuis le continu) ;
- un faux zéro continu d’entrée très faible (pour une tension différentielle d’entrée
D.I.V.O) ;
- une forte excursion des tensions de sortie jusqu’à des fréquences élevées ;
- un faible bruit ;
- des faibles dérives en particulier du gain et du faux zéro d’entrée en fonction du
temps et de la température ;
- des faibles dispersions (bonne reproduction), etc…
4.3.3. Structure aux performances améliorées
Pour améliorer les qualités d’un amplificateur opérationnel et de le faire tendre

vers un cas idéal, des ajouts sont portés sur le simple étage différentiel d’entrée. Nous
avons déjà dit que l’emploi d’un montage Darlington comme étage différentiel d’entrée
augmente l’impédance d’entrée, est qui est une amélioration car pour un amplificateur
opérationnel idéal, l’impédance d’entrée est infinie.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 75
Dans le but d’améliorer les qualités de l’amplificateur opérationnel, entre autre,

on ajoute à l’étage d’entrée, des étages et des circuits utilisables pour en corriger les
performances.
a) Deuxième étage de l’amplificateur opérationnel
Le deuxième étage peut être également différentiel, cependant, il n’est pas
nécessaire que son taux de réjection en mode commun soit important, le premier étage
ayant éliminé la tension commune appliquée aux deux entrées.
De même les transistors utilisés pour le réaliser peuvent ne pas être appariés puisque
l’erreur due à sa tension différentielle d’entrée non nulle, ramenée à l’entrée du premier
étage est divisée par le gain en tension de celui-ci.
Pour réaliser une liaison directe entre les deux étages différentiels, le second doit
être équipé de transistors complémentaires de ceux du premier étage, ici des PNP (fig.
4.15).
+VCC
R C1 R C2 RE
T6 R E6 R E7 T7
T3 T4
Ve1 T1 T2
Vs1
Ve2 Vs2
R1
T5
R E3 R E4 R C7
R C6
R E5 R2
−VEE
Fig. 4.15.
Normalement, les charges Rc6 et Rc7 ainsi que RE doivent être déterminées lorsque
la tension appliquée aux entrées est nulle (Ve1 , Ve2 ), pour obtenir des tensions de sortie
Vs1 et Vs2 également nulle (point de repos). On admet dans ces conditions que les
tensions différentielles d’entrée des transistors sont nulles.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 76
Si les courants IB6 et IB7 sont faibles devant les courants collecteurs I c1 et Ic2
imposés, les tensions de base T6 et T7 sont connues et il est alors facile de déterminer la
valeur de RE, valeur qui fixe la somme des courants collecteurs Ic6-Ic7.
Les résistances RE6 et RE7 permettent, tout en symétrisant les transistors T6-T7
d’augmenter leurs impédances d’entrée qui sont en parallèles sur les charges R c1 et Rc2 et
d’amener le gain en tension du second étage différentiel à la valeur souhaitée.
On notera que la valeur des capacités parasites collecteurs-base (Ccb) de T6 et T2
vues des charges Rc1 et Rc2 est multipliée par le gain en tension de l’étage (effet Miller).
Ainsi, pour une capacité parasite donnée, toute augmentation du gain en tension du
second étage aura pour effet de réduire la bande passante du premier étage.
Pour un amplificateur à large bande, il est possible d’atténuer sensiblement cet
inconvénient en insérant un transistor monté en collecteur commun dans chacune des
liaisons entre les deux étages (forte impédance d’entrée, faible impédance de sortie).
La valeur des courants collecteurs de T6 et T7 doit être suffisamment importante
pour assurer la charge et la décharge des capacités parasites des collecteurs aux
fréquences élevées, en effet, le second étage doit délivrer des tensions de sortie V s1 et Vs2
de grande amplitude.
Soit Av1 et Av2 les gains en tension des deux étages, on a :
𝐕𝐬𝟏 − 𝐕𝐬𝟐
= 𝐀𝐯𝟏 . 𝐀𝐯𝟐
𝐕𝐞𝟏 − 𝐕𝐞𝟐
𝐕𝐬𝟏 −𝐕𝐬𝟐 𝐕𝐬𝟏 −𝐕𝐬𝟐
De même : = 𝐀𝐯𝟐 ⇒ 𝐕𝐜𝟏 − 𝐕𝐜𝟐 =
𝐕𝐜𝟏 −𝐕𝐜𝟐 𝐀𝐯𝟐
Ce qui montre que les variations des tensions aux collecteurs de T1 et de T2 sont Av2 fois
plus faibles que les variations des tensions de sorties. En conséquence, il sera logique à
capacités parasites égales sur les deux étages, que les courants collecteurs du second
étage soient Av2 fois ceux du premier étage.
b) ETAGE DE SORTIE DE L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
Le ou les étages de sortie sont destinés essentiellement à assurer une
transformation d’impédance, ils doivent avoir :
- une impédance d’entrée grande devant Rc6-Rc7 ;
- une impédance de sortie la plus faible possible compte tenu de la charge extérieure
et ses tensions de sortie souhaitées.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 77
De nombreux montages sont utilisables pour réaliser les étages de sortie ; un

exemple simple en est donné sur le schéma général de la figure 4.16 sur lequel une seule
sortie est représentée. Cet étage de sortie est un push-pull complémentaire.
−VCC
R1 R3
R2
R4 R5
T3 T4
T2 T7
T1
Ve1
Ve2
R6 R10 T8 Vs
R11
T9
R12 D R9
R7 R8
−VCC
Fig. 4.16 : Exemple de schéma d’un amplificateur opérationnel
Les réalisations pratiques des amplificateurs opérationnels sont actuellement en
circuits intégrés avec des schémas internes très diversifiés et très complexes avec
utilisation de la technologie à transistors bipolaires, TEC-MOS ou mixte.
Principalement, on rencontre sur le marché des amplificateurs de tension A v mais
des amplificateurs des types de trans-impédance Az, de trans-admittance Ay et de courant
Ai sont réalisables mais ne sont pas de publication.
De nombreux amplificateurs opérationnels modernes à hautes performances
existent actuellement, certains de leurs caractéristiques sont nettement améliorés.
Il existe des amplificateurs standards à emplois multiples et des amplificateurs à
emploi spécialisé, ainsi une société comme National Semiconductor propose, dans son
catalogue, plus de 150 modèles différents d’amplificateur.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 78
4.4. GRANDEURS CARACTERISTIQUES

4.4.1. Caractéristiques d’un AOP idéal
Un AOP idéal les caractéristiques suivantes :

- Gain en tension en boucle ouverte infinie (Ad = ∞)
- Impédance d’entrée infinie (Ze = ∞)
- Impédance de sortie nulle (Zs = 0)
- Bande passante infinie (BP = ∞)
- Temps de réponse nul
- Tension de décalage (d’offset)
4.4.2. Caractéristiques d’un AOP réel
a) VOS ou tension de décalage
La différence traduit par une tension de sortie non nulle, même lorsque V + =V– ;
on doit qu’il y a décalage de l’amplification différentielle.
b) Impédance d’entrée
❖ En mode différentiel (Zed)

C’est l’impédance vue entre les deux entrées de l’AOP :
Vd
Zed = 109 Ω à 1012 Ω

Fig. 4.17
❖ En mode commun (Zec)
Zec est très grande par rapport à zéro, càd que Zec ≥ 102 Ω
Fig. 4.18
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 79
c) Impédance de sortie
Une dizaine d’ohms (0 à 10Ω)
d) Amplification différentielle en boucle ouverte (Ad)

Elle est de l’ordre de 104 à 106 (80 à 120dB)
e) Bande passante
Elle varie de 1 MHz (AOP d’usage général) à 10MHz (AOP utilisé en
commutation)
f) Vitesse maximale de variation de la tension de sortie (slew rate)

Le temps de réponse d’un AOP est généralement spécifié en terme de Slew rate.
Elle varie de 1V/µs (pour les AOP à usage courant) à 100V/µs (pour les AOP de
commutation).
4.5. REGIME DE FONCTIONNEMENT D’UN AOP

Un AOP présente 2 régimes de fonctionnement distinct qui sont :
- Le régime de fonctionnement Linéaire ;
- Le régime de fonctionnement non-linéaire (ou régime de saturation).
4.5.1. Régime de fonctionnement linéaire
Une AOP fonctionne en régime linéaire, lorsque Vs est proportionnelle à celle

d’entrée :
Vs = Ad.Vd = Ad.(Ve+ – Ve–)
Quel que soit le montage à AOP fonctionnant en régime de linéaire, nous retenons
ce qui suit :
• Ve+ =Ve- cela implique que ie+ = ie-
• L’entrée positive est souvent reliée à la masse
• La rétroaction est réalisée à l’entrée négative
• Les tensions U+ et U- sont négligeables par rapport à d’autres tensions
• Les courants ie+ et ie- sont aussi négligeable par rapport à d’autres courants
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 80
4.5.2. Régime de saturation
Un AOP fonctionne en régime de saturation, appelée aussi régime de

commutation, lorsque VS est indépendante des entrées. En boucle ouverte, la sortie ne
peut prendre que 2 valeurs (±Vcc), alors on dit que l’AOP fonctionne en comparateur de
tension ; à savoir :
• Si V+ > V- ⟹ VS = +Vsat
• Si V+ < V- ⟹ VS = -Vsat
4.6. COURBE CARACTERISTIQUE
Soit Vs = f (Vd)
VS
+Vsat Saturation
Vd
Régime linéaire
Saturation -Vsat
Fig. 4.19
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 81
4.7. MONTAGES FONDAMENTAUX

