Matière : Electronique des impulsions AU : 2017/2018

Filière : L3

Chapitre 3 : Composants actifs en commutation

3.1. Introduction
La commutation en électronique signifie l’établissement ou la coupure du courant ou de la
tension instantanément dans un circuit. Un interrupteur (commutateur) électronique idéal doit
représenter une résistance nulle à la fermeture, une résistance infinie à l’ouverture et un
temps de commutation nul.
L’étude des composants actifs en commutation consiste à identifier le comportement de ces
derniers lorsqu’ils sont utilisés comme commutateurs. On s’intéressera dans ce chapitre à
deux composants de base à savoir la diode à jonction et le transistor bipolaire.

3.2. Diode en commutation

3.2.1. Schéma équivalent d’une diode en commutation
A. En polarisation inverse
Lorsqu’une diode à jonction est polarisée en inverse, un léger courant inverse 𝐼𝑟0 dû aux
porteurs minoritaires la traverse. La zone de charge d’espace dépourvue de porteurs jouant le
rôle d’un isolant, avec les charges de signes différents de part et d’autre de la zone de
transition forme un condensateur. Ce dernier est appelé condensateur de transition 𝐶𝑇 dont la
capacité décroit avec la tension inverse 𝑉𝑅 appliquée.
Le schéma équivalent d’une diode en polarisation inverse est le suivant :

𝐶𝑇

𝑉𝑅 𝑉𝑅

Figure 3.1 Schéma équivalent d’une diode en polarisation inverse.

B. En polarisation directe
Lorsqu’une diode à jonction est polarisée en directe, un courant direct 𝐼𝐹 dû aux porteurs
majoritaires circule de la zone P vers la zone N. Les électrons diffusent de la zone N où ils
sont majoritaires vers la zone P où ils deviennent minoritaires puis se recombines. Les trous
diffusent de la zone P où ils sont majoritaires vers la zone N où ils deviennent minoritaires
puis se recombines. Le phénomène de recombinaison n’étant pas instantané, une charge
Electronique des impulsions L3

stockée 𝑄𝑠 est formée entre le moment où les porteurs traversent la jonction et celui où ils se
recombinent. Le condensateur formé par ces charges est appelé condensateur de diffusion 𝐶𝐷 .
La charge stockée 𝑄𝑠 dépend du courant direct 𝐼𝐹 et de la durée de vie moyenne des porteurs
minoritaires 𝜏 (𝑄𝑠 = 𝜏𝐼𝐹 ).
Le schéma équivalent d’une diode en polarisation directe est le suivant :

𝑅𝐷
𝑉0
𝐶𝐷
𝑉𝐹
𝑉𝐹

Figure 3.2 Schéma équivalent d’une diode en polarisation directe.

La résistance 𝑅𝐷 traduit la difficulté que rencontrent les charges libres à traverser la jonction.

3.2.2. Etude de la commutation

A. Commutation directe
Soit le circuit de la figure ci-contre, la tension d’entrée
est un signal rectangulaire qui varie de 𝑅
𝑉𝐿 à 𝑉𝐻 (avec 𝑉𝐿 < 0) : 𝑣𝑅

𝑣𝑒 𝐷 𝑣𝐷
De l’instant 𝑡 = 0 à 𝑡 = 𝑡0 : la diode est dans un régime
permanant, elle est bloquée et aucun courant ne la
traverse.

A l’instant 𝑡 = 𝑡0 , la tension d’entrée commute instantanément vers la tension positive 𝑉𝐻 ,

cette tension positive tend à débloquer la diode. La mise en conduction ne se déroule pas
instantanément, elle nécessite un temps 𝑡𝑓𝑟 appelé temps de recouvrement direct (forward
recovery time). C’est le temps nécessaires aux porteurs majoritaires ayant traversés la
jonction de part et d’autre et ayant formés la charge stockée 𝑄𝑠 de se recombiner.

