Decoupage

Jean-Yves LE CHENADEC Lyce Louis ARMAND 173 Bd de Strasbourg 94736 NOGENT sur Marne
jy.lechenadec@libertysurf.fr : 01 45 14 28 28 : 01 48 73 63 15
ALIMENTATION A DECOUPAGE
Etude, choix et dimensionnement des alimentations dcoupage usuelles.
Objectif Connatre les principes de fonctionnement des alimentations dcoupage Etre capable de raliser le dimensionnement des principaux lments dune alimentation dcoupage. Etre capable de raliser lanalyse fonctionnelle dune alimentation dcoupage.
Pr-requis

Principales lois de llectromagntisme Equation diffrentielle du 1er ordre
Sommaire
1 Introduction 2 Principe de fonctionnement des alimentations dcoupage.
2.1 Alimentation dcoupage stockage inductif (FLYBACK) 2.1.1 Principe 2.1.2 Etude des formes donde : 2.1.3 Avantages: 2.1.4 Inconvnients: 2.2 Alimentation dcoupage conduction directe (FORWARD) 2.2.1 Etude des formes donde : 2.2.2 Avantages / Inconvnients: 2.3 Alimentation dcoupage symtrique, montage PUSH PULL. 3 Les composants passifs dans les alimentations dcoupage. 3.1 Les condensateurs. 3.1.1 Le phnomne
3.1.1.1 Modle quivalent
3.1.2 Les principales technologies

3.1.2.1 Dilectriques plastiques. 3.1.2.2 Condensateurs dilectrique chimique. 3.1.3 Les condensateurs dans les alimentations dcoupage.
3.2 Les matriaux magntiques 3.2.1 Les matriaux 3.2.2 Grandeurs caractristiques des matriaux magntiques
3.2.2.1 La caractristique magntique 3.2.2.2 Les pertes magntiques
3.2.3 Les matriaux magntiques dans les alimentations dcoupage 3.2.4 Principe de calcul des inductances et des transformateurs. 4 Exercice autocorrectif 4.1 Dimensionnement dune structure de type FORWARD 4.2 Analyse fonctionnelle et structurelle dune alimentation FLYBACK industrielle. 5 Correction exercices autocorrectifs. 5.1 Dimensionnement dune structure de type FORWARD 5.2 Analyse fonctionnelle et structurelle dune alimentation FLYBACK industrielle.
1 Introduction
Les structures dalimentation dcoupage telles que nous les rencontrons actuellement sont en fait directement drives de la structure des alimentations stabilises, o lon aurait chercher minimiser les deux inconvnients principaux des alimentations dites linaires : - la taille et le poids du transformateur - le mauvais rendement d la puissance dissipe dans le rgulateur. Sur un plan fonctionnel, le rgulateur est un convertisseur continu continu (une source de tension valeur moyenne non nulle en entre, une source de tension valeur moyenne non nulle en sortie), asservi en tension. La puissance dissipe par le rgulateur est due au caractre linaire du fonctionnement du composant, a savoir quil prsente simultanment une tension non nulle ses bornes, et un courant non nul le traversant. Il est possible dobtenir la mme fonction en utilisant un hacheur (srie par exemple) associ un filtre, le tout asservi en tension. Dans ce cas, le transistor de puissance utilis pour moduler la tension en sortie du montage fonctionne en rgime de commutation, et prsente des pertes de fonctionnement beaucoup plus faibles (le composant est soit bloqu, et le courant qui le traverse est nul, soit passant et la tension ses bornes est proche de zro)
Hac he u r R g ul ate u r Fil tre Me sur e te nsi o n
R gul a ti on
Lutilisation dune association hacheur + filtre + rgulation permet donc damliorer considrablement le rendement de notre alimentation, mais permet galement, indirectement, de rduire le volume et la taille du transformateur. En effet, la meilleure faon de rduire la taille dun circuit magntique, notamment pour un transformateur, est daugmenter sa frquence de fonctionnement. Si lon tudie la formule dite de Bouchereau qui relie la valeur efficace de la tension aux bornes dun enroulement la frquence, la surface du circuit magntique et linduction crte en rgime sinusodal : U = 4,44.B.n.S.f , il apparat que pour diminuer la surface du circuit magntique (et donc son poids et son volume) induction constante, sans modifier le nombre de spires (ce qui augmenterait le volume du transformateur), il suffit daugmenter la frquence. Dans une alimentation stabilise classique, le transformateur est plac directement sur le rseau, et fonctionne donc 50 Hz. Dans une alimentation dcoupage, il est possible de placer le transformateur entre le hacheur et le filtre. De cette faon, il est aliment par une source de tension alternative (la tension de sortie du hacheur), mais fonctionne la frquence du hacheur, gnralement de lordre de quelques dizaines quelques centaines de kilo-hertz. La structure d'une alimentation dcoupage base sur lutilisation dun hacheur srie peut alors tre reprsente sous la forme suivante :
T
R
Nous allons rencontrer, et donc tudier, trois grandes familles dalimentations dcoupage, bases sur trois types de hacheurs : les alimentation FLYBACK (bas sur le hacheur stockage inductif) les alimentation FORWARD (bas sur le hacheur srie un quadrant) les alimentation PUSH PULL (bas sur le principe du hacheur en pont)
2 Principe de fonctionnement des alimentations dcoupage.

