Champ électrostatique crée par un condensateur plan

 Soit un plan infini chargé uniformément avec une densité surfacique de charge 𝜎.

 Tout plan perpendiculaire au plan chargé est un plan de symétrie de la distribution le champ
électrique appartient à l’intersection de tous ces plans donc le champ est porté par l’axe (𝑂𝑧).
 La distribution de charge étant invariante par translation quelconque parallèle au plan (𝑥, 𝑦), le
champ est de la forme 𝐸⃗ = 𝐸𝑧 (𝑧)𝑢 ⃗ 𝑧.
 De plus, le plan (𝑥, 𝑦) étant un plan de symétrie, la fonction 𝐸𝑧 (𝑧) est nécessairement impaire,
c’est-à-dire que :
𝐸𝑧 (𝑧) = −𝐸𝑧 (−𝑧)
Pour calculer le champ électrostatique on utilise le théorème de Gauss applique à une surface
fermée cylindrique (figure suivante) :

Le théorème de Gauss donne :

𝑄𝑖𝑛𝑡 1
∯ 𝐸⃗ . d𝑆 = ⇒ ∬ 𝐸⃗ (𝑧). d𝑆1 + ∬ 𝐸⃗(−𝑧). d𝑆2 + ∬ 𝐸⃗ . d𝑆𝐿 = ∬ 𝜎d𝑆
𝜀0 𝜀0
𝑆 ⏟
=0 𝑐𝑎𝑟 𝐸⃗ ⊥d𝑆𝐿

Or : d𝑆1 = −d𝑆2 = d𝑆 = d𝑆. 𝑢

⃗𝑧

1 𝜎. 𝑆
⇒ ∬ 𝐸⃗(𝑧). d𝑆 − ∬ 𝐸⃗(−𝑧). d𝑆 = ∬ 𝜎d𝑆 ⇒ 𝐸 (𝑧). 𝑆 − 𝐸 (−𝑧). 𝑆 =
𝜀0 𝜀0

Or on a :
𝐸 (𝑧) = −𝐸(−𝑧)
Donc :
𝜎
𝐸⃗ (𝑧) = + 𝑢
⃗ pour 𝑧>0
𝜎 𝜎 2𝜀0 𝑧
2𝐸 (𝑧) = ⇒ 𝐸 (𝑧 ) = ⇒ { 𝜎
𝜀0 2𝜀0 𝐸⃗ (𝑧) = − 𝑢
⃗ pour 𝑧<0
2𝜀0 𝑧
 Si maintenant on considère un autre plan infini chargé uniformément à une densité de charge
surfacique – 𝜎.
Pour calculer le champ électrostatique on suit la même méthode en remplaçant 𝜎 par – 𝜎. On obtient :
𝜎
𝐸⃗ (𝑧) = − 𝑢
⃗ pour 𝑧>0
2𝜀0 𝑧
{ 𝜎
𝐸⃗ (𝑧) = + 𝑢
⃗ pour 𝑧<0
2𝜀0 𝑧
 On construit maintenant un condensateur plan formé par ces deux plans de densités de charges 𝜎
𝑎 𝑎
et – 𝜎 placés respectivement en = 2 et 𝑧 = − 2.

Le théorème de superposition stipule dans le cas présent que le champ créé par les deux plans chargés est
égal à la somme des champs créé par chacun des deux plans chargés en l’absence de l’autre.
𝑎 𝑎
 Pour 𝑧 > + 2 et pour 𝑧 < − 2, le champ résultant est donc nul.
𝑎 𝑎
 Par contre, pour − 2 < 𝑧 < + 2, le champ résultant est uniforme, dirigé selon 𝑂𝑧 et a pour valeur,
en utilisant les résultats obtenus précédemment :
𝑎
 Si 𝑧 ≤ − 2 on a :
𝜎 𝜎
𝐸⃗𝜎 (𝑧) = − 𝑢⃗𝑧 et 𝐸⃗−𝜎 (𝑧) = 𝑢⃗ ⇒ 𝐸⃗(𝑧) = 𝐸⃗𝜎 (𝑧) + 𝐸⃗−𝜎 (𝑧) = ⃗0
2𝜀0 2𝜀0 𝑧
𝑎
 Si 𝑧 ≥ + 2 on a :
𝜎 𝜎
𝐸⃗𝜎 (𝑧) = 𝑢
⃗𝑧 et 𝐸⃗−𝜎 (𝑧) = − 𝑢⃗ ⇒ 𝐸⃗(𝑧) = 𝐸⃗𝜎 (𝑧) + 𝐸⃗−𝜎 (𝑧) = ⃗0
2𝜀0 2𝜀0 𝑧
𝑎 𝑎
 Si − 2 < 𝑧 < + 2 on a :
𝜎 𝜎 𝜎
𝐸⃗𝜎 (𝑧) = − 𝑢
⃗𝑧 et 𝐸⃗−𝜎 (𝑧) = − ⃗ 𝑧 ⇒ 𝐸⃗ (𝑧) = 𝐸⃗𝜎 (𝑧) + 𝐸⃗−𝜎 (𝑧) = − 𝑢
𝑢 ⃗
2𝜀0 2𝜀0 𝜀0 𝑧
Nous en déduisons l’expression du potentiel électrostatique, l’origine des potentiels étant choisie dans le
plan médian :
𝑎
𝐸⃗ (𝑧) = 0
⃗ pour 𝑧≥+
2
𝜎 𝑎 𝑎
𝐸⃗ (𝑧) = − 𝑢 ⃗ 𝑧 pour − <𝑧<+
𝜀0 2 2
𝑎
⃗( ) ⃗
{𝐸 𝑧 = 0 pour 𝑧≤−
2