N° d’ordre : PFE ….

/juin2016

Projet de fin d’études

Filière : SCIENCES DE LA MATIERE PHYSIQUE SEMESTRE 6

SMP6-Parcours 3-PI

L’Effet Hall et ses applications

Réalisé Par :

EL BARRICHI Fadoua

ER-RAHMANY Soukaina
Encadré Par :

Pr M. LOULIDI
Soutenu le 29-06-2016 Devant le jury :

M. LOULIDI Professeur, Faculté des sciences, Rabat Encadrant

A.KASSOU-OU-ALI Professeur, Faculté des sciences, Rabat Examinateur
A. RACHADI Professeur, Faculté des sciences, Rabat Examinateur
H.EZZAHRAOUY Professeur, Faculté des sciences, Rabat Examinateur

Année universitaire : 2015/2016

1
Dédicace :

Nous dédions ce travail à nos parents qui, grâce à leur soutien

et leur encouragement nous arrivons aujourd'hui au terme de ce
travail.
A nos frères et sœurs avec tous nos vœux de les voir réussir
dans leur vie.
A tous nos amis et camarades pendant nos années d'études et
que grâce à eux nous avons pu passer des moments inoubliables au
sein de la Faculté des Sciences de Rabat.

2
Remerciement

Nous remercions Dieu, le Tout Puissant, qui nous a données

l’opportunité de mener à bien ce travail.

Notre travail a été effectué au laboratoire de Magnétisme et Physique

des Hautes Energies.

Au terme de ce travail, nous tenons à remercier l'ensemble des

enseignants de la FSR à qui nous devons notre formation ainsi qu'aux
membres de jury.

Nous tenons tout particulièrement à remercier MR .Mohammed Loulidi

pour la qualité de son encadrement et pour ses conseils pertinents qui nous
ont été d'un appui considérable dans notre démarche.

Nous remercions également les jurys d’avoir assisté et soutenu ce

travail Enfin, nous voudrions remercier toute personne qui par leur aide ou
simplement par leur soutien a contribué d'une façon ou d'une autre à la bonne
réalisation de ce projet.

3
Sommaire
Dédicace : ................................................................................................................................................ 2
Remerciement.......................................................................................................................................... 3
Chapitre 1 : L’effet Hall Classique et ses applications :........................................................................ 11
I – L’effet Hall Classique : ................................................................................................................ 11
1-Principe de L’effet Hall:............................................................................................................. 11
2 – Equations de mouvements ....................................................................................................... 12
-Particule chargée en mouvement dans champ électromagnétique : ............................................. 12
3– Formalisme de Lagrange : ........................................................................................................ 14
4– Tenseur de conductivité :.......................................................................................................... 15
5- Modèle de Drude :..................................................................................................................... 16
II– Quelques applications de L’effet Hall ......................................................................................... 17
1-Tesla- mètre: mesure de champs magnétique ............................................................................ 18
1-1Définition de Tesla-mètre ........................................................................................................ 18
1-2 Principe ................................................................................................................................... 18
1-3Caractéristique ......................................................................................................................... 18
2 - Capteurs de courant à Effet Hall : ........................................................................................... 19
3 - Capteur à effet hall sous les touches de claviers : .................................................................... 20
4 - Capteur de position : ................................................................................................................ 20
Chapitre 2 : L’effet Hall Quantique....................................................................................................... 24
I-L’effet Hall quantique entier : ....................................................................................................... 24
1-Type de semi-conducteur utilisé : .............................................................................................. 24
1-1-Transistors a effet de champ : ................................................................................................. 24
1-2-Hétéro-structure semi-conductrice :........................................................................................ 25
2-Etude Expérimentale : ............................................................................................................ 27
3-Etude théorique ....................................................................................................................... 30
3-1- Niveaux de Landau ................................................................................................................ 30
II- L’effet Hall Quantique Fractionnaire : ......................................................................................... 35
1-Etude expérimentale :................................................................................................................. 35
1-1-Matériaux utilisée pour L’EHQF : .......................................................................................... 35
1-2-Etude expérimentale :............................................................................................................. 35
1-3-Rôle des Interactions :............................................................................................................. 37

4
 2-Etude théorique : ....................................................................................................................... 38
2-1-Théorie de fermions composites : .......................................................................................... 38
2-1-1-Les Fermions composites : .................................................................................................. 39
2-1-1-Principe de base : ................................................................................................................. 39
2-2-Lien entre L’EHQE et L’EHQF : ........................................................................................... 40
2-3Etude théorique : ..................................................................................................................... 42
2-4- Théorème du Laughlin : ......................................................................................................... 43
2-4-1-Caractéristiques de la fonction d'onde de Laughlin ............................................................ 44
2-4-2-Fonction d'onde de Laughlin ............................................................................................... 44
Chapitre 3 : Mécanique quantique d’un système de 2 particules chargées dans un plan à 2 dimensions
en présence d’un champ magnétique. .................................................................................................... 47
1-Résolution de l’équation de Schrödinger de deux particules chargées en coordonnées polaires :
....................................................................................................................................................... 47
Conclusion : ........................................................................................................................................... 53
Bibliographies ....................................................................................................................................... 55

5
 Listes des figures
Figure 1: l'effet Hall Classique ................................................................................................. 11
Figure 2:distribution de charge ................................................................................................ 12
Figure 3:Tesla-mètre ................................................................................................................ 18
Figure 4:capteur de courant ...................................................................................................... 19
Figure 5:touche de clavier ........................................................................................................ 20
Figure 6:capteur de position ..................................................................................................... 21
Figure 7:capteur de position pour voiture ................................................................................ 21
Figure 8:oscillation du signal ................................................................................................... 22
Figure 9:réponse sur le signal et diminution de l'amplitude..................................................... 22
Figure 10:formation d'un gaz 2D dans un transistor (I)figure d'un transistor, (a)niveau de
fermi a Vg=0,(b)niveau de fermi a vg>0,(c)formation d'un gaz 2D ........................................ 25
Figure 11:formation d'un gaz 2D dans une heterostructure ..................................................... 26
Figure 12:mesure de la conductivité ........................................................................................ 27
Figure 13:variation de la résistance longitudinale et de hall en fonction de la tension de la
grille ......................................................................................................................................... 28
Figure 14:variation de la résistance longitudinale en fonction de la tension de la grille(a), et la
résistance de hall en fonction de la tension de la grille (b) ...................................................... 29
Figure 15:variation de la résistance longitudinale et de hall en fonction du champ magnétique
.................................................................................................................................................. 30
Figure 16:variation du potentiel chimique ............................................................................... 33
Figure 17:variation du résistance longitudinale et de hall en fonction du température et du
champ magnétique.................................................................................................................... 36
Figure 18:variation de la résistance longitudinale et de hall en fonction du champ magnétique
a température constante ............................................................................................................ 36
Figure 19:rôle de l’interaction pour l'apparition des plateaux fractionnaire ............................ 38
Figure 20:vue schématique de 3 fermions composites portant 2 vortex(a), 4 vortex(b), 6
vortex(c) ................................................................................................................................... 39
Figure 21: la structure générale du spectre d'énergie a N corps a un remplissage v*=n .......... 40
Figure 22:comparaison entre les niveaux de landau et les niveaux des fermions composites . 41
Figure 23:le chemin de l'effet Hall entier vers l'effet Hall fractionnaire,(a) attachons a chaque
électrons 2 quantum de flux, (b)étendons le flux attaché pour obtenir des électrons dans un
champ plus élevée, (c) état de l'effet hall fractionnaire ............................................................ 41

6
Figure 24:(a)des électrons libres, (b) chaque électrons capture un quanta de flux et se
transforme en un fermion composite ........................................................................................ 42
Figure 25:variation de la fonction d’onde de laughlin ............................................................. 45

7
Introduction :

Ce qu’on appelle effet Hall est l’apparition d’une différence, de potentiel et d’un
champ électrique transversal dans un conducteur lorsque ce lui ci est soumis à un champ
magnétique transversal.

L’effet Hall ”classique”, découvert un siècle auparavant

par Edwin Hall (1879). Pendant sa thèse de doctorat, E. Hall essayait de répondre à une
question soulevée par Maxwell, de savoir si la résistance était affectée par le champ
magnétique, le courant devant ”frotter” sur les côtés. Il montre expérimentalement que sous
champ magnétique, un courant induit une tension dans la direction perpendiculaire et que ce
courant est proportionnel au champ magnétique appliqué.

L’effet Hall quantique constitue certainement une des découvertes les plus
remarquables de la fin du 𝑋𝑋`e siècle en Physique. Sa caractéristique la plus spectaculaire est
h
la mesure du rapport de constante universelle e ² . L’effet Hall quantique consiste en fait en

deux effets physiques différents.

L’un en 1985 où Von Klitzing, à découvert que la conductivité de Hall mesurée dans
un gaz bidimensionnel d’électrons (2-DEG) soumis à un fort champ magnétique est quantifiée
e²
en multiples de h . C’est l’effet Hall entier aux caractéristiques particulièrement

remarquables. En effet, la résistance de Hall ne dépend que des constantes fondamentales ‘e’
et ‘h’ et non pas des caractéristiques du système dans lequel il se manifeste (constante
diélectrique, taille de l’échantillon).

L’autre, l’effet Hall fractionnaire découvert par Tsui et Stormer, avec sa

e²
conductivité quantifiée en fractions de h la résolution de ce cas est plus difficile que le cas

entier. Au cours des tentatives de résolution de cette problématique complexe, Laughlin a

élaboré une théorie très novatrice en proposant une fonction d’onde à N corps pour le
fondamental du système de fermions fortement corrélés.

8
Cette théorie explique les propriétés essentielles de l’effet Hall fractionnaire. Elle fait
apparaître l’existence de quasi-particules de charges fractionnaires.
Ce mémoire comporte trois chapitres, Dans le premier chapitre, nous essayerons de
comprendre l’effet Hall Classique tout en établissant les équations de mouvements ainsi que
les applications de l’effet Hall car ce dernier n’est pas qu’une curiosité de laboratoire mais, Il
a aussi des applications extrêmement importantes puisqu’il permet de détecter un champ
magnétique ou ses variations simplement par une mesure de tension. Ainsi on peut concevoir
des capteurs à effet Hall (sous touche de clavier, dans les voitures …).
Dans le deuxième chapitre, nous passerons à l’effet hall quantique avec ses deux types (entier
et fractionnaire), on va discuter l’étude expérimentale, l’appariation des plateaux et la
quantifications de la résistance de Hall avec des nombres entier pour l’effet Hall quantique
entier et fractionnaire pour l’effet Hall quantique fractionnaire puis nous essayerons de
retrouver la quantifications de la résistance de hall mais cette fois ci avec une étude théorique
pour chaque type . On peut ainsi citer la possibilité de modifier la statistique des particules en
leur attachant des tubes de flux fictifs qui a conduit à l’existence des fermions composites. A
partir de ces quasi-particules, les états de l’effet Hall fractionnaire apparaissent comme des
états de l’effet Hall entier.