2.1 Alimentation dcoupage stockage inductif (FLYBACK)
2.1.1 Principe
Lalimentation de type Flyback est base sur le principe du hacheur stockage inductif : L'interrupteur Tp est ferm pendant la fraction T de la priode de dcoupage T. La source primaire fournit alors de l'nergie l'inductance L (croissance du courant), la diode D est bloque (Vd<0). Le courant dans la charge est fourni par la dcharge du condensateur C. Lors du blocage de Tp, la diode D assure la continuit du courant dans l'inductance L. On a alors dcharge de L dans R et C. V50 Si la valeur du condensateur est bien calcule (suffisante), on peut considrer la dcharge de C entre T et T comme ngligeable, et donc assimiler la tension de sortie une constante. La dcroissance du courant de T et T peut alors tre considre 220 comme linaire, et lon obtient les chronogrammes ci-contre : se au
vl
vd i1 i2
Pour transformer un tel hacheur en alimentation dcoupage, il est ncessaire dinsrer une isolation galvanique entre linterrupteur et le filtre de sortie. Nous allons remplacer linductance par deux inductances couples, bobines sur le mme noyau. On obtient alors le schma ci-contre. La magntisation de linductance est ralise par lenroulement 1, alors que la dmagntisation est ralise par lenroulement 2.
D v1 N1 ve N2 v2 C R vs
vt
2.1.2
Etude des formes donde :
On supposera que la constante de temps RC du filtre de sortie est trs grande devant la priode de fonctionnement T de lalimentation, nous assimilerons donc tension de sortie une constante. Etude t 0,T (Interrupteur ferm) n2 Ve (Attention la n1 d d , v 2 = n 2 . positon des bornes homologues sur linductance coupl, v1 = + n 1. dt dt La tension vs est ncessairement positive, or vd = v2 Vs < 0 , donc D est bloque. On stocke alors de l'nergie dans le circuit primaire de l'inductance couple. Alors, si lon note la rluctance du circuit magntique, Linterrupteur est passant, do v t = 0 v1 = Ve v 2 = Etude t = T La continuit du flux dans le circuit magntique entrane la continuit des ampres tours au niveau de linductance couple. Le courant magntisant conscutif la prsence du flux dans linductance ne pouvant plus passer par lenroulement 1 (interrupteur bloqu), il est forc dans lenroulement 2, entranant la mise en conduction de la diode. V .T A t = T , i 1 = I1max = e + I1min , do n1.i 1max = max L1 A t = T + , i 2 = I 2 max , do n 2 .i 2 max = max On en dduit qu linstant t = T + , n 2 .i 2 = n1 .i1max Etude t T, T La diode D est passante, la relation dHopkinson nous donne alors : n 2 di di n1.i1 + n 2 .i 2 = n 2 .i 2 = , do v s = 2 . 2 = L 2 . 2 , o L2 reprsente linductance de dt dt lenroulement 2. On en dduit alors : L2 l'interrupteur: vt = ve + vs
n1 n2 di 2 v .t = vs i 2 = s + I 2 max dt L2
Il est alors possible par une simple loi des mailles de dduire la tension aux bornes de
Les formes dondes sont alors les suivantes :
v1 ve
T
n1 Vs n2 i1 i2
deux enroulements ne sont pas parcourus par du courant en mme temps. Linductance couple stocke de l'nergie tant que l'interrupteur est ferm, puis restitue cette nergie par le secondaire quand l'interrupteur est ouvert. Cette caractristique ncessite un circuit magntique avec entrefer, le courant principal tant le courant magntisant.
F Les
F Le calcul de valeur de la tension de sortie
en fonction de n1, n2, et Ve est immdiat, si lon tient compte du fait que la tension moyenne T aux bornes dune inductance, en rgime permanent, est nulle. On peut alors crire : n1 n1 Vs n 2 . T T T 0 v 1 (t ).dt = 0 Ve .dt + T Vs . n .dt = Ve ..T Vs . n .(1 ).T = 0 d'o V = n .(1 ) 2 2 e 1
2.1.3
Avantages:
Peu de composants. Un seul composant bobin Architecture conomique pour les faibles puissances (<150W) Lnergie tant stocke dans linductance couple et dans le condensateur de sortie, ceux-ci deviennent encombrants pour des puissances suprieures 200 W, et lalimentation Flyback devient alors moins intressante. Risque de surtension lors du fonctionnement vide : lnergie stocke durant la phase de magntisation est alors transmise au condensateur durant la phase de dmagntisation. Cette nergie est alors stocke par le condensateur qui voit sa tension monter, et il y a alors risque de destruction.
2.1.4
Inconvnients:
-
2.2 Alimentation dcoupage conduction directe (FORWARD)

Il sagit de lalimentation dont le principe est le plus proche de celui dcrit dans lintroduction, car bas sur le principe du hacheur srie. Le schma de base de cette alimentation est alors le suivant :
vd i1 i2 D v3 N1 ve vt Dm i3 v1 N1 L N2 v2 C Drl vd C R vs L il is
Le transformateur est plac en srie avec linterrupteur statique du hacheur, la diode de roue libre tant place au secondaire du transformateur. Un troisime enroulement (tension V3) est plac sur le noyau du transformateur. Il permet la dmagntisation du transformateur aprs la phase de conduction de linterrupteur T. La diode D permet de forcer la dmagntisation par le troisime enroulement. Le fonctionnement peut tre divis en deux phases : De 0 T, linterrupteur est passant, le primaire est soumis la tension E. Il sen suit la magntisation du transformateur, et un transfert dnergie de la source vers le filtre et la charge, via le transformateur et la diode D. De T T, linterrupteur est bloqu. Il apparat une phase de roue libre au niveau du secondaire (continuit du courant dans linductance via la diode de roue libre), et une phase de dmagntisation du transformateur par continuit du courant magntisant travers le troisime enroulement. Il est ncessaire dattendre la fin de la dmagntisation du transformateur avant dentrer nouveau dans une phase de magntisation et de transfert dnergie.
2.2.1
Etude des formes donde :
Hypothse: On supposera que le filtrage est suffisamment efficace pour que la tension de sortie Vs soit constante. Le courant Is sera alors lui aussi constant. Etude t 0,T (Interrupteur ferm) Dtermination de la valeur de v1 et v2 : Linterrupteur est passant do vt = 0 v1 = Ve v2 = Dtermination du courant Il La diode D est passante et la diode Drl bloque. (VDRL= - v2, Drl est ncessairement bloqu...) On peut crire, pour l'inductance L: L
n2 Ve n1
dil ( v Vs). t + I , il y = v2 Vs il = 2 l min dt L
a croissance linaire du courant dans linductance sous la tension v 2 Vs Dtermination de i1 : La relation d'Hopkinson permet d'crire: n1.i1 n 2 .i 2 + n 3i 3 = . (le courant i 2 est sortant). La maille Ve,VDM , V3 nous donne Vdm= -Ve-V3 = -Ve-V1= -2Ve<0 donc la diode Dm est bloqu. On obtient alors n1.i1 n 2 .i 2 = . , do n n i1 = . + 2 .i 2 = i10 + 2 .i 2 . Le courant i1 se dcompose donc en un courant n1 n1 n1 n magntisant i10 , et un courant li lappel de courant au secondaire 2 .i 2 . n1 d Ve remarque: i10 = .( t ) or v1 = + n 1. do (t ) = t (circuit initialement n1 dt n1 dmagntis, constante dintgration nulle). On trouve alors lexpression de i1 complte : i1 = .Ve .t
2 n1
n 2 (v 2 Vs ).t + I l min n1 L
Etude t [T, T] (Interrupteur ouvert) Etude de la dmagntisation : La continuit du flux dans le circuit magntique entrane la continuit des ampres tours magntisants. L'interrupteur tant bloqu, la topologie du circuit impose une continuit du courant magntisant travers Dm, permettant ainsi la rcupration de lnergie stocke dans le circuit magntique par la source de tension. (La diode D interdit une dmagntisation par le secondaire). Alors v3 = ve . Le nombre de spires de l'enroulement de dmagntisation tant le mme que celui de l'enroulement 1, la dure de dmagntisation est gale au temps de conduction de l'interrupteur (la dmagntisation prend fin pour t=(2..T). Le courant i 3 est donc symtrique par rapport i10 . On peut alors calculer la valeur de la tension vt aux bornes de linterrupteur : vt = ve v1 = ve v3 = 2. ve . Une fois la dmagntisation finie, la diode Dm est bloque, les courants i1 et i 3 sont nuls, d'o: v1 = v3 = 0 vt = ve Etude au secondaire du transformateur: La continuit du courant dans linductance du filtre est assurer par la prsence de la diode de roue libre DRL, qui devient passante. On peut crire, pour l'inductance L:
L di l Vs. t = Vs i l = + Il max dt L
Formes dondes :
v1 2ve v1 ve
T 2 T
vt
-ve
n2 ve- vs n1
vl il
-vs
i1 i3
i 10
Le calcul de valeur de la tension de sortie en fonction de n1, n2, et Ve est rapide si lon se base sur la tension aux bornes de l'inductance de lissage, dont la valeur moyenne est nulle en rgime permanent. On peut alors crire : n 1 n2 do Vs = 2 Ve . n Ve Vs . T Vs .(1 ).T = 0 n1 T 1 Le principe de dmagntisation par un troisime enroulement nest pas le seul possible. En faible puissance, on peut trouver des montages ou lnergie stocke dans le circuit magntique est dissipe, comme cela est ralis pour les transformateurs dimpulsion :
Diode zener fixant la t ension de dm agntisat ion
o des montages en petit pont asymtrique, o la dmagntisation est ralise par lenroulement primaire, et o lnergie est renvoye vers la source :
E
d ma gn tis atio n
2.2.2
Avantages / Inconvnients:
Cette architecture s'adapte bien aux sorties basse tension fort courant car le filtrage de sortie est ais, pour des puissances d'environ 100 500W. Elle prsente nanmoins des inconvnients inhrents la structure : - Prsence de deux composants magntiques - Ncessit de prvoir un systme de dmagntisation du transformateur. - Mauvaise utilisation du circuit magntique du transformateur, qui nest utilis que dans un quadrant magntique (de 0 Bm, le flux ne changeant pas de signe)
2.3 Alimentation dcoupage symtrique, montage PUSH PULL.

