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La Diode À Jonction PN
La Diode À Jonction PN
1. INTRODUCTION
Une jonction représente la transition entre deux corps semi-conducteurs ou conducteurs de nature
différente. Elle est caractérisée par le phénomène de diffusion des porteurs de charge. Dans le
domaine de l'électronique, on rencontre :
- les jonctions PN, mise en contact de semi-conducteurs dopés en impuretés de type P et de type N
avec une concentration voisine,
- les jonctions P+ N ou N+ P où une zone est beaucoup plus dopée que l'autre,
-les jonctions P+ P ou N+ N représentant des transitions de densité de dopage,
- les jonctions métal-semi-conducteur dopé utilisées dans certains composants comme les diodes
Schottky.
Remarques
Si on munit le cristal de silicium de deux électrodes, il devient une diode à jonction PN. Les
électrodes s'appellent anode (A) ou émetteur (E) et cathode (K) ou base (B).
Quand la tension VD appliquée entre l'anode et la cathode est positive, la diode est polarisée en
direct. Cette tension directe ne doit pas dépasser la valeur du potentiel de contact Ut, sinon la
diode peut être endommagée.
On néglige dans un premier temps les résistances des régions neutres de l'anode et de la cathode.
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2.1. Jonction non polarisée
La jonction PN est une région de faible épaisseur d'un monocristal dans laquelle la conductivité
passe plus ou moins graduellement de la zone P (dont la concentration en porteurs mobiles est p =
NA) vers la zone N (dont la concentration est n = ND), en passant par une zone de recombinaison où
n = p = ni (concentration du semi-conducteur intrinsèque). La figure suivante représente
qualitativement la mise en contact de deux matériaux semi-conducteurs dopés respectivement en P
et en N.
Deux remarques s'imposent:
- Au niveau de la jonction des deux matériaux P et N, il y a recombinaison des trous et des électrons
libres par diffusion, laissant une zone dépourvue de charges mobiles (appelée aussi zone de
transition, zone intrinsèque, zone de charge d’espace ou zone de déplétion) dans laquelle subsistent
des ions fixes positifs et négatifs. Il y a alors présence d'un champ électrique moyen E i .
- En dehors de cette zone neutre, nous trouvons des charges libres majoritaires et minoritaires
(infiniment plus de majoritaires que de minoritaires à la température ambiante) telles que :
* dans la zone P, les trous positifs libres sont majoritaires alors que les électrons sont minoritaires,
* dans la zone N, c'est l'inverse : les électrons sont majoritaires alors que les trous positifs mobiles
sont minoritaires.
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La présence du champ électrique Ei traduit :
E imoy représente le champ électrique moyen et xt la largeur de la zone de transition. Cette largeur
est d'autant plus faible que le dopage est important. (Présence d'ions fixes de plus en plus nombreux
repoussant fortement les charges mobiles.)
Remarques
- Le diagramme des charges fixes de la zone de transition, représenté approximativement ici, en
réalité dépend de la répartition du dopage, ce qui permet de définir des jonctions abruptes ou
progressives (dopage par diffusion, par implantation ionique, par épitaxie, par alliage, etc.).
- La différence de potentiel appelée aussi barrière de potentiel Ut, se situe autour de 0,7 V pour le
silicium et autour de 0,3 V pour le germanium.
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- le courant de diffusion ID dû à quelques charges mobiles majoritaires qui, par agitation thermique,
traversent la jonction malgré l'effet de répulsion du champ électrique Ei
- le courant de conduction naturelle appelé courant de saturation IS dû aux charges minoritaires
s'approchant de la jonction, et qui sont naturellement attirées par le champ électrique Ei
indépendamment de la valeur de celui-ci.
La relation ID = IS est obtenue par l'établissement de la barrière de potentiel Ut permettant cet
équilibre. C'est pourquoi il est impossible d'effectuer une mesure de Ut, dont la nature est
électrostatique et non électromotrice.
La figure suivante représente le-diagramme d'énergie des semi-conducteurs dopés P et N et le
diagramme d'énergie de la jonction au repos.
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* Zones P et N indépendantes.
