Cours dElectronique Analogique

ENSPS - 1ire anne. Anne universitaire : 2003/2004

Thomas Heiser
Laboratoire PHASE-CNRS
(Physique et Applications des Semiconducteurs)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
mail: heiser@phase.c-strasbourg.fr

http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA2004/

1
 Contenu du cours
1. Quelques rappels utiles

2. Les Diodes

3. Applications des diodes

4. Le Transistor bipolaire

5. Les Transistors effet de champ

6. Rtroaction et amplificateur oprationnel

Bibliographie
Trait de l lectronique analogique et numrique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
Principes dlectronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
Electronique: composants et systmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
Microlectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
2
 1. Les bases
I
1.1 Composants linaires et loi dOhm :

I
Rsistance lectrique = composant linaire :
V V R
V=RI loi dOhm

Le modle linaire ne dcrit le comportement rel du composant que dans un domaine de

fonctionnement (linaire) fini.

Gnralisation aux circuits en rgime harmonique (variation sinusodale des tensions et courants) :

V ( ) = Z ( ) I ( )

C L
composant linaire :
impdance : Z ( ) =
1 Z ( ) = jL
jC

3
1.2 Source de tension, source de courant :

1.2.1 Sources idales :

I I

source de courant Io
Io V charge
idale :
V

le courant fourni par la source est indpendant de la charge

I
source de V
Vo
tension idale : Vo V charge

I
la tension aux bornes de la source est indpendante de la charge

4
 1.2.2 Sources relles : domaine de fonctionnement linaire
ou domaine de linarit
I
source de courant Io schma
relle : quivalent

Le domaine de linarit dfini la plage de fonctionnement du composant en tant que source de

courant

Schma quivalent: hyp : Vdomaine de linarit

I
V
I = Io
Ri
Io Ri V charge
I cst = I o
V
tant que I >> courant dans la rsistance interne
Ri = rsistance interne Ri
(Gi = 1/Ri = conductance interne)

source de courant Ri >> V/I = Ze = impdance dentre de la charge.

5
 domaine de linarit
source de tension I
relle : V
Vo schma
Vo V charge
quivalent

Schma quivalent:

hyp : Vdomaine de linarit

I
V = Vo Ri I
Ri
Vo V charge V cst = Vo
tant que la chute de potentiel aux bornes de Ri est faible
devant V (Ri I << V )

source de tension Ri << Ze

6
Transformation de schma :

vu de
en fait... Ri la avec
charge
V
Vo Io
I o = o = courant de court-circuit
Ri (charge remplace par un
Ri court-circuit)

[Vo = tension en circuit ouvert du diple]

V Vo V
puisque I = Io = V = Vo Ri I
Ri Ri Ri

selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri)

Sources lies Lorsque la tension (ou le courant) dlivre par une source dpend de la
tension aux bornes dun des composants du circuit ou du courant le
parcourant, la source est dite lie. Vous verrez des exemples de sources
lies dans le cas des transistors.

7
1.3 Thorme de Thvenin :
Tout circuit deux bornes (ou diple) linaire, constitu de rsistances, de sources de tension et
de sources de courant est quivalent une rsistance unique RTh en srie avec une source de tension
idale Vth.

A
I Rth
I A

V Vth
V
= gnrateur de Thvenin

B
B

!
Calcul de Vth: Vth = V (circuit ouvert )

! Vth V (circuit ouvert )

Calcul de Rth: Rth = =
I (court - circuit ) I (court - circuit )

ou Rth = R AB en absence des tensions et courants fournies par les sources non-lies.
[remplacement des sources de tension non-lies par un fil (Vo=0), et
des sources de courant non-lies par un circuit ouvert (Io=0)]
8
Mesure de Rth :
Au multimtre : exceptionnel puisquil faut remplacer toutes sources non-lies par des court-
circuits ou des circuits ouverts tout en sassurant que le domaine de linarit stend jusqu
V=0V.
A partir de la mesure de V(I) :
V
Vth
pente = - Rth
Vth mesures
2
gnrateur quivalent de Thvenin

V !
= Rcharge = Rth mthode de division moiti
I V =Vth
2

En rgime harmonique le thorme de Thvenin se gnralise aux impdances complexes.

Gnrateur de Norton = source de courant quivalente au gnrateur de Thvenin

Rth= impdance de sortie du montage.

9
2. Les Diodes

2.1 Dfinition Id Id

Caractristique courant- Vd
tension dune diode idale : sous polarisation directe
(Vd0), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation inverse (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

Ce type de composant est utile pour raliser des fonctions lectroniques telles que le
redressement dune tension, la mise en forme des signaux (crtage, ).

La diode (mme idale) est un composant non-linaire

Aujourdhui la majorit des diodes sont faites partir de matriaux semiconducteurs

(jonction PN ou diode Schottky, cf cours Capteurs 1A et Option: Physique des dispositifs
lectrique 2A)
10
2.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium
hyp: rgime statique
(tension et courant Id
indpendants du
140
temps) comportement linaire
100

60

20
Is
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5
Vo1
Vd

Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1A ,

la diode est dite bloque
dans ce domaine son comportement est approximativement linaire
le courant inverse, Is , augmente avec la temprature

Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation peu prs linaire
la diode est dite passante
mais Id nest pas proportionnel Vd (il existe une tension seuil~ Vo)

11
 Id
140

100

60

20

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5

Vo1
Vd

Zone du coude : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

V avec 1 2 (facteur didalit)
I d I s exp d 1
VT VT = k T/e
k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10-19Coulomb, T la temprature en Kelvin
Is = courant inverse

le comportement est fortement non-linaire

forte variation avec la temprature

VT (300K) = 26 mV
12
Limites de fonctionnement :

Zone de claquage inverse Id

Ordre de grandeur :
VdId=Pmax
Vmax = quelques dizaines de Volts Vmax

Vo Vd
peut conduire la destruction pour une
diode non conue pour fonctionner dans
cette zone.

Vmax = P.I. V (Peak Inverse Voltage) ou claquage par effet

P.R.V (Peak Reverse Voltage) Zener ou Avalanche
Limitation en puissance

Il faut que VdId=Pmax

Influence de T : diode bloque : Id = IS double tous les 10C (diode en Si)

diode passante : Vd ( Id constant) diminue de ~2mV/C

13
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge

2.3.1 Point de fonctionnement

Comment dterminer la tension aux bornes dune diode insre dans un circuit et le
courant qui la traverse?

Id
Val Vd Id , Vd, ?
RL VR

Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

Id et Vd sont sur la caractristique I(V) du composant

Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

14
2.3.2 Droite de charge
Val Vd
Loi de Kirchoff : L I d = = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL

Caractristique I(V)

Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement

Droite de charge

Vd
VQ Val

Connaissant Id(Vd) on peut dterminer graphiquement le point de fonctionnement

procdure valable quelque soit la caractristique I(V) du composant !

On peut calculer le point de fonctionnement en dcrivant la diode par un modle simplifi.

15
2.4 Modles Statiques segments linaires hyp: Id, Vd constants

2.4.1. Premire approximation: Diode idale

On nglige lcart entre les caractristiques relle et idale

Id
pas de tension seuil Id
conducteur parfait sous polarisation directe
Vd Vd
Vd <0: circuit ouvert

Schmas quivalents :
Ri
Id
pente=1/Ri diode passante
Val Id 0
Val >0 Vd V
Ri Val I d = al , Vd = 0
Ri
Val Id Ri
diode bloque
Val< 0 Vd Val Vd < 0

Val I d = 0, Vd = Val
16
2.4.2 Seconde approximation

tension seuil Vo non nulle Id

Id
caractristique directe verticale
Vd
(pas de rsistance srie)
Vd <0: circuit ouvert
Vd
Vo
Pour une diode en Si: Vo 0,6-0,7 V

schmas quivalents :
Schmas quivalents Ri
Id diode passante
pente=1/Ri
V Id 0
Val
o
Val >Vo Vd
V Vo
Ri Vo Val I d = al , Vd = Vo
Ri
Val Id Ri
diode bloque
Val Vd < Vo
Val<Vo Vd
Val I d = 0, Vd = Val

17
2.4.3 3ime Approximation
Caractristique relle
pente = 1/Rf
tension seuil Vo non nulle Id
rsistance directe Rf non nulle
Vd
Vd <0: rsistance Rr finie
pente = 1/Rr~0 Modlisation

Pour une diode en silicium, Vd

Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
q.q. 10, Rr >> M, Vo

Schmas quivalents
schmas quivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Val Vd Id
I d 0 et Vd Vo
Vo Val Rf Vd = Vo + R f I d
Id
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloque
Val Vd < Vo
Val Rr
18
Remarques :

V
Rf d
Id

Le choix du modle dpend de la prcision requise.

Les effets secondaires (influence de la temprature, non-linarit de la

caractristique inverse, .) sont pris en compte par des modles plus volus
(modles utiliss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).

19
2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via lutilisation des schmas quivalents :

Problme: le schma dpend de ltat (passante ou bloque) de la diode.

Dmarche (pour dbutant...):

a) choisir un schma (ou tat) en vous aidant de la droite de charge

b) trouver le point de fonctionnement Q de la diode

c) vrifier la cohrence du rsultat avec lhypothse de dpart

Sil y a contradiction, il y a eu erreur sur ltat suppos de la diode.

Recommencer le calcul avec lautre schma.

Dmarche pour tudiants confirms...

Un coup dil attentif suffit pour trouver ltat (passant/bloqu) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schma quivalent...

20
 Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ime approximation pour la diode.

hypothse initiale : diode passante [Vd >Vo , (Id>0)]

>
Val = 5V RL= Vd OK!
1k
Vo Rf V Vo
Id L I d = al = 4,33mA
Informations sur la diode: > R f + RL
Vo = 0.6V ( Si) 5V 1k et Vd = Vo + R f I d = 0,66V
Rf = 15
Rr =1M

En partant de lhypothse dune diode bloque: Vd 5V > Vo K

En utilisant la 2ime approximation: (Rf = 0, Rr = ) L I d = 4,4mA et Vd = 0,6V

La 2ime approx. est souvent suffisante pour une tude rapide du fonctionnemnt dun circuit

21
 Autres exemples :
Caractristiques des diodes :
1) Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
50 Calcul de Id et Vd

pour :
Val 1M a)Val = -5V
b) Val = 5V

Conseil: simplifier le circuit dabord avant de vous lancer dans des calculs

2) R1 = 1k Etude du signal de sortie en fonction de lamplitude du signal dentre :

frquence nulle : ventre = Ve (constant)

ventre vsortie avec ventre signal basse frquence telque le modle statique reste
Vref=2V valable (priode du signal < temps de rponse de la diode pas
deffet capacitif ou )

22
3) D1 Caractristiques des diodes :
Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
D2
R R
270 270
4.7k VV
os
V1 V2
2V

Dterminer Vs , VD1 et VD2 pour :

a) V1 = V2= 5V

b) V1 = 5V V2= 0V

c) V1 = 0V V2= 0V

23
2.5 Comportement dynamique d une diode

2.5.1 Prlude : Analyse statique / dynamique dun circuit

L Analyse statique

se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs lectriques

(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)

= Analyse complte du circuit si seules des sources statiques sont prsentes

L Analyse dynamique

ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou signaux lectriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )

na dintrt que sil y a des sources variables!

Notation : lettres majuscules pour les composantes continues

lettres minuscules pour les composantes variables

24
Illustration : Etude la tension aux bornes dun composant insr dans un circuit.

R1
hypothses: ve = signal sinusodale
ve Ve = source statique
R2 V(t)
Ve

Analyse statique : V (t ) ="V " = ?

