Cours Capteurs Magnétiques Vourch 2015 PDF

MASTER CIMES
Capteurs, Instrumentation et Mesures
UE 5AC02
Capteurs Industriels
Capteurs magnétiques
Eric Vourc’h
eric.vourch@satie.ens-cachan.fr
Ecole normale Supérieure de Cachan

Laboratoire SATIE
SATIE 1
Introduction
80 T Bobine supra. pulsée
Grandeur Unités
2 T Electroaimant
Induction Tesla Gauss (G) Champs liés à

B
magnetique (T) 1G = 10-4 T 10mT Câble électrique l’activité
industrielle
Champ Oersted (Oe)
H A.m-1
magnetique 1 A.m-1 = 4.pi.10-3Oe
Weber (Wb) 50µT Champ magnétique
Flux
 T.m2 terrestre
magnétique 1T.m2 = 1 wb
1µT Bruit urbain
Champs
biomagnétiques
0.1nT Cœur humain
10fT Cerveau humain
15 ordres de grandeur  justifie la variété de technologies de capteurs

2
Introduction
Les capteurs magnétiques peuvent être utilisés directement pour des mesures de
champs, mais aussi pour des mesures de distances, de vitesses, pour des mesures de
courants, pour la détection de pièces métalliques, pour du contrôle non destructif…
Plan du cours
• Introduction
• Capteurs inductifs
• Capteurs de Hall
• Rappels sur le magnétisme
• Magnétorésistances anisotropes (AMR)
• Magnétorésistances géantes (GMR)
• FluxGates
3
Introduction
Un capteur fait généralement partie d’une chaine de mesure dans laquelle sa

grandeur de sortie subit un conditionnement destiné à ce que la mesure (ou signal
de sortie) donne une estimation optimisée du mesurande.
Mesurande Capteur Conditionnement Mesure
Ampli d’instrumentation v(t)=KB0sinw0t+b(t)
B0cosw0t
Coeff .lié au
gain de l’ampli
Bruit (signal parasite intrinsèque

aux capteur ou à l’électronique
de conditionnement)
4
Introduction
Les technologies de capteurs de champ sont variées, le bon choix dépend de
l’application visée et des contraintes que l’on se fixe…
Caractéristiques déterminantes dans le choix d’un capteur de champ
 Dynamique de mesure : différence entre les valeurs extrêmes

mesurables par le capteur pour une marge d’erreur fixée.
 Résolution : plus petite valeur que le capteur est en mesure
d’identifier. La résolution est liée au bruit.
 Sensibilité : facteur de proportionnalité entre le signal de sortie du
capteur et la grandeur mesurée (en V/T par exemple).
 Bande passante : gamme de fréquence où le capteur fonctionne. Elle
est caractéristique de la rapidité du capteur.
 Coût
 Encombrement
 Facilité de mise en oeuvre
 Diverses dérives : Sensibilité à la T°, offset.
5
Introduction
Caractéristiques liées aux erreurs de mesures
 Erreur systématique, erreur accidentelle
Un capteur, ou plus généralement un système de mesure, ne donne pas

nécessairement ni systématiquement la valeur vraie X0 de la grandeur recherchée.
La mesure X comporte souvent une erreur
Erreur absolue = X-X0

Erreur relative (%) = (X-X0)/X0
L’erreur de mesure résulte de plusieurs contributions généralement classées

dans deux catégories :
 les erreurs systématiques ou biais

 les erreurs accidentelles (aléatoires).
6
Introduction
Caractéristiques liées aux erreurs de mesures
 Erreur systématique, erreur accidentelle
X0 Erreur systématique
Erreur accidentelle
t
Introduction
Origine des erreurs systématiques :
 valeur erronée d’une grandeur de référence,
 erreur d’une courbe d’étalonnage,
 écart à la linéarité d’un capteur ou conditionneur (exple pont de Wheatstone)

supposé linéaire,
 correction erronée apportée aux mesures (mauvaise correction d’offset),

…
8
Introduction
Origine des erreurs accidentelles :
 erreur de lecture d’un appareil à déviation (exemple : le pèse personne),
 erreur de mobilité (mobilité : variation maximale du mesurande qui n’entraine

pas de variation de la grandeur de sortie du capteur) : en dessous d’une
certaine variation du mesurande le capteur n’est pas sensible ;
 erreur d’hystérésis (matériau ferromagnétique, ou hystérésis mécanique

d’un ressort…) ;
 bruits : thermique, amplificateurs de l’électronique de conditionnement…
 fluctuations des tensions d’alimentation ;
 inductions parasites (dues au rayonnement éléctromagnétique à fréquence

industrielle en particulier) ;
 dérive temporelle de la tension de sortie d’un ampli. par exemple
 diverses dérives : sensibilité à la T°, offset.

9
Introduction
 Justesse, fidélité, précision
La notion de justesse (accuracy) est liée à l’erreur systématique…

La notion de fidélité (precision) est liée aux erreurs accidentelles de la mesure…
Soit par exemple une grandeur mesurée X[n] consistant en une superposition de
 X0 : la valeur vraie
 esyst : une erreur systématique (biais)
 b[n] : un bruit
X[n] = X0 + esyst+b[n]
Il est intéressant, pour quantifier l’incertitude sur la valeur mesurée, d’en calculer
l’espérance et l’écart type.
Espérance : E X 
N
   pn Xn  m
n 1
      
Variance : Var X  E X  E X 2  E X  m2 
Ecart-type :   Var X  est une indication de la dispersion des
résultats par rapport à la valeur moyenne
10
Introduction
Si la statistique du bruit (densité de probabilité p(x)) satisfait la loi normale

(gaussienne) on a :
  X  m 2 
pX  
1
exp  
 2  2 2 

X1
PX  X1    pX dX

11
Introduction
Prenons l’exemple X0=0 et supposons que la mesure comporte des erreurs

systématiques (biais…) et accidentelles (aléatoires).
12
Introduction
Faible justesse et faible fidélité Faible justesse et grande fidélité
Grande justesse et faible fidélité Grande justesse et grande fidélité
13
Introduction
 Justesse :
 Fidélité :
 Précision :
14
Introduction
Parenthèse : Le bruit en électronique
Le bruit affecte tout système de mesure et a fortiori les capteurs de champ.

La source de bruit peut être intrinsèque au capteur (bruit thermique dû à la
résistance interne de bobines par exemple) ou liée aux circuits électroniques de
conditionnement (étages d’amplification en particulier)
 Le bruit thermique
 Le bruit dans les quadripôles
 Facteur de bruit
 Formule de Friis
15
Introduction
Le bruit en électronique
Conséquences du bruit sur la mesure d’un capteur muni d’une électronique de
conditionnement.
Exemple des tête de lecture de disques durs magnétiques (à base de capteurs GMR)
1 1 0 1 0
X(t) = X0(t) +b(r)
t
La tête de lecture mesure le champ
magnétique à la frontière de deux
domaines magnétiques du disque.
Idéalement le résultat est binaire. t
X0(t)= valeur vraie
X(t) = valeur mesurée
16
1 1 0 1 0
Introduction
Conséquences du bruit
Circuit de conditionnement : récepteur optimal
Le rôle du récepteur optimal est de reconstruire le signal binaire à partir de la mesure bruitée
Signal NRZ
Circuit de
Recup. décision
d’horloge
17
Introduction
1 1 0 1 0
X0
 Echantillonnage
X(t) 
 Comparaison à un seuil
t
0 1 1 1 0
 Décision
t
Transitions du canal 18
Introduction
19
Introduction
Quelques points de comparaison entre capteurs de champ magnétique
Plage de détection typique d’induction de différents capteurs
20
Introduction
Performances intrinsèques de différents capteurs de champ
en termes de densité spectrale de bruit en champ
[Ref] Niveau de bruit de champ magnétique intrinsèque au capteur (pT/Hz) en fonction de la fréquence.
C. Dolabdjian Laboratoire GREYC – Caen France. 21
Plan du cours
• Introduction
• FluxGates
22
Capteurs inductifs
• Mono-capteurs inductifs
 Exemple d’application
• Multi-capteurs inductifs
• Ceintures de Rogowski
• Tachymètre à réluctance variable
23
Capteurs inductifs
Principe
D’après le loi de Lenz, une inductance peut être utilisée pour mesurer un champ magnétique
variable via la f.e.m. de sortie.
i(t)
d
e t    ~ e(t)
dt
Sensibilité
B(t)
d d d
e t      n  B0 dS  nA  B0 cos t 
dt dt A dt
 e  t   nA  B0 sin t   S  nA2 f V / T  sensibilité
En pratique une bobine n’est pas assimilable à une inductance pure. Sa bande
passante est donc limitée et sa sensibilité n’augmente pas indéfiniment avec la
fréquence.
Modèle équivalent d’une bobine :

