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03/12/2015

Le transistor bipolaire

Pascal MASSON
(pascal.masson@unice.fr)

Edition 2015-2016

École Polytechnique Universitaire de Nice Sophia-Antipolis


Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip)
Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs
1645 route Polytech
des Lucioles, (Peip)
06410 BIOT Le transistor bipolaire

Sommaire

I. Historique

II. Caractéristiques du transistor

III. Polarisation du transistor

IV. Les fonctions logiques

V. Amplification en classe A

VI. Multivibrateur astable ABRAHAM BLOCH

VII. Amplification en classe B

VIII. Amplificateur opérationnel

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I. Historique
I.1. Définition
 Le transistor bipolaire est un composant électronique utilisé comme :
interrupteur commandé, amplificateur, stabilisateur de tension, modulateur
de signal …

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I. Historique
I.2. Histoire du transistor
 1947 : John BARDEEN et Walter BRATTAIN inventent le
transistor à contact (transistor) au laboratoire de physique
de la société BELL (USA). Cette découverte est annoncée en
juillet 1948. Transistor à
contact 1948
 1948 : Herbert MATARE et Heinrich WELKER inventent
(indépendamment de BELL) aussi le transistor à contact
en juin 1948 (en France). Ce transistor sera appelé le
Transistron pour le distinguer de celui de BELL.
Transistron 1948

 1948 : en janvier William SHOCKLEY invente le


transistor à jonction (bipolaire) mais la technique de
fabrication ne sera maitrisée qu’en 1951
Transistor à
jonction 1948
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I. Historique
I.2. Histoire du transistor
 Les transistors remplacent les contacteurs
électromécaniques des centraux téléphoniques et
les tubes dans les calculateurs.

1953 – calculateur
(93 transistors + 550 diodes)

Sonotone  1953 : première application portative du


1010
transistor entant que sonotone.

Régency TR-1
 1954 : première radio (4 transistors)

à transistors.

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I. Historique
I.3. Histoire des premiers circuits intégrés
 1958 : Jack KILBY de Texas Instrument
présente le premier circuit (oscillateur)
entièrement intégré sur une plaque de semi-
conducteur.

1958 – premier circuit intégré


 1960 : production de la première
mémoire Flip Flop par la société
Fairchild Semiconductor.
1960 – Flip Flop en circuit intégré

 1965 : à partir du nombre de composants par circuit


intégré fabriqué depuis 1965, Gordon MOORE
(Fairchild Semiconductor) prédit que le nombre de
composants intégrés (par unité de surface) doublera
tous les 12 mois. Cette loi est toujours vraie !
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II. Caractéristiques du transistor


II.1. Définition d’un transistor bipolaire
 Le transistor bipolaire est créé en juxtaposant trois couches de semi-
conducteur dopés N+, P puis N pour le transistor NPN (courant dû à un flux
d’électrons) ou dopés P+, N puis P pour le transistor PNP (courant dû à un flux
de trous). Le niveau de dopage décroit d’un bout à l’autre de la structure.
 Un faible courant de base, IB, permet de commander un courant de
collecteur, IC, bien plus important.
II.2. Représentation
collecteur collecteur
IC IC
IB N IB P
collecteur
émetteur

base VCE P base VCE N


N+ P+
VBE IE VBE IE
émetteur émetteur
base Transistor NPN Transistor PNP

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II. Caractéristiques du transistor


II.3. Fonctionnement du transistor NPN
 Si la tension VBE est suffisante, la diode BE
(base –émetteur) est passante :

 Courant de trous de B vers E.


 Courant d’électrons de E vers B

 qV   qV 
I  IS. exp  BE   ISt  ISe . exp  BE 
 kT   kT 
B P
 Si le nombre d’électrons dans l’émetteur et
100 fois plus grand que le nombre de trous VBE
dans la base alors ISt << ISe.

N+

E
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II. Caractéristiques du transistor


II.3. Fonctionnement du transistor NPN
 On positionne à présent le collecteur dopé N C
 La jonction BC est polarisée en inverse :
N
augmentation du champs électrique interne.
 La longueur de la base est très courte et les
VBC
électrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-

collecteur.
 Les électrons sont propulsés dans le collecteur
B P
pas le champ électrique.
 Si on modifie la tension VBC (dans une certaine VBE
limite), le champ électrique est toujours suffisant
pour propulser tous les électrons :
Le courant de collecteur ne dépend pas de la N
tension VBC mais uniquement de VBE.
E
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II. Caractéristiques du transistor


II.3. Fonctionnement du transistor NPN
 Par convenance on pose : VT  q (  25.6 mV à 300K) C
kT
IC
 Les trois courants du transistor bipolaire sont :
N
 IB : courant de trous de B vers E.
V 
I B  ISt . exp  BE 
 VT 
 IC : courant d’électrons de E vers C 
V 
I C  ISe . exp  BE 
 VT  IB
B P
 IE : courant de trous de B vers E + courant
d’électrons de E vers C
V 
I E  IS. exp  BE   I B  IC
 VT 
 Le rapport, , entre les courants IC et IB dépend entre
N
autres des niveaux de dopage de l’émetteur et de la base
IE
ainsi que de l’épaisseur de la base : IC = .IB E
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II. Caractéristiques du transistor


II.3. Fonctionnement du transistor NPN
 Si la tension VBC augmente trop : C
IC
 Le champ électrique base – collecteur diminue
N
 Les électrons ne sont plus tous propulsés
dans le collecteur mais une partie sort par la
base 
 Le courant IC tend à devenir nul
IB
 On dit dans ce cas que le transistor est saturé B P

 La tension VCE pour laquelle ce phénomène


apparaît est notée VCEsat.

