Physique Et Ingenieur de Surfaces

PHYSIOUE
ET INGENIERIE
DES SURFACES
A. Cornet
J.-P. Deville
Ingnieur ENSAIS
Docteur s Sciences physiques
Professeur des universits
Professeur lcole Nationale Suprieure
des Arts et Industries de Strasbourg
Ingnieur ENSCS
Docteur s Sciences physiques
Directeur de recherche au CNRS
SCIENCES
7, avenue du Hoggar
Parc dActivits de Courtabuf, BP 1 12
91944 Les Ulis Cedex A, France
MONOGRAPHIES DE MATRIALOGIE
Directeur de collection : Jean PHILIBERT
Ouvragesdj parus
Mcanique d e la rupture
D. Miannay
Les quasicristaux, matire paradoxes
C. Janot et J.-M. Dubois
Ouvrage paratre
Objets et matriaux polymres : le pourquoi e t le comment
M. Carrega
Illustration de couverture : Surface dun polymre traite par dcharge corona afin de permettre
laccrochage des encres dimpression (voir Fig. 7.26).
ISBN : 2-86883-352-7
ISSN : 1275-3807
Tous droits de traduction, dadaptation et de reproduction par tous procds, rservs pour tous pays. La loi du
11 mars 1957 nautorisant, aux termes des alinas 2 et 3 de larticle 41, dune part, que les e copies ou reproductions strictement rserves lusage priv du copiste et non destines une utilisation collective >>, et
dautre part, que les analyses et les courtes citations dans un but dexemple et dillustration, c toute reprsentation intgrale, ou partielle, faite sans le consentement de lauteur ou de ses ayants droit ou ayants cause est
illicite x (alina ler de larticle 40). Cette reprsentation ou reproduction, par quelque procd que ce soit,
constituerait donc une contrefaon sanctionne par les articles 425 et suivants du Code pnal.
O EDP Sciences 1998
Physique et ingnierie des surfaces est u n ouvrage qui se veut le point de rencontre entre les sciences pour lIngnieur et la physique des Surfaces.
La science des Surfaces existe Strasbourg : Stanislas Goldsztaub fut, avec
son quipe, u n pionnier dans ce domaine depuis plus de trente-cinq ans. I1 avait
conu et dvelopp les premiers diffracteurs dlectrons lents de la seconde gnration. Grce lui, des spectres Auger destins lanalyse des surfaces ont t
observs pour la premire fois en France. Petit a petit, avec laide des grands
organismes de recherche, de luniversit Louis Pasteur, des coles dingnieurs et
de la rgion Alsace, se sont constitues des quipes qui ont dvelopp avec
constance des instruments et des mthodes pour comprendre les phnomnes
qui ont lieu a u voisinage des surfaces. La catalyse, la mcanique des surfaces,
les proprits optiques, lectroniques et magntiques des interfaces dans les
nouveaux matriaux en sont quelques exemples.
Ce livre est n aussi de lenseignement donn Strasbourg aux lves ingnieurs de lcole nationale suprieure des arts et industries (ENSAIS) et aux tudiants du DESS << Techniques de dpt des matriaux en couches minces , puis
a Bucarest dans le cadre dun module denseignement en franais qui porte le
nom du prsent ouvrage. ce titre, nous voudrio s remercier les initiateurs de
ces enseignements et les tudiants, notamment n s amis roumains qui sastreignent dcouvrir une science nouvelle dans une langue qui nest pas la leur.
Si chacun connat le mot surface, il na pas pour tout le monde la mme

signification. Le mathmaticien conoit une surface a u sens de Laplace comme
une entit sans paisseur, le gologue lentend comme la partie suprieure de la
crote terrestre paisse de quelques kilomtres. Entre ces extrmes, prennent
place toutes sortes de dfinitions [y compris celle qui nous est, hlas, offerte par
la langue de bois administrative qui fait dun agent de nettoyage un technicien
de surface). Cest pourquoi cet ouvrage voudrait comprendre la surface comme
IV
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
une zone pntrant le volume sur une paisseur allant des premiers nanomtres
, parfois, quelques centaines de micromtres et permettre ainsi deux communauts scientifiques et technologiques de se rencontrer et de confronter leurs
concepts : celle des << mtallurgistes B (au sens large) qui se proccupent surtout
des matriaux de structure (tourns vers les proprits mcaniques et la protection vis--vis des agressions chimiques) et celle des physiciens et physico-chimistes des surfaces qui tudient plutt les matriaux de fonction (orients vers
les proprits lectroniques, optiques ou magntiques). Par convention, on parlera de surface pour la sparation entre une phase dilue (gaz) et une phase
condense (liquide ou solide), dinterface pour une sparation entre deux
phases condenses (liquide/liquide, liquide/solide, solide /solide). Quoique
consacr pour lessentiel aux surfaces, cet ouvrage traitera aussi dinterfaces,
sachant que la diffrence entre les deux concepts est souvent faible, notamment
en thermodynamique. Mais dans ce texte, hormis le mouillage, nous considrerons rarement les interfaces mettant en prsence des liquides. Celles-ci sont trs
bien dcrites dans les ouvrages qui traitent de la corrosion ou de llectrochimie.
La plupart des ouvrages traitent les surfaces comme des entits << en soi >> et
les envisagent essentiellement comme tant le sige de proprits spcifiques
(adsorption physique ou chimique, corrosion, catalyse.. .). En revanche, peu
douvrages sont consacrs ltat mcanique des surfaces et ce quon pourrait
appeler leur ingnierie. I1 sagit ici dtudier la surface aprs son elaboration,
donc danalyser sa morphologie, sa structure, s a composition aprs s a cration
ou sa modification. En ralit, dans de nombreuses applications industrielles cet
<< tat mcanique >>joue
un rle important sur les proprits et il est ncessaire de
connatre les concepts physiques ou physico-chimiques qui permettent de le
dcrire, le caractriser et le comprendre.
N o u s dbutons cet ouvrage par la cration de la surface (clivage, tirement,
dressage mcanique, dpt de matire, modification physico-chimique.. .). Nous
montrons que la surface considre comme sparation arbitraire d u n volume ou
dun cristal en deux parties non affectes par la coupure nest pas stable. partir de notions simples de thermodynamique classique (quantits dexcs de
Gibbs notamment), nous tablissons que la tension superficielle est relie directement un potentiel thermodynamique dont la minimisation permet de comprendre lvolution tant de la surface propre sous vide (mtaux, semi-conducteurs) que des surfaces cres lair libre ou en atmosphre contrle
(polymres, matriaux). Cest dans ce premier chapitre que nous abordons
relaxation, reconstruction, adsorption, mouillabilit.
Ensuite, dans un second chapitre, nous commenons la description de ltat
mcanique et gomtrique des surfaces en nous intressant notamment aux dfinitions de la rugosit. Nous voudrions montrer que les concepts de rugosit utiliss dans la technologie des traitements de surface sont universels et que seules
les chelles de rsolution des instruments de mesure changent. Ce chapitre est
aussi le dbut dune exploration vers la profondeur du matriau sous-jacent car,
outre la rugosit, nous prenons en compte contraintes et duret superficielles.
L a question du comportement mcanique des surfaces et celle de leurs
proprits fonctionnelles (frottement et usure) sont traites dans le troisime
AVANT
-PROPOS
chapitre, partir des mcanismes de base, en dgageant et expliquant les transformations de surface (formation de couches doxydes, adhsion entre surfaces
frottantes, transformations mtallurgiques superficielles induites, volution des
surfaces portantes...). Bien que la corrosion soit une grande cause de dgradation des surfaces nous avons volontairement choisi de ne pas la traiter en raison
de lampleur du sujet ; elle est cependant prsente travers les tats de la surface qui risquent de linduire ou qui permettent de lviter.
Le quatrime chapitre met en place les concepts physiques ncessaires la
comprhension des mthodes danalyse des surfaces suivant les trois aspects
voqus dans le premier paragraphe (morphologie, structure, composition). Nous
attachons une grande importance lanalyse morphologique qui dcrit le mieux
ltat mcanique des surfaces et nous abordons lanalyse de rugosit en allant
du cc plus gros >> a u <c plus fin , de la rugosit microscopique la rugosit atomique, du palpeur lAFM en passant par le nanoindenteur. Ceci suppose une
connaissance pralable des forces sexerant a u voisinage des surfaces : elles
sont rappeles brivement en rfrence luvre dIsraelachvili. Du point de vue
des mthodes structurales et analytiques, il tait difficile de ne pas faire un rappel sur linteraction rayonnement-matire dans la mesure o ions, rayons X,
lectrons, lasers interviennent de faon majeure dans ltude et la modification
des surfaces. Une tude plus pousse du transfert dnergie dans le cas de linteraction photon-matire (cas de lablation laser notamment) a sembl ncessaire face la relative raret des ouvrages disponibles sur ce sujet.
Le cinquime chapitre dcrit les mthodes en elles-mmes. Le choix de ces
mthodes est guid par le fait quelles doivent tre dj utilisables dans le
domaine industriel ou en voie de ltre dans un proche futur. Les mthodes plus
acadmiques comme la diffraction dlectrons lents ou connues depuis trs longtemps comme les isothermes dadsorption (mthode BET) sont amplement discutes dans dautres publications. Nous dcrivons donc laide de nombreux
exemples tirs de notre exprience :
la diffraction des rayons X rasants et la rflectomtrie (spculaire et diffuse),
la microscopie force atomique (AFM), la nanoindentation, la microscopie
balayage (MEB)et les mesures de rugosit avec ou sans contact :
la dcharge luminescente (SDL), la spectroscopie Auger et la photomission
(ESCA),les spectroscopies de masse dions secondaires (SIMS et SNMS) et les
spectroscopies dabsorption (EXAFS).
Le sixime chapitre traite des mthodes de prparation des surfaces. Comment
dposer des couches actives ou protectrices, comment introduire des contraintes
mcaniques dans la rgion superficielle, comment utiliser des faisceaux dions ou
des rayonnements laser, telles seront nos proccupations majeures.
Le septime et dernier chapitre est une tude de cas o lon montre de nombreux exemples de ralisations techniques appliques aux modifications de surface. Par cette approche, nous esprons couvrir un spectre suffisamment large,
allant des matriaux de structure aux matriaux de fonction, incluant les
couches de protection comme les couches actives.
Ltude des problmes dadhsion et de collage qui pourrait videmment
sinscrire dans ces exemples nous semble suffisamment vaste, notamment du
VI
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
point de vue des concepts physico-chimiques mis en jeu, pour faire lobjet dun
autre ouvrage.. . que nous ncrirons certainement pas !
Notre travail vise donner une vue densemble sur lvolution des connaissances sur les surfaces, leurs traitements et leur analyse. I1 est conu pour les
tudiants (formations dingnieurs, DESS, DEA. ..), les jeunes chercheurs et les
industriels, pour un usage allant du bureau dtudes la formation continue.
Par consquent, aucun des sujets abords ne peut tre trait dans son intgralit. La plupart dentre eux justifieraient u n dveloppement de la mme ampleur
que le prsent ouvrage. Limportant est dacqurir une base sur chaque procd
ou chaque mthode et surtout de bien comprendre la cohrence entre les
diverses techniques.
L a part thorique est minimise car nous avons surtout cherch privilgier
les mcanismes physiques des lments prsents. Dans le mme esprit, la
bibliographie ne prtend pas tre exhaustive : elle est trs partielle et certainement partiale. Elle doit tre considre comme une cl permettant a u lecteur de
retrouver les autres publications d i n quil puisse dvelopper par lui-mme tout
point lintressant plus particulirement. Enfin, les techniques dtude et dingnierie des surfaces voluent trs vite et il ne semble pas ncessaire de surcharger le texte dinformations qui seront probablement primes dans quelques
annes.
Alain Cornet et Jean-Paul Deville
Strasbourg, Bucarest, mai 1998.
Table des matires
Petit lexique des acronymes et abrviations..............

1
Proprits physico-chimiques des surfaces
1. Description des surfaces.
....................................
....
1.1. Surface idale dun solide ...................

......................................
1.2. Surface relle dun matriau
.......................................
1.3. Critres de stabilit et dvolution dune surface ...........
10
13
22
2.1. Dfinitions.. .......................................

...............................
2.2. Relaxation.............................
.........................................
2.3. Les grands types de reconstruction ..................................
3. Mouillabilite ...........................................
3.1. Interfaces liquide-solide

3.2. Interfaces solide-solide
3.3. Mouillabilit pratique ........
10
............ 15
2. Reconstruction et relaxation .....
.....................................
.................................
...........................
................................
23
24
26
31
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
VI11
Topographie et mcanique des surfaces
1. Topographie des surfaces .....................................
41
1. l . Importance de la topographie des surfaces ......................................

1.2. Topographie alatoire et topographie dterministe .
1.3. Perception et che
1.4. Les paramtres des surSaces ...

1.5. Profilorntrie 2 0 ...
1.6. Vers une topograp
1.7. De la topographie
..................
..............................
41
42
45
46
48
58
58
2. Contraintes superficielles ...................................................................
59
2.1. Importance des contraintes superficielles .............

2.2. Origine physique des contraintes superficielles.. ,
2.3. Critres de qualit des contraintes superficielles ..............................
66
.......
3. Duret superficielle
70
3.1. De la macroduret la duret superficielle ...................................... 70
3.2. La nanoindentation ......................................... ............................... 74
3.3. Caractrisation des couches minces ................................................ 82
.. .
Tribologie : frottement et usure des surfaces
1. Contact et frottement entre solides ....................................................
89
....................................................................
89
1 . I . Contact entre surfaces
1.2. Introduction au frottement ...............................................................

1.3. De la nanotribologie la macrotribologie .........................................
2. Principaux modes dusure des surfaces ................

2.2. Usure adhsive
2.5. Usure par fatigue thermique superficielle.................
93
99
106
108
111
117
120
122
125
129
3. Frottement, usure et ingnierie des surfaces ....................................

130
3.1. Approche exprimentale et cartes de mcanismes dusure ............... 130
3.2. Modlisation de lusure enfrottement sec ........................................
131
TABLEDES
Ix
MATIRES
3.3. Application ltude de lusure en petits dbattements ....................

3.4. Usure et frottement des outillages ...................................................
135
137
Bases physiques de lanalyse des surfaces
1. Interaction rayonnement matire ....................................................

1 . 1 . Relation nergie - longueur donde
.....................
1.2. Interaction rayons X - matire ......
1.3. Interaction lectron - matire .......................................
141
142
155
2. Les forces atomiques et molculaires ................................................
157
Les forces coulombiennes ...............................................................

Les forces dipolaires .......................................................................
Interactions auec les molcules polarisables ....................................
Les forces de dispersion .................................................................
La mesure des forces atomiques et molculaires ..............................
159
159
160
160
161
2.1.
2.2.
2.3.
2.4.
2.5.
14 1
3. Leffet tunnel...........................
Mthodes danalyse de lingnieur

des surfaces
1. Essai de classement des mthodes danalyse ....................................
163
2. Caractrisationmorphologique ........................................
2.1. Rugosit
...............................................................
2.2. Microscopie lectronique balayage (MEB)......................................
2.3. Microscopies en champ proche
................................................
168
3. caractrisation mcanique .................................................................
188
168
179
183
3.1. Mesures par nanoindentation ........

3.2. Mesure des contraintes superficielles
4. Caractrisation structurale ................................................................
4.1. Dgraction rasante et rjectomtrie X ...........

4.2. Les spectroscopies dabsorption (EXAFS - S E W S )
4.3. Ellipsomtrie .................................................
202
A. CORNET
et J.-P. DEWLLE
5. Caractrisation physico-chimique ..........................

5.1. Les bases de la mesure des angles de contact .................................
5.2. L'analyse dynamique des angles de contact ....................................
215
6. Caractrisation chimique................
.............
6.1. Spectroscopie des lectrons Auger ...................................................
6.2. Spectroscopie de photolectrons induits par les rayons X .................
6.3. Spectroscopie par dcharge luminescente.. ......................................
6.4. Spectroscopie de masse d'ions ou de neutres secondaires.. .......
218
215
216
2 18
227
233
Mthodes de preparation des surfaces
1. Essai de classement des mthodes de preparation ...........................

2. Traitements hors quilibre .......................................
2.1. Implantation ionique
2.2. Techniques laser .....
..........
...................................................
...................................................
243
247
247
256
3.1. Exemple du grenaillage ............................
4. Ralisation de couches minces par PVD et CVD ...................
............. 273
5. Essai de comparaison des mthodes
..........................
5.1. Les paramtres physiques ..............................................................
275
6. Ralisation de multicouches ...............................................................
277
275
7 . tude de cas
1. Traitements de surface des ressorts de soupapes .............................
279
1.1. Fabrication des ressorts et traitements de surface ...........................

1.2. Mesure des contraintes superficielles ..............................................
281
283
TABLEDES
XI
MATIRES
2. Quelques traitements de surface de biomatriaux ............................
285
Implantation ionique .......................................................................

Dpts sous plasma froid ...............................................................
Nitruration CVD assiste plasma avec dgusion ...............................
Caractrisation et test des traitements ............................................
287
289
290
29 1
3. Mise en uvre des techniques laser ....... .......................................

3.1. Dcapage des surfaces ...................................................................
3.2. Exemple de traitement thermique ....................................................
3.3. Exemples de refusion superficielle sans alliage................................
3.4. Exemples de refusion avec alliage superficiel...................................
294
295
296
299
4. Nucleation et croissance de couches diamant par CVD ...........
300
5. Modification de surfaces de polymres par plasma...........................

5.1. Traitements de surface de Nylon 6 par plasma micro-ondes.............
5.2. tude macroscopique de la surface modpe ...
5.3. tude microscopique de la surface modifie.. ..............
308
2. I.
2.2.
2.3.
2.4.
293
309
310
312
6. Synthse et croissance dun matriau pour la catalyse htrogne :
le carbure de silicium de haute surface spcifique ..........

.......... 314
6.1. Synthse, nuclation et croissance de carbure de silicium de haute
surface spcifique.. .........................................
6.2. Mise en vidence du mcanisme de croissance VLS de whiskers de
sur d u S i c dop ........
..........................................................
oparticules mtalliques disperses
...............................................
315
318
7. Couches minces pour lenregistreme

7.1. Croissance de cobalt sur la face (001)du chrome ...
7.2. Croissance de chrome sur laface (
7.3. tude des proprits magntiques
........................
325
Annexe A : Les fractales .........................
................................
327
Annexe B : Introduction aux systmes

dynamiques...........................................................
331
Petit lexique des acronymes

et abrviations
Ce lexique nest pas exhaustif. Linventivit des spectroscopistes et autres analystes est sans limite. De nouveaux termes sont crs ou modifis chaque anne.
Certaines abrviations sont utilises en prfuce ou en suffixe : elles sont soulignes dans ce lexique. Notre choix dpasse les seules mthodes danalyse des
surfaces pour offrir au lecteur de publications spcialises le moyen de comprendre des titres comme ceux-l :
* Studies of polymorphic systems using the methods of FTIR, DRIFT, 13C-,

CPIMAR I NMR, DTA and XRD.
* An investigation of the structures of the chemisorbed species from hydrocarbons
on metal surfaces using FTIR and EELS in conjunction with LEED, A E S and TPD.
AAS :
Atomic absorption spectroscopy

Spectroscopie dabsorption atomique
AES
Auger electron spectroscopy

Spectroscopie des lectrons Auger
mais aussi
AES
Atomic emission spectroscopy

Spectroscopie dmission atomique
AFM
Atomic force microscopy

Microscopie force atomique
AFS
Atomic fLuorescence spectroscopy

Spectroscopie defluorescence atomique
ALE :
Atomic Layer epitaxy
Ap:
Atom probe
Sonde atomique
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
a:
Angular resolved
Rsolu angulairement
ARUPS :
Angular resolved ultraviolet photoemission spectroscopy

Photomission W rsolue angulairement
ATD
DTA
Analyse thermique dgrentielle
A B:
Attenuated total reflection

Rflexion totale attnue
body centered cubic (voir cc)
bcc :
BET
Brunauer, Emett, Teller

Bremstrahlung Isokromat Spektroskopie
BIS :
Photomission inverse
CARS :
Coherent anti-Stokes Raman Spectroscopy

Spectroscopie Raman anti Stokes cohrente
cc
cubique centr (voir bcc)
Circular dichroism
Q:
Dichrosme circulaire
CER
Constante dlasticit radiocristallographique

cubique faces centres (voir fcc)
cfc
CPIMARINMR : Cross polarization magic angle rotation N M R

RMN en polarisation croise langle magique
CSM
Continus stixness measurement

Nanoindentation dynamique
CVD
Chemical vapor deposition

Dposition en phase vapeur par voie chimique
DAS
Dimer adatom stackingfault

Dimre adatome faute dempilement
w:
Direct current plasma

Plasma induit en courant continu
DRS :
Direct recoil spectroscopy

Spectromtrie temps de vol
DRIFT :
Disuse remctance inpared spectroscopy (with F T )

Spectroscopie infrarouge en reflectance d g u s e (avec TF)
DSC
Dinerential scanning calorimetry

Calorimtrie a balayage dgrentiel
DTA
Dinerential thermal analysis (voir ATD)
PETIT
LEXIQUE
EBIC
EZectron beam induced current

Courant induit par unfaisceau dlectrons
EBSD
DES ACRONYMES ET ABRVIATIONS
Electron back scattered dzsraction

Dflraction dlectrons rtrodauss
ECR :
EZectron cyclotron resonance

Resonance cyclotron lectronique
EDS
Energy dispersive spectrometer

Spectromtre dispersion dnergie
EDX :
EZectron dispersion X-ray (spectroscopy)

Analyse en spectroscopie dispersive des rayons X
EELS :
EZectron energy loss spectroscopy

Spectroscopie de pertes dnergie lectroniques
ENDOR
Electron and nuclear doubZe resonance

Double rsonance lectronique et nuclaire (pratique en RPE)
EPMA :
Electron probe microanalysis

Microsonde lectronique, ou Sonde de Castaing
ESCA
EZectron spectroscopyfor chemical analysis

Spectroscopie lectronique pour lanalyse chimique (voir XPS)
ESD
EZectron stimulated desorption

Desorption assiste par les lectrons
ESR :
Electron spin resonance

Rsonance paramagntique lectronique (RPE)
EXAFS :
Extended X-ray absorptionfine structure

Spectroscopie dabsorption X tendue
FABMS
Fast atom bombardment m a s s spectrometry

SlMS statique avec des faisceaux de neutres
face centered cubic (voir cfc)
fcc
FIM
FIP
:
:
FieZd ion microscopy

Microscopie ionique e f f t de champ
Frettingfatigue
Fatigue induite en petits dbattements
FIR:
Far inflared
Infrarouge lointain
FT :
Fourier transform
Transforme de Fourier (TF)
FTIR :
Frustrated total internal refexion

Rflexion totale internefrustre
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
mais surtout
FTIR :
Fourier transform infrared [spectroscopy)

Spectroscopie infrarouge transforme de Fourier
GC :
G a s chromatography
Chromatographie en phase gazeuse
GDL :
Glow discharge lamp

Lampe a dcharge luminescente (voir SDL)
GIXS :
Grazing incidence X-ray scattering

D@usion des rayons X en incidence rasante
GPC :
Gel permeation chromatography

Chromatographie permeation de gel
hc
hexagonal compact (voir hcp)
hcp
hexagonal closed packed (voir hc)
HPLC :
High performance liquid chromatography

Chromatographie en phase liquide de haute performance
m:
High resolution
Haute rsolution
IBAD :
Ion beam assisted deposition

Mixage ionique dynamique
IBS :
Ion beam sputtering

Pulvrisation par faisceaux dions
Icp:
Znductively coupled plasma

Plasma coupl par induction
IR
Infrared
lnf rarouge
ISS
Ion scattering spectroscopy

Spectroscopie dions rtrodfluss
LAMMA :
Laser assisted microprobe analysis

Microsonde assiste par laser
E:
Liquid chromatography
Chromatographie en phase liquide
LEED :
Low energy electron disraction

DGraction des lectrons lents [ou de faible nergie)
LPA :
Lorentz-polarisation-absorption
Correction Lorentz polarisation absorption
MBE
MC :
Molecular beam epitaxy

Epitaxie parjets molculaires
Monocouche (voir ML)
PETIT
LEXIQUE
DES ACRONYMES ET ABRVIATIONS
MEB :
Microscopie lectronique balayage (voir SEM)
MFM :
Magnetic force microscopy

Microscopie force magntique
ML :
Monolayer (voir MC)
MMB :
Microscope mcanique a balayage
MO:
Metal organic
Organomtallique
MOKE :
Magneto-optic Kerr Eflect

EJet Kerr magneto-optique
m:
M a s s spectrometry
Spectromtrie de masse
NAA :
Neutron activation analysis