Ce type dalimentation t conu pour palier un des inconvnients de lalimentation Forward, savoir lutilisation dans un seul quadrant magntique du transformateur. Pour permettre lutilisation dans deux quadrants du circuit magntique (B>0 et B<0), il est ncessaire de pouvoir magntiser le transformateur sous une tension positive, puis sous une tension ngative. Parmi les diffrentes structures existantes, celle base sur lutilisation dun hacheur en pont est la plus simple au niveau de ltude.
D2
T1
D3
T3
Ve
D1
T2
D4
T4
I1
V1 N1
N2 D5
N2 D6 VP IL L C
Rs
Les interrupteurs dun mme bras de pont sont commands de faon complmentaire, avec un temps de conduction dune demi-priode. Le dphasage entre les commandes des deux bras de pont est not T avec <1/2. Les ordres de commandes des transistors sont alors les suivants : T1 T4
T
T2 T3
/2
T1 T4
T2 T3 T4
Nous allons tudier qualitativement le fonctionnement de cette alimentation dans ces diffrentes phases de fonctionnement, en ngligeant le courant magntisant : pour t [0, T] :
10
Jean-Yves LE CHENADEC Lyce Louis ARMAND 173 Bd de Strasbourg 94736 NOGENT sur Marne -
Les transistors T1 et T4 sont commands, V1=Ve, il y a croissance du flux dans le circuit magntique La diode D5 conduit, linductance est soumise une tension positive (mVe-Vs), il y a croissance du courant IL. Il y a croissance du courant I1 (I1 = mIs)
pour t [T, T / 2] : - Les transistors T1 et T3 sont commands, la continuit du courant magntisant I1 impose la mise en conduction de la diode D3, alors V1=0, le flux dans le circuit magntique est constant - Linductance est soumise une tension ngative, (-Vs), il y a dcroissance du courant IL, qui est fourni par la diode D5. - Il y a dcroissance du courant I1 (I1 = mIs) pour t [T / 2, T / 2 + T] : - Les transistors T2 et T3 sont commands, V1=-Ve, le flux dans le circuit magntique est dcroissant - La diode D6 conduit, linductance est soumise une tension positive (mVe-Vs), il y a croissance du courant IL. - Il y a dcroissance du courant I1 (I1 =- mIs) pour t [T / 2 + T, T / 2] : - Les transistors T2 et T4 sont commands, la continuit du courant magntisant I1 impose la mise en conduction de la diode D4, V10, le flux dans le circuit magntique est constant. - Linductance est soumise une tension ngative, (-Vs), il y a dcroissance du courant IL, qui est fourni par la diode D6. - Il y a croissance du courant I1 (I1 =- mIs) Les formes dondes sont alors les suivantes :
T1 T4 T3 T2 T4 T1
V1=Ve
Vp=m.Ve I L
I 1
/2
11
F F
En calculant la valeur moyenne de la tension Vp, on dmontre facilement la
relation Vs = 2..m.Ve On rencontre galement parfois des alimentations dcoupage travaillant dans deux quadrants magntiques, mais ne prsentant que deux interrupteurs statiques au niveau primaire. Dans ce cas, il ncessaire de prvoir deux enroulements au niveau du primaire pour assurer le changement du signe de la tension de magntisation :
3 Les composants passifs dans les alimentations dcoupage.

Une alimentation dcoupage est essentiellement constitue, en dehors des interrupteurs statiques, de composants magntiques fonctionnant en haute frquence. Le choix et le bon dimensionnement de ces composants est un lment essentiel lors de lavant projet dune alimentation dcoupage.
3.1 Les condensateurs.

