Electrocinetique-Chapitre 5-Circuit RLC en Regime Sinusoidal Forcé

MPSI 1
INP-HB Yamoussoukro Année scolaire 2012-2013
CHAPITRE 5 : Circuit RLC en régime sinusoïdal

forcé
1. Régime sinusoïdal forcé
1.1. Définition
Un circuit électrique est en régime sinusoïdal permanent quand tensions et courants sont des
fonctions sinusoïdales du temps de même fréquence. Le circuit électrique doit être linéaire
(c’est-à-dire composé de dipôles linéaires) et alimenté en permanence par une source
d’énergie électrique sinusoïdale. Dans ce régime tous les signaux transitoires n’existent plus,
seul le régime permanent existe.
1.2. Signaux sinusoïdaux

1.2.1.Amplitude, phase, pulsation et fréquence
Une grandeur sinusoïdale s’écrit :
𝒙 𝒕 = 𝑿𝒎 𝒄𝒐𝒔 𝝎𝒕 + 𝝋
𝑋𝑚 = amplitude complexe ; 𝜔 = pulsation en 𝑟𝑎𝑑. 𝑠 −1 ; 𝜔𝑡 + 𝜑 = la phase à l’instant 𝑡 ; 𝜑 =

la phase à l’origine.
La période est la durée au bout de laquelle le signal se reproduit identique à lui-même :
𝟐𝝅
𝑻=
𝝎
La fréquence du signal est le nombre de périodes par secondes :
𝟏 𝝎
𝒇= =
𝑻 𝟐𝝅
1.2.2.Valeur moyenne et valeur efficace
On définit d’une manière générale pour un signal périodique la valeur moyenne notée < 𝑥 >
par :
𝑻
𝟏
< 𝑥(𝑡) >= 𝒙 𝒕 𝒅𝒕
𝑻 𝟎
< 𝑥 >= 0 pour une fonction sinusoïdale

On définit d’une manière générale pour un signal périodique la valeur efficace notée 𝑋 par :
Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 1 sur 13

MPSI 1
𝑻
𝟏
𝑿𝟐 = 𝒙𝟐 (𝒕)𝒅𝒕
𝑻 𝟎
Pour une fonction sinusoïdale :

𝑇 2
1
2 2 2
𝑋𝑚 1
𝑋 = 𝑋𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑 𝑑𝑡 = 𝑇
𝑇 0 𝑇 2
𝑿𝒎
𝑿=
𝟐
1.2.3.Notation complexe
1.2.3.1. Quelques rappels
 𝑍1 . 𝑍2 = 𝑍1 + 𝑍2
 𝑍1 𝑍2 = 𝑍1 𝑍2
𝑍1
 𝐴𝑟𝑔 𝑍1 . 𝑍2 = 𝐴𝑟𝑔 𝑍1 ) + 𝐴𝑟𝑔(𝑍2 et 𝐴𝑟𝑔 𝑍2
= 𝐴𝑟𝑔 𝑍1 ) − 𝐴𝑟𝑔(𝑍2
 𝐴𝑟𝑔 𝑎 > 0 = 0 et 𝐴𝑟𝑔 𝑎 < 0 = 𝜋

𝜋 𝜋
 𝐴𝑟𝑔 𝑗𝑎)(𝑎 > 0 = 2 et 𝐴𝑟𝑔 𝑗𝑎)(𝑎 < 0 = − 2
 Si 𝑍 = 𝑎 + 𝑗𝑏 = 𝑍 𝑒 𝑗𝜃 , alors :
𝑍 = 𝑎2 + 𝑏 2
𝑎 ℜ 𝑍
𝑐𝑜𝑠 𝜃 = =
𝑎2 + 𝑏 2 𝑍
𝑎 ℑ 𝑍
𝑠𝑖𝑛 𝜃 = =
+ 𝑎2𝑍 𝑏2
𝑏 ℑ 𝑍
𝑡𝑎𝑛 𝜃 = =
𝑎 ℜ𝑍
1.2.3.2. Représentation complexe d’une grandeur sinusoïdale

Nous avons vu qu’une grandeur sinusoïdale peut être mise sous la forme:
𝑥 𝑡 = 𝑋𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑
La représentation complexe de 𝑥(𝑡) est la fonction complexe :
𝒙 𝒕 = 𝑿𝒎 𝒆𝒋 𝝎𝒕+𝝋 = 𝑿𝒎 𝒆𝒋𝝋 𝒆𝒋𝝎𝒕 = 𝑿𝒎 𝒆𝒋𝝎𝒕

