Solution TD2 : Electrostatique

Exercice 1 : Distributions de charges linéaires

 OM
1° Soient O la projection de M sur le fil chargé et i = le vecteur unitaire de l’axe Ox défini
OM
par O et M . Pour tout point P  fil, il existe un point P' , symétrique de P par rapport à O , tel

que les contributions au champ total dE P (M ) et dE P ' ( M ) sont symétriques par rapport à Ox . Le

champ résultant E (M ) est donc nécessairement porté par cet axe de symétrie. Il est dirigé de O

vers M car   0 .

2a) Surface de Gauss = cylindre de rayon d , de hauteur h quelconque, ayant le fil chargé comme
axe de symétrie et fermé en haut et en bas par deux disques D1 et D2 perpendiculaires au fil.

h
2b) Qi = 0 dl = h

   
2c) ( E , SG ) = ( E , D1 ) + ( E , D2 ) + ( E , S L ) avec

 
• ( E , D1 ) = ( E , D2 ) = 0 ,
  
• ( E, S L ) = MS E ( M )  dS( M ) = E ( M )  S L
L

S L =surface latérale du cylindre = 2hd

 Q   1
Or, d’après le théorème de Gauss on a aussi ( E , SG ) = i , d’où : E ( M ) =
0 20 d

  dl PM   dl
3. E ( M ) = P fil dE P ( M ) = E x i avec E x = P fil i = P fil PM 2 cos
40 PM 3
40

• x=d
l d
• tg =  dl = xd (tg ) = x 2
x cos 
x 1 cos2 
• cos  =  =
PM PM 2 x2
 +

d cos2   1 + 2  1
 Ex =
40 
−
2 x
cos  x
2 2
=   cos d =
40 d − 2 20 d
2

4. Le calcul indirect, par théorème de Gauss, est évidemment plus simple et plus rapide.
 Solution TD2 : Electrostatique
Exercice 2 : Distributions de charges surfaciques :

A) Méthode de calcul direct du potentiel électrostatique.

Lorqu'on dispose d'une distribution de charges qu'il est facile de paramétrer (par exemple
un disque chargé), on peut faire comme pour le champ le calcul du potentiel électrostatique
en calculant l'intégrale explicitement :

• Choix du repère (cartésien, cylindrique, sphérique)

• Simplification de l'expression de V par utilisation des symétries et invariances
• Expression du potentiel élémentaire créé par une portion infinitésimale de la
distribution. Cette portion élémentaire doit être choisie judicieusement pour
simplifier les calculs exemples).

On calcule le potentiel par la méthode directe pour un point M de cote z>0:

• On utilise comme surface élémentaire une couronne élémentaire de rayon r,

d'épaisseur dr. Cette couronne est vue sous un angle α depuis le point M. On
intégrera suivant α pour « balayer » toute la surface de la couronne.
• La surface de cette couronne élémentaire est . Le potentiel créé en

M par cette couronne élémentaire est donc

• Comme on veut intégrer suivant α, on va chercher à tout exprimer en fonction de α
et z:

o donc

o
 Solution TD2 : Electrostatique

On obtient finalement , ce qui après simplification

donne

•
• On intègre pour entre 0 et :

• On revient aux données du problème :

La symétrie de la distribution par rapport au plan du disque assure .

B) Plan infini uniformément chargé

1. P  plan, P' plan tel que dE P (M ) et dE P ' ( M ) sont symétriques par rapport à l’axe défini

par O et M . O étant la projection de M sur le plan chargé. Le champ résultant E (M ) est donc
nécessairement porté par cet axe de symétrie. Il est dirigé de O vers M car   0 . Autrement dit :
   OM  
E ( M ) = E x i avec i = et E x = E ( M )  i .
OM

2. SG = cylindre d’axe OM , de rayon r quelconque, de hauteur h = 2d , fermé en haut par un

disque D1 normal à OM et passant par M , et en bas par un disque D2 // D1 .
   
