Notes de Cours Sur Les Semi-Conducteurs Et L'optoélectronique - Bac2 - Electr - ELM - 20

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REPUBLIQUE DEMOCRATIQUE DU CONGO

UNIVERSITE DE LIKASI
ECOLE SUPERIEURE DES INGENIEURS INDUSTRIELS
Département de génie électrique
B.P.1946
SEMI-CONDUCTEURS &
OPTOELECTRONIQUE
Volume horaire : 75H
Notes de cours à l’usage des étudiants de Deuxième

Bachelier
Option : Electricité industrielle & Electromécanique
Par : Assistant Ir Trésor LWAMBA
ANNEE ACADEMIQUE 2023-2024
Support de cours des semi-conduction et d’optoélectronique à l’intention des étudiants de

BAC+2/ELECTRIC. & ELM /ESI/UNILI/2023-2024
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OBJECTIF PRINCIPAL DU COURS
Amener le futur ingénieur, en formation, à être à mesure de connaître et de comprendre les

semi-conducteurs, leur composition, leur importance et de connaître également la nécessité
des composants de l’optoélectronique.
OBJECTIFS SPECIFIQUES DU COURS

Ce cours vise à amener l’apprenant à connaître et à comprendre :
 Les semi-conducteurs ;
 La nuance entre un isolant, un conducteur et un semi-conducteur ;
 Les semi-conducteurs intrinsèques et extrinsèques ;
 Les semi-conducteurs extrinsèques du type N et du type P : à comprendre la notion de
dopage et son importance ;
 Une jonction PN non polarisée et celle polarisée (en direct et en inverse) ;
 L’influence de la température sur une jonction PN ;
 Les alliages des semi-conducteurs ;
 Les propriétés des alliages des semi-conducteurs ;
 L’utilisation des semi-conducteurs ;
 Les composants électroniques à base des semi-conducteurs ;
 L’optoélectronique ainsi que les composants de l’optoélectronique à base des semi-
conducteurs et leur utilisation.

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BIBLIOGRAPHIE
1. B. BOITTIAUX, Cours d'électronique : les composants semi-conducteurs, Technique et
documentation, Paris, 1991
2. O. MADELUNG dir., Semiconductors. Basic Data, 2e éd. rév., Springer-Verlag, Berlin,
1996
3. B. B oittiaux, Cours d'électronique : les composants semi-conducteurs, Technique et
documentation, Paris, 1991. M. B rousseau
4. B. GRENANT, Cours de physique des semi-conducteurs, Eyrolles, Paris, 1990
5. M. BROUSSEAU, Les Défauts ponctuels dans les semi-conducteurs, Éd. de physique, Les
Ulis, 1988
6. Georges Asch et al., Les capteurs en instrumentation industrielle, Dunod, 2006.
7. J.-P. DUCHEMIN, « Les semi-conducteurs », in La Science au présent, Encyclopædia
Universalis, Paris, 1992
8. W. C. HOLTON, « The Large-Scale Integration of micro-electronic circuits », ibid.,
vol. CCXXXVII, no 3, 1977
9. C. KITTEL, Physique de l'état solide, Dunod, Paris, 5e éd. 1983
10. H. MATHIEU, Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques,
Masson, 1990
11. S. M. SZE, Semiconductor Devices, Wiley, New York, 1985
12. B. SAPOVAL & C. HERMANN, Physique des semi-conducteurs, Ellipses, 1990
13. C. WEISBUCH, « Composants quantiques à semi-conducteurs : vers des propriétés
ultimes », in L'Onde électrique, no 2, mars-avril 1991.
14. Laurent Massol, « LED blanches : les différentes technologies », Led Engineering
Development [PDF] (consulté le 27 Février 2024).
15. Francis Lévy, Physique et technologie des semi-conducteurs, PPUR presses
polytechniques, 1995, 464 p. (ISBN 978-2-88074-272-0), p. 367
16. Pierre Mayé, Optoélectronique industrielle : conception et applications. Electronique,
Dunod, 2001.
17. Michal, « What is Photodiode - How does a photodiode works », sur 911 Electronic, 14
mars 2022 (Consulté le 20 Février 2024)
18. Michael Riordan et Lillian Hoddeson, Crystal Fire : The Invention of the Transistor and
the Birth of the Information Age, 1998, 352 p. (ISBN 978-0-393-31851-7)
19. https://fr.wikipedia.org/wiki/Opto-%C3%A9lectronique
20. http://mach.elec.free.fr/divers/poly_diodes.pdf
21. https://www.youtube.com/watch?v=aHWUURJ3wNk
22. https://www.youtube.com/watch?v=19sSF-1fMZM
23. https://www.youtube.com/watch?v=kCZId8E-3r0
24. https://www.youtube.com/watch?v=JQoZUtKutr4
25. https://www.design-reuse.com/news/51153/2021-semiconductor-companies-forecast.html e
26. https://fr.wikipedia.org/wiki/Liste_des_principaux_fabricants_de_semi-
conducteurs_au_fil_des_ans)

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BREF HISTORIQUE SUR LES SEMI-CONDUCTEURS

Voici comment avait commencé la petite aventure dans le domaine des semi-conducteurs :
 En 1833 : Michael Faraday remarque l'augmentation du pouvoir conducteur de certains

métaux lorsque l'on augmente la température, contrairement aux métaux classiques dont
la résistivité augmente avec la température.
 En 1839 : Edmond Becquerel découvre l'effet photovoltaïque. Il constate une différence
de potentiel en éclairant le point de contact entre un conducteur et un électrolyte.
 En 1879 : Effet Hall. Edwin Herbert Hall découvre une différence de potentiel dans
le cuivre dans la direction perpendiculaire au courant et au champ magnétique.
 En 1931 : Théorie moderne des semi-conducteurs. Alan Herries Wilson décrit les semi-
conducteurs comme isolant à faible bande interdite.
 En 1947 : John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain découvrent
l'effet transistor.
 En 1947 : Herbert Mataré et Heinrich Welker développent à Aulnay-sous-Bois, à la CFSW,
le premier « transistor français » réellement opérationnel en même temps et
indépendamment des travaux des chercheurs américains, entre 1945 et 1948.
 En 1951 : Herbert Mataré fonde la première compagnie au monde à proposer sur le
marché des diodes et des transistors : Intermetall à Düsseldorf.
 En 1954 : Fabrication des premiers transistors en silicium par Gordon Teal de Texas
Instruments.
 En 1958 : Réalisation du premier circuit intégré par Jack Kilby de Texas Instruments.

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INTRODUCTION
Les semi-conducteurs ont acquis une importance considérable dans notre société. Ils sont à la
base de tous les composants électroniques et optoélectroniques qui entrent dans les
dispositifs informatiques, de télécommunications, de télévision, dans l'automobile et les
appareils électroménagers, etc.
Ils sont au cœur de l'enjeu Internet des objets (IoT) et de l'intelligence artificielle.
Un semi-conducteur serait isolant à une température de zéro kelvin (zéro absolu),
contrairement à un métal. Les semi-conducteurs sont largement utilisés en électronique pour
réaliser des composants tels que des diodes, des transistors, des thyristors, des circuits
intégrés ainsi que des lasers à semi-conducteur.
L'optoélectronique est une discipline émergente qui utilise conjointement l'électronique et
l'optique. Elle a des portées importantes dans divers domaines, ...
L'optique et l'optoélectronique sont utilisées dans des domaines clés incluant l'éclairage, les
mesures, les télécommandes, le photovoltaïque et les télécommunications.
La crise de la Covid-19 a mis en lumière la dépendance de l'industrie européenne aux semi-
conducteurs fabriqués en Asie. En effet, la pénurie qui en a suivi a freiné grandement la
production des pays membres de l'Union européenne.
Le 8 février 2022, la Commission européenne a proposé de débloquer 43 milliards d'euros
pour réduire sa dépendance envers l'Asie. « Nous nous sommes fixé l’objectif d’avoir 20 % du
marché mondial en 2030 » avait déclaré à l'occasion, la présidente Ursula von der Leyen.
Le 1er février 2023, le groupe américain Wolfspeed et l'équipementier allemand ZF annoncent
la construction à Endsdorf dans la Sarre de « la plus grande usine au monde » pour produire
des puces en carbure de silicium. Après les projets d'Infineon à Dresde et d'Intel à Magdeburg,
c'est le troisième projet d'usine de semi-conducteurs en Allemagne.
Le marché des semi-conducteurs s'accroît au début du XXIe siècle de façon quasi-continue. Au
premier trimestre 2021, il est de 101 milliards d'euros.
En 2020, les entreprises américaines représentent 48 % des ventes mondiales de puces, mais
les 70 usines situées aux États-Unis ne représentent que 12 % de la fabrication mondiale de
semi-conducteurs, contre 37 % en 1990. Le marché américain étant à cette date de 208
milliards de dollars pour 250 000 emplois directs.
En 2021, 75 % de la fabrication mondiale de puces est concentrée en Asie de l'Est. La Chine
qui en 1990 part de quasiment rien arrive en 2019 à 12 % de la production mondiale et devrait
avoir la plus grande part de la production de puces au monde d'ici 2030 avec 24 % en raison
de subventions gouvernementales estimées à cent milliards de dollars.
Remarque : Les semi-conducteurs sont au cœur de la guerre technologique mondiale.

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Tableau I.1 : Industrie des semi-conducteurs : Production par zone en 2019
Pays Pourcentage
Chine 12,0
Corée du Sud 26,6
Singapour 6,5
Japon 16,3
Taiwan 22,9
Europe (hors Russie) 2,8
États-Unis 12,0
Israël 0,8

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Tableau I.2 : Liste des principaux fabricants de semi-conducteurs : Classement 2021
Chiffre
d'affaires
Rang Rang
Société Nationalité/localisation (Million 2021/2020
2021 2020
de $
USD)
1 2 Samsung Electronics Corée du Sud 83 085 34 %
2 1 Intel Corporation États-Unis 75 550 -1 %
3 3 TSMC (1) Taïwan 56 633 24 %
4 4 SK Hynix Corée du Sud 37 267 38 %
5 5 Micron Technology États-Unis 30 087 30 %
6 6 Qualcomm (2) États-Unis 29 136 51 %
7 8 Nvidia (2) États-Unis 23 026 57 %
8 7 Broadcom (2) États-Unis 20 963 18 %
9 12 MediaTek (2) Taïwan 17 551 60 %
10 9 Texas Instruments États-Unis 16 904 25 %
11 15 AMD (2) États-Unis 16 108 65 %
12 11 Infineon Technologies Allemagne 13 616 21 %

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13 13 Apple (2) États-Unis 13 430 17 %
14 14 STMicroelectronics France/ Italie 12 574 24 %
15 13 Kioxia Japon 12 132 15 %
16 17 NXP Pays-Bas 10 715 28 %
17 19 Analog Devices États-Unis 10 079 24 %
Top 25 478 856 26 %
CHAPITRE I : LES SEMI-CONDUCTEURS
I.1 Introduction sur les matériaux semi-conducteurs
I.1.1 Définition
Un semi-conducteur est un matériau qui n’est ni un conducteur ni un isolant.

Pour les semi-conducteurs, nous allons nous intéresser plus des éléments chimiques
principalement de la famille IV (Ces éléments sont important en électronique à cause de leur
tétravalence ; ils forment des cristaux tétraédriques) et ceux des familles III et V du tableau
périodique.
Grâce à Mendeleïev qui entreprit donc en 1869 de classer les 63 éléments connus dans un
tableau. Il proposa un classement des éléments par masse atomique croissante mais
également selon leurs propriétés chimiques et physiques, voici le tableau périodique des
éléments :

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Figure I.1 : Tableau périodique des éléments
Support de cours des semi-conduction et d’optoélectronique à l’intention des étudiants de BAC+2/ELECTRIC. & ELM /ESI/UNILI/2023-2024
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Figure I.1 : Tableau périodique des éléments : Classement par famille et sélection des éléments utilisés plus pour les semi-conducteurs
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Quelques petits rappels
Pour un atome X :
𝐴
𝑍𝑋 , où nous avons :
 A : Qui est le nombre de masse (Noyau : protons et neutrons ; ou nucléons)
 Z : Qui est le nombre de Protons ou des électrons, c’est le numéro atomique.
 La charge d’un électron vaut : 𝑒 − = 1,6. 10−19 𝐶
 La masse d’un électron vaut 𝑚𝑒 − = 9,1. 10−31 𝑘𝑔
 La masse d’un proton 𝑚𝑝 ≅ 𝑚𝑛 = 1,66. 10−27 𝑘𝑔
I.1.2 Bandes d’énergie
Pour présenter le modèle des bandes d’énergie, nous allons nous servir d’un atome de
Silicium, son noyau comporte 14 protons puis nous avons le nuage comportant 14 électrons
Couche de
valence 4
Figure I.3 : Atome de Silicium
Les électrons évoluent sur des orbites stables correspondant à des niveaux d’énergie discrets
(séparés les uns des autres).
Le comportement des semi-conducteurs, comme celui des métaux et des isolants est décrit via
la théorie des bandes. Ce modèle dispose qu'un électron dans un solide ne peut que prendre
des valeurs d'énergie comprises dans certains intervalles que l'on nomme « bandes », plus
spécifiquement bandes permises, lesquelles sont séparées par d'autres « bandes »
appelées bandes d'énergie interdites ou bandes interdites.
Deux bandes d'énergie permises jouent un rôle particulier :

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 La dernière bande complètement remplie, appelée « bande de valence » ;

 La bande d'énergie permise suivante appelée « bande de conduction ».
La bande de valence est riche en électrons mais ne participe pas aux phénomènes de
conduction (pour les électrons). La bande de conduction, quant à elle, est soit vide (comme aux
températures proches du zéro absolu dans un semi-conducteur) soit semi-remplie (comme
dans le cas des métaux) d'électrons. Cependant c'est elle qui permet aux électrons de circuler
dans le solide.
Dans les conducteurs (métaux), la bande de conduction et la bande de valence se chevauchent.
Les électrons peuvent donc passer directement de la bande de valence à la bande de
conduction et circuler dans tout le solide.
Dans un semi-conducteur, comme dans un isolant, ces deux bandes sont séparées par une
bande interdite, appelée couramment par son équivalent anglais plus court « gap ». L'unique
différence entre un semi-conducteur et un isolant est la largeur de cette bande interdite, largeur
qui donne à chacun ses propriétés respectives.
Dans un isolant, cette valeur est si grande (aux alentours de 6 eV pour le diamant par exemple)
que les électrons ne peuvent pas passer de la bande de valence à la bande de conduction : les
électrons ne circulent pas dans le solide.
Dans les semi-conducteurs, cette valeur est plus petite (1,12 eV pour le silicium, 0,66 eV pour
le germanium, 2,26 eV pour le phosphure de gallium). Si l'on apporte cette énergie (ou plus)
aux électrons, par exemple en chauffant le matériau, ou en lui appliquant un champ
électromagnétique, ou encore dans certains cas en l'illuminant, les électrons sont alors
capables de passer de la bande de valence à la bande de conduction, et de circuler dans le
matériau.
Brièvement, nous dirons que nous distinguons 3 bandes d’énergie, à savoir la bande de
valence (BV), la bande interdite qui est intermédiaire (BI) ou couramment appelé GAP et la
bande de conduction (BC).
Voici quelques figures qui illustrent les différentes bandes d’énergie :

