Cours dElectronique Analogique

ENSPS - 1ire anne. Anne universitaire : 2003/2004

Thomas Heiser
Laboratoire PHASE-CNRS
(Physique et Applications des Semiconducteurs)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
mail: heiser@phase.c-strasbourg.fr

http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA2004/

Contenu du cours
1.

Quelques rappels utiles

2.

Les Diodes

3.

Applications des diodes

4.

Le Transistor bipolaire

5.

Les Transistors effet de champ

6.

Rtroaction et amplificateur oprationnel

Bibliographie
Trait de l lectronique analogique et numrique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
Principes dlectronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
Electronique: composants et systmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
Microlectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
2

1. Les bases
1.1 Composants linaires et loi dOhm :

I
I

Rsistance lectrique = composant linaire :

V
V=RI

loi dOhm

Le modle linaire ne dcrit le comportement rel du composant que dans un domaine de

fonctionnement (linaire) fini.

Gnralisation aux circuits en rgime harmonique (variation sinusodale des tensions et courants) :
V ( ) = Z ( ) I ( )
L

C
composant linaire :
impdance :

Z ( ) =

1
jC

Z ( ) = jL
3

1.2 Source de tension, source de courant :

1.2.1 Sources idales :
I

I
source de courant
idale :

Io
Io

charge

V
le courant fourni par la source est indpendant de la charge

source de
tension idale :

V
Vo

Vo V

charge

I
la tension aux bornes de la source est indpendante de la charge

1.2.2 Sources relles :

domaine de fonctionnement linaire

ou domaine de linarit
I
Io

source de courant
relle :

schma
quivalent
V

Le domaine de linarit dfini la plage de fonctionnement du composant en tant que source de

courant
Schma quivalent:

hyp : Vdomaine de linarit

I
I = Io

Io

Ri

charge

Ri = rsistance interne
(Gi = 1/Ri = conductance interne)

V
Ri

I cst = I o
V
tant que I >> courant dans la rsistance interne
Ri

source de courant Ri >> V/I = Ze = impdance dentre de la charge.

domaine de linarit
source de tension
relle :

V
Vo

schma
quivalent

Vo V

charge

Schma quivalent:
hyp : Vdomaine de linarit
I

V = Vo Ri I

Ri
Vo

charge

V cst = Vo
tant que la chute de potentiel aux bornes de Ri est faible
devant V (Ri I << V )

source de tension Ri << Ze

6

Transformation de schma :

Ri

en fait...
Vo

vu de
la
charge

avec
V
I o = o = courant de court-circuit
Ri
(charge remplace par un

Io
Ri

court-circuit)
[Vo = tension en circuit ouvert du diple]

puisque

I = Io

V Vo V
=
V = Vo Ri I
Ri Ri Ri

selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri)

Sources lies

Lorsque la tension (ou le courant) dlivre par une source dpend de la

tension aux bornes dun des composants du circuit ou du courant le
parcourant, la source est dite lie. Vous verrez des exemples de sources
lies dans le cas des transistors.

1.3 Thorme de Thvenin :

Tout circuit deux bornes (ou diple) linaire, constitu de rsistances, de sources de tension et
de sources de courant est quivalent une rsistance unique RTh en srie avec une source de tension
idale Vth.
A
Rth

I
V

I A
V

Vth

= gnrateur de Thvenin

B
B
!

Calcul de Vth:

Vth = V (circuit ouvert )

!

Calcul de Rth:
ou

Rth =

Vth
V (circuit ouvert )
=
I (court - circuit ) I (court - circuit )

Rth = R AB en absence des tensions et courants fournies par les sources non-lies.
[remplacement des sources de tension non-lies par un fil (Vo=0), et
des sources de courant non-lies par un circuit ouvert (Io=0)]
8

Mesure de Rth :
Au multimtre : exceptionnel puisquil faut remplacer toutes sources non-lies par des courtcircuits ou des circuits ouverts tout en sassurant que le domaine de linarit stend jusqu
V=0V.

A partir de la mesure de V(I) :

V
Vth
pente = - Rth

mesures

Vth
2

gnrateur quivalent de Thvenin

I
!
V
= Rcharge = Rth
I V =Vth

mthode de division moiti

En rgime harmonique le thorme de Thvenin se gnralise aux impdances complexes.

Gnrateur de Norton = source de courant quivalente au gnrateur de Thvenin
Rth= impdance de sortie du montage.

2. Les Diodes
2.1 Dfinition

Id

Id

Caractristique couranttension dune diode idale :

Vd

sous polarisation directe

(Vd0), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation inverse (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

Ce type de composant est utile pour raliser des fonctions lectroniques telles que le
redressement dune tension, la mise en forme des signaux (crtage, ).
La diode (mme idale) est un composant non-linaire
Aujourdhui la majorit des diodes sont faites partir de matriaux semiconducteurs
(jonction PN ou diode Schottky, cf cours Capteurs 1A et Option: Physique des dispositifs
lectrique 2A)

10

2.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium

hyp: rgime statique
(tension et courant
indpendants du
temps)

Id
140

comportement linaire

100
60
20

Is
-2

-1.5

-1

-0.5

0.5

Vo1

Vd

Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1A ,

la diode est dite bloque
dans ce domaine son comportement est approximativement linaire
le courant inverse, Is , augmente avec la temprature
Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation peu prs linaire
la diode est dite passante
mais Id nest pas proportionnel Vd (il existe une tension seuil~ Vo)
11

Id
140
100
60
20
-2

-1.5

-1

-0.5

0.5

Vo1

Vd

Zone du coude : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

V
I d I s exp d
VT

avec 1 2 (facteur didalit)

VT = k T/e
k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10-19Coulomb, T la temprature en Kelvin
Is = courant inverse

le comportement est fortement non-linaire

forte variation avec la temprature
VT (300K) = 26 mV
12

Limites de fonctionnement :
Zone de claquage inverse

Id

Ordre de grandeur :
Vmax = quelques dizaines de Volts

Vmax
Vo

peut conduire la destruction pour une

diode non conue pour fonctionner dans
cette zone.
Vmax = P.I. V (Peak Inverse Voltage) ou
P.R.V (Peak Reverse Voltage)

VdId=Pmax
Vd

claquage par effet

Zener ou Avalanche

Limitation en puissance
Il faut que VdId=Pmax
Influence de T :

diode bloque : Id = IS double tous les 10C (diode en Si)

diode passante : Vd ( Id constant) diminue de ~2mV/C

13

2.3 Diode dans un circuit et droite de charge

2.3.1 Point de fonctionnement
Comment dterminer la tension aux bornes dune diode insre dans un circuit et le
courant qui la traverse?

Id
Val

Vd

RL VR

Id , Vd, ?

Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

Id et Vd sont sur la caractristique I(V) du composant

Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

14

2.3.2 Droite de charge

Val Vd
Loi de Kirchoff : L I d =
RL

= Droite de charge de la diode dans le circuit

Caractristique I(V)

Id
Val/RL

IQ

Q= Point de fonctionnement

Droite de charge

Vd
VQ

Val

Connaissant Id(Vd) on peut dterminer graphiquement le point de fonctionnement

procdure valable quelque soit la caractristique I(V) du composant !
On peut calculer le point de fonctionnement en dcrivant la diode par un modle simplifi.
15

 hyp: Id, Vd constants

2.4 Modles Statiques segments linaires

2.4.1. Premire approximation: Diode idale

On nglige lcart entre les caractristiques relle et idale

Id
pas de tension seuil
conducteur parfait sous polarisation directe
Vd <0: circuit ouvert

Id

Vd

Vd

Schmas quivalents :

Id

Ri
diode passante
Id 0

pente=1/Ri
Val

Vd

Val >0
Ri

V
I d = al , Vd = 0
Ri

Val

Val

Id
Val< 0

Ri

Vd
Val

Val

diode bloque
Vd < 0
I d = 0, Vd = Val
16

2.4.2 Seconde approximation

tension seuil Vo non nulle
caractristique directe verticale
(pas de rsistance srie)
Vd <0: circuit ouvert

Id

Id
Vd

Vd
Vo

Pour une diode en Si: Vo 0,6-0,7 V

schmas quivalents :
Schmas quivalents

Id

Ri
pente=1/Ri

diode passante
V Id 0

Val

Vd

Val >Vo
Ri

V Vo
I d = al
, Vd = Vo
Ri

Vo Val

Val

Id
Val<Vo

Ri

Vd
Val

Val

diode bloque
Vd < Vo
I d = 0, Vd = Val
17

2.4.3 3ime Approximation

tension seuil Vo non nulle
rsistance directe Rf non nulle
Vd <0: rsistance Rr finie

Caractristique relle
pente = 1/Rf

Id

Vd

pente = 1/Rr~0

Pour une diode en silicium,

Vo = 0,6-0.7V, Rf ~
q.q. 10, Rr >> M,

Modlisation
Vd

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1

Vo

Schmas quivalents
schmas quivalents :

Id
Val >Vo :

pente=1/Ri

Vd

Ri
Val

Vo
Vd

Vo Val

Id

diode passante
I d 0 et Vd Vo

Rf

Vd = Vo + R f I d

Id
Ri

Val <Vo :

Vd
Val

diode bloque
Val

Rr

Vd < Vo

18

Remarques :

V
Rf d
Id

Le choix du modle dpend de la prcision requise.

Les effets secondaires (influence de la temprature, non-linarit de la

caractristique inverse, .) sont pris en compte par des modles plus volus
(modles utiliss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).

19

2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via lutilisation des schmas quivalents :

Problme: le schma dpend de ltat (passante ou bloque) de la diode.
Dmarche (pour dbutant...):
a) choisir un schma (ou tat) en vous aidant de la droite de charge
b) trouver le point de fonctionnement Q de la diode
c) vrifier la cohrence du rsultat avec lhypothse de dpart
Sil y a contradiction, il y a eu erreur sur ltat suppos de la diode.
Recommencer le calcul avec lautre schma.

Dmarche pour tudiants confirms...

Un coup dil attentif suffit pour trouver ltat (passant/bloqu) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schma quivalent...

20

Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ime approximation pour la diode.

hypothse initiale : diode passante

[Vd >Vo , (Id>0)]

>
Val = 5V

RL=
1k
Id

Informations sur la diode:

Vo = 0.6V ( Si)
Rf = 15
Rr =1M

5V

>

Vd

OK!

Vo Rf

V Vo
L I d = al
= 4,33mA
R f + RL
1k

et Vd = Vo + R f I d = 0,66V

En partant de lhypothse dune diode bloque: Vd 5V > Vo K

En utilisant la 2ime approximation: (Rf = 0, Rr = ) L I d = 4,4mA et Vd = 0,6V
La 2ime approx. est souvent suffisante pour une tude rapide du fonctionnemnt dun circuit

21

Autres exemples :
Caractristiques des diodes :
Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie

1)
50

Calcul de Id et Vd
1M

Val

pour :
a)Val = -5V
b) Val = 5V

Conseil: simplifier le circuit dabord avant de vous lancer dans des calculs

2)

R1 = 1k

Etude du signal de sortie en fonction de lamplitude du signal dentre :

frquence nulle :
vsortie

ventre
Vref=2V

ventre = Ve (constant)

avec ventre signal basse frquence telque le modle statique reste

valable (priode du signal < temps de rponse de la diode pas
deffet capacitif ou )

22

D1

3)

Caractristiques des diodes :

Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie

D2

R
270

R
270

V1

V2

4.7k VV
os
2V

Dterminer Vs , VD1 et VD2 pour :

a) V1 = V2= 5V
b) V1 = 5V V2= 0V
c) V1 = 0V V2= 0V

23

2.5 Comportement dynamique d une diode

2.5.1 Prlude : Analyse statique / dynamique dun circuit
L Analyse statique
se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs lectriques
(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)
= Analyse complte du circuit si seules des sources statiques sont prsentes
L Analyse dynamique
ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou signaux lectriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )
na dintrt que sil y a des sources variables!