N
IE
E
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II. Caractéristiques du transistor


II.3. Caractéristiques IB(VBE) du transistor NPN
 Pour débloquer (rendre passant) le transistor NPN, il faut que la jonction
base-émetteur soit polarisée en direct avec une tension supérieure à la tension
de seuil, VS, de cette diode : VBE > VS.

 La caractéristique IB(VBE) est celle de la diode base-émetteur en ne


considérant que le courant de trou.

 Ici le courant de trous est bien plus faible que le courant d’électrons.

collecteur
IC IB (A)

IB N inverse directe
base VCE P
N+
VBE IE
émetteur 0 VS VBE (V)
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II. Caractéristiques du transistor


II.3. Caractéristiques IB(VBE) du transistor PNP
 Pour débloquer (rendre passant) le transistor PNP, il faut que la jonction
base-émetteur soit polarisée en direct avec une tension supérieure (en valeur
absolue) à la tension de seuil, VS, de cette diode soit : VBE < VS.

 La caractéristique IB(VBE) est celle de la diode base-émetteur en ne


considérant que le courant des électrons.

 Ici le courant des électrons est bien plus faible que le courant des trous.

collecteur
IC IB (A)

IB P directe inverse
base VCE N
P+
VBE IE
émetteur VS 0 VBE (V)
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II. Caractéristiques du transistor


II.3. Caractéristiques IC(VCE) du transistor NPN
 Si la jonction BC est polarisée en inverse, alors le courant d’électrons peut
traverser cette jonction.

 Dans ce cas le courant IC est indépendant de VCE : régime linéaire (IC = .IB)

 Si VCE = 0 alors aucun courant ne circule entre l’émetteur et le collecteur

 Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit à la tension


VCEsat (sat pour saturation) : le courant IC n’est pas proportionnel à IB.
saturé Linéaire
collecteur
IC IC (A) IB4
IB3
IB N
base VCE P IB2 > IB1
N+ IB1
VBE IE
émetteur 0 VCEsat VCE (V)
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II. Caractéristiques du transistor


II.4. Bilan des caractéristiques IB(VBE) et IC(VCE)

C
Bloqué : VBE < VS, IB = 0, IC = 0 IC
N
IB (A)

IB
0 VS VBE (V) B P

IC (A)

N
IE
0 VCEsat VCE (V) E
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II. Caractéristiques du transistor


II.4. Bilan des caractéristiques IB(VBE) et IC(VCE)

C
Passant_Linéaire : VBE > VS, IB > 0, IC = .IB IC
N
IB (A)

IB
0 VS VBE (V) B P

IC (A)

N
IE
0 VCEsat VCE (V) E
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II. Caractéristiques du transistor


II.4. Bilan des caractéristiques IB(VBE) et IC(VCE)

C
Passant_Saturé : VBE > VS, IB > 0, IC < .IB, VCE < VCEsat IC
N
IB (A)

IB
0 VS VBE (V) B P

IC (A)

N
IE
0 VCEsat VCE (V) E
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II. Caractéristiques du transistor


II.4. Bilan des caractéristiques IB(VBE) et IC(VCE)
 Si on déconnecte le collecteur, le courant de base correspond à la somme des
trous et des électrons (IB = h+ + e). La résistance série est de l’ordre de l’ohm

IB
B P
h+ + e
IB (A)
e VBE
h+

N
0 VBE (V)
E
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II. Caractéristiques du transistor


II.4. Bilan des caractéristiques IB(VBE) et IC(VCE)
 En régime linéaire, le courant de base est constitué C
uniquement de trous (IB = h+) donc la résistance série IC
de la diode est beaucoup plus grande, de l’ordre du N
kohm

IB
B P
h+ + e
IB (A)
e VBE
h+

N
0 VBE (V) IE
E
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II. Caractéristiques du transistor


II.4. Bilan des caractéristiques IB(VBE) et IC(VCE)
 En régime saturé, le courant de base est constitué C
des trous et d’une partie des électrons (IB = h+ + .e) IC
N

IB
B P
h+ + e h+ + .e
IB (A)
e
h+

N
0 VBE (V) IE
E
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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
 Détermination de IB0 et IC0

