Chapitre 2 : Circuits en régime sinusoïdale

I. Description des signaux sinusoïdaux

1. Ecriture d’un signal sinusoïdal

Un signal électrique S est sinusoïdal, si son évolution au cours du temps peut s’écrire sous la forme :

𝑺(𝒕) = 𝑺𝟎 𝒄𝒐𝒔(𝝎𝒕 + 𝝋)

La grandeur 𝑆0 correspond à la valeur maximale du signal au cours du temps : on l’appelle l’amplitude du signal.

La valeur efficace 𝑆𝑒𝑓𝑓 est la valeur efficace liée au signal S par le rapport :

𝑺𝟎
𝑺𝒆𝒇𝒇 =
√𝟐

La grandeur 𝜔 exprimée en (𝑟𝑎𝑑. 𝑠 −1 ) s’appelle la pulsation du signal.

Le signal se sinusoïdal se répète avec la période T, exprimée en (𝑠 −1 ), correspond à la durée d’une oscillation
complète :

𝑺(𝒕) = 𝑺(𝒕 + 𝑻)

La période T et la pulsation 𝜔 sont liés par la relation :

𝟐𝜫
𝑻=
𝝎

La fréquence f du signal, exprimée en (Hz) est par définition :

𝝎
𝒇=
𝟐𝜫

On appelle phase du signal, la grandeur (𝜔𝑡 + 𝜑). 𝜑 est est appelée phase à l’origine des temps (t=0s) et est
comprise entre (−𝛱 𝑒𝑡 𝛱).

2. Notation complexe

Nous désignons un nombre complexe 𝑧 par 𝒛 = 𝒂 + 𝒋𝒃 (avec 𝑗 2 = −1) ou 𝒛 = 𝒛𝒆𝒋𝝋

Où 𝒛 = √𝒂𝟐 + 𝒃𝟐 est le module du nombre complexe 𝑧 , (𝑧 = |𝑧|) et 𝜑 est l’argument de 𝑧.

𝒆𝒋𝝋 = 𝒄𝒐𝒔𝝋 + 𝒋. 𝒔𝒊𝒏𝝋

Ainsi : 𝑧 = 𝑧𝑒 𝑗𝜑 = 𝑧. 𝑐𝑜𝑠𝜑 + 𝑗. 𝑧. 𝑠𝑖𝑛𝜑 = 𝑎 + 𝑗𝑏

Donc :

𝑎 𝑏
𝑐𝑜𝑠𝜑 = 𝑒𝑡 𝑠𝑖𝑛𝜑 =
√𝑎2 + 𝑏2 √𝑎2 + 𝑏2

D’où :

𝒃
𝝋 = 𝒂𝒓𝒄𝒕𝒈( )
𝒂

1
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Dans le cas d’un signal sinusoïdal𝑆(𝑡), l’écriture complexe de 𝑆(𝑡) = 𝑆0 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 + 𝜑) est :

𝑺(𝒕) = 𝑺𝟎 𝒆𝒋(𝝎𝒕+𝝋)

avec 𝑆0 est le module de 𝑆(𝑡) (𝑆0 = |𝑆(𝑡)|) et (𝜔𝑡 + 𝜑) est l’argument de 𝑆(𝑡) ((𝜔𝑡 + 𝜑) = arg(𝑆(𝑡) ).

On obtient finalement :

𝑆(𝑡) = 𝑆0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡+𝜑) = 𝑆0 . 𝑐𝑜𝑠𝜑 + 𝑗. 𝑆0 . 𝑠𝑖𝑛𝜑

On remarque donc que

𝑆 (𝑡) = 𝑆0 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 + 𝜑) = 𝑅𝑒[𝑆(𝑡)]

 Addition de deux signaux de même fréquence

Soit 𝑆1 (𝑡) = 𝑆0 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡) et 𝑆2 (𝑡) = 𝑆0 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡). Calculons 𝑆(𝑡) = 𝑆1 (𝑡) + 𝑆2 (𝑡).

𝛱
On remarque tout d’abord que 𝑆2 (𝑡) = 𝑆0 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡) = 𝑆0 𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 − 2 ).

