TRANSISTORSAEFFETDECHAMP

La dnomination transistor effet de champ (TEC ou FET) regroupe deux

typesdetransistors:
leTECjonction(JFET)
leTECgrilleisole(IGFET:insulatedgateFET,MOSFET:Mtal
OxydeSemiconductorFET)

Comparaisonautransistorbipolaire:
fonctionnementliaudplacementd'unseultypedeporteur(lesporteurs
majoritaires:lectronsoutrous);composantunipolaire.
simplefabriquer,surfacerduite(plushautniveaud'intgration).
trsforteimpdanced'entre(M).
facteurdebruitinfrieurautransistorbipolaire.
facteurdemrite(produitGxBP)infrieurautransistorbipolaire.

Polytech'NiceSophia 1 C.PETERV3.0
 JFET
IEtudethorique
I.1Principe n
drain

LeTECestralisdansunbarreaude
E
semiconducteurdop(Nsurl'exemple
cicontre). Sa conductance dpend du
taux de dopage et des dimensions du
source
barreau.

Pour modulerles dimensionsducanal,

drain
on ajoute deux zones de dopage P. En n
polarisant les jonctions PN en inverse,
p p
on peut agir sur les dimensions des E
grille
zonesdpltesetdoncsurlatailledu
canal.Onpeutainsimodulerlecourant Vgg
dans le transistor en intervenant sur le source
champexistantdanslesjonctions.

Polytech'NiceSophia 2 C.PETERV3.0
 JFET
I.2Symboles,tensionsetcourants
SOURCE :lectrodeparlaquellelesporteursentrentdanslecanal.
DRAIN :lectrodeparlaquellelesporteursquittentdanslecanal.
GRILLE :lectrodedecommande(IG=0).

canalN canalP

D D
ID ID
G G
VDS VDS
VGS IS VGS IS

S trous S

VGS<0 VDS>0 ID>0 VGS>0 VDS<0 ID<0

Remarque:lesensdelaflchereprsenteladiodequidoittrepolariseeninverse.

Polytech'NiceSophia 3 C.PETERV3.0
 JFET
I.3Fonctionnement
pourVDS=0 zonedplteenporteur

VGS=0 D
VGS<0 D
VGS=VGSoff D
n n n
p p p p p p
G G G

Vgg Vgg
S S S

La conductance maximale du barreau est obtenu pour V GS = 0. Lorsque la tension VGS

devientngative,lazonedpltes'tendrduisantlatailleducanaletsaconductance.
LorsqueVGS=VGSoff,lesdeuxzonesdpltesserejoignentetlecanalestsupprim.La
conductancetendalorsvers0(impdanceinfinie).

LeTECfonctionneendpltionouappauvrissement.

Danscecas,onpeutconsidrerleTECcommeunersistancecommandeentension.
Polytech'NiceSophia 4 C.PETERV3.0
 JFET
pourVDS>0

D D D
n n n
p p p p p p
G G G
E E E
S S S

Pour VDS > 0, le potentiel du drain est suprieur au potentiel de la source. La

tensioninversegrillecanalseradoncplusimportanteducotdudrain.Lazonede
dpletions'largitdoncversledraindutransistor.
LorsqueVDS,ilyapincementducanalpourVDS=VP.

SiVDSencore,lecanalsertrcitetlecourantestlimit.

Polytech'NiceSophia 5 C.PETERV3.0
 JFET
I.4Rseaudecaractristiques
TECcanalN
ID
ID transfert sortie
VGS=0V
VDS IDSS C
S A
VGS
O
VGS=1V

VDS=cste VGS=2V

VGS=3V

VGS VGSoff Vp VDSmax VDS

LorsqueVDSaugmente,IDcroitlinairement(O)puisatteintlazoneducoudedueau
dbutdupincementducanal(C)etatteintfinalementunevaleurdesaturation(S).Si
VDSdpasseVDSmaxlesemiconducteurestdtruitpareffetd'avalanche.

Polytech'NiceSophia 6 C.PETERV3.0
 JFET
rseaudesortie
pourVGS=0,IDestmaximal:IDSS
VP
zoneO:zoneohmique,leTECsecomportecommeunersistance: R DS
I DS
zoneC:apparitiondupincement
zoneS:zonelinaireoudesaturation,leTECsecomportecommeunesource
decourantcommandeentension(VDS>VP)
zoneA:zoned'avalanche
2
rseaudetransfert
quationducourantdedrain:

I D =I DSS 1
V GS
V GSoff
VGSoff:tensiondeblocage(ID=0,VDS),VGSoff=VP
dispersionimportantedesrseauxdecaractristiques(pourdesTECidentiques)
grandeursfondamentales:IDSS,VP.