Analyse par activation neutronique
NMR :
Nuclear magnetic resonance

Rsonance magntique nuclaire (RMNJ
E:
Plasma enhanced
Assist par plasma
PIBE
Pulsed ion beam evaporation

vaporation sous faisceau puls dions
PIXE :
Proton induced X-ray emission

mission de rayons X induits par les protons
PLD :
Pulsed laser deposition

Ablation laser
PVD :
Physical vapor deposition

Dposition en phase vapeur par voie physique
RBS :
Rutherford backscattering
Retrodflusion coulombienne
RHEED :
Reflexion high energy electron disraction

Duraction dlectrons rapides sous incidence rasante
RMN :
(voir NMR)
RMS :
Root mean square

Ecart quadratique moyen
RPE
(voir ESR)
S:
Surface ou Scanning
de surface >> ou << balayage B
<<
SAM :
Scanning Auger microscope

Microscope Auger balayage
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
S(0)DL :
Spectroscopie (optique) dcharge luminescente (voir GDL]
SEM :
(voir MEB)
SERS :
Surface enhanced Raman spectroscopy

Duusion Raman exalte de surface
SFA
Surface force apparatus

Machine de force
SIMS :
Secondary ion mass spectroscopy

Spectroscopie de masse dions secondaires
SNMS :
Secondary neutral ion mass spectroscopy

Spectroscopie de masse de neutres secondaires
SNOM :
B:
Scanning nearfield optical microscopy

Microscope champ proche optique
Synchrotron radiation
Rayonnement synchrotron
STEM :
Scanning transmission electron microscopy

Microscopie lectronique balayage en transmission
STM :
Scanning tunneling microscopy

Microscopie eflet tunnel
TEM :
Transmission electron microscopy

Microscopie lectronique transmission
TLK :
Terrace, ledge, kink

Terrasse, gradin, cran
ToF :
Time offright
Temps de vol
TPD
Temperature programmed desorption

Dsorption thermique programme en temperature
UPS :
Ultraviolet photoelectron spectroscopy

Spectroscopie de photolectrons induits par les W
Uvlvis :
travioletlvisible
Wl visible
m:
Veryf a r ultraviolet
Ultraviolet lointain
WDS :
Wavelength dispersive spectrometer

Spectromtre dispersion de longueur donde
XANES :
X-ray absorption near edge structure

Absorption X au voisinage des seuils
XAS :
X-ray absorption spectroscopy

Spectroscopie dabsorption X
PETITLEXIQUE DES
ACRONYMES ET ABRVIATIONS
XPS :
X-ray photoelectron spectroscopy

Spectroscopie d e photolectrons induits par les rayons X
XRD :
X-ray digraction
DGraction des rayons X
XRF :
X-rayfluorescence
Fluorescence X
Et pour conclure :
ENSAIS LMCM
IPCMS
- GSI :
cole nationale suprieure des arts et industries de

Strasbourg - Laboratoire de mcanique, corrosion et
matriaux
Institut de physique et chimie des matriaux
Strasbourg - Groupe Surfaces et Interfaces
de
Proprits physico-chimiques
des surfaces
Le rel nest jamais (( ce que lon pourrait croire N
mais toujours ce que lon aurait d penser
(. ..) Rien ne va de soi. Rien nest donn. Tout est construit. ))
R
Gaston Bachelard
En cherchant, aussi brivement que possible, ce que la thermodynamique nous

permet de prdire sur la stabilit et lvolution des surfaces solides (Sect. 1.3).
nous verrons, comme nous lavons indiqu dans lavant-propos, que, loin dtre
des limites franches, les surfaces et les interfaces sont des rgions dextension
spatiale floue o certaines proprits du matriau peuvent tre trs diffrentes
de celles quelles sont dans le volume. Cette approche a lavantage de faire u n
lien avec la technologie puisque dvelopper des matriaux nouveaux suppose de
modifier localement des proprits et que la miniaturisation revient multiplier
le nombre de surfaces et interfaces.
Pendant longtemps, tudier une surface est surtout revenu chercher des
proprits macroscopiques lies ladsorption de molcules (mthode BET
(Brunauer, Emett, Teller), isothermes dadsorption, surface spcifique). Dans les
annes soixante, les progrs de la technologie de lultravide ont facilit le dveloppement de nouvelles mthodes de caractrisation structurales et analytiques
et ont permis celui de relles tudes des surfaces lchelle micro- ou nanoscopique. videmment, dans u n premier temps, il fallait valider ces mthodes sur
des matriaux simples et pendant plus d u n e dcennie seules des faces simples
de monocristaux ont t tudies. Elles fournissaient de nombreux sujets de
dbats et de controverses. Par exemple, il aura fallu attendre plus de vingt-cinq
ans et la dcouverte de la microscopie effet tunnel (STM) pour rsoudre la
structure de la face propre (111) du silicium. Ltude de linterface entre largent
et le silicium sest prolonge sur plus dune dcennie avant que des modles
satisfaisants soient accepts. Ces cas, certes assez acadmiques, ont permis de
jauger chacune des nouvelles mthodes de caractrisation des surfaces. Enfin,
dans la dernire dcennie, ces mthodes ont pu entrer petit petit dans le
domaine industriel et ont permis de fconder les dveloppements rcents de
nouveaux matriaux de structure ou de fonction.
Notre cheminement suivra u n peu cette volution, allant de la description
nave dune surface suppose parfaite celle d u n systme complexe.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
10
I.
Description des surfaces
1. I .
Surface idale dun solide
Pour crer une surface idale partir dun solide cristallin, on imagine un plan
quelconque (hkl)faisant un angle faible avec un plan dense tel que ( O O l ) , (111) ou
(110). On te alors un u n les atomes situs d u n ct de ce plan qui traverse le
cristal massif. Faire ce clivage pour obtenir une face vicinale cotera de lnergie puisquon coupe des liaisons chimiques. Partant dun assemblage de sphres
dures (reprsentant par exemple le mode cubique faces centres : cfc -fee) ou
de cubes (reprsentant le mode cubique centr : cc - bcc), on obtient temprature nulle et lchelle microscopique des terrasses (terraces : T ) , constitues de
portions de plans denses spares par des gradins ou des marches (steps) qui
forment des contremarches ou lisires (ledges :L ) sur lesquelles se forment des
dcrochements appels crans (kinks :K ) .
Dans ce modle, appel TLK daprs les initiales des mots anglais terrace,
ledge, kink (Fig. 1.l a ) , les atomes peuvent occuper des sites sur les terrasses ( l ) ,
a u bord des gradins (2) ou sur les crans (3)avec les coordinences suivantes par
rapport u n atome de volume.
Tableau 1.I. Coordinence dun atome selon sa position dans le modle TLK.
516
9112
4/6
7112
3/6
6112
cubes (cc)
spheres dures (cfc)
Quel que soit le modle dassemblage, les atomes en position de cran ont une
coordinence gale la moiti de celle des atomes du volume. Cette proprit a
t utilise pour calculer lnergie de ces atomes partir de lnergie de cohsion
(dfinie comme la diffrence entre lnergie de latome libre et lnergie cristalline), elle-mme relie lenthalpie de sublimation. Des calculs rcents montrent
que cest loin dtre exact (Hecquet et Salanon, 1996)). En effet, chaque fois
quon coupe une liaison, le champ effectif vu par les atomes en place est modifi.
I1 faut donc apporter une correction ce modle naf a u travers dune formule u n
peu
Quand on lve la temprature dune telle surface, lnergie dactivation thermique provoque le mouvement des atomes qui diffusent sur la surface partir
de leur position dquilibre, introduisant une rugosit des marches et des terrasses (roughening).Quatre nouvelles positions sont alors possibles (Fig. 1. l b ) :
ladatome sur une terrasse (4), la lacune dans une terrasse ( 5 ) , ladatome sur
(1) Hecquet P. et Salanon B., Step interactions and surface stability of Cu vicinals, SurJ
Sci. 366 (1996) 415-431.
(2) Lapujoulade J., The roughening of metal surfaces, Sur$ Sci. Rep. 20 (1994) 191-249.
CHAPITRE
1 - PROPRITS PHYSICO-CHIMIQUES DES SURFACES
Adatome Lacune
11
Terrasses (T)
Lisii~ede marche (i)
Fig. 1.l.Schema d'une surface idale a O K (a) et a temperature non nulle (b).
une contremarche (6)que Villain et Pirn~inelli'~)

proposent de dsigner par le mot
gradatome , la lacune dans une contremarche (7). L a surface n'est dj plus
exactement un plan du rseau cristallin puisqu'il n'y a pas de raison pour que ce
processus de diffusion soit ordonn. plus haute temprature le dsordre augmente et on pourra observer des phnomnes comme la transition rugueuse
u
( 3 ) Villain J . et Pimpinelli A., Physique de la croissance cristalline (Eyrolles, Paris, 1995).
12
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Fig. 1.2. Image STM dune surface propre et reconstruite de Si (001). Remarquer lalternance des
lisires lisses et crantes et lorientationdiffrente de la reconstruction sur les marches successives
dont la largeur moyenne est de 1O nmi4)(tous droits reserves).
(roughening transition) ou la prfusion de surface (sugace melting). Tous ces

problmes, et beaucoup dautres lis la croissance cristalline considre dun
point de vue fondamental, sont bien traits dans louvrage de Villain et
Pimpinelli.
Lobservation de telles surfaces, proches de lidalit, a pu tre ralise
lchelle microscopique grce la microscopie lectronique balayage pratique
en ultravidei5). lchelle nanoscopique (atomique), lobservation en a t faite
ds 1951 par E.W. Mlleri6)avec la microscopie ionique a effet de champ field
(4) Lagally M., Mo Y.-M. et al., Kinetics of ordering and growth at surfaces (Lagally M.G.,
Plenum, New York, 19901, p. 145.
(5) Heyraud J.C. et Mtois J.J., Equilibrium shape and temperature : lead on graphite,
Sur$ Sci. 128 (1983) 334-342.
(6) Mller E.W., Surface studies by field emission, Principles of field emission, Applications of field emission, dans Modern dflraction and imaging techniques in material science,
S . Amelinckx, R. Gevers, G . Remaut et J. Van Landuyt, Eds. (North Holland, Amsterdam,
1970), pp. 683-734.
CHAPITRE
1 - PROPRITS
13
PHYSICO-CHIMIQUES DES SURFACES
ion microscopy). L a dcouverte de la microscopie effet tunnel (STM)71a permis

ensuite de faire limage d u n grand nombre de surfaces cette chelle. L a figure
1.2 montre une face (001) de silicium avec des marches de type [1101 vue en
STM. Si le clivage ou la fracture permettent de crer de nouvelles surfaces, on
peut aussi augmenter laire dune surface en ltirant ou en ajoutant des atomes.
Dans ce dernier cas, on fait de la croissance cristalline.
1.2.
Surface relle dun matriau
Dans les paragraphes prcdents, nous avons dcrit des surfaces modles qui
sont rarement rencontres en ingnierie, sauf dans lindustrie des semi-conducteurs.
Lobjet cr lorsquon prpare une surface industrielle est plus complexe. L a
figure 1.3 montre la structure schmatique d u n mtal polycristallin aprs usinage de la surface par u n outil.
Rugosit de surface
Couche physisorbe
Couche chimisorbe
Molcules organiques
Oxyde natif
zone crouie
et contamine
Gaz adsorbs,
Molcules organiques
Chimisorptionet occlusions
Altrations chimiques
Altrations physiques
10
Zone oriente
1 O0
Mtal << intact >>
im
Fig. 1.3. Structure microscopique de la surface dun metal usine.
Quel que soit le processus de coupe, qui est toujours une rupture du matriau dans une zone plastifie, il sensuivra de svres perturbations d u mtal.
(7) Binnig G. et Rohrer H., Scanning tunneling microscopy

Rev. Mod. Phys. 59 (1987) 615-625.
from birth to adolescence,
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
14
En allant du volume du matriau (bulk material) vers lextrme surface, on

traverse dabord le mtal intact, non perturb par la coupe mais ayant ses
propres dfauts (impurets, joints de grains, inclusions.. .). Ensuite, se prsente
une zone texture o les modifications induites par la coupe sont essentiellement structurales. Puis vient une zone crouie caractrise par u n grand
dsordre des grains et la prsence de nouvelles impurets introduites dans le
matriau au moment de la coupe.
Cette rgion est recouverte d u n e zone oxyde (oxyde natifl dont lpaisseur va
dpendre du matriau et de la cintique doxydation. Par exemple, dans le cas du
silicium, lpaisseur de la couche doxyde natif est de lordre de deux nanomtres
et augmente trs peu avec le temps. I1 en est de mme pour la majorit des
mtaux passifs. Dans le cas de laluminium, du titane ou du zirconium, il est
possible de trouver ou de former des couches doxydes ou dhydroxydes de plusieurs centaines de nanomtres.
Finalement, on trouve lextrme surface Caractrise par la prsence de
couches physi- et chimisorbes de molcules organiques, inertes ou vivantes
(biofilm). Lingnierie des surfaces doit prendre en compte toute cette rgion
modifie par divers types de dgradations ou de modifications : contraintes
superficielles, altrations physiques et mcaniques, ractions chimiques avec
latmosphre environnante quelle soit contrle ou non.
La figure 1.4 montre u n schma des diverses structures et effets observables
dans les rgions superficielles ou a u voisinage des interfaces internes, sachant
quune interface solide-liquide serait trs diffrente.
Dans le tableau 1.II, sont rpertories quelques proprits physicochimiques
observes dans les mmes rgions avec les domaines technologiques o elles
interviennent de faon souvent spectaculaire.
Tableau 1.II. proprits influences par les phnomnes de surface.
Hterojonctions
Recombinaisons
Diffusion et dopage
Structures
* MIS, MOS
* SOI
Fragilisation
Fatigue
Adhesion
* verre-mtal
* mtakramique
* mtal/polymre
Soudure
Couches dures
* nitrures
* carbures
Adsorption
Sgrgation
Catalyse
* activation
* poisons
Corrosion
Dpts, modes
de croissance
Magnetoresistance
Anisotropie
perpendiculaire
CHAPITRE
1 - PROPRITS
r
I
15
- & p u r e t e s dans\
yaseggazeuse
physisorption
~ d s o ~ {chirnisomtion
o n
Fig. 1.4. Principaux phnomnes de surface et dinterface.
1.3.
Critres de stabilit et dvolution dune surface
Lexprience quotidienne tendrait montrer que les surfaces sont stables alors
que les physicochimistes des surfaces savent bien quil nen est rien. Par
exemple, obtenir une surface propre dun monocristal de chrome peut demander
des semaines de travail et en quelques secondes ce travail peut tre ruin, par
exemple en chauffant le mtal u n peu trop haut. En fait, les surfaces que nous
utilisons voluent plus ou moins rapidement vers un tat de stabilit moins
quelles ne soient spcialement prpares pour ne pas voluer. La thermodynamique permet de montrer quune quantit caractristique de la surface, appele
la tension superficielle y, est relie un potentiel thermodynamique. Sachant
que tout systme volue de manire rendre minimum un tel potentiel, on
pourra prvoir ce que deviendra une surface quand on modifiera certaines
variables thermodynamiques.
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
16
L a variation d'nergie interne d'un systme ouvert qui peut changer travail
et espces chimiques est :
d U = d W + T d S + x p i dNi
(1.1)
i
o W , T , S reprsentent respectivement le travail, la temprature et l'entropie. p

et N sont les potentiels chimiqus et le nombre de particules des espces chimiques i.
Dans les prsentations classiques de la thermodynamique l'change de travail est en gnral rduit la seule contribution du travail mcanique, l'action
d'une pression P sur un volume V avec d W = - PdV. Cependant, un systme peut
changer bien d'autres formes de travail qui, souvent, ne peuvent pas tre ngliges. Par exemple, on pourra avoir :
du travail lectrique (cas de la charge d'espace dans u n semi-conducteur),
du travail magntique (retournement de domaines, friction magntique),
du travail d aux contraintes et dformations (lasticit),
du travail reprsentant la cration d'une surface [coupure de liaisons).
1.3.1. Notion de tension superficielle

Les deux dernires contributions sont fondamentales pour nous permettre de
comprendre l'volution d'une surface. On peut exprimer d W pour la dformation
d'un solide quelconque par :
6
dWcontr
ET,
dSk
k =1
o T , est le tenseur des contraintes (stress) et S , celui des deformations

(strain).Pour le cas de la cration d'une surface plane, il semble vident a premire vue que la variation de travail sera proportionnelle a l'aire cre.
d W , = y dA
(1.3)
o y est appele la tension superficielle et s'exprime en J.m-2 ou parfois en

N.m-' ; il peut tre pratique de l'exprimer en eV par atome. On trouve encore des
valeurs exprimes dans l'ancien systme CGS, en erg.cm-2 ou en dyne.cm-'
(1 J.m-2 = 1 N.m-' = l o 3 ergs.crn-' = lo3 dynes.cm-').
k
"
la lecture de la littrature anglo-saxonne, ne pas confondre surface stress

et surface tension. Le terme surface stress dsigne les contraintes superficielles, qui peuvent tre de traction ou de compression, alors que surJace tension correspond notre y.
En thermodynamique des surfaces, on devra sparer clairement le travail mcanique de l'nergie de cration de surface et on aura donc :
n
dU = - P d V + T d S + y d A + x p i d N i
i =1
CHAPITRE
1 - PROPRITS
17
1.3.2. Tension superficielle et potentiels thermodynamiques

La dfinition intuitive de la tension superficielle ne permet pas de dire que cest
une quantit utile pour prdire lvolution dun systme. Le modle de Gibbs
permet de dmontrer que y est reli u n potentiel thermodynamique caractristique de la surface. On considre deux phases a et /3 spares par u n milieu
interfacial dont on connat mal ltendue, ltat de contrainte et la composition.
On choisit une variable thermodynamique (par exemple la concentration dune
espce i en fonction de la profondeur dans le matriau). Constante dans le
volume et gale respectivement c s et c / dans les phases a et /3. elle varie dans
lespace interfacial (Fig. 1.5a).
Dans le modle de Gibbs, on prolonge par la pense les deux phases a et /3
jusqu u n << plan diviseur >> de volume nul et daire A en gardant constantes les
concentrations volumiques. On se trouve alors avec des atomes i en excs
(Fig. 1.5b) quon rpartit harmonieusement par la pense s u r le plan diviseur. Ce
nombre datomes, NF, est appel une quantit dexcs de Gibbs.
Phase fl
S
Plan diviseur
(Aire A)
Phase CI
Fig. 1.5. Modle de Gibbs : (a) ralit, (b) modle.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
18
Toute variable thermodynamique extensive, hormis le volume, est susceptible

de donner une quantit dexcs de Gibbs. On la dsigne avec s a notation usuelle
affecte de lexposant s. La question est de savoir si ce modle est raisonnable.
Gibbs a montr que dans tout systme un ou plusieurs composants on pouvait
toujours trouver un plan diviseur pour lequel la quantit dexcs d u n des composants est nulle sans que soit viole la rgle des phases. Cest ce quon appelle
la surface quimolaire de Gibbs.
En reprenant la relation (1.4)pour les quantits dexcs on trouve :
n
d U S = T d S S +ydA
+c
p i dN;
(1.5)
i=2
o la composante de travail mcanique a disparu (le plan diviseur na pas de

volume !), o la composante chimique comprend (n - 1) quantits dexcs cause
de la notion de surface quimolaire et o la composante de travail de cration de
la surface est par dfinition une quantit dexcs puisquelle ne peut exister
quen surface.
En intgrant la relation (1.5),on obtient :
us
= TSS +YA
+ &N;
(1.6)
i =2
Puis en manipulant les diffrents potentiels thermodynamiques dexcs qui

reprsentent des quantits dinterface ou de surface (enthalpie H s , enthalpie
libre ou nergie libre de Gibbs G S ,nergie libre de Helmholtz FS,grand potentiel
Q), on trouve, respectivement, pour les systmes u n et plusieurs composants :
FS=yA;GS=O sin=1
(1.7a)
et :
FS
i=2
i =2
= ~ A + C ~; G~S =NC ;+ N ;;
QS
=/A si n > 1
(1.7b)
y est donc bien proportionnel u n potentiel thermodynamique de surface et

lvolution dune surface non contrainte se fera par diminution du produit
?A.Quand la surface est soumise une force qui modifie laire, la situation est
bien plus complexe calculer et la notion de plan diviseur devient beaucoup
moins claire puisquil faut que la contrainte interfaciale puisse sexercer dans u n
volume non nul. En faisant la diffrentielle totale de lnergie libre dexcs FS
pour les systmes u n seul composant, on voit que :
dFs = d(yA) = ydA + A d y
ce qui conduit (s)(g)

:
( 8 ) lments de mtallurgie physique, Tome 3, Alliages, Dfauts cristallins (Chap. 20),

textes runis par Adda Y., Dupouy J.M., Philibert J. et Qur Y. (INSTN-CEA, Paris, 1977).
(9) Ibach H., The role of surface stress in reconstruction, epitaxial growth and stabilization
of mesoscopic structures, Su$. Sci. Rep. 29 (1997) 193-263.
CHAPITRE
1 - PROPRITS
19
05.
en dsignant la dformation par

et la contrainte de surface par
Cest
lquation de Shuttleworth quon trouvera dmontre avec rigueur dans la rfrence@).
En drivant lquation (1.7b) on obtient :
dF
y + -A+dCyp i *
dA
dA
dNf
(1.10)
1-2
Ici se retrouve aussi la notion de contraintes de surface (surface stress) et cette

quation montre que lapplication de contraintes a u voisinage de la surface peut
entraner des modifications de tension superficielle et des volutions chimiques.
Des calculs approximatifs montrent que ces contraintes de surface sont loin
dtre ngligeables et vont induire sur les surfaces des phnomnes de relaxation
et reconstruction. Le lecteur dsirant en savoir plus pourra se rfrer utilement
Spaarnaylo).
1.3.3. Rle des composants de volume sur la surface

Si on fait la diffrentielle totale de lquation ( 1.6) on obtient :
n
d S = T d S S +Ss d T + y d A + A d y + C p i dNf + x N f d p i
i =2
et en couplant avec lquation (1.5),il reste
(1.11)
i =2
:
n
d y = -S/A
dT
C N f / A dpi
(1.12)
i =2
o les chimistes reconnatront un quivalent bidimensionnel de lquation de

Gibbs-Duhem. On peut en tirer deux conclusions essentielles :
1. la tension superficielle dcrot quand on augmente la concentration superficielle despces i potentiel chimique plus important,
2. la variation de la tension superficielle dpend des potentiels chimiques de
tous les constituants du matriau sauf un.
Dans le tableau 1.III sont fournies quelques donnes pour des molcules courantes.
La figure 1.6 donne les valeurs de la tension superficielle pour les diffrents
lments du tableau priodique compares lnergie de cohsion. On constate
une grande similarit entre les deux courbes avec une augmentation de la tension
superficielle avec le numro atomique et u n maximum au voisinage du milieu des
sries des mtaux de transition.
(10) Spaarnay M.J., Thermodynamics (with a n emphasis on surface problems), SurJ Sci.
Rep. 4 (3/4) (1984) 101-270.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
20
Tableau 1.Ill. Quelques valeurs de la tension superficielle
Y (J.m-3
val. exprimentale
Matriaux
CaF, (solide)
Cu (001)
Cu (115)
Cu (liquide)
Cu (solide)
0,450
Eau
thanol
MgO (solide)
W (solide)
Y(J*mjl)
val. ttleorique
2,016
1,300
1,670
0,073
0,023
1,200
2,900
1,273
1,391
T(C)
WrenMts
- 195
Sornorjai(l21
- 273
- 273
1 535
1 047
20
20
25
1 727
Tian et Rahman
id,(11
Sornorjai[12)
id.
id.
id.
id.
id.
La tension superficielle dpend beaucoup, comme on la vu, de la composition

du matriau et de ltat rel de la surface. Ceci a pour consquence que les
mesures exprimentales de la tension superficielle seront trs dlicates. I1 ne faut
donc pas sinquiter si diverses tables fournissent des valeurs assez disperses.
Gardons lesprit que la tension superficielle dun mtal est de lordre de
quelques J.m-2.
u n degr moindre, la tension superficielle dpend de la nature de la face
cristalline. Plus la face est dense, plus sa tension superficielle sera faible comme
lont montr Heyraud et Mtois (Rf.(5))
grce a des mesures trs fines. Ce rsultat permet dexpliquer certaines reconstructions de surface.
1.3.4. Quelques conclusions pour lingnierie des surfaces

