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ISFET
֍ Présent par :
-Magramane Khadidja
-Slatni Ghalia
Le capteur chimique ISFET
SOMMAIRE
Résumé
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Introduction
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1 Définition de capteur
04
2. Biocapteur
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6 .Définition de L’ISFET
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Le capteur chimique ISFET
Conclusion
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Bibliographie
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Le capteur chimique ISFET
Résumé
Le capteur d’ISFET (Ion Sélective or Sensitive Field Effect Transistor) est issu du
transistor MOSFET dont la grille est remplacée par une membrane chimiquement sensible
aux ions H+ en contact direct avec la solution à étudier.
Introduction
Depuis des années, ces instruments font face à l'avènement des capteurs chimiques
appelés plus couramment biocapteurs. Ceux-ci sont des dispositifs souvent simples et
compacts transformant le signal (bio) chimique en un signal électrique facilement
exploitable. Ils sont pour la plupart issus des techniques de la microélectronique. Ils sont en
général seulement constitués d'une partie bio-sélective (couche sensible), et d'un système
transducteur transformant en signal électrique les modifications physicochimiques induites
par la reconnaissance dans la couche sensible. Ils disposent aussi d'un environnement
d'exploitation permettant le traitement électrique des signaux.
Dans le secteur biomédical, les capteurs chimiques génèrent des attentions et des
investissements considérables, car ils sont caractérisés par : leur compacité, leur simple
conception technologique, un faible coû t, en plus d’une petite taille et d’une faible
Consommation d'énergie permettant leur utilisation dans ce domaine. Ces capteurs sont
associés à des temps de réponse aussi brefs que possible, qui les rendent aptes dans une
utilisation en temps réel.
La plus part des capteurs sont fabriqués à base de transistors de type MOS (Métal Oxyde
Semi- conducteur).
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Le capteur chimique ISFET
L’ISFET, ou Ion Sensitive Field Effect Transistor, est un type de transistor à effet de champ
dont la broche gate est sensible aux variations de concentration en ions. Sa principale
utilisation est la mesure du pH.
1. Définition de capteur
Un capteur est un dispositif qui transforme l’état d’une grandeur physique observée en
une grandeur utilisable, exemple : une tension électrique, une hauteur de mercure, une
intensité, la déviation d’une aiguille…On fait souvent (à tort) la confusion entre capteur et
transducteur: Le capteur est au minimum constitué d’un transducteur.
Les capteurs sont les éléments de base des systèmes d’acquisition de données. Leur mise
en œuvre est du domaine de l’instrumentation.
2 .Biocapteur
Définition:
Un biocapteur est un outil analytique composé d’un élément biologique appelé bio
récepteur lié à un transducteur. Le bio récepteur reconnaît spécifiquement une molécule
du milieu et l’information biochimique qui en résulte est convertie par le transducteur en
un signal analytiquement utile.
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6 .Définition de L’ISFET
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L’ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistor) est, en fait, un transistor MOSFET (Métal-
Oxyde-Semi-conducteur Field Effect Transistor) dont l’électrode de grille est remplacée par
une combinaison d’une membrane ou une couche sélective d’ions (pouvant être
simplement la surface de l'oxyde de grille) (ISE) dans une solution analytique et d’une
électrode de référence .L’ISE peut être SiO2, Al2O3, Si3N4 ou Ta2O5 dans le cas de
détection des variations de pH.
Le premier ISFET fut développé par Bergveld. Il utilisait la silice nue de l’oxyde de grille
d’un transistor à effet de champ. Ce matériau obtenu par oxydation thermique du silicium
est réputé pour la qualité électronique de l’interface Si/SiO2 qu’il procure. Cependant, très
vite, certains auteurs se sont rendus compte que la sensibilité au pH n’était ni Nernstienne
ni linéaire (30 à 35 mV/pH) et qu’il constituait une mauvaise barrière de diffusion aux ions.
De plus, son hydratation causait une hystérésis lors de la réponse au pH ainsi qu’une
instabilité des propriétés électriques du détecteur.
