Cours de Physique Des SC - SLIDES - BAC+3 PDF

Cours de Physique
des Semi-conducteurs
Alain CHOVET
&
Pascal MASSON
(Alain.chovet@enserg.fr
pascal.masson@L2MP.fr)
École Polytechnique Universitaire de Marseille

Département Micro-
Micro-électronique et TéTélécommunications
Alain CHOVET & PascalIMT,
MASSON Château-Gombert, 13451 MARSEILLEPhysique
Technopôle de Château- Cedex 20 des semi-conducteurs
Sommaire
Généralités
Quelques propriétés
Semi-conducteur non dopé ou dopé
Semi-conducteur à l’équilibre
Équation de Poisson - Conséquences
Perturbations faibles de l’équilibre
Perturbations fortes de l’équilibre
Équations d’évolution
Contact entre deux matériaux différents
Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Généralités
Conducteurs – Isolants – Semi-conducteurs
Conducteurs
Matériaux ayant la plus faible résistivité à température ambiante
ρ < 10−5 Ωcm
Cuivre, or, argent, aluminium...
Conduction électrique ⇒ électrons libres (de 1022 à 1023 cm−3)

Augmentation de la température ⇒ augmentation légère de ρ
Electro-migration
Généralités
Conducteurs

Généralités
Isolants
ρ > 108 Ωcm
Verre, mica, la silice (SiO2), le carbone (diamant)...
mica
Augmentation de la température ⇒ baisse de ρ (libération d’électrons et de

trous)
Fuite ou claquage de l’isolant
Généralités
Semi-conducteurs
10−3 Ωcm < ρ < 104 Ωcm
La conduction électrique se fait par les électrons et/ou les trous
Semi-conducteur pur ⇒ intrinsèque
dopé ⇒ extrinsèque
Silicium assez pur + un atome de Bore ou de Phosphore pour 105 atomes de

Silicium ⇒ ρ passe de 103 à environ 10-2 Ωcm
Colonne Semi-conducteur
IV Ge, Si
binaire GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb
III-V ternaire AlxGa1-xAs, GaAsyP1-y
quaternaire AlxGa1-xAsyP1-y
II-VI binaire CdS, HgTe, CdTe, ZnTe, ZnS
ternaire CdxHg1-xTe

Généralités
Semi-conducteurs
Matériau étudié depuis les années 1830

Généralités
Semi- conducteurs
Silicium GaAS

Généralités
Structure de l’état solide
Matériaux cristallins
Atomes rangés régulièrement aux nœuds d’un réseau périodique
La maille (ou motif) élémentaire se répète régulièrement
Matériaux amorphes
Ordre local et non répété à ″longue distance″

Généralités
Structure de l’état solide
Familles de solides cristallins
Cristaux ioniques (Na+Cl−…) : ions liés par attraction coulombienne, aucun
électron libre (cristaux isolants), liaison très solide.
Cristaux covalents (colonne IV : C, Si, Ge, Sn) : quatre électrons
périphériques mis en commun avec quatre voisins (liaisons de valence),
liaisons moins fortes que les liaisons ioniques.
Métaux (Li, Na, K, Cu, Ag, Au) : conducteurs électriques (un électron libre
par atome), température de fusion est moins élevée que celle des cristaux
covalents
Cristaux moléculaires
Système cristallin et réseau cristallin
Cristal représenté à partir d’une cellule de base
Cellule de base répétée périodiquement
Il existe sept systèmes cristallins dont le système cubique

Cristal cubique
Il existe trois réseaux différents
Cubique simple Cubique centré Cubique face centrée

Plans cristallographiques
z z z z
(001)
(010)
(110) (110)
(111)
(100) y y y y
x x x x

Cristal cubique
Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) – Réseau diamant
Les électrons d’un atome isolé prennent des valeurs d’énergie discrètes
Pour chaque niveau : nombre limité d’électrons (2n2)
les niveaux les plus proches du noyau sont occupés
Pour le silicium :
Numéro atomique Z = 14
2 électrons sur la première couche (n = 1)
8 sur la seconde (n = 2)
4 sur la dernière (nombre de places = 18) (n = 3)
14+ 4+

Cristal cubique
Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) – Réseau diamant
Atome stable : 8 électrons sur la couche externe (gaz rares)
Atome de silicium isolé non stable
Formation du cristal : association avec quatre voisin
A T = 0 K (aucune liaison brisée) : pas d’électrons libres (isolant)
Cristal : deux réseaux cubiques faces centrées imbriqués (décalés du quart de
la diagonale principale du cube)

Cristal cubique
Semi-conducteurs composés (III-V ou II-VI) – Réseau Zinc-blende
Gallium (Z = 31)
Arsenic (Z = 33)
GaAs : Ga (resp. Ar) prend quatre atomes de As (resp. Ge) comme voisins
Cristal constitué de deux réseaux cubiques faces centrées (l’un de Ga et
l’autre de As) imbriqués et décalés du quart de la diagonale principale.
Ga- As+ Ga-

Gallium
As+ Ga- As+

Arsenic
En réalité : le cristal construit à partir de Ga− et As+ (4 électrons

périphériques)
Bandes d’énergie Énergie
Électrons
Mécanique quantique pour un atome isolé : libres
Niveaux d’énergie discret 3p

M
Couche M : électrons de valence 3s Électrons
Couche K : électrons fortement liées liés
L 2p
2s
Si on approche 2 atomes : K 1s
Fonctions d’ondes des électrons perturbées

Deux fois plus d’électrons sur le même niveau ?
Chaque niveau : 2 niveaux très rapprochés
Si on approche N atomes :
Apparition de bandes d’énergies (niveaux discrets très rapprochés)

Si une bande à p places et n électrons : N.p places et N.n électrons
Si la couche externe est saturée : pas de courant

Bandes d’énergie
Bandes de conduction et de valence (électrons des niveaux 3s et 3p)
Apparition d’une bande interdite ou Gap
di
d0
(>>d0)
E
Énergie 4N états
des 0 électrons (BC)
électrons
EC 6N états/2N électrons (sous niveau «p»)
EG
EV 2N états/2N électrons (sous niveau «s»)
4N états
4N électrons (BV)
di
d0 Distance
inter-atomique

Bandes d’énergie
Exemple de largueur de bande interdite
atome EG (eV) type de matériau d (Å)