 La boucle d’entrée permet de déterminer la valeur de IB


E G  VS
I B0 
R B  RS
E G  R B.I B0  VS  R S.I B0
VBE0  VS  R S.I B0
VDD

RC
IB (A)
EG/RB
IC
RB IB
IB0
VCE
EG VBE

0 VS VBE0 EG VBE (V)


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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
 Détermination de IB0 et IC0

 On considère que le transistor est en régime linéaire I C  .I B

 On peut donc résumer le transistor à trois éléments :


 En entrée : VS et RS (donc la diode base-émetteur)
 En sortie: un générateur de courant IC = .IB
VDD

RC

IC
RB IB

EG VBE IC VCE

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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
 Détermination de IB0 et IC0

 Il faut à présent vérifier si le transistor est réellement en régime linéaire par


le calcul de VCE

VDD  R C .IC  VCE VCE  VDD  R C .IC

 Si VCE > VCEsat alors on confirme le régime linéaire et les calculs sont exacts
VDD

IC RC
VDD/RC
IC
IC0 IB0 RB IB

VCE
EG VBE

0 VCEsatVCE0 VDD VCE


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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
 Détermination de IB0 et IC0

 Si VCE < VCEsat le transistor est en régime saturé et l’utilisation de la droite


de charge donne les vraies valeurs de IC0 et VCE0

 Si on utilise pas la droite de charge, on impose VCE = VCEsat et on détermine


la valeur de IC avec la boucle de sortie.
VDD  VCEsat VDD
VDD  R C .IC0  VCEsat I C0 
RC

IC RC

IC
VDD/RC IB0 RB IB
IC0
VCE
EG VBE

0 VCEsatVCE0 VDD VCE


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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
 Détermination de IB0 et IC0

 Il faut aussi re-déterminer la véritable valeur du courant de base.

 Les électrons qui passent de l’émetteur à la base ne sont pas tous propulsés
au collecteur et une partie sort par la base.
 Les valeurs de VS et RS sont donc différentes
VDD

RC
IB (A)
EG/RB
IC
RB IB
IB0
VCE
EG VBE

0 VS VBE0 EG VBE (V)


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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
VDD
 Variation de RB avec RC constant

 On part d’une valeur de RB suffisamment grande RC


pour que le transistor soit en régime linéaire
IC
 La droite de charge en sortie ne change pas RB IB

 On diminue alors RB VCE


EG VBE

IC
IB (A)
VDD/RC

IB0
EG/RB

0 VS EG VBE (V) 0 VCEsat VDD VCE


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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
VDD
 Variation de RB avec RC constant

 On part d’une valeur de RB suffisamment grande RC


pour que le transistor soit en régime linéaire
IC
 La droite de charge en sortie ne change pas RB IB

 On diminue alors RB VCE


EG VBE

IC
IB (A)
VDD/RC
IB0
EG/RB

0 VS EG VBE (V) 0 VCEsat VDD VCE


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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
VDD
 Variation de RB avec RC constant

 On part d’une valeur de RB suffisamment grande RC


pour que le transistor soit en régime linéaire
IC
 La droite de charge en sortie ne change pas RB IB

 On diminue alors RB VCE


EG VBE

IC
IB (A) IB0
VDD/RC
EG/RB IC0

0 VS EG VBE (V) 0 VCEsat VDD VCE


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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
VDD
 Variation de RC avec RB constant

 On part d’une valeur de RC suffisamment faible RC


pour que le transistor soit en régime linéaire
IC
 La droite de charge en entrée ne change pas RB IB

 On augmente alors RC VCE


EG VBE

IC VDD/RC
IB (A)
IB0
EG/RB
IB0

0 VS EG VBE (V) 0 VCEsat VDD VCE


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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
VDD
 Variation de RC avec RB constant

 On part d’une valeur de RC suffisamment faible RC


pour que le transistor soit en régime linéaire
IC
 La droite de charge en entrée ne change pas RB IB

 On augmente alors RC VCE


EG VBE

IC
IB (A)
VDD/RC
IB0
EG/RB
IB0

0 VS EG VBE (V) 0 VCEsat VDD VCE


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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
VDD
 Variation de RC avec RB constant

 On part d’une valeur de RC suffisamment faible RC


pour que le transistor soit en régime linéaire
IC
 La droite de charge en entrée ne change pas RB IB

 On augmente alors RC VCE


EG VBE

IC
IB (A)
IB0
EG/RB VDD/RC IC0
IB0

0 VS EG VBE (V) 0 VCEsat VDD VCE


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III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
 Les résistances R1 et R2 forment un pont entre la base et VDD d’où le nom.
 La détermination de IB passe par celle de IP.

VDD

R1 RC

IP + IB IB
VCE
IP VBE

R2

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III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
 IB : approche simple

 On considère que IP >>> IB.

 Dans ce cas un simple pont diviseur de tension permet de connaître la valeur


de VBE et par suite la valeur de IB.

