académie militaire Fondouk Jdid

Electronique Analogique

Classes: Tel11, GI11, EM11, TA11 Prof: Moez Youssef

 Chapitre 1 : Notions sur la physique des semi-conducteurs
I. Introduction :
On rencontre en électronique trois grandes familles de matériaux qui
sont : les conducteurs, les isolants et les semi-conducteurs.
1) Les conducteurs : Ce sont des matériaux qui conduisent aisément le
courant électrique. Les meilleurs conducteurs sont des matériaux
avec un faible nombre d’électrons de valence. Ces électrons de
valence peuvent facilement se détacher de leurs atomes et devenir
des électrons libres. Exemples de conducteurs: Cuivre, Aluminium,
Argent, Or…
2) Les isolants: un isolant est un matériau qui ne conduit pas le courant
électrique. Un isolant a une dernière couche saturée (ou presque).
Les électrons de valence sont solidement rattachés aux atomes.
Exemples d’isolants: le bois, le verre…

2
3) Les semi-conducteurs : Ils se placent entre les conducteurs et les
isolants. Les semi-conducteurs sont généralement tétravalents (4
électrons de valence). La conductivité d’un semi-conducteur dépend de
la température, de l'éclairement et de la présence d'impuretés
(dopage). Exemples de semi-conducteurs: Silicium, Germanium,
Carbone.
II. Les semi-conducteurs :
1) semi-conducteur intrinsèque : un semi-conducteur pur est appelé
semi-conducteur intrinsèque. Les atomes de semi-conducteur sont
tétravalents (4 électrons libre dans la bande de valence).
Exemple: atome de silicium

3
Structure cristalline: Les 4 électrons de valence vont se mettre en
commun avec d’autres atomes de Silicium pour avoir la forme cristalline
suivante:

A la température 0 K toutes les liaisons covalentes sont maintenues.

C’est un bon isolant : pas d’électrons libres.
Lorsque la température du cristal augmente, certains électrons de
valence quittent leurs places. Ils créent alors un trou qui ne demande
qu'à être rebouché par un autre électron libre, surtout si on applique un
champ électrique sur le cristal : électrons et trous se déplacent en sens
inverse, engendrant ainsi un courant électrique.
4
2) semi-conducteur extrinsèque : dopage:
Le dopage est l’introduction dans le semi-conducteur intrinsèque
d’atomes étrangers en très faible quantité (1 atome de dopeur pour 1
million d’atomes de semi-conducteur). Les dopeurs utilisés sont soit des
éléments pentavalents (5 électrons de valence) soit des éléments
trivalents (3 électrons de valence). Le semi-conducteur dopé est appelé
semi-conducteur extrinsèque. Grace au dopage, la conductivité du semi-
conducteur est augmentée.

5
2.1 semi-conducteur extrinsèque de type N: Le dopeur utilisé
appartient à la famille des pentavalents (5 électrons de valence)
exemples: Arsenic (As), Phosphore (P), Antimoine (Sb).
L’atome dopeur a 5 électrons de valence, 4 se mettent en liaison avec les
atomes voisins, le 5ème reste libre à ce déplacer. On dit que le dopeur
est un donneur (N) d’électrons (porteurs de charge Négative). Il faut
noter que cet électron lorsqu’il quitte son atome, il laisse à sa place un
ion positif fixe
Si
e- libre

Si As Si

Si Représentation simplifiée d’un semi-conducteur type N

6
2.2 semi-conducteur extrinsèque de type P: Le dopeur utilisé
appartient à la famille des trivalents (3 électrons de valence) exemples:
Aluminium(Al), Bore (P), Gallium (Ga). L’atome dopeur s’intègre dans le
cristal de semi-conducteur, cependant, pour assurer des liaisons avec les
atomes voisins 4 e- sont nécessaires alors que le dopeur ne porte que 3.
Il y’a donc un défaut d’un électron. Ce qui est équivalent de point de vue
électrique à une charge positive appelée trou. On dit que le dopeur est
accepteur d’électrons. Le semi-conducteur dopé est dit du type P.
L’atome du dopeur devient un ion négatif fixe.

Si
trou
Si B Si

Représentation simplifiée d’un semi-conducteur type P

Si
7
III. La jonction PN: Si on place l'un contre l'autre deux cristaux semi-
conducteurs, un de type P et l'autre de type N, au voisinage de la
jonction, les électrons majoritaire du coté N vont diffuser vers le coté P
et trous majoritaires du côté P vont diffuser vers le côté N. Les électrons
passés du coté P vont se recombiner avec les trous abondants de ce
côté, et les trous passés du côté N vont se recombiner avec les électrons
abondants de ce coté. Il se crée alors une région sans porteurs où il n'y a
plus que des ions positifs du coté N et des ions négatifs du coté P. Cette
région dite, zone de charge d'espace ou zone dépeuplée n'est plus
neutre électriquement. De part et d'autre de la jonction, il existe une
double répartition des charges assez semblable à celle que l'on trouve
sur les armatures d'un condensateur, les charges positifs d'un côté, les
négatifs de l'autre. Il se crée alors un champ électrique interne Ei
orienté de N vers P qui va s'opposer à la diffusion des porteurs de part
et d'autre de la jonction. Entre les deux parties P et N apparaît alors une
d.d.p. appelée aussi barrière de potentiel de l’ordre de 0,7 V pour le
Silicium, 0,3 V pour le Germanium.
8
9
IV. La jonction PN polarisée:
1) Polarisation en directe:
On dit qu'une jonction PN est polarisée
en directe lorsqu'on relie l'extrémité P au
pôle (+) et l'extrémité N au pôle (-) d'un
générateur de tension. Les champs externe
Eext crée par ce générateur au sein de la
jonction s'oppose au champ interne Ei. Tant que la tension U du
générateur reste inférieure à un certain seuil, Eext reste inférieur à Ei, et
les porteurs ne peuvent toujours pas traverser la jonction, il n'y a donc
pas de courant. Si la tension du générateur devient supérieure au seuil,
Eext devient supérieur à Ei, le champ résultant dans la jonction est
maintenant orienté de P cers N et va donc favoriser la diffusion des
électron de N vers P et des trous de P vers N. Il se crée alors un courant
électrique important de P vers N au sein de la jonction. On dit que la
diode est passante. Le seuil de tension à partir duquel la diode devient
passante est 0.65V pour le silicium. 10
2) Polarisation en inverse:
On dit qu'une jonction est polarisée en
inverse lorsque le potentiel de son
extrémité N est supérieur à celui
de son extrémité P. L'action du champ Eext
Créés par le générateur externe s'ajoute à
celle de champ interne Ei, les porteurs majoritaires sont repoussés
encore un peu plus loin de la jonction ce qui augmente la largeur de la
zone dépeuplée. Aucun courant important ne circule dans la jonction,
on dit qu'elle est bloquée.

11