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Isolant Semi-Conducteur
E(eV) E(eV)
BC
BC
BI BI
BV
BV
𝓥 (Hz) 𝓥 (Hz)
Figure I.4 : Bande d’énergie pour un atome d’isolant et pour un atome d’un semi-conducteur
Mais pour la bande d’énergie d’un conducteur, il faut se référer à la Figure I.12
En effet, un atome lorsqu’il subit une variation d’énergie ou lorsqu’on lui applique une
énergie :
∆𝐸 = ℎ. 𝒱
Où
 ℎ = 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑃𝑙𝑎𝑛𝑘 é𝑔𝑎𝑙 à 6,6210−34 (𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒 𝑆𝑒𝑐𝑜𝑛𝑑𝑒)
 𝒱 = 𝐹𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑒 𝑙 ′ 𝑜𝑛𝑑𝑒 (𝐻𝑧)
En appliquant cette énergie, il y aura un spectre d’émission et les électrons libérés vont migrer
de 𝒌 à 𝒍 soit de la BV à la BC pour un matériau conducteur.
𝒍
∆𝐸 = ℎ. 𝒱
Figure I.5 : Spectre d’émission après application d’une énergie
Lorsqu’on perd l’énergie, il peut y avoir un spectre d’absorption.
Pour un semi-conducteur, si la température est d’environ 0°K (Zéro absolu), il reste un isolant,
il ne conduit pas.
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Mais lorsque nous augmentons la température à environ 300°K, les électrons passent de la BV
à la BC en laissant des trous chargés positivement.
a) La bande de Valence
Elle contient les états électroniques (population des charges électrons et trous) des couches
périphériques des atomes du cristal (Exemple du silicium : 4 électrons de valence).
b) La bande de conduction
C’est la bande permise qui est supérieure en énergie à la bande de valence. Les électrons y
sont totalement libres, ils ont rompu leur lien avec leur(s) atome(s) d’origine, ils permettent
la conduction d’un courant.
c) La bande interdite
C’est la zone d’énergie comprise entre la BV et la BC. Pour un matériau isolant l’énergie (Eg ou
EBI), elle est environ égale à 1,12 à 5eV et pour un matériau conducteur, elle est environ égale
à 0,5eV qui est facile à franchir.
Semi-conducteur
E(eV)
𝑒− 𝑒− 𝑒−
BC
BI
BV
𝓥 (Hz)
Figure I.6 : Spectre d’émission dans un semi-conducteur à la suite de l’élévation de la température (application
d’une énergie thermique)
Si la température augmente, les électrons de la BV reçoivent une énergie :
𝑬 = 𝒌𝑩 . 𝑻
Où :
 𝑘𝐵 : 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛𝑛 𝑒𝑡 𝑞𝑢𝑖 𝑣𝑎𝑢𝑡 1,38. 10−23 𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒 /𝐾
 𝑇: 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝑡𝑒𝑚𝑝é𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑒 𝑒𝑛 °𝐾

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I.1.3 Principe d’exclusion de Pauli

Deux électrons ne peuvent occuper le même état quantique.
En conséquence, si deux atomes identiques sont approchés à une distance de l'ordre de leur
rayon atomique, les niveaux d'énergie se dédoublent.
Dans le cas d'un cristal, la multiplication des niveaux crée des bandes d'énergie permise (quasi-
continue), séparées par des bandes d'énergie interdite (c’est-à-dire ne contenant pas d'état
stable possible pour les électrons).
Figure I.7 : Niveau d’énergie d’un atome
Figure I.8 : Niveau d’énergie de deux atomes approchés à une distance de leur noyau
Figure I.9 : Niveau d’énergie d’un cristal
I.1.4 Comparaison entre isolant, conducteurs et semi-conducteurs
Voici la classification des matériaux en fonction de leur résistivité 𝜌(𝛺𝑚):

a) Isolant : 𝜌 = 106 𝛺𝑚
b) Conducteur : 𝜌 = 10−6 𝛺𝑚

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c) Semi-conducteur : 𝐼𝑛𝑡𝑒𝑟𝑚é𝑑𝑖𝑎𝑖𝑟𝑒
La résistance s’évalue par l’expression :

𝑙
𝑅=𝜌 (𝛺)
𝑆
Figure I.10 : Energie de gap « Eg » pour un isolant
Figure I.11 : Energie de gap « Eg » pour un semi-conducteur

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Figure I.12 : Energie de gap « Eg » pour un conducteur
Voici quelques valeurs de l’énergie minimale nécessaire « Eg » pour rompre la liaison à la

température de 300°K pour les matériaux suivants :
Tableau I.3 : Valeurs d’énergie de la Bande interdite pour le Silicium, le Germanium et la

combinaison de GaAs (Arséniure de Galium) à la température de 300°K
I.1.5 Le silicium
I.1.5.1 Semi-conducteurs intrinsèques

Le silicium a 4 électron de valence Cfr figure I.3.
Pour une association d’atomes voisins de silicium, leurs couches de valences vont réaliser
l’octet (saturation de la couche de valence) en réalisant des liaisons covalentes.
Cristal de Si
Atome de Si
Liaison covalente

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Figure I.13 : Cristal de Silicium à l’état stable

Lorsque nous faisons un apport d’énergie thermique, nous allons rendre instable le cristal en
créant de paires d’électrons-trous :
Semi-conducteur
E(eV)
𝑒−
BC
BI 𝑬𝒈
BV
𝓥 (Hz)
FigureI.14 : Application de l’énergie minimale nécessaire (Eg) pour rompre la (les) liaison(s)
Figure I.15 : Cristal de Silicium après application d’une énergie thermique équivalente à Eg
Il y a déplacement des électrons libres, donc une apparition d’un courant.

C’est un déplacement des trous de proche en proche cela implique un courant de charges
positives tel qu’illustré ci-après :

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Figure I.16 : Circulation des trous de proche en proche
Il convient de noter que dans un semi-conducteur, il existe deux types de porteurs des charges,
à savoir :
 Les porteurs négatifs : Ce sont les électrons de la bande de conduction,

 Les porteurs positifs : Ce sont les trous de la bande de valence.
Le phénomène de création de paires électrons-trous s'accompagne d'un phénomène de

recombinaison (les électrons libres sont capturés par les trous, ils redeviennent électrons de
valence).
La durée de vie d'un porteur
C’est le temps séparant la recombinaison de la génération.
Semi-conducteur intrinsèque
Un cristal est électriquement neutre lorsque le nombre d'électrons est égal au nombre de
trous :
𝒏 = 𝒑 = 𝒏𝒊 (Pour un cristal pur)
Où :
 𝑛 = 𝑁𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑′ é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠
 𝑝 = 𝑁𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑜𝑢𝑠

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La concentration intrinsèque de porteurs à l’équilibre thermodynamique, elle est donnée par

l'expression ci-après :
−𝑬𝒈
𝟑⁄𝟐 ( )
𝒏 = 𝒑 = 𝒏𝒊 = 𝑨. 𝑻 .𝒆 𝟐𝒌𝑩 𝑻 (𝑐𝑚−3 )
Où :
 𝐴 : est la constante spécifique à chaque matériau (𝑐𝑚−3 /𝐾 3⁄2 )

 𝐸𝑔 = ∆𝐸𝐵𝐼 = 𝐵𝑎𝑛𝑑𝑔𝑎𝑑 (𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒)
𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒
 𝑘𝐵 = 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛𝑛 ( ) , 𝑖𝑙 𝑣𝑎𝑢𝑡 𝑘 = 1,38. 10−23 𝐽/°𝐾
°𝐾
 𝑇 = 𝑇𝑒𝑚𝑝é𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑒 𝑒𝑛 (°𝐾) ; à 300°K, Si 𝑛𝑖 ≅ 1,4. 1010 𝑐𝑚−3
Ainsi, la loi d’action de masse est donnée par : 𝒏. 𝒑 = 𝒏𝟐𝒊 . (𝑻, 𝑬𝒈 )
Elle est toujours vérifiée pour un cristal à l'équilibre thermique (qu'il soit intrinsèque ou non).
Phénomène de transport de charges :
 Le Courant de conduction est créé sous l'action d'un champ électrique,
 Le Courant de diffusion est créé par un gradient de concentration de porteurs.
Mobilité et conductibilité
a) Mobilité 𝝁𝒏,𝒑 (𝑚²⁄𝑉𝑜𝑙𝑡. 𝑠𝑒𝑐𝑜𝑛𝑑𝑒)
Les électrons 𝑛 et les trous 𝑝 subissent une force électrique ⃗⃗⃗
𝐹𝑒 .
En appliquant la relation fondamentale de la dynamique (RFD), nous avons :
|𝑞|.𝐸
⃗⃗⃗
𝐹𝑒 = 𝑚. 𝛾 => 𝑞. 𝐸⃗ = 𝑚. 𝛾 => 𝛾 = 𝑚
𝜻 |𝑞|
Or :𝑉 = ∫0 𝛾. 𝑑𝑡 = . 𝐸. 𝜻 (Vitesse= accélération fois le temps)
𝑚
Où: 𝜻 = est le taux moyen de collision des électrons et des trous
𝑽 = 𝝁𝒏,𝒑 . 𝑬 (𝑚/𝑠)
|𝑞|
𝝁𝒏,𝒑 = . 𝜻 (𝑚²/𝑉. 𝑠) : C’est la mobilité des porteurs des chargeurs.
𝑚
Voici les valeurs de la mobilité pour le Germanium et le Silicium :

𝑒 − (𝑛): 3700
𝝁𝒏 (𝑮𝒆) {
𝑇𝑟𝑜𝑢𝑠 (𝑝): 1300
𝑒 − (𝑛): 1200
𝝁𝒑 (𝑺𝒊) {
𝑇𝑟𝑜𝑢𝑠 (𝑝): 250

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b) Conductibilité 𝝉(𝑆𝑖𝑒𝑚𝑒𝑛𝑠⁄𝑚) ou (1⁄𝛺𝑚)

C’est l’aptitude qu’a une charge 𝒒 (𝑒 − 𝑜𝑢 𝑡𝑟𝑜𝑢) de se mouvoir avec une mobilité 𝝁𝒏,𝒑.
Si le Semi-conducteur est intrinsèque (𝒏 = 𝒑), 𝑎𝑙𝑜𝑟𝑠 𝝉𝑛 = 𝝉𝑝 𝑒𝑡 𝑑𝑜𝑛𝑐:
𝝉 = 𝟐. 𝝉𝒏 = 𝟐. 𝒏. 𝒒. 𝝁𝒏
Ou
𝝉 = 𝟐. 𝝉𝑝 = 𝟐. 𝒑. 𝒒. 𝝁𝒑
Densité de courant (A/cm²):

Elle s’évalue par les expressions ci-après :
⃗⃗⃗ ⃗⃗ + 𝒒. 𝝁𝒏 . 𝑽𝑻 . ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑱𝒏 = 𝒒. 𝝁𝒏 . 𝒏.𝑬 𝒈𝒓𝒂𝒅 𝒏
⃗⃗⃗ ⃗ + 𝒒. 𝝁𝒑 . 𝑽𝑻 . ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑱𝒑 = 𝒒. 𝝁𝒑 . 𝒑.𝑬 𝒈𝒓𝒂𝒅 𝒑
Où
 𝑽𝑻 = 𝑘𝑇⁄𝑞 = 26𝑚𝑉 à 300°𝐾, Potentiel thermodynamique (V)

2
 𝝁𝒏,𝒑 = 𝑀𝑜𝑏𝑖𝑙𝑖𝑡é 𝑑𝑒𝑠 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒𝑢𝑟𝑠 𝑑𝑒𝑠 𝑐ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒𝑠 (𝑐𝑚 ⁄𝑉. 𝑠) ,
Par exemple, pour le Silicium : 𝜇𝑛 = 1400 𝑐𝑚²⁄𝑉. 𝑠 ; 𝜇𝑝 = 500 𝑐𝑚²⁄𝑉. 𝑠
I.1.5.2 Intérêt des semi-conducteurs

Nous avons la possibilité de contrôler la quantité de porteurs de charges libres (les électrons
et les trous) et par conséquent, la résistivité.
Ainsi, nous allons procéder par le dopage, les radiations, la température, l'injection de
courant, etc.
Pour obtenir un semi-conducteur extrinsèque, on introduit des atomes étrangers (impuretés)

dans un cristal pur pour rompre l’équilibre entre les électrons et les trous afin d’augmenter la
mobilité des porteurs et donc, faciliter la conduction.
I.1.5.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type N

Il est obtenu par dopage.
Le dopage et l'introduction d’impureté dans un cristal pur. Sont considérés d’impuretés, les
d'atomes des éléments du groupe 5 ou de la famille 5 (Cfr la classification périodique à la
figure I.2), ce sont des éléments qui ont sur leur couche de Valence 5 électrons. Dans le cristal
du Silicium (ou soit dans le cristal du Germanium), on y injecte du phosphore ou de l'arsenic.
Cela va entrainer la libération d'un électron libre, alors que les 4 autres vont se lier aux atomes
de Silicium voisins (La famille 5 est constituée des donneurs) :

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Figure I.17 : Formation d’un cation fixe (As+) après dopage du cristal de Si par l’atome d’Arsenic
Figure I.18 : Libération d’un électron de la couche de valence de l’Arsenic après dopage
Le cristal garde sa neutralité électrique (à chaque électron libre donné par les atomes
d'impureté correspond un cation fixe).
Pour un semi-conducteur extrinsèque dopé du type N ou du type P, les nombres d’électrons

et des trous ne sont pas égaux : 𝒏 ≠ 𝒑
Porteur de charges :
 Majoritaires : Concentration du dopage,

 Minoritaires : Trous issus de la génération thermique de paires d'électrons-trous
I.1.5.4 Semi-conducteur extrinsèque de type P
Il est obtenu par dopage.
Ça veut dire par l'introduction d'atomes du groupe 3 (Cfr la classification périodique des
éléments à la figure I.3) qui ont sur leurs couches de Valence 3 électrons.

23
On introduit dans le cristal du Silicium (ou soit dans le cristal du germanium) du Bore ou du
Gallium.
Seules trois liaisons covalentes peuvent être créées, la 4è reste incomplète, un trou est créé
pour chaque atome de dopage. Il va pouvoir être comblé par un électron d'une liaison
covalente proche (Ces sont des atome accepteurs).
Figure I.19 : Dopage d’un cristal de Silicium au Bore, création de 3 liaisons covalentes
Figure I.20 : Phénomène d’absorption d’un électron d’une liaison covalente proche par un trou
Le cristal garde sa neutralité électrique globale (pour chaque électron libre accepté par les
atomes d'impureté créant un anion fixe, un trou est créé)
Ainsi, les porteurs de charges :
 Majoritaires : ce sont les trous qui résultent de la Concentration de dopage,

 Minoritaires : Qui sont issus de la génération thermique de paires d’électron-trou.

24
I.1.5.5 Phénomènes de génération et de recombinaison

a) Génération
Elle se produit sous l’effet d’un apport thermique, photonique, d’un champ électrique, de
radiations ionisantes, etc.
Figure I.21 : Génération à la suite de l’apport d’une énergie Eg
Figure I.22 : Recombinaison à la suite de la libération ou perte de l’énergie
I.1.5.6 La Jonction PN
Un semi-conducteur (N ou P) présente peu d'intérêt, c’est plutôt l’association des plusieurs

semi-conducteurs dopés qui permet de créer les composants semi-conducteurs.
Le plus simple d'entre eux est la jonction PN (qui donne directement une diode) ; en plus, elle
permet une meilleure compréhension du fonctionnement des transistors.
I.1.5.6.1 La jonction PN non polarisée, à l’équilibre

Que se passe-t-il si on met en contact un semi-conducteur du type P avec un semi-conducteur
du type N pour réaliser une jonction PN ?