VBE 
R2
VDD VDD
R1  R 2

 Puis on détermine IB. R1 RC

IP + IB IB
VBE  VS
IB  VCE
RS IP VBE

R2

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III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
 IB : système de 2 équations

 On résout un système de deux équations qui correspond à l’ écriture de deux


mailles en entrée

(1) VBE  R 2 .I P  VS  R S.I B

VDD  R1.I P  I B   VBE  R1.I P  VS  R1  R S I B VDD


(2)

 On trouve R1 RC

IP + IB IB
(2)
VCE
IB  IP VBE

R2 (1)

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III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
 IB : Thévenin

 On peut aussi transformer VDD, R1 et R2 en générateur de thévenin

VDD

RC

Rth IB
VCE
VBE
Eth
Thévenin

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III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
 IB : Thévenin

 On peut aussi transformer VDD, R1 et R2 en générateur de thévenin

 On débranche la base du transistor pour éliminer le courant IB

 Pour déterminer Rth, on éliminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R1 // R2

R th 
R1.R 2 VDD
R1  R 2
 On détermine alors Eth avec un pont RC
diviseur de tension
Rth
R2
E th  VDD VCE
R1  R 2

Eth Eth

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III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
 IB : Thévenin

 On peut aussi transformer VDD, R1 et R2 en générateur de thévenin

 On débranche la base du transistor pour éliminer le courant IB

 Pour déterminer Rth, on éliminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R1 // R2

R th 
R1.R 2 VDD
R1  R 2
 On détermine alors Eth avec un pont RC
diviseur de tension
Rth IB
R2
E th  VDD VCE
R1  R 2 VBE
 D’où IB : Eth
E th  VS
IB 
R th  R S

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III. Polarisation du transistor


III.3. Résistance d’émetteur
 Dans la résistance RE il passe le courant IE donc les courants IB et IC

 La maille en entrée s'écrit :


E th  R th .I B  VS  R S.I B  R E .I B  IC 

E th  R th .I B  VS  R S.I B  R E .1  .I B


VDD
 On trouve le courant IB
E th  VS
IB  Erreur classique : RC
R th  R S  1  .R E
oublie du 
 Vu de l’entrée (donc de IB), la résistance Rth IB
RE est multipliée par (1+) VCE
VBE
 En fonction de la valeur de  on peut
Eth
écrire : RE
1  .R E  .R E
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III. Polarisation du transistor


III.3. Résistance d’émetteur
 La présence de RE permet une régulation thermique du transistor
 En fonctionnement, le transistor chauffe à cause de la circulation du courant
ce qui augmente la valeur du courant qui engendre une augmentation de la
température etc …

 En présence de RE : T° IB
VDD
IB (A)
VE
RC
VBE
T° Rth IB
IB VCE
0 VS VBE (V) VBE
Eth
 Si la présence de RE n’est pas suffisante, il RE VE
faut ajouter un radiateur sur le transistor.

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IV. Les fonctions logiques


IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE  VS  24  R.IC

24 VCE
 On obtient alors la droite de charge : IC  
R R

IC (A)
24 V IC IB4
6V
R
RB
R1 S
IB
E VCE = VS
VE VBE
0V 0 VCE (V)
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IV. Les fonctions logiques


IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE  VS  24  R.IC

24 VCE
 On obtient alors la droite de charge : IC  
R R

 On trace maintenant la caractéristique VS(VE) de l’inverseur.

VS (V) A IC (A)
24 B IB4
IB3
IB2 > IB1
IB1
B A
VCEsat
24 VE (V) 0 VCE (V)
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IV. Les fonctions logiques


IV.1. L’inverseur
 Table de vérité et symbole logique :

E S

0 1 E S=E

1 0

 En pratique on définit un gabarit pour l’inverseur

VS (V)
24

VCEsat
24 VE (V)
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IV. Les fonctions logiques


IV.2. La fonction NI (NON-OU, NOR)

24 V
6V IC

RB R
 Schéma électrique d’une porte NI : R2
E2
R1 S
IB
E1 VCE = VS
VBE
0V

 Table de vérité et symbole logique : E2 E1 S


0 0 1
E1 0 1 0
S = E1+E2
E2
1 0 0
1 1 0

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IV. Les fonctions logiques


IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :

Reset Set Reset Q Q


Set Q
Q

 Chronogramme :

Set 1
0 t

Reset 1
0 t

Q 1
0 t
Q 1
0 t
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IV. Les fonctions logiques


IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
 Il existe un état interdit avec Set = Reset = 1
 Table de vérité :

Reset Set Reset Q Q


Set Q
Q

 Chronogramme :

Set 1
0 t

Reset 1
0 t

Q 1
0 t
Q 1
0 t
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IV. Les fonctions logiques


IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
 Schéma électrique de cette mémoire :
24 V
6V

RB R RB R

Set Reset
R2 R2 Q
Q
R1 R1
0V

 Symbole logique de la mémoire RS (bascule RS) :


Reset Q Set Q
Set
Q Reset Q

 Mémoire de type RAM (Random Acces Memory) qui s’apparente à la SRAM


(Static) : l’information disparaît si on éteint l’alimentation.