C (Carbone) 5.5 isolant 3.567
Si (Silicium) 1.12 semi-conducteur 5.431
Ge (Germanium) 0.7 semi-conducteur 5.646
Sn(Etain) 0 conducteur 6.489
Gap direct ou indirect

BC EC(k)
EC,V(k) : relations de dispersion
Minimum EC égale maximum de EV EG ∆E
Gap direct ∆k
k k
Minimum EC différent maximum de EV BV EV(k)
Gap indirect Direct Indirect

Conduction par électron ou par trou
Apport d’une énergie à une liaison de valence
EC
On arrache un ou plusieurs électrons
EG
Cet électron de la BV passe dans la BC
L’électron se comporte comme une particule EV
″quasi-libre″ (sous l’influence du réseau)
Il peut participer à la conduction électrique
On lui affecte une masse effective mn différente de m0 (0,91 10-30 kg)
En fait, il apparaît aussi un trou libre
Électron
libre
Liaison Trou
brisée libre

Analogie avec le déplacement de voitures
Courant d’électrons

Analogie avec le déplacement de voitures
Courant d’électrons Courant de trous

Pour simplifier le système on parlera :
Des électrons de la bande de conduction
Des trous de la bande de valence (non de ses électrons) avec une masse mp
Au voisinage d’un extremum des bandes : développement de E(k)
1 d2E 2 1 ∂ 2E 2 p2
E( k) ≈ EC + 0 + k +... ou E(p ) − EC ≈ p =
2 dk 2 2 ∂p 2 2m n
Masse effective dans la vallée considérée : inverse de la courbure E(p)

Nombre de places disponibles dans la BC : densité d’états
nC(E)dE = nombre d’états (m-3) dans la ″tranche″ d’énergie E, E + dE
On obtient au final : E
Pour la bande de conduction

3 EC
1  2mn  2 1 nC(E)
n C ( E) = ( E − EC )
2  2 
2
2π h
EV
Pour la bande de valence nV(E)
3
1  2mp  2 1
n V (E) =
2  2  ( V )2
  E − E
2π h

Semi-conducteur intrinsèque
Semi-conducteur non pollué (volontairement ou non) par des impuretés
Pour T ≠ 0, des électrons peuvent devenir libres
La densité d’électrons (resp. trous) libres est notée ″n″ (resp. ″p″) = ni
 E 
3
n = p = n i ( T) = AT 2 exp − G 
 2kT 
EG grand ⇒ meilleure stabilité en température (Puissance)
ln(ni) en fonction de 1/T est une droite : déduction de EG avec la pente
Température (K)
1000 500 400 300 200
17 17
10 10 Ge
Si
14 14
10 10 GaAs
)
)
-3
-3
ni (cm
ni (cm
11 11
10 10
Ge : EG = 0,7 eV
8 Si : EG = 1,1 eV 8
10 10
GaAs : EG = 1,42 eV
5 5
10 10
200 400 600 800 1000 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005
-1
Température (K) 1/Température (K )

Semi-conducteur extrinsèque : dopage
Semi-conducteurs de type n
Atomes (ou impuretés) de type donneur (d’électrons) en faible quantité
Conduction par électrons plutôt que par trous
Cristal de la colonne IV ⇒ atomes la colonne V (phosphore)
Un faible apport d’énergie (0,04 eV), par exemple dû à une température
différente de 0 K, peut ″libérer″ le cinquième électron de l’atome de phosphore
électron
libre
Si Si Si Si Si Si
Si
Silicium
Si P Si Si P+ Si
P
Phosphore Si Si Si Si Si Si
charge
fixe

Semi-conducteurs de type n
Apparition d’un niveau d’énergie ED dans la BI (EC − ED = 0,04 eV)
A partir d’environ 50 K toutes les impuretés sont ″dégelées″
n0 = ND >> ni >> p0
Comportement intrinsèque du matériau pour T > 500 K
EC EC
ED ED
EV EV
Etat occupé Etat libre Electron libre Trou libre

Semi-conducteurs de type p
Atomes (ou impuretés) de type accepteur (d’électrons) en faible quantité
Conduction par trous plutôt que par électrons
Cristal de la colonne IV ⇒ atomes la colonne III (bore)
Un faible apport d’énergie permet à l’atome de bore de subtiliser un électron
à un proche voisin
trou libre
Si Si Si Si Si Si
Si
Silicium
Si B Si Si B- Si
B
Bore Si Si Si Si Si Si
charge
fixe

Semi-conducteurs de type p
Apparition d’un niveau d’énergie ED dans la BI
A partir d’environ 50 K toutes les impuretés sont ″dégelées″
p0 = NA >> ni >> n0
Comportement intrinsèque du matériau pour T > 500 K
EC EC
EA EA
EV EV

Semi-conducteurs compensé
Les impuretés dopantes de type différent peuvent se compenser,
partiellement ou totalement. p0 = NA >> ni >> n0
Parfaitement compenser (NA = ND): semi-conducteur ″intrinsèque par
compensation″
EC EC
ED ED
EA EA
EV EV
Le dopage minimum dépend du raffinage du matériau

Concentrations résiduelles de bore d’environ 1013 atomes par cm3 (silicium
intrinsèque à température ambiante : ni ≈ 1010 cm-3)

Semi-conducteur dopé : exemples
Schéma d’un implanteur
Source Grille Drain

- 50 0 50
0
x Dopage d’un transistor MOS
40
L = 50 nm, W = 0.1 µm
Atomes donneurs :
80 Atomes accepteurs :
120
y

Concentration des porteurs libres à l’équilibre
Distribution de Fermi-Dirac. Niveau de Fermi
La probabilité d’occupation (à l’équilibre) d’un niveau d’énergie E par un
électron est donnée par (statistique de Fermi-Dirac) :
nombre de cases occupées par les électrons ( entre E et E + dE) n( E) dE

f n ( E) = =
nombre de cases disponibles ( entre E et E + dE) n C ( E) dE
1.0
0.8
T = 0 K, 50 K, 150 K,
1 0.6 300 K, 500 K
f n ( E) =
 E − EF 
fn(E)
1 + exp  0.4
 kT 
0.2
0.0
-0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2
E-EF (eV)
Distribution de Fermi-Dirac. Niveau de Fermi
La probabilité fp(E) qu’un niveau E soit occupé par un trou :
1
f p ( E) = 1 − f n ( E) =
 E F − E
1 + exp 
 kT 
Statistique de Boltzmann :
1  E − EF 
Pour les électrons (E − EF est f n ( E) ≈ = exp − 
 E − EF   kT 
supérieure à quelques kT) exp 
 kT 
1  E − E
Pour les trous (EF − E est f p ( E) ≈ = exp − F 
 E F − E  kT 
supérieur à quelques kT ) exp 
 kT 
Niveau de Fermi intrinsèque : EFi se situe près du milieu de la bande

interdite Ei = (EC + EV)/2

Concentrations à l’équilibre pour les électrons
E max ∞
n0 =
∫ n( E ) dE =
BC
∫ n C ( E ) f n ( E) dE ≅
EC
∫ n C ( E ) f n ( E) dE
EC
E
 E − EF  nC(E)
n 0 = N C exp − C  = N C f n (E C ) n(E)
 kT 
EC
Densité équivalente d’états dans la 0.5 1
EF fn(E)
bande de conduction ramenée en EC
EV
3
 2πm n kT  2
N C = 2 
 h2 