25
Semi-conducteur P Semi-conducteur N
Ion fixe Ion fixe
𝒆− mobile
Trou mobile
majoritaire
majoritaire
𝑷𝒂𝒊𝒓𝒆 𝒆−- trou 𝑷𝒂𝒊𝒓𝒆 𝒆−- trou

minoritaire minoritaire
Figure I.23 : Jonction PN
Considérant la jonction dans son ensemble, il existe un gradient de porteurs de charges :
Cela entraine la création d'un courant de diffusion :
 Des trous mobiles du semi-conducteur P vers le semi-conducteur N, au moment de

leur entrée dans la zone N contenant des électrons majoritaires, les trous se
recombinent avec les électrons ;
 Des électrons mobiles du semi-conducteur N vers le semi-conducteur P, au moment
de leur entrée dans la zone P contenant des trous majoritaires, les électrons se
recombinent avec les trous.
Chaque trou (ou électron) majoritaire quittant le semi-conducteur P(N) laisse derrière lui un
anion (cation) fixe et entraîne l'apparition d'un cation(anion) fixe dans le semi-conducteur
N(P) du fait de sa recombinaison avec un électron(Trou). Ces ions sont localisés à proximité de
la zone de contact entre les deux semi-conducteurs (la zone de charge d'espace, ZCE), ils sont
à l'origine de la création d'un champ électrique qui s'oppose au courant de diffusion. Ce
champ électrique est équivalent à une différence de potentiel appelée barrière de potentiel
(𝑉0 = 0,7𝑉 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑙𝑒 𝑆𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑢𝑚, 0,3𝑉 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑙𝑒 𝐺𝑒𝑟𝑚𝑎𝑛𝑖𝑢𝑚).
Un état d'équilibre est atteint, pour lequel :
 Seuls quelques porteurs majoritaires ont une énergie suffisante pour franchir la ZCE et
contribuer au courant de diffusion 𝑰𝑫 , il est composé par un courant de saturation
inverse 𝑰𝑺 créé par les porteurs minoritaires lorsqu'ils sont capturés par le champ
électrique de la ZCE.

26
Zone de charge d’espace(ZCE)
𝑰𝑫
Semi-conducteur P Semi-conducteur N
Zone neutre 𝑰𝑺 Zone neutre
𝐸⃗
−𝑞. 𝑉0
Figure I.24.a : Jonction PN non polarisée après recombinaison des charges. Équilibre au niveau de la jonction
PN sans champ électrique extérieur.
Le courant de saturation s’évalue à partir de l’expression :

−𝒆.𝑽𝟎
𝑰 𝑺 = 𝑰 𝟎 . 𝒆( )
𝒌.𝑻
𝒌.𝑻 𝑵𝑨 .𝑵𝑫
𝑽𝟎 = . 𝒍𝒏 ( ) où 𝑽𝟎 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑟𝑟𝑖è𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑡𝑖𝑒𝑙𝑙𝑒
𝒒 𝒏𝟐𝒊
ZCE=Zone de déplétion=Zone désertée.

27
Figure I.24.b : Équilibre au niveau de la jonction PN sans champ électrique extérieur.
Au voisinage de la jonction, les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone N (il y
a diffusion des charges). Ce phénomène va s'arrêter quand le champ électrique 𝑬𝒊𝒏𝒕 créé par les
atomes donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et -) va être suffisant
pour contrarier le mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une barrière de potentiel pour les
porteurs majoritaires. Par contre, cette barrière de potentiel va favoriser le passage des porteurs
minoritaires (conduction électrique).
Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires) s'équilibrent
et leur somme est nulle en régime permanent et en l'absence de champ électrique extérieur.
I.1.5.6.2 La jonction polarisée en direct
Pour cette fois, appliquons une différence de potentiel (d.d.p.) à la jonction PN en connectant
le semi-conducteur P à la borne positive et le semi-conducteur N à la borne négative.
Le fait de polariser la jonction va entrainer un abaissement de la barrière de potentiel, cela
implique la réduction de la Zone de Charge d’Espace (ZCE) et du champ électrique.
𝑉𝑃𝑁 > 0
Figure I.25 : Polarisation directe d’une jonction PN

28
𝐸⃗
−𝑞(𝑉0 − 𝑉𝑃𝑁 )
FigureI.26 : Polarisation de la jonction PN, Réduction de la ZCE et du champ électrique
En polarisant la jonction PN en direct 𝐼𝑃𝑁 , il y a un courant qui la parcours lequel se calcule

grâce à l’expression ci-après :
𝑉
( 𝑃𝑁⁄𝑉 )
𝐼𝑃𝑁 = 𝐼𝑆 . [𝑒 𝑇 − 1]
NB : On retiendra que le courant traverse facilement une diode polarisée en direct : (𝑽𝑷𝑵 > 𝑽𝟎 )
Pour une jonction polarisée en direct, voici comment se calcule sa résistance dynamique :
𝑑𝑉 𝑉𝑇
𝑟= =
𝑑𝐼 𝐼𝑃𝑁
Charge stockée dans une jonction polarisée en direct :
Figure I.27 : Charge stockée dans une jonction PN polarisée en directe

29
Avant de bloquer une jonction PN polarisée en directe, il faut évacuer les charges en excès par rapport
à la situation d’équilibre, cela implique un courant inverse transitoire.
I.1.5.6.3 La Jonction PN polarisée en inverse

Pour polariser en inverse une jonction PN, il faut connecter le cristal semi-conducteur
extrinsèque de type P au négatif et le cristal semi-conducteur extrinsèque de type N au positif
de la source d’alimentation.
𝑉𝑃𝑁 = −𝑉𝑎𝑙𝑖𝑚 < 0
Figure I.28 : Polarisation inverse de la jonction PN
−𝑞(𝑉0 + 𝑉𝑎𝑙𝑖𝑚 )
Figure I.29 : Polarisation inverse d’une jonction PN, élargissement de la ZCE et intensification du champ
électrique
 Le courant de diffusion (porteurs majoritaires) est quasi nul.

 Seul subsiste un courant inverse très faible, 𝑰𝑷𝑵 = −𝑰𝑺 de porteurs minoritaires.

30
Tension de claquage :
C'est la tension inverse limite supportable au-delà de laquelle apparaît le phénomène
d'avalanche.
Sous l'effet d'une tension inverse élevée, les porteurs minoritaires sont accélérés et
acquièrent suffisamment d'énergie pour arracher à leur tour d'autres électrons de valence
lors des chocs. Ainsi, une réaction en chaîne apparaît entrainant un courant inverse très
important qui produit le claquage.
I.1.5.6.4 Influence de la température
Nous voulons analyser l’influence de la température sure :

 𝑰𝑺 : Le courant dû aux porteurs minoritaires créés par génération thermique, il
augmente rapidement avec la température ; ainsi, pour le silicium, il double tous les
sept degrés Celsius (7°C).
 𝑽𝟎 La barrière de potentiel : Pour le silicium, autour de 300°K, elle décroit de 2mV
pour une augmentation de 1°C.
𝑑𝑉0
= −2 𝑚𝑉 ⁄°
𝑑𝑇
I.1.6 Alliage des semi-conducteurs

Ce sont des composés intermétalliques (groupe III-V) tels que GaAs, AlAs, InSb, GaP et GaAlAs, ou
des composés (II-VI) tels ZnO, CdTe et ZnS.
I.1.6.1 Propriétés
Les propriétés d’un alliage de semi-conducteur sont très importantes que ceux des semi-
conducteurs simples.
Voici quelques propriétés des alliages des semi-conducteurs :
a) Ils présentent une structure du type wurtzite (La structure wurtzite, nommée d'après
le minéral wurtzite, est la structure cristalline de nombreux composés binaires. Elle fait
partie du système cristallin hexagonal. Le prototype chimique adopté par convention
est le sulfure de zinc, ZnS, bien que le minéral wurtzite soit un composé poly-atomique
(à cause des impuretés). De nombreux composés cristallisant dans cette structure
peuvent aussi cristalliser dans la structure blende.
Parmi les composés qui peuvent adopter la structure wurtzite, en dehors de la wurtzite
elle-même, on peut citer : AgI, ZnO, CdS, CdSe, α-SiC, GaN, AlN, BN et
d'autres semi-conducteurs. Dans la plupart de ces composés, la wurtzite n'est pas la
forme préférentielle du cristal ordinaire, mais cette structure peut être favorisée dans
les formes nanocristallines du matériau.) ;

31
b) Ce sont des matériaux très durs, moins encombrants ;

c) Ils supportent la haute fréquence (Pour les dispositifs optoélectroniques), ils se prêtent
mieux pour la haute puissance (Transistor à base du nitrure de Gallium « Ga N ») ;
d) Ils sont utilisés pour la fabrication des cellules solaires des satellites ;
e) Ils sont utilisés dans les applications militaires spatiales ;
f) Ils sont utilisés pour la fabrication des amplificateurs de puissance aux fréquences :
micro-ondes et HF ;
g) Ils ont une capacité thermique élevée, ils dégagent moins de chaleur ;
h) Ils ont une conductivité thermique élevée, ils ont une grande mobilité des porteurs des
charges (électrons et trous), ils ont une grande tension de claquage ;
i) Pour le Nitrure de Gallium « Ga N »dopé au Silicium ou à l’oxygène, il donne un cristal
extrinsèque du type N ;
j) Pour le Nitrure de Gallium « Ga N » dopé au magnésium, il donne un cristal extrinsèque
du type P dont on peut utiliser :
 Pour les LED Bleus à jonction PN ;
 Pour les diodes laser violettes (à durée de vie élevée) ;
k) Ils ont un seuil de claquage supérieur à 10 fois celui du Silicium.
I.1.6.1 Le Nitrure de Gallium
Nous le notons en abrégé « Ga N »
Il est l’un des alliages le plus utilisé.
C’est un alliage qui renferme :
 Le Gallium appartenant à la famille III des accepteurs et

 L’Azote appartenant à la famille V des donneurs.
I.1.6.1.1 Caractéristiques
Voici les principales caractéristiques du nitrure de Gallium :
 Sa température de fusion est d’environ 2500°C ;

 L’énergie de sa bande interdite 𝐸𝑔 = 𝐸𝐵𝐼 = 3,4𝑒𝑉 ;
 Sa masse volumique 𝜌𝐺𝑎 𝑁 = 6,15 𝑔⁄𝑐𝑚3 ;
 Sa masse molaire 𝑀 = 83,73 𝑔⁄𝑚𝑜𝑙 ;
 Sa mobilité des porteurs de charge 𝜇𝑛,𝑝 = 900 𝑐𝑚²⁄𝑉. 𝑠 à 27°𝐶.
I.1.6.1.2 Utilisations
Cet alliage est utilisé pour les applications suivantes :
 Les circuits intégrés (Transistors) ;

 Les chargeurs de smartphones, tablettes, etc.
 Pour le déploiement de la 5G (Amplificateurs à base du « Ga N ») ;
 Pour la fabrication des cellules photovoltaïques des satellites ;

32
 Pour les vélos électriques ;

 Pour Les laptops et desktops ;
 Pour la fabrication (génération) des LED bleus et des diodes Laser pour DVD et dans les
applications optiques ;
 Etc.
I.2 LES DIODES

I.2.1 Introduction
Introduction La diode est le composant électronique de base : on ne peut pas combiner du silicium
dopé plus simplement. Son fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur commandé par
une tension (Vd) qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Cette propriété lui ouvre un champ d'applications assez vaste en électronique dont les plus courantes
sont :
• Le redressement du courant alternatif issu du secteur ;
• la régulation de tension à l’aide de diodes Zener, qui ont un comportement de source de

tension quasi idéale.
La fonction diode a existé bien avant l'arrivée du silicium : on utilisait alors des diodes à vide (les lampes
ou tubes, voir Figure) dont le fonctionnement était basé sur l'effet thermoélectronique. Le silicium a
apporté une amélioration de la fiabilité du composant, une réduction de son encombrement, une plus
grande simplicité d'utilisation et une réduction de prix.
La jonction PN est un élément fondamental de l’électronique. En modifiant certains paramètres

(concentration en impureté, géométrie de la jonction, etc.) on obtient des composants diversifiés
utilisables dans de nombreux domaines dont le classement succinct est le suivant :
o Diodes de redressement et de l’électronique de puissance

 Diodes de redressement classique,
 Diodes à avalanche contrôlée,
 Diodes rapides de commutation et de récupération,
 Diodes haute tension, etc.
o Diodes de signal dans le domaine général
 Diodes rapides
 Diodes à faible courant de fuite, etc.
o Diodes utilisées en avalanche inverse
 Diodes stabilisatrices de tension (diodes « Zener »),
 Diodes de référence,
 Diodes de protection, etc.
o Diodes de l’électronique rapide
 Diodes tunnel et backward,
 Diodes Schottky,
 Dioses varicap,

33
 Diodes PIN,
 Diodes gunn,
 Dioses Impatt,
 etc.
o Diodes de l’optoélectronique
 Diodes électroluminescentes LED,
 Diodes laser,
 Photodiodes,
 Photopiles,
 Cellules photovoltaïques, etc.
I.2.2 Caractéristiques électriques

La caractéristique électrique est la caractéristique globale courant/tension. On a vu précédemment
que le courant était négligeable pour une tension Vd = Vp-Vn négative (ceci est vrai jusqu'à une tension
Vc dite tension de claquage). Au-dessus d'un certain seuil Vo de tension Vd positive, le courant direct
croit très rapidement avec Vd.
Le seuil Vo (barrière de potentiel) dépend du semi-conducteur intrinsèque de base utilisé. Il est

d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium. La caractéristique a la forme suivante :
𝐼𝐴𝐾
Tension de claquage
Courant de fuite
𝑉𝐴𝐾 = 𝑉𝑑
Figure I.30 : Caractéristique électrique complète d’une diode

34
Figure I.31 : Caractéristique directe d’une diode (𝑉𝑑 > 0)
Sur ce type de diode au silicium, le courant croit assez rapidement au-delà de 0,7V. C'est une diode de
redressement supportant 1 A en direct et 600 V en tension inverse.
La caractéristique d'une diode semi-conductrice est illustrée par les courbes de la Figure. Afin de bien
mettre en évidence la dépendance du courant par rapport à la tension appliquée, des échelles
différentes ont été utilisées. On notera en particulier (Figure 9 c et d) que l'allure de la caractéristique
est pratiquement la même pour des courants faibles ou élevés ; seule la tension a changé en passant
d'environ 0.6 V pour ID = 1mA à environ 0.8 V pour ID = 100 mA.
Figure I.32 : Caractéristiques d’une diode a) en polarisation inverse, b) pour de faibles tensions c) pour de faibles
courants, d) pour de forts courants

35
La connaissance de cette caractéristique non linéaire, fondamentale pour décrire le comportement

des diodes, ne nous permet malheureusement pas de résoudre analytiquement un circuit constitué
simplement d'un générateur, une résistance et une diode. Les équations décrivant ce circuit sont en
effet non linéaires et ne peuvent pas être résolues simplement :
Figure I.33 : Polarisation directe de la diode et calcul de US et UD
Seule la donnée de modèles linéaires approchant aussi bien que possible la caractéristique de la diode
permet de calculer le courant circulant dans le circuit.
Autour de zéro :
La caractéristique passe par l'origine. Pour Vd négatif, le courant tend rapidement vers la limite -If
(courant de fuite), car le courant de diffusion dû aux porteurs majoritaires va s'annuler.
Caractéristique inverse (Vd < 0), phénomène de claquage :
Quand la tension appliquée dépasse la valeur spécifiée par le fabricant, le courant décroît (attention :
il est déjà négatif !) très rapidement. S'il n'est pas limité par des éléments externes, il y a destruction
rapide de la diode due à deux phénomènes :
• Phénomène d’avalanche : quand le champ électrique au niveau de la jonction devient trop

intense, les électrons accélérés peuvent ioniser les atomes par chocs, ce qui libère d'autres
électrons qui sont à leur tour accélérés Il y a divergence du phénomène, et le courant devient
très important en un temps extrêmement court.
• Phénomène Zener : les électrons sont arrachés aux atomes directement par le champ
électrique dans la zone de transition et créent un courant qui devient vite intense quand la
tension Vd atteint une valeur Vz dite tension Zener.
Si on construit la diode pour que le phénomène Zener l'emporte sur le phénomène d'avalanche (en
s'arrangeant pour que la zone de transition soit étroite), on obtient une diode Zener. On utilise alors
cette diode en polarisation inverse. L'effet Zener n'est pas destructif dans ce cas. Ces diodes sont très
utilisées pour la régulation de tension.

