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1. Généralités................................................................................................. D 3 165 - 2
1.1 Hypothèses................................................................................................... — 2
1.2 Insertion d’un transformateur .................................................................... — 2
2. Alimentation à accumulation (fly-back) ............................................ — 2
2.1 Structure....................................................................................................... — 3
2.2 Fonctionnement........................................................................................... — 3
2.2.1 Généralités .......................................................................................... — 3
2.2.2 Fly-back en démagnétisation complète ............................................ — 3
2.2.3 Fly-back en démagnétisation incomplète......................................... — 5
2.2.4 Comparaison entre les deux modes de fonctionnement
du fly-back ........................................................................................... — 6
2.3 Fly-back à sorties multiples ........................................................................ — 6
2.4 Fly-back en demi-pont asymétrique........................................................... — 6
2.4.1 Structure.............................................................................................. — 6
2.4.2 Fonctionnement.................................................................................. — 7
2.5 Conclusion sur le fly-back ........................................................................... — 8
3. Alimentation directe (forward) ............................................................ — 8
3.1 Structure....................................................................................................... — 8
3.2 Fonctionnement........................................................................................... — 10
3.3 Comparaison du forward et du fly-back .................................................... — 11
3.4 Forward en demi-pont asymétrique .......................................................... — 11
3.4.1 Structure.............................................................................................. — 11
3.4.2 Fonctionnement.................................................................................. — 11
3.4.3 Avantages de la structure en demi-pont asymétrique .................... — 12
4. Convertisseurs continu-continu indirects ........................................ — 12
4.1 Généralités ................................................................................................... — 12
3 - 1992
4.1.1 Principe................................................................................................ — 12
4.1.2 Réglage de la tension de sortie ......................................................... — 12
4.1.3 Différentes structures ......................................................................... — 12
4.1.4 Résistance équivalente du redresseur à diodes............................... — 13
4.1.5 Diodes en antiparallèle sur les transistors de l’onduleur................ — 13
4.2 Structures de redresseurs........................................................................... — 13
D 3 165
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ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE __________________________________________________________________________________________________________
1. Généralités
1.1 Hypothèses
Comme lors de l’étude des structures des convertisseurs
continu-continu non isolés [D 3 163], nous supposons :
— la tension de sortie continue (ondulation résiduelle
négligeable) ;
— la tension d’alimentation à l’entrée continue et constante ;
— les interrupteurs (semi-conducteurs) idéaux ;
— la puissance délivrée à la sortie égale à la puissance fournie
à l’entrée (pertes négligeables).
De plus, nous n’envisageons pas la réalisation d’un convertisseur
réversible.
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2.1 Structure pour assurer la continuité du flux ; l’énergie stockée W est envoyée,
à travers D, vers la sortie (tension V S ) et le courant de sortie I S circule
dans la charge ; celle-ci est assimilable à une résistance R susceptible
■ Le schéma du fly-back se déduit de celui du convertisseur de varier. Le condensateur de filtrage permet d’avoir une source de
dévolteur-survolteur (figure 2a ) : le transfert d’énergie se fait en tension à la sortie.
deux temps, par l’intermédiaire d’un élément de stockage Il existe deux modes de fonctionnement du fly-back : en déma-
(inductance L) : gnétisation complète (figure 3) et en démagnétisation incomplète
— séquence ➀ : on accumule de l’énergie dans L [interrupteur T (figure 4).
conducteur (ici transistor), diode D bloquée] ; Les figures 3a et 4a représentent le schéma du fly-back sous sa
— séquence ➁ : on bloque T ; D s’amorce ; l’énergie emmaga- forme usuelle. L’émetteur du transistor T est relié à la masse de
sinée dans L est transférée vers la sortie à travers D. telle sorte que le circuit de commande entre base et émetteur soit
Les durées des deux séquences doivent bien entendu assurer référencé à la masse. L’inversion des bobinages (pointage des
une tension moyenne nulle aux bornes de l’inductance : enroulements) permet d’avoir une tension de sortie positive.
V L moy = 0 Le condensateur C de découplage à l’entrée a deux rôles :
— il découple le montage de la source E (suppression du cou-
■ On peut donc remplacer L par l’inductance magnétisante d’un plage dû à l’inductance parasite du câblage) ;
transformateur ; pour avoir effectivement une inductance, on utilise — il fournit la composante alternative du courant absorbé par le
le transformateur dans un fonctionnement en inductances couplées montage.
