Structures matérielles

des entrées sorties

Généralités sur les transistors

Marc Silanus – marc.silanus@ac-aix-marseille.fr

Génie Electronique – Lycée A. Benoit – Cours Victor Hugo – 84803 L’ISLE SUR LA SORGUE
Le référentiel de BTS SN

Savoir S5.3. :
• Détecteurs / capteurs industriels : position, vitesse,
accélération, …
• Conditionnement et traitement du signal : Amplification,
Filtrage analogique et numérique, compression
• Adaptation de niveau et de puissance (BF et HF)
• Préactionneurs industriels
compétences C3.6 : recenser les solutions existantes répondant au
cahier des charges
C4.1 : câbler et/ou intégrer un matériel
C4.2 : adapter et/ou configurer un matériel

2
1- Introduction
Les transistors sont des composants électronique utilisés
comme interrupteur commandé, amplificateur, stabilisateur
de tension, modulateur de signal ...

3
1- Introduction
Exemple : ici le transistor va remplir la même fonction qu’un relais
mais de façon statique (sans pièce mobile)

4
1- Introduction
Exemples :

Régulateur de tension Générateur de courant

5
1- Introduction
Exemples :

Oscillateur (astable)
Oscillateur à quartz
6
1- Introduction
Exemples :

7
Amplificateur audio
1- Introduction
Exemples :

Adaptation de puissance
8
1- Introduction
Différents types de transistors

9
2- Transistors bipolaires
2-1 Définition d’un transistor bipolaire

10
2- Transistors bipolaires
2-2 Représentation

11
2- Transistors bipolaires
2-3 Fonctionnement du transistor NPN

12
2- Transistors bipolaires
2-3 Fonctionnement du transistor NPN

13
2- Transistors bipolaires
2-3 Fonctionnement du transistor

NPN PNP

14
2- Transistors bipolaires
2-4 Caractéristiques IB(VBE) du transistor NPN

15
2- Transistors bipolaires
2-4 Caractéristiques IB(VBE) du transistor PNP

16
2- Transistors bipolaires
2-4 Caractéristiques IC(VCE) du transistor NPN

17
2- Transistors bipolaires
2-4 Caractéristiques d’un transistor NPN

18
2- Transistors bipolaires
2-4 Caractéristiques d’un transistor NPN : polarisation
La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans
une zone où ses caractéristiques sont linéaires. Pour cela, on applique sur les trois
électrodes du transistor des potentiels continus de valeurs convenables.

Si VE = 0V => VS =?
Si VE = 24V => VS =?

19
2- Transistors bipolaires
2-4 Caractéristiques d’un transistor NPN

20
2- Transistors bipolaires
2-4 Caractéristiques d’un transistor NPN
La loi des mailles dans la boucle de sortie :

21
2- Transistors bipolaires
2-4 Caractéristiques d’un transistor NPN
La loi des mailles dans la boucle de sortie :

22
2- Transistors bipolaires
2-5 Fonctions logiques

23
2- Transistors bipolaires
2-6 Paramètres h

Pour caractériser complètement le fonctionnement d'un transistor,

il faut déterminer 6 grandeurs :

IC IB IE VBE VCE VBC

Les relations : IE = IC + IB et VBE = VCE + VBC

On considère le transistor comme un quadripôle.

24
 2- Transistors bipolaires
2-6 Paramètres h

• Réseau d'entrée : iB = f(VBE) avec VCE comme paramètre

• Réseau de sortie: iC = f(VCE) avec iB comme paramètre
• Réseau de transfert en courant : iC = f(IB) avec VCE comme paramètre
• Réseau de transfert en tension : VBE = f(VCE) avec iB comme paramètre

25
2- Transistors bipolaires
2-6 Paramètres h

vbe = hie ib + hre vce

ic = hfe ib + hoe vce

• hie input impedance (Ω)

• hre reverse voltage ratio (dimensionless)
• hfe forward current transfer ratio (dimensionless)
hoe output admittance (Siemen)

26
2- Transistors bipolaires
2-6 Paramètres h

vbe = hie ib + hre vce

ic = hfe ib + hoe vce

• hie input impedance (Ω)

• hre reverse voltage ratio (dimensionless)
• hfe forward current transfer ratio (dimensionless)
hoe output admittance (Siemen)