Analyse dynamique : v(t ) = V (t ) V = ?

Calcul complet

V (t ) =
R2
[Ve + ve (t )] = R2 Ve + R2 ve (t )
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2

V v(t)

25
 Par le principe de superposition :
Comme tous les composants sont linaires, le principe de superposition sapplique
la source statique Ve est lorigine de V , et ve est lorigine de v

R1
Analyse statique : ve = 0
R2
Ve V V= Ve
R2 R1 + R2

schma statique du circuit

R1
Analyse dynamique : Ve = 0
R2
ve v(t ) = ve (t )
R2 v R1 + R2

schma dynamique

Une source de tension statique correspond un court-circuit dynamique

26
Autres exemples:
R1 R2
1)
ve Io R3 V(t)=V+v(t)

R1 R2
Schma statique
R1R3
V= Io
V R1 + R2 + R3
Io R3

Schma dynamique
R1 R2
R3ve (t )
v(t ) =
ve R3 v R1 + R2 + R3

Une source de courant statique est quivalent en rgime dynamique un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]
27
2) C = composant linaire caractris par une impdance qui
Val dpend de la frquence du signal

R1
C

Rg
vg R2 V (t)

Schma statique : frquence nulle C = circuit ouvert

Val R2
R1 V = Val
R1 + R2

R2 V

28
 Schma dynamique :
1
Zc =
iC

R2 // R1 1
v = avec Z g = Rg +
R1 R2 // R1 + Z g iC
ZC

vg Rg
R2 v

schma quivalent dynamique

R2 // R1
pour suffisamment leve : Z g Rg et v= vg
R2 // R1 + Rg

A haute frquence ( prciser suivant le cas), le condensateur peut tre remplac par un
court-circuit.

29
 Le principe de superposition nest plus valable en prsence de composants non-linaires !

Extrapolations possibles:

le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linarit du composant non-

linaire

lamplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du composant

reste approximativement linaire.

30
 2.5.2 Fonctionnement dune diode dans un de ses domaines de linarit (D.L.) :
Id

D.L. direct

Tant que le pt. de fonctionnement reste

Vd dans le D.L. la diode peut tre dcrite par le
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1 modle linaire appropri
Vo

D.L. inverse

Exemple :
le point de fonctionnement reste dans le D.L. direct
100
la diode peut tre remplace par le modle linaire suivant :
0,5 sin (100 2 t )

0,6V

V(t)
5V
1k 10

diode: Si, Rf = 10 , Vo = 0,6V 31

 100
Schma statique :
0,6V

V = = 4,6V
10

5V 1k

reprsente la diode seulement si le pt de

fonctionnement reste dans le D.L. sous
100
Schma dynamique : polarisation directe

0,5 sin (100 2 t ) 10

ve = 0,45 sin (100 2 t )

1k

ATTENTION, lutilisation des modles segments linaires nest plus valable si le point
de fonctionnement passe dans la zone du coude
32
2.5.3 Modle faibles signaux (basses frquences)

hypothse: variation suffisamment lente (basse frquence) pour que la caractristique statique reste
valable.

Variations de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :

la caractristique Id(Vd) peut tre approxime par la tangente en Q

pente : dI d
id vd
dI d dVd Q
Id dVd Q
schma quivalent dynamique
correspondant au point Q :

I dQ 2|id| Q
1
Vd dI d
= rsistance dynamique
dVd Q
Vo de la diode
2| v|

VdQ

Ce schma ne peut tre utilis QUE pour une analyse dynamique du circuit !
33
 Notation : 1
dI d
rf = = rsistance dynamique pour VdQ> 0
dVd V > 0
d

1
dI d
rr = = rsistance dynamique pour VdQ < 0
dVd V <0
d

Pour Vd >> Vo, rf Rf

Pour Vd < 0 , rf Rr
1
1 Vd
dI d d V
Pour Vd [0, ~Vo] , r f = I se
VT
I s = T
dVd dV
Vd d Id

25
temprature ambiante : r f ( = 1)
I d (mA)

proche de Vo la caractristique I(V) scarte de la loi exponentielle

rf ne devient jamais infrieur Rf (voir courbe exprimentale, p11)
34
 Rsum des schmas quivalents faibles signaux, basse frquence :

Id

Q
rf Rf
Vd

Id

Q V
rf = T
Vd I dQ

Id
Q

Vd rr Rr >>M

hyp : la frquence est suffisamment faible pourque id et vd soient en phase

impdance relle (rsistance dynamique)
35
Exemple :
diode: Si, Rf = 10 , Vo = 0,6V ,
Rb Temprature : 300K
1k C 2k

5V Ve
Ra 10F D (
ve = 0,1 sin 103 2 t )
ve Vd(t)

5 0,6
Analyse statique : Id = 2,2mA, Vd 0,62V
2000

26
Analyse dynamique : r f = 12, Z c = 16 << Ra
2,2

Schma dynamique :

2k
(
v 1,2 103 sin 103 2 t )
1k
Amplitude des ondulations rsiduelles : 1,2 mV
v
ve ~ 12

36
2.5.4 Rponse frquentielle des diodes

Limitation haute frquence :

Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanes de Vd
au del dune certaine frquence.

apparition dun dphasage entre Id et Vd

le modle dynamique basse frquence nest plus valable

Le temps de rponse de la diode dpend :

du sens de variation (passant bloqu, bloqu passant) (!signaux de grande amplitude)

du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)

37
 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)

une petite variation de Vd induit une grande variation Id, cest --dire des charges qui
traversent la diode

A haute frquence, des charges restent stockes dans la diode (elle narrivent pas suivre
les variations de Vd)

~ Comportement dun condensateur, dont la valeur augmente avec Id

(cf physique des composants)

Modle faible signaux haute frquence (Vd >0) :

rc

I dQ Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF 1mA, 300K.

rsc Cd
T
= capacit de diffusion

basse frquence : rc + rs = rf

la sparation en deux rsistances tient mieux compte des phnomnes physiques en jeu.
38
 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) :

une variation de Vd entrane une variation du champ lectrique au sein de la diode, qui son
tour dplace les charges lectriques.

haute frquence, ce dplacement donne lieu un courant mesurable, bien suprieure Is.

Ce comportement peut encore tre modlis par une capacit lectrique :

Modle faible signaux haute frquence (Vd < 0) :

rr 1
Ct = capacit de transition ou dpltion
Vd Vo

Ordre de grandeur : ~pF

39
 Diode en commutation : Temps de recouvrement direct et inverse

Le temps de rponse fini de la diode sobserve aussi en mode impulsionnel , lorsque la diode
bascule dun tat passant vers un tat bloqu et vice-versa.
VQ Vg
Vo t
R -VR
Vo Vd
Vd
Vg
-VR
temps de rponse
Id
(VQ-Vo)/R

-VR/R

le temps de rponse dpend du courant avant commutation.

ordre de grandeur : ps ns
40
2.6 Quelques diodes spciales

2.6.1 Diode Zener

Diode conue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractrise par une
tension seuil ngative ou tension Zener (VZ)

Caractristiques
VZ : tension Zener (par dfinition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au del
-Vz Vd duquel commence le domaine linaire Zener
-Imin
Imax : courant max. support par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

dI d
RZ : rsistance Zener =
-Imax dVd V <V
d z

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax rgime de fonctionnement

ex: 1N759 41
 schmas quivalents
Modle statique :
hyp : Q domaine Zener

Rz
Vd
Id

Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q Modle dynamique, basses frquences, faibles
pente signaux :
1/Rz
1
dI
-Imax rz = d Rz pour |Id| >Imin
d Q
dV

42
 2.6.2 Diode tunnel

Exploite leffet tunnel travers la jonction PN (cf. Mcanique quantique)

Caractristique I(V) :
I

Q rf ngative, utile pour les circuits rsonnants

Illustration : Le pont diviseur comme amplificateur

Vpol fixe Q dans la partie dcroissante de I(V)

vs R !
vg = >1
vg R + r f

Vpol R vs Cet type damplificateur est peu utilis parce quon peut faire mieux...

43
2.6.3 Diode lectroluminescente (ou LED)

Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

Lintensit lumineuse courant lectriqueId

Ne marche pas avec le Si (cf. cours Capteurs)

Vo 0.7V ! (AsGa: ~1.3V)

44
3. Applications des Diodes Un aperu qui sera complt en TD et TP.

3.1 Limiteur de crte (clipping)

Fonction : Protger les circuits sensibles (circuits intgrs, amplificateur grand gain) contre
une tension dentre trop leve ou dune polarit donne.

Exemple : clipping parallle Rg

(diode // charge)
circuit
Vg Ve Ze protger

Fonctionnement :

droite de charge I quand Vg(t) > Vo= 0.7V : Ve Vo

d
Vg Ze
quand Vg(t)< Vo : Ve Vg
Rg Q Z e + Rg
Vd=Ve
Vo Protection contre les tensions suprieures ~1V
Ve

Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode :

Vg 0,6
Pmax Vo I d max Vo (si Ze >> q.q. )
Rg
45
Clipping srie : Rg

circuit
Vg Ve(t) Ze protger

Fonctionnement : Tant que Vg < Vo , la diode est bloque et le circuit protg

Pour Vg > Vo : Ve Vg 0,6 ( )Z Ze

Vg 0,6 Vg
e + Rg

Le circuit est protg contre toute tension infrieure Vo (en

particulier les tensions ngatives)

Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode :

Vg 0,6 Vg
I d max
Rg + Z e Rg + Z e

46
Comment peut-on modifier le circuit pour protger la charge contre des tensions positives?
Protection contre une surtension inductive

+20V ouverture de linterrupteur : +20V Protection par diode :

dI
V =L Vmax<0 ~ - 0.7V
V L dt
V
VA + VA ~20,7V
I
I
A risque de dcharge lectrique la conduction de la
travers linterrupteur ouvert diode engendre un courant
transitoire et diminue la
Linterrupteur pourrait tre un tension inductive.
transistor...

47
Exercices : Quelle est la forme de V(t) pour chacun des circuits suivants ?

(1) Vg Rc V (2) Vg Rc V
Dz
V1
V2

(3) Dtecteur de fronts de monte

C
T

R Rc V
RC >> T

48
3.2 Redressement
Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour lalimentation dun appareil en tension continue partir du secteur)

Redressement simple alternance

Vs Vm 0.7
220V
50Hz Vs Rc
(cf avant)
t
Ri =rsistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire

avec filtrage passe-bas :

R Le condensateur se charge travers R (+Rf ) et se
dcharge travers Rc:
220V R C << RcC
Vs
50Hz Vs Rc

ondulation rsiduelle
R, C, f
t

49
mauvais rendement : la moiti du signal dentre nest pas exploite
Redressement double alternace (pont de Graetz)

R Fonctionnement

quand Vi > ~1.4V :

D1 D2 D1 et D4 = passants, D2 et D3 = bloques
Vi Vs Rc Parcours du courant :

D3 D4 quand Vi < ~ -1.4V :

D1 et D4 = bloques, D2 et D3 = passantes
Parcours du courant :

Vs , Vi
~1.4V

Vi < 1.4V

50
avec filtrage : 50
R
D1 D2

Rc=10k
Vi Vs
200F
D3 D4

Vs

avec condensateur
sans condensateur

Ondulation rsiduelle rduite

51
Courant transitoire de mise sous tension :
C est initialement dcharg VC 0
Id peut devenir trop lev

V 1,4
I d max i
R (mA)
ID2
Idmax dpend de R et C Vs
60

40 Vsecondaire
[Vm =10V]
20

rgime transitoire

Diodes de puissance

Les 4 diodes du pont de Graetz existe sous forme dun composant unique (ou discret)
52
Autres configurations possibles :

Utilisation dun transformateur point milieu :

mauvais rendement, puisqu

secteur
chaque instant seule la moiti du
~
bobinage secondaire est utilis

transformateur
point milieu

Alimentation symtrique :

+Val

secteur
~ masse

-Val
53
3.3 Restitution d une composante continue (clamping)

Fonction : Dcaler le signal vers les tensions positives (ou ngatives)

reconstitution dune composante continue (valeur moyenne) non nulle

Exemple : Rg C

Vg(t) Vc Vd
D

Fonctionnement : On supposera la diode idale (1ire approx.)

