Cours d’Electronique 2

S4 - Années Préparatoires Intégrées

Professeur K. MAAIDER (Département Génie Electrique)

ANNEE UNIVERSITAIRE : 2023/2024
 Plan du cours

QUADRIPOLES ELECTRIQUES

CHAPITRE 1 : LES QUADRIPOLES ;

CHAPITRE 2 : LES FILTRES ANALOGIQUES ;

COMPOSANTS ELECTRONIQUES

CHAPITRE 3 : PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS ;

CHAPITRE 4 : JONCTION PN ;
CHAPITRE 5 : DIODES A JONCTION ;
CHAPITRE 6 : TRANSISTORS BIPOLAIRES ;
CHAPITRE 7 : TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ;
CHAPITRE 8 : AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL.

1
Table de matières
CHAPITRE I : LES QUADRIPÔLES ................................................................................................................ 4
1- Rappels ............................................................................................................................................................... 4
1.1 Théorème de Thévenin...................................................................................................................................... 4
1.2 Théorème de Norton ......................................................................................................................................... 4
1.3 Théorème de réciprocité .................................................................................................................................... 4
2- Quadripôles : Grandeurs caractéristiques ........................................................................................................... 5
2.1 Convention de signe .......................................................................................................................................... 5
2.2 Impédances d'entrée et de sortie ........................................................................................................................ 5
3- Paramètres........................................................................................................................................................... 6
4- Modèles électriques correspondant aux matrices ................................................................................................ 8
5- Association de Quadripôles .............................................................................................................................. 10
5.1 En parallèle : ................................................................................................................................................... 10
5.2 En série : ......................................................................................................................................................... 10
5.3 En cascade :..................................................................................................................................................... 11
5.4 En série-parallèle............................................................................................................................................. 11
5.5 En parallèle-série............................................................................................................................................. 11
6- Adaptations d'impédance en tension, en courant et en puissance ..................................................................... 13
6.1 Adaptation d'impédance en tension ................................................................................................................. 13
6.2 Adaptation d'impédance en courant ................................................................................................................ 13
6.3 Adaptation d'impédance en puissance ............................................................................................................. 13
CHAPITRE II : LES FILTRES ANALOGIQUES .......................................................................................... 16
1- Les Filtres : définition, classification. ............................................................................................................... 16
2- Fonction de transfert d’un filtre ........................................................................................................................ 16
3- Représentation des fonctions de transfert – Diagramme de Bode .................................................................... 16
3.1 Diagrammes de Bode - Intérêt de l’échelle logarithmique .............................................................................. 17
3.2 Intérêt de l’échelle logarithmique pour le tracé du diagramme de Bode. ........................................................ 20
4- Formes canoniques usuelles.............................................................................................................................. 21
4.1 Filtre passe-bas ................................................................................................................................................ 21
4.2 Filtre passe-haut .............................................................................................................................................. 22
4.3 Filtre passe-bande ........................................................................................................................................... 22
4.4 Filtre coupe-bande........................................................................................................................................... 22
CHAPITRE III : PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS ......................................................................... 25
1- Structure cristalline ........................................................................................................................................... 25
2- Niveaux d’énergie – Bandes d’énergie ............................................................................................................. 25
3- Niveau de Fermi ............................................................................................................................................... 26
4- Conducteurs ...................................................................................................................................................... 27
4.1 Mécanisme de conduction dans les conducteurs ............................................................................................. 27
4.2 Mobilité, Résistivité : ...................................................................................................................................... 27
5- Isolants .............................................................................................................................................................. 27
6- Semiconducteurs ............................................................................................................................................... 28
6.1 Densité de porteurs dans un semiconducteur .................................................................................................. 28
6.2 Loi d’action et de masse .................................................................................................................................. 28
7- Semiconducteurs intrinsèques ........................................................................................................................... 28
7.1 Densité de porteurs.......................................................................................................................................... 28
7.2 Niveau de Fermi .............................................................................................................................................. 29
7.3 Conduction dans les semiconducteurs intrinsèques ........................................................................................ 29
7.4 Conductivité et résistivité ................................................................................................................................ 29
8- Semiconducteurs extrinsèques .......................................................................................................................... 29
8.1 Semiconducteurs de type N ............................................................................................................................. 30
8.2 Semiconducteur de type P ............................................................................................................................... 30
9- Utilisation des semiconducteurs ....................................................................................................................... 30
CHAPITRE IV : JONCTION PN...................................................................................................................... 31
1- Généralités : ...................................................................................................................................................... 31
2- Jonction PN en circuit ouvert :.......................................................................................................................... 31
3- Jonction PN polarisée : ..................................................................................................................................... 32
3.1 Polarisation directe :........................................................................................................................................ 32
3.2 Polarisation inverse : ....................................................................................................................................... 32
4- Caractéristique courant-tension (I-V) ............................................................................................................... 33
5- Influence de la température :............................................................................................................................. 33
CHAPITRE V : DIODES A JONCTION ......................................................................................................... 34

2
1- Généralités ........................................................................................................................................................ 34
2- Fonctionnement d’une diode............................................................................................................................. 34
2.1 Caractéristique directe..................................................................................................................................... 34
2.2 Caractéristique inverse .................................................................................................................................... 35
2.3 Caractéristique idéalisée.................................................................................................................................. 36
2.4 Limites d’utilisation ........................................................................................................................................ 36
2.5 Point de fonctionnement ................................................................................................................................. 37
3- Applications des diodes : .................................................................................................................................. 41
3.1 Obtention d’une tension continue à partir d’une tension alternative ............................................................... 41
3.2 Stabilisation d’une tension par diode Zener .................................................................................................... 46
CHAPITRE VI : TRANSISTORS BIPOLAIRES ........................................................................................... 50
1-. Constitution et principe de fonctionnement d’un transistor ............................................................................. 50
2- Les différents régimes de fonctionnements ...................................................................................................... 50
2.1 Régime normal : .............................................................................................................................................. 50
2.2 Régime bloqué : .............................................................................................................................................. 52
2.3 Régime saturé :................................................................................................................................................ 52
3- Réseaux de caractéristiques statiques ............................................................................................................... 52
3.1 Réseau de caractéristiques de sortie : IC = f(VCE)IB = cst ................................................................................... 53
3.2 Réseau de caractéristique d’entrée : IB = f(VBE)VCE = cst ................................................................................... 53
3.3 Réseau de transfert en courant : IC = f(IB)VCE = cst ............................................................................................ 54
4- Polarisation des transistors bipolaires ............................................................................................................... 54
4.1 Point de fonctionnement statique .................................................................................................................... 54
4.2 Les différents circuits de polarisation ............................................................................................................. 55
4.3 Bilan des puissances :...................................................................................................................................... 56
5- Le transistor en régime variable ........................................................................................................................ 57
5.1 Etude graphique des courants et tensions ........................................................................................................ 57
5.2 Modèle dynamique .......................................................................................................................................... 58
5.3 Régime de petits signaux ................................................................................................................................ 59
5.4 Amplificateurs à transistor bipolaire ............................................................................................................... 61
CHAPITRE VII : TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ........................................................................... 66
1- Transistor à effet de champ à jonction (JFET) .................................................................................................. 66
1.1 Constitution schématique (TEC à canal N) ..................................................................................................... 66
1.2 Représentation symbolique ............................................................................................................................. 66
1.3 Réseaux de caractéristiques statiques .............................................................................................................. 67
2- Transistor à effet de champ à grille isolée (M.O.S.F.E.T) ................................................................................ 68
2.1 MOSFET à appauvrissement et à enrichissement ........................................................................................... 68
2.2 MOSFET à enrichissement seul ...................................................................................................................... 69
3- Le transistor à effet de champ à jonction en régime continue ........................................................................... 70
3.1 Détermination du point de repos ..................................................................................................................... 70
3.2 Les différents circuits de polarisation d’un JFET............................................................................................ 70
4- Le transistor à effet de champ en régime variable ............................................................................................ 72
4.1 Etude graphique des courants et tension ......................................................................................................... 73
4.2 Modèle dynamique .......................................................................................................................................... 73
4.3 Applications : amplificateurs à transistor à effet de champ............................................................................. 74
CHAPITRE VIII : Amplificateur opérationnel ............................................................................................... 76
1. Amplificateurs différentiels (amplificateur de la différence) ............................................................................ 76
1.1 Tension de mode commun .............................................................................................................................. 76
1.2 Structure et propriétés générales d’un amplificateur différentiel .................................................................... 77
2- Amplificateur opérationnel ............................................................................................................................... 78
2.1 Amplificateur Opérationnel Parfait (en régime linéaire seulement)................................................................ 81
2.2 Amplificateur Opérationnel en Régime non Linéaire (Commutation) ............................................................ 86

3
 CHAPITRE I : LES QUADRIPÔLES

1- Rappels
1.1 Théorème de Thévenin
Etant donnée un circuit (linéaire), lorsqu’on branche entre deux points A et B de ce circuit, un dipôle (linéaire)
D, le circuit se comporte comme un générateur réel de tension vis à vis de ce dipôle.
Sa force électromotrice (f.é.m.= tension) (e0) est égale à la tension existante entre A et B avant de brancher D.
Son impédance interne (Z0) est égale à l’impédance vue par le dipôle entre A et B avant de brancher D, les
sources autonomes étant rendues passives.
A
A
Z0e
D ≡ D
e0
B
Circuit B
Circuit
1.2 Théorème de Norton
Etant donnée un circuit (linéaire), lorsqu’on branche entre deux points A et B de ce circuit, un dipôle (linéaire)
D, le circuit se comporte comme un générateur réel de courant vis à vis de ce dipôle.
L’intensité du générateur idéal de courant est égale à celle qui passerait à travers une liaison sans résistance (un
fil) établie entre A et B à la place du dipôle D.
L’impédance interne (Z0) du générateur de courant est égale à l’impédance vue par le dipôle entre A et B avant
de brancher D, les sources autonomes étant rendues passives.

A i A i
D Z0 D
≡ i0
B B
Circuit
Circuit
On a l’équivalence entre générateur de Thévenin et générateur de Norton :

Générateur de Thévenin Générateur de Norton

A A
Z0e
≡ i0 Avec : e0 = Z0 i0
Z0
e0
B B

1.3 Théorème de réciprocité

Ce théorème n’est applicable qu’aux circuits (linéaires) passifs et ne comportant qu’une seule source.
Si une source, est insérée dans une branche d’un réseau linéaire passif, produit un courant i dans une autre
branche, réciproquement, cette même source insérée dans cette deuxième branche produira le même courant i
dans la première branche.