Les diagrammes d'énergie des zones P et N sont situés par rapport à l'énergie de l'électron dans le
vide. On appelle X l'affinité électronique. Elle correspond à l'énergie nécessaire pour qu'un électron
de la partie inférieure de la bande de conduction puisse sortir du semi-conducteur. Pour le silicium :
X = 4,05 eV quel que soit le dopage. Ainsi le niveau de Fermi du semi-conducteur de type P (EFP)
est plus bas que le niveau de Fermi du semi-conducteur de type N (EFN).
Lorsqu'une jonction est polarisée en direct par une tension U, le champ électrique extérieur attire les
électrons de la zone N vers la zone P et les trous positifs de la zone P vers la zone N. Il s'ensuit une
diminution de la zone de transition et une augmentation du courant de diffusion ID à cause du
moindre besoin d'énergie pour vaincre le nouveau champ Ei alors que IS reste constant:
ID >> IS et I =ID - IS ID
Le diagramme d'énergie de la jonction polarisée en direct est représenté sur la figure suivante.
Il y a abaissement du diagramme d'énergie de la zone P d'une valeur qU.
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En fait, le processus réel de conduction s'effectue de la manière suivante:
Les électrons provenant de la source (borne -) s'ajoutent à ceux de la zone N. Une partie de ceux-ci
traverse la barrière de potentiel (fortement abaissée), certains se recombinent aux trous proches de
la jonction, les autres se déplacent de trou en trou pour revenir vers la source (borne +).
En parallèle, les trous positifs issus des accepteurs se déplacent de la zone P vers la zone N où il y a
recombinaison totale avec les électrons libres restés dans cette zone (n'ayant pas franchi la barrière
de potentiel).
Il existe donc deux types de courant dans la jonction :
- le courant de diffusion : ID = IDN + IDP
- le courant de recombinaison IR (qui l'emporte devant le courant de diffusion pour des tensions de
source inférieures à 0,4 V pour le silicium).
Les expressions de ces courants seront déterminées plus tard.
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2.4. Jonction polarisée en inverse
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3. ÉTUDE QUANTITATIVE DE LA JONCTION PN
Une jonction peul être abrupte (passage instantané d'une zone N à une zone P avec densité
d'impureté constante) ou progressive (passage de la zone N à la zone P avec une densité progressive
linéaire ou non linéaire).
Pour rester simple, on considérera uniquement la jonction abrupte.
Les figures suivantes représentent respectivement une jonction PN à densité de dopage symétrique
NA = ND et une jonction PN+ à densité de dopage dissymétrique NA < ND.
Dans la zone neutre, le nombre d'ions positifs est égal au nombre d'ions négatifs d'après le
théorème de neutralité.
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Donc, la zone neutre s'étend plus du côté le moins dopé, suivant la relation
NA xp = ND xn avec xp + xn = xt
La différence de potentiel de jonction U, est définie par l'intégrale
+x n
Ut = + E ( x )dx = E imoy .x t
−xp
Les valeurs typiques de V0 pour les jonctions PN au silicium se situent entre 0,5 et 0,7 V, et pour les
jonctions PN au germanium, entre 0,2 et 0,3 V.
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Il est aussi intéressant de connaître la valeur du champ électrique E(x) dans la zone neutre à partir
des relations
qN D
E( x ) = + (x − x n ) pour la zone N
ε
E( x ) = −
qN A
ε
(
x + xp ) pour la zone P
qN D qN A
et E max = E(0) = xn = − xp pour x = 0
ε ε
avec ε = ε 0 ε r
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ε0 = .10 − 9 F/m = 8,85.10-12 F/m, permittivité du vide
36π
ε r = 12 pour le silicium, constante diélectrique du matériau semi-conducteur
Comme la répartition du champ électrique (pour une jonction abrupte) est de forme triangulaire, la
différence de potentiel de jonction représente la surface du triangle
Ut =
1
2
(
E max x n + x p )
Des deux dernières relations, on en déduit les profondeurs de recombinaison xn et xp.