Concentrations à l’équilibre pour les trous
EV EV
p0 =
∫() ∫
p E dE =
BV
n V ( E ) f p ( E) dE ≅
E min
∫ n V ( E) f p ( E) dE
−∞
E
 E − EV 
p0 = N V exp − F  = N V f p ( EV )
 kT 
EC
Densité équivalente d’états dans la 0.5 1
EF fp(E)
bande de valence ramenée en EV
EV
3
 2πm p kT  2
p(E)
NV = 2 
 h 2
 nV(E)

Loi d’action de masse
Multiplication des densités d’électrons et de trous :
 E − EV   EG 
n 0 p 0 = N C N V exp − C  = N N
C V exp − 
 kT   kT 
n0p0 est indépendant de EF et donc du dopage

Dans un matériau intrinsèque on a :
 E C − E Fi 
n i = p 0 = n 0 = N C exp − 
 kT 
La loi d’action de masse s’écrit :
 E 
n 0 p 0 = N C N V exp − G  = n i (T )
2
 kT 
Concentration intrinsèque de porteurs
 EG  3  E 
n i = N C N V exp −  ∝ T 2 exp − G 
 2 kT   2 kT 
Densités d’électrons et de trous en fonction de ni
Expression du niveau de Fermi intrinsèque à partir de n0 = ni
 E − E Fi   E − EV 
N C exp − C = N C N V exp − C 
 kT   2kT 
E C + E V kT  N C  kT  N C 
Soit : E Fi = − ln  = E i − ln  ≈ Ei
2 2  NV  2  NV 
Densité d’électrons
 E − EFi   EFi − EF   EF − EFi 

n 0 = N C exp − C  exp −  = n i( )
T exp 
 kT   kT   kT 
Densité de trous
2
 E − EFi  n i (T)
p0 = n i (T) exp − F =
 kT  n0

Équation de la neutralité électrique
Dans un semi-conducteur homogène :
p 0 + ND + = n 0 + N A − où ND+ et NA− représentent les impuretés ionisées
Densité d’atomes donneurs ionisés :
1
N D + = N D f p (E D ) = N D
 E − ED 
1 + exp F 
 kT 
Densité d’atomes accepteur ionisés :
1
N A − = N A f n (E A ) = N A
 E − EF 
1 + exp A 
 kT 

Équation de la neutralité électrique : cas du silicium de type n
A température ambiante, l’équation de la neutralité se simplifie (ND+ = ND) :
n i2
n 0 = p0 + N D = + ND
n0
Pour ce type de semi-conducteur n0 >> p0 : n 0 ≈ ND
 NC   ND 
Expression du niveau de Fermi : EF = EC − kT ln  = EFi + kT ln 
 ND   ni 
Équation de la neutralité électrique : cas du silicium de type p
Pour ce type de semi-conducteur p0 >> n0 : p0 ≈ NA
N  N 
Expression du niveau de Fermi : EF = EV + kT ln V  = EFi − kT ln A 
 NA   ni 

Le niveau de Fermi dans une structure à l’équilibre
Propriété fondamentale
Quelle que soit la structure du matériau (homogène ou non), le niveau de
Fermi est le même partout à l’équilibre thermodynamique.
Illustration
Energie Energie
flux d’électrons
EC EC
EF
EF
EG EV EG EV
flux de trous
x x
Quelle est la particularité du dopage pour ces deux figures ?

Le niveau de Fermi dans une structure à l’équilibre
Application : diode PN à l’équilibre
Déterminer le potentiel interne de la diode, Vb.
→
ξint
np0
ECp
nn0
ECn EFip
EF EF
EFin EVp
pp0
EVn
pn0
Vb
x
kT  nn 0  kT  pp0  kT  nn 0 pp0  kT  n i 2  kT  N A N D 
Vb = ln =
 ln =
 ln = ln = ln
q  np0  q  pn 0  q  2  q  pn np  q  n2 
 ni   0 0  i 

Théorème de Gauss
Rappels :
Un matériau SC homogène est neutre en tout point (neutralité électrique
locale)
Lorsqu’un matériau est non homogène il y a une possibilité d'existence d'un
champ électrique interne associé à celle d’une densité de charge dans une
″zone de charge d’espace″ (ZCE).
Soit un volume V délimité par une surface fermée S contenant une charge Q,
le flux du champ électrique sortant s’écrit :
r
n
dS
∫∫∫
r
ρ(r )dV
Q
∫∫ ∫∫∫
rr Q r
ξndS = = V = ()
div ξ dV r r
S
εSC εSC V n ρ(r ) dV

Équation de Poisson
Densité de charges dans un volume dV :
r
[
ρ( r) = q N D + + p − N A − − n ]
Densité de charges et théorème de Gauss :
r
rr r ρ(r ) q
∇ξ = div ξ =() =
εSC εSC
N + + p − N − − n 
 D A 
Le champ électrique et la tension électrique V étant reliés par :

r → r
ξ = − grad(V ) = −∇(V )
L’équation de Poisson est donnée par :

∂2V ∂2V ∂ 2V q 
N D + p − N A − n
2 + −
∆V = ∇ V = + + =−
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2 ε SC  
L’équation de Poisson à une seule dimension :

∂2V ∂ξ x q N + (x ) + p(x ) − N − (x ) − n (x )
=− =−
 D A 
∂x 2 ∂x ε SC

Application (et conséquences) : la capacité MOS
Présentation de la structure
MOS : Métal / Oxyde / Semi-conducteur
Équivalent à la mise en série de deux capacités :
Capacité de l’oxyde
Capacité du substrat (qui dépend de la polarisation)
Capacité MOS : base du transistor MOS (composant le plus utilisé)
O Cox
VGB
CSC
S

