Les Semiconducteurs de Puissance Première Partie - La Diode

Electronique de puissance
__________
Chapitre 6
CD:\Cours_doc\Chap6
LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

PREMIRE PARTIE : LA DIODE
M. Correvon
CD:\ELP\Cours\Chap6.doc
T A B L E
D E S
M A T I E R E S
PAGE
6.
LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE. .........................................................................1

6.1
LA DIODE.................................................................................................................................................................1
6.1.1
Introduction. ......................................................................................................................................................1
6.1.2
Les proprits lectriques du cristal de silicium..............................................................................................1
6.1.3
Le silicium pur ou intrinsque. .........................................................................................................................1
6.1.4
Le silicium dop ou extrinsque. ......................................................................................................................3
6.1.5
Les mouvements des charges dans un cristal de silicium................................................................................5
6.1.6
La jonction PN. .................................................................................................................................................6
6.1.7
Remarques gnrales......................................................................................................................................15
6.1.8
La diode utilise en commutation...................................................................................................................16
6.1.9
Caractristiques statiques...............................................................................................................................17
6.1.10
Valeurs maximales admissibles pour le courant et la tension. ................................................................19
6.1.11
Pertes l'tat passant et l'tat bloqu....................................................................................................19
6.1.12
Les caractristiques dynamiques: les commutations................................................................................20
6.1.13
Avertissement. ............................................................................................................................................25
6.1.14
Grandeurs nominales et caractristiques importantes de slection. .......................................................26
6.1.15
Limites maximales d'utilisation (Absolute maximum ratings). ................................................................27
6.1.16
Caractristiques statiques..........................................................................................................................28
6.1.17
Caractristiques dynamiques. ...................................................................................................................28
6.1.18
Notes sur les diodes spciales....................................................................................................................32
LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE
Page 1
6. LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE.

6.1
LA DIODE.
6.1.1 Introduction.
Si on veut valuer les sollicitations auxquelles les semiconducteurs sont soumis lors des
commutations, ou si on veut tudier les moyens qui permettent de rduire ces sollicitations, il
faut disposer de modles plus prcis du comportement de ces interrupteurs statiques.
Le but des sections 6.1.2 6.1.7 n'est pas de traiter de la physique des semiconducteurs ni de
leur technologie de fabrication. Nous nous tiendrons au minimum ncessaire pour expliquer
les principales caractristiques des composants les plus utiliss.
6.1.2 Les proprits lectriques du cristal de silicium.
Les atomes des matriaux semiconducteurs possdent quatre lectrons sur leur couche
extrieure dite couche de valence. Ceci peut correspondre l'association par liaison de
covalences d'atomes identiques possdant chacun ces quatre lectrons priphriques (carbone,
germanium, silicium) ou l'association deux par deux par liaison ionique d'atomes possdant,
l'un trois lectrons priphriques, l'autre cinq (arsniure de gallium). Ces atomes ou ces
molcules s'accrochent les uns aux autres de faon rgulire en partageant leurs lectrons
priphriques et forment des structures cristallines.
Au stade actuel de la technologie, seul le silicium permet la ralisation d'interrupteurs de
puissance capables de supporter des tensions de quelques milliers de volts l'tat ouvert, des
courants pouvant aller jusqu' plusieurs milliers d'ampres l'tat ferm.
6.1.3 Le silicium pur ou intrinsque.
Dans un cristal de silicium, les atomes sont arrangs dans un rseau ttradrique o chaque
atome voit ses quatre lectrons priphriques tablir quatre liaisons de covalence avec les
quatre atomes qui lui sont voisins au sein du rseau.
La Figure 6-1 donne une reprsentation plane de cette structure qui est priori stable.
Figure 6-1 : Structure d'un cristal de silicium
Toutefois, l'agitation thermique au sein de ce rseau fournit certains lectrons de valence

l'nergie ncessaire pour passer de la bande de valence dans la bande de conduction, devenant
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Page 2
ainsi des porteurs de charge ngative mobiles pouvant servir la circulation d'un courant dans
le matriau.
Lorsqu'un lectron passe dans la bande de conduction, il laisse dans le rseau cristallin un ion
positif (atome ayant perdu cet lectron). Une particularit essentielle du silicium est que cet
ion peut aisment rtablir son quilibre lectronique en capturant un lectron de valence d'un
atome voisin, lequel peut son tour rtablir son quilibre aux dpens d'un atome voisin ...
On voit que le trou laiss par le passage d'un lectron de la bande de valence la bande de
conduction correspond une charge positive se dplaant de proche en proche dans le rseau
cristallin et participant ainsi la conduction du courant au mme titre que l'lectron pass dans
la bande de conduction.
C'est pourquoi, lorsque l'agitation thermique fait passer un lectron dans la bande de
conduction, on dit qu'il y a cration d'une paire lectron- trou pour indiquer qu'il y a apparition
de deux porteurs de charge mobiles de signes opposs.
Un lectron pass dans la bande de conduction peut revenir dans la bande de valence en tant
captur par un ion positif ; on dit que cet lectron se recombine avec un trou du rseau
cristallin.
Par la suite, quand nous parlerons d'lectrons, nous sous-entendrons qu'il s'agit d'lectrons
passs dans la bande de conduction.
Le nombre de paires lectron-trou libr par unit de temps par l'agitation thermique crot avec
la temprature du cristal. Par ailleurs, le nombre de paires lectron-trou qui se recombine par
unit de temps est sensiblement proportionnel au produit de la concentration en lectrons par
la concentration en trous au sein du cristal.
n = C e
2
I
qE g
KT
6.1
avec :
Eg
q
K
T
C
: le niveau d'nergie du semiconducteur, 1.1eV pour le silicium.

: charge de l'lectron
: cte de Bolzmann
: temprature en degr Kelvin
: cte de proportionnalit
Ces deux mcanismes antagonistes font qu' une temprature donne la concentration en
paires lectron-trou atteint une valeur d'quilibre pour laquelle le nombre de paires qui se
recombine par unit de temps gale le nombre de paires gnres par l'agitation thermique.
On caractrise la concentration en paires lectron-trou l'quilibre par le nombre nI d'lectrons
par cm3 (Il est gal au nombre pI de trous par cm3; l'indice I correspond au caractre
intrinsque du cristal.)
A la temprature ambiante (25 C),
nI = p I 1.2 1010 [1 / cm 3 ]
6.2
Ce nombre, qui est celui des atomes ioniss par cm3 est une fraction infime des 5 10 22 / cm 3
atomes prsents dans le cristal.
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Page 3
La rsistivit du silicium pur est voisine de 250k cm . Cette valeur est comparer celle du
cuivre (1.7 10 6 cm ) et celle du polypropylne (1.7 1017 cm ).
6.1.4 Le silicium dop ou extrinsque.
On peut modifier les caractristiques d'un cristal de silicium par dopage, c'est--dire par
injection en trs faible quantit d'atomes trivalents, comme l'aluminium, ou pentavalents,
comme le phosphore.
La concentration en atomes trangers (ou impurets) introduits par le dopage doit tre
nettement suprieure nI, pour produire un effet sensible, mais elle est infrieure nI2 et est
donc ngligeable l'chelle du nombre d'atomes par cm3 cristal.
6.1.4.1
Le silicium de type N.
On ralise un dopage de type N en injectant dans le cristal de silicium des atomes possdant
cinq lectrons de valence. Quatre lectrons de valence de chaque atome tranger servent
tablir des liaisons covalentes avec les atomes de silicium voisins; le cinquime est rejet dans
la bande de conduction et laisse derrire lui un ion positif (atome tranger ayant perdu un
lectron).
A chaque atome d'impuret correspond donc
une charge ngative mobile,
une charge positive fixe.
Il faut ajouter ces charges les paires lectron-trou gnres par l'agitation thermique venant
des atomes de silicium.
Pour dterminer le nombre total de porteurs de charge l'quilibre thermique, on remarque:
que le nombre de paires lectron-trou produit par cm3 et unit de temps par l'agitation
thermique n'est pas affect par la prsence des impurets vu leur trs faible
concentration,
qu' l'quilibre le nombre de recombinaisons par cm3 et unit de temps reste
proportionnel, comme pour le silicium pur, au produit de la concentration en lectrons
nN par la concentration en trous pN.
On en dduit, pour 25C
n N p N = nI p I = nI2 1.44 10 20 [1 / cm 3 ]
6.3
soit
pN =
nI
pI
nN
6.4
Si le nombre ND d'atomes trangers donneurs d'un lectron est nettement suprieur nI,
n N = N D + nI N D >> nI ou p I
et la relation prcdente devient
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6.5
pN =
nI
p I << p I << N D
ND
Page 4
6.6
Par cm3 de cristal de silicium de type N il y a donc:
comme charges fixes:

ND ions positifs venant du silicium librs par agitation thermique;
comme porteurs mobiles :

pN trous venant d'atomes de silicium et dus l'agitation thermique,
pN lectrons correspondant aux trous prcdents,
ND, avec ND >> pN, lectrons librs par les atomes donneurs.
Les lectrons sont les porteurs de charge majoritaires. Les trous sont minoritaires. Le dopage
diminue trs fortement la rsistivit du silicium. Pour ND = 1014/cm3, elle tombe 40 cm.
6.1.4.2
Le silicium de type P.
Le dopage de type P s'obtient en injectant dans le cristal de silicium des atomes trangers
possdant trois lectrons de valence. Chacun de ces atomes doit capturer un lectron du rseau
cristallin pour tablir des liaisons de valence avec les quatre atomes de silicium qui l'entourent.
Cela transforme l'atome tranger en un ion ngatif et fait apparatre un trou dans le rseau
cristallin.
Si la concentration NA en atomes trangers accepteurs d'un lectron est nettement suprieure
nI, la concentration en trous pP et celle en lectrons nP sont donnes approximativement par:
p P = N A + p I N A >> p I ou n I
nP =
pI
nI << nI << N A
NA
Par cm3 dans un cristal de silicium du type P il y a donc:
comme charges fixes:

NA ions ngatifs, un par atome accepteur ayant captur un lectron;
comme porteurs mobiles :

nP lectrons venant du silicium librs par agitation thermique,
nP trous correspondant aux lectrons prcdents,
NA, avec NA >> nP, trous crs par les atomes accepteurs.
Les trous sont les porteurs majoritaires ; les lectrons sont minoritaires.
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6.7
6.8
Page 5
6.1.5 Les mouvements des charges dans un cristal de silicium.
Dans un mtal, les charges ngatives que constituent les lectrons de la bande de conduction
sont libres de se dplacer au sein du matriau. Les charges positives, que constituent les
atomes ioniss par passage de leurs lectrons priphriques dans la bande de conduction, sont
fixes. Toute variation spatiale de la concentration en lectrons libres au sein du matriau
crerait un dsquilibre entre les concentrations des charges positives et ngatives, et donc
l'apparition d'un champ lectrique s'opposant ce dsquilibre.
Dans un semiconducteur, il y a deux types de charges mobiles; les lectrons et les trous. On
peut donc avoir une variation spatiale de la concentration en porteurs sans qu'il y ait apparition
d'un champ lectrique ; il suffit que les variations de concentration des lectrons et des trous
soient gales.
Par consquent, dans un semiconducteur, deux mcanismes peuvent contribuer produire des
mouvements de charges et donc faire circuler un courant.
C'est l'existence de ces deux types de courant qui est la base des proprits particulires des
dispositifs semiconducteur.
6.1.5.1
Effet des gradients de concentration: courant de diffusion.
Une variation de la concentration en lectrons suivant l'axe des x entrane un gradient de

n
concentration
et un mouvement des lectrons dans le sens qui contribue rtablir
x
l'quilibre (Figure 6-2). Il en va de mme d'une variation de la concentration en trous.
Il en rsulte un courant de diffusion dont la densit est donne par:
J diff , x = q ( Dn
n
p
Dp )
x
x
6.9
o Dn, et Dp sont les constantes de diffusion des lectrons et des trous. Elles sont lies aux
mobilits n et p par la relation d'Einstein :
Dn
6.1.5.2
T
k
UT
Dp
kT
= UT
q
6.10
: la temprature en degrs Kelvin [K],

: la constante de Boltzmann (13.8 10 24 [J/K ] = 86.2 10 6 [eV/K ] ),
: le potentiel thermodynamique; il est de 26mV 25C.
Effet des gradients de potentiel: courant de conduction.
Un champ lectrique Ex, dirig suivant l'axe des x (Figure 6-2) exerce une force sur les charges
mobiles et provoque par-l un mouvement global de ces charges dans le sens de Ex, pour les
trous, en sens inverse pour les lectrons.
Il en rsulte un courant de conduction dans le sens de Ex, et dont la densit est donne par:
J cond , x = q (n n + p p ) E x
avec
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6.11

q
n et p
n et p
Page 6
: charge de l'lectron (16 10 20 [C ] ),

: les concentrations en lectrons et en trous [1/cm3],
: les mobilits des lectrons et des trous.
Ex
trous
lectrons
courant
x
n(x)
lectrons
courant
x
p
trous
p(x)
courant
x
Figure 6-2 : Mouvement de charges d la conduction et la diffusion
6.1.6 La jonction PN.
Pratiquement tous les dispositifs semiconducteur, et en particulier les interrupteurs de

puissance, sont raliss l'aide de structures dans lesquelles certaines rgions sont du type P et
d'autres de type N. La jonction PN dsigne la zone de faible paisseur (quelques microns) o
la conductivit passe du type P au type N.
Les phnomnes qui se produisent au niveau d'une jonction jouent un rle essentiel dans le
fonctionnement de la plupart des interrupteurs de puissance semiconducteur.
6.1.6.1
La jonction PN l'quilibre.
Les porteurs majoritaires du ct P sont les trous, du ct N les lectrons. Il existe donc de part
et d'autre de la jonction de fortes diffrences de concentration en trous et lectrons. Sous l'effet
des gradients qui en rsultent, les trous ont tendance diffuser de la zone P vers la zone N, et
les lectrons de la zone N vers la zone P, donnant ainsi naissance un courant de diffusion d
aux porteurs majoritaires (Figure 6-3).
Les recombinaisons entre charges mobiles de signes opposs sont trs nombreuses proximit
immdiate de la jonction: il ne reste dans les rgions que les charges fixes, ions ngatifs du
ct P, ions positifs du ct N, qui font disparatre localement la neutralit lectrique. Dans
cette zone dite de dpltion ou de charge d'espace, apparat un champ lectrique dirig de la
zone N vers la zone P. Ce champ cre un courant de conduction d aux porteurs minoritaires.
A l'quilibre, aucun courant ne pouvant traverser la jonction isole, ce courant de conduction
compense le courant de diffusion dirig en sens inverse.
Puisque les charges mobiles disparaissent deux deux lors des recombinaisons, la charge
positive localise du ct N de la jonction est gale la charge ngative localise du ct P. En
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Page 7
dehors de la zone de dpltion, le champ lectrique est nul, comme le sont les gradients de
concentration en porteurs.
Champ interne
Zone P
Zone N
Courant de diffusion
Porteurs majoritaires
(trous)
Courant de conductioin
Porteurs majoritaires
(lectrons)
Figure 6-3 : Etat d'quilibre d'une jonction PN
Si on fait l'hypothse que les limites de la zone de dpltion sont abruptes (Figure 6-4), par
centimtre carr de surface de jonction, on a:
du ct P, une charge gale qN Al P 0 S
du ct N, une charge gale + qN D l N 0 S
en dsignant par
NA
lP0
ND
lN0
S
: le nombre d'atomes accepteurs par cm3 de la zone P,

