lments de physique des semi-conducteurs

Rsum
Intermdiaires entre isolants et conducteurs, les semi-conducteurs ont des proprits mises profit
dans les composants lectroniques.
Quelques considrations gnrales rappellent les mcanismes de liaisons inter-atomiques et
les niveaux dnergie entre la conduction et la valence. Ceci permet de dcrire les proprits
des semi-conducteurs intrinsques vis vis des isolants et des conducteurs dans le mcanisme de
recombinaison des lectrons libres et des trous (vacance dlectron) au sein des rseaux
cristallins. On remarque cependant une grande dpendance de la quantit de charges libres avec la
temprature, ce qui conduit mieux contrler ces porteurs de charges par dopage du semi
conducteur : entre type N, si des lectrons supplmentaires sont introduits, et type P si des charges
positives (dfauts dlectrons) apparaissent.
Ces deux types de semi-conducteurs sont assembls. La jonction PN ainsi constitue commence
par un processus de diffusion qui instaure un champ lectrique. Celui-ci se stabilise pour constituer
une barrire de potentiel dont lexpression est dtermine partir de considrations simples de
physique des semi-conducteurs. La polarisation de cette jonction par une source de tension
extrieure montre un comportement dissymtrique qui est lorigine de la premire grande
application des semi-conducteurs dops : la diode jonction.

Sommaire
I. Dfinition dun semi-conducteur.......................................................................... 2
I.1.
I.2.
I.3.
I.4.

Structure cristalline et bandes dnergie..........................................................................2

Conducteur Isolant Semi-conducteur .........................................................................2
Notion de trou : gnration et recombinaison ............................................................3
Semi-conducteur dop ....................................................................................................3

I.4.1. Semi-conducteur dop P ........................................................................................................ 3

I.4.2. Semi-conducteur dop N........................................................................................................ 3

II. Assemblage de semi-conducteurs : jonction PN.................................................. 4

II.1. Ralisation physique ......................................................................................................4
II.2. Etude lquilibre (jonction non polarise).....................................................................4
II.2.1. Processus de diffusion............................................................................................................ 4
II.2.2. Stabilisation de la diffusion.................................................................................................... 4

II.3. Barrire de potentiel ......................................................................................................5

II.4. Etude de la jonction polarise ........................................................................................5
II.4.1. Polarisation directe (potentiel le plus positif sur P) .................................................................. 5
II.4.2. Polarisation inverse (potentiel le plus positif sur N).................................................................5

III. Bibliographie..................................................................................................... 5

YC/RN sc0-Semi-conducteurs.doc

janvier 03 V 1.9

1/5

lments de physique des semi-conducteurs

I. Dfinition dun semi-conducteur

I.1. Structure cristalline et bandes dnergie
Une structure cristalline est constitue dun
assemblage rgulier datomes (Figure 1). Ils mettent
en commun des lectrons de leur couche
priphrique pour constituer des liaisons
covalentes.
La couche lectronique priphrique assure la
stabilit de latome. Elle est complte lorsquelle
comporte 8 lectrons pour atteindre la saturation
(la couche priphrique ne peut en comporter
davantage).

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si
Si
Figure 1: Structure cristalline.

Dans cette description, les rsultats de mcanique quantique montrent que chaque lectron
possde un niveau dnergie dtermin. Les deux dernirs sont :
la bande de valence si llectron est attach latome ;
la bande de conduction si cet lectron se libre de latome (On dit alors quil est libre).
Des bandes interdites sparent tous ces niveaux.
Energie W

Pour illustrer ce phnomne, la

reprsentation nergtique de la Figure 2
est particulirement adapte. La distance
nergtique sparant les bandes de
conduction et de valence est appele
gap . Sa valeur dtermine la plus ou
moins bonne conductivit du matriau :
plus le gap est faible, plus le matriau est
conducteur.

Bande de conduction
Energie croissante
avec lloignement
du noyau

Gap
Bande de valence

Figure 2 : Reprsentation nergtique.

