Dynamique de l'électron 3

3-1: Concept de masse effective

3-2: Phénomènes de transport
 Mouvement thermique
 Mouvement de dérive
 Mouvement de diffusion
3-3: Génération et Recombinaison
Dynamique de l'électron 3
3-1: Concept de masse effective
3-2: Phénomènes de transport
 Mouvement thermique
 Mouvement de dérive
 Mouvement de diffusion
3-3: Génération et Recombinaison
Concept de masse effective

Vitesse de Groupe d'un paquet d'onde

• La vitesse de groupe et sa relation à

l'énergie et l'impulsion est obtenue par:

dE 1 dE (k )
vg  
dP dk

Cette expression est donnée à trois dimensions par :

 1 
v g   k En (k )

-3-
Chap: III
Concept de masse effective
2- Action d'une force extérieure

L'accélération (classique) de l'électron est donnée par:

1
v  k En (k ) 1 d
dv    k En (k )
 
dt dt

Si on applique une force extérieure F
dP dk
On obtient F 
dt dt
d d dk
Notons que   à 1 dim
dt dk dt
d dk
et que  k  à 3 dim
dt dt
Chap: III -4-
Concept de masse effective

dk d dk
F  k 
dt dt dt
En reportant cette relation dans l'expression donnant
l'accélération, on obtient:
1 d
   k En (k ) dk

F
dt dt

1  dk 
  . k   k En (k )
 dt 
Donc:
1

  2 F . k  k En (k )
Chap: III -5-
Concept de masse effective

 
1
2  F .   E (k )
k k n

soit, en explicitant les coordonnées de 

1    En (k ) 1  2 En (k )
 i  2   Fj .    Fj
 j k j  ki k j ki
2
 j

1  2 En (k ) 1  2 En (k ) 1  2 En (k )
 x  2
Fx .
k x
2
 2 Fy .
k y k x
 2 Fz .
k z k x

 y 
1
2
Fx .
 2 En (k ) 1
k y k x
 2 Fy .
 2 En (k ) 1
k y
2
 2 Fz .
 2 En (k )
k z k y
 1  2 En (k ) 1  2 En (k ) 1  2 En (k )
 z  2
Fx .
k z k x
 2 Fy .
k z k y
 2 Fz .
k z2
Chap: III -6-
Concept de masse effective

  2 En (k )  2 En (k )  2 En ( k ) 
 
 k 2
x k y k x k z k x 
 x   2   Fx 
  1   En (k )  En (k )  En ( k )   
2 2

   .  Fy 
y
 
2
 k y k x k y2 k z k y   
 z    Fz 
  2 En (k )  2 En (k )  2 En (k ) 
 
 k z k x k z k y k z 
2

C’est un tenseur

une force F agissant sur un électron du réseau lui donne

une accélération qui n'a pas généralement la direction de F

Chap: III -7-

Concept de masse effective

  2 En (k )  2 En ( k )  2 En ( k ) 
 
 k 2
x k y k x k z k x 
 2 
1   En (k )  2 En ( k )  En ( k ) 
2
  2 .F
 k y k x k y2 k z k y 
 
  2 En (k )  2 En ( k )  2 En ( k ) 
 
 k z k x k z k y k z2 

Cette relation ressemble à l'équation F

 
fondamentale de la dynamique m
à condition d'affecter à l'électron une (masse) m*:

 1  1  En (k ) 2

   2
 m *  ij k j ki
Chap: III -8-
Concept de masse effective

 1  1  2 En (k )
   2
 m *  ij k j ki
soit, explicitement,

  2 En (k )  2 En (k )  2 En (k ) 
 
 k 2
x k x k y k x k z 
 2  Appelée: tenseur
1 1   En (k )  2 En (k )  En (k ) 
2
 2 de masse effective
m*  k y k x k y2 k y k z  de l'électron
 
  2 En (k )  2 En (k )  2 En (k ) 
 k k k z k y k z2 
 z x

Chap: III -9-

Concept de masse effective

Tenseur de masse effective de l'électron

Explicitement,  1 1 1 
 * * 
 mxx m*xy mxz 
1 1  2 En (k ) 1  1 1 1 
 2   * 
*
mij k j ki m *  mxy m*yy m yz 
*

 
 1 1 1 
 m* m*yz m*zz 
 xz
Ce concept de masse effective est très utile puisqu'il permet de
traiter la dynamique de l'électron quasi-libre dans un cristal en
utilisant les lois de la mécanique classiques, à condition de
remplacer la masse au repos de l'électron par sa masse effective.
Chap: III -10-
Concept de masse effective
Diagramme E-k, vitesse et masse effective

E
Au point k = 0, m* de l’électron a
une valeur positive constante et
elle monte rapidement quant la dE/dk
valeur de k augmente. Après
avoir connu une singularité (masse
infinie) la masse effective devient
négative au sommet .
d2E/dk2
• Par conséquent:
- m * est positive vers le bas de
toutes les bandes,
- m * est négatif, près du
sommet de toutes les bandes

Chap: III -11-

Concept de masse effective
Masse effective

- m* > 0 au voisinage d'un minimum de E (k ) E (k )

- m* < 0 au voisinage d'un maximum de E ( k )

k

Autrement dit, dans un cristal, l'accélération de

l'électron n'est pas forcément colinéaire à la force
appliquée, et peut même être de sens opposé.