Dans la dernière partie, on s’est intéressé à une application qui consiste à étudier l'état
quantique de deux particules chargées dans un plan à 2 dimensions en présence d’un champ
magnétique en utilisant le système des coordonnées polaires (particules dans un champ
magnétique uniforme).

9
Chapitre 1 : Effet Hall
Classique et Ses
Applications

10
Chapitre 1 : L’effet Hall Classique et ses applications :
I – L’effet Hall Classique :

1-Principe de L’effet Hall:

L’effet Hall classique a été découvert en 187 9par Edwin Herbert Hall : Un
courant traversant un matériau baignant dans un champ magnétique engendre une tension
perpendiculaire à ceux-ci.

Lorsque le courant traverse un barreau en matériau semi-conducteur (ou

conducteur) et un champ magnétique B appliquée perpendiculairement au sens de passage de
courant,
Une tension appelé tension de Hall VH apparait sur les faces latérales du barreau.

Figure 1: l'effet Hall Classique

Cette tension est proportionnelle à la vitesse de déplacement des porteurs de charge,

qui est considérablement plus grandes dans les semi conducteur que dans les conducteurs.

11
 On Sait que le champ magnétique agit sur les charges en mouvement, et puisque le
courant qui traverse le matériau et produit par des charges (les électrons libres) qui se
déplacent avec la vitesse V, ces électrons sont soumis à une force appelée la force de Lorentz.

𝑭𝒎 = −𝒆. 𝒗 ⋀ 𝑩
Le déplacement des électrons donnent une accumulation de charges(+) sur l’un des
cotées du matériau ainsi que des charges (-) dans le coté opposé. Cette distribution de Charge
donne naissance à une tension appelée tension de Hall ainsi qu’un champ électrique agissant
sur les électrons.

Figure 2:distribution de charge

Ce champ électrique est responsable induit une force électrique agissant sur les
électrons.

𝑭𝒆 = −𝒆. 𝑬𝑯

L’équilibre est atteint lorsque la somme des deux forces et nulle (deuxième loi de
newton). On peut alors écrire. [1]

𝑬𝑯 = −𝒗 ∧ 𝑩

2 – Equations de mouvements
-Particule chargée en mouvement dans champ électromagnétique :

Considérons une particule de charge q qui entre dans une zone où règnent un champ
électrique uniforme et constant ainsi qu’un champ magnétique uniforme et constant.

12
Les champs E et B sont orthogonaux et le dispositif est tel que la vitesse initiale est
orthogonale à E et B.

Écrivons la deuxième loi de newton, appliqué à la particule en négligeant le poids on obtient :

𝒅𝒗
𝒎 = q (𝑬 + 𝑽⋀𝑩)
𝒅𝒕

𝒙 𝟎 𝒙 𝒕 𝟎
m 𝒚 = q −𝑬 + q 𝒚 𝒕 ^ 𝟎
𝒛 𝟎 𝒛 𝒕 −𝑩

𝒎𝒙 𝒕 = −𝒒𝑩𝒚 𝒕
𝒎𝒚 𝒕 = −𝒒𝑬 + 𝒒𝑩𝒙 𝒕
𝒎𝒛 𝒕 = 𝟎

La dernière équation combinée à 𝑽𝒛 (0) = 0 nous apprends que le mouvement est plan,
ce que nous savions déjà.
𝒒𝑩
En introduisant la pulsation (cyclotron) : 𝑾𝟎 = les équations s'écrivent selon :
𝒎

𝒙 𝒕 + 𝑾𝟎 𝒚 𝒕 = 𝟎 𝒙 𝒕 + 𝑾𝟎 𝒚 𝒕 = 𝟎
−𝒒𝑬 𝑾𝟎 𝑬
𝒚 𝒕 − 𝑾𝟎 𝒙 𝒕 = 𝒚 𝒕 − 𝑾𝟎 𝒙 𝒕 =
𝒎 𝑩

Afin de résoudre ces équations, nous introduisons la variable complexe Z(t) = x(t) + i y(t).
Nous obtenons :

𝑬 𝑬
𝒛 𝒕 = 𝑽𝟎 − 𝑩 𝒆𝒋𝑾𝟎 𝒕 + 𝑩

13
 𝑬 𝑬
𝑽𝒙 𝒕 = 𝑹 𝒆 𝒛 𝒕 = 𝑽𝟎 − 𝑩 𝒄𝒐𝒔 𝑾𝟎 𝒕 + 𝑩
𝑬
𝒛 𝒕 = 𝑽𝟎 − 𝑩 𝒔𝒊𝒏 𝑾𝟎 𝒕
𝑽𝒚 𝒕 = 𝑰 𝒎

En tenant compte des conditions initiales X(0)=Y(0)=0 nous trouvons :

𝟏 𝑬 𝑬
𝒙 𝒕 =𝑾 𝑽𝟎 − 𝑩 𝒔𝒊𝒏 𝑾𝟎 𝒕 + 𝑩 𝒕
𝟎
𝟏 𝑬
𝒚 𝒕 =𝑾 𝑽𝟎 − 𝑩 𝟏 − 𝒄𝒐𝒔 𝑾𝟎 𝒕
𝟎

Nous pouvons écrire l’expression de X(t) sous la forme : 𝒙 𝒕 = 𝒙𝟏 𝒕 + 𝒙𝟐 𝒕

𝟏 𝑬 𝑬
Ou : 𝒙𝟏 𝒕 = 𝑾 (𝑽𝟎 − 𝑩) 𝐬𝐢𝐧(𝑾𝟎 𝒕) et : 𝒙𝟐 𝒕 = 𝑩 𝒕
𝟎

Ainsi que : 𝑦 𝑡 = 𝑦1 𝑡 , nous pouvons dire que le mouvement globale est la superposition
de :
𝟏 𝑬
(𝒙𝟏 (t),𝒚𝟏 (t)) : cercle de rayon | 𝑾 (𝑽𝟎 - 𝑩 )|.
𝟎

𝐸
(𝒙𝟐 𝒕 , 0) : Trajectoire rectiligne uniforme de vitesse .[2]
𝐵

3– Formalisme de Lagrange :

Les équations de mouvement peuvent être retrouvées à partir de lagrangien :

𝟏
𝑳 = 𝑳𝒙𝒚 + 𝒎𝒛𝟐
𝟐
𝟏 𝒒
Avec : 𝑳𝒙𝒚 𝒙, 𝒚, 𝒙, 𝒚 = 𝟐 𝒎 𝒙² + 𝒚² + 𝒄 𝑨𝒙 𝒙 + 𝑨𝒚 𝒚

Où 𝑨𝒙 (x, y) et 𝑨𝒚 (x, y) sont les composantes d’un vecteur A tel que B = rot A,
soit :B = 𝒅𝒙 𝑨𝒚 −𝒅𝒚 𝑨𝒙 . En effet, les équations d’Euler-Lagrange :[2]

𝒅 𝒅𝑳 𝒅𝑳
− =𝟎
𝒅𝒕 𝒅𝒒𝒊 𝒅𝒒𝒊

Conduisent a :

14
𝒅 𝒒 𝒒
𝒎𝒙 + 𝒄 𝑨𝒙 − 𝒄 𝒙𝒅𝒙𝑨𝒙 + 𝒚𝒅𝒙𝑨𝒚 = 𝟎
𝒅𝒕
𝒅 𝒒 𝒒
𝒎𝒙 + 𝒄 𝑨𝒚 − 𝒄 𝒙𝒅𝒚𝑨𝒙 + 𝒚𝒅𝒚𝑨𝒚 = 𝟎
𝒅𝒕

𝒒 𝒒 𝒒
𝒎𝒙 + 𝒄 𝒅𝒕𝑨𝒙 + 𝒄 𝒙𝒅𝒙𝑨𝒙 + 𝒚𝒅𝒚𝑨𝒙 − 𝒄 𝒙𝒅𝒙𝑨𝒙 + 𝒚𝒅𝒙𝑨𝒚 = 𝟎
𝒒 𝒒 𝒒
𝒎𝒚 + 𝒄 𝒅𝒕𝑨𝒚 + 𝒄 𝒙𝒅𝒙𝑨𝒚 + 𝒚𝒅𝒚𝑨𝒚 − 𝒄 𝒙𝒅𝒚𝑨𝒙 + 𝒚𝒅𝒚𝑨𝒚 = 𝟎

Si le champ magnétique est indépendant du temps :

𝒅𝒕𝑨𝒙 = 𝒅𝒕𝑨𝒚 = 𝟎

Donc on trouve :

𝒒
𝒎𝒙 = 𝒄 𝒚 𝒅𝒙𝑨𝒚 − 𝒅𝒚𝑨𝒙
𝒒
𝒎𝒚 = 𝒄 𝒙 𝒅𝒚𝑨𝒙 − 𝒅𝒙𝑨𝒚

𝒒𝑩
𝒙 = 𝒎𝒄 𝒚
−𝒒𝑩
𝒚= 𝒙
𝒎𝒄

4– Tenseur de conductivité :

Pour décrire le transport électronique en présence d’un champ magnétique, il est

nécessaire maintenant d’introduire un tenseur de conductivité σ tel que j =σ E pour
généraliser la relation scalaire j=σ E.
On définit ainsi le tenseur de conductivité :

𝒋𝒙 𝑬𝒙 𝝇𝒙𝒙 𝝇𝒙𝒚 𝑬𝒙
𝒋𝒚 = 𝝇 𝑬𝒚 = 𝝇𝒚𝒙 𝝇𝒚𝒚 × 𝑬𝒚

Le tenseur de résistivité est donné par :

𝑬𝒙 𝝆𝒙𝒙 𝝆𝒙𝒚 𝒋𝒙
𝑬𝒚 = 𝝆 𝝆𝒚𝒙 𝝆𝒚𝒚 𝒋𝒚

15
 L’inversion du tenseur de résistivité conduit aux relations suivantes :

𝟏 𝟏 𝝆𝒚𝒚 −𝝆𝒚𝒙
𝝇= = 𝟐 𝟐 −𝝆 𝝆𝒙𝒙
𝝆 𝝆𝒙𝒙 + 𝝆𝒙𝒚 𝒙𝒚
On trouve :
𝟏 𝟏 𝝆𝒙𝒚
𝝇𝒙𝒙 = = 𝒆𝒕𝝇𝒙𝒚 =
𝝆 𝝆²𝒙𝒙 + 𝝆²𝒙𝒚 𝝆²𝒙𝒙 + 𝝆²𝒙𝒚

Or :

