1

Cours dElectronique Analogique

ENSPS - 1
ire
anne. Anne universitaire : 2003/2004
Thomas Heiser
Laboratoire PHASE-CNRS
(Physique et Applications des Semiconducteurs)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
mail: heiser@phase.c-strasbourg.fr
http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA2004/
2
Contenu du cours
1. Quelques rappels utiles
2. Les Diodes
3. Applications des diodes
4. Le Transistor bipolaire
5. Les Transistors effet de champ
6. Rtroaction et amplificateur oprationnel
Bibliographie
Trait de l lectronique analogique et numrique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
Principes dlectronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
Electronique: composants et systmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
Microlectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
3
1. Les bases
1.1 Composants linaires et loi dOhm :
Le modle linaire ne dcrit le comportement rel du composant que dans un domaine de
fonctionnement (linaire) fini.
I
V
Rsistance lectrique = composant linaire :
V = R I
loi dOhm
V
I
R
Gnralisation aux circuits en rgime harmonique (variation sinusodale des tensions et courants) :
( ) ( ) ( ) I Z V
( )

jC
Z
1

C
L
( ) jL Z
composant linaire :
impdance :
4
1.2 Source de tension, source de courant :
1.2.1 Sources idales :
I
V
I
o
I
o
V charge
I
source de courant
idale :
le courant fourni par la source est indpendant de la charge
source de
tension idale :
V
I
V
o
V
o
V charge
I
la tension aux bornes de la source est indpendantede la charge
5
V
1.2.2 Sources relles :
I
I
o
source de courant
relle :
Le domaine de linarit dfini la plage de fonctionnement du composant en tant que source de
courant
domaine de fonctionnement linaire
ou domaine de linarit
source de courantR
i
>> V/I = Z
e
= impdance dentre de la charge.
i
o
R
V
I I
o
I cst I
tant que I >> courant dans la rsistance interne

,
_

i
R
V
schma
quivalent
Schma quivalent:
I
o
R
i
V charge
I
R
i
= rsistance interne
(G
i
= 1/R
i
= conductance interne)
hyp : Vdomaine de linarit
6
V
I
V
o
source de tension
relle :
domaine de linarit
schma
quivalent
V
o
V charge
I
source de tension R
i
<< Z
e
I R V V
i o

o
V cst V
tant que la chute de potentiel aux bornes de R
i
est faible
devant V ( ) V I R
i
<<
charge V
I
V
o
R
i
hyp : Vdomaine de linarit
Schma quivalent:
7
Transformation de schma :
selon la valeur de Z
e
/R
i
on parle de source de tension (Z
e
>>R
i
) ou source de courant (Z
e
<<R
i
)
en fait...

vu de
la
charge
V
o
R
i
R
i
I
o
avec
i
o
o
R
V
I
= courant de court-circuit
(charge remplace par un
court-circuit)
I R V V
R
V
R
V
R
V
I I
i o
i i
o
i
o

puisque
[V
o
= tension en circuit ouvert du diple]
Sources lies Lorsque la tension (ou le courant) dlivre par une source dpend de la
tension aux bornes dun des composants du circuit ou du courant le
parcourant, la source est dite lie. Vous verrez des exemples de sources
lies dans le cas des transistors.
8
1.3 Thorme de Thvenin :
Tout circuit deux bornes (ou diple) linaire, constitu de rsistances, de sources de tension et
de sources de courant est quivalent une rsistance unique R
Th
en srie avec une source de tension
idale V
th
.
Calcul de V
th
:
( ) ouvert circuit
!
V V
th

( )
( )
( ) circuit - court
ouvert circuit
circuit - court
!
I
V
I
V
R
th
th

Calcul de R
th
:
V
I
A
B

V
th
R
th
V
I
= gnrateur de Thvenin
A
B
ou
[remplacement des sources de tension non-lies par un fil (V
o
=0), et
des sources de courant non-lies par un circuit ouvert (I
o
=0)]
AB th
R R
en absence des tensions et courants fournies par les sources non-lies.
9
Mesure de R
th
:
s Au multimtre : exceptionnel puisquil faut remplacer toutes sources non-lies par des court-
circuits ou des circuits ouverts tout en sassurant que le domaine de linarit stend jusqu
V=0V.
s A partir de la mesure de V(I) :
I
V
mesures
pente = - R
th
gnrateur quivalent de Thvenin
V
th
En rgime harmonique le thorme de Thvenin se gnralise aux impdances complexes.
Gnrateur de Norton = source de courant quivalente au gnrateur de Thvenin
R
th
= impdance de sortie du montage.
2
th
V
mthode de division moiti
th
V
V
R R
I
V
th
!
charge
2

10
2. Les Diodes
2.1 Dfinition
s Caractristique courant-
tension dune diode idale :
I
d
V
d
I
d
V
d
sous polarisation directe
(V
d
0), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)
sous polarisation inverse (V
d
<0)
la diode = circuit ouvert
Ce type de composant est utile pour raliser des fonctions lectroniques telles que le
redressement dune tension, la mise en forme des signaux (crtage, ).
La diode (mme idale) est un composant non-linaire
Aujourdhui la majorit des diodes sont faites partir de matriaux semiconducteurs
(jonction PN ou diode Schottky, cf cours Capteurs 1A et Option: Physique des dispositifs
lectrique 2A)
11
2.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium
hyp: rgime statique
(tension et courant
indpendants du
temps)
V
d
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
20
60
100
140
I
d
I
s
s Pour V
d
<0, la diode se comporte comme un bon isolant : I
s
~ 1 pA - 1A ,
la diode est dite bloque
dans ce domaine son comportement est approximativement linaire
le courant inverse, I
s
, augmente avec la temprature
comportement linaire
s Pour V
d
>>~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation peu prs linaire
la diode est dite passante
mais I
d
nest pas proportionnel V
d
(il existe une tension seuil~ V
o
)
V
o
12
V
d
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
20
60
100
140
I
d
1
]
1

,
_

1 exp
T
d
s d
V
V
I I

s Zone du coude : V
d
[0,~ V
o
] : augmentation exponentielle du courant
avec 1 2 (facteur didalit)
V
T
= k T/e
k = 1,38 10
-23
J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10
-19
Coulomb, T la temprature en Kelvin
I
s
= courant inverse
le comportement est fortement non-linaire
forte variation avec la temprature
V
o
V
T
(300K) = 26 mV
13
s Zone de claquage inverse
Ordre de grandeur :
V
max
= quelques dizaines de Volts
peut conduire la destruction pour une
diode non conue pour fonctionner dans
cette zone.
V
max
= P.I. V (Peak Inverse Voltage) ou
P.R.V (Peak Reverse Voltage)
I
d
V
d
V
max
claquage par effet
Zener ou Avalanche
V
o
Limites de fonctionnement :
Il faut que V
d
I
d
=P
max
s Limitation en puissance
V
d
I
d
=P
max
s I nfluence de T :
V
d
( I
d
constant) diminue de ~2mV/C
diode bloque : I
d
= I
S
double tous les 10C
diode passante :
(diode en Si)
14
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge
I
d
et V
d
respectent les Lois de Kirchhoff
2.3.1 Point de fonctionnement
I
d
et V
d
sont sur la caractristique I(V) du composant
V
al
R
L
V
R
I
d
I
d
, V
d
, ?
s Comment dterminer la tension aux bornes dune diode insre dans un circuit et le
courant qui la traverse?
V
d
Au point de fonctionnement de la diode, (I
d
,V
d
) remplissent ces deux conditions
15
V
al
/R
L
V
al
Droite de charge
I
d
V
d
Caractristique I(V)
2.3.2 Droite de charge
s Loi de Kirchoff :
L
d al
d
R
V V
I

L =Droitede charge de la diode dans le circuit
Connaissant I
d
(V
d
) on peut dterminer graphiquement le point de fonctionnement
procdure valable quelque soit la caractristique I(V) du composant !
On peut calculer le point de fonctionnement en dcrivant la diode par un modle simplifi.
Q=Point de fonctionnement
I
Q
V
Q
Q
16
2.4 Modles Statiques segments linaires
2.4.1. Premire approximation: Diode idale
On nglige lcart entre les caractristiques relle et idale
V
al
>0
I
d
V
d
V
al
pente=1/R
i
V
al
<0
I
d
V
d
V
al
V
al
R
i
I
d
V
d
I
d
V
d
q pas de tension seuil
q conducteur parfait sous polarisation directe
q V
d
<0: circuit ouvert
diode bloque
0 <
d
V
al d d
V V I , 0
V
al
R
i
s Schmas quivalents :
V
al
R
i
0 ,
d
i
al
d
V
R
V
I
diode passante
0
d
I
hyp: I
d
, V
d
constants
17
2.4.2 Seconde approximation
I
d
V
d
I
d
V
d
q tension seuil V
o
non nulle
q caractristique directe verticale
(pas de rsistance srie)
q V
d
<0: circuit ouvert
I
d
V
o
V
al
R
i
V
o
schmas quivalents:
diode passante
0
d
I
V
al
R
i
V
al
<V
o
V
d
V
al
o d
i
o al
d
V V
R
V V
I

,
diode bloque
o d
V V <
al d d
V V I , 0
V
al
R
i
s Schmas quivalents
V
al
>V
o
I
d
V
d
V
al
pente=1/R
i
V
o
Pour une diode en Si: V
o
0,6-0,7 V
18
2.4.3 3
ime
Approximation
I
d
V
d
q tension seuil V
o
non nulle
q rsistance directe R
f
non nulle
q V
d
<0: rsistance R
r
finie
V
d
1
V
o
Modlisation
pente = 1/R
f
pente = 1/R
r
~0
Caractristique relle
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
s Schmas quivalents
I
d
V
d
V
al
pente=1/R
i
V
o
V
al
>V
o
:
V
al
R
i
I
d
V
d
V
al
R
r
diode bloque
V
al
<V
o
:
o d
V V <
V
al
R
i
diode passante
V
o
R
f
schmas quivalents:
o d d
V V I et 0
d f o d
I R V V +
V
d
I
d
Pour une diode en silicium,
V
o
= 0,6-0.7V, R
f
~
q.q. 10, R
r
>> M,
19
Remarques :
s
d
d
f
I
V
R
s Le choix du modle dpend de la prcision requise.
s Les effets secondaires (influence de la temprature, non-linarit de la
caractristique inverse, .) sont pris en compte par des modles plus volus
(modles utiliss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).
20
2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via lutilisation des schmas quivalents :
Problme: le schma dpend de ltat (passante ou bloque) de la diode.
Dmarche (pour dbutant...):
a) choisir un schma (ou tat) en vous aidant de la droite de charge
b) trouver le point de fonctionnement Q de la diode
c) vrifier la cohrence du rsultat avec lhypothse de dpart
Sil y a contradiction, il y a eu erreur sur ltat suppos de la diode.
Recommencer le calcul avec lautre schma.
Dmarche pour tudiants confirms...
Un coup dil attentif suffit pour trouver ltat (passant/bloqu) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schma quivalent...
21
Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ime approximation pour la diode.
V
al
= 5V
R
L
=
1k
>
5V
1k
V
o
R
f
V
d
>
I
d mA
R R
V V
I
L f
o al
d
33 , 4
+

L
V I R V V
d f o d
66 , 0 et +
hypothse initiale : diode passante
Informations sur la diode:
V
o
= 0.6V (Si)
R
f
= 15
R
r
=1M
[V
d
>V
o
, (I
d
>0)]
OK!
En partant de lhypothse dune diode bloque: K
o d
V V V > 5
En utilisant la 2ime approximation: (R
f
= 0, R
r
= )
V V mA I
d d
6 , 0 et 4 , 4 L
La 2
ime
approx. est souvent suffisante pour une tude rapide du fonctionnemnt dun circuit
22
Autres exemples :
v
sortie
v
entre
R
1
= 1k
V
ref
=2V
avec v
entre
signal basse frquence telque le modle statique reste
valable (priode du signal < temps de rponse de la diode pas
deffet capacitif ou )
Etude du signal de sortieen fonction de lamplitudedu signal dentre:
frquence nulle :
v
entre
= V
e
(constant)
2)
1)
V
al
50
1M
Calcul de I
d
et V
d
pour :
a)V
al
= -5V
b) V
al
= 5V
Caractristiques des diodes :
R
f
= 30, V
o
=0.6V, I
s
=0 et R
R
infinie
Conseil: simplifier le circuit dabord avant de vous lancer dans des calculs
23
V
o
a) V
1
= V
2
= 5V
Dterminer V
s
, V
D1
et V
D2
pour :
b) V
1
= 5V V
2
= 0V
c) V
1
= 0V V
2
= 0V
Caractristiques des diodes :
R
f
= 30, V
o
=0.6V, I
s
=0 et R
R
infinie
V1
V2
R
270
R
270
D1
D2
V
s
3)
2V
4.7k
24
2.5 Comportement dynamique d une diode
2.5.1 Prlude: Analyse statique / dynamique dun circuit
L Analyse dynamique
ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou signaux lectriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )
na dintrt que sil y a des sources variables!
L Analyse statique
se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs lectriques
(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)
= Analyse complte du circuit si seules des sources statiques sont prsentes
Notation : lettres majuscules pour les composantes continues
lettres minuscules pour les composantes variables
25
I llustration : Etude la tension aux bornes dun composant insr dans un circuit.
R
1
R
2
V(t)
V
e
v
e
( ) ( ) [ ] ( ) t v
R R
R
V
R R
R
t v V
R R
R
t V
e e e e
2 1
2
2 1
2
2 1
2
+
+
+
+
+