Chap: III -12-

Concept de masse effective

Etude des extrema de la fonction

Au voisinage d'un extremum de la courbe En (k )

En (k ) situé en k  k0
on peut développer la fonction En(k) en série de Taylor.
En se limitant au deuxième ordre, on obtient :

En (k )  En (k0 )   k  k   E (k )
0 k n
k  k0

1  2 En (k )
 
2 ij k j ki
k  k k
i 0,i j  k0, j   ...
k  k0

or  k En (k ) 0 Car extremum
k  k0

Chap: III -13-

Concept de masse effective

Etude des extrema de la fonction

Au voisinage d'un extremum de la courbe En (k )

En (k )  En (k0 )   k  k   E (k )
0 k n
k  k0

1  2 En (k )
 
2 ij k j ki
k  k k
i 0,i j  k0, j   ...
k  k0

On aura donc

 2

k  k k  k0, j   ...

1 En (k )
En (k )  En (k0 )  
2 ij k j ki
i 0,i j
k  k0

Chap: III -14-

Concept de masse effective

 2 En (k )
 ki  k0,i   k j  k0, j   ...
1
En (k )  En (k0 )  
2 ij k j ki k  k
0

Si on se place dans un système de coordonnées tel que la matrice

1/m* soit diagonale, on peut exprimer l'énergie en fonction de la
masse effective et du vecteur d'onde sous la forme :

2  k  k 2  k  k 2 k  k0, z  
2

En (k )  En (k0 )   x 0, x

y 0, y

z

2  *
mx *
my mz*

 
kz
c’est l’équation d’une ellipsoïdes

kx

ky

Chap: III -15-

Concept de masse effective kz
Cas d’un système sphérique
Dans le cas le plus simple où mx  my  mz  m
* * * *

ky kx
la masse effective est alors un scalaire noté m*. Les surfaces
isoénergétiques sont des sphères et l'énergie s'écrit :

k  k 
2
2
0
En (k )  En (k0 )  *
2 m
Faisons un changement d’origine dans l’espace réciproque c.a.d

k0  0
kz

l'énergie s'écrit
kx
2 2
k
En (k )  E0 
2 m* ky

Chap: III -16-

Concept de masse effective 2
k2 1  2 En (k )
En (k )  E0  
2 m* m*
k 2
 Si on se place dans la bande de conduction

A l’extremum de la bande de conduction on a donc m* > 0

Soient m* = m*c et E0=EC E (k )
2
k2
En (k )  EC 
2mc*
énergie potentielle k
énergie cinétique

Chap: III -17-

Concept de masse effective: Densité des états dans la BC
3
d k
Dans d3k il y a: niveaux d’énergie par cm3
(2 ) 3

4 3 1
Dans une sphère on a : N c ( E )  k  niveaux d’énergie
3 (2 ) 3

 2mC* ( E  EC )
 k 2

2
k2
Or: E  EC   
2mC* dk  2mC
*
dE
 2
2 ( E  EC )

3/ 2
1  2 
Nc ( E )  2   *  ( E  EC )3/ 2
6  2mc 

Entre la surface d’énergie E et la surface d’énergie E +dE il y a NcdE états

dN c ( E )
gc ( E ) 
dE
3/2 C’est la
1  2
densité des
gc ( E )  2   *  ( E  EC )1/2 états dans
4  2mc  la BC
Chap: III -18-
Concept de masse effective 2 2
k 1  2 En (k )
En (k )  E0  
k 2
* *
2
 Si on se place dans la bande de valence
m m
A l’extremum de la bande de valence on a donc m*<0 On
introduit ainsi une nouvelle notion de porteurs de charges c’est
la notion de trous. E (k )
Soient m* = -m*v et E0=EV

2
k2
En (k )  EV 
2mV* k

énergie potentielle
énergie cinétique
trous.

Bande de valence
pleine

Chap: III -19-

Concept de masse effective

Les trous
Pour les semi-conducteurs, les « manques » d’électrons dans
la bande de valence sont aussi important que les électrons
dans la bande de conduction.

Un trou est une façon alternative pour décrire une bande dans
laquelle il manque un électron.

Chap: III -20-

Concept de masse effective: Densité des états dans la BV
3
d k
Dans d3k il y a: niveaux d’énergie par cm3
(2 ) 3

4 3 1
Dans une sphère on a : NV ( E )  k  niveaux d’énergie
3 (2 ) 3

 2mv* ( EV  E )
 k 2

2
Or: k2
EV  E   
2mv* dk  2mv
*
dE
 2
2 ( EV  E )

3/ 2
1  2 
NV ( E )  2   *  ( EV  E )3/ 2
6  2mv 
Entre la surface d’énergie E et la surface d’énergie E +dE il y a NvdE états
dNV ( E )
gV ( E ) 
dE
3/2 C’est la densité
1  2
1/2 des états dans
gV ( E )  2   *  ( EV  E ) la BV
4  2mV  -21-
Chap: III
Concept de masse effective
Cas d’un ellipsoïde de révolution

Si la maille du cristal n'est pas un cube, mais une forme géométrique

moins symétrique, l'anisotropie se voit aussi dans le diagramme des
bandes. Du coup, l'expression de l'énergie au voisinage d'un
extremum de bande s'écrit:

k  k  k 
2 2 2
2
x  k x ,0 2
y  k y ,0 2
z  k z ,0
En (k )  En (k0 )  *
 *

2 m x 2 m y 2 m*z

k2 2 2
k y2 2
k z2
En (k )  En (0)  x
*
 *

2 m x 2 m y 2 m*z
2
k i2
 En (0)  
2 i mi*
Chap: III -22-
Concept de masse effective Cas d’un ellipsoïde de révolution

