Priopriétés optiques des semiconducteurs:

Diode électroluminescente
Emmanuel Rosencher
PHY 567 Semiconducteurs

• Qu’y a-t-il de spécifique aux semiconducteurs ?

• Règle d’Or de Fermi
• États joints et densité d’états joints
• Taux de transitions optiques interbande
• Absorption d’un puits quantique
• Émission spontanée
• Recombinaison bimoléculaire
• Diode électroluminescente 1/45
 Principales sources de lumière artificielle
Émission du corps noir Émission entre niveaux quantiques
excitée par impact
I I
Ne

q× potentiel
100000.

10000
W/m2

1000
T= 2000 K

0.2 0.5 1 2 5 10
µm distance

2/45
 Émission de lumière par un semiconducteur

ction
ondu
dec
ande
B

lence
e va
d
nde
Ba
type n type p

• Émission chromatique
• Conversion électrique→ optique optimale
• Grande difficulté théorique: les états sont étendus 3/45
• Qu’y a-t-il de particulier dans les semiconducteurs ?
• Règle d’Or de Fermi
• États joints et densité d’états joints
• Taux de transitions optiques interbande
• Absorption d’un puits quantique
• Émission spontanée
• Recombinaison bimoléculaire
• Diode électroluminescente

4/45
 Rappel de M écanique Quantique
Règle d’Or de Fermi

Le taux de transition par seconde induit par un champ électromagnétique F de pulsation ω

Wˆ (t ) = − Wˆ cos ω t = q F zˆ cos ω t
entre deux niveaux quantiques i → f est donné par:

G op = π (
f q F zˆ i 2 δ E f − Ei = hω ) *
i 2h
s-1 J-1 × s-1 J2 J-1

5/45
 Absorption et émission optique de systèmes localisés

Point de vue classique Point de vue quantique

∆x f

i
f
σ op
i
f
σ op
i
σ op
α = σ op (N i − N f )
∆Φ = − σ op N Φ ∆x = −α Φ∆ x
2
α = σ op N * σ op ∝ f q F zˆ i
cm-1 cm2 cm-3
6/45
 Absorption et émission optique de systèmes étendus
Bande de conduction

r
r i k rr
uc ( r ) e

r
r i k ' rr
u v (r ) e
Bande de valence

Ni ? Nf ? f zˆ i ?
7/45
• Qu’y a-t-il de particulier dans les semiconducteurs ?
• Règle d’Or de Fermi
• États joints et densité d’états joints
• Taux de transitions optiques interbande
• Absorption d’un puits quantique
• Émission spontanée et Recombinaison bimoléculaire
• Diode électroluminescente

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 États dans un puits quantique

E E
e3

e2
e1
ρ
mc / π h 2
k mhh / π h 2
ρ
hh1
hh2

E 9/45
 Structure des sousbandes 2 D (rappels)

Etat final = état de la sousbande de conduction

r
kf r r
h2 k f 2 r
( ) r r i k f .r//
Ec k f = E1 + Ψ f (r ) = e1, k f = uc (r )e1( z ) e
2 mc
E1 localisé étendu

r Etat initial=état de la sousbande de trous lourds

k r r
h 2 ki 2 r r r
Ev (ki )= HH 1 − Ψi (r ) = hh1, ki = uv (r ) hh1( z ) e
HH1 i ki .r//
r 2 mhh
ki
localisé étendu

 − h 2 d 2 +V ( z ) e ( z )= e e ( z )
avec, par exemple :  2 mc dz 2 c  n n n

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 Application de la Règle d’Or de Fermi
Taux de transition par unité de temps sous l’effet d’une onde électromagnétique entre 2 états k

Gi→ f = 2πh Ψ f − q F zˆ Ψi 2 δ (E f − Ei= hω )

PC

Gi → f = π q 2 F 2 e1 hh1
2h
2
( )(
uv zˆ uc 2 δ E f − Ei = hω δ k f − ki = k ph )
≈1

Soit le taux de transition entre 2 états k

r
( )(
G (k ) = Bvc δ E f − Ei = hω δ k f − ki = k ph )
avec Bvc = 2πh q 2 F 2 uv zˆ uc 2 *

J s-1 J-1 s-1 J2

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 Etats joints
r r
comme k ph << ki et k f alors les transitions optiques sont verticales ki ≈ k f
µm-1 nm-1