𝛱
Posons : 𝑆1 (𝑡) = 𝑆0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡) et: 𝑆2 (𝑡) = 𝑆0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡− 2 ) . Calculons alors 𝑆(𝑡) = 𝑆1 (𝑡) + 𝑆2 (𝑡).
𝛱 𝛱 𝛱
𝑆(𝑡) = 𝑆0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡) + 𝑆0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡− 2 ) = 𝑆0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡) (1 − 𝑗 ) = 𝑆0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡) . √2𝑒 −𝑗 4 = 𝑆0 √2 𝑒 𝑗(𝜔𝑡− 4 )

𝜫
𝑺(𝒕) = 𝑹𝒆[𝑺(𝒕)] = 𝑺𝟎 √𝟐𝐜𝐨𝐬(𝝎𝒕 − )
𝟒

Remarque : nous aurions pu obtenir aussi rapidement le même résultat en utilisant la représentation de Fresnel :

 Dérivation et intégration

Soit 𝑆(𝑡) = 𝑆0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡+𝜑) . Alors,

𝑑𝑆(𝑡)
= 𝑗𝜔𝑆(𝑡)
𝑑𝑥
𝑆(𝑡)
∫ 𝑆 (𝑡)𝑑𝑡 =
𝑗𝜔

𝑑𝑆(𝑡) 𝑑𝑆(𝑡)
Ainsi, pour chercher , il suffit de calculer 𝑅𝑒 [ ] = 𝑅𝑒[𝑗𝜔𝑆(𝑡)]
𝑑𝑥 𝑑𝑥

𝑆(𝑡)
et pour chercher ∫ 𝑆(𝑡)𝑑𝑡 ,il suffit de calculer 𝑅𝑒[∫ 𝑆(𝑡)𝑑𝑡] = 𝑅𝑒[ 𝑗𝜔 ].
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II . Dipôles linéaires passifs en régime sinusoïdal

1. Impédance complexe et admittance complexe

Considérons un dipôle linéaire passif. En régime harmonique, il est parcouru par un courant sinusoïdal de la forme

𝑖(𝑡) = 𝑖0 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 + 𝜑𝑖 ) et la tension entre ses deux bornes est de la forme 𝑢(𝑡) = 𝑢0 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 + 𝜑𝑢 ).

Soit en notation complexe :

𝑖(𝑡) = 𝑖0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡+𝜑𝑖 )

𝑢(𝑡) = 𝑢0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡+𝜑𝑢)

L’impédance complexe du dipôle est par définition la grandeur complexe :

𝒖(𝒕)
𝒁=
𝒊(𝒕)

Nous avons alors :

𝑢(𝑡) 𝑢0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡+𝜑𝑢 ) 𝑢0 𝑗(𝜑 −𝜑 ) 𝑢0 𝑗(𝜑)

𝑍= = = 𝑒 𝑢 𝑖 = 𝑒
𝑖(𝑡) 𝑖0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡+𝜑𝑖 ) 𝑖0 𝑖0
𝑢0
Le module de 𝑍 est 𝑍 = |𝑍| = 𝑖0
est l’impédance du dipôle

Son argument est arg(𝑍) = 𝜑 = 𝜑𝑢 − 𝜑𝑖 est le déphasage de la tension par rapport au courant.

𝑢0 𝑗(𝜑) 𝑢0 𝑢0
𝑍= 𝑒 = 𝑐𝑜𝑠𝜑 + 𝑗 𝑠𝑖𝑛𝜑
𝑖0 𝑖0 𝑖0
𝑢
𝑅 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝑟é𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑢 𝑑𝑖𝑝ô𝑙𝑒 [𝛺] = 𝑖 0 𝑐𝑜𝑠𝜑
0
Généralement, 𝒁 = 𝑹 + 𝒋 𝑿 avec { 𝑢0
𝑋 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝑟é𝑎𝑐𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑢 𝑑𝑖𝑝ô𝑙𝑒 [𝛺] = 𝑖 𝑠𝑖𝑛𝜑
0

𝑍 = |𝑍| = √𝑅2 + 𝑋 2
Alors { 𝑋
𝜑 = 𝑎𝑟𝑡𝑐𝑔( )
𝑅

L’admittance complexe du dipôle est l’inverse de son impédance complexe :