Notation :

lettres majuscules pour les composantes continues

lettres minuscules pour les composantes variables
24

Illustration : Etude la tension aux bornes dun composant insr dans un circuit.
R1
hypothses: ve = signal sinusodale
Ve = source statique

ve
R2

V(t)

Ve

Analyse statique : V (t ) ="V " = ?

Analyse dynamique : v(t ) = V (t ) V = ?

Calcul complet
V (t ) =

R2
[Ve + ve (t )] = R2 Ve + R2 ve (t )
R1 + R2
R1 + R2
R1 + R2
V

v(t)
25

Par le principe de superposition :

Comme tous les composants sont linaires, le principe de superposition sapplique
la source statique Ve est lorigine de V , et ve est lorigine de v
R1

Analyse statique : ve = 0
Ve

R2

V=

R2
Ve
R1 + R2

schma statique du circuit

R1

Analyse dynamique : Ve = 0
ve

R2

v(t ) =

R2
ve (t )
R1 + R2

schma dynamique

Une source de tension statique correspond un court-circuit dynamique

26

Autres exemples:
R1

R2

1)
ve

R1

Schma statique

Io

R3

V(t)=V+v(t)

R2
V=
Io R3

R1R3
Io
R1 + R2 + R3

Schma dynamique
R1
ve

R2
R3

v(t ) =

R3ve (t )
R1 + R2 + R3

Une source de courant statique est quivalent en rgime dynamique un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]
27

 C = composant linaire caractris par une impdance qui

dpend de la frquence du signal

2)
Val
C
vg

Rg

R1

R2

Schma statique :

Val

V (t)

frquence nulle C = circuit ouvert

V =

R1

R2

R2
Val
R1 + R2

28

Schma dynamique :
Zc =

ZC
vg

Rg

R2

1
iC

v =

R1

R2 // R1
R2 // R1 + Z g

avec Z g = Rg +

1
iC

schma quivalent dynamique

pour suffisamment leve :

Z g Rg

et

v=

R2 // R1
vg
R2 // R1 + Rg

A haute frquence ( prciser suivant le cas), le condensateur peut tre remplac par un
court-circuit.
29

 Le principe de superposition nest plus valable en prsence de composants non-linaires !

Extrapolations possibles:

le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linarit du composant nonlinaire

lamplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du composant

reste approximativement linaire.

30

2.5.2 Fonctionnement dune diode dans un de ses domaines de linarit (D.L.) :

Id
D.L. direct
Tant que le pt. de fonctionnement reste
dans le D.L. la diode peut tre dcrite par le
modle linaire appropri

Vd
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1

Vo

D.L. inverse
Exemple :

le point de fonctionnement reste dans le D.L. direct

100
la diode peut tre remplace par le modle linaire suivant :

0,5 sin (100 2 t )

0,6V
V(t)

5V
1k

diode: Si, Rf = 10 , Vo = 0,6V

10

31

100

Schma statique :

0,6V

10

5V

1k
reprsente la diode seulement si le pt de
fonctionnement reste dans le D.L. sous
polarisation directe

100
Schma dynamique :
0,5 sin (100 2 t )

V = = 4,6V

10

ve = 0,45 sin (100 2 t )

1k

ATTENTION, lutilisation des modles segments linaires nest plus valable si le point
de fonctionnement passe dans la zone du coude
32

2.5.3 Modle faibles signaux (basses frquences)

hypothse: variation suffisamment lente (basse frquence) pour que la caractristique statique reste
valable.
Variations de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :
la caractristique Id(Vd) peut tre approxime par la tangente en Q
pente :
dI d
dVd Q

Id

I dQ

2|id|

id

schma quivalent dynamique

correspondant au point Q :

Q
Vd
Vo

dI d
vd
dVd Q

dI d
dVd Q

= rsistance dynamique
de la diode

2| v|

VdQ

Ce schma ne peut tre utilis QUE pour une analyse dynamique du circuit !
33

 Notation :

rf =

dI d
dVd V > 0
d

rr =

dI d
dVd V <0
d

= rsistance dynamique pour VdQ> 0

= rsistance dynamique pour VdQ < 0

Pour Vd >> Vo, rf Rf

Pour Vd < 0 , rf Rr
Pour Vd [0, ~Vo] , r f =

dI d
dVd

dV
Vd d

temprature ambiante : r f

Vd

VT
I s
I se

25

I d (mA)

V
= T
Id

( = 1)

proche de Vo la caractristique I(V) scarte de la loi exponentielle

rf ne devient jamais infrieur Rf (voir courbe exprimentale, p11)

34

 Rsum des schmas quivalents faibles signaux, basse frquence :

Id

Vd

Id

Vd
Id

Vd

rf Rf

V
rf = T
I dQ

rr Rr >>M

hyp : la frquence est suffisamment faible pourque id et vd soient en phase

impdance relle (rsistance dynamique)

35

Exemple :
1k

5V

ve = 0,1 sin 103 2 t

Ra 10F

Ve

diode: Si, Rf = 10 , Vo = 0,6V ,

Temprature : 300K

Rb
2k

Vd(t)

ve

Id

Analyse statique :

Analyse dynamique : r f

5 0,6
= 2,2mA, Vd 0,62V
2000

26
= 12, Z c = 16 << Ra
2,2

Schma dynamique :

1k

v 1,2 103 sin 103 2 t

2k

Amplitude des ondulations rsiduelles : 1,2 mV

v
ve

~ 12

36

2.5.4 Rponse frquentielle des diodes

Limitation haute frquence :

Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanes de Vd
au del dune certaine frquence.
apparition dun dphasage entre Id et Vd
le modle dynamique basse frquence nest plus valable

Le temps de rponse de la diode dpend :

du sens de variation (passant bloqu, bloqu passant) (!signaux de grande amplitude)
du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)

37

 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)

une petite variation de Vd induit une grande variation Id, cest --dire des charges qui
traversent la diode
A haute frquence, des charges restent stockes dans la diode (elle narrivent pas suivre
les variations de Vd)
~ Comportement dun condensateur, dont la valeur augmente avec Id
(cf physique des composants)
Modle faible signaux haute frquence (Vd >0) :
rc

rsc

Cd

I dQ

Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF 1mA, 300K.

T
= capacit de diffusion

basse frquence : rc + rs = rf
la sparation en deux rsistances tient mieux compte des phnomnes physiques en jeu.
38

 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) :

une variation de Vd entrane une variation du champ lectrique au sein de la diode, qui son
tour dplace les charges lectriques.
haute frquence, ce dplacement donne lieu un courant mesurable, bien suprieure Is.
Ce comportement peut encore tre modlis par une capacit lectrique :

Modle faible signaux haute frquence (Vd < 0) :

rr

Ct

1
Vd Vo

= capacit de transition ou dpltion

Ordre de grandeur : ~pF

39

 Diode en commutation : Temps de recouvrement direct et inverse

Le temps de rponse fini de la diode sobserve aussi en mode impulsionnel , lorsque la diode
bascule dun tat passant vers un tat bloqu et vice-versa.
VQ

Vg

Vo
R

t
-VR
Vo Vd

Vg

Vd
-VR

temps de rponse

Id
(VQ-Vo)/R
-VR/R

le temps de rponse dpend du courant avant commutation.

ordre de grandeur : ps ns
40

2.6 Quelques diodes spciales

2.6.1 Diode Zener
Diode conue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractrise par une
tension seuil ngative ou tension Zener (VZ)
Caractristiques
VZ : tension Zener (par dfinition: VZ >0)
Id
-Vz

Vd

Imin : courant minimal (en valeur absolue) au del

duquel commence le domaine linaire Zener

-Imin
Imax : courant max. support par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

-Imax

RZ : rsistance Zener =

dI d
dVd V <V
d
z

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax rgime de fonctionnement

ex: 1N759

41

 schmas quivalents

Modle statique :

hyp : Q domaine Zener

Vd
Id
-Vz

Id

Rz

Vd

Vz

-Imin
Modle dynamique, basses frquences, faibles
signaux :

Q
pente
1/Rz
-Imax

dI
d

rz =
dV
d Q

Rz

pour |Id| >Imin

42

2.6.2 Diode tunnel

Exploite leffet tunnel travers la jonction PN (cf. Mcanique quantique)
Caractristique I(V) :
I
rf ngative, utile pour les circuits rsonnants

Q
V

Illustration : Le pont diviseur comme amplificateur

Vpol fixe Q dans la partie dcroissante de I(V)
vs
R !
=
>1
vg R + r f

vg
Vpol

vs Cet type damplificateur est peu utilis parce quon peut faire mieux...
43

2.6.3 Diode lectroluminescente (ou LED)

Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

Lintensit lumineuse courant lectriqueId
Ne marche pas avec le Si (cf. cours Capteurs)
Vo 0.7V ! (AsGa: ~1.3V)

44

3. Applications des Diodes

Un aperu qui sera complt en TD et TP.

3.1 Limiteur de crte (clipping)

Fonction : Protger les circuits sensibles (circuits intgrs, amplificateur grand gain) contre
une tension dentre trop leve ou dune polarit donne.
Rg

Exemple : clipping parallle

(diode // charge)

circuit
Ze protger

Ve

Vg
Fonctionnement :
droite de charge I
Vg
Rg

Ve Vo

quand Vg(t) > Vo= 0.7V :

quand Vg(t)< Vo :

Ve

Ze
Vg
Z e + Rg

Vd=Ve
Vo

Ve

Protection contre les tensions suprieures ~1V

Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode :

Pmax Vo I d max Vo

Vg 0,6
Rg

(si Ze >> q.q. )

45

Clipping srie :

Rg
Vg

Fonctionnement :

Ve(t)

Ze

circuit
protger

Tant que Vg < Vo , la diode est bloque et le circuit protg

Pour Vg > Vo : Ve Vg 0,6

)Z

Ze
Vg 0,6 Vg
e + Rg

Le circuit est protg contre toute tension infrieure Vo (en

particulier les tensions ngatives)
Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode :
I d max

Vg 0,6
Rg + Z e

Vg
Rg + Z e

46
Comment peut-on modifier le circuit pour protger la charge contre des tensions positives?

Protection contre une surtension inductive

+20V
V

ouverture de linterrupteur :
L
I

V =L

dI

dt

VA +
risque de dcharge lectrique
travers linterrupteur ouvert
Linterrupteur pourrait tre un
transistor...

Protection par diode :

+20V

Vmax<0 ~ - 0.7V
V

VA ~20,7V
I

la conduction de la
diode engendre un courant
transitoire et diminue la
tension inductive.

47

Exercices :

(1)

Vg

Quelle est la forme de V(t) pour chacun des circuits suivants ?

Rc

Dz

(2) Vg

Rc V
V1

V2

(3) Dtecteur de fronts de monte

C
R

Rc V

RC >> T

48

3.2 Redressement
Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour lalimentation dun appareil en tension continue partir du secteur)
Redressement simple alternance
Vs
220V
50Hz

Vs

Vm 0.7

Rc
(cf avant)
t
Ri =rsistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire

avec filtrage passe-bas :

R
220V
50Hz

Vs

Rc

Le condensateur se charge travers R (+Rf ) et se

dcharge travers Rc:
R C << RcC
Vs
ondulation rsiduelle
R, C, f
t

mauvais rendement : la moiti du signal dentre nest pas exploite

49

Redressement double alternace (pont de Graetz)

Fonctionnement

Vi

D1

D2
Vs

D3

Vs , Vi

D4

Rc

quand Vi > ~1.4V :

D1 et D4 = passants, D2 et D3 = bloques
Parcours du courant :
quand Vi < ~ -1.4V :
D1 et D4 = bloques, D2 et D3 = passantes
Parcours du courant :

~1.4V

t
Vi < 1.4V

50

50

avec filtrage :

R
D2
200F

D3

D4

Rc=10k

Vi

D1

Vs

Vs

avec condensateur
sans condensateur

Ondulation rsiduelle rduite

51

Courant transitoire de mise sous tension :

C est initialement dcharg VC 0
Id peut devenir trop lev
V 1,4
I d max i
R
Idmax dpend de R et C

(mA)
ID2

Vs

60

Vsecondaire

40

[Vm =10V]
20

rgime transitoire
Diodes de puissance
Les 4 diodes du pont de Graetz existe sous forme dun composant unique (ou discret)
52

Autres configurations possibles :

Utilisation dun transformateur point milieu :

secteur
~

mauvais rendement, puisqu

chaque instant seule la moiti du
bobinage secondaire est utilis

transformateur
point milieu

Alimentation symtrique :
+Val
secteur
~

masse

-Val
53

3.3 Restitution d une composante continue (clamping)

Fonction : Dcaler le signal vers les tensions positives (ou ngatives)
reconstitution dune composante continue (valeur moyenne) non nulle
Rg

Exemple :

Vc

Vg(t)

Vd

Fonctionnement : On supposera la diode idale (1ire approx.)