4.7.1. Introduction
Mises à part certaines applications, on rencontrera généralement l’amplificateur

opérationnel monté selon l’un des montages fondamentaux réalisés sur l’amplificateur de
tension qui sont :
L’amplificateur de tension inverseur ; l’amplificateur de tension non inverseur ;
l’amplificateur suiveur de tension ; l’adaptateur d’impédances ; l’amplificateur de
transimpédance, convertisseur courant-tension ; l’amplificateur de courant,
l’amplificateur de transadmittance, convertisseur tension-courant. Nous ajouterons
à cette suite le montage comparateur de tension.
Le but de ce chapitre n’est pas de faire la théorie de la fonction réalisée par
chaque montage mais uniquement de montrer comment l’amplificateur opérationnel
s’adapte à cette fonction.
Pour toutes les applications présentées dans ce paragraphe, sauf spécifications, les
amplificateurs utilisés sont considérés comme ayant des caractéristiques de gain et
d’impédances telles que leur influence peut être
négligée (𝐀𝐯 𝐞𝐭 𝐙𝐢 𝐭𝐫è𝐬 𝐠𝐫𝐚𝐧𝐝𝐬, 𝐙𝟎 𝐭𝐫è𝐬 𝐟𝐚𝐢𝐛𝐥𝐞). Il est également supposé que les
fonctions de transfert sont satisfaisantes, les corrections propres aux amplificateurs ayant
été réalisée, en tenant compte du gain et de la bande passante souhaités en boucle fermée.
Les circuits correcteurs ne sont pas repris sur les schémas.
4.7.2. L’amplificateur de tension inverseur
La figure 4.20 montre l’amplificateur de tension inverseur dont le signal d’entrée

est appliqué à l’entrée inverseuse.
Une résistance R 3 peut être insérée entre l’entrée + et la masse.
Ie R2
Ie R2
Ie R1
Ie R1 −
−
− B −A
B −A v0
v0 Ve
Ve +
A + Vs
Vs Ze R3 Zs
Ze Zs
(a) (b)
Fig. 4.20 : Amplificateur inverseur
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 82
Calculons le gain bouclé ainsi que le taux de contre-réaction B, 𝐑 𝟐 étant la

résistance de contre-réaction. Nous avons déjà dit que le point B est un point de masse
fictive ou virtuelle et qu’il n’y a pas de courant qui traverse l’amplificateur de B à A ; 𝐑 𝟏
et 𝐑 𝟐 sont donc parcouru par un même courant 𝐈𝐞 .
Nous pouvons alors écrire :
Ve − VB VB − Vs
Ie = =
R1 R2
D’où Vs 𝐑𝟐
𝐀𝐯𝐫 = =−
Vs 𝐑𝟏
𝐑𝟏 𝐕𝐫 𝐑𝟏
𝐕𝐫 = 𝐕𝐬 d’où 𝐁 = =
𝐑𝟏 +𝐑𝟐 𝐕𝐬 𝐑𝟏 +𝐑𝟐
D’autre part, 𝐙𝐞 = 𝐑 𝟏 (masse fictive ou masse virtuelle)

𝐙𝟎
𝐙𝐬 =
𝟏 + 𝐀𝐯 𝐁
L’amplificateur opérationnel n’étant pas parfait, la formule de 𝐀𝐯𝐫 n’est, à vrai
dire, qu’approximative. Si elle est souvent suffisante pour permettre de dégrossir un
problème, il est parfois nécessaire de lui appliquer quelques correctifs, lorsqu’un calcul
rigoureux est nécessaire.
Ces diverses causes d’erreurs, ainsi que les formules des ternes correctifs
correspondant à chacune d’elles, sont résumées dans la figure 4.21.
R2
R2
R1
R1 −
− −A
− Vs v
Ve Vd Av Ve
+
+ Vs
(a) Erreur due à la tension de décalage Vd (b) Erreur due au gain Av
𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝟏
𝐕𝐬 = − 𝐕𝐞 + (𝟏 + ) 𝐕𝐝 𝐕𝐬 = − [ 𝟏 𝐑 ] . 𝐕𝐞
𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝟏+ (𝟏+ 𝟐 )
𝐀𝐯 𝐑𝟏
Facteur d’erreur facteur d’erreur

Fig. 4.21 : Correction des erreurs sur l’Amplificateur Opérationnel
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 83
R2
R2
id
R1
R1 − −
− −Z A
−A Vs i v
v Ve
Ve
+ + Vs
(c) Erreur due au courant de décalage : (d) Erreur due à la résistance d’entrée Zi
𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝟏
𝐕𝐬 = − 𝐕𝐞 − 𝐑 𝟐 𝐢𝐝 𝐕𝐬 = − [ 𝟏 𝐑 ] . 𝐕𝐞
𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝟏+ (𝟏+ 𝟐 )
𝐀𝐯 𝐑 √ 𝐙𝐢
Facteur d’erreur facteur d’erreur

Fig. 4.21 : suite
POINT DIVISEUR
Dans certaines applications, il est nécessaire d’obtenir un gain élevé en boucle fermée : cela
conduit à un rapport important entre les valeurs 𝑹𝟏 et 𝑹𝟐 .
Si nous donnons à 𝐑 𝟏 une valeur « normale » de quelques kiloohms à quelques dizaines de Kiloohms
cela conduit à une valeur trop élevée de 𝐑 𝟐 (qui ne doit pas dépasser quelques MΩ), source de bruit
d’une part et de non-linéarité en fréquence d’autre part. Dans le cas inverse : 𝐑 𝟐 « normale » la valeur
de 𝐑 𝟏 tombe à quelques centaines d’ohms seulement qui peuvent dépasser la seule résistance interne du
générateur.
Pour sortir de ce dilemme, on peut faire appel à un artifice dont la figure 4.21 donne le schéma
de principe. Si, comme cela doit être, les résistances R 3 et R 4 du pont sont petites devant 𝐑 𝟐 , on peut
écrire le gain en boucle de l’amplificateur selon la formule :
𝐑𝟐 𝐑𝟑 + 𝐑𝟒
𝐀𝐯 = − 𝐱
𝐑𝟏 𝐑𝟒
𝟏
𝐁 = 𝐑𝟐 𝐑𝟑 +𝐑𝟒
𝐱
𝐑𝟏 𝐑𝟒
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 84
R2
R1
−
−
−A
v
Ve R3
+ Vs
R4
Fig. 4.22: Augmentation de 𝐀 𝐯
4.7.3. L’amplificateur non inverseur
Il est également possible d’introduit le signal d’entrée non plus sur l’entrée
inverseuse (e-) de l’amplificateur mais sur l’entrée non inverseur (e+).
Il est évident que la contre-réaction, elle, ne peut être appliquée qu’à l’entrée
inverseuse (fig. 4.23).
i R2 R2
R1 i R1
−
−
−A −
−
−A
v v
R3
+ Vs + Vs
Ve Ve R4
(a)
(b) Augmentation de Av
Fig. 4.23: Amplificateur non inverseur
De la figure 4.23 : à nous écrivons :
𝐕𝐬 = (𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 )𝐢
𝐕𝐞 = 𝐑 𝟏 𝐢
D’où : 𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 𝐑𝟐
𝐀𝐯𝐫 = =𝟏+
𝐑𝟏 𝐑𝟏
et
𝐑𝟏
𝐁=
𝐑𝟏 + 𝐑𝟐
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 85
De même que pour un transistor monté en collecteur commun, l'impédance

d’entrée de ce montage est très élevée, elle est donnée par la formule :
𝐑𝟏
𝐙𝐞 = (𝟏 + 𝐀𝐯 𝐁)𝐙𝐢 = (𝟏 + |𝐀𝐯 | )𝐙
𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 𝐢
Par contre, la résistance de sortie 𝒁𝟎 du montage est faible puisque la résistance

propre à l’amplificateur 𝒁𝟎 se voit divisée par le terme(𝟏 + 𝐀𝐯 𝐁). On a donc :
𝐑𝟏
𝐙𝐬 =
𝟏 + |𝐀𝐯 |𝐁
Comme dans le cas de l’amplificateur inverseur, des valeurs élevées du gain

peuvent être obtenues au moyen d’un pont diviseur de sortie, le gain sera alors donné par
la formule :
𝐑𝟐 𝐑𝟑 + 𝐑𝟒
𝐀𝐯 = 𝟏 (+ )( )
𝐑𝟏 𝐑𝟒
Avec :
𝐑𝟑 +𝐑𝟒
Par rapport du pont diviseur de sortie.
𝐑𝟒
4.7.4. Suiveur de tension, adaptateur d’impédance
Du montage amplificateur non-inverseur on passe aisément au montage du

« suiveur de tension » (ou adaptateur d’impédance ou encore séparateur de gain
unité) en lui appliquant une contre réaction totale (fig. 4.24.a).
R = 33 kΩ
−
Av −
−
+ R = 33 kΩ Av
Vs Zs
Ve + Vs
Ze Ve
(a) (b)
Fig. 4.24 : Suiveur de tension
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 86
4.8. AUTRES MONTAGES IMPORTANTS

Nous allons examiner ici deux montages : l’Amplificateur différentiel (de
différence) et le montage comparateur de tensions. Le premier cité pouvant aussi servir
de comparateur.
4.8.1. L’amplificateur différentiel (de différence)
Ce montage n’a rien à voir avec l’opération mathématique de différenciation car

sa tension de sortie est simplement proportionnelle à la différence des tensions d’entrée
Ve1 et Ve2 (fig. 4.25).
R2
R1
−
B
Ve1 R3 Av
A +
Vs
Ve2 R4
Fig. 4.25 : Montage de différence (soustracteur)
Cherchons à établir la relation générale liant la tension de sortie aux tensions

d’entrée.
Calculons la tension 𝐕𝐁 en appliquant le théorème de superposition sur le circuit
(𝐕𝐞𝟏 , 𝐁, 𝐕𝐬 ) (fig. 4.26)
R1 B R2 R3 A R4
Ve1 Vs
Masse virtuelle Masse
virtuelle
Fig. 4.26: Branche 𝐕𝐞𝟏 , 𝐑 𝟏 , 𝐁 Fig. 4.27 : Branche 𝐕𝐞𝟐 , 𝐑 𝟑 , 𝐀, 𝐑 𝟒 , 𝐌𝐚𝐬𝐬𝐞

