REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR

ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

Ecole Nationale Polytechnique ‫المدرسـة الوطنيـة المتعددة التقنيـات‬

d’Oran Maurice Audin ‫بوهران موريس أودان‬

Polycopié
Electronique Générale
Cours & Exercices

Mme EL BOUSLEMTI Rahmouna

Année Universitaire : 2019 - 2020

Objectifs de l’enseignement

Donner les fondements de l’électronique.

Découvrir les composants électroniques de base, comprendre leurs principes de
fonctionnement et apprendre à les modéliser.

Connaissances préalables recommandées

L’étudiant doit être capable d’appliquer les lois et les théorèmes fondamentaux de
l’électricité et de la physique.

ii
 Conseils aux etudiants pour bien commencer

Vous devez suivre les conseils suivants :

 Soyez reguliers dans l’effort :

- N’attendez pas la fin du semestre ou de l’année pour travailler.

 Soyez vigilants face aux difficultés rencontrées :

- Réagissez rapidement si vous décrochez

 Arrivez en avance en cours et TD

 apprenez vos cours, entraînez vous, soyez concentrés et n’hésitez pas à vous
faire aider.

iii
Table des matières
CHAPITRE 1 ...........................................................................................................7
SEMI-CONDUCTEURS ET JONCTION P-N.......................................................7
1. PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS .......................................................7

1.1 Définition..................................................................................................................... 7
1.2 Les matériaux semi-conducteurs.................................................................................... 8

2. STRUCTURE D’UN SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE ........................8

2.1 Le cristal de silicium ........................................................................................................... 8

2.2 Cristal d’Arséniure de Galium GaAs .................................................................................... 9

3. MECANISME DE LA CONDUCTION DANS LES SEMI CONDUCTEURS :

NOTION DE TROUS ............................................................................................ 10
4. DOPAGE D’UN SEMI-CONDUCTEUR ......................................................... 12

4.1 Dopage de type N .............................................................................................................. 12

4.2 Dopage de type P ............................................................................................................... 13

5. LA JONCTION PN ........................................................................................... 14

5.1 Jonction P-N non polarisée ................................................................................................. 14

5.2 Jonction P-N polarisée ....................................................................................................... 15
A. Polarisation en direct ----------------------------------------------------------------------------------- 15
B. Polarisation en inverse ---------------------------------------------------------------------------------- 16

CHAPITRE 2 ......................................................................................................... 17
1. DEFINITION .................................................................................................... 17
2. POLARISATION DE LA DIODE ET FONCTIONNEMENT ....................... 18
3. CARACTERISTIQUE STATIQUE DE LA DIODE .......................................18

A. Caractéristique complète : ................................................................................................ 19

B. Résistance dynamique (ou différentielle) .......................................................................... 19
C. Droite de charge et point de fonctionnement .................................................................... 21

4. APPLICATION DE LA DIODE ......................................................................22

4.1 Redressement..................................................................................................................... 22
4.2 Écrêtage............................................................................................................................. 26
4.3 Filtrage ...................................................................................................................... 29

iv
5. DIODES PARTICULIERES OU DIODES SPECIALES ............................... 31
6. DIODE ZENER ................................................................................................. 33

6.1 Définition .......................................................................................................................... 34

6.2 Caractéristique statique courant-tension .............................................................................. 34
6.3 Stabilisation............................................................................................................... 35
A. Définition --------------------------------------------------------------------------------------------- 35
B. Stabilisation par diode Zener -------------------------------------------------------------------- 35

6.4 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ........................................................... 35

CHAPITRE 3 ......................................................................................................... 39
1. DESCRIPTION ET SYMBOLE.......................................................................39
2. EFFET TRANSISTOR ..................................................................................... 40
CHOISISSONS PAR EXEMPLE LE TRANSISTOR NPN DE LA FIGURE (3.
4). LA JONCTION BASE -EMETTEUR EST POLARISEE EN DIRECT. ......40
3. RELATIONS FONDAMENTALES ................................................................. 42
4. MONTAGES FONDAMENTAUX ( LE REGIME PETIT
SIGNAL (ELECTRONIQUE LINEAIRE)) ......................................................... 42
5. CARACTERISTIQUES DE FONCTIONNEMENT D’UN TRANSISTOR
MONTE EN EMETTEUR COMMUN ................................................................. 43
6. POLARISATION DU TRANSISTOR AU POINT DE REPOS ...................... 43

A. La droite de charge ........................................................................................................... 44

B. La droite d’attaque............................................................................................................ 44

