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Electronique de Puissance-I
Programme
Introduction
Chapitre1 : LES CONVERTISSEURS STATIQUES ET LES INTERRUPTEURS EN
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
Chapitre 2 : LES REDRESSEURS NON COMMANDES
Chapitre 3 : LES REDRESSEURS COMMAMDES
INTRODUCTION
L
’électronique de puissance est une branche de l’électrotechnique qui a pour objet
l’étude de la conversion statique d’énergie électrique.
Elle permet :
Une utilisation plus simple et plus adaptée de l’énergie électrique ;
Une amélioration de la gestion, du transport et de la distribution de l’énergie
électrique ;
Une discrétion par une réduction des masses et des volumes ainsi que par un
fonctionnement ultrasonore des dispositifs.
La conversion d’énergie est réalisée au moyen des convertisseurs statiques. Un convertisseur
statique est un dispositif qui transforme de l’énergie électrique disponible en une forme
appropriée à l’alimentation d’une charge.
Chapitre 1
LES CONVERTISSEURS STATIQUES ET LES
INTERRUPTEURS EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
U permettant par une commande convenable de ces derniers, de régler un transfert d’énergie
entre une source d’entrée et une source de sortie. Les sources d’entrées peuvent être :
Une source de tension continue caractérisée par la valeur E de la tension ;
Une source de tension alternative définie par les valeurs de la tension efficace Veff et
de la fréquence f.
Mode de commutation
Les interrupteurs statiques sont des dispositifs à composants électroniques susceptibles de présenter
deux types d’états au cours de leur fonctionnement :
Etat passant (interrupteur fermé) où le courant i est l’ordre de grandeur du courant nominal et
la tension très faible.
Etat bloqué (interrupteur ouvert) où la tension v est de l’ordre de grandeur de la tension
nominale et le courant très faible.
Le passage d’un type d’état à un autre doit se faire au cours d’une transition rapide et peu dissipatrice
(c'est-à-dire respectant les contraintes thermiques); on parle de commutation.
La commutation peut se faire de façon naturelle ou de façon forcée.
A K
A K
VS = 0,7V )
La diode réelle = diode idéale en série avec une force contre électromotrice (fcem).
Dans ces conditions sa caractéristique devient :
A K
Seuil de conduction = Vs
A K
Seuil de conduction = Vs
2.2 Le transistor
2.2.1 Définition
Un transistor bipolaire est constitué par un cristal semi-conducteur (Germanium ou silicium)
comportant trois zones dopées différemment de façon à former :
Soit de 2 zones dopées N séparées par une zone dopée P, c’est le transistor NPN.
Soit de 2 zones dopées P séparées par une zone dopée N, c’est le transistor PNP.
Transistor NPN Transistor PNP
C C
Collecteur Collecteur
IC IC
N P
IB IB
P Base B VCE N Base B VCE
N P
VBE VBE
Emetteur Emetteur
E E
2.2.2 Caractéristique d’un transistor NPN
P2 P1 IB2> IB1
IB1
VBE
IC
ICSat
β Mode
Mode Mode saturé
bloqué linéaire IB
IBSat
Fonctionnement en Commutation
Mode bloqué Mode linéaire Mode saturé
IB = 0 0 < IB < IBSat IB > IBSat
Définie par la valeur du courant IB. Le courant IC dépend directement de la valeur de la tension VCE
( VCEsat ≥ VCE ≥ Tension d’alimentation )
RC RC
IC= 0 IC= 0
C
B
IB = 0
VCE E ➨ VCE E
E
VBE
RC RC
IC ICsat
C
IB > IBSat
B VCE E ➨ VCE E
E
VBE
En conclusion si I B > I BSat , le transistor est saturé ( I C est indépendant de I B ) ( VCE = VCEsat et
( E − VCEsat )
IC = ).
RC
IC =0 = β . IB = ICsat
L’étude sur les transistors PNP est identique. Les tensions et les courants mis en jeu sont négatifs par
rapport à la convention de signes indiquée sur la figure n°1.
2.3 Le thyristor
Le thyristor est un dispositif semi-conducteur comprenant quatre couches superposées alternativement
de type P et de type N. Les quatre couches sont :
La couche d’anode de type P ;
La couche de blocage de type N ;
La couche de commande de type P ;
La couche de cathode de type N.
A K
Les trois bornes sont : l’anode (A), la cathode (K) et la gâchette (G) : G
Il est constitué de trois jonctions :
La jonction d’anode JA ;
La jonction de commande JC ;
La jonction de cathode JK.
Le thyristor est un composant unidirectionnel (sens unique comme la diode). Pour le rendre
conducteur, il faut remplir deux conditions :
VAK > 0 (tension anode-cathode > 0) ;
I G > 0 (IG courant de gâchette).
Lorsqu’une tension directe (positive) est appliquée au thyristor et qu’on la fait croitre, les jonctions
anode et cathode sont polarisées en direct. La jonction médiane (de commande) se trouve en
polarisation inverse et le thyristor est bloqué. On observe tout de même un courant de fuite. Lorsque
cette tension atteint un certain seuil VBO appelé tension de retournement, le thyristor entre en
conduction. Ce qui se traduit par une chute brute de tension à ses bornes et un courant d’anode qui
croit rapidement. En polarisation inverse, le thyristor se comporte exactement comme une diode.