𝒎𝑽𝒙 𝒎𝑽𝒚
𝑬𝒙 = − 𝑽𝒚 𝑩𝒆𝒕𝑬𝒚 = + 𝑽𝒚 𝑩
𝒒𝝉 𝒒𝝉

Donc :

𝟏 𝑩 𝑩 𝟏
𝑬𝒙 = 𝒋𝒙 − 𝒋𝒚 𝒆𝒕𝑬𝒚 = 𝒋𝒙 + 𝒋𝒚
𝝇 𝒏𝒒 𝒏𝒒 𝝇

Le tenseur de résistivité s’écrit comme suit :

𝟏 −𝑩
𝝇 𝒏𝒒
𝝆 = 𝑩 𝟏
𝒏𝒒 𝝇

L’inversion de tenseur de résistivité conduit à :

𝝇 𝟏 𝑾𝟎 𝝉
𝝇=
𝟏 + 𝑾𝟎 𝝉 −𝑾 𝟎𝝉 𝟏

𝒏𝒒²𝝉
Avec : 𝝇 = est la conductivité en champ nul.[2]
𝒎

5- Modèle de Drude :

Le modèle de Drude (du nom du physicien Paul Drude), parfois appelé modèle de
l'électron amorti, est une adaptation effectuée en 1900 de la théorie cinétique des gaz aux
électrons des métaux ,En considérant les électrons d'un métal comme des particules
classiques ponctuelles confinées à l'intérieur du volume défini par l'ensemble des atomes

16
 de l'échantillon, on obtient un gaz qui est entraîné dans un mouvement d'ensemble par des
champs électriques et magnétiques et freiné dans ce mouvement par des collisions. Les
collisions envisagées par Drude sont les collisions sur les cœurs d'atomes. Bien que se
basant sur des hypothèses démenties depuis (description purement classique du
mouvement des électrons), il permet de rendre compte de plusieurs propriétés des métaux
comme la conductivité électrique, la conductivité thermique et l'effet Hall.
On considère les collisions entre les porteurs de charges et en applique la deuxième loi de
newton, on aura l’équation suivante.
𝒅𝒑 𝟏
+𝜻P=F
𝒅𝒕
1
Avec : P : la force des collisions
𝜁

Et: 𝜁 le temps de relaxation c'est-à-dire le temps entre 2 chocs.

Et : F la force due à la présence du champ électrique F = qE. Et P l’impulsion
moyenne
C’est on considère que le temps de relaxation est infini donc on n’aura pas de choc entre
les particules.
𝑷
Soit une densité de courant : j = n q V Avec : V = 𝒎

Si la force est constante P devient constante dans le temps : P →ζ F.

Donc on aura : P=ζF=ζqE

𝒏𝒒²𝜻𝑬
Donc : J= 𝒎

Et on sait que : j=σE

𝒏𝒒²𝜻
Ce qui donne que : σ= Conductivité. [2]
𝒎

II– Quelques applications de L’effet Hall

L'effet Hall peut être utilisé pour des mesures de champ de très faible magnitude ou de
courant de très faible intensité. Comme il peut être exploité dans des applications
technologiques telles que les systèmes embarqués dans l'automobile.

Les capteurs à effet Hall permettent de mesurer :

17
1-Tesla- mètre: mesure de champs magnétique

1-1Définition de Tesla-mètre

Le Tesla mètre est un appareil électronique équipé d’une sonde qui transforme le
champ magnétique en différence de potentiel par effet hall permet de mesurer des champs
magnétiques inférieurs à 67mT.

Figure 3:Tesla-mètre

1-2 Principe
Une sonde à effet hall à trois électrodes est alimentée par une tension continue stabilisée, on
recueille sur deux des électrodes une tension dite de Hall qui est fonction des champs
magnétique normale au plan de la sonde. Le traitement de ce signal par l’intermédiaire du
boiter permet d’obtenir sortie du Tesla-mètre, une tension Vs proportionnelle aux champs
magnétique :

1V⟺20mT

Une inversion du signal de la tension indique une inversion de polarité.

1-3Caractéristique
Le Tesla –mètre st constitué.

*D’un boiter

-Alimentation -15V /+15V

-Potentiomètre multi tour pour le réglage de la tension d’alimentation du capteur

18
-Potentiomètre multi tour pour le réglage du 0 mT (mise à zéro)

-Potentiomètre multi tour pour le réglage de la pente (1V⟺20mT)

-Deux potentiomètres mono tour pour l réglage de l’offset des deux amplificateurs
opérationnels

-Embase HE 10 mâle pour le branchement de la sonde

-Système de protection des amplificateurs opérationnels contre un mauvais branchement

de l’alimentation

*D’une sonde

-Capture de Hall

-Fiche femelle HE 10.

2 - Capteurs de courant à Effet Hall :

Le capteur de courant à effet Hall est un type de capteur de courant exploitant l'effet
hall pour produire une tension qui est l'image exacte (avec un facteur de proportionnalité
connu) du courant à mesurer ou à visualiser.

Le capteur représenté ci-dessous délivre en sortie une tension UH quasiment proportionnelle

au champ magnétique et donc dépendant de l'intensité I : le courant à visualiser est appliqué à
un enroulement de circuit magnétique qui produit un champ magnétique responsable de
l'apparition de la tension « Hall » UH. [3]

Figure 4:capteur de courant

19
3 - Capteur à effet hall sous les touches de claviers :

Figure 5:touche de clavier

Chaque touche de clavier est munie d’un capteur qui permet de mesure avec précision la
position de la touche.

Le capteur utilisé pour lire la position d’une touche est un capteur à effet hall. Ce dernier
fourni une tension proportionnelles au champ magnétique ambiant. Afin de générer un champ
magnétique on installe un aimant permanent sur chacune des touches des claviers. Lors du
mouvement de la touche le changement de position de l’aimant permanent fourni
nécessairement une variation du champ magnétique ambiant qui est détecté par le capteur à
effet hall. [4]

4 - Capteur de position :

Les capteurs de position sont les capteurs les plus répandus dans les automatismes. Ils
sont utilisés pour détecter:

- la position précise d’un objet.

-La présence d’un objet.

-L’angle de rotation d’un arbre.

-Le niveau d’un fluide.

-L’épaisseur d’une pièce.

Les capteurs de position à variation de champ magnétique fonctionnent par

observation d'un Champ magnétique statique (soit sa valeur, soit l'effet de sa présence, soit
encore sa direction).

20
Le champ est généré par un aimant en déplacement par rapport à l'élément sensible qui peut
être soit une magnétorésistance (mesure de l'effet du champ),
Soit une sonde à effet Hall (mesure de l'effet du champ sur un courant).

Figure 6:capteur de position

Ce type de capteur fonctionne avec un signal statique. Le flux magnétique statique

passant dans une sonde à effet Hall donnera le signal. Ce flux est créé par un aimant puis
séparé par un circuit magnétique en au moins deux parties dont l'une est mesurée par la sonde.
La mesure doit être fonction de la position de l'aimant.

Par exemple pour déterminer la position précise d’un objet :

Un détecteur de proximité inductif (Figure) détecte tout objet qui a Un effet sur un champ
magnétique. Donc, le détecteur de proximité inductif détectera uniquement des objets
métalliques. Tout objet non-métallique ne
Sera pas détecte.

Figure 7:capteur de position pour voiture

Ce détecteur comporte un circuit oscillateur qui envoie une tension alternative

dans une bobine localisée au bout du capteur (Figure)

21
 Figure 8:oscillation du signal

Un champ magnétique alternatif est émis au bout du capteur. Si un objet métallique se

présente dans ce champ magnétique, il y aura apparition d'un courant induit, dit courant de
Foucault (les anglophones le désignent sous le nom de courant D’Eddy). Le courant de
Foucault qui apparait dans l'objet métallique prélève de l'énergie au circuit oscillateur.
L'amplitude et la fréquence de l'oscillateur change lorsqu'un objet est présent. Plus l’objet est
prés, plus l'amplitude diminue (Figure9). [5]

Figure 9:réponse sur le signal et diminution de l'amplitude

22
Chapitre 2 : l’Effet Hall
Quantique

23
Chapitre 2 : L’effet Hall Quantique
I-L’effet Hall quantique entier :

En 1980, Klaus Von Klitzing, découvrit dans le cas de semi-conducteurs à très

basse température plongés dans un champ magnétique intense que la résistance de Hall RH
𝑕
variait par paliers en liaison avec un multiple entier de , où e est La charge électrique
𝑒

élémentaire et h la constante de Planck. La résistance de Hall est donc quantifiée en unités de

𝑕
divisé par un entier. C’est ce qu’on appelle l’effet hall quantique entier (EHQE).
𝑒

1-Type de semi-conducteur utilisé :

Deux types de matériaux ont été utilisés pour réaliser un gaz d'électrons : Le
MOSFET (un transistor à effet de champ) et une hétéro-structure semi conductrice.

1-1-Transistors a effet de champ :

C'est une structure composée d'une couche d'oxyde insérée entre une couche de
métal et une couche semi-conductrice (voir figure ci dessous). On le désigne par MOS
Fet : Fet pour transistor a effet de champ et Mos pour ses composantes {métal, Oxyde et
semi-conducteur}.

24
Figure 10:formation d'un gaz 2D dans un transistor (I)figure d'un transistor, (a)niveau de
fermi a Vg=0,(b)niveau de fermi a vg>0,(c)formation d'un gaz 2D

Dans la figure (I) on a représenté la structure d’un Mos Fet : une couche métallique
séparée d’un semi conducteur par une couche isolante (oxyde). Le potentiel chimique du
métal peut être contrôlé par une tension de grille VG.

A VG=0 On aura la Figure (1-a) : le niveau de fermi (EF) se trouve entre la bande de
conduction (Bande qui vient juste au dessus de la bande de valence elle est soit vide soit
partiellement remplie) et la bande de valence (dernière bande permise elle est totalement
remplie) dans le semi- conducteur en dessus de niveau d’accepteur.

Lorsqu’on abaisse le potentiel chimique par VG>0 On aura la Figure (b) c'est-à-dire
dans le métal on y introduit des trous qui par l’effet capacitif attirent les électrons du semi-
conducteur vers la surface avec l’isolant. Cela a pour effet de courber vers le bas les
bandes de semi-conducteur lorsqu’on s’approche de l’interface ? D’abord les électrons
attirés vers l’interface remplissent les niveaux d’accepteurs qui se trouvent maintenant en
dessous de(EF).

En abaissant le potentiel chimique d’avantage on aura La Figure (c) : la bande de

conduction se remplit près de l’isolant et un gaz d’électrons a 2 dimension se forme .