3.1.1 Le phnomne
Deux conducteurs spars par un isolant constituent un condensateur. La valeur de ce S condensateur, ou sa capacit, s'exprime de faon gnrale par : C = . , avec e = 0 . r permittivit dilectrique ou constante dilectrique ( 0 = 8,85.10 8 ) S est la surface des armatures e est l'paisseur de l'isolant
S
F La valeur de capacit tant directement proportionnelle
r ,
nous rechercherons utiliser des isolants forte constante dilectrique.
3.1.2
Paramtres caractristiques dun dielectrique, et donc dun condensateur : = 0
Les principaux paramtres dun dilectrique sont les suivants :
F La permittivit relative du dilectrique:
12
limiter la tension maximale d'utilisation: U max = k. e . Ce paramtre est directement li au niveau d'humidit du milieu o fonctionne le composant. L'nergie maximale stocke dans un dilectrique ne dpend que des caractristiques du volume du dilectrique :
F La rigidit dilectrique (k): la rigidit dilectrique ainsi que l'paisseur de l'isolant vont
F Les pertes dilectriques : Elles sont reprsentatives des pertes dans le dilectrique lors
de son utilisation en rgime alternatif Rsistance d'isolement : Le dilectrique n'a pas une rsistance statique infinie (impuret, humidit...). De plus l'enveloppe du composant influe sur ce paramtre. Stabilit du dilectrique vis vis: - de la temprature : elle dpend de la nature du dilectrique - de l'humidit : elle dpend de la nature du dilectrique - du temps : les proprits du dilectrique varient dans le temps 3.1.2.1 Modle quivalent Les remarques prcdentes nous amnent modliser le condensateur de la faon suivante :
Rs l Ri C
1 1 S 1 Wm = . C. U2 = . 0. r . . k2 . e2 == . 0. r . k 2. Volume m 2 2 e 2
F F
C est la valeur du condensateur idal. l est l'inductance des armatures et des connections. Elle est lie la technologie de fabrication. Rs est la rsistance des armatures et connections. Elle rend compte galement des pertes dilectriques. Ri est la rsistance reprsentant les dfauts d'isolement. Elle dpend de la technologie de fabrication.
Impdance Comportement capacitif
Comportemen inductif
Frquence Frquence de rs onnance fo
Il est alors possible de tracer la caractristique de limpdance en fonction de la frquence, 1 o f 0 = 2 lC
3.1.3
Les principales technologies
Elles dpendent de la nature du dilectrique utilis.
13
Jean-Yves LE CHENADEC Lyce Louis ARMAND 173 Bd de Strasbourg 94736 NOGENT sur Marne 3.1.3.1
Dilectriques plastiques. Les armatures sont constitues par deux feuilles d'tain ou d'aluminium dont l'paisseur (de 5 40 ) est dtermine en fonction du courant traversant. Les dilectriques composites associent des films de nature diffrente dont les caractristiques spcifiques se compltent. Les condensateurs films possdent d'excellentes proprits lectriques notamment une bonne tenue en tension et en frquence.
FCondensateurs films mtalliss
Les armatures sont constitues par une couche trs fine (0.02 ) de zinc ou d'aluminium dpose par vaporation sous vide sur le dilectrique film synthtique ou papier (1,5 25 ). - L'autocicatrisation est une proprit essentielle de ces condensateurs. Lorsqu'un amorage se produit entre les armatures d un dfaut du dilectrique, l'arc lectrique vaporise localement la mtallisation en formant un oxyde mtallique isolant. Le condensateur ainsi rgnr redevient oprationnel.
F La qualit des films plastique permet de les utiliser en faible paisseur ( e = 2 20 m).
Il est possible d'obtenir des rsistances d'isolement trs leves et constantes dans la gamme d'utilisation de temprature. De plus les pertes dilectriques frquence leve sont faibles. Il existe quatre type de film plastique: Polystyrne. Polyester (mtallis ou non). Polycarbonate (mtallis ou non). Polypropylne (mtallis ou non).
F Principales caractristiques (source SPRAG)

+20 +15 +10 +5 0 -5 -10 -15 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Polyester Polystirne Polycarbonate Polypropylne 1.75 1.50 1.25 1.00 0.75 0.50 0.25 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Polyester Polystirne Polycarbonate Polypropylne
%Capacitance change / Temperature in C
% Dissipation Factor (0.1F) / Temperature in C
14
1.6 1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0.1 1 10 100 Polycarbonate Polypropylne (Metallized) Polyester Polystirne
1000000
100000 Polyester 10000 Polystirne Polycarbonate 1000 Polypropylne 100
% Dissipation Factor / Frequency in kHz
10 25 50 75 100 125 150 175 200
Typical Insulation Resistance in Meghoms * Micorfarads / Temperature in C
Dielectric
Vol. factor
Polyester Polyester Metallized Polycarbonate Polycarbonate Metal. Polypropylene Polypropylene Metal. Polystyrene
Typical dissipation factor 25C/1kz 0.83 0.30% 0.47 3.30 0.47 4 0.67 4.7 0.45% 0.10% 0.25% 0.05% 0.10% 0.025%
Rs M par F 25C 50000 25000 100000 100000 200000 200000 250000
max Outstanding Properties 150C 125C 125C 125C 105C 105C 85C High Temperature Small size High insulation resistance High stability High frequency capability High insulation resistance Low losses High frequency capability High frequency capability High insulation resistance High insulation resistance Small capacitance change with temp.
3.1.3.2 Condensateurs dilectrique chimique. Les deux armatures en aluminium pur 99,99 % du condensateur sont places dans une solution lectrolytique. Lorsqu'on applique une tension, une couche d'alumine isolant de trs faible paisseur se forme (e = 0,01 m), d'o la possibilit de fortes capacits. Le condensateur est polaris, les lectrodes ne jouant pas le mme rle dans l'lectrolyse ( Anode, Cathode ). Il existe deux types d'lectrolytes : Aluminium La structure d'un condensateur lectrolytique aluminium est reprsente ci-dessous :
1. Anode : feuille d'aluminium 2. Dilectrique : alumine 13 / V. 3. Papiers sparateurs imprgns d'lectrolyte

1 4
15
2 3
Jean-Yves LE CHENADEC Lyce Louis ARMAND 173 Bd de Strasbourg 94736 NOGENT sur Marne 4. Cathode : feuille d'aluminium
ceux en leur leurs
Les constructeurs lheure actuelle conoivent deux grandes familles de condensateurs, les condensateurs dits classiques et dits faible rsistance srie. Ces derniers sont notamment utiliss lectronique de puissance de par meilleure tenue en frquences et pertes joules beaucoup plus faibles.
Tantale - Le mtal de base est une poudre de Tantale de trs fine granulomtrie. - Les anodes sont obtenues par compression dans des moules dont la forme la plus usuelle est cylindrique. Le corps poreux ainsi ralis prsentent une grande surface par unit de volume. - Ces condensateurs prsente particulirement une bonne tenue en frquence.
(ELPI)
3.1.4
Les condensateurs dans les alimentations dcoupage.
Les condensateurs que nous rencontrons dans les alimentations dcoupage remplissent deux rles distincts : ils servent de rservoir dnergie lors des variations de commande ou de charge, et ils servent galement de condensateur de dcouplage ou de filtrage vis vis du fonctionnement haute frquence de lalimentation. Cest pourquoi certains constructeurs ont dvelopp une gamme de condensateur spcifique pour les alimentations dcoupage et autre systme dlectronique de puissance. Ce sont les condensateurs chimiques dits faible rsistance srie, qui prsentent des valeurs de capacit importantes, tout en prsentant une excellente tenue en frquence. Si toutefois les performances de ces condensateurs se trouvaient insuffisantes, il est possible dassocier deux condensateurs de technologies diffrentes, par exemple un condensateur aluminium en parallle avec un condensateur polypropylne.
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3.2 Les matriaux magntiques

3.2.1 Les matriaux
Les matriaux utiliss en lectrotechnique et en lectronique de puissance sont principalement : - L'air, rserv au domaine des trs hautes frquences et des faibles puissances - Les tles de fer magntique lamines et assembles pour constituer des circuits magntiques, utilises aux frquences dites industrielles (16.66, 50,60 et 400 Hz) - Les ferrites : Cramiques magntiques, moules selon la forme dsire du circuit magntique, utilises en lectronique de puissance haute frquence.
3.2.2
Grandeurs caractristiques des matriaux magntiques
3.2.2.1 La caractristique magntique Un matriau magntique est dfini par sa caractristique B=f(H) [induction magntique en fonction du champ magntique], sa courbe de 1re aimantation, ses diffrents cycles d'hystrsis (en fonction de la frquence) La caractristique typique dun matriau est la suivante :
B A Br -Hc O -Br H
O : Br reprsente linduction rmanente, Hc le champ coercitif et OA la courbe de 1re aimantation.