Calcul complet
V
v(t)
Analyse statique : ? " " ) ( V t V
Analyse dynamique : ( ) ( ) ? V t V t v
hypothses: v
e
= signal sinusodale
V
e
= source statique
26
Par le principede superposition :
Comme tous les composants sont linaires, le principe de superposition sapplique
la source statique V
e
est lorigine de V , et v
e
est lorigine de v
V
e
R
1
R
2
V
Analyse statique:
schma statique du circuit
v
e
= 0
e
V
R R
R
V
2 1
2
+

Analyse dynamique: V
e
= 0
( ) ( ) t v
R R
R
t v
e
2 1
2
+

v
e
R
1
R
2
schma dynamique
v
Une source de tension statique correspond un court-circuit dynamique
27
Autres exemples:
v
e
I
o
R
1
R
2
R
3
V(t)=V+v(t)
Une source de courant statique est quivalent en rgime dynamique un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]
1)
o
I
R R R
R R
V
3 2 1
3 1
+ +

Schma statique
I
o
R
1
R
2
R
3
V
Schma dynamique
v
e
R
1
R
2
R
3
v
( )
( )
3 2 1
3
R R R
t v R
t v
e
+ +

28
2)
V(t)
v
g

R
g
V
al
R
1
R
2
C
Schma statique:
al
V
R R
R
V
2 1
2
+

frquence nulle C = circuit ouvert
C = composant linaire caractris par une impdance qui
dpend de la frquence du signal
V
V
al
R
1
R
2
29
Schma dynamique :
v
v
g

R
g
R
1
R
2
schma quivalent dynamique
g
Z R R
R R
v
+

1 2
1 2
//
//
iC
R Z
g g
1
avec +
pour suffisamment leve :
g
g
v
R R R
R R
v
+

1 2
1 2
//
//
iC
Z
c
1

Z
C
g g
R Z et
A haute frquence ( prciser suivant le cas), le condensateur peut tre remplac par un
court-circuit.
30
Le principe de superposition nest plus valable en prsence de composants non-linaires !
Extrapolations possibles:
s le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linarit du composant non-
linaire
s lamplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du composant
reste approximativement linaire.
31
2.5.2 Fonctionnement dune diode dans un de ses domaines de linarit (D.L.) :
V
d
1
V
o
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
I
d
D.L. direct
D.L. inverse
Tant que le pt. de fonctionnement reste
dans le D.L. la diode peut tre dcrite par le
modle linaire appropri
le point de fonctionnement reste dans le D.L. direct
la diode peut tre remplace par le modle linaire suivant :
0,6V
10
Exemple:
5V
100
1k
( ) t 2 100 sin 5 , 0
diode: Si, R
f
= 10 , V
o
= 0,6V
V(t)
32
Schma statique:
5V
100
1k
10
0,6V
V = = 4,6V
Schma dynamique:
100
10
1k
( ) t v
e
2 100 sin 45 , 0
( ) t 2 100 sin 5 , 0
ATTENTION, lutilisation des modles segments linaires nest plus valable si le point
de fonctionnement passe dans la zone du coude
reprsente la diode seulement si le pt de
fonctionnement reste dans le D.L. sous
polarisation directe
33
s Variations de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :
la caractristique I
d
(V
d
) peut tre approxime par la tangente en Q

d
Q
d
d
d
v
dV
dI
i
schma quivalent dynamique
correspondant au point Q :

1
Q
d
d
dV
dI
= rsistance dynamique
de la diode
I
d
V
d
V
o
Q
Q
d
d
dV
dI
pente :
Q
d
I
Q
d
V
2|i
d
|
2 v|
2.5.3 Modle faibles signaux (basses frquences)
Ce schma ne peut tre utilis QUE pour une analyse dynamique du circuit !
hypothse: variation suffisamment lente (basse frquence) pour que la caractristique statique reste
valable.
34
s Notation :
r
f
= = rsistance dynamique pour V
d
Q
> 0
r
r
= = rsistance dynamique pour V
d
Q
< 0
1
0

>
d
V
d
d
dV
dI
1
0

<
d
V
d
d
dV
dI
temprature ambiante :
( )
( ) 1
25

mA I
r
d
f
Pour V
d
>> V
o
, r
f
R
f
Pour V
d
< 0 , r
f
R
r
Pour V
d
[0, ~V
o
] ,
d
T
s
V
V
s
d
V
d
d
f
I
V
I e I
dV
d
dV
dI
r
T
d
d

1
1
1
]
1

,
_

1
1
proche de V
o
la caractristique I(V) scarte de la loi exponentielle
r
f
ne devient jamais infrieur R
f
(voir courbe exprimentale, p11)
35

r
f
R
f

r
r
R
r
>>M
I
d
V
d
Q
I
d
V
d
Q

Q
d
T
f
I
V
r
I
d
V
d
Q
s Rsum des schmas quivalents faibles signaux, basse frquence :
hyp : la frquence est suffisamment faible pourque i
d
et v
d
soient en phase
impdance relle (rsistance dynamique)
36
Exemple :
V
d
(t)
V
e
v
e
R
a
1k
C
10F
D
R
b
2k
5V
Analyse statique :
V V mA I
d d
62 , 0 , 2 , 2
2000
6 , 0 5

diode: Si, R
f
= 10 , V
o
= 0,6V ,
Temprature : 300K
Analyse dynamique: , 12
2 , 2
26

f
r
( ) t v
e
2 10 sin 1 , 0
3
a c
R Z << 16
Schma dynamique :
1k
v
e
2k
~ 12
v
( ) t v

2 10 sin 10 2 , 1
3 3
Amplitude des ondulations rsiduelles : 1,2 mV
37
2.5.4 Rponse frquentielle des diodes
s Limitation haute frquence :
Pour des raisons physiques, le courant I
d
ne peut suivre les variations instantanes de V
d
au del dune certaine frquence.
apparition dun dphasage entre I
d
et V
d
le modle dynamique basse frquence nest plus valable
s Le temps de rponse de la diode dpend :
du sens de variation (passant bloqu, bloqu passant) (!signaux de grande amplitude)
du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)
38
s Variation de V
d
de faible amplitude, sous polarisation directe (V
d
Q
>0)
une petite variation de V
d
induit une grande variation I
d
, cest --dire des charges qui
traversent la diode
A haute frquence, des charges restent stockes dans la diode (elle narrivent pas suivre
les variations de V
d
)
~ Comportement dun condensateur, dont la valeur augmente avec I
d
(cf physique des composants)
Modle faible signaux haute frquence (V
d
>0) :
T
I
C
Q
d
d

Ordre de grandeur : C
d
~ 40 nF 1mA, 300K.
= capacit de diffusion

r
c
r
sc
basse frquence : r
c
+r
s
=r
f
la sparation en deux rsistances tient mieux compte des phnomnes physiques en jeu.
39
s Variation de V
d
de faible amplitude, sous polarisation inverse (V
d
Q
<0) :
une variation de V
d
entrane une variation du champ lectrique au sein de la diode, qui son
tour dplace les charges lectriques.
haute frquence, ce dplacement donne lieu un courant mesurable, bien suprieure I
s
.
Ce comportement peut encore tre modlis par une capacit lectrique :
r
r
o d
t
V V
C

1
Modle faible signaux haute frquence (V
d
<0) :
= capacit de transition ou dpltion
Ordre de grandeur : ~pF
40
s Diode en commutation : Temps de recouvrement direct et inverse
le temps de rponse dpend du courant avant commutation.
ordre de grandeur : ps ns
Le temps de rponse fini de la diode sobserve aussi en mode impulsionnel , lorsque la diode
bascule dun tat passant vers un tat bloqu et vice-versa.
V
d
V
g
R
V
o
V
g
t
-V
R
V
Q
temps de rponse
-V
R
V
d
V
o
I
d
(V
Q
-V
o
)/R
-V
R
/R
41
2.6 Quelques diodes spciales
Ordre de grandeur : V
Z
~1-100 V , I
min
~0,01- 0,1mA, P
max
rgime de fonctionnement
Diode conue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractrise par une
tension seuil ngative ou tension Zener (V
Z
)
2.6.1 Diode Zener
I
d
V
d
-V
z
-I
min
-I
max
s Caractristiques
V
Z
: tension Zener (par dfinition: V
Z
>0)
I
min
: courant minimal (en valeur absolue) au del
duquel commence le domaine linaire Zener
I
max
: courant max. support par la diode
(puissance max:P
max
~V
Z
I
max
)
R
Z
: rsistance Zener =
z d
V V
d
d
dV
dI
<
ex: 1N759
42
I
d
V
d
-V
z
-I
min
-I
max
Modle statique :
pente
1/R
z
s schmas quivalents
hyp : Q domaine Zener
Q

V
z
V
d
I
d
+
R
z
Modle dynamique, basses frquences, faibles
signaux :
z
Q
d
d
z
R
dV
dI
r
1
1
]
1

1
pour |I
d
| >I
min
43
2.6.2 Diode tunnel
Exploite leffet tunnel travers la jonction PN (cf. Mcanique quantique)
1
!
>
+

f g
s
r R
R
v
v
I llustration: Le pont diviseur comme amplificateur
V
pol
fixe Q dans la partie dcroissante de I(V)
V
pol
v
s
R
v
g
Cet type damplificateur est peu utilis parce quon peut faire mieux...
r
f
ngative, utile pour les circuits rsonnants
Q
I
V
s Caractristique I (V) :
44
2.6.3 Diode lectroluminescente (ou LED)
s Principe : La circulation du courant provoque la luminescence
Fonctionnement sous polarisation directe (V > V
o
)
Lintensit lumineuse courant lectriqueI
d
Ne marche pas avec le Si (cf. cours Capteurs)
V
o
0.7V ! (AsGa: ~1.3V)
45
3. Applications des Diodes
3.1 Limiteur de crte (clipping)
s Fonction : Protger les circuits sensibles (circuits intgrs, amplificateur grand gain) contre
une tension dentre trop leve ou dune polarit donne.
Un aperu qui sera complt en TD et TP.
quand V
g
(t)< V
o
:
g
g e
e
e
V
R Z
Z
V
+

Protection contre les tensions suprieures ~1V

Fonctionnement :
I
d
V
d
=V
e
V
e
Q
V
o
droite de charge
quand V
g
(t) > V
o
= 0.7V :
o e
V V
g
g
R
V
Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode :
g
g
o d o
R
V
V I V P
6 , 0
max
max


(si Z
e
>> q.q. )
Exemple : clipping parallle
V
e
V
g
circuit
protger
R
g
Z
e
(diode // charge)
46
Clippingsrie :
V
e
(t)
circuit
protger
Z
e
V
g
R
g
Fonctionnement :
Tant que V
g
< V
o
, la diode est bloque et le circuit protg
Pour V
g
> V
o
:
Le circuit est protg contre toute tension infrieure V
o
(en
particulier les tensions ngatives)
( )
g g
g e
e
g e
V V
R Z
Z
V V
+
6 , 0 6 , 0
Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode :
e g
g
e g
g
d
Z R
V
Z R
V
I
+

6 , 0
max
Comment peut-on modifier le circuit pour protger la charge contre des tensions positives?
47
s Protection par diode :
V
max<0
~ - 0.7V
V
A
~20,7V
la conduction de la
diode engendre un courant
transitoire et diminue la
tension inductive.
+20V
V
I
+20V
L
I
V
s ouverture de linterrupteur :

V
A
+
risque de dcharge lectrique
travers linterrupteur ouvert
Linterrupteur pourrait tre un
transistor...

dt
dI
L V
Protectioncontre une surtensioninductive
A
48
Exercices :
V
g
V
R
c
V
1
V
2
R
c
D
z
V
g
V
(1)
(2)
(3) Dtecteur de fronts de monte
R
C
R
c
RC >> T
T
V
Quelle est la forme de V(t) pour chacun des circuits suivants ?
49
3.2 Redressement
Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour lalimentation dun appareil en tension continue partir du secteur)
s Objectif:
Redressement simple alternance
220V
50Hz
R
c
V
s
7 . 0
m
V
V
s
t
(cf avant)
R
i
=rsistance de sortie du transformateur
V
m
=amplitude du signal du secondaire
avecfiltragepasse-bas :
R
c
220V
50Hz
R
V
s
Le condensateur se charge travers R (+R
f
) et se
dcharge travers R
c
:
C R C R
c
<<
ondulation rsiduelle
R, C, f
V
s
t
mauvais rendement : la moiti du signal dentre nest pas exploite
50
Redressement double alternace (pont de Graetz)
D
1
D
2
D
3
D
4
R
R
c
s Fonctionnement
V
i
V
s
V
i
t
V
s
,
V V
i
4 . 1 <
~1.4V
quand V
i
> ~1.4V :
D
1
et D
4
= passants, D
2
et D
3
= bloques
Parcours du courant :
quand V
i
< ~ -1.4V :
D
1
et D
4
= bloques, D
2
et D
3
= passantes
Parcours du courant :
51
avecfiltrage :
avec condensateur
sans condensateur
V
s
D
1
D
2
D
3
D
4
R
V
s
50
R
c
=
1
0
k

V
i
200F
Ondulation rsiduelle rduite
52
Courant transitoirede mise sous tension :
Diodes de puissance
Les 4 diodes du pont de Graetz existe sous forme dun composant unique (ou discret)
C est initialement dcharg V
C
0
I
d
peut devenir trop lev
I
dmax
dpend de R et C
R
V
I
i
d
4 , 1
max