1-2-Hétéro-structure semi-conductrice :
Le problème du MOSFET est le manque de séparation spatiale entre le gaz
d’électrons 2D et les dopants, qui agissent également comme des diffuseurs. Cela mène à un
libre parcours moyen relativement court et donc à une basse mobilité des électrons 2D. Ce

25
problème est contourné dans un gaz 2D qui se forme à l’interface d’une Hétéro-structure
semi-conductrice.

Figure 11:formation d'un gaz 2D dans une hétéro-structure

Dans Le Cas du composé GaAs/Al GaAs (III- V) : Les deux semi-conducteurs n’ont
pas le même gap entre leurs bandes de conduction et de valence respectives. Lorsqu’on dope
le côté AlxGa1−xAs, avec la plus grande énergie de la bande interdite (gap) , les niveaux des
dopants récepteurs dans la partie Al Ga As sont occupés par des électrons, et l’énergie de
Fermi est donc accrochée aux niveaux des récepteurs dans la partie Al Ga As, qui peuvent
avoir une plus haute énergie que la bande de conduction dans la partie GaAs. Il est donc
´énergétiquement favorable pour les électrons qui occupent les niveaux des récepteurs dans la
partie Al Ga As proches de l’interface de sauter dans cette bande de conduction [figure11-a],
la polarisation des électrons de la partie Al Ga As vers l’interface avec la partie Ga As a pour
effet une courbure des bandes, similaire à celle dans un MOSFET. On obtient ainsi un gaz
d’électrons 2D à l’interface, mais cette fois-ci de la côté de GaAs qui n’est pas désordonné par
les dopants. Cette séparation spatiale permet donc d’avoir une mobilité accrue par rapport aux
MOSFET.[6]

1-3-Mesure de La conductivité

La Conductivité joue un rôle fondamental dans la découverte de l’effet Hall quantique.

Le principe de sa mesure est illustré par la figure suivante :

26
 Figure 12:mesure de la conductivité

Dans la Figure on a un courant I qui traverse l’échantillon et on mesure la différence de

potentiel appliquée :

(𝜇 𝐵 −𝜇 𝐴 ) (𝜇 𝐶 −𝜇 𝐴 )
𝑉𝐿 = 𝑉𝐴𝐵 = Et 𝑉𝐻 = 𝑉𝐴𝐶 =
𝑞 𝑞

Dans cette situation le champ électrique extérieur est appliquée suivant la direction x et y.

𝑰
Si on suppose que le courant est uniforme suivant x, 𝒊𝒚 = 𝑾 et 𝒊𝒙 = 𝟎, où w est la largeur de

l'échantillon

Donc on aura :

𝑾𝑽𝑨𝑩 𝑾𝑽𝑨𝑩
𝑬𝒙 = 𝑰𝑳
𝝆𝒚𝒚= 𝑰𝑳

𝑽𝑨𝑩 𝑽𝑨𝑪
𝑬𝒚 = 𝝆𝒙𝒚 = = 𝑹𝑯
𝑳 𝑰

2-Etude Expérimentale :

D'après la théorie de Drude qui semble être réaliste au niveau classique, les résistivités
longitudinale et de Hall sont données respectivement par:

𝒎 𝑩
𝝆𝒙𝒙 =𝝆𝒚𝒚 = 𝒏𝒒² Et 𝝆𝒙𝒚 = −𝝆𝒚𝒙 = 𝒏𝒒

27
 Dans un champ magnétique faible, la résistivité de Hall décroit donc de manière
inversement proportionnelle à la densité électronique, et elle ne dépend pas du temps de
relaxation ζ.

À champ magnétique faible, la résistivité diagonale est effectivement approximativement

constante et la résistivité de Hall augmente linéairement avec le champ. Le comportement
réelle en régime permanant et toutefois bien différent

Figure 13:variation de la résistance longitudinale et de hall en fonction de la tension de la

grille

La Figure nous montre la conductivité longitudinale 𝜍𝑥𝑥 et la conductivité de Hall -𝜍𝑥𝑦 en

fonction de la tension de grille 𝑉𝑔 .Il apparait des régions ou 𝜍𝑥𝑥 devient très faible, alors que
𝑛𝑞
−𝜍𝑥𝑦 se rapproche de c'est-à-dire l’inverse de 𝜌𝑥𝑦 dans la théorie de Drude.[7]
𝐵

Par Ailleurs Von Klitzing a réalisé des mesures très précieuses du tenseur de
conductivité dans un échantillon de Mos Fet en silicium en 1980. Il a obtenu les résultats
suivants :

28
 Figure 14:variation de la résistance longitudinale en fonction de la tension de la grille(a),
et la résistance de hall en fonction de la tension de la grille (b)

Dans les figures (a) et (b) on représente la variation de la résistivité longitudinale (Fig.
(a)) et la conductivité de Hall (Fig. (b)) en fonction de la tension de la grille à champ
magnétique constant.

On voit d’une part que la résistivité longitudinale oscille fortement avec des minimums
quasi-nul (Fig. (a)) Alors que des plateaux apparaissent dans la résistivité de Hall qui reste
constante même si la densité varie (Fig. (b)).

Ces régions de plateaux coïncident avec l’annulation de la résistivité longitudinale ainsi

que les valeurs de la résistivité de Hall dans la région des plateaux est exactement donnée par
𝑕
divisée par un entier.
𝑒²

𝑒²
⇒ Cela signifie que la conductivité de Hall 𝜍𝑥𝑦 est quantifiée en unité de 𝑕 .

Il est important de souligner que la découverte de la quantification de la conductivité de

Hall a ouvert la voie à des mesures extrêmement précises de la valeur de la constante
𝑒²
physique 𝑕 . La valeur obtenue à partir des plateaux découverts par Von Klitzing coïncide avec
𝑒²
la valeur de obtenue de manière indépendante avec une précision de cinq chiffres
𝑕

significatifs.[8]

Les raisons qui expliquent une telle particularité tiennent à la bidimentialité du système car la
résistivité de Hall ne dépend pas de la dimension de l’échantillon. Pour mesurer 𝑅𝐻 il suffit de
𝑉𝐴𝐶
mesurer la différence de potentiel appliquée et le courant car 𝑅𝐻 = .
𝐼

29
On constate que les plateaux se forment exclusivement dans la région de fort champ
magnétique comme c’est indiqué dans la Figure suivante :

Figure 15:variation de la résistance longitudinale et de hall en fonction du champ

magnétique

On observe que 𝜌𝑥𝑦 présente un profil de marche d’escalier donc la résistivité de Hal à très
𝑕
faible température est quantifié en unité de alors que la résistivité longitudinale s’annule
𝑒²

dans la zone des plateaux.

3-Etude théorique
3-1- Niveaux de Landau

Pour discuter l’effet Hall quantique entier, nous reprenons le calcul, dans la jauge de
landau avec un champ électrique dans la direction y. Si le champ est uniforme, le potentiel est
donné par V(y)=−Ey, et l’hamiltonien devient :

𝟏 𝟏 𝒆
𝑯= 𝒎𝝑𝟐 + 𝑽 𝒂𝒗𝒆𝒄 𝝑= 𝒑− 𝑨
𝟐 𝒎 𝒄

𝟏 𝒆𝑩 𝟐 𝟏
H= 𝟐𝒎 𝒑𝒙 − 𝒚 + 𝟐𝒎 𝒑𝟐𝒚 + 𝒆𝑬𝒚
𝒄

30
En choisissant la Jauge de landau

𝑨𝒙 = - By ; Ay=0 ; 𝑨𝒛 =0

et en considérant que 𝝓 𝒙, 𝒚 = 𝒆𝒊𝒌𝒙 𝒙 𝝓 𝒚 , l'équation de Schrödinger devient:

𝟐
𝟏 𝒆𝑩 𝟏 𝟐
ℏ𝒌𝒙 − 𝒚 + 𝒑 + 𝒆𝑬𝒚 𝝓 𝒚 = 𝑬𝝓(𝒚)
𝟐𝒎 𝒄 𝟐𝒎 𝒚

Sachant que l’énergie d’un oscillateur harmonique décalée en absence du champ électrique
est :

𝟏 ℏ𝟐 𝑲 𝟐
𝑬 = ℏ𝒘𝒄 𝒏+ +
𝟐 𝟐𝒎

Alors l'équation de Schrödinger est celle d'un oscillateur harmonique décalé, mais cette fois
le centre de l’oscillateur harmonique dépend du champ électrique. [2]

𝟐
𝟏 𝒆𝑩 𝟏 𝟏 𝟐
ℏ𝒌𝒙 − 𝒚 + 𝒑𝒚 𝟐 + 𝒆𝑬𝒚 = 𝒎𝒘𝟐𝒄 (𝒚 − 𝒚 𝒌𝒙 +𝑨
𝟐𝒎 𝒄 𝟐𝒎 𝟐

ℏ𝟐 𝒌𝟐 𝒆𝑩 𝟏 𝒆𝟐 𝑩𝟐 𝟏 𝟏
⇒ 𝟐𝒎𝒙 − 𝒎𝒄 ℏ𝒌𝒚 𝒚 + 𝟐𝒎 𝒚𝟐 + 𝒆𝑬𝒚 = 𝟐 𝒎𝒘𝟐𝒄 𝒚𝟐 − 𝒎𝒘𝟐𝒄 𝒚𝒚 𝒌𝒙 + 𝟐 𝒎𝒘𝟐𝒄 𝒚(𝒚𝒌𝒙 )𝟐
𝒄𝟐

𝒆𝑩
− 𝒎𝒄 ℏ𝒌𝒙 + 𝒆𝑬 = −𝒎𝒘𝟐𝒄 𝒚(𝒌𝒙 )

ℏ𝟐 𝒌𝟐𝒙 𝟏 𝟐
= 𝒘 𝒚(𝒌𝒙 )𝟐 + 𝑨
𝟐𝒎 𝟐𝒎 𝒄

𝒆𝑬 𝒄ℏ𝒌𝒙
⇒ 𝒚 𝒌𝒙 = − 𝟐
+
𝒎𝒘𝒄 𝒆𝑩

ℏ𝟐 𝒌𝟐𝒙 𝟏 𝑩𝟐 𝒆𝟐 𝑬𝟐 𝒄𝟐 ℏ𝟐 𝒌𝟐𝒙 𝟐𝒆𝑬 𝒄ℏ𝒌𝒙

𝑨 = − 𝒎𝒄𝟐 𝟐 𝟐 𝟐 𝟒
+ 𝟐 𝟐 −
𝟐𝒎 𝟐 𝒎 𝒄 𝒎 𝒘𝒄 𝒆 𝑩 𝒎𝒘𝟐𝒄 𝒆𝑩

𝟏 𝒆𝟐 𝑬 𝟐 𝟏 𝟐𝒆𝑬 𝒄ℏ𝒌𝒙
= − 𝒎 𝟐 𝟐 + 𝒎𝒘𝟐𝒄
𝟐 𝒎 𝒘𝒄 𝟐 𝒎𝒘𝟐𝒄 𝒆𝑩

𝟏 𝑬𝟐 𝑬
=− 𝒎𝒄𝟐 𝟐 + 𝒄ℏ𝒌𝒙
𝟐 𝑩 𝑩

31
 𝒆𝟐 𝑬 𝟐 𝒆𝑬 𝑬𝟐 𝑬
Mais 𝒆𝑬𝒚 𝒌𝒙 = − 𝒎𝒆𝟐 𝑩𝟐 𝒎𝒄𝟐 + 𝒄ℏ𝒌𝒙 𝒆𝑩 = −𝒎𝒄𝟐 𝑩𝟐 + 𝒄ℏ𝒌𝒙 𝑩

Finalement

𝟏 𝑬𝟐
𝑨 = 𝒆𝑬𝒚 𝒌𝒙 + 𝒎𝒄𝟐 𝟐
𝟐 𝑩

Les énergies propres sont donc données par :