: la largeur en cm de la zone de dpltion dans cette zone l'quilibre,
: le nombre d'atomes donneurs par cm3 de la zone N,
: la largeur en cm de la zone de dpltion dans cette zone l'quilibre.
: section (normale la direction du champ lectrique) du semiconducteur
L'galit des charges de part et d'autre implique que l'on ait:

N A lP0 = N D lN 0
6.12
Cette relation montre que, si les concentrations en impurets NA et ND sont diffrentes, c'est
dans la zone la plus faiblement dope que la largeur de la zone de dpltion est la plus
importante.
L'hypothse de frontires abruptes de la zone de dpltion revient admettre que le champ
lectrique volue dans cette zone suivant un triangle, comme reprsent la Figure 6-4:
q NA
dE
=
S , dans la zone P
dx
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6.13
Page 8
dE q N D
=
S , dans la zone N
dx
6.14
avec constante dilectrique du silicium (10-12F/cm).
Zone P
Zone N
Densit de charges
+qN D
lP0
lN0
-qNA
Champ lectrique
E ( x) =
lN 0
Q( x)dx
lP 0
lP0
lN0
-Emax
Diffrence de Potentiel
V0
lP0
lN0
Figure 6-4 : Etat d'quilibre d'une jonction PN : Champ lectrique et diffrence de potentiel
On en dduit la valeur maximale Emax du champ dans la zone de dpltion et celle de la

barrire de potentiel V0 qui s'installe entre la zone P et la zone N.
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q ND
E max =
lN 0
S lN 0 =
q NA
Page 9
S lP0
x + lP0
dx +
V0 = E ( x)dx = Emax
l P 0
lP 0
l P 0
l +l
= Emax N 0 P 0
2
0
6.15
lN 0
E
0
max
x + lN 0
dx
l N 0
6.16
On peut valuer V0 en fonction de la concentration en impuret dans les deux zones.

A l'quilibre, comme indiqu, la somme des courants de conduction et de diffusion travers la
jonction est nulle. Si on prend par exemple, les composantes de ces courants dues aux
lectrons, on obtient :
J n = J cond ,n + J diff ,n = q n E ( x) n + q Dn
dn
=0
dx
6.17
On en tire
E ( x) =
dV =
DN dn
dV
=
n n dx
dx
6.18
DN dn
dn
= UT
n n
n
6.19
D'o
nN
n
UT
N N
dn = U T ln( N ) = U T ln( D 2 A )
n
nP
nI
nP
V0 =
6.20
On obtiendrait le mme rsultat en prenant les composantes des courants dus aux trous.
La valeur de V0 est de l'ordre du volt.
On peut exprimer lP0, lN0 et Emax en fonction de V0 et des concentrations d'impurets.
De
lP0 =
Emax
q NA
, lN 0 =
Emax
q ND
; V0 = Emax
lP0 + lN 0
2
on tire
E max =
lP0 =
CD:\ELP\Cours\Chap6
2q
V0
1
1
+
NA ND
2 V0
N
q NA
1+ A
ND
6.21
; lN 0 =
2 V0
N
q ND
1+ D
NA
6.22
Page 10
A cause de la barrire de potentiel, les lectrons qui tentent de diffuser de la zone N vers la
zone P se voient repousss vers la zone N. Il en va de mme des trous qui tentent de diffuser
vers la zone N.
Comme le champ lectrique issu de la barrire de potentiel sert produire le courant de
conduction qui compense le courant de diffusion, il n'y a aucune circulation de courant dans le
circuit extrieur si on relie par un court circuit les extrmits des zones P et N.
Zone de dpletion
Zone P
Zone N
i=0
Figure 6-5 : Jonction l'tat d'quilibre
6.1.6.2
La jonction PN en polarisation inverse.
Si on polarise ngativement la zone P par rapport la zone N l'aide d'une source extrieure
de tension VR (R comme reverse), la zone de dpltion s'largit au fur et mesure que VR
augmente (Figure 6-6) et renforce la barrire de potentiel.
Zone de dpletion
Zone P
lP
lN
Zone N
VR
Figure 6-6 : Jonction en polarisation inverse
Les largeurs lN et lP de la zone de dpltion dans les zones N et P et le champ maximum

s'obtiennent en remplaant V0 par V0 + VR dans les relations 6.15, 6.16, 6.21 et 6.22 qui
deviennent:
CD:\ELP\Cours\Chap6

lN + lP
2
6.23
2 q V0 + VR
1 + 1
NA ND
6.24
V0 + VR = Emax
E max =
lN = lP
6.1.6.2.1
Page 11
NA
2 V0 + VR
=
N
ND
q ND
1+ D
NA
6.25
Tenue en tension inverse.
La tension inverse maximale que peut supporter une jonction est limite par deux phnomnes
: le perage et le claquage.
Le perage d'une zone de la jonction intervient lorsque la largeur de la zone de dpltion
dans une zone, P ou N, tend devenir suprieure l'paisseur de la zone la plus faiblement
dope. Ainsi, si la zone N est nettement moins dope que la zone P et Si VR est trs
suprieur V0, la relation 6.25 donne:
lN
2
VR
q ND
6.26
et la tension de perage est la valeur de VR pour laquelle lN devient gale l'paisseur eN

de la zone N
eN =
2
V perage
q ND
6.27
q ND 2
eN
2
6.28
on tire
V perage =
Le claquage de la jonction intervient lorsque la valeur Emax du champ lectrique atteint le

seuil d'avalanche EBR (BR comme breakdown); l'nergie cintique transmise aux lectrons
mobiles est alors suffisante pour leur permettre d'arracher lors des collisions des lectrons
captifs du rseau cristallin, d'o une multiplication en avalanche de paires lectron-trou.
Si l'on conserve les hypothses ND << NA et VR >> V0, on peut exprimer la tension de
claquage VBR en fonction de EBR
De
E BR = E max =
on tire
CD:\ELP\Cours\Chap6
2q
N D VBR
6.29
VBR
2q ND
Page 12
2
E BR
6.30
La tension de claquage est infrieure la tension de perage si

eN >
q ND
E BR
6.31
On voit que pour qu'une jonction puisse supporter une tension inverse leve, il faut qu'une
des deux zones soit paisse et peu dope.
6.1.6.2.2
Augmentation de la tension inverse admissible.
A tension de claquage donne, on peut limiter l'paisseur de la zone faiblement dope

ncessaire en lui accolant une zone de mme type, mais fortement dope. Par exemple (Figure
6-7), on fait suivre une zone N faiblement dope, note N , d'une zone fortement dope, note
+
N.
Comme la pente du champ lectrique dans la zone de dpltion est proportionnelle la densit
des ions prsents, cette pente augmente brutalement quand on passe de la zone N la zone
+
N ; le perage de la zone N ne constitue plus la limite de tenue en tension inverse de la
jonction PN .
Il ne reste que la tension de claquage pour laquelle Emax = EBR. La Figure 6-7 montre que, si
l'paisseur eN de la zone N est grande devant les largeurs des zones de dpltion dans P et
+
dans N , la valeur de la tension VBR est donne approximativement par la surface du trapze
hachur:
VBR = VR max e N E BR
q N D
V perage ( N ) ( E BR
eN ) eN
2
6.32
-
Pour que cette valeur soit suprieure la tension de perage de la zone N , il suffit que le
produit eNEBR soit suprieur deux fois cette tension de perage.
CD:\ELP\Cours\Chap6
Page 13
Zone de dpletion
Zone P
Zone N+
Zone N-
lP
lN
qN+
D
Densit de charge
qN-D
eN
eN
-qNA
Champ lectrique
-Emax
Figure 6-7 : Jonction en polarisation inverse
6.1.6.2.3
Capacit parasite d'une jonction P-N polarise en inverse.