MPSI 1
𝑋𝑚 = 𝑋𝑚 𝑒 𝑗𝜑 est l’amplitude complexe, son module est égale à l’amplitude de la grandeur
𝑥(𝑡) : 𝑋𝑚 = 𝑋𝑚 , son argument est : 𝜑 = 𝑎𝑟𝑔 𝑋𝑚
1.2.3.3. Intérêt de la notation complexe

 Linéarité
𝑥1 𝑡 = 𝑋1𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑1 ; 𝑥2 𝑡 = 𝑋2𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑2
𝑥 = 𝑥1 𝑡 + 𝑥2 𝑡 = 𝑋𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑 ⟹ 𝑋𝑚 𝑒 𝑗𝜑 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = 𝑋1𝑚 𝑒 𝑗 𝜑 1 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + 𝑋2𝑚 𝑒 𝑗 𝜑 2 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝑿𝒎 = 𝑿𝟏𝒎 + 𝑿𝟐𝒎
L’addition de fonctions sinusoïdales de même pulsation 𝝎 est equivalent à l’addition des

amplitudes complexes en notation complexe.
 Dérivation
𝑥 𝑡 = 𝑋𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑 ⟹ 𝑥 𝑡 = 𝑋𝑚 𝑒 𝑗𝜑 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝑑𝑥 𝜋 𝜋
= −𝜔𝑋𝑚 sin 𝜔𝑡 + 𝜑 = 𝜔𝑋𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑 + ⟹ 𝜔𝑋𝑚 𝑒 𝑗𝜑 𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝑒 𝑗 2 = 𝑗𝜔𝑋𝑚 𝑒 𝑗𝜑 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝑑𝑡 2
𝒅𝒙
= 𝒋𝝎𝒙 𝒕
𝒅𝒕
Dériver par rapport à 𝒕 en notation réelle revient à multiplier par 𝒋𝝎 en notation

complexe.
 Intégration
1 1 𝜋
𝑥 𝑡 = 𝑋𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑 ⟹ 𝑥 𝑡 𝑑𝑡 = 𝑋𝑚 sin 𝜔𝑡 + 𝜑 = 𝑋𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑 −
𝜔 𝜔 2
1 𝜋 1
⟹ 𝑋𝑚 𝑒 𝑗𝜑 𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝑒 −𝑗 2 = 𝑋 𝑒 𝑗𝜑 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝜔 𝑗𝜔 𝑚
𝟏
𝒙 𝒕 𝒅𝒕 = 𝒙 𝒕
𝒋𝝎
Intégrer par rapport à 𝒕 en notation réelle revient à multiplier par 𝟏 𝒋𝝎 en notation

complexe.
1.3. Impédance complexe et admittance complexe

Soit un dipôle linéaire 𝐴𝐵
A Dipôle B
i
UAB

MPSI 1
𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑𝑖 ⟹ 𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 𝑒 𝑗 𝜑 𝑖 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
Puisque le dipôle est linéaire alors la tension 𝑢 𝑡 est sinusoïdale de même pulsation :
𝑢 𝑡 = 𝑈𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑𝑢 ⟹ 𝑢 𝑡 = 𝑈𝑚 𝑒 𝑗 𝜑 𝑢 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = 𝑈𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
On appelle impédance complexe :
𝑼𝒎 𝑼𝒆 𝑼𝒎 𝒆𝒋𝝋𝒖 𝑼𝒎 𝒋𝝋 −𝒋𝝋 𝑼𝒎 𝒋 𝝋 −𝝋
𝒁= = = 𝒋𝝋
= 𝒆 𝒖𝒆 𝒊 = 𝒆 𝒖 𝒊 = 𝒁𝒆𝒋𝝋
𝑰𝒎 𝑰𝒆 𝑰𝒎 𝒆 𝒊 𝑰𝒎 𝑰𝒎
𝑼𝒎
𝒁= 𝒁 =
𝑰𝒎
𝝋 = 𝝋𝒖 − 𝝋𝒊 = 𝒂𝒓𝒈𝒁
𝜑 : déphasage entre 𝑢 et 𝑖
L’admittance complexe est l’inverse de l’impédance :
𝟏 𝑰𝒎 𝑰𝒎 −𝒋𝝋
𝒀= = = 𝒆
𝒁 𝑼𝒎 𝑼𝒎
1.3.1.Applications
 Resistance pure
𝑢 = 𝑅𝑖 ⟹ 𝑈𝑚 = 𝑅𝐼𝑚
𝒁𝑹 = 𝑹 ⟹ 𝒁𝑹 = 𝑹
𝑢 𝑡 et 𝑖 𝑡 sont en phase donc :
𝝋𝑹 = 𝟎
 Bobine idéale
𝑑𝑖
𝑢=𝐿 ⟹ 𝑈𝑚 = 𝑗𝐿𝜔𝐼𝑚
𝑑𝑡
𝒁𝑳 = 𝒋𝑳𝝎 ⟹ 𝒁𝑳 = 𝑳𝝎
𝑢 𝑡 et 𝑖 𝑡 sont dephasés de 𝜋 2 :
𝜑𝐿 = 𝑎𝑟𝑔𝑍𝐿 = 𝑎𝑟𝑔 𝑗𝐿𝜔
𝝅
𝝋𝑳 =
𝟐
𝜑𝐿 > 0 ⟹ 𝑢 𝑡 est en quadrature avance par rapport à 𝑖 𝑡