Lorsque le thyristor est en conduction, si le courant qui le traverse devient inferieur à I H (appelé
courant de maintien), le thyristor va se bloquer. Le passage de l’état bloqué à l’état passant s’appelle
amorçage ou déclenchement tandis que le passage inverse s’appelle désamorçage ou blocage.
conduction. Cependant à l’amorçage, on ne doit pas supprimer le courant de gâchette avant que le
courant de l’anode ait atteint un certain seuil I L appelé courant d’accrochage ( I L ≈ 3 à 5I H )
nouveau être appliquée aux bornes du thyristor sans risque d’amorçage. Le temps de blocage dépend
de nombreux paramètres :
2.4 Le TRIAC
2.5 Le DIAC
Le redresseur non-commandé utilise uniquement des diodes et permet de délivrer une tension de
valeur moyenne non réglable.
I. Quelques définitions
1.1 Facteur de forme
La valeur du facteur de forme caractérise la tension redressée. Plus cette valeur et proche de l’unité
plus la tension obtenue est voisine d’une grandeur continue. Ce coefficient sert à comparer des
montages redresseurs différents entre eux. Il est défini par :
Veff
F=
Vmoy
avec Veff valeur efficace de la grandeur considérée, Vmoy valeur moyenne de la grandeur considérée.
C’est donc le rapport de la valeur efficace de la grandeur à sa valeur moyenne pendant une période.
1.2 Taux d’ondulation
Le taux d’ondulation est le rapport de la valeur crête à crête de la tension de sortie par le double de sa
valeur moyenne. Il est défini par :
avec Vsortie(càc) tension de sortie crête à crête, Vsortie(moyenne) valeur moyenne de la tension de sortie.
Le taux d’ondulation a une valeur d’autant plus faible que la tension redressée est moins ondulée.
1.3 Facteur de puissance
Le facteur de puissance K est le rapport de la puissance active (moyenne) P à la puissance apparent
S.
P
K=
S
1.4 Rappel sur les grandeurs mathématiques
Soit X (t ) une grandeur sinusoïdale périodique définie par X (t ) = X M sin(ωt + ϕ )
Valeur moyenne :
L’intensité moyenne d’un courant variable i = f (t ) est égale à l’intensité que doit avoir un courant
continu pour transporter dans le même temps la même quantité d’électricité ( Q = It ).
Valeur efficace :
L’intensité efficace d’un courant variable i = f (t ) est l’intensité I eff du courant qui produirai le
même dégagement de chaleur que i s’il passait pendant le même intervalle de temps dans la même
résistance ( W = RIeff t )
2
v(t ) = VM sin ωt
vD v = v D + uC
uC
i=
R
v R
• Lorsque v > 0 (c’est à dire de 0 à π ), alors D conduit ⇒ vD = 0
v
⇒ uC = v et i =
R
Lorsque v < 0 (c’est à dire de π à 2π ), alors D bloquée ⇒ i = 0
•
⇒ uC = 0 et vD1 = v .
π 2 π 2 π
1 VM V 1 − cos 2ωt
U Ceff = ∫ VM sin 2 ωtdωt = ∫0 sin ωtdωt = 2Mπ ∫ dωt
2 2
2π 0 2π 0
2
2 π 2 2
VM 1 VM 1 1 VM V
=
4π ωt − 2 sin 2ωt = 4π π − 0 − 2 sin 2π + 2 sin 0 = 4
= M
2
0
Facteur de forme
U C eff VM π π
F= = × = = 1,57
U C moy 2 VM 2
Taux d’ondulation
Vsortie( càc) VM π
τ = Tond = = = = 1,57 = 157%
Vsortie( moyenne) 2VM π 2
Facteur de puissance
π π 2 2
1 1 VM V
P = Pmoy = ∫ iC (t )uC (t )dωt = ∫ sin 2 ωtdωt = M
2π 0 2π 0 R 4R
Attention !!
Pmoy ≠ I moyU Cmoy
2 2
V V V P V 4R 2
S = Veff I eff = M M = M K= = 2M = = 0,707
2 2R 2 2R S VM 2 2 R 2
vD
v(t ) = VM sin ωt
R v = v D + uC
v di
uC = L + Ri
L
dt
L’inductance prolonge la durée de la conduction de la diode. Ceci s’explique par le fait que lorsque le
courant décroit dans la charge, l’inductance restitue l’énergie qu’elle a emmagasinée.
di
Dans tout les cas, v(t ) = vD + uC avec uC = L + Ri
dt
di
Quand la diode est passante vD = 0 ⇒ v(t ) = uC (t ) ⇒ L + Ri = v(t ) = VM sin ωt
dt
Pour le courant i (t ) on assiste à un régime transitoire régit par l’équation différentielle suivante :
di
L + Ri = VM sin ωt
dt
R
di di R R − t
Solution homogène : L + Ri = 0 ⇒ = − dt ⇒ ln i (t ) = − t + K ⇒ i (t ) = Ke L
dt i L L
di
Solution particulière : i (t ) = A cos ωt + B sin ωt ⇒ = − Aω sin ωt + Bω cos ωt
dt
d’où − LAω sin ωt + LBω cosωt + RA cos ωt + RA sin ωt = VM sin ωt
RVM RVM
= =
(− LAω + RB ) = VM
B B
R +Lω
2 2 2
R + L2ω 2
2
⇒ ⇒ ⇒
(LBω + RA) = 0 A = − LBω A = − LωVM
R R 2 + L2ω 2
LωVM
R
RV − t
d’où i (t ) = − cos ωt + 2 M2 2 sin ωt + Ke L
R +Lω
2 2 2
R +Lω
Lω R
VM R − t
= − cos ωt + sin ωt + Ke L
2 2
R +Lω
2
R +Lω
2 2 2
R +Lω
2 2 2
R
cos ϕ =
R + L2ω 2
2
sin ϕ Lω Lω
Posons ⇒ ⇒ tan ϕ = = ⇒ ϕ = arctan
sin ϕ = Lω cos ϕ R R
R 2 + L2ω 2
ϕ est l’angle de déphasage de la tension par rapport au courant.