-
Lorsqu'une zone de dpltion de largeur lN apparat dans la couche N de section S possdant

ND ions positifs par unit de volume, la charge contenue dans cette zone est gale
Q = q N D S lN
6.33
La largeur lN est donne par la relation 6.24, soit

lN =
CD:\ELP\Cours\Chap6
2 V0 + VR
ND
q ND
1+
NA
2 V0
V
(1 + R ) , si N A >> N D
qN D
V0
6.34
Page 14
En reportant cette expression dans celle de Q, on obtient :

Q = S 2 q N D V0 (1 +
VR
)
V0
6.35
La capacit parasite de la jonction P-N polarise en inverse est donne par:

1
CJ =
V
dQ
1
= S 2 q N D V0 (1 + R ) 2
dVR
V0
2 V0
=S
q ND
2 V0
1
V
1+ R
V0
6.36
qui peut s'crire :

CJ =
CJ 0
1+
VR
V0
avec C J 0 =
q ND
2 V0
6.37
C'est cette capacit qu'il faut charger ou dcharger chaque fois qu'on veut atteindre ou quitter
l'tat bloqu de la jonction.
6.1.6.2.4
Remarques sur le courant inverse.
Lorsqu'une jonction est polarise en inverse, elle est traverse par un faible courant, appel
courant de fuite, allant de la zone N la zone P Ce courant correspond l'augmentation du
courant de conduction d l'action du champ lectrique sur les porteurs minoritaires (trous de
la zone N, lectrons de la zone P). Ces concentrations tant peu leves, ce courant est
relativement faible. Toutefois, lors des variations brusques de la tension VR, ce courant peut
atteindre transitoirement des valeurs leves pour enlever ou apporter les charges ncessaires
pour assurer les variations de largeur de la zone de dpltion.
6.1.6.3
La jonction PN en polarisation directe.
Lorsqu'on applique aux bornes de la jonction PN une tension directe VF (F comme forward)
qui polarise positivement la zone P par rapport la zone N, la barrire de potentiel est rduite
ainsi que la largeur de la zone de dpltion. Les quations 6.15, 6.16, 6.21 et 6.22 deviennent
maintenant:
l N + lP
2
6.38
2 q V0 VF
1 + 1
N A ND
6.39
V0 VF = Emax
Emax =
CD:\ELP\Cours\Chap6
lN = lP
Page 15
NA
2 V0 VF
=
N
ND
q ND
1+ D
NA
6.40
Le courant de conduction diminue tandis que le courant de diffusion augmente: la jonction

devient passante dans le sens direct, de P vers N.
A mesure que VF tend vers V0, le courant de diffusion devient de plus en plus important; ce
courant peut atteindre des valeurs leves car les gradients de concentration au niveau de la
jonction sont importants.
La diffusion de trous de la zone P vers la zone N entrane une forte augmentation de la
concentration en trous dans la zone N au droit de la jonction.
Si la concentration en trous reste infrieure la concentration en atomes donneurs du ct
N, on dit qu'il y a faible injection et la relation 6.12 reste applicable.
-
Si la zone N comporte une partie N faiblement dope pour assurer une bonne tenue en
tension inverse, l'injection de trous peut rendre la concentration en trous suprieure la
concentration en lectrons provenant des atomes donneurs situs dans cette partie. Il y a
alors forte injection.
+
Pour rtablir la neutralit lectrique, il faut que la zone N situe de l'autre ct de la zone N
injecte des lectrons dans la zone N . Le double phnomne d'injection dans la zone N
de trous par la zone P,
+
d'lectrons par la zone N ,
prsente l'avantage de fortement augmenter la concentration en porteurs dans cette zone par
rapport la situation d'quilibre, par consquent de rduire fortement la rsistance de cette
zone et la chute de tension due au passage du courant direct.
On peut montrer que, en rgime tabli, la concentration en paires lectron-trou dans la zone N
est proportionnelle la densit J du courant travers la jonction et la dure de vie a (a
comme ambipolaire) des paires lectron-trou dans la zone N . Si I est le courant traversant la
jonction, la charge stocke QS correspondant au nombre total d'lectrons dans la zone N en
forte injection est gale :
QS = I a
6.41
Mais, lors du retour la polarisation inverse, il faudra vacuer les porteurs excdentaires
amens par injection dans la zone N . La quantit de charges extraire pour largir la zone de
dpltion sera augmente et avec elle la pointe de courant ngatif assurant cette vacuation.
6.1.7 Remarques gnrales.
Les diffrents phnomnes dont nous venons de donner une description succincte et
essentiellement qualitative permettent d'expliquer l'allure des caractristiques, tant statiques
que dynamiques, des principaux types d'interrupteurs semiconducteur utiliss en
Electronique de Puissance, qu'il s'agisse de dispositifs ne comportant qu'une jonction, comme
les diodes, ou plusieurs jonctions, comme les transistors.
CD:\ELP\Cours\Chap6
Page 16
-
Tous ces dispositifs ont en commun une zone N faiblement dope dont l'paisseur est
proportionnelle la tension maximale que peut supporter l'interrupteur l'tat bloqu.
-
Au repos, cette zone N est lectriquement neutre, les charges positives fixes quilibrant
les charges ngatives mobiles;
l'tat bloqu de l'interrupteur s'obtient par extraction des charges mobiles ce qui fait
apparatre une zone de dpltion plus ou moins tendue dans N ;
le passage de l'tat bloqu l'tat passant ncessite au minimum la rinjection de charges
ngatives dans N pour retrouver l'tat au repos, qui correspond l'tat passant pour les
composants unipolaires (i.e. dont le courant est d au dplacement d'un seul type de
charges).
Pour les composants bipolaires (i.e. dont le courant est d au dplacement de charges positives
et ngatives), les plus nombreux, l'tat de repos n'est qu'une transition entre les tats passant et
bloqu. L'tat passant est obtenu par une forte injection de charges positives et ngatives, en
nombre gal pour maintenir la neutralit lectrique de la zone N dont la rsistivit devient trs
faible.
Ce sont les diffrentes mthodes utilises pour injecter ou extraire les charges mobiles dans la
zone N qui diffrencient les interrupteurs de puissance semiconducteurs.
6.1.8 La diode utilise en commutation.
6.1.8.1
Fonction interrupteur.
La diode est un interrupteur ouverture et fermeture spontane.. Il s'agit donc d'un interrupteur
non command
iQ
ouverture
et fermeture
spontane
uQ
Figure 6-8 : Reprsentation de la diode sous forme d'un interrupteur
6.1.8.2
Structure.
+
Les diodes jonction ont une structure PN ou PN0N (encore appele PIN) suivant qu'il s'agit
de composants destins supporter l'tat bloqu une tension inverse de faible ou forte valeur.
Comme dans tous les interrupteurs de puissance, cette structure est ralise dans l'paisseur de
la pastille de silicium afin que le courant dispose de toute la section de la pastille pour circuler
CD:\ELP\Cours\Chap6
Page 17
+
(Figure 6-9 (a)). Le contact reli la zone P constitue l'anode (A), celui reli la zone N la
cathode (C).
La Figure 6-9-(b) indique le symbole utilis pour reprsenter la diode et les conventions de
signe adoptes pour le courant iF et la tension vF.
Le comportement statique et dynamique des diodes jonction se dduit directement de l'tude
de la jonction PN.
Anode
P+
iF
N-
vF
N+
Cathode
(a)
C
(b)
Figure 6-9 : (a) Structure d'une diode jonction et (b) symbole lectrique
6.1.9 Caractristiques statiques.
6.1.9.1
tat passant (ou ON).
Lorsque la tension VF est positive, le courant IF crot rapidement avec la tension,