MPSI 1
𝝅 𝑻
𝝋𝑳 = ⟹ ∆𝑻 =
𝟐 𝟒
 Condensateur
1 1
𝑢= 𝑖 𝑡 𝑑𝑡 ⟹ 𝑈𝑚 = 𝐼
𝐶 𝑗𝐶𝜔 𝑚
𝟏 𝟏
𝒁𝑪 = ⟹ 𝒁𝑪 =
𝒋𝑪𝝎 𝑪𝝎
𝑢 𝑡 et 𝑖 𝑡 sont déphasés de −𝜋 2 :
1
𝜑𝐿 = 𝑎𝑟𝑔𝑍𝐶 = 𝑎𝑟𝑔
𝑗𝐶𝜔
𝝅
𝝋𝑪 = −
𝟐
𝜑𝐿 < 0 ⟹ 𝑢 𝑡 est en quadrature retard par rapport à 𝑖 𝑡
2. Circuit 𝑹𝑳𝑪 en régime sinusoïdal forcé

Soit un circuit 𝑅𝐿𝐶 serie alimenté par un 𝐺𝐵𝐹 maintenant entre ses bornes une tension :
𝑒 𝑡 = 𝐸 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑𝑒
R L
i
e(t) C
2.1. Etude de l’impédance

1
𝑅𝐿𝐶 série ⟹ 𝑍 = 𝑍𝑅 + 𝑍𝐿 + 𝑍𝐶 = 𝑅 + 𝑟 + 𝑗 𝐿𝜔 −
𝐶𝜔
1
𝑍 = 𝑅 ′ + 𝑗𝑋 ⟹ 𝑅 ′ = 𝑅 + 𝑟 et 𝑋 = 𝐿𝜔 −
𝐶𝜔
𝑅é𝑎𝑐𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑢 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡 𝑅𝐿𝐶
L’admittance complexe du circuit 𝑅𝐿𝐶 série :

𝟏
𝒀=
𝒁
Le module de l’impédance est :
𝟐
𝟐
𝟏
𝒁= 𝒁 = 𝑹+𝒓 + 𝑳𝝎 −
𝑪𝝎

MPSI 1
Le déphasage est :
𝟏
𝑳𝝎 − 𝑪𝝎
𝐭𝐚𝐧 𝝋 =
𝑹+𝒓
 Détermination de l’extremum de 𝒁
1
1
1 2
𝑑𝑍 𝐿𝜔 − 𝐶𝜔 𝐿+
𝑍= 𝑅 + 𝑟 2 + 𝐿𝜔 − ⟹ = 𝐶𝜔 2
𝐶𝜔 𝑑𝜔 1 2
𝑅 + 𝑟 2 + 𝐿𝜔 − 𝐶𝜔
𝑑𝑍 1 1
= 0 ⟹ 𝐿𝜔 − = 0 ⟹ 𝐿𝜔 =
𝑑𝜔 𝐶𝜔 𝐶𝜔
𝑍 est minimale pour 𝜔 = 𝜔0 = 1 𝐿𝐶
𝒁𝒎𝒊𝒏 = 𝑹 + 𝒓
Z
R+r
w0 w
2.2. Résonance courant dans le circuit 𝑹𝑳𝑪 serie