 Si on se place dans la bande de conduction

A l’extremum de la bande de conduction on a donc m* > 0
Soient m* = m*ic et E0=EC
2

 2m
E (k )
En (k )  EC  *
k 2
i
i iC
Equation équivalente l’équation
de l’ellipse :
k
k12 k22 k32
2
 2  2 1
a b c
4
Le volume de l’ellipse est: Vk  a b c
3
1/2
4  2m1C  2m2C  2m3C 
* * *
Vk    ( E  E ) 2/3

 
2 2 2 C
3  
Chap: III -23-
Concept de masse effective Cas d’un ellipsoïde de révolution
1/2
4  2m  2m  2m 
* * *
Vk  
1C
 ( E  2C
E ) 2/3 3C

 
2 2 2C
3  
Le nombre des états par unité de volume :

Vk M est le nombre
N (E)  M des ellipsoïdes
 2 
3
d’énergie
1/ 2 Si Ge
1  2m  2m  2m 
* * *
 2 1C

2C 3C
M ( E  EC ) 2 / 3
6  2
  2 
2

3/ 2
1  2m  *
 2 
C
( E  EC ) 2/3
avec m   m  m  m
* * *

* 1/ 3
M 2/3
6  2 C 1C 2C 3C

La densité des états: 3/2
1  2m  *
g (E)  2  
C
( E  EC )1/2
4  
2

Chap: III -24-

Concept de masse effective Cas d’un ellipsoïde de révolution
 Si on se place dans la bande de valence
A l’extremum de la bande de conduction on a donc m* < 0
Soient m* = -m*iV et E0=EV
2
En (k )  EV   2m
i
*
k i2
E (k )
iV

Le nombre des états par

unité de volume :
3/ 2 k
Vk 1  2m 
*
N (E)  M  2 2  v
( Ev  E )2 / 3
 2  6 
3


La densité des états: 3/2

1  2m  *
g (E)  2  2  v
( EV  E )1/2
4  
Chap: III -25-
Dynamique de l'électron 3
3-1: Concept de masse effective
3-2: Phénomènes de transport
 Mouvement thermique
 Mouvement de dérive
 Mouvement de diffusion
3-3: Génération et Recombinaison
Dynamique de l'électron 3
3-1: Concept de masse effective
3-2: Phénomènes de transport
 Mouvement thermique
 Mouvement de dérive
 Mouvement de diffusion
3-3: Génération et Recombinaison
 Mobilité-conductivité
Mouvement thermique
Approche classique
Soit un cristal SC contenant des e- et des trous libres de densité n
et p. Si on ajoute un kT, cette énergie va augmenter l'agitation
thermique. Si vth est la vitesse moyenne d'agitation thermique,
l'énergie cinétique d'agitation thermique vaut :

3 1 3kT T
E  kT  m0 vth2 vth  105  m/s
2 2 m0 300
A 300K, on obtient vth ≈ 105 m/s (soit 400 000 km/h).
Les porteurs ont ainsi une vitesse thermique moyenne, orientée
dans toutes les directions de l’espace.

Les trajectoires sont très complexes Interaction avec la

réseau
Chap: II -28-
  Mouvement thermique
En l’absence d'un champ électrique E, la vitesse moyenne
d'entraînement est nulle
Collisions multiples dues à 
l’agitation thermique d’origines:
 Trajectoire linéaire
- atomes du réseau
 vth  0 entre choc
- impuretés ionisées
- défauts


Dans l’approximation classique l’électron subit des collisions.
On définie:

 < >: Le temps caractéristique représente le temps moyen entre

deux collisions.

 <ℓ>: le libre parcours moyen , ou distance moyenne parcourue

entre deux collisions

on a <ℓ> = vth<> vth 


Pour Si: <> = 0.1 à 1 ps, <ℓ> = 10 à 100 nm
Chap: II -29-
Dynamique de l'électron 3
3-1: Concept de masse effective
3-2: Phénomènes de transport
 Mouvement thermique
 Mouvement de dérive
 Mouvement de diffusion
3-3: Génération et Recombinaison
  Mouvement de dérive

vth  0
1 3
m0 vth  kT
2
vth  105 m / s
2 2

Appliquer champ électrique sur le SC:

E ≡ champ électrique [V cm-1] ⇒ force nette

v 0

1 3
m0 v  kT
2

2 2

E
Chap: II -31-
  Mouvement de dérive

Conductivité sous l’effet d’un champ électrique.

En présence d'un champ électrique E constant et uniforme,
La force à laquelle est soumis l’électron est :

F = Fappliquée + Flocale
Cette dernière est due à toutes les interactions avec le réseau
(vibration thermique).
dv Trajectoire
F  qE  Fl  m0  m0 incurvée
dt
q 1 entre choc
v (t )  
m0
Et 
m0  Fl dt

Les porteurs ont une vitesse thermique moyenne, orientée dans

toutes les directions de l’espace qui est légèrement modifiée en
imposant une direction statistique préférentielle par la présence du
champ électrique.
Chap: II -32-
  Mouvement de dérive
La vitesse d'entraînement vaut donc:
q 1
v(t )  v  
m0
E car
m0  Fl dt  0

q
Soit  la mobilité:   v   E
m0
Pour les Semiconducteurs: Si v << vth ou E faible
E
 vn  Vitesse moyenne des électrons  vn   n E  qE