R L
24
C
Capteurs inductifs
Modèle équivalent d’une bobine :
Comportement Comportement Comportement

résistif inductif capacitif
25
Capteurs inductifs
Bande passante
La bande passante est limitée par les effets capacitifs du circuit :
26
Capteurs inductifs
Résolution
C’est la plus petite valeur que le capteur est en mesure d’identifier, la résolution est liée
au bruit.
En l’occurrence, le terme de bruit prépondérant est celui lié à la résistance.
Bruit thermique :
R
R   4kTR f V 
Source de bruit thermique équivalente à R
+ la bobine comporte de spires, + la résistance est grande + la résolution ;
d’un autre côté + la bobine comporte de spires + la sensibilité 
!!! Pour les bobines de très faibles dimensions, le bruit intrinsèque est faible mais le
signal de sortie aussi, cela implique d’utiliser des amplificateurs ; or, ils constituent une
source de bruit supérieure au bruit thermique.
27
Capteurs inductifs
Exemples de composants du commerce
3 technologies de bobines de faibles dimensions
Bobine sur circuit imprimé PCB (bobine PCB) :

Caractéristiques :
 4 spires
 8 couches
1mm
Sensibilité : 7,02 V/T
 Résistance : 3,5 Ω 3mm
 Bruit attendu : 0,24 nV
Bobine micromoulée sur silicium (microbobine) :

Caractéristiques : 3mm
 40 spires
 1 couche 1mm
 Résistance : 55 Ω

1mm
Mini bobine (société Statice) : 1,4mm

Caractéristiques :
 460 spires

 Résistance : 32 Ω
1,4mm
28
Capteurs inductifs
Conclusion sur les capteurs inductifs élémentaires

Principales caractéristiques des capteurs inductifs
Types de Plage de mesure Sensibilité T° d’utilisation Stabilité Dimensions Fonctionne Coût

capteurs thermique en continu
Bobines 0.1pT<B<100T Bonne >1mm1mm Non Faible
1nG<B<106G 1mm
Principaux avantages et inconvénients des capteurs inductifs
Types de Principaux avantages Principales limitations Exemples d’applications

capteurs
Bobines Robustesse Encombrement CND, capteurs angulaires, compte
Tenue en T° Ne fctne pas en continu tours…
29
Capteurs inductifs
Un exemple d’application
Le contrôle non destructif à
Signaux CF Z=V/I ou e/I
courants de Foucault (CF)
Z dépend de
I(t) Champ magnétique • la géométrie de la cible
~ • ses propriétés électromagnétiques (,)
V(t)
Champ magnétique e(t) • du positionnement capteur-cible
de réaction
CF induits Im Z
Z’
Cible (, , géom.) Re
30
Capteurs inductifs
Structures multi-capteurs
On peut réaliser des multi-capteurs constitués de réseaux de bobines.
Ils peuvent être exploités dans des stratégies d’émission /réception variées.
[Ref] “LOW FREQUENCY EDDY CURRENT ARRAYS WITH VIDEO CLOCK”

Gerhard MOOK, Fritz MICHEL, Jouri SIMONIN,Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Germany 31
Peter ROST, BASF SE Ludwigshafen, Germany
Capteurs inductifs

Capteurs inductifs
Sonde flexible pour l’inspection de tubes (CEA)
Sonde flexible à 64 micro-bobines (CEA)
[Ref] FLEXIBLE AND ARRAY EDDY CURRENT PROBES FOR THE INSPECTION OF COMPLEX PARTS
B. Marchand, JM. Decitre, O. Casula CEA, LIST, F-91191 Gif-sur-Yvette, France 33
Capteurs inductifs

Capteurs inductifs
CND courant de Foucault appliqué à la métallurgie
Mesures d’épaisseur de galvanisation
Ligne de galvanisation en continu (procédé Sendzimir)
CND CF
Ref. : Larousse
35
Capteurs inductifs
CND courant de Foucault appliqué à la métallurgie
Mesures d’épaisseur de galvanisation
Les techniques CF (notamment les mesures d’impédance normalisées qui seront traitées en TP) sont utilisées
dans l’industrie pour la mesure d’épaisseur de couches conductrices.
Pour la mesure d’épaisseur de galvanisation de tôles en acier, des capteurs CF sont placés près des buses de
soufflage qui régulent l’épaisseur de zinc déposée sur la tôle issue du bain de galvanisation.
Nota : Des techniques d’instrumentation de type mesures différentielles sont mises en œuvre afin d’affranchir les
mesures des effets des vibrations des tôles.
Galvanisation de tôles d’acier Société Stein-Heurtey
Zn  100 µm
Capteurs CF
36
Capteurs inductifs
Ceintures de Rogowski
La ceinture de Rogowski effectue une mesure de courant par l’intermédiaire d’un capteur
inductif.
Structure Bobinage enroulé sur un tore amagnétique souple.

Applications Mesure de forts courants AC (électronique de puissance).
Originalité et avantages Capteurs encerclants souples, mesure relativement insensible à
au centrage du tore par rapport au câble traversé par le courant
à mesurer, et même à une déformation du capteur encerclant
souple.
Capteur peu sensible aux inductions perturbatrices
37
[Ref] “Isolated current and voltage transducers” Characteristics – applications - calculations LEM
Capteurs inductifs
38
Capteurs inductifs
39
Capteurs inductifs
f.e.m.
40
Capteurs inductifs
41
Capteurs inductifs
42
Capteurs inductifs
 Insensibilité à la position du conducteur
43
Capteurs inductifs
 Variante technologique
Structure de capteur de Rogowski en technologie PCB (circuits imprimés)
44
[Ref] “Isolated current and voltage transducers” Characteristics – applications - calculations LEM
Capteurs inductifs
Tachymètre à réluctance variable
Le capteur consiste en une bobine à noyau magnétique soumise à l’induction d’un aimant
permanent.
Il est placé en vis-à-vis d’une roue dentée ferromagnétique solidaire de la pièce tournante
dont on veut déterminer la vitesse.
La discontinuité magnétique, i.e. la variation d’entrefer, engendre une variation de la
réluctance du circuit et par suite une variation du flux d’induction embrassé par la bobine.
Cette variation qui, compte tenu de la denture de la roue, est périodique, crée en sortie du
capteur une force électromotrice de fréquence proportionnelle à la vitesse de rotation.
Capteur magnétique
d’impulsions Profil de roue face
t au capteur
d
dt
t FEM résultante
Aimant
Entrefer permanent
variable
45
Capteurs inductifs
Tachymètre à réluctance variable
d
dt t
Circuits de conditionnement s
Redressement Moyennage s
/Trigger
v
Capteur
inductif
V(t)
t
Plan du cours
• Introduction
• FluxGates
47
Effet Hall
Principe
L’effet Hall se manifeste dans les semi-conducteurs et les conducteurs
(échantillon de matériau long).
Il faut que le conducteur soit parcouru par un courant I (d’électrons ou/et de trous),
orienté selon la longueur de l’échantillon.
Il faut que le conducteur soit soumis à un champ magnétique B  I
Illustration : Porteurs de type n
Matériau
SC I
e-
vdn
48
Effet Hall
L’effet Hall se manifeste que ce soit avec les porteurs de type n (électrons)
ou les porteurs de type p (trous).
Notations : Ee : champ électrique extérieur appliqué au matériau et

responsable de la conduction
vdn : vitesse de déplacement électrons vdp : vitesse de déplacement trous
µn : Mobilité des électrons µp : Mobilité des trous
v dn  µn E e v dp  µ p E e
n : densité d’électrons/m3 p : densité de trous/m3
n = q.n.µn : conductivité des électrons p = q.p.µp : conductivité des trous
Jn = n Ee : densité de courant d’électrons Jp = p Ee : densité de courant de trous
En présence d’un champ magnétique B, les porteurs subissent la force de Lorentz
Fn = -e.vdn^B Fp = e.vdp^B
49
Effet Hall
Illustration : Porteurs de type n
B
Fn = -evdn^B I
Ee=- evdn
vdn
Dans la configuration prise pour exemple (compte tenu du sens du courant …)