𝑑𝑖 𝑞
𝑅𝑖 + 𝐿
+ = 𝑒(𝑡)
𝑑𝑡 𝐶
𝑑𝑞 𝑑𝑖 1
𝑖= ⟹𝑞= 𝑖 𝑡 𝑑𝑡 ⟹ 𝑅𝑖 + 𝐿 + 𝑖 𝑡 𝑑𝑡 = 𝑒 𝑡 = 𝐸 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑𝑒
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝐶
En notation complexe :
𝑑𝑖 1 1
𝑅𝑖 + 𝐿 + 𝑖𝑑𝑡 = 𝐸𝑒 𝑗𝜔𝑡 ⟹ 𝑅𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + 𝑗𝜔𝐿𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = 𝐸𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝑑𝑡 𝐶 𝑗𝜔𝐶
1 1
⟹ 𝑅𝐼𝑚 + 𝑗𝜔𝐿𝐼𝑚 + 𝐼𝑚 = 𝐸 ⟹ 𝑅 + 𝑗 𝐿𝜔 − 𝐼𝑚 = 𝐸
𝑗𝜔𝐶 𝜔𝐶
𝑬
𝑰𝒎 =
𝟏
𝑹 + 𝒋 𝑳𝝎 − 𝝎𝑪
En posant 𝑥 = 𝜔 𝜔0 avec 𝜔0 = 1 𝐿𝐶 on a :

MPSI 1
𝐸 𝐸
𝐼𝑚 = =
𝐿𝜔 1 𝐿𝜔0 𝑥 1
𝑅 1 + 𝑗 𝑅 − 𝜔𝑅𝐶 𝑅 1+𝑗 𝑅 − 𝜔0 𝑅𝐶𝑥
𝐿𝜔0 𝐸
𝑓𝑎𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑑𝑒 𝑞𝑢𝑎𝑙𝑖𝑡é = 𝑄 = ⟹ 𝐼𝑚 =
𝑅 𝑄
𝑅 1 + 𝑗 𝑄𝑥 − 𝑥
𝑬
𝑰𝒎 =
𝟏
𝑹 𝟏 + 𝒋𝑸 𝒙 − 𝒙
2.2.1. Etude de l’amplitude 𝑰𝒎

𝑬
𝑰𝒎 = 𝑰𝒎 =
𝟐
𝟏
𝑹 𝟏 + 𝑸𝟐 𝒙 − 𝒙
𝐸
𝑥 = 1 ⟹ 𝜔 = 𝜔0 ⟹ 𝐼𝑚 =
𝑅
𝑥 ⟶ ∞ ⟹ 𝐼𝑚 ⟶ 0
𝐼𝑚 est maximal pour 𝜔 = 𝜔0 = 1 𝐿𝐶 qui est la pulsation de résonance du circuit.
𝑬
𝝎 = 𝝎𝟎 ⟹ 𝑰𝒎 𝝎𝟎 =
𝑹
2.2.2.Bande passante à −𝟑𝒅𝑩

La bande passante à −3𝑑𝐵 est l’intervalle des pulsations 𝜔1 , 𝜔2 ou fréquence 𝑓1 , 𝑓2 tel
que :
𝑰𝒎𝒂𝒙
𝑰𝒎 ≥
𝟐
𝐼𝑚𝑎𝑥 𝐸 𝐸 1 1
𝐼𝑚 ≥ ⟹ ≥ ⟹ ≥
2 2 𝑅 2 2 2
1 1
𝑅 1+ 𝑄2 𝑥−𝑥 1+ 𝑄2 𝑥−𝑥
2 2
1 1
⟹ 1 + 𝑄2 𝑥 − ≤ 2 ⟹ 𝑄2 𝑥 − −1≤0
𝑥 𝑥

MPSI 1
Imax
Imax
2
0 x1 w 0 x2 x
2 2
𝐼𝑚𝑎𝑥 2
1 2
1 1
𝐼𝑚 = ⟹𝑄 𝑥− −1=0⟹𝑄 𝑥− =1⟹𝑄 𝑥− = ±1
2 𝑥 𝑥 𝑥
1 1 1
⟹ 𝑥2 ± 𝑥 − 1 = 0 ⟹ 𝑥1;2 = ∓ + +1
𝑄 2𝑄 2𝑄 2
𝝎𝟏 𝟏 𝟏
𝒙𝟏 = =− + +𝟏
𝝎𝟎 𝟐𝑸 𝟐𝑸𝟐
𝝎𝟐 𝟏 𝟏
𝒙𝟐 = =+ + +𝟏
𝝎𝟎 𝟐𝑸 𝟐𝑸𝟐
La largeur de la bande passante à −3𝑑𝐵 est :