Z = R + jLω ⇒ Z = R 2 + L2ω 2
R R
− t − t
Finalement i(t ) = M (− sin ϕ cos ωt + cosϕ sin ωt ) + Ke L = M sin(ωt − ϕ ) + Ke L
V V
Z Z
On remarque la superposition du régime transitoire et le régime permanent faisant apparaitre le
déphasage du courant sur la tension.
Le courant ne s’annule pas pour ωt = π mais un peu plus au-delà en β = π + ϕ . La diode est alors en
conduction forcée si bien que la tension uC devient inferieur à 0 ( < 0 ) (changement de polarité)
L’inductance a pour rôle de réduire les ondulations du courant. Pour une charge infiniment inductive,
on considérera le courant presque constant.
En conclusion, la charge inductive introduit un retard à l’installation et à la suppression du courant. Le
courant est « lissé ». Les performances du montage sont médiocres, la tension redressée étant en partie
négative, sa valeur moyenne est diminuée par rapport au cas d’une charge résistive.
Pour éviter cet inconvénient, on emploie une diode dite de roue libre(DRL), montée en parallèle
inverse sur la charge. Cela permet de supprimer les alternances négatives de la tension aux bornes de
la charge, et d’augmenter sa valeur moyenne.
di
• De 0 à t1 , l’effet L self emmagasine de l’énergie ;
dt
di
• A t1 , v = Ri et L = 0 ( i est maximal, sa dérivée par rapport au temps est nulle) ;
dt
di
• De t1 à t2 , l’inductance restitue l’énergie L jusqu’à annulation du courant.
dt
Calcul de la valeur moyenne de la tension uC :
β
VM sin ωtdωt = M [− cos ωt ]0 = M [− cos β + cos 0] = M [1 − cos β ]
1 V β V V
U Cmoy = ∫
2π 0 2π 2π 2π
β 2 β 2 β
1 VM VM 1 − cos 2ωt
U Ceff = ∫ VM sin 2 ωtdωt = ∫ sin ωtdωt = ∫ dωt
2 2
2π 0 2π 0
2π 0
2
2 π 2 2
VM 1 VM 1 1 VM V
=
4π ωt − 2 sin 2ωt = 4π π − 0 − 2 sin 2π + 2 sin 0 = 4
= M
2
0
Supposons que D continue de conduire, on aura uC = v < 0 , la tension entre anode-cathode de la DRL
devient passante assurant la continuité de la conduction dans la bobine (la tension aux bornes de la
DRL ne peut pas être en même temps positive et négative).
DRL conduisant, la tension à ses bornes est nulle. L’énergie emmagasinée dans l’inductance est
dissipée dans la résistance R et le courant i décroit pour s’annuler à β . L’annulation du courant
caractérise un fonctionnement en conduction discontinue. Si l’énergie est suffisante, le courant ne
s’annule pas, c’est la conduction continue.
vD
La charge est une batterie d’accumulation de f.c.e.m E
tandis que l’ensemble des résistances du circuit est
R regroupé en une résistance unique R.
v
v(t ) = VM sin ωt
E
Dans tout les cas, v(t ) = vD + uC avec uC = Ri + E
* Si 0 < E < VM
E E
v(θ1 ) = E ⇒ VM sin θ1 = E ⇒ sin θ1 = ⇒ θ1 = arcsin
VM VM
E
or θ1 + θ 2 = π ⇒ θ 2 = π − θ1 ⇒ θ 2 = π − arcsin
VM
θ1 est appelé angle d’ouverture et θ2 angle de fermeture.
1 1 E
θ θ2 2π
U Cmoy = ∫ Edωt + ∫ VM sin ωtdωt + ∫ Edωt = [ωt ]θ01 + VM [− cos ωt ]θθ12 + E [ωt ]θ22π
2π 0 θ1 θ2 2π 2π 2π
=
E
[θ1 − 0] + VM [− cosθ 2 + cosθ1 ] + E [2π − θ 2 ] = E [θ1 + 2π − θ 2 ] + VM [− cosθ 2 + cosθ1 ]
2π 2π 2π 2π 2π
=
E
[θ1 + 2π − π + θ1 ] + VM [− cos(π − θ1 ) + cosθ1 ] = E [2θ1 + π ] + VM [cosθ1 + cosθ1 ]
2π 2π 2π 2π
=
E
[2θ1 + π ] + VM cosθ1
2π π
Calcul de la valeur efficace de la tension uC (en fonction de θ1 seulement):
θ1 2 θ2 2π 2 θ2
E2
[ωt ]θ01 + VM ∫ 1 − cos 2ωt dωt + E [ωt ]θ22π
2
1
U Ceff = ∫ E dωt + ∫ VM sin ωtdωt + ∫ E dωt =
2 2 2
2π 0 θ1 θ2 2π 2π θ1 2 2π
2 θ 2
E2 E2
[θ1 − 0 + 2π − θ 2 ] + VM [θ1 − θ 2 + 2π ] + VM
2
1 1 1
= ω t − sin 2ω t = θ 2 − θ1 − 2 sin 2θ 2 + 2 sin 2θ1
2π 4π 2 θ1 2π 4π
2 2
E2 E2
= [2θ1 + π ] + VM π − 2θ +
1
sin 2θ +
1
sin 2θ = [2θ1 + π ] + VM [π − 2θ1 + sin 2θ1 ]
2π 4π 2π 4π
1 1 1
2 2
vD1
v1 (t ) = −v2 (t ) = VM sin ωt
R
v uC = v1 − vD1 = v2 − vD 2 = RiC
iC = i1 + i2
vD2
v2
⇒ uC = v2 et iC = . D2 conduit ⇒ vD 2 = 0 , alors vD1 = v1 − uC = v1 + v1 = 2v1 . D1
R
bloquée ⇒ i1 = 0 .