[D 3 164]. On aboutit ainsi au schéma de la figure 2b, donc aux
schémas équivalents de la figure 2c (ramenés au primaire).
Il faut remarquer le pointage des enroulements, tel que le primaire 2.2.2 Fly-back en démagnétisation complète
et le secondaire ne conduisent jamais en même temps.
Cette structure se nomme alimentation à accumulation ou La figure 3b donne les divers courants et tensions de ce mon-
fly-back. tage (figure 3a) ainsi que le flux ϕ , image du courant magnétisant.
■ T est rendu conducteur pendant un temps t f ; le courant
primaire :
2.2 Fonctionnement i1 = i T
Les deux séquences (figure 2b) sont les mêmes que pour le di 1 E E
- = ------ = -------
----------
convertisseur dévolteur-survolteur : dt L1
— séquence ➀ : T conduit : un courant i T circule au primaire ; le
secondaire est ouvert (D bloquée) ; on stocke une énergie W dans jusqu’à la valeur :
le circuit magnétique ; E E
I 1 max = -------- t f = ------- t f (1)
— séquence ➁ : on ouvre T : les tensions primaire et secondaire L1
s’inversent (ouverture d’un circuit inductif) ; D entre en conduction
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À la fin de t f , l’énergie W emmagasinée dans l’inductance ■ T est bloqué pendant un temps t 0 ; l’énergie stockée dans le
magnétisante est : noyau ne pouvant pas subir de discontinuité, il apparaît au
secondaire, un courant I 2 max tel que :
2
1 2 1 tf 1 E 2 2 1 2 1 2
W = ----- L 1 I 1 max = ----- E 2 -------- = ----- -------- ------- (2) W = ----- L 2 I 2 max = ----- L 1 I 1 max (4)
2 2 L1 2 L1 f 2 2 2
2
avec le rapport cyclique : n1
avec L 1 = ---------
- (5)
t Rm
= -----f = f t f (3)
T 2
n2
f étant la fréquence de fonctionnement du circuit. et L 2 = ---------
- (6)
Rm
n1 I 1 max
d’où I 2 max = --------- I 1 max = ----------------- (7)
n2 k
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VS
2 ■ Mise sous tension (soft-start )
P = W f = --------
- Pour la même raison que dans l’alinéa précédent, on doit
R
prendre des précautions pour la mise sous tension : lors de la pre-
Cette relation permet de calculer la tension de sortie V S , à partir mière période, en effet, le condensateur de filtrage CF à la sortie
de la relation (2) : est déchargé (V S = 0), et le courant au secondaire décroît très peu.
R Si, lorsqu’on amorce le transistor (début de la deuxième période),
V S = E ---------------- (8) le courant magnétisant ne s’est pas encore annulé, la croissance
2 L1 f
du courant primaire s’effectue à partir de cette valeur initiale, et
On note que, en conduction discontinue, la tension de sortie V S ne dépend pas du rap- ainsi de suite pour les périodes suivantes (risque de saturation du
port de transformation k. En revanche, elle dépend malheureusement de la charge R. Cela circuit magnétique, risque de destruction).
s’explique par le fait que le montage ainsi réalisé n’est pas une source de tension mais une
source de puissance. On utilise donc un dispositif de démarrage progressif (soft-start )
Une régulation, agissant sur , est indispensable pour transfor- consistant à démarrer avec un rapport cyclique très faible que l’on
mer cette source de puissance en source de tension. augmente progressivement, de manière à charger en douceur le
condensateur de filtrage.
■ Influence du rapport de transformation
Le rapport k détermine la tenue en tension du transistor ; en effet,
lorsque le secondaire conduit, la tension qui apparaît au primaire L’ensemble de ces contraintes réserve donc l’utilisation du
est égale à V S /k et la tension V CE entre collecteur et émetteur du fly-back au domaine des faibles puissances (quelques dizaines
transistor est alors : de watts).