𝝎𝟎 𝑹
∆𝝎 = 𝝎𝟐 − 𝝎𝟏 = 𝝎𝟎 𝒙𝟐 − 𝒙𝟏 = =
𝑸 𝑳
La résonance est aigue si la bande passante est étroite (𝑅 faible).
2.2.3.Etude du déphasage 𝝋
𝐸 𝐸 1
𝐼𝑚 = ⟹ 𝐴𝑟𝑔 𝐼𝑚 = 𝑎𝑟𝑔 − 𝑎𝑟𝑔 1 + 𝑗𝑄 𝑥 −
1 𝑅 𝑥
𝑅 1 + 𝑗𝑄 𝑥 − 𝑥
1 1 1
⟹ 𝜑𝑖 = 𝑎𝑟𝑔 𝐸 − 𝑎𝑟𝑔 − 𝑎𝑟𝑔 1 + 𝑗𝑄 𝑥 − = 𝜑𝑒 − 0 − 𝑎𝑟𝑔 1 + 𝑗𝑄 𝑥 −
𝑅 𝑥 𝑥
En posant 𝜑 = 𝜑𝑖 − 𝜑𝑒 on a :
1 1 𝜋 𝜋
𝜑 = −𝑎𝑟𝑔 1 + 𝑗𝑄 𝑥 − ⟹ cos 𝜑 = >0⟹𝜑∈ − ;
𝑥 2 2 2
1
1 + 𝑄2 𝑥 − 𝑥

MPSI 1
𝜋
𝑥⟶0⟹𝜑⟶
2
𝜋
𝑥⟶∞⟹𝜑⟶−
2
𝑥⟶1⟹𝜑⟶0
2.3. Tension aux bornes de 𝑹, 𝑳, 𝑪 en fonction de 𝒙

 Aux bornes de 𝑹
𝐸
𝑢 = 𝑅𝑖 ⟹ 𝑈𝑚 = 𝑅𝐼𝑚 =
1
1 + 𝑗𝑄 𝑥 − 𝑥
𝑬
𝑼𝒎 = 𝑼𝒎 =
𝟐
𝟏
𝟏 + 𝑸𝟐 𝒙 − 𝒙
 Aux bornes de 𝑳
𝑑𝑖 𝐸
𝑢=𝐿 ⟹ 𝑈𝑚 = 𝑗𝐿𝜔𝐼𝑚 = 𝑗𝐿𝜔
𝑑𝑡 1
𝑅 1 + 𝑗𝑄 𝑥 − 𝑥
𝒙𝟐
𝒙𝟐
𝒙𝟐 − 𝟏 𝟐 +
𝑸𝟐
 Aux bornes de 𝑪
1 1 𝐸
𝑈𝑚 = 𝐼𝑚 ⟹ 𝑈𝑚 =
𝑗𝐶𝜔 𝑗𝐶𝜔 𝑅 1 + 𝑗𝑄 𝑥 − 1
𝑥
𝑬
𝒙𝟐
𝟏 − 𝒙𝟐 𝟐 +
𝑸𝟐
2.4. Puissance
2.4.1.Facteur de puissance
La puissance instantanée est définie par :
𝜹𝑾
𝑷 𝒕 = = 𝒖 𝒕 . 𝒊(𝒕)
𝜹𝒕
La puissance moyenne ou aussi puissance active est par définition :
𝑻
𝟏
𝑷𝒎 = < 𝑃 𝒕 >= 𝑷 𝒕 𝒅𝒕
𝑻 𝟎

MPSI 1
𝑢 𝑡 = 𝑈𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑𝑢
⟹ 𝑃 𝑡 = 𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑𝑢 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑𝑖
𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑𝑖
1
⟹ 𝑃 𝑡 = 𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 2𝜔𝑡 + 𝜑𝑢 + 𝜑𝑖 +𝑐𝑜𝑠 𝜑𝑢 − 𝜑𝑖
2
1
𝜑 = 𝜑𝑢 − 𝜑𝑖 ⟹ 𝑃 𝑡 = 𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 2𝜔𝑡 + 𝜑𝑢 + 𝜑𝑖 +𝑐𝑜𝑠 𝜑
2
𝑇 𝑇
1 1 1
𝑃𝑚 = 𝑃 𝑡 𝑑𝑡 = 𝑈 𝐼 𝑐𝑜𝑠 2𝜔𝑡 + 𝜑𝑢 + 𝜑𝑖 +𝑐𝑜𝑠 𝜑 𝑑𝑡
𝑇 0 𝑇 0 2 𝑚 𝑚
𝑇 𝑇 𝑇
𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑈𝑚 𝐼𝑚
⟹ 𝑃𝑚 = 𝑐𝑜𝑠 2𝜔𝑡 + 𝜑𝑢 + 𝜑𝑖 𝑑𝑡 + 𝑐𝑜𝑠 𝜑 𝑑𝑡 = 𝑐𝑜𝑠 𝜑 𝑑𝑡
2𝑇 0 2𝑇 0 2𝑇 0
=0
𝑇
𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑇
𝑈𝑚 𝐼𝑚
⟹ 𝑃𝑚 = 𝑐𝑜𝑠 𝜑 𝑑𝑡 = 𝑐𝑜𝑠 𝜑 𝑡 0 = 𝑐𝑜𝑠 𝜑 𝑇 − 0
2𝑇 0 2𝑇 2𝑇
Il vient finalement :
𝑼𝒎 𝑰 𝒎
𝑷𝒎 = 𝒄𝒐𝒔 𝝋 = 𝑼𝒆𝒇𝒇 𝑰𝒆𝒇𝒇 𝒄𝒐𝒔 𝝋
𝟐
 𝑐𝑜𝑠 𝜑 : facteur de puissance. Sa valeur est comprise entre 0 et 1. Le facteur de