La tension uC obtenue à travers ce redressement double alternance est toujours positive (fonction
π 2 π 2 π
1 VM VM 1 − cos 2ωt
U Ceff = ∫ VM sin ωtdωt = ∫ sin ωtdωt = ∫ dωt
2
2 2
π 0
π 0
π 0 2
2 π 2 2
V 1 VM 1 1 VM VM
= M
2π ωt − 2 sin 2ωt = 2π π − 0 − 2 sin 2π + 2 sin 0 = 2 = 2
0
Le fonctionnement d’un tel montage repose sur le principe du commutateur « plus positif » : les
diodes D1 et D2 sont montées à cathodes équipotentielles ; à chaque instant la tension de sortie Vs est
égale à la plus positive des tensions d’entrée V1 et V2. Le courant de sortie est commuté
alternativement par D1 ou D2.
Vmax
Choix de la diode : Les diodes doivent conduire un courant redressé moyen de valeur et doivent
πR
supporter une tension inverse double : 2Vmax .
Ve = Vmax sin(2πft ) .
D1 D2
v(t ) = VM sin ωt
v = vD1 + uC + vD 3 = −vD 2 − uC − vD 4
v R uC
iC =
R
D4 D3
Pendant l’alternance positive les diodes D1 et D3 conduisent et Vs=Ve. Pendant l’alternance négative
les diodes D2 et D4 conduisent et Vs=-Ve (charge résistive).
• Lorsque v > 0 (c’est à dire de 0 à π ), D1 et D3 conduisent, D2 et D4 bloquées
v
⇒ vD1 = vD3 = 0 ⇒ uC = v , vD 2 = vD 4 = v et iC = .
R
• Lorsque v < 0 (c’est à dire de π à 2π ), D2 et D4 conduisent, D1 et D3 bloquées
v
⇒ vD 2 = vD 4 = 0 ⇒ uC = −v , vD1 = vD3 = v et iC = .
R
π 2 π 2 π
1 VM VM 1 − cos 2ωt
U Ceff = ∫ VM sin ωtdωt = ∫ sin ωtdωt = ∫ dωt
2
2 2
π 0
π 0
π 0 2
2 π 2 2
V 1 VM 1 1 VM VM
= M
2π ωt − 2 sin 2ωt = 2π π − 0 − 2 sin 2π + 2 sin 0 = 2 = 2
0
Facteur de forme
U C eff VM π π
F= = × = ≈ 1,11
U C moy 2 2VM 2 2
Taux d’ondulation
Vsortie(càc) VM π
τ = Tond = = = = 0,785 = 78,5%
Vsortie( moyenne) 4VM π 4
Cette valeur est deux fois plus faible que celle obtenue en redressement monoalternance.
Vmax
Choix de la diode : Les diodes doivent conduire un courant redressé moyen de valeur . Elles
πR
doivent également supporter une tension inverse de valeur Vmax .
b) Charge inductive
La diode qui conduit est celle dont l’anode a le potentiel le plus élevé (ou qui a le potentiel d’anode le
plus positif)
uC = v1 quand v1 > v2 et v1 > v3 D1 conduit.
On a : v3 − vD3 − uC = 0 ⇒ uC = v3
v2 − vD 2 − v3 = 0 ⇒ vD 2 = v2 − v3 = U 23
2π
uC est périodique de période (T/3), sa fréquence est donc le triple de celle du secteur : f=150 Hz
3
5π 5π 5π
1 − cos 2ωt
6 2 6 2 6
1 3VM 3V
= ∫ VM sin 2 ωtdωt = ∫π sin ωtdωt = 2πM ∫ dωt
2 2
U Ceff
2π 3 π 2π π 2
6 6 6
5π
3VM 5π π 1 5π 1 π
2 2
3VM 1 6
= ωt − sin 2ω t = − − sin + sin
4π 2 π 4π 6 6 2 3 2 3
6
3VM 2π 1 3 1 3 3VM 2π 3
2 2
= + + = +
4π 3 2 2 2 2 4π 3 2
V VM
VM − M
U C ( càc) π
= =
2
τ = Tond = 2 = = 30%
2U Cmoy 3 3VM π 6 3VM 2π 6 3
Tension inverse maximale aux bornes des diodes :
Pendant que la diode D1 conduit, la diode D2 est soumise à la tension VD2=U21=V2-V1 qui atteint un
maximum de √3 Vmax. Ce maximum doit être supporté par la diode.
V1 V2 V3
wt
-Vmax
VD2
3 Vmax
Vs
wt
ID1
Is
wt
3 3
VM
K = = 2π
P
S 3VM I S
2 3
Fp = P/S = (3√3/2Л)Vmax / 3(Vmax/√2).Is/√3
Fp = 3 / (Л√2) = 0.675 AR
4.2 Redressement double alternance : montage parallèle double PD3
Pour ce type de montage, on utilise un transformateur dont le secondaire est couplé en étoile et
connecté à deux groupes de diodes. Un groupe formé de trois diodes à cathode commun (D1, D2, D3) et
un autre groupe de trois diodes à anode commun (D’1, D’2, D’3).
v1 (t ) = VM sin ωt
2π
v2 (t ) = VM sin ωt −
3
4π
v3 (t ) = VM sin ωt −
3
La tension redressée uC à chaque instant est égale à la différence entre la plus positive et la plus
négative des trois tensions alternatives. Par exemple, entre l’instant 30° et l’instant 90° V1 est plus
positive tandis que V2 est plus négatif. Il s’ensuit que Uc= V1-V2 = U12 = √3 Vmax sin ( t + 30°).