I
D2
[V
m
=10V]
V
s
V
secondaire
(mA)
20
40
60
rgime transitoire
53
Autres configurations possibles :
mauvais rendement, puisqu
chaque instant seule la moiti du
bobinage secondaire est utilis
secteur
~
transformateur
point milieu
s Utilisation dun transformateur point milieu :
secteur
~
+V
al
-V
al
masse
s Alimentation symtrique :
54
3.3 Restitution d une composante continue (clamping)
Dcaler le signal vers les tensions positives (ou ngatives)
reconstitution dune composante continue (valeur moyenne) non nulle
s Fonction :
Exemple :
V
c
V
g
(t)
C
V
d
D
R
g
Fonctionnement : On supposera la diode idale (1
ire
approx.)
q Lorsque V
g
- V
c
>0, la diode est passante
V
g
R
g
C
V
c
C se charge et V
c
tend vers V
g
V
d
= 0
V
d
q Lorsque V
g
- V
c
<0, la diode est bloque
V
c
=constant (C ne peut se dcharger!)
V
d
=V
g
+V
c
V
g
R
g
C
V
c
V
d
~ composante continue
Quelle est leffet de la tension seuil V
o
de la diode (non prise en compte ci-dessus) ?
55
V
c
V
g
(t)
C
V
d
D
R
g
q Cas particulier :
( ) 0 pour sin > t t V V
m g

0 pour 0 < t V
c
(C dcharg)
Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge
t (s)
C=1F
R
g
=1k
f= 100hz
V
m
=5V
V
c
V
g
V
d
charge du condensateur
V
d
0.7V
Simulation
56
Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.
Charge de C avec une constante de temps de R
g
C chaque fois que la diode est passante
Dcharge de C avec une constante de temps R
r
C
le circuit rempli ses fonctions, si pour f >>1/R
r
C (10
5
hz dans lexemple) :
en rgime permanent: V
d
V
g
- V
m
composante continue
57
3.4 Multiplieur de tension
s Fonction : Produire une tension de sortie continue partir dun signal dentre variable. La
tension continue est gnralement un multiple de lamplitude du signal dentre.
Exemple : doubleur de tension
clamping
redresseur monoalternance
~
V
g
R
c
>>R
g
R
g
V
D1
V
Rc
V
m
=10V, f=50Hz, C=10F
R
c
=100k.
C
C
( ) 0 pour 2 sin > t t f V V
m g

t
V
D1
,V
Rc
rgime transitoire / permanent
En rgime tabli, le courant dentre du
redresseur est faible (~ impdance dentre
leve)
m m R
V V V
c
2 4 , 1 2
Il ne sagit pas dune bonne source de
tension, puisque le courant de sortie (dans R
c
)
doit rester faible (~ rsistance interne leve)
58
assemblage de deux redresseurs monoalternance en parallle.
limpdance dentre de la charge doit tre >> R
f
+ R
transformateur
+R
protection
source flottante ncessit du transformateur
charge
source
AC
Autreexemples: Doubleur de tension
59
4. Transistor bipolaire
4.1 Introduction
s le Transistor = llment clef de llectronique
il peut :
amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
tre utilis comme une source de courant
agir comme un interrupteur command ( = mmoire binaire)
essentiel pour llectronique numrique
...
il existe :
soit comme composant discret
soit sous forme de circuit intgr, i.e. faisant partie dun circuit plus
complexe, allant de quelques units (ex: AO) quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)
60
s on distingue le transisor bipolaire du transistor effet de champ
diffrents mcanismes physiques
s Ils agissent, en 1
ire
approx., comme une source de courant commande
transistor bipolaire : command par un courant
transistor effet de champ: command par une tension
Idalement : ltage dentre ne dpend pas de ltage de sortie.
I
contrle
source de courant
commande par un
courant
contrle command
I A I
A = gain en courant
V
contrle
source de courant
commande par une
tension
contrle command
V G I
G= transconductance.
61
4.2 Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire
s Structure simplifie
P
+
P
N
E
B
C
metteur
collecteur
base
Transistor PNP
Un transistor bipolaire est constitu de trois zones semiconductrices diffrentes,
lmetteur, la base et le collecteur, qui se distinguent par la nature du dopage.
E
C
Transistor NPN
N
N
P
B
+
couplage
entre les
diodes
diode EB
diode BC
Les deux jonctions PN (ou diodes!) metteur/base et base/collecteur se partagent
la rgion centrale : la base . Le couplage entre les jonctions est lorigine de l
effet transistor : le courant dans lune des diodes (gnralement dans la jonction
base/metteur) dtermine le courant dans la seconde. (cf aprs)
Symtrie NPN/PNP: Les transistors PNP et NPN ont un comportement
analogue condition dinverser les polarits des tensions.
diode EB
diode BC
62
s Effet transistor
si V
EE
> ~ 0.7V, le courant circule entre lmetteur et la base V
BE
~0.7V, I
E
>>0
V
CC
> 0, un champ lectrique intense existe linterface Base/Collecteur
La majorit des lectrons injects par lmetteur dans la base sont collects par le champ
I
C
~I
E
et I
B
=I
E
-I
C
<< I
E
La jonction EB est dyssimtrique (dopage plus lev ct E)
courant port essentiellement par les lectrons (peu de trous circulent de B vers E)
Le courant I
C
est contrl par I
E
, et non vice versa
Exemple: Transisor NPN
N N P
+
B
E
C
V
EE
V
CC
R
E
R
C
E
r
I
E
I
C
I
B
e
-
Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTI F du transistor
63
s Premires diffrencesentre le transistor bipolaire et la source commande idale...
Contraintes de polarisation : V
BE
> ~0.7V, V
CB
>- 0.5V
I
B
non nul = fraction de I
E
ne participant pas la commande de I
C
.
s Symboles
B
NPN
C
E
B
C
E
PNP
la flche indique le sens du
courant dans ltat actif
PNP
V
BE
V
CB
V
CE
I
C
I
E
I
B
sConventions :
NPN
V
BE
V
CB
V
CE
I
C
I
E
I
B
I
E
=I
B
+I
C
64
4.3 Caractristiques du transistor NPN
s Choix des paramtres :
q Configuration Base Commune
( base = lectrode commune)
Caractristiques : I
E
(V
EB
,V
CB
), I
C
(V
CB
,I
E
) ou I
E
(V
BE
,V
BC
), I
C
(V
BC
,I
E
)
q Configuration Emetteur Commun
(metteur= lectrode commune)
Caractristiques : I
B
(V
BE
, V
CE
), I
C
(V
CE
, I
B
)
La reprsentation des caractristiques en configuration collecteur commun est plus rare.
Les diffrentes grandeurs lectriques (I
E
, I
B
,
V
BE
,V
CE
,) sont lies:
diffrentes repsentations quivalentesdes
caractristiques lectriques existent
R
E
R
C
V
EE V
CC
I
E
I
C
I
B
V
EB
V
CB
V
CE
65
sCaractristiques en configuration BC :
Jonction EB passante
I
E
>0, V
BE
0.6-0.7V
Jonction EB bloqu
I
E
~ 0, V
BE
< 0.5 V
I
E
(mA)
V
EB
(V)
V
CB
=0 , -15
-0.1
-0.5
1
2
~ caractristique dune jonction PN
trs peu dinfluence de I
C
(resp. V
CB
)
1
]
1

,
_

1 exp
T
BE
s E
V
V
I I
V
BE
(V)
0,1
0,5
CAS DU TRANSISTOR NPN
I
E
(V
EB
, V
CB
) :
caractristique dentre
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)
66
I
C
(V
CB
, I
E
) :
1
1.5
2.0
tension seuil de la jonction BC
mode actif
pour V
CB
> ~-0.5V, on a I
C
=
F
I
E
, avec
F
proche de 1.
En mode actif, ( )
F E C E B
I I I I 1
Ordre de grandeur :
F
~0.95 - 0.99
F =
gain en courant continue en BC
I
E
(mA)
jonction PN polarise en inverse
V
CB
(V)
0.5
1.0
1.5
-0.5
1
2 3
0
I
c
(mA)
pour I
E
= 0, on a I
C
= courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0
Transistor en mode bloqu
pour V
CB
-0.7, la jonction BC est passante, I
C
nest plus controle par I
E
Transistor en mode satur
0.5

BE
V
E C
I I
67
sCaractristiques en configuration EC :
I
B
(V
BE
, V
CE
) :
V
BE
(V)
I
B
(A)
0.1
0.2 0.3
0
0.5
1.5
3
0.1V
>1V
E
r
I
C
I
B
I
E
N
N
P
V
CE
=
V
BE
> 0.6V, jonction PN passante
I
B
<<I
E
charges non collectes par le champ lectrique de la jonction BC
Influence non-ngligeable de V
CE
sur
F
Effet Early
( )
E F B
I I 1
caractristique dentre
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)
68
I
C
(V
CE
, I
B
) :
Mode actif
Mode actif : BE passant, BC bloque V
BE
0.7V et V
CB
>~ -0.5 V
V
CE
= V
CB
+V
BE
> -0.5 + 0.7 ~0.2 V
Grande dispersion de fabrication sur h
FE
.
( )
B FE B
F
F
C B C F E F C
I h I I I I I I " "
1

ordre de grandeur : h
FE
~ 50 - 250
h
FE
=gain en courant
continue en EC =
F

Effet Early :
F
tend vers 1 lorsque V
CE
augmente h
FE
augmenteavec V
CE
I
c
(mA)
V
CE
(V)
I
b
=20 A
15A
10A
5A
1
2
1 3 5
Transistor satur
Mode satur : Diode BC passante -> I
C
~ indpendant de I
B
h
FE
diminue lorsque V
CE
0
Transistor bloqu
I
C
= I
CO

69
s Modes actif / bloqu / satur
Configuration EC :
Mode bloqu : 0
B
I
CC CE
V V
0
C
I
Transistor NPN
h
FE
I
B
B
E
C
~0.7V
I
B

Mode actif
Mode satur :
V V
BE
8 . 0
V V
CE
2 . 0
B FE c
I h I
~0.2V
B
C
E
~0.8V
Mode satur
B C
E
Mode bloqu
Mode actif :
B FE c
I h I V V
BE
7 . 0
CC CE
V V V < < 3 . 0 ~
B
C
E
V
CC
= source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin)
V
CC
ne peut pas dpasser cette valeur!
70
Mode actif :
B FE c
I h I V V
BE
7 . 0
Mode bloqu : 0
B
I
) 0 ( 3 . 0 ~ < < <
CC CE
V V V
Configuration EC :
CC CE
V V
0
C
I
Mode satur :
V V
BE
8 . 0
V V
CE
2 . 0
B FE c
I h I
B
E
C
~0.7V
h
FE
I
B
I
B
B
Transistor PNP
C
E

Mode actif
~0.2V
B
C
E
~0.8V
Mode satur
B C
E
Mode bloqu
71
s Valeurs limites des transistors
Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)
Puissance maximale dissipe : P
max
=V
CE
I
C
fiches techniques :
Courants de saturations inverses :
I
C
, I
B
et I
E
0 en mode bloqu
I
C
V
CE
=P
max
72
s Influence de la temprature
La caractristique dune jonction PN dpend de la temprature
les courants inverses (mode bloqu) augmentent avec T
V
BE
, I
B,E
constant, diminue avec T
ou rciproquement : pour V
BE
maintenue fixe, I
E
(et donc I
C
) augmente avec T
Risque demballement thermique :
L T dissipe Puissance
C
I T
Necessit dune contre-raction dans les amplificateurs transistors bipolaires :

C B BE C
I I V I T
73
4.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit
s Droites de charges :
Le point de fonctionnement est dtermin par les caractristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliques au circuit.
Exemple : q Comment dterminer I
B
, I
C
, V
BE
, V
CE
?
Droites de charges :
+V
CC
V
th
R
th
R
c
BE B th th
V I R V +
th
BE th
B
R
V V
I


CE C C CC
V I R V +
C
CE CC
C
R
V V
I


Point de fonctionnement
74
s Point de fonctionnement
V
BEQ
0.6-0.7V, ds que V
th
> 0.7V
(diode passante
transistor actif ou satur)
V
BE
(V)
I
B
0.1
0.2 0.3
Q
I
BQ
V
BEQ
th
BE th
B
R
V V
I

CC CE CE
V V V
Q sat

c
CC
c
CE CC
c CO
R
V
R
V V
I I
sat

I
c
(mA)
V
CE
(V)
I
BQ
C
CE CC
C
R
V V
I

Q
V
CEQ
I
CQ
V
CEsat
I
CO
Q fixe le mode de fonctionnement du transistor
75
Exemple : Calcul du point de fonctionnement
+V
CC
=10V
V
th
=1V
R
th
=30k
R
c
=3k
h
FE
=100
A I
Q
B
10
mA I
Q
C
1
V V
Q
CE
7
On a bien : ~0,3 <V
CEQ
< V
CC
Rsultat cohrent avec le mode actif du transistor.
V
th
R
th
R
c
V
cc
I
B
0.7V
h
FE
I
B
76
q Remplacement de R
th
par 3k :
A I
Q
B
100 L
mA I
Q
C
10 L
V V
Q
CE
20 L !!
Rsultat incompatible avec le mode actif
le modle donne des valeurs erronnes
Cause :
I
c
(mA)
V
CE
(V)
I
BQ
Q
V
CEQ
En ayant augment I
BQ
,(rduction de R
th
)
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
V V
Q
CE
3 . 0 ~
et
mA I
Q
C
2 . 3
+V
CC
=10V
V
th
=1V
R
th
=3k
R
c
=3k
h
FE
=100
77
s Quelques circuits lmentaires :
t<0 :
V
BE
< 0.7V Mode bloqu
Transistor interrupteur:
+V
CC
R
c
R
B
V
BB
t
0.7V
I
C
V
CE
V
CC
Interrupteur ouvert
c
cc
R
V
+V
CC
R
C
R
B
Interrupteur
ouvert
0
C
R
I
Interrupteur ferm
t>0 : V
BE
> ~0.8V, telque R
c
I
c
~V
CC
V
CE
~qq. 100mV
~0.8V
~0.2V <<V
CC
V
CC
R
C
R
B
Interrupteur
ferm
C
CC
C
CC
R
R
V
R
V
I
C