 ( E , SG ) = ( E , D1 ) + ( E , D2 ) + ( E , S L ) avec
 
• ( E , D1 ) = ( E , D2 ) = E (d )r 2

• ( E , S L ) = 0

donc ( E , SG ) = 2r 2 E (d )

 Q 
3. Qi = M S dS( M ) = r 2 , or ( E , SG ) = i , d’où E (d ) = .
G 0 2 0

4. Pour deux points M et M ' situés de part et d’autre du plan chargé, on a

           
E(M ) = i et E ( M ' ) = ( −i ) = − i d’où E ( M ) − E ( M ' ) = i .
2 0 2 0 2 0 0

5. Calcul direct
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   dS( P)
E ( M ) = E y j avec E y =
40 PPlan PM 2
cos

En coordonnées polaires ( r, ) on a :

• dS( P) = rdrd
• PM 2 = y 2 + r 2
y y
• cos  = = d’où
PM y + r2
2


 rdr y 2  rdr   1  
Ey =
40  yd
(y + r2 )
32
=
40  d 0
(y + r2 )
23
=
2 0
y −  =
y + r  0 2 0

Plan 2 0 2 2 2

C) Sphère uniformément chargée en surface

3. La charge totale portée par la surface de la sphère ( O, R ) est donnée par

( Rd )( R sin d ) = R 2 2 − cos 0 =  4R 2 .
 =  = 2 
Q = M Surface dS( M ) =   =0  =0
Par raison de symétrie, le champ en tout point M à l’extérieur de la sphère est
 
porté par OM et son module ne dépend que de r = OM , c-à-d E ( M ) = E ( r )er .


Soit S G la sphère de centre O et de rayon R . Le flux de E à travers S G est

Q
 = 4r 2 E(r) , or d’après le théorème de Gauss ce flux est aussi égal à d’où
0

 1 Q
E (r) = er .
40 r 2

C’est donc bien le même champ que celui que créerait la charge Q s’elle était concentrée au centre
O.

4. En prenant comme surface de Gauss la sphère ( O, r ), on obtient :

• Qi = 0

• ( E , SG ) = E ( r )4r 2 d’où
 Q
E ( r ) = 0 , car ( E , SG ) = i
0

On peut remarquer qu’à la traversée de la surface chargée, ici aussi le champ subit une discontinuité

1 Q 
=
40 R 2  0
 Solution TD2 : Electrostatique
 C1 si r  R
dv 
3. E ( r ) = − grad(V ( r ))  E ( r ) = −  V ( r ) = −  E ( r )dr =  Q 1
dr + C 2 si r  R

 40 r
Détermination des constantes d’intégration C1 et C 2

• V ( r ) → 0 quand r →   C 2 = 0
Q 1
Continuité du potentiel au point r = R  C1 =
40 R

D) Cylindre uniformément chargée en surface

  
1. Symétrie  E ( M ) = E ( r )u avec r = OM , O =projection de M sur l’axe du cylindre et

 OM
u= .
OM
Prenons comme surface de Gauss un cylindre coaxial, de rayon r , de hauteur h quelconque, fermé
par deux disques D1 et D2 perpendiculaires à l’axe de symétrie. Il vient :

• Qi = 0 si r  R
z = h  = 2
• Qi = PS dS( P) =  z =0  =0 (dz)( Rd ) =  (2Rh) si r  R
G
   
• ( E , SG ) = ( E , D1 ) + ( E , D2 ) + ( E , S L ) = 0 + 0 + E ( r )2rh
0 si r  R

 E ( r ) =   R si r  R
  0 r


Rque : Discontinuité de à la traversée de la surface chargée.
0

 C1 si r  R
dV 
2. E ( M ) = − grad(V ( M ))  E ( r ) = −  V ( r ) = −  E ( r )dr = − R Log(r) + C si r  R
dr 
 0
2

Détermination des constantes d’intégration C1 et C 2 : Ici la condition lim V ( r ) = 0 n’est plus valable
r →

car il y a des charges à l’infini. Donc la seule condition disponible est celle relative à la continuité du
potentiel au point r = R , et qui se traduit par une relation entre les deux constantes