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 Exemple 1 :

(Figure a) (Figure b)
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………….

2- Quadripôles : Grandeurs caractéristiques

Définition : Un quadripôle est un système à quatre bornes (deux à l'entrée et deux à la sortie) dans lequel des
courants électriques peuvent circuler.
On distingue deux types de quadripôles :
- Quadripôle passif : Il ne comporte pas de source d'énergie, il ne contient que des composants passifs (Ex: R, L,
C …).
- Quadripôle actif : En plus des composants passifs il contient des éléments source d'énergie.

2.1 Convention de signe

Une convention de signe est nécessaire pour normaliser les calculs indépendamment des sens des tensions et
courants.
Trois conventions de signe sont rencontrées :

Convention Transmetteur Convention Récepteur Convention Générateur

i1 i2 i1 i2 i1 i2

v1 Q v2 v1 Q v2 v1 Q v2

Le quadripôle transmet l'énergie L'énergie est rentrante L'énergie est sortante

On utilisera la convention "récepteur". C'est la convention la plus généralement rencontrée.

2.2 Impédances d'entrée et de sortie

a) Impédance d'entrée Ze
C'est l'impédance équivalente à l'entrée du quadripôle, lorsqu'il débite sur une charge ZL.
i1
v
Ze = 1 v1 Ze ZL
i1

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Exemple : Circuit RC
i1

R
v1 C
v  1 
Ze = 1 = R   // Z L 
i1  jC 

b) Impédance de sortie Zs
C'est l'impédance interne du générateur de Thévenin (ou Norton) équivalente à la sortie du quadripôle lorsqu'il
est excité par un générateur eg d'impédance interne Zg. i1 i2
Zg Zs
eg eZ0e v2
v 
Zs =  2 
 i 2 eg 0 (eg en court -circuit )

Exemple : Circuit RC Zs  R  Zg  //
1
jC

Expérimentalement pour déterminer Zs, on peut aussi exciter par la sortie avec un générateur externe e
d'impédance interne Z0 (eg = 0 : entrée en court-circuit).

c) Impédances d'entrée et de sortie particulières

v 
- Impédance d'entrée à sortie ouverte (ZL infinie): Ze  =  1
 i1  i 2  0

v 
- Impédance d'entrée à sortie en court-circuit (ZL = 0): Ze cc =  1
 i1  v 2  0

- Impédance de sortie à entrer ouverte (excitée par une source de courant idéale : Zg infinie):

v  v 
Zs  =  2  = 2
 i 2 eg 0, Zg   i 2 i1 0

- Impédance de sortie à entrer en court-circuit (excitée par une source de tension (idéale): Zg = 0):

 v2 
Z s cc =  
 i2  e g  0, Z g  0

3- Paramètres
La structure quadripôle peut être mise en équations reliant les courants et les tensions d'entrée (I1, V1) et de sortie
(I2, V2) ou sous forme électrique c'est le schéma équivalent.
Exemple avec la matrice impédance [z], on a :
Le schéma électrique (équivalent aux équations).
 V1 = z11I1  z12 I 2 I1 z11 z22 I2

 V2 = z 21I1  z 22 I 2

z z12  z21I1
La matrice impédance :  z    11 V1 z12I2 V2
 z21 z22 

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Le quadripôle est ainsi modélisé par deux dipôles couplés. Ce couplage se traduit par l'intermédiaire des
générateurs.
Les grandeurs V1, I1, V2 et I2 sont liées par des relations linéaires (Quadripôle linéaire).
Il existe 6 possibilités d'exprimer deux de ces grandeurs en fonction des deux autres :

Paramètres Equations Calcul Q passif Q passif et

(Notées aussi symétrique
matriciellement)
 1 = z11I1  z12 I 2
V V  z11 = z22
 z11   1  et
 V2 = z 21I1  z 22 I 2  I1 I2 0 (sortie ouverte) z12 = z21
Impédance En notation
V 
matricielle : z 22   2 
 V1   I1   I2 I1 0 (entrée ouverte) z12 = z21
   z  etc…
 V2   I2 
avec [z] : matrice
impédance
z z 
 z    z11 z12 
 21 22 

Admittance  I1 = y11V1  y12 V2 I  y11 = y22

 y11 =  1  etc… y12 = y21 et
 I2 = y21V1  y22 V2  V1 V2 =0 y12 = y21

Hybride  V1 = h11I1  h12 V2 V  h11h22 - h12h21

 h11 =  1  etc… h12 = -h21 et
 I2 = h 21I1  h 22 V2  I1 V2 =0 h12 = - h21

Hybride  I1 = g11V1  g12 I 2 I  h11' ' ' '

h 22 - h12 h 21
inverse  g11   1  etc… g12 = -g21
 V2 = g 21V1  g 22 I2  V1  I 2 0
et
'
h12 = - h '21

 V1 = t11V2  t12 I 2 V  1 t11 = - t 22

Transmittance  t11 =  1  =
et
 I1 = t 21V2  t 22 I2  V2  I2 =0 A v0
t11t 22 - t12 t 21 = -1
Av0 Gain en tension à vide
I  1 t11t 22 - t12 t 21 = -1
t 22 =  1  =
 I2 V =0
2
Ai
Ai Gain en courant à sortie en
court-circuit, etc...

Transmittance  V = t ' V  t ' I '

t11 = - t '22
inverse 2 11 1 12 1
 ' V  et
' '
 I2 = t 21V1  t 22 I1 t11 = 2  etc… ' ' ' '
t11 t 22 - t12 t 21 = -1
 V1  I1 =0 ' '
t11 ' '
t 22 - t12 t 21 = -1

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- Propriétés des quadripôles passifs
Soit un quadripôle passif dont la tension d’entrée est E et le courant de court-circuit en sortie est Is.
D’après le théorème de réciprocité, le courant dans l’entrée en court-circuit est Is = Ie si la tension de sortie est
E. I1 I2
E Is Ie E

Les relations entrée ↔ sortie pour la matrice de transfert s’écrivent :

V1 = t11V2 + t12I2
I1 = t21V2 + t22I2
Sortie en court-circuit Entrée en court-circuit
E = t12Is 0 = t11E + t12I2
I1 = t22Is Ie = t21E + t22I2
L’égalité Ie = Is implique t11t22 – t12t21 = -1.
Des calculs analogues montrent que pour un quadripôle passif on a aussi : z12 = z21 et h12 = - h21.

- Propriétés des quadripôles passifs, réciproques et symétriques

Les deux accès d'un quadripôle symétrique sont indiscernables : les indices correspondant, 1 et 2, des paramètres
de matrices impédance ou admittance sont donc permutables sans changement.
En conséquence, pour les quadripôles symétriques, en plus de posséder les propriétés de réciprocité, on a les
relations y11 = y22, z11 = z22, (h11h22-h12h21 = 1 et h12 = -h21), (t11t22 – t12t21 = -1 et t11 = -t22).

4- Modèles électriques correspondant aux matrices

- Matrice Impédance :
V  V   V2  V 
z11 =  1  Impédance, z12 =  1  Impédance, z 21 =   Impédance, z 22 =  2  Impédance
I
 1 I 2  0  I 2 I1  0  I1  I2  0  I2 I1 0

Le schéma électrique (équivalent aux équations).

I1 z11 z22 I2
 V1 = z11I1  z12 I 2

 V2 = z 21I1  z 22 I 2
V1 z12I2 z21I1 V2
z z12 
La matrice impédance :  z    11
 z 21 z 22 

- Matrice Hybride :
V  V  I  I 
h11 =  1  impédance, h12 =  1   Gain en tension -1 , h 21 =  2  Gain en courant, h 22 =  2  Admittance
 I1  V2 0  V2  I1 0  I1  V2 0  V2 I1  0

 V1 = h11I1  h12 V2
h11 I2
 I1
 I2 = h 21I1  h 22 V2

V1 h12V2 h21I1 1/h22 V2

h h12 
La matrice hybride :  h    11
 h 21 h 22 

8
- Matrice Hybride inverse :
I  I  V  V 
g11 =  1  Admittance, g12 =  1   Gain en courant -1 , g 21 =  2  Gain en tension, g 22 =  2  Impédance
 V1  I 2  0  I2 V1 0  V1 I 2  0  I 2 V1  0

 I1 = g11V1  g12 I 2 I1 g22 I2


 V2 = g 21V1  g 22 I2
V1 1/g11 g12I2 g21V1
g g12  V2
La matrice hybride inverse :  g    11
g 21 g 22 

- etc…

 Exemple 2 : paramètres
Calculer les paramètres de la matrice (impédance [Z], admittance [Y] et transfert [T]) de ce quadripôle.

.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................

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 Exemple 3 : Circuit RC (Quadripôle passif)

- Avec les paramètres impédances

V  1 V  1 V  1 V  1
z11 =  1  =R+ z12 =  1  = z 21 =  2  = z 22 =  2  =
I
 1 I 2  0 jC  I
 2  I1  0 jC I
 1 I 2  0 jC  I
 2  I1  0 jC

Impédance d'entrée à sortie Car V1=V2 du fait que z21 = z12 du fait que I2=0 Impédance de sortie à entrée
ouverte du quadripôle I1=0 ouverte du quadripôle
- Avec les paramètres Hybrides :
V  V  I   I 
h11 =  1  =R h12 =  1  =1 h 21 =  2  = -1 h 22 =  2  = jC
 I1  V2  0  V2 I1  0  I1 V2  0  V2 I1  0

Impédance d'entrée à sortie (Gain en tension)-1 Gain en courant = -1 Admittance de sortie

court-circuitée car V1 = V2 si I1=0 car V2=0 à entrée ouverte

5- Association de Quadripôles
5.1 En parallèle :
Q' et Q" sont soumis aux mêmes tensions d'entrée et de sortie → utilisation de la matrice admittance [y].

I1 I'1 I'2 I2

V1 V'1 Q' V'2 V2 I1 I2

≡
V1 Q V2
I"1 I"2
V" Q" V"2

 I' = y' V ' + y' V '  I" = y" V" + y" V" V1 = V1' = V1" I1 = I1' + I1"
Q'  1 11 11 12 12
Q"  1 11 11 12 12
' ' ' ' ' " " " " "
 I2 = y21V21 + y22 V22  I2 = y 21V21 + y 22 V22 V2 = V2' = V2" I2 = I'2 + I"2

d’où : 
 11 1 12 
 I = y' + y" V + y' + y" V = y V + y V
1 11 12 2 
11 1 12 2 
  
 I2 = y'21 + y"21 V1 + y'22 + y"22 V2 = y 21V1 + y22 V2
 
Lorsque deux (n) quadripôles sont montés en parallèle, leurs matrices admittances s'ajoutent pour représenter la
matrice admittance du quadripôle équivalent à la mise en parallèle des deux (n) quadripôles.