7. LES DIFFERENTS CIRCUITS DE POLARISATIONS ................................ 45

CHAPITRE 4 ......................................................................................................... 46
1. L’EFFET DE CHAMP...................................................................................... 46
2. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ............................................................ 46
A. PRESENTATION ............................................................................................. 46
3. POLARISATION D’UN JFET A CANAL N ................................................... 49
4. CARACTERISTIQUES D'UN JFET A CANAL N ......................................... 51
53
CHAPITRE 5 ......................................................................................................... 54
1. DEFINITION .................................................................................................... 54
2. EFFET DE CHAMP ......................................................................................... 54
3. EFFET DE SURFACE D’UNE STRUCTURE MIS (METAL – ISOLANT
SEMI-CONDUCTEUR) ........................................................................................ 55
v
4. STRUCTURE POSSIBLE DU TRANSISTOR MOSFET .............................. 56
5. SYMBOLES SCHEMATIQUE ........................................................................56
6. FONCTIONNEMENT ...................................................................................... 56

6.1 MOSFET à canal N à appauvrissement............................................................................... 58

6.2 MOSFET à enrichissement (E-MOSFET).......................................................................... 58

7. CARACTERISTIQUES .................................................................................... 60
8. POLARISATION .............................................................................................. 61
CHAPITRE 6 ......................................................................................................... 62
1. INTRODUCTION ............................................................................................. 62
2. SYMBOLE ........................................................................................................62
3. DESCRIPTION ................................................................................................. 63
4. CARACTERISTIQUES DE L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL .......63

A. Amplificateur opérationnel idéal ...................................................................................... 64

B. Amplificateur opérationnel réel ........................................................................................ 64

5. CONCEPT DE LA BOUCLE OUVERTE ET FERMEE ............................... 65

6. CARACTERISTIQUE DE TRANSFERT ....................................................... 65
7. APPLICATION DE L'AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ..................... 66

7.1 L'amplificateur inverseur ......................................................................................... 66

7.2 L'amplificateur non inverseur ............................................................................................. 67
7.3 L'amplificateur suiveur....................................................................................................... 68
7.4 Circuit sommateur inverseur............................................................................................... 69
7.5 Circuit soustracteur ............................................................................................................ 70
7.6 Circuit intégrateur .............................................................................................................. 71
7.7 Circuit dérivateur ............................................................................................................... 72

EXERCICES D’APPLICATION .......................................................................... 73

SOLUTIONS DES EXERCICES .......................................................................... 78
BIBLIOGRAPHIE ................................................................................................ 82

vi
 Chapitre 1

Semi-conducteurs et jonction p-n

Objectifs
À l’issue de ce chapitre, l’étudiant sera capable de :
- Reconnaitre l'image d'un cristal de silicium
- Identifier un semi-conducteur intrinsèque et extrinsèque de type n et de type p
- Comprendre le mouvement des porteurs de charge de la jonction p-n
- Analyser le comportement d’une jonction PN en appliquant une tension continue
- Comprendre l’intérêt des semi-conducteurs dans la réalisation des composants
électroniques

1. Physique des semi-conducteurs

1.1 Définition

Un semi-conducteur est un matériau qui présente une conductivité intermédiaire entre

celle des métaux (conducteurs) et des isolants. On peut considérer les semi-
conducteurs de mauvais isolants à la température ambiante et aussi de mauvais
conducteurs.

La spécifié d’un semi-conducteur par rapport aux autres matériaux réside dans les
propriétés suivantes [1] :

 Conductivité,  photoconduction,  redressement

a. Conductivité : pour un métal ou un isolant, la conductivité décroît faiblement

avec la température. Pour un semi-conducteur, elle croît par contre très rapidement
avec la température. Dans un métal, la conduction est assurée par un seul type de
porteur qui est en générale les électrons. Par contre dans les semi-conducteurs, elle est
assurée par deux types de porteurs qui sont les électrons et les trous.

Electronique Générale 7 

b. Photoconducteur : un semi-conducteur éclairé voit sa résistance diminuer. Cette
propriété est absente chez les conducteurs et les isolants.
c. Redressement : un semi-conducteur n’autorise le passage du courant que dans un
seul sens. Cette propriété est utilisée pour le redressement de courant alternatif.

1.2 Les matériaux semi-conducteurs

En analysant le tableau de Mendeleïev, une partie de ses éléments est considérée

comme étant formé de semi-conducteurs [2].

II III IV V VI

Bore Carbone Azote

5 6 7
B C N
Aluminium Silicium Phosphore Soufre
13 14 15 16
AI Si P S
Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium
30 31 32 33 34
Zn Ga Ge As Se
Cadmium Indium Etain Antimoine Tellure
48 49 50 51 52
Cd In Sn Sb Te

Tableau 1 : Situation des semi-conducteurs dans le tableau périodique.

En raison de leur propriété physique le germanium Ge et le silicium Si sont les plus

utilisés dans les applications électroniques. Les développements de la technologie ont
permis de réaliser de nouveaux conducteurs beaucoup plus performants. Ces semi-
conducteurs utilisent les alliages composés des groupes III et V, comme A sGa et PGa.