thoriquement suivant la relation :
i F = I s (e
avec
Is
UT
V F / UT
1)
6.42
: courant de saturation,
: potentiel thermodynamique
En ralit, cause de la chute ohmique dans la zone N0, le courant s'carte de cette valeur
thorique quand VF augmente, mais le dbut de la caractristique a bien une allure
exponentielle.
Si la temprature augmente, l'agitation thermique fait apparatre plus de porteurs et le courant
de saturation Is augmente, mais le potentiel thermodynamique UT est plus lev. La Figure
6-10 (a) donne l'allure du dbut de IF = f (VF) pour deux valeurs de la temprature T.
Pour les valeurs normales du courant direct, on peut assimiler la caractristique statique une
demi-droite caractrise par une tension de seuil VT0 et une rsistance rd (La Figure 6-10.(b)) :
VF = VT 0 + rd I F
6.43
La chute de tension des diodes de puissance pour le courant direct nominal est d'ordinaire
comprise entre 1.3 et 1.5 V.
CD:\ELP\Cours\Chap6

IF [A]
IF [A]
TJ1
U =
Page 18
V F
T
TJ2>TJ1
>0
IF
rd
U =
VF
T
<0
IF
VF [V]
VT0
(a)
VF [V]
(b)
Figure 6-10 : Allure de IF = f(VF) dans le sens passant
A partir d'un certain courant le coefficient en temprature U devient positif. Cette

caractristique permet la mis en parallle des diodes.
6.1.9.2
tat bloqu (ou OFF).
Lorsque la tension VF devient ngative, la jonction est polarise en inverse, la faible valeur du
courant iF, maintenant ngatif, est encore donne par la relation 6.42.
Ds que VF s'carte notablement de zro, le terme exponentiel devient ngligeable et le
courant inverse devient gal au courant de saturation d aux porteurs minoritaires. En ralit,
il augmente un peu avec la tension inverse (Figure 6-11).
IF [A]
-VBR2 -VBR1
VF [V]
TJ2>TJ1
TJ1
Figure 6-11 : Allure de IF = f(VF) dans le sens bloqu
CD:\ELP\Cours\Chap6
Page 19
Ce n'est que lorsque la tension inverse atteint la tension de claquage par avalanche VBR que le
courant inverse atteint des valeurs importantes, car le courant de saturation Is est alors
multipli par un facteur M tel que
M=
1
V
1 F
VBR
6.44
o n est un coefficient compris entre 3 et 6, dpendant du dopage et de la temprature.

Lorsque la temprature crot, le courant inverse augmente car le nombre de porteurs
minoritaires librs par agitation thermique est accru. Par contre, la dure de vie moyenne des
porteurs diminue et le phnomne d'avalanche se produit pour une tension inverse VBR plus
leve, comme indiqu sur la Figure 6-11.
6.1.10
6.1.10.1
Valeurs maximales admissibles pour le courant et la tension.
tat passant.
En ce qui concerne le courant, on caractrise une diode par la valeur moyenne du courant
direct qu'elle peut couler. Cette valeur est note I0 ou IF ou IFAV (average forward current).
On indique aussi:
- la valeur maximale admissible pour une pointe de courant rptitive IFM ou IFPM (peak
forward current),
- la valeur maximale admissible pour une pointe de courant non rptitive IFSM (surge non
repetitive forward current).
Ces caractristiques, et toutes les autres, sont dfinies pour une temprature de la jonction TJ et
une temprature du botier TC dtermines.
En ce qui concerne la tension, on indique la valeur maximale de la chute de tension directe
VFM pour une ou plusieurs valeurs du courant direct.
6.1.10.2
tat bloqu.
En ce qui concerne la tension, on caractrise une diode par la valeur instantane maximale
rptitive VRRM (maximum repetitive reverse peak voltage) qu'elle peut supporter.
En ce qui concerne le courant inverse ou courant de fuite, on indique gnralement sa valeur
maximale pour VF gale VRRM. Cette valeur, note IR, est de l'ordre de 1004 1006 fois IFAV,
ce qui explique que dans la plupart des cas on puisse ngliger ce courant.
6.1.11
6.1.11.1
Pertes l'tat passant et l'tat bloqu.
Pertes par conduction.
Pour les valeurs normales du courant direct, on a vu qu'on pouvait assimiler la caractristique
statique une demi-droite d'quation
En un point de fonctionnement donn, la puissance instantane p dissipe dans la diode est
donc:
CD:\ELP\Cours\Chap6

p = u F iF = (VT 0 + rd iF ) iF = VT 0 iF + rd iF2
Page 20
6.45
En prenant la moyenne sur une priode, on obtient les pertes par conduction
T
Pcond
1
2
= p dt =VT 0 I F + rd I FRMS
T 0
6.46
IF
: courant moyen
I FRMS : courant efficace
avec :
Lorsque la temprature augmente, VF0 diminue mais rd augmente. On peut en tenir compte en
mettant vF sous la forme
v F = VT' 0 a T j + (r0 + b T j ) iF
6.47
o a et b sont des paramtres dtermins partir des caractristiques.

6.1.11.2
Pertes l'tat bloqu.
Comme on l'a indiqu, le courant de fuite l'tat bloqu est trs faible. Ainsi, les pertes l'tat
bloqu, gales au produit de ce courant par la tension inverse applique la diode, sont
gnralement ngligeables devant les pertes l'tat passant.
6.1.12
Les caractristiques dynamiques: les commutations.
La commutation la fermeture (commutation ON) correspond au passage de l'tat bloqu

l'tat passant la commutation l'ouverture (commutation OFF) au passage inverse.
Contrairement aux caractristiques statiques, ces changements d'tat dpendent la fois du
composant semiconducteur et du circuit dans lequel il est insr. En effet, le circuit extrieur
impose la valeur du courant I dans la diode l'tat passant et la tension -U ses bornes l'tat
bloqu; en outre, le plus souvent il impose aussi la vitesse di/dt laquelle le courant iF s'tablit
ou disparat.
6.1.12.1
Commutation la fermeture.
Pour tudier la commutation la fermeture, on peut utiliser le schma quivalent de la Figure

6-12.(a), o C reprsente la capacit parasite de la boucle incluant la capacit de jonction de la
diode.
Quand l'interrupteur Q est ferm, le courant de la source de courant I passe dans la source de
tension U ; celle-ci impose une tension vF= -U aux bornes de la diode. Quand on ouvre
l'interrupteur Q, le condensateur C se charge courant I constant jusqu' ce que, l'instant
t = 0, la tension vF ngative devienne positive.
A partir de t = 0, le courant direct commence circuler. La zone N0 est encore trs rsistive
et, si le courant augmente trs vite, la tension directe peut atteindre une valeur leve car
l'paisseur de la zone de dpltion de la couche N0 ne diminue que progressivement. Au fur et
+
mesure que les zones P et N injectent des porteurs dans la zone N0, la chute de tension
diminue et tend vers sa valeur d'quilibre VF.
CD:\ELP\Cours\Chap6
Page 21
La pointe de tension VFM au dbut de la conduction de la diode, importante quand la vitesse

d'tablissement diF/dt du courant est leve (Figure 6-12 (b)), diminue quand cette vitesse
diminue elle-mme (Figure 6-12 (c)).
VFp
vF
vF
iF
IF
U
Q
0.1VF
iF
VF
tfr
(a)
(b)
IF
VFM
iF
VF
tfr
0.1VF
vF
(c)
Figure 6-12 : Allure du courant et de la tension lors d'une commutation la fermeture
Pour la commutation la fermeture, le comportement d'une diode peut tre caractris par :
- la pointe de tension directe VFP ou VFM (peak forward voltage), valeur maximale de vF
pendant la commutation,
- le temps d'tablissement (ou de recouvrement) direct tfr, (forward recovery time), temps
ncessaire la disparition de la surtension de fermeture).
Ces paramtres dpendent du courant appliqu, de sa vitesse d'tablissement et de la
temprature.
Malgr la pointe de tension directe, les pertes de commutation la fermeture sont d'ordinaire
ngligeables devant celles l'ouverture.
6.1.12.2
Commutation l'ouverture.
Pour tudier la commutation de la diode l'ouverture, on peut utiliser un montage dont la