Les e- subissent une force de Lorentz Fn dirigée vers le haut…
La force de Lorentz Fn engendre un régime transitoire au cours duquel la trajectoire

des e- est déviée.
50
Effet Hall
La force de Lorentz Fn engendre un régime transitoire au cours duquel
la trajectoire des e- est déviée.
B I
Fn
Ee
+++
+++
Il apparait des charges électriques sur les faces (haut/bas) du matériau

Dont l’effet est de créer un champ électrique de Hall EH qui s’oppose à Fn
via la force FH = -eEH.
51
Effet Hall
On atteint le régime stationnaire lorsque FH = -eEH compense Fn :
Fn B I
EH Ee
FH
+++ +++ +++ +++
+++ +++ +++ +++
F n  F H n  0  evdn  B  eE H n  0
 E H n  vdn  B  E H n  µn E e  B
52
Effet Hall
Angle de Hall :
On appelle angle de Hall Hn l’angle qui sépare le vecteur champ électrique total
( E  E e  E H n ) du vecteur densité de courant.
E
Hn E Hn
B
J Ee
 
EH n µn Ee B
tan  H n    µn B
Ee Ee
53
Effet Hall
Régime stationnaire
Fn B I VHn
EH Ee
FH
+++ +++ +++ +++
+++ +++ +++ +++
Une tension de Hall VHn apparaît entre les faces du matériau
h
VH n   E H n  dz  µn  Ee  B  h
0 54
Effet Hall
Champ et tension de Hall :
Jn
E Hn  v dn  B   µn E e  B  µn B
e  n  µn
1 I
 E Hn  Jn  B or, Jn 
en hd
1 RH
En définissant la constante de Hall RH n  il vient : EH n  I B
en hd
h
RH n
or VH   E H n  dz donc VH n  I B VH est proportionnelle à I et à B ;
0
d elle est proportionnelle à la mobilité
des porteurs et donc inversement
Or VH n  µn  Ee  B  h proportionnelle à la densité de
charges puisque µn=1/(.n).
55
Effet Hall
Caractéristiques et paramètres sensibles
RH n
On a VH n  I B Pour une mesure de B correcte
d Le courant de polarisation doit être
constant et stable
Terme constant La constante de Hall doit le rester
Une électronique de conditionnement ou d’asservissement peut être utilisée pour

corriger les instabilités de I et de RH, cette dernière étant sensible à la T° (car n l’est) et
d’une valeur imprécisément contrôlée à la fabrication.
Capteur de Hall + électronique d’asservissement = ASIC (Application Spécific integrated

Circuit).
56
Effet Hall
1  Pour que la sensibilité du capteur de Hall soit “grande”, le
RH n  matériau doit présenter une forte mobilité µ, i.e. une faible
en densité de porteurs n.
Choix du matériau eu égard à la mobilité µ
Les SC sont préférés aux conducteurs en raison de leurs densités de porteurs
plus faibles (i. e. mobilité plus grande) de plusieurs ordres de grandeur (exple : un
SC comporte de  107 fois moins d’e- par unité de volume que le cuivre).
Parmi les SC on choisira l’antimoine d’indium (InSb) ou l’arséniure d’indium (InAs)

de préférence à l’arséniure de gallium (AsGa) dont la mobilité est moindre.
InAs InSb AsGa

µn (cm2/Vs) 33600 78000 8500
µp (cm2/Vs) 460 750 400
+  est élevée  + RH est élevée  + la sensibilité du capteur (V/T) est élevée
57
Effet Hall
Choix du matériau eu égard à l’Influence de la température (*) µV/(A/m)=µ.m
Application d’un courant au SC   de

la T° du matériau  offset en sortie
*
 Choisir un matériau dont les caract.

(en particulier µ et le nb de porteurs
ionisés) varient peu avec la T°.
A ce titre, l’InAs et le GaAs sont avantageux car ils ont des constantes de Hall RH
faiblement sensibles à la T° (RH  10% pour [-40° à 100°])
Bande passante
La tension de Hall n’apparaît pas instantanément, elle s’établit après un régime

transitoire. La masse et la vitesse des proteurs mis en jeu influent sur la durée du régime
transitoire et donc sur la fréquence de coupure d’un capteur de Hall.
Celle-ci peut dépasser la dizaine de MHz, voire aller bien au delà.
En rêgle générale, ce qui limite la bande passante de ce type de capteur c’est

l’électronique d’asservissement.
58
Effet Hall
Linéarite
En pratique, la caractéristique du capteur n’est pas aussi linéaire qu’en théorie.
Pour linéariser la réponse sur les capteurs de pécision, une résistance ajustable est
placée en dérivation de la polarisation.
Mise en oeuvre
Correction
I
Réglage de l’offset
en fct° de T°
Réglage de la
linéarité de la
réponse
ASIC Réglage stabilité /t T°

59
Effet Hall
Les capteurs de Hall peuvent être, ou ne pas être, associés à une électronique de conditionnement.
D’un côté l’encombrement est plus faible et de l’autre les performances sont meilleures.
Ref. : les Techniques de l’Ingénieur, Costa et Poulichet

60
Effet Hall
Extrait de la documentation technique d’un capteur de Hall (Honeywemm SS94A2)
61
Effet Hall
Conclusion
Principales caractéristiques des capteurs à effet Hall

Effet Hall (Théoriquement 0.05mV/G De -40 à 150°C Faible Typiquement Oui Faible
Infinie : pas de 431,5mm
saturation)
0,1mT<B<30T
1G<B<0,3MG
Principaux avantages et inconvénients des capteurs à effet Hall

capteurs
Effet Hall Faible coût Sensibilité aux variations de T° Mesure de courant
Bonne linéarité sur une grande plage de Répétabilité
mesure
62
Plan du cours
• Introduction
• FluxGates
63
Rappels sur le magnétisme
Les capteurs que nous verrons par la suite (AMR, GMR, Fluxgate…) utilisent des
matériaux ferromagnétiques.
Leur compréhension mérite quelques rappels sur le magnétisme.
Généralités
Une source de courant J engendre une induction magnétique B :
rotH  J théorème d’Ampère
▶ Dans le vide B  0 H champ

magnétique
perméabilité magnétique du vide
▶ Dans un matériau magnétique B  0 H  0 M  B0  0 M  B0   B0

aimantation
susceptibilité magnétique du matériau

 B  (1   ) 0 H B  r 0 H
perméabilité magnétique
relative du matériau 64
Généralités…
Catégories de matériaux magnétiques :

 < 0 et de l’ordre de 10-5  matériau diamagnétique.
 > 0 et inférieur à 10-3  matériau paramagnétique.
 > 0 et très grand pouvant atteindre 105  matériau ferromagnétique.
Le comportement diamagnétique, paramagnétique ou ferromagnétique d’un matériau ne

s’explique que par les phénomènes magnétiques qui s’y produisent à l’échelle
microscopique.
Magnétisme à l’échelle microscopique B