I.2. Conducteur Isolant Semi-conducteur

Un matriau isolant possde un gap lev. Tous les lectrons de la couche priphrique sont
utiliss dans les liaisons chimiques covalentes. A la temprature de 0 K, il ny a pas dlectrons dans
la bande de conduction. Une lvation de la temprature peut toutefois apporter lnergie ncessaire
au passage de certains lectrons dans la bande de conduction, mais temprature ambiante, cette
probabilit est trs faible, et le matriau reste isolant.
Dans un matriau conducteur, les liaisons chimiques nutilisent pas tous les lectrons de la
couche priphrique. Ceux qui sont excdentaires sont alors libres de circuler et se dplacent
naturellement dans la bande de conduction (mme 0 K). Ceci se traduit par un gap nul ou ngatif :
les bandes de conduction et de valence se chevauchent.
Un matriau semi-conducteur (SC) est un isolant possdant un faible gap. Il est parfaitement
isolant 0 K, mais devient progressivement conducteur lorsque la temprature augmente ou par
apport dnergie sous une forme quelconque (lumire ou tout rayonnement lectromagntique,
chauffage, etc.). Il reste cependant proche de lisolant temprature ambiante. Sil est pur on dit
que le semi-conducteur est intrinsque cest un lment chimique de valence 4 (la couche
priphrique comporte 4 lectrons).
Exemples de semi-conducteurs purs (entre parenthses le symbole puis le numro
atomique) : carbone (C, 6), silicium (Si, 14), germanium (Ge, 32).
Remarque : semi-conducteurs composs avec des lments de valence 3 et 5 (ex : Arsniure
de gallium, GaAs).

YC/RN sc0-Semi-conducteurs.doc

janvier 03 V 1.9

2/5

lments de physique des semi-conducteurs

I.3. Notion de trou : gnration et recombinaison

Lorsquun lectron quitte la bande de
valence pour atteindre la bande de
conduction, il se dplace librement dans le
rseau. Latome quil laisse nest plus neutre,
mais sionise positivement. Cet atome dispose
donc dune place inoccupe appele trou
(o n dit aussi lacune ).
Un lectron venant dun atome voisin peut
alors occuper la place libre en laissant un trou
son tour : cest le mcanisme de
recombinaison dune paire lectron-trou
illustr la Figure 3.

Electron quittant la bande de valence

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

La place libre constitue

un trou reprsentant une
charge positive.

Figure 3 : Recombinaison paire lectron-trou.

Le mouvement des charges ngatives saccompagne donc ncessairement dun mouvement des
trous dans le sens inverse.
La rsistivit lectrique du matriau semi-conducteur est trs sensible aux variations de la
temprature. Pour la matriser, les recombinaisons sont contrles par dopage du semi-conducteur.

I.4. Semi-conducteur dop

Un semi-conducteur dop est une structure cristalline dans laquelle on a introduit des atomes
trangers de valence 3 ou 5. Ltat lectronique sen trouve modifi : le dopage accrot la
conductibilit du cristal tout en le maintenant entre lisolant et le conducteur.

I.4.1. Semi-conducteur dop P

En substituant des atomes de valence 3 (bore, aluminium, gallium, indium), des lectrons
manquent pour complter les couches priphriques voisines (Figure 4). Ceci entrane la prsence de
charges positives excdentaires : le semi-conducteur est dop P (ou type P). A temprature ambiante,
tous les atomes dopants sont ioniss. Chacun a gnr un trou qui est libre de circuler dans le
rseau. Tout en restant globalement neutre, on distingue donc deux types de porteurs de charges :
des trous libres ;
des ions ngatifs fixes (les atomes dopants qui gagnent un lectron).

I.4.2. Semi-conducteur dop N

En choisissant un dopant de valence 5 (phosphore, arsenic, antimoine), le semi-conducteur
contient des lectrons excdentaires qui traduisent des charges ngatives supplmentaires : le semiconducteur est de type N (Figure 5).
A temprature ambiante, tous les atomes dopants sont ioniss, mais le matriau reste neutre.
Chacun a libr un lectron qui circule dans le rseau. On distingue alors deux types de porteurs de
charges :
des lectrons libres ;
des ions positifs fixes (les atomes dopants qui perdent un lectron).

Si

Si
e

Si

Latome de valence 3 (ici

de bore) cre une lacune
+
e dans le rseau.

Si

Latome
5
Si de valence Si
(ici de phosphore)
fournit un lectron

excdentaire e dans le
rseau.

Si
+

Si

Si
Si
Si
Figure 4 : Semi-conducteur de type P.
YC/RN sc0-Semi-conducteurs.doc

janvier 03 V 1.9

Si

Si
e-

Si
Si
Si
Figure 5 : Semi-conducteur de type N.
3/5

lments de physique des semi-conducteurs

II. Assemblage de semi-conducteurs : jonction PN

II.1. Ralisation physique
On dispose de deux
barreaux semi-conducteurs. Le
premier de type N est
juxtapos au second de type P.
Cest la frontire des deux
matriaux que lon met en
place une jonction.

Electrons mobiles

Trous mobiles

N
e

e+

e+

+
e

e+

e+

Anions fixes

e+

Cations fixes

Figure 6 : Mise en place de la jonction (juste avant).