V CE = E + (V S /k )
Durant le temps mort t m , il n’y a plus de tension ni au primaire, 2.2.3 Fly-back en démagnétisation incomplète
ni au secondaire et on a :
V CE = E
Si l’on amorce T avant que le courant secondaire i 2 se soit annulé,
Dans le cas de transistors bipolaires, cela permet de profiter de on fonctionne en démagnétisation incomplète, ce qui correspond
la tenue en tension V CEX du transistor : lorsqu’il est bloqué, le à la conduction continue du convertisseur dévolteur-survolteur. Les
transistor peut supporter une tension V CEX environ deux fois plus courants prennent l’allure indiquée sur la figure 4b.
élevée que la tension V CEO au moment de l’amorçage. V CEO et
■ Le flux ϕ ne s’annule plus.
V CEX sont donnés dans les catalogues des constructeurs, V CEX
correspondant à IC = 0, I B = 0 et V BE < 0 (IC et I B étant respec- ■ On remarquera que le facteur de forme du courant i T dans le
tivement les courants dans le collecteur et dans la base et V BE la transistor (ainsi que i D dans la diode) est meilleur qu’en démagné-
tension entre base et émetteur). tisation complète (trapèze au lieu de triangle), ce qui permet d’obte-
Pour une tension d’entrée E et une tension de sortie régulée nir, pour une valeur de crête imposée par le transistor, une valeur
égale à V S , on choisit d’habitude k tel que : moyenne plus élevée.
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■ Dans le cas de transistors bipolaires, par contre, la forme de la En raison de sa simplicité, le fly-back en démagnétisation complète
tension V CE aux bornes du transistor ne permet pas de profiter de la est très utilisé pour les alimentations à découpage de faible puis-
valeur V CEX . Le transistor voit une tension : sance (quelques watts à quelques dizaines de watts).
V CE = E + (V S /k )
durant toute la durée du blocage ; or l’amorçage devant s’effectuer 2.3 Fly-back à sorties multiples
sous une tension inférieure à VCEO , on doit donc avoir :
n1 VS Une des principales limitations du montage fly-back classique est
V CEO > E + --------- V S = E + --------
- de ne pas pouvoir fonctionner à vide ; si la charge est déconnectée
n2 k accidentellement, il apparaît une surtension élevée à la sortie, due
au fait que l’énergie emmagasinée dans durant la conduction du
■ Tension de sortie transistor (figure 2b ) ne peut plus alors s’écouler que dans le
En écrivant que la tension moyenne aux bornes de L 1 est nulle : condensateur de filtrage à la sortie (risque de destruction).
Pour pallier cet inconvénient, on peut réaliser un fly-back à plu-
VS n1
E t f = --------- t 0 = --------- V S t 0 sieurs sorties, qui permet alors d’obtenir une marche à vide sur l’une
k n2 des sorties, l’énergie stockée étant envoyée sur les autres.
on obtient la tension de sortie VS : ■ Le schéma d’un fly-back à deux sorties est donné, à titre
d’exemple, sur la figure 5a ; en ramenant tout au primaire, son
n2 tf n2 schéma équivalent est donné sur la figure 5b . Par suite de la pré-
V S = --------- E --------------- = --------- -------------- E = k -------------- E (9)
n1 T–tf n1 1– 1– sence des diodes, le courant magnétisant i µ se referme dans la
source de tension de plus faible valeur. Ainsi, si l’une des tensions
que l’on peut comparer à celle du dévolteur-survolteur : de sortie tend à augmenter par suite d’une charge trop faible, l’éner-
gie est récupérée sur l’autre sortie.
V S = -------------- E ■ Une variante, très utilisée, consiste à utiliser la source de tension
1–
E à l’entrée elle-même comme sortie auxiliaire. Pour cela, on intro-
duit un enroulement de récupération sur la source d’entrée E
La tension de sortie du fly-back en conduction continue est (figure 5c ). Si, par suite d’un fonctionnement à vide, la tension de
indépendante de la charge, mais dépend du rapport de trans- sortie V S1 , ramenée du côté primaire, tend à dépasser E , le troisième
formation. enroulement devient conducteur (V S2 = E ) et l’énergie stockée est
renvoyée vers la source E . Cela suppose que, en fonctionnement nor-
mal, la tension aux bornes de L 3 soit inférieure à E , c’est-à-dire que
■ Protection en courant (figure 5d ) :
La valeur de crête du courant primaire dépend de sa valeur n2
moyenne, qui est une image de la puissance fournie à la sortie. Si V S1 < --------- E
n3
la charge à la sortie varie brusquement, la régulation ne pouvant
pas avoir un temps de réponse nul, on risque une augmentation Notons que la source E doit alors être apte à récupérer de l’énergie ; si E est obtenue à
brutale de ce courant (saturation du noyau) entraînant la destruc- partir du réseau alternatif redressé par un pont de diodes, donc non réversible, le
tion du transistor. Il faut donc également prévoir une protection en condensateur de filtrage CF à la sortie du pont de diodes doit avoir une valeur suffisante
pour absorber cette énergie, sans augmentation excessive de sa tension.