▶ Echelle macroscopique : Théo. d’ampère J B J
▶ Echelle microscopique :
 moment
S magnétique
de spin
moment magnétique orbital

e- 65
J
Magnétisme à l’échelle microscopique…
Moment magnétique atomique total
Pour un atome on peut calculer le moment

magnétique total en faisant la somme des
contributions des moments orbitaux et de spin de
tous les e-.
Il s’avère que le moment magnétique d’une J e-

couche électronique complète est nul.
Pour qu’un atome ait un moment magnétique

permanent il faut qu’il existe des e-
célibataires.
Du magnétisme microscopique au magnétisme macroscopique
Dans un agrégat d’atomes, leurs moments magnétiques interagissent . Il en résulte 3

catégories de matériaux : diamagnétiques, paramagnétiques, ferromagnétiques (et ferri
et antiferro-magnétique).
66
Retour à l’échelle macroscopique
▶ Diamagnétisme
En plongeant un matériau dans un champ magnétique H0, par induction, les

électrons acquièrent une vitesse angulaire de rotation autour de la direction de
H0. Ce mouvement crée un moment magnétique induit qui s’oppose au
champ lui ayant donné naissance.
C’est le phénomène de diamagnétisme qui est caractérisé par une
susceptibilité magnétique  négative, puisque le champ induit s’oppose au
champ extérieur, et dont l’ordre de grandeur de 10-5 est très faible.
Ceci explique que quand d’autres phénomènes (paramagnétisme,
ferromagnétisme) entrent enjeu l’effet du diamagnétisme y soit « noyé ».
67
▶ Paramagnétisme
Lorsque les couches électroniques d’un atome sont incomplètes celui-ci

possède un moment magnétique permanent. Le paramagnétisme est l’effet
d’orientation des moments magnétiques atomiques du matériau sous l’effet
d’un champ extérieur. Ce phénomène, dont la contribution au champ total
correspond à des susceptibilités magnétiques de l’ordre de 10-3 masque le
diamagnétisme pourtant toujours présent.
Les moments magnétiques sont soumis à deux phénomènes antagonistes : d’une

part à l’énergie d’interaction entre les moments magnétiques et au champ
extérieur qui tend à aligner ceux-ci sur celui là et d’autre part, à l’agitation
thermique qui tend à une orientation isotrope des moments intrinsèques du
matériau … Thermo. statistique  la loi de Curie selon laquelle la susceptibilité
paramagnétique dépend de la température :
C

T
68
▶ Ferromagnétisme
Lorsqu’un matériau ferromagnétique est plongé dans un champ extérieur on
constate un accroissement du champ, mais cet accroissement est supérieur de
plusieurs ordres à celui qui se produit pour un matériau paramagnétique.
De plus, lorsque l’on supprime le champ extérieur il persiste une aimantation. C’est
le phénomène de rémanence.
Si le paramagnétisme résulte de la combinaison de deux phénomènes :
▶ Existence de moments magnétiques atomiques intrinsèques.

▶ distance atomique suffisante pour négliger les interactions entre moments.
Dans un matériau ferromagnétique la distance atomique est plus réduite et on

ne peut négliger les interactions atomiques et moléculaires.
Les «faibles» distances inter-atomiques de la maille cristalline donnent lieu à

interactions assez fortes pour aligner tous les spins (3d) célibataires des atomes
voisins parallèlement entre eux.
69
▶ Ferromagnétisme …
Prenons l’exemple du fer :
Le fer cristallise dans le système cubique centré (CC). En raison des interactions des
moments magnétiques atomiques ceux-ci s’alignent dans les directions présentant
une grande densité d’atomes, type (1,0,0), appelées direction de facile aimantation (un
cristal CC possède 3 directions équivalentes).
Un cristal ferromagnétique devrait a priori être caractérisé par une aimantation spontanée.
Ca n’est pas le cas à l’échelle macroscopique.
En fait le matériau s’organise en domaines de Weiss dans lesquels l’aimantation est

orientée selon l’une ou l’autre des directions de facile aimantation.
Sans champ extérieur appliqué, il y a statistiquement équipartition entre les

domaines ayant les diverses directions d’aimantation, d’où l’absence d’aimantation
macroscopique.
70
Le ferromagnétisme ne s’explique pas uniquement
par l’interaction des moments magnétiques. Il faut
pour cela faire appel à la théorie des champs
moléculaires de Weiss. Domaine de
Bext fermeture
Un matériau ferromagnétique est divisé en
domaines dits de Weiss séparés par des parois
de Bloch. A l’intérieur d’un domaine, l’orientation
Domaine de Weiss
magnétique est identique.
Placé dans un champ magnétique les Bext

moments magnétiques des différents
domaines ont tendance à s’aligner sur le
champ et les parois à se déplacer.
On atteint une saturation lorsque tous les

domaines ont la même orientation.
Bext
Déplacement des parois de Bloch et variation des domaines de Weiss d’un matériau
ferromagnétique sous l’influence d’un champ extérieur Bext.
71
Un matériau ferromagnétique est caractérisé par un phénomène de dédoublement de sa

courbe d’aimantation B(H), appelé hystérésis, qui prend son origine dans le
déplacement des parois de Bloch.
Placé dans un champ H croissant, un matériau B
ferromagnétique voit son induction B croître jusqu’à une Bsat

saturation.
Lorsqu’on diminue H, B décroît en suivant une courbe de Br
désaimantation située au dessus de la courbe
d’aimantation. Il y a un retard à la désaimantation ou
hystérésis. -Hmax -Hc
H
Hc Hmax
L’induction Br atteinte lorsque H s’annule est appelée
induction rémanente.
-Br
La valeur négative de champ -Hc qui annule B est

-Bsat
appelée excitation coercitive. La courbe B(H) suit un
cycle dit d’hystérésis.
72
Revenons aux domaines…
On distingue les matériaux ferromagnétiques doux, à cycle étroit (Hc < 100 A.m-1) et donc
à faibles pertes, des matériaux durs, à cycle large dont l’excitation coercitive H peut atteindre
plusieurs centaines de kA.m-1
B
Remarque à propos des pertes :
Matériau doux
Au cours de la désaimantation, une
partie de l’énergie absorbée par la
matière lors de l’aimantation est H
dissipée sous forme de chaleur. Les 0
pertes par hystérésis sont
proportionnelles à la taille du cycle. Matériau dur
73
Revenons aux domaines… Bext
Les structures avec alignement antiparallèle (figure ci-dessus) sont

fréquentes. Cet état correspond à un minimum énergétique.
la règle est que l’organisation des domaines magnétiques résulte d’une

minimisation de plusieurs énergies : énergie d’échange, énergie d’anisotropie
magnétocristalline, énergie magnétostatique, énergie magnétoélastique, énergie
des parois.
Evidemment tout ceci est intimement lié à la cristallographie du matériau.
Des facteurs géométriques peuvent entrer en compte dans l’organisation de

l’aimantation d’un échantillon. Par exemple, dans des plaques de faible
épaisseur, l’aimantation a tendance à s’orienter //t aux surfaces importantes.
Cela laisse au concepteur de composants magnétiques certains degrés de liberté
(voir GMR).
74
Dans un matériau paramagnétique, l’énergie d’agitation thermique l’emportant sur celle
des interactions, les moments magnétiques sont orientés aléatoirement en l’absence de
champ magnétique appliqué. En présence d’un champ, ces moment tendent à s’orienter
comme le champ de sorte que l’aimantation du matériau devient proportionnelle au
champ appliqué. Mais l’effet d’aimantation reste limité (comparé au
ferromagnétisme).
Matériau paramagnétique
en l’absence de champ
Matériau ferromagnétique
en présence de champ
Dans un matériau ferromagnétique, en présence d’un champ les moments

magnétiques ont tendance à s’aligner parallèlement les uns aux autres. Mais
contrairement à un matériau paramagnétique les moments resteront parallèles ()
après disparition du champ extérieur.
75
Antiferromagnetisme : les moments magnétiques adjacents des ions magnétiques
tendent à s’aligner de façon anti-parallèle (sans champ appliqué). Dans le cas le plus
simple, les moments magnétiques adjacents sont égaux et d’amplitude opposée, alors
l’aimantation macroscopique est nulle.
Antiferromagnétique
(MnO,NiO,Cr)
Ferrimagnétique
(Fe3O4)
Ferrimagnetisme : les moments magnétiques adjacents, qui n’ont pas la même
intensité, tendent à s’aligner de façon anti-parallèle (sans champ appliqué). Il y a
donc une aimantation macroscopique.
76
En résumé : le magnétisme est affaire de