Figure (6) :(a): Schéma d’un transistor MOSEFT, (b) : Schéma électrique d’un transistor MOSEFT.
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1) Lorsque VGS < VT le transistor est dit "bloqué". Les trous sont repoussés vers le
substrat et aucun courant ne peut circuler dans le canal entre la source et le drain.
2) Lorsque VGS ≥ VT, les trous du substrat dans le canal seront repoussés pour laisser la
place aux porteurs, les électrons. Le courant drain-source varie linéairement avec la
tension drain-source VDS, le transistor est dans le régime linéaire.
3) A partir d'une certaine valeur de tension entre le drain et la source nommée VDSat, le
courant ne varie plus et atteint une valeur de saturation IDSat, c'est le régime "saturé".
Ainsi d'un point de vue théorique le courant drain-source est donné par les relations ci-
dessous :
Régime linéaire (VDS< VGS-VT):
w 1
I DS =
l ( )
μeff C ox V GS−VT − V DS V DS
2
Avec:
W : largeur du canal,
L : longueur du canal,
µeff : Mobilité des porteurs de charge (électrons) dans le canal,
C x : Capacité de l'oxyde de grille,
VG : Tension grille-source,
VT : Tension de seuil,
V : Tension drain-source.
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de grille VG constante.
Avec :
Ф𝑀: Travail de sortie du métal,
Ф 𝐼 : Travail de sortie du silicium,
q : Charge d'un électron,
Q : Charge à l'interface oxyde-silicium,
Q 𝑋 : Charge dans l'oxyde,
Q𝐵 : Charge dans la couche de déplétion du substrat,
Ф𝐹: Potentiel différentiel entre le niveau de Fermi de silicium dopé et intrinsèque.
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Le principe du capteur chimique est d'une part de capter l'espèce à doser, d'autre part
de transformer une grandeur chimique en une autre d'ordre physique.
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Des tests ont été effectués sur ce type de polarisation et il en résulte que le réseau de
caractéristiques de sortie d’un ISFET (ID=f(VD)) se décale verticalement pour deux pH
différents.
Dans ce mode de polarisation, la variation du courant ID qui traduit la sensibilité, n’est
pas linéaire en fonction de VG. Cette sensibilité dépend de la valeur de VD et plus
précisément de la zone de fonctionnement de l’ISFET: régime linéaire (VDS<VGS-VT) ou
celle saturée (VDS>VGS-VT).
De même, l’information portée par le courant ID peut être influencée par les résistances
d’accès au drain et à la source de l’ISFET: RS et RD.
Leurs valeurs dépendent de la technologie de fabrication du capteur. Il sera donc
nécessaire d’effectuer un étalonnage préliminaire avec un MOSFET.
9.1. 2. Mesure de VG à ID et VD constants :
Dans ce cas, nous mesurons les variations du potentiel de grille VG appliquées à
l’électrode de référence. Le courant de drain est maintenu constant, cf. ID à VD et VG
constantes, autrement dit le circuit fonctionne en mode asservissement (feedback) à
électrode de référence Cependant, deux inconvénients subsistent. D’une part, ce système
nécessite une référence pour chaque ISFET utilisé ce qui limite les possibilités de multi-
détection et d’autre part la solution ne doit pas être mise accidentellement à la masse.
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Conclusion :
Un capteur chimique de type ISFET a une structure de base similaire à un transistor
MOSFET, le rô le d’un capteur ISFET est défini à partir de sa couche chimiquement sensible.
Donc, seules les propriétés chimiques des couches ionosensibles déterminent les
caractéristiques du capteur chimique ISFET telle que la sensibilité et la sélectivité.
Dans cet exposé nous avons présenté un état de l’art sur les capteurs chimiques de types
ISFET et l’extension de fonctionnement du MOSFET au capteur ISFET En plus de leur bonne
sensibilité, leur temps de réponse court.
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BIBLIOGRAPHE
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Mr. HAMISSI Ayoub « Modélisation d’un Robot SCARA à structure complexe (Parallèle) destiné à manipuler une
https://www.google.com/url?sa=i&url=https%3A%2F%2Ftimm-
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