courant.
2.2.4 Comparaison entre les deux modes 2.4 Fly-back en demi-pont asymétrique
de fonctionnement du fly-back
2.4.1 Structure
■ Les meilleurs facteurs de forme du fly-back en démagnétisation
incomplète permettent d’obtenir une puissance supérieure, pour un Dans les structures vues jusqu’à présent, la tenue en tension du
même dimensionnement. transistor doit être supérieure à E (2 E généralement). Cela exclut,
actuellement, l’alimentation à partir du réseau alternatif 380 V (soit,
■ En revanche, le fly-back en démagnétisation complète permet de en continu, environ 500 V après redressement et filtrage, donc plus
profiter de la valeur V CEX de la tension du transistor. Il suffit de 1 000 V de tenue en tension des transistors, compte tenu de la
d’avoir : marge de sécurité).
V CEO > E
Par ailleurs, l’influence de l’inductance de fuites f du transfor-
et V CEX > E + (V S /k ) mateur, que nous avons négligée jusqu’à présent, se traduit par
une surtension aux bornes du transistor au moment du blocage
tandis que, dans le fonctionnement en démagnétisation incomplète, ( v = f di/dt ) qui s’ajoute à la tension théorique.
on doit avoir : Pour réduire la tenue en tension des transistors, on peut utiliser
V CEO > E + (V S /k ) deux transistors qui se partagent la tension lorsqu’ils sont bloqués.
Cela est intéressant pour la réalisation d’alimentations à Si la tension totale à supporter est égale à 2 E, chacun supporte
découpage à partir du réseau. seulement E, en admettant que les deux transistors T1 et T2 se
partagent également cette tension. On aboutit ainsi au schéma de
Exemple : pour une alimentation à découpage sur le réseau alter- la figure 6a. En ajoutant deux diodes D1 et D2, comme il est
natif à 220 V redressé et filtré, soit en continu environ 300 V, on pourra indiqué sur la figure 6b, on interdit à toute tension supérieure à E
utiliser un transistor de : d’apparaître aux bornes de chacun des deux transistors (diodes
d’écrêtage). En dessinant ce schéma conformément à la figure 6c,
V CEO = 400 V et V CEX = 800 V
on obtient une sorte de pont dont une diagonale est constituée par
les deux transistors et l’autre par les deux diodes. On appelle cette
structure demi-pont asymétrique, du fait qu’elle ne comporte que
deux interrupteurs commandés.
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Cette structure est représentée sur la figure 7a . Le circuit Les formes des courants et tensions (figure 7b), dans le cas d’une
secondaire est, en tous points, identique à celui du fly-back classique. démagnétisation complète, sont les mêmes que pour le fly-back
Le pointage des enroulements est tel que D3 est bloquée quand les classique, excepté pour les tensions aux bornes des transistors qui,
transistors conduisent. divisées par deux, sont :
v CE = [E + (V S /k )]/2
2.4.2 Fonctionnement en admettant qu’ils se partagent également la tension. Cette tension
est inférieure à E puisque V S /k est inférieur à E.
Les transistors T1 et T2 sont commandés en synchronisme. Le
À cause des inductances de fuites du transformateur, on a une
fonctionnement est celui du fly-back classique en démagnétisation
surtension au moment du blocage, et la tension réelle aux bornes
complète (§ 2.2.2) ou incomplète (§ 2.2.3), avec possibilité de fonc-
des transistors devient supérieure à la tension théorique
tionnement à vide.