5.2 En série :
Q' et Q" sont traversés par les mêmes courants d'entrée et de sortie → utilisation de la matrice impédance [z]
I1 I'1 I'2 I2

V'1 Q' V'2

I1 I2
V1
I"1 I"2 V2 V1 Q V2

V"1 Q" V"2 ≡

V1'  z11' I 1'  z12' I 2' V1''  z11'' I 1''  z12'' I 2'' I 1  I 1'  I 1'' V1  V1'  V1''
Q'  ' Q ''  ''
V2  z 21
'
I 1'  z 22
'
I 2' V2  z 21
''
I 1''  z 22
''
I 2'' I 2  I 2'  I 2'' V2  V2'  V2''

d'où:
11  11 1 12 
12 2 
 V = z' + z" I + z ' + z" I = z I + z I
 1 11 1 12 2 

  
 V2 = z '21 + z"21 I1 + z'22 + z"22 I2 = z 21I1 + z 22 I2
 

10
Pour deux (n) quadripôles montés en série, les matrices impédances s'ajoutent pour représenter la matrice
impédance du quadripôle équivalent à la mise en série des deux (n) quadripôles.

5.3 En cascade :
Les grandeurs de sortie de Q' sont les grandeurs d'entrée de Q" → utilisation de la matrice transmittance [t].
I1=I'1 I'2 I"1 I2= I"2
I1 I2
I'
V1=V'1 Q' V'2 V"1 Q V2=V"2 ≡ V1 Q V2
"
I = I' I' = -I"  I" = I
1 1 2 1 2 2
 '
 ' "
 "
 1
V = V 1  2
V = V 1  2
V = V 2

 V'   t ' t12'  ' 

V  t' '  ' 
-t12 V
Q' :  1  =  11   2  =  11  2
'
 I1'   t12 t '22   I'2   t12
' '  ' 
-t 22  -I 2 
 V"   t " "  "
t12 V  t" "  "
-t12 V
Q" :  1  =  11   2  =  11  2
"
 I1"   t12 t"22   I"2   t12
" "  " 
-t 22   -I 2 
V   t t12   V2   t11 -t12   V2 
Q :  1  =  11   =  
 I1   t 21 t 22   I 2   t 21 -t 22  -I2 

 V1   V1'   t ' -t12'  ' 

V  t' -t12'   "
V  t' '  "
-t12 t "  "
-t12 V  t' '  "
-t12 t " 
-t12 V 
  =   =  11   2  =  11   1  =  11   11   2  =  11   11  2
"   -I 
 I1  '
 I1'   t12 -t '22  -I2'  '
 t12 -t '22   I1"   t12
' '  "
-t 22   t12 -t"22  -I"2   t12
' '  "
-t 22   t12 -t 22   2 
 ' '  " " 
D’où :  t11 -t12  =  t11 -t12   t11 -t12 
t -t ' ' " "
 21 22   t12 -t 22   t12 -t 22 
Pour deux (n) quadripôles montés en cascade, les matrices transmittances se multiplient pour représenter la
matrice transmittance du quadripôle équivalent à la mise en cascade des deux (n) quadripôles.

5.4 En série-parallèle
Q' et Q" sont traversés par le même courant d'entrée (entrée: série) et sont soumis à la même tension de sortie
(sortie: parallèle) → utilisation de la matrice hybride [h].

I1 I'1 I'2 I2

V'1 Q' V'2 V2 I1 I2

V1 Q V2
V1 I"1 I"2 ≡
V"1 Q" V"2
 h '  +  h" 
    h =
Pour deux quadripôles montés en série-parallèle, les matrices hybrides s'ajoutent pour représenter la matrice
hybride du quadripôle équivalent à la mise en série-parallèle des deux quadripôles.

5.5 En parallèle-série
Q' et Q" sont soumis à la même tension d'entrée (entrée : parallèle) et sont traversés par le même courant de
sortie (sortie : série) → utilisation de la matrice hybride inverse [h'].
I1 I'1 I"1 I2

V1 V'1 Q' V"1

I1 I2
V2 ≡ V1 Q V2
I'2
V'2 Q" V"2
g  =  g'  + g" 
   

11
Pour deux quadripôles montés en parallèle-série, les matrices hybrides inverses s'ajoutent pour représenter la
matrice hybride inverse du quadripôle équivalent à la mise en parallèle-série des deux quadripôles.

Exemple 4 : Quadripôles en cascade

Calculer le paramètre de la matrice transfert [T] de ce quadripôle.

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12
6- Adaptations d'impédance en tension, en courant et en puissance
Faire de l'électronique, c'est interconnecté des composants et des montages. On ne peut pas les interconnecter
sans effectuer certaines vérifications :
On considère en premier lieu une source de tension ou de courant (en amont) et une charge (en aval).
- il faut vérifier que les niveaux de tension, de courant et de puissance des deux parties du montage sont
compatibles (sans quoi on risque d'endommager un des deux parties).
- il faut vérifier si les impédances sont compatibles…
→ C'est la problématique d'adaptation d'impédance.

6.1 Adaptation d'impédance en tension

Considérons un quadripôle amont Q' délivrant un signal de tension à un quadripôle aval Q".
Chaque quadripôle peut être représenté par son schéma équivalent (de Thévenin).
La sortie du quadripôle Q' est représentée par une f.é.m. eg et une résistance interne Zg.
L'entrée du quadripôle Q" est représentée par une impédance d'entrée Ze.
Q' Q"
i
Zg
eg v Ze

Ze
En connectant les deux quadripôles, la tension appliquée à Q" est v = eg . Cette tension n'est pas égale à
Ze +Zg

Ze
la f.é.m. eg mais elle est atténuée d'un facteur . Cette atténuation constitue une dégradation du signal.
Ze +Zg

Lorsqu'on transmet un signal de tension entre deux quadripôles, il faut une impédance d'entrée élevée et une
impédance de sortie faible.

6.2 Adaptation d'impédance en courant

Supposons que le quadripôle Q' se comporte d’avantage comme une source de courant. Sa sortie peut être
représentée par le schéma équivalent (de Norton).
Q' Q"
i

ig Zg v Ze

La sortie du quadripôle Q' est représentée par une source de courant ig et une résistance interne Zg.
En connectant les deux quadripôles, le courant i appliqué à Q" est également atténué et donc dégradé.
Zg
i= ig
Z g + Ze

Pour éviter une atténuation du courant transmis entre Q' et Q", il faut une impédance de sortie élevée (de Q') et
une impédance d'entrée faible (de Q").

6.3 Adaptation d'impédance en puissance

Supposons qu'on veut transmettre un signal de puissance élevée entre Q' et Q".

13
 Q' Q"
i
Z v
eg Ze

La puissance reçue par la charge est P = Ze i 2 = Ze

eg2 . Cette puissance est maximale pour Ze = Z*g.
 
2
Ze + Zg

On obtient un maximum de puissance transmise entre deux quadripôles lorsque l'impédance d'entrée de Q" et
l'impédance conjuguée de sortie de Q' sont égales.

 Exemple 5 :

Soit [Q] un quadripôle actif représenté par ses paramètres hybrides figure ci-après.

h h12 
[hijh] =  11 
 h 21 h 22 
Un générateur (eg, Rg) est branché à son entrée, une résistance Ru en sortie.

Rg
i1 i2

eg v1 Q v2 Ru

Calculer :
1) L’amplification en courant Ai = i2 / i1 ;
2) L’amplitude en tension Av = v2 / v1 ;
3) L’impédance d’entrée Ze = v1 / i1 ;
4) L’impédance de sortie Zs = v2 / i2.

………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
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………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
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14
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15
 CHAPITRE II : LES FILTRES ANALOGIQUES

1- Les Filtres : définition, classification.

Un filtre est un système linéaire invariant dans le temps permettant de diviser le spectre (espace fréquentiel) afin
de conserver une ou plusieurs parties (bande) de ce spectre.
Le filtre idéal permet de transmettre sans distorsion une partie du spectre (bande passante) et bloque toutes les
autres parties (bande coupée), avec un passage abrupt (discontinuité) entre ces deux parties.
On distingue deux types de filtres :
Les filtres passifs : ce sont des filtres qui utilisent uniquement des dipôles passifs (R, L, C).
Les filtres actifs : ce sont des filtres qui utilisent en plus des dipôles passifs au moins un composant actif.
Les filtres peuvent être classés en 4 familles :

2- Fonction de transfert d’un filtre

La fonction de transfert d’un filtre est le rapport de la tension de sortie à la tension d’entrée, s’écrit avec les
notations complexes (jp opérateur d’Heaviside lorsque le signal de test est sinusoïdal), comme le rapport de

a  a1p  a 2 p 2  a 3p3  a 4 p 4  ......  a  p

deux polynômes : H  p   .
b  b1p  b 2 p 2  b3p3  b 4 p 4  .....  bp

L’ordre d’un filtre est donné par le degré du polynôme du dénominateur () de la fonction de transfert.
Toutes les fonctions de transfert peuvent être décomposées comme le produit de fonctions de transfert du
premier et du deuxième ordre.

3- Représentation des fonctions de transfert – Diagramme de Bode

La fonction de transfert H (j) d’un système quelconque est un nombre complexe.
Trois solutions sont utilisées en pratique pour représenter ce nombre complexe graphiquement.
- Partie imaginaire en fonction de la partie réelle avec paramétrage en fréquence : plan de Nyquist.
- Module en fonction de la phase avec paramétrage en fréquence : plan de Black.
- Module en décibels en fonction de la fréquence et phase en fonction de la fréquence sur une échelle de
fréquence logarithmique : diagrammes de Bode.
Dans cette partie, nous décrivons la représentation par les diagrammes de Bode.
Pour la suite, on notera H, HdB et  le module linéaire, le module en décibels et la phase de la fonction de
transfert respectivement.