Polytech'NiceSophia 7 C.PETERV3.0
 JFET
IIPolarisation
II.1Polarisationparlagrille ID

Onappliqueunetensiondegrille
constante:VGG IDSS
VDD
transistor1
Q1
RD droitedecharge

ID
VGG
VDS Q2 transistor2
VGS
VGS VGG VDSmax VDS

Compte tenu de la dispersion de caractristiques pour des transistors de mmes

rfrences,lapolarisationparlagrilleestlaplusmauvaisemthodepourpolariser
letransistordanslazonelinairecarlepointQesttropinstable.

Polytech'NiceSophia 8 C.PETERV3.0
 JFET
II.2Polarisationautomatique
ID
VDD RSpetite

IDSS
RD RSpetite
droitedecharge(RSmoyenne)
ID RSmoyenne
VDS
Q1
RSgrande
RG RS Q2

VGS VDSmax VDS

LecourantcirculantdansleTECetdansRSgnreunetension:VS=RSID.
Lecourantdegrilletantnul,VG=0doncVGS=RS ID .Lemontagecredoncsa
proprepolarisationenutilisantlatensionauxbornesdeR Spourpolariserlagrilleen
inverse.

Polytech'NiceSophia 9 C.PETERV3.0
 JFET
II.3Polarisationpardiviseurdetension
ID
VDD

IDSS
R1 RD
ID
droitedecharge
VDS

Q1
R2 RS Q2

VGS VDSmax VDS

R
Lepontdiviseurfournitunetension:
V G =V DD
2

R 1 R2
V V
OnendduitlatensionVS=VGVGSetlecourant
I D= G GS
avec V GS 0
RS

Polytech'NiceSophia 10 C.PETERV3.0
 JFET
II.4Polarisationparsourcedecourant
ID
VDD

IDSS
RD
ID
droitedecharge
VDS

RG Q1 Q2 P

VSS
VGS VDSmax VDS

BienquelatensionVGSvarie,lepointdepolarisationPrestefixe.

Toutefoiscemontagencessiteunesecondesourcedetension.

Polytech'NiceSophia 11 C.PETERV3.0
 JFET
IIILeTECenrgimedynamique
Cette tudeconsiste analyserlefonctionnement d'untransistorpolarisen zone
de saturation lorsqu'on applique de petites variations l'une des grandeurs
lectriques.
III.1Modleenrgimedynamique IDS
VGS=0V
IDSS
Dans la zone linaire, le TEC se comporte
comme une source de courant commande
parlatensionVGSID=f(VDS,VGS). VGS=1V

I DS I DS VGS=2V
I DS = V GS V DS
V GS V DS VGS=3V
VDS=cste
i ds =g m vgs g ds v ds
avec: VGS Vp VDS

i ds i ds
g m=
v
v ds=0
:transconductance g ds = :admittancedudrain
gs v ds
v gs =0

Polytech'NiceSophia 12 C.PETERV3.0
 JFET
Onendduitleschmaquivalent: ID
IDSS
id
P
Q
vgs gds
vds
gm.vgs

VGS
Lesparamtresgmetgdspeuventtre
dterminssurlerseaudecaractristiques VDS
aupointdepolarisationdutransistor. g m =tan g ds =tan
2

Leparamtregmpeutaussitrecalculpartirdel'quation:
D'opourVGS=0: g mo=
2 I DSS
I D =I DSS 1
V GS
V GSoff
V GSoff
etpourVGS0:


g m=g mo 1
V GS
V GSoff gm
gds
0,1 20 mA/V
1 10 S (0,1 1 M)

Polytech'NiceSophia 13 C.PETERV3.0
 JFET
Lorsquelafrquenceaugmente,ilfautprendreencomptelescapacitsparasites.
Toute jonction PN polarise en inverse constitue un condensateur. Pour le TEC,
onconsidredeuxcondensateursparasites,l'unentregrilleetsource,l'autreentre
grilleetdrain.
CGD id
CGD

vgs gds
CGS
vds
gm.vgs
CGS

LavaleurdeCGDestfaible(<pF),maisellepeutdevenirtrsgnantepareffet
Miller.

Polytech'NiceSophia 14 C.PETERV3.0
 JFET
III.2Montagesfondamentaux
Commepourletransistorbipolaire,ilexistetroismontagestypespourleTEC.