B
zo ne de
Cette caractristique est frquemment idalise de la manire suivante, o lon spare la zone de fonctionnement dite non sature de la zone de fonctionnement sature : Dans la zone de fonctionnement non sature, on dfinit alors la permabilit relative du matriau r tel que :
foncti nem on ent satur
H
z one d e foncti nem on ent satur
B = o . r H
zo ne de foncti nem on ent non satur
Les pertes magntiques Un matriau ferromagntique soumis un champ magntique variable est source de pertes ayant 2 origines : Les pertes par courant de Foucault : le matriau est soumis un champ magntique variable, il apparat alors dans ce matriau des tensions induites, donc des courants induits, et (B M .S.f )2 , o B reprsente donc des pertes joules. Ces pertes sont proportionnelles M linduction maximale, S la section du circuit magntique, f la frquence de fonctionnement et la rsistivit du matriau.
3.2.2.2
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Pertes hystrtiques : elles sont dues l'nergie mise en jeu pour parcourir le cycle d'hystrsis. Leur expression est donne par Ph = f .V.A , o f reprsente la frquence, V le volume de circuit magntique et A laire du cycle d'hystrsis du matriau.
3.2.3
Les matriaux magntiques dans les alimentations dcoupage
Les alimentations dcoupage fonctionnant en haute frquence, il est impossible dutiliser des tles pour la ralisation des composants magntiques, les pertes devenant trop importantes. Les fabriquants utilisent donc des ferrites, mieux adapt au fonctionnement haute frquence. Ce sont des cramiques magntiques haute rsistivit (de 10 2 108 cm), donc prsentant des pertes par courant foucault particulirement faible, et haute permabilit (de 2000 10000 environ). Leur fabrication par moulage permet de raliser toutes formes de gomtrie, permettant de raliser une grande varit de circuits magntiques. L'induction de saturation des ferrites est de l'ordre de 0.4 0.5 T. On les emploie gnralement hors saturation et lon retient Bmax = 0.3 T.
F Un composant magntique est constitu dun

circuit magntique, mais galement dun ou plusieurs bobinages. Si le courant traversant les bobinages constituants des inductances ou des transformateurs haute frquence est alternatif, les lectrons ont tendance se rpartir la priphrie du conducteur, dans une zone caractrise par son paisseur, appele paisseur de peau (voir ci contre).
ep
basse frquence
haute frquence
Une valeur couramment admise pour lpaisseur de peau est donne par e p = pour un fil de cuivre e p (en mm ) 70
, ou . 0 .f
. Si lon souhaite utiliser de faon correcte notre f conducteur, il ne faut pas que son rayon excde lpaisseur de peau. On peut alors calculer pour diffrentes frquences lintensit maximale admissible dans un fil, en effet la section du fil tant donn par
S fil = . r
2
I eff
, alors I eff
max
= ..e p 2 o reprsente la densit de courant
(gnralement fixe autour de 5 A/mm) : f (en kHz) 5 10 20 50 100 ep (mm) 1.00 0.70 0.50 0.30 0.22 Imax (A) 15 7.5 4 1.5 0.8
18
Si le courant efficace devant circuler dans le bobinage est suprieur ces valeurs limites, il est ncessaire de prvoir lutilisation de fil divis (ou fil de litz, fil multi brins donc chaque brin est isol ), du fil mplat ou encore du feuillard.
F Les bobinages prennent place lintrieur du circuit magntique dans la fentre de