2. Structure d’un semi-conducteur intrinsèque

2.1 Le cristal de silicium

Un cristal est caractérisé par un agencement structuré et régulier de ses atomes. Son
réseau cristallin (ou maille cristalline) résulte d'une répétition périodique d'une
configuration géométrique élémentaire dans chacune des trois dimensions de l'espace.

Electronique Générale 8 

Lorsqu’on considère le cas d’un atome de Si, il comprend un noyau autour duquel
gravitent les électrons au nombre de 14 situés sur trois orbites différents. On trouve
sur la couche périphérique 4 électrons illustré par la figure 1.1

Figure 1.1 : Structure simplifiée d’un atome de Si.

L’association des atomes de silicium donne le cristal silicium pur, les atomes forment
4 liaisons de covalence avec 4 voisins. Par l’avantage de la structure cristalline du
silicium, on peut affirmer que le semi-conducteur est un isolant à température absolu.
Il n y a aucun électron libre comme le montre la figure 1.2.

Figure 1. 2 : Cristal de silicium.

2.2 Cristal d’Arséniure de Galium GaAs

Arsenic (As) possède un nombre d’électrons égal à 33 dont 5 se trouve sur la couche
périphérique comme l’illustre la figure 1. 3 (As).
Galium (Ga) à 31 électrons et parmi lesquels 3 se trouvent sur la dernière orbite
(figure 1.3(Ga).

Electronique Générale 9 

 As Ga

Figure 1. 3 : atomes de l’arsenic As et du galium Ga.

La structure du (GaAs) est illustrée à la figure 1. 4. L’association de l’arsenic (As) et

du galium (Ga) va permette d’avoir 4 liaisons de valence. On aura une structure ou il
n’y a plus d’électrons libres à la temperature absolue.

Figure 1. 4 : Structure cristallographique du GaAs.

Ce semi-conducteur ne présente aucun électron libre à la température absolue, ceci

indique qu’il ne peut s’établir aucune conduction à travers ce matériau intrinsèque à
cette température.

3. Mécanisme de la conduction dans les semi conducteurs : Notion de trous

Lorsqu’on détermine les énergies possibles des électrons dans un solide et on permet
de comprendre la notion de conductivité électrique, on constate que :
- la bande de valence est saturée ;
- La bande de conduction est vide.
Au zéro absolu, un semi-conducteur est un isolant parfait.
On modélise la faculté des électrons à se mobiliser pour participer à un phénomène de
conduction par des bandes d’énergies comme le montre la figure (1.5) [3]:

Electronique Générale 10 

Figure 1.5 : Schéma théorique des bandes d'énergie en fonction de la nature du matériau.

Lorsqu’on chauffe ou lorsqu’on éclaire les matériaux isolants comme le cristal de

silicium (càd la température augmente), on casse des liaisons et on libère ainsi des
électrons. Par exemple à la température ambiante (27°C ou 300°K), l’énergie
cinétique des électrons est beaucoup plus grande qu’au zéro absolu. Le silicium est
alors peu conducteur, d'où le nom de semi-conducteur.

Figure 1.6 : électron libre sous l’effet d’augmentation de la température.

De ce fait, il y a rupture d’un certain nombre de liaison de valence. Les électrons

ayant acquis une énergie suffisante passe de la bande de valence vers la bande de
conduction.

Electronique Générale 11 

 Figure 1.7: Rupture des liaisons de valence et présence d’électrons libres dans la bande de
conduction.

En quittant la bande de valence pour la bande de conduction, l’électron laisse un vide

dans la liaison entre deux atomes appelé trou.
La perte de l’électron entraîne l’apparition d’une charge positive fixe (ion +) et
l’existence du trou se comporte comme une charge positive mobile qui capture un
électron voisin, ce qui donne un autre trou à la place de ce dernier. Ce processus se
répète indéfiniment. Il est appelé génération-recombinaison.

Deux types d’entités sont responsables de la conduction dans un semi-conducteur :

 Les e- libres qui circulent au niveau de la bande de conduction
 Les e- liés qui vont de trou en trou : ce type de conduction porte le nom de
conduction par tous.

4. Dopage d’un semi-conducteur

« Semi-conducteurs dopés ou extrinsèques »

Le dopage consiste à introduire des atomes donneurs ou accepteurs d’électrons dans

un substrat de semi-conducteur intrinsèque afin d’en modifier les propriétés
conductrices. Ces atomes dopant sont également appelés impuretés.

4.1 Dopage de type N

Il consiste à produire un excès d'électrons, qui sont négativement chargés. Le semi-

conducteur extrinsèque est dopé N et les impuretés sont dites donneuses d’électrons
comme le phosphore (P, 15 e-), Arsenic (As, 33 e-) ou Antimoine (Sb, 51 e-) de la
colonne V, ces atomes possèdent 5 e- de valence, comme, c’est montré sur la figure 1.