[E + (V S /k )]/2. Toutefois, grâce aux diodes D1 et D2, la tension aux
— Lorsque T1 et T2 sont conducteurs, on stocke de l’énergie bornes de chacun des transistors ne peut pas dépasser E (en
dans l’inductance magnétisante (D3 bloquée) ; la tension v 1 au négligeant la tension directe aux bornes des diodes lorsqu’elles
primaire est égale à E. s’amorcent). L’énergie emmagasinée dans les inductances de fuites
— Lorsque l’on bloque T1 et T2, l’énergie accumulée est trans- est alors renvoyée vers la source E.
férée du côté de la sortie à travers la diode D3 ; la tension au Les tensions de sortie ont la même expression que pour le
secondaire devient égale à VS , donc la tension au primaire, en fly-back classique. Notons simplement que le rapport cyclique
valeur absolue (elle est en sens inverse de celle de la première doit rester inférieur à 1/2, puisque la tension au primaire ne peut
séquence), est : pas dépasser E lorsque les transistors sont bloqués.
VS n1 Les avantages du fly-back en demi-pont asymétrique sont donc :
- = --------- V S
v 1 = --------
k n2 — fonctionnement possible à partir du réseau alternatif 220 V ou
380 V avec les transistors actuels ;
Nota : pour que l’énergie soit effectivement envoyée au secondaire, il faut que V S /k soit
inférieur à E (§ 2.3) ; si ce n’est pas le cas (marche à vide par exemple), l’énergie est — protection en tension des transistors ;
renvoyée vers E à travers D1 et D2 (récupération). — possibilité de marche à vide.
Les deux fonctionnements (en démagnétisations complète et
incomplète) sont possibles : le fonctionnement en démagnétisation
complète, permettant de mettre à profit la tension V CEX des
transistors, est le plus fréquemment utilisé (§ 2.2.4).
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3. Alimentation directe
Figure 6 – Synthèse du fly-back en demi-pont asymétrique
(forward)
Nota : le lecteur pourra se reporter à l’article [D 3 163].
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Le transformateur ne pouvant fonctionner qu’en alternatif, le le noyau ne devant pas subir de discontinuité, il faut donc créer ce
seul endroit où nous pouvons insérer le primaire se trouve entre le chemin en fermant une maille supplémentaire aux bornes de
transistor T et l’inductance L (existence d’une tension variable sur l’inductance magnétisante lorsque les circuits primaire et secon-
l’émetteur de T). daire s’ouvrent (amorçage de D3, figure 8e). En outre, pour que la
On arrive d’abord au schéma de la figure 8b ; la diode D de roue tension moyenne aux bornes de puisse être nulle, cette maille
libre se trouve en parallèle sur le secondaire et cette configuration doit comporter une source de tension E c de signe opposé à E (force
est interdite. Notons toutefois que cette diode, qui a pour rôle contre-électromotrice E c ).
d’assurer la continuité du courant circulant dans l’inductance, peut Pour les faibles puissances (produit de l’énergie magnétisante
être isolée du secondaire par une seconde diode D2 (figure 8c) : la par la fréquence inférieur au watt), on peut utiliser, comme force
diode de roue libre D 1 n’impose plus alors v 2 = 0 pendant sa contre-électromotrice E c , une diode Zener DZ qui doit être capable
conduction. Certes, la diode d’isolement ne permet la circulation d’un 2
courant que vers la charge, mais nous ne cherchons pas de de dissiper l’énergie i µ /2 stockée dans (figure 9a).
réversibilité (§ 1.2). Pour les puissances plus élevées, le problème peut être résolu par
Cela ne suffit pas pour résoudre le problème de la démagnétisa- l’adjonction d’un troisième enroulement (enroulement de démagné-
tion ; en effet, le blocage de T va entraîner simultanément tisation) qui doit conduire dès l’ouverture du primaire et du
(figure 8d ) : secondaire et assurer ainsi la continuité du flux pendant toute la
— l’ouverture de l’enroulement primaire ; durée du blocage de T (amorçage de la diode D3). L’enroulement
— l’ouverture de l’enroulement secondaire (le sens de v 2 ) de démagnétisation (avec n 3 spires), étant le seul à conduire, se
entraîne le blocage de la diode d’isolement D2 ; comporte comme une inductance ; il doit donc se refermer sur une
— l’amorçage de la diode de roue libre D1 (continuité de iL ). source tension (force contre-électromotrice E c ). En inversant le sens
du troisième enroulement, on peut utiliser comme force contre-
Le primaire et le secondaire étant ouverts, il n’y a aucun chemin électromotrice soit la source de tension à l’entrée E (figure 9b), soit
assurant la continuité du courant magnétisant (d’où le point d’inter- la source de tension à la sortie V S (figure 9c).