Des donnes prcdentes et du fait que la surface va toujours obir lquation
dadsorption de Gibbs et tendre diminuer le produit yA. on peut en dduire
quune surface mtallique idalement propre est instable. Quand on travaille sur
u n solide, jouer sur laire sera difficile, le seul moyen dvolution se fera travers
yet p . Une surface tendra adsorber des molcules fort potentiel chimique ou
faible tension superficielle. L a forme la plus oxyde sera toujours la plus stable.
On peut prdire aussi que des surfaces nitrures ou carbures seront trs
stables. Par ailleurs, ladsorption de molcules organiques sera facilite et une
surface sera toujours recouverte dune fine pellicule de contamination. En
revanche, une surface de polymres, essentiellement composs de molcules
( i l ) Tian Z.J. et Rahman T.S., Energetics of stepped Cu surfaces, Phys. Rev. B 47 (1993)
975 1-9759.
(12) Somorjai G.A., Introduction to surface chemistry and catalysis (John Wiley & Sons,
New York, 1994).
CHAPITRE
1 - PROPRITS
10
10
15
15 20 25
20 25
21
"
'
30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
30
35 40 45
50 55 60
65 70 75
85
90
'
95
80 85 90 95
Numro atomique
Fig. 1.6. Comparaison entre la tension superficielle et l'nergie de cohesion des elements du
tableau priodique.
organiques rticules entre elles, sera tellement stable qu'il sera difficile d'y
dposer des mtaux. I1 faudra procder des modifications de la surface de ces
matriaux pour pouvoir effectuer des dpts. C'est l qu'interviennent de nombreux procds par plasma (flammage, dcharge corona.. .).
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
22
Pour les interfaces, ladsorption de molcules venant de latmosphre nest

videmment pas possible et sera remplace par le phnomne de sgrgation qui
peut tre soit thermiquement activ, soit induit par les contraintes. Par exemple,
les impurets telles que le soufre, le phosphore, lantimoine tendront migrer
vers les joints de grains et pourront tre responsables de la fragilisation des
mtaux et alliages, notamment ceux base de fer. La sgrgation des mmes lments se fait aussi vers la surface et elle est responsable par exemple de lempoisonnement des catalyseurs puisque les sites actifs sont bloqus par des atomes
autres que ceux quon aimerait adsorber pour raliser la raction chimique souhaite.
Dans le cas des alliages mtalliques, il apparat aussi des effets de sgrgation qui dpendent de trois facteurs, la tension superficielle des lments constitutifs, la taille des atomes et les possibilits dexistence de phases ordonnes. L a
thermodynamique permet de prvoir quen surface, la sgrgation favorisera :
lespce chimique ayant la plus faible tension superficielle,
celle ayant le plus grand diamtre atomique (les << gros >> atomes remonteront
en surface pour soulager la contrainte),
la formation de phases ordonnes en surface si le facteur denthalpie de
mlange est favorable.
Dans de nombreux cas, il y a comptition entre ces trois moteurs de la sgrgation, ce qui rendra les prdictions sur la composition de la surface relativement difficiles et quelquefois hasardeuses. Cet effet est videmment trs important en catalyse puisque lactivit du catalyseur va dpendre de sa composition
superficielle. I1 est aussi capital de le prendre en compte dans les couches
minces mtalliques soumises des traitements thermiques ou des environnements extrmes en temprature. La composition a u voisinage de la surface ou
des interfaces peut tre totalement diffrente de celle qui est dsire pour la proprit recherche. En revanche, si on sait piloter la sgrgation, on pourra obtenir en surface ou au voisinage des interfaces des phases mtastables qui pourront jouer un rle bnfique pour les proprits du matriau (protection contre la
corrosion, anisotropie magntique perpendiculaire, magntorsistance gante.. .).
2.
Attention : il est capital de se souvenir que la thermodynamique prvoit

certes des volutions mais quelle ne dit rien sur leur cintique, qui peut tre
extrmement lente dans certains cas.
Reconstruction et relaxation
Jusqu prsent, nous avons surtout considr la modification de la surface par

ladsorption ou la sgrgation. I1 existe des cas o la surface ne peut pas diminuer son nergie libre (ou son grand potentiel) de cette manire, soit que lon ait
une surface inerte du point de vue chimique (mtaux nobles, graphite), soit quil
ny ait pas de possibilit dadsorption (absence datmosphre ractive, travail
sous ultravide). L a stabilit de la surface sera alors assure par la modification
CHAPITRE
1 - PROPRITS
23
des positions relatives des atomes de la surface par rapport celles quils occuperaient dans le modle TLK. I1 y aura donc une volution de la structure cristalline de la surface travers deux phnomnes : la reconstruction et la relaxation.
Rarement indpendantes, ces modifications peuvent tre cependant dcrites
sparment. Notons enfin que relaxation et reconstruction peuvent tre aussi
induites par des adsorbats, ce qui rend la description complexe. L a thermodynamique se contente hlas rarement dquations simples et dans un systme
ouvert il y a toujours plusieurs variables thermodynamiques qui peuvent intervenir en mme temps.
2.1.
Definitions
L a relaxation suppose des translations rigides des couches atomiques de surface

par rapport celles du volume. Ces translations sont perpendiculaires a u plan
de surface et naltrent pas la symtrie de translation des plans : elles ne changeront donc pas la symtrie des diagrammes de diffraction de surface mais elles
modifieront les intensits des faisceaux diffuss. La relaxation peut stendre
relativement loin dans le cristal (multilayer relaxation). La reconstruction suppose des rarrangements de ranges atomiques sur la surface qui modifient la
maille du rseau et ses symtries de translation. On identifie une reconstruction
par un symbole qui relie la maille de surface (surface cell) reconstruite la
maille issue des terrasses du modle TLK. Par exemple Si (111) - (7x 7) signifie
que le plan de rfrence est le plan (111) du silicium et que la maille reconstruite
est 7 fois plus grande le long de chacun des deux vecteurs de base du plan. Ce
symbolisme est efficace si la reconstruction est commensurable avec le rseau.
Si la reconstruction est incommensurable, on sera amen dfinir une matrice
de passage comme, par exemple, pour la reconstruction des plans (100) des
mtaux nobles (Ir, Pt, Au).
Fig. 1.7. Schema de la relaxation : a gauche modle non relaxe, a droite modle relaxe.
24
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
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(a) Maille non reconstruite cfc (1 11) - (1 x 1)
(b) Reconstructioncfc (1 11) - (fi

x f i ) R30"
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m
O
a, : paramtre de maille du cfc massif

a,: paramtre de maille de surface des
faces (001) et (111)
as= a,
42
2
L
@
(c) Reconstructioncfc (100) - c (2 x 2)

ou (100) - (fi
x fi)R45"
Fig. 1.8. Representation schmatique de mailles reconstruites de surface.
2.2. Relaxation
La plupart du temps, les mtaux ont plutt tendance relaxer parce que la liaison mtallique n'est pas dirige. En revanche, les semi-conducteurs et, dans une
certaine mesure, les mtaux nobles ou << presque nobles B sont trs sensibles la
reconstruction. Pour les surfaces propres de mtaux, on peut donner des tendances gnrales du phnomne de relaxation'131:
la distance interatomique entre la premire et la deuxime couche est pratiquement toujours plus faible que le paramtre de volume (contraction du
rseau),
l'importance de la relaxation est du mme ordre de grandeur pour les surfaces ayant la mme structure [exemple cfc (1lo)],
plus une face est compacte, moins il y a de relaxation ; on retrouve ici une
illustration du fait que la tension superficielle des faces denses est plus faible
et que ces faces sont donc plus stables,
(13)Jona F. et Marcus P.M., Surface structures from LEED

tables phases, ICSOS II, Amsterdam, 1987 (Springer Verlag).
: Metal
surfaces and rnetas-
CHAPITRE
1 - PROPRITSPHYSICO-CHIMIQUES
25
DES SURFACES
le plus souvent il y a alternance du signe de la relaxation dune couche atomique vers la suivante (succession de contractions et de dilatations) mais ce
nest pas systmatique.
-+- - + -
I
I
cc(211)
cc(ll1)
cc (310)
cc (210)
cfc (110)
cfc (210)
cfc (311)
cfc (331)
Pour le calcul thorique des relaxations, on tend utiliser des modles qui
prennent en compte les forces lectrostatiques non compenses apparaissant
lors de la troncature du cristal. Si on connat la distribution de ces charges, ces
forces se calculent facilement en utilisant la loi de Coulomb. Les premiers
modles ont suppos une rpartition homogne de charges ponctuelles (modle
du << jellium ). et ont conduit soit des relaxations trop importantes soit des
instabilits de la surface. Avec des rpartitions irrgulires de charge autour des
ions, on est arriv de bien meilleures prdictions.
L a figure 1.9 donne des valeurs thoriques et exprimentales de relaxation
pour diverses faces de mtaux cc ou cfc.
; Le coefficient de rugosit est dfini comme le rapport entre laire de la maille

:4
de surface et laire occupe par les atomes situs en premire couche.
-8
-40
-35
411
qN - 30
r
O
a
-25
- 20
15
10
-5
O
iio
+5
6
7
Coefficient de rugosit
Fig. 1.9. Relaxation des diverses faces des mtaux cc et cfc (daprs Rf.13)).
26
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
2.3. Les grands types de reconstruction

Les semi-conducteurs (par exemple le silicium, le germanium et larsniure de
gallium) sont plus sensibles la reconstruction que les mtaux. En effet, les liaisons chimiques mises en jeu sont fortement covalentes et donc diriges. Cela
signifie que leurs longueurs ne pourront pas se modifier et que les angles entre
liaisons devront obir aux diverses hybridations possibles. Mais surtout, la rupture de telles liaisons lors de la cration de la surface introduit des liaisons pendantes (dangling bonds) qui sont extrmement coteuses en nergie car elles
reprsentent des densits lectroniques rpulsives se faisant face. L a minimisation de lnergie superficielle ne se fera pas par la relaxation qui suppose la dilatation ou la compression des distances interrticulaires du cristal mais grce
la reconstruction. Se produit alors u n changement dhybridation des orbitales
qui se traduit en plus par des modifications de la structure lectronique et donc
des proprits de transport a u voisinage de la surface.
2.3.1. Reconstruction (2 x 1) des plans (111) et ( I 00) du silicium

Pour la face (11 1) cest la structure quon obtient en faisant un clivage sous vide
du silicium. La simple troncature d u rseau [structure (1 x 111 introduit des
liaisons pendantes rapproches qui ne sont pas acceptables du point de vue
nergtique (Fig. 1. loa). L a reconstruction diminue considrablement cette
interaction. Les premiers modles ont suppos u n gauchissement (buckling)de
la surface produite par lalternance dune lvation et dun abaissement des
atomes de la surface obtenue grce une modification de lhybridation sp3
(Fig. 1. lob).
Latome << haut >> remplit les tats s profonds et se lie de faon pyramidale aux
atomes voisins par des orbitales p . Latome << bas >> garde une liaison pendante de
type p qui reste vide (mais tant enfouie elle est moins nocive). Cet atome se lie
ses voisins uia une hybridation sp2.En fait, ce modle nest pas compatible avec
les mesures de photomission et les proprits optiques : il faut introduire une
.
atome
distorsion de la << bicouche >> datomes superficielle (Fig. 1 . 1 0 ~ )Chaque
de type 1 et 2 (cercles centrs) a une orbitale 3p, pendante et les zigzags ainsi
crs se couplent pour former une liaison n comme dans les composs organiques (n-bonded chain model de Pandey). En ralit, il se produit de surcrot un
peu de relaxation. On observe dans ce modle des alternances de cycles
datomes de silicium ayant respectivement 5 et 7 atomes a u lieu des cycles normaux de type << chaise >> 6 atomes. On peut rapprocher cette structure de celle
des joints de macle 23 dans le silicium (Fig. 1.10d).
Le plan (100)du silicium subit aussi une reconstruction (2 x 1) : une illustration en STM en est donne sur la figure 1.2. Le nombre de liaisons pendantes est
diminu par la cration de dimres Si-Si qui ont une orientation diffrente d u n e
terrasse lautre.
CHAPITRE
1 - PROPFUTS
27
Liaisons pendantes
(a) Simple troncature du rseau
Reconstructions
Premiere couche Deuxime couche
(b) Gauchi
Troisime couche
Chane suprieure
Chane infrieure
(c) Chanes a liaison n
(d) Chanes a liaisons z dformes
Fig. 1.10.
Reconstruction (2 x 1) du silicium (lll),d'aprs Smit(l4I.
(14) Smit L., Tromp R.M. et Van der Veen J.F.,Ion beam cristallography of Si surfaces IV.
Si ( 1 11)- ( 2 x l ) , Suq. Sci. 163 (1985)315-334.
28
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
2.3.2. Reconstruction (7x 7) du plan (1 11) du silicium

La surstructure Si (111) - ( 2 x 1) est mtastable et u n recuit 380 C conduit
irrversiblement une surstructure (7 x 7). Cette surstructure sobtient aussi
normalement aprs nettoyage dune face (111) de silicium obtenue par coupe et
polissage classiques. I1 nest pas possible dentrer dans les dtails de la rsolution de cette surstructure qui a exig plus de vingt ans defforts. Les techniques
de rseau rciproque (diffraction dlectrons) taient dans un premier temps
inadaptes dans la mesure o elles imposaient le traitement de beaucoup trop
dinformations. Des quune image dans le rseau direct a pu tre obtenue par
STM, le problme a trouv rapidement une solution qui tait trs loigne de tout
ce quon avait pu imaginer auparavant.
L a rfrence(l51renvoie des illustrations des modles successifs. Le dernier
modle en date, et le plus satisfaisant, est appel DAS (dimer adatom stacking
fault) (Rf.ll6])en raison de la prsence dun adatome en surface, de couplage des
atomes de silicium en dimres et dune faute dempilement entre deux cts de la
maille. Cette structure a la particularit de supprimer plus de la moiti des liaisons pendantes (il nen reste que 19 a u lieu des 49 de la maille 7 x 7) et respecte
le plus possible la coordination ttradrique des atomes de silicium (Fig. 1.11). I1
reste encore bien comprendre la cintique de cette transition de phase de surface (2 x 1) 4 (7 x 7) et, notamment, expliquer son irrversibilit.
2.3.3. Reconstruction (I x5) du plan (100) de Pt, Ir, Au

Lexplication de ce type de reconstruction repose dune part sur les proprits
danisotropie de y (voir Sect. 1.3.3.) et dautre part sur llasticit (cration de
surface par tirement). Ce sont surtout des structures dtermines en LEED qui
ont permis de commencer comprendre ces reconstructions qui ont pu tre
visualises ensuite en STM. Pour liridium, il y a une transformation structurale
du premier ordre (1 x 1) mtastable en (1 x 5) hexagonale compacte. Autrement
dit, on a lhomopitaxie d u n plan (111) sur u n substrat (loo),facilite ici par la
taille de latome diridium (Fig. 1.12). Lnergie dactivation de cette transition est
de lordre de 0,9 eV/at. Liridium tant u n des lments possdant la plus forte
tension superficielle, la diffrence entre y (111) et y (100) sera suffisante pour
rendre la surface (111) nergtiquement bien plus stable que la face (100).
puisque le rapport entre y(100) et y ( l l 1 ) est de lordre de 1,02.
Le cas du platine ou celui de lor sont u n peu plus compliqus. On saperoit
en effet que la structure nest ni rigoureusement (1 x 5 ) . ni toujours la mme
dune partie de lchantillon lautre. On peut expliquer cela, dune part, par une
reconstruction de type hexagonal (comme dans liridium), mais aussi par une
(15) Tromp R.M. et Van Loenen E.J., Ion beam crystallography of silicon surfaces III.
Si (111) - (7 x 7). Surf. Sci. 15 (1985) 441-479.
(16) Takayanagi K. et al.,Structure analysis of the Si ( 111) - (7 x 7) reconstructed surface
by transmission electron diffraction, Surf. Sci. 16 (1985) 367-392.
CHAPITRE
1 - PROPRITS
29
Fig. 1.11. Reseau DAS de la surface reconstruite Si (111) (7 x 7), d'aprs Takayanagi et a/.'161.
Fig. 1.12. Reconstruction (1 x 5).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
30
densification de la surface par rapport a u volume et mme par rapport u n plan

(111) idal. I1 y a raccourcissement des distances Pt-Pt (3 %) et Au-Au (4,2 %),
ondulation de la surface et, bien sr, relaxation entre le premier et le second
plan. I1 se produit peu prs le mme phnomne dans le cas de la reconstruction de la face (111) de lor. Comme pour le platine (loo),elle nest pas totalement reproductible mais tourne autour de (1 x 22 t- 2). Des tudes en STM ont
montr des rseaux de marches ordonnes de trs longue priode qui sont compatibles avec une superdensification de la surface de lor.
2.3.4. Reconstruction (1 x 2) du plan ( I I O) des mtaux cfc

Le plan (110) des mtaux cfc est beaucoup moins dense que les plans (111) et
(100).I1 peut tre considr du point de vue TLK comme u n assemblage de ranges compactes [ 1101 situes alternativement deux niveaux. Plusieurs modles
sont possibles : buckling (gauchissement), row pairing (appariement des ranges)
et missing row (range manquante). Dans ce dernier cas, on gagne de lnergie
superficielle en tant une range (< haute B sur deux. On forme ainsi une structure en << toit dusine B avec des microfacettes (11 I ) . On substitue des surfaces
faible y des surfaces moins stables ( ~ l ~ o / y =
l l 1.04).
l
Vues de ct
Range manquante
Gauchissement
Vuesdedessus
Fig. 1.13. Variantes de reconstruction (1 x 2) du plan (110) des mtaux cfc
Appariement
CHAPITRE
1 - PROPRITS
3.
31
Mouillabilite
Que se passe-t-il lorsque, chez soi, on fait une sauce vinaigrette ou quon repeint
sa salle de bains ? Que voit-on lorsque la pluie commence tomber sur notre
parapluie ? Quarrive-t-il,si latelier, on procde u n traitement de surface ou
si on fait a u laboratoire de la croissance cristalline ? Quand on travaille bien
chez soi, lexprience montre que la peinture stale parfaitement sur le mur et
quau repos il y a des gouttes de vinaigre dans lhuile ou vice versa. Sur le parapluie se forment des gouttes qui finissent par rouler sur le tissu impermabilis.
latelier ou au laboratoire les rsultats peuvent tre tout fait inattendus. Avec
ces petites ou grandes expriences, on teste la notion de mouiiiabilit (wetting).
La peinture << mouille >> le pltre (elle est conditionne pour produire cet heureux
rsultat) et leau ne mouille pas le parapluie dont le tissu est conu pour que des
gouttes se forment dessus au lieu de le traverser. Ces gouttes, plus ou moins
grosses, plus ou moins tales, ont une forme qui permet de minimiser lnergie
totale d u systme.
Du point de vue physique, on considre une phase solide S sur laquelle se
dposent des atomes ou molcules de phase liquide L , le tout tant entour
datomes ou de molcules de phase gazeuse G. Langle 8 que fait la goutte avec le
substrat, appel angie de contact, dpend des tensions interfaciales des
espces en prsence. L a figure 1.14 montre la configuration du systme et la
rpartition des forces qui sexercent sur les interfaces.
Jase
k G
gazeuse G
Phase liquide L
YSL
Phase solide S
Fig. 1.14. Angle de contact lquilibre sur une surface solide.
En crivant lquilibre des forces (projection sur laxe horizontal) on obtient

lquation de Young :
(1.13)
YSG - YLG cos8 = sr.
o les divers ysont les tensions interfaciales.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
32
3.1.
Interfaces liquide-solide
Une goutte liquide L est pose sur un solide S. Ils sont baigns tous deux par
une phase gazeuse G. L a relation de Young devient :
YSG = Y S L + YLG
(1.14)
cos6
avec :
YSG
YS - ne
ze est la pression dtalement du liquide due son poids, y, et y,- sont respectivement les tensions superficielles du liquide et du solide et ysL la tension interfaciale entre le liquide et le solide. Si le mouillage est partiel, la pression dtalement est ngligeable. On retrouve une nergie dadhsion qui est lquation de
Young-Dupr :
(1.15)
w,, = YLG(1+ cos e)
t
La plupart du temps on confond tension superficielle et tension interfaciale

entre une phase condense et une phase dilue, dans la suite on trouvera y,-
la place de yLGet y, la place de ysc.
3.1.1. Angles de contact :mthode classique

Cette nergie peut se diviser en deux contributions de nature dispersive (force de
dispersion de London entre deux molcules non polaires) et non dispersive
(interactions dipolaires, liaisons hydrogne, interactions acido-basiques), comme
on le verra a u chapitre 4, section 2. On aura alors :
(1.16)
Les deux valeurs de ys peuvent tre obtenues partir de mesures dangles de

contact faites avec a u moins deux liquides diffrents dont on connat les diverses
composantes de la tension superficielle.
3.1.2. Titration acido-basique et angles de contact

Lapproche prcdente du calcul de lnergie de surface a pour inconvnient de
regrouper dans la composante non dispersive des interactions qui nont rien
voir les unes avec les autres. On peut donc sparer les interactions de LifshitzVan der Waals (LW) des interactions acide-base (AB). On montre quon peut obtenir le travail dadhsion par la formule suivante :
w,,= y L (i + COS e)
LW
=2[(Ys
LW
YL
+(y;
112
+ (ri y;y2]
(1.17)
CHAPITRE
DES SURFACES
33
o y + et y- sont les contributions aux tensions superficielles ayant soit le caractre u acide de Lewis >> (accepteur dlectron), soit le caractre << base de Lewis D
(donneur
En utilisant trois liquides a u moins pour lesquels on connat les valeurs des
diverses contributions aux nergies de surface, on peut trouver les valeurs de y
pour le solide. On reviendra dans la section 5.2 du chapitre 7 s u r lutilisation de
ces mthodes de mesure dangles de contact pour tudier les modifications de
surface de polymres.
3.2. Interfaces solide-solide

Lorsquon fait de la croissance cristalline partir de la phase vapeur en dposant des atomes (adsorbat)sur u n solide (substrat),on cre en gnral une interface solide-solide. lquilibre thermodynamique, on connat trois modes de
croissance qui sont lis au plus ou moins bon mouillage de ladsorbat s u r le substrat. Ce mouillage dpendra la fois des potentiels chimiques des espces en
prsence et de leur tension superficielle. On dfinit lnergie dtalement de la
nime couche par W,, qui prend en compte ces deux facteurs. L a figure 1.15
montre ces trois modes de croissance qui sont :
le mode Frank-Van der Merwe qui correspond u n mouillage complet et qui
est u n mode de croissance << couche par couche .Pour que ce mode se ralise
il faut que tous les W,, soient ngatifs et que Wn+, soit toujours infrieur W,,.
Une condition quivalente est que Ap soit ngatif quel que soit le nombre
datomes dposs. On peut citer lexemple de Co/Cu (100)et de Au/Pt (001) ;
le mode Stranski-Krastanov qui correspond u n mouillage moins bon pour
lequel une ou deux couches se dposent de manire homogne s u r le substrat alors que les suivantes forment des lots. Tous les W,, sont ngatifs mais
u n moment W,,+i devient plus grand que W,, ( A p augmente). Cest le mode de
croissance de Co/Cr (110) et de Ag/Si (111) ;
le mode Volmer-Weber o la formation dlots commence ds le dpt des premiers atomes. Lorsque les tensions superficielles du substrat et de ladsorbat
sont trs diffrentes, on aura u n mode Volmer-Weber. Ce sera le cas quand,
par exemple, on dpose un mtal s u r une cramique ou un polymre. En
revanche, si les tensions superficielles sont du mme ordre, il sera difficile de
prvoir le mode de croissance, les diffrences dnergie entre le mode FrankVan der Menve et le mode Stranski-Krastanov tant trs faibles et les conditions dquilibre rarement atteintes.
On connat videmment des modes de croissance hors dquilibre : le mode de
croissance par couches simultanes o la nime couche commence crotre
avant la compltion de la couche ( n - 1), les modes de croissance avec interdiffusion de ladsorbat et du substrat ou avec formation dalliages dinterface,
(17) Darque-Ceretti E., LAdhsion : les concepts et les causes, Rev. Mtail. Cah. inf. Tech.
(1997) 617-633.
34
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
ordonns ou non. Ces modes de croissance sont trs frquents puisqu'on est
rarement l'quilibre thermodynamique lorsqu'on fait u n dpt.
Fig. 1.15. Les trois modes de croissance a l'quilibre avec les volutions des energies d'talement
au cours de la croissance : (a) Frank-Van der Merwe, (b) Stranski-Knastanov, (c) Volner-Weber.
I1 existe plusieurs approches pour prdire le mode de croissance d'un mtal A

sur u n mtal B : , d e s approches macroscopiques fondes sur la thermodynamique et des thories microscopiques bases sur des calculs de structure lectronique des solides.
3.2.1. Approches macroscopiques

