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CRISTALLOGRAPHIE
CRISTALLOCHIMIE
DIFFRACTION
Exemples de rayons
Cl [] Cu []
rayons ioniques 1.67 (-1) 0.77 (+1) VI
0.73 (+2) VI
0.54 (+3) VI
rayons covalents 1.24 1.22
rayons mtalliques 1.28
rayons de van der Waals 1.75
Distances interatomiques
o x = x2 x1, y = y2 y1, z = z2 z1
Squence dempilement
Les structures compactes sont obtenues en empilant de telles couches
de manire que les atomes de la couche suprieure soient placs dans
les trous ou interstices de la couche infrieure. Par exemple, si la
premire couche a des atomes en A (couche A), les atomes de la
seconde couche peuvent se trouver dans les interstices B (couche B).
Pour la troisime couche, il y a deux possibilits :
- elle peut venir laplomb de la couche A. La squence
dempilement est alors ABABABA (structure hexagonale
compacte),
- elle peut tre place de manire que ses atomes se trouvent dans les
interstices C (couche C). La squence dempilement est alors
ABCABCABC (structure cubique compacte).
Maille lmentaire :
Hexagonale P
2 atomes : 0 0 0 ; 2/3 1/3 1/2
a = 2r ; c = 4 (2/3)1/2 r = 3,266 r
c/a = 2 2 / 3 = 1.633
Nombre de proches voisins : 6 + 3 + 3 = 12 2r
Maille lmentaire :
Cubique F
4 atomes : 0 0 0 ; (1/2 1/2 0 ; 0 1/2 1/2 ; 1/2 0 1/2)
a = 22 r
Nombre de proches voisins : 6 + 3 + 3 = 12 2r (cuboctadre)
Fullerne, C60
Empilement cubique compact (FCC) de sphres C60
(12 pentagones & 20 hexagones = icosadre tronqu)
Compos Empilement
Taux de remplissage Taux de remplissage
compact des interstices des interstices
octadriques ttradriques
NaCl cubique (Cl) 1/1 -
ZnS Wurtzite hexagonal (S) - 1/2
Fe4N hexgonal (Fe) 1/4 -
Fe4C cubique (Fe) - 1/8
Empilement semi-compact
Rseau cubique corps centr : taux de remplissage 68 %.
Autrement dit :
Liaisons covalentes
Pour les composs avec des liaisons ionocovalentes (quelques
centaines de kJ.mol-1) , la coordinence est dtermine par la
configuration lectronique.
Slnium, Se (Te)
trigonal, P3121
a = 4.37, c = 4.95 , Z = 3
Se 0.225 0 1/3
Nombre de liaisons : 2
12 12 12 16
anti-cuboctadre cuboactdre icosadre)
hcp ccp
Cu W Mg
A1 A2 A3
Influence de la temprature
Une augmentation de la temprature correspond :
- un volume de maille plus lev,
- gnralement une symtrie plus leve,
- parfois un dsordre partiel.
Influence de la pression
Une augmentation de la pression correspond :
- un volume de maille rduit,
- un taux de remplissage de lespace plus lev,
- souvent des nombres de coordinence plus levs.
Diamant Graphite
Solution solide
Si deux lments ont des lectrongativits similaires et des rayons
atomiques peu diffrents, ils peuvent se remplacer de manire
alatoire dans la structure cristalline (Cu1-xNix ; 0 x 1)
Dsordre partiel
Drivs de dformation
BaTiO3 subit plusieurs transitions structurales o les cations sont
dplacs par rapport la matrice anionique. Lorsque la temprature
dcrot, la structure cubique de type perovskite est dforme.
Drivs de substitution
MnCu2Al, cubique F
aMnCu2Al = 2 aW
K3C60
Fm 3 m
Sries structurales
n(CuO2) = 1
TlBa2CuO5
n(CuO2) = 2
TlBa2CaCu2O7
n(CuO2) = 3
TlBa2Ca2Cu3O9
n(CuO2) = 4
TlBa2Ca3Cu4O11
YBa2Cu3O7
YBa2Cu4O8