𝟏 𝟏 𝑬𝟐
ℇ𝒏,𝒌𝒙 = ℏ𝒘𝒄 𝒏 + + 𝒆𝑬𝒚 𝒌𝒙 + 𝒎𝒄𝟐 𝟐
𝟐 𝟐 𝑩

Le courant porté par chaque état propre :

𝒆
𝑷+𝒄𝑨
𝒋 = 𝒆𝒗 = −𝒆
𝒎

𝒋 𝒆 𝒆 𝒆 𝒆𝑩𝒚
𝒙 =− 𝒑𝒙 + 𝑨𝒙 =− 𝒑𝒙 −
𝒎 𝒄 𝒎 𝒄

𝒆 𝒆𝟐
𝒏, 𝒌𝒙 𝒋𝒙 𝒏, 𝒌𝒙 = − ℏ𝒌𝒙 + 𝑩𝒚
𝒎 𝒎𝒄 𝒌𝒙

𝒆 𝒆𝟐 𝒄ℏ 𝒆𝟐 𝒆𝑬
= − 𝒎 ℏ𝒌𝒙 + 𝒎𝒄 𝑩 𝒆𝑩 𝒌𝒙 − 𝒎𝒄 𝑩 𝒎𝒘𝟐
𝒄

𝑬
= −𝒆𝒄
𝑩

Dans ce modèle où le champ électrique est uniforme, le courant total est simplement
proportionnel au nombre d’électrons puisque tous les états portent le même courant.
Supposons désormais que le potentiel ne soit pas simplement linéaire, mais qu’il confine le
gaz d’électrons :

32
 Figure 16:variation du potentiel chimique

Si on parle de potentiel chimique c'est que le nombre de particules n'est pas constant et
𝑑𝐸
que 𝜇 = 𝑑𝑁 .

Au centre, le potentiel varie très peu, le champ est pratiquement nul, et les états ne
portent pas de courant. Du coup, le courant total ne dépend plus du remplissage de façon
simplement linéaire. Par contre, on peut montrer que si le niveau de Landau est plein,
l’intensité ne dépend que de la différence de potentiel, indépendamment de la façon dont varie
le champ électrique.
En effet, pour estimer le courant si le champ électrique ne varie pas trop vite, on peut encore
utiliser le résultat précédent en prenant en compte la dépendance du champ électrique par
rapport à y :

−𝒆𝒄
𝑱𝒙 𝒌𝒙 = 𝑬𝒚 𝒌𝒙
𝑩

La différence de potentiel dans la direction y est donnée par :

∆𝑽 = − 𝑬 𝒚 𝒅𝒚 = − 𝑬 𝒚 ∆𝒚
𝒌𝒙

Où ∆𝑦 désigne l’espacement entre valeurs de y du fait de la quantification de Kx .Or Kx est

2𝜋
quantifié en unités de 𝐿 ,
𝑥

𝒄ℏ 𝒆𝑬
et 𝒚 𝒌𝒙 = 𝒆𝑩 𝑲𝒙 − 𝒎𝒘 𝟐
𝒄

,Du coup

𝒄ℏ 𝒄ℏ 𝟐𝝅
∆𝒚 = ∆𝒌𝒙 =
𝒆𝑩 𝒆𝑩 𝑳𝒙

33
Ainsi, la valeur moyenne du courant total est donnée par :

𝐽𝑡𝑜𝑡 = 𝑘𝑥 𝑗𝑥 𝑘𝑥

𝑒𝑐 1
=− 𝐸(𝑦 𝑘𝑥 )∆𝑦
𝐵 ∆𝑦
𝑘𝑥

𝑒𝑐 𝑒𝐵 𝐿𝑥
=− (−∆𝑉)
𝐵 𝑐ℏ 2𝜋

𝑒2
= ∆𝑉
𝑕

𝐽
La densité de courant est égale à𝐿 𝑡𝑜𝑡𝐿 , et l’intensité du courant est égale à la densité de courant
𝑥 𝑦

multipliée par la section, c’est-à-dire ici la largeur Ly. On en déduit que :

𝒆𝟐
𝑰𝒏 = ∆𝑽
𝒉

𝒆𝟐
Si n niveaux de Landau sont pleins, la conductance de Hall est donc : 𝑮𝒙𝒚 = 𝒏 𝒉

Par ailleurs, il n’y a pas de courant dans la direction y : 𝐺𝑦𝑦 = 0. On en déduit que :

𝑛𝑒 2 −𝑕
0 0
𝐺= 𝑕 𝑒𝑡 𝑅= 𝑒2𝑛
−𝑛𝑒 2 𝑕
0 0
𝑕 𝑒2𝑛

𝒍𝒙 𝒍𝒚𝒆𝑩
Où néle désigne le nombre d’électrons. Comme il y a 𝟐𝝅ℏ
états par niveau de Landau, la

densité électronique, si n niveaux sont remplis vaut:

𝑒𝐵 𝑛𝑒𝐵
𝑛é𝑙𝑒 = 𝑛 2𝜋𝑐 ℏ = 𝑕𝑐

−𝐵𝑕𝑐 𝑕
⇒ 𝑅𝐻 = =− 2
𝑛𝑒𝐵𝑐𝑒 𝑛𝑒

−𝑕
La résistance de hall est :𝑅𝐻 = 𝑛 𝑒 2

34
 ℏ𝑛 é𝑙𝑒
Le facteur de remplissage est : 𝑣 = 𝑛 = 𝑒𝐵

𝑒2
La conductivité de hall est :𝜍 = 𝑣 𝑕

II- L’effet Hall Quantique Fractionnaire :

L'effet Hall quantique fractionnaire, il survient dans un gaz d'électrons

bidimensionnel, lesquels sont en forte interaction. Comme pour l'effet Hall quantique entier,
la résistance de Hall présente une série de plateaux.

1-Etude expérimentale :
1-1-Matériaux utilisée pour L’EHQF :

L’effet Hall quantique a été observé dans le graphène. A champ magnétique intense on
aura une grande interaction entre les électrons la chose qui n’existe pas dans une hétéro-
structure ou un MOS Fet. Ainsi le graphène permet d’observer l’effet Hall quantique
fractionnaire.

1-2-Etude expérimentale :

Pour Des champs forts Tsui et Stromer ont fait les mêmes mesures de conductivité (ou
résistivité) que l’effet Hall entier mais cette fois ci sur le graphéne et ont trouve les résultats
suivants :

35
 Figure 17:variation de la résistance longitudinale et de hall en fonction de la température
et du champ magnétique

On observe dans la (Figure 17) que la résistivité diagonale est toujours finie et que les
plateaux de la résistivité de Hall ne sont pas de très visibles.

Ce résultat montre clairement une tendance à la formation de plateaux où la conductivité de

1 2 𝑒²
Hall est quantifiée en 3 et 3 de 𝑕 . [9]

Ces résultats sont observés sans aucune ambigüité à très basse température.

Figure 18:variation de la résistance longitudinale et de hall en fonction du champ

magnétique a température constante

36
 Il apparait de très nombreux plateaux dans la résistivité de Hall en fonction du champ
magnétique à densité n fixée.

𝑒²
Les premiers plateaux correspondent à une conductivité quantifiée en unité de comme
𝑕

nous l’avons vu pour l’effet Hall quantique entier, mais les plateaux suivants se produisent à
des fractions rationnelle.

La formation de ces plateaux ainsi que l’annulation de la résistivité longitudinale pour

ces mêmes valeurs du champ correspondent à l’effet Hall quantique fractionnaire.

L’effet Hall fractionnaire le plus typique se produit à v=1/3 ou v=2/3. Seule la prise en
compte des interactions entre électrons permet d'interpréter ce phénomène.

1-3-Rôle des Interactions :

Les résultats surprenants de l'EHQF concernant les fractions v=1/3 et v =2/3

apparaissent à champ magnétique suffisamment élevé. Dans ces conditions, les électrons
n'occupent que partiellement le premier niveau de Landau. Il est alors clair que l'interaction
forme les plateaux aux fractions v=1/3 et v=2/3.

Donc les deux séries les plus importantes sont :

1/3, 2/5, 3/7, 4/9 …………..

ET:

2/3, 3/5, 4/7, 5/9…………….

37
 Figure 19:rôle de l’interaction pour l'apparition des plateaux fractionnaire

On voit dans la (Fig2) qu’à champ magnétique Faible on a l’effet Hall quantique entier et
plus le champ augmente les facteurs de remplissage fractionnaires apparaissent dans les
plateaux donc c’est ce qu’on appelle l’effet Hall quantique Fractionnaire.[10]

2-Etude théorique :

Avant d’entamer l’étude théorique on va faire une comparaison entre l’effet Hall
quantique entier et l’effet Hall quantique fractionnaire. Ainsi on commence par la
description de la théorie des fermions composites qui ressemble à la théorie de landau.

2-1-Théorie de fermions composites :

En 1989, Jain identifia avec succès les vrais quasi particules responsables de l’EHQF et
auxquelles, il donna le nom de fermions composites. En remarquant que les observations
expérimentales de l’EHQE et l’EHQF sont essentiellement identiques. La seule différence
c’est les valeurs quantifiées de la résistance de hall.

38
2-1-1-Les Fermions composites :

Les fermions composites (FC) sont une nouvelle classe de fermion découvert assez
récemment pour expliquer l’Effet Hall quantique fractionnaire. Il s’agit, en fait d’un électron
lié à un nombre pair de quanta de flux magnétique. Les FC fut d’abord prédits théoriquement
avant d’être observé.

Avec les FC il est possible de décrire EHQF sur des électrons à un champ magnétique externe
comme un EHQ entier d'un composé à fermion dans un champ magnétique effectif. Les FC
possèdent des charges électriques entières mais comme ils se déplacent dans un champ
magnétique effectif, il semble avoir des charges fractionnaires.