Une premire approche peut tre donne en Considrant des interactions de
et entre
paire entre proches voisins dans le plan de la couche dpose (u,)
adsorbat (A) et substrat (B) (urn). Lorsque le potentiel attractif du substrat est
fort ( I urn I > I u, 1 ), la premire couche crot selon le mode couche par couche. Si,
de plus, l'interaction substrat-adsorbat est longue porte et l'interaction de
paire courte porte, ce mode de croissance se poursuit pour les couches successives de A sur B.
On a alors :
u 1 < u 2 < u3 . . . < uP ... < O e t u , < 0 , u n = O p o u r n 2 2
Le mouillage du substrat par l'adsorbat est alors total. Mais cette description
est beaucoup trop simpliste et on doit prendre en compte les contraintes qui
CHAPITRE
DES SURFACES
35
apparaissent linterface quand on dpose A sur B puisque les paramtres cristallins et, par consquent, les coefficients des tenseurs de contraintes sont diffrents dun mtal lautre. Ceci ajoute u n terme supplmentaire lnergie dinterface. On peut alors crire lnergie E du systme A-B comme :
(1.18)
o les N reprsentent les nombres datomes de A et B par unit daire, yA et ym
les nergies de surface et dinterface. Si S est lnergie dtalement par unit
daire du substrat, on aura :
E = N E E , + N A E A+ N ( y , + S )
(1.19)
avec S = & + yB - yE o &. ym et y, sont respectivement la tension superficielle de
la couche dpose, la tension interfaciaie entre le substrat et la couche (qui prend
en compte les contraintes dinterface)et la tension superficielle du substrat.
Si S est positif la croissance sera du type Volmer-Weber et sil est ngatif elle
sera du type Frank-Van der Merwe. On voit que le mode de croissance StranskiKrastanov nest pas prdictible dans ce schma.
Une deuxime approche, phnomnologique, est due Bauer et Van der
Merwe(l8).Elle part du modle dcrit prcdemment et suppose pour les mtaux
que lnergie dinterface est ngligeable devant les tensions superficielles de ladsorbat et du substrat. Deux paramtres sont alors pris en compte, le rapport rAs
des distances des plus proches voisins dans ladsorbat (A) et le substrat (B)et u n
terme r, traduisant la diffrence des tensions de surface entre A et B :
rm
=~
( ( Y -AY S )
(YA +YE
)I
(1.20)
La confrontation de ces donnes avec les observations exprimentales permet de

prvoir u n mouillage si rm< 0,5 avec rm < 1 ou TAB > 1,15.Appliquons ce critre
a u systme cobalt-platine pour la face (001).On a : rCoPt= 2.51 /2,77 soit rCoPt< 1
avec yco = 2,709 et ypt = 2,691 (J.m-2),ce qui donne : rCoPt
= 0,007 < 0,5. On voit
que le cobalt peut mouiller le platine et inversement le platine mouiller le cobalt.
Des croissances Frank-Van der Merwe sont attendues et la ralisation de multicouches Co-Pt, importantes pour leurs proprits danisotropie magntique perpendiculaire, sera envisageable.
Dans ces approches macroscopiques, les diffrences dlasticit entre le substrat et ladsorbat sont certes prises en compte mais de faon implicite. Pourtant
llasticit joue u n rle majeur dans la croissance des couches ultra-minces.
Quand on a une croissance en lots, selon le mode de Volmer-Weber, si llasticit est ngligeable, la croissance se poursuit de faon homothtique. On
conserve la forme extrieure de llot pendant toute la croissance. Un bel exemple
peut tre trouv dans le cas de la croissance du plomb sur le g r a ~ h i t e ~
Au
).
moment de la coalescence des lots, on observe u n processus du type << mrissement dOstwald >> : les gros cristaux absorbent les plus petits puisque le potentiel
chimique des gros cristaux est infrieur celui des petits.
(18) Bauer E. et Van der Merwe, Structure and growth of crystalline superlattices : from
monolayer to superlattice. Phys. Reu. B 33 (1986) 3657-3671.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
36
10 Ii m
400 460 nm
Fig. 1.16. Hots dor obtenus par pitaxie sur du mica avec recuit a la flamme, croissance selon le
mode Stranski-Krastanov ; observation par STM (document IPCMS-GSI, J.L. Bubendorff).
Si llasticit ne peut plus tre nglige, on prvoit des modifications de morphologie : les lots croissent en hauteur pour former des << tours B et le mrissement dOstwald nest plus possible. On obtiendra ainsi des nanostructures autoorganises. Pour u n mme adsorbat, plus le substrat sera dur, plus les lots
seront levs. Llasticit apparat ainsi comme u n des moteurs de lauto-organisation dlots. Piloter la duret du substrat devrait permettre dagir s u r la taille
des nanostructures organises.
Si, en revanche, la croissance se fait couche par couche, selon le mode
Frank-Van der Merwe et que seules les variations de potentiels chimiques interviennent, on peut en principe superposer une infinit de couches. Par contre, si
lon introduit les diffrences dlasticit, on constate qu lquilibre lpaisseur
de la couche adsorbe sera finie.
Cest lpaisseur critique qui dpendra de la duret du substrat pour un
mme adsorbat. Cette paisseur critique est trs faible pour les mtaux (1 ou
2 monocouches), u n peu plus grande pour les semi-conducteurs (5 10 monocouches). Agir sur la duret du substrat devrait permettre daugmenter paisseur critique.
CHAPITRE
1 - PROPRITS PHYSICO-CHIMIQUES
DES SURFACES
37
3.2.2. Approche microscopique

Cette approche dveloppe par Gautier et Stoeffler[lg)pour les mtaux de transition prend en compte la structure de bande d traite en liaisons fortes (tight
binding method). On calcule lnergie dtalement des atomes s u r u n substrat
sachant que la limite macroscopique est lnergie de surface et les nergies dinterface. Lavantage de cette mthode est quon peut calculer les gains ou les
pertes dnergie du systme plan par plan et quon peut introduire dautres paramtres que la tension superficielle et le potentiel chimique comme, par exemple,
les nergies magntiques.
Dans le cas de Co/Pt (001)la valeur de lnergie dinterface pour la premire
couche de cobalt dpose est de - 0,68 eV par aire datome de substrat, soit
- 1.42 J.m-2. En considrant les tensions superficielles du cobalt et du platine,
on trouve que le gain dnergie dtalement est de lordre de - 1,4 J.m-2, ce qui
traduit la possibilit dun mouillage parfait de la premire couche de cobalt.
On trouvera des complments cette brve introduction aux calculs fonds
s u r la structure lectronique des solides dans louvrage de Gerl et Issi[20.
3.3.
Mouillabilite pratique
Dans le cas de linterface solide-liquide, on dfinit le coefficient de mouillabilit

par :
K , = COS^
(1.21)
mouillabilit parfaite : K , = 1,
absence de mouillabilit : K , = - 1 .
. ....
.. . .
Fig. 1.17. Surface mouillante >> et surface << non mouillante D.

<(
(19) Gautier F. et Stoeffler D., Electronic structure, magnetism and growth of ultrathin
films of transition metals, SurJ Sci. 249 (1991) 265-280.
(20) Gerl M. et ksi J.P., Trait des matriaux, Tome 8, Proprits physiques des matriaux
(Presses polytechniques et universitaires romandes, Lausanne, 1997).
---- I
CHAPITRE
1 - PROPRITS
39
les peintures). Si elle devient microporeuse ou se recouvre de poussires, il y a

augmentation du produit TA et u n liquide qui ne la mouillait pas avant devient
alors mouillant pour compenser cette augmentation.
Exemples :
une couche de rouille se recouvre dun film deau,
leau forme des gouttes sur la peinture dune voiture neuve et stale lorsque
cette peinture est oxyde.
Topographie
et mcanique des surfaces
R
Le concret, cest de labstrait

rendu familier par lusage. N
Paul Langevin
1.
Topographie des surfaces
1.l. Importance de la topographie des surfaces

Lorsque le Franais Alphonse Bertillon (1853-19 14) dcouvre que les empreintes
digitales permettent didentifier chaque tre humain, il ouvre alors un chapitre
fondamental de lanalyse topographique des surfaces. Avec le dveloppement des
moyens danalyse et lapport de linformatique, les techniques se sont constamment amliores. Actuellement, lindustrie des Cosmtiques sintresse toujours
la rugosit de la peau, non pour les empreintes mais afin de dmontrer lefficacit de produits tels que les crmes antirides.. .
Lorsque les ingnieurs construisent une route ils font appel des moyens de
nivellement sophistiqus pour que le profil prvu soit respect. L a route observe
depuis une colline offre limage dun ruban parfaitement rgulier. Y circuler en
voiture rvle une perfection toute relative. Plus nous regardons de prs, plus la
surface nous semble grossire. Ainsi peuvent tre dfinis des ordres de dfauts
qui sont, en allant du plus grand vers le plus petit :
luni : dfauts de nivellement, dformations de dimensions horizontales comprises entre 0 , 5 et 50 m,
la megatexture : ingalits et dgradation d u revtement, dimensions horizontales comprises entre 50 et 500 mm,
la macrotexture : ingalits a u niveau de la rpartition des granulats,
dimensions horizontales entre 0,5 et 50 mm,
la microtexture : ingalits au niveau de la surface des granulats, dimensions horizontales infrieures a u mm.
42
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
- 0,08
- 0,06
- 0,04
- 0,02
3,0
2,5
2,0
;
i
0,oo
-0,5 rnm
-1.0
-
1.5
- 2,o
- 2,5
nrn
Fig. 2.1. Rugosit de la peau humaine, analyse du relief en codes de gris (voir Fig. 5.14, document
OMECA-INSTRUMAT).
Tous ces dfauts interviennent dans la tenue de route des vhicules, favorablement ou dfavorablement : les dfauts duni peuvent amener u n dlestage des
roues et une mauvaise tenue de route tandis que les dfauts de mgatexture
sont source de bruit et de vibrations. Si la macro et la microtexture interviennent
dans la rsistance au roulement, elles ont aussi u n rle prpondrant dans lvacuation de leau sur les chausses par temps de pluie et sur ladhrence. On
comprend quil est ncessaire de caractriser tous ces paramtres et pas seulement luni. Luni se mesure partir des ractions dune remorque instrumente
place derrire u n vhicule : des procds optiques permettent de dterminer la
macro et la microtexture comme le montre la figure 2.2.
1.2.
Topographie alatoire et topographie dterministe
Les surfaces peuvent tre classes en surfaces alatoires ou stochastiques et

en surfaces dterministes. Une surface ralise par u n outil non guid est
gnralement une surface stochastique alors quune surface usine avec u n
outil guid est une surface dterministe. Ce rsultat ne dpend pas uniquement
du guidage de loutil mais aussi du comportement du matriau (en usinant une
cramique, dure et fragile, avec une fraise, on a peu de chances dobtenir une
surface dterministe... L
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUEDES
43
SURFACES
20
18
16
- - 0,o
0,4
- 0,2
14
- - 0,2
12
10
- 0,4
s;a- - 0,6
o,a
-l,o
-
6
4
-1,2
- 1,4
-2
1,6
1,8
-4
-6
-a
~
14
16
-20
-15
-10
-5
-0
-5
12
-25
10
18
20
-10
Fig. 2.2. Macro et microtexture dune route, analyse du relief en codes de gris (voir Fig. 5.14,
document OMECA-INSTRUMAT).
Que nos voitures soient mal aimes ne nous laissent pas moins sensibles, en
majorit, laspect de leur carrosserie et, plus particulirement, la finition de
la peinture. Ce rsultat est trs dpendant de la rugosit des tles dacier utilises. Dans la sidrurgie, les tles minces sont obtenues par laminage froid
suivi dun recuit de recristallisation. L a dernire tape consiste effectuer un
laminage avec une trs faible rduction afin de supprimer la plasticit localise ;
on profite de cette opration de << skin-pass >> pour imprimer la tle la rugosit
des cylindres de laminage. Cette rugosit peut tre obtenue par grenaillage des
cylindres (surface alatoire - Fig. 2.3) ou par des tirs avec u n laser de puissance
provoquant une succession de cratres aligns (surface dterministe - Fig. 2.4)
en raison du pilotage du laser par u n dispositif mcanique*.
* Par abus de langage on parle de K grenaillage laser >> ; ne pas confondre avec le
naillage photonique >> dcrit dans la section 3.2 du chapitre 6.
c<
gre-
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
44
Fig. 2.3. Representation isometrique dune surface stochastique : cylindre de laminoir grenaille
(document SOLLAC-LEDEPP). Mthode danalyse : voir chapitre 5, section 2.1.
Fig. 2.4. Reprsentation isometrique dune surface dterministe : cylindre de laminoir

laser (document SOLLAC-LEDEPP). Mthode danalyse : voir chapitre 5, section 2.1.
<<
grenaille
)>
L a rugosit de la route (Fig. 2.2) est une surface a priori stochastique (sauf si
le procd de mise en uvre a provoqu des sgrgations et des alignements des
granulats ... ) ; la peau (Fig. 2.1) se rapproche dune surface dterministe car la
croissance biologique est auto-organise.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUEDES
SURFACES
45
1.3. Perception et chelle de mesure

Quittons la route et examinons la << gomtrie B dune surface << usine >> : on
observe des carts par rapport a u profil thorique (celui figurant sur les plans) ;
ces carts, ou dfauts gomtriques, font lobjet dune classification, fonction de
leur nature et de leur ampleur :
dfauts du premier ordre
I1 sagit de dformations densemble (carts de paralllisme, de circularit,
de rectitude, de planit, de sphricit ...) dues u n mauvais tat et/ou une
mauvaise utilisation des machines (manque de rigidit de la machine et/ou
de la pice, mauvaise fixation, usure des outils, usure des machines, mauvais montages ...) ;
dfauts du second ordre ou <<ondulations
de surface >>
Ce sont des dfauts gnrs par le procd dusinage (avance cyclique des
fraises, facettes sur pices rectifies) ou par la machine et/ou loutil de coupe
(vibrations basse frquence). Ces dfauts se manifestent sous forme dondulations dont le pas se situe entre 0,5 et 2.5 mm :
dfauts du troisime ordre
Ce sont des s t r i e s et des sillons plus ou moins priodiques (de pas infrieur
0,5 mm) : ces dfauts correspondent lavance des outils de coupe et/ou
aux vibrations haute frquence de la machine et de loutil :
Les dfauts du second ordre sont visibles lmil nu, ceux du troisime ordre
sont sensibles longle.
dfauts du quatrime ordre

Ce sont des dfauts d u s lhtrognit de la matire, des accidents
divers, des dfauts de coupe : ils se manifestent par des arrachements, des
fentes, des marques diverses non priodiques.
En descendant de plus en plus dans lchelle de mesure, on peut dfinir des
dfauts du cinquime ordre, au niveau des grains du mtal, et des dfauts du
sixime ordre correspondant larrangement de la structure cristalline (voir
Chap. 1, Sect. 2.2).
L a figure 2.5 montre les quatre premiers ordres de la classification des
dfauts topographiques.
Pour mesurer la topographie dune surface (Chap. 5, Sect. 2.1) on dispose de
capteurs tactiles ou de capteurs sans contact (interfromtrie, microscopie
confocale) couvrant toutes les chelles de mesure jusqu la rsolution atomique
(microscope force atomique - AFM, par exemple). Si on utilise tous ces appareils sur une surface comme celle de la figure 2.5, on obtient des rsultats qui
semblent dpendre de la sensibilit des capteurs et des limites choisies entre les
ordres. Cette description, conduisant des profils de surfaces lis lchelle de
mesure est vraisemblablement adapte certains procds dusinage.
En revanche, on peut trouver des surfaces dont la morphologie est indpendante de lchelle : ces surfaces sont constitues dobjets fractals forms
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
46
Profil thorique
Dfaut du premier ordre

(gomtrie)
Paramtres
d'ondulation
Dfaut du second ordre
(ondulation priodique de la surface) ,
Dfaut du troisime ordre

(stries pseudo-priodiques) paramtres
Dfaut du quatrime ordre ' de rugosit
(dfaut apriodique)
Fig. 2.5. Les quatre premiers ordres de dfauts superficiels.
eux-mmes par des objets semblables plus petits (homothtie interne) ou encore
similaires entre eux (affinit interne) et caractriss par une dimension non
entire ou dimension fractale.
Ces fractales* sont la base de dveloppements intressants pour la modlisation de la rugosit 3D et la modlisation des contacts entre surfaces. Quelques
bases de la thorie des fractales sont donnes en Annexe A.
1.4.
Les paramtres des surfaces
Le problme essentiel est de dfinir des critres permettant de caractriser les

surfaces partir de la mesure et de l'analyse des profils. Ces critres devraient :
permettre de caractriser la topographie des surfaces, indpendamment du
procd de mesure, et d'expliquer certaines de leurs proprits fonctionnelles ;
conduire la dfinition de paramtres significatifs permettant de contrler la
prparation des surfaces et l'obtention des proprits fonctionnelles vises.
* Le terme cr par B. Mandelbrot s'appuie sur le latinfractus qui signifie irrgulier ou

bris. Le nom est fminin :fractale(ss). On peut utiliser adjectiffractai (plurielfractais) : un
objetfractal.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE DES
47
SURFACES
Lintrt a dabord port sur les profils des surfaces, relevs dans une direction laide de capteurs tactiles, et caractriss dans lesprit de la figure 2.5
(analyse 2D) ; les dfauts du leet du 2e ordres correspondent a londulation des
surfaces, ceux du 3eet du 4e ordres correspondent la rugosit. Selon lapplication recherche on considre les paramtres du profil total, les paramtres
dondulation ou les paramtres de rugosit. Tous ces lments sont dcrits
dans des normes franaises, allemandes, I S 0 ... ainsi que dans des normes tablies par les industriels, en particulier les constructeurs dautomobiles (normes
CNOMO). Le nombre et lvolution de ces normes, les positions divergentes de
certaines catgories dutilisateurs montrent que luniversalit nest pas ralise ;
ceci rsulte gnralement de la mauvaise prise en compte, par les paramtres
conventionnels, de la superposition des phnomnes dchelles diffrentes.
On peut gaiement sintresser au traitement statistique de la surface : distribution statistique des altitudes, autocorrlation pour trouver des priodicits
moins videntes que dans le cas de la figure 2.4 ou procder une analyse spectrale par transforme de Fourier.. .
Dans la grande majorit des cas, le profil dpend de la direction de la mesure,
plus particulirement de lorientation de celle-ci par rapport aux stries dusinage.
Fig. 2.6. Le profil depend gnralement de la direction de sa mesure.
L a dtermination dun tel profil (rugosit 2D) na de sens que si on connat les
directions significatives, cest--direlorientation de la texture de la surface. Si,
pour des surfaces usines laide doutils de coupe, il est souvent assez facile de
prvoir la direction de mesure il faut, lorsque les surfaces deviennent plus complexes, en tudier la texture partir de mesures et doutils 3D.
Dans ce qui suit nous donnerons quelques lments de base sur la profilomtrie 2D et sur le passage la topographie 3D.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
48
1.5.
Profilometrie 2D
1.5.1. Paramtres classiques

Pour dfinir u n profil, il faut dterminer ses composantes de rugosit (roughness), dondulation (wauiness) et de forme. Exprimentalement, on relve u n
profil total que lon redresse car la surface analyse est rarement horizontale. Ce
redressement peut tre obtenu par soustraction de la droite des moindres carrks
ou par filtrage passe-haut(l. On obtient alors le profil total partir duquel on
spare rugosit et ondulation par filtrage. Les filtres, de rugosit ou dondulation,
sont caractriss par leur longueur donde de coupure (cut-off). La longueur de
base, 1, mesure suivant la direction gnrale du profil, est numriquement gale
la longueur donde du filtre choisi pour les profils de rugosit et dondulation
(par exemple 0,8 mm). L a longueur dvaluation, L , sert valuer le profil brut ;
elle peut contenir une ou plusieurs longueurs de base.
On dsigne par P le profil brut, R la rugosit et W londulation.
La ligne moyenne est obtenue par le calcul de la droite de rgression dans le
cas du profil brut ou par filtrage pour les profils dondulation et de rugosit. L a
ligne moyenne nest pas la seule ligne de rfrence, on peut utiliser la ligne enveloppe infrieure (LEI)ou la ligne enveloppe suprieure (LES) ; cette dernire a le
plus de sens physique.
Fig. 2.7. Longueur dvaluation, i,dun profil comportant 5 longueurs de base (cut-04 ; dfinition,
dans cet exemple, des pics et valles par rapport la ligne moyenne.
(1) Wehbi D., Quiniou J.F. et Roques-Carmes C., Rle de la
science des matriaux, Trait. Therm. 222 (1988) 63-73.
rugosit des surfaces en
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUEDES
SURFACES
49
Les normes dfinissent trois familles de paramtres :

les paramtres d'amplitude qui caractrisent les irrgularits dans la direction verticale du profil,
les paramtres d'espacement qui caractrisent les irrgularits dans la direction horizontale du profil,
les paramtres hybrides qui combinent les deux.
Creux
Saillie
local
Fig. 2.8. Dfinition d'une saillie locale, d'un creux local et d'un motif local.
LES
Fig. 2.9. Lignes enveloppes suprieure et infrieure.
Les principaux paramtres d'amplitude sont :
f'cart arithmtique moyen
.!
1
Le terme Ra provient de roughness average ; a u Royaume-Uni on parle souvent de CLA (center line auerage) et aux USA de AA (arithmetic auerage).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
50
lcart quadratique moyen
R, est souvent appel RMS (root mean square).

ces paramtres de rugosit correspondent ceux dondulation W, et W,. On
peut gaiement dfinir R , (W, pour londulation), cart entre le pic le plus haut et
le creux le plus bas.
Les principaux paramtres despacement sont :

lespacement moyen entre pics du profil (Fig. 2.10) :
le nombre des points hauts, HSC (high spot count), qui dpassent une ligne
parallle la ligne moyenne (Fig. 2.11, en haut) o u compter les pics qui
dpassent de part et dautre dune bande centre sur la ligne moyenne
(Fig. 2.1 1, en bas) ; ce comptage de pics, P,, sexprime en pics.cm-.
On attribue tous les dpassements dun cte de la bande a u mme pic tant
quon na pas observ un dpassement de lautre ct ; ce qui explique le
mode de comptage de la figure 2.1 1.
Fig. 2.10. Espacement entre pics.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUEDES
fX)
SURFACES
51
Bande centre
sur ia ligne
moyenne
Fig. 2.11. En haut : definition de HSC, en bas : dfinition de P,.
Les principaux paramtres hybrides sont :

la valeur efficace de la pente du profil :
avec :
8 est la pente du profil en tout point
(Fig. 2.12).
le taux de portance, tp (%) (bearing ratio), qui reprsente le pourcentage de

surface portante dun profil coup la profondeur P, partir du pic le plus
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
52
haut (Fig. 2.13, a gauche) ; en reprsentant tp en fonction de P on obtient la

courbe du taux de portance ou courbe dAbbott-Firestone (Fig. 2.13, droite).
Cette courbe est trs importante car elle donne la portance de la surface en
fonction de lusure.
la norme DIN 4776 qui introduit dautres paramtres, essentiellement adapts aux moteurs thermiques (usure des cylindres) ; on trace une courbe de
taux de portance avec u n filtrage particulier du profil (Fig. 2.14).
Cette dernire courbe permet de caractriser la partie de la surface qui suse
pendant la phase de rodage (Rpk)et la profondeur rduite des creux qui sert
de rserve dhuile ( R J ; de la forme de la partie centrale de la courbe (Rk,ou
noyau de rugosit) dpend la dure de vie du moteur.
Fig. 2.12. Pente dun profil.
La norme I S 0 12085 officialise la mthode dite des motifs qui traduit une volution base sur la fonction des surfaces et sur lvolution technique des appareils.
La mthode des motifs utilise quatre conditions pour reconnatre les motifs
significatifs du profil et limine les petits pics non significatifs sans aucun filtrage ni aucune distorsion du profil mesur.
Au niveau de latelier, le paramtre Ra est toujours trs utilis car il permet de
classer trs rapidement diverses surfaces, par exemple en fonction du procd
dusinage.
CHAPITRE
2 - TOPOCWHIEET MCANIQUE DES SURFACES
20
40
53
60
80
100
60
Me
100
Fig. 2.13. Taux de portance a la profondeur P et courbe dAbbott-Firestone.
Fig. 2.14. Paramtres selon DIN 4776.
Tableau 2.1. Quelques valeurs de Ra.
Rabotage
Fraisage
Tournage
Rectification
Rodage
Polissage
25 3,2
12,5 0,8
12,5 0,8
1,8 0,05
0,4 0,025
0,4 0,Ol O
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
54
On retiendra que Ra n'est pas suffisant pour classer les surfaces en fonction
de leur cc portance >> : une surface aux asprits aigus et une surface aux
asprits arrondies peuvent avoir la mme valeur de Ra.
On trouvera des dtails sur tous les paramtres de rugosit dans les normes[21a(71
;
toutefois, la ncessit d'adapter les normes l'volution des techniques montre
leurs limites actuelles et l'intrt de trouver d'autres paramtres, plus cc universels .
I . 5.2. Les autres paramtres

Distribution statistique des amplitudes
On s'intresse la distribution des amplitudes en fonction de l'altitude de rugosit z(x) ; on peut trier les donnes sous forme de classes de hauteur comprises
entre z et z + dz. chaque classe on associe la densit de probabilit, p(z), de
trouver un point ayant une altitude appartenant cette classe :
' T p ( z )d z = 1
(2.6)
zmm
L a fonction de rpartition de la distribution, note P ( z ) , est la probabilit pour

qu'un point du profil soit situ au-dessus d u n e hauteur donne :
z
P(z
Jp(z 1 d z
(2.71
Zmin
L a figure 2.15 montre l'allure de p ( z ) et sa relation avec la courbe d'AbbottFirestone.
Moments dune distribution

La distribution des amplitudes peut se rapprocher d'une loi gaussienne et il peut
tre intressant de dfinir des critres permettant de caractriser les carts
d'une distribution donne par rapport la gaussienne idale. Soit z-la valeur
moyenne de l'altitude, l'histogramme est compris entre zminet z,
et on peut
dfinir des moments centrs d'ordre n de p(z) :
(2) NF-05-051, tat d e surface. Moyens d e mesure ; chantillons d e comparaison uiso-tactome, AFNOR, 1981, France.
( 3 ) NFE-05-015, tat d e surface d e s produits. Prescriptions : 1 - Gnralits - Terminologie
-Dfinitions, AFNOR, 1984, France.
(4) NFE-05-052, tat d e surface d e s produits : profilomtres d'tat d e surface a contact,
AFNOR, 1986, France.
(5) DIN-4776,Mesure d e la rugosit superficielle. Paramtres Rk ..., 1990, RFA.
(6) DIN-4777, Mtrologie d e surface :filtre d e profi il..., 1990, RFA.
(7) NF-ISO-12085,tat d e surface : mthode d u profil, AFNOR, 1996, France.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE DES
55
SURFACES
Fig. 2.15. Densit de probabilitep(z)de trouver un point du profil entrez et z t dz.
Moment d'ordre O
Moment d'ordre 1
Le moment d'ordre 1, m,, est nul : si l'on remplace z - z-par
I z - FI on obtient Ra.
Moment d'ordre 2
(2.10)
m2 reprsente la variance v de la population, la racine carre de la variance correspond l'cart type :

c=&
(2.11)
c'est aussi l'cart quadratique moyen R4 [dfini par (2.2)].
Moment d'ordre 3
Zmu
m3 =
Z(z- ~ ) ~ p d( zz )
(2.12)
Zrnl"
on peut normaliser le moment d'ordre 3 par rapport 0 3 ,soit
(2.13)
S, est un indicateur caractrisant la symtrie du profil (skewness).
56
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Moment dordre 4
mar
m 4 = z ( z -Z)4p(z) ciz
(2.14)
Z,in
On peut normaliser le moment dordre4 par rapport 04,

soit
(2.15)
E , caractrise ltaiement de la distribution (kurtosis).
-40-30-20
-0
20
30 40
.
-40-30-20
-0
20
z.
30 40
Fig. 2.16. gauche : representation de lindicateur de symtrie S, ; a droite : reprsentation de lindicateur dtalement Ek.
Fig. 2.17. Effet de la valeur de S, : S, = O, le profil est symtrique par rapport a la ligne moyenne,
S, > O, le profil comporte plus de pics que de creux, S, < O, le profil comporte plus de creux que de
pics.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE DES
SURFACES
57
Fig. 2.18. Effet de la valeur de Ek : Ek > 3, distribution largie, fk< 3, distribution resserre, Ek = 3,
distribution gaussienne.
Analyse spectrale et autres...