Figure 6-13 (a) donne le schma quivalent. La source de courant I donne le courant couper,
la source de tension U donne la tension inverse aprs ouverture. Sur la Figure 6-13 (b), on a
trac les formes d'ondes thoriques du courant iF et de la tension vF.
CD:\ELP\Cours\Chap6
Page 22
iF, vF
I
iF
trr
ta
diF
dt
vF
iF
VF
t1
tb
t3
t2
Q1
Qr = Q1+Q2
Q2
IRM
-U
25% IRM
diRECM
dt
vF
-VRM
(a)
(b)
Figure 6-13 : Allure du courant et de la tension lors d'une commutation l'ouverture
6.1.12.2.1 Phases successives de la commutation.

Pour t = 0, alors que le courant iF gale I, on ferme l'interrupteur Q: la tension U est applique
en inverse aux bornes de la diode en srie avec l'inductance l. Celle-ci, qui reprsente
l'ensemble des inductances parasites de la boucle impose la pente U/l avec laquelle le
courant iF diminue progressivement
iF = I
di
t,
dt
avec
di U
=
dt l
6.48
La diminution du courant permet l'vacuation progressive de la charge Qs stocke dans la zone

N , selon l'quation
iF =
Qs
dQs
di
=I
t
dt
dt
6.49
avec Q s / a reprsentant le courant de recombinaison proportionnel la charge Qs en transit

et dQs/dt le courant servant modifier la charge Qs en transit.
L'quation 6.49 admet pour solution,
Qs
= I + a
di
dt
t
1
e t / a
a
6.50
Le courant iF passe par zro pour t = t1 tel que
t1 =
CD:\ELP\Cours\Chap6
I
.
di
dt
6.51
Page 23
Mais, en t = t1, toute la charge stocke n'a pas encore t vacue. Il reste la charge
"recouvre" QR (reverse recovery charge) donne par :
I
di
a
Q R Q s (t1 )
di
I
=
= I + a
1
e dt
di
a
a
dt
a
dt
1
a di
di
Q R = a2
1 e I dt
dt
6.52
6.53
La relation 6.53 montre que la charge recouvre QR dpend d'une part de la technologie et de
la temprature par la dure moyenne de recombinaison des porteurs (a) mais aussi de la
dcroissance du courant circulant dans le sens passant (di/dt) et de la valeur initiale de ce
courant (I).
Mesure de la douceur d'une diode de commutation.
6.1.12.3
La dure de l'intervalle t2, t3 et la surtension VRM correspondante dpendent du type de diode.

Cet intervalle est trs court et la surtension plus importante dans les diodes du type 'snap-off '
(tracs en traits interrompus sur la Figure 6-14). L'intervalle est plus long, et donc la surtension
plus faible, dans les diodes du type 'soft-recovery' (tracs en traits continus sur la Figure 6-14).
vF [V]
iF [A]
IF
VF
-U
soft recovery
snap-off
-IRM
-VRM
-VRM
soft recovery
snap-off
Figure 6-14 : Caractristique de blocage
Le courant de recouvrement inverse trr est gal la somme de ta et tb. Ces temps correspondent
au temps d'vacuation des charges accumules ainsi qu'au temps de remonte du courant de
recouvrement. Le quotient tb/ta est dsign comme la constante s, et correspond un facteur de
remonte relatif
s=
CD:\ELP\Cours\Chap6
tb
ta
6.54
Page 24
Le courant de recouvrement inverse peut tre exprim par

t
d
d
iF (t ) t a = iF (t ) rr
dt
dt
s +1
I RM =
6.55
En admettant un comportement linaire de la diode en commutation (voir Figure 6-14), on

peut crire
Qrr =
1
I RM t rr
2
6.56
Et finalement
Qrr =
6.1.12.4
t2
d
iF (t ) rr
dt
2( s + 1)
6.57
Pertes de commutation.
Dans la mesure o les pertes la fermeture sont trs faibles par rapport aux pertes
l'ouverture, seules ces dernires sont gnralement prises en compte pour le calcul des pertes
de commutation.
iF, vF
I
iF
trr
ta
tb
VF
t1
t2
t3
IRM
-U
vF
-VRM
Figure 6-15 : Caractristique de recouvrement
On effectue d'ordinaire ce calcul partir des formes d'ondes approches de la Figure 6-15,
c'est--dire avec une dcroissance linaire du courant direct et une extinction linaire du
courant inverse.
De t=t1 t=t2, iF va de zro IRM.
v F = 0 = U l
CD:\ELP\Cours\Chap6
diF
dt
6.58
Page 25
donne
diF I RM
U
=
=
dt t 2 t1
l
6.59
D'o
t 2 t1 =
l I RM
U
6.60
et la charge Q1 vacue de la diode durant cet intervalle (aire d'un triangle),

2
l I RM
1
.
Q1 = I RM (t 2 t1 ) =
2
2 U
6.61
De t=t2 t=t3 iF va de IRM zro

v F = U RM = U l
diF
dt
6.62
donne
iF = I RM
t t3
t3 t 2
U RM = U l
6.63
I RM
t3 t2
6.64
et la charge Q2 vacue durant cet intervalle (aire d'un triangle),

Q2 =
I RM
(t 3 t 2 )
2
6.65
L'nergie W dissipe dans la diode chaque commutation est

t3
t3
t2
W = u F iF dt = U RM ( I RM
t t3
) dt =
t3 t 2
2
l I RM
I RM
I RM
I RM
= (U l
)(
(t 3 t 2 )) = U
(t 3 t 2 ) + U
t3 t 2
2
2
2 U
6.66
= U (Q1 + Q2 ).
Puisque Q1+Q2 gale la charge recouvre QR,
W = U QR
On voit que c'est la charge recouvre qui permet le calcul des pertes.
6.1.13
Avertissement.
CD:\ELP\Cours\Chap6
6.67
Page 26
Dans les sections suivantes, nous allons trait les caractristiques utiles de la diode. Les
fabricants ont chacun leur manire de prsenter les caractristiques de leurs composants. Pour
des raisons de clart, nous ferons rfrence aux grandeurs caractristiques prsentes par
STMicroelectronics. Chaque paramtre est dfini pour des conditions d'utilisations bien
prcises. Ces conditions sont spcifies et correspondent la mthode de mesure effectue. Il
faut donc tre prudent lors de l'analyse d'un problme particulier.
6.1.14
Grandeurs nominales et caractristiques importantes de slection.
Dans le but de facilit la slection d'un composant, les paramtres principaux et une brve
description du composant sont mises en vidence.
Figure 6-16 : Description gnrale de la diode
Ces donnes sont insuffisantes pour la slection dfinitive d'un composant. La description
s'apparente plus du marketing qu' de la technique, nanmoins il est possible avec un peu
d'habitude de dfinir quelle catgorie appartient le composant et d'en faire une rapide
comparaison avec les autres fabricants.
6.1.14.1
Courant moyen dans le sens direct : IF(AV).
Il s'agit ici du courant moyen (DC) admissible dans la diode en relation avec la puissance
dissipe correspondante permettant de rester, sous certaines conditions, dans l'aire de scurit.
6.1.14.2
Tenue en tension inverse : VRRM.
Cette tension correspond la limite de la tenue en tension d'une diode polarise en inverse
avant l'apparition du phnomne d'avalanche due une ionisation par impact.
6.1.14.3
Temps de recouvrement trr.
La valeur donne par le temps de recouvrement permet une rapide estimation du

comportement de la diode face aux pertes de commutation.
6.1.14.4
Tension dans le sens direct : VF.
La tension de passage dans le sens direct est donne pour un courant correspondant au courant
moyen IF(AV).
CD:\ELP\Cours\Chap6