E
 vp  Vitesse moyenne des trous  vp    p E  qE

q q
n  p  (cm2/Vs)
mn* m*p
m*p et m*psont les masses effectives de conduction
Chap: II -33-
  Mouvement de dérive
 La mobilité est une grandeur déterminante pour les composants électroniques →
performances des dispositifs
 Elle est inversement proportionnelle à la masse effective et dépend des collisions
dans le cristal
 Ces collisions peuvent être dues aux impuretés, aux phonons, aux autres porteurs,
et à tout autre défaut
 La mobilité s’exprime en cm2/Vs

Cristal
n(cm2/Vs) p(cm2/Vs)
À T=300K  La masse effective des électrons est
plus faible que celle des trous et le
GaAs 8000 300
temps de relaxation est plus long →
mobilité des électrons est supérieur à
InAs 30000 450
la mobilité des trous
Diamand 1800 1200
 Le temps de collision augmente quand
la température diminue, du moins dans un
Si 1350 480
SC pur
Ge 3600 1800

PbS 550 600

In0.53Ga0.47As 11000
Chap: II -34-
 Influence du dopage du matériau sur de la
température sur la mobilité
 Les atomes d’impuretés vont influer sur les trajectoires des
électrons dans le cristal car, à température ambiante, ils sont tous
ionisés. Le nombre de collisions va augmenter et cela va se
traduire par une diminution de la mobilité .

 L’augmentation de température se traduit par une agitation thermique

plus importante dans le réseau cristallin et, de ce fait, le temps de
relaxation va diminuer car la probabilité de chocs avec les atomes
augmente. Il s’en suit une diminution de la mobilité qui suit une loi
empirique de la forme:

  T 3/2

 est un coefficient qui dépend de la nature du matériau et du type de porteur

Chap: III -35-

  Mouvement de dérive
Influence du dopage du matériau sur de la température sur 

• Pour dopage
faible, μ est
limitée par
collisions avec
réseaux. Si T↑;
μ ↓.
• Pour dopage
élevé, μ est
limitée par
collisions avec
impuretés
ionisées.
• Trous "plus
lourd" que les
électrons:
Pour le même Mobilité des (a) électrons et (b) trous dans le silicium en fonction de T
pour diverses concentrations de dopage. Les insertions montrent une
niveau de
dépendance à la température pour le silicium intrinsèque. (Pierret, R. F.
dopage, μn> μp Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison-Wesley, 1996..)
-36- Chap: II
  Mouvement de dérive
Densité de courant et Mobilité
Courant causé par le champ électrique due aux électrons:
q

Q qn n At A
j 
A  t At
vnt
nq 2 n
j  qn n  *
E  nq n E (A/cm2)
mn
nq 2 n
Loi d’Ohm : j E n  *
 qnn (due aux électrons
seulement)
mn

Chap: II -38-
  Mouvement de dérive

La loi d'Ohm locale (microscopique) :

nq 2 E n
Jn  *
 nE pour les électrons, et
mn
pq 2 E p
Jp  *
  pE pour les trous.
mp
Def: Les conductivités électriques s'écrivent :

nq 2 n
n  *
 nq n ( 1cm 1 ) pour les électrons, et
mn
pq 2 p
p   pq  p ( 1cm 1 ) pour les trous.
m*p

n   p  
Chap: II -39-
  Mouvement de dérive
Le courant total étant la somme des courants de trous et d'électrons, la
conductivité totale du matériau s'écrit naturellement:

nq E n 2
pq 2 E p
J  Jn  J p  *

mn m*p

j  qn n  qp  p  nqn  pq p E 
J  ( n   p ) E   E

La résistivité  d’un matériau est l’inverse de la conductivité 

 1
  n  qn si n  p
1 1 
  ( cm)  
n

 q ( n n  p  p )  p  1 si p  n
 qp  p

Chap: II -40-
  Mouvement de dérive
Exercice: Calculer la vitesse d'un électron dans un morceau de
silicium de type n causée par son énergie thermique à température
ambiante et sa vitesse due l'application d'un champ électrique de
1000 V/m à travers le morceau de silicium.
Vth  ? T  300 K me*  1.18 m0
Vd  ? E  1000 V / m   0.15 m 2 / (V s )

3kT
Vth  
 Vth  1.08  10 m / s
5

Vd   E  Vd  150 m / s

Conclusion : Vd  Vth
Chap: II -41-
  Mouvement de dérive
Densité de courant et Mobilité
• Importance de la mobilité sur les composants

– Mobilité la plus élevée possible => vitesse plus grande

pour un même E

– Facteurs limitant:
• Dopage
• Défauts (cristallins, structuraux, …)
• Température
• Champ électrique de saturation + géométrie

Chap: II -42-
  Mouvement de dérive
Densité de courant et Mobilité
 Vitesse de saturation des électrons
• La relation linéaire vitesse – champ valide
uniquement pour:
– Des champs électrique pas trop
élevés
– Porteurs en équilibre thermique avec
le réseau Si champs électriques faibles, la
• Sinon: proportionnalité (vitesse–champ)
est valable et la pente définit la
− Au-delà d’un champ critique, mobilité 
saturation de la vitesse
vn  n E
− Apparition d’un autre phénomène:
« velocity overshoot » pour des SC Dès que les champs électriques
multivallée. deviennent importants, la vitesse
converge vers la vitesse thermique.
− Régime balistique: pour des dispositifs
de dimensions inférieures au libre l’énergie thermique reste très
supérieure à l’énergie apportée entre
parcours moyen (0.1µm)
ces chocs et la mobilité décroît

Chap: II -43-
 Mouvement de dérive
Vitesse de saturation
Apparition du phénomène: Différents comportement en
« velocity overshoot » fonction du SC
pour des SC multivallée.