T bipolaire TEC
metteur commun source commune
collecteur commun drain commun
base commune grille commune

Polytech'NiceSophia 15 C.PETERV3.0
 JFET
III.2.1Montagesourcecommune
E
IDS

RD droitedechargestatique

Cls
droitedechargedynamique
Cle D
G pente:1/RD

S
vs
ve Rg RS Rch droitedecharge
CS dynamiqueavecRch

VDS
RS:rsistanced'autopolarisation
E
VGS=VGMVSM=RSID
Schmaquivalentendynamique
G D

ve Rg vgs gds RD Rch

gm.vgs vs
S

Polytech'NiceSophia 16 C.PETERV3.0
 JFET
III.2.2Montagedraincommun
E
sourceEdsactive
G D
CLe D
G
CLs ve Rg vgs gds
S gm.vgs
ve Rg RS Rch S
vs

RS Rch
RS:rsistanced'autopolarisation vs
VGS=VGMVSM=RSID

Schmaquivalentendynamique
G vgs S

ve Rg gds RS Rch
gm.vgs vs
D

Polytech'NiceSophia 17 C.PETERV3.0
 JFET
III.2.3Montagegrillecommune sourceEdsactive
E
G D
RD
CLs
vgs gds
D
G gm.vgs
S
CLe S
vs
Rch vs
Rg RS ve RS RD Rch
Cg ve

Schmaquivalentendynamique
S D

gm.vgs
ve RS vgs RD Rch
gds vs
G

Polytech'NiceSophia 18 C.PETERV3.0
 JFET
III.3Propritsdesmontages

source C drain C grille C

ZE RG forte (> RG) faible (<< RG)

ZS moyenne faible forte

Av ngatif fort (-100) positif (1) positif fort (100)

Polytech'NiceSophia 19 C.PETERV3.0
 JFET
IVLeTECencommutationanalogique
OnutiliseleTECcommeuninterrupteur.Pourobtenircemodedefonctionnement,la
tensionVGSprendseulementdeuxvaleurs:zroouunevaleurinfrieureVGSoff .De
cettemanireleTECfonctionneenrgionohmiqueouenblocage.
LorsqueleTECestbloqu,lecourantIDSestnul,onpeutdoncconsidrerquele
transistorestquivalentuncircuitouvert.
LorsqueleTECfonctionneenrgionohmique,letransistorsecomportecomme
unersistancedevaleurRDS(conditionqueVDSrestefaible).
LeTECestdoncquivalentaumontagesuivant:

D S
RDS
D I S

PourVGS=0,l'interrupteurestferm.
PourVGS<VGSoff,l'interrupteurestouvert.

Polytech'NiceSophia 20 C.PETERV3.0
 JFET
VI.1L'interrupteurshunt

RD RD

I
vin vout vin vout
VGS RDS

PourVGS<VGSoff,l'interrupteurestouvert:Vout=Vin

PourVGS=0,l'interrupteurestferm.SiRD>>RDS,VDSrestefaibledoncle
transistorfonctionnebienenzoneohmique:V out0.

Polytech'NiceSophia 21 C.PETERV3.0
 JFET
VI.2L'interrupteursrie

RDS

vin RD vout vin RD vout

VG
S

PourVGS<VGSoff,l'interrupteurestouvert:Vout0.
PourVGS=0,l'interrupteurestferm.SiRD>>RDS,VDSrestefaibledoncle
transistorfonctionnebienenzoneohmique:V out=Vin.

Lerapportonoffdel'interrupteursrieestsuprieurceluidel'interrupteurshunt.
v out max
Rapportonoff =
v in min

Polytech'NiceSophia 22 C.PETERV3.0
 JFET
VI.3multiplexeuranalogique

RD vout
V1 V2 V3

Polytech'NiceSophia 23 C.PETERV3.0
 MOSFET
LesMOSFETsontdestransistorssimilairesauTECjonction,maispourlesquels
lagrilleesttotalementisoleducanal.
composantunipolaire
trsfaiblesdimensions(technologiesubmicronique)
trsfaibleconsommation
fabricationsimple

Composantsdominantsenlectroniquenumriqueintgre(mmoire,
processeurs,circuitmixtes).