Dans chaque rgion, on recense diffrents porteurs :
la rgion N contient des ions positifs (cations) fixes et des lectrons mobiles qui constituent
lessentiel des porteurs. On dit alors quils sont majoritaires.
La rgion P contient des ions ngatifs (anions) fixes et des trous mobiles (Figure 6).
La quantit de charges reste globalement la mme : Chaque rgion est lectriquement neutre.

II.2. Etude lquilibre (jonction non polarise)

On met en contact les deux semi-conducteurs.

II.2.1. Processus de diffusion

Les porteurs mobiles ont tendance
occuper tout lespace disponible. Ils
se rpandent donc par diffusion
dans la rgion oppose.

Recombinaisons des
paires lectron/trou
e

Ces porteurs se recombinent avec

ceux de signe oppos.

+
e

Initialement neutre, la rgion

libre prend la charge des ions fixes
dont le signe est contraire celui des
porteurs (Figure 8).

e+

e+

e
+

Les cations
restent fixes

e+

Les anions
restent fixes

Figure 7 : Recombinaisons des paires lectron-trou.

II.2.2. Stabilisation de la diffusion

r
E

La recombinaison des porteurs

libres laisse alors apparatre deux
rgions
charges
de
signes
contraires : des cations du ct N,
des anions du ct P. Cette rgion est
appele zone de charge despace
(ZCE).

Is

e
+

e
+

+
e

Id

e+

e+

Du fait du dsquilibre de
charges, un champ lectrique E
apparat dans la ZCE. Il cre un
Zone de charge despace
mouvement de charges oppos au
contenant les ions fixes.
mouvement de diffusion. A lquilibre
la jonction est le sige de deux
Figure 8 : Apparition d'une zone de charge d'espace.
courants gaux et opposs :
un courant de diffusion Id concernant de chaque ct les porteurs majoritaires.
un courant de conduction (ou de saturation) Is concernant les porteurs minoritaires attirs
par le champ E.
YC/RN sc0-Semi-conducteurs.doc

janvier 03 V 1.9

4/5

lments de physique des semi-conducteurs

II.3. Barrire de potentiel

Pour simplifier ltude, on envisage une densit de
porteurs libres constante de part et dautre de la
jonction au niveau de la ZCE (on dit que la jonction est
abrupte). Les longueurs XN et xP sont les profondeurs de
recombinaison de part et dautre de la jonction.

N
xP
-xN

0
E
Emax

La neutralit de la ZCE impose :

N x N = P xP (car mme section).

Avec

lquation

de

r
( divE = )

Poisson

0
U
U0

et

moyennant quelques hypothses, le profil du champ

lectrique dans la ZCE est linaire.
Le champ est maximal sur la ligne de jonction :
Emax =

xN N

xP P

ZCE

Figure 9 : Densit de charges ,

champ E et tension U.
r
Par dfinition, E =gradV . Le profil du potentiel interne de la jonction est parabolique. Une
diffrence de potentiel apparat aux bornes de la ZCE, cest la barrire de potentiel U0 :
U 0 = 1 Emax(xP + xN )
2

Remarque : U0 0,7 V pour le silicium et U0 0,3 V pour le germanium.

II.4. Etude de la jonction polarise

II.4.1. Polarisation directe (potentiel le plus positif sur P)
Lapplication dune tension vd la jonction dans le
sens direct tend abaisser, voire inverser la barrire de
potentiel.
Le champ E ne bloque donc plus les porteurs
majoritaires : le courant de diffusion augmente
rapidement avec vd. La jonction devient passante et le
courant suit une loi exponentielle :
vd

id = is (e

UT

P
id

VD

Figure 10 : Polarisation en direct.

k : constante de Boltzman (1,38.1023 JK 1)

1) avec UT = kT T : temprature en Kelvin (K)

(tension thermodynamique)
q q : charge de l'lectron (1,6 1019 C)

II.4.2. Polarisation inverse (potentiel le plus positif sur N)

Dans le cas dune polarisation inverse, vd renforce la
barrire de potentiel. Le courant de diffusion est
diminu et le courant de saturation est favoris car le
champ E est plus important. Ce dernier reste cependant
faible car il ne concerne que les porteurs minoritaires.
La jonction est bloque et le courant inverse est
faible.

iS
VD

Figure 11 : Polarisation en inverse.

III. Bibliographie
Philippe Leturcq et Grard Rey. Physique des composants actifs semi-conducteurs. Dunod.
1978. ISBN 2-04-010385-6.
J.-D. Chatelain. Dispositifs semi-conducteurs. Trait 3E. Dunod. 1979.

YC/RN sc0-Semi-conducteurs.doc

janvier 03 V 1.9

5/5

lments de physique des semi-conducteurs