Lapproche prcdente, base sur lanalyse des histogrammes damplitude, ne
permet pas de mettre en vidence des dfauts priodiques des surfaces. I1 faut
introduire des traitements spectraux. Loutil fondamental est la transforme de
Fourier F ( s ) de la fonction z(x):
mol
F ( s )= ~ z ( x ) Z i m
dus
(2.16)
min
partir de cette transformation il est possible dintroduire diffrents critres ou
termes spectraux dont lallure permet de mettre en vidence certaines proprits

des profils, par exemple une priodicit ; on peut ainsi faire appel la densit
spectrale de puissance de la fonction z(x)(appele aussi qq spectre dnergie P),
dfinie par :
G ( s )= IF(s)(2
(2.17)
Pour mettre en vidence une priodicit on peut galement faire appel a des
outils comme, par exemple, la fonction dautocorrlation qui permet de dterminer le degr de corrlation entre deux points dun profil distants de z :
(2.18)
On trouvera des exemples de tels outils dans la bibliographie(s et leur mode

demploi dans louvrage de Maxg).
(8) The development of methods for the caracterisation of roughness in three dimensions,
Rapport CEE EUR 15178 E N (1993),ISBN 0-7044-1313-2, sous la direction de K.J. Stout.
(9) M a x J.,Mthodes et techniques de traitement du signal et applications aux mesures physiques (Masson, Paris, 1981).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
58
1.6.
Vers une topographie 3D
On peut imaginer de gnraliser les paramtres 2D en les transformant en paramtres 3D : ainsi peut-on passer de ltude dune distribution z =Jx) celle de
z = F(x,y). Par exemple on peut remplacer une droite de coupe par u n plan de
coupe et donner une dfinition 3D de la courbe dAbbott-Firestone. Une telle
dmarche est possible mme si certains calculs deviennent compliqus(lO).
De nombreux travaux) I l 6 ) montrent que beaucoup de surfaces peuvent
tre dcrites laide des outils de la gomtrie fractale (bandes magntiques,
~)(~~)
films minces, dpts diamant, certains usinages.. .). Plusieurs a ~ t e u r s ( ~ont
montr que de telles surfaces peuvent tre dcrites par u n jeu unique de deux
paramtres fractals : la dimension fractale D et le facteur dchelle G. Ces paramtres permettent des modlisations des surfaces et semblent pouvoir tre relis
certaines proprits fonctionnelles.
I1 est impossible de dvelopper ici ces modles ni de faire la thorie des objets
fractals, dont une bauche est donne dans lAnnexe A. Dans les rfrences
consacres lanalyse fractale des surfaces) I l 6 ) , on trouvera une importante
bibliographie.
Lvolution de ces mthodes est suivre de prs.
1.7.
De la topographie a lingnierie des surfaces
Dans lindustrie automobile et dans laviation, on a cherch corrler paramtres de rugosit et proprits fonctionnelles ; dans ce but on a dabord repr
les paramtres significatifs. Ainsi, par la mthode de reconnaissance de forme,
appele << mthode des motifs B (Sect. 1.5), on dtecte les pics et creux significatifs
du profil et on calcule la forme de la ligne enveloppe suprieure du profil (on
limine les accidents singuliers du profil) ; on utilise cette ligne enveloppe pour
(10) Dong W.P. et Stout K.J., Two-dimensional fast Fourier transform and power spectrum
for surface roughness in three dimensions, J. Eng. Manufact. 209 (1995) 381-391.
(11) Gagnepain J.J. et Roques-Carmes C., Fractal approach to two-dimensionai and
three-dimensional surface roughness, Wear 109 (1986) 119-126.
(12) Majumdar A., Brushan B. et Tien C.L., Role offractal geometry in tribology, dans Adv.
Info. Storage Syst. (American Society of Mechanical Engineers, 1991),Vol. 1, pp. 231-266.
(13) Hasegawa M., Liu J . et Konishi Y . , Characterisation of engineering surfaces by fractal
analysis, rnt. J . Jpn Soc. Prec. Eng. 27 (3) (1993) 192-196.
(14)Lopez J . , Hansali G., Zahouani H., Le Bosse J.C. et Mathia T., 3D fractal-based characterisation for engineered surface topography, rnt. J. Mach. Tools Manufact. 35 (2) (1995)
211-217.
(15) Ganti S. et Brushan B., Generalized fractal analysis and its applications to engineering surfaces, Wear 180 (1995) 17-34.
(16) Quiniou J.F., Description et caractrisation d e la topographie d e s surfaces a laide
doutils issus d e la gomtrie euclidienne etfractale, Thse, universit de Franche-Comt,

Besanon (1995).
CHAPITRE 2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE DES SURFACES
59
calculer les paramtres de rugosit R et dondulation W. laide de banques de

donnes, on peut corrler ces paramtres avec les proprits fonctionnelles
recherches et montrer quels sont les paramtres retenir pour une application
donne.
Si on sintresse la qualit daspect des films de peinture, on saperoit que
la prise en compte des paramtres dondulation, dans des domaines de longueur
dondes bien dfinis (500 4 200 pm) est plus pertinente que la simple prise en
compte des paramtres de rugosit. Les outils actuels danalyse doivent tre
adapts mais il faut aussi tre capable de raliser les tles prsentant cette
ondulation.
Si on cherche modliser les contacts mcaniques pour mettre en vidence la
dformation plastique ou pour comprendre les problmes de frottement, on doit
prendre en compte la rugosit. I1 en est de mme lorsquon sintresse aux
contacts lectriques.
Les tableaux de bord des voitures sont raliss avec des matires plastiques
auxquelles on a impos une rugosit particulire appele grainage. Cet tat de
surface est destin donner une bonne impression au client mais un tableau de
bord peut tre vu sous tous les angles possibles : il ne serait pas acceptable que
sous certains angles on ait un effet anormalement mat ou anormalement
brillant. L a technologie du grainage nest pas vidente.
La prise en compte de tous ces problmes passe par une modlisation de la
rugosit(171(18)(19)
permettant de comprendre les proprits des surfaces existantes, de concevoir de nouvelles topographies de surface ou dadapter des instruments de mesure, du rugosimtre au tribomtre.
2.
Contraintes superficielles
2.1.
Importance des contraintes superficielles
L a majorit des ruptures des pices mcaniques observes en service correspond

un endommagement par fatigue du mtal sous leffet de sollicitations rptes.
Une rupture de fatigue est caractrise par une volution en trois stades :
stade damorage avec cration dune fissure de fatigue,

stade de propagation de cette fissure travers la piece,
stade de rupture finale.
(17) Xinjian G . et Hiyun H., The modelling and simulation of a rough surface, Wear 137
(1990) 275-285.
(18) Brachotte S., Quiniou J.F., Silvy J . et Rocques-Carmes C., Notion de surface
conforme quivalente applique la topographie de surface dans le but d u n e approche
prvisionnelle de lusure, Journes dtude Tribologie et Ingnierie des surfaces, Nancy,
1995, Von Stebut J . , Ed. (SIRPE, Paris, 1996). pp. 116-124.
(19) Hasegawa M., Liu J.C., Okuda K. et Nunobiki M., A new approach to modelling
machined surface profiles, J. Engi. Manufact. 210 (1996) 177-182.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
60
Les phnomnes de fatigue sont globalement dcrits par la courbe de

Wohler qui donne le nombre de cycles, N , correspondant une probabilit de
rupture de 50 % en fonction de la contrainte de traction, G.
:I
107
108
II
105
1O6
Nombre
de cycles, N
Fig. 2.19. Courbe de Wohler classique, valable dans le cas dun acier ferritique.
On distingue, en fonction du niveau de contraintes : le domaine de fatigue oligocyclique, A (rupture a u bout dun faible nombre de cycles avec dformation
plastique chaque cycle), le domaine dendurance limite, B et le domaine dendurance illimite, C. La limite de fatigue oD correspond gnralement un
niveau de contraintes infrieur la limite dlasticit du matriau. q, est dfini
conventionnellement ios cycles.
En ce qui nous concerne, nous retiendrons que lamorage des fissures de
fatigue se produit en surface dans la quasi-totalit des cas.
Ce rle prpondrant de la surface a plusieurs causes :
contraintes de service maximales en surface (flexion, torsion, concentrations
de contraintes),
lieu de passage de toutes les cc agressions B contre la pice (corrosion, usure
par action des autres pices...),
prsence ventuelle de contraintes rsiduelles de surface introduites par effet
mcanique et/ou thermique lors de lusinage.
Ces contraintes rsiduelles, introduites par lusinage et le parachvement ou
introduites volontairement par un traitement de surface, peuvent tre :
de traction : dfavorables,
de compression : favorables car elles se retranchent des contraintes de traction des zones fortement sollicites.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET
61
MCANIQUE DES SURFACES
L a figure ci-aprs montre u n exemple dintroduction bnfique de contraintes

rsiduelles par grenaillage dun crochet de levage (daprs une synthse de H.P.
Lieurade(201).
Frnax (daN)
tat initiai
+ grenaillage
4 500
3 500-
2 500 I
105
10 6
107
Nb de cycles
Fig. 2.20. Relvement de la limite de fatigue par introduction de contraintes par grenaillage sur un
crochet de levage.
Dune manire gnrale, les contraintes superficielles permettent de relever

les caractristiques de matriaux dont les performances seraient insuffisantes
pour certaines ralisations technologiques. Un bon exemple est donn par le
verre, matriau fragile rsistant mal la traction et par consquent la flexion.
Par refroidissement contrl laide de jets dair il est possible (car le verre est
mauvais conducteur de la chaleur) de crer des contraintes de compression en
surface et damliorer la rsistance la flexion dans un rapport 5. Si lon ne disposait pas de cette possibilit de tremper ainsi le verre, il faudrait renoncer aux
vitres des voitures, aux portes en verre des magasins et des immeubles, aux
faades dimmeubles couvertes de verre.. .
2.2. Origine physique des contraintes superficielles

Dans le cas des matriaux cristallins, lintroduction des contraintes superficielles par lintermdiaire de dformations plastiques se traduit par la formation
de dislocations, lapparition de glissements, la formation de sous-joints... ;
(20) Lieurade H.P., Effet des contraintes rsiduelles sur le comportement la fatigue des
pices et des structures industrielles, Trait. Therm. 218 (1988) 15-27.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
62
Fig. 2.21. Les trois ordres de contraintes.
lensemble dun mme cristal ne se dformera pas uniformment et les

contraintes ne seront donc pas homognes. En gnrai les mtaux sont polycristallins et, comme tous les grains sont orients alatoirement, chaque grain va se
dformer de manire diffrente ; on observera une discontinuit de la contrainte
au niveau des joints de grains.
La classification de Macherauch(21)permet de dfinir trois ordres de contraintes :
les contraintes dordre III, olI1,
ou microcontraintes htrognes qui
apparaissent lintrieur dun grain et correspondent lhtrognit de
(21) M a c h e r a u c h E., Wohlfahrt H. et Wolfstieg U., Hart. Tech. Mitt. 28 (1973)201.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE DES
SURFACES
63
dformation (domaines ou cristallites lintrieur des grains, dlimits par le

rarrangement des dislocations ; leur taille est de lordre de quelques dizaines
de nm) ;
les contraintes dordre II, OII, ou microcontraintes homognes qui sont
constantes au niveau du grain (chelle du p m une centaine de pm) et correspondent la moyenne des contraintes dordre III ;
les contraintes dordre I, O [ ,ou macrocontraintes qui sont constantes sur
u n grand nombre de grains et correspondent la moyenne des contraintes
dordre II.
En rsum, les contraintes du premier ordre provoquent la dformation
macroscopique des pices et concernent directement la tenue la fatigue ; les
contraintes des deuxime et troisime ordres entranent des microdformations,
respectivement lchelle du grain et a u niveau du cristal. Les contraintes des
deuxime et troisime ordres interviennent dans la stabilit des contraintes rsiduelles sous leffet des cycles de fatigue. Les contraintes sont quilibres
lchelle macroscopique.
Une pice mcanique contenant des contraintes rsiduelles constitue u n systme en quilibre ; en labsence de tout chargement extrieur la somme des
contraintes est nulle. Des contraintes de compression dordre I en surface sont
quilibres par des contraintes de traction dordre I en volume ; sur la
figure 2.22 les aires hachures notes (compression) et + (traction) sont gales.
Toute intervention modifiant les contraintes superficielles dun objet se traduit immdiatement par u n rquilibrage de ces contraintes dans lensemble de
lobjet. Dans les matriaux mtalliques la relaxation des contraintes se fait par
dformation plastique mais dans les matriaux fragiles elle ncessite lapparition
de fissures. Cest bien ce quon observe lorsquon endommage une vitre de voiture en verre tremp : lensemble se fissure et se microfissure sans fin.
Des contraintes de compression peuvent tre introduites en surface par une
dformation plastique (grenaillage, galetage) ou par une transformation structurale amenant u n gonflement, par exemple une trempe martensitique.
Par trempe locale (par induction, par laser ...) on peut crer des contraintes
superficielles favorables en u n endroit bien dtermin (porte de roulement sur u n
arbre, cong de raccordement d u n e pice travaillant en fatigue comme un vilebrequin) ; des rsultats similaires peuvent tre obtenus par grenaillage ou par galetage.
Le grenaillage donne des profils intressants applicables galement des
matriaux autres que les aciers (alliages lgers par exemple) et ne pouvant pas
subir de traitements avec transformation structurale.
Dune manire gnrale, des contraintes peuvent tre introduites par tout
usinage et par de nombreux traitements de surface (cmentation, nitruration,
dpts lectrolytiques, couches minces.. .), leur valeur et leur signe dpendent
directement des conditions dusinage ou des conditions de ralisation des traitements. Ainsi, la manire de conduire une opration de rectification peut introduire des contraintes qui sont parfois dfavorables (par exemple suite a des phnomnes de trempe sous leffet de llvation instantane de temprature cause
par une meule inadapte ou par une passe trop importante).
64
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
$e
Traction
II
I
I
I
I
I
I
I
I
l
I
I
I
Fig. 2.22. quilibre des contraintes superficielles dans une piece de rvolution.
(MPa)
O
-
Profondeur (rnrn)
100
-200
- 300
- 400
couche superficielle
decarbure
- 500
couche superficielle
decarbure
- 600
-700
Fig. 2.23. Exemple de rpartition en profondeur de contraintes superficielles introduites par grenaillage dun acier (daprs rapport RIGAKU).
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUEDES
65
SURFACES
Trempe superficielle
I
1O0
I
200
f Duret (HRc)
I (mm)
I*
300
Fig. 2.24. Exemple de trempe locale dun arbre en acier (XC 38 tremp par induction) pour introduire des contraintes de compression au niveau dune porte de roulement (applicable a un conge
de
La caractrisation des surfaces fonction mcanique ncessite la connaissance des contraintes superficielles et celle de leur volution en profondeur ;
cette donne est aussi importante que la connaissance de la rugosit et celle de
ltat physico-chimique. En gnral les contraintes superficielles sont anisotropes et il faut dterminer les deux contraintes principales orthogonales o1et o2
dont la direction est, a priori, inconnue. Pour trouver la variation en profondeur
(22) Saint-tienne A., Lecroisey F. et Miege B., L a Mesure des contraintes rsiduelles :
mthode de dtermination par rayons X , CETIM (1978), daprs Ishii K. et al., SAE Trans.
78 (3)(1969) 1765.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
66
(MPa)
600
500
400
II
Rectification severe N
(<
300
200
1O0
0,051
I
0,15
Profondeur (rnrn)
100
- 200
1
Rectification << douce >>
- 300
- 400
- 500
-600
-/
Fig. 2.25. Exemple dobtention de contraintes superficielles fortement dfavorables par un usinage
mal conduit (acier 40 NCD 7, mesure dans le sens des stries de rectification, Rf.(22).
il faut enlever des couches superficielles sans introduire de nouvelles

contraintes (dissolution chimique ou lectrolytique).
Lanalyse des contraintes superficielles (Sect. 5.3) se ramne a la dtermination des microdformations ; la variation des distances rticulaires dune famille
de plans (hki)en est une jauge de mesure.
2.3. Critres de qualit des contraintes superficielles

Comme on vient de le voir, une contrainte rsiduelle de traction et une contrainte
rsiduelle de compression nont pas du tout le mme effet ; on ne peut toutefois
pas se contenter de cette seule distinction pour classer, bonnes ou mauvaises, les
contraintes rsiduelles superficielles.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE DES
67
SURFACES
2.3.1. Effet de contrainte moyenne

L a thorie de llasticit permet de superposer le champ de contraintes superfiet le champ de contraintes de service cseruice.
La figure ci-dessous
cielles osuperficielle
montre comment la contrainte de service (traction) est dcharge en surface par
les contraintes superficielles de compression (cas d u n e pice cylindrique soumise
un moment de flexion).
4-
M
X
--b
Fig. 2.26. Dchargement des contraintes de service en flexion par les contraintes superficielles.
Pour affiner les prvisions de tenue la fatigue dans le cas de chargements

complexes, les mcaniciens utilisent des outils comme les diagrammes de
Goodman ou de Haigh. Ils sont utilisables en prsence de contraintes rsiduelles ;
il suffit de considrer que ces contraintes se comportent comme des contraintes
statiques superposes aux contraintes cycliques.
2.3.2. Effet du gradient de contraintes

Selon la forme du gradient de contraintes on peut obtenir u n amorage de
fatigue en sous-couche si on dpasse localement la limite dendurance.
Sur la figure 2.27 sont reprsents deux profils de contraintes superficielles
avec des amplitudes trs voisines : le profil B est plus << tal B que le profil A (gradient de contraintes plus faible). Le trac des rsultantes avec la contrainte de
service montre que, si oD est la limite dendurance du matriau, il ny aura pas
de risques avec le profil B alors quon aura une certaine probabilit de fissuration en sous-couche avec le profil A. Dune manire gnrale on se mfiera des
profils de contraintes trop abrupts...
Lorsquon est en prsence de contacts mcaniques, la partie la plus sollicite
nest plus la surface mais la sous-couche, la profondeur du point de Hertz
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
68
Contrainte rsultante
Fig. 2.27. Effet du gradient de contraintes superficielles.
(voir Fig. 3.2). Dans ce cas, on fait souvent appel des surfaces cmentes (voir
Fig. 2.28) ; le choix des conditions de cmentation doit tre optimis, plus en
fonction d u point de Hertz quen fonction de la valeur de la contrainte.
2.3.3. Relaxation des contraintes rsiduelles

Les contraintes rsiduelles de compression ne prsentent dintrt que si elles
restent stables en cours de service ; on peut souvent constater une volution au
cours des premiers cycles par modification de la rpartition de ces contraintes
rsiduelles.
Cette relaxation dpend :
de la nature du matriau et de ses caractristiques mcaniques,
du chargement (nature, sens, amplitude),
du nombre de cycles,
de la distribution des contraintes rsiduelles (sens, amplitude, gradient),
de la temprature.
Toute structure mtallurgique capable de bloquer les mouvements des dislocations favorise la stabilit des contraintes rsiduelles. L a relaxation est dautant
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE DES
A
03
Profondeur (mm)
1
1 3
I
- 200
- 400
69
SURFACES
2
I
Cmentation i mm
- 600 -
-800 -
Fig. 2.28. Une cementation bien conduite permet d'obtenir, dans le cas de pieces travaillant a la
fatigue superficielle, des contraintes de compression maximales au voisinage du point de Hertz qui
se situe gnralement a une profondeur de quelques diximes de mm, voir figure 3.2 (d'aprs
Rf.(22').
plus importante que les caractristiques mcaniques initiales sont faibles. Plus
le gradient est lev, plus la relaxation est importante.
Sous sollicitations dynamiques, on observe que plus l'amplitude de la sollicitation est leve, plus la relaxation est importante ; la limite de fatigue correspond la limite de stabilit des contraintes rsiduelles. L a relaxation augmente
avec le logarithme du nombre de cycles.
Enfin, la temprature favorise la relaxation des contraintes mais cette relaxation dpend de l'origine des contraintes :
les contraintes << mcaniques >> (galetage, grenaillage) se relaxent par rarrangement des dislocations ; ce rarrangement se produit des tempratures
relativement basses pour les alliages d'aluminium (100 120 " C ) ou pour les
aciers a u carbone (250 "C), des tempratures plus leves pour des alliages
hautes caractristiques mcaniques tels que les alliages de titane (450 a
500 "C) ou les alliages a base de nickel (700 OC).
les contraintes << mtallurgiques >> comme celles introduites par la nitruration
se relaxent selon des processus spcifiques ; ainsi, dans le cas des aciers
nitrurs, les conditions de relaxation dpendent de la cintique de diffusion
de l'azote, les contraintes de nitruration sont alors beaucoup plus stables que
celles introduites par grenaillage(231.
Barrallier L., Barreau G. et Barralis J., Influence de l'origine des contraintes rsiduelles sur leur relaxation thermique dans le cas d'aciers allis, Reu. Metall. Cah. inf. Tech.
(23)
(1993) 637-649.
70
3.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Duret superficielle
<< (...I la sensibilit linfluence d e s facteurs structuraux est une caractristique

fondamentale d e la microduret. Ignore, cette influence est une cause derreur
dangereuse, mais contrle, elle confre lessai d e microduret le caractre dune
mthode d e recherche scientifique. B (H. B ~ k l e ) [ ~ ~ ] .
3.1. De la macroduret a la duret superficielle