𝐑𝟐 𝐑𝟏
𝐕𝐁 = 𝐕𝐞𝟏 + 𝐕
𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 𝐬
Calculons de même la tension VA sur le circuit (𝐕𝐞𝟏 , 𝐀, 𝐌𝐚𝐬𝐬𝐞), (fig. 4.27) :
𝐑𝟒
𝐕𝐀 = 𝐕
𝐑 𝟑 + 𝐑 𝟒 𝐞𝟐
Les points A et B étant au même potentiel (𝒎𝒂𝒔𝒔𝒆 𝒗𝒊𝒓𝒕𝒖𝒆𝒍𝒍𝒆), on a l’égalité :
𝐕𝐀 = 𝐕𝐁
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 87
Soit :
𝐑𝟒 𝐑𝟐 𝐑𝟏
𝐕𝐞𝟐 = 𝐕𝐞𝟏 + 𝐕
𝐑𝟑 + 𝐑𝟒 𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 𝐬
Et :
R4 R1 + R 2 R2
Vs = x Ve2 − V
R3 + R4 R1 R1 e1
𝟐𝐑
𝐑 𝟒 𝟏 + 𝐑𝟏 𝐑𝟐
Ou encore : 𝐕𝐬 = [ ] . 𝐕𝐞𝟐 − 𝐕
𝐑 𝟑 𝟏 + 𝐑𝟒 𝐑 𝟏 𝐞𝟏
𝐑𝟑
Comme généralement on donne aux résistances 𝐑 𝟏 , 𝐑 𝟐 , 𝐑 𝟑 et 𝐑 𝟒 des valeurs

telles que :
𝐑𝟐 𝐑𝟒
=
𝐑𝟏 𝐑𝟑
On a : 𝐑𝟐
𝐕𝐬 = (𝐕 − 𝐕𝐞𝟏 )
𝐑 𝟏 𝐞𝟐
Ce montage peut donc servir à la comparaison de deux tensions 𝐕𝐞𝟏 𝐞𝐭 𝐕𝐞𝟐 .

Si 𝑽𝒆𝟐 reste fixe et 𝑽𝒆𝟏 varie, on a :
- 𝑽𝒔 > 0 Toutefois que 𝐕𝐞𝟐 reste supérieure à Ve1 , 𝐕𝟎𝟐 𝐕𝐞𝟏 > 𝑉𝐞𝟐 ;
- dès que 𝐕𝐞𝟏 dépasse 𝐕𝐞𝟐 , il y a basculement et 𝐕𝐬 > 𝟎.
Le bousculement est réalisé selon la valeur 𝐕𝐞𝟐 prise comme référence et Ve1
variable.
4.8.2. L’amplificateur comparateur de tension
Le comparateur de tension est réalisable avec des amplificateurs classiques sous

réserve que ceux-ci possèdent les qualités suivantes :
- Grand gain ;
- Faible tension de faux zéro ;
- Temps de stockage faible ;
- « Slew rate » élevé.
L’amplificateur est monté avec une boucle de réaction, par suite, en supposant
𝐕𝐞𝟏 fixe, le montage présentera deux points de basculement différents selon le sens de
variation de 𝐕𝐞𝟐 (fig. 4.28). Les valeurs 𝐕𝐞𝟐 correspondant aux deux points de
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 88
basculement dépendront du rapport 𝐑 𝟒 /(𝐑 𝟑 + 𝐑 𝟒 ), des valeurs limités de la tension de

sortie et évidemment de 𝐑 𝟏 , 𝐑 𝟐 𝐞𝐭 𝐕𝐞𝟏 .
R1
− Vs
R2 Tension de
Ve1 basculemen
Av t
+ R3 0 Ve2
Ve2 Vs
R4
Fig. 4.28 : Le comparateur de tension Fig. 4.29 : Cycle de basculement
La figure 4.29 donne le cycle décrit par 𝐕𝐬 en fonction de 𝐕𝐞𝟐 pour une valeur de
𝐕𝐞𝟏 donnée. Un tel dispositif permet de rendre le signal de sortie pendant la période de
basculement, sensiblement indépendant du signal d’entrée.
Cette fonction est fréquemment utilisée pour transformer une information
analogique en information digitale. Pour cette raison, des amplificateurs opérationnels
conçus spécialement pour cette fonction existent sur le marché.
4.8.3. Source de tension de référence
Le montage de la figure 𝟒. 𝟑𝟎 est une source de tension de référence. Si la diode

Zener du montage proposé est une diode Zener de référence (𝑽𝒛 compris entre 6 et 9V), il
est possible d’obtenir une source de tension ajustable (𝑹𝟐 /𝑹𝟏 ) à basse impédance et
pouvant délivrer un courant au circuit extérieur sans compromettre la stabilité de la
tension de référence (les diodes Zener de référence ont un coefficient de température
garanti pour une valeur de courant inverse déterminée).
La capacité C sur la figure 3.55 élimine le bruit de la diode Zener et du circuit
d’entrée de l’amplificateur et la tension de sortie a pour expression :
𝐑𝟐
𝐕𝐬 = 𝐀𝐯𝐫 𝐕𝐳 = − 𝐕
𝐑𝟏 𝐳
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 89
C
+ +
R0 R0
R1 R2 R
− −
Av Av
Vz + Vz +
Dz Vs Dz
R1 R2 Vs
Fig. 4.30 : Source de tension de Fig. 4.31 : Source de tension de référence,

référence, tension de signe tension de même signe
opposé
Il est également possible avec le montage de la figure 4.31 d’obtenir une tension
𝐕𝐬 de même signe que la tension 𝐕𝐳 .
Dans ce cas :
𝐑𝟏 + 𝐑𝟐
𝐕𝐬 = 𝐀𝐯𝐫 𝐕𝐳 ≈ 𝐕𝐳
𝐑𝟏
4.8.4. Source de courant constant
Il existe plusieurs types de source de courant suivant que la charge 𝐑 𝐮 est

référencée à la masse ou flottante.
4.8.4.1. Source de courant à charge flottante
Il existe une variante qui est simplement un amplificateur inverseur de tension

dans lequel la résistance de contre-réaction est remplacée par la charge 𝐑 𝐮 (fig. 4.32).
Ru I R
2
− I2
R
I2 1 Ve
− Av
B + Ru
Ve Av
A + R1
Vs
R
Fig. 4.32: Source de courant constant Fig. 4.33 : Source de courant constant,
à charge flottante variante
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 90
Le courant 𝐈𝟐 traversant la charge 𝐑 𝐮 a pour valeur :

𝐕𝐬
𝐈𝟐 =
𝐑𝐮
Puisque B est un point de masse fictive, or
−𝐑 𝐮
𝐕𝐬 = 𝐕
𝐑𝟏 𝐞
Par suite :
𝐕𝐬
𝐈𝟐 =
𝐑𝟏
Il s’agit bien d’une source de courant constant puisque 𝐈𝟐 est indépendant de 𝐑 𝐮 .
Une autre variante est celle du montage de figure 4.33 (R-A du type V-1).
Dans ce cas :
Ve
I2 =
R1
et l’amplificateur utilisé doit avoir un taux de réjection en mode commun suffisant.
4.8.4.2. Source de courant à charge à la masse
Le montage proposé à la figure 4.34 est un dérivé du montage soustracteur.
R2
NR 2 Dz1 Dz2
NR1 R1
− −
Ve2 Vi2 Ve1 Av
R1 Av
+ R2 +
Vs Vs
Vi1 R
Ve1 I2
Ru
Fig. 4.35 : Limiteur à diodes en tête-
bêche dans la chaîne de R.A
Fig. 4.34 : Source de courant, charge à
la masse
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 91
𝐕𝐢𝟏 𝐕𝐢𝟐 𝐕
𝐈𝟐 = = = ; 𝐕 = 𝐕𝐢𝟐 = 𝐕
𝐑 𝐮 𝐑 𝐮 𝐑 𝐮 𝐢𝟏
Par la suite, il est possible d’écrire (théorème de superposition).

NR2 NR1 R1 R1
V= Ve2 + Vs = Ve2 + Ve1 (α)
NR1 +NR2 NR1 +NR2 R1 +R2 R1 +R2
Et pour le point A :
R2 Ru R1 Ru
V= Ve1 + Vs (β)
R1 R2 +R1 Ru +R2 Ru R1 R2 +R1 Ru +R2 Ru
La valeur de 𝑽 se déduit de ces deux égalités (α) et (β) : il suffit d’expliciter de (α) et de
(β) les valeurs respectives de 𝑽𝒆𝟐 et de 𝑽𝒆𝟏 et de calculer la différence (𝐕𝐞𝟏 − 𝐕𝐞𝟐 ) pour
enfin écrire :
Ru
V = (Ve1 − Ve2 )
R1
D’où :
Ve1 − Ve2
I2 =
R1
Il est donc bien indépendant de 𝐑 𝐮 (source de courant).
4.8.5. Circuit limiteur
Par définition, un limiteur doit à partir d’une certaine valeur choisie de la tension
de sortie, maintenir celle-ci à un niveau constant quelle que soit la valeur de la donnée
d’entrée.
Il ne peut être question d’utiliser la caractéristique de saturation de l’amplificateur
lui-même car, dans ces conditions, les valeurs de limitation dépendraient de
l’amplificateur et de la température. De plus, si le signal à limiter a une fréquence de
répétition élevée, le temps de stockage dus aux saturations de l’amplificateur introduirait
des distorsions et des retards inadmissibles.
Le montage le plus simple est représenté sur la figure 4.37.
• 𝐕𝐳𝟏 , 𝐕𝐳𝟐 les tensions nominales des diodes Zener polarisées en inverse ;
• 𝐕𝐝𝟏 , 𝐕𝐝𝟐 les tensions des diodes Zener polarisées en direct ;
• ρ la résistance équivalente de deux diodes montées en série ; tant que
|𝐕𝐬 | < 𝐕𝐳𝟏 + 𝐕𝐝𝟐 𝐨𝐮 |𝐕𝐬 | < 𝐕𝐳𝟐 + 𝐕𝐝𝟏 , le gain est donné par :
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 92
𝐑𝟐
𝐀𝐯𝐫𝟏 = −
𝐑𝟏
Lorsque :
|Vs | ≥ Vz1 + Vd2 ou |Vs | ≥ Vz2 + Vd1
Le gain devient :
𝛒
𝐀𝐯𝐫𝟏 = −
𝐑𝟏
Le gain de boucle, dans ces conditions varie entre les valeurs extrêmes :
R1 R2
|Av | et |A |
R1 + R 2 R1 + ρ v
Si pour des raisons pratique 𝐑 𝟐 doit être de valeur nettement supérieure à 𝐑 𝟏, le
gain de boucle variera considérablement puisque ρ est, par principe, de très faible valeur.
La réponse amplitude-amplitude du limiteur de la figure 4.36 est donnée sur la
figure 4.37. Vs
Avr1 Vz1 + Vd2