Lorsque Vg - Vc > 0, la diode est passante
Rg
Vg

Lorsque Vg - Vc <0, la diode est bloque

C
Vc

Rg
Vd

Vg

C
Vc

Vd

C se charge et Vc tend vers Vg

Vc = constant (C ne peut se dcharger!)

Vd = 0

Vd = Vg +Vc
~ composante continue
54

Quelle est leffet de la tension seuil Vo de la diode (non prise en compte ci-dessus) ?

 Cas particulier :
Vg = Vm sin ( t ) pour t > 0

Vc = 0 pour t < 0

(C dcharg)

Rg

Vc

Vg(t)

Vd

Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge

Simulation
Vg
charge du condensateur

Vc

C=1F
Rg =1k
f= 100hz
Vm =5V

Vd 0.7V

Vd
t (s)

55

Charge de C avec une constante de temps de RgC chaque fois que la diode est passante
Dcharge de C avec une constante de temps RrC
le circuit rempli ses fonctions, si pour f >>1/RrC (105hz dans lexemple) :
en rgime permanent: Vd Vg - Vm
composante continue

Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.

56

3.4 Multiplieur de tension

Fonction : Produire une tension de sortie continue partir dun signal dentre variable. La
tension continue est gnralement un multiple de lamplitude du signal dentre.
Exemple : doubleur de tension
Rg
Vg ~

Vg = Vm sin (2f t ) pour t > 0

C
VD1

VRc

Rc>> Rg

Vm=10V, f=50Hz, C=10F

Rc=100k.

clamping

redresseur monoalternance

VD1 ,VRc

En rgime tabli, le courant dentre du

redresseur est faible (~ impdance dentre
leve)
VRc 2 Vm 1,4 2 Vm

rgime transitoire

permanent

Il ne sagit pas dune bonne source de

tension, puisque le courant de sortie (dans Rc)
doit rester faible (~ rsistance interne leve)
57

Autre exemples :

Doubleur de tension

source
AC
charge

assemblage de deux redresseurs monoalternance en parallle.

limpdance dentre de la charge doit tre >> Rf + Rtransformateur+Rprotection
source flottante ncessit du transformateur

58

4. Transistor bipolaire
4.1 Introduction
le Transistor = llment clef de llectronique
il peut :
amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
tre utilis comme une source de courant
agir comme un interrupteur command ( = mmoire binaire)
essentiel pour llectronique numrique
...
il existe :
soit comme composant discret
soit sous forme de circuit intgr, i.e. faisant partie dun circuit plus
complexe, allant de quelques units (ex: AO) quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)

59

 on distingue le transisor bipolaire du transistor effet de champ

diffrents mcanismes physiques
Ils agissent, en 1ire approx., comme une source de courant commande
transistor bipolaire : command par un courant
transistor effet de champ: command par une tension

Icontrle

I command = G Vcontrle

I command = A I contrle
Vcontrle

source de courant
commande par un
courant

source de courant
commande par une
tension

A = gain en courant

G = transconductance.

Idalement : ltage dentre ne dpend pas de ltage de sortie.

60

4.2 Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire

Structure simplifie

diode EB

P+
couplage
entre les
diodes

Transistor NPN

Transistor PNP

E
metteur

diode EB

N+
B

base

P
N

P
collecteur

diode BC

diode BC

Un transistor bipolaire est constitu de trois zones semiconductrices diffrentes,

lmetteur, la base et le collecteur, qui se distinguent par la nature du dopage.
Les deux jonctions PN (ou diodes!) metteur/base et base/collecteur se partagent
la rgion centrale : la base . Le couplage entre les jonctions est lorigine de l
effet transistor : le courant dans lune des diodes (gnralement dans la jonction
base/metteur) dtermine le courant dans la seconde. (cf aprs)
Symtrie NPN/PNP: Les transistors PNP et NPN ont un comportement
analogue condition dinverser les polarits des tensions.
61

 Effet transistor

Conditions de polarisation :

Exemple: Transisor NPN

RE

VEE

E
IE

P
r
E

eIB

C
IC

Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTIF du transistor

RC

VCC

si VEE > ~ 0.7V, le courant circule entre lmetteur et la base VBE ~ 0.7V, IE >> 0
La jonction EB est dyssimtrique (dopage plus lev ct E)
courant port essentiellement par les lectrons (peu de trous circulent de B vers E)
VCC > 0, un champ lectrique intense existe linterface Base/Collecteur
La majorit des lectrons injects par lmetteur dans la base sont collects par le champ
IC ~IE et IB = IE -IC << IE
Le courant IC est contrl par IE , et non vice versa

62

 Premires diffrences entre le transistor bipolaire et la source commande idale...

Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V
I B non nul = fraction de IE ne participant pas la commande de IC .
Symboles

C
B

B
E

PNP
Conventions :

NPN
VCB

VCB
IB

IC
IE

VBE
IE = IB+IC

la flche indique le sens du

courant dans ltat actif

NPN

VCE

IB

IC

VCE

IE
VBE
PNP

63

4.3 Caractristiques du transistor NPN

VCE

Choix des paramtres :

Les diffrentes grandeurs lectriques (IE, IB,
VBE,VCE,) sont lies:
diffrentes repsentations quivalentes des
caractristiques lectriques existent

RE
VEE

IE
VEB

IC
IB

RC
VCC

VCB

Configuration Base Commune

( base = lectrode commune)
Caractristiques : IE (VEB,VCB), IC (VCB ,IE) ou IE (VBE,VBC), IC (VBC ,IE)
Configuration Emetteur Commun
(metteur= lectrode commune)
Caractristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE, IB)

La reprsentation des caractristiques en configuration collecteur commun est plus rare.

64

Caractristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN

IE (VEB, VCB) :

caractristique dentre
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)
~ caractristique dune jonction PN

IE (mA)

V
I E I s exp BE 1
VT

VCB=0 , -15
2

trs peu dinfluence de IC (resp. VCB)

1
VEB (V)
-0.1

-0.5

0,1

0,5

Jonction EB bloqu
IE ~ 0, VBE < 0.5 V

VBE (V)

Jonction EB passante
IE >0, VBE 0.6-0.7V

65

mode actif
IC (VCB, IE) :

IE (mA) VBE

Ic (mA)

2.0
1.5

1.5

1.0

0.5

0.5
0

-0.5

IC I E

VCB (V)

jonction PN polarise en inverse

tension seuil de la jonction BC
pour VCB > ~-0.5V, on a IC =
F IE , avec F proche de 1.
En mode actif, I B = I E I C = I E (1 F )
pour IE = 0, on a IC = courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0
Transistor en mode bloqu
pour VCB -0.7, la jonction BC est passante, IC nest plus controle par IE
Transistor en mode satur
Ordre de grandeur : F ~0.95 - 0.99

F = gain en courant continue en BC

66

Caractristiques en configuration EC :
IB (VBE, VCE) :

caractristique dentre
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)

IB (A)

IC

IE
VCE= 0.1V

r
E

IB

1.5
0.5
0

> 1V
0.1 0.2 0.3

VBE (V)

VBE > 0.6V, jonction PN passante

IB <<IE charges non collectes par le champ lectrique de la jonction BC

I B = (1 F )I E

Influence non-ngligeable de VCE sur F Effet Early

67

IC (VCE, IB) :

Ic(mA)

Ib= 20 A
15A

10A

5A
VCE (V)

1
Transistor satur

Transistor bloqu
IC = ICO

3
5
Mode actif

Mode actif : BE passant, BC bloque VBE 0.7V et VCB >~ -0.5 V

VCE = VCB +VBE > -0.5 + 0.7 ~0.2 V
I C = F I E = F (I C + I B ) I C =

F
I B =" hFE " I B
1F

hFE = gain en courant

continue en EC = F

ordre de grandeur : hFE ~ 50 - 250

Grande dispersion de fabrication sur hFE.
Effet Early : F tend vers 1 lorsque VCE augmente hFE augmente avec VCE
Mode satur : Diode BC passante -> IC ~ indpendant de IB
hFE diminue lorsque VCE 0

68

 Modes actif / bloqu / satur

Transistor NPN
Configuration EC :
Mode actif :

VBE 0.7V

Mode bloqu :

IB 0

~ 0.3V < VCE < VCC

Mode satur : VBE 0.8V

B IB

B
E

VCE VCC

IC 0

VCE 0.2V

I c hFE I B

hFE IB

~0.7V

E
Mode actif

I c hFE I B

C
~0.8V
E

E
Mode bloqu

~0.2V

Mode satur

VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin)
VCC ne peut pas dpasser cette valeur!

69

Transistor PNP
Configuration EC :
Mode actif : VBE 0.7V ~ 0.3V < VCE < VCC
Mode bloqu :

IB 0

Mode satur :VBE 0.8V

B IB

(< 0)

I c hFE I B

VCE VCC

IC 0

VCE 0.2V

I c hFE I B

hFE IB

~0.7V

~0.2V
~0.8V

E
Mode actif

E
Mode bloqu

E
Mode satur

70

 Valeurs limites des transistors

Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)
Puissance maximale dissipe : Pmax =VCE IC
Courants de saturations inverses :
IC , IB et IE 0 en mode bloqu

ICVCE =Pmax

fiches techniques :

71

 Influence de la temprature
La caractristique dune jonction PN dpend de la temprature
les courants inverses (mode bloqu) augmentent avec T
VBE, IB,E constant, diminue avec T
ou rciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T
Risque demballement thermique : T I C Puissance dissipe T L

Necessit dune contre-raction dans les amplificateurs transistors bipolaires :

T I C VBE I B I C

72

4.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit Point de fonctionnement

Droites de charges :
Le point de fonctionnement est dtermin par les caractristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliques au circuit.
Exemple :

Comment dterminer IB, IC, VBE, VCE ?

+VCC
Rc

Droites de charges :
V VBE
Vth = Rth I B + VBE I B = th
Rth

Rth
Vth

V VCE
VCC = RC I C + VCE I C = CC
RC

73

 Point de fonctionnement
IB

VBEQ 0.6-0.7V, ds que Vth> 0.7V

(diode passante
transistor actif ou satur)

V VBE
I B = th
Rth
Q

IBQ

0.1 0.2 0.3

VBE (V)

VBEQ
VCE sat VCEQ VCC

Ic(mA)
Q
ICQ

IBQ
V VCE
I C = CC
RC
ICO

VCEsat

VCEQ

I CO I c

VCC VCE sat VCC

Rc
Rc

Q fixe le mode de fonctionnement du transistor

VCE (V)
74

Exemple : Calcul du point de fonctionnement

+VCC=10V
Rc=3k
Rth IB

Rth=30k
hFE =100

Vth

Rc

0.7V

Vcc

hFE IB

Vth =1V

I BQ = 10 A
I C Q = 1mA

VCE Q = 7V

On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC

Rsultat cohrent avec le mode actif du transistor.