Une diode du haut et une diode du bas conduisent simultanément.
Quand v1 > v3 > v2 D1 et D’2 conduisent uC = v1 − v2 = U12
On a : v3 − vD3 − uC − vD'2 − v2 = 0 ⇒ uC = v3 − v2 = U 32
4π 2π 4π 2π
uC = v3 − v2 = VM sin ωt − − VM sin ωt − = VM sin ωt − − sin ωt −
3 3 3 3
Sachant que :
P−q P+q
sin p − sin q = 2 sin cos
2 2
alors
ωt − 4π 3 − ωt + 2π 3 ωt − 4π 3 + ωt − 2π 3 π
uC = VM 2 sin cos = 2VM sin − cos(ωt − π )
2 2 3
3
= 2VM − (− cos ωt ) = 3VM cos ωt
2
d’où uC = U 32 = 3VM cos ωt = U CMax cos ωt avec U CMax = 3VM
π
La période de uC est égale à . La fréquence est six fois celle du secteur : f= 300 Hz.
3
π
uC = 3VM cos ωt de 0 à
6
π 6
9VM π π 1 π 1 π
2 2
9VM 1
= ωt + sin ωt = + + sin − sin −
2π 2 −π 6 2π 6 6 2 6 2 6
9VM π π 3 3VM π
2
3 3
= + + + = +
2π 6 6 4 4 2π 3 2
Taux d’ondulation
Tension inverse appliquée aux diodes :
On s’intéressera à la diode D1 pour illustrer la tension à ses bornes, VD1 :
• 30°… 150° : D1 conduit et VD1=0V.
U12 U13
V1 V2 V3
wt
3 Vmax
VD1
On voit que la tension inverse appliquée à chaque diode est Vinv= √3 Vmax.
Courants dans les diodes :
Chaque diode conduit pendant le tiers de la période du secteur et sera parcourue alors par la valeur Is.
V1 V2 V3
wt
ID1
wt
ID5
wt
Chaque diode sera donc caractérisée par : IDmoy= Is/3 ; IDeff= Is/√3 ; IDmax= Is.
Courants au secondaire du transformateur :
Chaque enroulement, étant réuni à deux diodes, est parcouru par un courant pendant deux intervalles
de durée T/3. Ainsi i1= + Is lorsque la diode D1 conduit et i1= -Is lorsque la diode D2 conduit.
V1 V2 V3
wt
i1
Is
wt
-Is
U redresseur dont la partie de diodes a été remplacée par un ensemble équivalent de thyristors.
En retardant la mise en conduction de ces composants, on arrive à modifier la valeur
moyenne de la tension redressée de sortie et par conséquent la puissance reçue par la charge.
Pour 0 < ωt < α , v > 0 , thyristor polarisé en direct mais I G = 0 (pas de courant de
Pour α < ωt < π , v > 0 , il y a impulsion du courant de gâchette ( I G > 0) donc thyristor
Pour π < ωt < 2π , v < 0 , thyristor polarisé en inverse, ∀I G , il n’y aura pas conduction ⇒
π 2 π 2 π
1 V V 1 − cos 2ωt
= ∫ VM sin 2 ωtdωt = M ∫α sin ωtdωt = 2Mπ ∫ dωt
2 2
U Ceff
2π α 2π α 2
π
V
2
1
2
VM 1 1 VM α 1
= M
4π ωt − 2 sin 2ωt = 4π π − α − 2 sin 2π + 2 sin 2α = 2 1 − π + 2π sin 2α
α
1.2 Charge RL
v (t ) = VM sin ωt
0 → 0 ≤ ωt ≤ α
∀t , v = vTH + uC avec
uC = v → α < ωt < β
0 → β ≤ ωt ≤ 2π
di
uC = L + Ri
dt
π
α =ψ =
3
β 2 β 2 β
1 V VM 1 − cos 2ωt
U Ceff = ∫ VM sin 2 ωtdωt = M ∫ sin ωtdωt = ∫ dωt
2 2
2π α 2π α 2π α 2
β
VM
2
1 VM
2
1 1 VM β −α 1
=
4π ωt − 2 sin 2ωt = 4π β − α + 2 sin 2β − 2 sin 2α = 2 π
−
2π
(sin 2β − sin 2α )
α
1.3 Charge RE
v(t ) = VM sin ωt
v = vTh + uC
uC = Ri + E
vTh = v − E < 0 ;
De η à α , v > E , mais pas d’impulsion de gâchette ⇒ thyristor bloqué, d’où i = 0 ,
uC = E , vTh = v − E > 0 ;
v−E
uC = v , et i = > 0;
R
De β à 2π , v < E , pas de courant de gâchette ⇒ thyristor bloqué, d’où i = 0 , uC = E ,
vTh = v − E < 0 .