puissance est de même signe que la puissance active. Il est positif lorsque le dipôle est
récepteur et négatif lorsque le dipôle est générateur.
 𝑃𝑚 = 𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜑 2 : puissance active ou puissance utile
 𝑄 = 𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑠𝑖𝑛 𝜑 2 : puissance réactive. Elle s’exprime en Volt-Ampère-réactif
(𝑉𝐴𝑟)
 𝑆 = 𝑈𝑚 𝐼𝑚 2 : puissance apparente. Elle est sans signification physique particulière.
Elle est la limite supérieure de la puissance active qu’un circuit peut absorber. Elle
donnera donc une indication sur les valeurs limites en tensions et en courant d’un
récepteur. Elle s’exprime en Volt-Ampère (𝑉𝐴)
 𝑆 2 = 𝑃𝑚 2 + 𝑄 2
𝑷𝒎
𝑷𝒎 = 𝑼𝒆𝒇𝒇 𝑰𝒆𝒇𝒇 𝒄𝒐𝒔 𝝋 ⟹ 𝑰𝒆𝒇𝒇 =
𝑼𝒆𝒇𝒇 𝒄𝒐𝒔 𝝋
Il faut que 𝒄𝒐𝒔 𝝋 soit le plus grand possible pour que 𝑰𝒆𝒇𝒇 soit minimal afin de minimiser
les pertes joules.
2.4.2.Puissance moyenne aux bornes de 𝑹, 𝑳, 𝑪

 Resistance pure

MPSI 1
𝑈𝑚 𝐼𝑚
𝑍𝑅 = 𝑅 ⟹ 𝜑𝑅 = 0 ⟹ 𝑃𝑚 =
2
La puissance moyenne dissipée dans une résistance est :
𝑼𝒎 𝑰 𝒎
𝑷𝒎 = = 𝑼𝒆𝒇𝒇 𝑰𝒆𝒇𝒇 = 𝑹𝑰𝒆𝒇𝒇 𝟐
𝟐
 Bobine idéale
𝜋
𝑍𝐿 = 𝑗𝐿𝜔 ⟹ 𝜑𝐿 = ⟹ 𝑃𝑚 = 0
2
La puissance moyenne dissipée dans une bobine idéale est nulle :
𝑷𝒎 = 𝟎
 Condensateur
1 𝜋
𝑍𝐶 = ⟹ 𝜑𝐶 = − ⟹ 𝑃𝑚 = 0
𝑗𝐶𝜔 2
La puissance moyenne dissipée dans un condensateur est nulle :
𝑷𝒎 = 𝟎
2.4.3.Puissance complexe
Par définition la puissance complexe 𝑃 est :
𝟏 𝟏
𝑷= 𝑼𝒎 . 𝑰𝒎 ∗ = 𝒖. 𝒊∗
𝟐 𝟐
𝑈𝑚 = 𝑈𝑚 𝑒 𝑗 𝜑 𝑢 1 1 1
𝑗 𝜑𝑖
⟹𝑃= 𝑈𝑚 . 𝐼𝑚 ∗ = 𝑈𝑚 𝑒 𝑗 𝜑 𝑢 𝐼𝑚 𝑒 𝑗 𝜑 𝑖 = 𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑒 𝑗 𝜑 𝑢 −𝜑 𝑖
𝐼𝑚 = 𝐼𝑚 𝑒 2 2 2
1 1 1 1
⟹ 𝑃 = 𝑈𝑚 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜑 = 𝑈𝑚 𝐼𝑚 cos 𝜑 + 𝑗 sin 𝜑 = 𝑈𝑚 𝐼𝑚 cos 𝜑 + 𝑗 𝑈𝑚 𝐼𝑚 sin 𝜑
2 2 2 2
𝑷𝒎 𝑸
Il vient finalement :
𝑷 = 𝑷𝒎 + 𝒋𝑸
2.4.4.Récapitulatif
Puissance active Puissance réactive Facteur de puissance
2 𝑈𝑒𝑓𝑓 2
Resistance 𝑃𝑚 = 𝑅𝐼𝑒𝑓𝑓 = 0 1
𝑅