36
Figure I.34 : Linéarité de Log (I) fonction de V.
La courbe de la Figure (à l'exception de la zone de claquage) répond assez bien à la formule suivante,
expliquée par la thermodynamique statistique :
Équation :
𝑰𝒅 = 𝑰𝒇 . [𝒆(𝒒.𝑽𝒅 ⁄𝒌.𝑻) − 𝟏] (1)
Où :
- If est le courant de fuite ;

- q la charge de l'électron = 1,6 E-19C ;
- k constante de Boltzman = 1,38 E-23 J/K;
- T température absolue (en degré Kelvin).
La loi logarithmique [1] est bien illustrée par : la Figure I.32, la Figure I.33, et la Figure I.34. La courbe
expérimentale s'éloigne toutefois de la théorie lorsque le courant anode cathode devient important
car le modèle ne tient pas compte d'autres phénomènes dont les chutes de tension ohmiques dans le
semi-conducteur. A noter que sur la Figure I.34, le courant maximum représenté est égal au 1/10ème
admissible par cette diode.
I.2.3 Effet de la température :
Pour Vd positif, la diode a un coefficient de température négatif égal à -2mV/K. Cette dérive en
température est suffisamment stable pour qu'on puisse utiliser des diodes comme thermomètres.
Pour Vd négatif, le courant de fuite If varie très rapidement avec la température. Il est plus important
pour le germanium que pour le silicium, et croît plus vite, ce qui devient rapidement gênant. Dans le
silicium, ce courant double tous les 6°C.

37
Figure I.35 : Résistance dynamique
La résistance dynamique étant l'inverse de la pente de la caractéristique en un point donné, on peut

la déduire par dérivation de la formule [1] :
Formule :
C'est la résistance dynamique au point de fonctionnement (Vd , Id). Elle est fonction du courant de
polarisation Id au point étudié.
La Figure I.35 donne la valeur de rd en fonction de la tension de la diode : les variations sont très
importantes.
I.2.4 Schéma équivalent

La représentation de la diode par sa loi logarithmique est un peu complexe pour l'emploi de tous les
jours. Plusieurs schémas équivalents simplifiés peuvent être employés en lieu et place avec profit. Pour
établir ces schémas, on « linéarise » plus ou moins grossièrement la caractéristique électrique de la
diode, puis on cherche quels composants permettent d’obtenir ces caractéristiques linéaires.
I.2.4.1 Modélisation de la diode « idéale »

La modélisation d’un composant consiste à remplacer la caractéristique électrique réelle i = f(u) par
des segments de droites. A chaque segment de droite correspond un schéma électrique équivalent.
Dans ce cas, on néglige la tension de seuil (force du ressort qui maintient le clapet sur son siège) et la
résistance interne de la diode (le petit étranglement du au siège du clapet qui rétrécit le tuyau
augmentant ainsi sa « résistance »). La caractéristique est alors celle de la Figure I.36.

38
𝐼𝐴𝐾
Figure I.36 : Caractéristique idéale de la diode
Cette modélisation consiste à effectuer une linéarisation « à la serpe » de la caractéristique électrique

de la diode. Ainsi modélisée, la diode est un interrupteur commandé par la tension anode-cathode VAK
(Vd).
- Si VAK > 0, l’interrupteur est fermé et le courant anode-cathode passe.

- Si VAK < 0, alors l’interrupteur est fermé et le courant anode-cathode est nul (quelques pico
ampères en réalité).
Ce schéma est utilisé pour expliquer le principe de fonctionnement des montages ainsi que dans le,
domaine du redressement ou de la commutation. Si les diodes sont employées dans des circuits où les
tensions sont élevées (plus de 10 V) : la tension de coude (0,7 V pour les diodes au Silicium) est alors
négligeable.
I.2.4.2 Modélisation de la diode avec seuil

On peut continuer à négliger la résistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode. La
caractéristique devient :

39
𝐼𝐴𝐾
0,7V 𝑉𝐴𝐾 = 𝑉𝑑
Figure I.37 : Caractéristique avec seuil.
Du point de vue de l’analogie hydraulique de la diode, la force contre électromotrice du schéma

équivalent correspond à la « contre pression » exercée par le ressort qui maintient le clapet sur son
siège.
Cette f.c.é.m. est de 0,7 V (environ, elle est comprise entre 0,6 et 0,7 V) pour les diodes au silicium. Les
diodes au germanium, qui sont rares, ont une f.c.é.m. de 0,3 V. Les diodes électroluminescentes ont
des f.c.é.m. variables, avec la longueur d’onde émise, entre 1,3 et 3,8 V.
Ce schéma est le plus utilisé pour les calculs où l’on recherche une certaine précision. Il est donc à
utiliser si la source délivre une tension inférieure à une dizaine de volts ou dans le domaine de
l’électronique du signal lorsque le courant reste faible devant le courant maximum.
I.2.4.3 Modélisation de la diode avec seuil et résistance

Ici, on prend en compte la résistance de la diode. Ceci peut être utile si on utilise la diode en petits
signaux alternatifs et qu'on a besoin de sa résistance dynamique.

40
𝐼𝐴𝐾
0,7V
𝑅𝑑
⬚
0,7V
Figure I.38 : Caractéristique avec seuil et résistance
La linéarisation de la caractéristique électrique est plus fine, les morceaux de droite épousent mieux
la courbe.
Du point de vue de l’analogie hydraulique de la diode, en plus de prendre en compte la force contre
électromotrice V0 = 0,7 V (« contre pression » exercée par le ressort qui maintient le clapet sur son
siège), on prend en compte la résistance dynamique de la diode. Cette résistance dynamique peut être
interprétée comme la résistance au passage du fluide introduit par le rétrécissement du tuyau du au
siège du clapet.
Comme l’analogie hydraulique le laisse supposer, cette résistance est petite, au alentour de 20 Ω. On
parle de résistance « dynamique » car elle varie avec l’intensité qui traverse la diode. La pente de la
caractéristique électrique n’est pas constante comme dans le cas d’une résistance « ohmique ». La
résistance dynamique est la dérivée de la caractéristique électrique en un point :
𝑑(𝑢=𝑓(𝑖)) ∆𝑢
𝑅𝑑 = 𝑑𝑖
≅ ∆𝑖
Attention : Dans le cas de la diode, on considère souvent que la résistance dynamique est constante.
Cela n'est vrai que si la variation du signal alternatif est très petite autour du point de polarisation en
continu.
Cette caractéristique est utilisée dans le domaine du redressement, lorsqu’on travaille avec de faibles
tensions de source et des forts courants.
I.2.5 Utilisation
Il existe divers types de diodes correspondant à des technologies différentes. Chaque technologie
présente le meilleur compromis pour une utilisation donnée.
Nous allons balayer les applications des diodes en les classifiant par groupe technologique.

41
I.2.6 Paramètres essentiels des diodes

En fonction de l'application considérée, on s'intéressera à certains paramètres des diodes plutôt qu'à
d'autres. Certains paramètres ne sont pas spécifiés pour tous les types de diodes, sauf les suivants qui
sont incontournables :
- 𝑽𝑭 : tension de coude de la diode spécifiée à un courant direct donné.

- 𝑰𝑭 : courant direct permanent admissible par la diode à la température maxi de
fonctionnement.
- 𝑰𝑭𝑺𝑴 : courant temporaire de surcharge (régime impulsionnel). En général, pour un courant
de surcharge donné, le constructeur spécifie l'amplitude des impulsions, leur durée, le
rapport cyclique, et dans certains cas, le nombre maxi d'impulsions qu'on peut appliquer.
- 𝑽𝑹 : c'est la tension inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche).
- 𝑰𝑹 : c'est le courant inverse de la diode. Il est spécifié à une tension inverse donnée, et pour
plusieurs températures (généralement 25°C et Tmax). Ce courant n'est pas seulement celui
dû aux porteurs minoritaires. Il provient aussi des courants parasites à la surface de la puce
(le silicium est passivé par oxydation, et il peut subsister des impuretés qui vont permettre
le passage de faibles courants). Le boitier d'encapsulation de la puce de silicium est aussi
source de fuites.
Ces symboles sont ceux généralement employés par les différents constructeurs, mais il peut y avoir
des variantes, et il est toujours sage de se reporter à la documentation du constructeur pour savoir
comment sont spécifiés les paramètres, et à quoi ils correspondent exactement.
I.2.7 Diodes de redressement

Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du secteur
pour faire des générateurs de tension continue destinés à alimenter les montages électroniques (entre
autres).
Il y a deux types principaux de diodes de redressement : la diode standard pour le redressement

secteur classique, et la diode rapide pour les alimentations à découpage.
I.2.7.1 Caractéristiques physiques

Les diodes de redressement standard sont les moins sophistiquées, et ne font l'objet d'aucun
traitement particulier, les conditions d'utilisations étant peu contraignantes. Elles ont des tensions VR
comprises entre 50 et 1000V environ, et les courants IF vont de 1A à plusieurs centaines d'ampères.
Avant le système de redressement, on a presque toujours un transformateur qui sert à abaisser la

tension secteur (les montages électroniques fonctionnent souvent sous des tensions de polarisation
allant de quelques volts à quelques dizaines de volts), et qui sert aussi à isoler les montages du secteur.
I.2.7.2 Caractéristiques électriques :

- Courant : 1 à 10 A ;
- Tension : 50 à 3 000 V ;
- Temps de recouvrement : de l’ordre de 20 μs.
I.2.7.3 Caractéristiques électriques des diodes de puissances :

- Tension : 50 à 3 200 V ;
- Courant : 5 à 800 A.

42
I.2.7.4 Redressement simple alternance

C'est le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du transformateur Vt
dépasse la tension de seuil de la diode, celle-ci conduit, laissant passer le courant direct dans la charge.
La tension aux bornes de la charge Vr est alors égale à la tension aux bornes du transformateur moins
la tension directe VF de la diode.
Figure I.39 : Redressement avec une diode
Quand la tension aux bornes du transformateur devient inférieure à la tension de seuil, la diode est
bloquée ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est négligeable en comparaison du courant direct.
La tension aux bornes de la diode est alors égale à celle aux bornes du transformateur : il faudra choisir
une diode avec une tension VR au minimum égale à la tension crête du secondaire du transformateur.
I.2.7.5 Redressement double alternance

I.2.7.5.1 Avec transfo double enroulement ou transformateur à point milieu
Figure I.40 : Redressement avec transfo double sortie

43
Le montage précédent présente l'inconvénient de ne laisser passer que la moitié du courant que peut
délivrer le transformateur. Pour remédier à cela, on utilise un transformateur avec deux enroulements
secondaires que l'on connecte de manière à ce qu'ils délivrent des tensions en opposition de phase.
Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques à celui de la Figure… qui
fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre pour l'alternance négative. On vérifie bien (Figure
… et Figure …) que le courant dans la charge est toujours orienté dans le même sens.
a)
b)
FigureI.41 : a) Alternance positive ; b) Alternance négative
On notera la chute de tension dans les diodes : elle devient non négligeable quand les tensions
alternatives sont faibles, en dessous d’une vingtaine de volts.
Les diodes sont plus sollicitées que pour le montage simple alternance : en effet, la diode qui ne conduit
pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de transformateur, la tension
aux bornes de la résistance. Au total, elle devra supporter une tension VR double de celle requise dans
le montage à simple alternance, soit deux fois la tension crête présente sur chacun des secondaires.

44
I.2.7.5.2 Redressement double alternance avec pont de Graëtz
Figure I.42 : Redressement avec le pont de Graëtz
Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne nécessitant pas un
transformateur à double enroulement : on utilise 4 diodes montées en pont, dit « pont de Graëtz ».
Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce, permettant de réduire le nombre de
composants du montage.
Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et quand elle est
négative, D2 et D3 conduisent (Figure 24 et Figure 25).
Chaque diode n'a à supporter qu'une fois la tension crête du secondaire du transformateur (contre
deux fois pour le montage précédent), mais en revanche, on a deux tensions directes de diode en série.
La puissance totale dissipée dans les diodes est double par rapport à la solution précédente.
Quelle solution choisir ?
Quand on en aura la possibilité, on préfèrera la solution à transformateur à point milieu, pour plusieurs
raisons :
- Le transformateur n'est pas plus cher que celui à secondaire simple.

- Avec un transformateur à un seul secondaire, on ne peut pas faire d'alimentation double
symétrique en redressement double alternance. Ce type de transformateur est moins
universel.
- Le fait que les diodes aient à tenir une tension double n'est pas un problème dans la plupart
des cas, car les tensions redressées sont très souvent bien inférieures aux tensions VR
minimum des diodes disponibles dans le commerce.
- Dans le montage en pont, la charge est flottante par rapport au transformateur, ce qui peut
être gênant dans certains cas.