Toutefois, ces paramètres peuvent être définis par les relations
2ε U t NA 2εU t ND
xn = et xp =
q N D (N A + N D ) q N A (N A + N D )
2εU t 1 1
xt = xp + xn = +
q NA ND
Remarque : La mise en contact de deux zones N et P permet l'alignement des niveaux de Fermi.
Le décalage des bandes d'énergie correspond à la barrière d'énergie Et = q Ut = EFn - EFp
En remplaçant EFn et EFp par leurs expressions on obtient :
NDNA
E t = qU t = ∆E + kT ln
NCNV
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− ∆E NC NV
Comme n i2 = N C N V exp =
kT ∆E
exp
kT
NC NV
et ∆E = kT ln
n i2
NCNV NDNA
on obtient E t = qU t = kT ln + kT ln
n i2 NCNV
E t kT N A N D
ce qui donne U t = = ln
q q n2 i
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et Lp = Dp τp τP, durée de vie des trous
Le courant IS est appelé courant inverse, parce que quand la diode est polarisée en inverse (V D <
0), I D ≈ - IS. Ce courant est composé des électrons et des trous de thermogénération qui traversent la
jonction sous l'influence du champ électrique. On l'appelle aussi courant de saturation, parce que
sa valeur ne dépend pas de la tension. Enfin, on l'appelle aussi courant thermique, parce que son
origine est thermique et il dépend fortement de la température T :
W
I S = AS exp −
KT
Ici A est une constante qui est inversement proportionnelle aux concentrations NA et N D . Le
courant de saturation IS est donc plus petit quand l'anode et la cathode sont plus dopées, quand
l'aire S de la jonction est plus petite et quand la largeur de la zone interdite ∆W du semi-conducteur
est plus grande.
Comme la construction interne d'une diode est habituellement inconnue par l'utilisateur, la formule
précédente n'est pas très pratique. Pour des calculs pratiques, elle est remplacée par l'expression
empirique :
I S = I S 0 exp(a (T − T0 ))
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VD
Sous forme graphique l’équation I D = I S exp −1 représente la caractéristique de la
VT
diode.
En polarisation directe (V D > 0), la caractéristique est exponentielle et prend une allure presque
linéaire pour les valeurs de VD proches de
V0. Pour des calculs pratiques, on obtient
la valeur approximative de V0 en
prolongeant la partie linéaire de la
caractéristique directe jusqu'à
l'intersection avec l'abscisse. En effet,
cette valeur est approchée par défaut,
parce que V D ne doit pas excéder V0,
mais la méthode permet d'éviter
l'ambiguïté.
On trouve :
- dans la zone P : les électrons minoritaires n0 (paires électron-trou) et les électrons de diffusion,
non recombinés n(x) issus de la zone N. NA représente la concentration en ‘trous’ libres, au repos,
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issus des atomes accepteurs. Cette concentration diminue à cause de la diffusion des trous vers la
zone N [p(x)] associée au courant ID.
- dans la zone N : les trous minoritaires p0 et les trous de diffusion non recombinés p(x) issus de la
zone P. ND représente la concentration en électrons au repos, issus des atomes donneurs. Cette
concentration diminue à cause de la diffusion des électrons vers la zone P [n(x)] associée au courant
I D.
L'ensemble des charges non recombinées (aires hachurées) représente les charges stockées
QSN et QSP.
Elles sont d'autant plus importantes que le courant ID (IDP et IDN) et la durée de vie τ (τp et τn) sont
importants.
Pour une jonction P+N, nous avons la relation
L2pn
Q S = I D τ pn = ID
D pn
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La partie extérieure de séparation des zones P et N d'une jonction est isolée électriquement par un
dépôt d'oxyde ou de matériau diélectrique (passivation). La présence de charges électriques dans cet
isolant modifie superficiellement la largeur de la barrière de potentiel, augmentant ainsi le courant
de génération thermique dans cette zone neutre. La valeur du courant de fuite est déterminée, le plus
souvent, expérimentalement. Cette valeur peut être, dans certains cas, plus importante que la somme
des deux autres courants ID et IGT à température ambiante.
Remarque :
En fonction de la température, tous ces courants évoluent.