La notion de duret est trs ancienne, et fut introduite lorsquon remarqua que
certains corps avaient la facult den rayer dautres : << un corps est plus dur quun
autre sil peut le rayer . On doit Mohs la premire chelle de duret par rayure
des minraux, chelle toujours utilise par les minralogistes.
I1 tait logique dadapter la mme notion a u niveau des matriaux en tudiant
leur rsistance la pntration d u n corps dur (diamant) se dplaant, tout
dabord paralllement la surface : sclromtres rayure, puis perpendiculairement la surface : dispositifs indentation. Dans cette dernire catgorie on
peut citer les indenteurs de Brinell (1901), Vickers (1922), Knoop (1939),
Rockwell...
lndenteur
Brinell
lndenteur
Vickers
lndenteur
Berkovich
lndenteur
Knoop
lndenteur
Rockwell C
Vue de dessus des empreintes
Fig. 2.29. Principaux indenteurs.
Les diffrents types de mesure de duret ont t dvelopps indpendamment

les uns des autres et doivent tre considrs comme correspondant des caractristiques sans lien entre elles. Pour cette raison on les classe plutt comme des
essais technologiques. lexception de lessai Rockwell C dont le rsultat est la
profondeur de pntration dun diamant conique, les essais Brinell, Vickers et
(24) Bckle H., Microduret e t S t r u c t u r e , Cah. Groupe Fr. Rhoi. II ( 3 )(1970) 188-215.
CHAPITRE
2 - TOPOCWHIEET
MCANIQUE DES SURFACES
71
Knoop donnent une duret sous forme du quotient de la force exerce s u r lindenteur par laire de lempreinte :
H = -F
(2.19)
S
( S est laire relle de lempreinte et non laire projete).
Compte tenu des dimensions de ces durets, on pourrait les exprimer en units SI, par exemple en GPa. Afin dviter toute confusion et surtout toute
recherche dquivalence illicite, la norme I S 0 interdit cette pratique et
demande de considrer les diverses durets comme des nombres sans dimension, rapports une chelle spcifique (units HB pour la duret Brinell, H V
pour la duret Vickers). Toutefois, dans le cas de la nanoindentation, dveloppe ci-aprs, on traite la duret, note H , comme la pression moyenne supporte par le solide et on lexprime en GPa car il ny a pas de normes spcifiques.
Dans le cas de lessai Vickers, qui seffectue laide dun indenteur pyramidal
base carre ( 136 a u sommet), si d est la moyenne des diagonales, laire de lempreinte est gale :
d2
d2
S =
(2.20)
2 s i n ( y ) 1,8544
Soit pour la duret :
Nv
F
F
0,102F
11,8544= Cte
S
d2
d
= 0,102-
(2.21)
F est exprime en N (le coefficient O, 102 est d au fait que lchelle Vickers a t
initialement dfinie avec pour unit de force le kilogramme-force), d est exprime
en mm.
En premiere approximation, on obtient des empreintes gomtriquement
semblables lorsquon fait varier la charge : la duret reste constante. Les charges
utilises en macroduret Vickers vont de 1 O 0 0 N 50 N.
On peut aussi effectuer des mesures de microduret Vickers avec des charges
de lordre de 10 N 0,l N, en mesurant la taille des empreintes avec u n microscope. On peut ainsi accder la duret des grains dun mtal (dimensions dempreintes de lordre de quelques pm) avec une reproductibilit raisonnable pour
u n exprimentateur donn.
Toute mesure de duret provoque le refoulement de la matire autour de lindenteur avec crouissage des zones voisines. Dans le cas des matriaux cristallins ce domaine dinfluence est dtermin par le libre parcours maximal des dislocations ; la mesure de duret est par consquent une mesure indirecte sur u n
matriau perturb par lindentation elle-mme et concerne de ce fait toute la
zone dinfluence. Bckle a valu la taille du domaine dinfluence (les calculs par
lments finis confirment ces valeurs) :
en profondeur : 10 15 fois la profondeur de lempreinte,
en largeur : 3 fois la diagonale d de lempreinte (les normes imposent de laisser 2,5d entre deux indentations Vickers ; pour rapprocher les mesures on
peut utiliser lindenteur Knoop).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
72
Lorsquon sintresse aux surfaces il est donc logique de penser oprer avec
de trs faibles charges mais on doit se poser les questions suivantes :
Que signifient ces mesures ? Peut-on les relier aux mesures effectues
charges plus leves ?
Quelle prcision peut-on esprer ?
3.1.1. Influence de la charge sur la mesure de duret Vickers

Pour les charges correspondant la macroduret, la dformation plastique provoque un bourrelet qui est indent son tour en provoquant une survaluation
des dimensions de lempreinte et par consquent une sous-valuation de la
duret comme le montre la figure ci-dessous, dans le cas de lindentation Vickers.
Ah
d
do
Fig. 2.30. Bourrelet de dformation plastique lors dune indentation Vickers.
Les relations gomtriques de lindenteur (proportions non respectes sur la

figure) font que :
Ad = d - d o = 7 A h
(2.22)
Pour tous les matriaux cristallins on observe labsence de bourrelet aux trs
faibles dformations (les dislocations sont trs mobiles et en fait la dformation
est trs tale) alors quaux fortes dformations Ah varie linairement avec d .
Fig. 2.31. Variation de lerreur due au bourrelet en fonction de la profondeur de lempreinte.
CHAPITRE
73
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE DES SURFACES
On peut remarquer que, dans le domaine de la macroduret, la duret est

constante en fonction de la charge car A h reste proportionnel h ; aux faibles
charges la duret reste aussi constante car Ah = O mais s a valeur relative augmente.
log HV
log F
Fig. 2.32. Variation de la duret entre fortes et faibles charges.
1i
2
L a formation du bourrelet (piling-up) est une caractristique des mtaux et

alliages pour lesquels le rapport E / H est grand ( E : module de Young et H :
duret) ; dans le cas des cramiques et des polymres, pour lesquels E / H est
petit, on observe u n affaissement (sinking-in) correspondant a u << compactage >> du matriau.
3.1.2. Precision des mesures

B ~ k l e a~tudi
~)
la dispersion des mesures de duret Vickers lorsquon rduit
la charge. Dans le cas de tailles dempreintes releves laide dun microscope
optique, lerreur augmente trs vite comme le montre la figure 2.33. On pourrait
penser mesurer les empreintes laide de dispositifs plus perfectionns comme
le microscope balayage mais les contours de lempreinte sont gnralement
mal dfinis. Toutefois, des rsultats intressants pour la mesure des empreintes
peuvent tre obtenus laide de dispositifs optiques volus comme un microscope confocal faisceau laser(251
qui permet aussi de diffrencier les bourrelets.
(25) Chicot D., Hage I. et Lesage J., Estimation du module de Young par analyse de la gomtrie de lempreinte rsiduelle aprs indentation Vickers, Reu. Mtal!. Cah. InJ. Tech.
(1995) 635-643.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
74
HV
.-0,Ol N
Nanoindentation
1N
Microduret
10N
Duret sous
charge rduite
30N
1 O00 N
Macroduret
Fig. 2.33. Domaines de duret et erreurs exprimentales (adapt de Bckle) ; AB dsigne la

courbe thorique.
3.2.
La nanoindentation
On change ici de mthode de mesure : a u lieu de sintresser une empreinte

rmanente, on tudie la courbe donnant la force normale, F, en fonction de la profondeur de pntration, h, laide de dispositifs dindentation munis de capteurs
permettant lenregistrement en continu de la force et du dplacement. On a
dabord ralis des microduromtres instruments mais leurs performances ont
rapidement lev certains dentre eux au rang de nanoindenteurs. Un de ces
appareils est prsent dans la section 3.1 du chapitre 5. Ses caractristiques sont
les suivantes : domaine de charge de O 100 mN avec une resolution de 0,5 pN,
mesure du dplacement de lindenteur avec une rsolution de 0,2 nm et une prcision de lordre du nm, vitesse de mise en charge de lordre du nm.s-. L a
nanoindentation a t introduite a u dbut des annes quatre-vingts par Pethica,
Hutchings et Oliver26).
(26) Pethica J.B., Hutchings R. et Oliver W.C., Hardness measurement at penetration

depth as small as 20 nm, Phil. M a g . A 48 (4) (1983)593-606.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE
DES
SURFACES
75
Sur la figure 2.34 sont reprsentes les courbes de chargement-dchargement correspondant aux lois classiques de comportement des matriaux.
F
;I/,
Chargemen
(a
D hargement
Dcharg.
Fig. 2.34. Courbes dindentation : (a) solide lastique (indice e), (b) solide rigide plastique (indice p)
et (c) solide elastoplastique (indice ep).
Par une analyse de la forme de ces courbes on peut esprer remonter aux
paramtres de la zone indente : duret i f , module de Young E.. . Pour y parvenir,
il faut comprendre le comportement du matriau sous lindenteur et modliser
correctement les courbes de chargement-dchargement.
3.2.1. Comportement du matriau sous Iindenteur

Les travaux de Tabor[27)[281129),
dans le cas dindenteurs sphriques de rayon R ,
montrent que le matriau commence se plastifier sous lindenteur et que la
taille de la zone plastique augmente avec la charge, jusqu recouvrir tout le
contact ; la pression de contact, P , devient alors uniforme. Dans le domaine lastique, en supposant que lindenteur est indformable, la thorie de Hertz
(Chap. 3, Sect. 1.2) tablit que le rayon de contact, a, est donn par :
(2.23)
La pression de contact a une rpartition reprsente sur la figure 2.35 ; son

maximum, P,, vaut :
4Ea
P, =(2.24)
37-8
(27) Tabor D., The hardness of metals (Clarendon Press, Oxford, 1951).
(28) Tabor D., Indentation hardness and its measurements : some cautionary comments,
dans Microindentation techniques in materials science and engineering, P.J. Blau et B.R.
Lawn, Eds. (ASTM, Philadelphia, 19861, pp. 129-159.
(29) Tabor D., The hardness of solids, Rev. Phys. Techn. 1 (1970) 145-179.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
76
Le seuil de plastification correspond P , = 1 , l lRo,z (critre de von Mises), Ro,z

dsignant la limite dlasticit a 0 , 2 % : selon Tabor, le volume sous lindenteur
est entirement plastifi pour P = H = 2,8R0,,. Ce coefficient 2.8 est valable pour
la plupart des mtaux.
F
2a
1 plastifie \
Pression de contact
Fig. 2.35. Plastification sous un indenteur sphrique (daprs Tabor).
Plus R diminue, plus on obtient rapidement la plastification (cas de lindenteur Vickers). Marsh(301a propos u n modle dit de lexpansion d u n e cavit
sphrique valable dans le cas de lindenteur Vickers : on considre que la
matire sous lindenteur se comporte comme une cavit tendant sexpanser
sous leffet dune pression hydrostatique. Cette expansion dbute lorsque la
pression de contact P (ou la duret H ) atteint la valeur calcule par Johnson31)
pour un indenteur Vickers :
(2.25)
3.2.2. Courbes de chargement

Selon B ~ k l e (le~ chargement
~)
rpond une loi de la forme
F=Khn
n=2
(2.26)
(30) Marsh D.M., Plastic flow in glass, Proc. Roy. Soc. Lond. A 279 (1964) 420-435.
(31) Johnson K.L., The correlation in indentation experiments, J . Mech. Phys. Solids 1 8
(1971) 115-126.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE
DES SURFACES
77
lndenteur
Zone iastique
Fig. 2.36. Modle de Marsh.
aprs analyse de courbes exprimentales de matriaux elastoplastiques, a choisi la loi :

F = K,h:,
(2.27)
I1 considre que le dplacement total hep est la somme dun enfoncement h
P
mesur sur un matriau purement plastique et dun dplacement he mesur, a
laide dun indenteur plan, sur u n matriau purement lastique (voir Fig. 2.37) :
hep = h , + h e
avec
(2.28)
K,
(Ki035 +K-0,5
e
jjz
(2.29)
do :
(2.30)
(32) Loubet J.L., Georges J.M. et Meille G., Vickers indentation curves of elastoplastic
materials dans Microindentation techniques in material science and engineering, P.J . Blau et
B.R. Lawn, Eds. (ASTM, Philadelphia, 1986),pp. 72-89.
(33) Loubet J.L., tude des courbes dindentation. C a s du poinon conique et de la pyramide Vickers, Thse de IIIe cycle, Lyon (1983).
(34) Loubet J.L., Courbes dindentation et eget dchelle, quelques cas exprimentaux,
These, Lyon (1986).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
78
+
Zone
plastiqu
Df. plastique pure
Def. lastique pure
Def. elastoplastique
Fig. 2.37. Superposition des chargements (daprs Loubet).
L a duret, H , correspond la pression dindentation. Compte tenu de la gomtrie de lindenteur (indenteur Vickers), sa surface projete est gale 24,5hn2,
do :
K P = 24,5H
(2.31)
r
S n e d d ~ n a~calcul
~)
la dformation produite par u n indenteur plan
(2.32)
v = coefficient de Poisson ; partir de ce calcul, Loubet trouve
(2.33)
et propose
+0,194-
(2.34)
partir de cette expression on peut calculer une courbe thorique de chargement qui donne une diffrence par rapport aux courbes exprimentales infrieure 10 %. Connaissant deux des paramtres E , v ou H , il est possible de calculer le troisime (pour calculer if,il faut calibrer laire exacte de lindenteur). On
considre actuellement(36)que lexploitation de la courbe de dchargement est
plus intressante que celle de chargement.
(35) Sneddon I.N., The relation between load and penetration in the axisymmetric
Boussinesq problem for a punch of arbitrary profile, int. J . Eng. Sci. 3 (1965)47-57.
(36) Rezakhanlou R. et Massoud J.P., intrt d e la microduret instrumente pour suivre le
vieillissement thermique d e s aciers inoxydables austno-ferritiques. Rapport EDF Clamart
(1993).
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE DES
SURFACES
79
3.2.3. Courbes de dchargement

Sur la figure 2.38 est reprsente une courbe de dchargement. L a dformation
plastique tant u n effet permanent, le retour est entirement lastique.
Fig. 2.38. Courbe de dchargement,
On pourrait s'attendre u n retour linaire mais il y a superposition de deux

phnomnes :
le retour lastique de la matire environnant l'indenteur,
le retour lastique de la matire plastifie sous l'indenteur. Ce retour introduit gnralement un changement de forme de l'empreinte et modifie h.
I1 faut donc remplacer la courbe de dchargement par sa tangente pour
retrouver la valeur de h,. L a pente est gale :
dF
(2.35)
pE'&
dh
A est l'aire projete de l'indentation, est une constante dpendant de la gomtrie de l'indenteur et E* est le module effectif du systme tenant compte des
modules de Young et coefficients de Poisson de l'indenteur (Ei,
vi) et du matriau
(E,,,, v,,,) car l'indenteur se dforme lastiquement.
Ona:
1
1-vf
1-v2
+A
(2.36)
-=
E'
E,"
Em
p a t calcule par Sneddon et vaut 2/&. Cette valeur a t confirme par

dans le cas de l'indenteur Berkovich.
Pharr et
(37) Pharr G.M., Oliver W.C. et Brotzen F.R., On the generality of the relationship among
contact stiffness, contact area, and elastic modulus during indentation, J. Mat. Res. Soc. 7
(3)(1992)613-617.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
80
Lindenteur Berkovich est une pyramide en diamant a base triangulaire

dplaant, profondeur dindentation gale, le mme volume de matire que
la pyramide Vickers base carre. Sa pointe est mieux dfinie (intersection de
trois plans) : cest gnralement lindenteur privilgi de la nanoindentation.
Pour calculer E* il faut mesurer A mais on est confront a u problme du bourrelet ou de laffaissement qui faussent cette mesure. Loubet et al.(38)ont propos
une exploitation des courbes base sur la dtermination de hp par extrapolation
de la partie linaire de la courbe de dchargement mais Oliver et
considrent que peu de courbes prsentent une partie linaire permettant cette extrapolation.
Ils proposent une loi de dchargement de la forme :
m
h - h f )
(2.37)
L a variable est h - hf et non hY

Pour connatre A il faut dterminer h,, profondeur lie laire de contact
relle (voir Fig. 2.39) par :
A =f (hc)
(2.38)
f est la fonction de forme de lindenteur.

En introduisant le terme h - hf dans la thorie de Sneddon, Oliver et al.
obtiennent lexpression :
P
h, = h , -E-
(2.39)
d%h
avec
= 0.75. On peut alors dterminer H et
E.
,y
Profil
Fig. 2.39. Dtermination de la profondeur lie a laire de contact relle (daprs Oliver et ai.)
(38) Loubet J.L. et al., J . Tribol. 106 (1984) 43-48.

(39) Oliver W.C., Hutchings R. and Pethica J.B., dans Microindentation techniques in rnaterial science and engineering, P.J. Blau et B.R. Lawn, Eds. (ASTM, Philadelphia, 1986),
pp. 90-108.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE DES
81
SURFACES
Felder et ai.(40)
considrent que cette thorie est limite a u cas des matriaux
prsentant u n affaissement et non u n bourrelet. I1 faut galement dterminer le
facteur de forme de lindenteur (qui tient, en particulier, compte de son moussement) : Oliver et Pharr proposent une mthode dtalonnage partir de lindentation de monocristaux daluminium.
Malgr toutes ces difficults dexploitation, la nanoindentation ne cesse de se
perfectionner et reprsente ce jour une mthode de choix pour la mesure de la
duret et du module de Young des matriaux sous faible charge, que ce soit en
surface des matriaux ou sur des films minces.
Dans la section 3.1 du chapitre 3 on trouvera une application de la nanoindentation la caractrisation de limplantation ionique.
3.2.4. Nanoindentation dynamique

L a nanoindentation dynamique ou CSM (continuous st@ness measurement) est
ralise en ajoutant une modulation de force la loi linaire de chargementdchargement de la nanoindentation classique.
Nanoindentation
Nanoindentation
dynamique (CSM)
Temps
Fig. 2.40. Principe de la nanoindentation dynamique.
chaque << oscillation >> on peut effectuer une mesure permettant la dtermination cc en continu >> de la duret et du module de Young. La dure des exprimentations est rduite alors que les points de mesure sont multiplis.
(40) Felder E., Laval P. et Angllis C., tude thorique d e Zindentationd e m a t r i a u lastoplastiques ; application linterprtation d e s courbes force-pntration-retrait, Journes
dtudes 1995 de la Socit tribologique de France, Nancy 1995, J. von Stebut, Ed. (SIRPE,
Paris, 1996),pp. 191-201.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
82
En comparant lamplitude et la phase de la rponse en dplacement, par rapport la modulation de force, on peut mettre en vidence les proprits viscolastiques d u n matriau.
3.3.
Caractrisation des couches minces
Ce sont les caractristiques mcaniques quon cherche dterminer en ce qui

concerne les couches minces (module de Young, duret, tnacit traduisant un
ventuel comportement fragile) ; on sintresse galement leur adhrence sur le
substrat.
adhesion : proprit << fondamentale >> lie aux liaisons atomiques et plus particulirement lnergie
;
adherence : proprit << pratique >> tenant compte des comportements mcaniques du revtement et du substrat ainsi que des conditions de sollicitation
du revtement(42).
Une rupture cohesive se produit dans le revtement ou dans le substrat,
une rupture adhsive se produit linterface.
Lnergie dadhsion par unit daire ou nergie de Dupr, W,,, dpend de
lnergie superficielle du revtement, y,, de la nature de la surface du substrat,
y,, et de lnergie interfaciale, y, quil faut fournir pour crer le joint dadhsion :
(2.40)
La mcanique linaire de la rupture nous enseigne que pour propager une fissure dans u n matriau fragile il faut fournir une nergie, G, suprieure un
seuil critique, G,. Dans le cas dun systme revtement, R, et substrat, S, on
peut, si les matriaux sy prtent, provoquer la fissuration de lun des partenaires et par consquent la rupture du joint. On montre quon peut relier lnergie critique G, lnergie dadhsion WR, par :
T,
G, = W,, f VeT-Ta
(2.41)
f : facteur li la rhologie des corps R et S,

V : vitesse de propagation de la fissure,
T , et T, : paramtres homognes une temprature et dpendant de R et S,
T : temprature du systme.
< W,, < 5 J.rn-,, 1 < G, < lo3 J.m-2.
(41) Darque-Ceretti E., LAdhsion : les concepts et les causes, Reu. Mtaii. Cah. in$ Tech.
(1997) 617-633.
(42) Maugis D., Adhrence des solides, aspects mcaniques, Reu. Mtali. Cah. rnJ. Tech.
(1997) 655-690.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUEDES
SURFACES
83
Pour caractriser ladhrence d u n revtement on peut effectuer des tests de :

rayure,
arrachement,
indentation interfaciale,
indentation normale.
Nous nous limiterons aux applications de lindentation.
Lindentation interfaciaie consiste appliquer un pntrateur Vickers de
manire provoquer une fissure semi-circulaire linterface. Elle sapplique
des couches assez paisses (quelques dizaines de ,urn).
Fig. 2.41. Indentation interfaciale.
Cette technique adapte aux revtements cramiques et, d u n e manire gnrale, aux dpts plasma, a t modlise par Choulier partir de la mcanique
linaire de la rupture43).Indpendamment des difficults inhrentes ce type
dexprimentation (positionnement de lindenteur, obtention d u n e << bonne >> fissure linterface...), le rsultat est influenc par lpaisseur du revtement et/ou
la prsence de contraintes rsiduelles dans le revtement. On peut toutefois
obtenir, sous certaines conditions, des caractristiques intrinsques reprsentatives de ladhrence revtement /substrat(44).
Lindentation normale consiste appliquer u n pntrateur Vickers ou
Rockwell perpendiculairement la surface dune couche mince. On doit tenir
compte de la raction du substrat.
(43) Choulier D., Contribution ltude d e ladhrence d e reutementsprojets la torche a

plasma. Modlisation et utilisation dun test dindentation linterface, Thse, universit de
Compigne-Svenans (1989).
(44) Lesage J., Demarescaux P., Bartier O. et Mesmacque G., Dtermination de ladhrence de revtements par le test dindentation interfaciale, Reu. Mtaii. Cah. rnJ Tech.
(1993) 1655-1663.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
84
Considrons dabord le cas gnral d u n matriau homogne, comportement fragile, soumis laction dun pntrateur Vickers : on constate lapparition
de fissures autour de lindenteur, lors d u retrait de celui-ci. partir de la taille
de la fissure et de la connaissance des conditions de chargement, on peut valuer de la tnacit du matriau.
L a figure 2.42 reprsente lallure des fissures obtenues en fonction de la
charge applique sur lindenteur ; pour de fortes charges on obtient des fissures
latrales qui se propagent paralllement la surface.
Faible charge
Forte charge
Trs forte charge
Zone plastique
Fissures de Palmquist (P)
Fissures mdianes (M)
Fissures latrales ( L )
Fig. 2.42. Fissures obtenues par indentation Vickers dun matriau fragile.
On trouve deux grandes familles de modles en fonction du comportement