E → 0 ≤ ωt ≤ α
uC = VM sin ωt → α ≤ ωt ≤ β
E → β ≤ ωt ≤ 2π
T = 2π
Calcul de la valeur moyenne de la tension uC :
1 E
α β 2π
U Cmoy = ∫ Edωt + ∫ VM sin ωtdωt + ∫ Edωt = [ωt ]α0 + VM [− cos ωt ]αβ + E [ωt ]2βπ
2π 0 α β 2π 2π 2π
=
E
[α − 0] + VM [− cos β + cosα ] + E [2π − β ] = E [α − β + 2π ] + VM [cosα − cos β ]
2π 2π 2π 2π 2π
Calcul de la valeur moyenne du courant i :
β
1 VM sin ωt − E
dωt = M [− cos ωt ]α − [ωt ]αβ
V β E
I moy = ∫
2π α R 2πR 2πR
=
VM
[− cos β + cosα ] − E [β − α ] = VM [cosα − cos β ] + E [α − β ]
2πR 2πR 2πR 2πR
Calcul de la valeur efficace de la tension uC :
α 2 β 2π 2 β
E2 VM 1 − cos 2ωt E2
U Ceff =
1
∫ E dωt + ∫ V
2
sin 2
ωtdωt + ∫ E 2
dωt = [ωt ]α
+ ∫ dωt + [ωt ]2βπ
2π 2π 2π α 2π
M 0
0 α β 2
2 β 2
E2 E2
= [α − 0 + 2π − β ] + VM ωt −
1
sin 2ωt = [α − β + 2π ] + VM 1 1
β − α − 2 sin 2β + 2 sin 2α
2π 4π 2 α 2π 4π
v1 (t ) = −v2 (t ) = VM sin ωt
uC = v1 − vTh1 = v2 − vTh 2 = RiC
iC = i1 + i2
De 0 à α , Th2 bloqué ⇒ i2 = 0 , Th1 est susceptible d’être amorcé mais il n’y a pas de
courant de gâchette ⇒ Th1 bloqué ⇒ i1 = 0 alors iC = 0 ⇒ uC = 0 , vTh1 = v1 , vTh2 = v2 ;
v1
( I G > 0 ), ⇒ Th1 conduit alors vTh1 = 0 ⇒ uC = v1 , iC = i1 = ,
R
vTh2 = v2 − uC = v2 + v2 = 2v2 ;
De π à π + α , Th1 bloqué ⇒ i1 = 0 , Th2 est susceptible d’être amorcé mais il n’y a pas de
v2
( I G > 0 ), ⇒ Th2 conduit alors vTh 2 = 0 ⇒ uC = v2 , iC = i2 = ,
R
vTh1 = v1 − uC = v1 + v1 = 2v1 ;
π 2 π 2 π
1 VM VM 1 − cos 2ωt
U Ceff = ∫ VM sin ωtdωt = ∫ sin ωtdωt = ∫ dωt
2
2 2
π α π α π α 2
2 π 2
V 1 VM 1 1
= M
2π ωt − 2 sin 2ωt = 2π π − α − 2 sin 2π + 2 sin 2α
α
1 α 1
= VM − + sin 2α
2 2π 4π
b) Charge inductive RL
v1 (t ) = −v2 (t ) = VM sin ωt
diC
uC = v1 − vTh1 = v2 − vTh 2 = L + RiC
dt
iC = i1 + i2
v2 → 0 ≤ ωt ≤ α
uC = v1 → α < ωt < π + α
v → π + α ≤ ωt ≤ 2π
2
Calcul de la valeur moyenne de la tension uC :
π +α
U Cmoy =
1
∫V sin ωtdωt =
VM
[− cos ωt ]απ +α = VM [− cos(π + α ) + cos α ] = VM [cos α + cos α ]
π α
M
π π π
2VM cos α
=
π
Calcul de la valeur efficace de la tension uC :
π +α 2 π +α 2 π +α
1 VM VM 1 − cos 2ωt
U Ceff = ∫ VM sin ωtdωt = ∫ sin ωtdωt = ∫ dωt
2
2 2
π α π α π α 2
2 π +α 2
VM 1 VM 1 1
= ωt − sin 2ωt = π + α − α − sin( 2π + 2α ) + sin 2α
2π 2 α 2π 2 2
2
VM 1 1 VM
=
2π π + − 2 sin 2α + 2 sin 2α = 2
Le courant qui traverse le thyristor ne s’annule pas ; ce dernier reste passant même lorsque v1 devient
négative. Si l’inductance est assez grande, l’ondulation ∆i devient négligeable et le courant est
considéré comme constant.
α = π/6 :
Vs
wt
Ve
-Ve
α = π/3 :
Vs
α
wt
-Ve Ve
α = π/2 :
Vs
wt
α
-Ve Ve
α = 2π/3 :
Vs
wt
α
-Ve Ve
On remarque que pour des valeurs de l’angle de retard à la conduction α inférieures à π/2, la valeur
moyenne récupérée est positive. Si α dépasse π/2, cette valeur moyenne devient négative. Le montage
fonctionne maintenant en onduleur non autonome (ou assisté) : l’énergie passe du côté continu au
côté alternatif. Pour fonctionner dans ce mode, il faut que la charge soit active (Machine à courant
continu ou batterie d’accumulateurs).
Courant débité par le réseau :
Lorsque les thyristors Th1 et Th4 conduisent le réseau débite le courant +Is, et lorsque Th2 et Th3
prennent la relève ce courant s’inverse.
wt
Courant débité
Is
wt
-Is
On en déduit la valeur du facteur de puissance : Fp = P/S = 0.9 cosα, varie de 0.9AR à 0 (pour la
marche en redresseur).
Tension aux bornes des thyristors :
Les thyristors Th1 et Th4 commutent simultanément ; on écrit alors VTh1=VTh4= (Ve-Vs)/2.
VTh1
Vmax
Vmax sinα
wt
-Vmax
Les thyristors devront donc supporter en direct une tension VD=Vmax sinα et en inverse une tension
VI= Vmax.
