- 

Localisation des trous sur les cation métalliques, Le défaut ponctuel s’écrit :
- Le Bilan global est :
- b) Pérovskites :
- LaMnO3 excédentaire en oxygène: (+),
- ( ); ( )
- 2 ()
- 2 (-)
- 2 (0)
- stœchiométrique en oxygène(0) : , compensation de charge des ions Sr2+ par des ions Mn4+
- sous-stœchiométrie en oxygène (-) : 2 création de créées par dopage par un élément de D.O inférieur
- sous-stœchiométrie en oxygène(+): Mn4+ neutralisant les ions oxygène de sur-stœchiométrie,
- 2. Substitution par un cation de valence supérieure

2.1. Le cation du réseau hôte a une valence fixe

a) Influence sur la concentration en lacunes cationiques
- réaction d’insertion:
- réaction chimique : (1-x)
- excès électronique dans le réseau, la bande de valence est plein + l’excès des électrons vont occuper la bande de conduction
- semi-conducteur de type n
 

-
- Cas :
- Cas
-
• Création de lacunes cationiques
• Création d’interstitiels anioniques: les anions excédentaires vont se localiser sur les sites interstitiels vides
2.2. Le cation du réseau hôte a une valence variable
a) Dioxyde de titane dopé avec Nb2O5 : Dopage par électrons
réaction chimique : conducteur ionique par lacunes cationiques
sous-stœchiométrie en oxygène(+):
- stœchiométrique en oxygène(0) : ique

- sous-stœchiométrie en oxygène (-) : (destruction des sites anioniques et cationiques)

 , 𝑿 𝟐∗
 𝑴𝒆 𝟐 𝑶 𝟑 𝑴𝑶𝟐 𝟐 𝑴𝒆 𝑴 +𝟑 𝑶 𝑶 +𝑽 𝑶
→
 - stœchiométrique en oxygène(0) : 2 ,
- compensation de charge des ions Sr2+ par des ions Mn4+
- sous-stœchiométrie en oxygène (-) : 2
- création de créées par dopage par un élément de D.O inférieur
- sous-stœchiométrie en oxygène(+):
- Mn4+ neutralisant les ions oxygène de sur-stœchiométrie,