Ve
Vz2 + Vd1 Avr2
Fig. 4.36: Réponse amplitude-amplitude du limiteur

Des diodes autres que les diodes Zener peuvent être utilisées, par exemple : des
diodes Unitunnel ou des diodes à jonctions classiques, toutefois ces dernières doivent
nécessairement être montées en parallèles et non en tête-bêche (en série) et leur
coefficient de température est très important (figure 4.38).
Pour éviter la forte variation du gain de boucle, il est possible d’utiliser le montage de la
figure 4.37 dans lequel la limitation s’effectue directement à l’entrée. Il convient de
remarquer cependant que la limitation pou être efficace ne peut se faire que sur de fortes
valeurs de 𝐕𝐞 ; le rôle de l’amplificateur devient alors secondaire et même néfaste car
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 93
lorsque les diodes d’entrée agissent leurs impédances dynamiques deviennent faibles et le
gain de l’amplificateur, qui était déterminée par le rapport le 𝐑 𝟑 /(𝐑 𝟏 + 𝐑 𝟐 ), croît pour
prendre la valeur 𝐑 𝟑 /(𝐑 𝟏 + 𝛒).
D1
R3
D2
R1 R2
R1 R2
− −
Dz1
Ve1 Av Av
+ +
Vs Ve Vs
Dz2
R
Fig. 4.37 Fig. 4.38
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 94
CHAPITRE 5. TRANSISTOR UNI-JONCTION
5.1. Introduction
Un transistor unijonction (TUJ) ou unijonction transistor (UJT) est constitué par
un cristal de silicium de type N de faible section avec deux contacts aux extrémités 𝐁𝟏 et
𝐁𝟐 appelés bases et avec une jonction centrale qui est l’émetteur E (fig. 5. 1.a).
Son symbole graphique est celui de la figure 5.1.b.
IB2
B2 IB2
B2
IB2
N VBB R′B2
D
E IE B2 E A
IE
P VBB
VE B1 VE R′BJ VBB
VE B2 = M
B1 M (b)
(a) (c)
Fig. 5.1 : Le TUJ : Constitution (a) ; Symbole (b) ; Schéma équivalent (c)
Le schéma équivalent est donné à la figure 5.1.c. D représente la diode formée par
la jonction 𝑷𝑵. 𝐑′𝐁𝟏 et𝐑′𝐁𝟐 représentent les résistances du semi-conducteur entre 𝐁𝟏 et
B2 et le pont A situé en face de la jonction.
Le bâtonnet au silicium est dopé de façon uniforme avec une faible densité
d’impuretés, ce qui correspond à une résistance élevée (𝐑 𝐁𝟏𝐁𝟐 ≅ 𝟏𝟎 𝐊𝛀).
5.2. FONCTIONNEMENT ET CARACTERISTIQUE

Lorsque le TUJ est alimenté normalement (fig. 5.1) avec des tensions
convenable, l’émetteur injecte des porteurs positifs (des trous), c'est-à-dire lorsque 𝐃 est
polarisée dans le sens passant.
Appliquons entre les deux bases une tension fixe (𝐕𝐁𝐁 ≅ 𝟏𝟎 𝐕), puis alimentons
l’émetteur par une tension 𝐕𝐄 < 𝐕𝐀 , le barreau se comporte comme une résistance
linéaire de valeur élevée. La diode 𝐃 est sous tension inverse ; le courant 𝐈𝐁𝟐 est très
faible et il apparaît au droit de la jonction une tension interbase :
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 95
𝐑′𝐁𝐁𝟏 𝐑′𝐁𝟏
𝐕𝐀 = 𝐱 𝐕𝐁𝐁 = 𝛈𝐕𝐁𝐁 Avec 𝛈 =
𝐑′𝐁𝟏 +𝐑′𝐁𝟐 𝐑′𝐁𝟏 +𝐑′𝐁𝟐
η est appellé rapport intrinsèque compris entre 0,45 et 0,65 et qui est
pratiquement indépendant de VBB et de la température. Il est égal à 0,5 si la prise de
l’émetteur est à égale distance entre les deux bases.
Dès que la tension 𝐕𝐄 dépasse la tension𝐕𝐀 , la diode est polarisée dans le sens
passant et le courant IE devient positif. Les trous venant de l’émetteur qui se dirigent vers
𝐁𝟏 sont immédiatement compensée par un courant d’électrons en nombre identique,
électrons qui proviennent des circuits extérieurs pour conserver la neutralité du barreau,
ainsi la résistance 𝐑 𝐁𝟏 du barreau diminue-t-elle dans des proportions importantes. La
caractéristique de la figure 5.2 résume ce fonctionnement.
Le courant émetteur (𝐈𝐄 ) qui est d’abord négatif puis ensuite positif, augmente
brusquement dès que la jonction PN est débloquée, ce qui a lieu quand la tension 𝐕𝐄
atteint la valeur 𝐕𝐩 que l’on appelle tension de pic soit :
𝐕𝐩 = 𝐕𝐀 + 𝐕𝐃 = 𝛈𝐕𝐁𝐁 + 𝐕𝐃
Où 𝐕𝐃 est la tension de seuil de la diode 𝐃 (𝐕𝟎 ≈ 𝟎, 𝟕 𝐕). La résistance 𝐑 𝐄𝐁𝟏

devient très faible et malgré l’accroissement de l’intensité, le produit R EB1 . IE diminue,
ce qui correspond à une diminution de la tension VE . La d.d.p passe alors par une valeur
minimale que l’on appelle vallée puis croît ensuite comme pour une diode normale
(fig. 5.2).
VE (V)
VP
Pic
0′
Vallée
VV
0
IE (mA)
IE0 IP Iv
Fig. 5.2 : Courbe caractéristique du TUJ
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 96
5.3. LE TUJ FONCTIONNANT EN GENERATEUR D’IMPULSIONS

Pour obtenir un générateur d’impulsions à TUJ, on utilise le montage de la fig.
5.3.a. La tension d’entrée est celle du condensateur 𝐂 ; la tension de sortie est prélevée
aux bornes d’une résistance 𝐑 𝟏 de faible valeur (une ou deux centaines d’ohms).
A l’époque origine, le condensateur n’est pas chargé et potentiel de l’émetteur est
nul. Comme le condensateur est alimenté par l’intermédiaire d’une résistance réglable 𝐑
(de l’ordre de 10 kΩ) il se charge lentement jusqu’à ce que la tension à ses bornes
atteigne la tension de pic. Le condensateur se décharge alors très rapidement à travers la
très faible résistance 𝐑 𝐃 + 𝐑 𝐄𝐁𝐈 . Puis le transistor est à nouveau bloqué et le cycle
recommence (fig. 5.3.b) ; on obtient une impulsion positive aux bornes de la résistance
𝐑 𝐁𝐈 (fig. 5.3.c). On aurait de même une impulsion négative aux bornes de la même
résistance placée entre B2 et la batterie.
Vc
VP (b)
R B2
R Vv t
B2 c
E VBB (c)
Vs
B1
R B1 Vs
C Vc t
0
M
Fig. 5.3 : Générateur d’impulsion à TUJ

On démontre que la période commune à la tension VC et à la tensionVS est :
𝐕𝐁𝐁 − 𝐕𝐕
𝐓 = 𝐑𝐂. 𝐈𝐧
𝐕𝐁𝐁 − 𝐕𝐏
𝐕𝐁𝐁
En effectuant simultanément les deux approximations 𝐕𝐕 ≈ 𝟎et𝐕𝐩 ≈ , la formule
𝟐
devient :
𝐓𝐑 𝐂 . 𝐈𝐧 𝟐 ≈ 𝟎, 𝟕 𝐑𝐂
Exemple : avec, 𝐑 = 𝟏𝟎 𝐤𝛀 𝐞𝐭 𝐂 = 𝟎, 𝟏 𝛍𝐅, nous obtenons ; 𝐓 = 𝟎, 𝟕 𝐦𝐬.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 97
CHAPITRE 6. ELEMENTS A 4 COUCHES

6.1. DESCRIPTION
Le thyristor est un semi-conducteur au silicium à quatre couches alternativement P et N (fig.
6.1.a). Les couches extrêmes constituent l’anode et la cathode. C’est une diode PNPN dont on pet
contrôler la tension de déclenchement grâce à la présence d’une électrode supplémentaire que l’on
appelle électrode de commande ou gâchette « G ». Cette gâchette est généralement la région P voisine
de la couche de cathode, mais il existe des thyristors à commande par l’anode, la gâchette est alors la
région N voisine de la couche d’anode.
IA IA
A A A
P DA
JA RA RA
G DG G
RG N
JG RG R
P
JK VAA IG VAA (c)
SW IG N SW
VG VG K
K
(a) (b)
Fig. 6.1 : Le thyristor : - Constitution (a)

- Schéma équivalent (b)
- Symbole (c)
Le schéma équivalent du thyristor et son symbole sont donnés à la figure 6.1.b et

c. La couche de cathode (N) est mince et très dopée ; la couche de gâchette est mince
moyennement dopée : la couche de blocage (entre JA et JC ) est épaisse et faiblement
dopée ; la couche d’anode est moyennement épaisse et moyennement dopée.
6.2. COURBE CARACTERISTIQUE