Lorsque Vg - Vc > 0, la diode est passante Lorsque Vg - Vc <0, la diode est bloque
Rg C Rg C

Vc Vc
Vg Vd Vg Vd

C se charge et Vc tend vers Vg Vc = constant (C ne peut se dcharger!)

Vd = 0 Vd = Vg +Vc
~ composante continue
54
Quelle est leffet de la tension seuil Vo de la diode (non prise en compte ci-dessus) ?
 Cas particulier : Rg C
Vg = Vm sin ( t ) pour t > 0
Vg(t) Vc Vd
Vc = 0 pour t < 0 (C dcharg) D
Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge

C=1F
Simulation Rg =1k
Vg f= 100hz
Vm =5V
Vc
charge du condensateur

Vd 0.7V

Vd
t (s)

55
Charge de C avec une constante de temps de RgC chaque fois que la diode est passante

Dcharge de C avec une constante de temps RrC

le circuit rempli ses fonctions, si pour f >>1/RrC (105hz dans lexemple) :

en rgime permanent: Vd Vg - Vm

composante continue

Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.

56
3.4 Multiplieur de tension
Fonction : Produire une tension de sortie continue partir dun signal dentre variable. La
tension continue est gnralement un multiple de lamplitude du signal dentre.
Exemple : doubleur de tension
Rg C Vg = Vm sin (2f t ) pour t > 0

Vm=10V, f=50Hz, C=10F

Vg ~ VD1 VRc Rc>> Rg
C
Rc=100k.

clamping redresseur monoalternance

VD1 ,VRc
En rgime tabli, le courant dentre du
redresseur est faible (~ impdance dentre
leve)

VRc 2 Vm 1,4 2 Vm

t
Il ne sagit pas dune bonne source de
tension, puisque le courant de sortie (dans Rc)
doit rester faible (~ rsistance interne leve)
rgime transitoire / permanent 57
Autre exemples : Doubleur de tension

source
AC
charge

assemblage de deux redresseurs monoalternance en parallle.

limpdance dentre de la charge doit tre >> Rf + Rtransformateur+Rprotection

source flottante ncessit du transformateur

58
4. Transistor bipolaire

4.1 Introduction
le Transistor = llment clef de llectronique

il peut :
amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...

tre utilis comme une source de courant

agir comme un interrupteur command ( = mmoire binaire)

essentiel pour llectronique numrique

...
il existe :
soit comme composant discret

soit sous forme de circuit intgr, i.e. faisant partie dun circuit plus
complexe, allant de quelques units (ex: AO) quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)

59
 on distingue le transisor bipolaire du transistor effet de champ

diffrents mcanismes physiques

Ils agissent, en 1ire approx., comme une source de courant commande

transistor bipolaire : command par un courant

transistor effet de champ: command par une tension

Icontrle I command = A I contrle I command = G Vcontrle

Vcontrle

source de courant source de courant

commande par un commande par une
courant tension

A = gain en courant G = transconductance.

Idalement : ltage dentre ne dpend pas de ltage de sortie. 60

4.2 Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire
Structure simplifie Transistor NPN
Transistor PNP
E E
diode EB diode EB

metteur
P+ N+
couplage B B
entre les N base P
diodes
P N
collecteur
diode BC diode BC
C C
Un transistor bipolaire est constitu de trois zones semiconductrices diffrentes,
lmetteur, la base et le collecteur, qui se distinguent par la nature du dopage.

Les deux jonctions PN (ou diodes!) metteur/base et base/collecteur se partagent

la rgion centrale : la base . Le couplage entre les jonctions est lorigine de l
effet transistor : le courant dans lune des diodes (gnralement dans la jonction
base/metteur) dtermine le courant dans la seconde. (cf aprs)

Symtrie NPN/PNP: Les transistors PNP et NPN ont un comportement

analogue condition dinverser les polarits des tensions.
61
 Effet transistor Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTIF du transistor
Exemple: Transisor NPN

RE N
+ P N RC
E C
IE r
e- E IC

VEE IB VCC
B

si VEE > ~ 0.7V, le courant circule entre lmetteur et la base VBE ~ 0.7V, IE >> 0

La jonction EB est dyssimtrique (dopage plus lev ct E)

courant port essentiellement par les lectrons (peu de trous circulent de B vers E)

VCC > 0, un champ lectrique intense existe linterface Base/Collecteur

La majorit des lectrons injects par lmetteur dans la base sont collects par le champ
IC ~IE et IB = IE -IC << IE

Le courant IC est contrl par IE , et non vice versa

62
 Premires diffrences entre le transistor bipolaire et la source commande idale...

Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V

I B non nul = fraction de IE ne participant pas la commande de IC .

Symboles C
C la flche indique le sens du
courant dans ltat actif
B B

E E
PNP NPN

Conventions : VCB VCB

IC IC
IB VCE IB VCE

IE IE
VBE VBE

NPN PNP
IE = IB+IC 63
4.3 Caractristiques du transistor NPN
VCE
Choix des paramtres :

Les diffrentes grandeurs lectriques (IE, IB, RE IE IC RC

VBE,VCE,) sont lies:
VEE VCB VCC
VEB IB
diffrentes repsentations quivalentes des
caractristiques lectriques existent

Configuration Base Commune

( base = lectrode commune)

Caractristiques : IE (VEB,VCB), IC (VCB ,IE) ou IE (VBE,VBC), IC (VBC ,IE)

Configuration Emetteur Commun

(metteur= lectrode commune)

Caractristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE, IB)

La reprsentation des caractristiques en configuration collecteur commun est plus rare.

64
Caractristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN

caractristique dentre
IE (VEB, VCB) :
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)

~ caractristique dune jonction PN

IE (mA)
V
VCB=0 , -15
I E I s exp BE 1
VT
2
trs peu dinfluence de IC (resp. VCB)
1
VEB (V)
-0.1 -0.5
VBE (V)
0,1 0,5

Jonction EB bloqu Jonction EB passante

IE ~ 0, VBE < 0.5 V IE >0, VBE 0.6-0.7V

65
 mode actif
IC (VCB, IE) :
Ic (mA) IE (mA) VBE
2.0

1.5 1.5
1.0 1 IC I E
0.5 0.5
0
-0.5 1 2 3 VCB (V)
jonction PN polarise en inverse
tension seuil de la jonction BC

F IE , avec F proche de 1.
pour VCB > ~-0.5V, on a IC =
En mode actif, I B = I E I C = I E (1 F )

pour IE = 0, on a IC = courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0

Transistor en mode bloqu

pour VCB -0.7, la jonction BC est passante, IC nest plus controle par IE
Transistor en mode satur

Ordre de grandeur : F ~0.95 - 0.99 F = gain en courant continue en BC

66
Caractristiques en configuration EC :
caractristique dentre
IB (VBE, VCE) :
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)

IB (A) IC
IE
r
VCE= 0.1V N P E N
3 IB

1.5
> 1V
0.5
0 VBE (V)
0.1 0.2 0.3

VBE > 0.6V, jonction PN passante

IB <<IE charges non collectes par le champ lectrique de la jonction BC
I B = (1 F )I E

Influence non-ngligeable de VCE sur F Effet Early

67
IC (VCE, IB) :
Ic(mA)
Ib= 20 A
2 15A

10A
1
5A
VCE (V)

1 3 5 Transistor bloqu
Transistor satur Mode actif IC = ICO

Mode actif : BE passant, BC bloque VBE 0.7V et VCB >~ -0.5 V

VCE = VCB +VBE > -0.5 + 0.7 ~0.2 V

F
I C = F I E = F (I C + I B ) I C = I B =" hFE " I B hFE = gain en courant
1F continue en EC = F
ordre de grandeur : hFE ~ 50 - 250
Grande dispersion de fabrication sur hFE.

Effet Early : F tend vers 1 lorsque VCE augmente hFE augmente avec VCE

Mode satur : Diode BC passante -> IC ~ indpendant de IB

hFE diminue lorsque VCE 0 68
 Modes actif / bloqu / satur
Transistor NPN
Configuration EC :

Mode actif : VBE 0.7V ~ 0.3V < VCE < VCC I c hFE I B

Mode bloqu : IB 0 VCE VCC IC 0

Mode satur : VBE 0.8V VCE 0.2V I c hFE I B

C B
B IB C B C C

B
~0.7V hFE IB
~0.8V ~0.2V

E
E E
E
Mode actif Mode bloqu Mode satur

VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin) 69
VCC ne peut pas dpasser cette valeur!
 Transistor PNP
Configuration EC :

Mode actif : VBE 0.7V ~ 0.3V < VCE < VCC (< 0) I c hFE I B

Mode bloqu : IB 0 VCE VCC IC 0

Mode satur :VBE 0.8V VCE 0.2V I c hFE I B

C B
B IB C B C C

B
~0.7V hFE IB ~0.2V
~0.8V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqu Mode satur

70
 Valeurs limites des transistors

Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)

Puissance maximale dissipe : Pmax =VCE IC

Courants de saturations inverses :

IC , IB et IE 0 en mode bloqu

ICVCE =Pmax

fiches techniques :
71
 Influence de la temprature

La caractristique dune jonction PN dpend de la temprature

les courants inverses (mode bloqu) augmentent avec T

VBE, IB,E constant, diminue avec T

ou rciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T

Risque demballement thermique : T I C Puissance dissipe T L

Necessit dune contre-raction dans les amplificateurs transistors bipolaires :

T I C VBE I B I C

72
4.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit Point de fonctionnement

Droites de charges :
Le point de fonctionnement est dtermin par les caractristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliques au circuit.

Exemple : Comment dterminer IB, IC, VBE, VCE ?

+VCC Droites de charges :

Rc V VBE
Vth = Rth I B + VBE I B = th
Rth
Rth
V VCE
VCC = RC I C + VCE I C = CC
Vth RC

73
 Point de fonctionnement

IB
VBEQ 0.6-0.7V, ds que Vth> 0.7V
V VBE (diode passante
I B = th transistor actif ou satur)
Rth

Q
IBQ

VBE (V)
0.1 0.2 0.3
VBEQ

Ic(mA) VCE sat VCEQ VCC

Q VCC VCE sat VCC

I CO I c
ICQ IBQ Rc Rc
V VCE
I C = CC
RC
Q fixe le mode de fonctionnement du transistor
ICO

VCEsat VCEQ VCE (V)

74
Exemple : Calcul du point de fonctionnement

+VCC=10V
Rc=3k Vcc
Rc
Rth=30k Rth IB

hFE =100 hFE IB

Vth 0.7V
Vth =1V

I BQ = 10 A
I C Q = 1mA On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC

VCE Q = 7V Rsultat cohrent avec le mode actif du transistor.

