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Rappels:
Dipôle actif, dipôle passif
Convention D1 D2 Convention
générateur récepteur
v v
D1 D1 D2 D2
Récepteur Générateur Générateur Récepteur
Dipôle passif Dipôle actif Dipôle actif Dipôle passif
i i
0 0
D1 D1
D2 D2
Générateur Récepteur
Récepteur Générateur
Dipôle actif Dipôle passif
Dipôle passif Dipôle actif
Si v*i > 0
Si v*i < 0
Rappels:
Types de sources
Rappels:
Modification de la nature des sources
Nature des sources facilement modifiables :
par ajout de composants passifs
Introduction:
Etude d’un montage potentiométrique:
Le rendement est:
𝑈𝑐 𝐼𝐶 𝛼𝑅𝑅𝑐
𝜂= =
𝐸𝐼 𝛼 1 − 𝛼 𝑅 + 𝑅𝑐 𝛼𝑅 + 𝑅𝑐
Application :
• Traction électrique à CC
• freinage d’un MCC
• Les alimentations à découpage.
Structure de base:
𝐸 𝑅 𝑉𝑐ℎ
𝑡𝑓 𝑡𝑜
𝛼 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑒 𝑟𝑎𝑝𝑝𝑜𝑟𝑡 𝑐𝑦𝑐𝑙𝑖𝑞𝑢𝑒
𝑇 𝑐 ′ 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 périodede l′ hacheur
T
Cas d’une charge inductive:
𝑖𝐾 𝐾 𝑖𝑐ℎ
𝑖𝐷
𝑅
𝐸 𝑉𝑐ℎ
𝐿
Cas d’une charge inductive:
Expression de ich(t) :
𝑑𝑖𝐾
𝐸 = 𝑅𝑖𝐾 + 𝐿
𝑑𝑡
𝐸 𝑡
−𝜏
𝑡
−𝜏
𝑖𝐾 = 1−𝑒 + 𝐼𝑚𝑖𝑛 𝑒
𝑅
𝐸 𝛼𝑇
−𝜏
𝛼𝑇
−𝜏
𝐼𝑚𝑎𝑥 = 1−𝑒 + 𝐼𝑚𝑖𝑛 𝑒
𝑅
Cas d’une charge inductive:
Expression de ich(t) :
b: Pendant la séquence d’ouverture de 𝑲 (𝜶𝑻 < 𝒕 < 𝑻), l’énergie
emmagasinée dans l’inductance 𝐿 crée dans la charge et la diode un
courant décroissant exponentiellement de 𝐼𝑚𝑎𝑥 à 𝐼𝑚𝑖𝑛. On a :
𝑑𝑖𝐷
𝑅𝑖𝐷 + 𝐿 =0
𝑑𝑡
(𝑡−𝛼𝑇)
−
𝑖𝐷 = 𝐼𝑚𝑎𝑥 𝑒 𝜏
(1−𝛼)𝑇
−
𝐼𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑚𝑎𝑥 𝑒 𝜏
Cas d’une charge inductive:
𝐸 𝐿 𝑉𝑐ℎ
𝐸0
Cas d’une charge RLE:
𝑖𝑒 𝐻
𝐻
𝐼𝑠 𝐼𝑠
𝑈𝑒 𝐷 𝑈𝑠
𝑖𝐷
𝑈𝑒
𝑖𝑒 𝐻
D’où: et
Hacheur parallèle:
𝐼𝐸 𝑖𝑠
𝐻
𝑢𝑒 𝑈𝑠
𝑖𝐻
Hacheur parallèle:
𝐷2
𝑖𝑒
𝐼𝑠
𝐻1
𝑈𝑒 𝐻2 𝐷1 𝑢𝑠
Hacheur réversible en courant:
On effectue une commande complémentaire des interrupteurs 𝐻1 et 𝐻2
• De (𝑡 = 0) à (𝑡 = 𝛼𝑇) 𝐻1 est fermé ou 𝐷2 est passante et 𝐻2 est ouvert et 𝐷1
est bloquée :
𝑢𝑠 = 𝑈𝑒 et 𝑖𝑒 = 𝐼𝑠
• De (𝑡 = 𝛼𝑇) à (𝑡 = 𝑇) 𝐻1 est ouvert et 𝐷2 est bloquée et 𝐻2 est fermé ou 𝐷1
est passante:
𝑖𝑒 = 0 et 𝑢𝑠 =0
D’où:
et
Hacheur réversible en courant:
𝐻1 𝐷2 𝐻4 𝐷3
𝐼𝑠
𝑈𝑒
𝑢𝑠
𝐻2 𝐷1 𝐻3 𝐷4
𝑢𝑠 𝑖𝑒
𝑈𝑒 𝐼𝑠
𝛼𝑇 𝑇 𝑡 𝛼𝑇 𝑇 𝑡
−𝑈𝑒 −𝐼𝑠
et
Hacheur en pont ou quatre quadrants:
0,5 < 𝛼 < 1 ⇒ 𝑈𝑠𝑀𝑜𝑦 > 0 𝑃𝑒𝑀𝑜𝑦 = 𝑃𝑠𝑀𝑜𝑦 > 0 𝑃𝑒𝑀𝑜𝑦 = 𝑃𝑠𝑀𝑜𝑦 < 0
0 < 𝛼 < 0,5 ⇒ 𝑈𝑠𝑀𝑜𝑦 < 0 𝑃𝑒𝑀𝑜𝑦 = 𝑃𝑠𝑀𝑜𝑦 < 0 𝑃𝑒𝑀𝑜𝑦 = 𝑃𝑠𝑀𝑜𝑦 > 0
Un hacheur à liaison indirecte permet le transfert d’énergie entre deux sources
de même nature sans changer la nature de l’une d’elles.