En l’absence de courant de gâchette, le thyristor ne s’annonce que pour une
tension directe 𝐕𝐁𝟎 élevée (tension de claquage de la jonction polarisée en inverse).
La tension directe appliquée à une polarité telle que les conjonctions 𝐉𝐀 et 𝐉𝐑 sont
branchées dans le sens passant alors que 𝐉𝐆 est dans le sens bloquant. Aussi pour des
faibles valeurs de la tension appliquée, le courant qui traverse les trois jonctions est-il
égal au courant de saturation de 𝐉𝐆 puisque cette conjonction est polarisée en sens
inverse, il est très faible soit quelques micro-ampères.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 98
Si l’on augmente la tension appliquée, la tension inverse appliquée à 𝐉𝐆 croît

également. Dès que cette dernière atteint la tension d’avalanche (𝐕𝐀 = 𝐕𝐁𝟎 ), le nombre
de porteurs de charge se multiplie très rapidement, ce qui correspond à une brusque
diminution de la résistance de l’ensemble. La tension aux bornes de l’ensemble tombe à
un volt environ, le courant n’étant limité que par la présence du circuit extérieur (fig.
6.2).
Fig. 6.2 : Courbe caractéristiques du thyristor (𝐣𝐀 = 𝟎)

Une tension inverse élevée provoque un claquage par avalanche des conjonctions
𝐉𝐊 et 𝐉𝐀 (fig. 6.2 : partie gauche).
Si nous diminuons la tension directe 𝐕𝐀 , la conduction cesse lorsque le courant devient
inférieur à une certaine 𝐈𝐇 dite courant de maintien, le thyristor est désamorcé.
6.3. COMMANDE PAR COURANT DE GACHETTE

Si l’on injecte des porteurs de charge par la gâchette qui constitue la base du
transistor NPN, on diminue la tension d’avalanche de la jonction 𝐉𝐆 réduisant par là
même tension de déclenchement de la diode PNPN. On peut ainsi avec un courant de
gâchette 𝐈𝐆 de quelques ampères, ramener la tension d’amorçage des valeurs plus faibles
suivant l’intensité du courant 𝐈𝐆 (fig. 6.3).
Fig. 6.3 : Amorçage avec différentes Fig. 6.4 : Hyperbole de dissipation

maximale
valeurs de courant 𝐈𝐆
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 99
Si après amorçage le courant de gâchette est annulé, le thyristor reste amorcé tant
que le courant principal (anodique) est supérieur à 𝐈𝐇 (courant de maintient). Après
amorçage, le courant 𝐈𝐆 ne commande plus le thyristor. On peut simplement le retirer.
VALEUR DE 𝐈𝐆 PRODUISANT A COUP SUR L’AMORÇAGE
Le courant de gâchette nécessaire à l’amorçage varie évidemment avec le type de
thyristor. Contrairement à ce que l’on pourrait croire, ce courant varie aussi d’un thyristor
à un autre à l’intérieur d’une même série de thyristors dits « identiques ». Toutefois, le
fabriquant précise pour chaque type de thyristor, la valeur 𝐈𝐆𝐌 du courant de gâchette qui
produit à coup sût l’amorçage pour n’importe quel élément de la série et quelle que soit la
valeur positive de la tension 𝐕𝐀 appliquée entre 𝐀 et 𝐊. Cette tension doit, toutefois être
supérieure à la chute de tension provoquée par le thyristor conducteur (2 V environ).
Sur la caractéristique de gâchette 𝐈𝐠 (𝐕𝐠 )tracée à tension 𝐕𝐀 = 𝟎, nous trouvons la
valeur𝐕𝐠𝐦 de tension associée à la (fig. 6.4). Les valeurs à ne pas dépasser sont fixées par
l’hyperbole 𝐏𝐦𝐚𝐱 des dissipations maximales.
Pour le thyristor 202S, on a trouvé ; 𝐈𝐠𝐦 = 𝟑𝟓 𝐦𝐀et 𝐕𝐠𝐦 = 𝟏, 𝟔 𝐕. La puissance
qui déclenche l’amorçage est donc 𝐩𝐠 = 𝟓𝟔 𝐦𝐖 ; cette valeur est très faible devant la
puissance contrôlée par le thyristor (plusieurs kilowatts).
6.4. REDRESSEMENT DE TENSION PAR THYRISTOR

Une tension sinusoïdale alimente le thyristor en série avec une charge R (fig.6.5).
La tension 𝐯 = 𝐕𝐦𝐚𝐱 𝐬𝐢𝐧(𝛚𝐭) doit avoir une valeur maximale inférieure à la tension 𝐕𝐁𝟎
s’amorçage sans courant de commande. Dans ces conditions en l’absence de courant de
gâchette, le thyristor reste à l’état bloqué.
R
VR
A
IG VA V
VG G
M
Fig. 6.5 : Redresseur à thyristor
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 100
Au cours d’une alternative positive, si pendant un court instant ; nous appliquons entre la
gâchette et la cathode (+ en G) une tension Vg telle que le courant de gâchette atteigne,
en un temps négligeable, la valeur 𝐈𝐠𝐦 définie au paragraphe précédent, le thyristor
devient conducteur et ce que, quelque soit 𝐕𝐀 > 𝟎.
Selon l’instant 𝐭 𝟏 où le courant 𝐈𝐠𝐦 est produit, l’amorçage pourra avoir lie dans la
première moitié de l’alternative (fig. 6.6).
V
V
0 t 0 t
iG
iG
0 t
t
iG iG
0 t 0 t
V V
0
0 t
Fig. 6.6 : Redressement de la tension alternative par thyristor
6.5. LES PROCEDES DE DECLENCHEMENT DU THYRISTOR

6.5.1. Principe de déclenchement
Prenons comme référence le potentiel de la cathode (𝐕𝐤 = 𝟎), le potentiel de

gâchette est alors égal à 𝐕𝐆 :
- avant l’amorçage, le potentiel 𝐕𝐆 ne doit pas être positif ;
- pour provoquer le déclenchement, il faut rendre positif le potentiel de
gâchette ;
- après l’amorçage, jusqu’à la fin de la période en cours, que le thyristor soit
amorcé ou sous tension inverse la valeur du potentiel de gâchette est
théoriquement indifférente.
En effet, pour éviter la dissipation thermique due au courant de gâchette, il est
souhaitable et même indispensable de supprimer celui-ci quand il est inutile. Cette
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 101
suppression est obtenue en redonnant au potentiel 𝐕𝐆 une valeur nulle ou mieux négative
par rapport à 𝐕𝐤 .
Compte tenu de ce qui précède, la forme de la tension de la fig. 6.7.b est la plus
souhaitable. Cette tension est négative pendant toute la période sauf à l’instant t1 où elle
est rendue positive grâce à une impulsion positive.
VA VA = R. IA
(𝑎) t 0 𝜔t
t1
𝜃 = 𝜔t𝑔
(𝑐): 𝑎𝑟𝑑𝐴𝑛𝑔𝑙𝑒 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑡𝑎𝑟𝑑
VG
0 t
(𝑏) t1
−V
Fig. 6.7 : Tension de gâchette
Le thyristor est amorcé avec un angle de phase de retard après le passage de

𝐕𝐀 par zéro (fig. 6.7). Cet angle de retard est réglable avec 𝒕𝟏 car 𝛉 = 𝛚. 𝒕𝟏 .
6.5.2. Classification des procèdes de déclenchement
Le déclenchement ou l’amorçage d’un thyristor est son passage de l’état bloqué à

l’état passant. On l’obtient par un signal direct de gâchette (positif pour un thyristor P et
négatif pour un thyristor N). Les signaux de commande affectant de nombreuses formes :
impulsion, rampe, sinusoïdale et sont produits par de nombreux types de circuits.
Chaque utilisateur choisit le circuit de déclenchement d’après la puissance des
thyristors, le type d’application, le prix de revient…
Il est commode de classer les circuits de déclenchement en trois groupes d’après
la nature des éléments utilisés :
- résistance, résistances et capacités, circuits déphaseurs ;
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 102
- semi-conducteur : diode de déclenchement, diac, transistor unijonction,

transistor, photo thyristor,… ;
- circuits magnétiques à saturation, inductance saturable, amplificateur
magnétique.
Quelques circuits seulement sont présentés ci-dessus.
6.6. LE CIRCUIT DEPHASEUR

Un conducteur de capacité 𝐂est en série avec une résistance 𝐑 réglable (fig. 6.8).
L’ensemble est alimenté par le secondaire d’un transformateur à point milieu dont la
tension sinusoïdale𝐕′ est en phase avec la tension du circuit de charge du thyristor.
Construisons le graphique de Fresnel associé à ce circuit :
- le courant 𝐈⃗ est en avance sur 𝐕⃗⃗ de ∝ ;