45
I.2.7.6 Filtrage
Les montages précédents délivrent des tensions redressées continues mais ondulées. Pour obtenir une
tension quasiment lisse, il suffit de mettre un gros condensateur en parallèle avec la charge.
I.2.7.6.1 Redressement simple alternance

Ici, la charge est absolument quelconque, et peut être un montage électronique complexe ayant une
consommation en courant aléatoire.
Figure I.43 : Redressement simple alternance et filtrage
Sur le graphique du bas de la Figure…, on voit en pointillé la tension redressée telle qu'elle serait sans
condensateur. En traits pleins épais, on voit la tension filtrée. Sur ce graphe, le courant de décharge
du condensateur est linéaire : il correspond à l'hypothèse de décharge à courant constant.
Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est supérieure à la
tension aux bornes du condensateur additionné de la tension directe de la diode, la diode conduit. Le
transformateur doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant de recharge du
condensateur.
Quand la tension du transformateur devient inférieure à celle du condensateur plus la tension de

coude de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur-charge forme alors une boucle isolée
du transformateur.
Le condensateur se comporte comme un générateur de tension, et il restitue l'énergie accumulée dans

la phase précédente.
A noter que la tension aux bornes du condensateur étant en permanence voisine de la tension crête
positive du transformateur, lorsque celui-ci fournit la tension de crête négative, la diode doit supporter
deux fois la tension crête délivrée par le transformateur : on perd le seul avantage (hormis la simplicité)
du montage à redressement simple alternance.
*Calcul du condensateur :
Dans la littérature, on trouve classiquement le calcul du condensateur pour une charge résistive. La
décharge est alors exponentielle et le calcul inutilement compliqué. Ce calcul est assez éloigné des

46
besoins réels : en général, on ne fait pas des alimentations continues pour les faire débiter dans des
résistances !
Très souvent, ces alimentations redressées et filtrées sont suivies d'un régulateur de tension. La charge
est fréquemment un montage complexe ayant une consommation variable au cours du temps. Pour
faire le calcul du condensateur, on prendra donc une décharge à courant constant, le courant servant
au calcul étant le maximum (moyenné sur une période du secteur) consommé par la charge. Le critère
de choix ne sera pas un taux d'ondulation qui n'a souvent aucune utilité pratique, mais une chute de
tension maximum autorisée sur le condensateur pour que le montage connecté en aval fonctionne
correctement.
Avec ces hypothèses, le calcul du condensateur devient très simple : On considère que le condensateur
C se décharge à courant Imax constant pendant un temps T et que la chute de sa tension est inférieure
à ∆𝑉.
On a alors la relation :
𝑪𝒙∆𝑽 = 𝑰𝒎𝒂𝒙 ∆𝑻 (3)
Le temps ∆𝑇 choisi va être la période du secteur. En pratique, le condensateur va se décharger moins

longtemps (Figure …), le calcul effectué conduit donc à le sur-dimensionner légèrement. En fait,
l'erreur commise est très faible comparée à la dispersion que l'on aura sur le résultat due à la dispersion
de la valeur des composants, et notamment des condensateurs de filtrage : on utilise des
condensateurs chimiques qui ont des tolérances très larges (-20% / +80% en général). Les
transformateurs possèdent, eux aussi, des caractéristiques assez dispersées, ce qui fait qu'au final,
mieux vaut prévoir large pour éviter les mauvaises surprises ! Pour un redressement simple alternance,
on aura un T de 20ms, qui correspond à l'inverse de la fréquence secteur 50 Hz. La valeur du
condensateur est alors :
𝑰𝒎𝒂𝒙
𝑪= 𝒇.∆𝑽
(4)
Il faudra veiller à choisir un condensateur supportant au moins la tension crête du transformateur à

vide (la tension sera plus faible en charge du fait des chutes de tensions diverses (impédance du
transformateur, diode).
I.2.7.6.2 Redressement double alternance

Les hypothèses seront les mêmes que précédemment. La seule différence viendra du temps ∆𝑇 ; vu
qu'on a un redressement double alternance, la fréquence du courant redressé est double de celle du
secteur. La formule de calcul du condensateur devient donc :
𝑰𝒎𝒂𝒙
𝑪 = 𝟐.𝒇.∆𝑽 (5)
Comme dans la formule [4], f est la fréquence secteur (50Hz en France). A chute de tension égale, le
condensateur sera donc deux fois plus petit que pour le redressement simple alternance, ce qui est
intéressant, vu la taille importante de ces composants. La diode aura à tenir deux fois la tension crête
délivrée par chaque enroulement du transformateur.

47
Figure I.44 : Redressement double alternance avec filtrage

48
CHAPITRE II : L’OPTOELECTRONIQUE
II..1 Introduction
L’optoélectronique est une discipline émergente qui utilise conjointement l’électronique et
l’optique. Elle a des portées importantes dans divers domaines, en particulier en
informatique, en électronique médicale et en télécommunications. Le but de ce chapitre est
de permettre aux étudiants de connaitre les principes de fonctionnement et les
caractéristiques des différents éléments constituant l’optoélectronique et le fonctionnement
et les caractéristiques d’une chaîne de transmission par fibres optiques à travers l’étude des
composants capables d’émettre, de transmettre et de recevoir un signal lumineux.
II.2 Objectif
Faire découvrir à l'étudiant l’optoélectronique, les principaux composants optoélectroniques,
leurs caractéristiques, leur principe de fonctionnement et leur utilisation.
L’objectif de ce chapitre est de familiariser l’étudiant avec les propriétés des matériaux semi-
conducteurs utilisés dans le domaine de l’optoélectronique : - Matériaux pour la photo-détection ;
coefficient d’absorption et taux de génération - Matériaux pour l’émission de lumière- ; structure de
bandes
II.3 Définition
1) L'optoélectronique est à la fois une branche de l'électronique et de la photonique. Elle
concerne l'étude des composants électroniques, appelés aussi composants
photoniques, qui émettent de la lumière ou interagissent avec elle. Parmi eux, se
trouvent les capteurs ou les diodes permettant la conversion de photons en charge
électrique ou réciproquement, les systèmes permettant la gestion d'un signal optique
dans les télécommunications par fibre optique ou encore les systèmes d'optique
intégrée.
2) Autrement, c’est aussi l’ensemble des techniques et dispositifs qui lient l'optique et
l'électronique.
II.4 Composants optoélectroniques principaux

Nous avons :
 Les capteurs CCD ;

 Les photodiodes ;
 Les opto-triacs ;
 Les Tubes photomultiplicateurs ;
 Les photorésistances ;

49
 Les phototransistors ;
 Les capteurs de photoscope ;
 Les cellules photoélectriques ;
 La diode Laser ;
 La diode électoluminescente (DEL) ;
 L’opto-coupleur ;
 L’interféromètre de Mach-Zehnder.
Faute de temps, dans ce cours, nous allons juste aborder les photodiodes, les
phototransistors, les photorésistances, les diodes Laser et les diodes électroluminescentes
(DELL). Quant au reste, l’étudiant pourra approfondir personnellement.
II.5 Principe
Les composants optoélectroniques sont conçus pour une gamme de longueurs d’onde. Ils sont
souvent monochromatiques. Dans le domaine des télécommunications, les composants
utilisés comme relais travaillent dans le proche infra-rouge.
Un capteur optoélectronique permet, par exemple, de compter les caisses ou d’en déterminer
leur longueur (durée de l’impulsion).
L'Optoélectronique est l'étude des composants qui interagissent avec de la lumière. Elle est
généralement considérée comme une sous branche de la photonique. Les interactions
rayonnement électromagnétique – semi-conducteurs sont le principe des composants
optoélectroniques dont le rôle est la conversion d’un signal optique en un signal électrique ou
réciproquement. Ce sont donc des transducteurs électroniques vers optique ou optique vers
électrique.
II.5.1 La conversion :
 Photon – électron donne le principe des photorécepteurs (Photodiodes, par exemple) ;
 Électron - photon donne le principe des émetteurs de lumière (Diodes Electroluminescentes,
par exemple)
L'électroluminescence, phénomène par lequel une excitation électrique donne lieu à l'émission d'une
radiation électromagnétique, est expliquée par la théorie des semi-conducteurs et par la
recombinaison radiative des porteurs de charges injectés au voisinage d'une jonction PN.
Parallèlement au développement des émetteurs, la technique des semi-conducteurs a permis de
réaliser des photorécepteurs présentant des caractéristiques en parfaite concordance avec les
émetteurs et de concevoir des associations optoélectroniques de qualité.
Suivant leur mode opératoire, on distingue deux types de composants optoélectroniques :
 Les photodétecteurs qui sont des composants qui convertissent le signal optique en un signal
électrique,
 Les photoémetteurs qui convertissent le signale électrique en un signal optique.

50
Ces deux types de composants sont élaborés à partir de matériaux semi-conducteurs et leurs principes
de fonctionnement sont basés sur les interactions rayonnement- semi-conducteur.
Les trois processus d’interaction entre le rayonnement et le semi-conducteur d’énergie de gap Eg

(bande interdite) étant :
 L’absorption du photon par un électron de la bande de valence et son passage vers la bande
de conduction, entrainant l’apparition d’un trou dans la bande de valence (figure a).
 L’émission spontanée d’un photon par retour de l’électron excité de la bande de conduction
vers la bande de valence et sa recombinaison avec le trou (figure b), dans le cas où l’énergie
cédée par l’électron est de type radiatif.
 L’émission stimulée d’un photon avec retour de l’électron excité vers la bande de valence et
sa recombinaison avec un trou (figure c). le photon émis est identique, en longueur d’onde et
en phase, au photon incident, il est dans le même état de polarisation. Ce dernier processus
est à la base de l’effet laser.
Figure II.1 : Illustration : a) De l’absorption ; b) De l’émission spontanée et c) d’un photon par un semi-
conducteur
L’élément de base dans la fabrication de ces composants est le matériau semi-conducteur. Les semi-
conducteurs sont définis par leurs résistivités ρ, leurs concentrations intrinsèques ni et leurs énergies
de gap Eg. C’est des solides cristallins dont les propriétés sont comprises entre celles des matériaux
isolants (de résistivité supérieure à 1012  cm) et celles des métaux (de résistivité inférieure à 10-5 
cm). Les semi-conducteurs sont isolants à basses températures et deviennent d’autant plus
conducteurs que la température est élevée.
La nature et l’énergie du gap Eg du semi-conducteur jouent un rôle déterminant dans le choix du

matériau à utiliser pour la fabrication du composant optoélectronique.
Les semi-conducteurs employés dans l’industrie des composants sont (voir figure ci-dessous) le
silicium Si ou le germanium Ge (groupe IV), des composés intermétalliques (groupe III-V) tels GaAs,
AlAs, InSb, GaP et GaAlAs, ou des composés (II-VI) tels ZnO, CdTe et ZnS.

51
Figure II.2 : Illustration des éléments (qui sont encerclés) utilisés dans l’industrie des semi-conducteurs
L’énergie de gap des semi-conducteurs est comprise entre 0.5 et 4 eV, elle est surtout voisine de 1 eV.
Le tableau ci-dessous donne quelques exemples à 300 K.
Tableau N°II.1 : Energie de gap pour différents semi-conducteurs
Qu’il s’agisse d’absorption ou d’émission de radiation par un semi-conducteur (figure 3), le photon
d’énergie :
𝑬 = 𝒉𝓥 = 𝒉. 𝒄/𝝀
Avec :
ℎ : constante de Planck = 4,136.10-15 e.V.s
𝑐 : vitesse de la lumière dans le vide = 3 .108 m/s

52
Figure II.3 : Absorption (a) et émission (b) de radiation par un semi-conducteur
Il doit assurer le passage de l’électron de la bande de valence à la bande de conduction (absorption)

ou la recombinaison de la paire électron-trou (émission). Dans les deux cas, son énergie doit être égale
à Eg :
𝑬 = 𝑬𝒄 + 𝑬𝒗 = 𝑬𝒈
La relation entre la longueur d’onde du photon et l’énergie de gap du semi-conducteur est alors :
𝑬𝒈 (𝒆𝑽). 𝝀(𝝁𝒎) = 𝟏. 𝟐𝟒
Le choix du matériau utilisé pour la fabrication des composants optoélectroniques est basé sur
certaines propriétés suivant l’utilisation du composant :
Pour un détecteur optique, il faut considérer :
 L’absorption de la lumière
 La création de porteurs en excès
 Le rendement photoélectrique
 La sensibilité spectrale
Pour un émetteur de lumière, il faut considérer :
 La longueur d’onde de la radiation émise

 La recombinaison de porteurs en excès et la durée de vie
 Le rendement d’électroluminescence
II.5.2 Absorption de la lumière par les semi‐conducteurs

Si on éclaire un semi-conducteur par une lumière de fréquence , telle que l’énergie h du photon est
suffisante pour faire passer l’électron de la bande de valence à la bande de conduction, il y a effet
photoélectrique interne lié à la structure de bande interdite.
Figure II.4 : Absorption d’un photon et création d’une paire électron-trou.

53
II.5.2.1 Choix du matériau

Pour avoir l’effet photoélectrique interne, il faut avoir 𝒉. 𝝀 ≥ 𝒉. 𝝀𝟎 = 𝑬𝒈 , soit 𝝀 ≥ 𝝀𝟎 , 𝝀𝟎 est la
longueur d’onde seuil de l’effet photoélectrique, elle est telle que:
𝑬𝒈 (𝒆𝑽). 𝝀𝟎 (𝝁𝒎) = 𝟏. 𝟐𝟒
Dans l’hypothèse contraire 𝝀 ≥ 𝝀𝟎 , le corps pourra être supposé comme transparent. Le photon
traverse le matériau sans être absorbé. Pour le silicium, par exemple, d’énergie de gap Eg = 1.12 eV,
on peut obtenir un effet photoélectrique dans le visible et le proche 𝑰𝑹 jusqu’à 𝝀𝟎 = 𝟏, 𝟏𝝁𝒎.
Le germanium, d’énergie de gap Eg = 0.67 eV, est utilisé pour les plus grandes longueurs d’onde, de
900 nm à 1700 nm, soit pour le proche 𝑰𝑹.
Remarque :
On peut obtenir un effet photoélectrique extrinsèque en dopant le Semi-conducteur vers la

dégénérescence. Les trois possibilités d’absorption de photon sont illustrées sur la figure
Figure II.5 : Les trois possibilités d’absorption d’un photon par un semi-conducteur.
Les porteurs majoritaires sont renforcés sous l’effet de la lumière ; il y a modification de la conductivité
du matériau.
II.5.2.2 Coefficient d’absorption
Considérons l’interface air-semi-conducteur, de la figure 6, qui constitue la face d’entrée du semi-

conducteur et injectons un flux de lumière monochromatique de fréquence 𝒱.
Le flux i() peut s’exprimer en Watts (valeur énergétique) ou en photons par seconde (valeur
photonique ou quantique), la relation entre les deux grandeurs étant :
𝜱(𝑾𝒂𝒕𝒕𝒔) = 𝒉. 𝓥. 𝚽(𝒑𝒉𝒐𝒕𝒐𝒏𝒔⁄𝒔)
Au niveau de la surface, ce flux va tout d’abord subir une perte due à la discontinuité des indices de
réfraction :
 Une partie du flux va être réfléchie : r()= R. i()

 Et, l’autre partie va être transmise. Le flux transmis au niveau de la surface étant :
𝜱𝒕 (𝒗, 𝒙 = 𝟎) = 𝑻. 𝜱𝒊 (𝓥) = 𝜱𝟎 (𝓥)
Avec :
𝜱𝒊 (𝒗) = 𝜱𝒓 (𝓥) + 𝜱𝒕 (𝒗, 𝒙 = 𝟎)

54
Soit : 𝑹 + 𝑻 = 𝟏, 𝑅 étant le coefficient de réflexion de la lumière et 𝑇 son coefficient de transmission.

Ces deux coefficients dépendent de l’angle d’incidence et pour une incidence normale on a :
𝜱𝒓 (𝒏−𝟏)𝟐
 𝑹= = (𝒏−𝟏)𝟐
𝜱𝒊
Avec n l’indice de réfraction du matériau semi-conducteur

𝜱𝒕 𝟒𝒏
 𝑻= = 𝟏 − 𝑹 = (𝒏+𝟏)𝟐
𝜱𝒊
Figure II.6. : Incidence, réflexion et réfraction de la lumière à l’interface air/semi-conducteur.
La majorité des matériaux semi-conducteurs est caractérisée par un indice de réfraction dont la valeur
est comprise entre 3 et 4. La réflexion de la lumière à la surface du semi-conducteur produit alors une
perte de l’ordre de 30%.
A l’intérieur du matériau, le flux de lumière subit une perte en fonction de la profondeur x de

pénétration, liée à l’effet photoélectrique.
Admettant un taux relatif de pertes constant, correspondant à une loi normale d’un corps homogène,
on aura :
𝟏 𝝏𝜱𝒕 (𝓥, 𝒙)
𝜶(𝓥, 𝒙) = 𝜶(𝓥) = − .
𝜱𝒕 (𝓥, 𝒙) 𝝏𝒙
𝛼(𝒱) ou 𝛼(𝜆) est le coefficient d’absorption de la lumière de fréquence  (longueur d’onde), par le
semi-conducteur. En considérant une variation du coefficient d’absorption () en fonction de la
longueur d’onde, on peut écrire :
𝜱𝒕 (𝝀, 𝒙) = 𝜱𝒕 (𝝀, 𝟎). 𝒆−𝜶(𝝀)𝒙 = 𝜱𝟎 . 𝒆−𝜶(𝝀)𝒙
Ce qui correspond à l’absorption exponentielle de photons (Loi de Beer-Lambert) illustrée sur la figure
ci-dessous :