Hacheur à stockage inductif:
𝑖𝑒
𝑖𝐿 D
𝐻 𝑖𝑠
𝑈𝑒 L 𝑈𝑠
• Valeurs moyennes :
< 𝑢𝐿 > = 0 = 𝛼𝑈𝑒 − (1 − 𝛼)𝑈𝑠
𝑖𝐿
𝐼𝐿
Si 𝛼 < 0,5 le hacheur est abaisseur de tension.
Si 𝛼 > 0,5 le hacheur est élévateur de tension. 𝛼𝑇 𝑇 𝑡
Le courant 𝑖𝐿 a la même valeur moyenne 𝐼𝐿 𝑢𝐿
pendant les deux intervalles 0, 𝛼𝑇 et 𝛼𝑇, 𝑇 . 𝐴1 = 𝐴2
D’où : 𝑈𝑒
La valeur moyenne du courant d’entrée est: 𝐴1
𝐼𝑒 = 𝛼𝐼𝐿
𝛼𝑇 𝑇 𝑡
La valeur moyenne du courant de sortie: 𝐴2
𝐼𝑠 = (1 − 𝛼)𝐼𝐿 −𝑈𝑠
Hacheur à stockage capacitif:
𝐼𝑒 𝐶
𝑖𝑐
𝑢𝑐 𝐼𝑠
𝐻 𝑢𝐷 D
𝑢𝑒 𝑢𝑠
• Valeurs moyennes :
< 𝑖𝑐 > = 0 = −𝛼𝐼𝑠 + (1 − 𝛼)𝐼𝑒
𝑢𝑐
𝑈𝑐
𝑖𝑒 𝐻 𝑖𝐿 𝐿 𝑖𝑅
𝑖𝑐
𝑈𝑒 𝐷 𝑢𝐷 𝐶 𝑈𝑠
𝑖𝐷
Alimentation avec hacheur série:
𝑢𝐷
1 − 𝛼 𝑈𝑒
𝑖𝐿 = 𝑡 + 𝑖𝐿𝑚𝑖𝑛 𝑈𝑒
𝐿
𝛼𝑇 𝑇 𝑡
𝛼𝑈𝑒 𝑖𝐿
𝑖𝐿 = − 𝑡 − 𝛼𝑇 + 𝑖𝐿𝑚𝑎𝑥
𝐿 𝐼𝐿
𝛼𝑇 𝑇 𝑡
𝜶 𝟏−𝜶
∆𝑰𝑳 = 𝑼𝒆
𝒇𝑳
𝟏
D’où: ∆𝑰𝑳𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝒇 𝑳 𝑼𝒆
𝑖𝐿
𝐼𝐿
∆𝒊𝑳
∆𝒖𝒄 =
𝟖𝒇𝑪 𝑇
𝛼𝑇 𝑡
cette relation permet le choix de la capacité C
Alimentation avec hacheur parallèle boost:
𝐿 𝐷 𝑖𝑅
𝑖𝑒
𝑖𝐷
𝑖𝑐
𝑈𝑒 𝐻 𝑢𝐻 𝐶 𝑈𝑠
Alimentation avec hacheur série-parallèle (buck-boost):
𝑖𝑒 𝑖𝑅
𝑖𝐿 D
𝐻 𝑖𝑐
𝑈𝑒 L 𝐶 𝑈𝑠
Alimentation avec hacheur flyback isolé:
𝑖𝑒 𝑖𝑅
𝑖𝐿 D 𝑖𝑐
𝐶 𝑈𝑠
𝑈𝑒
𝐻
Alimentation avec hacheur forward isolé:
𝑖𝑒 𝑖𝑅
L
𝑖𝑐
𝐶 𝑈𝑠
𝑈𝑒
𝐻 D
Les hacheurs à transistors sont très simples et ne nécessitent pas de circuit
de désamorçage (cas des thyristors). Ils peuvent fonctionner à des fréquences
relativement élevées (plusieurs dizaines de kHz) mais la puissance
commandée est plus faible.
𝑖𝐸 𝐾 𝑖𝑐ℎ
𝐸 Commande 𝑉𝑐ℎ
𝐷𝑅𝐿
Circuit de commande
d’un transistor MOS
de puissance ou à
IGBT