⃗⃗𝐄𝐀 = 𝐕
- la tension𝐕 ⃗⃗𝐂 est en quadrature arrière de 𝐈⃗ ;
⃗⃗𝐁𝐄 = 𝐕
- la tension 𝐕 ⃗⃗𝐑 est en phase avec 𝐈⃗ .
On obtient ainsi la figure où la tension 𝐕𝐠 disponible entre 𝟎 et 𝐄 est représentée par le
⃗⃗𝐁𝐄 = 𝐕
vecteur 𝐕 ⃗⃗𝐆 . La construction vectorielle donne
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
AE = A0⃗⃗⃗⃗⃗⃗ + ⃗⃗⃗⃗⃗
0E; ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ + ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
AB = A0 0B; ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
AB = ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
AE + ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
EB
𝛑
∝ +𝛃 = carI⃗ ⊥ ⃗V⃗c
𝟐
i
i B
VR V′
V
R
α 0 ⃗V⃗′
0 B
A β θ
VC C
VG
⃗⃗⃗⃗⃗C ⃗⃗⃗⃗⃗
V VG
⃗⃗⃗⃗⃗
VR
A
E
Fig. 6.8 : Circuit déphaseur
Fig. 6.9 : Diagramme de Fresnel
Si nous faisons varier la résistance R, les valeurs efficaces des tensions 𝐕𝐑 et 𝐕𝐂

varient mais sur le graphique de Fresnel :
⃗⃗𝐂 , 𝐕
➢ les vecteurs 𝐕 ⃗⃗𝐁 restent perpendiculaires ;
➢ la somme vectorielle ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝐄𝐁 = ⃗⃗⃗⃗
𝐀𝐄 + ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝐕′ conserve un module constant.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 103
𝐀𝐁et ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
Appelons 𝜽 l’angle (qu’il est inutile d’orienter) des vecteurs ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝟎𝐄, cet angle
est égal au déphasage entre les deux tensions sinusoïdales 𝐕′ et 𝐕𝐠 . Nous voyons que le
réglage 𝑹 déplace le point 𝑬 et modifie l’angle 𝛉.
6.6.1. Commande horizontale
La tension de commande 𝐕𝐠 délivrée entre 𝟎 et 𝐄 par le déphaseur et appliquée

entre la cathode et la gâchette est une tension alternative d’amplitude constante et en
retard d’un angle sur la tension d’anode (fig. 6.10). La résistance 𝐑’ est destinée à limiter
le courant 𝐢𝐠 à une valeur acceptable et la diode D évite qu’une trop grande tension
inverse soit appliquée à la fonction 𝐈𝐆 .
RH
A
V V’
R
D K
0 R′
B
G
Fig. 6.10 : Circuit à commande horizontale
En faisant varier R de zéro à l’infini, l’angle varie de 0° à 180° et le point A où la

courbe 𝐕𝐠 (𝐭) coupe l’axe des temps, aura une abscisse 𝐭′𝟏 réglable entre les instants 0 et
T/2 (fig. 6.11).
Cet instant 𝐭′𝟏 n’est pas exactement 𝐭 𝟏 celui de l’amorçage. En effet, le processus
de déclenchement ne commence (théoriquement) que si la tension 𝐕𝐠 atteint la valeur
𝐕𝐠𝐦 correspondant au courant 𝐈𝐠𝐦 (de commande à coup sûr) défini dans le paragraphe
6.2. Toutefois t’1 de déclenchement est pratiquement confondu avec l’intersection de la
sinusoïde de commande avec son axe (point A) ; 𝐕𝐠𝐦 étant de faible valeur (= 3 V).
La résistance R’ est calculée pour limiter l’intensité maximale de 𝐢𝐠 à une valeur

acceptable.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 104
VA
Vs
Vgm
A T
0 t
t1 t′1 T/2
Vg
Va
𝜃
Fig. 6.11 : Commande horizontale obtenue avec la fig. 6.10
6.6.2. Commande verticale
La tension de commande 𝑽𝒈 résulte de la superposition de deux tensions

(fig. 6.2) :
- Une tension alternative d’amplitude 𝑽𝒎𝒂𝒙 déphasée de 90° arrière de la
tension anodique, délivrée par le circuit déphaseur ;
- Une tension continue 𝐕0 réglable de −𝐕𝐦𝐚𝐱 à 𝐕𝐦𝐚𝐱 environ.
La somme 𝐕𝐠𝐭 = 𝐕𝐠 + 𝐕𝟎 varie donc entre les limites suivantes (fig. 6.12 : courbe b) :
- pour 𝐕𝐆 = −𝐕𝐦𝐚𝐱 : −𝐕𝐦𝐚𝐱 ≤ 𝟎 ;

- pour 𝐕𝐆 = +𝐕𝐦𝐚𝐱 : 𝟎 ≤ 𝐕𝐠𝐭 ≤ 𝟐𝐕𝐦𝐚𝐱 .
Lorsque l’on fait varie VG de +Vmax à Vmax , le point A, d’intercession de la
sinusoïdale Vgt et de l’ace des temps, se déplace de 0, d’abscisse t=0 (fig. 6.13 : courbe b)
à B d’abscisse t= T/2 (fig. 6.13 : courbe c). L’amorçage peut ainsi être obtenu en
n’importe quel point de l’alternance positive de V.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 105
Ru
A
V
R V’ Th
D K
0 R′
B
G
C
R′′
2Vmax
V0
Fig. 6.12 : Circuit de commande verticale
V VG 𝑣
B b
0 t
A
a
c
Fig. 6.13 : Commande verticale obtenue suivant la fig. 6.12
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 106
6.7. CIRCUITS DE DECLENCHEMENT A SEMI-CONDUCTEURS

6.7.1. Circuit de base
On utilise des éléments de seuil de tension S, non conducteurs au-dessous d’un certain seuil de
tension et qui, ce seuil atteint, présentent une résistance différentielle négative ; ils permettent donc la
décharge brusque d’un condensateur C (fig. 6.14).
RL
Th
R′G
R 𝐒
C
Th RG
υC
V
𝐒
(b)
C VC Déclenchement à S.C, principe
i0
(a)
Fig. 6.14 : Déclenchement à S.C
Le seuil s’obtient en changeant 𝐂 à travers une résistance 𝐑, on obtient donc un

oscillateur à relaxation de période 𝐓 réglable à l’aide de 𝐑. Lorsqu’on diminue 𝐑, 𝐓
diminue ainsi que l’angle de retard 𝛉 du thyristor. Le montage est complété si nécessaire
par deux résistances, limitant la crête de tension 𝐕𝐠 (𝐑 𝐆 et la crête de courant 𝐢𝐆 (𝐑′𝐆 ) au
dessus de valeurs admirables (fig.6.15).
Ces circuits ont l’avantage de fournir à la gâchette des impulsions de courant
brèves et d’énergie facile à régler en raison de leur brièveté, la puissance moyenne des
impulsions est faible ce qui assure la commande de la gâchette et diminue
l’encombrement et le prix du circuit de commande.
L’élément le plus utilisé est le transistor unijonction (TUJ), mais on emploie
aussi des diodes de déclenchement (diac…) et le circuit de déclenchement à deux
transistors.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 107
6.7.2. Déclenchement par transistor unijonction (TUJ)
Le circuit de commande est alimenté par un pont de diode (fig. 6.16) suivi d’un
dispositif écrêteur à résistance série R S et diode Zener DZ .
A Rs B
D1 D2
V4 RL
V3 R
V1
V2
D
Th
𝐶 Vc
D3 D4 Vs
Fig. 6.15 : Redresseur contrôlé par thyristor commandé par TUJ
La tension 𝐕𝟐 = 𝐕𝟐𝐦𝐚𝐱 𝐬𝐢𝐧(𝛚𝐭) du secondaire du transformateur est en phase

avec la tension 𝐕𝟏 = 𝐕𝟏𝐦𝐚𝐱 𝐬𝐢𝐧(𝛚𝐭) du circuit principal.
Le pont de diodes permet de disposer d’une tension unidirectionnelle 𝐕𝟑 de
fréquence « 2f » (100 Hz). La tension 𝐕𝐙 entre les bornes de la diode Zener 𝐃𝐙 est
trapézoïdale (fig. 6.16). Cette tension V4 = VZ peut être considérée comme une tension
continue régulièrement interrompue pendant une très courte durée. Sauf pendant les
interruptions l’unijonction est donc soumise à une tension constante 𝐕𝐁𝐁 = 𝐕𝐙 .
υ
V3
V3
Vc
Vv t
0
Vc 1.2
Fig. 6.16 : Signal de commande fourni par le générateur à TUJ
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 108
La tension 𝐕𝐙 est appliquée à l’ensemble série R et C. Le condensateur se charge

avec la constante de temps 𝛕 = 𝐑𝐂. Dès que 𝐕𝐂 atteint la valeur de pic 𝐕𝐏 , le TUJ
conduit et C se décharge brusquement. Ce phénomène se produit un nombre de fois
défini avant l’annulation de 𝐕𝐙 . La première impulsion déclenche le thyristor lorsque son
anode est naturellement positive par rapport à la cathode. C’est donc l’annulation
périodique de 𝐕𝐙 qui assure la synchronisation. Au début de chaque période de cette
tension, le système est remis à zéro et les phénomènes se reproduisent périodiquement.
6.8. NOTE SUR LA JUSTIFICATION PHYSIQUE DE L’AMORCAGE DU

THYRISTOR
Considérons la constitution interne du thyristor (fig. 6.18)
JA JG JAK
A K
P N P N
G
Fig. 6.17 : Constitution interne du thyristor
Appliquons entre l’anode et la cathode une tension positive VAK > 0. Les jonctions
𝑱𝑨 et𝑱𝑲 sont en direct mais la jonction 𝐉𝐆 est en inverse. Si 𝐕𝐀𝐊 est faible, la jonction 𝐉𝐆
de blocage bloque la conduction normale et l’ensemble n’est traversé que par un courant
de fuite très faible ≅ (𝛍𝐀) et 𝐑 𝐀𝐊 est grande quelques certaines de mégohms.
Si 𝐕𝐀𝐊 ≥ 𝐕𝐁𝟎 , sans courant de gâchette 𝐈𝐠 , la jonction 𝐉𝐆 claque sans se détruire,

parce qu’elle a été préparée en conséquence, la tension 𝐕𝐀𝐊 n’est plus que de l’ordre du
centième d’ohm.
Si 𝐕𝐀𝐊 ≤ 𝐕𝐁𝟎 mais 𝐈𝐠 ≠ 𝟎 et est de valeur suffisante, le thyristor s’amorce. En
effet, considérons les 3 couches NPN de droite (fig. 6.17), nous avons un équivalent de
transistor NPN (la zone P de gauche peut être considéré comme simple résistance).
Appliquer une tension 𝐕𝐝 positive revient à polariser, dans le sens passant, la jonction 𝐉𝐊
(équivalent de la jonction 𝐄 − 𝐁 du transistor.
Les électrons de la couche de cathode (K=E) traversent alors la jonction 𝐉𝐊 , la
couche de gâchette atteignant la jonction 𝐉𝐆 = 𝐉𝐂 qui les propulsent dans la zone N(e)
⃗⃗ interne favorisant toujours les porteurs minoritaires (au sens
grâce au champ électrique 𝛆
physique). La jonction 𝐉𝐀 étant passante, l’amorçage est assuré.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 109
TENSION INVERSE SUR LE THYRISTOR : 𝐕𝐀𝐊 < 𝟎