A partir de cet instant la diode atteint son régime permanant, elle est conductrice et parcourue
𝑉𝐻 −𝑉0
par le courant direct 𝐼𝐹 = .
𝑅

B. Commutation inverse
De l’instant 𝑡 = 𝑡1 à 𝑡 = 𝑡2 , la diode est dans un régime permanant, elle est passante et
parcourue par le courant direct 𝐼𝐹 .

A l’instant 𝑡 = 𝑡2 , la tension d’entrée commute instantanément vers la tension négative 𝑉𝐿 ,

cette tension négative tend à bloquer la diode. Le courant ne s’annule pas instantanément et il
𝑉𝐿
prend une valeur négative 𝐼𝑅 = , il a pour rôle d’évacuer la charge stockée 𝑄𝑠 et de rétablir
𝑅
la barrière de potentiel. Le blocage de la diode nécessite un temps 𝑡𝑟𝑟 appelé temps de
recouvrement inverse (reverses recovery time).

2 Dr. Y. TIGHILT (dép. Elec. UFAS1)

Electronique des impulsions L3

A partir de cet instant la diode atteint son régime permanant, elle est bloquée et aucun courant
ne la traverse.

C. Forme des signaux

La formes de la tension aux bornes de la diode ainsi que le courant qui la traverse sont
données dans les chronogrammes suivants :

𝑣𝑒 (𝑡)
𝑉𝐻

𝑡0 𝑡1 𝑡2 𝑡3 𝑡
𝑉𝐿

𝑣𝐷 (𝑡)
𝑉0
𝑡
𝑉𝐿
𝑡𝑓𝑟
𝑖𝐷 (𝑡)
𝐼𝑚𝑎𝑥
𝐼𝐹

𝑡
𝐼𝑅

𝑡𝑟𝑟

Figure 3.3 Diode en commutation : forme des signaux.

3.2.3. Montages permettent d’accélérer la commutation

 Utilisation de la diode Schottky
C’est une jonction métal semi-conducteur, le temps de recombinaison très court donc il
n’y a pas de charges stockées d’où un temps d’évacuation nul ainsi son temps de
recouvrement est très bref. Elle aussi caractérisée par sa tension de seuil est inférieure à
celle d’une diode à jonction.
 Utilisation d’un condensateur de compensation
En utilisant un condensateur en parallèle avec la résistance 𝑅 dont le rôle est d’absorber
toute la charge stockée dans la diode. Ainsi aucun courant ne devra traverser la diode
pour annuler 𝑄𝑠 dont un temps de stockage nul.
3.3. Transistor en commutation
Le fonctionnement d’un transistor bipolaire peut être dans l’un de ces trois états:

3 Dr. Y. TIGHILT (dép. Elec. UFAS1)

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 Soit bloqué si la jonction base émetteur est polarisé en inverse et par conséquence
𝑉𝐵𝐸 < 𝑉𝐵𝐸0 = 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉 ⇒ 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 0 ⇒ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 .

 Soit en fonctionnement linéaire ou régime d’amplification si la jonction base-émetteur

est polarisée en directe tandis que la jonction collecteur-base est polarisée en inverse
𝑣𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸0 = 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉 ⇒ 𝐼𝐵 ≠ 0 ⇒ 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ⇒ 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 < 𝑣𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐶 .

 Soit saturé si les deux jonctions base-émetteur et collecteur-base sont polarisées en

directes, le courant 𝐼𝐶 atteint une valeur maximale qui ne dépend plus de 𝐼𝐵 .
𝑣𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸0 = 𝑣𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉 ⇒ 𝐼𝐵 ≥ 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ⇒ 𝑣𝐶𝐸 = 𝑣𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.2 𝑉 ⇒ 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡

𝐼𝐶 𝑣𝐶𝐸
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 𝑉𝑐𝑐

𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 𝐼𝐵 𝑉𝐵𝐵

L’intérêt du transistor en commutation réside dans la possibilité de contrôler le courant du

collecteur par le courant ou la tension appliqué à la base.
Exemple : 𝑉𝐶𝐶
Déterminer pour chacun de ces cas l’état du transistor. 𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω
On donne 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 50, 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉, 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.2 𝑉.
𝑅𝐵 = 10 𝐾Ω
1- 𝑉𝐵𝐵 = 3 𝑉
2- 𝑉𝐵𝐵 = 2.5 𝑉 𝑉𝐵𝐵

Solution
Pour 𝑽𝑩𝑩 = 𝟑 𝑽
 Premièrement on détermine 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 de la maille de sortie :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 10 − 0.2
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = = = 9.8 𝑚𝐴
𝑅𝐶 1 × 103
 Ensuite on détermine 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 de la maille de sortie :
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 9.8
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = = = 0.196 𝑚𝐴
𝛽𝑚𝑖𝑛 50
 Puis on détermine 𝐼𝐵 de la maille d’entrée :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 3 − 0.6
𝐼𝐵 = = = 0.24 𝑚𝐴
𝑅𝐵 10 × 103
 En fin on compare 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 à 𝐼𝐵 pour en déduire l’état du transistor :

4 Dr. Y. TIGHILT (dép. Elec. UFAS1)

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𝐼𝐵 = 0.24 𝑚𝐴 > 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = 0.196 𝑚𝐴

Le transistor est saturé.
Pour 𝑽𝑩𝑩 = 𝟐. 𝟓 𝑽
 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 et 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 étant les mêmes, on détermine 𝐼𝐵 de la maille d’entrée :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 2.5 − 0.6
𝐼𝐵 ′ = = = 0.190 𝑚𝐴
𝑅𝐵 10 × 103
 On compare 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 à 𝐼𝐵 pour en déduire l’état du transistor :

𝐼𝐵 ′ = 0.190 𝑚𝐴 < 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = 0.196 𝑚𝐴

Le transistor fonctionne en régime linéaire.
Remarque
On peut également calculer la tension 𝑉𝐵𝐵 minimale qui provoque la saturation :
𝑉𝐵𝐵𝑚𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 + 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 10 × 103 × 1.96 × 10−3 + 0.6 = 2.56 𝑉
𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐵𝑚𝑖𝑛 le transistor fonctionne en régime linéaire.

3.3.1. Etude de la commutation

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶

 Lorsque la tension 𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 ⇒ la 𝑅𝐶

jonction 𝐵𝐸 est bloquée ⇒ 𝐼𝐶 = 0, le 𝑅𝐵

𝐾
transistor est bloqué et son schéma
𝑉𝐵𝐵
équivalent côté collecteur est ci-contre :

 Lorsque la tension 𝑉𝐵𝐵 augmente, 𝐼𝐵

augmente ainsi que 𝐼𝐶 . Lorsque le courant 𝐼𝐶 atteint la valeur 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐶
maximale ≅ il ne peut plus augmenter même si on augmente 𝐼𝐵 , on
𝑅𝐶

dit que le transistor est saturé et son schéma équivalent côté collecteur
𝐾
devient :

 En pratique 𝐼𝐵 doit être supérieur à 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 qui provoque juste la

saturation :

𝐼𝐵 = 𝐾 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 avec 𝐾≥2

Exemple
Dans le montage de la figure ci-dessous :

5 Dr. Y. TIGHILT (dép. Elec. UFAS1)

Electronique des impulsions L3

On donne 𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 et 𝑅𝐶 = 1𝐾Ω

𝑉𝐶𝐶
1- Quel est l’état du transistor si 𝑉𝑖𝑛 = 0. 𝑅𝐶
2- Quelle la valeur minimale de 𝐼𝐵 qui provoque juste la
𝑅𝐵
saturation si 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 200 et 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.
3- Calculer la valeur maximale de 𝑅𝐵 si 𝑉𝑖𝑛 = 5 𝑉. 𝑉𝑖𝑛