2 . 0
B
BE
FE c
cc
B
R
V
h R
V
I
7 . 0
min
ferm) ur interrupte (
min

78
Transistor source de courant :
charge
R
c
V
CC
V
BB
R
E
I
E
Source de courant
E
BB
R
V V
I
7 . 0

quelque soit R
c

tant que le transistor est en mode actif
Domainede fonctionnement :
q
E
cc
c
R
I
V
R
max
pour R
c
suprieure R
cmax
transitor satur

0
min

c
R
( )
CC C E C CC CE
V I R R V V < + < 0
( ) V V
BB
7 . 0 >
79
Exercices : Calculer le courant dans la charge, laplagede tension
15V
10k
10k
V
z
=5,6V
charge
I
10V
560
4,7k
I
charge
80
Transistor, amplificateur de tension :
+V
CC
V
BB
v
B
R
E
R
C
V
Sortie
E
B

I
C
E
B
c
R
v
i En ngligeant la variation de V
BE
:
hypothses :
qPoint de fonctionnement au repos :
Transistor en mode actif lorsque v
B
=0
(amplificateur classe A)
q Amplitude du signal v
B
suffisamment faible
pourque le transistor soit chaque instant actif
Enfin :
s s C c cc Sortie
v V I R V V +
avec :
c cc s
RI V V
et
b
E
c
c c s
v
R
R
i R v Le signalv
B
est amplifi par le facteur
E
c
v
R
R
A
A
v
= pour R
E
=0 ?? voir plus loin pour la rponse...
Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manire optimale?
c c C
E
B
E
i I I
R
V
I +

7 . 0
(I
B
<<I
C
)
q Modle 1
ire
approximation pour le transistor
81
4.6 Circuits de polarisation du transistor
q Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor
q Le choix du point de repos dpend de lapplication du circuit.
q Il doit tre lintrieur du domaine de fonctionnement du transisor (I
C(B)
< I
max,
, V
CE (BE)
<V
max
,....)
q Les principales caractristiques dun circuit de polarisation sont :
sensibilit par rapport la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur h
FE
, )
stabilit thermique.
(coefficient de temprature des diffrents paramtres du transistor :V
BE
, h
FE
,).
82
s Circuit de polarisation de base ( courant I
B
constant)
B
cc
B
BE cc
B
R
V
R
V V
I
7 . 0

c c cc B FE c
I R V V I h I Q
CE
et :
V
CC
R
C
R
B
Consquence : h
FE
I
c
V
CE
Le point de repos dpend fortement de h
FE
=inconvnient majeur
Circuit de polarisation peu utilis.
I
C
V
CE
c
cc
R
V
cc
V
Q
1
V
CE1
I
C1
2 transistors
diffrents mme I
B
Q
2
V
CE2
I
C2
Exemple : Transistor en mode satur R
B
tel que
en prenant pour h
FE
la valeur minimalegarantie par le constructeur.
FE c
cc
B B
h R
V
I I
sat
>
Dispersion de fabrication:
h
FE
mal dfini
83
s Polarisation par raction de collecteur
+V
CC
R
C
R
B
FE
B
C
CC
C
h
R
R
V
I
+

7 . 0
Le point de fonctionnement reste sensible h
FE
Proprit intressante du montage :
Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque V
CE
ne peut tre infrieur 0.7V
Cas particulier : R
B
=0
C
CC
C
R
V
I
7 . 0

Le transistor se comporte comme un diode.
V V
CE
7 . 0
84
s Polarisation par diviseur de tension - polarisation courant (metteur) constant
R
1
R
2
R
E
R
C
+V
CC
Peu sensible h
FE
:
Bonne stabilit thermique
E
th
C E
FE
th
R
V
I R
h
R
si
7 . 0
<<
+V
CC
V
th
R
th
R
c
( )
C E C CC CE
I R R V V +
CC th
V
R R
R
V
2 1
2
+

2 1
// R R R
th

avec
et
FE th E
th
E C
h R R
V
I I
/
7 . 0
+

85
R
E
introduit une contre-raction
Augmentation de
V
E
augmente
V
B
~V
th
V
BE
et I
E
diminuent
contre-raction
E
I
BE
V
diminue de 2mV/C
I
E
augmente
Unefaonde comprendrela stabilitdu montage :
Rgles dor pour la conception du montage :
R
th
/R
E
0.1 h
FE
min
ou encore R
2
< 0.1 h
FE
min
R
E
I
R2
10 I
b
V
E
~V
CC
/3
Idem, si laugmentation de I
E
rsulte dun change de transistors
(dispersion de fabrication)
" Diminuer R
th
augmente le courant de polarisation I
R1
R
1
R
2
R
E
R
C
+V
CC
86
s Polarisation par un mirroir de courant
+V
EE
R
p
R
c
Q
1
Q
2
q Q
1
,Q
2
= transistors apparis (circuit intgr)
q Q
1
: V
BC
=0 ~ diode
p
EE
p
R
V
I
7 . 0

Q
2
agit comme un mirroir de courant.
I
p
fixe le courant I
p
Point de fonctionnement ne dpend pas explicitement de h
FE
I
C
q Q
2
:
p C EB EB
I I V V
Q Q

2 1
I mperfection :
Effet Early
c CE
V
C
R V avec augmente I
BE

(jusqu ~25% !)
q En mode actif, les courants de bases
sont ngligeables (1ire approx.)
87
Amlioration possible
+V
EE
R
p
R
c
Q
1
Q
2
I
p
I
C
R
E
R
E
avec R
E
<<R
C
( )
p C E BE BE
I I R V V
Q Q

1 2
q R
E
introduit une contre-raction :
Si I
C
augmente (variation de V
CE
), diminue
et soppose laugmentation initiale.
comme
2
Q
BE
V
1
Q
BE
V
2
Q
BE
V
88
4.7 Modle dynamique
q Variation de faibles amplitudes autour dun point de fonctionnement statique
q Comportement approximativement linaire
Modles quivalents
s Caractristique dentre :
+V
CC
V
BB
v
B
R
E
R
C
V
Sortie
E
B

I
C
I
BQ
V
BE
0.2
0.4 0.6
0
I
B
V
BEQ
v
BE
i
B
t
t
d
r
o
i
t
e

d
e

c
h
a
r
g
e
Q
B
v
Pour v
B
petit:
" "
ie
be
be
T FE
E
be
Q
BE
B
b
h
v
v
V h
I
v
V
I
i

FE
T
BE
s B
h
V
V
I I
1
]
1

,
_

1 exp
h
ie
= rsistance dentre dynamique du
transistor en EC
89
h
ie
i pour input, e pour EC, h pour paramtre hybride (cf quadriple linaire)
Notation:
E
T FE
ie
I
V h
h " "
= rsistance dentre dynamique du transistor en EC
Ne pas confondre h
ie
avec limpdance dentre du circuit complet. (voir plus loin).
B
E
C
h
ie
i
b
v
be
A temprature ambiante (300K) on a :
( )
( )

mA I
h
h
E
FE
ie
26
90
s Caractristique de sortie en mode actif :
b fe c
i h i " "
En premire approximation :
I
c
V
CE
I
BQ
Q
droite de charge
i
c
=h
fe
i
b
t
I
BQ
+i
b
Q
CE
V
v
ce
En tenant compte de leffet Early:
ce oe b fe c
v h i h i + o
Q
CE
c
oe
V
I
h

h
fe
=gain en courant dynamique
h
FE
en Q (*)
i
b
h
ie
h
fe
i
b
B
E
C
i
c
B
i
b
h
ie
h
fe
i
b
E
C
i
c
h
oe
-1
1
oe
h = impdance de sortie du transistor en EC
Ordre de grandeur : 100k - 1M
Le modle dynamique ne dpend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
91
I
c
V
CE
I
B
(A)
droite de charge
1
5
10
15
20
I
c
I
B
(A)
Q Q
tangente en Q
b fe c
i h i
B FE C
I h I
droite passant par lorigine
FE fe
h h
on a gnralement :
sauf proximit du domaine satur
Note sur h
FE
et h
fe
:
92
s Analyse statique / analyse dynamique
Exemple: Amplificateur de tension
V
CC
R
1
R
2
R
c
R
E
C
v
g
V
s
=V
S
+v
s
composante
continue
signal
V
CC
R
1
R
2
R
c
R
E
V
S
statique
Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
Analyse statique : on ne considre que la composante continue des courants et tensions
C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule travers C).
V I R V V
N A
C c CC S
Q
10
.

mA I
R
V V
R R
R
I
N A
C
E
BE CC
E
Q Q
2 . 2
. actif mode
2 1
2

,
_

A.N.:
V
cc
=15V
R
1
=47k
R
2
=27k
R
c
=2.4k
R
E
=2.2k
h
FE
=100
93
Hypothses : transistor en mode actif schma quivalent du transistor
Analyse dynamique :
iC
1
v
g
R
1
// R
2
R
E
h
ie
h
fe
i
b
i
b
v
s
R
c
en ngligeant h
oe
...
Schma dynamique du circuit :
iC
1
v
g
R
1
R
2
R
E
i
b
v
s
R
c
(circuit ouvert)
h
ie
h
oe
-1
h
fe
i
b
transistor
94
Pour C suffisamment leve on peut ngliger son impdance devant les rsistances :
Calcul de la fonction de transfert v
s
/v
g
:
i
b
v
g
R
1
// R
2
R
E
h
ie
h
fe
i
b
v
s
R
c
E
R
i
( )
b E fe ie R E b ie g
i R h h i R i h v
E
+ +
b fe c s
i h R v
fe
ie
E
c
fe E ie
fe c
g
s
h
h
R
R
h R h
h R
v
v
+

+

Pour R
E
>> h
ie
/h
fe
on retrouve le rsultat de la page 94.
95
En statique: V
e
= 15V
V
D
V
Z
et V
BE
0.6V V
S
10 V
A
R
V V
I
S e
R
5 . 0
1
1

A
R
I
L
R
L
4 . 0
10

mA I
R
2 , 1
500
6 . 0
2

z L Z
D R D R C
I I I I I 1 . 0
1
et
fe
C
B R D
h
I
I I I
z
+ + 0012 . 0
2
mA
h
I
I mA I mA I
FE
C
B C D
Z
2 et 97 , 3
Autre exemple :
Rgulateur de tension
composante
continue
D
Z
= diode Zener avec |V
Z
|=9,4V
I
min
= 1 mA
C
.
D
Z
T
R
L
V
e
=
15 2V
R
1
=10
R
2
= 500
V
s
=V
S
+ v
s
B .
50
fe FE
h h

~
1
oe
h
25
L
R
Transistor de puissance
ondulation rsiduelle
I
Dz
I
C
I
R2
charge:
96
Efficacit de rgulation ondulation rsiduelle : V
e
varie de 2V, quelle est la variation rsultante de V
s
?
v
s
R
L v
e
R
1
R
2
h
ie
h
fe
i
b
i
b
R
z
Etude dynamique du montage :
C
.
( )
b fe
i h i + 1
( )
b ie z s
i h R v +

+

+
+
4 . 0
1
fe
ie z
fe
ie z s
h
h R
h
h R
i
v
C
.
R
L v
e
R
1
h
ie
h
fe
i
b
i
b
R
z
v
s
i
h
ie
<<R
2
( )

13
25
mA I
mV h
h
E
fe
ie
mA I
c
100
97
R
L v
e
R
1
v
s
C
.
i
1 03 , 0
1
1
<<
+ +
+

+
+
+

R h h R
h R
R
h
h R
h
h R
v
v
fe ie z
ie z
fe
ie z
fe
ie z
e
s
Le mme montage sans transistor aurait donne une ondulation rsiduelle de
( )
( )
7 . 0
//
//
1 2
2

+ +
+

R R R R
R R R
v
v
L z
L z
e
s
4 . 0
98
s Modle dynamique hautes frquences
Aux frquences leves on ne peut pas ngliger les capacits internes des jonctions EB et BC.
En mode actif :
la jonction EB introduit une capacit de diffusion C
d
la jonction BC introduit une capacit de transition C
t
.
Schma quivalent dynamique hautes frquences
i
B

h
FE
r
se
h
fe
i
B

i
C
r
o
C
t
C
d
Ces capacits influencent le fonctionnement du transistor aux frquences leves et sont
responsable d une bande passante limite des amplificateurs transistor bipolaire (cf plus loin).
B
C
E
r
ce
99
4.8.1 Caractristiques dun amplificateur
4.8 Amplificateurs transistors bipolaires
+V
CC
-V
EE
R
L
v
g
R
g
source
amplificateur
charge
v
L
v
e
i
e
i
l
q Fonction: amplifier la puissance du signal
tout amplificateur est alimente par une source denergie externe (ici: V
CC
et (ou) V
EE
)
q La sortie agit comme une source de tension v
s
caractrise par son impdance de sortie Z
s
v
s
Z
s
q Lentre de lamplificateur est caractrise par son impdance dentre
e
e
e
i
v
Z
Z
e
Z
s
=rsistance de Thvenin quivalent au circuit vu par R
L
100
+V
CC
-V
EE
R
L
v
g
R
g
source
charge
v
L
v
e
i
e
i
L
Z
e
v
s
Z
s
q Gain en tension :
Comme Z
s
0 le gain en tension dpend de la charge
e
s
R
e
L
v
v
v
v
v
A
L