Polytech'NiceSophia 24 C.PETERV3.0
 MOSFET
ILesMOSFETs mtal
isolant(oxyde)
n n semiconducteur
I.1Constitution
(substrat)
p
NMOS

I=0 VDS>0 I0
Grille
VGS>0
(polysilicium)
Drain/ Drain/
Source Source G G
+ + + ++ +
n n S D
n n n n
p
p p
substratBulk B B
CeMOSFETfonctionneenenrichissement crationd'uncanald'lectrons

Polytech'NiceSophia 25 C.PETERV3.0
 MOSFET
NMOSappauvrissement
I0 VDS>0
Grille
(polysilicium) VGS<0
Drain/ Drain/
Source Source G G
n n S D
n n n + + + ++ + n
p
p p
substratBulk B B

Leschargespositivesattiressouslagrillesecombinentavecleschargesngatives
ducanaletdiminuentainsilaconductivitducanal.Pourunevaleursuffisamment
faibledeVGSlecourantIDSestnul.

Polytech'NiceSophia 26 C.PETERV3.0
 MOSFET
PMOSenrichissement

G
D/S D/S
p p

n
B
Polytech'NiceSophia 27 C.PETERV3.0
 MOSFET
I.2Symboles,tensionsetcourants
NMOS PMOS
D D D D D D
G B G G G B G G
B B
S S S S S S
t ne messi hci r net ne messi r vua ppa

D D D D
G B G G B G

S S S S

Surlasource,lesensdelaflcheindiquelesensrelducourant.
Pourlaplupartdestransistors,lesubstratestconnectlasource.

Polytech'NiceSophia 28 C.PETERV3.0
 MOSFET
I.3Fonctionnement
VDS=0 VDS<VDSsat VDS>VDSsat

VGS>0 VGS>0 VGS>0

G G G
S D S D S D
n n n n n n

p p p
B B B

DansuntransistorNMOSenrichissement,lecanald'lectronsestcreparunetension
VGSpositive.Lorsqu'onappliqueunetensionV DS ,lecanalsertrcitducotdudrain.
PourVDS<VDSsat,letransistorfonctionneenrgimelinaire.
LorsqueVDSaugmenteaudeldeVDSsat ,Ilyapincementducanal.LecourantI DSest
alorslimitunevaleurdpendantdeVGS.Letransistorfonctionneensaturation.

Polytech'NiceSophia 29 C.PETERV3.0
 MOSFET
I.4Rseauxdecaractristiques
NMOSenrichissement
Lorsquelesubstratestrelilasource,onobtientlescaractristiquessuivantes:
IDS VGSVT VGS=5V IDS transfert
C S
VDS=5V
VGS=3V (saturation)
L

VGS=2V
zonelinaire
VGS=1V
VDSfaible

5 VDS VGSoff=VT VGS

PourqueleMOSFETenrichissementconduise,ilfautqueVGS>VT.
VT:tensiondeseuil.

Polytech'NiceSophia 30 C.PETERV3.0
 MOSFET
NMOSappauvrissement
Lorsquelesubstratestrelilasource,onobtientlescaractristiquessuivantes:
IDS VGSVT VGS=2V IDS
transfert
C S
VDS=5V
VGS=1V (saturation)
L
enrichissemen
VGS=0V t
VGS=1V appauvrissement

5 VDS VGSoff=VT VGS

LesrseauxdecaractristiquesdesPMOSsontsimilaires,maistoutesles
grandeurssontngatives.

Polytech'NiceSophia 31 C.PETERV3.0
 MOSFET
IIPolarisation
LesmontagesdepolarisationutilisspourlesMOSFETsontsimilairesceux
tudispourlesJFET.
Exemples:
VDD VDD

RD R1 RD
ID ID

VDS VDS

RG RS R2 RS

autopolarisation polarisationparpont
MOSFETappauvrissement MOSFETenrichissement
VGS=0 VGS>0

Polytech'NiceSophia 32 C.PETERV3.0
 MOSFET
IIILeMOSFETenrgimedynamique
Cette tudeconsiste analyserlefonctionnement d'untransistorpolarisen zone
de saturation lorsqu'on applique de petites variations l'une des grandeurs
lectriques.

III.1Modleenrgimedynamique
Enzonedesaturation,lerseaudecaractristiquesIDS=f(VDS)tantsimilairepour
lesJFETetlesMOSFET,leschmaquivalentenrgimedynamiqueestidentique.

id

gm 0,1 50 mA/V
vgs gds gds 0,02 1 mS (1 50 k)
vds
gm.vgs

Polytech'NiceSophia 33 C.PETERV3.0
 MOSFET
III.2Montagesfondamentaux
OnretrouvelestroismontagesfondamentauxtudispourlesJFET:source
commune,draincommunetgrillecommune.
Exemplesdemontagessourcecommune:

VDD VDD

RD R1 RD
CLs
Cle Cle

vs vs
ve RG RS Rch ve R RS Rch
CS 2 CS

LespropritssontanaloguespourunMOSFETetunJFET.