rogation pour i µ ). Or, le flux et l’énergie magnétisante stockée dans
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La tension aux bornes de L est égale à (kE – V S ). Le courant iL 3.3 Comparaison du forward
croît linéairement avec une pente :
et du fly-back
di L kE – V S
---------- = ---------------------
-
dt L Le forward présente par rapport au fly-back les avantages
avec k = n 2 /n 1 suivants :
— c’est une véritable source de tension ;
Le courant primaire (donc dans le transistor) est la somme de iL , — le transformateur est plus petit (mais plus complexe) ;
ramené au primaire, et du courant magnétisant : — le fonctionnement à vide est possible, même si la régulation
i 1 = i T = k iL + i µ (10) n’intervient pas instantanément ; toutefois la tension de sortie, aux
bornes du condensateur de filtrage, va atteindre k E, alors qu’en
■ Séquence ➁ : pendant un temps t 0 , T est bloqué, D2 est bloquée, fonctionnement en charge elle est limitée à k E /2 pour un rapport
D1 et D3 conduisent. Le courant magnétisant se referme, à travers cyclique maximal égal à 1/2 ;
D3, par le troisième enroulement, soumis à la tension – E ; il décroît — la tenue au court-circuit à la sortie est possible si l’on protège
linéairement avec une perte : le transistor ;
— l’ondulation de courant dans L et CF est plus faible (filtrage
di µ E E plus facile).
- = – ------- = – -------
----------
dt L3 L1
égale et opposée à celle qu’il avait durant la première séquence. Il 3.4 Forward en demi-pont asymétrique
s’annule donc au bout d’un temps égal à t f . On voit qu’il est néces-
saire que la durée du blocage soit supérieure (à la limite, égale) au
Comme dans le cas du fly-back en demi-pont asymétrique (§ 2.4),
temps de conduction. En d’autres termes, le rapport cyclique
cette structure utilise deux transistors se partageant la tension et
[relation (3)] doit être égal ou inférieur à 1/ 2.
deux diodes écrêtant les surtensions, de manière telle que la tension
Tant que D3 conduit, la tension aux bornes du primaire est égale aux bornes des transistors soit limitée à E (écrêtage des surtensions
à – E et la tension aux bornes du transistor est donc égale à 2 E. dues aux inductances de fuites, possibilité de fonctionner à partir
Lorsque le courant magnétisant s’annule, ce qui correspond au du réseau alternatif 380 V).
temps mort t m , D3 se bloque ; il n’y a plus de courant dans aucun
des enroulements ; la tension aux bornes du transistor tombe à E.
Durant toute cette séquence, l’inductance de filtrage L est sou- 3.4.1 Structure
mise à une tension égale à – V S et le courant dans L décroît avec
une pente diL /dt égale à – V S /L. Elle est représentée figure 11. Le circuit secondaire est identique
Nota : pour le forward, le courant i CF , contrairement au fly-back, ne présente pas de à celui d’un forward classique (inductance L, diode de roue libre
discontinuités ; le condensateur CF est moins sollicité. D4, diode d’isolement D3). Au primaire, les diodes D1 et D2
limitent la tension aux bornes des transistors à la valeur E. De la
■ Tension de sortie
sorte, les inductances de fuites du transformateur ne peuvent pas
La tension moyenne aux bornes de L étant nulle, soit : donner lieu à des surtensions.
(kE – V S) t f = V S t 0
la tension de sortie est [d’après (3)] : 3.4.2 Fonctionnement
V S = ( n 2 /n 1 ) E (11) Les transistors T1 et T2 sont commandés en synchronisme. Le
fonctionnement est celui du forward classique (§ 3.2).