Si on place une DRL en parallèle aux bornes de la charge, elle annule les portions négatives de la
tension Uc. Uc aura le même oscillogramme que dans le cas d’un montage à point milieu avec une
charge purement résistive. La DRL protège aussi les thyristors en cas de grand courant inverse.
b) Montage mixte
Un pont mixte est constitué uniquement de diodes et de thyristors, d’où le nom mixte. Il existe soit en
monophasé ou triphasé. Il a comme avantage de demeurer commandé et a un rendement et un meilleur
facteur de puissance. Son inconvénient s’est qu’il ne fonctionne pas en onduleur. (Fonctionnement en
redresseur : valeur moyenne positive ; fonctionnement en onduleur : valeur moyenne négative).
Il consiste en deux thyristors seulement. Les deux autres sont remplacés par des diodes. Ainsi si le
thyristor Th1 est amorcé, la diode D2 se met spontanément en conduction pour fermer le circuit de la
charge. La différence par rapport à un pont complet est que la tension Vs ne pourra plus devenir
négative (conduction simultanée de D1 et D2).
b.1) Montage symétrique
Le thyristor Th1 est amorcé pour ωt=α quand V>0, la conduction se fait à travers la maille (Th1,
charge, D2, source).
Tant que la tension V>0, le système demeure dans cet état. Cette séquence correspond à la fourniture
de l’énergie par le réseau à la charge.
Th1 Th3
D4 D2
Des que ωt dépasse 180° (π), le thyristor Th3 serait en mesure de conduire mais il ne conduit pas car il
n y a pas de courant de gâchette (d’où Th3 bloqué). Bien que la tension V<0, le thyristor Th1
continuera de conduire jusqu’à ce que Th3 soit amorcé. En effet comme l’intensité a tendance à
diminuer, la f.c.e.m (Ldi/dt) qui a changé de signe se comporte comme une f.e.m qui neutralise cette
tension négative. Par ailleurs, comme les anodes des deux diodes sont au même potentiel, c’est la
diode D4 qui conduit car le potentiel de sa cathode est plus bas que celui de D2. La charge est alors
court-circuitée par la diode D4 et le thyristor Th1, la circulation du courant étant assurée par
l’inductance qui libère l’énergie emmagasinée dans la séquence précédente. Si l’inductance est grande,
le courant dans la charge devient sensiblement constant tandis que le courant délivré par le réseau est
nul. Cette séquence est dite de roue libre.
Au cours de la deuxième demi-période une impulsion de courant est envoyée sur la gâchette du
thyristor Th3 pour ωt=α+π tandis que V<0, on retrouve les mêmes phénomènes que pour la première
demi-période ; c'est-à-dire une séquence de conduction (fourniture de l’énergie par le réseau à la
charge) suivi d’une séquence de roue libre.
b.2) Montage antisymétrique
Th1 D3
Th4 D2
Vs
Th1 et D2 conduisent
wt
D1 et D2
conduisent
α
α = 2 π /3 :
Vs Th1 et D2 conduisent
wt
α D1 et D2
conduisent
Fonctionnement :
Pendant l’alternance positive, on amorce le thyristor à l’instant angulaire α. La diode D2 se met
spontanément à conduire. La charge voit une tension Vs=Ve. Le réseau débite alors le courant
constant de sortie Is (charge industrielle). Au passage de la sinusoïde par zéro, la tension de sortie a
tendance à devenir négative. Ceci provoque la conduction de D1 et la charge se trouve en court-circuit
sur les diodes D1 et D2 et Vs=0. Le thyristor Th1 voit une tension VTh1=Ve négative et se bloque. Le
courant débité par le réseau s’annule (Th1 et Th2 bloqués) et le courant Is circule dans la maille D1,
D2 et la charge. Après un angle de retard α, on envoie une impulsion de gâchette à Th2 qui s’amorce
puisque la tension à ses bornes, VTh2=-Ve, est positive. Son amorçage impose à la diode D2 une
tension VD2=Ve négative ; elle se bloque donc. Le réseau débite un courant –Is. Seuls Th2 et D1
restent conducteurs et Vs=-Ve jusqu’à la prochaine alternance.
Vs
ITh1
Is
Chaque thyristor conduit pendant au plus une alternance et voit les valeurs de courants suivantes :
Imax= Is ; Imoy= Is (π -α)/2Л ; Ieff= Is√(0.5-α/2 π) .
d/ Courants dans les diodes :
On s’intéressera à la diode D1 :
Vs
wt
ID1
Is
wt
La diode D1 se bloque seulement lorsque le thyristor Th1 entre en conduction. Chaque diode voit les
valeurs de courant suivantes :
Imax= Is ; Imoy= Is(1- (π -α)/2 π) ; Ieff= Is √(1- (π -α)/2 π).
e/ Courant débité par le réseau :
Lorsque Th1 conduit, le réseau débite +Is. Lorsque Th2 conduit, le réseau débite –Is. Lorsque les
diodes D1 et D2 conduisent simultanément, le débit s’annule.
Vs
wt
ID1
Is
wt
-Is
Le courant débité possède une valeur moyenne nulle et une valeur efficace I= Is √(1- α/ π).
f/ Facteur de puissance :
La puissance active P= Vmax Is/ π . (1+cosα).
La puissance apparente S= Vmax/√2 . Is . √(1-α/ π).
Le facteur de puissance vaut alors : Fp= (1 + cosα) .√2 / (π.√(1-α/ π)).
Conclusion : A valeurs moyennes égales, Le pont mixte procure un facteur de puissance meilleur par
rapport au pont tout thyristors.
Par exemple, pour Vsmoy= Vmax/2 :
• Pour le pont tout thyristor, α=38.27° et Fp= 0.707 AR.