R
C1 = − Log( R) + C2
0

Ceci signifie que si l’on ne se fixe pas la valeur de l’une de ces constantes, tout ce qu’on peut
R r 
déterminer parfaitement c’est la différence de potentiel V ( r2 ) − V ( r1 ) = Log 1  , r1 , r2 .
0  r2 
 Solution TD2 : Electrostatique
 C1 si r  R
dV 
3. E ( M ) = − grad(V ( M ))  E ( r ) = −  V ( r ) = −  E ( r )dr = − R Log(r) + C si r  R
dr 
 0
2

Détermination des constantes d’intégration C1 et C 2 : Ici la condition lim V ( r ) = 0 n’est plus valable
r →

car il y a des charges à l’infini. Donc la seule condition disponible est celle relative à la continuité du
potentiel au point r = R , et qui se traduit par une relation entre les deux constantes

R
C1 = − Log( R) + C2
0

Ceci signifie que si l’on ne se fixe pas la valeur de l’une de ces constantes, tout ce qu’on peut
R r 
déterminer parfaitement c’est la différence de potentiel V ( r2 ) − V ( r1 ) = Log 1  , r1 , r2 .
0  r2 

Exercice 3 : Distributions de charges volumiques

A) Sphère uniformément chargée en volume

1. P  sphère S , P ' S tq dE P (M ) et dE P ' ( M ) sont symétriques par rapport à l’axe OM 

   OM
E ( M ) = E ( r )u avec r = OM et u = 
OM
En choisissant comme surface de Gauss la sphère ( O, r ) on obtient :

 4 3
  r si r  R
• Qi = V ( SG ) =  3
4
  R 3 si r  R
 3

• ( E , SG ) = E ( r )4r 2 r
D’où

 R 3 1
2. Pour r = R on a bien R= . Le champ électrostatique ne subit donc pas de
3 0 3 0 R 2
discontinuité à la traversée d’un volume chargé.

B) Cylindre chargé en volume

1. P  volume chargé P' au même volume tq dE P (M ) et dE P ' ( M ) sont symétriques par

OM
rapport à OM . D’où E ( M ) = E ( r )u avec r = OM et u =
.
OM
En choisissant comme surface de Gauss un cylindre de même axe que le cylindre chargé, de rayon r ,
de hauteur h quelconque, fermé par deux disques D1 et D2 perpendiculaires à l’axe de symétrie ;
on obtient:
 Solution TD2 : Electrostatique
0 si r  R1

• Qi =  h (r 2 − R12 ) si R1  r  R2
 h (R 2 − R 2 ) si r  R
 2 1 2
   
( E , SG ) = ( E , D1 ) + ( E , D2 ) + ( E , S L ) = 0 + 0 + E ( r )2rh



0 si r 2 R1 2
Q 1   r − R1
D’où E ( r ) = i = si R1  r  R2
 0 2h  2 0 r
  (R2 − R1 ) 1
2 2

 si r  R2
 2 0 r

C) Systèmes de deux sphères chargées l’une en volume et l’autre en surface

R1  2 4
1. Q1 = PS1 d ( P) =  r =0  =0  =0 (dr)(r sin d )(rd ) =  R13
3
 2
2. Q2 = PS 2 dS( P) =   =0  =0 ( R2 d )( R2 sin d ) =  4R22
 
3. E ( M ) = E ( r )er  Si on choisit comme surface de Gauss
 Q
la sphère ( O, r ) , on obtient ( E , SG ) = E ( r )4r 2  i d’où
0
 4 3
  3 r si r  R1
Qi 1 
E (r) = avec Qi = Q1 si R1  r  R2
40 r 2
Q + Q si r  R
 1 2 2

  2
V1 ( r ) = − 6 r + C1 si r  R1
 0
 R13 1
4. V (r ) = − E (r )dr = V2 ( r ) = + C2 si R1  r  R2
 3 0 r
 R13 + 3R22 1
V
 3 ( r ) = + C3 si r  R2
 3 0 r
Détermination des constantes d’intégration

• C3 = lim V3 (r ) = 0
r→


• C 2 es telle que : V2 ( R2 ) = V3 ( R2 )  C2 = R
0 2