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Cours 4
Cours 4
VGS
VDS
D
ID
substrat (Si)
canal
ID , VDS constant, est command par la tension de grille source (VGS) effet du champ lectrique
Pour avoir un fonctionnement en amplificateur, la jonction GS est polarise en inverse (VGS < 0, TEC
canal N) et le drain est polaris positivement par rapport la source VDS > 0.
Dans ces conditions les deux jonctions P+N. sont polarises en inverse et il se cr une zone de charge
d'espace s'tendant essentiellement du ct N (du fait de la diffrence des dopages) dpourvue de porteurs
mobiles.
La largeur de cette zone est commande par la tension inverse applique la jonction l'abscisse x. On
peut ainsi rgler l'paisseur du canal et pour une densit de courant donne on rgle l'intensit du courant
IDS circulant dans ce canal.
GS
ID
Rgime
linaire
Mode actif
VGS = cst
~rsistance
module par
VGS
~ source de
courant
commande par
VGS
VDS
limite de zones
D
G
JFET canal P
D
G
JFET canal N
ID (mA)
VDS VDS sat
16 I DSS
VGS=0
12
8
transistor
bloqu
VGS(V)
VGS=-1V
4
-2 -1.5 -1 -0.5
VGSoff
Rgime de saturation
Rgime linaire
2V
V
I D I DSS 1 GS
VGS off
VDS (V)
I DSS
VGS off 2
ID
transistor
bloqu
VGS(V)
Vs
VDS (V)
I D k VGS Vs 2
Rgime de saturation
Rgime linaire
V
Pour VDS VDS sat : I D 2k VGS Vs DS VDS
2
Rgime linaire :
ID
Q
VDS
G
RDS
S
V
k VGS VP DS
2
avec k = constante
dpendant du composant
10
Rgime de saturation :
ID
VGS
I D k VGS VS 2
VDS
ID est command par VGS
id g m v gs avec g m I D
=transconductance
VGS V
DS
ID (mA)
16
12
G
v gs
g m v gs
vds
4
VGS(V)
-2 -1.5 -1 -0.5
VGSoff
11
JFET
V
g m g mo 1 GS
VGS off
, avec g 2 I DSS
= pente pour VGS=0
mo
V
GS off
MOSFET enrichissement
g m 2k VGS Vs
12
+VDD
RD
ID
IG 0 G
ID
D
S
ID
RG
ID
1
VGS
RS
VGS
VP
VGSQ
Dipersion de fabrication
VGS
I D I DSS 1
VGS off
V
I D GS
RS
V
VDS
I D DD
RD RS
VGS
Q
Q
RS
ID
VDS
VDSQ
ID , VGS , VDS .
13
+VDD
V
VDS
I D DD
RD
RD
RG
ID
ID
D
I G 0 VGS VDS
Q
VGS
S
VGS(V)
VDS (V)
VDD
I G 0 VGS VDS
14
VGS 0
I D I DSS
V
I D I DSS 1 GS
VGS off I D
V
I D GS
R
15
+VDD
charge
I
T2
T1
T1 I = IDSS (T1 )
VGS (T2) est telle que ID(T2) = IDSS(T1)
VDS(T1) =VGS(T2)
influence de le charge sur VDS(T1) attnue
16
VCC
RD
C
D
S
C
vg
JFET
RG
RS
vs
C
vg
vgs
RG
Ze
Z e RG
Impdance de sortie :
Z S RD
gmvgs
RD vs
Zs
Av g m RD
(RG peut tre prise trs grande, de lordre du Mou plus)
JFET
RD
vg
D
S
RG
vg
vs
RG
vgs
gmvgs
RD
vs
rS
rS
RS
Gain en tension : v g v gs rs g m v gs
et vs g m v gs RD
v
g R
RD
do : Av s m D
1
vg
1 rs g m
rs
gm
Linfluence de gm sur le gain est rduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible.
rs introduit une contre-raction:
v gs v g rs vs
18
ve
VCC
vg
vg
D
S
RG
RS
RG
G JFET D
vGS
gmvGS
S
RS
vs
Ze
vs
Zs
Av
g m RS
RS
1
1 g m RS g m 1 RS
Impdance dentre :
Z e RG
Impdance de sortie :
vsc.o.
Zs
isc.c
Rs
Rs g m 1
Rs // g m 1
g m Rs 1 Rs g m 1
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Rsistance commande
Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP :
RDS
k VGS VP DS
2
ex:
R
ventre
vsortie
vsortie
RDS
ventre
RDS R
Imperfection:
RDS dpend de VDS rponse non-linaire
20
Amlioration possible:
RDS
k VGS VP DS
2
R
vsortie
ventre
R1
Vcom
R1
VGS
RDS
VDS Vcom
2
2
I G 0
k Vcom VP
21
15V
5k
75k
signal
dentre
signal de sortie
1F
50k
5.6k
100k
1F
R
5k
Av c
rE
RDS Vcom // 5,6k
Av
5k
Vcom V p
RDS Vcom
Vcom
100k
Interrupteur FET
Exemple dapplication:
(Convertisseur N-A
cf Morgan)
23
VGS=0
SiO2
Source
il ny a pas de canal
Grille
Symbole
Drain
DRAIN
N+
N+
GRILLE
substrat
SOURCE
substrat
film mtallique
Canal N
24
enrichissement
+
Source
Grille
Drain
N
N+
N+
substrat
Canal N
25
enrichissement
+
Source
N+
Grille
Drain
N+
substrat
Canal N
26
SiO2
Source
N+
Grille
substrat
film mtallique
Canal N
Drain
N+
28
29