Cependant, jusqu'à 300 K, IGT > IS. Alors le courant double environ tous les 10 °C (pour le silicium)
2εU t 1 1
xt = + pour U = 0
q NA ND
2ε ( U t − U ) 1 1
xt = + pour U < 0
q NA ND
2ε
xt = (− U ) pour U < 0
qN D
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création de paires électron-trou et multiplication des porteurs de charge. L'expression de la tension
d'avalanche VBR (BR = break down), pour une jonction abrupte où NA >> ND s'écrit :
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εE cr
VBR = Ecr = champ critique
2qN D
équation déduite de la précédente E(0) fonction de U.
Voici quelques valeurs :
- pour une concentration en impuretés de 1016 cm-3,
VBR = 25 V pour le germanium
VBR = 60 V pour le silicium
- pour une concentration en impuretés de 1015 cm 3,
VBR = 120 V pour le germanium
VBR = 300 V pour le silicium
Remarques :
- La tension d'avalanche augmente lorsque le dopage diminue. C'est ce qui caractérise la tenue en
tension des composants bipolaires.
- Au début de l'ionisation par impact, quelques électrons accélérés créent une paire électron-trou. Ce
processus s'accentue lorsque la tension U augmente (en inverse). Le courant inverse est alors
multiplié par un facteur M
1
M=
n
U
1−
VBR
- L'avalanche est un phénomène réversible à condition que la jonction ne soit pas détruite par
échauffement, sinon il y a claquage.
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4. Phénomènes de second ordre
L’équation précédente ne tient pas compte des courants de recombinaison et de thermo génération
dans la jonction, des résistances des régions neutres et du courant de fuite à la surface du cristal.
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inférieure à celle du germanium et l'anode et la cathode des diodes au silicium sont moins dopées.
Par conséquent, la largeur de leur jonction est plus grande et le courant de thermo génération dans la
jonction ne peut pas être négligé.
La largeur de la jonction s'accroît avec la tension inverse sur la diode. Cela signifie que le courant
de thermo génération dans la jonction et le courant inverse IS dont il fait partie s'accroissent aussi et
la partie inverse de la caractéristique de la diode n'est pas tout à fait horizontale.
L'influence du courant de thermo génération dans la jonction sur la partie directe de la
caractéristique de la diode est négligeable.
La structure de la surface du cristal n'est jamais aussi régulière qu'à son intérieur. Quand la grille
cristalline n'est pas parfaite, la résistivité du semi-conducteur diminue. L'humidité et les autres
impuretés déposées à la surface durant la production agissent dans le même sens. Un courant de
surface presque constant s'ajoute au courant de volume et accroît sensiblement le courant inverse IS
de la diode. Son influence sur le courant direct est négligeable. Si, pendant le contrôle de la
production, on mesure une valeur de IS trop élevée, cela signifie que le courant de fuite est trop
grand, la technologie n'est pas correcte et la diode est défectueuse.
Ces deux résistances sont en série avec la jonction, ce qui fait que la tension sur la jonction est
inférieure à la tension V D appliquée aux bornes de la diode. Si l'on désigne par r B la somme de ces
VD − rB I D
résistances, la tension sur la jonction sera égale à V D - r B l D , d'où : I D = I S exp −1
VT
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pas influencée, parce qu'en polarisation inverse la résistance de la jonction est très grande par
rapport à r B .
Les valeurs typiques de r B se trouvent entre quelques ohms et quelques centaines d'ohms. On
appelle r B résistance de volume ou résistance de base, parce que la cathode (la base) de la
diode est normalement beaucoup moins dopée que l'anode et la résistance de l'anode peut être
négligée.
A cause des phénomènes de second ordre, dans les calculs pratiques, on utilise souvent la formule
VD
empirique suivante pour caractériser la diode à jonction PN : I D = I S exp −1
mVT
Le coefficient d’ajustement empirique m prend une valeur entre 1 et 2 selon la diode. Il tient compte
de rB et IR, tandis que le courant de thermo génération (ou plutôt sa valeur moyenne) et le courant de
fuite sont inclus dans IS.
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