Gain en circuit ouvert :
Dfinitions
Gain sur charge :
v
s L
L
e
L
vL
A
Z R
R
v
v
A
+

Comme Z
e
, A
vc
diffre de A
vL
vL
e i
e
g
L
vc
A
Z R
Z
v
v
A
+

Gain composite:
(tient compte de la
rsistance de sortie
de la source)
q Gain en courant :
L
e vL
e
L
i
R
Z A
i
i
A
q Gain en puissance :
i v
e g
L L
p
A A
i v
i v
A
c

101
Lamplificateur idal :
q Gains indpendants de lamplitude et de la frquence (forme) du signal dentre
q Impdance dentre leve peu de perturbation sur la source
q Impdance de sortie faible peu dinfluence de la charge
La ralit...
s Domaine de linarit : distorsion du signal pour des amplitudes trop leves
Nonlinaritdes caractristiques lectriques des composants
la tension de sortie ne peut dpasser les tensions dalimentation
s Bande passante limite : le gain est fonction de la frquence du signal
capacits internes des composants
condensateurs de liaison
Impdances dentre (sortie) dpendent de la frquence
102
4.8.2 Amplificateur metteur commun (EC)
q Le transistor en mode actif
q Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor
q La sortie est prise sur le collecteur
q La borne de lmetteur est commune lentre et la sortie Emetteur commun
s Particularitsdesamplificateurs EC :
s Les diffrences dun amplificateur EC lautre sont :
q Le circuit de polarisation
q Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.
q La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage (cf plus loin).
103
R
1
R
2
R
E
R
C
C
B
v
s
v
g
V
CC
C
C
R
L
Exemple :
x A la frquence du signal les impdances condensateurs de liaison sont ngligeables :
L
C B
R
C
R R
C
<< <<

1
; //
1
2 1
hypothses :
x Point de repos du transistor: mode actif
(choix des rsistances)
C
B
est ncessaire pour que le point de fonctionnement statique (v
g
=0) ne soit pas modifi par
la prsence du gnrateur de signaux.
C
c
vite que la charge voit la composante continue de V
C
, et quelle influence le point de
repos du transistor.
Polarisation par diviseur de tension
Couplage capacitif avec la source, v
g
, et la charge R
L
.
104
s Analysestatique: Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
circuit de polarisation pont diviseur
s Analysedynamique:
2 1
// R R r
B

C L c
R R r //
v
g
r
B
h
ie h
fe
i
b
i
e
v
e
r
c
i
b
R
E
( )
b fe R
i h i
E
+ 1
E
R
i
R
1
R
2
R
E
R
C
v
L
v
g
C
R
L
q Gain en tension (sur charge):
fe E ie
fe c
e
L
v
h R h
h r
v
v
A
L
+

Gain en circuit ouvert :
Remplacer r
c
par R
c
v
L
105
v
g
r
B
h
ie h
fe
i
b
i
e
v
e
i
L
R
E
q Gain en courant :
( )
B
E fe ie
fe
e
L
i
r
R h h
h
i
i
A
1
1
+ +
+

r
c
q Impdance dentre :
( ) [ ] [ ]
E fe B E fe ie B
e
e
e
R h r R h h r
i
v
Z // 1 // + +
Impdance dentre vue de la source :
( )
E fe E fe ie e
R h R h h Z + + 1 '
Impdance dentre vue aprs les rsistances de polarisation :
'
e
Z
Z
e
dpend de lendroit do vous regardez
lentre de lamplificateur.
( )
b fe E R
i h R V
E
+ 1
schma quivalent vu de la source :
r
B
h
ie
i
e
v
e
( ) 1 +
fe E
h R
Z
e
b fe
i h
(h
ie
~qq. 100 qq. 1k Ohms)
106
q Impdance de sortie :
ne tient pas compte de leffet Early (h
oe
)
approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif
c s
R Z
Impdance de sortie vue de la charge (R
L
):
h
fe
i
b
R
c
Z
s
R
L
Z
s
de lordre de quelques k loin dune source de tension idale
A
vL
diminue lorsque R
L
< ~R
c
Z
s
dpend de lendroit do vous regardez la sortie.
Parfois R
C
constitue aussi la charge de lamplificateur (tout en permettant la polarisation du
transistor)
Impdance de sortie vue de R
c
:
Z
s

" "
'

s
Z
107
Avec leffet Early :
i
e
i
L
v
g
r
B
h
ie h
fe
i
b
v
e
R
c
R
E
1
oe
h
v
sortie
Z
s

Mthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :

Z
s
= R
Th
AB
= rsistance entre A et B, avec v
g
court-circuit
= v
s
/ i
s
!
i
s
r
B
h
ie h
fe
i
b
R
E
1
oe
h
i
b
v
s
A
q
q
B
( ) [ ] ( )
b s E b fe s oe s
i i R i h i h v + +
1
: 1
( ) ( )
b s E b ie
i i R i h + + 0 : 2
E ie
ie E
E ie
E fe
oe
s
s
s
R h
h R
R h
R h
h
i
v
Z
+
+
1
]
1

+
+

1
1
108
q Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique
( )
E
ce
c
c E c c E L ce
R r
v
i
i R r i R v v
C
+

+
v
ce
droite de charge dynamique: pente 1/(r
c
+R
E
), passe par Q
repos
t
i
c
v
ce
droite de charge statique
E C
CE CC
C
R R
V V
I
+

I
c
V
CE
I
BQ
Q(repos)
109
I
c
V
CE
I
BQ
Q(repos)
droite de charge
Point de repos optimale pour une dynamique maximale :
( )
Q Q
C E c CE
I R r V +
La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloque ou sature, du domaine linaire.
ce s ce
E c
c
c c s
v v v
R r
r
i r v
+

I
c
V
CE
I
BQ
Q(repos)
( )
Q
C E c
I R r +
Q
CE
V
Q
C
I
Q
CE
V
v
ce
110
s Amplificateur EC avecmetteur la masse:
Remde : dcoupler (shunter) R
E
par un condensateur en parallle
seul le schma dynamique est modifi.
C
E
R
E
est ncessaire pour la stabilit du point de fonctionnement statique.
R
E
diminue considrablement le gain...
R
1
R
2
R
E
R
C
C
B
v
s
v
g
V
CC
C
C
R
L
v
g
r
B
h
ie h
fe
i
b
i
e
v
e
r
c
i
b
pour C
E
ou f suffisamment
*
lev :
* :
fe
ie
E E
h
h
C R << //
111
q Gain en tension (sur charge):
f
c
ie
fe c
v
r
r
h
h r
A
L

>>gain avec R
E
le gain dpend fortement de r
f
(rsistance interne de la fonction BE)
(la contre-raction nagit plus en dynamique)
ie
b
e
e
h
i
v
Z
q Impdance dentre de la base : significativement rduit...
or
C
f
I
kT
r
kT
I r
A
C c
v
L

Le gain dpend de I
C
distorsion du signal aux amplitudes leves
q Impdance de sortie :
c oe s
R h Z //
1
(vue de la charge R
L
)
112
q Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
Il y a dformation du signal ds que :
( )
Q Q
C c CE s
I r V v , min >
Le point de repos optimal correspond
Q Q
C c CE
I r V
c c ce
r i v
droite de charge dynamique
Q
C c
I r
Q
CE
V
V
CE
droite de charge statique
I
c
I
CQ
Q
i
c
v
ce
113
s Lamplicateur EC en rsum :
qEmetteur la masse :
absolue en valeur 1 >>
f
C
fe
ie
C
v
r
R
h
h
R
A
C s
R Z
Impdance de sortie :
Impdance dentre de la
base du transistor:
ie e
h Z
Gain en circuit ouvert :
(de q.q. k )
(de q.q. k )
Impdance dentre de la base:
qAvec rsistance dmetteur (amplificateur stabilis ):
E
C
E f
C
v
R
R
R r
R
A
+
Gain en circuit ouvert :
Impdance de sortie :
C s
R Z
( )
E fe ie e
R h h Z 1 + + (leve, h
fe
~100-200)
Linconvnient du faible gain peut tre contourn en mettant plusieurs tages
amplificateur EC en cascade (cf. plus loin).
114
q Le transistor en mode actif
q Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor
q La sortie est prise sur lmetteur
q La borne du collecteur est commune lentre et la sortie Collecteur commun
s Particularitsdesamplificateurs CC :
s Les diffrences dun amplificateur CC lautre sont :
q Le circuit de polarisation
q Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.
q La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage.
4.8.3 Amplificateur collecteur commun (CC) ou encore montage metteur suiveur
115
Exemple:
Polarisation par diviseur de tension
Couplage capacitif avec la source, v
g
, et la charge R
L
.
hypothse: Mode actif
Analyse simplifie (1
ire
approximation) :
V V actif Mode
BE
7 . 0
V V V
B E
7 . 0
g B E s
v v v v
1
g
s
v
v
v
A
Lmetteur suit la base.
R
1
R
2
R
E
V
CC
C
v
s
v
g
E
B
C
R
L
sortie
i
Z
e
116
1
1

+
+

f E
E
fe
ie
E
E
v
r R
R
h
h
R
R
A q Gain en tension en circuit ouvert :

,
_

>>
E
f E
I
kT
r R
s Analyse dynamique :
q Gain en tension sur charge :
1
+

f E
E
v
r r
r
A
L
L E E
R R r // avec
q Impdance dentre : ( ) [ ] 1 1 // >> + +
E fe ie B e
r h h r Z
Z
e
q Gain en courant :
1 >>
L
e
L
e
vL
e
g
L
s
entre
L
i
R
Z
R
Z
A
Z
v
R
v
i
i
A
R
1
//R
2
v
g
v
s
h
ie
h
fe
i
b
R
E
transistor
B
E
C
R
L
i
entre
i
L
i
b
117
q Impdance de sortie
0

g
v
s
s
s
i
v
Z
i
s
v
s
r
B
h
fe
i
b
R
E
v
s
h
ie
i
b
( )
f
fe
ie
fe
ie
E
E
fe
ie
fe
ie
E
fe E ie
ie E
s
r
h
h
h
h
R
R
h
h
h
h
R
h R h
h R
Z
!
1
//
1
1
1

+
+
+

+ +

+
( ) [ ]

+
b ie s
b fe s E s
i h v
i h i R v 1
( )
1
]
1

+ +
ie
s
fe s E s
h
v
h i R v 1
118
q Dynamique de sortie
R
1
R
2
R
E
V
CC
C
v
s
v
g
E
B
C
R
L
sortie
i
I
c
V
CE
Q(repos)
droite de charge statique
E
CE CC
C
R
V V
I

V
E
max
V
CC
-0.2V
V
E
min
0 V
CE CC E
V V V
droite de charge dynamique : pente 1/r
E
Q
C E
I r
Point de repos optimal :
Q Q
C E CE
I r V
Le point optimal dpend de la charge.
119
Lamplicateur CC en rsum :
Intrts du montage :
Faible impdance de sortie
Impdance d entre leve
1
v
A
E fe E fe ie e
R h r h h R R Z + ) //( //
2 1
peut tre de lordre de quelques 100k
fe
ie g
fe
ie g
E s
h
h R
h
h R
R Z
+

+
+

1
//
infrieure quelques dizaines d Ohms
v
s L
L
v v
A
Z R
R
A A
L

+

1 >>
L
e
v
e
L
i
R
Z
A
i
i
A
L
h
fe
si R
E
constitue la charge
(i
L
= i
c
et i
e
i
b
)
Applications :
Etage- tampon ! Isolement d une source haute impdance de sortie d une charge basse
impdance.
1
exemple :
Amplificateur de puissance (cf plus loin)
120
q Le transistor en mode actif
q Le signal dentre est appliqu (inject) lmetteur du transisor
q La sortie est prise sur le collecteur
q La borne de la base est commune lentre et la sortie Base commune
s Particularitsdesamplificateurs BC :
4.8.4 Amplificateur base commune (BC)
V
CC
v
g
R
L
R
E
R
C
R
1
R
2
h
ie
h
fe
i
b
i
b
r
c
R
E
E
C
B
121
s Proprits :
q Gain en courant : 1
1

+ +

fe
E
ie
fe
i
h
R
h
h
A
Z
e
q Impdance dentre :
Q
C
f
fe
ie
fe
ie
E e
I
kT
r
h
h
h
h
R Z
+

1 1
// quelques .
Z
s
q Impdance de sortie :
" "
s
Z
(h
oe
= 0)
sinon
1

oe s
h Z comportement en source
de courant
h
ie
h
fe
i
b
i
b
r
c
R
E
E
C
B
q Gain en tension :
ie
c fe
v
h
r h
A
L

e
v
122
Exemple dapplication : convertisseur courant - tension
Z
e
Z
s
v
g
R
i
e
A
i
i
e
i
s
R
L
Lorsque v
g
= 0, (i
e
=0), la sortie est vue par la charge comme une rsistance trs grande (h
oe
-1
)
(cf. charge active)
R
v
Z R
v
i
g
e
g
e