75

 Remplacement de Rth par 3k :

+VCC=10V
Rc=3k

L I BQ = 100 A

Rth=3k

L I C Q = 10mA

hFE =100

L VCE Q = 20V !!

Vth =1V

Rsultat incompatible avec le mode actif

le modle donne des valeurs erronnes

Cause :
En ayant augment IBQ,(rduction de Rth)
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif

Ic(mA)
Q

IBQ

VCE Q ~ 0.3V
et I CQ = 3.2mA

VCEQ

VCE (V)
76

 Quelques circuits lmentaires :

t<0 :

Transistor interrupteur:
+VCC

RB

0.7V
t

Interrupteur
ouvert
I RC = 0

RB
t>0 :

Vcc
Rc

RC

Rc

VBB

IC

VBE < 0.7V Mode bloqu

+VCC

VBE > ~0.8V, telque RcIc ~VCC

VCE ~qq. 100mV

Interrupteur ferm

VCC
RB
Interrupteur ouvert

VCC

VCE

I Bmin
( interrupteur ferm)

~0.8V

VBEmin 0.7
Vcc

Rc hFE
RB

RC

Interrupteur
ferm

~0.2V <<VCC
V 0.2 VCC

I RC = CC
RC
RC
77

Transistor source de courant :

VCC
charge
Rc
I

V 0.7V
I BB
RE
quelque soit Rc
tant que le transistor est en mode actif

E
VBB

RE

Source de courant

Domaine de fonctionnement :

(VBB > 0.7V )

0 < VCE = VCC (RC + RE )I C < VCC

V
Rcmax cc RE
I
pour Rc suprieure Rcmax transitor satur
Rcmin = 0
78

Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension

10V

15V

560

charge
10k

Vz =5,6V
10k

4,7k

I
charge

79

hypothses :

Transistor, amplificateur de tension :

Point de fonctionnement au repos :

Transistor en mode actif lorsque vB = 0
(amplificateur classe A)

+VCC
RC

Amplitude du signal vB suffisamment faible

pourque le transistor soit chaque instant actif

IC
B

vB

Modle 1ire approximation pour le transistor

V 0.7
IE B
I C = I c + ic
RE

VSortie
VBB

RE

(IB <<IC)

v
En ngligeant la variation de VBE : ic B
RE

Enfin :

VSortie = Vcc Rc I C = Vs + vs

et

R
vs = Rc ic = c vb
RE

avec : Vs = Vcc RI c

Rc
Le signalvB est amplifi par le facteur Av =
RE

Av = pour RE =0 ?? voir plus loin pour la rponse...

Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manire optimale?

80

4.6 Circuits de polarisation du transistor

Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor

Le choix du point de repos dpend de lapplication du circuit.

Il doit tre lintrieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)
Les principales caractristiques dun circuit de polarisation sont :
sensibilit par rapport la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur hFE , )
stabilit thermique.
(coefficient de temprature des diffrents paramtres du transistor :VBE, hFE,).

81

 Circuit de polarisation de base ( courant IB constant)

IC

RC
VCC

IC1

RB

Dispersion de fabrication:
hFE mal dfini

Vcc
Rc

IC2

Q1
mme IB

2 transistors
diffrents

Q2

VCE
V VBE Vcc 0.7
I B = cc

RB
RB

Q : I c = hFE I B

VCE1 VCE2

Vcc

et VCE = Vcc Rc I c

Consquence : hFE Ic VCE

Le point de repos dpend fortement de hFE = inconvnient majeur
Circuit de polarisation peu utilis.
Exemple : Transistor en mode satur RB tel que I B > I Bsat

Vcc
Rc hFE

en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur.

82

 Polarisation par raction de collecteur

+VCC
RB

RC

IC

VCC 0.7
RC + RB
hFE

Le point de fonctionnement reste sensible hFE

Proprit intressante du montage :
Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque VCE
ne peut tre infrieur 0.7V

Cas particulier : RB=0

V 0.7
I C CC
RC

VCE = 0.7V

Le transistor se comporte comme un diode.

83

 Polarisation par diviseur de tension - polarisation courant (metteur) constant

+VCC
R1

+VCC
RC

Vth 0.7
RE + Rth / hFE

Rc
VCE = VCC (RC + RE )I C

Rth
R2

IC I E

avec Vth =

Vth
RE

Peu sensible hFE : si

R2
VCC
R1 + R2

et

Rth = R1 // R2

V 0.7
Rth
<< RE I C th
RE
hFE

Bonne stabilit thermique

84

+VCC

Une faon de comprendre la stabilit du montage :

R1

RE introduit une contre-raction

RC

R2
RE

Augmentation de

VBE et IE diminuent

VE augmente

IE augmente

contre-raction

VBE I diminue de 2mV/C

E
VB ~Vth
Rgles dor pour la conception du montage :
Rth/RE 0.1 hFEmin ou encore R2 < 0.1 hFEmin RE IR2 10 Ib
VE ~VCC/3
" Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1
Idem, si laugmentation de IE rsulte dun change de transistors
(dispersion de fabrication)

85

 Polarisation par un mirroir de courant

Q1 ,Q2 = transistors apparis (circuit intgr)

+VEE

VEE 0.7
Q1 : VBC =0 ~ diode I p
Rp

Q2

Q1
IC

Ip
Rp

En mode actif, les courants de bases

sont ngligeables (1ire approx.)
Rc

Q2 : VEBQ = VEBQ
1
2

IC I p

Q2 agit comme un mirroir de courant.

fixe le courant Ip

Imperfection :

Point de fonctionnement ne dpend pas explicitement de hFE

Effet Early I C V augmente avec VCE Rc

BE

(jusqu ~25% !)

86

Amlioration possible

+VEE
RE introduit une contre-raction :
RE

RE
VBEQ

VBEQ

Ip
Rp

Si IC augmente (variation de VCE), VBEQ diminue

2

Q2

Q1

comme VBEQ = VBEQ RE I C I p

2
1

IC

et soppose laugmentation initiale.

Rc

avec RE <<RC

87

4.7 Modle dynamique

Variation de faibles amplitudes autour dun point de fonctionnement statique
Comportement approximativement linaire
Modles quivalents
Caractristique dentre :
+VCC

IB

dr

RC
IC
B

vB

oit

ed

ec

ha

rg

IBQ
E
VSortie

VBB

V
I B I s exp BE
VT

RE

1 hFE

iB
Q

vB

VBEQ

VBE

0.2 0.4 0.6

vBE
t
Pour vB petit:

ib

IE
v
I B
vbe = be
vbe
hFE VT
" hie "
VBE Q

hie = rsistance dentre dynamique du

transistor en EC
88

Notation :

h V
" hie " = FE T
IE

= rsistance dentre dynamique du transistor en EC

B
vbe

ib

hie
E

hie i pour input, e pour EC, h pour paramtre hybride (cf quadriple linaire)
Ne pas confondre hie avec limpdance dentre du circuit complet. (voir plus loin).
A temprature ambiante (300K) on a :

hie

26 hFE
I E (mA)

( )

89

droite de charge

Caractristique de sortie en mode actif :

Ic

ic=hfe ib
En premire approximation :
t

ic " h fe "ib
B

ib

IBQ+ib

IBQ

ic C
VCE

hie

hfeib

VCEQ
hfe = gain en courant dynamique
hFE en Q (*)

En tenant compte de leffet Early: ic = h feib + hoe vce

ic C

B ib
hie

hoe =

vce

I c
VCE Q

hoe 1 = impdance de sortie du transistor en EC

hfeib
hoe-1

Ordre de grandeur : 100k - 1M

E
90

Le modle dynamique ne dpend pas du type (NPN ou PNP) du transistor

Note sur hFE et hfe :

droite de charge
Ic

Ic
IB (A)

tangente en Q

ic = h feib

20
Q

15
10

droite passant par lorigine

IC = hFE I B

VCE

IB (A)
on a gnralement :

h fe hFE
sauf proximit du domaine satur

91

 Analyse statique / analyse dynamique

Exemple: Amplificateur de tension
VCC
A.N.:
Vcc=15V
R1=47k
R2=27k
Rc=2.4k
RE=2.2k
hFE=100

VCC
R1

Rc

Rc

R1
statique

vg

Vs=VS+vs
R2

RE

VS
signal

R2

RE

composante
continue
Analyse statique : on ne considre que la composante continue des courants et tensions
C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule travers C).
Point de fonctionnement statique Q (cf avant)

R2

VCC VBE
R + R2

I EQ 1
RE
A. N

mode actif

VS = VCC Rc ICQ = 10V

A.N

ICQ = 2.2mA
92

Analyse dynamique :
Hypothses : transistor en mode actif schma quivalent du transistor
Schma dynamique du circuit :
Rc

R1
ib

1
iC

R2

(circuit ouvert)

hie
hfeib

vg

hoe-1
transistor

vs

RE
en ngligeant hoe...
ib
1
iC
vg

hie
R1 // R2

hfeib
Rc

vs

RE
93

 Pour C suffisamment leve on peut ngliger son impdance devant les rsistances :
ib
hie
R1 // R2

vg

hfeib
i RE

Rc

vs

RE

Calcul de la fonction de transfert vs/vg :

v g = hieib + RE iRE = hie + h fe RE ib

vs = Rc h fe ib

Rc h fe
vs
Rc
=
=
h
vg
hie + RE h fe
RE + ie
h fe

Pour RE >> hie/hfe on retrouve le rsultat de la page 94.

94

Autre exemple :

R1=10

Rgulateur de tension

IDz

Transistor de puissance

hoe

IC

DZ

hFE = h fe = 50
1

DZ = diode Zener avec |VZ|=9,4V

Imin = 1 mA

Ve =
15 2V

RL

IR2

charge: RL = 25
Vs =VS + vs

R2
= 500

ondulation rsiduelle
composante
continue

En statique : Ve = 15V
VD VZ et VBE 0.6V VS 10 V
V VS
I R1 = e
= 0.5 A
R1

I R2 =

0.6
= 1,2mA
500

I RL =

10
= 0.4 A
RL

I C = I R1 I DZ I RL = 0.1 I Dz
et
I
I Dz = I R2 + I B = 0.0012 + C
h fe

I
I DZ 3mA , I C 97 mA et I B = C 2mA
hFE
95

Efficacit de rgulation ondulation rsiduelle : Ve varie de 2V, quelle est la variation rsultante de Vs ?
Etude dynamique du montage :
R1

I c 100mA hie

h fe 25mV

I E (mA)

13

Rz
ib

ve

hie

vs

RL

hfeib

R2
R1

hie <<R2

i = h fe + 1 ib
vs = (Rz + hie ) ib

vs Rz + hie Rz + hie
=

0.4
i
h fe + 1
h fe

Rz
ve

ib
hie

RL

vs

hfeib

96

R1

ve

0.4

RL

vs

Rz + hie
h fe
Rz + hie
v
s
=
= 0,03 << 1
Rz + hie + h fe R1
ve Rz + hie + R
1
h fe

Le mme montage sans transistor aurait donne une ondulation rsiduelle de

vs
(Rz + R2 )// RL 0.7

ve (Rz + R2 ) // RL + R1
97

 Modle dynamique hautes frquences

Aux frquences leves on ne peut pas ngliger les capacits internes des jonctions EB et BC.
En mode actif :
la jonction EB introduit une capacit de diffusion Cd
la jonction BC introduit une capacit de transition Ct .