16
3.1 Diagrammes de Bode - Intérêt de l’échelle logarithmique
a) Echelle logarithmique : L'échelle des fréquences est logarithmique. On fait correspondre x à log (x). On peut
indifféremment utiliser le log népérien où en base 10.
Trois points importants sont à retenir lorsque l'on utilise une échelle logarithmique :
- Une multiplication de la fréquence par un facteur constant se traduit par un décalage géométrique constant sur
l'axe des fréquences.
- L'échelle ne peut pas démarrer du point 0 (fréquence nulle) du fait que log (0) = – ∞.
- Une octave et une décade correspond respectivement à une multiplication par un facteur 2 et 10 de la
fréquence.

b) Le décibel

Le décibel (dB) est une échelle logarithmique définie à partir des puissances de la façon suivante :
PdB  10 log 10 P  .

où : P est une puissance exprimée en Watts sur une échelle linéaire.

Pour les tensions, le facteur devant le log est 20 du fait que la puissance est proportionnelle au carré de la
tension.
Le module de la fonction de transfert s’exprime comme le rapport du module de la tension de sortie sur le
module de la tension d’entrée du système considéré.
En dB, on aura donc :
v 
H dB  20log10 H   20log10  s  .
v 
 e 
Pour la suite, on utilisera "log" pour signifier le logarithme en base 10.

c) Représentation en échelle linéaire

Prenons l’exemple du circuit RC. R

vs 1 1
On a : H   
v e 1  j  C
1 j
0 ve vs

où = RC et 0 = 1/RC.
1
Soit pour le module : H 
2
  
1   

 0 

 1
En posant x  , on obtient : H 
0 1 x 2
Si l'on représente |H| sur une échelle linéaire, on obtient une courbe ne représentant pas d'asymptote lorsque
x<<1 ou x >>1.
Le tracé de H nécessite donc le calcul d'un grand nombre de points.
Le tracé en échelle linéaire est long et fastidieux.

17
d) Représentation en échelles logarithmiques

i. Représentation du module

Le module est représenté en dB sur une échelle logarithmique. On peut tracer en premier temps les droites
asymptotiques limitant le diagramme de Bode.
En reprenant l'exemple du circuit RC, on a :
 
H dB  20log H   20log
1   - 20log 1  x 2 
 2   
 1 x 

- Lorsque x >>1, on a : lim H dB  -20log x 2   -20logx  qui représente une droite de pente -20dB/décade
x 1  
(ou -6dB/octave).
- Lorsque x << 1, on a: lim H dB  0 qui représente une droite de pente nulle.
x 1

HdB
1
0dB x (log)

-20dB/décade

En échelle logarithmique, le module en dB présente donc deux asymptotes, pour x >> 1 et x << 1, soit pour les
hautes fréquences et les basses fréquences.
Quelques points suffisent pour représenter le module de la fonction de transfert à partir du tracé asymptotique.

ii. Bande passante – Fréquence de coupure

En observant le tracé asymptotique, on remarque que le circuit RC laisse passer, sans trop les atténuer, les
signaux de basse fréquence et atténue fortement les signaux haute fréquence.
De façon arbitraire on définit une limite entre les basses et les hautes fréquences. Cette limite aboutit aux notions
de fréquence de coupure et de Bande passante.
H max
Les fréquences de coupure du système sont les fréquences pour lesquelles on a : H  .
2

Hmax
En dB, cela devient : HdB  20log(H )  20log( )  HdBmax  3dB. On parlera dans ce cas de fréquences de
2
coupure à -3 dB.
H max
La bande passante est l'intervalle de fréquence f pour lequel :  H  H max .
2

iii. Représentation de la phase

La phase est représentée en degrés ou en radians sur l'échelle logarithmique.
En reprenant l'exemple du circuit RC, on a:   - ArcTanx  .

18
 
- Lorsque x >> 1, on a lim   - qui représente une droite de pente nulle.
x 1 2
- Lorsque x << 1, on a lim   0 qui représente une droite de pente nulle.
x 1

En échelle logarithmique, la phase présente donc deux asymptotes, pour x >> 1 et x << 1, soit pour les "hautes"
fréquences et les "basses" fréquences.
Quelques points suffisent à représenter la phase de la fonction de transfert à partir du tracé asymptotique.
φ
0 1 x (log)

-2

Exemple 1 :
On considère le circuit CR ci-dessous :

- Tracer le diagramme de Bode de ce circuit.

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………………………………………………………………………………………………………………………
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………………………………………………………………………………………………………………………
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19
3.2 Intérêt de l’échelle logarithmique pour le tracé du diagramme de Bode.
n
Soit un filtre dont la fonction de transfert H s'écrit sous la forme : H 
H
i 1
i
.

n n
Le module et la phase de H s'écrivent alors : H 
 H i et     i
i 1 i 1

Le module en dB s’écrit : H  20log H   H

n n

dB
  i   dBi
 i 1  i 1

Le module en dB et la phase de la fonction de transfert H s'obtiennent en additionnant les modules en dB et les

phases des Hi.
Il est alors aisé de tracer les diagrammes asymptotiques de H à partir des diagrammes asymptotiques des Hi en
additionnant simplement les asymptotes.

Exemple 2 :
On considère un filtre dont la fonction de transfert H s’écrit sous la forme de produit des deux fonctions de
transfert élémentaires H1 et H2:
1 1
H1 = et H 2 =
 
1+j 1+j
1 2

On représente les diagrammes de Bode de H1 et H2 (en considérant 1 > 2), puis ceux de H = H1.H2.
Pour le module de H, on a une asymptote HdB = 0 pour  << 2, un "palier" de pente -20dB/décade entre 2 et
1 et une asymptote de pente -40 dB/décade pour  >> 1.
Pour la phase de H, on a une asymptote  = 0 pour  << 2, un palier  = - /2 entre 2 et 1 et une asymptote 
= - pour >> 1.
L'allure des courbes réelles se déduit ensuite très simplement à partir des tracés asymptotiques.

20
4- Formes canoniques usuelles
4.1 Filtre passe-bas
1 1 
1er ordre : H  j   module : H j   phase :   -arctan
 2 0
1 j   
0 1   

 0 

1 1
2ième ordre : H  jω   2
module : H jω  
2
      
2   
2
1  2m . j   1      2m . 
 0   0 
  

  


0
  0    

2m .  .  0
phase :   -arctan
 02   2
0 est la pulsation pour laquelle le gain HdB diminue de 3dB.
m est le coefficient d’amortissement. Il caractérise la fonction de transfert autour du point 0 (passage de la
bande passante à la bande atténuée).
Plus m est grand, et plus l’amortissement est important, ce qui se traduit par un passage très progressif de la
bande passante à la bande atténuée.
Lorsque m ≥ 1, la fonction de transfert est décomposable en deux fonctions du premier ordre.
Pour les valeurs m < 0.707, il y a une résonance de la fonction d’amortissement.
Le facteur de qualité est noté Q et défini par Q = 1/2m.

2
 w  w w
En effet, soit le polynôme P     2mj  1 de second ordre en j .
 w0  w0 w0
Le discriminant Δ = 4(m2 – 1).
Si Δ ≥ 0 → m ≥ 1, le polynôme (admet deux racines réelles) peut se décomposer en deux polynômes d’ordre 1.
w w
P  (1  j ).(1  j ) Avec w1, 2  w0 (m  m 2  1) .
w1 w2
w
Si Δ < 0, les racines du polynôme P en j sont complexes et la fonction de transfert ne peut être décomposée
w0
en un produit de deux fonctions de transfert d’ordre 1 à coefficients réels.
1 w
Donc la fonction de transfert H peut s’écrire sous la forme : H ( jw0 x )  , avec x .
(1  x )  2mjx
2
w0
1
H dB  20 log  10 log(1  x 2 ) 2  4m 2 x 2 ).
(1  x )  4m x
2 2 2 2

21
Quand ( x  1)  H dB  10 log(1)  0.

La courbe de réponse en gain admet une asymptote horizontale à HdB = 0 dB en basse fréquence.

Quand ( x  1)  H dB  10 log( x 4 )  40 log x.

La courbe de réponse en gain admet, en haute fréquence une asymptote oblique de pente – 40dB/décade.
Le diagramme asymptotique HA (x) est la réunion des deux asymptotes basse fréquence et haute fréquence.

H(x) admet un maximum si : y  (1  x 2 ) 2  4m 2 x 2  x 4  2(2m 2  1) x 2  1 admet un minimum, c-à-d

1
si : x 2  (1  2m 2 ) / 3  0, soit si m   0,707 .
2

Ce minimum est atteint pour : x  1  2m 2  x s ( 1).

Si m << 1 alors x s  1.
Le gain H(x) est égal à H (1)  20 log(2m), quantité qui peut être importante si m est faible (m << 1).

La courbe de réponse en gain passe un maximum (phénomène de résonance) pour x  x s lorsque :

1 1
m  mc  0,707 ou Q   Qc  0,707.
2 2

4.2 Filtre passe-haut

2
   
j   

  0
1er ordre : H j   0
2ième ordre : H jω  
 2
1 j   
0 1  2m . j  
 0   0 



2m . j
0
4.3 Filtre passe-bande 2 ième
ordre : H jω  
2
  
1  2m . j  
 0   0 

2
  
1   

4.4 Filtre coupe-bande 2ième ordre : H jω    0 
2
  
1  2m . j  
 0   0 


22
Exemple 3 :
On utilise le circuit R, L, C suivant :

………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………….

23
COMPOSANTS ELECTRONIQUES

24
 CHAPITRE III : PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS

1- Structure cristalline
Il existe deux types d’état solide dans la nature.
1) Etat amorphe : caractérisé par un arrangement aléatoire des atomes.
Exp : verres, caoutchoux, ...
2) Etat cristallisé : caractérisé par le fait que les atomes sont arrangés aux nœuds d’un réseau périodique (Figure
1).

Figure 1 : Représentation plane d’un réseau périodique.

A partir de ce type de représentation, on distingue 4 familles de solides cristallisés :

 Les cristaux ioniques : association de métaux alcalins (Li, Na, K, …) et des halogènes (F, Cl, Br,…).
Exp : LiF, NaCl, KBr.
 Les cristaux covalents : ce sont des éléments de la colonne IV du tableau périodique (C, Si, Ge, Sn).
Ces éléments ont 4 e- de valence qu’ils mettent en commun avec 4 voisins pour établir les liaisons
covalentes.
 Les métaux : formés d’éléments électropositifs (valence 1).
Exp : les métaux alcalins : Li, Na, K…
Les métaux nobles : Cu, Ag, Au.
 Les cristaux moléculaires : ils sont bâtis sur une unité de base qui n’est plus l’atome mais la molécule.