• Pour le pont mixte, α=55.2° et Fp= 0.85 AR.
g/ Tension appliquée aux thyristors:
VTh1
Vmax
Th1 conduit
wt
-Vmax
Lorsque la diode D1 conduit, le thyristor Th1 est soumis à la tension d’entrée Ve. Il doit donc
supporter la valeur Vmax en inverse et en direct pour α > π /2.
h/ Tension inverse aux bornes des diodes :
La diode D1 se bloque lorsque Th1 conduit et se trouve alors soumise à VD1= -Ve.
Tracé pour α= π /3 :
Ve
wt
VD1
-Vmax
V1 V2 V3
Retard à
l'amorçage
Le thyristor Th1 est susceptible de conduire à l’instant π/6 (instant de conduction naturelle des diodes)
ou la tension V1 devient la plus positive. Contrairement à une diode, le thyristor ne pourra conduire
que lorsqu’une impulsion de gâchette lui est délivrée.
A l’instant α (retard par rapport à la conduction naturelle des diodes), on amorce th1 et Vs=V1. En
supposant que la charge est telle que le courant Is ne s’annule jamais au cours de la période, le
thyristor Th1 restera conducteur tant que Th2 n’est pas amorcé. A l’amorçage de Th2, le thyristor Th1
voit une tension VTh1= V1-V2 = U12 négative et se bloque. Dans ces conditions, on a Vs=V2. Lorsqu’on
amorce Th3, le thyristor Th2 se bloque puisque sa tension anode cathode VTh2= V2-V3 = U23 est
devenue négative ; et l’on aura Vs=V3.
Ainsi, le courant de sortie Is se trouve commuté à tour de rôle par l’un des trois thyristors.
En agissant sur la valeur de l’angle de retard à l’amorçage α, on pourra varier la valeur moyenne de
tension délivrée à la charge ou encore le mode de marche de l’ensemble : Redresseur ou onduleur
assisté.
Allures de tension récupérée pour une charge inductive (conduction continue) :
A) Marche en redresseur (Ucmoy>0)
Lorsque l’angle d’amorçage α est inferieur à π/2 (90°) la tension Uc est formée de portions de
sinusoïdes.
Allures pour α=0° :
U12 U13
Vs
V1 V2 V3
wt
VTh1
U12 U13
Vs
wt
VTh1
U12 U13
Vs
wt
VTh1
U12 U13
Vs
wt
VTh1
U12 U13
VTh1
wt
Vs
On peut démontrer que la valeur moyenne de tension en sortie est donnée par :
Vsmoy= (3√3 /2 π).Vmax.cosα.
On remarque que pour α < 90°, le montage fonctionne en redresseur (Vsmoy > 0), tandis que la
marche est celle d’un onduleur assisté pour α > 90°.
On note également que la tension appliquée aux thyristors (VTh1=V1-Vs) atteint un maximum de
√3 Vmax en direct et en inverse.
On remarque aussi que la durée d’application de la tension inverse après le blocage du thyristor
diminue avec l’angle de retard à l’amorçage α :
• Pour α=0°, cette durée est de 240°.
• Pour α=60°, cette durée est de 120°.
• Pour α=90°, cette durée est de 90°.
• Pour α=120°, cette durée est de 60°.
Donc il faut faire en sorte que l’angle de retard à l’amorçage reste inférieur à 180° sous risque du
réamorçage du thyristor dès que la tension à ses bornes devient positive. Ceci entraînerait des
conséquences très graves.
U12 U13
Vs
wt
VTh1
La forme obtenue est identique que celle qu’on obtiendrait dans le cas d’une charge inductive.
Allures pour α=60° :
U12 U13
Vs
wt
VTh1
U12 U13
Vs
wt
VTh1
Th4
V3
Th5 Charge
Vs
Th6
Comme pour un redresseur parallèle double à diodes triphasé, la charge voit une tension égale à la
différence entre la tension délivrée par le commutateur « plus positif » et celle fournie par le
commutateur plus négatif ».
Le thyristor Th1 est susceptible de conduire lorsque la tension V1 est la plus positive des composantes
V1, V2 et V3. Il est commandé à l’amorçage après un angle de retard α (retard par rapport à la
conduction naturelle des diodes). Le thyristor Th4 est à son tour susceptible de conduire lorsque V2
devient la plus négative. Il est commandé à l’amorçage après un angle de retard à l’amorçage α. Si ces
deux thyristors conduisent simultanément, on aura en sortie Vs= V1-V2=U12.
Vs
V1 V2 V3
wt
Commande d'amorçage
Vs
V1 V2 V3
wt
V1 V2 V3
wt
Vs
Vs
V1 V2 V3
wt
Vs
V1 V2 V3
wt
Pulse de confirmation
Commande d'amorçage
pour Th1 wt
Vs
ITh1 ITh2
Is
wt
Chaque thyristor devra supporter les valeurs de courant suivantes Ithmax=Is ; Ithmoy=Is/3 et Itheff= I/√3.
Pulse de confirmation
Le courant débité par la phase 1 s’écrit I1=Ith1-Ith2 et possède la forme d’onde suivante :
Vs
I1
Is
wt
-Is
Ce courant possède une valeur moyenne nulle et une valeur efficace I=Is.√(2/3) . Le facteur de puissance vaut alors
Fp= ( Vmax.Is.cosα.(3√3/ π)) / (3Vmax/√2).Is.√(2/3) = cosα.3/π.
On distingue bien que le facteur de puissance se dégrade lorsque l’angle de retard α augmente.
Cas d’une charge résistive :
Dans ce cas les courants dans les thyristors ont la même forme d’onde que la tension de sortie
lorsqu’ils sont en conduction. Pour ce tracé α= 90°.
ITh2
ITh1
wt
wt
wt
-1.73 Vmax