75
 Remplacement de Rth par 3k : +VCC=10V
Rc=3k
L I BQ = 100 A
Rth=3k
L I C Q = 10mA
hFE =100
L VCE Q = 20V !!
Vth =1V

Rsultat incompatible avec le mode actif

le modle donne des valeurs erronnes

Cause :
Ic(mA) IBQ
En ayant augment IBQ,(rduction de Rth) Q
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
VCE Q ~ 0.3V

et I CQ = 3.2mA

VCEQ VCE (V)

76
 Quelques circuits lmentaires : VBE < 0.7V Mode bloqu
t<0 :
Transistor interrupteur: +VCC

RC
+VCC RB

Rc Interrupteur
VBB
ouvert
0.7V I RC = 0
RB
t

t>0 : VBE > ~0.8V, telque RcIc ~VCC

VCE ~qq. 100mV

IC Interrupteur ferm VCC

Vcc
Interrupteur
Rc
RC ferm
RB

Interrupteur ouvert
~0.8V ~0.2V <<VCC
V 0.2 VCC
VCC VCE I RC = CC
Vcc VBEmin 0.7 RC RC
I Bmin 77
( interrupteur ferm)
Rc hFE RB
Transistor source de courant :

VCC

charge V 0.7V
Rc I BB
RE
I quelque soit Rc
tant que le transistor est en mode actif

E
VBB RE
Domaine de fonctionnement : (VBB > 0.7V )
0 < VCE = VCC (RC + RE )I C < VCC

Source de courant V
Rcmax cc RE
I
pour Rc suprieure Rcmax transitor satur

Rcmin = 0

78
Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension

10V
15V

charge 560
10k I

Vz =5,6V
4,7k I
10k charge

79
Transistor, amplificateur de tension : hypothses :

Point de fonctionnement au repos :

+VCC
Transistor en mode actif lorsque vB = 0
(amplificateur classe A)
RC
Amplitude du signal vB suffisamment faible
IC
B pourque le transistor soit chaque instant actif

Modle 1ire approximation pour le transistor
vB E
V 0.7
VSortie IE B I C = I c + ic (IB <<IC)
RE
VBB RE
v
En ngligeant la variation de VBE : ic B
RE

Enfin : VSortie = Vcc Rc I C = Vs + vs avec : Vs = Vcc RI c

R Rc
et vs = Rc ic = c vb Le signalvB est amplifi par le facteur Av =
RE RE

Av = pour RE =0 ?? voir plus loin pour la rponse...

Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manire optimale? 80
4.6 Circuits de polarisation du transistor

Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor

Le choix du point de repos dpend de lapplication du circuit.

Il doit tre lintrieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)

Les principales caractristiques dun circuit de polarisation sont :

sensibilit par rapport la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur hFE , )

stabilit thermique.
(coefficient de temprature des diffrents paramtres du transistor :VBE, hFE,).

81
 Circuit de polarisation de base ( courant IB constant)
IC
Dispersion de fabrication:
Vcc hFE mal dfini
Rc
RC Q1 2 transistors
IC1 mme IB diffrents
RB Q2
VCC IC2

VCE
VCE1 VCE2 Vcc
V VBE Vcc 0.7
I B = cc
RB RB

Q : I c = hFE I B et VCE = Vcc Rc I c

Consquence : hFE Ic VCE

Le point de repos dpend fortement de hFE = inconvnient majeur

Circuit de polarisation peu utilis.

Vcc
Exemple : Transistor en mode satur RB tel que I B > I Bsat
Rc hFE
en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur. 82
 Polarisation par raction de collecteur

+VCC VCC 0.7

IC
RC + RB
RC hFE
RB
Le point de fonctionnement reste sensible hFE

Proprit intressante du montage :

Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque VCE
ne peut tre infrieur 0.7V

V 0.7
Cas particulier : RB=0 I C CC VCE = 0.7V
RC
Le transistor se comporte comme un diode.

83
 Polarisation par diviseur de tension - polarisation courant (metteur) constant

+VCC
+VCC Vth 0.7
IC I E
RE + Rth / hFE
R1 RC Rc

Rth VCE = VCC (RC + RE )I C

R2
R2
Vth avec Vth = VCC et
R1 + R2
RE
Rth = R1 // R2

Rth V 0.7
Peu sensible hFE : si << RE I C th
hFE RE
Bonne stabilit thermique

84
 +VCC
Une faon de comprendre la stabilit du montage :
R1 RC

RE introduit une contre-raction R2

RE

Augmentation de IE augmente VE augmente VBE et IE diminuent

contre-raction
VBE I diminue de 2mV/C
E
VB ~Vth

Rgles dor pour la conception du montage :

Rth/RE 0.1 hFEmin ou encore R2 < 0.1 hFEmin RE IR2 10 Ib

VE ~VCC/3
" Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1

Idem, si laugmentation de IE rsulte dun change de transistors

(dispersion de fabrication)
85
 Polarisation par un mirroir de courant

+VEE Q1 ,Q2 = transistors apparis (circuit intgr)

VEE 0.7
Q1 : VBC =0 ~ diode I p
Q2 Rp
Q1
IC En mode actif, les courants de bases
Ip
sont ngligeables (1ire approx.)
Rp Rc
Q2 : VEBQ = VEBQ IC I p
1 2

Q2 agit comme un mirroir de courant.

fixe le courant Ip
Point de fonctionnement ne dpend pas explicitement de hFE

Imperfection : Effet Early I C V augmente avec VCE Rc (jusqu ~25% !)

BE

86
Amlioration possible

+VEE

RE introduit une contre-raction :

RE
VBEQ
RE
2 1
(
comme VBEQ = VBEQ RE I C I p )
VBEQ 2
1

Q2 Si IC augmente (variation de VCE), VBEQ diminue

2
Q1
IC et soppose laugmentation initiale.
Ip
Rp Rc

avec RE <<RC

87
4.7 Modle dynamique
Variation de faibles amplitudes autour dun point de fonctionnement statique
Comportement approximativement linaire
Modles quivalents

Caractristique dentre : V
I B I s exp BE 1 hFE
+VCC VT
IB
dr
RC oit
ed
ec
IC ha iB
B rg
e
IBQ Q t
vB
vB E
VSortie VBEQ VBE
0
0.2 0.4 0.6
VBB RE

vBE
t

Pour vB petit:
I B IE v hie = rsistance dentre dynamique du
ib vbe vbe = be transistor en EC
VBE Q hFE VT " hie "
88
Notation :
h V
" hie " = FE T = rsistance dentre dynamique du transistor en EC
IE

B ib C

hie
vbe

hie i pour input, e pour EC, h pour paramtre hybride (cf quadriple linaire)

Ne pas confondre hie avec limpdance dentre du circuit complet. (voir plus loin).

A temprature ambiante (300K) on a : 26 hFE

hie ( )
I E (mA)

89
 Caractristique de sortie en mode actif : droite de charge
Ic
ic=hfe ib
En premire approximation :
t IBQ+ib
Q IBQ
ic " h fe "ib

B ib ic C
VCE
hie hfeib VCEQ
vce
hfe = gain en courant dynamique
E hFE en Q (*)
I c
En tenant compte de leffet Early: ic = h feib + hoe vce o hoe =
VCE Q

B ib ic C
hoe 1 = impdance de sortie du transistor en EC
hfeib
hie
hoe-1
Ordre de grandeur : 100k - 1M
E

90
Le modle dynamique ne dpend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
 Note sur hFE et hfe :

droite de charge tangente en Q

Ic
Ic
IB (A) ic = h feib
20
Q Q
15
droite passant par lorigine
10
1
5 IC = hFE I B
VCE
IB (A)

on a gnralement :
h fe hFE

sauf proximit du domaine satur

91
 Analyse statique / analyse dynamique
Exemple: Amplificateur de tension
VCC VCC
A.N.:
Vcc=15V R1 Rc
R1 Rc
R1=47k
R2=27k statique
Rc=2.4k
RE=2.2k
hFE=100 C Vs=VS+vs
vg VS
R2 R2
RE RE
signal

composante
continue
Analyse statique : on ne considre que la composante continue des courants et tensions
C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule travers C).
Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
R2
VCC VBE
R + R2 mode actif A.N
I EQ 1 ICQ = 2.2mA
RE
A. N
92
VS = VCC Rc ICQ = 10V
Analyse dynamique :
Hypothses : transistor en mode actif schma quivalent du transistor

Schma dynamique du circuit :

R1 Rc
ib
1 (circuit ouvert)
iC hie
hoe-1
R2
hfeib
vg vs
transistor
RE

en ngligeant hoe...

ib
1
iC hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
Rc

RE

93
 Pour C suffisamment leve on peut ngliger son impdance devant les rsistances :

ib

hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
i RE Rc

RE

Calcul de la fonction de transfert vs/vg :

( )
v g = hieib + RE iRE = hie + h fe RE ib vs
=
Rc h fe
=
Rc
vg hie + RE h fe h
RE + ie
vs = Rc h fe ib h fe

Pour RE >> hie/hfe on retrouve le rsultat de la page 94.

94
Autre exemple :
R1=10
Rgulateur de tension
.
C
IDz
DZ = diode Zener avec |VZ|=9,4V
Imin = 1 mA
IC
Transistor de puissance DZ
charge: RL = 25
hFE = h fe = 50
hoe 1
~
Ve = B . IR2
T
RL
Vs =VS + vs
15 2V
R2
ondulation rsiduelle
= 500
composante
continue

En statique : Ve = 15V
0.6
VD VZ et VBE 0.6V VS 10 V I R2 = = 1,2mA I C = I R1 I DZ I RL = 0.1 I Dz
500
et
10 I
V VS I RL = = 0.4 A I Dz = I R2 + I B = 0.0012 + C
I R1 = e = 0.5 A RL h fe
R1

I
I DZ 3mA , I C 97 mA et I B = C 2mA
hFE

95
Efficacit de rgulation ondulation rsiduelle : Ve varie de 2V, quelle est la variation rsultante de Vs ?

Etude dynamique du montage : h fe 25mV

I c 100mA hie 13
R1 I E (mA)
.
C

Rz
ib RL vs
ve
hie hfeib
R2

R1 ( )
i = h fe + 1 ib vs Rz + hie Rz + hie
= 0.4

hie <<R2
.
C
i vs = (Rz + hie ) ib
i h fe + 1 h fe

Rz
ve ib RL
vs
hie hfeib

96
 R1
.
C
i

0.4
ve RL
vs

Rz + hie
v h fe Rz + hie
s = = 0,03 << 1
ve Rz + hie + R Rz + hie + h fe R1
1
h fe

Le mme montage sans transistor aurait donne une ondulation rsiduelle de

vs

(Rz + R2 )// RL 0.7
ve (Rz + R2 ) // RL + R1
97
 Modle dynamique hautes frquences

Aux frquences leves on ne peut pas ngliger les capacits internes des jonctions EB et BC.

En mode actif :
la jonction EB introduit une capacit de diffusion Cd
la jonction BC introduit une capacit de transition Ct .

Schma quivalent dynamique hautes frquences

B rce Ct iC C
iB
Cd hfe iB ro
hFE rse

Ces capacits influencent le fonctionnement du transistor aux frquences leves et sont

responsable d une bande passante limite des amplificateurs transistor bipolaire (cf plus loin).