2- Niveaux d’énergie – Bandes d’énergie

 Cas d’un atome isolé : les électrons soumis à l’action de leur noyau ne peuvent évoluer que sur
certaines orbites correspondant à des niveaux d’énergie discrets qu’on appelle niveau permis (Fig. 2).
Chacun de ces niveaux d’énergie quantifiés ne peut être occupé que par 2 électrons de Spin opposés
(principe d’exclusion de Pauli).

25
 E (eV)
M
r2 E3 r3
L
r1 K
E2 r2

E1 r1
r3
Ep
(a) (b)

Figure 2 : (a) les orbites d’un atome isolé (Si : Z = 14), (b) niveaux d’énergie.

 Cas d’un cristal isolé : lorsque l’on rapproche une grande quantité d’atomes pour former un
monocristal, les niveaux d’énergie de chaque atome se séparent en une multitude de niveaux très
rapprochés qui pourront chacun être occupés par une paire d’électrons de Spin opposé. On aura donc
une multi-cité d’énergie auteur de E1, E2, E3. Les électrons pourront occuper des bandes d’énergie
appelées bandes permises qui seront séparées par des bandes interdites (Figure 3).

E (eV)
Bande de conduction
Bande interdite Eg E3H
Bande de valence
E3B
E2H
Bande permise
E2B
E1H
E1B
Ep
Figure 3 : Bandes d’énergie.

Les derniers niveaux d’énergie s’appellent la bande de valence. Cette bande est généralement saturée mais ses
électrons peuvent en sortir plus ou moins facilement moyennant un apport d’énergie. Les électrons excités
peuvent accéder à un niveau supérieur : la bande de conduction.

3- Niveau de Fermi
On sait que les électrons occupent tous les niveaux d’énergie permis à partir du plus bas. La valeur EF, représente
la limite qui sépare les places libres et les places occupées.
EF est appelée niveau de Fermi (EF dépend de la température).
Tous les niveaux d’énergie tels que : E < EF sont occupés, et tels que E > EF sont libres au zéro absolu.
La répartition des électrons est décrite par la statistique de Fermi-Dirac. La fonction de Fermi-Dirac fournit la
probabilité d’occupation d’un niveau E à la température T.
On a, à toutes températures, la relation suivante :
1
f FD  , avec : KT = 26•10-3 eV à 300 °K.
E  EF
1  exp( )
KT

26
4- Conducteurs
Les conducteurs ont la propriété de permettre un passage facile du courant électrique. Cette propriété est due au
fait que les bandes de conduction et de valence se chevauchent (Figure 4).
Dans les conducteurs à la température T, les électrons se répartissent autour du niveau de Fermi.

E (eV)

Bande de conduction partiellement occupée

Bande de valence

Figure 4 : Diagramme de bande d’un conducteur.

4.1 Mécanisme de conduction dans les conducteurs


Si à l’intérieur d’un conducteur existe un champ électrique E , les électrons libres sont alors soumis à une
 
force : F  q E .
Ce mouvement d’ensemble des électrons se traduit par un courant électrique.

4.2 Mobilité, Résistivité :

 
Les électrons libres, soumis à une force constante acquièrent une vitesse libre d’expression : v   E .
v : vitesse de déplacement des électrons (m/s), µ : mobilité des électrons (m2/v.s) et E : champ électrique (v/m).
La densité de courant est exprimée par J = I / S = qnµE (A/m2).
Où S : est la section du conducteur ; q : est la charge de l’électron ; n : est la concentration des électrons.
Posons σ = qnµ (Ω-1.m-1). σ traduit la conductivité du matériau ou en tire : J = σ.E.
La résistivité du conducteur s’écrit : ρ = 1/ σ = 1/ qnµ (Ω.m).

5- Isolants
Par opposition aux conducteurs, les isolants interdissent le passage du courant. Cette propriété est due au fait
qu’il n’y aucun électron libre dans la bande de conduction.

E (eV)

Ec Bande de conduction

Eg
Ev
Bande de valence (remplie)

Figure 5 : Diagramme de bande d’un isolant.

Les deux bandes de conduction et de valence étant séparées par une bande interdite (gap) très large. Exp : SiO2
Eg = 8 eV.
Le niveau de Fermi se trouve dans la bande interdite, et la largeur de cette bande est trop grande pour être
franchie par un nombre appréciable d’électrons à température ambiante.

27
6- Semiconducteurs
On désigne sous le nom de semiconducteurs des corps qui présentent des propriétés intermédiaires entre celle
des isolants et des conducteurs.
Les semiconducteurs les plus utilisés sont : le germanium (Ge), le silicium (Si) le phosphure d’indium (InP),
l’arséniure de gallium (GaAs), etc.
La bande interdite est moins large et les électrons peuvent soit par agitation thermique soit sous l’action d’un
champ électrique sauter de la bande de valence vers la bande de conduction.

E (eV)
Ec Bande de conduction (BC)

Eg

Ev Bande de valence (BV)

Figure 6 : diagramme de bande d’un semi-conducteur. Exemple : Si Eg = 1.12 eV.

6.1 Densité de porteurs dans un semiconducteur

E F  EC

La densité totale d’électrons dans la bande de conduction est exprimée par : n  N c exp KT
.
EV  E F

Celle des trous dans la bande de valence est exprimée par : p  N v exp KT
.
Ou Nc et Nv sont les densités équivalentes d’états dans les bandes de conduction et de valence respectivement.
3/ 2 3/ 2
 mk T   mh k B T 
N c  2. e B2  et N V  2.
 2 2  , me et mh sont les masses effectives des e- et des trous.
 2   

6.2 Loi d’action et de masse

Les expressions précédentes permettent d’établir une relation importante entre les densités d’électrons et de
trous. Le produit np est constant à une température donnée :

np  N c N v exp( Eg )  ni2 avec Eg = Ec – Ev.

KT

7- Semiconducteurs intrinsèques
Un semiconducteur intrinsèque est un semiconducteur pur à l’origine. Les électrons de la bande de conduction ne
peuvent résulter que de l’excitation thermique d’électrons liés de la bande de valence. Les électrons et les trous
existent nécessairement par paires électron-trou et n = p = ni.

7.1 Densité de porteurs

1
Elle s’exprime par : ni  ( N c N v ) 2 exp( Eg ).
2 KT
La densité de porteurs intrinsèque pour quelques matériaux semiconducteurs à T = 300K (tableau 1).
Tableau 1.
Semiconducteur Si Ge GaAs InP
ni (Cm-3) 1.5 1010 2 1013 3 106 3 107

28
7.2 Niveau de Fermi
La position du niveau de Fermi s’obtient en écrivant que n = p, soit :
Ec
Ec  Ev 1 N E  EV 3 m
E Fi   KT ln( V )  c  KT ln( h ) Eg EFi
2 2 NC 2 4 me
Ev
Eg
On simplifier souvent cette formule en négligeant le deuxième terme : E Fi   Ev
2
Le niveau de Fermi se trouve au milieu de la bande interdite.

7.3 Conduction dans les semiconducteurs intrinsèques

 A zéro absolu : la bande de conduction étant vide et sous l’action d’un champ électrique extérieur
appliqué, aucun électron ne peut passer d’un atome à un autre. Le cristal se comporte comme un
isolant.
 A T = 300 K : l’énergie thermique fournit au cristal brise quelques liaisons covalentes ce qui se traduit
par le départ d’un ou plusieurs électrons libres. Le départ d’un tel électron se traduit au niveau de
cristal par la création d’un défaut (ou trous), c’est la raison pour laquelle on a autant d’électrons et de
trous, respectivement, au niveau des bandes de conduction et de valence.

Electron libre
E (eV)
Trou BC

Liaison rompue
BV

(a) (b)

Figure 7 : (a) cristal de silicium à liaison rompue, (b) Diagramme de bande d’énergie d’un semiconducteur
intrinsèque.

7.4 Conductivité et résistivité

L’expression de la conductivité d’un semiconducteur intrinsèque est exprimée par :
   n   p  q(n n  p p )  qni (  n   p ).

Et sa résistivité est exprimée par :   1 1 .

  qni (  n   p )

La loi de la variation de la résistivité en fonction de la température est régie par :   A exp( E g ) ou A : cst
2 KT
dépond du type de semiconducteur, K : cst de Boltzmann, T : température absolue, Eg : énergie de la bande
interdite.

8- Semiconducteurs extrinsèques
Ce sont des semiconducteurs intrinsèques auxquels on a introduit des impuretés dopantes qui sont des atomes
pentavalents (valence 5) ou trivalent (valence 3) ; le semiconducteur ainsi dopé est de type N ou de type P.

29
8.1 Semiconducteurs de type N
L’impureté dopante est pentavalente (phosphore, arsenic, antimoine). De tels corps sont désignés par des
impuretés de type N ou encore des donneurs et sont à la concentration ND.
A température ambiante tous les atomes donneurs sont ionisés.
La concentration ND >> ni car la majorité des électrons est issue des donneurs. Une minorité provenant des
paires électron-trou. Les électrons sont les porteurs majoritaires de concentration nN, les trous sont des porteurs
minoritaires de concentration pN.
A la température ambiante et à l’équilibre on a :

ni2
n N  N D  ni et p N   ni
ND

La conductivité du semiconducteur de type N s’écrit :  n  1

 n  qn n  qN D  n
.

8.2 Semiconducteur de type P

L’impureté dopante est trivalente (bore, aluminium, gallium) ; de tels corps sont désignés par des impuretés de
type P ou encore des accepteurs et sont à la concentration NA. A la température ambiante tous les atomes
accepteurs sont ionisés.
La concentration NA >> ni car la majorité des trous est issue des accepteurs, une minorité provenant des paires
électron-trou. Les trous sont les porteurs majoritaires de concentration pP, les électrons sont les porteurs
minoritaires de concentration nP.

ni2
A la température ambiante et à l’équilibre, on a : p P  N A  ni et n P   ni .
NA

La conductivité du semiconducteur de type P s’écrit : p  1

 p  qp P  p  qN A  p
.

9- Utilisation des semiconducteurs

Les semiconducteurs intrinsèques servent par dopage à fabriquer des semiconducteurs extrinsèques de type P ou
N. Ces derniers sont utilisés dans les dispositifs électroniques tels que les diodes, les transistors, les circuits
intégrés, etc…

30
 CHAPITRE IV : JONCTION PN

1- Généralités :
La jonction c’est la mise en contact de deux barreaux de semiconducteurs extrinsèques de type différentes
(Figure 1).
Electron majoritaire
Trou majoritaire
Atome accepteur ionisé -
- -
- - - Trou minoritaire
Electron minoritaire - -
- Atome donneur ionisé
- - - -
-
S.C (P) Jonction PN S.C (N)

Figure 1 : Représentation schématique d’une jonction PN.