2-1-1-Principe de base :

Le Modèle des Fermions Composites est basé sur l’hypothèse simple où, dans un
certain rang de facteur de remplissage, les électrons captèrent un chiffre pair des vortex de
la fonction d’onde pour devenir des fermions composites pouvant être traités comme des
particules libres sans interaction.

Figure 20:vue schématique de 3 fermions composites portant 2 vortex(a), 4 vortex(b), 6

vortex(c)

39
La figure présente un schéma sur des fermions composite chaque flèche présente un vortex
parfois les fermions composites sont présents comme des états lié d’électrons et d’un nombre
𝒉𝒄
pair de quanta de flux magnétique (ø𝟎 = ).
𝒆

2-2-Lien entre L’EHQE et L’EHQF :

Dans cette sous section nous présenterons le chemin reliant l’effet Hall quantique
entier à l'effet Hall quantique fractionnaire. Pour illustration, nous commençons par
considérer les facteurs de remplissage particuliers : v* = n La connexion est établie par les
étapes suivantes :

-Etape 1 : Prenons des électrons sans interactions à v*=n. Le système est

incompressible c'est-à-dire que l’état fondamental et non dégénéré est séparé des autres états
propres par un écart (égale à l’énergie de cyclotron).

Figure 21: la structure générale du spectre d'énergie a N corps a un remplissage v*=n

L’état fondamental est non dégénéré. Un chevauchement de N niveaux de fermions

composites. Les états excités forment des bandes séparées par l'énergie de cyclotron. La
théorie du champ moyenne des FC prédit que le spectre de basse énergie de remplissages
fractionnaires à 𝑣 = 𝑛/(2𝑝𝑛 ± 1) a une structure identique, sauf que les États en ν sont des
quasi-dégénérés .

40
-Etape 2 :

Figure 22:comparaison entre les niveaux de landau et les niveaux des fermions composites

Vue que l’état fondamental des électrons a v*=n (colonnes gauches) les colonnes à
𝑛
droite montrent les états fondamentaux des fermions composites à 𝑣 = comme n
2𝑛 +1

niveaux remplit de fermions composites (les niveaux des fermions composites sont analogues
à des niveaux de landau des électrons à v*) les lignes dans la colonne gauche représentent les
niveaux de fermions composites).

-Etape 3 :

Figure 23:le chemin de l'effet Hall entier vers l'effet Hall fractionnaire,(a) attachons a
chaque électrons 2 quantum de flux, (b)étendons le flux attaché pour obtenir des électrons
dans un champ plus élevée, (c) état de l'effet hall fractionnaire

La (figure23) nous montre une vue schématique du chemin de l’effet Hall quantique vers
l’effet Hall fractionnaire.

41
 Figure 24:(a)des électrons libres, (b) chaque électrons capture un quanta de flux et se
transforme en un fermion composite

Donc on peut conclure que l’énergie est quantifié dans le niveau de fermions
composites par des nombres fractionnaires et par conséquent la résistance de Hall sera
quantifiée et qui dit résistance dit résistivité et conductivité.

C’est l’effet Hall quantique fractionnaire.[11]

2-3Etude théorique :

L'étude théorique de l'EHQF est identique à celle de l'EHQE sauf qu'il faut considérer
des quasi- particules et avec un niveau de fermion composite.

La différence entre l’EHQE et L’EHQF c’est que l’effet Hall quantique entier se
quantifie avec un niveau de landau (avec des nombre entier) Alors que l’effet Hall quantique
Fractionnaire est quantifié dans un niveau de fermion composite avec des nombres
𝒑 𝒆𝟐
fractionnaires. En conséquence, la conductance de Hall est donnée par: 𝑮𝒙𝒚 = 𝒒 𝒉
𝑝
Avec : est les niveaux de fermion composite.
𝑞

𝒑 𝒆𝟐 −𝒒 𝒉
𝟎 𝟎
𝒒𝒉 𝒑 𝒆𝟐
𝑮= 𝒆𝒕 𝑹 =
−𝒑 𝒆𝟐 𝒒𝒉
𝟎 𝟎
𝒒 𝒉 𝒑 𝒆𝟐

−𝒉
La résistance de hall est :𝑹𝑯 = 𝒗𝒆𝟐

42
 𝒑
Le facteur de remplissage est :𝒗 = 𝒒

𝒆𝟐
La conductivité de hall est :𝝇 = 𝒗 𝒉

𝑕
Donc on peut dire que la résistance de Hall est quantifiée en unité de multiplié par le
𝑒2
𝑝
facteur de remplissage . Avec p et q sont des entiers relatifs premiers.
𝑞

2-4- Théorème du Laughlin :

En 1983, Laughlin a proposé une fonction d’onde pour l’état fondamental à v=1/3

Une fonction d’onde pour N électrons dans le niveau de Landau le plus bas a nécessairement
la forme :

𝑵
𝟏 𝟐
𝚿 = 𝑷 𝒁𝒋 𝒆𝒙𝒑 − 𝒁𝒊
𝒋=𝟏……..𝑵 𝟒
𝒊=𝟏

où P [{𝑍𝑗 }j=1..N] est un polynôme en 𝑍𝑖 qui est antisymétrique pour des fermions. Il ne reste
qu’à déterminer le polynôme P. Laughlin a fait les hypothèses suivantes :

1-Influencé par le succès des fonctions d’onde vibrationnelles de Jastrow pour décrire
l’hélium superfluide et connaissant la nature de liquide incompressible de l’état ν = 1/3.
Supposons la forme :

𝑷 = 𝒁𝒋 }𝒋=𝟏…𝑵 = 𝒇 𝒁𝒊 − 𝒁𝒋
𝒋<𝑲

2-La fonction d’onde totale doit être un vecteur propre du moment angulaire total puisque
celui-ci commute avec l’interaction coulombienne. Ainsi, le produit:

𝒇 𝒁𝒊 − 𝒁𝒋
𝒋<𝑲

Doit être un polynôme de degré L en chaque𝑍𝑖 . Ceci est possible seulement si la fonction f
(𝑍𝑖 -𝑍𝑗 ) a elle-même un moment angulaire défini.

3. De plus, la symétrie ou l’antisymétrie de P sous l’échange de deux particules implique

43
f (−z) = ±f(z). La seule forme qui satisfasse ces critères est :

𝒇 𝒁 = 𝒁𝒎

m est un entier pair pour les bosons et impair pour les fermions. Ce raisonnement mène donc
à ce qui est maintenant connu comme la fonction d’onde de Laughlin :

𝐍
𝐦 𝟏
𝜳𝑳𝟏 𝒎 𝐙𝐣 = 𝐙𝐣 − 𝐙𝐤 𝐞𝐱𝐩 − 𝐙𝐢 𝟐
𝐣=𝟏……𝐍 𝟒
𝐣<𝒌 𝐢=𝟏

Cette fonction d’onde décrit un état uniforme à ν= 1/m, en particulier, pour m = 3, elle décrit
la fraction 1/3 qui avait été observée par Tsui et Störmer.

2-4-1-Caractéristiques de la fonction d'onde de Laughlin

Dans ce cadre, Laughlin a posé une fonction d'essai sur la base d'une série de
simplifications et de remarques. Dans la jauge symétrique, une fonction d'onde propre
−𝒛𝟐
électronique à un corps est donnée par : 𝝍 𝒓 =𝒇 𝒛 𝒆 𝟒

Avec𝑓est une fonction polynomiale quelconque à une seule variable𝑧

La fonction d'onde à Ne électrons peut s'exprimer comme combinaison linéaire de

déterminants de Slater à partir de la base des fonctions à un corps.

𝒛𝒊 𝟐
𝝍 𝜶 𝒓 𝟏 , 𝒓 𝟐 , … … … . . , 𝒓 𝑵𝒆 = 𝑭 𝒛 𝟏 , 𝒛 𝟐 , … … … . . , 𝒛 𝑵𝒆 𝒆 − 𝒊 𝟒

Avec 𝐹 𝑧1 , 𝑧2 , … … … . . , 𝑧𝑁𝑒 un polynôme à plusieurs variables z1 z2….zNe correspondant aux

positions des électrons 1 2….Ne.

2-4-2-Fonction d'onde de Laughlin

Laughlin a proposé une fonction d'essai qui ne contient qu'un paramètre entier α=q,
forcement impair :

𝒛𝒊 𝟐
𝝍 𝒒 𝒓 𝟏 , 𝒓 𝟐 , … … … . . , 𝒓 𝑵𝒆 = 𝒛 𝒊 − 𝒛 𝒋 𝒆− 𝒊 𝟒
𝟏≤𝒊<𝒋≤𝑵𝒆

44
La densité électronique de cette fonction d’onde est représentée sur la Figure ci dessous.

Figure 25:variation de la fonction d’onde de laughlin

Elle est uniforme sur une galette de rayon de 2 𝑀 + 1 𝑙.

Dans la partie polynomiale de cette fonction d'onde, chaque Terme zi a un degré maximal de
M = (Ne-1) q. M est le moment angulaire maximal que l'électron de coordonnée z i peut
posséder, dans ce cas son orbite est centrée sur l'origine avec un rayon de 2 𝑀 + 1 𝑙.
Dans l'état de Laughlin, tous les électrons sont à l'intérieur de ce cercle. L'aire de cette orbite
est S = 2(M+1) πh².
La densité électronique est uniforme à l'intérieur de cette orbite. Le facteur de remplissage
est :
𝟐𝝅𝒍𝟐 𝑵𝒆 𝑵𝒆 𝑵𝒆
𝒗= = =
𝑺 𝑴+𝟏 𝑵𝒆 − 𝟏 𝒒
1
Dans la limite Ne → ∞ le vacteur de remplissage est = 𝑞 . [12]

45
 Chapitre3 : Mécanique
quantique d’un système de
deux particules chargées dans
un plan à deux dimensions en
présence d’un champ
magnétique

46
Chapitre 3 : Mécanique quantique d’un système de 2
particules chargées dans un plan à 2 dimensions en
présence d’un champ magnétique.

Ce chapitre est consacré à un problème essentiel dans l’étude quantique du

mouvement de deux particules chargées dans un Plan à 2 dimensions sous un champ
magnétique. Et pour cela nous avons essayé d’écrire et résoudre l’équation de Schrödinger.