Caractéristiques de la structure
Dans la suite, on ne s’intéresse qu’au substrat
Quel est le type du substrat ?
Donner l’expression du potentiel de volume, ΦF.
On suppose que pour VGB = 0 les

bandes du substrat sont plates de E(x) = − qV(x)
l’interface vers le volume. Que ce EC(x)
passe t-il pour l’interface lorsque
VGB devient positif ? − qΦF Ei(x)
EF
EV(x)
Compléter le diagramme de x
0
bandes. V(x)
Courbures des bandes d’énergie
Dans la suite, on ne s’intéresse qu’au substrat
Quel est le type du substrat ?
Donner l’expression du potentiel de volume, ΦF.
On suppose que pour VGB = 0 les

bandes du substrat sont plates de E(x) = − q Ψ(x)
l’interface vers le volume. Que ce EC(x)
passe t-il pour l’interface lorsque EC(0)
VGB devient positif ? − qΦF Ei(x)
EF
− qΨ(x)
EV(x)
EV(0)
Compléter le diagramme de x
0 xd
bandes.
Champ électrique
Donner l’expression de la densité volumique de charges dans la ZCE.
ρ( x ) = −qN A ρ(x)
xd
x
A partir de l’équation de Poisson,
ZCE
déterminer l’évolution du champ −qNA
électrique et compléter le graphique ci-
dessous.
qN A
ξ(x ) = − (x − x d )
εSC
ξ
Donner l’expression du champ ξS
électrique maximum.
qN A x d
ξS = x
εSC
0 xd

Potentiel et potentiel de surface
Déterminer l’expression du potentiel.
Ψx
qN A
Ψ (x ) = (x − x d )2
2εSC ΨS Évolution en x2
Donner l’expression de ΨS (potentiel de

x
surface) en fonction de xd puis de ξS. 0 xd
qN A 1
ΨS = x d 2 = ξS x d
2εSC 2
En déduire l’expression de xd en fonction de ΨS.
2εSC
xd = ΨS
qN A

Pour aller plus loin
Donner l’expression de la charge dans la ZCE par unité de surface.
QSC = −qN A x d
A partir du théorème de Gauss, déterminer l’expression de ξS.

 π π Q
− ξS n cos(0)S + ξn cos − S′ + 0n cos(0)S + ξn cos S′ =
 2 2 εSC
Q SQSC qN A xd M O S
ξS = − =− = r
SεSC SεSC εSC r
n ξ
r r
Est ce que la région de la ZCE proche n n
Q
de xd est réellement une ZCE ? r r r
ξ = −ξS ξ=0
r r
n ξ

Introduction
Hors champ électrique, les porteurs libres ont un mouvement ressemblant à
des sauts de puce (caractérisé par des changements de direction que l’on
appelle ″mouvement Brownien″) : leur déplacement moyen est nul
Les atomes, les impuretés et les défauts du réseau sont autant d’obstacles
pour les porteurs, qui effectuent des ″collisions″ avec eux.
Le temps moyen entre collisions, tc (ou ″temps de relaxation″ sur le réseau),
est de l’ordre de 10−13 s (0,1 ps).
tc n’a absolument rien à voir avec le temps ″de vie″ des porteurs (temps entre
création et recombinaison de porteurs) qui est en général beaucoup plus long.
La vitesse thermique des porteurs, vth, s’exprime en fonction de l’énergie
cinétique et de leur masse effective, m*, qui reste de l’ordre de celle de
l’électron dans le vide (9,1 10−31 kg).
1 * 3
E cin = m v th 2 = kT
2 2
300 K la vitesse thermique est de l’ordre de 105 ms−1.
La distance que parcourt un porteur entre deux chocs s’appelle le ″libre
parcours moyen″, λ, et vaut simplement : λ = v th t c
qui à 300 K est d’environ 10 nm.

Mobilité des porteurs
Lorsqu’un champ électrique est appliqué à un semi-conducteur, chaque
porteur subit une force électrostatique (+ pour le trous et − pour les électrons)
donnée par : r r r
F = ± qξ ξ r q (<0)
F
Dans le cas d’un électron (force = masse × accélération) :
r r
r r r r q ξ d v n
F = m n γ = −qξ soit γ=− =
mn dt
La vitesse d’un électron est
r donc donnée par : vn
r qξ
vn = − t
mn
La vitesse d’un électron entre deux chocs (tc) est :

r qt c r r
vn = − ξ = −µ n ξ
2m n
tc 2tc t
La mobilité µ des porteurs est définie comme le coefficient de proportionnalité
entre la vitesse et le champ électrique

Exemples de mobilités
SC EG µn µp εr SC EG µn µp εr
Si 1.12 1400 500 11.9 InAs 0.36 33000 460 14.6
Ge 0.7 3900 1900 16 InSb 0.18 78000 750 17.7
GaAs 1.42 8500 400 13 GaSb 0.72 5000 850 15.7
InP 1.35 5000 150 12.4 CdS 2.42 340 50 5.4

AlAs 2.16 1200 400 10.1 CdTe 1.56 1050 100 10.2
GaP 2.26 300 100 11 SiO2 9 isolant 3.9

Plusieurs mécanismes influencent la mobilité :
Les collisions coulombiennes : les 1400
impuretés ionisées et d’une manière µn Si
300 K
générale tous les centres chargés qui 1000
µ (cm2V−1s − 1)
gênent le parcours des porteurs.
Les collisions avec le réseau : les 600 µp
atomes du réseau cristallin qui vibrent
autour de leur position moyenne 200
(phonons) sont des obstacles pour les 0
porteurs. 1015 1017 1019
NA,D (cm-3)
Les collisions sur la rugosité de
surface : les dimensions d'un composant à
semi-conducteur n’étant pas infinies, les
porteurs ″heurtent″ parfois la surface et
sont d’autant plus gênés dans leur
mouvement que cette surface est de
mauvaise qualité.