 Dans la région N :
- Les électrons (porteurs mobiles majoritaires de charge – q) ;
- Les atomes donneurs ionisés (porteurs fixe de charge +q) ;
- Les trous (porteurs mobiles minoritaires de charge +q).
 Dans la région P :
- Les trous (porteurs mobiles majoritaires de type +q) ;
- Les atomes accepteurs ionisés (porteurs fixes de charge –q) ;
- Les électrons (porteurs mobiles minoritaires de charge –q).

2- Jonction PN en circuit ouvert :

Les électrons nombreux dans la région (N) tendent à diffuser dans la région (P).
Les trous nombreux dans la région (P) tendent à diffuser dans la région (N).
Les deux mouvements additionnent leur effet créent un courant de diffusion de la région (P) vers la région (N).
(Il s’agit d’un courant ID).
Au niveau de la jonction, les porteurs majoritaires en quittent leur région d’origine et lissent des atomes non
compensés qui se trouvent ionisés positivement du côté (N) et négativement du côté (P).
La zone vide de porteurs libres situé de part et d’autre de la jonction, est appelé zone de déplétion (ou zone de
transition) ou zone de charge d’espace.

La présence de cette double charge d’espace entraîne l’existence d’un champ électrique interne E i et par
conséquence d’une barrière de potentiel Vd qui a pour effet d’arrêter la diffusion des porteurs. On arrive ainsi à
un équilibre statique.
Le champ électrique interne, a également un rôle de favoriser le déplacement de charge minoritaire qui se traduit
par un courant de saturation Is).
Le circuit étant ouvert, le courant à l’extérieur du monocristal d’un semiconducteur étant nulle par conséquent :
ID = Is.

31
 ID
Is

-
- Ei - I=0
I=0 - -
-
- -
-
- - - - (a)
-
Jonction PN

Vn

Vd : hauteur de barrière

Vp
(b)
Zone de déplétion

Figure 2 : (a) Jonction PN après diffusion, (b) variation de la barrière de potentiel à l’équilibre
thermodynamique.

L’expression de la barrière de potentiel est donnée par :

KT N AND
Vd  Vn  V p  log .
q n i2

Vd  0.65 à 0.7 Pour les jonctions au Si.

Vd  0.25 à 0.3 Pour les jonctions au Ge.
Remarque : En l’absence de polarisation, la jonction PN présente certains caractères d’un condensateur chargé.

3- Jonction PN polarisée :
3.1 Polarisation directe :
Quand on relie le pôle positif d’une source de tension V à la région P alors que le pôle négatif à la région de type
N (Figure 3).
La hauteur de barrière de potentiel (Vd – V) diminue et favorise le courant de diffusion.
ID
-- Ei +
- +
P -
- + N
- Eext + I Vd - V
- +
I = ID-Is Is
+ -
V Zone de déplétion
Figure 3 : Jonction PN polarisée en directe.

3.2 Polarisation inverse :

La polarisation inverse élève la barrière de potentiel, augmente la largeur de la région de champ d’espace.
Le champ électrique, créé de l’extérieur, s’ajoute à celui qui est produit par la charge d’espace et annule le
courant de diffusion (ID). Il reste le courant inverse Ii qui tend vers une limite appelé courant de saturation (Is).

32
 Is
-- Ei + Vn
- +
P -
- + N
- Eext + I
- + V + Vd
I ≈ Is
- + Vp
V Zone de déplétion
Figure 4 : Jonction PN polarisée en inverse.

4- Caractéristique courant-tension (I-V)

qV
On démontre que l’équation de la caractéristique I = f (V) est de la forme : I  I s [exp( )  1] .
KT
KT KT
- Pour V , (avec  25mV à T = 300 K) on peut remplacer l’expression précédente par une
q q
qV
expression simple : I  I s exp( ).
KT
- En polarisation inverse, le courant inverse peut se mettre sous la forme : I  I s .
La figure 5 résume les caractéristiques directes et inverse d’une jonction PN.

I (mA)

V (volte)

Is

I (nA)
Figure 5 : Caractéristique courant-tension d’une jonction PN.

5- Influence de la température :
La barrière de potentiel dépend de la température de la jonction.
Une température plus élevée crée plus de paires électron-trou.
Par conséquent, le courant des porteurs minoritaires Is augmente.
L’influence de la température est beaucoup plus sensible en polarisation inverse qu’en polarisation directe
(Figure 6).

I (mA)
T2 T2 >T1
T1

V (volte)
Vd2 Vd1

I (nA)
Figure 6 : Caractéristique (I-V) à différentes températures (T2 > T1).

33
 CHAPITRE V : DIODES A JONCTION

1- Généralités
La diode est une simple jonction PN enfermée dans un boîtier protecteur. Les deux électrodes d’une jonction
sont appelées anode pour celle qui est relie à la région P ; cathode pour celle qui est relie à la région N.
Symbole électrique
A K A K A K
P N
a) b) c)
Figure1 : a) symbole de la diode, b) sens de la jonction, c) situation des électrodes par rapport à l’anneau de
repérage.

2- Fonctionnement d’une diode

2.1 Caractéristique directe
On utilise un générateur, un voltmètre, un milliampèremètre et une résistance de protection Rp pour limiter le
courant dans la diode ; le montage de la figure 2 permet de tracer la caractéristique courant tension de la diode
polarisée en directe.
Pour ce faire, on fait varier la tension E et on relève pour différentes valeurs du courant ID, la valeur de la tension
VAK aux bornes de la diode.
VAK
Rp A1 2
K

V
mA

Figure 2 : Dispositif expérimental pour le tracé de la caractéristique (ID-VAK) d’une diode en direct.

On obtient ainsi la caractéristique tracée à la figure 3.

ID(mA)

ΔID

ΔVAK
0 VAK(V)
Vd
Figure 3 : Caractéristique (ID-VAK) d’une diode en direct.
Analyse :
L’observation de la caractéristique permet de constater que :
 Pour des faibles valeurs de VAK le courant reste pratiquement nul.
 Lorsque VAK dépasse un certain seuil (Vd), le courant varie dans de grandes proportions et la
caractéristique est linéaire (c’est une droite).

34
  La valeur de Vd est obtenue en prolongement la partie linéaire de la caractéristique jusqu'à son
intersection avec l’axe des abscisses.
 La valeur de Vd dépend de la nature de semi-conducteur, elle est de l’ordre 0,5 à 0,7 pour les diodes de
silicium et de 0,2 à 0,3 pour les diodes au germanium.

 Modèle de la diode polarisée en direct :

Lorsque ID = 0 ► VAK < Vd ; la diode est bloquée.
Son schéma équivalent est alors une résistance de valeur infinie (ou un interrupteur ouvert).
ID = 0 → → ID = 0
A K A K k
A K
VAK < Vd R=∞ VAK < Vd
VAK < Vd

Lorsque ID > 0 : la diode conduit

Son schéma équivalent est alors constitué par un récepteur de f.c.é.m Vd en série avec une résistance rd appelée
aussi résistance dynamique de la diode.

ID > 0 → A → ID K
A K rd

VAK > Vd VAK > Vd

L’équation correspondante à ce modèle est la suivante : VAK = Vd + rd . ID.
V AK
La valeur de la résistance rd peut être déduite de la caractéristique (ID-VAK) : rd 
I D
2.2 Caractéristique inverse
La diode est montée en inverse. Le milliampèremètre est remplacé par un microampèremètre car le courant
inverse est très faible.
Rp A 1
K2

VR
V
µA

Figure 4 : Dispositif expérimental pour le tracé de la caractéristique (IR-VR) d’une diode en inverse.

ID(mA)

VR VAK(V)

IR(µA)
Figure 5 : Caractéristique (IR-VR) d’une diode en inverse.

35
Analyse :
 Le courant inverse est très faible et est pratiquement indépendant de la tension inverse, ce courant est
aussi appelé courant de saturation Is.
 Si la tension inverse dépasse une certaine valeur VR, le courant inverse prend alors une valeur très
importante qui peut entraîner la destruction de la jonction.

 Modèle de la diode polarisée en inverse :

En inverse la diode peut donc être considérée comme une résistance R de très grande valeur.
← IR = Is
A K A ← IR K
R 2 MΩ < R < 10 MΩ
VR

2.3 Caractéristique idéalisée

La caractéristique d’une diode idéalisée est illustrée par la figure 6.

ID(mA)

VR(V)
VAK(V)

IR(µA)
Figure 6 : Caractéristique (ID-VAK) d’une diode idéale.

Modèle :
 En direct : - la résistance directe est nulle.
- la tension seuil est nulle.
ID > 0 ID > 0
A K
A K

VAK VAK ≈ 0
 En inverse : la résistance inverse est infinie.
← ID = 0
A K A K

VAK = -VR VAK

Remarque : une diode idéale se comporterait comme un interrupteur.

2.4 Limites d’utilisation

Il existe pour chaque diode de commerce un courant direct maximal Imax aux dessus du quel la puissance P = VID
dissipée thermiquement dans la diode devient destructive.
De même, si on applique à une diode une tension inverse trop élevée VR, le courant augmente rapidement et la
puissance dissipée dans la diode devient élevée, conséquence il y a claquage de la jonction, soit par effet Zener
soit par avalanche.

36
La figure 7 montre dans le plan (ID, VAK) les différentes zones de fonctionnement ainsi que les valeurs
maximales à ne pas dépasser.
En fonctionnement normal, le point de repos doit se trouver dans la zone non hachurée.

ID

Imax

Hyperbole d’isopuissance

VR VAK

Zones de fonctionnement
normales

Figure 7 : hyperboles d’isopuissance dans le cas d’une diode à jonction.

 Le courant direct (IF) doit être limité à une valeur maximale au-delà de laquelle il provoque un
échauffement exagéré de la jonction.
 La tension inverse est limitée par le risque de claquage destructif de la jonction.
 La puissance maximale dissipée.
 La température maximale de la jonction.
En tout cas, pendant leur utilisation il faut se tenir à des valeurs inférieures à fin d’augmenter la fiabilité du
composant.
Ces valeurs maximales de fonctionnement des diodes sont toujours données, par exemple pour la diode 1N4148.
 Tension inverse continu (VR = 100 V)
 Le courant direct maximal en régime permanent (ID = 75 mA)
 La puissance maximale de dissipation (P = 250 mW)
 La température maximale de jonction (Tj = 175 °C ( Si))

2.5 Point de fonctionnement

a) Régime statique

Le problème consiste à déterminer le point de fonctionnement du montage de la figure 8.