6.1.15
Page 27
Limites maximales d'utilisation (Absolute maximum ratings).
Les fiches techniques (data sheets) des composants contiennent toujours une partie importante
concernant la limite absolue d'utilisation donne sous la rubrique Absolute Maximum
ratings.
Figure 6-17 : Limites restrictives d'utilisation
6.1.15.1
Tenue en tension inverse : VRRM et VRSM.
Contrairement aux MOSFET et IGBT, les diodes de commutations ne sont en principe pas
prvues pour tenir des nergies d'avalanches. Les valeurs de tenue en tension inverse sont
donc des indications permettant, pour une application donne, de connatre la limite absolue
admissible pour le composant. On distingue deux valeurs :
Tension inverse maximum impulsionnelle rptitif (RRM : Reverse Repetitive
Maximum).
Tension inverse maximum impulsionnelle non rptitif (RSM : Reverse Single
Maximum).
6.1.15.2
Courant efficace permanent admissible IF(RMS).
Cette valeur est dfinie de manire ne pas dpasser la temprature maximum de jonction
TJMAX lorsque la diode est le sige de pertes de conduction.
6.1.15.3
Courant maximum en rgime rptitif impulsionnel IFRM.
Cette valeur est galement limite par les pertes de conduction et de commutation. Dans le cas
prsent, il s'agit d'impulsions de 5us pour une frquence de rptition de 200us, soit un rapport
cyclique de 2.5%.
6.1.15.4
Courant maximum en rgime non rptitif sinusodal IFSM.
Cette valeur correspond la surcharge non rptitive en courant lorsque la diode est soumise
un rgime sinusodal (le temps de 10ms correspond la moiti d'une alternance du rseau
50Hz. Cette valeur n'est pas significative pour une application lie la commutation PWM.
6.1.15.5
Temprature maximale de jonction en fonctionnement Tjmax.
Correspond la temprature maximale de jonction assurant un fonctionnement correct du

composant.
CD:\ELP\Cours\Chap6

6.1.15.6
Page 28
Temprature maximale de stockage Tstg.
Temprature maximale de stockage (storage) du composant sans risque de stress mcanique et

lectrique.
6.1.16
Caractristiques statiques.
Lorsque les valeurs sont fortement dpendantes du point de fonctionnement, le rsultat est
fourni sous la forme d'un diagramme.
Figure 6-18 : Description gnrale de la diode
6.1.17
Caractristiques dynamiques.
Les caractristiques dynamiques permettent l'estimation des temps de commutation du

MOSFET. Elles donnent galement des indications essentielles pour le dimensionnement de la
commande. Dans le but d'tre le plus clair possible, une description de mthode de test est
donne pour les paramtres les plus importants.
Figure 6-19 : Caractristiques de commutation la fermeture
6.1.17.1
Temps d'tablissement (ou de recouvrement) direct tfr.
Le 6.1.12.1 donne une explication de ce paramtre. La mesure de tfr est dfinie entre le dbut
de la conduction de la diode et le temps pour que la tension directe VF soit 10% au-dessus de
sa valeur finale. Ce temps est fortement de la croissance du courant dans la diode.
CD:\ELP\Cours\Chap6
Page 29
d
i F (0 )
dt
VFp
vF
IF
VF
0.1VF
iF
tfr
(a)
(b)
Figure 6-20 : Caractristiques de commutation la fermeture
6.1.17.2
Pointe de tension directe VFP.
Correspond la tension maximum

apparaissant lors de la fermeture
spontane de la diode. Cette valeur
maximum est fortement dpendant
de la croissance du courant dans la
diode lors de sa fermeture.
Figure 6-21 : Pointe de tension directe
Les pertes lies la fermeture d'une diode de commutation sont ngligeables en regard des
pertes de commutation l'ouverture.
La Figure 6-22 donne quelques informations utiles notamment pour l'estimation des pertes de
commutation l'ouverture.
Figure 6-22 : Caractristiques de commutation l'ouverture
CD:\ELP\Cours\Chap6

6.1.17.3
Page 30
Temps de recouvrement inverse trr
Le temps de recouvrement inverse trr, correspondant l'limination des porteurs minoritaires

est fortement dpendant du courant IF circulant dans la diode juste avant son ouverture ainsi
qu' la dcroissance diF/dt de ce dernier.
Figure 6-23 : Temps de recouvrement inverse
6.1.17.4
Courant maximum inverse de recouvrement IRM.
Le courant inverse de recouvrement est galement fortement dpendant du courant IF circulant

dans la diode juste avant son ouverture ainsi qu' la dcroissance diF/dt de ce dernier.
A l'aide des deux courbes (Figure 6-23, Figure 6-24) il est possible, en premire
approximation, de dfinir la charge de recouvrement Qrr et par consquent les pertes de
commutation lors de l'ouverture spontane de la diode.
Figure 6-24 : Courant inverse de recouvrement maximum
CD:\ELP\Cours\Chap6

6.1.17.5
Page 31
Facteur de remonte relatif S.
Comme on l'a vu aux 6.1.12.3 et 6.1.12.4, le temps ta dpend directement de la dcroissance

du courant dans la diode, cette dcroissance pouvant tre contrle par le circuit extrieur. La
Figure 6-25 illustre trs bien ce comportement.
Figure 6-25 : Caractristique s=f(diF/dt)
6.1.17.6
Variation du comportement de la diode l'ouverture en fonction de la temprature.
La temprature de jonction TJ a un effet important sur la densit des porteurs de mme que sur
la dure de vie avant recombinaison. La Figure 6-26 montre la sensibilit relative du facteur de
douceur s et le courant inverse de recouvrement maximum IRM la temprature de jonction.
Figure 6-26 : Variations relatives de s et IRM en fonction de la temprature
CD:\ELP\Cours\Chap6