bobinage. Malheureusement, il est impossible de remplir totalement cette fentre, notamment lorsque le nombre de spires est peu lev : Spires Fentre de bobinage On dfini alors un coefficient dit de bobinage ou de remplissage(Kb), defini Surface de la fentre par : Kb = , o la Surface de cuivre surface de cuivre reprsente la surface effective du bobinage, soit le nombre total de spire multipli par la surface des spires. On obtient alors : Sb Sb Kb = = Ieff Sc n. tout les
bobinages
o Sb reprsente la surface de la fentre de bobinage, n le nombre de spires de lenroulement considr (il peut y en avoir plusieurs dans le cas de transformateur ou dinductances couples Ieff le courant efficace de lenroulement considr la densit de courant.
3.2.4
Principe de calcul des inductances et des transformateurs.
La principale difficult lors du calcul de linductance ou dun transformateur est de choisir la bonne taille de circuit magntique. Nous allons dmontrer que la taille de ce circuit est proportionnelle, ou lnergie stocke dans le cas dune inductance, ou la puissance apparente dans le cas dun transformateur. Il sera alors facile de choisir le bon circuit. e Nous noterons : - Sb la surface bobinable Sb - Sf ou Ae la section effective du noyau du circuit magntique - B le champs dinduction magntique Sf - H le champs dexcitation magntique - (e) lpaisseur de lentrefer dans le cas dune inductance - n le nombre de spires 3.2.4.1 Exemple de dimensionnement dune inductance. Dtermination de lexpression de L : Nous allons montrer dans un premier temps que lessentiel de lnergie est stocke dans lentrefer. Par dfinition, lexpression de lnergie lectromagntique volumique stocke dans
19
1 B.H.V . Les fabriquants de ferrite ralisent leurs 2 circuits magntiques de telle sorte que le champs dinduction soit constant dans tout le circuit. On peut alors en dduire lnergie stocke dans la ferrite et lnergie stocke dans lentrefer : 1 1 B2 1 B 2 Vf .Vf = . Dans la ferrite : W = B.H.Vf = 2 2 0 . r 2 0 r un volume V est donn par la relation : W = Dans lentrefer : W = 1 1 B2 1 B2 B.H.Ve = .Ve = .Ve 2 2 0 2 0
Mme si le volume de ferrite est bien suprieur au volume de lentrefer, la permabilit V relative des ferrites est tel que f << Ve . Nous considrons donc que lintgralit de lnergie r est stocke dans lentrefer. Il est alors possible de dterminer lexpression de l'inductance L en fonction de 0 , n (nombre de spire), S f (surface magntique effective) et e (valeur de l'entrefer) : 1 1 W = B.H.S f .e = . 0 .H 2 .S f .e 2 2 Le thorme dampre appliqu le long dune ligne de champs dans notre inductance nous B B lf B donne : n.i = He.e + Hf .lf = .e + . .e 0 0 r 0 Nous obtenons alors : 1 n 2 .i 2 1 W = . 0 . .S f .e = L.i 2 2 2 2 e do
L= n2. 0 .S f = n2 . A L e
o A L reprsente le facteur d'inductance du circuit magntique, qui ne dpend que de sa gomtrie. Dtermination de la puissance maximale stockable dans un circuit magntique donn, choix dun circuit magntique : 1 2 1 1 .L.i = ..i = .n..i 2 2 2 .S b 1 .S b .B m Or = B.Sf et i = , do Wm = .n.S f .B m . = .S f .S b n.K b 2 n.K b 2.K b Nous voyons alors apparatre le terme Sf .Sb reprsentatif du volume du circuit magntique. Afin dtre sr de choisir le bon circuit magntique, il suffit de choisir un pot dans le produit Sf .Sb sera lgrement suprieur celui ncessaire. Par dfinition, W = Calcul du nombre de spires et de la valeur de lentrefer.
20
Le nombre de spires peut facilement tre dtermin partir de la surface bobinable du circuit magntique retenu : S . Sb Sb Nous avons vu : Kb = = , do n = b i K b .i Sc n. Une fois le nombre de spire dtermin, le calcul de lentrefer est immdiat, partir de n 2 . 0 .S f n 2 . 0 .S f lexpression de L : L = e= e L
4 Exercice autocorrectif
4.1 Dimensionnement dune structure de type FORWARD
On se propose de choisir et de dimensionner les lments de l'alimentation de type Foward suivante :
vd i1 i2 Ls il is
D v3 N1 ve=300V v1 N1 L N2 v2 Drl C R vs
vt Dm i3
Vs : 5v, Is : 20A,
Vs / Vs < 1% Frquence de dcoupage : f = 100kHz
On impose les hypothses de travail suivantes: - < 0. 45 = M - pour tenir compte des chutes de tension rsistives dans le transformateur et l'inductance de lissage, on prendra une marge de calcul de 35% sur la tension de sortie, - le rendement de l'alimentation est estim 80%, - le courant magntisant sera considr comme ngligeable tout comme le volume de lenroulement de dmagntisation. - londulation du courant dans linductance du filtre sera nglig : i L ( t ) = I L = IS 1/ Dimensionnement lectrique : 1-1 En tenant compte des hypothses prcdantes, tracer les forme donde pour une priode de fonctionnement de v1, vl,vt,il,i1.
21
1-2 A partir de lexpression de la tension Vs dmontre dans le cours, et en tenant compte de la marge de tension de 35%,calculer le rapport de transformation m = 1-3 Dterminer : - les valeurs moyenne et efficace de i1 , i 2 et i 3 . - les valeurs maximales de Vt , VD , VDRL et VDm. 2/ Dimensionnement du transformateur Nous allons utiliser des circuits magntiques de type RM, couramment nomm pot. Les caractristiques de ces pots en ferrites sont donnes en annexe. Nous noterons la densit de courant, K1 et K2 les coefficients de remplissage primaire et secondaire. Le principe du dimensionnement sera le mme que celui retenu pour linductance, savoir : - Dterminer la relation existant entre la puissance apparente du transformateur et le produit (surface de bobinage * surface du circuit magntique) du pot. - Choisir un pot adapter au transformateur raliser Calculer le nombre de spires du transformateur. 2-1 Dtermination de lexpression de S : - Sachant que lpaisseur de peau dans le cuivre, 100kHz, est de 0,2mm, et en retenant comme valeur pour 4A/mm, dterminer la nature des conducteurs primaires et secondaires (fil plein ou fil divis) ? - Exprimer le champs maximal B dans le matriau en fonction de : - E la tension dalimentation - F la frquence de fonctionnement - n1 le nombre de spires au primaire du transformateur, - SF la section effective du noyau du circuit magntique - M le rapport cyclique maximal. d (on appliquera la relation u = n au primaire du transformateur lors de sa dt magntisation) - Dterminer alors lexpression de SF. - Exprimer SB en fonction de n1, I1(valeur efficace de i1), , K1, K2. - En dduire lexpression du produit caractristique SB.SF, exprim en fonction de Pe, puissance absorbe en entre de lalimentation), puis en fonction de Ps, la puissance en sortie de lalimentation. 2-2 Choix du circuit magntique: - Calculer la valeur du produit SB.SF ncessaire pour la ralisation de notre alimentation. Nous prendrons K1= 2, K2 = 5, BM = 0,15T (marge de scurit importante pour viter de saturer le pot) - Calculer le produit SB.SF pour les pots RM10 et RM14. Choisir le pot adapt. - Calculer les valeurs de n1 et n2 .
n2 . n1
22
3/ INDUCTANCE LS 3-1 On suppose constante la tension Vs. Dterminer lexpression de l'ondulation I L de di I L en fonction de , E, m, f (appliquer U L = L S L entre 0 et T). Pour quelle valeur de estdt elle maximale? 3-2 Afin dviter les discontinuits de courant dans linductance, on impose k = I L / I s max < 10% .Calculer alors la valeur de linductance de filtrage. 3-3 En reprenant la mthodologie de dimensionnement dcrite dans le cours, choisir un pot adapt la ralisation de linductance, puis calculer sont nombre de spire et lpaisseur de lentrefer. i Remarque : i L max = IS + L 2 Application numrique : - K', coefficient de remplissage = 2 5, - ', densit de courant = 4A/mm, - BM', induction maximale = 0 3T, 4 CONDENSATEUR CS En utilisant l'expression de I L , dterminer lexpression de l'ondulation de la tension de sortie, VS , en fonction de m, E, f, Ls, C, sachant que Vs = permettant de respecter le cahier des charges.
I L 8. f . CS
. En dduire la valeur de Cs
23
24
25
4.2
Analyse fonctionnelle FLYBACK industrielle.
et
structurelle
dune
alimentation
Remarque : Lanalyse dun schma industriel et la justification des solutions retenues, notamment en lectronique de puissance, est particulirement complexe et ncessite de bonnes connaissances technologiques. Si vous narrivez pas justifier la prsence et le rles de certains composants, reportez-vous directement la correction. Le schma lectrique de lalimentation utilise est donn en annexe. Il est possible de raliser le dcoupage fonctionnel de cette alimentation de la faon suivante :
R s e au 220 V 50 H z Te ns ion Continue Filtr e D co upage de la te nsio n continue Transfe rt d' ne rgie ave c iso lation galv anique Re dre ss e me nt / Filtra ge Prote ction contre le s surte ns ions Te nsion Continue R gule r Isol e
Re dre ss e me nt / Filtra ge
M e sure Controle du d coupage te nsio n ave c isola tion galvanique
1/ Identifier sur le schma les diffrentes fonctions de lalimentation dcoupage. Encadrer sur le schma lensemble des composants constituants ces fonctions. 2/ Pour chacun des blocs suivants, analyse le role des principaux composants le constituant. - Bloc redressement / filtrage rseau.
Transfert d'nergie
26
Jean-Yves LE CHENADEC Lyce Louis ARMAND 173 Bd de Strasbourg 94736 NOGENT sur Marne Bloc redressement / filtrage secondaire.
Bloc mesure tension avec isolation galvanique
Bloc dcoupage de la tension continue
27
28
5 Correction exercices autocorrectifs.