Electronique Générale 12 

8. Ces atomes peuvent s’intégrer de façon parfaite dans la structure du silicium. L’un
de ces atomes pentavalents ne peut se lier à un atome de silicium Si que par 4 e-, le
cinquième électron reste donc libre. Un bon dopage des impuretés permet d’arriver au
nombre d’électrons libres nécessaires pour assurer ainsi la conductivité souhaitée. On
dit que les électrons sont les porteurs de charge majoritaires.

Figure 1.8: Dopage de type N.

4.2 Dopage de type P

Il consiste à produire un déficit d'électrons, donc un excès de trous, considérés
comme positivement chargés. Les semi-conducteurs dopés P sont obtenus par
introduction d’accepteurs d’électrons, figure 1. 9. Ces impuretés dopantes sont
trivalent (colonne IV) ont 3 e- dans leurs couches périphériques comme le Bore (B),
Aluminium (Al) ou le Gallium (Ga) de la colonne III. La liaison de ces atomes
trivalents à un atome de silicium Si est effectuée par 3 e-, le 4eme électron de valence
du Si se retrouve seul. On dit qu’on est présence d’un trou.
A la température ambiante certaines électrons du cristal de silicium se libèrent et
viennent combler ce trou, qui va se retrouver ailleurs qu’à l’emplacement de départ.
On assure une conduction par trous mobiles. Le nombre de trous dépend du nombre
d’atomes d’impuretés ionisés. Les trous sont les porteurs majoritaires dans le dopage
P.

Electronique Générale 13 

 Figure 1.9 : Dopage de type P.

On constate que la conduction électrique dans les semi-conducteurs extrinsèques

s’établit soit par déplacement d’électrons libres, soit par déplacement de trous.

5. La jonction PN
La mise en contact d’un semi-conducteur dopé N et un semi-conducteur dopé P
permet obtenir ce que l’on appelle une jonction PN, figure 1. 10.

Figure 1.10 : Jonction P-N à l’´equilibre.

5.1 Jonction P-N non polarisée

Au niveau de la jonction P-N :

- les électrons libres de la partie N diffusent vers les trous disponibles de la partie P et
se recombinent avec les trous.

Electronique Générale 14 

- les trous disponibles de la partie P diffusent vers la partie N et se recombinent avec
les électrons.

Il y a recombinaison électron-trou.

Les parties P et N étant initialement neutres, la diffusion des électrons et des trous a
pour effet de charger positivement la partie N, négativement la partie P d’où la
création d’un champ électrique interne. La zone située autour de la jonction
correspondant à ce champ électrique est appelée zone de déplétion ou zone de
charge d’espace (ZCE) qui est dépitée en porteur de charges mobiles
(porteurs majoritaires). Cette zone a une faible épaisseur (d  2m ) [4] .

Ce champ repousse les porteurs majoritaires de chaque partie et arrête la diffusion

(Figure 1. 10). Entre les deux parties P et N apparaît alors une d.d.p. appelée «
barrière de potentiel » de l’ordre de 0,7 V pour le Silicium, 0,3 V pour le
Germanium. La zone de déplétion se comporte comme un isolant et il devient très
difficile pour un électron libre, de franchir cette zone. Pour pouvoir assurer une
conduction à travers la jonction, il et nécessaire de fournir une énergie externe pour
vaincre cette barrière de potentiel.

Rappel : les électrons se déplacent dans le sens opposé du champ électrique.

5.2 Jonction P-N polarisée

A. Polarisation en direct
Lorsqu’une tension positive est appliquée entre la partie P et la partie N ( V > 0), la
jonction P-N est polarisée en direct (Figure 1.11). Cela revient à superposer au champ
interne Eint, un champ externe Eext , le champ résultant a pour effet de diminuer la
hauteur de la barrière de potentiel et par conséquent, le nombre de porteurs
minoritaires capables de franchir la jonction augmente.

Electronique Générale 15 

 Figure 1.11: Jonction P-N polarisée en direct.

A partir d’un certain seuil de tension Vo de l’ordre de 0,7 V pour le Silicium, les
porteurs de charge peuvent franchir librement la jonction P-N, celle-ci devient
passante et un courant direct s’établit.

B. Polarisation en inverse

Lorsqu’une tension négative est appliquée entre la partie P et la partie N (V < 0), la
jonction PN est polarisée en inverse (Figure 1. 12). Le champ résultant a pour effet
d’empêcher la circulation des porteurs minoritaires. La jonction est bloquée.
Le courant inverse (le courant de saturation) est pratiquement nul.

Figure 1. 12 : Jonction P-N polarisée en inverse.

Electronique Générale 16 