+

~indpendant de Z
e
tant que R
L
<<Z
s
. e i L s L s
i A R i R v
tension de sortie courant dentre
quadriple quivalent ltage BC
123
On se limitera au montage EC pour illustrer linfluence de la frquence du signal sur les
performances dun amplificateur transistor bipolaire.
Limitation basse frquence condensateurs de liaison et de dcouplage
Limitation haute frquence capacits internes au transistor
4.8.5 Influence de la frquence du signal
{ }
o i
c c
f f , max
Frquence de coupure infrieure du
montage =
( )C R R
f
C L
c
o
+

2
1
filtres passe-haut
g e
i
c
R Z R R r
rC
f + // // avec ,
2
1
2 1

Z
e
= impdance
d entre de l tage
0 //
E E E
C R Z
Z
E
diminue le gain
(voir ampli stabilis)
2 1
// R R
C
R
g
v
g
h
ie
h
fe
i
b
i
b
R
E
C
E
C
R
C
R
L
Basse frquence
C et C
e
court circuit
dynamique
R
C
R
E
R
1
R
2
R
L
R
G
+V
CC
124
Hautes frquences
2 1
// R R
R
g
h
ie
h
fe
i
b
L c
R R //
C
be
C
bc
i
b
qualitativement: aux frquences leves, C
be
court-circuite la jonction base-metteur
i
b
diminue
C
bc
cre une contre-raction.
On montre que :
[ ]
2 / 1
// // 1 2
1
R R h R
h
h
C C
f
g ie L
ie
fe
bc be
c
h
1
]
1

,
_

+ +

Comportement en filtre passe-bas, avec

125
4.8.6 Couplage entre tages
s Objectif
Coupler plusieurs tages pour amliorer les proprits du circuit...
Exemple : Amplificateur avec
- gain en tension lev
- faible distorsion
- bonne stabilit (thermique, dispersion)
- impdance dentre leve
- impdance de sortie faible
Solution possible :
q stabilit et faible distorsion EC stabilis (R
E
)
q gain lev plusieurs tages en cascades
q Z
e
leve tage C.C en entre
q Z
s
faible tage C.C en sortie
Difficults du couplage :
x Polarisation de chaque tage
x Gain sur charge : chaque tage charge ltage prcdent
x Rponse en frquence de lensemble (cf. couplage capacitif)
126
s Couplage capacitif
Exemple: amplificateur trois tages CC - EC - CC
Utilisation de condensateurs de liaison, C
L
+V
CC
R
1
R
1
R
1
R
2
R
2
R
2
R
C
R
E
R
E

R
E
charge
v
entre
C
L
C
L
C
L
C
L
C
E
C.C.
E.C. C.C.
Les points de fonctionnement des 3 tages sont indpendants (en statique C
L
= circuit ouvert)
(dans lhypothse o la rsistance interne de V
cc
ngligeable)
Les paramtres dynamiques (gains, impdances) ne sont pas indpendants
ex: limpdance dentre du 3
ime
tage (= charge de ltage E.C.) dtermine le
gain sur charge du 2
ime
tage, etc.
127
C.C.
+V
CC
R
1
R
1
R
1
R
2
R
2
R
2
R
C
R
E
R
E

R
E
charge
v
entre
C
L
C
L
C
L
C
L
C
E
E.C.
C.C.
I nconvnient: les condensateurs imposent une frquence de coupure basse au montage (cf. plus loin)
. 3 . 2 . 1 t
v
t
v
t
v
montage
v
ier
L
ier
L
ier
L L
A A A A
comme et
. . EC
s
C C
e
CC
s
C E
e
Z Z Z Z >> >>
v
tages
v
A A
L


2
2
.
1
T
ie
T
fe c
C E
v
montage
v
CC
v
h
h R
A A A
L

T
1
T
2
T
3
128
sCouplage direct
Pas de frquence de coupure basse
Les circuits de polarisation des diffrents tages ne sont pas indpendants.
E.C.
A
vL
-40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x h
fe
>> 27k)
Darlington
[ ] M h h Z h Z
T
fe
T
fe
T
e
T
fe
e
50 5000
2 1
2
1
Z
e
leve : Z
s
24 k
Amplificateur de tension stabilis :
2 # 1 # 2 # 1 # EC
v
EC
v
EC
v
EC
v
v
A A A A A
L L

E.C.
A
v
-10
T
3
30V
5k 27k
24k
680
2.4k
v
s
v
g
Unexemple:
T
1
T
2
T
4
h
fe
~100
2suiveurs A
vL
~1
129
q Analyse statique :
3V
3
T
E
I
mA I I V V
T
E
T
C
T
E
1 7 . 0
3 3 3

V V
T
CE
3 . 2
3
T
3
en mode actif
mA I I V V
T
E
T
C
T
E
1 3 . 2
4 4 4
V V
T
CE
6 . 3
4

T
4
en mode actif
V
CC
polarise en directe les deux
jonctions EB de T
1
et T
2
(transistors PNP)
T
1
en mode actif
V V
T
CE
7 . 0
1

0.7V
En statique, v
g
= 0
0.7V
V V
T
CE
4 . 1
2

T
2
en mode actif
V V
T
C
6
4

V
CC
= 30V
5k 27k
24k
680
2.4k
v
s
v
g
T
1
T
2
T
3
T
4
2
2
1
et 7 . 5
2
T
FE
E
E E
h
I
I mA I
130
Autre exemple : amplificateur alimentation fractionne (tension positive et ngative)
E.C.
A
v
-4
E.C.
A
v
-10
E.C.
A
v
2.7
60
2
1
1 . 5
20
4 . 2
24
10
27
3 # 2 # 1 #
diviseur Pont A A A A
tage tage tage
v v v v
Les impdances dentre des transistors T
2
et T
3
, et celle du pont diviseur tant trs leves
devant les rsistances de sortie de chaque tage, le gain total est approximativement gal au produit
des gains individuels :
30V
24k
20k
2.4k
5.1k
200k
200k
27k
10k
v
g
-10V
T
1
T
2
T
3
V
Sortie
131
30V
24k
20k
2.4k
5.1k
200k
200k
27k
9.3k
v
g
-10V
T
1
T
2
T
3
Statique :
V
s
=0V
V
Sortie
T
1
:
V V mA I
C E
3 , 1
3 . 9
7 . 0 10

3V
1mA
T
2
:
V V mA I
C E
6 , 1
4 . 2
7 . 0 3

6V
1mA
T
3
:
V V mA I
C E
10 , 1
1 . 5
3 . 5

10V
1mA
q Analyse statique :
132
s Couplage par transformateur :
polarisation par
diviseur de
tension
transmission du signal dun tage l autre par le transformateur
condensateur de dcouplage
(masse en alternatif) (EC)
condensateur d accord:
le circuit rsonnant, LC, limite la
transmission aux frquences
proches de la frquence de
rsonnace
Application majeure: essentiellement en radiofrquences (>500kHz)
exemple: syntonisation d une station radiophonique ou d un canal de tlvision

,
_

f
c
v
r
Z
A
tage EC
133
s Impdance de sortie et amplicateur de puissance
Pour v
s
constant, P
max
augmente quand Z
s
diminue
A.N. v
s
=1V : Z
s
=10k P
max
=0.012mW | Z
s
=10 P
max
=12mW
Puissance maximale:
0
L
dR
dP
s L
Z R L
s
s
Z
v
P

8
2
max
(adaptation dimpdance)
Puissance moyenne fournie par lamplificateur :
( ) ( )
( )
2
2
2
2
2
2 2
s L
s L
L
s
s L
L
L
L
L L
Z R
v R
R
v
Z R
R
R
v
t i t v P
+

,
_

+

signal du amplitude v t
L
,
2
1
cos
2

4.8.7 Amplificateurs de puissance
v
s
Z
s
R
L
tage de sortie
dun amplificateur
charge
i
L
v
L
Z
e
Z
s
R
g
v
g
charge v
g
gain en puissance en conditions
dadaptation dimpdance avec et
sans tage amplificateur = Z
s
/R
g
Etage CC
134
V
cc
v
g
R
1
R
2
R
E
T
2
T
1
q Gain en tension :
1
v
A
Limpdance dentre de T
1
est trs leve et ne
charge pas beaucoup T
2
Darlington
q Impdance dentre du Darlington :
Limpdance dentre leve de T
1
constitue la
rsistance dmetteur (R
E
) de T
2
1
1 2
1
2
>>
E fe fe
T
e fe e
R h h Z h Z
Amplificateur comprenant deux tages metteur-suiveur monts en cascade
s Amplificateur de Darlington
q Gain en courant :
2 1
2
2
1
1
2
1
1
1
2
1
fe fe
T
b
T
E
T
b
T
E
T
b
T
b
T
b
T
E
T
b
T
E
i
h h
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i
A
v
s
T
1
: h
fe1
T
2
:h
fe2
135
( ) ( ) CC tage simple avec CC tage
max max
P Darlington P >>
q Impdance de sortie du Darlington :
2 1
2
1
1
2
1 2
2
2
1
fe fe
T
ie
fe
T
ie
fe
T
ie
fe
T
ie
T
s
s
h h
h
h
h
h
h
h
h Z
Z
+

+

puisque
2
2
2 1
1
1
fe
T
ie
E E
fe
T
ie
h
h
I e
kT
I e
h kT
h

V
cc
v
g
R
1
R
2
R
E
T
2
T
1
v
s
1
1
1 2
FE
E
B E
h
I
I I
2
E
I
1
E
I
Etage CC unique :
fe
ie
s
h
h
Z
136
Utilis frquemment pour les applications d isolement entre tages (Z
e
trs leve, Z
s
trs faible)
Existe sous forme de composant discret trois bornes, nomm transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor gain en courant extrmement lev.
(ex: 2N2785: h
fe
=2000-20000.)
Existe aussi avec des transistors PNP.
Darlington = supertransistor bipolaire.
Utilis frquemment comme tage de sortie des amplificateurs de puissance (Z
s
trs faible)
137
s Amplificateur Push-Pull
Dans les montages amplificateur vus prcdemment, les transistors sont chaque
instant en mode actif
Amplificateur de classe A
Avantages:
faible distorsion (en cas damplificateur stabilis)
simplicit
I nconvnients:
Amplitude de sortie limite (typ: 0.2<V
CE
<V
cc
!v
CEmax
~V
cc
/2)
Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls
( )
p C cc
I I V P
Q
+
on alimentati
R
1
R
2
R
E
R
C
+V
CC
Q
C
I
p
I
ex: V
cc
= 15V, I
C
=1mA, I
p
= 0.1mA => P ~ 15mW
en absence de signal
q Amplificateur classe A / classe B
Amplificateur classe B: transistor bloqu en absence de signal dentre. (ex: Push-Pull)
Avantages:
faible consommation, dynamique de sortie leve
I nconvnients:
Distorsion du signal
138
q Push Pull
q Transistors bloqus au point de repos
(amplificateur classe B ).
R
1
et R
2
sont telles que (lorsque v
g
=0) on a
Principe de fonctionnement
V 6 . 0 ~ et 6 . 0 ~ < <
PNP
EB
NPN
BE
V V
Transistors bloqus (de justesse): I
B
~0 =>I
C
~0
V
CE
NPN
I
C
NPN
I
C
PNP
0
V
CC
V
CE
PNP
0
-V
CC
PNP
C
NPN
C
CC
PNP
EC
NPN
CE
I I
V V V

+
I
B
~0 I
B
~0
I
C
NPN
CE
Q
V
PNP
CE
Q
V
PNP
EC
CC
NPN
CE
Q Q
V
V
V
2
~1.2V
Exemple :
+V
cc
R
L
R
1
R
1
R
2
R
2
v
g
NPN
PNP
P
v
sortie
B
B
I
C
NPN
I
C
PNP
V
P
139
~1.2V
+V
cc
R
L
R
1
R
1
R
2
R
2
v
g
NPN
PNP
P
v
sortie
B
B
Amplitude max : V
CC
/2
L
CE
c
R
v
i
V
CC
/2
I
B
=0
Droite de charge dynamique
I
C
V
CE
droite de charge statique
V
CE
Q
~V
CC
/2
Si v
g
>0 NPN actif, PNP bloqu
v
g
>0
R
1
R
1
R
L
h
ie
h
fe
i
b
i
b
= tage C.C
v
sortie
( )
L fe ie
fe
ie
v
R h h R
h
h
A + // Z , Z , 1
1 e s
Il ny a pas de courant dynamique dans
les deux rsistances R
2
, puisque V
BB
est
constante.
si v
g
<0NPN bloqu, PNP actif
metteur suiveur
q En prsence dun signal dentre chaque transistor
est alternativement actif ou bloqu (! Push-Pull )
140
Formation du signal de sortie
Signal de sortie:
t
NPN actif
PNP actif
v
sortie
I
C
V
CE
t
L fe
g
NPN
b
R h
v
i
PNP
b
i
NPN
I
C
V
EC
PNP
Plus grand domaine de fonctionnement
141
Difficults de cet exemple
I
C
V
CE
t
I
Csat
trop faible
Q
BE
V
transistors bloqus
t
q Risque demballement thermique (pas de contre-raction)
q positionnement du point de repos
Distorsion de croisement : Si V
BE
trop faible au repos, les deux transistors seront bloques
pendant une fraction du cycle.
142
Polarisation par diodes
Idalement D
1
, D
2
= diodes de
caractristiques apparis aux transistors
+V
cc
R
L
R
1
R
1
NPN
PNP
BE
V 2
D
1
D
2
v
g
v
sortie
Remarques:
q L amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
Z
s
plus faible puissance maximale suprieure
choix de R
1
: I
D
~0
comme V
D
=V
be
I
E
~I
D
~0
I
D
Point de repos
.
1