minimisation d’énergie.
La configuration obtenue dépend :
▶ du type d’atomes (existence ou non d’électrons célibataires)
▶ de la cristallographie (distances inter-atomiques
 interactions ou non, axes de facile aimantation…)
▶ de la géométrie de l’échantillon
77
Plan du cours
• Introduction
• FluxGates
78
Magnétorésistance anisotrope
Principe
Le phénomène de magnétorésistance anisotrope (anisotropic magnetoresistance :
AMR) se manifeste dans les métaux de transition ferromagnétique.
Magnétorésistance : application de Ha  variation de R
Principe de la mesure de champ : Loi d’Ohm. On applique un courant fixe à l’AMR et
on mesure la tension à ses bornes, en présence d’un champ Ha, R varie de R et V de
V. La mesure de V permet de déduire Ha.
Procédé de fabrication : Les matériaux ferromagnétiques utilisés se présentent sous
forme de couches minces (d’épaisseur  [10nm 50nm]). Pour les rendre anisotropes on
procède à un recuit sous champ. L’échantillon possèdera ainsi un axe de facile
aimantation (axe selon lequel est appliqué le fort champ magnétique durant la phase de
traitement du matériau).
Une fois le matériau traité, en l’absence de champ magnétique appliqué, le vecteur
magnétisation M pointe dans la direction de facile aimantation.
y
Ha  0
Axe de facile
M aimantation
x
79
En présence d’un champ extérieur Ha, M subit une rotation (sa direction à tendance à
se rapprocher de celle de Ha).
Si le matériau est parcouru par un courant, la résistivité du matériau dépendra de

l’angle  entre le courant et l’aimantation et de l’angle  entre le l’axe de facile
aimantation et l’aimantation.
Illusatration : cas général y

Ha I
 M Axe de facile
 aimantation
x
80
Dans le cas où Ha est orienté selon l’axe de difficile aimantation (Ha = Hy dans le cas
de la figure ci-dessous), l’angle  est relié à Ha (i. e. Hy) par * :
Hy
sin   (Eq. 2-1)
H0
Où H0 est le champ d’anisotropie, c. a. d. la valeur que doit prendre Ha = Hy pour que
l’aimantation bascule de l’axe facile à l’axe difficile… (c’est une caract. de l’échantillon)
y
Axe de difficile
aimantation
Illusatation : Ha  à l’axe
de facile aimantation
I
Ha  M Axe de facile
 aimantation
x
* D’après le modèle de Stoner-Wohlfarth … minimisation d’. 81

Par ailleurs, dans un barreau magnétorésistant, la loi d’Ohm peut s’écrire comme suit (admis) :

E   J       u M  J  u M  h J  u M 
Rque : Eq. vraie quelles
que soient les directions
de J et de Ha
(Eq. 2-2)
E : champ électrique dans le matériau parcouru par un courant
J : densité de courant
u M : vecteur unitaire dans la direction de l’aimantation

 : résistivité dans la direction du courant quand l’aimantation est // à l’axe facile
 : résistivité dans la direction du courant quand l’aimantation est  à l’axe
facile (ce qui suppose un champ > H0 , champ d’anisotropie, selon l’axe
difficile)
h : résistivité relative à l’effet Hall extraordinaire (au sens axe  à l’axe
ordinaire : échant court…)
82
Considérons le cas particulier où : I  axe de facile aimantation
et H  axe facile
v
y
Illusatation I  axe facile Axe de facile

M
H  axe facile H  I aimantation
x
 
E   J       u M  J  u M  h J  u M (Eq. 2-2)
vraie  les directions
de J et de Ha
La projection de l’équation (2-2) sur la direction du courant :
E   J       J cos   cos   h  0
 
E         cos 2  J  E     cos 2  J  (Eq. 2-3)
vraie pour
I  axe facile
avec     
83
La résistivité dans la direction du courant est donc :
       cos 2  (Eq. 2-4) vraie pour J  axe facile
Hy
Or, on sait par ailleurs que sin   (Eq. 2-1) vraie  les directions de J et de Ha
H0
Hy
Or, dans le cas qui nous concerne, (I // axe facile…) on a :     sin    (Eq. 2-5)
H0
2
 Hy 
(Eq. 2-5)  cos   1  sin   1  
2 2

 0
H
  H 2 
Donc, d’après (Eq. 2-4)       1    
y
(Eq. 2-6) Eq. d’une parabole
  H0  
  vraie pour J  axe facile
  H 2 
 R  R   R 1  
y
  Résistance dans la direction du courant
  H0  
  84
Résistance dans la
R
direction du courant
R  R  R
  H 2 
R  R   R 1    
y
  H0  
 
Courbe obtenue
en pratique
En pratique la réponse n’est pas exactement une parabole, la courbe présente un point
d’inflexion… (effet du champ démagnétisant)
85
Caractéristiques et paramètres sensibles
Inconvénients de la forme de la caractéristique R(H) R
▶ Ambiguïté sur le signe de H mesuré
La caractéristiue R(H) d’une AMR étant

paire, R(H)= R(-H).
Il y a une ambiguitié sur le signe du champ
H
mesuré. -H H
▶ Non linéarité
La sensibilité d’un capteur de champ à magnétorésistance peut être définie comme la

pente de cette caractéristique (R/H).
En H=0 la sensibilité est nulle et R(H) n’est pas monotone dans cette zone…
Il importe de rendre + linaire la caractéristique du capteur ou, à tout le moins, de

l’utiliser dans une zone de fctt linéaire.
86
Mise en oeuvre
Polarisation par champ induit
Pour linéariser la réponse du capteur et lever l’ambiguïté sur le sens du champ mésuré
une solution consiste à appliquer un champ Hpol de polarisation
Pour appliquer Hpol on peut par exemple

l’induire au moyen d’un conducteur soit
Intervalle de mesure isolé, soit déposé sur le barreau
de H : [-Hmax +Hmax] magnétorésistif et parcouru par le même
courant…
Hpol
H
Hpol-Hmax Hpol+Hmax
87
Polarisation par champ induit…
Pour appliquer Hpol on peut par exemple l’induire au moyen d’un conducteur
soit isolé, soit déposé sur le barreau magnétorésistif et parcouru par le même
courant (voir figure).
v
y
I  axe facile Axe de facile

H  axe facile aimantation
H pol H I
x
I
I
Le conducteur qui induit le champ de polarisation est mis en série avec celui
qui alimente le barreau magnétorésistif
88
Linéarisation de R(H) par modification de la direction du courant
Un moyen d’obtenir une magnétorésistance présentant une caractéristique
linéarisée est d’appliquer I, non pas //t à l’axe de facile aimantation, mais à 45° de
cet axe.
y
Ha J
/4
 M Axe de facile
aimantation

x
Or,  
E   J       u M  J  u M  h J  u M (Eq. 2-2)
On projette cette relation sur la direction uJ de J 0

 
E  u J   J       u M  J  u M  u J  h J  u M  u J

EJ   J   J u M  u J uJ  u   h 0
M
EJ   J       J cos 2 (  ) 89
La résistivité dans la direction du courant est donc    J       J cos 2 (  )
Or,    / 4  d’où    J       J cos 2 (  / 4   )

H
or, sin   (Eq. 2-1)
H0
Exprimons (H) :
cos    / 4   cos   cos  / 4   sin   sin  / 4 
cos    / 4  
2
2
 cos    sin   
1

cos 2    / 4   cos 2    sin2    2 sin   cos  
2

 2
1
2  
cos 2    / 4   1  2 sin   1  sin2    1  2
1
2 
H
H0

1 
H 


 H 0  
  90
La résistivité dans la direction du La résistance rencontrée par
courant est donc le courant est donc
 2  2
   