98
4.8 Amplificateurs transistors bipolaires

4.8.1 Caractristiques dun amplificateur

amplificateur
+VCC
Rg
ie

Ze il
ve Zs
vg vs

source -VEE vL
RL
charge

Fonction: amplifier la puissance du signal

tout amplificateur est alimente par une source denergie externe (ici: VCC et (ou) VEE)
v
Lentre de lamplificateur est caractrise par son impdance dentre Z e = e
ie

La sortie agit comme une source de tension vs caractrise par son impdance de sortie Zs

Zs = rsistance de Thvenin quivalent au circuit vu par RL

99
 Gain en tension : +VCC
Rg
Comme Zs 0 le gain en tension dpend de la charge ie
Ze iL
Dfinitions ve Zs
vg vs
vL v
Gain en circuit ouvert : Av = = s source -VEE vL
ve R = ve RL
L
charge

v RL
Gain sur charge : AvL = L = Av
ve RL + Z s

v Ze
Gain composite: Avc = L = AvL Comme Ze , Avc diffre de AvL
(tient compte de la v g Ri + Z e
rsistance de sortie
de la source)

i A Z
Gain en courant : Ai = L = vL e
ie RL

v i
Gain en puissance : A p = L L = Avc Ai
v g ie

100
 Lamplificateur idal :

Gains indpendants de lamplitude et de la frquence (forme) du signal dentre

Impdance dentre leve peu de perturbation sur la source

Impdance de sortie faible peu dinfluence de la charge

La ralit...

Domaine de linarit : distorsion du signal pour des amplitudes trop leves

Nonlinarit des caractristiques lectriques des composants
la tension de sortie ne peut dpasser les tensions dalimentation

Bande passante limite : le gain est fonction de la frquence du signal

capacits internes des composants
condensateurs de liaison
Impdances dentre (sortie) dpendent de la frquence

101
4.8.2 Amplificateur metteur commun (EC)

Particularits des amplificateurs EC :

Le transistor en mode actif

Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor

La sortie est prise sur le collecteur

La borne de lmetteur est commune lentre et la sortie Emetteur commun

Les diffrences dun amplificateur EC lautre sont :

Le circuit de polarisation

Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage (cf plus loin).

102
Exemple :
VCC

R1 RC
Polarisation par diviseur de tension

CB Couplage capacitif avec la source, vg, et la charge RL.

CC
RL vs
vg
hypothses :
R2
RE
Point de repos du transistor: mode actif
( choix des rsistances)

A la frquence du signal les impdances condensateurs de liaison sont ngligeables :

1 1
<< R1 // R2 ; << RL
C B CC

CB est ncessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifi par
la prsence du gnrateur de signaux.

Cc vite que la charge voit la composante continue de VC, et quelle influence le point de
repos du transistor.
103
 Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
circuit de polarisation pont diviseur

Analyse dynamique : rB = R1 // R2
rc = RL // RC

RC ie ib
R1
vg rB rc
C hie hfeib
ve vL
vg RL vL
RE i RE
R2
RE ( )
iRE = h fe + 1 ib

rc h fe Gain en circuit ouvert :

Gain en tension (sur charge): Av = vL =
L ve hie + RE h fe Remplacer rc par Rc

104
 ie
Impdance dentre :
Ze dpend de lendroit do vous regardez rB hie h feib
lentre de lamplificateur. ve

Impdance dentre vue de la source :

Ze ' (
RE h fe + 1 )
[ ( ) ] [ ]
v Ze
Z e = e = rB // hie + h fe + 1 RE rB // h fe RE
ie schma quivalent vu de la source :
(
VRE = RE h fe + 1 ib )
Impdance dentre vue aprs les rsistances de polarisation :

( )
Z e ' = hie + h fe + 1 RE h fe RE (hie ~qq. 100 qq. 1k Ohms)

Gain en courant : ie iL

h fe vg rB
i hie hfeib rc
Ai = L =
ie
1+
( )
hie + h fe + 1 RE
ve

rB RE

105
 Impdance de sortie :

Zs dpend de lendroit do vous regardez la sortie. hfeib Rc RL

Impdance de sortie vue de la charge (RL): Z s = Rc

Zs Zs

Zs de lordre de quelques k loin dune source de tension idale

AvL diminue lorsque RL < ~Rc

Parfois RC constitue aussi la charge de lamplificateur (tout en permettant la polarisation du

transistor)

Impdance de sortie vue de Rc : Z s' = " "

ne tient pas compte de leffet Early (hoe)

approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif

106
 ie iL
Avec leffet Early :
vg rB
ve
hie hfeib h 1 Rc
vsortie
oe

RE

Zs

Mthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :

Zs = RThAB = rsistance entre A et B, avec vg court-circuit

= vs / is !

A is
ib

(1) : [ ]
vs = hoe 1 is h feib + RE (is + ib )
rB hie hfeib h 1
oe
vs (2) : 0 = hieib + RE (is + ib )
RE

B
vs 1 h fe RE RE hie
Z s = = hoe 1 + +
hie + RE hie + RE
is 107
 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

droite de charge dynamique: pente 1/(rc+RE), passe par Qrepos

Ic
vce
vce = vL RE ic = (rc + RE )ic
vce ic
ic = IBQ
rC + RE droite de charge statique
Q(repos) V VCE
I C = CC
RC + RE

VCE

vce
t

le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

108
 La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloque ou sature, du domaine linaire.

rc
vs = rcic = vce vs vce
rc + RE

VCEQ
Ic Ic
Q(repos) droite de charge
ICQ
IBQ IBQ

Q(repos)
VCE VCE

VCEQ
(rc + RE )ICQ
vce

Point de repos optimale pour une dynamique maximale : VCEQ (rc + RE )I CQ

109
 Amplificateur EC avec metteur la masse :

RE est ncessaire pour la stabilit du point de fonctionnement statique.

RE diminue considrablement le gain...

Remde : dcoupler (shunter) RE par un condensateur en parallle

seul le schma dynamique est modifi.

VCC

R1 RC pour CE ou f suffisamment* lev :

ie ib
CB CC
vg rB hie rc
RL vs hfeib
vg ve

R2
RE
CE

h
*: RE // C E << ie 110
h fe
 Gain en tension (sur charge):
rc h fe r le gain dpend fortement de rf
Av L = = c >> gain avec RE (rsistance interne de la fonction BE)
hie rf
(la contre-raction nagit plus en dynamique)

kT rI
or rf AvL c C
IC kT

Le gain dpend de IC distorsion du signal aux amplitudes leves

v
Impdance dentre de la base : Z e = e = hie significativement rduit...
ib

Impdance de sortie : Z s = hoe 1 // Rc (vue de la charge RL)

111
 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

vce = ic rc droite de charge dynamique

Ic
vce
ic
ICQ
Q

droite de charge statique

VCEQ VCE

rc I CQ

(
Il y a dformation du signal ds que : vs > min VCEQ , rc I CQ )
Le point de repos optimal correspond VCEQ = rc I CQ

112
 Lamplicateur EC en rsum :

Emetteur la masse :
R R
Gain en circuit ouvert : Av = C h fe = C >> 1 en valeur absolue
hie rf
Impdance de sortie : Z s RC (de q.q. k )
Impdance dentre de la
base du transistor: Z e hie (de q.q. k )

Avec rsistance dmetteur (amplificateur stabilis ):

RC R
Gain en circuit ouvert : Av C
r f + RE RE

Impdance de sortie : Z s RC

Impdance dentre de la base: ( )

Z e = hie + h fe + 1 RE (leve, hfe ~100-200)

Linconvnient du faible gain peut tre contourn en mettant plusieurs tages

amplificateur EC en cascade (cf. plus loin). 113
4.8.3 Amplificateur collecteur commun (CC) ou encore montage metteur suiveur

Particularits des amplificateurs CC :

Le transistor en mode actif

Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor

La sortie est prise sur lmetteur

La borne du collecteur est commune lentre et la sortie Collecteur commun

Les diffrences dun amplificateur CC lautre sont :

Le circuit de polarisation

Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage.

114
Exemple: VCC

R1 Polarisation par diviseur de tension

C Couplage capacitif avec la source, vg, et la charge RL.

C
B
vg isortie
hypothse: Mode actif
E
R2
RE vs
RL

Ze

Analyse simplifie ( 1ire approximation ) :

Mode actif VBE 0.7V VE = VB 0.7V vs = vE vB = v g

v
Av = s 1 Lmetteur suit la base.
vg

115
 Analyse dynamique : transistor
ientre ib B C

hie hfeib
R1//R2 iL
E
vg
RE vs RL

Ze
RE RE kT
Gain en tension en circuit ouvert : Av = 1 RE >> r f =
RE +
hie RE + r f I E
h fe + 1
rE
Gain en tension sur charge : Av = 1 avec rE = RE // RL
L rE + r f

[ (
Impdance dentre : Z e = rB // hie + h fe + 1 rE >> 1 ) ]
vs
iL RL Z Ze
Gain en courant : Ai = = = AvL e >> 1
ientre vg RL RL
Ze
116
 Impdance de sortie
hie
ib
is
v
hfeib
vs Zs = s
rB
RE is v = 0
vs g

[ ( )]
vs = RE is h fe + 1 ib
( )hvs
vs = RE is + h fe + 1
vs = hie ib ie

hie
RE
RE hie h fe + 1 hiehie !
Zs = = = RE // = rf
(
hie + RE h fe + 1 ) hie
+ RE h fe +1 h fe
h fe + 1

117
 Dynamique de sortie

VCC
droite de charge dynamique : pente 1/rE
Ic
R1
droite de charge statique
C
C
B Q(repos) V VCE
I C = CC
isortie RE
vg
E VE = VCC VCE
R2
RE vs rE I CQ VCE
RL

VEmax VCC -0.2V VEmin 0 V

Point de repos optimal : VCEQ rE I CQ

Le point optimal dpend de la charge.

118
Lamplicateur CC en rsum :
Av 1

Z e = R1 // R2 //( hie + h fe rE ) h fe RE peut tre de lordre de quelques 100k

Rg + hie Rg + hie
Z s = RE // infrieure quelques dizaines d Ohms
h fe + 1 h fe

RL i Z
Av L = Av Av Ai = L = Av L e >> 1 hfe si RE constitue la charge
RL + Z s ie RL (i = i et i i )
L c e b
Intrts du montage :
Faible impdance de sortie Impdance d entre leve

Applications :

Etage - tampon ! Isolement d une source haute impdance de sortie d une charge basse
impdance.
exemple : 1

Amplificateur de puissance (cf plus loin) 119

4.8.4 Amplificateur base commune (BC)

Particularits des amplificateurs BC :

Le transistor en mode actif

Le signal dentre est appliqu (inject) lmetteur du transisor

La sortie est prise sur le collecteur

La borne de la base est commune lentre et la sortie Base commune

VCC

RC hfeib
E C
R1
RL rc
RE hie
ib B

R2 RE vg

120
 hfeib
Proprits :
E C

ve RE rc
hie
h fe rc
Gain en tension : Av L = ib B
hie

Ze Zs
h fe
Gain en courant : Ai = 1
hie
+ h fe + 1
RE

hie h kT
Impdance dentre : Z e = RE // ie r f = quelques .
h fe + 1 h fe + 1 I CQ

Impdance de sortie : Z s = "" (hoe = 0) 1

sinon Z s = hoe comportement en source
de courant

121
Exemple dapplication : convertisseur courant - tension

quadriple quivalent ltage BC

R
is
ie
vg
Ze Ai ie RL
Zs

vg vg
ie = vs = RL is RL Ai ie
R + Ze R tant que RL <<Zs.

~indpendant de Ze tension de sortie courant dentre

Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est vue par la charge comme une rsistance trs grande (hoe-1)
(cf. charge active)

122
4.8.5 Influence de la frquence du signal

On se limitera au montage EC pour illustrer linfluence de la frquence du signal sur les

performances dun amplificateur transistor bipolaire.