Schma quivalent dynamique hautes frquences

B

Ct

rce

iC C

iB
Cd

hFE rse

hfe iB

ro

E
Ces capacits influencent le fonctionnement du transistor aux frquences leves et sont
responsable d une bande passante limite des amplificateurs transistor bipolaire (cf plus loin).
98

4.8 Amplificateurs transistors bipolaires

4.8.1 Caractristiques dun amplificateur
Rg

amplificateur
+VCC
ie
ve

vg
source

Ze
vs

il

Zs

-VEE

RL
charge

vL

Fonction: amplifier la puissance du signal

tout amplificateur est alimente par une source denergie externe (ici: VCC et (ou) VEE)
v
Lentre de lamplificateur est caractrise par son impdance dentre Z e = e
ie
La sortie agit comme une source de tension vs caractrise par son impdance de sortie Zs
Zs = rsistance de Thvenin quivalent au circuit vu par RL
99

 Gain en tension :
Rg

Comme Zs 0 le gain en tension dpend de la charge

Dfinitions

v
Gain sur charge : AvL = L =
ve

Gain composite:
(tient compte de la
rsistance de sortie
de la source)

ie
ve

vg

v
vL
= s
Gain en circuit ouvert : Av =
ve R = ve
L

+VCC

source

Ze
vs

Zs
-VEE

iL

RL
charge

RL
Av
RL + Z s

Ze
v
AvL
Avc = L =
v g Ri + Z e

Gain en courant :

A Z
i
Ai = L = vL e
ie
RL

Gain en puissance :

v i
A p = L L = Avc Ai
v g ie

Comme Ze , Avc diffre de AvL

100

vL

 Lamplificateur idal :
Gains indpendants de lamplitude et de la frquence (forme) du signal dentre
Impdance dentre leve peu de perturbation sur la source
Impdance de sortie faible peu dinfluence de la charge

La ralit...
Domaine de linarit : distorsion du signal pour des amplitudes trop leves
Nonlinarit des caractristiques lectriques des composants
la tension de sortie ne peut dpasser les tensions dalimentation
Bande passante limite : le gain est fonction de la frquence du signal
capacits internes des composants
condensateurs de liaison
Impdances dentre (sortie) dpendent de la frquence

101

4.8.2 Amplificateur metteur commun (EC)

Particularits des amplificateurs EC :
Le transistor en mode actif
Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor
La sortie est prise sur le collecteur
La borne de lmetteur est commune lentre et la sortie Emetteur commun

Les diffrences dun amplificateur EC lautre sont :

Le circuit de polarisation
Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.
La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage (cf plus loin).

102

Exemple :

VCC
RC

R1
CB

Polarisation par diviseur de tension

Couplage capacitif avec la source, vg, et la charge RL.

CC
RL

vg
R2

vs
hypothses :

RE

Point de repos du transistor: mode actif

( choix des rsistances)

A la frquence du signal les impdances condensateurs de liaison sont ngligeables :

1
1
<< R1 // R2 ;
<< RL
C B
CC

CB est ncessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifi par
la prsence du gnrateur de signaux.
Cc vite que la charge voit la composante continue de VC, et quelle influence le point de
repos du transistor.

103

 Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts

circuit de polarisation pont diviseur

Analyse dynamique :

R1

rB = R1 // R2
rc = RL // RC
ie

RC
vg

C
RL

vg
R2

vL

RE

rc h fe
Gain en tension (sur charge): Av = vL =
L
ve
hie + RE h fe

ib
rB

ve

hie
RE

hfeib
i RE

rc

vL

iRE = h fe + 1 ib

Gain en circuit ouvert :

Remplacer rc par Rc

104

ie

Impdance dentre :
Ze dpend de lendroit do vous regardez
lentre de lamplificateur.

rB

ve

Impdance dentre vue de la source :

) ]

v
Z e = e = rB // hie + h fe + 1 RE rB // h fe RE
ie

Ze

h feib

hie

RE h fe + 1

Ze '

schma quivalent vu de la source :

VRE = RE h fe + 1 ib

Impdance dentre vue aprs les rsistances de polarisation :

Z e ' = hie + h fe + 1 RE h fe RE

(hie ~qq. 100 qq. 1k Ohms)

Gain en courant :
i
Ai = L =
ie

1+

ie
h fe
hie + h fe + 1 RE

rB

vg

iL
rB

ve

hie

hfeib

rc

RE

105

 Impdance de sortie :
Zs dpend de lendroit do vous regardez la sortie.

hfeib

Rc

RL

Impdance de sortie vue de la charge (RL): Z s = Rc

Zs

Zs

Zs de lordre de quelques k loin dune source de tension idale

AvL diminue lorsque RL < ~Rc
Parfois RC constitue aussi la charge de lamplificateur (tout en permettant la polarisation du
transistor)

Impdance de sortie vue de Rc : Z s' = " "

ne tient pas compte de leffet Early (hoe)
approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif
106

iL

ie
Avec leffet Early :
vg

rB

ve

hfeib h 1
oe

hie

Rc

vsortie

RE

Zs
Mthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :
Zs = RThAB = rsistance entre A et B, avec vg court-circuit
= vs / is !
A

rB

ib

hfeib h 1
oe

hie
RE

is

vs

(1) :

vs = hoe 1 is h feib + RE (is + ib )

(2) :

0 = hieib + RE (is + ib )

h fe RE
vs
RE hie
1
Z s = = hoe 1 +
+

is
hie + RE hie + RE

107

 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

droite de charge dynamique: pente 1/(rc+RE), passe par Qrepos
Ic

vce = vL RE ic = (rc + RE )ic

vce
ic =
rC + RE

vce
ic

IBQ

droite de charge statique

V VCE
I C = CC
RC + RE

Q(repos)

VCE

vce
t

le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

108

La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloque ou sature, du domaine linaire.

vs = rcic =

rc
vce vs vce
rc + RE
VCEQ

Ic

droite de charge

Q(repos)

ICQ

Ic

IBQ

IBQ

Q(repos)

VCE

VCEQ

VCE

(rc + RE )ICQ
vce

Point de repos optimale pour une dynamique maximale : VCEQ (rc + RE )I CQ

109

 Amplificateur EC avec metteur la masse :

RE est ncessaire pour la stabilit du point de fonctionnement statique.
RE diminue considrablement le gain...
Remde : dcoupler (shunter) RE par un condensateur en parallle
seul le schma dynamique est modifi.
VCC
RC

R1

pour CE ou f suffisamment* lev :

ie

CB

CC
RL

vg
R2

*:

RE

h
RE // C E << ie
h fe

vs

vg

ib
rB

ve

hie

hfeib

rc

CE

110

 Gain en tension (sur charge):

Av L =

or

rc h fe
hie

r
= c >> gain avec RE
rf

kT
rf
IC

le gain dpend fortement de rf

(rsistance interne de la fonction BE)
(la contre-raction nagit plus en dynamique)

rI
AvL c C
kT

Le gain dpend de IC distorsion du signal aux amplitudes leves

Impdance dentre de la base :

v
Z e = e = hie
ib

Impdance de sortie : Z s = hoe 1 // Rc

significativement rduit...

(vue de la charge RL)

111

 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

vce = ic rc droite de charge dynamique

Ic

vce
ic

ICQ

droite de charge statique

VCE

VCEQ
rc I CQ

Il y a dformation du signal ds que : vs > min VCEQ , rc I CQ

Le point de repos optimal correspond

VCEQ = rc I CQ
112

 Lamplicateur EC en rsum :
Emetteur la masse :
R
R
Gain en circuit ouvert : Av = C h fe = C >> 1 en valeur absolue
rf
hie
Impdance de sortie :

Z s RC

(de q.q. k )

Impdance dentre de la
base du transistor:

Z e hie

(de q.q. k )

Avec rsistance dmetteur (amplificateur stabilis ):

Gain en circuit ouvert :

Impdance de sortie :
Impdance dentre de la base:

Av

RC
R
C
r f + RE RE

Z s RC

Z e = hie + h fe + 1 RE

(leve, hfe ~100-200)

Linconvnient du faible gain peut tre contourn en mettant plusieurs tages

amplificateur EC en cascade (cf. plus loin).

113

4.8.3 Amplificateur collecteur commun (CC) ou encore montage metteur suiveur

Particularits des amplificateurs CC :
Le transistor en mode actif
Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor
La sortie est prise sur lmetteur
La borne du collecteur est commune lentre et la sortie Collecteur commun

Les diffrences dun amplificateur CC lautre sont :

Le circuit de polarisation
Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.
La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage.

114

Exemple:

VCC

Polarisation par diviseur de tension

R1
C

Couplage capacitif avec la source, vg, et la charge RL.

isortie

vg

hypothse: Mode actif

E
R2
RE

RL

vs

Ze

Analyse simplifie ( 1ire approximation ) :

Mode actif VBE 0.7V
v
Av = s 1
vg

VE = VB 0.7V vs = vE vB = v g

Lmetteur suit la base.

115

 Analyse dynamique :
ientre

vg

transistor

ib

R1//R2

hfeib

hie

iL

RE

vs

RL

RE
1
RE + r f

Ze
Av =

Gain en tension en circuit ouvert :

Gain en tension sur charge : Av =

L

RE
RE +

hie
h fe + 1

kT
RE >> r f =

rE
1 avec rE = RE // RL
rE + r f

) ]

Impdance dentre : Z e = rB // hie + h fe + 1 rE >> 1

Gain en courant : Ai =

iL
ientre

vs
=

RL

vg
Ze

Z
= AvL e
RL

Ze
>> 1
RL
116

 Impdance de sortie
ib

hie
is
hfeib

RE

rB

vs
vs

[ (

)]

vs = RE is h fe + 1 ib

vs = RE is + h fe + 1
vs = hie ib

RE hie
Zs =
=
hie + RE h fe + 1

)hvs

RE

hie
h fe + 1

hie
h fe + 1

v
Zs = s
is v = 0
g

ie

hie !
= RE //

= rf
h
h
fe +1
fe
+ RE
hie

117

 Dynamique de sortie
VCC

droite de charge dynamique : pente 1/rE

Ic

R1
droite de charge statique

V VCE
I C = CC
RE

Q(repos)

isortie

vg

VE = VCC VCE

R2
RE

RL

vs

rE I CQ
VEmax VCC -0.2V

VCE
VEmin 0 V

Point de repos optimal : VCEQ rE I CQ

Le point optimal dpend de la charge.

118

Lamplicateur CC en rsum :
Av 1

Z e = R1 // R2 //( hie + h fe rE ) h fe RE
Z s = RE //
Av L = Av

Rg + hie Rg + hie

h fe + 1
h fe

RL
Av
RL + Z s

peut tre de lordre de quelques 100k

infrieure quelques dizaines d Ohms

Z
i
Ai = L = Av L e >> 1 hfe si RE constitue la charge
ie
RL
(i = i et i i )
L

Intrts du montage :
Faible impdance de sortie

Impdance d entre leve

Applications :
Etage - tampon ! Isolement d une source haute impdance de sortie d une charge basse
impdance.
exemple :
1

Amplificateur de puissance (cf plus loin)

119

4.8.4 Amplificateur base commune (BC)

Particularits des amplificateurs BC :
Le transistor en mode actif
Le signal dentre est appliqu (inject) lmetteur du transisor
La sortie est prise sur le collecteur
La borne de la base est commune lentre et la sortie Base commune
VCC

RC

hfeib
E

R1
RL

RE

C
hie

rc

ib B
R2

RE

vg
120

hfeib

Proprits :

E
ve

Gain en tension :

Av L =

RE

h fe rc

ib B

hie
Ze

Gain en courant : Ai =

h fe
hie
+ h fe + 1
RE

Impdance dentre : Z e = RE //

rc

hie

Zs

hie
h
kT
ie r f =
h fe + 1 h fe + 1
I CQ

Impdance de sortie : Z s = "" (hoe = 0)

sinon

quelques .

