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CONTACT MÉTAL SEMI-

CONDUCTEUR
Diode Schottky
 2

Contact Métal/SC: diode Schottky

• Plusieurs applications:
• Interconnexions
• Contact Ohmique
• Diode à barrière Schottky
• Survol des jonctions Isolant/SC
• Comparaison PN vs Schottky
 Les interconnexions
• Actuellement, 6 à 8 niveaux
de métal sur les « puces »
(=> 10)
• Problèmes :
• Retards du signal
• Échauffement
• Compatibilité/ diffusion
avec le dispositif

• Utilisation croissante de la
technologie « cuivre ».

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Les interconnexions

• Matériau à faible
constante diélectrique C  S R  l
« low k » d S

• Résistivité les plus

faibles possibles : filière
Cu
 RC

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5
 6

Empilement de couches métal

intel
 7

Diode Schottky
• Quelques définitions (2!)
• Travail de sortie e M  : Le travail de sortie est l’énergie qu’il
faut fournir à un électron dans le métal pour l’extraire du métal. On
l’appellera e M et son unité sera l’électronvolt. Il est définit
comme la différence entre le niveau de vide et le niveau de Fermi
dans le métal.
• Affinité électronique e SC :l’affinité électronique qui est
la différence d’énergie entre le niveau de vide et la bande de
conduction BC.
 Diode Schottky

• Formation du contact:
• Ici e M  e SC
• Apparition d’une barrière
énergétique pour les électrons du
métal :
e b  e M  e SC
• Apparition d’une barrière
énergétique pour les électrons du
SC :

eVbi  eVd  e M  e SC  e MS

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Contact ohmique ou redresseur ?

« ohmique » Semi-conducteur type n « redresseur »

e m  e s em  e s
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Contact ohmique ou redresseur ?

« ohmique » Semi-conducteur type p « redresseur »

e m  e s em  e s
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 11

Contact ohmique ou redresseur ?

• Mais présence d’états d’interface qui

change le problème « simpliste » ci
dessus
Diode Schottky: états d’interfaces

e b  e M  e SC

e b  E g  e 0  cte

eVbi  eVd  e M  e SC  e MS 12
Contacts Ohmiques

• « arrivée » des interconnexions sur le dispositifs.

• Un contact ohmique:
• Pas de chute de potentiel
• résistance au courant la plus faible possible

• Comment ?

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Contacts Ohmiques

• réalisation d’un contact

ohmique
• Il faut sur-doper le SC à
l’interface
• Le courant passe
essentiellement par effet
« tunnel ».

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 Caractéristiques Capacité – Tension C(V).
• Résultats identiques à une
jonction P+N:
d 2V ( x)  ( x)
 
dx 2  SC
eN d eN d x 2
E ( x)   (x  W ) V ( x)   (  Wx)
 SC  SC 2
2 SC (Vbi  V )
W
eN d

1
dQ  e SC N d   SC A 2
CA  A  
dV  bi
2 (V  V )  W
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 Courant dans une diode Schottky :I(V)

• Plusieurs mécanismes
responsables du courant:
• Courant thermo-ionique
• Courant tunnel (SC fortement
dopé)
• Différence fondamentale
par rapport diode PN:
• Courant direct  courant de
majoritaires !!

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 17

Courant dans une diode Schottky :I(V)

Courant thermoïonique: les électrons qui arrivent à

franchir la barrière e(Vbi-V) forment ce courant:

 e(Vbi  V )   E  EF 
n0  N C exp  C
nb  n0 exp  avec
 kT 
  kT 

Soit encore :
 EC  E F  Vbi  V   e( b  V ) 
nb  N C exp    N C exp  
 kT   kT 
 18

Courant dans une diode Schottky :I(V)

• On peut montrer (Singh) que le flux d’électrons

franchissant la barrière de potentiel est  v  n 4 où b

 v  est la vitesse moyenne des électrons .

 Le courant d’électrons du semi-conducteur vers le

métal est alors simplement donné par :
ev A  e( b  V ) 
I SM (V )  N C exp  
4  kT 
 Si la tension de polarisation est nulle, il y a
équilibre entre le courant M -> SC et le courant
SC -> M, le courant est nul.
ev A  e(  b ) 
I MS   I SM (0)   N C exp  
4  kT 
 19

Courant dans une diode Schottky :I(V)

• Si on polarise le système, IMS = cte = IS et le courant

est donné par:

  eV  
I  I SM  I MS  I S  exp    1
  kT  
Ce qui se réécrit ( dans la statistique de MB):

 m * ek 2  2  e b    eV  
I  A 2 3 T exp   exp    1
 2    kT    kT  

constante de Richardson 
 20

Courant dans une diode Schottky :I(V)

• L’autre composante majeure du courant:

• L’effet tunnel (cas de diode fortement dopée)

eV
I tunnel  AJ exp( )
t
0
E0
avec
E 0  f ( N d , m * ,...)
 Circuit équivalent en petits signaux

• Éléments du circuit équivalent:

• Résistance dynamique
dV
Rd 
dI
• Capacité différentielle ou de
jonction 1
 eN d  SC  2 Cs
C d  A 
 2 (Vbi  V ) 
• Résistance série de la diode

RS  Rcontacts  RRN
• Inductance parasite

LS
• Capacité « géométrique » de la
diode
 SC A
C géom 
L
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Comparaison PN vs Schottky
Diode p-n
Courant inverse fct des
majoritaires => forte
dépendance en température
Courant direct fct des
minoritaires injectés depuis
les régions n et p
Nécessité de polariser le
« dispo » pour mise en
.conduction
Commutation contrôlée par
la recombinaison (disparition)
des porteurs minoritaires
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Diode Schottky
Courant inverse fonction de
majoritaires qui « saute » la
barrière  dépendance en
température plus faible
Courant direct fct des
majoritaires
Tension de mise en
conduction faible
Commutation contrôlée par
Thermalisation des électrons
Injectés => qq pico-secondes
 23

hétérojonction
• Contact entre 2 matériaux semiconducteurs différents  gaps
différents  discontinuité des bandes à la jonction.

EC  e(  n   p )

EC  EV  E g
 24

Mise à l’équilibre SC(n)/Sc(P)

 25

Mise à l’équilibre SC(n)/Sc(N)

 26

Création d’un gaz électronique

bidimensionnel