ID(mA)
R ID
E/R
1

E
VAK
ID0 M
2

VAK
a) b) VAK0 E

Figure 8 : a) circuit à diode ; b) caractéristique (ID, VAK) et droit de charge.

Les coordonnées de ce point de fonctionnement sont solutions du système d’équation :
ID = f (VAK) (caractéristique de diode)
E = RID + VAK (Equation de la droite de charge)

37
La loi de Kirchhoff s’écrit : E = R.ID + VAK
V AK E
On en déduit l’équation de la droite de charge : ID   
R R
La représentation de cette relation donne la droite de charge (figure 8.b).
Le point M intersection de la droite de charge et de la caractéristique de la diode est appelé le point de repos (ou
point de fonctionnement).
Remarque : la pente de la droite de charge et les intersections avec les axes ID et VAK ne dépendent que de E et
R.
Variation de point de fonctionnement lorsque E et R varient :
E2 > E 0 > E 1 R3 > R2 > R1
ID(mA) ID(mA)

E2/R E/R1
E0/R E/R2
E1/R M2
M0 E/R3 M
M1
VAK VAK
a) E1 E0 E2 b) E

Figure 9 : Variation de point de fonctionnement lorsque (a) E varie et R constant (b) R varie et E constant.

Exemple 1 :

Soit le schéma ci-contre.

1- flécher sur le schéma, la tension VR1(aux bornes de R1)
et le courant I (dans le sens positif lorsqu’il existe).
2- sachant que VD1 seuil=0,7V :
Quelle est la valeur de VE si la diode est bloquée ?
3- pour VE=-5V et R1=1kΩ :
Calculer la valeur de I.
4- pour VE=1V :
Calculer les valeurs de I et VR1.

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38
.....................................................................................................................................................................................

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b) Régime dynamique
On considère le montage de la figure 10 dans lequel on a inséré en série avec le générateur de f.é.m E une source
de tension variable de f.é.m e(t).
e(t) = Vmsin(ωt)

R iD(t)
1

ve(t)
vAK
e(t)
2

Figure 10 : Circuit à diode soumis à une excitation sinusoïdale.

La tension instantanée appliquée à la combinaison diode résistance est égale à :
Ve(t) = e(t) + E avec (Vm < E)
Lorsque t varie, Ve(t) varie entre les valeurs limites :
Ve(t)max = E + Vm (ωt =  / 2)
Ve(t)min = E – Vm (ωt = -  / 2)
La droite de charge se déplace parallèlement à elle-même entre les droites extrêmes D1 et D2 (figure 11).

39
 ID(mA)
iD

M2

M0
M1
t VAK
E-Vm E E+Vm

vAK

t
Figure 11 : Variation de la droite de charge.

Lorsque t varie, les projections sur chacun des axes des différentes positions du point de repos nous permettent
de tracer les graphes de iD(t) et vAK(t).
- On constate que les fonctions iD(t) et vAK(t) sont sinusoïdales, ceci est obtenu pour Vm faible, on dit que le
système travaille en régime de petits signaux.
- L’amplitude Vm peut être important, on dit que le système travaille en régime de grands signaux.
Les variations de iD(t) et vAK(t) sont seulement périodique, on dit qu’il y a distorsion.

Exemple 2 :
On considère les circuits ci-dessous dans lesquels la diode est supposée idéale. On applique à l’entrée de ces
circuits une tension sinusoïdale de la forme : Ve(t) = Vmsin(ωt), avec Vm > E. Tracer les graphes de Ve(t) et Vs(t).

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40
.....................................................................................................................................................................................
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3- Applications des diodes :

3.1 Obtention d’une tension continue à partir d’une tension alternative
Les centrales électriques produisent des tensions alternatives. C’est pour ces raisons que la tension secteur
disponible est alternative.
Cependant nous avons souvent besoin des tensions continues pour faire fonctionner la radio, le téléviseur etc, ces
derniers comportent en particulier des diodes et des transistors qui nécessitent une polarisation à l’aide d’une
tension continu. Le schéma synoptique d’une telle alimentation est illustré par :

Cellule Cellule de
Transfor Cellule de de stabilisation Utilisatio
mateur redresseme filtrage de tension n

Figure 12 : schéma fonctionnel d’une alimentation continue.

a) Redressement mono-alternance

D iD
1 2

Générateur de vAK
tension
sinusoïdal R vs(t)

Figure 13 : Schéma d’un redresseur simple alternance.

Ve(t) c’est en fait la tension délivrée par le secondaire d’un transformateur (ve(t) = Vmsin(ωt)).
D : diode de redressement, R : résistance de l’utilisation.
Analyse :
Nous supposons pour la diode, le modèle idéal : sa tension de seuil est nulle, son courant inverse est nul, la
résistance dynamique en direct est nulle.
Quel que soit l’état de la diode, nous pouvons écrire :
Ve(t) = vAK(t) + VR(t)
 Lors de l’alternance positive (ve(t) > 0), D est passante, iD(t) > 0 et vAK = 0, d’où vs(t) = ve(t).
 Lors de l’alternance négative (ve(t) < 0), D est bloquée iD = 0 d’où vs(t) = 0.
 Graphes de ve(t) et vs(t).
ve(t) vs(t)

Vm Vm

t t

41
 Figure 13 : Graphes de ve(t) et vs(t) pour un signal d’entrée d’amplitude Vm.
Dans ce cas, la valeur moyenne du signal de sortie est obtenue par l’intégral suivant :
1 T /2 V
V moy 
T 0 
V m sin(t )dt  m

1/ 2
1 T /2  Vm
 sin (t )dt 
2
Et sa valeur efficace est : Veff  Vm 2

T 0
 2
Le signal de sortie est caractérisé par son facteur de forme définie par :
Valeur efficace du signal de sortie
F
Valeur moyenne du signal
S’il vaut 1 le signal est continu ici F = 1,57.

b) Redressement bi-alternance

Le redressement bi-alternance peut être effectué à l’aide de 2 ou 4 diodes suivant que le secondaire du
transformateur est muni ou non d’un point milieu.
 A l’aide d’un transformateur à prise médiane
D1
A iD1
1 2
iD
1 T1 5 veAM vAK1
vs(t)
6 R

4 8
veBM D2
iD2
1 2
B
vAK2

Figure 14 : schéma d’un redresseur à prise médiane.

Dans le redressement par transformateur à point milieu les tensions secondaires sont égales et on opposition de
phase.
Détermination de l’état électrique des diodes :
Il existe 2 possibilités pour l’état électrique des diodes.
 D1 passante, D2 bloquée
 D1 bloquée, D2 passante
Quelque soit l’état électrique des diodes, on peut écrire :
ve(t) = vAK1(t) + vR (Eq. 1) ve(t) = vAK1(t) + vs(t)
-ve(t) = vAK2(t) + vR (Eq.2) -ve(t) = vAK2(t) +vs(t)
i(t) = iD1(t) + iD2(t) (Eq.3)
Représentations graphiques des tensions
 Pour 0 < ωt <  : D1 passante, D2 bloquée, vAK1 = 0
La relation (Eq.1) → vR(t) = ve(t) Eq. 4
Et la relation (Eq.2) → vAK2 = - 2ve(t) Eq. 5
 Pour  < ωt < 2 : D1 bloquée, D2 passante, vAK2(t) = 0.
La relation (Eq.2) → vR(t) = - ve(t) Eq. 6

42
La relation (Eq. 1) → vAK1 = 2 ve(t) Eq. 7

ve(t)

Vm VAK1

t  2 t

-Vm

-2Vm

VR(t)
VAK2
Vm

t  2 t
 2

-2Vm

Figure 15.

La valeur moyenne Vmoy d’un signal à double alternance :

1 T 2Vm
Vmoy 
T 
0
v R (t )dt 

Eq. 8

Vm
La tension efficace Veff à traverse la charge : Veff  Eq. 9
2

 A l’aide d’un montage à pont de Graêtz

4

1 T2 5
D4 D1
+
ve 3 - 1
i(t)
4 8
D2 D3 vs
R
2

Figure 16 : Schéma d’un montage à pont de diode.

Les 4 diodes D1, D2, D3 et D4 constituent un pont de Graêtz. Le redressement par pont de Graêtz s’impose si le
transformateur n’a pas d’accès en son milieu.
 Analyse :
Durant l’alternance positive les diodes D1 et D2 sont conductrices alors que D3 et D4 sont bloquées. C’est le cas
contraire durant l’alternance négative.
Le courant dans R circule toujours de O vers M ce qui explique le redressement. L’allure des tensions est encore
similaire à celle donnée à la figure 15.
Remarque : Ici, le facteur de forme est de 1,11 ce qui est encore très élevé.

43
Pour obtenir une tension continue on réduit l’ondulation en transformant la tension redressée en une grandeur
aussi indépendante que possible du temps.
Le procédé le plus simple consiste d’abord placer un condensateur en parallèle avec la résistance de charge.

Exemple 3 :

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Filtrage :
Le but des filtrages est de transformer les tensions redressées en une tension de sortie aussi constante que
possible. Le dispositif de filtrage le plus simple consiste à brancher un condensateur aux bornes de la résistance
de charge figure 17.
i(t)
1 2
i2(t)
1 5
i1(t)
T2
ve(t) vs(t)
R C
4 8

Figure 17 : Schéma d’un redresseur simple alternance avec condensateur.

La diode est modélisée par une résistance dynamique rd et le transformateur est supposé parfait.
Quand la diode est passante la capacité peut se charger avec une très faible constante du temps rdC selon la loi
v s  Vm (1  exp(t / rd C ))

44
Au contraire, si la diode est bloquée (τ = T/4) le condensateur se décharge à travers la résistance R avec une
constante de temps RC très supérieur à rdC.
Si la période du signal d’entrée est très supérieure à la constante de temps de charge du condensateur celui-ci se
charge (dès le premier quart de la période) jusqu'à la tension de crête du signal redressé.
Ensuite, dès que la tension d’entrée descend en dessous de Vm, la diode se bloque et le condensateur se décharge
à travers la résistance de charge R jusqu'à point de rencontre d’une nouvelle alternance montante. L’équation de
la décharge est régit par la loi : v s  Vm exp(t / RC ) .
L’allure des variations de la tension de sortie est représentée par la figure 18.

ve(t) vs(t)
Décharge de C
Charge de C
Vm Vm (3)
(2)
t t
(1) t1

a) b)

Figure 18 : Forme des différentes tensions, (a) tension d’entrée, (b) tension de sortie. (1) tension de sortie en
absence de C, (2) et (3) tension de sortie de charge et décharge du condensateur.