■ Influence de l’inductance de fuites
Comme dans le cas du fly-back, l’inductance de fuites du trans- ■ Pendant la conduction de T1 et T2 (temps t f), l’énergie est
formateur est à l’origine d’une surtension qui va s’ajouter à la ten- envoyée au secondaire à travers le transformateur (transparent) et
sion théorique (§ 2.4.1) ; étant donné que la tenue en tension D3. La tension au primaire est égale à E. Le courant magnétisant
théorique des transistors est déterminée par le rapport de transfor- croît avec une pente :
mation entre l’enroulement primaire et le troisième enroulement, di µ
on a intérêt à réaliser un couplage très serré entre ces deux enrou- E E
----------- = ------ = -------
lements, de manière à minimiser les fuites ; à cette fin, on utilise dt L1
généralement pour les bobiner la technique deux fils en main.
■ Le blocage de T1 et T2 (temps t 0 ) provoque l’inversion de la
tension au primaire et au secondaire (blocage de D3). Le courant de
La structure en demi-pont asymétrique, développée au l’inductance iL se referme par D4. Un troisième enroulement du
paragraphe 3.4, permet, comme dans le cas du fly-back, transformateur est inutile, car le courant magnétisant trouve un
d’éliminer complètement le problème des surtensions, au prix chemin, du côté primaire, à travers les diodes D1 et D2. L’énergie
de deux interrupteurs commandés. magnétisante est récupérée par la source E. Lorsque D1 et D2
s’amorcent, la tension au primaire devient – E et le courant magné-
tisant décroît, à travers D1 et D2, avec une pente égale à :
E E
– ------ = – -------
L1
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4. Convertisseurs
continu-continu indirects
4.1 Généralités
4.1.1 Principe
Les onduleurs de tension permettent d’obtenir une tension alter-
native à partir d’une source de tension continue E . Cette tension alter-
native attaque le primaire d’un transformateur HF (à haute
fréquence : plusieurs kilohertz). En plaçant au secondaire de celui-ci
un redresseur suivi d’un filtre (figure 12), on reconstitue une tension
continue à la sortie (conversion tension continue-tension continue
avec isolement).
Du côté secondaire, la source de tension E est vue en alternatif
à travers l’onduleur et le transformateur transparent ; le secondaire
se comporte donc comme une source de tension : une inductance
L est nécessaire du côté de la charge. Le redresseur débite sur
cette inductance qui constitue, avec le condensateur CF, le filtre de
sortie.
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Il s’agit de la structure représentée sur la figure 12f. La méthode Les tensions secondaires sont nulles.
la plus simple consiste ici à raisonner sur le flux ou, ce qui revient Les courants magnétisants dans les deux demi-secondaires sont
au même, sur les ampères-tours magnétisants. On peut également donc constants et restent égaux à n 1 i µ1 /2 n 2 durant tout le temps
raisonner sur l’énergie magnétisante. mort t m .
■ Conditions initiales On a bien, au secondaire, un palier de tension nulle permettant
Supposons le demi-secondaire supérieur conducteur, avec le le réglage de V S moy .
courant sortant par l’extrémité repérée par le côté pointé : un courant Côté primaire, l’enroulement n 1 est ouvert, mais par effet trans-
secondaire i 2 croissant circule dans L, à travers D’1 (figure 15), et formateur on a :
le courant magnétisant est tel que [D 3 164] : v1 = 0
n1 i1 – n2 i2 = ϕ = n1 iµ1
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4.3.3 Push-pull parallèle L’avantage par rapport au push-pull série est que les deux
transistors T1 et T2 ont leur émetteur connecté à la masse, ce qui
Cette structure, représentée sur la figure 12c , utilise également simplifie les circuits de commande (contrairement au transistor T1
le principe d’un onduleur suivi d’un redresseur, mais le point du push-pull série qui nécessite une commande de base isolée).
milieu capacitif est ici remplacé par un point milieu inductif au En revanche, le transformateur est plus complexe ; le problème
primaire (figure 18). de ce type de circuit concerne la symétrie du montage nécessaire
Le fonctionnement est analogue à celui du push-pull série, les pour ne pas risquer la saturation du noyau.
deux transistors conduisant alternativement avec un temps mort Chaque transistor doit supporter 2 E . Lorsqu’un des deux
servant au réglage de la tension de sortie. transistors est conducteur, la tension aux bornes du demi-primaire
correspondant est égale à E ; par effet transformateur, l’autre
demi-primaire voit également une tension égale à E, soit 2 E aux
bornes du transistor bloqué.
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