D R D D
I V V I T
Stabilit thermique
I
D
(V
D
) et I
E
(V
BE
) mme dpendance en temprature
contre-raction
constant
E D
I I
143
Deux signaux dentre, V
+
, V
-
Sortie = collecteur d un transistor
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE
+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2
E
V
s
I
E
I
E
hypothse : T
1
et T
2
apparis(circuit intgr)
4.8.8 Amplificateur diffrentiel
E
EE
E
R
V
I
2
7 . 0

Pour R
B
<<h
fe
R
E
:
2I
E
s Rgime statique :
( ) 0
+
V V
Par symtrie : I
E1
=I
E2
=I
E
Tension continue en sortie :
E c CC s
I R V V
E E EE E E B B R
I R V I R I R V
B
2 7 . 0 2 + <<
144
s Rgime dynamique:
q Mode diffrentiel:
tage EC
( )
e
ie
fe c
e
ie
fe c
s
v
h
h R
v
h
h R
v
Le courant dans R
E
na pas chang, et la tension en E reste constante.
E constitue une masse dynamique !
B
R
B
R
R
c
R
c
e
v
e
v
v
s
E
d o le gain en mode diffrentiel :
1 >>
ie
fe c
e
s
d
h
h R
v
v
A
V
+
= entre non-inverseuse
V
-
= entre inverseuse
" "
e
v V V
+
hyp:

1
1
e E E
i I I +
et
2
2
e E E
i I I
avec I
E
la composante continue du courant metteur.
Par consquent :
E E E R
I I I I
E
2
2 1
+
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE
+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2
E
V
s
Pour de signaux dentre de faible amplitude :
2
1
e e
i i
145
e
v V V
+
hyp:
e E E
i I I +
1
et
e E E
i I I +
2
2 tages EC stabiliss indpendants
e
E
c
s
v
R
R
v
2

do le gain en mode commun :
C E
E
c
c
R R
R
R
A >> << pour 1
2
( )
e E E E R
i I I I I
E
+ + 2
2 1
( )
e E E E e E E E
i R I R i I R V 2 2 2 + +
La tension en E quivaut celle dun tage unique
ayant une rsistance d metteur double. D o le
schma quivalent :
B
R
R
c
R
c
2R
E
2R
E
B
R
v
s
e
v
e
v
E E
q Mode commun:
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE
+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2
E
V
s
146
q Signaux dentre quelconques :
On peut toujours crire :
md mc
V V
V V V V
V +

+
+

+ +
+
2 2
md mc
V V
V V V V
V

+ +

2 2
avec
2
et
2
+ +

V V
V
V V
V
md mc
Do, par le principe de superposition :

,
_

+
CMRR
v
v A v A v A v
mc
md d mc c md d s
o
ie
E fe
c
d
h
R h
A
A
CMMR
2
= taux de rjection en mode commun
(common mode rejection ratio)
Intrts de lamplificateur diffrentiel : Entres en couplage direct (seule v
md
est amplifie)
Ampli. diffrentielle = tage dentre des Amplificateur oprationnel.
Impdance dentre et CMRR trs levs
147
q Polarisation par miroir de courant
Choisir R
E
trs leve pose plusieurs problmes:
ncessite une augmentation de lalimentation
pour maintenir I
c
(donc le gain) constant
incompatible avec la technologie des circuits
intgrs.
1
2
>>
ie
E fe
h
R h
CMRR Il faut
+V
cc
R
c
R
c
R
-V
EE
+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2
V
s
T
3
D
I
EE
I
E3
Solution = source de courant (R,D,T
3
)
il suffit que R
E
soit leve en rgime dynamique !
R
V V
I I
EE cc
E EE
7 . 0
3
+

hyp: D et T
3
= apparis
148
Schma quivalent:
h
oe
-1
(effet Early de T
3
) est de lordre de quelques 100k.
En dynamique, h
oe
-1
joue le mme rle que R
E
et augmente considrablement CMRR.
I
EE
h
oe
-1
-V
EE
+V
cc
V
s
h
oe
-1
v
s
en dynamique
149
5. Transistors effet de champ ou FET (field effect transistor)
q Le courant (I
D
) circule entre la source S et drain D via
le canal:
$ canal N : I
D
>0 de D vers S avec V
DS
> 0
$ canal P : I
D
>0 de S vers D avec V
SD
> 0
q I
G
0
FET = Source de courant commande en tension
q La conductivitlectriquedu canal semiconducteur est
module par une effet du champ lectrique induit par la
tension V
GS
entre la grille G et la source S.
5.1 Introduction
s Principe de base
grille
G
canal (N)
source
S
drain
D
I
D
V
DS
V
GS
I
D
V
DS
V
GS

V
GS
~rsistance
module par
V
GS
chute de tension dans le canal agit
sur la conductivit
saturation de I
D
q Le phnomne physique est non linaire
Aux faibles valeurs de V
DS
: caractristique I
D
(V
DS
)
quasi-linaire, de pente module par V
GS
~rsistance variable
Aux valeurs de V
DS
plus leves : rgime de
saturation
~source de courant commande par V
GS
(= mode actif)
150
s Diffrents types de FET
q J FET : FET jonction : La grille et le canal forme une jonction PN
Symboles :
S D
G
JFET canal P
D
G
JFET canal N
S
JFET canal N :
Mode de fonctionnement habituel : V
GS
< 0
=> I
D
diminue lorsque V
GS
augmente en valeur absolue
JFET canal P :
Mode de fonctionnement habituel : V
GS
>0
=> la jonction Grille/Source est polarise en inverse
=> la zone conductrice du canal rtrcit (apparition dune zone dplte de porteurs )
=> I
D
diminue lorsque V
GS
augmente
Le courant de grille est trs faible : courant inverse dune diode (~nA)
151
JFET(P): V
DS
, V
P
<0, V
GS
,, V
GSoff
>0. Transistor bloqu V
GS
>V
GSoff
o V
P
= tension de pincement du canal Pour V
GSoff
< V
GS
< 0 : I
D
= sature lorsque V
DS
=V
P
+V
GS
off
GS P
V V
avec
Dans la zone de saturation on a:
2
1

,
_

off
GS
GS
DSS D
V
V
I I
P GS DS
V V V +
I
D
(mA)
V
DS
(V)
2 4 6 8
0
4
8
12
16
V
GS
=-1V
V
GS
=0
V
GS
(V)
-2 -1.5 -1 -0.5
V
GS
=-1V
V
GS
=0
Caractristiquedun J FET (N): [V
GS
<0, V
DS
>0]
DSS
I
V
GSoff
2
1

,
_

off
GS
GS
DSS D
V
V
I I
Pour V
GS
V
GSoff
: I
D
= 0 ! le canal est totalement dplt.
t
r
a
n
s
i
s
t
o
r

b
l
o
q
u

V
P
152
q MOSFET (Mtal Oxide Semiconducteur FET) appauvrissement (ou dpltion)
Symboles :
canal N
D
canal P
NMOS PMOS
G
S
G
D
S
La grille est spare du canal par un isolant (loxide de Si) !I
G
=0
Elle forme un condensateur avec le canal.
Le canal est conducteur lorsque V
GS
= 0
MOSFET (N): le semiconducteur est de type N !les lectrons sont mobiles
V
GS
<0!charge positive dans le canal !appauvrissement de porteurs libres
conductivit du canal diminue !I
D
( V
DS
>0, constant) diminue
V
GS
>0!charge ngative dans le canal !accumulation dlectrons libres
conductivit du canal augmente !I
D
( V
DS
>0, constant) augmente
153
Caractristiquedun MOSFET (N) :
( )
GS
V
DS DS
V I ( )
DS
V
GS DS
V I
I
D
V
DS
V
GS
=0
V
GS
< 0
V
GS
> 0
I
D
V
GS
appauvrissement
accumulation
V
GSoff
2
1

,
_

off
GS
GS
DSS D
V
V
I I
DSS
I
P GS DS
V V V +
154
q MOSFET enrichissement :
symboles :
MOSFET : canal N / canal P
dautres symboles existent
la ligne pointille indique que le
canal est inexistant tant que V
GS
< V
seuil
x Idem MOSFET appauvrissement sauf que pour V
GS
=0 le canal nest pas conducteur
! MOS normalement bloqu
MOSFET (N):
V
GS
>V
S
(tension seuil) => apparition dlectrons sous la grille.
Cet enrichissement local en lectrons forme le canal.
MOSFET (P):
V
GS
<V
S
(tension seuil) => apparition de trous sous la grille.
Cet enrichissement local en trous forme le canal.
155
Caractristiquedun MOSFET (N) enrichissement :
V
GS
(V)
I
D
.
I
D
( )
2
s GS
V
D
V V I
DS

V
s V
DS
(V)
156
5.2 Modes de fonctionnement et schmas quivalents
s Mode rsistance variable :
=
G
S
D
rsistance fonction de V
GS
R
DS
I
D
V
DS
Q
P GS DS
V V V +
ordre de grandeur: k R
on
DS
10 05 . 0
J FET: R
DS(on)
= R
DS
pour V
GS
0 MOSFET enrichissement: R
DS(on)
= R
DS
pour V
GS
leve (~10V).
( ) > < M V V R R
off off
GS GS DS DS
N) (canal
Pour V
GS
> V
P
, et V
DS
<V
GS
+V
P
:
( )
1
]
1

+
1

2
DS
P GS
DS
V
V V k
R
avec k = constante
dpendant du composant
Condition: V
DS
suffisamment faible (<V
GS
+V
P
), souvent infrieure 0.5V.
Dans ces conditions, Source et Drain peuvent tre inverss.
157
s Mode source de courant commande ou mode actif :
I
D
V
DS
Q
I
D
est command par V
GS
GS
V
Pour
P GS DS
V V V + >
, I
D
est commande par V
GS
2
1

,
_

off
GS
GS
DSS D
V
V
I I
schma linaire quivalent:
G
D
S
gs
v
ds
v
gs m
v g
i
d
tient compte de laugmentationde v
ds
avec i
d
(quivalent de leffet Early)

caractristique I
D
(V
GS
) non-linaire : g
m
(V
DS
)
I
D
(mA)
0
4
8
12
16
V
GS
(V)
-2 -1.5 -1 -0.5
V
GSoff
Q
DS
V
GS
D
m
V
I
g

gs m d
v g i
avec
=transconductance
158
off
off GS
DSS
mo
GS
GS
mo m
V
I
g
V
V
g g
2
avec , 1

,
_

= pente pour V
GS
=0
Ordre de grandeur : g
m
=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) ( )

k g
m
1 1 . 0
1
g
m
varie linairement avec V
GS
.
J FET et MOSFET dpltion
MOSFET enrichissement
( ) 2 avec ,
mo s GS mo m
g V V g g
159
Dipersion de fabrication
Q
Q
s Polarisation automatique par rsistance de source:
+V
DD
R
S
R
D
R
G
I
D
I
D
G
S
D I
G
0
5.3 Quelques circuits de polarisation
Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos

,
_

S
GS
D
GS
GS
DSS D
R
V
I
V
V
I I
off
2
1
I
D
, V
GS
, V
DS
.
V
GSQ
GS
S
D
V
R
I
1

Q
V
DSQ
S D
DS DD
D
R R
V V
I
+

Q
V
P
V
GS
I
D
I
D
V
DS
GS
V
160
s Polarisation par pont diviseur
R
1
R
2
R
S
R
D
+V
DD
S
GS th
D
R
V V
I

V
GS
I
D
Q
V
GSQ
V
th
S
th
R
V Q
meilleure stabilit du point de repos (du point de vu I
D
)
S
D
161
s Polarisation par raction de drain (MOSFET enrichissement)
R
G
R
D
+V
DD
S
D
D
DS DD
D
R
V V
I

DS GS G
V V I 0
DS GS G
V V I 0
V
GS
(V)
I
D
.
I
D
V
DS
(V)

GS
V
V
DD
Q
162
s Amplificateur source commune
JFET
v
gs
g
m
v
gs
R
D
R
//
2 1
2 1
//
R R
R R
R
+

v
g
v
s
5.4 Montages amplificateurs
q hypothse: Mode actif , C trs leves
Z
e
Impdance dentre :
//
R Z
e

Gain en tension (circuit ouvert) :
D m v
R g A
g
m
= fonction de V
GS
distorsion quadratique
Exemple :
R
D
R
S
R
2
R
1
V
CC
C
C
C
v
g
v
s
S
D
Impdance de sortie :
D S
R Z
Z
s
163
Stabilisation par une rsistance de source :
Gain en tension :
gs m s gs g
v g r v v + et
D gs m s
R v g v
do :
s
m
D
m s
D m
g
s
v
r
g
R
g r
R g
v
v
A
+

+

1
1
Linfluence de g
m
sur le gain est rduite si r
s
>>1/g
m
. Le gain en tension est plus faible.
JFET
v
gs
g
m
v
gs
R
D
R
//
v
g
v
s
r
S
R
D
R
S
R
2
R
1
V
CC
r
S
v
g
v
s S
D
r
s
introduit une contre-raction:

s s g gs
v r v v +
(v
s
et v
g
en opposition de phase, A
v
<0)
164
v
g
R
1
//R
2
G
S
D
v
GS
g
m
v
GS
JFET
v
s
R
S
v
e
s Amplificateur drain commun
Gain en tension (circuit ouvert) : 1
1
1

+

S m
S
S m
S m
v
R g
R
R g
R g
A
Z
e
Impdance dentre :
2 1
// R R Z
e

R
S
R
2
R
1
V
CC
v
g
v
s
S
D
Impdance de sortie :
1
1
1
//
1
.
. .