Plusieurs mécanismes influencent la mobilité :
Semi-conducteur contraint :
utilisation de silicium sur SiGe par
exemple pour les transistors MOS.
Application d’un fort champ

électrique : existence d’une vitesse de
saturation des porteurs se traduisant par
une chute de la mobilité.
GaAs
Energie
107 vdn
|ξ| augmente
vd (cms −1)
vallée 2
mn plus grande 106 vdn Si 300 K
vallée 1 µn plus faible
mn plus faible vdp
µn plus grande
k 103 104
[111]
ξ (Vcm−1)

Conduction et conductivité
Densité de courant
j (Am−2) est définie comme le flux de charges qui passe par unité de surface.
Elle est donc égale à la vitesse des charges multipliées par la concentration
de charges (Cm−3). Pour les électrons cela donne :
r r
jn = −qnv dn
L’expression de la densité de courant des électrons et des trous en fonction du
champ électrique est : r r r
 jn = qnµ n ξ = σ n ξ
r r r
 jp = qpµ p ξ = σ p ξ
La conductivité (σn pour les électrons et σp pour les trous) est définie comme
le coefficient de proportionnalité entre la densité de courant et le champ
électrique.
Dans le cas d’une conduction par les électrons et les trous :
r r r r r
( )
jtot = jn + jp = σ n + σ p ξ = σtotξ

Conduction et conductivité
Exemple : résistance d’un barreau de silicium
La densité de courant est donné par (attention aux axes de I et de V) :
V ξ
jtot = σtot ξ = σtot
L I
Le courant qui traverse le barreau est : S V

V 1
L
I = Sσ tot = V
L R EC
EF −qV
La loi d’Ohm permet d’identifier la Ei
résistance du barreau :
EV
1 L 1 L
R= =
σ tot S ( )
qn µ n + qpµ p S

Diffusion des porteurs →
grad ( n ) sens du flux de diffusion
Introduction
L’apparition d’un gradient de porteurs
dans un matériau (dans le cas d’un semi-
conducteur non homogène ou lors d’une
excitation locale...) engendre un flux de ces
n+dn n
porteurs dans le sens inverse du gradient.
Soit un barreau de silicium de type p dont x x+dx
on considère un élément de volume.

La force totale qui s’exerce sur cet
élément s’écrit (Force = surface × pression) :
∂P S F(x+dx)
F = [P(x ) − P(x + dx )]S = −S dx
∂x
La pression des trous est donnée par : F(x)
P(x ) = kTp(x )
La force qui s’exerce devient : P(x) P(x+dx) x
∂p(x )
F = −SkT dx
∂x
Diffusion des porteurs
Courant de diffusion vp
Expression de la force en fonction de l’accélération :
∂p(x )
F = p(x ) Sdx m p γ = −SkT dx
∂x
kT 1 ∂p(x ) dv p
Soit : γ=− =
m p p(x ) ∂x dt
tc 2tc t
La vitesse d’un trou entre deux chocs (tc) est :
kT 1 ∂p(x ) t c kT 1 ∂p(x ) 1 ∂p(x )
vp = − =− µp = −D p
m p p(x ) ∂x 2 q p(x ) ∂x p(x ) ∂x
Dp correspond au coefficient de diffusion des trous.

La densité de courant de diffusion s’écrit alors :
r
 j = −qn (x )vr = qD grad (n )
n n n
 r r
 jp = qp(x )v p = −qD p grad (p )

Densité de courant des porteurs
Addition des courants de conduction et de diffusion
r r
 j = qnµ ξ + qD grad (n )
n n n
r r
 jp = qpµ p ξ − qD p grad (p )
Exemples
.1024
241
10
n
23
5 .10
Newn
0 0
5 5 5 5 5 5 5 5 5 4
0 1 .10 2 .10 3 .10 4 .10 5 .10 6 .10 7 .10 8 .10 9 .10 1 .10
0 x −4
1×10

Densité de courant des porteurs
Niveau de Fermi plat = pas de courant
Soit un barreau de silicium de type n faisant apparaître une variation
spatiale de EF et Ei.
Développer l’expression de grad(n) en fonction de ni.
  n
 E − Ei
grad (n ) = grad n i exp F
 kT
  =
  kT
(
grad (EF ) − grad (Ei ))

Donner l’expression de grad(Ei) en fonction du champ électrique.

r
grad(Ei ) = grad(EC ) = grad(E V ) = grad(− qV ) = −qgrad(V ) = qξ
Donner la nouvelle expression de la densité de courant des électrons.
r
jn = nµ n grad(EF )

Création de porteurs
La création d’un porteur libre correspond à une transition BV - BC
Transition d’un électron de la bande de valence vers la bande de conduction
qui correspond à la création d’une paire électron-trou.
Transition d’un électron d’un niveau ED (situé dans la bande interdite) vers
la bande de conduction. Il reste une charge fixe positive (atome ionisé) et un
électron dans BC.
Transition d’un électron de la bande de valence vers un niveau EA du gap. Il
reste une charge négative fixe et un trou (dans BV).
L’énergie est fournie par :
Des photons (lumière)

Des particules énergétiques (rayonnements ou porteurs).
De la chaleur
Taux de génération (ou de création) de porteurs Gn (m−3s−1) pour les

électrons et Gp pour les trous.

Création de porteurs
Rouge Violet
Infra-Rouge Visible Ultra-Violet
CdxHg1-xTe CdSe AlAs
CdS
InSb Ge Si GaAs GaP SiC GaN ZnS
EG
0 1 2 3 4 (eV)
l
(µm) 10 3 1,5 1 0,65 0,5 0,35

Les quasi-niveaux de Fermi
Soit un barreau de silicium dopé n, que l’on éclaire. On a ainsi une
augmentation des densités d’électrons et de trous. Que doit faire le niveau de
Fermi ?
EC
Il y ainsi apparition d’un niveau de EFn
Fermi pour les électrons (EFn) et d’un EF
autre pour les trous (EFp), c’est ce que EG ≈ 112
, eV EFi
nous appellerons les quasi-niveaux de EFp
Fermi.
EV
Les probabilités d’occupation d’un état par un électron ou un trou sont

données par :
1 1
f n ( E) = f p ( E) =
 E − E Fn   EFp − E
1 + exp  1 + exp 
 kT   kT 
Les densités d’électrons et de trous sont alors données par:

 E − EFi   EFp − EFi 
n = n i exp Fn  p = n i exp − 
 kT   kT 

Que devient le produit np par rapport à ni ?
2  E Fn − E Fp 
np = n i exp 
 kT 
La loi d’action de masse n’est pas respectée à l’état hors équilibre.
Exemple d’application
Soit un barreau de Silicium (ni = 1,5×1010 cm−3 à 300 K) dopé avec des
impuretés donatrices afin d’obtenir n0 = 1014 cm−3 (p0 = ni2/n0 = 2,25×106 cm−3).
On crée des porteurs par paires avec une concentration δn = δ p = 2×1013 cm−3.
Donner la position du niveau de Fermi
 n0  − 23
 1014 
EF − EFi = kT ln  = 1,38 × 10 × 300 × ln  = 4,6 × 10-20 J = 0,228 eV
 ni  
 1,5 × 1010 

Donner les densités des électrons et des trous hors équilibre.
n = n 0 + δn = 1,2 × 1014 cm −3 ( ≈ n 0 )
p = p0 + δp ≈ δp = 0,2 × 1014 cm −3
Donner la position des quasi niveaux de Fermi.
 n − 23
 1,2 × 1014 
EFn − EFi = kT ln  = 1,38 × 10 × 300 × ln  = 0,233 eV

 ni  10
 1,5 × 10 
 p − 23
 0,2 × 1014 
EFp − EFi = − kT ln  = −1,38 × 10 × 300 × ln  = −0186
 , eV
 i
n 10
 1,5 × 10 
On peut aussi ré-écrire les densités de courant :

r
 j = nµ grad(E )
n n Fn
r
(
 jp = pµ p grad EFp )
Recombinaison et durée de vie des porteurs libres
Introduction
La génération est équilibrée par un processus de disparition appelé
″recombinaison″
La recombinaison peut être qualifiée :
Par rapport au mécanisme de disparition :
Directe (bande à bande) : l’électron passe directement de la BC à la BV
Indirecte : l’électron passe de la BC à un niveau d'énergie d'une impureté
agissant comme ″centre de recombinaison″ et situé dans la bande interdite,
puis il sera ré-émis vers la BV. Cette étape peut aussi être décrit, de façon
équivalente, comme la capture par le centre recombinant d'un trou de la BV
Par rapport aux échanges d'énergie :

Radiative : l’énergie (de recombinaison) est cédée sous forme lumineuse
(photon)
Non radiative : l’énergie est cédée sous forme de phonons (vibrations du
réseau) ou à un autre électron libre (″recombinaison Auger″).

Durée de vie des porteurs
Processus de recombinaison caractérisé par un ″taux de recombinaison″ :
Rn (m−3s−1) pour les électrons
Rp pour les trous
Expression du taux recombinaison pour les électrons et les trous :
dn(t ) ∆n n − n0 dp(t ) ∆p p − p0
Rn = − =− =− Rp = − =− =−
dt τn τn dt τp τp
τn (resp. τp) est appelé ″durée de vie des électrons (resp. des trous)″.
Expression de la durée de vie

Recombinaison directe : disparition simultanée de paires électron-trou.
Recombinaison indirecte : dans ce cas une impureté (ou un défaut du réseau),
situé à une énergie ER dans la bande interdite agit comme ″centre de
recombinaison″, c'est-à-dire comme ″marche intermédiaire″ (″relais″) pour le
passage d'un électron de BC vers BV.

Quelques exemples
Silicium : recombinaison indirecte et non radiative. Pour un cristal est pur, τ
est de l’ordre de 1 ms ou 1 ns si présence d’atomes comme l’or ou le cuivre.
GaAs : recombinaison directe et radiative, une longueur d’onde de 0.9 µm.
GaP : recombinaison indirecte et non radiative sauf si présence d’impuretés
(gamme du visible : LED rouge ou verte).
GaAs1−−xPx : recombinaison directe et radiative tant que x < 0.45 (émission
dans le rouge mais peut être décalée avec des impuretés : LED et diode laser).
Arséniure de Gallium 910 nm (Infrarouge)
Arséniure au Phosphore de Gallium 650 nm (rouge)
Phosphore de Gallium 560 nm (vert)
Carbure de Silicium 490 nm (bleu)
Nitrure de Gallium 400 nm (violet)


Photoconductivité hν
Oscilloscope
Description du montage
Barreau de silicium connecté
S
à un générateur de tension et
à une résistance. V L R
Oscilloscope aux bornes de la
résistance.
Flux permanent (régime permanent) de photons

La création de porteurs entraîne une variation de la conductivité :
(
∆σ = q µ n ∆n 0 + µ p ∆p0 )
dn(t )
Surplus de porteurs : = Gn − R n = 0
dt
La génération et la recombinaison se font par paire :
∆n 0 ∆p0
R n = Gn = R p = Gp = =
τn τp

Photoconductivité
Flux permanent (régime permanent) de photons
Surplus de porteurs : ∆n 0 = τG
Nouvelle expression de la conductivité : (
δσ = qGτ µ n + µ p )
On coupe le flux de photons (régime transitoire)
A t = 0 on G = 0
dn (t ) d (n 0 + ∆n ) d∆n ∆n
= = = G n − R n = −R n = −
dt dt dt τ
Déterminer l’expression de ∆n(t)
1 1 t
d∆n = − dt ln (∆n ) + K = −
∆n τ τ
 t  t
∆n = exp(− K ) × exp −  ∆n (t ) = ∆n 0 exp − 
 τ  τ

Photoconductivité
On coupe le flux de photons (régime transitoire)
Déterminer l’expression de la résistivité :
 t
( )
∆σ(t ) = q∆n 0 µ n + µ p exp − 
 τ
Évolution de VR en fonction du temps
Cette évolution (dite ″décroissance exponentielle de photoconductivité″) peut

permettre de déterminer expérimentalement la durée de vie τ des porteurs.
VR
0 TP t
La luminescence
La luminescence est une émission de lumière par un processus qui résulte du
retour à l’équilibre d’un matériau au préalable excité.
Photoluminescence
Une excitation par photons ⇒ émission de photons à une autre fréquence
pendant un temps plus ou moins long après l’arrêt de l’excitation.
Temps est court : matériau fluorescent, temps long : phosphorescent
(quelques millisecondes, secondes ou minutes)
Certaines impuretés introduites dans un matériau piègent des électrons qui
seront rendus avec une certaine constante de temps
Cathodoluminescence
Les électrons émis par une cathode et accélérés par un champ électrique
(tube à vide d’une télévision ou d’un oscilloscope) viennent frapper un matériau
et exciter ses électrons. En retournant à leur état d’équilibre, les électrons
émettent des photons.
Electroluminescence
Création d’électrons et de trous en excès par injection de porteurs
(application d’une tension) ⇒ émission de photons lors de la recombinaison