États joints
h 2 kω 2 *
2
h kω 2 Ec (hω ) − Ev (hω ) = hω = E1 − HH1 +
Ec (kω ) = E1 + 2 mr
2 mc
avec
Masse réduite
E1
1 = 1 + 1
hω mr mc mhh
∆E
Ec (hω ) = E1 + (hω − ∆E ) r
m
HH1 2 2 mc
h kω
Ev (kω ) = HH1 −
Ev (hω ) = HH1 − (hω − ∆E ) r
2 mhh m
r mhh
k

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• Qu’y a-t-il de particulier dans les semiconducteurs ?
• Règle d’Or de Fermi
• États joints et densité d’états joints
• Taux de transitions optiques intersousbande
• Absorption d’un puits quantique
• Émission spontanée
• Recombinaison bimoléculaire
• Diode électroluminescente

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 r r 2r
( )
rvcd k = Bvc δ (Ec − Ev = hω) ρ2D kω d kω fF( Ev(hω)) (1− fF( Ec(hω)))
2

Taux pour Nombre d’états Proba pour que l’état Proba pour que l’état
chaque état joints joint de la sousbande joint de la sousbande
initiale soit plein finale soit vide

E E
Taux de transition
des états situés en k
Ec (hω ) E Fc
à dk2 près
ρ
∆ E = E1 − HH 1 hω
k
r ρ
d 2k
Ev (hω ) E Fv

E 14/45
 Taux de transition par unité de temps
sous l’effet d’une onde électromagnétique entre les 2 sousbandes

r r 2r
( )
rvcd k = Bvc δ (Ec − Ev = hω) ρ2D kω d kω fF( Ev(hω)) (1− fF( Ec(hω)))
2

Taux pour Nombre d’états Proba pour que l’état Proba pour que l’état
chaque état joints joint de la sousbande joint de la sousbande
initiale soit plein finale soit vide
Or, sur la couronne d’états joints:
r
ρ 2 D (kω )= 2 ρ 2 D (kω ) =
S S S
rappel
2
× 2 π kω = π kω
2π 2π
ρ2 D (kω ) dkω = ρ 2 D (hω ) dhω
h 2 kω 2
hω = ∆E +
2 mr 0 pour h ω < ∆ E
PC
D j = ρ 2 D (h ω ) = S m r pour h ω > ∆ E
π h2

15/45
 rvc(hω) dhω = ∫ Bvcδ (Ec − Ev = hω) fF ( Ev (hω)) (1− fF (Ec(hω))) Dj dhω
etjs

rvc(hω) = Bvc Dj fv(hω) (1− fc(hω)) *

∝ F 2 ∝ Pω

f c (hω ) = 1 et f v (hω ) = 1
Ev (hω )− EF *
avec Ec (hω )− EF
1+ e kT 1+ e kT

De même, taux de transition de la sousbande de conduction à la sousbande de valence

rcv(hω) = Bcv Dj fc(hω) (1− fv(hω)) *

∝ F 2 ∝ Pω
16/45
 Taux d’absorption globale d’un puits quantique
2 2
Principe de microréversibilité: Bcv = B vc car uc zˆ uv = uv zˆ uc

rabs (hω ) = rvc (hω ) − rcv (hω )

rabs = Bcv D j ( fv (hω ) − f c (hω ))

s-1 cm -2 J s -1 J-1 cm -2

A l’équilibre thermodynamique

f v ≈1
rabs ≈ Bvc D j
fc ≈ 0
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• Qu’y a-t-il de particulier dans les semiconducteurs ?
• Règle d’Or de Fermi
• États joints et densité d’états joints
• Taux de transitions optiques intersousbande
• Absorption d’un puits quantique
• Émission spontanée
• Recombinaison bimoléculaire
• Diode électroluminescente

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 Absorption perpendiculaire d’un puits quantique

Φω taux de photons absorbés par unité de volume

α⊥ = cm-1
flux de photons incidents par unité de surface

r /d rabs
d α ⊥ = abs =
Φω d Pω / hω
α ⊥ = π Z0 q 2 D j z vc2 hω ( fv (hω ) − f c (hω ))
h nop d
2
Poynting Pω = nop
1 F
2 Z0

*
α PQ
α⊥ =
d
( fv (hω ) − f c (hω ))

avec α PQ = π Z 0 q D j zvc hω ≈ 0.6 % pour GaAs/AlGaAs, InGaAs/InP,..