Le GaAs présente une meilleure

mobilité (rapport 5) et une
survitesse qui est exploitée dans
la réalisation de certains
composants très rapides HF

Survitesse
(« overshoot »)

-44- Chap: II
  Mouvement de dérive
Resistance
1 1
 
 qnn  qp p
V I
V L I
R 
I S L w
L
 t
wt

L 1 Pour calculer R, Il faut trouver 

R de la concentration des électron
wt  et des trous, et après utiliser les
dimensions de l’échantillon
L 1

wt (qnn  qp p )
Chap: II -45-
  Mouvement de dérive
Résistivité

 Cas du silicium intrinsèque à 300K :  Cas du silicium dopé à 300K :

n=1350 cm²/V.s et p=480 cm²/V.s n=280 cm²/V.s et p=90 cm²/V.s
p=n=ni=1,5 1010 cm-3 n=ND=1018 cm-3 et p=2,2 102 cm-3
=3,4 105 cm et =2,2 10-2 cm et
= 2,9 10-6 -1 cm-1 = 48 -1 cm-1
Chap: II -46-
Exercice
On rappelle que la résistivité est définie comme l’inverse de la conductivité.
1. Décrire les différents types de porteurs de charge dans un semi-conducteur
(nom, charge).
2. Justifier de l’intérêt du dopage en estimant et comparant les conductivités à
300K des matériaux suivants :
—Silicium intrinsèque (idéal, impossible à obtenir en pratique)
—Silicium présentant une concentration résiduelle en bore NA=3.1013cm−3
—Silicium dopé N avec ND=1016cm−3
—Silicium dopé P avec NA=1016cm−3.
3. Justifier qualitativement l’évolution de la densité de porteurs n et de la
conductivité σ avec la température (Fig.1). Comparer avec le comportement d’un
métal comme le cuivre (Figure 2). On sera amené à distinguer les cas : T<150 K,
150K<T<500K et T>500K.
 Figure 2: Résistivité du cuivre en
fonction de la température

Figure 1 – Densité d’électrons libres et conductivité

du silicium dopé N (ND = 1015 cm−3) en fonction de la
température
Dynamique de l'électron 3
3-1: Concept de masse effective
3-2: Phénomènes de transport
 Mouvement thermique
 Mouvement de dérive
 Mouvement de diffusion
3-3: Génération et Recombinaison
  Mouvement de diffusion
Transport sous l’effet d’un gradient de concentration

Il apparaît un courant qui tend à homogénéiser la concentration.

Le phénomène de diffusion est lié à l’existence de gradient de
concentration ou gradient de Température,
Il y a diffusion des régions de forte concentration vers les régions de faible
concentrations. Ce courant est d'autant plus faible que la différence de
concentration est faible (il tend vers 0 à l'équilibre)

C ( x )
I
x proportionnel au
gradient de
négatif car les particules concentration
diffusent vers les régions de
plus faible concentration
-50-
 Mouvement de diffusion

 Loi de Fick : le flux des particules F est

proportionnel au gradient de concentration.
La constante de proportionnalité D est le
coefficient de diffusion


F  D  C
i
C

Coefficient de diffusion D : (cm-2s-1)

 Cette loi est générale et s’applique aussi

bien aux électrons, aux trous , aux atomes
et aux ions.

-51-
  Mouvement de diffusion
 Courants de Diffusion : En considérant macroscopiquement la diffusion
des électrons et des trous, leur déplacement est équivalent à un
courant. On peut donc exprimer les densités de courant de diffusion
des électrons et des trous en multipliant le flux des porteurs par la
charge élémentaire.

 Cas des électrons :

1 
Fn   .J n , D  J n , D   q.Dn  n
q

Dn : coefficient de diffusion des électrons.

Par convention le courant est de sens opposé au déplacement
des électrons. Les électrons étant de charge <0, se déplaçant
vers les x>0, le gradient de concentration <0, la densité de
courant est <0.

-52- Chap: II
 Mouvement de diffusion

 Cas des trous :

1 
Fp  .J p , D  J p , D  q.Dp  p
q

Dp : coefficient de diffusion des trous

Par convention le courant est dans le même sens que celui

des tous. Les trous étant de charge>0, se déplaçant vers
les x>0, le gradient de concentration<0, la densité de
courant est>0.