1-Résolution de l’équation de Schrödinger de deux particules chargées en

coordonnées polaires :

Le problème du mouvement de deux particules dans un champ magnétique où aucun

champ électrique extérieur n’est appliqué peut être réduit en mécanique quantique à celui
d’une seule particule. L’hamiltonien de deux particules (de même masse 𝑚𝑏 ) sans interaction
s’écrit sous la forme :

𝟐 𝟐
𝟏 𝐞 𝟏 𝐞
𝐇= 𝐏𝟏 + 𝐀 𝐫𝟏 + 𝐏𝟐 + 𝐀 𝐫𝟐
𝟐𝐦𝐛 𝐜 𝟐𝐦𝐛 𝐜

L’ Hamiltonien dans la jauge symétrique peut être exprimé comme :

𝟏 𝛛² 𝟏 𝛛 𝛛
𝐇= −𝟒 + 𝐙𝟏 𝐙𝟏 − 𝐙𝟏 + 𝐙𝟏
𝟐 𝛛𝐙𝟏 𝛛𝐙𝟏 𝟒 𝛛𝐙𝟏 𝛛𝐙𝟏
𝟏 𝛛² 𝟏 𝛛 𝛛
+ −𝟒 + 𝐙𝟐 𝐙𝟐 − 𝐙𝟐 + 𝐙𝟐
𝟐 𝛛𝐙𝟐 𝛛𝐙𝟐 𝟒 𝛛𝐙𝟐 𝛛𝐙𝟐

47
𝑍1 ,𝑍2 étant les coordonnées des particules dans l’espace complexe. Introduisons au lieu
des 𝑍1 , 𝑍2 les nouvelles variables Z et z (z et Z sont les coordonnées relatives et de centre de
masse) telle que:

𝒁𝟏 + 𝒁𝟐
𝒁= 𝒆𝒕 𝒛 = 𝒁𝟏 − 𝒁𝟐
𝟐

Et les dérivées sont reliées comme :

𝛛 𝟏 𝛛 𝛛 𝛛 𝟏 𝛛 𝛛
= + 𝐞𝐭 = −
𝛛𝐙𝟏 𝟐 𝛛𝐙 𝛛𝐳 𝛛𝐙𝟐 𝟐 𝛛𝐙 𝛛𝐳

Nous obtenons après cette transformation l’hamiltonien suivant :

𝟏 𝛛² 𝟏 𝛛 𝛛 𝟏 𝛛² 𝟏 𝛛 𝛛
𝐇= −𝟐 + 𝐙𝐙 − 𝐙 +𝐙 + −𝟖 + 𝐳𝐳 − 𝐳 + 𝐳
𝟐 𝛛𝐙𝛛𝐙 𝟐 𝛛𝐙 𝛛𝐙 𝟐 𝛛𝐳𝛛𝐳 𝟖 𝛛𝐳 𝛛𝐳

Nous définissons les variables 𝑍 et 𝑧 dans les coordonnées polaires comme suit :

𝐙 = 𝛈𝐞𝐢𝛗 𝐞𝐭 𝐙 = 𝛈𝐞−𝐢𝛗

𝐳 = 𝐫𝐞𝐢𝛉 𝐞𝐭 𝐳 = 𝐫𝐞−𝐢𝛉

L’hamiltonien devient :

𝟏 𝛛² 𝟏 𝛛 𝟏 𝛛 𝛛 𝟏
𝐇= − − − −𝐢 + 𝛈²
𝟐 𝟐𝛛𝛈² 𝟐 𝛛𝛈 𝟐𝛈² 𝛛𝛗² 𝛛𝛈 𝟐
𝟏 𝛛² 𝟏𝛛 𝟐 𝛛 𝛛 𝟏
+ −𝟐 −𝟐 − − 𝐢 + 𝐫²
𝟐 𝛛𝐫² 𝐫 𝛛𝐫 𝐫² 𝛛𝛉² 𝛛𝐫 𝟖

L’équation de Schrödinger s’écrit donc :

𝟏 𝟏 𝛛² 𝟏 𝛛 𝟏 𝛛 𝛛 𝟏
− − − −𝐢 + 𝛈² 𝛙𝟏𝟐
𝟐 𝟐 𝛛𝛈² 𝟐𝛈 𝛛𝛈 𝟐𝛈² 𝛛𝛗² 𝛛𝛈 𝟐
𝟏 𝛛 𝟏𝛛 𝟐 𝛛 𝛛 𝟏 𝛛𝛙𝟏𝟐
+ −𝟐 −𝟐 − − 𝐢 + 𝐫² 𝛙𝟏𝟐 = 𝐢ℏ
𝟐 𝛛𝐫² 𝐫 𝛛𝐫 𝐫² 𝛛𝛉² 𝛛𝐫 𝟖 𝛛𝐭

48
Cherchons une solution de l’équation de la forme :

𝛙𝟏𝟐 𝛈, 𝐫 = 𝛙𝐆 𝛈 𝛙𝐜 (𝐫)

Reportée dans l’équation de Schrödinger et on trouve :

𝟏 𝟏 𝛛 𝟏 𝛛 𝟏 𝛛 𝛛 𝟏 𝟐
− − − − 𝐢 + 𝛈 𝛙𝐆 𝛈
𝟐 𝟐 𝛛𝛈𝟐 𝟐𝛈 𝛛𝛈 𝟐𝛈𝟐 𝛛𝛗𝟐 𝛛𝛈 𝟐
𝟏 𝛛𝟐 𝟏𝛛 𝟐 𝛛 𝛛 𝟏
+ −𝟐 𝟐 − 𝟐 − 𝟐 𝟐 − 𝐢 + 𝐫 𝟐 𝛙𝐜 𝐫
𝟐 𝛛𝐫 𝐫 𝛛𝐫 𝐫 𝛛𝛉 𝛛𝐫 𝟖
𝛛𝛙𝐆 (𝛈) 𝛛𝛙𝐜 (𝐫)
= 𝐢ℏ +
𝛛𝐭 𝛛𝐭

Cette équation est équivalente au système :

𝟏 𝟏 𝛛𝟐 𝟏 𝛛 𝟏 𝛛 𝛛 𝟏 𝟐 𝛛𝛙𝐆 𝛈
− − − − 𝐢 + 𝛈 𝛙 𝐆 𝛈 = 𝐢ℏ
𝟐 𝟐 𝛛𝛈𝟐 𝟐𝛈 𝛛𝛈 𝟐𝛈𝟐 𝛛𝛗𝟐 𝛛𝛈 𝟐 𝛛𝐭

𝟏 𝛛𝟐 𝟏 𝛛 𝟐 𝛛 𝛛 𝟏 𝛛𝛙𝐜 𝐫
−𝟐 𝟐 − 𝟐 − 𝟐 𝟐 − 𝐢 + 𝐫 𝟐 𝛙𝐜 𝐫 = 𝐢ℏ
𝟐 𝛛𝐫 𝐫 𝛛𝐫 𝐫 𝛛𝛉 𝛛𝐫 𝟖 𝛛𝐭

Désignons par 𝐸𝐺 𝑒𝑡𝐸𝑐 les energies correspondantes. A l’état stationnaire On a :

𝟏 𝟏 𝛛 𝟏 𝛛 𝟏 𝛛 𝛛 𝟏
− 𝟐
− − 𝟐 𝟐
−𝐢 + 𝛈𝟐 𝛙𝐆 𝛈 = 𝐄𝐆 𝛙𝐆 𝛈
𝟐 𝟐 𝛛𝛈 𝟐𝛈 𝛛𝛈 𝟐𝛈 𝛛𝛗 𝛛𝛗 𝟐

𝟏 𝛛𝟐 𝟏𝛛 𝟐 𝛛 𝟏 𝟐
−𝟐 𝟐 − 𝟐 − 𝟐 𝟐+ 𝐫 𝛙𝐜 𝐫 = 𝐄𝐜 𝛙𝐜 𝐫
𝟐 𝛛𝐫 𝐫 𝛛𝐫 𝐫 𝛛𝛉 𝟏𝟔

Nous chercherons les solutions sous la forme :

49
 𝟏
𝛙𝐆 𝛈 = 𝐑(𝛈)𝐞𝐢𝐌𝛗
𝟐𝛑

𝟏
𝛙𝐜 𝐫 = 𝐑 𝐫 𝐞𝐢𝐦𝛉
𝟐𝛑

Et nous obtenons, pour les fonctions radiales, les équations :

"
𝟏 ′ 𝟐
𝐌𝟐
𝐑 𝛈 + 𝐑 𝛈 + 𝟒𝐄𝐆 − 𝟐𝐌 − 𝛈 − 𝟐 𝐑 𝛈 = 𝟎
𝛈 𝛈

𝟏 𝐦 𝟏 𝟐 𝐦𝟐
𝐑" 𝐫 + 𝐑′ 𝐫 + 𝐄𝐜 − − 𝐫 − 𝟐 𝐑 𝐫 =𝟎
𝐫 𝟐 𝟏𝟔 𝐫

1
En introduisons les nouvelles variables indépendantes 𝜉1 =𝜂2, 𝜉2 =4𝑟2, ces équations s'écrivent

sous la forme :

𝛏𝟏 𝐌𝟐 𝐌
𝛏𝟏 𝐑"𝟏 𝛏𝟏 + 𝐑′𝟏 𝛏𝟏 + − + 𝛃𝟏 − 𝐑 𝟏 𝛏𝟏 = 𝟎 , 𝛃𝟏 = 𝐄𝐆 −
𝟒 𝟒𝛏𝟏 𝟐

𝐦𝟐 𝐦
𝛏𝟐 𝐑"𝟐 + 𝐑′𝟐 𝛏𝟐 + −𝛏𝟐 + 𝛃𝟐 − 𝐑 𝟐 𝛏𝟐 = 𝟎 , 𝛃𝟐 = 𝐄𝐜 −
𝟒𝛏𝟐 𝟐

𝛏𝟏 𝛏𝟐
Lorsque 𝛏𝟏 → ∞ 𝐞𝐭𝛏𝟐 → ∞ , les fonctions cherchées se comportent comme 𝐞− 𝟐 , 𝐞− 𝟐 , et
𝑴 𝒎
lorsque 𝛏𝟏 → 𝟎 𝐞𝐭𝛏𝟐 → 𝟎 , comme𝝃𝟏 𝟐 ,𝝃𝟐 𝟐 .