2 2
h nop 19/45
 États localisés vs états étendus
Pour les atomes:
(
α = σ op N i − N f )
1 cm -1 (0.1Å)2 = 10-18 cm2 1018 cm -3

Pour les puits quantiques:

α PQ
α⊥ =
d
( fv (hω ) − f c (hω ))

6 10-3
6 103 cm -1

10 nm

20/45
 Émission stimulée d’un puits quantique

rcv(hω) = Bcv Dj fc(hω) (1− fv(hω))

E
Bvc = π q 2 F 2 uv zˆ uc 2
2h

2 Z0
F2 = P ≈ N hω
nop ω

k
rcv (hω ) ∝ Nhω

Le taux d’émission de photons sera d’autant plus important que

la densité de photons déjà présents le sera également.

Amplification optique et laser 21/45

• Qu’y a-t-il de particulier dans les semiconducteurs ?
• Règle d’Or de Fermi
• États joints et densité d’états joints
• Taux de transitions optiques intersousbande
• Absorption d’un puits quantique
• Émission spontanée
• Recombinaison bimoléculaire
• Diode électroluminescente

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 Émission spontanée d’un puits quantique

Émission stimulée rcv(hω) = Bcv Dj fc(hω) (1− fv(hω))

E ∝ Nω

Relation d’Einstein: existence d’une durée de vie spontanée Acv =

1
τ cv

Émission spontanée

k rsp(hω) = Acv Dj fc(hω) (1− fv(hω))

J-1 cm-2 s-1 s-1 J-1 cm-2

q 2 z vc 2 nop ω vc 2
avec Acv = 3
indépendant de Pω
π h c ε0

Comment l’obtenir: bilan détaillé ( )

f c Rsp + Rcv ρ ph = fv Rvc ρ ph 23/45
• Qu’y a-t-il de particulier dans les semiconducteurs ?
• Règle d’Or de Fermi
• États joints et densité d’états joints
• Taux de transitions optiques intersousbande
• Absorption d’un puits quantique
• Émission spontanée
• Recombinaison bimoléculaire
• Diode électroluminescente

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 Taux d’émission spontanée
Taux de transition spontanée de toute la sousbande de conduction
vers la sousbande de valence:
E
∞
Rrad = ∫ rsp (hω ) dhω cm-2 s-1
∆E
∞
Rrad = ∫ Acv D j fc (hω ) (1 − fv (hω )) dhω
∆E
∆E k
Hypothèse: Acv indépendant de ω

Rappel: Dj constant

25/45
 Quasi-niveau de Fermi ou IMREF
Hypothèse: statistique non dégénérée!

E (hω )− EFc
E − c
f c (hω ) = 1
Ec (hω )−E Fc
≈e kT

1+e kT

Ev ( hω )− EFv
E Fc 1 − f v (hω ) = 1
E (hω )− EFv
≈e kT
E Fc − v
1+e kT
EF
E Fv
E Fv
Ev (hω )− Ec (hω ) EFc − EFv EFc −E Fv
− hω
×= e kT e kT = e kT e kT
*
f (hω )
26/45
 Recombinaison bimoléculaire (3)
∞
Rrad = ∫ Acv D j fc (hω ) (1 − f v (hω )) dhω
∆E

EFc −EFv ∞ hω
−
Rrad = Acv D j e kT ∫ e kT dhω
∆E

EFc − EFv ∆E
−
Rrad = Acv D j kT e kT e kT
Soit encore
EFc − EFv ∆E W. Shockley
− *
Rrad = Acv n j e kT e kT
27/45
 Recombinaison bimoléculaire (4)
 EFc − E1  EFc −E1
n = nc ln  1+ e kT  ≈ nc e kT
  EFc − EFv ∆E
  −
Rappel: n p = nc pc e kT e kT
 HH1 − EFv  HH1 − EFv
p = pc ln  1 + e kT  ≈ p e kT
  c
  Rrad = B n. p *

nj
Rrad = Acv n. p Que l’on écrit
nj
nc pc
B = Acv
nc pc

B: coefficient de recombinaison bi-moléculaire

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Taux de recombinaison de principaux semiconducteurs (5)

Matériau Gap (eV) B (cm3 s-1)