Si cette tension inverse augmente en valeur absolue, on finit par atteindre le
claquage qui détruit les jonctions JA et JK qui ne sont pas conçue pour supporter cette
tension de claquage, 𝐑 𝐀𝐁 ne s’effondre donc pas simplement comme dans le premier cas.
6.9. THYRISTOR EN MONTAGE TETE-BECHE

Dans la figure 6.18, les deux thyristors Th1 et Th2 sont en montage tête-bêche. Si
ces deux thyristors sont commandés avec le même retard de temps (angle θ) par rapport
au début de chaque alternance, la tension aux bornes de la charge est alternative
(fig. 6.19). Th1
VR
V VR
Th2 R
t 2 + t1
0
t1 t2
Fig. 6.18 : Montage tête-bêche à deux

thyristors
Fig. 6.19
Les deux gâchettes peuvent être réunies pour recevoir simultanément les
impulsions de commande mais, un seul thyristor seulement dont l’anode est positive sera
amorcé au moment de l’envoie de l’impulsion.
Le montage tête-bêche des thyristors peut être appelé contacteur électronique. Il
permet de contrôler la puissance fournie en alternatif. Il est utilisé pour le réglage de
courant dans de nombreuses applications ; soudure, chauffage, éclairage, variation de
fréquence de rotation de moteur universel.
6.10. LES DEUX TYPES DE THYRISTORS

Les deux types de thyristors P et N comprennent chacun quatre couche de semi-
conducteur dopé P-N-P-N sans distinction. Dans le type P la gâchette est fixée sur la
couche P intérieure et voisine à la couche N extérieure de cathode (fig. 6.21.a). Dans le
type N, la gâchette est fixée à la couche N intérieure et voisine à la couche P extérieure
de l’anode (fig. 6.21.b) ; voire aussi les symboles.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 110
JA JG JK JA JG JK
- : électron
P N P N P N P N
+ : trou
A K A K
ε ε
(a) (b)
ig G G
ig
Th Th
A K A K
ig ig
G
G
Fig. 6.20 : Les deux types de thyristors, P et N et leurs symboles
Nous le savons déjà, le thyristor P est commandé par un courant ig positif obtenu
en appliquant, entre gâchette et cathode, une tension positiveVGK > 0. Dans ce cas de
nombreux électrons majoritaires diffusent de K vers A.
Le thyristor N quand à lui est commandé par un courant 𝐢𝐠 négatif, obtenu en
appliquant entre gâchette et anode, une tension négative. Dans ces conditions le courant
de gâchette appelle des trous majoritaires de la couche d’anode vers la couche de
gâchette ; la plupart de ces trous atteignent la jonction 𝐉𝐆 d’où ils sont projetés dans la
couche (ici de blocage), grâce au champ électrique « 𝛆 ⃗⃗ » produit à travers 𝐉𝐆 par la
tension directe appliquée entre A et K. Ces trous produisent une ionisation cumulative
des atomes et la jonction JC devient passante, c’est l’amorçage.
6.11. BLOCAGE DU THYRISTOR CONDUCTEUR

6.11.1. Introduction
Un thyristor à tension d’anode positive conduit quant il a reçu une impulsion de

commande sur sa gâchette. La suppression de l’impulsion laisse le thyristor conducteur
tant que la tension d’anode demeure positive.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 111
On peut même procéder à la réduction du courant d’anode 𝐈𝐀 et le thyristor

restera encore conducteur tant que ce courant sera au-dessus de la valeur de maintien 𝐈𝐇 .
Désamorcer ou bloquer le thyristor, c’est lui annuler de courant anodique.
Le blocage peut être obtenu par suppression de la tension positive d’anode en
l’annulant ou en la rendant négative ; on dit que le blocage est naturel lorsque la tension
d’anode est une tension alternative.
Le blocage peut être forcé. L’anode demeurant positive, on applique par astuce
technique, une tension auxiliaire rendant l’anode négative ; ici l’emploi du condensateur
avec sa propriété de charge et décharge est nécessaire.
6.11.2. Blocage naturel
Dans la figure 6.21.a, l’anode reçoit une tension alternative. Le courant de

commande doit intervenir pendant l’alternance positive de 𝐕𝐀 . Le blocage est naturel au
passage de 𝐕𝐀 à l’alternance négative (fig. 6.21.b).
VA V(t)
Th
OFF Th
T OFF t
Th 2
V(t) T
Th
RU Th
ON
ON
(b)
(a)
Fig. 6.21 : Blocage naturel du thyristor
6.11.3. Blocage forcé : principe
Dans la figure 6.22, la tension est une tension +V continue. Quand, après
amorçage, le thyristor conduit, il présente une résistance 𝐑 𝐀𝐊 faible. Le commutateur SW
placé sur le point 0, le condensateur de capacité C se charge à travers la résistance R et
une tension 𝐕𝐂 se mesure à ses bornes (voir polarité). C se comporte en accumulateur de
tension continue.
Si nous commutons le commutateur SW sur K, le condensateur est connecté aux
bornes du thyristor présentant la borne négative à l’anode et la borne positive à la
cathode. La tension 𝐕𝐀𝐊 est donc négative et le thyristor se bloque alors. Le condensateur
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 112
C va se décharger laissant le thyristor bloqué, nécessitant une impulsion de commande

pour un nouvel amorçage, s’il le faut.
+V +V
RU R RU
C
R A A
+ −
C −
Th
+ Th
SW G G
K M VG M VG
0
Fig. 6.22 : Blocage forcé, principe Fig. 6.23 : Blocage forcé par C et thyristor
auxiliaire
6.11.4. Blocage par capacité et thyristor auxiliaire
Sur le schéma de principe (fig.6.23), le commutateur mécanique SW est remplacé

par un thyristor auxiliaire Th’.
- Th conducteur et Th’ bloqué, C s’est chargé (voir polarité) ;
- Th’ reçoit une impulsion de commande, il conduit et présente une résistance
𝐑′𝐀𝐊 faible ; C se trouve donc connecté aux bornes de Th, rendant 𝐕𝐀𝐊
négative et Th se bloque.
6.11.5. Blocage par capacité et transistor
Le thyristor auxiliaire Th’ de la figure 6.23 est remplacé par un transistor de

commutation comme l’indique la figure 6.24. Le processus de désamorçage reste le
même. +V
+V
RC
RU
Th1
C A
+ −
RB C
−
VS
Th2 +
Fig. 6.25 : Convertisseur continu-alternatif

Fig. 6.24 : Blocage par transistor de commutation
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 113
6.11.6. Blocage alterné des thyristors aux anodes couplées par capacité « C »
Il s’agit du fonctionnement en bascule (fig. 6.25). Les deux thyristors ont la

même chance de conduire. Si c’est Th1 qui reçoit l’impulsion de commande, il conduit et
C se charge comme l’indique la polarité signalée. Si maintenant Th2 reçoit l’impulsion de
commande, il conduit et C se voit connectée aux bornes de Th1 et ce dernier se bloque, le
potentiel d’anode devenant inférieur à celui de cathode ; C se recharge dans le sens
inverse. Les impulsions alternées sur les gâchettes font commuter alternativement les
deux thyristors. On recueille au secondaire du transformateur une tension alternative.
6.11.7. Blocage automatique par circuit shunt « LC »
Sur la figure 6.26, le circuit LC shunte le thyristor :

- le thyristor Th bloqué, C se charge à travers R et L (voir polarité) ;
- l’impulsion est appliqué sur la gâchette du Th, ce dernier conduit et présente
une résistance 𝐑 𝐀𝐊 faible. Le condensateur C se décharge à travers Th et IC
s’ajoute à i et après, L réagit et inverse le sens du courant i C, le circuit LC
oscille ; iC se retranche de i à la première occasion et i < IH et Th se
désamorce. Si les impulsions de gâchette sont régulière, le cycle se reproduit
car C finit par se recharge avant l’impulsion future, (fonctionnement en
monostable).
+V
Ru
ic
+ C
Th −
Fig. 6.26 : Blocage automatique du thyristor par circuit shunt iC
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 114
6.12. LE TRIAC
6.12.1. Constitution
L’association des deux thyristors, l’un de type P et l’autre de type N (fig. 6.27)
équivaut à un montage tête-bêche des thyristors évoqués au § 5.9. K2 est réunie à A1 et K1
est réunie à A2 (fig. 6.27).
A1 K2 A1 K2
K2
P N N P N
N P P P P
G1 G2
P N N N N N G1
G2
G1
N P P P P P
N
A2
K1 A2 N
K1
K1 G2
A2
Fig. 6.27 : Evolution technologique du triac
FUSION DE DEUX THYRISTORS
Les deux thyristors peuvent être réunis en un seul composant comportant cinq
couches dont trois sont communes (fig.6.27.b). L’encastrement des deux zones N
extérieures dans les zones P voisines donne le composant de la fig.6.27.c où A 1 et K2
d’une part et A1 et K1 d’autre part sont confondues en une seule connexion réunie au
composant par un alliage non rectifiant (soudure chimique).
Pour que G1 et G2 ne constituent également qu’une seule électrode, une zone N
supplémentaire est diffusée dans la partie P de A2K1 (fig.6.28).
La connexion unique A2 K1 sera appelée « électrode » E1 , la connexion unique
G1 G2 est l’électrode de commande ou gâchette G, et A1 K 2 , l’électrode E2 .
Le composant que nous venons de décrire est un triac (triode alternating curent).
De part sa constitution, il va conduire dans les deux sens. Sa courbe caractéristique est
celle de la figure 6.28.
ELETRONIQUE TOME
E2 P a g e | 115
N t(A)
E2 10
P P
i VE2 E1 0,05
V(v)
G
N N ig
E1
E1 G Fig. 6.29 : Courbe caractéristique
Fig. 6.28 : Constitution et symbole d’un triac
du triac
6.12.2. Processus d’amorçage
a) triac sous tension V positive, C-A-D, 𝐕𝐄𝟐 > 𝐕𝐄𝟐