Équation d’évolution (espace et temps)
Pour analyser complètement tous les phénomènes cités (transport, création,
recombinaison,..) il faut disposer d'un ensemble d'équations décrivant
l'évolution des concentrations de porteurs et de la charge électrique.
Équation de continuité
L’équation de continuité est une équation locale valable en chaque point du
semi-conducteur et à chaque instant :
 dn (t ) d∆n (t ) r
1
 dt = dt = G n − R n + q div jn ( )


 dp(t ) = d∆p(t ) = G − R − 1 div j
r
 dt dt
p p
q
( )p
Origine de cette expression
Génération : 10 trous jp(x) jp(x+dx)

∆t Recombinaison : 2 trous
Flux de trous : 6 (x) et 1 (x+dx)
1r x
Flux p = jp 10 – 2 + (6 – 1) = 13 trous
q x x+dx

Exemples d’application
Durée de vie et longueur de diffusion
Soit un semi-conducteur de type p soumis à une illumination
La création de porteurs se fait en surface (rayonnement très absorbé)
Aucun champ électrique n’est appliqué au matériau
ν
hν
x
0 W
Simplifier l’équation de continuité des électrons
dn d∆n r ∆n 1 r
dt
=
dt
1
q
( )
= G − R + div jn = 0 − + div jn
τn q
( )
Simplifier l’équation du courant
r r
jn = qnµ n ξ + qD n grad (n ) = qD n grad (n )

Ré-écrire l’équation de continuité (à une dimension)
d∆n ∆n ∂ 2n
=− + Dn
dt τn ∂x 2
On se place en régime stationnaire, ré-écrire l’équation précédente
∆n ∂ 2∆n
0=− + Dn
τn ∂x 2
La solution de cette équation est :

 x   x 
∆n = A1 exp −  + A exp
2

 τnDn   τ D 
   n n 
Longueur de diffusion des électrons : Ln = τ nDn
C’est une fonction du cristal et de sa pureté

On suppose W >> Ln, simplifier l’expression de ∆n
 x 
∆n (x → ∞ ) = 0 implique ∆n = A1 exp − 
 τnDn 
 
En x = 0 on a ∆n = ∆n0 et finalement
 x 
∆n = ∆n 0 exp − 
 Ln 
∆n
ν
hν ∆n0
x
0 Ln W

On suppose W quelconque et qu’en ce point le surplus de porteurs est
recombiné.
Conditions aux limites : ∆n(x = 0 ) = ∆n 0

∆n(x = W ) = 0
 ∆n 0  W 
 − 
Détermination ∆n 0 = A1 + A 2  1 A = −
W
exp
 sh    Ln 
des constantes : 0 = A exp − W  + A exp W 
 
 1  L  2 L  Ln 
  n   n  
 ∆n 0 W
A = exp  
 2 W
 sh    Ln 
  Ln 
∆n 0 W−x
Expression de la densité d’électrons : ∆n (x ) = sh  
 W   L n 
sh  
 Ln 

Simplifier ∆n(x) si W << Ln (on rappelle que sh(a)=[exp(a)−exp(−a)]/2).
W−x
∆n (x ) ≅ ∆n 0
W
Dans ce cas, les porteurs ne sont pas recombinés durant la traversée du

barreau de silicium.
∆n
ν
hν ∆n0
x/W
0 1

Courant d’une diode PN
Soit une diode PN polarisée en directe
np0
ECp
nn0 −qVb
ECn Ei
EF EF
Ei EVp
pp0
EVn
pn0
x
Va = 0

Soit une diode PN polarisée en directe
−q(Vb − Va) np0
ECp
nn0
ECn
EF Ei
Ei EF
−qVa
EVp
pp0
EVn
pn0
Va > 0

Soit une diode PN polarisée en direct
On ne s’occupe ici que de la zone n qui admet en x = 0 un surplus de porteurs
minoritaires en provenance de la zone p. On considère qu’en x = Wn tous les
porteurs en excès sont extraits du semi-conducteur.
On se place dans l’hypothèse de faible injection : chutes de potentiels
négligeables dans les zones quasi-neutres.
Simplifier l’expression de la densité de courant des trous :
∂p ∂p ∂∆p
jp = qpµ p ξ − qD p = −qD p = −qD p
∂x ∂x ∂x
Donner l’expression de la densité de courant si Wn >> Lp
qD p  x 
jp = ∆p0 exp − 
Lp  Lp 
 
qD p
Expression du courant maximum : jp max = ∆p0
Lp

qD p
Que devient jpmax si Wn << Lp ? jp max = ∆p0
Wn
Dans ce cas la diode est dite courte et jp(x) ne dépend pas de x.

Existe t-il un courant d’électrons en réponse au déplacement des trous pour
une diode longue et une diode courte ?
Jp Jp
Jpmax Jpmax
x x
0 Wn 0 Wn
diode longue diode courte

Contact entre deux matériaux
Introduction
Il existe diverses catégories de contact entre deux matériaux :
Homo-jonction : c’est le contact entre deux parties différentes d'un même
semi-conducteur par exemple les diodes à semi-conducteur qui sont
constituées de deux parties dopées différemment (jonctions pn).
Hétéro-jonction : c’est l’association entre deux semi-conducteurs de
nature différente.
Jonction Métal - SC : par exemple les diodes Schottky ou les contacts
ohmiques.
Structure MIS (Métal Isolant Semi-conducteur). Lorsque l’isolant est de
type oxyde la structure est dite MOS (capacité et transistor).