        R  R   R   
1 H H 1 H H
1   1  
 2 H 0  2 H 0  H 0  
 H 0    
 
  / 4
    / 4 
avec  angle
entre I et l’axe
facile
 0
   
On dispose ainsi d’une caractéristique impaire et linéarisée /t au cas  = 0 91

Structures de Barber Pole
Pour obtenir des lignes de courant orientée de 45°/t l’axe facile on peut
réaliser des structures de Barber Pole.
Ces structures alternent couches ferromagnétiques et couches
conductrices obliques (Al par exemple).
y
H
x
axe facile
Matériau ferromagnétique
Matériau conducteur non magnétique
92
Pont de Wheatstone Pour n’être sensible qu’à la variation de résistance R on peut utiliser un
montage en pont de Wheatstone
Principe Pont de Wheatstone à AMR

Blindage
Dans les AMR en config.
Barber Pole les branches
adjacentes répondent de
façon opposée
La tension de sortie du pont

R2 R3  R1R4 de Wheastone vaut…
vm  .Ea Vmes Ea
( R1  R2 ).( R3  R4 )
2
1 R H H 
Si on a R1=R3=R4=R vmes  Ea 1   mes 
et R2 = R+R2 2 R H 0  H0 
R2 1 E
vm  . . a
R 1  R2 4 axe
2R facile
Si on a R2<<R
R2 Ea  R Ea H mes
vm  . Dans le cas de variations
symétriques de R1 et R2 :
vm  93
R 4 R 2
Ref. : les Techniques de l’Ingénieur, Dieny, Fedeli
94
Conclusion
Principales caractéristiques des AMR

AMR 1µT<B<5mT  1mV/G De -40 à 175°C Moyenne Typiquement Oui Elevé
10mG<B<50G  0,3%/°C 551,5 mm
Principaux avantages et inconvénients des AMR

capteurs
AMR Mesure de faibles champs Consommation élevée Détecteur de position, mesure de
Sensibilité Coût vitesse angulaire, détecteur de
proximité, mesure de champ
magnétique, capteur de courant…
95
Plan du cours
• Introduction
• FluxGates
96
Magnétorésistance géante
La magnétorésistance géante : une question de « taille »
On l’a vu (rappels sur le magnétisme), la géométrie et les dimensions, d’un échantillon de
matériau ferromagnétique influent (pour des questions de minimisation d’énergie) sur
l’orientation de l’aimantation de ses domaines magnétiques.
Une magnétorésistance géante est obtenue par empilement de couches minces et
ultraminces (≈ nm) ferromagnétiques et de métaux non magnétiques.
Principe
Le phénomène de magnétorésistance géante combine deux phénomènes indépendants :
▶ La diffusion électronique dépendante du spin,
▶ Le couplage entre couches magnétiques à travers les couches non

magnétiques séparatrices.
97
Historique ▶ 1986 : Grunberg et al. et 1987 Carbone et al. : Mise en évidence d’un
couplage d’échange indirect entre deux couches ferromagnétiques
séparées par un métal non magnétique.
▶ 1988 : Découverte de la magnétorésistance Géante par Albert Fert et al.
Dans des multicouches constituées d’une alternance de couches fer (de 2nm)
et chrome (0,9 nm).
2 nm
Fe (ferromagnétique)
0,9 nm Cr (métal non magnétique)
Dépôt par MBE

Substrat GaAs (arséniure de gallium) (Molecular beam epitaxy)
 couplage antiferromagnétique entre les couches Fe à travers le Cr

 En l’absence de champ appliqué, alignement antiparallèle des aimantations des
couches Fe
Champ B appliqué  rotation progressive des aimantations dans la direction de H.
Si le champ appliqué devient > champ à saturation   les aimantations s’alignent sur H.
98
Aimantations //  diminution de R
Fe (ferromagnétique)
Cr (métal non magnétique)
… …
H 0 H  H sat
R = R0 R < R0
Résistance normalisée représentée … … … …

en fonction du champ B appliqué
dans une multicouche Fe/Cr.
kGauss
99
Note sur le couplage indirect* Ref. : Techniques de l’Ingénieur, Dieny, Fedeli
Fe
Cr
Multicouches Fe/Cr pour deux épaisseurs de couches Cr
Le couplage entre couches ferromagnétiques est fonction

de l’épaisseur des couches de métal non magnétique.
Pour certaines épaisseurs ce couplage sera
antiferromagnétique (favorable à l’effet GMR),
pour d’autres il sera ferromagnétique (pas d’effet GMR).
Si l’on représente les variations de la magnétorésistance
(ou le champ à saturation) en fonction de l’épaisseur de
conducteur non magnétique, on observe des oscillations.
 Le dimensionnement des couches conductrices est

déterminant…
(*) Le couplage magnétique est dit direct si les couches ferromagnétiques sont en contact direct, il est dit indirect lorsque100
les couches sont séparées par une couche métallique.
Fonctionnement d’une GMR

H
appliqué Aimantation  R
Pourquoi R diminue-t-elle quand l’aimantation  ?
Nous avons vu en quoi consistait l’un des deux phénomènes responsables de l’effet GMR :
le couplage indirect entre couches magnétiques.
Le second phénomène dit de diffusion électronique dépendante du spin est celui qui est
à l’origine de la diminution de résistance quand on passe d’un alignement magnétique // à un
alignement anti//.
101
Modèle de Mott à deux courants
Les électrons de conduction ont un moment magnétique propre (spin) qui ne peut être que //
(électrons spin up ↑) ou bien anti// (électrons spin down ↓) à l’aimantation locale.
Le courant est la somme des contributions indépendantes des ↑ et ↓.
Par ailleurs, le mode de transport des électrons de conduction est le régime diffusif.
La diffusion désigne les collisions des électrons avec les impuretés et les défauts
cristallins du milieu. Or, la diffusion d’un électron qui se déplace dans un champ
magnétique est dépendante de son spin (moment magnétique).
En effet, les libre parcours moyens (distance parcourue par un électron libre entre deux
chocs successifs avec des impuretés, des défauts cristallins et c.) sont très différents :
↑= 7 nm et ↓ ≈ 0,7 nm pour le Ni80Fe20.
102
En quoi la dimension des couches importe-t-elle ?
Un électron de spin donné traverse plus facilement matériau dont l’aimantation est
// à son spin qu’un matériau dont l’aimantation est anti// car il subira moins de
collisions (faible  ).
Diffusion des e- de conduction

Électron spin down
Libre parcours
   Électron spin up
moyen ↓
↑
Longueur de diffusion de spin ds (distance moyenne ds

entre de transformation d’un ↑ en un ↓)
Électron spin up
 et   sd
Aimantation locale
Électron spin down Centre de diffusion (impureté…) 103

En quoi cela influe-t-il sur la résistance ?
La résistance rencontrée par un e- est proportionnelle aux
chocs de diffusion qu’il subit et donc inversement       
proportionnelle au libre parcours moyen.
D’ou l’effet GMR
H 0 H
Sens du courant
R R
R R
R  R R R
R R
2 R R
R  R ReHq H s   22RR
ReHq= 0  R  R  104
2
Structures de GMR
GMR multicouches (multilayer GMR)
Nous avons raisonné jusqu’à présent sur des multicouches ferromagnétiques

subissant un couplage indirect antiferromagnétique en l’absence de champ appliqué et
qui, en présence de champ, voient leurs aimantations s’aligner sur la direction du champ.
… …
GMR multicouches
… …
… … … …
kGauss
105
Structures de GMR…
GMR à vanne de spin (spin valve GMR)
Une couche antiferromagnétique est utilisée pour fixer l’aimantation d’une couche
ferromagnétique dite dure. Ceci se fait par couplage direct (la couche piégeante et la
couche piégée étant directement en contact).
Une couche ferromagnétique dite douce est séparée de la couche piégée par une
couche conductrice suffisamment épaisse pour que le couplage magnétique entre elles
soit faible et que les aimantations soient indépendantes.
La couche douce est libre de s’orienter dans un champ extérieur.
Ta
FeMn Couche piégeante
Co Couche piégée
Cu Couche non magnétique
NiFe Couche libre
Ta
Si Substrat
106
GMR à vanne de spin…
La couche dite piégée (couche dure) ne l’est pas strictement. Son aimantation basculera pour
un champ appliqué supérieur à son champ de saturation qui est élevé. Il est très supérieur à
celui de la couche douce : Hpsat >> Hlsat.
C’est pourquoi les variations de magnétorésistance d’une vanne de spin évoluent comme suit :
R/R
Basculement
couche douce
10%
Courbe de
magnétorésistance d’une Basculement
structure à vanne de spin : couche dure
cycle obtenu pour un champ
appliqué dépassant Hpsat
Piégé
Libre
H
-Hpsat Hpsat
0 30 kA/m
-Hlsat Hlsat 107
GMR à vanne de spin…
R/R
Courbe de magnétorésistance 10%

d’une structure à vanne de spin,
cycle obtenu pour un champ
appliqué réduit (H<Hpsat).
Piégé
Libre
H
-Hpsat Hlsat
0 10 kA/m
Hlsat
Rq. : Cycle d’hystérésis non centré à cause d’un faible couplage magnétique au travers
de la couche conductrice 108
TMR Magnétorésistance à effet tunnel
Les TMR ont une structure semblable à la vanne de spin à la différence près que la
couche conductrice est remplacée par une couche isolante, d’une épaisseur de l’ordre
de 1nm, qui fait office de barrière tunnel (souvent alumine Al2O3).
Effet tunnel : des e- d’énergie < à une barrière