Polytech'NiceSophia 34 C.PETERV3.0
 MOSFET
VILeMOSFETencommutation
A l'image des JFET, les MOSFET peuvent fonctionner en commutateurs
analogiquessuivantlesmontagestudisprcdemment.
Une autre application pour ces transistors rsidedansles circuitsnumriques. En
effet,latensionseuilprovoqueunbasculementbrutaldel'tatbloqul'tatsatur
lorsquelatensiondegrillepassede0unetensionsuprieureVT.LeMOSFET
estdoncuncomposantidalpourlescircuitslogiques.
Rappel:

enrichissement appauvrissement
NMOS PMOS NMOS PMOS
VDS >0 <0 >0 <0
VGS >0 <0 VT < 0 VT > 0

Les circuits logiques tant aliments avec une tension unique, il faut que les
tensions VGS et VDS soient de mme polarit. Dans ces conditions, seuls les
transistorsenrichissementpeuventfonctionnerenrgimebloquetsatur.
LescircuitslogiquessontdoncralissavecdesMOSFETenrichissement.

Polytech'NiceSophia 35 C.PETERV3.0
 MOSFET
VI.1Commutationchargepassive

VDD IDS VGS=5V

VDD/RD
RD

vout VGS=3V

vin
VGS=2V

VGS=1V

VDD VDS
pourvin=0,VGS=0doncID=0etvout=VDD.
pourvin=VDD,VGS>>VTdoncID0etvout0conditionqueRD>>RDS
(letransistorfonctionneenzoneohmique).
Cecircuitraliseunefonction:inverseur.

Polytech'NiceSophia 36 C.PETERV3.0
 MOSFET
VI.2Commutationchargeactive
Afindediminuerlatailledescircuitsintgrs,lesrsistancesquioccupentune
surfaceimportanteonttsremplacespardestransistors.
IDS VGS=5V
VDD

VGS=3V
vout
vin VGS=2V

VGS=1V

VDS
1 5
Letransistorduhautsecomportecommeunersistancedontlavaleurvarie
lgrementenfonctiondelatensionsesbornes.
Lefonctionnementdececircuitestidentiqueauprcdentmaisiloccupeune
surfacepluspetite.

Polytech'NiceSophia 37 C.PETERV3.0
 MOSFET
VI.3LeCMOS
Afin de diminuer la consommation, la rsistance est remplace par un transistor
complmentaire. I
V =V
VDD GSn DD V =VGSp DD vout
VGSp
VDD
PMOS
vin vout
NMOS
VGSn
vin
VD
vout VDD
D

vin VGSn VGSp NMOS PMOS vout

Laconsommationd'unecellule
0 0 - VDD bloqu passant VDD CMOS est proportionnelle la
VDD VDD 0 passant bloqu 0 frquencedecommutation.

Polytech'NiceSophia 38 C.PETERV3.0
 MOSFET
VLeMOSFETdepuissance
Le MOSFET de puissance est un composant discret utilis dans les systmes de
commande des moteurs, lampes, imprimantes, alimentation de puissance,
amplificateurs,etc.C'estunMOSFETenrichissement.
Pour accrotre leur puissance limite, les gomtries de canal sont modifies
(VMOS,TMOS,HEXFET).
Gammesdetensionetcourant:200A,1200V,700W.
Le MOSFET tant un composant unipolaire, il peut couper un fort courant
beaucoupplusrapidementquenepeutlefaireuntransistorbipolaire.
Lorsquelatempratureaugmente,larsistanceRDSonducanalaugmentegalement.
Il n'existe donc pas de risque d'emballement thermique. Il est donc possible de
connecter plusieurs transistors MOS en parallle pour augmenter le courant
admissible.

Polytech'NiceSophia 39 C.PETERV3.0
 MOSFET
VPrcautionsd'usage
Z Z

z V MOS kV
kV kV

travaillersurunetableconductricerelielaterre.
utiliserunbraceletconducteurrelilaterre.
utiliserunfersouderisoldusecteurdontlapanneestrelielaterre.
nepasstockerlescircuitsMOSsurdupolystyrneexpans(utiliserdelamousse
chargeencarbone).
viterdemanipulerlescircuitsaveclesdoigts.
certainscircuitssontprotgsintrieurementpardesdiodeszener.

Polytech'NiceSophia 40 C.PETERV3.0