1
Z s = hoe

comportement en source
de courant

121

Exemple dapplication : convertisseur courant - tension

quadriple quivalent ltage BC

R
is

ie
vg

ie =

Ze Ai ie

vg
R + Ze

vg
R

~indpendant de Ze

RL
Zs

vs = RL is RL Ai ie

tant que RL <<Zs.

tension de sortie courant dentre

Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est vue par la charge comme une rsistance trs grande (hoe-1)
(cf. charge active)
122

4.8.5 Influence de la frquence du signal

On se limitera au montage EC pour illustrer linfluence de la frquence du signal sur les
performances dun amplificateur transistor bipolaire.
Limitation basse frquence condensateurs de liaison et de dcouplage
Limitation haute frquence capacits internes au transistor
C et Ce court circuit

Basse frquence

filtres passe-haut

+VCC
R1

Rg

RC

RG

dynamique
RL

vg

R1 // R2

ib
hie

hfeib

RE

R2 RE

RC

RL

CE

Z E = RE // C E 0
ZE diminue le gain
(voir ampli stabilis)

1
, avec r = R1 // R2 // Z e + Rg
2 rC
Ze = impdance
d entre de l tage
Frquence de coupure infrieure du
montage = max f ci , f co
fci =

f co =

1
2 (RL + RC )C 123

Hautes frquences
Rg

ib
hie
R1 // R2

Cbc

Rc // RL

hfeib

Cbe

qualitativement: aux frquences leves, Cbe court-circuite la jonction base-metteur ib diminue

Cbc cre une contre-raction.
On montre que :

Comportement en filtre passe-bas, avec

f ch

h fe

2 Cbe + Cbc 1 +
RL hie // Rg // R1 / 2
hie

124

4.8.6 Couplage entre tages

Objectif
Coupler plusieurs tages pour amliorer les proprits du circuit...
Exemple : Amplificateur avec
- gain en tension lev
- faible distorsion
- bonne stabilit (thermique, dispersion)
- impdance dentre leve
- impdance de sortie faible
Solution possible :

stabilit et faible distorsion EC stabilis (RE)

gain lev plusieurs tages en cascades
Ze leve tage C.C en entre
Zs faible tage C.C en sortie

Difficults du couplage : Polarisation de chaque tage

Gain sur charge : chaque tage charge ltage prcdent
Rponse en frquence de lensemble (cf. couplage capacitif)
125

 Couplage capacitif
Utilisation de condensateurs de liaison, CL
Exemple: amplificateur trois tages CC - EC - CC
+VCC
RC

R1

R1

R1

CL

CL
CL

ventre

RE
R2

C.C.

CL
R2
RE

E.C.

CE

R2

charge

RE

C.C.

Les points de fonctionnement des 3 tages sont indpendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans lhypothse o la rsistance interne de Vcc ngligeable)
Les paramtres dynamiques (gains, impdances) ne sont pas indpendants
ex: limpdance dentre du 3ime tage (= charge de ltage E.C.) dtermine le
gain sur charge du 2ime tage, etc.

126

+VCC
RC

R1

R1

R1

CL
T1
ventre

RE
R2

T2

T3

CL

CL
R2
RE

C.C.

CL

E.C.

CE

R2

charge

RE

C.C.

ier
ier
ier
AvL montage = AvL 1 t. AvL 2 t. AvL 3 t.

comme

Z e E.C >> Z s CC et Z eC.C >> Z s EC

AvCC 1 AvL montage Av E.C =

AvL tages Av

Rc h feT2
hieT2

127 loin)
Inconvnient: les condensateurs imposent une frquence de coupure basse au montage (cf. plus

Couplage direct
Pas de frquence de coupure basse
Les circuits de polarisation des diffrents tages ne sont pas indpendants.

30V

Un exemple :
24k
hfe ~100

5k

27k
T4
T3

vs
2.4k

T2
680

T1
vg
AvL ~1

Av -10
E.C.
E.C.
AvL -40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x hfe>> 27k)

2 suiveurs
Darlington

Amplificateur de tension stabilis :

Av = AvEC #1 AvEC #2 AvEC #1 AvEC #2

L
L

T T
T
Ze leve : Z e h fe1 Z eT2 h fe1 h fe2 5000 = 50 M

Zs 24 k

128

 Analyse statique :

VCC= 30V
24k

VCC polarise en directe les deux

jonctions EB de T1 et T2
(transistors PNP)

5k

27k
3V

En statique, vg = 0

0.7V

T1
VCE
= 0.7V

0.7V

T1 en mode actif

T4
T3
T
I E3

T2

vs
2.4k

680

T1
vg

VCE2 = 1.4V
T2 en mode actif
T

VE 3 0.7V I C3 I E3 1mA
VE 4 2.3V I C4 I E4 1mA

VC 4 6V

VCE3 2.3V T3 en mode actif

T

VCE4 3.6V T4 en mode actif

I E 2 5.7 mA et I E1 =

I E2
hFET2

129

Autre exemple : amplificateur alimentation fractionne (tension positive et ngative)

30V

20k
27k

24k
200k

T3
T2
5.1k

T1

VSortie

200k

2.4k

vg
10k

E.C.

E.C.
Av -10

E.C.
Av -4

-10V

Av 2.7
Les impdances dentre des transistors T2 et T3 , et celle du pont diviseur tant trs leves
devant les rsistances de sortie de chaque tage, le gain total est approximativement gal au produit
des gains individuels :
Av = Avtage #1 Avtage # 2 Avtage #3 Pont diviseur

27 24 20 1
= 60
10 2.4 5.1 2
130

 Analyse statique :
30V

27k

20k
10V
24k
6V

3V

1mA

T1
vg

T2

1mA

200k

T3
1mA
5.1k

200k

VSortie

2.4k

9.3k
-10V

Statique :
10 0.7
= 1mA, VC = 3V
9.3
5.3
T3 : I E =
1mA, VC = 10V
5.1
T1 : I E =

T2 : I E =

3 0.7
1mA, VC = 6V
2.4

Vs=0V
131

 Couplage par transformateur :

tage EC

condensateur d accord:
le circuit rsonnant, LC, limite la
transmission aux frquences
proches de la frquence de
rsonnace

Av = Z c

r f

condensateur de dcouplage
(masse en alternatif) (EC)

polarisation par
diviseur de
tension
transmission du signal dun tage l autre par le transformateur
Application majeure: essentiellement en radiofrquences (>500kHz)
exemple: syntonisation d une station radiophonique ou d un canal de tlvision
132

4.8.7 Amplificateurs de puissance

Impdance de sortie et amplicateur de puissance
Puissance moyenne fournie par lamplificateur :

Zs

iL
vs

RL
charge

vL

vL 2
P = vL (t ) iL (t ) =
2 RL

RL

vs
RL + Z s
RL vs 2

=
=
2 RL
2(RL + Z s )2
1
cos 2 t = , vL = amplitude du signal
2

tage de sortie
dun amplificateur

2
dP
v
s
= 0 L RL = Z s
Puissance maximale:
Pmax =
dRL
8 Zs
(adaptation dimpdance)

Pour vs constant, Pmax augmente quand Zs diminue

A.N. vs=1V : Zs=10k Pmax=0.012mW | Zs=10 Pmax=12mW
Rg
vg

Etage CC
Ze

Zs
vg

charge

gain en puissance en conditions

dadaptation dimpdance avec et
sans tage amplificateur = Zs /Rg
133

 Amplificateur de Darlington
Amplificateur comprenant deux tages metteur-suiveur monts en cascade
Vcc
Darlington

Gain en tension :
Limpdance dentre de T1 est trs leve et ne
charge pas beaucoup T2

R1

Av 1
T2

vg

R2

T1
vs

Impdance dentre du Darlington :

RE

Limpdance dentre leve de T1 constitue la

rsistance dmetteur (RE) de T2

Z e h fe2 Z eT1 h fe2 h fe1 RE >> 1

T1: hfe1 T2:hfe2

Gain en courant :
T

iE1

T
iE1 ib1

T T

iE1 iE2
Ai =
=
=
= h fe1 h fe2
T2
T1 T2
T1 T2
ib
ib ib
ib ib

134

 Impdance de sortie du Darlington :

Z sT2 + hieT1
Zs

h fe

Vcc

hieT2
+ hieT1
h fe
2

h fe1

hieT2
2
h fe1 h fe2

R1
T2
vg

R2 I E
2

puisque
T1

kT
hieT2
T1 kT h fe1
hie =
=
=
e I E1
e I E2 h fe2

vs

I E1
RE

I E2 = I B1 =

I E1
hFE1

h
Etage CC unique : Z s = ie
h fe

Pmax (tage CC avec Darlington ) >> Pmax (simple tage CC )

135

 Darlington = supertransistor bipolaire.

Existe sous forme de composant discret trois bornes, nomm transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor gain en courant extrmement lev.
(ex: 2N2785: hfe=2000-20000.)
Existe aussi avec des transistors PNP.

Utilis frquemment pour les applications d isolement entre tages (Ze trs leve, Zs trs faible)

Utilis frquemment comme tage de sortie des amplificateurs de puissance (Zs trs faible)

136

 Amplificateur Push-Pull
Amplificateur classe A / classe B
Dans les montages amplificateur vus prcdemment, les transistors sont chaque
instant en mode actif
Amplificateur de classe A
Avantages:
faible distorsion (en cas damplificateur stabilis)
simplicit
Inconvnients :
Amplitude de sortie limite (typ: 0.2<VCE<Vcc ! vCEmax~Vcc/2)
Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls
+VCC
R1
Ip

I CQ

RC

Palimentation Vcc I CQ + I p

ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW

R2
RE

en absence de signal

Amplificateur classe B: transistor bloqu en absence de signal dentre. (ex: Push-Pull)

Avantages:
faible consommation, dynamique de sortie leve

Inconvnients :
Distorsion du signal

137

 Push Pull

Principe de fonctionnement

Exemple :

Transistors bloqus au point de repos

(amplificateur classe B ).
R1 et R2 sont telles que (lorsque vg=0) on a

+Vcc
ICNPN

R1
B

VBE NPN < ~ 0.6 et VEB PNP < ~ 0.6V

NPN

Transistors bloqus (de justesse): IB~0 =>IC~0

R2

NPN
PNP
VCE
+ VEC
= VCC

P
~1.2V

vg

R2

RL
B

R1

ICNPN ICPNP

NPN VCC
PNP
VCE

VEC
Q
Q
2

vsortie
ICNPN

PNP

ICPNP
VP

ICPNP

IB~0

IB~0

IC
0

-VCC

NPN
VCE
Q

PNP
VCE
Q

VCENPN
VCC VCEPNP
0

138

 En prsence dun signal dentre chaque transistor

est alternativement actif ou bloqu (! Push-Pull )

metteur suiveur
+Vcc

Si v g>0 NPN actif, PNP bloqu

R1 i

R1
B

NPN

R2

hie

vg>0

hfe ib

R1

vsortie

P
~1.2V

vg

R2

RL
RL

= tage C.C

vsortie

PNP

R1

h
Av 1, Zs = ie , Ze = R1 // hie + h fe RL
h fe

Droite de charge dynamique

IC
Il ny a pas de courant dynamique dans
les deux rsistances R2 , puisque VBB est
constante.

v
ic = CE
RL

droite de charge statique

VCEQ ~VCC/2
Amplitude max : VCC/2
IB=0

si vg<0 NPN bloqu, PNP actif

VCC/2

VCE

139

Formation du signal de sortie

ib NPN

IC

IC

vg

NPN

h feRL

VCE

PNP
VEC

ibPNP
Signal de sortie:
vsortie
NPN actif

t
PNP actif

Plus grand domaine de fonctionnement

140

Difficults de cet exemple

positionnement du point de repos
VBEQ trop faible

IC
ICsat

t
t

VCE

transistors bloqus

Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloques
pendant une fraction du cycle.