 Si le pont de base consomme 1 µ A (sous 30 V) et que l’on stocke 106 bits


alors la mémoire disperse au moins 30 W !
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IV. Les fonctions logiques


IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI

1971 : 256-bit TTL RAM (Fairchild)

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V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
 L’amplificateur de classe A amplifie tout le signal d’entrée.

 On travaille dans la partie VDD


linéaire du transistor qui est IC = .IB
polarisé en statique à IB0 et IC0. RC

VS
IC
 Le courant IB oscille autour de IB
VCE = VS
IB0 et donc IC oscille autour de IC0 VE = VBE
avec IC = .IB.

 Sans signal d’entrée, l’ampli consomme IC0 : mauvais rendement (au


mieux 50 %).

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16
03/12/2015

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC EG (V)
VDD VS EGmax
IC
RB IB EG0
VCE
EG VBE EGmin
t
IB (A) IB (A)
IBmax IBmax
IB0 IB0
IBmin IBmin
0 VBE (V) t

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V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC EG (V)
VDD VS EGmax
IC
RB IB EG0
VCE
EG VBE EGmin
t
IB (A) IB (A)
IBmax IBmax
IB0 IB0
IBmin IBmin
0 VBE (V) t
IC (A) IC (A)
IBmax
ICmax ICmax
IB0 IC = .IB
IC0 IC0
IBmin
ICmin ICmin
0 VCE (V) t
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V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC EG (V)
VDD VS EGmax
IC
RB IB EG0
VCE
EG VBE EGmin
t
IC (A) IC (A)
IBmax
ICmax ICmax
IB0
IC0 IC0
IBmin
ICmin ICmin
0 VCE (V) t
0

t
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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC EG (V)
VDD VS
IC
RB IB EGmax
VCE EG0
EG VBE
EGmin t
IB (A) IB (A)
IBmax
IB0 IBmax
IBmin IB0
0 VBE (V) t

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V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC EG (V)
VDD VS
IC
RB IB EGmax
VCE EG0
EG VBE
EGmin t
IC (A) IC (A)

ICmax IBmax ICmax


IC0 IB0 IC0
0 VCE (V) ICmin t
0

t
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V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement EG (V)
RC EGmax
VDD VS EG0
IC
RB IB EGmin
VCE
EG VBE
t
IB (A) IB (A)
IBmax IBmax
IB0 IB0
IBmin IBmin

0 VBE (V) t

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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement EG (V)
RC EGmax
VDD VS EG0
IC
RB IB EGmin
VCE
EG VBE
t
IC (A) IBmax IC (A)
ICmax IB0
IC0
IBmin
ICmin

0 VCE (V) t
0

t
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V. Amplification classe A
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
 Les gains VC/EG et VR/EG correspondent aux filtres passe bas et pas haut
respectivement.
 La fréquence de coupure des deux filtres est : FC = 1/(2RC).

 La notion de haute et basse fréquences se reporte à la valeur de FC

VC

C
EG R VR

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V. Amplification classe A
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
 En basse fréquence VC = EG et VR = 0 : la capacité absorbe toutes les
variations de EG. Elle a le temps de se charger et de se décharger

1.5
F = 0,2 FC EG
VC 1.0
VR
0.5 VC
Tensions

0.0
C
EG R VR -0.5

-1.0

-1.5
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01
Temps

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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
 En basse fréquence VC = EG et VR = 0 : la capacité absorbe toutes les
variations de EG. Elle a le temps de se charger et de se décharger

1.5
F = 5.FC EG
VC 1.0
VR
0.5 VC
Tensions

0.0
C
EG R VR -0.5

-1.0

-1.5
0 0.00005 0.0001 0.00015 0.0002 0.00025 0.0003 0.00035 0.0004
Temps

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V. Amplification classe A
V.3. Eléments du montage
 Les résistances R1 et R2 constituent le pont de base : polarisation de la base

 Le condensateur C ne laisse passer que les variations de Ve et non la


composante continue : évite de modifier la polarisation de la base.

 CL est aussi un condensateur de VDD


liaison qui permet à la charge RL
(résistance d’entrée du bloc R1 RC CL
suivant) de ne pas modifier la C
polarisation du transistor.
VBE
Vs
Ve
R2 RL

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V. Amplification classe A
V.4. Point de repos du montage
 Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsqu’on ne considère que le régime statique (ne dépend pas du temps).
 C et CL se comportent comme des interrupteurs ouverts.
 On calcul IB (ce qui donne immédiatement IC) en supposant que le transistor
est en régime linéaire
 On détermine alors la tension VCE VDD
qui doit être supérieure à VCEsat
R1 RC

VBE
VCE
R2

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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
 EG est à présent un signal alternatif d’amplitude suffisamment faible pour ne
pas bloquer et/ou saturer le transistor.
 Cette fois, les fréquences du signal EG sont suffisamment élevées pour ne pas
permettre aux capacités C et CL de se charger ou de se décharger. Elles se
comportent comme des interrupteurs fermés.
VDD