27
2- Transistors bipolaires
2-6 Paramètres h

Typical h-parameter Values h-parameters are not constant and vary with both temperature
and collector current.
Typical values for 1mA collector currents are:
hie = 1000 Ω hre = 3 x 10-4 hoe = 3 x 10-6S hfe = 250 28
2- Transistors bipolaires
2-7 Montages fondamentaux : Emetteur commun

• Entrée sur la base

• Emetteur à la masse en ~
• Sortie sur le collecteur

Modèle grands signaux

29
2- Transistors bipolaires
2-7 Montages fondamentaux : Collecteur commun

• Entrée sur la base

• Collecteur au + alim
• Sortie sur l’émetteur

Modèle grands signaux

30
2- Transistors bipolaires
2-7 Montages fondamentaux : Base commune

• Entrée sur l’émetteur

• Base à la masse en ~
• Sortie sur le collecteur

Modèle grands signaux

31
 2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification : Classe de fonctionnement
Selon la position du point de repos, on définit des classes de
fonctionnement différentes.
• Classe A : Lors du fonctionnement, il n'y a ni saturation ni
blocage. Le point de repos idéal est le point A situé au
milieu de la droite de charge.
• Classe B : Le transistor est conducteur pendant exactement
une demi-période. Le point de repos idéal est le point B tel
que IC = 0 et VCE=E .
• Classe AB : En pratique, il est difficile d'obtenir un
fonctionnement en classe B, c'est-à-dire avec un courant de
repos rigoureusement nul. Il est plus simple de polariser le
transistor en maintenant un léger courant collecteur au
repos (point AB).
• Classe C : Dans cette classe de fonctionnement, le transistor
32
est conducteur pendant moins d'une demi-période.
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Principe

33
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Le montage

34
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Point de repos

35
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Point de repos

36
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Point de repos

37
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Modèle petit signal

38
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Modèle petit signal
Rapel : Typical values for 1mA collector currents are:
hie = 1000 Ω hre = 3 x 10-4 hoe = 3 x 10-6S hfe = 250

39
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Modèle petit signal

40
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Comportement fréquentiel

41
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Résistance d’émetteur

42
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Résistance d’émetteur

43
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Résistance d’émetteur

44
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe A : Résistance d’émetteur

45
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe B : Principe

46
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe B : Push-pull

47
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe B : Push-pull

48
2- Transistors bipolaires
2-8 Utilisation en Amplification classe B : Push-pull

49
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Régulateur de tension
Vcc = 15V, ß = 100, Vd = 5,1V , Is_max = 100mA

Calculez Vs et la puissance dissipée par le transistor

50
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Générateur de courant
Vcc = 10V, Vd = 0.6V, Veb = 0.7V, ß = 200 et I = 0.02A

Dimensionnez R1 et R2 et calculez puissance dissipée par le transistor

51
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de micro electret
• Le micro crée de toutes petites variations qui se répercutent sur la base de T1
• T1 amplifie ces variations, et les transmets sur la base de T2 par l'intermédiaire de C5.
• T2 amplifie de nouveau, mais est capable de délivrer suffisamment de courant pour alimenter
un petit haut parleur.

52
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de micro electret
• Identifiez la nature des montages à transistor des premier et deuxième étages.

• Comment appelle t’on les condensateurs C3, C4 et C5 ?

• Quel leur modèle en continue (fréquence nulle) et en alternatif (fréquence élevée)

• A quoi servent les condensateurs C1 et C2 ?

• Quel leur modèle en continue (fréquence nulle) et en alternatif (fréquence élevée)

53
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de micro electret
• Calculez les points de fonctionnements et tracez les droites de charges des deux étages
sachant qu’on cherche un fonctionnement en amplificateur de classe A

54
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de micro electret
• Le modèle en petit signaux du montage est :

• Calculez les résistances équivalentes RB1, RE1, RC1, RB2, RE2, RC2

55
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de micro electret
• Calculez la résistance de sortie équivalente Ro2 du deuxième étage

• Calculez la résistance d’entrée équivalente Ri2 du deuxième étage sachant que hie = hfe.V.k/Ic
avec hfe=100 et V.k=25mV à 300K

56
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de micro electret
• Calculez la résistance de sortie équivalente Ro1 du premier étage

• Calculez la résistance d’entrée équivalente Ri1 du premier étage sachant que hie = hfe.V.k/Ic
avec hfe=100 et V.k=25mV à 300K

57
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de micro electret
• Calculez le gain Av2 du deuxième étage :

• Calculez le gain Av1 du premier étage :

• Calculez le gain de l’amplificateur total :

58
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de micro electret
• Comportement en fréquences

59
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance

60
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance
Les transistors T1 et T2 peuvent-ils être simultanément passants ?