Risque demballement thermique (pas de contre-raction)

141

Polarisation par diodes

Point de repos
+Vcc
R1
NPN

Idalement D1, D2 = diodes de

caractristiques apparis aux transistors

D1
ID 2 V BE
vg

Stabilit thermique
RL

D2
PNP
R1

choix de R1 : ID ~0
comme VD =Vbe IE ~ID ~0

vsortie

ID(VD) et IE (VBE) mme dpendance en temprature

T I D VD VR1 I D .
contre-raction

I D I E constant

Remarques:
L amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
Zs plus faible puissance maximale suprieure

142

4.8.8 Amplificateur diffrentiel

Deux signaux dentre, V+, V Sortie = collecteur d un transistor

+Vcc
Rc

Rc
Vs

hypothse : T1 et T2 apparis (circuit intgr)

RB
Rgime statique : (V = V+ = 0 )
Par symtrie : IE1=IE2=IE

V+

T1
IE
RE

T2
IE

RB

2IE
-VEE

Pour RB <<hfeRE : VR = RB I B << 2 RE I E VEE 0.7 + 2 RE I E

B
V 0.7
I E EE
2 RE
Tension continue en sortie : Vs = VCC Rc I E
143

 Rgime dynamique:

+Vcc

Mode diffrentiel:

Rc

hyp: V+ = V =" ve "

I E1 = I E + ie 1

et

Rc
Vs

I E2 = I E ie
2

RB

avec IE la composante continue du courant metteur.

V+

Pour de signaux dentre de faible amplitude : ie ie

2
1
Par consquent : I RE = I E1 + I E2 = 2 I E

T1

T2

RB

RE
-VEE

Le courant dans RE na pas chang, et la tension en E reste constante.

E constitue une masse dynamique !
d o le gain en mode diffrentiel :
Rc

Rc

Rc h fe
v
>> 1
Ad = s =
ve
hie

vs
RB
RB

V+ = entre non-inverseuse
V- = entre inverseuse

ve

ve

tage EC
vs =

Rc h fe
hie

( ve ) =

Rc h fe
hie

ve

144

 Mode commun:
hyp:

V+ = V = ve

+Vcc

I E1 = I E + ie
et I E2 = I E + ie

Rc

Vs

I RE = I E1 + I E2 = 2(I E + ie )

RB

VE = 2 RE (I E + ie ) = 2 RE I E + 2 RE ie

T1

V+

RB

Rc

RB

RB

vs

ve

ve
2RE

T2

-VEE

vs
E

RE

La tension en E quivaut celle dun tage unique

ayant une rsistance d metteur double. D o le
schma quivalent :
Rc

Rc

2RE

2 tages EC stabiliss indpendants

Rc
ve
2 RE

do le gain en mode commun :

Ac =

Rc
<< 1 pour RE >> RC
2 RE

145

 Signaux dentre quelconques :

On peut toujours crire :

V + V V+ V
V+ = +
+
= Vmc + Vmd
2
2
V + V V+ V
V = +

= Vmc Vmd
2
2

avec

V + V
V V
et Vmd = +
Vmc = +
2
2

Do, par le principe de superposition :

CMMR =

Ad 2h fe RE
=
Ac
hie

vs = Ad vmd + Ac vmc = Ad vmd mc

CMRR

= taux de rjection en mode commun

(common mode rejection ratio)

Intrts de lamplificateur diffrentiel : Entres en couplage direct (seule vmd est amplifie)
Ampli. diffrentielle = tage dentre des Amplificateur oprationnel.
Impdance dentre et CMRR trs levs

146

 Polarisation par miroir de courant

Il faut

CMRR =

2h fe RE
hie

>> 1
+Vcc

Choisir RE trs leve pose plusieurs problmes:

ncessite une augmentation de lalimentation
pour maintenir Ic (donc le gain) constant

Rc

Rc

Vs

incompatible avec la technologie des circuits

intgrs.

RB

T1

T2

RB

V+

il suffit que RE soit leve en rgime dynamique !

IEE
R

Solution = source de courant ( R,D,T3)

T3
D

hyp: D et T3 = apparis

IE3

-VEE

V + VEE 0.7
I EE I E3 cc
R

147

Schma quivalent:
en dynamique
+Vcc

vs

Vs

IEE

hoe-1

hoe-1

-VEE
hoe-1 (effet Early de T3) est de lordre de quelques 100k.
En dynamique, hoe-1 joue le mme rle que RE et augmente considrablement CMRR.

148

5. Transistors effet de champ ou FET (field effect transistor)

VGS

5.1 Introduction
Principe de base
FET = Source de courant commande en tension
Le courant (ID) circule entre la source S et drain D via
le canal:
$ canal N : ID >0 de D vers S avec VDS > 0
$ canal P : ID >0 de S vers D avec VSD > 0

source
S

IG 0

grille
G
drain
D

ID
canal (N)

VDS

La conductivit lectrique du canal semiconducteur est

module par une effet du champ lectrique induit par la
tension VGS entre la grille G et la source S.
ID

VGS

Le phnomne physique est non linaire

Aux faibles valeurs de VDS : caractristique ID (VDS)
quasi-linaire, de pente module par VGS
~rsistance variable
Aux valeurs de VDS plus leves : rgime de
saturation
~source de courant commande par VGS
(= mode actif)

VGS
VDS
~rsistance
module par
VGS

chute de tension dans le canal agit

sur la conductivit
saturation de ID
149

 Diffrents types de FET

JFET : FET jonction : La grille et le canal forme une jonction PN
Symboles :
S

D
G
JFET canal P

D
G

JFET canal N

JFET canal P :
Mode de fonctionnement habituel : VGS >0
=> la jonction Grille/Source est polarise en inverse
=> la zone conductrice du canal rtrcit (apparition dune zone dplte de porteurs )
=> ID diminue lorsque VGS augmente
Le courant de grille est trs faible : courant inverse dune diode (~nA)

JFET canal N :
Mode de fonctionnement habituel : VGS < 0
=> ID diminue lorsque VGS augmente en valeur absolue
150

Caractristique dun JFET (N): [VGS <0, VDS>0]

V
I D I DSS 1 GS
VGS
off

ID (mA)

VGS=0

16 I DSS
12

transistor
bloqu
VGS(V)

VDS = VGS + VP

VGS=-1V

4
-2 -1.5 -1 -0.5

2V

VGSoff

VDS (V)

Pour VGS VGSoff : ID = 0 ! le canal est totalement dplt.

Pour VGSoff < VGS < 0 : ID = sature lorsque VDS =VP +VGS o VP = tension de pincement du canal
avec
Dans la zone de saturation on a:

JFET(P): VDS, VP <0,

VP VGS off

V
I D I DSS 1 GS
VGS
off

VGS,, VGSoff >0. Transistor bloqu VGS >VGSoff

151

 MOSFET (Mtal Oxide Semiconducteur FET) appauvrissement (ou dpltion)

Symboles :
canal N D
G
NMOS

canal P D
G
PMOS

La grille est spare du canal par un isolant (loxide de Si) ! IG=0

Elle forme un condensateur avec le canal.
Le canal est conducteur lorsque VGS = 0
MOSFET (N): le semiconducteur est de type N ! les lectrons sont mobiles
VGS < 0 ! charge positive dans le canal ! appauvrissement de porteurs libres
conductivit du canal diminue ! ID ( VDS>0, constant) diminue
VGS >0 ! charge ngative dans le canal ! accumulation dlectrons libres
conductivit du canal augmente ! ID ( VDS>0, constant) augmente

152

Caractristique dun MOSFET (N) :

VDS = VGS + VP

I DS (VGS )V

I DS (VDS )V

DS

GS

ID

ID

I DSS
appauvrissement
VGSoff

VGS> 0
VGS=0

accumulation
VGS

V
I D I DSS 1 GS

V GS off

VGS< 0

VDS

153

 MOSFET enrichissement :
symboles :

MOSFET : canal N / canal P

dautres symboles existent
la ligne pointille indique que le
canal est inexistant tant que VGS < Vseuil

Idem MOSFET appauvrissement sauf que pour VGS=0 le canal nest pas conducteur
! MOS normalement bloqu
MOSFET (N):
VGS >VS (tension seuil) => apparition dlectrons sous la grille.
Cet enrichissement local en lectrons forme le canal.
MOSFET (P):
VGS <VS (tension seuil) => apparition de trous sous la grille.
Cet enrichissement local en trous forme le canal.
154

Caractristique dun MOSFET (N) enrichissement :

ID

ID

.
VGS(V)
Vs
ID V

DS

VDS (V)

= (VGS Vs )2

155

5.2 Modes de fonctionnement et schmas quivalents

VDS = VGS + VP

Mode rsistance variable :

ID
Q

VDS
G

RDS
S

Pour VGS > VP , et VDS <VGS +VP :RDS

rsistance fonction de VGS

1
V

k (VGS + VP ) DS
2

avec k = constante
dpendant du composant

Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ), souvent infrieure 0.5V.

Dans ces conditions, Source et Drain peuvent tre inverss.
JFET: RDS(on) = RDS pour VGS 0
ordre de grandeur:

MOSFET enrichissement: RDS(on) = RDS pour VGS leve (~10V).

RDS on = 0.05 10 k

RDS off = RDS VGS < VGS off (canal N) > M

156

 Mode source de courant commande ou mode actif :

ID

Pour VDS > VGS + VP , ID est commande par VGS

V
I D I DSS 1 GS
VGS
off

VGS

VDS
ID est command par VGS

id = g m v gs avec g m = I D
=transconductance
VGS V
DS

ID (mA)
16
12

schma linaire quivalent:

id D

G
v gs

g m v gs

vds

VGS(V)

-2 -1.5 -1 -0.5
VGSoff

S
tient compte de laugmentation de vds avec id
(quivalent de leffet Early)
caractristique ID(VGS) non-linaire : gm (VDS)

157

JFET et MOSFET dpltion

V
g m = g mo 1 GS
VGS
off

, avec g = 2 I DSS
= pente pour VGS=0
mo

V
GS off

gm varie linairement avec VGS .

MOSFET enrichissement
g m = g mo (VGS Vs ), avec g mo = 2

Ordre de grandeur : gm=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) g m 1 = 0.1 1k

158

5.3 Quelques circuits de polarisation

Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos

Polarisation automatique par rsistance de source:

+VDD
RD
ID
IG 0 G
RG

ID =

ID

1
VGS
RS

D
S

ID

ID

VDS
V
I D = DD
R D + RS

RS
VGS VP

VGSQ

VGS

VDS

VDSQ

Dipersion de fabrication

V
I D I DSS 1 GS
VGS
off

V
I D = GS
RS

ID , VGS , VDS .
159

 Polarisation par pont diviseur

+VDD
RD
R1
R2

V V
I D = th GS
RS

ID
Q

D
S
RS

Q Vth
RS

VGSQ

VGS
Vth

meilleure stabilit du point de repos (du point de vu ID)

160

 Polarisation par raction de drain (MOSFET enrichissement)

+VDD

V
VDS
I D = DD
RD

RD
RG

I G 0 VGS = VDS

ID

ID

VGS

S
VGS(V)

VDS (V)
VDD

I G 0 VGS = VDS

161

5.4 Montages amplificateurs

Amplificateur source commune
Exemple :

hypothse: Mode actif , C trs leves

VCC
RD

R1
C
vg

JFET

C
D
S

vs

vg

vgs
R//

R// =
gmvgs

RD vs

R1R2
R1 + R2

R2
RS

Ze

Zs

Gain en tension (circuit ouvert) : Av = g m RD

Impdance dentre : Z e = R//
Impdance de sortie : Z S = RD
gm = fonction de VGS distorsion quadratique

162

Stabilisation par une rsistance de source :

VCC
RD

R1

vg

JFET

D
S

vg
vs

R//

R2

vgs

gmvgs

RD

vs

rS

rS
RS

Gain en tension : v g = v gs + rs g m v gs

et vs = g m v gs RD

v
g R
RD
do : Av = s = m D =
1
vg
1 + rs g m
+ rs
gm
Linfluence de gm sur le gain est rduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible.
rs introduit une contre-raction: v gs = v g + rs vs
(vs et vg en opposition de phase, Av <0)

163

 Amplificateur drain commun

R1

vg

ve

VCC
vg

R1//R2

D
S

R2
RS

G JFET D
vGS

gmvGS
S

RS

vs

Ze

vs
Zs

Gain en tension (circuit ouvert) : Av =

Impdance dentre :
Impdance de sortie :

g m RS
RS
=
1
1 + g m RS g m 1 + RS

Z e = R1 // R2
Zs =

vsc.o.
isc.c

Rs
Rs g m 1
=
=
= Rs // g m 1
g m Rs + 1 Rs + g m 1
164

Remarques:
Tout FET se comporte comme une source de courant commande en tension, avec une
transconductance qui varie linairement avec la tension grille - source.
Les diffrents FET se distinguent par
- leur impdance dentre (plus leve pour un MOSFET que pour un JFET)
- leur point de repos :
le JFET ne peut fonctionner quen dpltion (VGS>0 pour canal N),
le MOSFET dpltion peut aussi fonctionner en rgime d accumulation (VGS
positive ou ngative, quelque soit le type du canal)
le MOSFET enrichissement ne fonctionne que rgime d inversion
(VGS>Vs)

En comparaison avec le transistor bipolaire, les FET ont un domaine de linarit rduite
(caractristique quadratique) et un gain en tension plus faible.
Par contre limpdance dentre est beaucoup plus grande.
Do leur utilisation frquente en tant que interrupteur.
Pour des raisons de taille, les MOSFET sont particulirement bien adapts aux circuits
intgrs.