MPSI 1
𝑈𝑒𝑓𝑓 2
bobine 0 𝑄 = 𝐿𝜔𝐼𝑒𝑓𝑓 2 = 0
𝐿𝜔
2 𝐼𝑒𝑓𝑓 2
condensateur 0 𝑄 = −𝐶𝜔𝑈𝑒𝑓𝑓 = 0
𝐶𝜔
La puissance réactive 𝑄 passe alternativement de la bobine au condensateur mais reste

constante. Elle représente l’énergie emmagasinée dans le circuit 𝑅𝐿𝐶.
2.4.5.Adaptation d’impédance
2.4.5.1. Principe
Pour que le transfert de puissance soit maximal d’un générateur vers un récepteur,
l’impédance du générateur et celle du récepteur doivent être adaptées l’une à l’autre. On dit
alors qu’il y a adaptation d’impédance (ou adaptation d’impédance en puissance).
2.4.5.2. Puissance maximale transférée

Considérons une charge d’utilisation notée 𝑍𝑈 branchée sur un générateur de tension
sinusoïdale de force électromotrice 𝑒𝑔 et d’impédance interne 𝑍𝑔 .
Générateur Récepteur
i
Zg
eg u ZU
Calculons la valeur de 𝑍𝑈 pour laquelle la puissance active fournie est maximale :

𝑍𝑔 = 𝑅𝑔 + 𝑗𝑋𝑔
𝑔é𝑛é𝑟𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟 ⟹
𝑒𝑔 = 𝐸𝑔 cos 𝜔𝑡
𝑟é𝑐𝑒𝑝𝑡𝑒𝑢𝑟 ⟹ 𝑍𝑈 = 𝑅𝑈 + 𝑗𝑋𝑈
En utilisant la notation complexe, la puissance complexe fournie par le générateur est :
1
𝑃= 𝑢. 𝑖 ∗
2
𝑒𝑔 𝑒𝑔 ∗
𝑖= ⟹ 𝑖∗ = ∗
𝑍𝑈 + 𝑍𝑔 𝑍𝑈 + 𝑍𝑔
1 1 𝑒𝑔 𝑒𝑔 ∗
𝑢 = 𝑍𝑈 𝑖 ⟹ 𝑃 = 𝑍𝑈 𝑖. 𝑖 ∗ = 𝑅𝑈 + 𝑗𝑋𝑈 ∗
2 2 𝑍𝑈 + 𝑍𝑔 𝑍𝑈 + 𝑍𝑔
1 𝐸𝑔 2 1 𝐸𝑔 2
⟹ 𝑃 = 𝑅𝑈 + 𝑗𝑋𝑈 ∗ = 𝑅𝑈 + 𝑗𝑋𝑈 2 2
2 𝑍𝑈 + 𝑍𝑔 𝑍𝑈 + 𝑍𝑔 2 𝑅𝑔 + 𝑅𝑈 + 𝑋𝑈 + 𝑋𝑔

MPSI 1
1 𝑅𝑈 𝐸𝑔 2 1 𝑋𝑈 𝐸𝑔 2
⟹𝑃= 2 +𝑗2
2 𝑅 +𝑅 2+ 𝑋 +𝑋 2
𝑅𝑔 + 𝑅𝑈 + 𝑋𝑈 + 𝑋𝑔
2
𝑔 𝑈 𝑈 𝑔
𝑃𝑚 =𝑃𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒 𝑄
La puissance moyenne (puissance active) fournie à la charge est donnée par la partie réelle de
la puissance complexe :
1 𝑅𝑈 𝐸𝑔 2
𝑃𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒 =
2 𝑅 +𝑅 2+ 𝑋 +𝑋 2
𝑔 𝑈 𝑈 𝑔
𝑃𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒 est maximale si :

𝑑𝑃𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒 𝑑𝑃𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒
= 0 𝑒𝑡 =0
𝑑𝑅𝑈 𝑑𝑋𝑈
𝑑𝑃𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒
= 0 ⟹ 𝑅𝑔 = 𝑅𝑈
𝑑𝑅𝑈 𝑬𝒈 𝟐
⟹ 𝑷𝒂𝒄𝒕𝒊𝒗𝒆 𝒎𝒂𝒙 =
𝑑𝑃𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒 𝟖𝑹𝒈
= 0 ⟹ 𝑋𝑈 = −𝑋𝑔
𝑑𝑋𝑈
= 0 ⟹ 𝑅𝑔 = 𝑅𝑈
𝑑𝑅𝑈
⟹ 𝑍𝑈 = 𝑅𝑈 + 𝑗𝑋𝑈 = 𝑅𝑔 − 𝑗𝑋𝑔 = 𝑍𝑔 ∗
= 0 ⟹ 𝑋𝑈 = −𝑋𝑔
𝑑𝑋𝑈
La puissance active est donc maximale lorsque la condition d’adaptation d’impédance
𝒁𝑼 = 𝒁𝒈 ∗ est réalisée. En transformant la source de Thévenin en son équivalent en Norton,
la condition d’adaptation reste toujours la même. On admet que la condition d’adaptation ne