Limitation basse frquence condensateurs de liaison et de dcouplage

Limitation haute frquence capacits internes au transistor

Basse frquence C et Ce court circuit

+VCC filtres passe-haut

RC Rg C ib C
R1

hie hfeib
RG dynamique R1 // R2 RC RL
RL
vg

RE CE
R2 RE

Z E = RE // C E 0
1
fci = , avec r = R1 // R2 // Z e + Rg ZE diminue le gain
2 rC (voir ampli stabilis)
Ze = impdance
d entre de l tage 1
Frquence de coupure infrieure du f co =
{
montage = max f ci , f co } 2 (RL + RC )C 123
Hautes frquences

Rg ib
Cbc
hie hfeib Rc // RL
R1 // R2 Cbe

qualitativement: aux frquences leves, Cbe court-circuite la jonction base-metteur ib diminue

Cbc cre une contre-raction.

On montre que : Comportement en filtre passe-bas, avec

1
f ch

h fe
2 Cbe + Cbc 1 + [
RL hie // Rg // R1 / 2 ]
hie

124
4.8.6 Couplage entre tages

Objectif
Coupler plusieurs tages pour amliorer les proprits du circuit...

Exemple : Amplificateur avec

- gain en tension lev
- faible distorsion
- bonne stabilit (thermique, dispersion)
- impdance dentre leve
- impdance de sortie faible

Solution possible : stabilit et faible distorsion EC stabilis (RE)

gain lev plusieurs tages en cascades

Ze leve tage C.C en entre

Zs faible tage C.C en sortie

Difficults du couplage : Polarisation de chaque tage

Gain sur charge : chaque tage charge ltage prcdent
Rponse en frquence de lensemble (cf. couplage capacitif)
125
 Couplage capacitif
Utilisation de condensateurs de liaison, CL
Exemple: amplificateur trois tages CC - EC - CC
+VCC

R1 RC R1
R1

CL CL

CL CL
ventre charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE CE

C.C. E.C. C.C.

Les points de fonctionnement des 3 tages sont indpendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans lhypothse o la rsistance interne de Vcc ngligeable)

Les paramtres dynamiques (gains, impdances) ne sont pas indpendants

ex: limpdance dentre du 3ime tage (= charge de ltage E.C.) dtermine le
gain sur charge du 2ime tage, etc.
126
 +VCC

R1 RC R1
R1

CL CL
T1 T2 T3
CL CL
ventre charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE CE

C.C. C.C.
E.C.
ier ier ier
AvL montage = AvL 1 t. AvL 2 t. AvL 3 t.

comme Z e E.C >> Z s CC et Z eC.C >> Z s EC AvL tages Av

Rc h feT2
AvCC 1 AvL montage Av E.C =
hieT2

127 loin)
Inconvnient: les condensateurs imposent une frquence de coupure basse au montage (cf. plus
Couplage direct

Pas de frquence de coupure basse

Les circuits de polarisation des diffrents tages ne sont pas indpendants.

30V
Un exemple :
24k
hfe ~100
5k 27k
T4
T3
vs
T2 2.4k
T1 680
vg
Av -10

AvL ~1 2 suiveurs E.C. E.C.

Darlington AvL -40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x hfe>> 27k)

Amplificateur de tension stabilis : Av = AvEC #1 AvEC #2 AvEC #1 AvEC #2

L L

T T T
[ ]
Ze leve : Z e h fe1 Z eT2 h fe1 h fe2 5000 = 50 M Zs 24 k 128
 Analyse statique : VCC= 30V
24k
VCC polarise en directe les deux
jonctions EB de T1 et T2 5k 27k
(transistors PNP) 3V T4
En statique, vg = 0
0.7V T3
T1 vs
VCE = 0.7V T
0.7V T2 I E3 2.4k
T1 en mode actif T1 680
vg
T
VCE2 = 1.4V

T2 en mode actif

T T T
VE 3 0.7V I C3 I E3 1mA T
VCE3 2.3V T3 en mode actif

T T T T
VE 4 2.3V I C4 I E4 1mA VCE4 3.6V T4 en mode actif

I E2
T I E 2 5.7 mA et I E1 =
VC 4 6V hFET2 129
Autre exemple : amplificateur alimentation fractionne (tension positive et ngative)
30V

20k

27k 24k
T3 200k

T2
5.1k 200k VSortie
T1
vg 2.4k
E.C.
10k Av -10 E.C.
Av -4 -10V
E.C.
Av 2.7

Les impdances dentre des transistors T2 et T3 , et celle du pont diviseur tant trs leves
devant les rsistances de sortie de chaque tage, le gain total est approximativement gal au produit
des gains individuels :
27 24 20 1
Av = Avtage #1 Avtage # 2 Avtage #3 Pont diviseur = 60
10 2.4 5.1 2
130
 Analyse statique :
30V

20k
10V
27k 24k
6V 200k
T3
3V
T2 1mA
5.1k 200k VSortie
T1 1mA
vg 2.4k
1mA

9.3k
-10V

Statique :

10 0.7 3 0.7
T1 : I E = = 1mA, VC = 3V T2 : I E = 1mA, VC = 6V
9.3 2.4
T3 : I E =
5.3
1mA, VC = 10V Vs=0V
5.1

131
 Couplage par transformateur : condensateur d accord:
le circuit rsonnant, LC, limite la
tage EC transmission aux frquences
proches de la frquence de
rsonnace

Av = Z c
r f

condensateur de dcouplage
(masse en alternatif) (EC)

polarisation par
diviseur de
tension

transmission du signal dun tage l autre par le transformateur

Application majeure: essentiellement en radiofrquences (>500kHz)

exemple: syntonisation d une station radiophonique ou d un canal de tlvision

132
4.8.7 Amplificateurs de puissance
Impdance de sortie et amplicateur de puissance

Puissance moyenne fournie par lamplificateur :

Zs
2
RL
iL vs
vL 2 RL + Z s RL vs 2
vs RL P = vL (t ) iL (t ) = = =
2(RL + Z s )2
vL 2 RL 2 RL
charge

1
cos 2 t = , vL = amplitude du signal
2
tage de sortie dP 2
v
dun amplificateur Puissance maximale: = 0 L RL = Z s Pmax = s
dRL 8 Zs
(adaptation dimpdance)

Pour vs constant, Pmax augmente quand Zs diminue

A.N. vs=1V : Zs=10k Pmax=0.012mW | Zs=10 Pmax=12mW

Rg Etage CC
gain en puissance en conditions
Zs dadaptation dimpdance avec et
vg Ze vg charge sans tage amplificateur = Zs /Rg
133
 Amplificateur de Darlington
Amplificateur comprenant deux tages metteur-suiveur monts en cascade

Vcc Gain en tension :

Darlington Limpdance dentre de T1 est trs leve et ne
charge pas beaucoup T2
R1
Av 1
T2
R2 T1
vg
vs Impdance dentre du Darlington :
RE Limpdance dentre leve de T1 constitue la
rsistance dmetteur (RE) de T2

T1: hfe1 T2:hfe2 Z e h fe2 Z eT1 h fe2 h fe1 RE >> 1

Gain en courant :

T T T T T
iE1 iE1 ib1
iE1 iE2
Ai = = = = h fe1 h fe2
T2 T1 T2 T1 T2
ib ib ib ib ib
134
 Impdance de sortie du Darlington :

hieT2
+ hieT1
Vcc Z sT2 + hieT1 h fe hieT2
Zs 2 2
h fe h fe1 h fe1 h fe2
1
R1

T2 T1 kT h fe1 kT hieT2
puisque hie = = =
R2 I E T1 e I E1 e I E2 h fe2
vg 2

I E1 vs
I E1
RE I E2 = I B1 =
hFE1

h
Etage CC unique : Z s = ie
h fe

Pmax (tage CC avec Darlington ) >> Pmax (simple tage CC )

135
 Darlington = supertransistor bipolaire.

Existe sous forme de composant discret trois bornes, nomm transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor gain en courant extrmement lev.
(ex: 2N2785: hfe=2000-20000.)

Existe aussi avec des transistors PNP.

Utilis frquemment pour les applications d isolement entre tages (Ze trs leve, Zs trs faible)

Utilis frquemment comme tage de sortie des amplificateurs de puissance (Zs trs faible)

136
 Amplificateur Push-Pull
Amplificateur classe A / classe B
Dans les montages amplificateur vus prcdemment, les transistors sont chaque
instant en mode actif
Amplificateur de classe A
Avantages:
faible distorsion (en cas damplificateur stabilis)
simplicit
Inconvnients :
Amplitude de sortie limite (typ: 0.2<VCE<Vcc ! vCEmax~Vcc/2)
Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls

+VCC

R1 RC
(
Palimentation Vcc I CQ + I p )
Ip I CQ
ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW
R2
RE en absence de signal

Amplificateur classe B: transistor bloqu en absence de signal dentre. (ex: Push-Pull)

Avantages: Inconvnients :
faible consommation, dynamique de sortie leve Distorsion du signal 137
 Push Pull
Principe de fonctionnement
Exemple :
Transistors bloqus au point de repos
(amplificateur classe B ).

+Vcc R1 et R2 sont telles que (lorsque vg=0) on a

R1 ICNPN
VBE NPN < ~ 0.6 et VEB PNP < ~ 0.6V
B
NPN
Transistors bloqus (de justesse): IB~0 =>IC~0
R2
NPN PNP
P VCE + VEC = VCC NPN VCC PNP
~1.2V VCE VEC
vg
R2
ICNPN ICPNP Q 2 Q
RL
vsortie
B PNP ICNPN ICPNP
R1 ICPNP VP

IB~0 IB~0
IC VCENPN

0 NPN PNP VCC VCEPNP

VCE VCE
-VCC Q Q 0 138
 metteur suiveur En prsence dun signal dentre chaque transistor
est alternativement actif ou bloqu (! Push-Pull )
+Vcc
R1 Si v g>0 NPN actif, PNP bloqu
R1 i
B b
NPN
hie hfe ib = tage C.C
R2 vg>0 R1
vsortie
P
~1.2V RL
vg
R2 RL
vsortie
B PNP h
(
Av 1, Zs = ie , Ze = R1 // hie + h fe RL
h fe
)
R1

Droite de charge dynamique

v
IC ic = CE droite de charge statique
Il ny a pas de courant dynamique dans RL VCEQ ~VCC/2
les deux rsistances R2 , puisque VBB est
constante. Amplitude max : VCC/2

IB=0
VCC/2 VCE
si vg<0 NPN bloqu, PNP actif 139
Formation du signal de sortie

IC IC
vg
ib NPN NPN PNP
h feRL
VCE
VEC
t

ibPNP

Signal de sortie:
vsortie
NPN actif

t
PNP actif

Plus grand domaine de fonctionnement 140

Difficults de cet exemple
positionnement du point de repos

VBEQ trop faible

IC
ICsat
t
t
VCE
transistors bloqus

Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloques
pendant une fraction du cycle.