Si 1.17

Ge 0.744

GaAs 1.519 7.2 10-10

InP 1.424 1.3 10-9

GaSb 0.70 2.4 10-10

InAs 0.418 8.5 10-11

InSb 0.236 4.6 10-11

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 Durée de vie radiative
I
n = n0 + ∆n ≈ ∆n
Puits quantique dopé p
p = p0 + ∆n ≈ p0

Rrad = B n. p = ∆n avec τr = 1
τr B p0

Dans GaAs: B ≈ 7 × 10 −10 cm 3 s −1

I p0 = 5 1017 cm −3

Durée de vie radiative typique dans GaAs, InP, … τ r = 3 ×10 −9 s = 3 ns

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 Émission spontanée: aspect spectral
EFc − EFv ∆E
rsp(hω) = Acv Dj fc(hω) (1− fv(hω)) et
−
n p = nc pc e kT e kT

Ev (hω )− Ec (hω ) E Fc − EFv EFc − EFv

− hω
f c (hω ) (1 − f c (hω )) ≈ e kT e kT = e kT e kT

rsp (hω ) ∆E hω
n. p kT − kT
rsp(hω) = Acv Dj e e
− hω nc pc
e kT
Dj

L’émission est centrée proche du gap du semiconducteur

hω
Émission max = ∆ E 31/45
Émission spontanée des principaux semiconducteurs

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 Durée de vie non radiative et totale

Einstein – Shockley-Read
phonons

Défauts profonds τ nr = 1 ≈ 1 ns
Eg
−
vth σ nr N def e kT

Rtot = Rrad + Rnr = ∆n + ∆n = ∆n

τ r τ nr τ tot

avec 1 = 1 + 1
τ tot τ r τ nr

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• Qu’y a-t-il de particulier dans les semiconducteurs ?
• Règle d’Or de Fermi
• États joints et densité d’états joints
• Taux de transitions optiques intersousbande
• Absorption d’un puits quantique
• Émission spontanée
• Recombinaison bimoléculaire
• Diode électroluminescente

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 Diode électroluminescente
G=J
q Équation de la baignoire:
J
d n =G − R
dt tot = Jq − τ∆n
tot

EFc Rtot = τ∆n EFv Constante de temps typique: 1 ns

tot
Bande passante < GHz

J
∆n = J τ tot
q
A l’état stationnaire: ∆n τtot J
Rrad = = τ q =ηq Jq
τr r

τ
Rendement quantique: η q = tot = 1
τr 1 +τ r / τ nr

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 Rendement d’une diode électroluminescente

Pint = Rrad hω = ηq I hω (I = J × S )
q
η ext
Pout hω
=ηext η q = ηext η q 1.24 W / A
I q λ pic (µm )

Exemple: zapette en GaAs

λ pic = 0.85 µm
Pout =η 1.45 mW ≈ 0.5 mW
I ≈ 10mA

Remarque:

Pout =η ext η q I × Vapp =ηext η q Pelectr .

Vapp ≈ hω / q
Rendement très supérieur aux lampes 36/45
Simulateur SILENCE (SEMITECH) d ’une LED GaN/AlGaN 37/45
COULEURS DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES

7 BN
UV
AlN
6
Bande interdite à 0 K (eV)

C
5
ZnS
4
ZnO
GaN ZnSe
3
AlP ZnTe
AlAs
GaP
2 InN CdSe
Si G a A s InP
1

3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5

Maille du cristal (Ang.)
38/45
RENDEMENTS DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES

39/45
 Diode rouge
Au
SiO2
p

GaAsP-n

GaP

Au

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 LES AVENTURES DE LA DIODE BLEUE
1974 : Découverte de l’électroluminescence de GaN dans le bleu
1974- 1984 : Recherche de dopants p de GaN
1980 : Article théorique « on the impossibility to p-dope wide band gap materials »
1984-1993 : Fin des recherches sur GaN
1984-1993 : Recherche de Nakamura à la société Nichia du dopage p de GaN
1993 : Découverte du dopage de GaN par Mg !!!
2005 : Marché mondial de plusieurs milliards d’Euros

Nakamura
Avant la découverte de Nakamura Après la découverte de Nakamura

MORALE DE CETTE HISTOIRE ???? 41/45

Hideki Hirayama, Atsuhiro KinoshitaYoshinobu Aoyagi
Semiconductors Laboratory, RIKEN 42/45
EVOLUTION DE LA LUMINENCE DES LEDs

43/45
44/45
MARCHE MONDIAL DES LEDs POUR L’ECLAIRAGE

45/45