-53- Chap: II
 Mouvement de diffusion

Densité de courant de diffusion


J n , D  ( q ).Fn   q.Dn  n Pour les électrons


J p , D  ( q ).Fp  q.D p  p Pour les trous

 
J D  q.( Dn  n  D p  p ) Total

-54-
 Phénomènes de transport
Au courant de diffusion s’ajoute:
• Courant thermique

3kT T
vth  10 
5
m/s
m0 300

vth  0 m / s
 J th  0
 Phénomènes de transport
Au courant de diffusion s’ajoute

• Courant de dérive
j  jn  j p  qn n  qp  p
 nqn E  pq p E
  nqn  pq p  E 
E
 Densité de courant totale
 Densité de courant total d’électrons dans un SC :
dn( x)
J n  J n ,deriv  J n , Dif  q n nE  qDn
dx
 Densité de courant total de trous dans un SC :
dp ( x)
J p  J p ,deriv  J p , Dif  q  p pE  qDp
dx
 Densité de courant total dans un SC :

J  J n  J p   J deriv  J diff
n, p n, p
 En général Dn>Dp.
 Les équations présentées ici ne sont valables que pour un SC
homogène et à température constante.
 Ces équations sont profondément modifiées quand le dopage, le «
gap » ou la température varient.
 Le modèle à 1 dim permet de mener à bien des calculs analytiques.
 Relations d’Einstein
Démonstration simple de la relation d’Einstein;
dan le cas à une dimension on a:

1 1 q
m0 vth  kT
2
n 
2 2 m0
m0 n kT
Dn  vthl  vth (vth )  v
2
th  n
q q
kT
De même pour les trous: Dp  p
q

Dp Dn
kT
  Relation d’Einstein
 p n q

-58-
 Equations de Maxwell
pour des matériaux isotropes et homogènes
B D
 E   ,  H    J cond  J tot
t t
B  0 , B  0 H
D   sc E , D   ( x, y, z )
 E et D sont le champ et l’induction électrique.
 H et B sont le champ et l’induction magnétique.
 sc et 0 sont la permittivité du semi-conducteur et la perméabilité du vide.
  (x, y, z): densité de charge électrique totale,
 Jcond la densité de courant de conduction et
 Jtot la densité de courant total.

 Parmi les six équations de Maxwell, la plus importante est sans doute
celle de Poisson.
-59-
 Equation de Poisson

 L’équation de Poisson est issue des équations de Maxwell et

reste valable dans un SC. En supposant un modèle à une
dimension on peut écrire :

D   scE   ( x, y, z )

V2
 Concentration de charges C/m3

x 2
 0 r Permittivité du semi-conducteur en
F/cm
Laplacien en V/cm²

d 2V dE  ( x)
On peu l’écrire comme:  
dx 2
dx  sc

-60-
 Equation de Poisson

 Dans un SC dopé par les deux types de dopants, la

concentration de charges totales tient compte des porteurs
libres et des atomes ou impuretés ionisées :

  e( p  n  N  N ) 
D

A

   p ( x )  n( x )  N D ( x )  N A ( x ) 
2
dV e  

dx 2
 sc
Charge mobiles Charges fixes
(électrons et trous) (dopants ionisés)

 Dans de nombreux cas, pour aboutir à une solution analytique,

il faudra simplifier cette expression en comparant les
différentes concentrations.
-61-
 Equations de continuité
 Hors équilibre thermodynamique, on cherche à déterminer le taux de
variation de la concentration des porteurs (électrons et trous) en fonction
du temps (modèle unidimensionnel).

 Soit un élément de volume d’épaisseur dx. Si le dx

flux entrant F(x) est supérieur au flux sortant C(t) x  dx
F(x+dx), la concentration des particules S
augmente. L’évolution du nombre de porteurs
par unité de temps est donné par:
F
N C x
 Sdx F F ( x  dx)  F ( x)
t t Or : 
x x  dx  x
 F ( x) S  F ( x  dx) S F ( x  dx)  F ( x)

N F F dx
 F ( x) S  S ( F ( x)  dx)   S dx F
t x x  dx  F ( x)  F ( x  dx)
x
C
  div F Equations de continuité
t -62-
 Equations de continuité

Supposons que dans cet élément il soit possible de générer des

paires de porteurs par des photons (taux de génération G, cm-3/s)
ou d’en faire disparaître sur place par recombinaison (taux de
recombinaison U , cm-3/s)

C dF
  G U
t dx

Variation de concentration variation du flux génération recombinaison

-63-
 Equations de continuité
C dF
  G U
t dx
 Pour les électrons:

J n  qFn , J n  q n nE  qDn n
n 1
 div J n  G  U
t q
 Pour les trous:

J p  qFp , J p  q  p pE  qD p p
p 1
  div J p  G  U
t q
-64-
 Equations de continuité
 Hors équilibre thermodynamique, on cherche à déterminer le taux
de variation de la concentration des porteurs (électrons et trous)
en fonction du temps (modèle unidimensionnel).

n 2n 
1 tot
Fn   jn
q t
 Dn 2  n
x x
 
nE  G  U

p 2n 
Fp 
1 tot
q
jp
t
 Dp 2   p
x x
 
pE  G  U

-65-
 Hypothèse de faible injection i.e la densité de porteurs injectés
est inférieure à la densité de porteurs majoritaires à l’équilibre
 le taux de recombinaison
U  (np-np0)/n
Ou np : densité de porteurs minoritaires,
np0 : densité de porteurs minoritaires à l’équilibre thermique
n : temps de vie des électrons.

 La même chose pour les trous conduit à la relation:

U  (pn-pn0)/p

 Si les électrons et les trous sont générés et recombinés par

paires sans pièges ou autres effets similaires alors on peut écrire
que:

n=p.
-66-
Dynamique de l'électron 3
3-1: Concept de masse effective
3-2: Phénomènes de transport
 Mouvement thermique
 Mouvement de dérive
 Mouvement de diffusion
3-3: Génération et Recombinaison
 Injection ou extraction de porteurs, durée de vie

Un SC est dit à l’équilibre thermodynamique si sa température

est constante, s’il est homogène et si les densités de porteurs
obéissent à la loi d’action de masse:

n p n
0 0
2
i
Lorsqu’on perturbe cet équilibre np  ni , on peut définir
2

deux cas:

- Extraction de porteurs: np  n 2
i

- Injection de porteurs: np  ni2

Le 2ième cas est le plus fréquent. L’injection peut se faire de
différentes manières:
- Élévation de température,
- Utilisation d’un rayonnement ionisant,
- Injection à partir d’une électrode.
-68-
Injection ou extraction de porteurs, durée de vie

Soit n et p les densités de porteurs en excès.