61
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance

62
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance

63
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance

64
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance

● Les transistors T1 et T2 fonctionnent-ils en régime saturé/bloqué ?

65
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance

66
67
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance

68
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance

69
 2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance

Déduire que la puissance électrique moyenne absorbée par la charge peut s'écrire :

70
 2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance
La puissance moyenne fournie par l'alimentation [-Vcc;+Vcc] est donnée par :

Le bilan de puissance au niveau de l'amplificateur de classe B peut s'effectuer comme suit :

71
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance

Déterminer l'expression du rendement de l'amplificateur de classe B dans le cas où Vs(t)

est sinusoïdale.

72
2- Transistors bipolaires
2-9 Exercices : Amplificateur de puissance
La tension de sortie Vs(t) est supposée en forme de créneau périodique.
Calculez le rendement théorique de l’amplificateur :

73
2- Transistors bipolaires
2-10 Fonctionnement en commutation
Le transistor ne peut prendre que deux états : bloqué ou saturé

NPN PNP

Bloqué : Vbe = 0 ; Ib = Ic = Ie = 0 ; Bloqué : Vbe = 0 ; Ib = Ic = Ie = 0 ;

Vce grand Vce grand
Saturé : Vbe = 0,7V ; Ib > 0; Ib ≥ Ic / hfe Saturé : Vbe = - 0,7V ; Ib > 0; Ib ≥ Ib / hfe
Vce = 0,4V Vce = -0,4V
74
 2- Transistors bipolaires
2-10 Fonctionnement en commutation : Exemple
But : commander un relais à l'aide d'une porte logique,
d'une sortie de port parallèle, ....

On ne peut pas brancher directement le relais sur une

telle sortie, car il consomme trop de courant.

Il faut donc mettre un transistor qui va servir

d'interrupteur commandé électriquement.

Problème : déterminer la valeur de R.

Cette résistance est obligatoire. En effet, la jonction base

- émetteur se comporte comme une diode. C'est à dire
que Vbe_max = 0.7V environ. Sans cette résistance, on
forcerait Vbe à 5V, ce qui aurait pour effet de griller le
transistor et/ou la sortie de la porte logique.
 2- Transistors bipolaires
2-10 Fonctionnement en commutation : Exemple
• T: ß = 200, Vce_sat = 0.2V, Vbe_sat = 0.7V, Vce_max = 45V
• REL 12V : Rrel = 310 Ohms
• D: diode de roue libre.
• R: ce qu'on cherche.
• Vcc = +12V
• Ve vaut 0 ou 5V
2- Transistors bipolaires
2-10 Fonctionnement en commutation : Exercice

Etat de la LED si Ve = 0V; Ve = 5V; Ve = 12V

LED Rouge (VF=2,2V, IF=20mA). Calculez R1 et R2

2- Transistors bipolaires
2-10 Fonctionnement en commutation : Exercice

Pmax dissipée par T1 ou T2 : 625 mA

Calculez le courant Icmax d’un transistor en saturation
Lampe 12V,30W

Calculez le courant Ibmin pour saturer les transistors

hfe=100

Dimensionnez R1 et C1 pour obtenir un allumage

après 500ms.
3- Transistors MOS
3-1 Introduction

79
3- Transistors MOS
3-1 Introduction

80
3- Transistors MOS
3-1 Définition d’un transistor MOS

MOS : Metal Oxide Semiconductor Grille Metal ou Polysilicium

81
3- Transistors MOS
3-1 Définition d’un transistor MOS

82
3- Transistors MOS
3-1 Définition d’un transistor MOS

83
3- Transistors MOS
3-2 Principe de fonctionnement

84
3- Transistors MOS
3-3 Modes de fonctionnement : Les caractéristiques d’un canal N