Couche piégeante
de potentiel peuvent la franchir si elle est
suffisamment fine. Couche piégée
Couche isolante Al2O3
Nos matériaux ferro. (couche dure et douce)
forment les électrodes de la barrière de Couche libre
potentiel.
Substrat
109
TMR… Le fctt d’une TMR est semblable à celui d’une vanne de spin
Couche Couche
piégée libre
Couche Couche
piégée libre
110
TMR … Calcul de R/R connaissant les densités d’e-
Le courant est la somme des contributions indépendantes des ↑ et ↓.
Or, d’après la règle d’or de Fermi, dans une structure « tunnel », la densité de courant pour
un canal de spin donné est proportionnelle au produit de la densité d’états au niveau de
Fermi de l’électrode émettrice des électrons par la densité d’états au niveau de Fermi de
l’électrode réceptrice.
Config d’aimantation //
Conductance
en config //
       
G//  n1 E f n2 E f  n1 E f n2 E f
un e- (↑) en 1 correspond à un e- (↑) en 2 densité d’e- (↓) en 2

car
un e- (↓) en 1 correspond à e- (↓) en 2
Config d’aimantation anti//
       
Ganti //  n1 E f n2 E f  n1 E f n2 E f
un e- (↑) en 1 correspond à un e- (↓) en 2

car
un e- (↓) en 1 correspond à un e- (↑) en 2 111
TMR…
La règle d’or de Fermi permet donc de déterminer la magnétorésistance R/R (ou

résistance relative) d’une TMR à partir des densités d’e- n1↑, n1↓, n2↑, n2↓,.
R Ranti //  R// G//  Ganti //

TMR   
R// R// Ganti //
112
Mise en oeuvre
GMR multicouches : « linéarisation » par polarisation par champ induit
GMR : caract. paire  sensibles à |H|, pour détecter le sens du champ, il faut appliquer
un champ de polarisation (même pb que pour les AMR)
GMR normalisée
R/R(H=0)) R/R(H=0))
1 1
Intervalle de mesure
de H : [-Hmax +Hmax]
Hpol
0,5 Hs 0,5
H (kG) H (kG)
0 20 40 113
Hpol-Hmax Hpol+Hmax
Mise en oeuvre
Vannes de spin : «linéarisation » par structure couche piégée  couche
libre
Pour la mesure de champ il est préférable que la caractéristique de la vanne de spin
soit symétrique par rapport à H=0 et impaire.
Ce type de caractéristique s’obtient si l’aimantation Résistance

de le couche piégée est bloquée à 90° de celle de la Rmax
couche libre (en l’absence de champ).
I
Substrat
Rmin
H
114
Applications
Têtes de lecture de disques durs
Mémoires MRAM
Capteurs de champ magnétique
1990 2000 2010
découvertes applications
115
Têtes de lecture de disques durs Disque magnétique
Moteur 
Pistes magnétiques
Tête de lecture écriture
Bras mobile
Piste :
N SN SS N S NN SS N
116
Têtes de lecture de disques durs…
• Support d’enregistrement: alliage granulaire ferromagnétique

• Pistes circulaires.
• Tête de lecture et d’écriture supportée par un bras qui positionne et maintient la
hauteur de vol de la tête (environ 10 nm)
• V=10000tr/mn
• Ecriture: électroaimant
• Lecture: élément à GMR qui « lit » le champ de fuite entre les domaines.
117
Têtes de lecture de disques durs… Champ vertical non nul 1
Codage des 0 et 1 sur une piste magnétique
Champ vertical nul  0
Bit lu 0 1 0 1 1
Sortie
de GMR
Tête de
lecture
SV-GMR 0 1 0 1 1
Piste
N S N S S N S N N S S N
118
Lignes de champ
Tête d’écriture lecture
Les GMR (SV-GMR) sont utilisées dans les têtes de lecture des disques durs en
raison de leurs faibles dimensions et de leur haute sensibilité au champ
magnétique.
119
Areal density Gbit/inch2
R/R=18%
R/R=12%
R/R=8%
R/R=2%
Année 120
MRAM
Les MTJ (magnetic tunnel junction, i. e., GMR tunnel) sont utilisées dans une
nouvelle génération de mémoires à accès aléatoire : les MRAM (magnetic random
access memory).
Ces mémoires non volatiles sont destinées à remplacer la mémoire Flash de

périphériques portables actuels.
2006 : Freescale (anciennement Motorola)

commercialise des MRAM d’une capacité de 4
Freescale
Mbit chacune, alimentées par une une tension
de 3,3 V.
Nombre presque illimité de cycles d'écriture.

Grande rapidité.
Non volatilité (information sauve en l’absence
d’alimentation).
Faible consommation.
121
MRAM
Couche douce
1 Barriere tunnel Ligne d’écriture
Couche dure I1
0 MTJ
Pour l’écriture d’un bit, on alimente par des

courants adéquats les 2 lignes d’écriture qui se I2
croisent au point où se situe la MTJ considérée.
Ligne d’écriture
Ceci génère le champ qui fait varier la GMR…
(Pour l’écriture, le transistor est OFF). Iref
La lecture du bit se fait en injectant un courant ON  lecture

(transistor ON) dans la MTJ et en déterminant OFF  écriture
la magnétorésistance (en fait par comparaison à
un courant de référence)…
122
MRAM
123
MRAM
124
Exemples de capteurs de champ à GMR
Ref. : les Techniques de l’Ingénieur, Dieny, Fedeli
125
Conclusion
Principales caractéristiques des GMR

GMR -1µT<B<5mT  5mV/G De -40 à 175°C Elevée Typiquement Oui Moyen
10mG<B<500G  0,15%/°C <331 mm
Principaux avantages et inconvénients des GMR

capteurs
GMR Sensibilité Hystérésis Détecteur de position, mesure de
Stabilité thermique courant, tête de lecture de disques
durs, MRAM
126
Plan du cours
• Introduction
• FluxGates
127
Fluxgate
Principe
Caractéristique idéale
Caractéristique réelle
Un fluxgate (porte de flux) repose sur
l’emploi d’un matériau magnétique
doux au cycle d’hystérésis de forme
très carrée
Une mesure de fem

permet de remonter à H Iex
Bob1 Hex Iex t
H B Flux  -d/dt
B
H0 H
-d/dt
Bob2 -d/dt t
128
Fluxgate
Sortie du fluxgate en l’absence de champ à mesurer
B 
H t
H -d/dt
t
129
Fluxgate
Sortie du fluxgate en présence d’un champ à mesurer
B 
H t
H -d/dt
H0 t
t On déduit H0 de la mesure de
l’intervalle entre les impulsions 130
Fluxgate
Mise en oeuvre
Mesure en boucle fermée t
Hex
Excitation triangulaire
Bob1
Excitation
H0
fem SHP
Bob2 DI
SHN
G(p)
Bob3
Boucle de
rétroaction
Sans asservissement la plage de mesure se limite à
Vs (dont on déduit H0)
la plage [-Hlin Hlin] (très réduite…) pour laquelle B(H)
est linéaire
Matériau magnétique (en principe il s’agit d’un circuit)