La partie du composant est identique à un thyristor P (fig. 30.a) et nous
connaissons le processus d’amorçage.
b) Triac sous tension V négative C-A-D, 𝐕𝐄𝟐 < 𝐕𝐄𝟐
La partie active diffère légèrement d’un thyristor N (fig. 6.30.b) ; le processus
d’amorçage est donc légèrement différent.
N 1
P P 2
N 3
N
(+)P 4
P
(−)(+) (−)N 5
(a)
(b)
Fig. 6.30 : Processus d’amorçage
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 116
Le courant de gâchette négatif provoque un passage d’électrons de la zone 5 vers

la zone 4 à travers la jonction J45 où le champ interne le propulse vers la zone 3.
L’équilibre des charges (fixes en mobiles) de la zone 3 est rompu par un excès de
porteurs N et, pour établir l’équilibre, des trous diffusent de la zone 4 vers la zone 3. Le
triac se trouve alors dans le même état que le thyristor N, commandé à partir de la zone 3
et l’amorçage se produit.
Le DIAC (Diode Alternative Curent) est un triac sans gâchette dont l’amorçage
est uniquement par dépassement de ±𝑽𝑩𝟎 . Son symbole est celui de la figure 6.31.a et sa
courbe caractéristique est celle de la figure 6.31.b.
𝑖
E2 E2
ou
𝑣
E1
(𝑎) E1
(𝑏)
Fig. 6.31 : Symbole (a, b) et courbe caractéristique

Il est utilisé pour le déclenchement des triac.
La figure 6.32 en donne un exemple de circuit de déclenchement de triac par
utilisation d’un DIAC.
RU
𝑅
DIAC TRIAC
𝑖
V(t)
+ 𝑖′
𝐶
− VC
Fig. 6.32 : Déclenchement du Triac par Diac
Le Triac étant constitué de deux parties (thyristors) le courant 𝑖 amorce une partie
et le courant 𝑖′, opposé à 𝑖, l’autre partie.
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 117
6.13. LE G.T.O (GATE TURN OFF)

Le GTO est une espèce de thyristor à enclenchement et déclenchement (blocage)
par courant de gâchette. Une impulsion positive débloque le Triac et une impulsion
négative le bloque.
La figure 6.33 donne le symbole du G.T.O
𝐴
𝐺 𝐾
Fig. 6.33 : Symbole du G.T.O

Remarquons que la vitesse de commutation est nettement plus grande que celle
du thyristor.
On pense surtout à son utilisation dans les gammes des fréquences plus élevées.
En outre le G.T.O est utilisé pour les fortes puissances dans :
- la traction électrique ;
- la variation de vitesse des moteurs à courant continu (Hacheurs) ;
- l’alimentation sans interruption (onduleurs) ;
- le système d’allumage automobile ;
- les modulateurs Radar.
6.14. L’IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)

6.14.1. Structure
La structure de l’IGBT est tout à fait similaire à celle d’un MOSFET de

puissance, telle que l’indique la figure 6.34. La différence fondamentale est le
remplacement du substrat 𝐍 + par un substrat 𝐏 + pour l’IGBT qui injecte des trous
(porteurs minoritaires) dans la zone 𝐍 − (épitaxiée). Cela contribuera à une réduction
considérable de la résistance de cette zone et permettra d’obtenir une très faible chute de
tension à l’état passant (𝑉𝑐𝑠𝑎𝑡 ).
NOTE : Les notations 𝐍 + , 𝐏 + , 𝐍 − , 𝐍 − , 𝐍, 𝐏 veullent signifier respectivement :
fortement dopé, faiblement dopé et moyennement dopé.
ELETRONIQUE TOME
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𝑆𝑖 02 𝑆 𝐺 𝐾 𝐺
𝑁− 𝑁− 𝑁 ++ 𝑁 ++ 𝑁 ++
𝑃 𝑃
𝑃+
𝑃+
𝑁 − é𝑝𝑖 𝑁 − é𝑝𝑖
𝑁+ 𝑃+
𝐷 𝐴
(𝑎) (𝑏)
Fig. 6.34 : Structure de MOSFET (a) et de l’IGBT (b)
La figure 6.35 donne le symbole de l’IGBT
𝐾
Fig. 6.35 : Symbole de l’IGBT
Notons en passant qu’il existe deux types de structure des IGPT :
- la structure PT (Punch Through) ou asymétrique ;
- la structure NPT (Non Punch-Though) ou symétrique.
L’IGBT permet de résoudre le problème de la forte valeur de la résistance 𝑹𝑫𝑺 de
MOSFET haute tension.
Les faibles chutes de tension à l’état passant obtenues avec la structure IGBT
autorise un fonctionnement à densité du courant plus élevée que celle des transistors
bipolaires ou Darlington.
Le transistor IGBT est l’association d’un transistor bipolaire et d’un transistor
MOSFET. Il associe les performances en courant entre collecteur et émetteur (la faible
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 119
chute de tension collecteur-émetteur  0,1 V et la commande en tension par la grille qui

nécessite un courant permanent quasiment nul.
6.14.2. Symbolisme
Pour désigner les électrodes de l’IGBT, trois technologies sont utilisées :

• G (Grille) ; E (Emetteur) ; C (Collecteur) ;
• G (Grille) ; S (Source) ; D (Drain) ;
• G (Grille) ; A (Anode) ; K (Cathode) ;
ELETRONIQUE TOME
P a g e | 120
BIBLIOGRAPHIE
1. MIANTUDILA Mia-Zola, Notes de cours sur l’Electronique Générale Tome II, ISTA-KIN, 2013-2014,
Inédit
2. NGOYI et Narcisse, Notes de cours sur le Schéma Electronique, ISTA-KIN, 2013-2014, Inédit
3. MIANTUDILA Mia-Zola, Notes de cours sur le Micro Circuit Tome II, ISTA-KIN, 2014-2015, Inédit
4. E. LUZOLO, Notes de cours sur les Machines à courant continu G1, ISPT-KIN, 2006-2007, Inédit
5. MIDAGU, Syllabus du cours Calculateur Numérique, ISTA-KIN, 2014-2015, Inédit
6. LUABA Augustin et Narcisse, Notes de cours sur le Circuit Logique Tome I, ISTA-KIN, 2013-2014, Inédit
7. Jean-François ANSOUD, La variation de vitesse des moteurs à courant continu, Lycée du Val de Saône,
Trévoux, 2001
ELETRONIQUE TOME

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Cours d’électronique

Ingénieur A1 en électronique appliquée

REPUBLIQUE DEMOCRATIQUE DU CONGO

L’évolution rapide de l’électronique, et essentiellement de la

Ce document d’électronique générale, dit électronique des petits signaux, a été

Ce document met également l’accent sur la structure interne, les propriétés,

Comme soutenu dans le tome précédent ; L’art de l’ingénieur est de savoir

Cependant, la confortation des résultats expérimentaux et ceux escomptés,

TABLE DES MATIERES

1.16. Montages fondamentaux ......................................................................................................................19

24. LES TRANSISTOR EN COMMUTATION .................................................................................................37

4.2.1.5. Analyse de l’amplificateur différentiel ...............................................................................................63

6.3. COMMANDE PAR COURANT DE GACHETTE......................................................................................98

A l’usage des élèves de la 3ème et 4ème Humanités Electroniques, et ainsi

Mars 2019, Inédit.

Ce document ; tous droits réservés.

CHAPITRE 1. TRANSISTORS BIPOLAIRES

1.2. Symboles et Types

Il existe deux types de transistors bipolaires :

Type NPN Type PNP

1.3. Fabrications et Constitutions

Il y a deux possibilités de fabriquer le transistor bipolaire :

Cependant, pour que le transistor puisse fonctionner normalement, il faut et il

1.4. Modèle électrique équivalent

Fig. 1.4 Fig. 1.5

Note : On ne peut considérer le transistor comme l’association de deux diodes, mais la

Remarque : Pour une meilleure compréhension, on travaillera plus sur le transistor du

1.5. Grandeurs caractéristiques

Soit le transistor représenté à la figure ci – après :

En fonctionnement normal, le courant entre dans le transistor NPN par la base et

1.5.1. Relation entre courant

En appliquant la loi de nœud à la figure 1.7 ci – dessous ; on aura :

Le courant de base est proportionnel au

1.5.2. Relation entre tension

En appliquant la loi de maille à la figure 4.30, on aura :

VCE + VBC – VBE = 0

IB : courant de base, unité pratique (µA)

1.6. Courbes caractéristiques

Les caractéristiques électriques du transistor bipolaire sont unidirectionnelles. On

1.6.1. Caractéristique statique d’entrée

IB = f(VBE) à VCE constante :

La jonction base-émetteur d’un transistor bipolaire, à un fonctionnement analogue

1.6.2. Caractéristique statique de sortie

Il s’agit d’un réseau des courbes caractéristiques, il se compose de 3 parties

- Zone de saturation : Pour VCE relativement faible, la caractéristique de sorti est un

- Zone de fonctionnement normal : Dans cette zone les caractéristiques à IB sont

1.6.3. Limites d’utilisation

Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un domaine d'utilisation

Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie du transistor (Figure 9) est

1.7. Commande du courant de collecteur

Pour un transistor alimenté et qui fonctionne normalement, si on varie le courant

1.8. Mode de fonctionnement

1.8.1. Mode de fonctionnement Normal

Nous devons pour ce modèle traduire :

Transistor en fonctionnement normal

confirme bien que le transistor est un « robinet d’électron »

1.8.2. Mode Inverse

1.8.3. Mode Saturé

1.8.4. Mode Bloqué

Ici nous devons traduire le fait que :

Le modèle en est par conséquent évident :

1.9. Transistor en régime de commutation

1.9.1. Fonctionnement en relais statique