R1 RC CL

Rg C

VBE
Vs
EG Ve
R2 RL

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V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
 Les variations de EG vont se propager le long du circuit, être amplifiée par le
transistor puis appliquées à la charge RL.
 Les paramètres importants d’un amplificateur sont : les résistances d’entrée
et de sortie, le gain en tension et les fréquences de coupure haute et basse
 Calculer ces paramètres peut être
long et on préfère utiliser le schéma VDD
petit signal qui est une
simplification mathématique du R1 RC CL
schéma réel. C
Rg

VBE
Vs
EG Ve
R2 RL

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V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
 Pour pouvoir utiliser le schéma petit signal il faut que tous les éléments
aient un comportement linéaire.

 Dans ce schéma, c’est le transistor qui est non linéaire et, par exemple, les
variations de VBE doivent être suffisamment faibles pour considérer un seul VS
et surtout un seul RS.
VDD

R1 RC CL

Rg C

VBE
Vs
EG Ve
R2 RL

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21
03/12/2015

V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
 Pour construire ce schéma, on ne conserve que les éléments (résistances,
tensions, fils … et on ne conserve que les variations de tension et de courant.

 EG(t) = EG0 + eg(t) donc on ne conserve que eg(t)

 La variation de VDD est nulle, vdd(t) = 0, et il en va de même pour la masse


donc vmasse(t) = 0

 Donc d’un point de vu alternatif, les fils VDD et masse sont identiques.

 Une tension continue est V1(t) = V10 + v1(t)


équivalente à un court circuit
VS

V2(t) = V20 + v2(t) = V1(t)  VS

V20 = V10  VS
donc
v2(t) = v1(t)

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V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD

R1 RC
CL
Rg
C

.IB Vs
EG Ve
R2 RL

VDD / masse
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V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
 Il faut aussi ajouter deux éléments parasites donnés par la matrice hybride
du transistor.
ib ic
v be  hie.i b  h re .v ce
vbe bipolaire vce
ic  hfe .i b  h oe.v ce

 Dans ce cours, nous négligerons toujours la tension hre.vce (par rapport à


hie.ib) et en fonction des cas nous négligerons aussi la résistance 1/hoe devant
les résistances branchées en parallèle.

Rg ib ic
B C

hie
eg RB vbe hfe.ib 1/hoe vce RC RL
hre.vce
E
VDD / masse
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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
 Les 4 paramètres sont obtenus à partir du point de polarisation.
IC (A)
VCE0
 Détermination de hie
v V
hoe h ie  be  BE
hfe i b v 0 I B V  V
IC0 ce CE CE 0
 Détermination de hfe
i
h fe  c 
IB (A) IB0 0 VCE0 VCE (V) i b v 0
ce
 Détermination de hoe
VBE0 hre i
hie h oe  c
VBE (V) v ce i  0
b
Les paramètres h  Détermination de hoe
dépendent du point v
de repos (ou point h re  be
! de polarisation)
v ce i  0
b

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V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
V
 Impédance d’entrée : R e  in 
i in

Re
Rg iin ib ic
B C

vin RB vbe hie hfe.ib vce RC RL


eg
E
VDD / masse
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V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
 Pour l’impédance de sortie, on court-circuite eg donc ib devient nul ainsi que
hfe.ib et il reste :
Vout
Rs  
i out

Rs

Rg ib ic iout
B C

eg RB vbe hie hfe.ib vce RC vout

E
VDD / masse
Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
 Le gain en tension correspond au rapport entre la tension appliquée à la
charge (RL) et la tension appliquée par le générateur :

Vout Vce
AV   
Vin Vbe
 Sans charge (i.e. RL  ), le gain en tension devient le gain à vide :

A V0  A V 
R L 

Rg iin ib ic
B C

eg
vin RB vbe hie hfe.ib vce RC vout RL

E
VDD / masse
Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
 Pour le gain « composite », il faut considérer eg et non vin :

Vce
A VG  
eg

Rg iin ib ic
B C

eg
vin RB vbe hie hfe.ib vce RC vout RL

E
VDD / masse
Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.7. Capacité C d’entrée
 Si la fréquence du signal EG est trop faible, la capacité C a le temps de se
charger et de se décharger et la tension VBE ne varie pas.