Le champ crée par le bobinage alimenté par la rétroaction a pour effet de compenser H0
(travail à flux nul). 131
Fluxgate
Principales caractéristiques Fluxgate

Fluxgate 0,1µT<B<0,5mT Non Elevé
1mG<B<5G
Principaux avantages et inconvénients des Fluxgate

capteurs
Fluxgate Sensibilité Coût Mesures précises de champ
Précision Complexe
132
Conclusion
Rappel des caractéristiques déterminantes dans le choix d’un capteur de champ
 Dynamique de mesure : c’est la différence entre les valeurs extrêmes

mesurables par le capteur pour une marge d’erreur fixée.
 Résolution : c’est la plus petite valeur que le capteur est en mesure
d’identifier. La résolution est liée au bruit.
 Sensibilité : Proportionnalité entre le signal de sortie du capteur et le

champ mesuré (en V/T par exemple).
 Bande passante : Gamme de fréquence où le capteur fonctionne. Elle est

caractéristique de la rapidité du capteur.
 Coût
 Encombrement
 Facilité de mise en oeuvre
 Diverses dérives : sensibilité à la T°, offset.
133
Conclusion
L ’un des critère de choix de telle ou telle technologie de capteurs de champ peut être sa
résolution (+ petite valeur que le capteur est en mesure d’identifier), celle-ci est liée au
bruit.
(pT/Hz)
Niveau de bruit de champ 100000,0 Hall
magnétique intrinsèque au capteur
10000,0
MR ENS
1000,0
GMI
Niveau de bruit de champ magnétique intrinsèque au

capteur (pT/Hz) en fonction de la fréquence. 100,0 GMR NVE
L’AMR IMO inclut un concentrateur magnétique. AMR IMO
C. Dolabdjian Laboratoire GREYC – Caen France. 10,0
1,0
SQUID dc
0,1
1 10 100 1000 10000

Frequency (Hz)
134
Conclusion
Principales caractéristiques des  types de capteurs magnétiques

Bobines 0.1pT<B<100T Bonne >1mm1mm Non Faible
1nG<B<106G 1mm
Effet Hall (Théoriquement 0.05mV/G De -40 à 150°C Faible Typiquement Oui Faible
Infinie : pas de 431,5mm
saturation)
0,1mT<B<30T
1G<B<0,3MG
MR 1µT<B<5mT  1mV/G De -40 à 175°C Moyenne Typiquement Oui Elevé
10mG<B<50G  0,3%/°C 551,5 mm
GMR -1µT<B<5mT  5mV/G De -40 à 175°C Elevée Typiquement Oui Moyen

10mG<B<500G  0,15%/°C <331 mm
Fluxgate 0,1µT<B<0,5mT Non Elevé

1mG<B<5G
135
Conclusion
Principaux avantages et inconvénients des  types de capteurs magnétiques

capteurs
Bobines Robustesse Encombrement CND, capteurs angulaires, compte
Tenue en T° Ne fctne pas en continu tours…
Effet Hall Faible coût Sensibilité aux variations de T° Mesure de courant

Bonne linéarité sur une grande plage de Répétabilité
mesure
MR Mesure de faibles champs Consommation élevée Détecteur de position, mesure de
Sensibilité Coût vitesse angulaire, détecteur de
proximité, mesure de champ
magnétique, capteur de courant…
GMR Sensibilité Hystérésis Détecteur de position, mesure de
Stabilité thermique courant, tête de lecture de disques
durs, MRAM
Fluxgate Sensibilité Coût Mesures précises de champ

Précision Complexe
136
Annexe
Pont de Wheastone symétrique
Z 2  Z1 ea ea  Ea . cos t
vm  . avec
Z 2  Z1 2
Dans le cas de variations symétriques de Z1 et Z2 (push-pull), on a :
Z1  Z 0  Z Z ea
vm  .
Z0 2
Z 2  Z 0  Z
Dans le cas d’un LVDT on a :
L1 ( x)  L0 .(1  x) ea
vm   .x.
L2 ( x)  L0 .(1  x) 2
C’est un signal sinusoïdal dont il faut extraire l’amplitude (démoduler) pour

former une relation V0 (tension continue) = f(x).  Détection synchrone
137

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MASTER CIMES

Capteurs, Instrumentation et Mesures

Ecole normale Supérieure de Cachan

Induction Tesla Gauss (G) Champs liés à

0.1nT Cœur humain

10fT Cerveau humain

15 ordres de grandeur  justifie la variété de technologies de capteurs

Un capteur fait généralement partie d’une chaine de mesure dans laquelle sa

Mesurande Capteur Conditionnement Mesure

Ampli d’instrumentation v(t)=KB0sinw0t+b(t)

Bruit (signal parasite intrinsèque

Caractéristiques déterminantes dans le choix d’un capteur de champ

 Dynamique de mesure : différence entre les valeurs extrêmes

Un capteur, ou plus généralement un système de mesure, ne donne pas

La mesure X comporte souvent une erreur

Erreur absolue = X-X0

L’erreur de mesure résulte de plusieurs contributions généralement classées

 les erreurs systématiques ou biais

 valeur erronée d’une grandeur de référence,

 erreur d’une courbe d’étalonnage,

 écart à la linéarité d’un capteur ou conditionneur (exple pont de Wheatstone)

 correction erronée apportée aux mesures (mauvaise correction d’offset),

Origine des erreurs accidentelles :

 erreur de lecture d’un appareil à déviation (exemple : le pèse personne),

 erreur de mobilité (mobilité : variation maximale du mesurande qui n’entraine

 erreur d’hystérésis (matériau ferromagnétique, ou hystérésis mécanique

 fluctuations des tensions d’alimentation ;

 inductions parasites (dues au rayonnement éléctromagnétique à fréquence

 dérive temporelle de la tension de sortie d’un ampli. par exemple

 diverses dérives : sensibilité à la T°, offset.

La notion de justesse (accuracy) est liée à l’erreur systématique…

Si la statistique du bruit (densité de probabilité p(x)) satisfait la loi normale

Prenons l’exemple X0=0 et supposons que la mesure comporte des erreurs

Faible justesse et faible fidélité Faible justesse et grande fidélité

Grande justesse et faible fidélité Grande justesse et grande fidélité

Le bruit affecte tout système de mesure et a fortiori les capteurs de champ.

 Le bruit dans les quadripôles

X(t) = X0(t) +b(r)

Circuit de conditionnement : récepteur optimal

Quelques points de comparaison entre capteurs de champ magnétique

Plage de détection typique d’induction de différents capteurs

 e  t   nA  B0 sin t   S  nA2 f V / T  sensibilité

Modèle équivalent d’une bobine :

Modèle équivalent d’une bobine :

Comportement Comportement Comportement

La bande passante est limitée par les effets capacitifs du circuit :

+ la bobine comporte de spires, + la résistance est grande + la résolution ;

d’un autre côté + la bobine comporte de spires + la sensibilité 

Bobine sur circuit imprimé PCB (bobine PCB) :

Bobine micromoulée sur silicium (microbobine) :

 Bruit attendu : 0,95 nV

Mini bobine (société Statice) : 1,4mm

Sensibilité : 17,8 V/T

Conclusion sur les capteurs inductifs élémentaires

Types de Plage de mesure Sensibilité T° d’utilisation Stabilité Dimensions Fonctionne Coût

Principaux avantages et inconvénients des capteurs inductifs

Types de Principaux avantages Principales limitations Exemples d’applications

Cible (, , géom.) Re

[Ref] “LOW FREQUENCY EDDY CURRENT ARRAYS WITH VIDEO CLOCK”

[Ref] “LOW FREQUENCY EDDY CURRENT ARRAYS WITH VIDEO CLOCK”

Sonde flexible à 64 micro-bobines (CEA)

[Ref] “LOW FREQUENCY EDDY CURRENT ARRAYS WITH VIDEO CLOCK”

Ligne de galvanisation en continu (procédé Sendzimir)