85
3- Transistors MOS
3-3 Modes de fonctionnement : Bloqué

86
3- Transistors MOS
3-3 Modes de fonctionnement : Linéaire ou de conduction

87
3- Transistors MOS
3-3 Modes de fonctionnement : Saturé

88
3- Transistors MOS
3-1 Modes de fonctionnement : Saturé

89
3- Transistors MOS
3-3 Modes de fonctionnement : Résumé pour un canal N

90
3- Transistors MOS
3-3 Modes de fonctionnement : suivant le type

91
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET

TRANSISTOR MOSFET
(Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor).

• Transistor à effet de champ à grille isolée (l’isolant est l’oxyde de silicium).

• La diode (parfois zener) intégrée au transistor le protège contre les surtensions
apparaissant dans les circuits inductifs lors de variation brutales de courant.

92
 3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Régime linéaire

VGS≥Vth et vDS≤vGS– Vth

Schéma équivalent en petits signaux

• Le transistor se comporte entre drain et source comme une résistance dépendant de VGS
• Si VGS >> Vth et VDS << Vgs-Vth => résistance est minimale et appelée RDSon.
• C’est ce mode de fonctionnement qui sera utilisé en commutation.

93
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Régime saturé

VGS≥Vth et vDS> vGS– Vth

Schéma équivalent en petits signaux

• La largeur du canal est modulée par les variations (petits signaux) de VGS.
• Le transistor se comporte comme un amplificateur de transconductance, id=f(vGS).
• Ce mode de fonctionnement est utilisé en microélectronique pour la réalisation des
amplificateurs opérationnels.
• Le paramètre gm dépend fortement de la polarisation.

94
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET :Puissance consommée

P=VDS.Id

En régime linéaire : P=RDSon.Id²

95
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exemple

Caluler RD pour avoir ID = 1A

VDD = 5V, Vth = 2V

96
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exemple

Caluler RD pour avoir ID = 1A

VDD = 5V, Vth = 2V

97
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice

On a mesuré VDS = 6,42 V

Quel le mode de fonctionnement du transistor ?

98
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice

99
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice

Quelle est la nature du transistor ?

Déterminez les coordonnées du point de repos (ID,VDS,VGS)

On donne:
VTh=-5V ; C1=0,33µF ; ID=6mA ; C2=1µF ;
RG=20M VDD=15V ; RD=RL=1K ; Ri=10K

Quel est le mode de fonctionnement du transistor

100
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice

Quelle est la nature du transistor ?

Déterminez les coordonnées du point de repos (ID,VDS,VGS)

On donne:
VTh=-5V ; C1=0,33µF ; ID=6mA ; C2=1µF ;
RG=20M VDD=15V ; RD=RL=1K ; Ri=10K

Quel est le mode de fonctionnement du transistor

101
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice

Le constructeur donne gm (Forward Transconductance) = 2,4 mS

Donnez le schéma équivalent en alternatif.

Calculez les résistance d’entrée et de sortie

Calculez le gain de l’amplificateur à vide A0 = Vo / VGS

102
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice

Calculez le gain de l’amplificateur A = Vo / Vi

En déduire Vo si Vi=0,01.sin(2ft)

103
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice

Calculez les fréquences de coupure basses de cet amplificateur :

104
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice

Calculez les fréquences de coupure haute de cet amplificateur sachant que :

Cgs=5pF ; Cgd=2pF ; Cds=1pF

Ce=CGD(1-A0)+CGS
Cs=CDS+CGD(1-1/A0)
105
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice

En déduire la bande passante.

106
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice

Tj=150 °C

Tj=150 °C 107
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice
Pourquoi avoir utiliser ici une porte à collecteur ouvert pour U1.
Utilité de la résistance R1

Quel niveau logique doit-on avoir en VE1 et Ve2 pour commander le moteur

108
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice
Calculez le courant dans le moteur en régime établi.

Calculez le courant de pointe de démarrage du moteur

109
3- Transistors MOS
3-4 Transistor MOSFET : Exercice
Ce transistor est-il adapté pour l'usage voulu : ( tension et courant )

Ces transistors ont-ils besoin d'un dissipateur ?

110