+

m s
m s
m s
s m
s
s
s
s
g R
g R
g R
R g
R
i
v
Z
c c
o c
Z
s
165
Remarques:
Tout FET se comporte comme une source de courant commande en tension, avec une
transconductance qui varie linairement avec la tension grille - source.
Les diffrents FET se distinguent par
- leur impdance dentre (plus leve pour un MOSFET que pour un JFET)
- leur point de repos :
le JFET ne peut fonctionner quen dpltion (V
GS
>0 pour canal N),
le MOSFET dpltion peut aussi fonctionner en rgime d accumulation (V
GS
positive ou ngative, quelque soit le type du canal)
le MOSFET enrichissement ne fonctionne que rgime d inversion
(V
GS
>V
s
)
En comparaison avec le transistor bipolaire, les FET ont un domaine de linarit rduite
(caractristique quadratique) et un gain en tension plus faible.
Par contre limpdance dentre est beaucoup plus grande.
Do leur utilisation frquente en tant que interrupteur.
Pour des raisons de taille, les MOSFET sont particulirement bien adapts aux circuits
intgrs.
166
5.5 FET comme rsistances variables : quelques exemples avec un JFET(N)
Pour V
GS
> V
GSoff
et V
DS
<V
GS
+V
P
:
( )
1
]
1

+
1

2
DS
P GS
DS
V
V V k
R
ex:
v
entre
v
sortie
V
com
R
entre
DS
DS
sortie
v
R R
R
v
+

= attnuateur variable, command par V
com
En choississant
on
DS
R R >> , v
sortie
varie entre ~0 et v
entre
Imperfection:
R
DS
dpend de V
DS
rponse non-linaire
167
( )
P com
DS
V V k
R
+

1
Amlioration possible:
v
entre
v
sortie
V
com
R
R
1
R
1 2 2
com DS
GS
V V
V +
( ) 0
G
I
Linarit presque parfaite
( )
1
]
1

+
1

2
DS
P GS
DS
V
V V k
R
168
Application: Commande lectronique de gain
exemple:
1mA
15V
75k
50k
5k
1F
1F
100k
100k
signal
dentre
signal de sortie
V
com
En dynamique, elle correspond une
rsistance trs grande, en parallle R
DS

( )
fe
ie
com DS
fe
ie
E
c
v
h
h
V R
k
h
h
R
R
A
+

+

5
En statique, la source de courant fixe I
C
Etage EC avec r
E
=R
DS
(//200k)
169
6. Contre-raction et amplificateur oprationnel
Montage transistor avec rtroaction positive: transistor en satur/bloqu
!Rtroaction positive :
laction de la sortie sur lentre renforce la variation du signal de sortie
L
s s s
v e Bv v
ex: A>0, B <0
(sans dphasage)
la sortie diverge !les composants sortent du domaine linaire
par exemple : transistor sature
e s
v
AB
A
v
+

1
comportement non-linaire !A,B modifis
s Circuit boucl et rtroaction
A
B
v
e
v
s
e
B
.
v
s
La sortie agit sur lentre
!Circuit boucl :
( )
s e s
v B v A e A v
e s
v
AB
A
v
+

1
?
170
A
B
v
e
v
s
e
B
.
v
s
!Rtroaction ngative ou contre-raction :
Laction de la sortie sur lentre attnue la
variation du signal de sortie
L
s s s
v e Bv v
ex: A>0, B >0 (sans dphasage)
la sortie converge vers :
e e s
v G v
AB
A
v
+

1
G = gain en boucle ferme :
G<A
Si AB >>1 ,
B
G
1
la variation ou toute incertitude sur A naffecte pas G.
Amlioration de la linarit
B = taux de rinjection
171
R
1
R
2
R
E
R
C
C
B
v
s
v
e
V
CC
C
C
R
L
Exemple:
v
g
R
E
h
ie
h
fe
i
b
v
s
R
c
e
i
E
i
c
i
e
R
E
!contre-raction
[ ]
s c b e E E e c s
v i i e i R v i i i v
B R
R
A
E
c
v
1
!

indpendant de h
ie
et h
fe
!
s s
c
E
c
s
E e E E
v B v
R
R
R
v
R i R v

,
_

s g
v B v e
172
s Montage Srie- parallle (contreractionen tension):
AB
A
v
v
G
e
s
+

1
L
!Gain en boucle ferm:
B
e L L i v v
i L
L
Z R r R A A
R r
r
A // si <<
+

!A=Gain en boucle ouverte :

= v
s
/v
i
avec boucle de raction ouverte, et
mme charge R
L
// Z
e
B
B
e
Z
Entre en srie avec le circuit de
rtroaction
Sortie en parallle avec B
Ampli.
retour:
B
v
e
v
s
R
L
v
r
A
v
.
v
i
v
i
Z
e
R
i
s r
v B v
e
e s
i
v
AB
v
A
v
v <<
+

1
+ A v
i
pour 0 0
e
i
e
Z
v
i = court-circuit virtuel, puisque i~0
!Court-circuit virtuel :
avec
Explication qualitative :
si v
i
tentait daugmenter, laugmentation importante de v
s
(A fois plus leve ) sopposera, via
B, cette variation.
pour AB>>1
i
e
173
B
v
e
v
s
R
L
v
r
A
v
.
v
i
v
i
Qualitativement : la contre-raction maintient v
i
proche de 0 i
e
0 Z
e
B.F.
+
Limpdance dentre est augmentepar la rtroaction :
( )
( )
e e
e
i
e
s i
e
e
F B
e
Z B A Z
i
AB v
i
v B v
i
v
Z >> +
+

+
1
1
. .
B.F.=boucle ferme
R
i
Z
e
!I mpdance dentre
Limpdance de sortieest diminuepar la rtroaction
Qualitativement :
En prsence de limpdance de sortie Z
s
B.F.
, une diminution
de R
L
fera chuter la tension v
s.
la diminution de v
s
induit, via la contre-raction, une
augmentation de v
i
, laquelle soppose la diminution de v
s

limpdance de sortie est rduite (0 si A)

!I mpdance de sortie
i
e
174
B
v
e
v
s
R
L
v
r
A
v
.
v
i
v
i
Z
s
R
i
B
e
Z
Calcul de Z
s
B.F
:
( )
( )
2
a on Lorsque
.
+

L s
L s
F B
s L
R v
R v Z R
( )
( )
( )
e
L
L
L s
v
B R A
R A
R v
+

1
avec ( )
v
i L
L
L
A
r R
R
R A
+

i
B
E i
B
E i i
R Z R Z R r >> si // et
( )
e
v
L
i
v
s
v
B A
R
r
A
v
+ +

1
( )
i
F B
s
v
i
L
L s
s
R Z
B A
r
R
R v
v <<
+



. .
1 2
Si A : Gain stable, linarit parfaite, Z
e
infinie, Z
s
nulle !!
utilisation dun amplificateur oprationnel (A~10
4
- 10
6
, R
i
trs faible, Z
e
trs leve)
Conclusion
175
s Amplificateur oprationnel
Architecture dun amplificateur oprationnel:
Ajustement DC
pas de composante continue en sortie
Etage amplificateur
augmente le gain total (A
v
>>1)
ex: montage metteur commun avec transistor composite
(Darlington, h
fe
>>1) et R
C
leve charge active
Emetteur suiveur impdance de sortie faible
Configuration Push-Pull : domaine de linarit
Etage
amplificateur
(EC, Darlington)
Ajustement
composante
continue
Emetteur
suiveur
sortie
Amplificateur
diffrentiel
+
-
Amplificateur
diffrentiel
Z
e
leve Darlington, MOSFET,...
amplification de v
+
-v
-
attnuation de
2
+
+ v v
(gain lev en mode diffrentiel )
(gain <<1 en mode commun )
176
q Le schma simplifi (!) du LM741 :
Paire diffrentielle
avec Darlington
sources (mirroirs) de courant
Push-Pull
EC Darlington
1.12V
177
q Exemplesde circuits avecrtroaction ngative :
Sources de courant
Version avec tensionde commande
refrence par rapport la masse :
I
sortie
V
e
R
1
R
2
R
3
V
cc
e sortie
V
R R
R
I
3 2
1
L
Par contre-raction : v
i
0
R
V V
I
e cc
sortie

(hyp: h
FE
lev , AO parfait)
V
CC
V
CC
V
EE
charge
I
sortie
R
1
R
2
R
v
i
V
e
I
sortie
indpendant de la charge,
( leffet Early prs)
tension de commande = V
cc
-V
e
A.O.
178
Rgulateur
V V V V
A
6 . 5
+
Contre raction :
mA I 1
1

V V
sortie
10
Si V
A
diminuait V
+
>V
-
V
B
augmenterait
V
s
=V
B
-1.4 augmenterait
V
A
augmenterait
Darlington
s
sortie
Z
I
10
max
<
Darlington
entre
12V 30V
(non rgule)
D
Z
:5.6V
10k
4.3k
5.6k
transistor
de puissance (ex: 2N3055),
avec radiateur
sortie : 10V
(rgul) 0 10 A
741
A
I
1
B
179
s ANNEXE: Rappel de quelques montages de base avec A.O.
Amplificateur inverseur
A.O. idal i
e
, i
e

= 0 et
( ) ( )
d d s
d i s d
v A v
R
v v
i
R
v v
i



avec ,
1
1
2
2
1
2
1
2
1
2
1
1 1
1
R
R
v
A R
R
R
R
v v
i
A
d
i s
d

,
_

+ +


v
d
=v
s
/A
d
<< v
i
ex : v
s
= 10V, A
d
=10
5
v
d
= 100V ~ court-circuit entre les deux entres
Lentre inverseur constitue une masse virtuelle v
-
= 0 avec i
-
=0 !
-
+
v
i
v
d
v
s
R
1
R
2
i
e
i
e

i
1
i
2
A
d
do le gain en tension du montage :
1
2
R
R
v
v
A
i
s
v
= indpendant de A
d
!!, ne dpend que des lments passifs.
( condition que A
d
>>1+R
2
/R
1
)
180
Amplificateur non- inverseur
-
+
v
i
v
d
v
s
R
1
R
2
i
e
i
e

i
1
i
2
A
d
A.O. idal i
e
, i
e

= 0 et A
d
infini
1 2
2 1
R
v
R
v v
i i
i s i

1
2
1
R
R
v
v
i
s
+ v
d
= 0
Interprtation: Contre-ractionen tension
>>

v v v A v A v v
d d d d s d
) 1 ( , si
par contre, >>

v v v A v A v v
d d d d s d
) 1 ( , si
v
d
se stabilise
rapidement 0
Symbolisme dautomatisme:
A
d
v
d
v
s
B
-
v
i
v
-
avec
2 1
1
R R
R
B
+

( )
s i d s
Bv v A v
B A
A
v
v
d
d
i
s
+

1
Pour A
d
>>B
-1
,
1
2
1
1
R
R
B v
v
i
s
+
181
A.O. idal : V
s
= 0 lorsque V
d
=0, I
-
= I
+
= 0
I mperfections de l A.O. rel :
I
-
, I
+
= courants de polarisation (courant de base) des transistors
I
-
I
+
0 V
s
0 mme en absencede signaux dentre;
V
+
V
-
en raison de la dispersion, mme faible, des transistors dentre
de lamplificateur diffrentiel.
En absence de signaux lentre :
o
d
V V V
+
(V
do
=diffrence des tensions V
BE
des 2 transistors)
q I nfluence des imperfections de l AO: courants et tension doffset
-
+
I
-
I
+
Schma quivalent :
Z
e
o
d
V
Z
s
A
d
v
d
v
d
I
-
I
+
+
-
V
s
offset
182
Mthode de compensation :
Pour maintenir V
s
offset
faible on cherche ce que les rsistances vues des deux entres soient
identiques.
Exemple : amplificateur inverseur ou non-inverseur :
(schmas identiques en absence de signaux dentre)
-
+
v
d
V
s
R
1
(100k )
R
2
(1M)
I
-
I
+
A
d
Hypothse : V
do
= 0mV, I
-
=I
+
=100nA
Circuit sans compensation :
1
R
I
2
R
I
V I R V
offset
s
1 . 0
2


En premire approximation:
pour A
d
suffisamment lev, v
d
0 (masse virtuelle)
d o
0 0
1
1

R R
I V

+ I I I
R R
2 1

I I
R
2
et
V
s
offset
est d autant plus leve que R
2
est grande.

,
_

0 ~
d
s
A
V
V
183
Circuit avec compensation :
Mthode de compensation : insertion dune rsistance approprie entre la masse et lentre non-inverseur
( ) " " // , 0 lorsque
// 2 1
R I R R I V V
s


-
+
v
d
V
s
R
2
I
-
I
+
A
d
R
1
R
+
//
R I V
+ +

lorsque I
+
I
-
, il faudrait choisir I
+
R
+
= I
-
R
//
En prenant R
+
= R
//
on aura :
En consquence si I
-
I
+
, on garde v
d
=V
+
-V
-
= 0 et V
s
=0.
:-((
:-))
Si V
do
0 et I
+
-I
-
=I
offset
, on aurait :

,
_

+ +
1
2
2
1
R
R
V R I V
o
d offset
offset
s