5.1 Dimensionnement dune structure de type FORWARD
1-1
v1 vt
2ve
v1 ve T 2 T
Les formes dondes sont identiques celle du cours, simplement le courant il est constant et la forme du courant i1 peut tre assimile un rectangle.
-ve
n2 v s e-v n1
vl il=constante T
-vs
i1
1-2 Nous avons montr dans le cours Vs = m..E . Nous devons retenir pour le calcul comme tension de sortie 5V+35%=6.75V.Cette tension devant tre obtenu pour le rapport V + 35% = 0,05 cyclique maximal de 0.45, le calcul de m est alors immdiat : m = S M .E 1-3 Dans tous les cas, il prfrable de revenir aux dfinitions des valeurs moyennes et efficaces pour raliser le calcul. Calcul pour le courant i1 : 1 T 1 T i1 = 0 i1 ( t ).dt = 0 m.Is.dt = m..Is T T 1 T 2 1 T 2 i 1eff = 0 i1 ( t ).dt = T 0 (m.Is) .dt = m.Is. T Calcul pour le courant i 2 : 1 T 1 T i 2 = 0 i 2 ( t ).dt = 0 Is.dt = .Is T T
29
1 T 2 1 T 2 0 i 2 ( t ).dt = T 0 (Is) .dt = Is. T Pour le courant i 3 , aucune donne ne permettent dvaluer sa valeur. Nanmoins, nous i 2eff = considrons lintensit i 3 ngligeable devant i1 et i 2 . Application numrique : i1 = M . m.I S 0 .45A i 2 = M. I S 9A I1 = M .m.I S 0 .64 A I 2 = M .I S 14 A
2-1 Dtermination de lexpression de S : - Nature des conducteurs : Si ep=0.2mm, alors la surface maximale dun conducteur est de .e 2 = 0.125 mm . Le p courant efficace maximal par conducteur est donc de ..e 2 = 0.5A . p Cette valeur est lgrement infrieure I1, on peut nanmoins penser que lutilisation dun fil plein est possible, par contre, il est manifestement ncessaire dutiliser du fil divis pour le secondaire. - Expression de B et de SF dB . Or pendant la magntisation, la Par dfinition, pendant la magntisation, E = n 1.S F . dt dB B E..T . = B= croissance de linduction est linaire, do dt .T n1 .S F On en tire alors lexpression de SF : S F = SF = E. M n .B.f
1
E. . Dans le cas le plus dfavorable, n 1.B.f
- Expression de SB . La surface totale du bobinage est la somme de la surface du primaire plus la surface du secondaire. I Pour le primaire, .S B = n 1 1 K 1 . I Pour le secondaire, .S B = n 2 2 K 2 . I Or n1.I1 = n 2 .I 2 , do S B = n 1 1 ( K 1 + K 2 ) . - Expression de SB.SF. I E. M S B .SF = 1 ( K 1 + K 2 ). . .B.f Afin de faire apparatre la puissance de sortie de lalimentation, nous allons exprimer SB.SF en fonction de la puissance absorbe (not Pe), puis nous exprimerons Pe en fonction de Ps.
30
Par dfinition,
Pe =
1 T 1 T 1 T 0 v e ( t ).i e ( t ).dt = T 0 E.i e ( t ).dt = E. T 0 i e (t ).dt = E.i1 , T
or
i 1 = .I1 , do Pe = E.I1. . Si lon reporte dans lexpression de SB.SF, on obtient : S F .S B = Or Pe = Pe M f ..B M Ps ( K1 + K 2 ) . PS M (K 1 + K 2 )
.f ..B M 2-2 Choix du circuit magntique:
, do S F .S B =
- Application numrique. Lapplication numrique ne pose pas de problmes si lon pense convertir la densit de courant de A/mm A/m : P M S F .S B = S (K1 + K 2 ) .f ..B M S F .S B = 0.45 (2 + 5 ) 0,8.1e5.4e6.0,15
(5 .20 ).
S F .S B = 0,98.10 8 m 4 = 9800 mm 4 Choix du pot :
RM10 : SF .SB = 95 * 42 = 3990mm 4 RM14 : SF .SB = 190 *106 = 20140mm4 Nous retiendrons donc le pot de type RM14, qui est manifestement surdimensionn. Cela se traduira, soit par une fentre de bobinage trop grande et donc sous utilise, soit par une section de circuit magntique trop grande et donc une induction dans le pot infrieur 0.15T. Par principe, nous utiliserons le pot 0.15T, et nous ne remplirons pas la fentre de bobinage de cuivre, ce qui est conomiquement plus intressant que de diminuer le champ dinduction magntique. - Calcul de n1 et n2 . E..T 0 .15 . Le calcul de n1 peut se faire partir de lexpression de B : B = n 1.S F E..T 300 .0,45.1e 5 On en dduit n 1 = = 47.36 et n 2 = m.n1 2.36 . 0,15.190e 6 B.S F Nous retiendrons donc 60 spires au primaire, 3 spires au secondaire. 3-1 De 0 T, U L = V2 Vs = m.E m..E = mE(1 ) = C te La tension UL tant constante, au peut remplacer lexpression de la drive du courant par le di i i rapport de la variation du courant sur le temps, soit L = L = L . dt t .T i L m.E.(1 ). On en dduit alors : U L = m.E.(1 ) = L S . do i L = .T f .Ls Cette expression est maximale pour =0.5, nous retiendrons donc comme cas le plus dfavorable =M.
31
3-2 si I L = I s max *10% = 2A , alors L s =
m.E . M (1 M ) = 18 .5H i L .f
3-3 Expression de SF : k L S 1 + i k 2 or i max = I S + L = I S 1 + S F = .I S 2 2 nB IS
Max = n.S F .B = L S .i L max
Expression de SB : S B = K.n
k L S 1 + I 2 .IS = 1,62.10 8 m 4 = 16200 mm 4 Expression de SB SF : S F .S B = K.n S . n.B M Choix du pot : RM 14 S . Nombre de spires : n = b = 8 spires K b .i Entrefer : e = n 2 . 0 .S f 8. 4..10 7.190 .10 6 = = 0,8.10 3 m 6 L 18,5.10
Vs = I L . On obtient alors 8. f . CS
4 Il suffit de remplacer I L par son expression

Vs =
I L m. E = . (1 ) , do la valeur de Cs=50F. 2 8. f . C S 8. f . Ls . C S
32
5.2 Analyse fonctionnelle et FLYBACK industrielle.