55
Figure II.7: Absorption exponentielle de la lumière par le semi-conducteur
Ce coefficient est une caractéristique principale du matériau
  devient nul dès que 𝝀 > 𝝀𝟎 ; le matériau est supposé transparent

  est très grand pour  très faible (𝝀 << 𝝀𝟎 ) où pratiquement toute l’absorption se fait à la
surface avec un temps de recombinaison très court (fenêtre de détection).
 pour 𝝀 < 𝝀𝟎 , au voisinage du gap,  suit une loi telle que :
𝒏 𝒏
𝜶 = 𝑨(𝑬 − 𝑬𝒈 ) = 𝑨. (𝒉. 𝓥 − 𝑬𝒈 )
𝐴 et 𝑛 tel que 0.5  n  3 dépendent de la nature du matériau semi-conducteur.
Les courbes de la figure 8 donnent l’évolution du coefficient d’absorption  () pour certains matériaux
semi-conducteurs utilisés dans la fabrication de photodétecteurs.
Figure II….: Evolution de  () pour différents matériaux semi-conducteurs

56
II.5.2.3 Coefficient d’absorption et profondeur de pénétration

La profondeur, dans le matériau, d’épaisseur égale à 1/ représente sensiblement l’épaisseur efficace
de pénétration du photon dans le matériau: c’est la profondeur pour laquelle le flux restant vaut 𝛷0 /𝑒.
Ainsi, comme le montre la figure ci-dessous, on a :
 Plus  est grand  l’absorption se fait en surface ;

 Plus  est faible  l’absorption se fait en volume.
Figure II.8 : Variation de (x)/0, pour différentes valeurs de  : 1 2  3
 Ainsi, si la longueur d’onde de la radiation incidente tend vers le domaine de l’IR, l’absorption
de la radiation se fait en volume,
 Et, si la longueur d’onde de la radiation incidente tend vers le domaine de l’UV, l’absorption
de la radiation se fait en surface.
Figure II.9: Coefficient d’absorption de la lumière pour un détecteur au Silicium.
Remarque :
La température d’utilisation des Photodétecteurs doit être d’autant plus basse que la longueur d’onde
de la radiation à détecter est élevée. Il faut éviter que l’énergie thermique (KT) ne permette à un trop

57
grand nombre d’électrons de traverser la bande interdite et passer dans la bande de conduction.
Sachant, par exemple qu’à  = 10 m, Eg n’est que de 0.12eV.
La perte de flux, qui se produit dans le matériau, par absorption, correspond à un certain taux de
génération g(x) de paires électron-trou. Ce dernier peut se mettre sous la forme :
𝝏𝜱 𝝏𝜱
𝒈(𝒙) = −𝜼𝒊 . avec − = 𝜶 𝜱(𝒙) ce qui donne 𝒈(𝒙) = 𝜼𝒊 𝜶 𝜱(𝒙)
𝝏𝒙 𝝏𝒙
𝛈𝑖 est le rendement quantique interne de l’effet photoélectrique. Dans le cas idéal, il correspond à :
 i = 0, pour   0 et  = 0
 i  1, pour   0 et   0
Comme le flux de lumière est de forme exponentielle :
𝛷(𝑥) = 𝛷0 . exp(−𝛼𝑥)
Alors le taux de génération de porteurs suit la même loi, c -à- d :
𝑔(𝑥) = 𝑔0 . exp(−𝛼𝑥)
II.5.3 Rendement quantique et sensibilité spectrale

Le rendement quantique (efficacité) d’un photodétecteur représente le rapport entre le nombre de
paires électron-trou collectées et le nombre de photons incidents. Il est donné par :
𝐼𝑝 ⁄𝑞
𝛈𝑒 (𝒱) =. 𝛷⁄ℎ.𝒱 (électron/photon)
𝐼𝑝 : étant le photocourant
La sensibilité (réponse) spectrale du photodétecteur correspond au rapport entre le photocourant et

la puissance optique incidente pour chaque longueur d’onde :
𝐼𝑝 (𝜆) 𝑞
𝑆(𝜆) =. 𝛷(𝜆) = 𝛈𝑒 . ℎ𝑐 . 𝜆 = 𝛈𝑒 . (0,8). 𝜆 (Ampères/Watts)
𝑞
Où le rapport vaut 0.8 et  est exprimée en µm
ℎ𝑐
 S () caractérise la sensibilité du récepteur en fonction de la longueur d’onde .

 S () est nulle pour toute longueur d'onde supérieure à la longueur d'onde seuil 0.
 S () et e () dépendent du matériau utilisé. D’après la figure 11 suivante, nous remarquons,
par exemple, que :

58
Figure II.10 : Sensibilité spectrale pour les trois semi-conducteurs utilisés dans les transmissions par fibres
optiques
 Le silicium peut détecter le visible et le proche IR jusqu’à 1 m

 Le germanium peut être utilisé pour le proche IR : 1.3 à 1.5 m
 Au-dessus de ces longueurs d’onde, on peut utiliser les composés type InSb, PbSe et HgCdTe
(figure ci-dessous).
Figure II.11 : Sensibilité spectrale de matériaux sensibles aux radiations infrarouges
II.5.4 Emission de la lumière par les semi‐conducteurs

Les émetteurs de lumière représentent la fonction réciproque des photorécepteurs : transformation
du signal électrique en un signal optique (photonique). L’émission photonique correspond à une
transition de l’électron vers le bas ; retour à l’équilibre ou recombinaison électron-trou.

59
Le choix de la longueur d’onde émise dépend donc du matériau. La relation entre la longueur d’onde
0 d’émission et l’énergie de gap Eg du matériau étant :
𝑬𝒈 (𝒆𝑽). 𝝀𝟎 (𝝁𝒎) = 𝟏. 𝟐𝟒
(Relation déjà notée pour le seuil de détection de la lumière)
Contrairement au rendement photoélectrique, celui de l’effet luminescent sera en général assez faible.
Si le photorécepteur présente un rendement avec une bande passante théorique correspondant à

=1, situé entre 0 et 𝝀𝟎 , le rendement de l’émetteur se présente avec une bande passante plus étroite.
L’émission se produit de façon efficace à des longueurs d’onde voisines de 𝝀𝟎 .
Considérons le tableau suivant :
Tableau II.2 : Longueurs d’ondes 𝝀𝟎 des différents matériaux
   𝝀𝟎 ➯ matériau peut être utilisé en photorécepteur ;

   𝝀𝟎 ➯ milieu optiquement transparent avec 𝒏  𝒏 (isolant) ;
   𝝀𝟎 ➯ il peut être utilisé, à priori, comme émetteur de lumière
II.5.4.1 Structure de bandes d’énergie

 Une condition nécessaire à l'obtention d’un rendement lumineux important concerne la
structure de bandes d’énergie du matériau :
 l’étude de l’espace 𝐸(𝐾) (relation de dispersion : énergie 𝐸 vecteur d’onde 𝑘⃗ ou quantité de
mouvement ⃗𝑷 ⃗ = 𝒉. ⃗𝒌 = 𝒎. ⃗𝒌 = 𝒎𝓥 ⃗⃗ ), pour l’électron dans le semi-conducteur conduit à deux
configurations, suivant la nature du matériau.
II.5.4.1.1 Structure à gap direct

Le dôme de la 𝐵𝑉 et la Vallée de la 𝐵𝐶, sur le diagramme 𝑬(𝒌), correspondent à la même valeur du
vecteur d’onde ⃗𝒌.
Le passage d’un électron de la 𝐵𝐶 vers la 𝐵𝑉 pourrait se faire pratiquement à la verticale et produire

l’émission d’un photon avec :
 une importante énergie 𝒉 = 𝑬𝒈, de l’ordre d’1 eV, soit 10−19 𝑗

𝒉𝓥 𝒉
 une quantité de mouvement négligeable : 𝑷 = = . Avec 𝑐 (= 3. 108 𝑚/𝑠) la vitesse de la
𝒄 𝝀
lumière dans le vide, cette quantité de mouvement est négligeable vis-à-vis de celle de
l’électron dans le cristal (il suffit de considérer que la distance interatomique (de l’ordre de
l’angström) est très faible devant la longueur d’onde de la radiation optique).
Dans ce cas :

60
⃗ , constant avec conservation d’énergie ;

 la transition est directe à 𝒌
 c’est une transition du premier ordre très probable dans ce type de matériau ;
 Le rendement interne sera très grand.
II.5.4.1.2 Structure à gap indirect

⃗ .
Le dôme de la BV et la Vallée de la BC ne sont pas situés à la même valeur du vecteur d’onde 𝒌
Dans ce type de matériau, la transition radiative est moins probable. Elle est du deuxième ordre car
elle est oblique avec l’intervention de deux quanta pour assurer la conservation de l’énergie ∆𝐸 = 𝐸𝑔
et de la quantité de mouvement ∆𝑷 = 𝒉∆𝒌 :
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ : a)Direct, b) Structure à gap indirect

Figure II.12 : Diagramme 𝑬(𝒌)
 Emission ou absorption simultanée d’un photon pour la conservation de l’énergie ;

 Émission ou absorption simultanée d’un phonon qui correspond à une grande variation de la
quantité de mouvement
Le phonon traduit la notion de choc ou de vibration mécanique ou thermique avec une faible variation
d’énergie (l’énergie du phonon est de l’ordre de 𝐾𝑇, elle est dans la gamme 0,01- 0,1 eV, donc plus
faible que l’énergie de gap. Considérons le tableau suivant :
Tableau II.3 : Energie de Gap des différents matériaux
Le silicium (Si) et le germanium (Ge), matériaux à gap indirect, ne se prêtent pas à la réalisation de
photoémetteurs, par contre l’arséniure de gallium (GaAs), l’antimoniure de gallium (GaSb) et
l’antimoniure d’indium (InSb) sont à gap direct et à transitions radiatives et sont donc aptes pour la
réalisation de dispositifs émetteurs de lumière tels que les diodes lasers et les diodes
électroluminescentes.
Remarque : L’élaboration de semi-conducteurs à partir d’alliages, de type III-V par exemple, permet
d’obtenir des matériaux avec des valeurs d’énergies de gap différentes. Cependant, l’évolution des

61
diagrammes énergétiques avec la composition de ces alliages montre que les matériaux élaborés à
partir des mêmes éléments de base mais avec des compositions différentes peuvent présenter des
structures à gap direct ou indirect. La figure 14, par exemple, représente la variation de l’énergie de
gap d’un alliage de type Al x Ga1− x As avec la fraction x d’aluminium. Cette figure montre qu’il y a
passage d’une structure à gap direct pour x inférieur à 0.4 à une structure à gap indirect pour x
supérieur à 0.4.
Figure II.13 : Variation de Eg dans la structure GaAlAs avec la fraction x d’aluminium
II.5.4.2 Types de recombinaisons

Les électrons en excès, créés dans le semi-conducteur par une excitation extérieure telle qu’une
injection électronique ou un faisceau de lumière, ont tendance à revenir à l’équilibre en traversant le
gap avec une certaine cinétique : c’est le processus de recombinaison de la paire électron-trou. Ce
mécanisme de recombinaison peut se faire de façons différentes. On distingue alors deux types de
recombinaisons.
II.5.4.2.1 Recombinaisons radiatives

L’énergie de cette recombinaison est libérée sous forme de photon. Les plus importantes
recombinaisons radiatives sont :
 La recombinaison bande à bande entre un électron de la bande de conduction et un trou de la

bande de valence. C’est la recombinaison radiative la plus dominante. Sa probabilité est
proportionnelle à la concentration de dopants.
 La recombinaison à travers des niveaux donneurs et accepteurs

62
Figure II.14 : Les types de recombinaisons radiatives : a- Bande à bande, b- à travers des niveaux donneurs, c-
dues aux excitons.
 Les recombinaisons dues aux isoélectriques (excitons) (figure c)

 Les excitons représentent des atomes ou molécules avec la même valence que les
atomes auxquels elles se substituent dans le matériau mais qui n’ont ni le même
diamètre ni la même électronégativité. Ils n’ajoutent aucune charge supplémentaire
dans le matériau hôte.
 Exemple : Azote et ZnO dans le GaP:
 L’azote permet une émission de lumière dans le jaune-jaune vert, suivant le dopage.
 Le ZnO permet une émission de lumière dans le rouge.
II.5.4.2.2 Recombinaisons non radiatives

Dans ce type de recombinaison, on distingue :
a) La recombinaison de type Auger :
Elle se fait par transition directe bande à bande ou par l’intermédiaire d’un centre recombinant.
L’énergie résiduelle est cédée à une troisième particule (électron ou trou) qui est excitée à un état
d’énergie supérieur (figure a) puis transférée de façon non radiative au réseau. La probabilité pour que
ce processus ai lieu est proportionnelle à 𝒏² 𝒑 si deux électrons sont impliqués et à 𝒏𝒑² si deux trous
sont impliqués.
b) La recombination de type Shockley-Read -Hall (SRH)
C’est le mécanisme dominant dans le silicium et la plupart des semi-conducteurs.
 La recombinaison se fait en deux étapes, par l’intermédiaire d’un centre recombinant qui est
un défaut ou une impureté qui introduit un niveau profond Ep dans la bande interdite (figure
16-b).
 Les quatre étapes possibles dans ce processus sont :
1- La capture d’un électron par un niveau piège (passage de l’électron de Ec vers Ep)
2- L’émission d’un électron à partir d’un niveau piège (passage de l’électron de Ep vers
Ec)
3- L’émission d’un trou à partir d’un niveau piège (passage de l’électron de Ev vers Ep)
4- La capture d’un trou par un niveau piège (passage de l’électron de Ep vers Ev).