 La variation de tension de EG se retrouve intégralement aux bornes de la


capacité

 Il est nécessaire de VDD


connaitre la fréquence de
coupure du filtre pour R1 RC CL
ajuster correctement la
Rg C
valeur de C et ainsi
laisser passer le signal à
VBE
amplifier Vs
EG Ve
R2 RL

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24
03/12/2015

V. Amplification classe A
V.7. Capacité C d’entrée
 On ajoute la capacité dans le schéma petit signal et on déterminer le gain de
l’amplificateur PH
Vout Vbe Vce Re 1 H
A VC    AV  A  AV
Vin Vin Vbe R  1 R C V 
e 1 j e 1 j 0
jC  
 On voit clairement apparaître la fonction d’un filtre passe haut dont la
fréquence de coupure est :
1
FC 
2R eC
  2F
Rg C
iin ib B C ic

eg
vin RB vbe hie hfe.ib vce RC vout RL

E
VDD / masse
Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.7. Capacité C d’entrée
 Si F < FC alors le condensateur se comporte comme un interrupteur ouvert et
le signal n’est pas amplifié

VDD

R1 RC CL

Rg C

VBE
Vs
EG Ve
R2 RL

Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.7. Capacité C d’entrée
 Si F < FC alors le condensateur se comporte comme un interrupteur ouvert et
le signal n’est pas amplifié

 Si F > FC alors le condensateur se comporte comme un court-circuit et le


signal est amplifié

VDD

R1 RC CL

Rg

VBE
Vs
EG Ve
R2 RL

Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.7. Capacité C d’entrée
 La voix humaine (et les autres sons) est constituée d’une somme de
sinusoïdes d’amplitudes et fréquences différentes :

Signal

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V. Amplification classe A
V.7. Capacité C d’entrée
 Diagramme de bode en amplitude (échelle semi-log) :

A(db)

20

 20

 40

Signal
1 103 106 109 F (Hz)

Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Résistance d’émetteur
 Si le transistor chauffe il risque de s’emballer thermiquement et d’être
détruit.
 La résistance RE évite l’emballement thermique du transistor :

T° IB VE VBE IB

VDD

R1 RC CL
C
IP

VBE
Vout
Vin VE
R2 RE RL

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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.8. Résistance d’émetteur
v
 Gain en tension : A VE  out 
v in
 Le gain a diminué avec l’introduction de la résistance RE.

300 300
A VE  100  30 A VE  100  9.9
1000 1000  201  100 

Rg ib ic
B C

eg RB hie hfe.ib RC RL

vin E vout

RE

Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Résistance d’émetteur
 Pour revenir à la valeur initiale du gain (i.e. AV), on ajoute une capacité CE
en parallèle de RE. Cette capacité agit comme un passe bas.

 Si la fréquence est basse, CE agit comme un circuit ouvert, sinon elle est
équivalente à un court-circuit.

VDD

R1 RC CL
C IP

VBE
CE Vout
Vin VE
R2 RE RL

Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Résistance d’émetteur
 Il est nécessaire de déterminer la fréquence de transition entre court-circuit
et circuit ouvert.

 Pour cela, on représente le schéma en petit signal en faisant apparaître la


capacité CE.

Rg ib ic
B C

eg RB hie hfe.ib RC RL

vin E vout

RE CE ve

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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.8. Résistance d’émetteur
 Pour déterminer la fréquence de coupure du filtre, on commence par définir
l’impédance équivalent à RE // CE : 1 1
  jCE
ZEq R E
 On détermine alors le gain :

ve
AE  
v in

Rg ib ic
B C

eg RB hie hfe.ib RC RL

vin E vout

RE CE ve

Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Résistance d’émetteur
 Diagramme de bode en amplitude (échelle semi-log) :

A(db)

20

 20

 40

Signal
1 103 106 109 F (Hz)

Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Résistance d’émetteur
 Le gain de l’amplificateur s’écrit :

v RC // R L RC // R L
A VCE  out    
v in RE RE
RS  1  
jCE jCER E  1
R S  1  
1
RE 
jCE

Rg ib ic
B C

eg RB hie hfe.ib RC RL

vin E vout

RE CE ve

Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.8. Résistance d’émetteur
 Le gain de l’amplificateur s’écrit :

v RC // R L 1
A VCE  out   jCERE  1
v in RS  1  R E R ERS
jCE 1
RS  1  R E
FCE’
FCE
 Il existe 2 fréquences de coupure

RS  R E 1   1
FCE  et FCE ' 
2RSR ECE 2R ECE

 On retrouve aussi les 2 gains

RC // R L R // R L
A VCE   0   et A VCE       C
R S  R E RS

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V. Amplification classe A
V.8. Résistance d’émetteur
 Diagramme de bode en amplitude (échelle semi-log) avec la résistance RE
devient :
A(db)
CE
20  R // RC 
20 log . L 
 RS 
0

 20

CE  R L // RC 
20 log . 
 RS  1  R E 
 40 

Signal
FCE’ FCE 103 106 109 F (Hz)

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V. Amplification classe A
V.9. Fréquences de coupure hautes
 La variation de la tension vbc implique une variation de la longueur de la
zone de charge d’espace (ZCE) de la diode Base-Collecteur

 La variation de la ZCE correspond à une variation de charge et donc la diode


est équivalente à une capacité notée CBC.