des couches minces : couche dure avec interface fragile et couche plus molle que
le s ~ b s t r a t ~ ~ l ( ~ ~ ) .
Le modle relatif aux couches dures a t introduit par Evans et son
quipe[47; ce modle et ceux drivs cherchent dterminer les conditions de
dcollement des couches et par consquent les performances dadhrence de
linterface. On doit tenir compte des contraintes rsiduelles dans les couches. On
trouvera une prsentation de quelques modles dans la bibliographie. Dans ce
cas, on peut observer une dlamination par formation de fissures latrales qui se
propagent linterface revtement-substrat (Fig. 2.43).
(45) Laval P. et Felder E., Caractrisation de ladhrence des revtements par indentation
(1993) 93-105.
normale : une revue bibliographique, Mat& Tech. 1-2-3
(46) Chicot D. et Lesage J., Duret des matriaux dposs en couches minces, Mat& Tech.
10-11 (1994) 19-23.
(47) Marshall D.B., L a w n B.R. et Evans A.G., Elastic/Plastic indentation damage in ceramics : the lateral crack system, J . Am. Soc. 85 ( 1 1) (1982) 561-566.
CHAPITRE
2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUEDES
SURFACES
85
Fig. 2.43. (a) : formation de fissures L par indentation Vickers dune couche mince avec interface
fragile ; en (b) on montre, daprs Burnett et ai.48),le rsultat de lindentation a 1O N dune couche,
dpaisseur 2 pm, de nitrure de titane dpose sur une lame dun verre calcosodique. La micrographie optique montrant la delamination est faite a travers le verre. Avec une couche de 0,5 pm indente dans les mmes conditions, on nobserve aucune delamination.
cohsi
Dformation plastique
Fig. 2.44. Modes de dcollement des revtements mous, daprs Ritter et al., (a) : dformation
lastique sous Iindenteur, (b) : deformation plastique, (c) : penetration dans le substrat.
Les couches << molles >> sur supports << durs >> (polymres sur mtaux par
exemple) sont charges avec u n indenteur (Vickers, indenteur sphrique) qui
provoque une dformation latrale avec cisaillement de linterface.
Les modles correspondants, comme celui de Ritter et
par exemple,
montrent que lindentation normale permet daccder une valeur de la tnacit
(48) Burnett P.J. et Rickerby D.S., The mechanical properties of wear-resistant coatings. II :
experimental studies and interpretation of hardness, Thin Solid Films 148 (1987) 51-65.
(49) Ritter J.E. et Rosenfeld L.G., Use of the indentation technique for studying delamination of polymeric coatings, J . Adhes. Sci. Technol. 4 (7) (1990) 551-571.
86
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Charge en mN
1O0
50
150
200
Profondeur indente en nrn
600
400
800
Profondeur indente en nm
Charge en rnN
5 1
()
0 4
Fissure dans
:I
1O0
200
300
500
1 O00
1500
2000
2500
Fig. 2.45. Indentation dune couche de carbure dazote dpose sur un substrat de silicium. En
(a) : indentation (c normale )>. En (b) : on observe que la pointe de Iindenteur a coup le film en
((
))
le repoussant et lon a indent seulement le silicium. En (c) : on observe lapparition dune fissure
dans lpaisseur du film, et en (d) : on a la formation dune fissure dans le film (l), comme dans le
cas prcdent (rupture cohsive), suivie par la formation de fissures (2) a linterface (delamination),
(H. Pelletier, ENSAIS-LMCM).
CHAPITRE 2 - TOPOGRAPHIE
ET MCANIQUE
DES SURFACES
87
<< intrinsque >> de linterface non influence par les dfauts de fabrication qui
apparaissent plus grande chelle. Ces modles tiennent compte des << modes >>
dindentation, selon que le pntrateur traverse ou non la couche.
Quapporte la nanoindentation 7
La pointe du nanoindenteur se comporte comme une microsonde mcanique
capable potentiellement de donner des informations en continu sur les structures traverses (couche mince/substrat, systmes multicouches, couche
<< enterre >> par implantation ionique...). Cet usage a t prvu ds la mise au
point de la nanoindentation (on trouvera des rfrences bibliographiques dans
larticle de Pharr et ~ 1 l . 1 ~ ~ 1 ) .
Lanalyse est base sur linterprtation des courbes dchargement-dplacement et sur lvolution de la surface aprs retrait de lindenteur : cette technique
est indispensable pour mesurer les caractristiques mcaniques ( E , v et if) des
couches et du substrat mais son application requiert un accompagnement par
une modlisation soigne(51~~52~~53~.
L a figure 2.45 donne un exemple dapplication sur des couches de carbure
dazote C3N, [plus vraisemblablement CXNJ obtenues par ablation laser sous
atmosphre de mthane*. Ces couches sont dposes sur du silicium. Le carbure
dazote a des proprits mcaniques trs leves : s a duret varie entre 6 et 12 GPa
selon les conditions de dpts. Par nanoindentation on peut mettre en vidence
divers dfauts : manque dadhrence, rupture cohsive, dlamination.
(50) Pharr G.M. et Oliver W.C., Measurement of thin film mechanical properties using
nanoindentation, MRS Bull. (juillet 1992) 28-33.
(51) Page T.F. et Hainsworth S.V., Using nanoindentation techniques for the characterization of coated systems : a critique, S u q . Coat. Techn. 6 1 (1993) 201-208.
(52) Page T.F. et Whitehead A.J., Nanoindentation studies of thin film coated systems,
Thin Solid Films 220 (1992) 277-283.
(53) Page T.F., Hainsworth S.V. et Bartlett T., The nanoindentation response of systems
with thin hard carbon coatings, Thin Solid Films 236 (1993) 214-218.
* Dpt effectu a u laboratoire de Ion N. Mihailescu, Institut de physique atomique,
Bucarest.
Tribologie :
frottement et usure
des surfaces
La tribologie est-elle vraiment un facteur de progrs,
compte tenu de ceux raliss,
tant sur les matriels que sur les luhrlfiants ? ))
Question fondamentale des annes soixante-dix().
travers la tribologie, selon la dfinition actuelle de ce terme, on sintresse

ladhsion et ladhrence, a u frottement sec et lusure des surfaces. La lubrification fait partie de la tribologie mais, dans cet ouvrage consacr aux surfaces,
nous nen aborderons que quelques notions destines en montrer la complmentarit avec les traitements de surface.
1.
Contact et frottement entre solides
1.l. Contact entre surfaces

1.1. I. Contact lastique - modle de Hertz
Tout contact provoquant une petite dformation lastique des matriaux sappelle un contact << hertzien . Lorsque deux sphres sont en contact, le point de
contact se transforme en disque ; ce point se transforme en bande lorsquil sagit
de deux cylindres.
Les matriaux en contact, 1 et 2, sont caractriss par leurs modules dlasticit, E , et E,, et par leurs coefficients de Poisson, vI et vz. En toute logique, il faut
tenir compte de la dformation des deux matriaux mais on montre quon peut
ramener ltude celle du contact entre un matriau plan infiniment rigide et un
matriau dformable possdant u n module dlasticit composite E dfini par :
E*
=[-+-)
1-v,2
1-v,2
E,
E2
-1
(1) Lefvre R., L a tribologie, problmes et techniques quenglobe ce terme, en ce qui

concerne, en particulier, lentretien, Rev. Mtail. Cah. inf. Tech. (1972) 589-605.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
90
Fig. 3.1. Deformation et pression dans un contact hertzien.
Ainsi le contact de deux sphres de rayons R , et R, se ramne a u contact d u n

plan indformable et dune sphre de rayon composite R :
Si F est la force applique, on trouve que le rayon, a , du disque de contact est

donn par :
a=
(4 y
(3.3)
--
L a pression de contact est maximale a u centre du disque et vaut
3F
P, =2 ~ a
(3.4)
Dans le cas dun contact entre cylindres, on trouve une pression maximale
linique donne par :
2F
P, = (3.5)
Lanalyse de la distribution des contraintes a t effectue par Hertz puis par

Huber et Fuchs, on trouvera les bases de cette analyse dans les ouvrages trai; les contraintes principales (O) sont plus
tant de la mcanique des
leves en surface, par contre le cisaillement maximum (7)se situe sous la surface, une profondeur dpendant de la gomtrie. En ce point appel point de
Hertz apparaissent les premires dformations plastiques (Fig. 3.2, haut).
Si maintenant on ajoute u n glissement a u roulement pur, il apparat une
composante tangentielle qui modifie la rpartition des contraintes et change
la profondeur du point de Hertz qui peut mme venir en surface (Fig. 3 . 2 , bas).
(2) Par exemple : Aubin
M.et al.. Systmes mcaniques (Dunod, Paris, 1992).
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
ET USURE DES SURFACES
91
Roulement Dur
Roulement
avec glissement
Fig. 3.2. Contact cylindrique : en haut, roulement pur, en bas, roulement avec glissement.
Ceci est vrifi par lobservation de la distribution des fissures caractristiques

des pices travaillant en fatigue superficielle (Sect. 2.4 de ce chapitre).
En augmentant la pression de contact on passe dans le domaine lastoplastique(31et le modle de Hertz nest plus valable.
1.1.2. Contact lastoplastique et rugueux

Bien avant datteindre << macroscopiquement N le domaine plastique on a dj
obtenu une plastification << microscopique B a u niveau des pics de rugosit.
( 3 ) Johnson K.L., Contact mechanics (Cambridge University Press, Cambridge, 1989).
92
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Divers modles ont t proposs, en particulier par Greenwood et William~on~)

:
ces auteurs ont considr une surface constitue dasprits sphriques de
mme rayon de courbure et dont la distribution des hauteurs est dcrite par une
loi : nous reviendrons sur ce modle dans la section suivante. Dautres modles
introduisent des variantes qui sont fondes sur une autre description de la rugositI5).
I1 existe des outils de calcul@)permettant de modliser peu prs toutes les
formes de contact mais le problme est de dcrire la rugosit (et de savoir mesurer les paramtres utiliss dans la description), ce qui ramne a u chapitre prcdent.
Ainsi, une approche consiste remplacer la surface rugueuse par une surdcrit la
face conforme quivalente. Par exemple, le modle de Brachotte et
rugosit par des microfacettes repres par leurs orientations spatiales et on
regroupe ces microfacettes par valeurs dangularit croissante de manire former une surface gauche qui peut tre u n ellipsode de rvolution. On peut alors
appliquer le modle de Hertz la surface quivalente.
Lorsque la rugosit rpond aux critres de la gomtrie f r a ~ t a l e @ Ion
( ~ )peut
utiliser un modle qui permet de calculer la distribution des contacts. Dautres
modles sont bass s u r les mthodes de lanalyse spectrale(101.
Sur le plan physique, on retiendra quon va dpasser facilement la limite
dlasticit du matriau au niveau des asprits en contact. Les films doxydes
peuvent se rompre et les surfaces deviennent ractives. Ceci peut conduire des
adhrences. Finalement il devient difficile, pour tudier le frottement, de sparer
leffet de laugmentation des aires de contact par dformation des asprits de
celui des adhrences.
(4) Greenwood J.A. et Williamson J.B.P., Contact of nominally flat surfaces, Proc. Roy. Soc.
A 295 (1966) 300-319.
(5) McCool J.I., Comparison of models for the contact of rough surfaces, Wear 1 0 7 (1986)
37-60.
(6) Sayles R.S., Basic principles of rough surface contact analysis using numerical
methods, Tribol. intern. 29 ( 8 )(1996) 639-650.
(7) Brachotte S . , Quiniou J.F., Silvy J. et Roques-Carmes C., Notion de surface conforme
quivalente applique a la topographie de surface dans le but dune approche prvisionnelle
de lusure, Journes dtudes de la Societe tribologique de France, Nancy, 1995, J. von
Stebut, Ed. (SIRPE, Paris, 1996).pp. 116-124.
(8)Majumdar A. et Brushan B., Fractal model of elastic-plastic contact between rough
surfaces, J . Tribol. 1 1 3 (1991) 1-11.
(9) Zahouani H., Vargiolu R., Kapsa P.H., Loubet J.L. et Mathia T.G., incidence de lchelle
danalyse des surfaces rugueuses en tribologie. Apport d u modlefractal, Journes dtudes
de la Societe tribologique de France, Nancy, 1995, J. von Stebut, Ed. (SIRPE, Paris, 1996),
pp. 83-96.
(10) J u Y. et Farris T.N., Spectral analysis of two-dimensional contact problems, Trans.
ASME 1 1 8 (1996)320-328.
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
1.2.
93
Introduction au frottement
Le frottement est une << rsistance >> freinant tout mouvement relatif entre deux
corps :
les deux corps sont solides : frottement solide
- glissement (sliding),
- roulement (roiling),
- combinaisons de glissement /roulement, pivotement :
u n des corps est u n fluide : frottement fluide.
De tout temps les hommes ont essay de contrler le frottement, soit pour le
rduire (transport de pierres monumentales), soit pour lutiliser (allumage du
feu, blocage des cordages s u r u n navire). Le problme de la rduction du frottement est toujours dactualit car 1,6 % du produit national brut des pays industrialiss est ainsi dissip sous forme de perte dnergie.
Lorsque deux solides frottent directement sans interposition dun lubrifiant
on parle de frottement sec. Ce type de frottement est trs prsent autour de
nous : rails et roues des chemins de fer, balais et collecteurs de machines lectriques, pantographes et catnaires, freins, ttes de lecture et bandes magntiques, la plupart des mcanismes utiliss dans lespace. ..
Le frottement lubrifi peut faire appel des lubrifiants liquides ou visqueux
(huiles, graisses) ou des lubrifiants solides (graphite, bisulfure de molybdne...). On peut aussi conditionner une des surfaces pour la rendre autolubrifiante.
Dans tous les cas il est ncessaire dessayer de bien comprendre les mcanismes du frottement sec de manire adapter a u mieux les traitements de surface lorsque la lubrification est difficile ou impossible. Le frottement sec ne
manque jamais de se manifester en cas de panne de lubrification ou tout simplement lors des dmarrages de certains mcanismes.
1.2.1. Frottement sec

L a premire tude sur le frottement est due Lonard de Vinci (1452-1519) et
ses contemporains ; elle se rsume sous forme de deux lois :
L a force de frottement est indpendante de laire apparente de contact.
L a force de frottement est proportionnelle a u poids du corps dplac sur le plan
horizontal et plus gnralement la charge normale applique la surface.
Le facteur de proportionnalit ou facteur de frottement, p , avait t trouv
gal 0,25. Cette tude restera enfouie pendant plusieurs sicles dans les carnets de Lonard de Vinci et cest Guillaume Amontons (1663-1705)qui, en sintressant a u travail des polisseurs de miroirs, va redcouvrir en 1699 les lois du
frottement et trouver u n facteur de frottement de 0,33. Ce facteur est alors
considr comme correspondant leffort ncessaire pour soulever les asprits
des surfaces rugueuses en contact.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
94
N
..
N
-*
A----
Fig. 3.3. Facteur de frottement bas sur la proportionnalitentre la charge normale N et la force de
frottement F ncessaire pour dplacer le solide.
Le terme reliant deux grandeurs proportionnelles est un coefficient ou un

facteur. Le vocabulaire I S 0 impose dutiliser le mot coefficient pour u n terme
correspondant u n nombre avec une dimension et facteur pour u n terme
sans dimension. Par consquent on doit dsormais parler de << facteur de frottement D et on devrait parler de facteur de Poisson ... Puisse le lecteur se
souvenir que le mcanisme du frottement dpend de plusieurs facteurs.. .
dont le facteur de frottement !
((
Charles-Augustin Coulomb (1736- 1806) est bien connu pour ses travaux sur la
mesure des charges lectriques (balance de Coulomb] mais il sest aussi intress aux lois du frottement travers le lancement des bateaux et, aprs avoir
confirm les deux lois prcdentes, il en a introduit une troisime :
Le facteur de frottement est indpendant de la vitesse de glissement.
Toutefois, on observe que la force ncessaire pour mettre u n corps en mouvement (facteur de frottement statique, ,us,ou facteur dadhrence) est suprieure
la force pour maintenir le mouvement (facteur de frottement dynamique, pd).
Au cours de la premire moiti du XXe sicle, il apparut ncessaire daffiner
les lois d'hantons-Coulomb, malgr les progrs de la lubrification ; on peut
citer, non exhaustivement, les travaux de Bowden et Tabor11)qui introduisent le
rle primordial de la dformation plastique des surfaces et ceux de
Rabinowicz[l2)qui font intervenir lnergie libre des surfaces.
Ainsi Bowden et Tabor considrent que la force de frottement F est la somme
de deux forces :
F = F, +F,
(3.6)
F, = force pour
<(
rompre
>>
les adhrences,
F , = force de dformation ncessaire pour
<<
labourer
>>
les asprits.
(11) Bowden F.P. e t T a b o r D., The friction and lubrtfication of solids ( C l a r e n d o n P r e s s ,

Oxford, 19501 e t Friction et Lubrtfication ( D u n o d , Paris, 1 9 5 9 ) .
(121 Rabinowicz E., Friction and wear of materials ( J o h n Wiley a n d Sons, New York, 1 9 6 5 ) .
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
95
Cette thorie induit deux remarques :

les forces dadhrence doivent augmenter en fonction du temps car, lorsquon
est en rgime de frottement dynamique, ces forces nont pas le temps de stablir ;
la prise en compte des asprits fait intervenir une notion daire u relle B des
contacts des matriaux A,, petite devant laire apparente, A,, et qui augmente
avec la charge en suivant les lois de llasticit et de la dformation plastique.
Pour cisailler les adhrences, il faut exercer une force
F , = A,T
(3.7)
la contrainte de cisaillement, z, est constante pour tout le matriau.

Laire de contact << relle >> est lie la charge par :
N = P,A,
(3.8)
P, est la pression moyenne dans le contact, limite par la dformation plastique,

do :
(3.9)
Le modle de Bowden et Taylor apporte une ouverture sur le rle de la surface de

contact (rugosit) et son volution avec la charge (dformation lastoplastique)
ainsi que sur la notion dadhrence (forces dadhrence, rle de ltat physicochimique de la surface).
Le rle de la rugosit et celui de s a distribution ont t pris en compte par
Archard[l3) et par Greenwood et Williamson(*). En particulier, ces derniers
auteurs ont utilis des modles simples de rugosit : hauteurs des asprits distribues selon une loi exponentielle ou selon une loi gaussienne dcart type O,
sommets des asprits sphriques de mme rayon p. On trouve que laire totale
de contact est proportionnelle la force dappui (en augmentant la pression on
augmente proportionnellement le nombre des points de contact (spots) dont
laire moyenne reste constante.
Dans le cas de la distribution gaussienne, Greenwood et Williamson ont
introduit un indice de plasticit, ty,qui indique sous quelles conditions les asprits commencent se dformer plastiquement* :
(3.10)
o H est la duret ; la premire parenthse dcrit les proprits du solide dformable, la deuxime contient les paramtres de la rugosit utiliss dans le modle.
(13) Archard J.F., Elastic deformation and the laws of friction, Proc. Roy. Soc. A 243
(1957) 190-205.
* Dans cette expression, on considre que la surface tudie est en contact avec une surface beaucoup plus rigide, sinon il faut utiliser le module composite E.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
96
Pour les surfaces usines on a Y > 1 et l'application du modle montre que

les asprits sont dformes plastiquement mme pour des charges faibles.
Finalement, que la dformation soit lastique ou plastique, l'aire de contact
est indpendante de la taille apparente des solides mais reste proportionnelle
la force d'appui ; pour permettre le mouvement relatif, on doit cisailler les matriaux aux interfaces. Toutes ces constatations vont dans le sens des lois
d'Amontons et on pourrait en rester l en reprenant notre compte la citation de
la rfrence"). Effectivement on observe peu d'volution des modles dans les
annes soixante-dix mais on constate une intense reprise des recherches partir des annes quatre-vingts. Elle est impose par les dveloppements de la technologie : mcanismes impossibles lubrifier (par exemple utilisation dans l'espace), stockage de donnes sur les bandes magntiques et les disques ... On
cherche expliquer les phnomnes macroscopiques partir des comportements tudis l'chelle nanomtrique grce la mise a u point d'outils comme
le microscope effet tunnel, le microscope force atomique et le microscope
force latrale (voir Chap. 5, Sect. 2.3). Nous aborderons ces nouvelles approches
du frottement dans la section 1.3.
Cas particulier du frottement de roulement
Pour faire rouler une sphre reposant sur une surface plane et supportant une
charge N , il faut exercer une force horizontale :
F =pRN
(3.11)
pR = facteur de frottement de roulement.

Le facteur de frottement statique de roulement est pratiquement gal a u facteur dynamique de roulement (ordre de grandeur de pR : 0,002).
Reynolds a montr que le roulement pur n'existe pas et qu'il s'accompagne
toujours d'un trs faible glissement d la dformation diffrentielle de la bille
et du plan ; pendant le mouvement il y a mise en compression en A et relchement de la compression en B.
IN
Fig. 3.4. Origines du frottement de roulement.
t"
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
97
En raison de lamortissement, mme faible, introduit par le matriau, on

dcrit des cycles dhystrsis sur la courbe contrainte-dformation, les pertes
sont proportionnelles laire de ces cycles. Dans le cas des roulements billes,
on sapproche du roulement pur mais pour les engrenages et cames on est en
prsence dune combinaison de roulement et de glissement.
1.2.2.Frottement lubrifie
I1 y a prsence dun film fluide entre les surfaces en mouvement ; ce film peut
tre cr artificiellement par injection du fluide entre les deux surfaces en mouvement, laide d u n e pompe (lubrification hydrostatique), ou peut stablir
spontanment sous leffet du mouvement si la gomtrie de surface, les vitesses
relatives et la viscosit du fluide le permettent (lubrification hydrodynamique).
Selon le cas on distingue trois rgimes de fonctionnement (Fig. 3 . 5 ) :
en (a)on est en rgime hydrodynamique et mme en rgime lastohydrodynamique si la pression du fluide est suffisante pour provoquer des dformations
locales des solides en contact ;
en (b) on est en rgime partiel ou mixte : il peut y avoir frottement sur certaines saillies de rugosit ; on parle de lubrification onctueuse ;
en (c)on est en rgime limite : le film lubrifiant nest plus suffisant pour sparer les surfaces en mouvement mais il y a toujours une couche limite accroche aux surfaces grce aux additifs contenus dans le lubrifiant.
Fig. 3.5. Les regimes de lubrification.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
98
chacun des rgimes (a),(b) et (c), on peut rattacher un facteur de frottement : a u dmarrage on passe de (c) (a) (sauf dans le cas de la lubrification
hydrostatique) comme le montre le diagramme de Stribeck (Fig. 3.6).
Outre les lubrifiants fluides, il existe des lubrifiants solides dont la proprit
est de former des lamelles adhrant fortement la surface et de donner u n trs
faible facteur de frottement (graphite, bisulfure de molybdne). Les lamelles comblent les irrgularits de surface.
On remarque que pour les trs petites vitesses, seuls les traitements de surface et les lubrifiants solides peuvent assurer la protection des surfaces. Dune
manire gnrale, le lubrifiant seul ne peut assurer la totalit de cette protection
et la solution rsulte de la combinaison lubrification-adaptation des surfaces.
Facteur de frottement
Facteur de frottement
statique
Rgime limite I
L
Regime hydrodynamique
Fig. 3.6. Diagramme d e Stribeck.
1.2.3. Mouvement saccade

Le mouvement saccade (stick-slip),appel familirement u broutage >>, correspond l'apparition d'oscillations de relaxation dans un systme mcanique
insuffisamment rigide, par alternance entre le frottement statique et le frottement dynamique.
Sur la figure 3.7, gauche, on a reprsent un patin appuyant avec une force
N sur une surface en mouvement ; ce patin est retenu par un ressort (ce montage pourrait tre compar u n hypothtique frein disque dont l'trier manquerait de rigidit). Lorsque le patin est en A, il est entran par la force de frottement F ; simultanment le ressort s'allonge et la force de rappel augmente alors
que le facteur de frottement dcrot depuis sa valeur statique vers sa valeur
dynamique. En B le patin cc dcroche B et revient en A et ainsi de suite.
Dans les instruments de musique cordes frottes, le mouvement saccad
provoque des vibrations de torsion des cordes, vibrations qui excitent leur tour
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
99
Corde
Surface en mouvement
Fig. 3.7. (a) : mouvement saccade provoque par un patin dont la liaison avec le bti est insuffisamment rigide ; (b) : obtention de vibrations de torsion dans une corde de violon.
les modes vibratoires longitudinaux et transversaux de ces cordes. Cest encore

le mouvement saccad qui fait << chanter un verre de cristal lorsquon frotte u n
doigt mouill s u r son bord.
Pour viter les vibrations, il faut agir sur la rigidit du systme ou essayer
damortir les vibrations (amortisseurs placs s u r les disques dembrayage). Au
niveau des matriaux, il faut chercher introduire u n lment du couple tribologique dont le facteur de frottement statique et le facteur de frottement dynamique sont peu diffrents : carbone, polyamides, polyttraluorthylne.. .
))
1.3.
De la nanotribologie la rnacrotribologie
1.3.1. Les inconnues du frottement

Le modle de Bowden et Tabor et les nombreuses expressions semi-empiriques
qui en drivent apportent quelques rponses pratiques aux problmes de frottement mais bien des questions fondamentales restent en suspens, entre autres :
Quelle est lorigine du frottement statique ? Comment se fait le passage du
frottement statique a u frottement dynamique ? Comment intervient la vitesse
de dplacement ?
Quel est le rle de la rugosit ? Comment varie le facteur de frottement avec
rugosit ?
Quel est le mcanisme de dissipation de lnergie ?
Tous ces phnomnes se manifestent quels que soient les matriaux en prsence : depuis la fin des annes quatre-vingts, les physiciens tentent de les relier
aux tudes effectues sur les tremblements de terre car la tectonique des
plaques fait aussi intervenir facteur de frottement et rugosit des roche^''^). Les
modles correspondants suggrent que la dynamique sismique peut tre essentiellement due des effets dterministes non linaires. Cest dans ce contexte
que se font les nouvelles tudes du frottement.
(14) Scholz C.H., The mechanics of earthquakes and faulting (Cambridge University,
Cambridge, 1990).
1O 0
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Une part importante des travaux est consacre la dtermination de lvolution des aires et du nombre des contacts avec la pression, soit par le calcul grce
a u perfectionnement des mesures de rugosit et des mthodes numriques(15),
soit par lobservation directel61. Le modle de Greenwood et Wil1iarn~on~J
reste
gnralement valable tant que la dformation plastique nest pas trop importante. Dautres auteurs ont repris des tudes exprimentales en considrant le
systme dynamique complet : patin, piste et rigidit d u mcanisme dentranement ; u n tel systme peut tre stable ou instable selon les valeurs des paramtres. L a thorie des systmes dynamiques donne u n clairage nouveau s u r
ces changements de rgime ; en Annexe B nous donnons quelques lments prparant une tude ultrieure de cette thorie.
L a figure 3.8 montre les principes du montage utilis par Heslot,
:
Baumberger, Caroli et a1.117)(18)119)
A Matriaux de frottement
Fig. 3.8. Montage experimental pour ltude du frottement : un ressort de raideur K tire un patin de
masse M sous laction dun mcanisme qui se dplace a la vitesse V impose par loprateur ; il est
possible de changer de ressort pour faire varier K. Un capteur de dplacement permet de mesurer
en continu llongation du ressort et de dterminer la force dynamique, Fd, applique au patin ainsi
que la vitesse instantane X de ce patin.
Rappelons que la raideur, K , dun ressort donne la relation entre sa variation

de longueur AL. et une variation de charge AF : K = M I L . L a raideur sexprime en N.m-.
(15) J u Y . et Farris T.N., Spectral analysis of two-dimensional contact problems, J . Triboi.