63
Figure II.15 : Les types de recombinaisons non radiatives : a-recombinaison Auger, b recombinaison
de type Hall Shockley Read
II.5.4.3 Rendement d’électroluminescence

II.5.4.3.1 Définitions
Le rendement d’électroluminescence ou rendement quantique interne de l’effet électroluminescent
i représente le rapport du taux de recombinaisons radiatives et le taux de recombinaisons total
(pourcentage de recombinaisons radiatives). Il peut être exprimé par le rapport entre le nombre de
photons émis et le nombre de porteurs en excès :
𝒓𝒓𝒂𝒅 𝒓𝒓𝒂𝒅
𝜼𝒊 = =
𝒓 𝒓𝒓𝒂𝒅 + 𝒓𝒏−𝒓𝒂𝒅
Avec : 𝑟𝑟𝑎𝑑 le taux de recombinaisons radiatives et 𝑟𝑛−𝑟𝑎𝑑 le taux de recombinaisons non radiatives.
Toutes ces recombinaisons peuvent se produire simultanément et indépendamment et l’ensemble des
taux de recombinaison est représenté par un taux total de recombinaison 𝑟 donné par :
𝒓 = 𝒓𝒓𝒂𝒅 + 𝒓𝒏−𝒓𝒂𝒅
Avec : 𝒓̂ = 𝒓 − 𝒈 Le taux net de recombinaison, r le taux de recombinaisons et g celui

de génération.
Le taux de recombinaison sont liés aux concentrations de porteurs minoritaires en excès par :
∆𝒏
𝒓̂𝒏 = Pour les électrons dans un semi-conducteur de type P
𝝉𝒏
Et
∆𝒑
𝒓̂𝒑 = Pour les trous dans un semi-conducteur de type N
𝝉𝒑
  n = n-n0 et  p = p-p0 sont les excès de porteurs minoritaires avec n0 et p0 les concentrations
des porteurs minoritaires à l’équilibres et n et p leurs concentrations sous excitation.
 𝝉𝒏 et 𝝉𝒑 sont les durées de vie des porteurs minoritaires (électrons et trous respectivement)
en excès.
II.5.4.3.2 Taux de recombinaison et durées de vie

Dans un semi-conducteur de type P, par exemple, les électrons en excès vont se recombiner, certains
de façon radiative et d’autres de façon non radiative. Leur durée de vie n va donc représenter la
contribution des différentes recombinaisons. C’est une durée de vie effective donnée par :

64
𝟏 𝟏 𝟏
= +
𝝉𝒏 𝝉𝒓 𝝉𝒏𝒓
Avec 𝝉𝒓 la durée de vie radiative des porteurs minoritaires en excès et 𝝉𝒏𝒓 la durée de vie non radiative.
Ceci nous permet d’écrire :
∆𝒏 ∆𝒏
𝒓𝒓𝒂𝒅 = ; 𝒓𝒏−𝒓𝒂𝒅 = −
𝝉𝒓 𝝉𝒏𝒓
Ainsi, en fonction des durées de vies des porteurs minoritaires, l’expression du rendement quantique
interne devient :
𝝉𝒏𝒓
𝜼𝒊 =
𝝉𝒓 + 𝝉𝒏𝒓
Nous distinguons alors deux cas :
 La durée de vie non radiative 𝝉𝒏𝒓 est très grande devant la durée de vie radiative 𝝉𝒓 , le
matériau semi-conducteur est radiatif avec une durée de vie effective pour les électrons n
égale à leur durée de vie radiative 𝝉𝒓 .
 La durée de vie non radiative nr est très faible devant la durée de vie radiative 𝝉𝒓 , le matériau
semi-conducteur est peu ou pas radiatif avec une durée de vie effective pour les électrons n
égale à leur durée de vie non radiative 𝝉𝒏𝒓 .
Dans le cas des semi-conducteurs à énergie de gap directe, nous avons (nr >> r) ce qui permet un
rendement quantique interne assez élevé :
𝝉𝒏𝒓
𝜼𝒊 = ~𝟏
𝝉𝒓 + 𝝉𝒏𝒓
Les différentes durées de vie des porteurs minoritaires en excès dépendent des processus de
recombinaisons mis en jeu. Ainsi, suivant les processus de recombinaisons, nous avons :
a) Pour la recombinaison radiative bande à bande
Le taux net de recombinaison est donné par :
𝒓̂ = 𝑩(𝒏𝒑 − 𝒏𝟎 𝒑𝟎 )
Avec B constante propre à la nature du matériau. Quelques valeurs de B sont données sur le tableau
suivant :

65
Tableau II.4 : Quelques valeurs de la constante B
A faible niveau d’injection de porteurs ; n et p très faibles devant les concentrations d’équilibre,
nous obtenons les expressions suivantes :
∆𝑝
𝒓̂ = 𝑩. 𝒏. ∆𝒑 = 𝑩. 𝑵𝑫 . ∆𝒑 = 𝜏𝑝
Pour un semi-conducteur de type N.
∆𝑛
𝒓̂ = 𝑩. 𝒏. ∆𝒏 = 𝑩. 𝑵𝑫 . ∆𝒏 = 𝜏𝑛
Pour un semi-conducteur de type P.
NA étant la concentration en atomes accepteurs et ND la concentration en atomes donneurs.
 Les durées de vie des porteurs minoritaires, déduites de ces expressions, sont données par :
𝟏
Pour un semi-conducteur de type N : 𝝉𝒑 = 𝑩.𝑵
𝑫
𝟏
Pour un semi-conducteur de type P : 𝝉𝒏 = 𝑩.𝑵
𝑨
 Pour la recombinaison non radiative de type Auger Le taux net de recombinaison de type Auger
est donné par :
𝒓̂ = 𝒓 − 𝒈 = 𝑪𝒏 (𝒏𝟐 . 𝒑 − 𝒏𝟐𝟎 . 𝒑) + (𝒏. 𝒑𝟐 − 𝒏𝟎 . 𝒑𝟐𝟎 )
Où 𝑪𝒏 et 𝑪𝒑 sont les coefficients de recombinaison Auger qui dépendent de la nature du matériau

semi-conducteur. Quelques valeurs de ces coefficients sont données sur le tableau suivant.
Tableau II.5 : Quelques valeurs de ces coefficients de recombinaison Auger
A faible niveau d’injection de porteurs, les durées de vie Auger sont données par :
𝟏
 Pour un semi-conducteur de type N : 𝝉𝒑 = 𝑪 𝟐 , avec n= ND concentration d’atomes donneurs
𝒏 .𝒏
dans le matériau ;
𝟏
 Pour un semi-conducteur de type P: 𝝉𝒏 = 𝑪 𝟐 , avec p= NA concentration d’atomes
𝒑 .𝒑
accepteurs dans le matériau.

66
b) Pour la recombinaison non radiative de type Shockley-Read -Hall
Toujours à faible niveau d’injection, les taux nets de recombinaison de type SRH sont approchés par :
𝟏
̂ 𝑺𝑹𝑯 = 𝑪𝒑 . 𝑵𝒑 . 𝒑 et 𝝉𝒑 =
Pour un semi-conducteur de type N : 𝒓
𝑪𝒑 .𝑵𝒑
𝟏
̂ 𝑺𝑹𝑯 = 𝑪𝒏 . 𝑵𝒑 . 𝒏 et 𝝉𝒏 =
Pour un semi-conducteur de type P: 𝒓
𝑪𝒏 .𝑵𝒑
𝑪𝒑 et 𝑪𝒏 sont les sections de piégeage des trous et électrons, respectivement, et 𝑵𝒑 représente la

densité de pièges. Nous remarquons que ces durées de vie ne sont pas fonction des concentrations de
porteurs mais plutôt de la densité de centres recombinants.
Un exemple typique de centre recombinant est l’or dans un substrat de silicium. La durée de vie des
porteurs minoritaires dans le silicium décroit de 2.10-7 s à 2.10-10 s lorsque la densité de l’or augmente
de 1014 à 1017 cm−3.
Remarques
c) Plusieurs centres recombinants peuvent exister simultanément. Dans ce cas, le taux net de
recombinaison est donné par :
𝒓̂𝑺𝑹𝑯 = ∑ 𝒓̂𝑺𝑹𝑯𝒊
d) Des niveaux pièges peuvent aussi apparaitre au niveau de la surface du semi-conducteur (états
de surface) et être responsables de la recombinaison des porteurs de telle sorte que la durée
de vie et la densité excédentaire des porteurs en surface soient plus faibles qu’en volume. Ce
phénomène est traduit par une vitesse de recombinaison en surface S telle que :
𝐷𝑛 𝑑∆𝑛
𝑠=± .
∆𝑛 𝑑𝑥
II.6 PHOTORESISTANCE
Une photorésistance (également appelée résistance photogénique, cellule

photoconductrice ou cellule photoéléctrique) (En : LDR, light dependent resistor) est
un composant électronique dont la résistivité varie en fonction de la quantité
de lumière incidente : plus elle est éclairée, plus sa résistivité baisse.

67
II.6.1 Symbole
Figure II… : Symbole d’une photorésistance
II.6.2 Principe
Une photorésistance est composée d'un semi-conducteur à haute résistivité. Si la lumière
incidente est de fréquence suffisamment élevée (donc d'une longueur d'onde inférieure à la
longueur d'onde seuil), elle transporte une énergie importante. Au-delà d'un certain niveau
propre au matériau, les photons absorbés par le semi-conducteur donneront aux électrons
liés assez d'énergie pour passer de la bande de valence à la bande de conduction. La
compréhension de ce phénomène entre dans le cadre de la théorie des bandes. Les électrons
libres et les trous d'électron ainsi produits abaissent la résistance du matériau2.
Lorsque le photon incident est suffisamment énergétique, la production des paires électron-
trou est d’autant plus importante que le flux lumineux est intense. La résistance évolue donc
comme l’éclairement. Cette relation peut être modélisée par la relation suivante
𝑅(𝐿) = 𝑅0 . 𝐿−𝑘
II.6.3 Géométrie du semi-conducteur
Figure II… : Illustration d’une photo résistance (Géométrie)
Pour conserver la conduction, il faut limiter le nombre de recombinaisons des paires électron-
trou. La surface réceptrice du flux lumineux est un ruban. Cette forme minimise la largeur
séparant les électrodes et les laissent en contact avec le ruban sur une grande surface. C’est
68
cette configuration qui donne la résistance la plus faible. Seules les photorésistances utilisées
sous haute tension sont constituées d’un ruban large. En effet le courant traversant la
photorésistance s'écrit :
𝐴
𝐼 = 𝑞. 𝜇. 𝑛. . 𝑉
𝐿
Dans cette expression :
 q est la charge de l’électron

 μ est la mobilité de l’électron
 n est la densité d’électrons présents
 A est l’aire de la surface de contact entre les électrodes et la zone
photosensible
 L est la largeur du ruban
On constate que pour augmenter cette intensité il faut maximiser A et minimiser L. C'est
pourquoi le ruban est la forme la plus efficace.
II.6.4 Circuit de conditionnement

Le composant sert à distinguer la présence ou l'absence de lumière. La quantification de flux
reste possible mais est moins employée. Les photorésistances sont montées en
ponts diviseurs de tension pour des montages potentiométriques servant à la commande de
relais ou de diaphragmes. Pour les photomètres élémentaires, on place sur une des branches
d'un pont de Wheatstone une photorésistance. Le courant de déséquilibre introduit par la
variation de la résistance de cette branche est mesuré et ramené à une mesure de flux.
II.4.5 Bruits
Comme l'ensemble des capteurs optiques, la photorésistance est soumise à un certain nombre
de bruits d'origines différentes.
 Le bruit d'agitation thermique qui résulte de l'agitation thermique des porteurs de

charges au sein de la résistance. Il est aussi appelé bruit de Johnson.
 Le bruit de grenaille ou bruit de Schottky qui apparait dès lors qu'un courant traverse
une barrière de potentiel.
 Le bruit de génération-recombinaison, qui est proportionnel à la largeur de la bande
passante.
On néglige généralement le bruit rose du fait du domaine d'utilisation du capteur.
La connaissance de ces bruits permet de calculer la valeur du PEB. Pour les détecteurs
infrarouges, il convient de prendre en compte le bruit ambiant qui limite la détectivité
maximale.

69
II.6.6 Positionnement dans le paysage des capteurs optiques

La photorésistance ou cellule photoconductrice est un capteur résistif, donc passif, de la
famille des capteurs optiques dont le principe physique est la photoconductivité. Associée à
un conditionneur, la photorésistance est parmi l'un des plus sensibles.
II.6.7 Avantages
 Faible coût
 Larges gammes spectrales
 Facilité de mise en œuvre
 Rapport de transfert statique
 Sensibilité élevée
II.6.8 Inconvénients
 Non linéarité de la réponse en fonction du flux.

 La vitesse de variation de R avec l'éclairement est faible et non symétrique
 Sensibilité thermique
 Refroidissement nécessaire dans certains cas (capteurs thermiques)
 Temps de réponse élevé (0,1 µs à 100 ms)
 Bande passante limitée
 Instabilité dans le temps (vieillissement dû aux échauffements)
II.6.9 Applications
Les photorésistances trouvent leurs applications principales dans la détection d'une différence
de flux plutôt que dans la mesure précise du niveau de flux reçu (impulsions lumineuses,
variation d'éclairage par exemple). La mesure en photométrie nécessite une détermination
précise et une stabilisation des caractéristiques. Cette stabilisation ainsi que la détermination
de ces caractéristiques passent par un étalonnage rigoureux et l'intégration de la
photorésistance dans un conditionneur de capteurs résistifs. D'après les considérations
précédentes, le type de mesurande que les photorésistances sont en mesure de détecter a
été défini. Cependant, le type de rayonnement détectable dépend du type de semi-
conducteur composant la photorésistance. Par exemple, les photorésistances au 𝐶𝑑 𝑆𝑒
(séléniure de cadmium) permettent de détecter un rayonnement dans les proches IR et le
visible alors que celles de 𝑍𝑛 𝑂 (oxyde de zinc) permettent de détecter un rayonnement UV.
L'utilisation de ce type de détecteur est très variée :
 Les détecteurs de flammes qui sont des photorésistances à détection

d’infrarouges ou d’UV. À savoir que seule une forte fumée cause une inhibition
du capteur UV et que la foudre ou une soudure peut le déclencher

70
accidentellement. Pour la photorésistance à infrarouges, la présence de vapeur

d’eau atténue fortement sa sensibilité.
 Les détecteurs de présence se déclinent sous deux principes différents. Un
premier détectant l’augmentation du flux induit par la présence d’un corps
dans le champ (principalement des capteurs à infrarouges), le second détectant
la diminution du flux induit par l’ombre du corps présent dans le champ du
capteur qui est plus limité que celui à infrarouges (détection dans le visible et
capteur LDR plus directif).
 Les récepteurs infrarouges permettent de faire communiquer deux appareils
sans contact. L’un des appareils possède un émetteur infrarouge et le second
la photorésistance.
 Les détecteurs à UV qui permettent de mettre en évidence toute source d’UV
et ainsi asservir la source ou détecter une fuite par exemple.
 L’allumage des lumières lorsque la luminosité diminue (éclairage public ou
domestique).
 La mesure de la luminosité extérieure dans les appareils photographiques ou
les ordinateurs.
Les applications de ce composant sont donc très variées, que ce soit dans le monde industriel
ou domestique. Étant peu cher, il présente un bon rapport qualité pour les industriels
souhaitant l’intégrer dans leurs systèmes.
II.7 PHOTODIODE
II.7.1 Definition
Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de capter
un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal électrique.
II.7.2 Symbole
Figure II…. : Symbole d’une photodiode

71
II.7.3 Géométrie du semi-conducteur
Fihure II…. : Géométrie d’une photodiode
II.7.4 Introduction
Comme beaucoup de diodes en électronique elle est constituée d'une jonction PN. Cette
configuration de base fut améliorée par l'introduction d'une zone intrinsèque (I) pour
constituer la photodiode PIN. En absence de polarisation (appelé mode photovoltaïque) elle
crée une tension. En polarisation inverse par une alimentation externe (mode
photoampérique), elle crée un courant. On repère 3 régions distinctes :
1. une zone de charge d'espace (ZCE) appelée couramment zone de déplétion et de

diffusion
2. une région dopée de type N
3. une région dopée de type P.
Ce composant relève de l'opto-électronique.
Les photodiodes et phototransistors sont des transducteurs électro-optiques étroitement liés

qui convertissent une lumière incidente en courant électrique dans des applications comme
la détection de présence/position, la mesure de l'intensité lumineuse et la détection des
impulsions optiques haute vitesse.
II.7.5 Fonctionnement
Quand un semi-conducteur est exposé à un flux lumineux, les photons sont absorbés à
condition que l’énergie du photon (𝐸𝑝ℎ = ℎ𝒱) soit supérieure à la largeur de la bande interdite
(Eg). Ceci correspond à l'énergie nécessaire que doit absorber l'électron afin qu'il puisse quitter
la bande de valence (où il sert à assurer la cohésion de la structure) vers la bande de
conduction, le rendant ainsi mobile et capable de générer un courant électrique. L’existence
de la bande interdite entraîne l’existence d’un seuil d’absorption tel que 𝒉. 𝓥𝟎 = 𝑬𝒈
Lors de l’absorption d’un photon, deux phénomènes peuvent se produire :