dépend pas du mode de représentation (Norton ou Thévenin) de la source réelle.

Electrocinetique-Chapitre 5-Circuit RLC en Regime Sinusoidal Forcé

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Electrocinetique-Chapitre 5-Circuit RLC en Regime Sinusoidal Forcé

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

MPSI 1

INP-HB Yamoussoukro Année scolaire 2012-2013

CHAPITRE 5 : Circuit RLC en régime sinusoïdal

1.2. Signaux sinusoïdaux

𝑋𝑚 = amplitude complexe ; 𝜔 = pulsation en 𝑟𝑎𝑑. 𝑠 −1 ; 𝜔𝑡 + 𝜑 = la phase à l’instant 𝑡 ; 𝜑 =

< 𝑥 >= 0 pour une fonction sinusoïdale

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 1 sur 13

Pour une fonction sinusoïdale :

 𝐴𝑟𝑔 𝑎 > 0 = 0 et 𝐴𝑟𝑔 𝑎 < 0 = 𝜋

1.2.3.2. Représentation complexe d’une grandeur sinusoïdale

𝒙 𝒕 = 𝑿𝒎 𝒆𝒋 𝝎𝒕+𝝋 = 𝑿𝒎 𝒆𝒋𝝋 𝒆𝒋𝝎𝒕 = 𝑿𝒎 𝒆𝒋𝝎𝒕

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 2 sur 13

𝑋𝑚 = 𝑋𝑚 𝑒 𝑗𝜑 est l’amplitude complexe, son module est égale à l’amplitude de la grandeur

𝑥(𝑡) : 𝑋𝑚 = 𝑋𝑚 , son argument est : 𝜑 = 𝑎𝑟𝑔 𝑋𝑚

1.2.3.3. Intérêt de la notation complexe

L’addition de fonctions sinusoïdales de même pulsation 𝝎 est equivalent à l’addition des

Dériver par rapport à 𝒕 en notation réelle revient à multiplier par 𝒋𝝎 en notation

Intégrer par rapport à 𝒕 en notation réelle revient à multiplier par 𝟏 𝒋𝝎 en notation

1.3. Impédance complexe et admittance complexe

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 3 sur 13

𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑𝑖 ⟹ 𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 𝑒 𝑗 𝜑 𝑖 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡

On appelle impédance complexe :

𝑢 𝑡 et 𝑖 𝑡 sont en phase donc :

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 4 sur 13

2. Circuit 𝑹𝑳𝑪 en régime sinusoïdal forcé

2.1. Etude de l’impédance

L’admittance complexe du circuit 𝑅𝐿𝐶 série :

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 5 sur 13

2.2. Résonance courant dans le circuit 𝑹𝑳𝑪 serie

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 6 sur 13

2.2.1. Etude de l’amplitude 𝑰𝒎

2.2.2.Bande passante à −𝟑𝒅𝑩

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 7 sur 13

La largeur de la bande passante à −3𝑑𝐵 est :

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 8 sur 13

2.3. Tension aux bornes de 𝑹, 𝑳, 𝑪 en fonction de 𝒙

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 9 sur 13

 𝑐𝑜𝑠 𝜑 : facteur de puissance. Sa valeur est comprise entre 0 et 1. Le facteur de

2.4.2.Puissance moyenne aux bornes de 𝑹, 𝑳, 𝑪

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 10 sur 13

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 11 sur 13

La puissance réactive 𝑄 passe alternativement de la bobine au condensateur mais reste

2.4.5.2. Puissance maximale transférée

Calculons la valeur de 𝑍𝑈 pour laquelle la puissance active fournie est maximale :

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 12 sur 13

𝑃𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒 est maximale si :

𝒁𝑼 = 𝒁𝒈 ∗ est réalisée. En transformant la source de Thévenin en son équivalent en Norton,

la condition d’adaptation reste toujours la même. On admet que la condition d’adaptation ne

Dr N’cho Janvier Sylvestre Page 13 sur 13

Vous aimerez peut-être aussi