On constate que la tension filtrée évolue entre un maximum Vsmax et un minimum Vsmin en traversant la valeur
moyenne Vsmoy.
vs(t)

ΔVs Vs ond
Vs max
Vs moy
Vs min

Vs = Vs moy + Vs ond
 Calcule de ΔVs (Vsond crête à crête)
ΔVs : représente l’ondulation, on le définit par :
ΔVs = Vsmax – Vsmin.
v s max  v s min
 La valeur moyenne est donnée par : v s moy 
2
 Le taux d’ondulation efficace :
v s.eff .ondulée
On appelle taux d’ondulation le rapport :  
v s.moy

Avec : v 2 s.eff  v 2 s .moy  v 2 s.eff .ond

En conclusion :
Pour obtenir un bon filtrage, il est préférable de choisir :
o Un redressement double alternance ;
o Une constante de temps τ = RC élevée, or R étant la valeur de la résistance d’utilisation : c’est en
générale une donnée. Il faudra choisir une capacité aussi grande que possible. Nous serons limitées
dans notre choix par le volume ainsi il persiste une ondulation résiduelle qui peut être atténuée par
des circuits de stabilisation.

45
 3.2 Stabilisation d’une tension par diode Zener

a) Caractérisation courant-tension d’une diode Zener

La diode Zener utilisée en inverse est caractérisée par une tension de claquage pratiquement constante.
Sa caractéristique et soniDschéma équivalent en inverse sont donnés par la figure 19.
IZ

K VZ A
VZ VZ0
VAK IZ
VZ0
IZmin
Rz

IZmax VZ
b)
IZ a)
Figure 19 : (a) Caractérisation courant tension d’une diode Zener, (b) symbole et modèle d’une diode Zener.

b) Stabilisation par diode Zener

Le principe de la stabilisation par diode Zener figure 20 découle de cette observation la diode Zener qui agit
comme référence de tension maintient presque constant la tension aux bornes de la charge Ru et ajuste son
courant compte tenu de la fluctuation du tension V disponible à la sortie du circuit de redressement.
iD
O I Rs
1 2
IZ Iu
1 T2 5
Vs
V
R C VZ Ru
4 8

M
Figure 20 : Schéma du circuit de redressement et des stabilisations.
Pour obtenir un fonctionnement correct il faut :
 IZ < IZmax pour Iu = 0
 IZ > IZ min pour Iu = Iumax
D’après la figure 20 on peut écrire :
VZ  V Z 0 Vs
I  I Z  Iu  
rZ Ru
V  Vs
I
Rs
Même après stabilisation, la tension aux bornes de la charge n’est pas rigoureusement indépendante du temps.
Selon que l’on s’intéresse aux fluctuations de la tension de sortie par rapport aux variations de V ou par rapport
au changement de Ru, on définit deux coefficients de stabilisation :
 Le coefficient de régulation amont S caractérise l’aptitude du circuit à réduire les fluctuations de la

Vs
tension de sortie lorsque V subit des variations. Il est défini par : S ( ) I  0
V u

46
  Le coefficient de régulation aval S’caractérise l’aptitude du circuit à maintenir une tension constante
Vs
aux bornes de la charge lorsque celle-ci varie est définie par : S' ( ) V  0
I u
c. Diodes : composants optoélectroniques
L’optoélectronique est la technologie qui allie l’optique et l’électronique. Ce domaine comprend de nombreux
composants utilisant la jonction pn. Les diodes électroluminescentes (DEL), photodiodes et optocoupleurs sont
des exemples.

- La diode électroluminescente
La figure 21 représente une source reliée à une DEL par l’intermédiaire d’une résistance. Les flèches sortantes
symbolisent la lumière émise. Dans une DEL polarisée en direct, les électrons libres traversent la jonction et se
recombinent avec les trous. Comme ils passent d’un niveau énergétique haut à un niveau bas, ils perdent de
l’énergie. Dans les diodes normales, cette énergie est transformée en chaleur, mais dans les LED, elle est
transformée en radiation lumineuse.
A l’aide d’éléments tels que le gallium, l’arsenic et le phosphore, les constructeurs réalisent des diodes qui
émettent du rouge, du vert, du jaune, du bleu, de l’orange ou de l’infrarouge (invisible).

Figure 21 : Indicateur lumineux. (a) circuit fondamental ; (b) circuit pratique.

Exemple d’application : afficheur sept segments

Un afficheur sept segments est représenté par la figure 22-a; il contient sept DEL rectangulaires (de A à G)
appelées segments. La figure 22-b illustre le schéma de l’afficheur ; les résistances extérieures limitent les
courants aux valeurs nécessaires. En reliant une ou plusieurs résistances à la masse, on peut afficher tous les
chiffres entre 0 et 9. Par exemple, en mettant à la masse A, B et C, on obtient un 7 ; A, B, C, D et G donnent un
3.
L’afficheur peut aussi représenter les lettres majuscules A, C, E, F et les minuscules b et d. Les utilisateurs de
microprocesseurs utilisent souvent l’afficheur sept segments pour afficher tous les chiffres depuis 0 jusqu’à 9, et
A, b, C, d, E, F.
Sur la figure 22-b, l’afficheur est de type anode commune car toutes les anodes sont connectées entre elles ; il
existe aussi le type cathode commune où ce sont les cathodes qui sont reliées.

Figure 22 : Afficheur sept segments. (a) répartition physique des segments ; (b) schéma.

47
- La photodiode
Nous avons vu précédemment que la composante du courant inverse d’une diode est créée par les porteurs
minoritaires. Ils existent car l’énergie thermique a enlevé des électrons de leur orbite de valence pour en faire des
paires électron-trou. La durée de vie des porteurs minoritaires est faible, mais suffisante pour fournir une
contribution au courant inverse.
Quand de l’énergie lumineuse bombarde une jonction pn, elle peut arracher des électrons de valence. Plus la
lumière frappe la jonction, plus le courant inverse est important. Une photodiode est optimisée pour être sensible
à la lumière. Une fenêtre dans le boîtier permet à la lumière de pénétrer jusqu’à la jonction. La lumière entrante
produit alors des trous et des électrons libres ; puis elle est intense, plus le courant inverse est important.
La figure 23 montre le symbole d’une photodiode, les flèches symbolisent la lumière incidente. Il est
indispensable que la source et la résistance polarisent la diode en inverse. Plus la lumière incidente devient forte,
plus le courant inverse croît ; avec les photodiodes classiques, il est de l’ordre de la dizaine de microampères.

Figure 23 : La lumière incidente augmente le courant inverse dans la photodiode.

- L’optocoupleur
Un optocoupleur (aussi appelé optoisolateur) associe une DEL et une photodiode dans le même boîtier (figure
24). La diode électroluminescente est à l’entrée et la photodiode à la sortie. La source de tension de gauche et la
résistance associée établissent un courant dans la LED. Quand la lumière produite atteint la photodiode, elle
engendre un courant inverse dans le circuit de sortie et une tension sur la résistance de sortie. La tension de sortie
est égale à la tension de la source moins la tension apparue sur la résistance.
Quand la tension d’entrée varie, la quantité de lumière émise varie et la tension de sortie évolue comme la
tension d’entrée. C’est pour cela que l’association d’une DEL et d’une photodiode est appelée optocoupleur, elle
relie un signal d’entrée à un signal de sortie.
L’avantage essentiel d’un optocoupleur est l’isolation électrique entre l’entrée et la sortie, leur seul contact est un
faisceau lumineux. Il est donc possible de réaliser une résistance d’isolation entre les deux parties de plusieurs
milliers de mégohmes. De telles isolations sont utiles dans les applications très hautes tensions pour lesquelles
les différences de potentiel entre l’entrée et la sortie peuvent être de plusieurs milliers de volts.

Figure 24 : Optocoupleur, l’association d’une DEL et d’une photodiode.

48
- Diode Laser
Dans une DEL, les électrons libres émettent de la lumière quand ils passent d’un état d’énergie supérieur à un
état d’énergie inférieur. Ce passage se fait continuellement et de façon aléatoire ; les ondes lumineuses obtenues
ont une phase comprise entre 0° et 360°. Les DEL donnent donc une lumière incohérente. Une diode laser est
différente, elle produit une lumière cohérente.
Le principe de base d’une diode laser est d’utiliser une cavité résonante entre deux miroirs pour amplifier
l’émission d’ondes lumineuses ayant la même fréquence et la même phase. A cause de la résonance, une diode
laser produit un faisceau lumineux très étroite, très intense, focalisé et pur.
Les diodes laser, parfois appelées lasers semi-conducteurs, produisent de la lumière visible (rouge, vert ou bleu)
et invisible (infrarouges).
d. Diode Schottky
Lorsque la fréquence augmente, le fonctionnement des petites diodes de redressement commence à se détériorer.
Elles ne sont plus capables de se bloquer assez rapidement pour produire un signal simple alternance bien défini.
La solution à ce problème est la diode Schottky.
Les diodes Schottky sont des composants à courant élevé, capables de commuter très rapidement des courants
qui les traversent pouvant atteindre 50 A. Ces diodes ont des plages de tensions d’avalanche plus faibles que
celles des jonctions pn des diodes de redressement classiques.
e. Diode à effet tunnel
Une diode à effet tunnel est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les
circuits où un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu'à 5GHz).
Dans une diode classique réalisée avec des semi-conducteurs, la conduction se produit si la jonction est polarisée
en direct, et s'arrête dès la polarisation devient négative. La conduction étant bloquée jusqu'à la tension de
claquage de la diode lors d'une polarisation négative (dans cette zone une diode classique est détruite).
Dans la diode tunnel, le dopage des couches P et N est si important que la tension de claquage est égale à zéro
volt. Cette diode conduit donc en inverse (polarisée en inverse), mais lors de son utilisation en direct (sens
positif), l'effet tunnel se produit donnant à la caractéristique de cette diode une zone où l'augmentation de la
tension aux bornes de la diode entraîne une diminution du courant la traversant. Cela correspondant à une
résistance négative.
La diode tunnel offre de grandes perspectives dans les domaines des oscillateurs HF, c'est-à-dire dans les
gammes de fréquences utilisées dans les fours à micro-ondes.

49