72
 La photoémission : c'est la sortie de l’électron hors du matériau photosensible.

L’électron ne peut sortir que s'il est excité près de la surface.
 La photoconductivité : l’électron est libéré à l’intérieur du matériau. Les
électrons ainsi libérés contribuent à la conductivité électrique du matériau.
Lorsque les photons pénètrent dans le semi-conducteur munis d’une énergie suffisante, ils
peuvent créer des photoporteurs (électrons et trous d'électrons) en excès dans le matériau.
On observe alors une augmentation du courant. Deux mécanismes interviennent
simultanément :
 Il y a création de porteurs minoritaires, c'est-à-dire des électrons dans la région

P et des trous dans la région N. Ceux-ci sont susceptibles d’atteindre la ZCE par
diffusion et d’être ensuite propulsés vers des zones où ils sont majoritaires. En
effet, une fois dans la ZCE, la polarisation étant inverse, on favorise le passage
des minoritaires vers leur zone de prédilection. Ces porteurs contribuent ainsi
à créer le courant de diffusion.
 Il y a génération de paires électron trou dans la ZCE, qui se dissocient sous
l’action du champ électrique ; l’électron rejoignant la zone N, le trou la zone P.
Ce courant s’appelle le courant de transit ou photocourant de génération.
Ces deux contributions s’ajoutent pour créer le photocourant Iph qui s’additionne au courant
inverse de la jonction. L’expression du courant traversant la jonction est alors :
𝑰𝒅 = 𝑰𝑺 (𝒆𝑬𝒈⁄𝒏.𝑼𝒕 − 𝟏) − 𝑰𝒑𝒉
II.7.6 Caractéristiques électriques

Une photodiode peut être représentée par une source de courant Iph (dépendant de
l’éclairement), en parallèle avec la capacité de jonction Cj et une résistance de shunt Rsh d'une
valeur élevée (caractérisant la fuite de courant), l'ensemble étant en série avec une résistance
interne Rs :
 Résistance de shunt : la résistance de shunt d'une photodiode idéale est infinie. En réalité
cette résistance est comprise entre 100 kΩ et 1 GΩ selon la qualité de la photodiode. Cette
résistance est utilisée pour calculer le courant de fuite (ou bruit) en mode photovoltaïque,
c'est-à-dire sans polarisation de la photodiode.
 Capacité de jonction : cette capacité est due à la zone de charge ; elle est inversement
proportionnelle à la largeur de charge d'espace (W) :
𝜹𝑺𝑪
𝑪𝒋 = .𝑨
𝑾
Où :
A est la surface de coupe de la photodiode.

73
W est proportionnel à la polarisation inverse et la capacité diminue si la

polarisation augmente. Cette capacité oscille autour de 100 pF pour les
faibles polarisations à quelques dizaines de pF pour les polarisations élevées.
 Résistance interne : cette résistance est essentiellement due à la résistance du substrat et

aux résistances de contact. Rs peut varier entre 10 et 500Ω selon la surface de la
photodiode.
II.7.6.1 Autres caractéristiques :
 Temps de réponse : il est habituellement défini comme le temps nécessaire pour atteindre
90 % du courant final dans la photodiode. Ce temps dépend de 3 facteurs :
o ttransit : temps de parcours des porteurs dans la zone de charge d'espace.
o tdiffusion : temps de parcours des porteurs dans les régions neutres.
o la constante de temps tτ : constante de temps du schéma équivalent (de
résistance 𝑅𝑆 + 𝑅𝐶 et de capacité 𝐶𝑗 + 𝐶𝛾 ∶ 𝒕𝝉 = (𝑹𝑺 + 𝑹𝑪 ) + (𝑪𝒋 + 𝑪𝜸 ). Ainsi la
constante de temps est égale à :√𝒕𝟐𝒕𝒓𝒂𝒏𝒔𝒊𝒕 + 𝒕𝟐𝒅𝒊𝒇𝒇𝒖𝒔𝒊𝒐𝒏 + 𝒕𝟐𝝉 . Mais chaque temps est
difficile à déterminer ; seul le temps global est pris en compte. En général le temps de
diffusion est plus lent que le temps de transit.
∆𝑰
 Photosensibilité : elle est définie par : 𝑺𝒑𝒉 = ∆𝑬𝒑𝒉 et détermine les conditions d’utilisation
(200 nA/Lux pour les photodiodes au germanium (Ge), 10 nA/Lux pour les photodiodes au
silicium (Si)). Les photodiodes Ge présentent une photosensibilité plus importante mais
leur courant d'obscurité est notable I0 = 10 uA. Il est donc préférable d’utiliser des
photodiodes Si (I0 = 10 pA) pour la détection des éclairements faibles.
 Rendement de capture : c’est le rapport du nombre de charges élémentaires traversant la
jonction sur le nombre de photons incidents. Ce rendement dépend de la longueur d’onde
du rayonnement et des paramètres de construction du composant. Il va définir le domaine
spectral d’utilisation du détecteur.
II.7.7 Optimisation
Pour avoir une meilleure efficacité quantique, la majorité des photoporteurs devront être
créés dans la ZCE, où le taux de recombinaison est faible. On y gagne ainsi au niveau du temps
de réponse de la photodiode. Pour réaliser cette condition, la photodiode devra avoir une
zone frontale aussi mince que possible. Cette condition limite cependant la quantité de
rayonnement absorbée. Il s’agit donc de faire un compromis entre la quantité de
𝟏
rayonnement absorbée et le temps de réponse de la photodiode : généralement 𝑾 ≥ ∝ .
Où W étant la largeur de la ZCE et α, le coefficient d’absorption.
Nous venons de voir l’intérêt d’avoir une zone de charge d’espace suffisamment grande pour
que le photo courant soit essentiellement créé dans cette zone et suffisamment mince pour
que le temps de transit ne soit pas trop important. On peut toutefois augmenter
artificiellement en intercalant une région intrinsèque I entre les régions de type N et de type
P. Ceci conduit à un autre type de photodiode : les photodiodes PIN.

74
Si la polarisation inverse de la structure est suffisante, un champ électrique important existe

dans toute la zone intrinsèque et les photo porteurs atteignent très vite leur vitesse limite. On
obtient ainsi des photodiodes très rapides. De plus, le champ électrique dans la région de
déplétion (la ZCE) empêche la recombinaison des porteurs, ce qui rend la photodiode très
sensible.
II.8 PHOTOTRANSISTOR
II.8.1 Symbole
Figure II…. : Symbole d’un Phototransistor
II.8.2 Fonctionnement
Un phototransistor est un transistor sensible à la lumière. Il a été inventé en 1948 par John
Shive, chercheur aux Laboratoires Bell1, mais la découverte n'a été rendue publique qu'en
1950. Un type commun de phototransistor est ce qu'on appelle un transistor
bipolaire enveloppé dans une coque transparente qui permet à la lumière d'atteindre la
jonction du collecteur de base. La base est alors dite flottante puisqu’elle est dépourvue de
connexion. Lorsque la base n’est pas éclairée, le transistor est parcouru par le courant de
fuite ICE0. L’éclairement de la base conduit à un photocourant Iph que l’on peut nommer
courant de commande du transistor.
Celui-ci apparaît dans la jonction collecteur-base sous la forme : 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝒑𝒉 + 𝑰𝑪𝑬𝟎 .
Pour simplifier, lorsque la base est éclairée le phototransistor est équivalent à un interrupteur
fermé entre l'émetteur et le collecteur et lorsque la base n'est pas éclairée, c'est équivalent à
un interrupteur ouvert.
Le courant d'éclairement du phototransistor est le photocourant de la photodiode collecteur-
base multiplié par l'amplification β du transistor. Sa réaction photosensible est donc
nettement plus élevée que celle d’une photodiode (de 100 à 400 fois plus). Par contre
le courant d'obscurité est plus important.
On observe une autre différence entre phototransistor et photodiode : la base du
phototransistor est plus épaisse, ce qui entraîne une constante de temps plus importante et,
donc une fréquence de coupure plus basse que celle des photodiodes. On peut
éventuellement augmenter la fréquence de coupure en diminuant la photosensibilité en
connectant la base à l'émetteur.

75
II.8.3 Application
En association avec une LED infrarouge, les utilisations les plus courantes sont dans
la robotique avec le cas du suiveur de ligne (ligne noire sur fond blanc) ou de la détection
d'obstacle sur de courtes distances.

76
Table des matières

SEMI-CONDUCTEURS & OPTOELECTRONIQUE ..................................................................... 1
OBJECTIF PRINCIPAL DU COURS .............................................................................................................. 2
OBJECTIFS SPECIFIQUES DU COURS ........................................................................................................ 2
BIBLIOGRAPHIE ........................................................................................................................................ 3
BREF HISTORIQUE SUR LES SEMI-CONDUCTEURS................................................................................... 4
INTRODUCTION ....................................................................................................................................... 5
CHAPITRE I : LES SEMI-CONDUCTEURS ................................................................................................... 8
I.1 Introduction sur les matériaux semi-conducteurs ......................................................................... 8
I.1.1 Définition ................................................................................................................................. 8
Quelques petits rappels ................................................................................................................ 11
I.1.2 Bandes d’énergie ................................................................................................................... 11
I.1.3 Principe d’exclusion de Pauli ................................................................................................. 15
I.1.4 Comparaison entre isolant, conducteurs et semi-conducteurs ............................................ 15
I.1.5 Le silicium .............................................................................................................................. 17
I.1.6 Alliage des semi-conducteurs ................................................................................................ 30
I.2 LES DIODES ................................................................................................................................... 32
I.2.1 Introduction ........................................................................................................................... 32
I.2.2 Caractéristiques électriques .................................................................................................. 33
I.2.3 Effet de la température : ....................................................................................................... 36
I.2.4 Schéma équivalent ................................................................................................................ 37
I.2.5 Utilisation .............................................................................................................................. 40
I.2.6 Paramètres essentiels des diodes ......................................................................................... 41
I.2.7 Diodes de redressement ....................................................................................................... 41
CHAPITRE II : L’OPTOELECTRONIQUE .................................................................................................... 48
II..1 Introduction................................................................................................................................ 48
II.2 Objectif ........................................................................................................................................ 48
II.3 Définition ..................................................................................................................................... 48
II.4 Composants optoélectroniques principaux ................................................................................ 48
II.5 Principe ........................................................................................................................................ 49
II.5.1 La conversion : .......................................................................................................................... 49
II.5.2 Absorption de la lumière par les semi‐conducteurs ............................................................ 52
II.5.3 Rendement quantique et sensibilité spectrale .................................................................... 57
II.5.4 Emission de la lumière par les semi‐conducteurs ................................................................ 58
II.6 PHOTORESISTANCE..................................................................................................................... 66
II.6.1 Symbole ................................................................................................................................ 67

77
II.6.2 Principe ................................................................................................................................. 67

II.6.3 Géométrie du semi-conducteur ........................................................................................... 67
II.6.4 Circuit de conditionnement.................................................................................................. 68
II.4.5 Bruits .................................................................................................................................... 68
II.6.6 Positionnement dans le paysage des capteurs optiques ..................................................... 69
II.6.7 Avantages ............................................................................................................................. 69
II.6.8 Inconvénients ....................................................................................................................... 69
II.6.9 Applications .......................................................................................................................... 69
II.7 PHOTODIODE............................................................................................................................... 70
II.7.1 Definition .............................................................................................................................. 70
II.7.2 Symbole ................................................................................................................................ 70
II.7.3 Géométrie du semi-conducteur ........................................................................................... 71
II.7.4 Introduction.......................................................................................................................... 71
II.7.5 Fonctionnement ................................................................................................................... 71
II.7.6 Caractéristiques électriques ................................................................................................. 72
II.7.7 Optimisation ......................................................................................................................... 73
II.8 PHOTOTRANSISTOR ..................................................................................................................... 74
II.8.1 Symbole ................................................................................................................................ 74
II.8.2 Fonctionnement ................................................................................................................... 74
II.8.3 Application............................................................................................................................ 75


Notes de Cours Sur Les Semi-Conducteurs Et L'optoélectronique - Bac2 - Electr - ELM - 20

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1

REPUBLIQUE DEMOCRATIQUE DU CONGO

Volume horaire : 75H

Notes de cours à l’usage des étudiants de Deuxième

Option : Electricité industrielle & Electromécanique

Par : Assistant Ir Trésor LWAMBA

ANNEE ACADEMIQUE 2023-2024

Support de cours des semi-conduction et d’optoélectronique à l’intention des étudiants de

OBJECTIF PRINCIPAL DU COURS

Amener le futur ingénieur, en formation, à être à mesure de connaître et de comprendre les

OBJECTIFS SPECIFIQUES DU COURS

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Support de cours des semi-conduction et d’optoélectronique à l’intention des étudiants de

BREF HISTORIQUE SUR LES SEMI-CONDUCTEURS

 En 1833 : Michael Faraday remarque l'augmentation du pouvoir conducteur de certains

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Tableau I.1 : Industrie des semi-conducteurs : Production par zone en 2019

Corée du Sud 26,6

Europe (hors Russie) 2,8

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Tableau I.2 : Liste des principaux fabricants de semi-conducteurs : Classement 2021

1 2 Samsung Electronics Corée du Sud 83 085 34 %

2 1 Intel Corporation États-Unis 75 550 -1 %

3 3 TSMC (1) Taïwan 56 633 24 %

4 4 SK Hynix Corée du Sud 37 267 38 %

5 5 Micron Technology États-Unis 30 087 30 %

6 6 Qualcomm (2) États-Unis 29 136 51 %

7 8 Nvidia (2) États-Unis 23 026 57 %

8 7 Broadcom (2) États-Unis 20 963 18 %

9 12 MediaTek (2) Taïwan 17 551 60 %

10 9 Texas Instruments États-Unis 16 904 25 %

11 15 AMD (2) États-Unis 16 108 65 %

12 11 Infineon Technologies Allemagne 13 616 21 %

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13 13 Apple (2) États-Unis 13 430 17 %

14 14 STMicroelectronics France/ Italie 12 574 24 %

15 13 Kioxia Japon 12 132 15 %

16 17 NXP Pays-Bas 10 715 28 %

17 19 Analog Devices États-Unis 10 079 24 %

Top 25 478 856 26 %

CHAPITRE I : LES SEMI-CONDUCTEURS

I.1 Introduction sur les matériaux semi-conducteurs

Un semi-conducteur est un matériau qui n’est ni un conducteur ni un isolant.

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Figure I.1 : Tableau périodique des éléments

Quelques petits rappels

I.1.2 Bandes d’énergie

Figure I.3 : Atome de Silicium

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 La dernière bande complètement remplie, appelée « bande de valence » ;

Voici quelques figures qui illustrent les différentes bandes d’énergie :

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Figure I.5 : Spectre d’émission après application d’une énergie

Lorsqu’on perd l’énergie, il peut y avoir un spectre d’absorption.

Si la température augmente, les électrons de la BV reçoivent une énergie :

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I.1.3 Principe d’exclusion de Pauli

Figure I.7 : Niveau d’énergie d’un atome

Figure I.9 : Niveau d’énergie d’un cristal

I.1.4 Comparaison entre isolant, conducteurs et semi-conducteurs

Voici la classification des matériaux en fonction de leur résistivité 𝜌(𝛺𝑚):

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