Les densités totales hors d’équilibre sont alors:

n  n0  n et p  p0  p
On peut classer les phénomènes d’injection en deux catégories.

-Faible niveau d’injection si la densité des porteurs

injectés est faible par rapport à celle des majoritaires,

n  n pour type N
p  p pour type P
-Fort niveau d’injection si elle devient du même ordre de
grandeur.
n  n pour type N
p  p pour type P
-69-
 Phénomènes de génération recombinaison
Dans un SC, les densités de porteurs existant
dans les bandes sont le résultat de deux
mécanismes permanents : la Génération et
de la Recombinaison.

Il existe donc un flux permanent de porteurs allant de la BV vers la

BC et vice et versa.

A l’équilibre thermodynamique, la génération et la recombinaison sont

égales: g0 = r0.

-Si g > r, on a augmentation de la densité des porteurs, c’est à

dire injection.
-Si g < r, on a une diminution de la densité des porteurs, c’est à
dire extraction.
Ces mécanismes d’écart par rapport à l’équilibre s’effectuent avec une
constante de temps  appelée durée de vie des porteurs.
-70-
 Génération des porteurs
Semiconducteur hors équilibre thermodynamique

Soit un photon tel que:  phonon

 Si h  E g
Pas de création de paire électron
/trou

 Si h  Eg
Possibilité de création de paire
électron /trou

L’énergie h  Eg sera perdue par

relaxation des porteurs
(thermalisation: émission de phonons
d’énergie  phonon )
-71-
 Génération des porteurs pour un SC de
structure de bande directe
E
B.C
Sous l’effet de h l’électron va gagner cette Ef,kf  phonon
énergie et va monter dans la BC

Puis descendre en perdant a chaque fois un

phonon d’énergie  phonon

Conservation de l’énergie:

E f  Ei  Eg  ( E f  EC )  ( EV  Ei ) Eg=1,46eV
2
Pour GaAs
k2 2 2
k
 Eg  *

2mC 2mV* kx

Conservation de la quantité de mouvement: Ei,ki

B.V
k f  ki  k photon  ki  k Gap Directe

Car le photon n’a pas de d’impulsion importante

-72-
 Génération des porteurs pour un SC de
structure de bande indirecte
Eq: énergie de
Les transitions sont indirectes: E phonon B.C
k f  ki   k avec  k  kPhonon
La quantité de mouvement n’est pas Ephonon Ef,kf
conservée. On a besoin d’un phonon
h Eg=1,12eV
E phonon   phonon énergie de phonon Pour Si
Ei,ki
k phonon impulsion de phonon
kx
Conservation de l’énergie:
B.V
 Ef - Ei = h + Ephonon (si absorption de phonon) k
 Ef - Ei = h – Ephonon (si émission de phonon)
Gap indirecte
Conservation de la quantité de mouvement

k f  ki  k photon  k phonon  ki  k phonon car k photon negligeable

-73-
 Génération des porteurs pour SC

Coefficient absorption
h  Eg
 (h )  A trans. directe
h
 (h )  B  h  Eg trans. indirecte
avec A  B
Le début de l'absorption est au gap

Notons : pour h grand , des transitions

interbande peuvent avoir lieu dans des SC à
gap indirects.
Relation entre  et intensité de la lumière I
(Loi de Baer-Lambert) :

  x
I  I 0e I0 : Intensité de la lumière incidente
x : distance de la surface
-74-
 Génération et recombinaison
1.24
E ph  eV  
E
  m

EC

EV

x
Génération Recombinaison Génération Recombinaison
thermique thermique radiative radiative

-75-
 Les Processus de recombinaison les plus
importants

EC
EC

Recombinaison hn =Eg
phonons
directe
k
EV EV

Recombinaison radiative Recombinaison non radiative

e- E~Eg
Recombinaison
Recombinaison
par pièges
Recombinaison Auger
e- e-
indirecte
ET

h+ h+
-76-
 Recombinaison radiative par transition directe

E Conservation de la quantité de mouvement et de

l’énergie
B.C
 Eg = h

 k = kphoton = 2/c = Eg/ħc ħc =0,197eVm

Eg
h Eg ~ 1.2 eV

k =1,2/0,197~ 6m-1 << ZB = 2/a [Å-1]

B.V 2/a=2/3.10-4=2000 m-1

k très petit

Gap directe Transitions optiques presque verticales!!