 Cette capacité fait un pont entre l’entrée et la sortie ce qui complique le


calcul du gain en tension

Rg ib ic
B C

CBC
eg RB vbe hie hfe.ib vce RC RL

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03/12/2015

V. Amplification classe A
V.9. Fréquences de coupure hautes
 Nous considérons la capacité entre la base et le collecteur : CBE

 Elle peut être ramenée en entrée et en sortie du transistor avec le théorème


de MILLER :
1 1 1
Z1   . CBC1  CBC 1  AV   CBC
j.C BC1. j.C BC . 1  A V

1 1 AV 1  AV
Z2   . C BC2  C BC  C BC
j.C BC2 . j.C BC . 1  A V AV

Rg

eg RB hie hfe.ib RC RL
CBC1 CBC2

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V. Amplification classe A
V.9. Fréquences de coupure hautes
v h
 Gain composite : A VG _ CBC  ce   fe . R eq // CBC2
Re // CBC1 
 
eg h ie Rg  R e // CBC1 
AVG
v h R eq .R e 1 1
soit A VG _ CBC  ce   fe . . .
eg 
h ie Rg  R e 1  jCBC1 Rg // R e 1  jCBC2R eq 
Gain aux fréquences moyennes
 Il existe deux fréquences de coupure hautes avec FHF1 << FHF2 :
Fréquence de
1 1
coupure haute FHF1   FHF FHF2 
de l’ampli

2C BE1 R g // R e  2C BE2 R eq

Rg
Req

eg RB hie hfe.ib RC RL
CBC1 CBC2

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V. Amplification classe A
V.9. Fréquences de coupure hautes
 Diagramme de bode en amplitude (échelle semi-log) :

A(db)

20  h R eq .R e 
20 log  fe . 
 h ie R g  R e 
 
0
 20 db/dec

 20

 40
 40 db/dec

Signal

1 103 FHF1 106 FHF2 109 F (Hz)

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30
03/12/2015

VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH


VI.1. Présentation VDD
 Circuit dont le schéma s’apparente à
R2
celui de la mémoire RS et qui fournit RC1 C1 C2 RC2
R1
un signal carré.
V t0
CE1 VDD

T1 T2
t
VBE1 0.6 V
0 t

VCE2 VDD

t
VBE2 0.6 V
0 t

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VII. Amplification classe B


VII.1. Définition et principe de fonctionnement
 L’amplificateur de classe B n’amplifie que la VDD
moitié du signal d’entrée.
 Il crée beaucoup de distorsion mais a un RC
rendement bien meilleur que le classe A avec
VS
en théorie 78.5 %. IC
IB
 Le point de repos se situe à la limite du VCE = VS
blocage du transistor VE = VBE

IC (A) IC (A)

ICmax IBmax ICmax

IC0 IB0 IC0


0 VCE (V) t
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VII. Amplification classe B


VII.2. Amplificateur push-pull VDD
 Les deux transistors ont le même gain .
 Amplificateur de puissance et non de tension NPN
 Si VE = 0, les deux transistors sont bloqués IL

et VS = 0.
VE PNP RL VS
 Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué :  VDD
VS = VE – 0.6.
VS (V) VE (V)
 Si VE <  0.6 V, le transistor PNP est en
régime linéaire et le NPN est bloqué.
0.6
VS = VE + 0.6.
0 t
 Distorsion pour les faibles valeurs de VE.
 0.6
 Saturation de VS si |VE| > VDD.

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31
03/12/2015

VII. Amplification classe B


VII.2. Amplificateur push-pull VDD
 Les deux transistors ont le même gain .
 Amplificateur de puissance et non de tension NPN
 Si VE = 0, les deux transistors sont bloqués IL

et VS = 0.
VE PNP RL VS
 Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué :  VDD
VS = VE – 0.6.
VS (V)
 Si VE <  0.6 V, le transistor PNP est en
VDD
régime linéaire et le NPN est bloqué.
0.6
VS = VE + 0.6.
0 t
 Distorsion pour les faibles valeurs de VE.
 0.6
 Saturation de VS si |VE| > VDD.
 VDD
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VII. Amplification classe B


VII.2. Amplificateur push-pull VDD
 Les deux transistors ont le même gain .
 Amplificateur de puissance et non de tension NPN
 Si VE = 0, les deux transistors sont bloqués IL

et VS = 0.
VE PNP RL VS
 Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué :  VDD
VS = VE – 0.6.
VS (V)
 Si VE <  0.6 V, le transistor PNP est en
VDD
régime linéaire et le NPN est bloqué.

VS = VE + 0.6.  VDD  0.6


 Distorsion pour les faibles valeurs de VE. 0.6 VDD VE (V)

 Saturation de VS si |VE| > VDD.

Pascal MASSON -Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) Le transistor bipolaire

VII. Amplification classe B


VII.2. Amplificateur push-pull VDD

 Afin d’éviter la distorsion du signal, on place


un pont de base avec deux diodes polarisées
NPN
en directe (et passantes). 0.6 V IL
 L’amplificateur push-pull est utilisé comme
étage de sortie des générateurs de fonction et VE PNP RL VS
des amplificateurs audio.

 VDD
VS (V)

VDD

 VDD  0.6
0.6 VDD VE (V)

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