1 𝑖(𝑡) 𝑖0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡+𝜑𝑖 ) 𝑖0 𝑖0
𝑌= =𝑍= = 𝑗(𝜔𝑡+𝜑 )
= 𝑒 𝑗(𝜑𝑖 −𝜑𝑢 ) = 𝑒 −𝑗(𝜑)
𝑍 𝑢(𝑡) 𝑢0 𝑒 𝑢 𝑢0 𝑢0

𝑖
Le module 𝑌 = 𝑌 = |𝑢0 | est l’admittance du diplôme, et elle se mesure en Siemens [S].
0

𝑖0 −𝑗(𝜑) 𝑖0 𝑖0
𝑌= 𝑒 = cos(−𝜑) + 𝑗 sin(−𝜑)
𝑢0 𝑢0 𝑢0
𝑖
𝐺 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑢 𝑑𝑖𝑝ô𝑙𝑒 [𝑆] = 𝑢0 cos(−𝜑 )
0
Généralement, 𝒀 = 𝑮 + 𝒋 𝑩 avec { 𝑖0
𝐵 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝑠𝑢𝑐𝑒𝑝𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑢 𝑑𝑖𝑝ô𝑙𝑒 [𝑆] = 𝑢 sin(−𝜑)
0

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2. Exemples d’impédance complexes

a. Conducteur ohmique (une résistance) :

D’après la loi d’Ohm, nous avons la relation : 𝑢(𝑡) = 𝑅. 𝑖(𝑡)

𝑢(𝑡)
En régime sinusoïdal, l’impédance complexe est alors 𝑍𝑅 = 𝑖(𝑡)
=𝑅

𝒁𝑹 = 𝑹

𝑍𝑅 = 𝑅 = 𝑅𝑒 𝑗0

L’impédance complexe d’un conducteur ohmique est réelle pure et constante. La tension et le courant sont en phase
𝜑 = 𝜑𝑢 − 𝜑𝑖 = 0.

b. Condensateur (capacité) :

On a

𝑑𝑢(𝑡)
𝑖 (𝑡) = 𝐶
𝑑𝑡

Soit en notation complexe :

𝑑𝑢(𝑡)
𝑖 (𝑡) = 𝐶 = 𝑗𝐶𝜔𝑢(𝑡)
𝑑𝑡

𝟏
𝒁𝑪 =
𝒋𝑪𝝎

1 1 1 −𝑗 𝛱
𝑍𝐶 = = −𝑗 = 𝑒 2
𝑗𝐶𝜔 𝐶𝜔 𝐶𝜔
𝛱
L’impédance complexe d’une capacité est imaginaire pure. La tension est en retard de phase de 2
par rapport au
courant.

c. Inductance (bobine) :

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On a

𝑑𝑖(𝑡)
𝑢(𝑡) = 𝐿
𝑑𝑡

Soit en notation complexe :

𝑑𝑖(𝑡)
𝑢(𝑡) = 𝐿 = 𝑗𝐿𝜔𝑖(𝑡)
𝑑𝑡

𝒁𝑳 = 𝒋𝑳𝝎

𝛱
𝑍𝐿 = 𝑗𝐿𝜔 = 𝐿𝜔𝑒 𝑗 2
𝛱
L’impédance complexe d’une capacité est imaginaire pure. La tension est en avance de phase de 2
par rapport au
courant.

3. Association d’impédances

Les relations obtenues en notation réelle dans le chapitre 1 se transposent encore aux notations complexes. Soit :

En série :
𝑛

𝑍 = ∑ 𝑍𝑖
𝑖=1

En parallèle :
𝑛
1 1
=∑
𝑍 𝑍𝑖
𝑖=1

De même tous les théorèmes et relations obtenu dans le chapitre précédant sont applicables (Th de superposition,
Thevenin, Norton, Millmann, ponts diviseurs, etc…).