1
structurelle
dune
alimentation
33
Jean-Yves LE CHENADEC Lyce Louis ARMAND 173 Bd de Strasbourg 94736 NOGENT sur Marne 2 (A partir de la documentation constructeur) Bloc redressement / filtrage rseau.
La rsistance R2 limite l'appel de courant d la charge des condensateurs lors de la mise sous tension. GZI : ecrteur de puissance de type vahstance oxyde mtallique (Mtal Oxyde Vahstor, MOV). Protge l'alimentation contre les surtensions suprieures 275 V provenant de l'extrieur. Les perturbations mises ou reues sont fitres par les condensateurs C8, C11, C12 et les inductances L2 (L2 est un composant utilis en tlvision). Les condensateurs C13 et C14 servent de rservoir dnergie. Transfert d'nergie
Le circuit RCD aux bornes de l'enroulement primaire protge le transistor en limitant l'excursion en tension due la self de fuite du transformateur lorsque le transistor se bloque. En effet, le couplage entre les deux enroulements de linductance ntant pas parfait, il existe une petite inductance de fuite primaire reprsentative du flux vu par lenroulement primaire qui nest pas vu par lenroulement secondaire. La part de courant magntisant correspondant ce flux ne peut donc tre transfr lenroulement secondaire lors du blocage du transistor. Il apparat alors aux bornes de cette inductance di de fuite une surtension l f . dt - Bloc redressement / filtrage secondaire. R6 et C10 permettent de ralentir la monte en tension aux bornes de la diode lors du blocage du transistor.
Les condensateurs de sortie C4, C5, C6, C7, doivent maintenir la tension de sortie dans une plage de tolrance spcifie pendant le temps de conduction du transistor. La protection contre les surtensions d'origine externe est ralise par le systme CROW-BAR : le thyristor TY1 @YN610de THOMSON) est command par une diode zener de prcision qui est passante pour une tension suprieure 30 V. L1 est une self de lissage des pointes de courant. La rsistance R4 est calcule de telle sorte que l'alimenta par le 2 .st de courat. Le sorti4 esfiltrulen1hauintefrul e qtans51 paC1C6,2 et C3 V.
34
- Bloc mesure tension avec isolation galvanique Le retour d'information s'effectue par l'intermdiaire d'un photocoupleur NAI de type CNYI7 III qui assure l'isolation entre primaire et secondaire. Ce circuit fonctionne en mode linaire. La broche 2 de ce circuit est mise un potentiel de rfrence par l'utilisation de la diode D4, zener programmable MOTOROLA TL431 trie + 2,5 %, renomme TYA0301 par le fabricant. - Bloc dcoupage de la tension continue Le transistor de dcoupage TR4 est donc un BUS48AP (MOTOROLA). Il est maintenu en quasi-saturation pendant toute la phase de conduction grce la diode D13 qui vacue le surplus de courant de base : - l'allumage il reoit une impulsion d'environ 1A car la diode D12 et le condensateur C21 se comportent pendant un court instant comme un court-circuit. C21 se charge et le courant de base passe par R27. - l'extinction C21 cre par lintermdiaire du transistor TR3 (PNP) un Vbe ngatif sur TR4 et en amliore ainsi le blocage. Le circuit d'aide la commutation R29, C23, Dl 5 retarde lors de l'extinction de TR4 la monte en tension par rapport la descente en courant.
Les rsistances R25 et R26 servent de prise de tension pour la dtection d'un courtcircuit au secondaire, le courant les traversant tant une image du courant secondaire.
35

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Jean-Yves LE CHENADEC Lyce Louis ARMAND 173 Bd de Strasbourg 94736 NOGENT sur Marne

Etude, choix et dimensionnement des alimentations dcoupage usuelles.

Principales lois de llectromagntisme Equation diffrentielle du 1er ordre

3.1.2 Les principales technologies

2 Principe de fonctionnement des alimentations dcoupage.

Etude des formes donde :

Les formes dondes sont alors les suivantes :

F Le calcul de valeur de la tension de sortie

2.2 Alimentation dcoupage conduction directe (FORWARD)

Etude des formes donde :

dil ( v Vs). t + I , il y = v2 Vs il = 2 l min dt L

Diode zener fixant la t ension de dm agntisat ion

2.3 Alimentation dcoupage symtrique, montage PUSH PULL.

En calculant la valeur moyenne de la tension Vp, on dmontre facilement la

3 Les composants passifs dans les alimentations dcoupage.

3.1 Les condensateurs.

F La valeur de capacit tant directement proportionnelle

nous rechercherons utiliser des isolants forte constante dilectrique.

Paramtres caractristiques dun dielectrique, et donc dun condensateur : = 0

Les principaux paramtres dun dilectrique sont les suivants :

F La permittivit relative du dilectrique:

Frquence Frquence de rs onnance fo

Il est alors possible de tracer la caractristique de limpdance en fonction de la frquence, 1 o f 0 = 2 lC

Les principales technologies

Elles dpendent de la nature du dilectrique utilis.

FCondensateurs films mtalliss

F Principales caractristiques (source SPRAG)

%Capacitance change / Temperature in C

% Dissipation Factor (0.1F) / Temperature in C

100000 Polyester 10000 Polystirne Polycarbonate 1000 Polypropylne 100

% Dissipation Factor / Frequency in kHz

10 25 50 75 100 125 150 175 200

Typical Insulation Resistance in Meghoms * Micorfarads / Temperature in C

Rs M par F 25C 50000 25000 100000 100000 200000 200000 250000

1. Anode : feuille d'aluminium 2. Dilectrique : alumine 13 / V. 3. Papiers sparateurs imprgns d'lectrolyte

ceux en leur leurs

Les condensateurs dans les alimentations dcoupage.

3.2 Les matriaux magntiques

Grandeurs caractristiques des matriaux magntiques

O : Br reprsente linduction rmanente, Hc le champ coercitif et OA la courbe de 1re aimantation.

foncti nem on ent satur

Les matriaux magntiques dans les alimentations dcoupage

F Un composant magntique est constitu dun

= ..e p 2 o reprsente la densit de courant

F Les bobinages prennent place lintrieur du circuit magntique dans la fentre de

Principe de calcul des inductances et des transformateurs.

Vs / Vs < 1% Frquence de dcoupage : f = 100kHz

Analyse fonctionnelle FLYBACK industrielle.

M e sure Controle du d coupage te nsio n ave c isola tion galvanique

Bloc mesure tension avec isolation galvanique

Bloc dcoupage de la tension continue

5 Correction exercices autocorrectifs.

E. . Dans le cas le plus dfavorable, n 1.B.f

1 T 1 T 1 T 0 v e ( t ).i e ( t ).dt = T 0 E.i e ( t ).dt = E. T 0 i e (t ).dt = E.i1 , T

i 1 = .I1 , do Pe = E.I1. . Si lon reporte dans lexpression de SB.SF, on obtient : S F .S B = Or Pe = Pe M f ..B M Ps ( K1 + K 2 ) . PS M (K 1 + K 2 )

.f ..B M 2-2 Choix du circuit magntique:

S F .S B = 0,98.10 8 m 4 = 9800 mm 4 Choix du pot :

3-2 si I L = I s max *10% = 2A , alors L s =

3-3 Expression de SF : k L S 1 + i k 2 or i max = I S + L = I S 1 + S F = .I S 2 2 nB IS

Max = n.S F .B = L S .i L max

4 Il suffit de remplacer I L par son expression

5.2 Analyse fonctionnelle et FLYBACK industrielle.

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