6.1.17.7
Page 32
Conclusions.
En utilisant judicieusement les diverses caractristiques donnes sous forme de courbes par le
fabricant, il est possible, pour un point de fonctionnement donn, de dterminer les pertes de
conduction et de commutation.
6.1.18
Notes sur les diodes spciales.
Une diode est d'autant plus performante que la tension inverse qu'elle peut supporter l'tat
bloqu est plus leve, que sa chute de tension directe l'tat passant est plus faible et que ses
temps de commutation sont plus brefs. Comme ces trois conditions ne peuvent tre remplies
simultanment, il faut choisir la diode en fonction de l'application laquelle elle est destine.
6.1.18.1
Diodes haute-tension.
Pour obtenir des diodes tension de blocage leve, il faut donner la zone N0 faiblement
dope une paisseur importante (environ 100m par centaines de volts). Cela entrane une
augmentation de la chute de tension directe et de la charge stocke.
6.1.18.2
Diodes avalanche contrle.
Certaines diodes sont conues pour pouvoir supporter sans dommage le phnomne
d'avalanche pendant des intervalles brefs mais de faon rptitive. Pour les caractriser on
indique, outre la tension inverse de claquage, le courant inverse correspondant la puissance
maximum dissipable.
6.1.18.3
Diodes rapides.
Les diodes destines fonctionner frquence leve doivent avoir une charge stocke
rsiduelle QR faible, car les pertes de commutation sont proportionnelles celles-ci.
Pour diminuer QR, il faut rduire la dure de vie des porteurs minoritaires de la zone N0 afin
d'accrotre le nombre de recombinaisons pendant la dcroissance du courant direct. Pour
augmenter le nombre de ces centres, on peut utiliser le bombardement ionique ou le dopage
l'or. Mais cela augmente la rsistivit et par-l, la chute de tension directe l'tat passant.
On peut aussi rduire QR en rduisant l'paisseur de la zone N0 que les charges stockes
vacueront plus rapidement. Mais cela rduit aussi la tenue en tension inverse de la diode. Il
faut noter que la diminution d'paisseur de la zone N0 diminue la surtension la mise en
conduction.
6.1.18.4
Diodes faible chute de tension directe : diodes Schottky.
Pour les diodes jonction PN, la chute de tension directe est lie la rsistivit de la zone N0,
qui diminue avec le dopage. On peut rduire cette chute de tension en ralisant la jonction par
pitaxie avec un contrle prcis du dopage l'intrieur de chaque couche. On arrive ainsi
rduire la chute de tension directe pour le courant nominal moins de 1 volt. Mais l'pitaxie
ne se prte pas la ralisation des zones paisses ncessaires pour tenir des tensions inverses
leves.
Les diodes Schottky utilisent l'effet redresseur obtenu dans certaines conditions au contact
mtal-silicium. La Figure 6-27 schmatise leur structure de base et indique leur symbole
reprsentatif
CD:\ELP\Cours\Chap6

Anode
mtal
NN
Page 33
iA
uAC
mtal
Cathode
(a)
(b)
Figure 6-27 : Diode Schottky
Quand on met un semiconducteur, de prfrence de type N cause de la plus grande mobilit

des lectrons, en contact avec un mtal appropri, il y a mission thermoionique d'lectrons
la fois du mtal vers le semiconducteur et de celui-ci vers le mtal. Les lectrons du mtal sont
plus nombreux mais ceux du semiconducteur possdent plus d'nergie et passent dans le mtal
en laissant derrire eux une zone de charge d'espace positive et en faisant apparatre une
charge ngative quivalente la surface du mtal. A l'quilibre, le flux d'lectrons venant du
mtal et celui venant du semiconducteur s'quilibrent: le courant qui traverse la jonction est
nul.
La polarisation positive du mtal par rapport au semiconducteur favorise l'mission d'lectrons
du semiconducteur vers le mtal et un courant direct peut circuler. Ce courant est li la
tension vAC par la mme relation que pour une diode PN, mais avec un courant de saturation
environ 5 fois plus lev. La mme tension vAC fait donc circuler dans une diode Schottky un
courant direct plus important que dans une jonction PN de mme section.
Le choix du mtal dpend de l'application envisage. Plus le courant de saturation est lev et
plus, courant donn, la chute de tension directe est faible.
En polarisation inverse, la jonction tant fortement dissymtrique, pratiquement toute la
tension se retrouve aux bornes de la zone de dpltion de la couche N0. Un courant inverse,
d l'mission d'lectrons du mtal vers le semiconducteur, circule. Ce courant de majoritaires
est plus important que dans une diode jonction PN ; les pertes associes limitent la tenue en
tension inverse des diodes Schottky une centaine de volts.
Les commutations sont trs rapides, puisque l'influence des minoritaires est ngligeable et qu'il
n'y a pratiquement pas de charge stocke. A chaque commutation, il faut quand mme injecter
ou extraire les charges ncessaires la variation de largeur de la zone de dpltion.
Remarque. Le contact de cathode est galement un contact mtal-semiconducteur. Mais au
+
fort dopage de la zone N correspond un courant inverse trs important qui fait disparatre tout
effet de redressement.
6.1.18.5
Diodes au carbure de silicium.
Plusieurs fabricants proposent des diodes aux carbures de silicium. Cette technologie est trs
rcente dans le domaine de l'lectronique de puissance. On donnera ici les avantages
indniables de ce type de diodes.
Trs faible rsistance diffrentielle.
CD:\ELP\Cours\Chap6
Page 34
Tension directe comparable aux diodes Schottky.

Pas d'influence de la temprature sur les caractristiques de commutation.
Pas de surtension lors de la fermeture.
Pas de charge de recouvrement.
Rsistance thermique 3 5 fois plus faible que pour une diode silicium ultrafast.
CD:\ELP\Cours\Chap6

Bibliographie
[1]
LES CONVERTISSEURS DE L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE

VOLUME 3 : LA CONVERSION CONTINUE CONTINUE (2me dition)
Auteurs : Robert Bausire, Francis Labrique, Guy Seguier
Chapitre 5
ISBN : 2-7430-0139-9
[2]
POWER ELECTRONICS
CONVERTERS, APPLICATIONS AND DESIGN
Auteurs : Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins
ISBN : 0-471-50537-4
[3]
FUNDAMENTALS of POWER ELECTRONICS

Auteur : Robert W.Erickson
ISBN : 0-412-08541-0
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Page 35

Les Semiconducteurs de Puissance Première Partie - La Diode

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Electronique de puissance

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE. .........................................................................1

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

6. LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE.

Figure 6-1 : Structure d'un cristal de silicium

Toutefois, l'agitation thermique au sein de ce rseau fournit certains lectrons de valence

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

: le niveau d'nergie du semiconducteur, 1.1eV pour le silicium.

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

Par cm3 de cristal de silicium de type N il y a donc:

comme charges fixes:

comme porteurs mobiles :

Par cm3 dans un cristal de silicium du type P il y a donc:

comme charges fixes:

comme porteurs mobiles :

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

6.1.5 Les mouvements des charges dans un cristal de silicium.

Effet des gradients de concentration: courant de diffusion.

Une variation de la concentration en lectrons suivant l'axe des x entrane un gradient de

: la temprature en degrs Kelvin [K],

Effet des gradients de potentiel: courant de conduction.

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

: charge de l'lectron (16 10 20 [C ] ),

Figure 6-2 : Mouvement de charges d la conduction et la diffusion

6.1.6 La jonction PN.

Pratiquement tous les dispositifs semiconducteur, et en particulier les interrupteurs de

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

Figure 6-3 : Etat d'quilibre d'une jonction PN

: le nombre d'atomes accepteurs par cm3 de la zone P,

L'galit des charges de part et d'autre implique que l'on ait:

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

avec constante dilectrique du silicium (10-12F/cm).

On en dduit la valeur maximale Emax du champ dans la zone de dpltion et celle de la

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

On peut valuer V0 en fonction de la concentration en impuret dans les deux zones.

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

Figure 6-5 : Jonction l'tat d'quilibre

La jonction PN en polarisation inverse.

Figure 6-6 : Jonction en polarisation inverse

Les largeurs lN et lP de la zone de dpltion dans les zones N et P et le champ maximum

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

Tenue en tension inverse.

et la tension de perage est la valeur de VR pour laquelle lN devient gale l'paisseur eN

Le claquage de la jonction intervient lorsque la valeur Emax du champ lectrique atteint le

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

La tension de claquage est infrieure la tension de perage si

Augmentation de la tension inverse admissible.

A tension de claquage donne, on peut limiter l'paisseur de la zone faiblement dope

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

Figure 6-7 : Jonction en polarisation inverse

Capacit parasite d'une jonction P-N polarise en inverse.

Lorsqu'une zone de dpltion de largeur lN apparat dans la couche N de section S possdant

La largeur lN est donne par la relation 6.24, soit

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

En reportant cette expression dans celle de Q, on obtient :

La capacit parasite de la jonction P-N polarise en inverse est donne par:

qui peut s'crire :

Remarques sur le courant inverse.

La jonction PN en polarisation directe.

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

Le courant de conduction diminue tandis que le courant de diffusion augmente: la jonction