Risque demballement thermique (pas de contre-raction)

141
Polarisation par diodes
Point de repos
+Vcc choix de R1 : ID ~0
R1 comme VD =Vbe IE ~ID ~0

NPN
Idalement D1, D2 = diodes de
D1 caractristiques apparis aux transistors
ID 2 V BE
Stabilit thermique
vg D2 RL
ID(VD) et IE (VBE) mme dpendance en temprature
PNP vsortie
T I D VD VR1 I D .
R1

contre-raction
I D I E constant

Remarques:
L amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
Zs plus faible puissance maximale suprieure 142
4.8.8 Amplificateur diffrentiel
Deux signaux dentre, V+, V- +Vcc
Sortie = collecteur d un transistor
Rc Rc

hypothse : T1 et T2 apparis (circuit intgr) Vs

RB
T1 T2
Rgime statique : (V = V+ = 0 ) E RB
V+ IE IE V
Par symtrie : IE1=IE2=IE RE 2IE
-VEE

Pour RB <<hfeRE : VR = RB I B << 2 RE I E VEE 0.7 + 2 RE I E

B

V 0.7
I E EE
2 RE

Tension continue en sortie : Vs = VCC Rc I E

143
 Rgime dynamique: +Vcc
Mode diffrentiel: Rc Rc
hyp: V+ = V =" ve " Vs
I E1 = I E + ie 1 et I E2 = I E ie RB
2 T1 T2
avec IE la composante continue du courant metteur. V+ E RB
V
Pour de signaux dentre de faible amplitude : ie ie RE
1 2
Par consquent : I RE = I E1 + I E2 = 2 I E -VEE
Le courant dans RE na pas chang, et la tension en E reste constante.
E constitue une masse dynamique !

d o le gain en mode diffrentiel :

Rc Rc
v Rc h fe
vs Ad = s = >> 1
ve hie
RB

E RB
ve ve V+ = entre non-inverseuse
V- = entre inverseuse
tage EC
Rc h fe Rc h fe
vs = ( ve ) = ve 144
hie hie
 Mode commun:
+Vcc
hyp: V+ = V = ve I E1 = I E + ie
Rc Rc
et I E2 = I E + ie
Vs
I RE = I E1 + I E2 = 2(I E + ie ) RB
T1 T2
VE = 2 RE (I E + ie ) = 2 RE I E + 2 RE ie V+ E RB
V

RE
La tension en E quivaut celle dun tage unique
ayant une rsistance d metteur double. D o le -VEE
schma quivalent :

Rc Rc

vs
Rc
RB RB vs ve
2 RE
E E
ve ve do le gain en mode commun :

2RE 2RE Rc
Ac = << 1 pour RE >> RC
2 RE

2 tages EC stabiliss indpendants 145

 Signaux dentre quelconques :

On peut toujours crire : V + V V+ V

V+ = + + = Vmc + Vmd
2 2
V + V V+ V
V = + = Vmc Vmd
2 2

V + V V V
avec Vmc = + et Vmd = +
2 2

v
Do, par le principe de superposition : vs = Ad vmd + Ac vmc = Ad vmd mc
CMRR

Ad 2h fe RE
o CMMR = = = taux de rjection en mode commun
Ac hie (common mode rejection ratio)

Intrts de lamplificateur diffrentiel : Entres en couplage direct (seule vmd est amplifie)

Ampli. diffrentielle = tage dentre des Amplificateur oprationnel.

Impdance dentre et CMRR trs levs

146
 Polarisation par miroir de courant
2h fe RE
Il faut CMRR = >> 1
hie
+Vcc
Choisir RE trs leve pose plusieurs problmes:

ncessite une augmentation de lalimentation Rc Rc

pour maintenir Ic (donc le gain) constant Vs

incompatible avec la technologie des circuits RB

T1 T2
intgrs. RB
V+ V

IEE
il suffit que RE soit leve en rgime dynamique ! R
Solution = source de courant ( R,D,T3) T3
D IE3
hyp: D et T3 = apparis -VEE
V + VEE 0.7
I EE I E3 cc
R

147
Schma quivalent:
en dynamique
+Vcc

Vs vs

IEE hoe-1 hoe-1

-VEE

hoe-1 (effet Early de T3) est de lordre de quelques 100k.

En dynamique, hoe-1 joue le mme rle que RE et augmente considrablement CMRR.

148
 5. Transistors effet de champ ou FET (field effect transistor)
VGS
5.1 Introduction
Principe de base grille
source G
FET = Source de courant commande en tension drain
S ID
Le courant (ID) circule entre la source S et drain D via D
le canal: canal (N)
$ canal N : ID >0 de D vers S avec VDS > 0
$ canal P : ID >0 de S vers D avec VSD > 0

IG 0 VDS
La conductivit lectrique du canal semiconducteur est
module par une effet du champ lectrique induit par la
tension VGS entre la grille G et la source S. ID VGS
Le phnomne physique est non linaire

Aux faibles valeurs de VDS : caractristique ID (VDS) VGS

quasi-linaire, de pente module par VGS
~rsistance variable VDS

Aux valeurs de VDS plus leves : rgime de ~rsistance chute de tension dans le canal agit
saturation module par sur la conductivit
~source de courant commande par VGS VGS saturation de ID
149
(= mode actif)
 Diffrents types de FET

JFET : FET jonction : La grille et le canal forme une jonction PN

Symboles :
S D S D

G G

JFET canal P JFET canal N

JFET canal P :
Mode de fonctionnement habituel : VGS >0
=> la jonction Grille/Source est polarise en inverse
=> la zone conductrice du canal rtrcit (apparition dune zone dplte de porteurs )
=> ID diminue lorsque VGS augmente

Le courant de grille est trs faible : courant inverse dune diode (~nA)

JFET canal N :
Mode de fonctionnement habituel : VGS < 0
=> ID diminue lorsque VGS augmente en valeur absolue
150
Caractristique dun JFET (N): [VGS <0, VDS>0]

2 VDS = VGS + VP
ID (mA) VGS=0
I D I DSS 1 GS
V
VGS 16 I DSS
off
12
transistor
bloqu
8
VGS=-1V
4
0
VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5 2V 4 6 8 VDS (V)
P
VGSoff

Pour VGS VGSoff : ID = 0 ! le canal est totalement dplt.

Pour VGSoff < VGS < 0 : ID = sature lorsque VDS =VP +VGS o VP = tension de pincement du canal

avec VP VGS off

2

I D I DSS 1 GS
V
Dans la zone de saturation on a:
VGS
off
151
JFET(P): VDS, VP <0, VGS,, VGSoff >0. Transistor bloqu VGS >VGSoff
 MOSFET (Mtal Oxide Semiconducteur FET) appauvrissement (ou dpltion)

Symboles :
canal N D canal P D
G G

NMOS S PMOS S

La grille est spare du canal par un isolant (loxide de Si) ! IG=0

Elle forme un condensateur avec le canal.
Le canal est conducteur lorsque VGS = 0

MOSFET (N): le semiconducteur est de type N ! les lectrons sont mobiles

VGS < 0 ! charge positive dans le canal ! appauvrissement de porteurs libres

conductivit du canal diminue ! ID ( VDS>0, constant) diminue

VGS >0 ! charge ngative dans le canal ! accumulation dlectrons libres

conductivit du canal augmente ! ID ( VDS>0, constant) augmente

152
Caractristique dun MOSFET (N) :

VDS = VGS + VP
I DS (VGS )V I DS (VDS )V
DS GS
ID ID VGS> 0

I DSS VGS=0
appauvrissement accumulation VGS< 0
VGS

VGSoff 2 VDS

I D I DSS 1 GS
V
V GS off

153
 MOSFET enrichissement :

symboles :

MOSFET : canal N / canal P

dautres symboles existent
la ligne pointille indique que le
canal est inexistant tant que VGS < Vseuil

Idem MOSFET appauvrissement sauf que pour VGS=0 le canal nest pas conducteur
! MOS normalement bloqu

MOSFET (N):
VGS >VS (tension seuil) => apparition dlectrons sous la grille.
Cet enrichissement local en lectrons forme le canal.

MOSFET (P):
VGS <VS (tension seuil) => apparition de trous sous la grille.
Cet enrichissement local en trous forme le canal.

154
Caractristique dun MOSFET (N) enrichissement :

ID ID

VGS(V)
Vs VDS (V)
ID V = (VGS Vs )2
DS

155
 5.2 Modes de fonctionnement et schmas quivalents
Mode rsistance variable : VDS = VGS + VP
ID

VDS
G D

= RDS

S
rsistance fonction de VGS

1
Pour VGS > VP , et VDS <VGS +VP :RDS avec k = constante
V
k (VGS + VP ) DS dpendant du composant
2
Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ), souvent infrieure 0.5V.
Dans ces conditions, Source et Drain peuvent tre inverss.

JFET: RDS(on) = RDS pour VGS 0 MOSFET enrichissement: RDS(on) = RDS pour VGS leve (~10V).

ordre de grandeur: RDS on = 0.05 10 k ( )

RDS off = RDS VGS < VGS off (canal N) > M 156
 Mode source de courant commande ou mode actif :
ID
Pour VDS > VGS + VP , ID est commande par VGS Q VGS
2

I D I DSS 1 GS
V
VGS
off VDS
ID est command par VGS

id = g m v gs avec g m = I D =transconductance
VGS V ID (mA)
DS
16
12
schma linaire quivalent: Q 8
G id D 4

v gs g m v gs vds 0
VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5
VGSoff
S
tient compte de laugmentation de vds avec id
(quivalent de leffet Early)

caractristique ID(VGS) non-linaire : gm (VDS) 157

JFET et MOSFET dpltion

g m = g mo 1 GS , avec g = 2 I DSS
V
VGS mo = pente pour VGS=0
off V GS off

gm varie linairement avec VGS .

MOSFET enrichissement

g m = g mo (VGS Vs ), avec g mo = 2

(
Ordre de grandeur : gm=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) g m 1 = 0.1 1k )

158
5.3 Quelques circuits de polarisation

Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos

Polarisation automatique par rsistance de source:

+VDD

RD 1 ID ID V VDS
ID = VGS I D = DD
ID RS R D + RS
IG 0 G D
S
RG ID Q VGS
Q
Q
RS Q

VGS VP VDS
VGSQ VDSQ
Dipersion de fabrication
2

I D I DSS 1 GS
V
VGS
off ID , VGS , VDS .
V
I D = GS 159
RS
 Polarisation par pont diviseur

+VDD ID
V V
RD I D = th GS
RS
R1 Q Q Vth
D
RS
S VGS
R2
RS VGSQ Vth

meilleure stabilit du point de repos (du point de vu ID)

160
 Polarisation par raction de drain (MOSFET enrichissement)

+VDD
V VDS I G 0 VGS = VDS
I D = DD
RD RD
RG
ID ID
Q
D . VGS
S
VGS(V) VDS (V)
VDD

I G 0 VGS = VDS

161
5.4 Montages amplificateurs

Amplificateur source commune

Exemple : VCC hypothse: Mode actif , C trs leves

RD JFET
R1R2
R1 R// =
C C vg vgs R1 + R2
D vs RD vs
R// gmvgs
S
vg R2

RS C Ze Zs

Gain en tension (circuit ouvert) : Av = g m RD

Impdance dentre : Z e = R//

Impdance de sortie : Z S = RD

gm = fonction de VGS distorsion quadratique

162
Stabilisation par une rsistance de source :

VCC
JFET
R1 RD
vg vgs gmvgs RD
D R// vs
S vs
vg R2 rS
rS

RS

Gain en tension : v g = v gs + rs g m v gs et vs = g m v gs RD

v g R RD
do : Av = s = m D =
vg 1 + rs g m 1
+ rs
gm

Linfluence de gm sur le gain est rduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible.

rs introduit une contre-raction: v gs = v g + rs vs

(vs et vg en opposition de phase, Av <0) 163
 Amplificateur drain commun

ve G JFET D
VCC
R1
vg vGS
R1//R2 gmvGS
D S
vg S
R2 RS vs
RS vs Ze

Zs

g m RS RS
Gain en tension (circuit ouvert) : Av = = 1
1 + g m RS g m 1 + RS

Impdance dentre : Z e = R1 // R2
vsc.o. Rs g m 1
= Rs // g m 1
Rs
Impdance de sortie : Zs = = =
isc.c g m Rs + 1 Rs + g m 1

164
Remarques:

Tout FET se comporte comme une source de courant commande en tension, avec une
transconductance qui varie linairement avec la tension grille - source.

