Ecole Hassania Des Travaux Publics

Examen Modélisation des composants électronique

1ère session-1GE

Questions de cours

1. A la température du zéro absolu, donnez les probabilités de trouver des électrons dans les
niveaux E < EF et E > EF, respectivement, ainsi qu’une explication qualitative.

2. C’est quoi le rôle d’un centre de recombinaison dans le fonctionnement de Lasers ?

3. Expliquez le rôle du paramètre « longueur de diffusion » dans les jonctions PN et discutez les
deux cas et leur influence sur les applications choisis

4. Définissez le flux inverse dans une jonction PN en citant la cause de son apparition ?

5. Décrivez l’effet transistor, en termes de migration de porteurs de charge, dans un transistor

bipolaire PNP ? Ainsi que les conditions de polarisation correctes de ses jonctions et les
dimensions de chaque région ?

6. Expliquez les variations de densités de porteurs minoritaires aux limites de ZCE d’une jonction
pour une polarisation inverse

7. Définir la Datasheet d’un Transistor ? en citant 3 paramètres principales qui y sont inclus

QCM

8. Un semi-conducteur de type p à l’équilibre est :

A. ☐ Chargé positivement
B. ☐ Neutre électriquement
C. ☐ Contient un champs électrique dirigé sa longueur
D. ☐ Aucune de ces réponses

9. Eg du silicium est plus grande que celle d germanium car :

A. ☐ Le ‘Si’ a moins de nombre d'électrons

B. ☐ Le ‘Si’ a un numéro atomique plus grand
C. ☐ Le cristal de ‘Si’ a des liaisons plus fortes appelées liaisons ioniques
D. ☐ Les électrons de ‘Si’ valence sont plus liés à leur noyau

10. Dans un SC intrinsèque, la mobilité des électrons dans la bande de conduction est :

A. ☐ Plus faible que la mobilité des trous dans la bande de valence

B. ☐ Nulle
C. ☐ Plus grande que la mobilité des trous dans la bande de valence
D. ☐ Plus grande que la mobilité des trous dans la bande de valence

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11. Une petite concentration de porteurs minoritaires est injectée dans un cristal
semi-conducteur homogène en un point. Un champ électrique de 10 V.cm est appliqué à travers
le cristal et cela déplace les porteurs minoritaires sur une distance de 1 cm soit 20 μs. La
mobilité (en cm2/ V.s) est:

A. ☐ 100
B. ☐ 200
C. ☐ 50
D. ☐ Aucune de ces réponses

12. Quand un transistor PNP est polarisé correctement, on a :

A. ☐ IC=-IB
B. ☐ VBE=0,7 V
C. ☐ VCE est négative
D. ☐ VEB est positive

13. Le niveau de Fermi intrinsèque d'un semi-conducteur dépend de :

A. ☐ ( Ec + Ev )/ 2
B. ☐ mp *
C. ☐ mn *
D. ☐ Toutes ces réponses

14. Lorsqu'une diode est polarisée en directe, la recombinaison des électrons et des trous libres peut
produire
A. ☐ Chaleur
B. ☐ Lumière
C. ☐ Rayonnement
D. ☐ Toutes ces réponses

15. Les porteurs minoritaires dans un SC sont issus des

A. ☐ Dopage
B. ☐ Paires électron-trous générées thermiquement
C. ☐ Electrons liés
D. ☐ Aucunes de ces réponses

Exercice 1:

Pour une jonction de silicium P+N avec ND=1016 cm-3. Calculer la charge stockée des
porteurs minoritaires par unité de surface dans la région neutre N, quand on applique une
tension de 1V en polarisation directe. La longueur de région neutre N est 1μm et la
longueur de diffusion des trous est 5 μm

Exercice 2:

On considère un échantillon de Silicium avec ND= 1017 cm-3

a- Trouver la position de EF
b- Trouver les positions de EFn et EFp et tracez-les, quand un excès de porteurs de charge
est injecté tel que Δn= Δp= 1015 cm-3. (Régime faible injection)

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Correction Examen Modélisation des composants électronique

1ère session-1GE

1. A la température du zéro absolu, donnez les probabilités de trouver des électrons dans les
niveaux E < EF et E > EF, respectivement, ainsi qu’une explication qualitative.
- f(e)= 1 pour E<Ef : Tous les electrons sont dans la BV
Rmq: À T=0 K
- f(e)= 0 pour E>Ef : Tous les electrons sont dans la BC

2. C’est quoi le rôle d’un centre de recombinaison dans le fonctionnement de Lasers ?

Les centre de recombinaisons sont des ions implantés permettant la génération de lumière
avec différente longueur d’onde que celle de Eg intrinsèque