-77-
 Recombinaison radiative par transition directe

E
Efficace dans les SCs à structure de
bande directe III-V ( GaAs,…)
On les utilise EC

- Diodes électroluminescentes
- Laser à SC.
n  n0  n, p  p0  p,
EV

avec n  p x
génération recombinaison
R   np  U  R  R0   (np  n0 p0 ) radiative radiative

U   ((n0  n)( p0  p )  n0 p0 )
p 1
U  p (n0  p0  p )  R 
R  (n0  p0  p)
-78-
 Recombinaison par transition directe

1
 R  En cas de faible injection
  ( n0  p0 )
 1
 R  SC intrinsèque:
1  2 ni
R  
 (n0  p0  p )  1
R  SC type n:
  ND

  1 SC type p:
 R N
A

Durée de vie excessive des électrons porteurs minoritaires

-79-
 Recombinaison Auger
La recombinaison Auger domine au dopage fort ou injection très
forte
L’électron e1 passe de la BC
vers la BV et disparaît.
L’électron e2 gagne Ef-Ei =Eg.
e1 e1
Eg BC
e2
e2’

BV e2
e1
e2
Ee1
Egap
Plus probable dans les Plus probable dans les
SC type n fortement SC type p fortement
dopés distance entre dopés distance entre
h k électrons très petite trous très petite

-80-
 Recombinaison Auger EC

R   n 2 p   np 2 ; R0   n02 p0   n0 p02
U  R  R0 EV
Pour un semiconducteur type n:

U    n 2 ( p0  p)  n 2 p0     n( p0  p ) 2  np02 
U   n 2 p   np 2
p
U  p ( n   np ) 
2

A
1 1
  n 2   np    N D2 Pour un SC type n
A A
Pour un semiconducteur type p:
1 1
  p   np 
2
  N A2
A A
-81-
 Recombinaison par pièges
 Les recombinaison par pièges sont liés aux défauts du cristal.
 Ce sont les impuretés qui entraînent l’existence de centres de
recombinaison..
 Il existe tjrs des impuretés chimiques dans le cristal réel, constituées
d’atomes autres que ceux du SC considéré (Exp: S, Au, Cu, Ag, Fe, ..)
 Ces impuretés induisent des niveaux d’énergie supplémentaires situés
dans la bande interdite du SC et qui sont appelés centres de
recombinaison
 Ces niveaux peuvent se comporter comme des centres accepteurs ou
donneur d’électrons.
 Ces niveaux mettent en jeu des énergie plus faibles que celles
correspondant à une transition bande-à-bande.
 Les recombinaisons SRH (Shockley, Read, Hall) sont décrites par
quatre processus: capture d’un électron, émission d’un électron,
capture d’un trou, émission d’un trou.

-82-
 Recombinaison par pièges
Niveaux d’énergie d’impuretés chimiques dans la Bande
interdite du Silicium
Représentation
Schématique de la
recombinaison par piège

EC

ET

EV

Signe - indique accepteurs

Signe + indique donneurs

-83-
 Recombinaison par pièges (SHR)
E
Centre de
recombinaison
EC (trap)

ET

EV

x
capture émission capture émission
électron électron trou trou

SHR = Shockley-Hall-Read

-84-
 Recombinaison par pièges (SHR)
Quelque définitions f t ( Et ) 
1
 E  EF 
Probabilité d’occupation d’un niveau piège: 1  exp  t
 kT 
rn: taux de capture d’un électron  Taux de recombinaison
rp: taux de capture de trous
gn: taux de génération d’électrons: émission
gp: taux d’émission de trou
en: probabilité d’émission d’électron
ep: probabilité d’émission de trou
Cn: Probabilité de capture  Cn  vth   n
σn: section de capture: surface à l’intérieur de laquelle les porteurs
.
sont capturés
Nt: densité volumique des pièges  Ntft = nombre des électrons piégés
(1-ft): probabilité d’avoir des pièges vides

-85-
 Recombinaison par pièges (SHR)

Capture

Et Et Et Et

Avant Après Avant Après

Capture d’électron Capture de trou

rn  vn n  n  N t  (1  f t ) rp  v p p  p  N t  f t
 Cn  n  N t  (1  ft )  C p  p  Nt  ft
 n  10 cm15 2
 p  1015 cm 2
-86-
 Recombinaison par pièges (SHR)
Emission

Et Et Et Et

Avant Après Avant Après

Emission d’électron Emission de trou

g n  en  Nt  ft g p  ep  Nt (1  ft )

-87-
 Recombinaison par pièges (SHR)
Taux net de recombinaison à l’équilibre thermodynamique
rn  g n
Et = Et Cn N t (1  ft )n  en N t ft

en  Cn n 1  ft  / ft
 E  EF   Et  EF 
n  N c exp  
 kT   t t
1  f / f  exp  kT 

 Et  EF   E  EF 
en  Cn exp   N c exp  
 kT   kT   Ei  Et 
en  Cn ni exp  
 kT 

Si Et≈ Ei  émission =capture  cas très dangereux

Si Et>>Ei  émission prédominante  pièges vides
-88-
 Recombinaison par pièges (SHR)
Taux net d’émission à l’équilibre thermodynamique

rp  g p
Et = Et
C p Nt ft p  e p Nt (1  ft )
ft
ep  C p p
1  ft
 E  EV   E  EF 
p  N v exp   F f t / 1  ft   exp   t
 kT   kT 

 Et  EF   EF  EV 
e p  C p exp    N v exp  
 kT   kT 
 Et  Ei 
e p  C p ni exp  
 kT 
Si Et<<Ei  Et≈EV émission des trous et prédominante  pièges remplis

-89-
 Recombinaison par pièges (SHR)
Hors d’équilibre thermodynamique

Un= Taux net de recombinaison

Et = Et des électrons

U n  rn  g n  Cn Nt [1  ft ]n  en Nt ft

Un= Taux net de recombinaison

Et = Et des trous

U p  rp  g p  C p Nt ft p  en Nt (1  ft )
-90-