Les diffrents FET se distinguent par

- leur impdance dentre (plus leve pour un MOSFET que pour un JFET)

- leur point de repos :

le JFET ne peut fonctionner quen dpltion (VGS>0 pour canal N),
le MOSFET dpltion peut aussi fonctionner en rgime d accumulation (VGS
positive ou ngative, quelque soit le type du canal)
le MOSFET enrichissement ne fonctionne que rgime d inversion
(VGS>Vs)

En comparaison avec le transistor bipolaire, les FET ont un domaine de linarit rduite
(caractristique quadratique) et un gain en tension plus faible.

Par contre limpdance dentre est beaucoup plus grande.

Do leur utilisation frquente en tant que interrupteur.
Pour des raisons de taille, les MOSFET sont particulirement bien adapts aux circuits
intgrs.

165
5.5 FET comme rsistances variables : quelques exemples avec un JFET(N)
1
Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP : RDS
V
k (VGS + VP ) DS
2

ex:

R
vsortie RDS
vsortie = ventre
ventre RDS + R

= attnuateur variable, command par Vcom

En choississant R >> RDS on , vsortie varie entre ~0 et ventre

Vcom
Imperfection:
RDS dpend de VDS rponse non-linaire

166
Amlioration possible: 1
RDS
V
k (VGS + VP ) DS
2

R
vsortie
ventre

R1
VGS =
VDS Vcom
+ (I G 0)
2 2

1
R1 RDS
Vcom k (Vcom + VP )

Linarit presque parfaite

167
Application: Commande lectronique de gain

Etage EC avec rE =RDS (//200k)

exemple: 15V

5k
75k

1F signal de sortie
signal
dentre

50k En statique, la source de courant fixe IC

1mA

En dynamique, elle correspond une

1F rsistance trs grande, en parallle RDS
100k
Rc 5k
Av = =
hie hie
Vcom RE + RDS (Vcom ) +
100k h fe h fe

168
6. Contre-raction et amplificateur oprationnel

Circuit boucl et rtroaction

!Circuit boucl : ve e A vs
La sortie agit sur lentre

vs = A e = A(ve B vs ) B.vs
B
? A
vs = ve
1 + AB

!Rtroaction positive : laction de la sortie sur lentre renforce la variation du signal de sortie

ex: A>0, B < 0 vs Bvs e vs L

(sans dphasage)
la sortie diverge !les composants sortent du domaine linaire
par exemple : transistor sature

A
vs = ve comportement non-linaire ! A,B modifis
1 + AB

Montage transistor avec rtroaction positive: transistor en satur/bloqu 169

!Rtroaction ngative ou contre-raction : ve e A vs
Laction de la sortie sur lentre attnue la
variation du signal de sortie
B.vs
B
ex: A>0, B >0 (sans dphasage)

vs Bvs e vs L

A
la sortie converge vers : vs = ve = G ve
1 + AB
G = gain en boucle ferme :

G<A

1
Si AB >>1 , G la variation ou toute incertitude sur A naffecte pas G.
B Amlioration de la linarit

B = taux de rinjection
170
Exemple: VCC ic
R1 RC
hie i
e hfeib
CB E
CC vg Rc vs
RL RE ie
ve vs

R2R
E

[vs i ] ic = ie vE = RE ie e ib ic vs

RE ! contre-raction

v R Rc ! 1
vE = RE ie RE s = E vs = B vs Av =
Rc Rc RE B
e = v g B vs
indpendant de hie et hfe!
171
 Montage Srie - parallle (contre raction en tension):
Entre en srie avec le circuit de
ie
rtroaction
Av.vi Ri Sortie en parallle avec B
ve vi Ze vs RL !Gain en boucle ferm:
Ampli. vs A
L G = =
ve 1 + AB

retour: !A= Gain en boucle ouverte :

vr B Ze B = vs/vi avec boucle de raction ouverte, et
mme charge RL // ZeB
vr = B vs
rL
A= Av Av si Ri << rL = RL // Z eB
rL + Ri
!Court-circuit virtuel :
vs ve
vi = = << ve pour AB>>1
A 1 + AB
v
vi 0 pour A + avec ie = i 0 = court-circuit virtuel, puisque i~0
Ze

Explication qualitative :
si vi tentait daugmenter, laugmentation importante de vs (A fois plus leve ) sopposera, via
B, cette variation. 172
 ie
!Impdance dentre
Ri
Av.vi
v v + B vs vi (1 + AB ) ve vi vs RL
Ze B.F .
= e= i = = Z e (1 + A B ) >> Z e Ze
ie ie ie

vr B
B.F.=boucle ferme

Limpdance dentre est augmente par la rtroaction :

Qualitativement : la contre-raction maintient vi proche de 0 ie0 ZeB.F. +

!Impdance de sortie

Qualitativement : En prsence de limpdance de sortie ZsB.F., une diminution

de RL fera chuter la tension vs.

la diminution de vs induit, via la contre-raction, une

augmentation de vi , laquelle soppose la diminution de vs

limpdance de sortie est rduite (0 si A)

Limpdance de sortie est diminue par la rtroaction 173

 Ri
Calcul de ZsB.F: vi Av.vi
ve vs RL

v (R = + )
Lorsque RL = Z s B.F on a vs (RL ) = s L
2
vr B Ze B
Zs

A(RL )
vs (RL ) =
RL
A(RL ) =
B B
ve avec Av et ri = Ri // Z E Ri si Z E >> Ri
1 + A(RL ) B RL + ri

Av
vs = ve
ri
+ (1 + Av B )
RL

v (R = ) ri
vs = s L RL = = Z s B.F . << Ri
2 1 + Av B

Conclusion

Si A : Gain stable, linarit parfaite, Ze infinie, Zs nulle !!

utilisation dun amplificateur oprationnel (A~104 - 106, Ri trs faible, Ze trs leve)
174
 Amplificateur oprationnel

Architecture dun amplificateur oprationnel:

+ Amplificateur Etage Ajustement Emetteur

amplificateur composante suiveur sortie
- diffrentiel
(EC, Darlington) continue

amplification de v+-v- (gain lev en mode diffrentiel )

Amplificateur attnuation de v+ + v (gain <<1 en mode commun )
diffrentiel 2
Ze leve Darlington, MOSFET,...

augmente le gain total (Av>>1)

Etage amplificateur ex: montage metteur commun avec transistor composite
(Darlington, hfe >>1) et RC leve charge active

Ajustement DC pas de composante continue en sortie

Emetteur suiveur impdance de sortie faible

Configuration Push-Pull : domaine de linarit

175
 Le schma simplifi (!) du LM741 :

1.12V

Paire diffrentielle
avec Darlington

sources (mirroirs) de courant EC Darlington Push-Pull

176
 Exemples de circuits avec rtroaction ngative :
Sources de courant

VCC
Par contre-raction : vi0
R Vcc Ve
R1 I sortie (hyp: hFE lev , AO parfait)
VCC R

vi A.O. Isortie indpendant de la charge,

Ve ( leffet Early prs)
Isortie
VEE
R2
charge tension de commande = Vcc-Ve

Version avec tensionde commande Vcc

refrence par rapport la masse : R3
R1

Ve
Isortie

R1
L I sortie = Ve
R2 R3
R2
177
Rgulateur

transistor Contre raction :

de puissance (ex: 2N3055), V+ = V V A = 5.6V
avec radiateur
entre sortie : 10V
12V 30V (rgul) 0 10 A I1 = 1mA Vsortie = 10V
(non rgule)
Si VA diminuait V+>V-
Darlington
VB augmenterait

10k 4.3k Vs= VB -1.4 augmenterait

VA augmenterait
A
741
B I1 10
max
I sortie <
Z s Darlington
5.6k
DZ:5.6V

178
 ANNEXE: Rappel de quelques montages de base avec A.O.

i2 R2

Amplificateur inverseur i1 R1 ie
-
vd Ad
+
vi ie vs

A.O. idal ie , ie= 0 et i2 =

( vd ) vs v ( vd )
= i1 = i , avec vs = Ad vd
R2 R1

R 1 A R
vs = vi 2 d vi 2
R1 R 1 R1
1 + 1 + 2
R1 Ad
do le gain en tension du montage :
v R
Av = s = 2 = indpendant de Ad !!, ne dpend que des lments passifs.
vi R1 ( condition que Ad >>1+R2/R1)

vd=vs/Ad << vi ex : vs= 10V, Ad=105 vd = 100V ~ court-circuit entre les deux entres

Lentre inverseur constitue une masse virtuelle v-= 0 avec i-=0 ! 179
 i2 R2
Amplificateur non- inverseur
i1 R1 ie
-
vd Ad
+
ie vs
vi

v v v v R2
A.O. idal ie, ie= 0 et Ad infini vd = 0 i1 = i2 = i s = i s =1+
R2 R1 vi R1
Interprtation: Contre-raction en tension
si vd , vs = Ad vd ( Ad >> 1) v vd = v vd se stabilise
par contre, si vd , vs = Ad vd ( Ad >> 1) v vd = v rapidement 0

Symbolisme dautomatisme:

vd vs
vs = Ad (vi Bvs ) s =
v Ad
vi - Ad
vi 1 + Ad B
v-
B
vs 1 R2
R1 Pour Ad>>B-1, = =1+
avec B= vi B R1
R1 + R2 180
 Influence des imperfections de l AO: courants et tension doffset

A.O. idal : Vs = 0 lorsque Vd=0, I- = I+ = 0

Imperfections de l A.O. rel : I-

-
I- , I+ = courants de polarisation (courant de base) des transistors +
I+
I- I+ 0 Vs 0 mme en absence de signaux dentre;

V+ V- en raison de la dispersion, mme faible, des transistors dentre

de lamplificateur diffrentiel.
En absence de signaux lentre : V+ V = Vd o
(Vdo=diffrence des tensions VBE des 2 transistors)

Schma quivalent :
Vd o
+
I+ vd Ze Zs

- Ad vd
Vsoffset
I-

181
Mthode de compensation :
Pour maintenir Vsoffset faible on cherche ce que les rsistances vues des deux entres soient
identiques.

Exemple : amplificateur inverseur ou non-inverseur :

(schmas identiques en absence de signaux dentre)
Hypothse : Vdo= 0mV, I-=I+=100nA

I R1 + I R2 = I
Circuit sans compensation :
En premire approximation:
pour Ad suffisamment lev, vd 0 (masse virtuelle)
I R2 R2 (1M)
VR1 = 0 I R1 = 0 V
V = s ~ 0
R1(100k ) I- Ad
- d o I R2 I
I R1 vd Ad
+ et Vs offset = R2 I = 0.1V
I+ Vs

Vsoffset est d autant plus leve que R2 est grande.

182
Circuit avec compensation :

Mthode de compensation : insertion dune rsistance approprie entre la masse et lentre non-inverseur

R2
lorsque Vs = 0, V = I (R1 // R2 ) = I " R// "
R1 I-
-
Ad En prenant R+ = R// on aura : V+ = I + R//
vd
+
R+ I+ Vs En consquence si I- I+ , on garde vd =V+-V- = 0 et Vs=0.

lorsque I+ I-, il faudrait choisir I+R+= I-R//

R
Si Vdo 0 et I+-I-=Ioffset, on aurait : Vs offset = I offset R2 + Vd o 1 + 2
R1

:-(( :-))

183