Solution
1- Si 𝑉𝑖𝑛 = 0 ⇒ la jonction BE est polarisée en inverse
⇒ le transistor est bloqué.
2- Calcul de la valeur de 𝐼𝐵 qui provoque juste la saturation :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 10 − 0
𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 = = = 50 𝜇𝐴
𝛽𝑚𝑖𝑛 𝑅𝐶 200 × 1 × 103
3- Calcul de 𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 :
𝑉𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
Pour que le transistor soit saturé, il faut que 𝐼𝐵 ≥ 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛
𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐵𝐸 5 − 0.6
⇒ 𝑅𝐵 ≤ = = 88 𝐾Ω
𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 50 × 10−6

3.3.2. Réponse à un train d’impulsion

𝑉𝐶𝐶
Dans le montage de la figure ci-contre la tension d’entrée
𝑅𝐶
est un signal rectangulaire qui commute entre 𝑉𝐻 et 𝑉𝐿
(𝑉𝐻 > 0, 𝑉𝐿 < 0). Lorsque la tension d’entrée commute 𝑅𝐵

entre 𝑉𝐻 et 𝑉𝐿 , la jonction BE se comporte comme une

𝑣𝑒
diode en commutation :
 Avant l’instant 𝑡 = 𝑡0
La tension d’entrée est négative, le transistor se trouve dans un régime permanant bloqué
⇒ 𝐼𝐵 = 0, 𝐼𝐶 = 0, 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐿
 A l’instant 𝑡 = 𝑡0
La tension d’entrée commute instantanément à 𝑉𝐻 , le courant 𝐼𝐵 charge le condensateur de
transition côté émetteur 𝐶𝑇𝐸 et côté collecteur 𝐶𝑇𝐶 , la tension de base augmente d’une
manière exponentielle.
 A partir de l’instant 𝑡 = 𝑡1
La tension 𝑉𝐵𝐸 devient positive et le courant 𝐼𝐶 augmente rapidement, l’intervalle
𝑡𝑑 = 𝑡1 − 𝑡0 est appelé temps de retard, c’est le temps nécessaire à 𝐼𝐶 pour atteindre
10% 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 . Ce temps correspond au temps de charge des condensateurs de transition plus le

6 Dr. Y. TIGHILT (dép. Elec. UFAS1)

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temps nécessaire aux porteurs minoritaires ayant franchi la jonction côté émetteur d’atteindre
le collecteur.
 De l’instant 𝑡1 à 𝑡2
𝐼𝐶 passe de 10% 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 à 90% 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 soit le temps de montée 𝑡𝑟 du courant 𝐼𝐶 . Il correspond au
temps nécessaire à la jonction base collecteur pour passer de la polarisation inverse à la
polarisation directe.
Le temps d’établissement 𝑡𝑜𝑛 et la somme de 𝑡𝑑 et 𝑡𝑟 (𝑡𝑜𝑛 = 𝑡𝑑 + 𝑡𝑟 ).
 Pendant l’intervalle 𝑡2 à 𝑡3
Le transistor atteint son régime permanant, il est saturé 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 et 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
 De l’instant 𝑡3 à 𝑡4
Il correspond au temps de stockage 𝑡𝑠 , c’est le temps nécessaire pour évacuer
progressivement l’excès d’électrons injectés dans la base.
 A l’instant 𝑡 = 𝑡4
𝐼𝐶 atteint 90% 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 le transistor sort de la saturation et le courant 𝐼𝐶 commence de
descendre pour atteindre 10% 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 à l’instant = 𝑡5 .
 L’intervalle 𝑡4 à 𝑡5
Il correspond au temps de descente 𝑡𝑓 , c’est le temps nécessaire pour décharger les
condensateurs de transition 𝐶𝑇𝐸 et 𝐶𝑇𝐶 . Le temps d’extinction 𝑡𝑜𝑓𝑓 = 𝑡𝑠 + 𝑡𝑓 .

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