3. Expliquez le rôle du paramètre « longueur de diffusion » dans les jonctions PN et discutez les
deux cas et leur influence sur les applications choisis
Si la longueur de diffusion est plus grande que la ZCE alors la jonction PN est bonne pour
l’utilisation de conduction d’électricité, si c’est le cas contraire elle est utilisée dans la ....
4. Définissez le flux inverse dans une jonction PN en citant la cause de son apparition ?
Le flux inverse résulte de l’apparition de charges fixes ‘ions’ à l’interface créant par
conséquent un champs électrique qui favorise le passage des porteurs minoritaire d’un part
et d’autre de la jonction

5. Décrivez l’effet transistor, en termes de migration de porteurs de charge, dans un transistor

bipolaire PNP ? Ainsi que les conditions de polarisation correctes de ses jonctions et les
dimensions de chaque région ?
Le principe de l'effet transistor consiste à moduler le courant inverse de la jonction base
collecteur polarisée en inverse, par une injection de porteurs minoritaires dans la base à
partir de la jonction émetteur-base polarisée dans le sens direct
Jonction BE polarisée en directe ; Jonction CB polarisée en inverse
la base est faiblement dopée ; la base est très fine

6. Expliquez les variations de densités de porteurs minoritaires aux limites de ZCE d’une jonction
pour une polarisation inverse
La conduction est donc favorisée, empêchant la diffusion des porteurs majoritaires. Les
minoritaires vont en revanche être envoyés par conduction vers les régions où ils
deviendront majoritaires, entrainant ainsi une diminution des densités de porteurs
minoritaires de part et d’autre de la ZCE

7. Définir la Datasheet d’un Transistor ? en citant 3 paramètres principales qui y sont inclus
La datasheet est la fiche technique fournie par le constructeur pour décrire les limites et les
zones de fonctionnement normal d’un transistor et elle inclue les : point de fonctionnement

8. Un semi-conducteur de type p est :

A. ☐ Chargé positivement
B.  Neutre électriquement
C. ☐ Contient un champs électrique dirigé suivant sa longueur
D. ☐ Aucune de ces réponses

9. Eg du silicium est plus grande que celle d germanium car :

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A. ☐ ‘Si’ a moins de nombre d'électrons

B. ☐ ‘Si’ a un numéro atomique plus grand
C. ☐ Le cristal de ‘Si’ a des liaisons plus fortes appelées liaisons ioniques
D.  Les électrons de ‘Si’ valence sont plus liés à leur noyau

10. Dans un semi-conducteur intrinsèque, la mobilité des électrons dans la bande de conduction
est: :

A. ☐ plus faible que la mobilité des trous dans la bande de valence

B. ☐ Nulle
C.  Plus grande que la mobilité des trous dans la bande de valence
D. ☐ Plus grande que la mobilité des trous dans la bande de valence

11. Une petite concentration de porteurs minoritaires est injectée dans un cristal semi-conducteur
homogène en un point. Un champ électrique de 10 V.cm est appliqué à travers le cristal et cela
déplace les porteurs minoritaires sur une distance de 1 cm soit 20 μs. La mobilité (en cm2/ V.s)
est:

A. ☐ 100
B. ☐ 200
C. ☐ 50
D.  Aucune de ces réponses

12. Quand un transistor PNP est polarisé correctement, on a :

A. ☐ IC=-IB
B. ☐ VBE=0,7 V
C.  VCE est négative
D.  VEB est positive

13. Le niveau de Fermi intrinsèque d'un semi-

conducteur dépend de :

A. ☐ ( Ec + Ev )/ 2
B. ☐ mp *
C. ☐ mn *
D.  Toutes ces réponses

14. Lorsqu'une diode est polarisée en directe, la recombinaison des électrons et des trous libres peut
produire
A. ☐ Chaleur
B. ☐ Lumière
C. ☐ Rayonnement
D.  Toutes ces réponses

15. Les porteurs minoritaires dans un SC sont issus des

A. ☐ Dopage
B.  Paires électron-trous générées thermiquement

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C. ☐ Electrons liés
D. ☐ Aucunes de ces réponses

Exercice 1 :

1-

La longueur de diffusion des trous est plus grande que la longueur de zone neutre

Exercice 2 :

On considère un échantillon de Silicium avec ND= 1017 cm-3

a- Trouver la position de EF
b- Trouver les positions de EFn et EFp et tracez-les, quand un excès de porteurs de charge
est injecté tel que Δn= Δp= 1015 cm-3. (Régime faible injection)

A-

EF est en dessous de Ec par 0.15 ev

B- n = n0 + n’= Nd + n’= 1,01 x 1017 cm-3

EFn coïncide pratiquement parfaitement avec EF

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