4. Interprétation physique des comportements de C et de L aux basses et hautes fréquences

1
Pour un condensateur : on a |𝑍𝐶 | = 𝐶𝜔

Ainsi
𝑎𝑢𝑥 𝑏𝑎𝑠𝑠𝑒𝑠 𝑓𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒𝑠 (𝑞𝑢𝑎𝑛𝑑 𝜔 ==> 0), |𝑍𝐶 | ==> ∞ , 𝑙𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑒𝑛𝑠𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑠𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑚𝑒 𝑢𝑛 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡 𝑜𝑢𝑣𝑒𝑟𝑡
{
𝑎𝑢𝑥 ℎ𝑎𝑢𝑡𝑒𝑠 𝑓𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒𝑠 (𝑞𝑢𝑎𝑛𝑑 𝜔 ==> ∞), |𝑍𝐶 | ==> 0 , 𝑙𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑒𝑛𝑠𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑠𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑚𝑒 𝑢𝑛 𝑓𝑖𝑙 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟

Pour une inductance : on a |𝑍𝐿 | = 𝐿𝜔

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Ainsi
𝑎𝑢𝑥 𝑏𝑎𝑠𝑠𝑒𝑠 𝑓𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒𝑠 (𝑞𝑢𝑎𝑛𝑑 𝜔 ==> 0), |𝑍𝐿 | ==> 0 , 𝑙𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑒𝑛𝑠𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑠𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑚𝑒 𝑢𝑛 𝑓𝑖𝑙 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟
{
𝑎𝑢𝑥 ℎ𝑎𝑢𝑡𝑒𝑠 𝑓𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒𝑠 (𝑞𝑢𝑎𝑛𝑑 𝜔 ==> ∞), |𝑍𝐿 | ==> 0 , 𝑙𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑒𝑛𝑠𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑠𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑚𝑒 𝑢𝑛 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡 𝑜𝑢𝑣𝑒𝑟𝑡

III. Puissance en régime sinusoïdal

On appelle puissance complexe l’expression 𝑆 = 𝑈. 𝐼 ∗ où 𝑈 représente la tension complexe aux bornes du dipôle et
𝐼 ∗ la valeur complexe conjuguée de l’intensité de courant 𝐼 dans le dipôle.

𝑆 = 𝑈. 𝐼 ∗ = 𝑢0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡+𝜑𝑢). 𝑖0 𝑒 𝑗(𝜔𝑡𝑖𝜑𝑖) = 𝑢0 . 𝑖0 𝑒 𝑗(𝜑𝑢−𝜑𝑖 ) = 𝑢0 . 𝑖0 𝑒 𝑗(𝜑)

𝑆 = 𝑃 + 𝑗𝑄

𝑃 = 𝑢0 . 𝑖0 𝑐𝑜𝑠𝜑 : Puissance active (en W), représente la puissance moyenne consommée par le dipôle. Elle est
toujours positive.

𝑄 = 𝑢0 . 𝑖0 𝑠𝑖𝑛𝜑 : Puissance réactive (en V.A.R : volt ampère réactif). C’est un nombre algébrique, fonction du signe
de ϕ, donc de la nature inductive (>0) ou capacitive (<0) du circuit.

𝑆 = 𝑢0 . 𝑖0 : Puissance instantanée (V.A)

Cas des dipôles élémentaires (R,L,C)

𝑃 = 𝑢0 . 𝑖0 = 𝑅. 𝑖0 2 (𝑒𝑓𝑓𝑒𝑡 𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒)
Résistance R (ϕ=0) : {
𝑄=0

𝛱 𝑃=0
Inductance L (ϕ= 0) : {
2 𝑄 = 𝑢0 . 𝑖0 > 0: 𝑢𝑛𝑒 𝑏𝑜𝑏𝑖𝑛𝑒 𝑎𝑏𝑠𝑜𝑟𝑏𝑒 𝑙 ′ é𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑒𝑟é𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒

𝛱 𝑃=0
Capacité C (ϕ=-- ) : {
2 𝑄 = −𝑢0 . 𝑖0 < 0 ∶ 𝑢𝑛 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑒𝑛𝑠𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑓𝑜𝑢𝑟𝑛𝑖𝑡 𝑑𝑒 𝑙 ′ é𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑒𝑟é𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒

En conclusion :

𝛱
𝑠𝑖 0 < 𝜑 < : 𝑄 > 0 ∶ 𝑙𝑒 𝑑𝑖𝑝ô𝑙𝑒 𝑒𝑠𝑡 𝑖𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑖𝑓
{ 2
𝛱
𝑠𝑖 − < 𝜑 < 0: 𝑄 < 0: 𝑙𝑒 𝑑𝑖𝑝ô𝑙𝑒 𝑒𝑠𝑡 𝑐𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑖𝑓
2

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