Travail de sortie – Affinité électronique – Barrière de potentiel
Pour un métal : EFM représente l’énergie maximale que peut avoir un
électron à l’équilibre.
Extraction d’un électron : atteindre le niveau énergie E0 (niveau ″du vide″).
Énergie minimale pour arracher un électron du métal (sans vitesse en sortie):
Φ M = E0 − E FM
Pour un semi-conducteur, travail

de sortie :
Φ SC = E0 − E FSC E0 E0 (vide)
χ
Affinité électronique (énergie à ΦM
ΦSC
apporter à un électron ″libre″) : χ EC
Φb EFSC
EFM
On introduit aussi la barrière de EV
potentiel (ou barrière de Schottky) :
Métal Semi-conducteur
Φ b = EC − E FM = Φ M − χ

Travail de sortie – Affinité électronique – Barrière de potentiel
A l’équilibre thermodynamique il n’y a pas de courant et le niveau de Fermi
est : PLAT.
Courbure des bandes du semi-conducteur : ZCE.
Le potentiel de surface est donné par :
− qΨS = ECS − EC = Φ b − (EC − EFSC ) = Φ M − Φ SC
ZCE
E0 − qΨS
E0 (vide)
χ
ΦSC
ΦM •ECS − qΨS
Φb EC
EFM EFSC
− qΨS
EV

Application : la diode Schottky
La diode idéale
Application d’une tension : apparition d’un courant I
Si Vext = 0 : le flux d’électrons qui peuvent franchir la barrière M → SC (Φb)
est équilibré par le flux d’électrons pouvant franchir la barrière SC → M (−qΨS)
Région la plus résistive : ZCE (la tension Vext se retrouve essentiellement sur
cette ZCE).
Courant de la diode   qV  
I = I sat exp ext  − 1
(majoritaires) :   kT  
I
−qΨS
Φb EC
métal EFM
semi-
conducteur EV
Vext = 0
La diode idéale
cette ZCE).
(majoritaires) :   kT   électrons
I −qΨS
EC
Φb
EFM −qVext EFSC
métal
semi-
EV
conducteur
Vext > 0
La diode idéale
cette ZCE).
(majoritaires) :   kT   électrons
I
Φb −qΨ S
métal EFM EC
−qVext
EFSC
semi-
conducteur
EV
Vext < 0
La diode idéale
cette ZCE).
(majoritaires) :   kT  
I
I
(µA
métal mA)
semi-
conducteur
Vext
−Isat
(nA)

La diode réelle
Présence d’un oxyde natif (modification de la hauteur de barrière). Traversée
de l’oxyde par effet tunnel.
Présence d’états à l'interface qui agissent comme des ″pièges″ en capturant
des électrons ou des trous du semi-conducteur.
Si densité des états de surface est élevée : le métal va échanger des électrons
essentiellement avec les états d’interface (″barrière de Bardeen″ où les états
d'interface ″écrantent″ le semi-conducteur par rapport au métal).
E0
−qΨox
−qΨox c −qΨS − qΨS
ΦM
Φb
ECS −qΨS
E0
Φ SC
EC
Etats
de
surface { EC
EFSC
EFM EFSC EV
Oxyde Etat inoccupé Etat occupé
natif

Les hétéro-jonctions
Semi-conducteurs de même type (p ou n) : hétérojonction ″isotype″;
″anisotype″.
Couche épitaxiée d'un semi-conducteur sur un autre.
Semi-conducteurs ayant les mêmes symétries cristallines (dans le plan de
l'interface), des paramètres cristallins (telle que la constante du réseau)
voisins, et des coefficients de dilatation proches (épitaxie à température élevée)
Hétérojonctions : à la base de réalisations de dispositifs à hautes
performances, en particulier dans les domaines des hautes fréquences et de
l'optoélectronique (transistors à effet de champ ″HEMT″, ou bipolaire à
hétérojonction ″HBT″, diodes électroluminescentes ou diodes laser).

Les hétérojonctions

Les hétérojonctions
Diagramme des bandes d'énergie au voisinage de l'interface.
Des ZCE apparaissent dans chacun des semi-conducteurs, de part et d'autre
de l'interface et se traduisent par des courbures des bandes d'énergie.
Ce résultat est valable si la densité d'états d'interface peut être négligée, ce
qui n'est pas toujours le cas.
−x1 x2
−qVd1 −qVd
E0
χ1 −qVd −qVd2 χ2
ΦSC1 χ1
EC1 ∆EC(n) χ2 ΦSC2 −qVd2 ∆EC0
EC2 −qVd1
EF EF
EV1
−qVd1
∆EV(n) ∆EV0
−qVd2
EV2
x=0

A lire
Les livres
A. VAPAILLE et R. CASTAGNE, Dispositifs et circuits intégrés semi-
conducteurs, Dunod, 1990, ISBN 2-04-019714-1
J.P. MATHIEU, Physique des semi-conducteurs et des composants
électroniques, Masson, 1998
S.M. SZE, Physics of Semiconductor Devices, VLSI Technology 2nd edition,
New-York, Wiley and Sons, 1988,
Internet
http://www.eudil.fr/eudil/bbsc/sc00a.htm
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/contents.htm
http://webservices.ieee.org/spectrum/down/index.html

Cours de Physique Des SC - SLIDES - BAC+3 PDF

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Cours de Physique Des SC - SLIDES - BAC+3 PDF

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Cours de Physique

École Polytechnique Universitaire de Marseille

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Conduction électrique ⇒ électrons libres (de 1022 à 1023 cm−3)

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Augmentation de la température ⇒ baisse de ρ (libération d’électrons et de

Silicium assez pur + un atome de Bore ou de Phosphore pour 105 atomes de

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Cubique simple Cubique centré Cubique face centrée

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Ga- As+ Ga-

As+ Ga- As+

En réalité : le cristal construit à partir de Ga− et As+ (4 électrons

Niveaux d’énergie discret 3p

Fonctions d’ondes des électrons perturbées

Apparition de bandes d’énergies (niveaux discrets très rapprochés)

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

atome EG (eV) type de matériau d (Å)

Gap direct ou indirect

Gap indirect Direct Indirect

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Courant d’électrons Courant de trous

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

nC(E)dE = nombre d’états (m-3) dans la ″tranche″ d’énergie E, E + dE

Pour la bande de conduction

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Etat occupé Etat libre Electron libre Trou libre

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Etat occupé Etat libre Electron libre Trou libre

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Etat occupé Etat libre Electron libre Trou libre

Le dopage minimum dépend du raffinage du matériau

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Schéma d’un implanteur

Source Grille Drain

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

nombre de cases occupées par les électrons ( entre E et E + dE) n( E) dE

Niveau de Fermi intrinsèque : EFi se situe près du milieu de la bande

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

n0p0 est indépendant de EF et donc du dopage

 E − EFi   EFi − EF   EF − EFi 

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

p 0 + ND + = n 0 + N A − où ND+ et NA− représentent les impuretés ionisées

Densité d’atomes donneurs ionisés :

Densité d’atomes accepteur ionisés :

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

Pour ce type de semi-conducteur n0 >> p0 : n 0 ≈ ND

Équation de la neutralité électrique : cas du silicium de type p

Pour ce type de semi-conducteur p0 >> n0 : p0 ≈ NA