165

5.5 FET comme rsistances variables : quelques exemples avec un JFET(N)

Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP : RDS

1
V

k (VGS + VP ) DS
2

ex:

R
vsortie
ventre

vsortie =

RDS
ventre
RDS + R

= attnuateur variable, command par Vcom

En choississant R >> RDS on , vsortie varie entre ~0 et ventre
Vcom
Imperfection:
RDS dpend de VDS rponse non-linaire

166

Amlioration possible:

RDS

1
V

k (VGS + VP ) DS
2

R
vsortie
ventre
R1
R1
Vcom

VGS =
RDS

VDS Vcom
+
2
2

(I G 0)

k (Vcom + VP )

Linarit presque parfaite

167

Application: Commande lectronique de gain

exemple:

Etage EC avec rE =RDS (//200k)

15V
5k
75k

signal
dentre

signal de sortie

1F

50k
1mA

100k

1F

En statique, la source de courant fixe IC

En dynamique, elle correspond une
rsistance trs grande, en parallle RDS
Av =

Vcom
100k

Rc
RE +

hie
h fe

5k
RDS (Vcom ) +

hie
h fe

168

6. Contre-raction et amplificateur oprationnel

Circuit boucl et rtroaction
!Circuit boucl :

ve

vs

La sortie agit sur lentre

vs = A e = A(ve B vs )
?

vs =

B.vs

A
ve
1 + AB

!Rtroaction positive : laction de la sortie sur lentre renforce la variation du signal de sortie
ex: A>0, B < 0
(sans dphasage)

vs Bvs e vs L
la sortie diverge !les composants sortent du domaine linaire
par exemple : transistor sature
vs =

A
ve
1 + AB

comportement non-linaire ! A,B modifis

Montage transistor avec rtroaction positive: transistor en satur/bloqu

169

!Rtroaction ngative ou contre-raction :

ve

vs

Laction de la sortie sur lentre attnue la

variation du signal de sortie
B.vs

ex: A>0, B >0 (sans dphasage)

vs Bvs e vs L

la sortie converge vers :

vs =

A
ve = G ve
1 + AB

G = gain en boucle ferme :

G<A

Si AB >>1 , G

1
B

la variation ou toute incertitude sur A naffecte pas G.

Amlioration de la linarit

B = taux de rinjection
170

Exemple:

VCC

ic

RC

R1

e
CB

CC

vg
RL

ve

hie
E
RE

vs

hfeib
ie

i
Rc vs

R2R

[vs i ] ic = ie

vE = RE ie e ib ic vs

RE ! contre-raction

v
R
vE = RE ie RE s = E vs = B vs
Rc
Rc

Rc ! 1
Av
=
RE B

e = v g B vs
indpendant de hie et hfe!
171

 Montage Srie - parallle (contre raction en tension):

Entre en srie avec le circuit de
rtroaction
Sortie en parallle avec B

ie

ve

vi

Av.vi

Ri

vs

Ze

RL

!Gain en boucle ferm:

Ampli.

vr

L G =

retour:
B Ze B
vr = B vs

vs
A
=
ve 1 + AB

!A= Gain en boucle ouverte :

= vs/vi avec boucle de raction ouverte, et
mme charge RL // ZeB
A=

rL
Av Av si Ri << rL = RL // Z eB
rL + Ri

!Court-circuit virtuel :

vi =

vs
ve
=
<< ve
A 1 + AB

vi 0 pour A +

pour AB>>1

v
avec ie = i 0
Ze

= court-circuit virtuel, puisque i~0

Explication qualitative :
si vi tentait daugmenter, laugmentation importante de vs (A fois plus leve ) sopposera, via
172
B, cette variation.

ie

!Impdance dentre
Ze

B.F .

v
v + B vs vi (1 + AB )
= e= i
=
= Z e (1 + A B ) >> Z e
ie
ie
ie

ve

vi

Av.vi
Ze

vr

Ri

vs

RL

B.F.=boucle ferme
Limpdance dentre est augmente par la rtroaction :
Qualitativement : la contre-raction maintient vi proche de 0 ie0 ZeB.F. +

!Impdance de sortie
Qualitativement :

En prsence de limpdance de sortie ZsB.F., une diminution

de RL fera chuter la tension vs.
la diminution de vs induit, via la contre-raction, une
augmentation de vi , laquelle soppose la diminution de vs
limpdance de sortie est rduite (0 si A)

Limpdance de sortie est diminue par la rtroaction

173

Calcul de ZsB.F:

ve

v (R = + )
Lorsque RL = Z s B.F on a vs (RL ) = s L
2

vs (RL ) =

A(RL )
ve
1 + A(RL ) B

vs =

avec

A(RL ) =

vi

Av.vi

vr

Ri

vs

RL

Ze B

Zs

RL
B
B
Av et ri = Ri // Z E Ri si Z E >> Ri
RL + ri

Av

ve
ri
+ (1 + Av B )
RL
v (R = )
ri
vs = s L
RL =
= Z s B.F . << Ri
2
1 + Av B

Conclusion
Si A : Gain stable, linarit parfaite, Ze infinie, Zs nulle !!
utilisation dun amplificateur oprationnel (A~104 - 106, Ri trs faible, Ze trs leve)
174

 Amplificateur oprationnel
Architecture dun amplificateur oprationnel:
+ Amplificateur
- diffrentiel

Etage
amplificateur
(EC, Darlington)

Ajustement
composante
continue

Emetteur
suiveur

Amplificateur
diffrentiel

amplification de v+-v(gain lev en mode diffrentiel )

attnuation de v+ + v (gain <<1 en mode commun )
2
Ze leve Darlington, MOSFET,...

Etage amplificateur

augmente le gain total (Av>>1)

ex: montage metteur commun avec transistor composite
(Darlington, hfe >>1) et RC leve charge active

Ajustement DC

pas de composante continue en sortie

Emetteur suiveur

impdance de sortie faible

Configuration Push-Pull : domaine de linarit

sortie

175

 Le schma simplifi (!) du LM741 :

1.12V

Paire diffrentielle
avec Darlington

sources (mirroirs) de courant

EC Darlington

Push-Pull
176

 Exemples de circuits avec rtroaction ngative :

Sources de courant
VCC

Par contre-raction : vi0

R
R1

I sortie

VCC
vi
Ve
R2

A.O.
VEE

Isortie
charge

Isortie indpendant de la charge,

( leffet Early prs)
tension de commande = Vcc-Ve

Vcc

Version avec tensionde commande

refrence par rapport la masse :

R1
Ve

L I sortie =

R1
Ve
R2 R3

Vcc Ve
(hyp: hFE lev , AO parfait)
R

R3

Isortie

R2

177

Rgulateur
Contre raction :

transistor
de puissance (ex: 2N3055),
avec radiateur

V+ = V

sortie : 10V
(rgul) 0 10 A

entre
12V 30V
(non rgule)

V A = 5.6V

I1 = 1mA Vsortie = 10V

Si VA diminuait V+>V-

Darlington

VB augmenterait
4.3k

10k

Vs= VB -1.4 augmenterait

VA augmenterait

A
B

741

I1

max
I sortie
<

10
Z s Darlington

5.6k
DZ:5.6V

178

 ANNEXE: Rappel de quelques montages de base avec A.O.

i2
i1

Amplificateur inverseur

ie

R1

Ad
+

vd
vi

A.O. idal ie , ie= 0 et i2 =

R
vs = vi 2
R1

ie

( vd ) vs
R2

R2

vs

v ( vd )
= i1 = i
, avec vs = Ad vd
R1

1
R 1
1 + 1 + 2
R1 Ad

R
A
d vi 2
R1

do le gain en tension du montage :

v
R
Av = s = 2
vi
R1

= indpendant de Ad !!, ne dpend que des lments passifs.

( condition que Ad >>1+R2/R1)

vd=vs/Ad << vi ex : vs= 10V, Ad=105 vd = 100V ~ court-circuit entre les deux entres
Lentre inverseur constitue une masse virtuelle v-= 0 avec i-=0 !

179

i2

Amplificateur non- inverseur

i1

ie

R1
vd
vi

A.O. idal ie, ie= 0 et Ad infini

R2

ie

Ad
+

vd = 0

vs

v
v v
i1 = i2 = i s = i
R2
R1

v
s =1+
vi

Interprtation: Contre-raction en tension

si vd , vs = Ad vd ( Ad >> 1) v vd = v
par contre, si vd , vs = Ad vd ( Ad >> 1) v vd = v

vd se stabilise
rapidement 0

Symbolisme dautomatisme:
vi

vd
v-

avec

Ad

vs

v
Ad
vs = Ad (vi Bvs ) s =
vi 1 + Ad B

R1
B=
R1 + R2

Pour Ad>>B-1,

vs 1
= =1+
vi B

R2
R1

180

R2
R1

 Influence des imperfections de l AO: courants et tension doffset

A.O. idal : Vs = 0 lorsque Vd=0,

I- = I+ = 0

Imperfections de l A.O. rel :

I-

I- , I+ = courants de polarisation (courant de base) des transistors

I- I+ 0 Vs 0 mme en absence de signaux dentre;

I+

V+ V- en raison de la dispersion, mme faible, des transistors dentre

de lamplificateur diffrentiel.
En absence de signaux lentre : V+ V = Vd o
(Vdo=diffrence des tensions VBE des 2 transistors)
Schma quivalent :
Vd o

+
I+

vd

Ze

Zs
Ad vd

I-

Vsoffset

181

Mthode de compensation :
Pour maintenir Vsoffset faible on cherche ce que les rsistances vues des deux entres soient
identiques.
Exemple : amplificateur inverseur ou non-inverseur :
(schmas identiques en absence de signaux dentre)

Hypothse : Vdo= 0mV, I-=I+=100nA

Circuit sans compensation :
I R2 R2 (1M)

R1(100k )
I R1

I-

vd
I+

Ad
+

Vs

I R1 + I R2 = I
En premire approximation:
pour Ad suffisamment lev, vd 0 (masse virtuelle)

V
VR1 = 0 I R1 = 0
V = s ~ 0
Ad

d o I R2 I

et Vs offset = R2 I = 0.1V
Vsoffset est d autant plus leve que R2 est grande.

182

Circuit avec compensation :

Mthode de compensation : insertion dune rsistance approprie entre la masse et lentre non-inverseur
R2
R1
vd
R+

lorsque Vs = 0, V = I (R1 // R2 ) = I " R// "

I-

I+

Ad
+

En prenant R+ = R// on aura : V+ = I + R//

Vs

En consquence si I- I+ , on garde vd =V+-V- = 0 et Vs=0.

lorsque I+ I-, il faudrait choisir I+R+= I-R//

Si Vdo 0 et I+-I-=Ioffset, on aurait :

:-((

R
Vs offset = I offset R2 + Vd o 1 + 2
R1

:-))

183