En conséquence, nous chercherons les solutions sous la forme :

𝛏𝟏 𝐌
𝐑 𝟏 𝛏𝟏 = 𝐞− 𝟐 𝛏𝟏 𝟐 𝐰 𝛏𝟏

𝛏𝟐 𝐦
𝐑 𝟐 𝛏𝟐 = 𝐞− 𝟐 𝛏𝟐 𝟐 𝐰 𝛏𝟐

Et nous obtenons, pour (𝜉1) 𝑒𝑡 𝑤 (𝜉2), les équations de la fonction hypergéométrique

dégénérée :

50
 𝐌 𝟏
𝛏𝟏 𝐰𝟏" 𝛏𝟏 + 𝐌 + 𝟏 − 𝛏𝟏 𝐰𝟏′ 𝛏𝟏 + 𝛃𝟏 − − 𝐰𝟏 𝛏𝟏 = 𝟎
𝟐 𝟐

𝐦 𝟏
𝛏𝟐 𝐰𝟐" 𝛏𝟐 + 𝐦 + 𝟏 − 𝛏𝟐 𝐰𝟐′ 𝛏𝟐 + 𝛃𝟐 − − 𝐰𝟐 𝛏𝟐 = 𝟎
𝟐 𝟐

Qui Possèdent les solutions suivantes :

𝑴 +𝟏
𝒘𝟏 𝝃 𝟏 = 𝑭 − 𝜷 𝟏 − , 𝑴 + 𝟏, 𝝃𝟏
𝟐

𝒎 +𝟏
𝒘𝟐 𝝃 𝟐 = 𝑭 − 𝜷 𝟐 − , 𝒎 + 𝟏, 𝝃𝟐
𝟐

𝑴 +𝟏
Pour que les fonctions d’ondes soient partout finies, les quantités 𝜷𝟏 − et
𝟐

𝒎 +𝟏
𝜷𝟐 − doivent être des entiers positifs. Alors, les vecteurs propres de l’hamiltonien
𝟐

sont donnés par :

𝟏 𝐢𝐌𝛗 −𝛏𝟏 −𝛏𝟐 𝐌 𝐦

𝟐 𝐢𝐦𝛉 𝟐
𝛙𝟏𝟐 = 𝐞 𝐞 𝐞 𝛏𝟏 𝐞 𝛏𝟐 × 𝐅 −𝐧𝛒 , 𝐦 + 𝟏, 𝛏𝟐 𝐅 −𝐧𝛒 , 𝐌 + 𝟏, 𝛏𝟏
𝟐 𝟐
𝟐𝛑

Les indices 𝑛𝜌 , 𝑛𝜌 ′ dénotent le niveau de landau (NL) tel que 𝑛𝜌 =1,2,…, 𝑛𝜌 ′ =1,2,…. le
moment angulaire relatif 𝑚=− 𝑛𝜌 , − 𝑛𝜌 +1,……, et le moment angulaire de centre de masse
𝑀=−𝑛𝜌 ′ , −𝑛𝜌 ′ +1……,

En utilisant la notion de paire d’électrons. Il se trouve que cette paire d’électrons possède une
impulsion totale nulle (𝑝1+𝑝2=0) et par la suite, le moment orbital de centre de masse de la
paire est aussi nul, alors si on essaye de suivre cette idée de la paire d’électrons la fonction
devient :

𝐦
𝟏 𝛏𝟐 𝛏𝟏
𝛙𝟏𝟐 = 𝐞𝐢𝐦𝛉 𝐞− 𝟐 𝛏𝟐𝟐 𝐞− 𝟐 𝐅 −𝐧𝛒 , 𝐦 + 𝟏, 𝛏𝟐
𝟐𝛑

La permutation des particules se traduit par le changement suivant 𝜃→𝜃+𝜋, nous obtenons :

51
 𝛙′𝟏𝟐 = (−)𝐦 𝛙𝟏𝟐

Par conséquent, ces particules ont la statistiques des fermions si 𝑚 est impair, des bosons si 𝑚
𝜙
𝑖 θ
est pair et des anyons si on ajoute le facteur de phase 𝑒 𝜙0 qui tient compte de la
dégénérescence des états de Landau.
Après les transformations :
𝑧1 +𝑧2
1- (Z= et Z=𝑧1 -𝑧2 )
2

2- 𝑍 = 𝜂𝑒 𝑖𝜑 𝑒𝑡 𝑍 = 𝜂𝑒 −𝑖𝜑 , 𝑧 = 𝑟𝑒 𝑖𝜃 𝑒𝑡 𝑧 = 𝑟𝑒 −𝑖𝜃
−𝜉 2 𝑚 −𝜉 1
1 𝑖𝑚𝜃 2
3- 𝜓12 = 𝑒 𝑒 2 𝜉2 𝑒 2 𝐹 −𝑛𝜌 , 𝑚 + 1, 𝜉2
2𝜋

La fonction devient :

𝟏 𝟏 𝟐+ 𝒛𝟐 𝟐 )
𝝍𝟏𝟐 = 𝒆𝒊 𝒎+ 𝒎 𝐚𝐫𝐠⁡
(𝒛𝟏 −𝒛𝟐 )
× (𝒛𝟏 − 𝒛𝟐 ) 𝒎 𝒆−𝟒( 𝒛𝟏 𝑭 −𝒏𝝆 , 𝒎 + 𝟏, 𝒛𝟏 − 𝒛𝟐 ²
𝟐𝝅

Avec 𝑒 𝑖 𝑚+ 𝑚 arg 𝑧1 −𝑧2

étant une phase qui rend l’équation de Schrödinger invariante, alors,
on peut écrire la fonction d’onde comme suit:

𝟏 𝟏 𝟐+ 𝐳𝟐 𝟐 )
𝛙𝟏𝟐 = (𝐳𝟏 − 𝐳𝟐 )𝐦 𝐞−𝟒( 𝐳𝟏 𝐅 −𝐧𝛒 , 𝐦 + 𝟏, 𝐳𝟏 − 𝐳𝟐 𝟐
𝟐𝛑

La fonction d’onde trouvée pour deux électrons n’est autre que la fonction d'onde de
« Laughlin » mais à une fonction hypergéométrique multiplicatif prés.

𝐋𝐠 𝟏 𝟏 𝟐)
𝛙𝟏𝟐 = (𝐳𝟏 − 𝐳𝟐 )𝐦 𝐞−𝟒( 𝐳𝟏 |²−|𝐳𝟐
𝟐𝛑
Il est possible que Laughlin se soit inspiré son choix de la fonction d’onde de la fonction
simplifiée.
Une généralisation à un système à 𝑁𝑒 électrons se fait juste en effectuant le produit des
𝐿𝑔
fonctions 𝜓𝑖𝑗 : [13]
𝐋𝐠
𝛙𝐋𝐠 = 𝛙𝐢𝐣
𝐢<𝑗

52
Conclusion :

Nous nous trouvons parfois en face d'un phénomène physique étonnant, comme par
exemple l’Effet Hall Quantique. Nous aimerions comprendre ce que nous voyons dans ce
phénomène, et nous nous demandons quelle est sa nature ? D’où est-il arrivé ? Et pourquoi
est-il ce qu'il est ? Y a-t-il une théorie capable de résoudre toutes les énigmes que contient le
phénomène ?

Dans une tentative de répondre à ces questions, nous avons adopté dans notre
mémoire le Plan suivant : Avant d’entamer l’effet Hall quantique nous avons essayé de
définir d’abord l’effet Hall classique ainsi que ces applications après nous avons entamé
l’effet Hall quantique avec ces deux aspects entier et fractionnaire. En premier lieu nous
avons présenté l'étude expérimentale dont les résultats montrent l'existence des plateaux qui
correspondent à des résistances proportionnelles à des nombres entiers pour des faibles
champs et des nombres fractionnaires pour des champs forts. Afin d'expliquer de tels résultats
nous avons abordé une étude théorique tout en se basant sur la théorie de landau pour l'effet
Hall quantique entier qui combinée avec la théorie des fermions composites nous permet de
comprendre l'effet Hall quantique fractionnaire avec les fractions 𝜈 = 2𝑛𝐾 ∓ 1 où 𝑛 >1 et
1
𝑘 des entiers positifs alors que pour les fractions 𝜈 = … avec k un nombre entier
2𝐾+1

positif elle a été combinée avec la théorie de laughlin. Ceci nous a conduits à étudier en détail
la mécanique quantique d’un électron dans un plan à 2 dimensions en présence d’un champ
magnétique. Cette étude a révélé que les nombres quantiques qui définissent l’état de
l’électron comme le moment cinétique orbital et sa projection sont différents de ceux d’un
électron dans un espace à trois dimensions. Le problème à deux électrons a été aussi étudié
comme un premier pas pour une possible généralisation aux problèmes à Ne électrons. Nous
avons trouvé aussi que la statistique de la particule bidimensionnelle est la même que celle à
trois dimensions, celle des bosons pour (S=0) et celle des fermions pour (S=1), mais elle peut
basculer vers une statistique arbitraire, celle des anyons si on ajoute le facteur de phase
𝜙
𝑖 𝜃
𝑒 𝜙0 qui tient compte de la dégénérescence des états de Landau. Ensuite nous avons essayé

53
de faire une étude quantique du mouvement de deux particules chargée dans un plan à deux
dimensions en présence d’un champ magnétique.

Finalement nous tenons à signaler que ce travail n’est qu’un fruit d’un travail continuel,
dans lequel nous nous sommes ingénies à présenter le maximum d’information que nous
avons appris et retenue par nos professeurs durant notre parcours universitaire.

54
Bibliographies
[1]:Edwin Herbert Hall, « On a New action Of the Magnet On Electric Currents », dans
American Journal of Mathematics, American Journal Of Mathematics, Vol. 2, N°3,1879,
p.287-92.

[2] : F.Mila Notes de cours sur l’Effet Hall Quantique Cours de 4ème année 2011-2012.

[3] : Patrick Abati, « Les capteurs à effet Hall », sur sitelec.org, origine : académie d'Aix-
Marseille,‎7 décembre 2001.

[4] : Jean-Paul NovelOrg Inc. 655, boul.Vincent #8 Longueuil (Québec) Canada J4G 1R3

[5] : Bertrand Legrand. CAPTEURS DE POSITION FONCTIONNANT PAR

SATURATION D'UN CIRCUIT MAGN_ETIQUE,APPLICATION AU DOMAINE DE
L'AUTOMOBILE. Sci-ences de l'ing_enieur [physics]. Institut National Polytechnique de
Grenoble - INPG, 2003.

[6] : D. C. Tsui, H. Stormer et A. C. Gossard, Phys. Rev. Lett. 48, 1559

(1982).

[7] : K. Von Klitzing, G. Dorda et M/ Pepper Phys. Rev. Lett45, 494 (1980).

[8] R. Willett, J.P. Eisenstein, H.L. Stormer, D.C. Tsui, A.C. Gossard et J. English Phys. Rev.
Lett59, 1776 (1987).

[9]: J. K. Jain, Composite-fermion approach for the fractional quantum Hall Effect. Phys.Rev.
Lett. 63, 199 (1989).

[10]: J. K. Jain, The composite fermion: A quantum particle and its quantum fluids. Physics
Today.53 (4), 39 (2000).

[11]: D. Yoshioka, The Quantum Hall E_ect (Springer, New York, 1998).

55
[12]: A. A. Abrikosov, L. P. Gorkov, et I.E. Dzyaloshinskii, Methods of Quantum Field
Theory in Statistical Physics (Prentice-Hall, Englewood Cli_s, NJ, 1963).

[13]: Z.Bentalha, B.Liani and M.Tahiri, Chin.phys.Lett.22:1207-1209,2005.

56