1 1 8 (1996) 320-328.
(16) Dieterich J.H. et Kilgore B.D., Imaging surface contacts : power law contact distribution and contact stresses in quartz, calcite, glass and acrylic plastic, Tectonophys. 256
(1996) 219-239.
(17) Heslot F., Baumberger T., Perrin B., Caroli B. et Caroli C., Creep, stick-slip, and dryfriction dynamics : experiments and a heuristic model, Phys. Reu. E 49 ( 1994) 4973-4988.
(18) Caroli C. et Velicky B., Dry friction as a n elasto-plastic response : effect of compressive plasticity, J . Phy. IFrance 7 (1997) 1391-1416.
(19) Baumberger T., Contact dynamics and friction at a solid-solid interface : material versus statistical aspects, Solid State Commun. 102 (1997) 175-188.
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
101
Les auteurs ont choisi deffectuer leurs expriences sur du bristol ; ce carton,
constitu de fibres rgulires de cellulose de 10 p m de long, prsente une structure avec une bonne isotropie et ne se dgrade pas pendant le frottement.
On admet que linterface vrifie le modle de Greenwood (interface multicontacts : le nombre de contacts, N,. est gnralement suffisamment grand pour
permettre une approche statistique bien que laire relle de contact reste trs
faible devant laire apparente).
En dynamique des systmes, on reprsente u n tat par u n point dans u n
espace n dimensions si le systme est dcrit par n variables (diagramme de
phases). Ici les variables pertinentes sont la raideur rduite k = K / N et la vitesse
impose V (Fig. 3.9).
Le plan du diagramme est spar en deux rgions : pour les grandes valeurs
de k et/ou de V on est en rgime de glissement stable alors que pour les faibles
valeurs de ces paramtres on obtient u n mouvement saccad. La partie (a)de la
figure montre lvolution de llongation du ressort (qui correspond la force
applique a u patin) en fonction du temps, a u voisinage du passage du rgime
stable a u rgime instable. La sparation AB correspond une << bifurcation de
Hopf >> (voir Annexe B).
Dans le domaine de glissement stable, on peut mesurer le facteur de frottement dynamique, f i d . Ce facteur diminue lorsque V augmente et peut tre dcrit
par :
(3.12)
f i d ( V=
) a , - b , In (V / V o l
En tudiant les transitoires rsultant dun saut de vitesse ou dun arrt brutal
on constate que le dplacement persiste sur une longueur Do de lordre du
micromtre, qui semble correspondre une distance perturbe par lhistoire
dynamique antrieure du systme : on a une << mmoire B du contact.
Le facteur de frottement statique, p s . dpend de la dure initiale du contact
avant glissement. L a force pour atteindre le seuil de dplacement augmente avec
cette dure initiale (loi logarithmique) ; ce phnomne de << vieillissement des
contacts x est trs gnral et a aussi t observ avec les mtaux, les roches et
les polymres vitreux.
Lorsquon applique u n chelon de vitesse s u r u n systme a u repos, on
constate que le passage a u glissement dynamique est prcd dun mouvement
lent de fluage dj observ dans ltude de la mcanique des roches et appel
<< prcurseur du glissement , partie (c) de la figure 3.9. L a partie (b) de la figure
montre quon peut obtenir des rgimes oscillants parfaitement stables qui peuvent tre exploits pour tudier les paramtres du systme.
L a ligne pointille EF marque la limite pour laquelle linertie du patin devient
prpondrante par rapport a u fluage. droite de cette ligne, le passage du
domaine de glissement stable a u domaine de glissement saccad se fait dans le
domaine approximatif BCD. Ce changement avec hystrsis, grande sensibilit
a u bruit et parfois apparition de salves doscillations correspond une << bifurcation inverse .
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
102
Temps (u.r.)
1O-'
1O-'
10
1'
O
10-2
V(pm.s-')
Fig. 3.9. Diagramme de phases du systme dynamique correspondant a la figure 3.8 ; les
variables sont la raideur rduite k = K/N et la vitesse de dplacement impose V. L'encart (a)
montre le passage du regime stable au rgime dynamique et vice versa, l'encart (b) montre un
exemple de regime oscillant stable et l'encart (c) montre le fluage prcurseur du dplacement.
Ce travail, outre le fait qu'il montre l'intrt des tudes sur des systmes
dynamiques, apporte ou confirme les informations suivantes :
l'adhsion des microcontacts se renforce lentement avec le temps de maintien
sous charge (loi logarithmique) : c'est le vieillissement des contacts ;
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
103
ce renforcement est u actif >> pendant la dure de vie d'un contact. Ce contact
<< meurt B au bout d'une distance de glissement suprieure Do ;
selon la vitesse de dplacement on peut dfinir u n << ge moyen des contacts >>,
@ = D,/V : @ diminue avec V, ce qui explique pourquoi pd diminue aussi ;
dans un rgime dynamique, avec une vitesse suffisante, la population des
contacts actifs est renouvele en permanence ;
le nombre des contacts actifs tant limit, la probabilit de retrouver un
contact ayant dj << servi x est faible.
.3.2.Modles et experiences a l'chelle nanomtrique
Pour essayer de comprendre les mcanismes de dissipation de l'nergie lors du

frottement, des chercheurs ont essay de comprendre les phnomnes l'interface << atomique >> l'aide de modles plus ou moins compliqus ; un exemple
simple, propos par McClelland(20~(211
est prsent sur la figure 3.10 :
u u
lli
Fig. 3.10. Modle (valable a O K ) Considrant le cas d'un atome unique, relie a son rseau par un
ressort, et frottant sur une range d'atomes antagonistes (Rf.(20').Les figures (a) (e) montrent la succession des tapes dans le cas d'une force d'interaction forte (dessins du haut) et faible
(dessins du bas) (tous droits rservs).
(<
))
(20) McClelland G.M., dans Adhesion and Friction, M. Grunze et H.J. Kreuzer, Eds.
(Springer, Berlin, 1990),p. 1.
(21) Singer I.L., Friction and energy dissipation a t the atomic scale : a review, J . Vac. Sci.
Tecnol. A 12 (5)(1994) 2605-2616.
104
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Latome B est en quilibre sous laction du ressort et des forces exerces par
les atomes en regard : ces forces drivent respectivement des potentiels VBBet
V.,
Comme le substrat infrieur se dplace, le potentiel combin dinteraction
V, change. Dans le cas de linteraction forte (squences du haut sur la Fig. 3. lo),
latome est dabord repouss droite ; au-del d u n demi-espacement atomique,
il << dcroche >> et revient en arrire gauche, ralisant lquivalent atomique du
mouvement saccad. On peut en donner une interprtation nergtique en
tenant compte de lvolution du potentiel V, ; la thermodynamique nous
enseigne quun atome doit toujours se placer sur u n minimum du puits de
potentiel. Dans ltape (d),latome se place sur u n minimum local mtastable qui
disparat en (e) : latome tombe au fond du minimum stable du puits. Le processus est irrversible et la diffrence dnergie entre le minimum local et le minimum stable est perdue, elle est convertie en nergie de vibration quantifie sous
forme de phonons, puis finalement dissipe thermiquement dans le substrat.
Si linteraction est plus faible (squences du bas de la Fig. 3.10), le potentiel
na plus de minimum local et latome reste lquilibre pendant son dplacement
travers u n champ de force alternativement attractif et rpulsif ; aucune nergie
nest alors dissipe et la force de frottement est nulle.
Sur u n plan exprimental, Israelaschvili a mis a u point des mthodes de
mesure du frottement lchelle atomique(22)faisant appel u n dispositif de
mesure de la force entre deux surfaces (surfaceforce apparatus - SFA) dont le
principe est prsent sur la figure 3.1 1.
Les dispositifs macroscopiques font appel des systmes multicontacts, les
appareils nanoscopiques utilisent des systmes monocontact constitus par des
surfaces dpourvues de toute rugosit. On utilise du mica cliv qui permet dobtenir des surfaces << atomiquement >> planes de plusieurs cm2. Ce mica, mtallis
sur sa face arrire, est courb sur des cylindres croiss dont le rayon de courbure est de lordre de 2 cm : on mesure la distance entre les cylindres en provoquant des interfrences en lumire blanche quon analyse a laide dun spectrographe. On peut mesurer une force ou appliquer une force dtermine
condition de la stabiliser par une contre-raction.
Pour tudier le frottement atomique on peut galement faire appel a u microscope force atomique latrale qui permet de mesurer la force ncessaire pour
dplacer des atomes u n par u n (voir la Sect. 2.3.2 du Chap. 5). Tous ces dispositifs sont bass sur des leviers lastiques et, comme dans ce qui prcde, il faut
tenir compte de la raideur de ces leviers pour interprter les rsultats.
Certaines expriences conduisent des rsultats surprenants, par exemple :
certaines molcules liquides nont pas le rle lubrifiant quon leur prvoyait
tout simplement parce quelles G engrnent >> mcaniquement dans les lacunes
des surfaces et quil faut alors les cisailler pour permettre le mouvement :
Brushan B., Israelaschvili J. et Landman U., Nanotribology : friction, wear and lubrication at the atomic scale, Nature 374 (1995)607-616.
(22)
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
105
Franges de mme ordre chromatique
Cylindres croises
Lumire blanche
Fig. 3.11. Appareil permettant de mesurer la force entre deux surfaces constitues par des
cylindres de mica croiss (SFA). On peut le faire fonctionner en presence de liquide pour tudier,
par exemple, les proprits dun additif pour lubrifiant.
le frottement peut tre augment par une contribution << lectrique >> : leffet
dattraction entre charges opposes lors du frottement entre isolants est prvisible mais le frottement li la rsistance des lectrons mobiles dans u n
matriau mtallique lorsquils sont entrans par la surface oppose est plus
I.3.3. Vers une reecriture des lois de Coulomb ?

I1 nest pas, ce jour, encore possible de relier frottement macroscopique et frottement nanoscopique par des lois gnrales. Par chance, la formulation des lois
de Coulomb reste globalement acceptable car la force de frottement est proportionnelle laire relle de contact qui elle-mme est proportionnelle la force
normale, mais il faudra bien que les lois prennent en compte tous les paramtres
lis a u comportement des contacts : mode daccrochage des surfaces, vieillissement des contacts, fluage des contacts, effet mmoire ... il reste du travail
accomplir !
( 2 3 ) Krim J., Les frottements a Ichelle atomique, Pour la Science 230 (1996) 54-60.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
106
2.
Principaux modes dusure des surfaces
Nous nous proposons de poursuivre par lexamen des types les plus frquents
d u s u r e des surfaces, lexception de la corrosion pure dont les dveloppements
dpassent le cadre de cet ouvrage. L a notion de frquence de chaque type est
spcifique d u n e industrie donne.
Toutes industries confondues
%)
Abrasion (58 %)
Cas de la mcanique avance

(hlicoptres)
utres causes (1 O
YO)
Roulements (30 %)
Engrenages (1O
Usures diverses
(jeu anormal) (5 %
aux effet Brinell (20 %)
Fig. 3.12. Importance relative des diffrentes formes dusure selon les domaines industriels
Le tableau ci-aprs correspond la classification la plus courante mais on

pourra trouver quelques diffrences selon les auteurs ; ainsi, lrosion est parfois
classe avec labrasion mais il est prfrable de la classer avec les autres formes
drosion (fluides, cavitation...). Dans le domaine de lusure on utilise beaucoup
de termes anglo-saxons difficiles traduire car ils ne reprsentent pas toujours
exactement les mmes phnomnes selon les auteurs.
CWITRE3
TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
107
Lusure e s t , avec l a corrosion, un des terrains de choix p o u r lingnieur d e s

s u r f a c e s . L a s y n t h s e q u e nous p r s e n t o n s ne peut tre q u e trs partielle tant
donn lampleur du sujet(24)
128).
Tableau 3.1. Principales formes dusure.

Usure abrasive
trois corps (low stress)

deux corps (high stress)
coupe sous leffet de chocs (gouging)
meulage (grinding)
polissage @dishing)
Usure adhesive
(scuffing)
douce (oxidative wear)

svre avec grippage (seizure)
galling
Corrosion induite par petits dbattements

(UIP - usure PEDEBA)
corrosion de contact ou corrosion de

frottement (fretting wear, fretting corrosion)
fatigue induite par la corrosion de contact
(fretting fafigue)
faux effet Brinell (false brinelling)
Usure par fatigue superficielle
piqration bitting)
caillage (spalling)
formation de taches grises (frosting)
Usure par fatigue thermique

Usure par rosion et cavitation
rosion par un fluide (impingementerosion)

rosion par un fluide charge (slurry erosion)
rosion par gouttelettes liquides
cavitation (cavitation erosion)
Corrosion sous frottement
dpassivation
(24) Rabinowicz E., Friction and wear of materials (John Wiley and Sons, New York, 1965).
(25) Suh N.P., Wear 44 (1977) 1-16.
(26) Aye1 J., Les diffrentes formes tribologiques dusure des surfaces mtalliques, Rev.
Inst. Fr. Pet. XXXI (3) (1976) 503-534 et (4) (1976) 703-727.
(27) Colin G., Les Mcanismes de lusure et du frottement, Trait. Therm. 208 (1987)
79-86.
(28) Lvque R., LAmlioration de la rsistance lusure par le couple matriauxtraitement superficiel, Trait. Therm. 214 (1987) 33-39.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
108
2.1.
Usure abrasive
2.1.1. Description et modle

Une surface est raye par u n corps de duret suprieure qui peut tre la surface
oppose ou des particules dures prsentes. On observe des rayures, des griffures, larrachement de microcristaux, du polissage.. . Les particules peuvent
tre << enchsses >> ou incrustes >> dans la surface la plus tendre (abrasion
deux corps) ou bien << rouler >> entre les surfaces (abrasion trois corps). Les particules peuvent tre trangres ou issues de la dgradation des surfaces ellesmmes .( cailles >> par exemple).
((
Surface la DIUSdure
Surface la plus dure
Surface la plus tendre

(a)
(b)
Surface la DIUStendre
Surf de mme duret
Surface la plus dure
Surf. de mme duret
Fig. 3.13. Usure par abrasion : les particules peuvent tre trangres ou provenir de lcaillage des
surfaces. Ces particules peuvent tre enchsses dans la surface la plus tendre - abrasion deux
corps : (a), ou rouler entre les surfaces, dgradant soit lune soit les deux- abrasion trois corps : (b).
Lusure abrasive deux corps provoque plus de dgts que lusure abrasive
trois corps. Laction des asprits des grains abrasifs se fait par dformation
plastique et par coupe.
Fig. 3.14. Action dune particule abrasive par dformation et coupe
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
1O 9
Si le grain abrasif est en contact avec une surface ductile on observe la formation dun sillon plastique avec enlvement de matire sous forme de microcopeaux primaires. L a formation de ce sillon est accompagne par la formation de
deux rives ou bourrelets latraux dont le dtachement peut former des microcopeaux secondaires. Quand le matriau est ductile il y a prdominance de la
dformation, quand le matriau est dur il y a prdominance de la coupe.
Fig. 3.15. Formation de bourrelets latraux,
Quelques variantes :
Abrasion sous leffet de fortes pressions ou meulage (grinding) : cest le mcanisme de dgradation des broyeurs de matriaux minraux (broyeurs boulets par exemple) :
abrasion-polissage : cest une usure abrasive faisant intervenir des particules
de lordre du micromtre (usure des ttes magntiques, des rails de chemin
de fer, des marches descaliers mtalliques.. .) ;
abrasion par enlvement de mtal par << coupe >> sous leffet de chocs importants (gouging) : cest, par exemple, le cas du sablage, de la dgradation des
dents de pelles mcaniques.. .
mv
Fig. 3.16. Usure abrasive (svre !) dun axe de chane (clich ENSAIS-LMCM).
110
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
2.1.2.Paramtres de lusure abrasive

Lusure abrasive est due la prsence de particules dures qui peuvent soit provenir d u n e pollution externe, soit rsulter de la dgradation des surfaces par
une autre cause, laquelle il faut videmment sattaquer pour traiter le problme. En ce qui concerne la pollution externe des mcanismes, il est relativement facile de sen affranchir par une tanchit soigne et par lemploi de
filtres, tant sur les circuits hydrauliques que sur les circuits de lubrification.
En fait, il y a toujours coexistence des deux modes daction (dformation et
coupe), la part de la coupe restant en gnral assez faible (10 20 %). Cette proportion dpend des durets relatives surface abraselabrasif ; pour un rapport
allant de 0,8 1,3 labrasion par coupe est ngligeable. Si le matriau est fragile,
la rayure peut provoquer des effritements.
I1 existe une relation directe entre la charge applique et limportance de
lusure. Certains auteurs distinguent lusure par low stress abrasion, qui correspond approximativement a u mcanisme trois corps et lusure par high stress
abrasion, qui correspond approximativement au mcanisme deux corps avec
dformation plastique car il faut une charge suffisante pour enchsser les particules dures. Lusure abrasive augmente avec la taille (jusqu 100 pm) et le
nombre des particules.
2.1.3. Usure abrasive et ingnierie des surfaces

En ce qui concerne les surfaces il faut augmenter la duret superficielle sur une
profondeur importante.
Dans le cas des alliages, lusure dpend galement de la microstructure qui
doit contenir des prcipits durs au sein dune matrice suffisamment rsistante
pour quils ne soient pas arrachs ; par exemple, dans le cas d u n acier on apportera un pourcentage important de phases dures (carbures, nitrures) dans une
matrice de duret a u moins gale 600 H V .
Lusure abrasive dpend de ltat de surface initial ; on doit avoir une rugosit
aussi faible que possible ; la tenue est lie la forme des saillies (artes vives,
angles aigus) et la hauteur relative de ces saillies par rapport au jeu (risque
de traverser le film lubrifiant), le milieu ambiant peut jouer un rle dfavorable
en facilitant la formation de particules plus dures par oxydation des microcopeaux.
On observe gnralement une augmentation de lusure abrasive avec la temprature par transformation dfavorable des couches superficielles en oxydes
durs ; on doit chercher augmenter la tenue du matriau cette oxydation.
I1 existe des cas o lusure abrasive est provoque comme dans le polissage
mtallographique : on cherche alors favoriser la coupe en minimisant la dformation (crouissage superficiel) ; labrasif doit tre trs dur : alumine, diamant,
mais la pression doit tre limite sous peine dmousser les artes de coupe.
CHAPITRE
2.2.
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
111
Usure adhesive
Cette usure se traduit par une augmentation progressive du jeu ncessaire au

fonctionnement des mcanismes et peut saccompagner de dtriorations des
surfaces visibles lil nu ; parfois elle sachve par u n blocage catastrophique :
cest le grippage.
L a thorie de lusure adhsive (scufling) a t propose par Bowden et
reprise par Rabinowicz, elle a t conteste par Suh qui a propos la thorie de
lusure par << dlamination >> (Sect. 2.2.2). Ceci montre bien que de tels phnomnes, vraisemblablement observs ds linvention de la roue, ne sont pas vidents a comprendre. Nous reviendrons sur ces mcanismes en prsentant dans
la suite le << modle du frottement sec >> propos par Godet et Berthier.
2.2.1. Modle de lusure adhesive

Comme nous lavons indiqu prcdemment les surfaces en contact se dforment plastiquement, particulirement a u niveau des asprits de rugosit. Sous
leffet de la dformation, la surface forme est une surface << frache >> donc trs
ractive et qui peut soit soxyder, soit << ragir >> avec une autre surface frache
antagoniste.
Cette raction nest possible que sil existe une affinit chimique entre les
atomes qui constituent les deux surfaces, ce qui se traduit par une adhsion
correspondant la formation de soudures locales :
si ladhsion rsulte de phnomnes dadsorption ltat solide, on parle de
soudures froides,
si ladhsion rsulte de phnomnes de solubilit et de diffusion, on parle de
soudures chaudes (lors du frottement sur les asprits on peut atteindre des
tempratures trs leves en raison des surfaces trs faibles de contact).
Le glissement relatif va avoir pour effet daugmenter la taille de ces soudures
locales. Afin que le mouvement reste possible, il faut quil y ait rupture des soudures au niveau du constituant le moins dur ; par consquent il y a transfert de
matire d u n e surface sur lautre mais il peut aussi y avoir formation de dbris
dusure durcis par crouissage ou par oxydation.
Deux cas se prsentent :

les fragments dusure cisaills sont transfrs sur la surface la plus dure, il y
a alors frottement du mtal le plus tendre sur lui-mme. En gnral il peut y
avoir une protection des surfaces par une couche doxydes : on est en rgime
dusureadhesive douce (oxydatiue wear) ;
* En Angleterre, le terme scuffing implique la fusion locale de la partie solide : aux USA, le
scuffing inclut une part dabrasion et scoring est parfois synonyme de scuffing.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
112
Dformation
lastique
1
Dformation
plastique
Soudure
des asprits
Cisaillement
des soudures
3
Fig. 3.17. tapes successives de lusure adhsive.
les fragments sont dtachs et expulss sous forme de particules oxydes et

crouies susceptibles de gnrer une usure par abrasion : on est en rgime
dusure adhesive severe.
Dans une situation extrme il pourra y avoir formation dun trop grand
nombre de soudures locales qui ne pourront plus tre cisailles : on a atteint le
grippage (seizure).
Sur les figures on peut observer comment des particules dusure peuvent se
former partir de la couche doxyde.
Les travaux de Bowden montrent quon peut passer de lusure adhsive
douce lusure adhsive svre par augmentation de la charge : lusure adhsive
est proportionnelle la charge. Lusure augmente aussi avec la vitesse. Le
rgime de fonctionnement peut tre instable : pour des faibles variations de
vitesse et/ou de charge on peut passer brusquement de lusure adhsive douce
lusure svre et parfois revenir lusure douce.
* Les Anglo-saxons utilisent le terme de galiing pour qualifier le transfert de matire sur
des surfaces suivi d u n matage.
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
113
Usure douce
Usure svre
Fig. 3.18. Usure adhsive douce et usure adhsive severe.
Fig. 3.19. Arrachement de particules doxydes par cisaillement
Lusure adhsive douce est qualifie dusure normale, cest une usure progressive et prvisible se traduisant par une augmentation du jeu de fonctionnement ; elle est dautant plus acceptable quelle ne se manifeste quau dmarrage
des mcanismes lubrifis fonctionnant en rgime hydrodynamique.
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
114
Usure relative
Grippage,
Usure adhesive
douce
Usure adhesive
svre
Fig. 3.20. Influence de la charge sur le regime de lusure adhesive.
On observe, aussi bien pour lusure douce que pour lusure svre, que le
volume us suit une loi de la forme :
= KQL
(3.13)
avec U = volume de matriau us, Q = charge applique et L = longueur de glissement ; K est une constante dpendant des matriaux en prsence, s a valeur croit
de plusieurs ordres de grandeur lorsquon passe de lusure douce lusure
svre.
Rabinowicz a essay de dterminer la taille des particules formes par usure
adhsive : pour permettre la libration d u n e particule de diamtre d il faut que
lnergie lastique fournie cette particule soit suprieure lnergie interfaciale
entre les matriaux A et B : par le calcul on trouve une
dadhrence, W,,
expression de la forme :
d = 6 ~ 1 0WAB
~(3.14)
H V
d est en pm, W,
sion : N.cm-2).
est en J.cm-2, H , est la duret Vickers de la particule (dimen-
Pour de lacier doux frottant sur lui-mme (W,/H,

= 5 x lo4) on trouve
d = 30 pm : dune manire gnrale les dimensions de particules ainsi calcules
sont cohrentes avec celles observes (Fig. 3.21).
2.2.2. Modle de lusure par delamination

Suh considre que lusure nest pas la consquence dun processus adhsionarrachement mais correspond u n phnomne de fatigue superficielle. Sous leffet du labourage par les asprits de la surface antagoniste les contraintes
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
115
Fig. 3.21. Comparaison entre les diamtres thoriques des particules et les diamtres mesurs
pour divers matriaux frottant sur eux-mmes, daprs Rabinowicz.
induites en sous-couche gnrent des fissures de fatigue aprs de multiples passages. Les inclusions prsentes dans le matriau facilitent le dpart de particules.
Fig. 3.22. Usure par delamination selon Suh.
Le grippage se produit lorsquune particule a une dimension suprieure au

jeu. Sur des surfaces frottantes, il est possible dobserver aussi bien des dgradations correspondant lusure par adhsion que des dgradations correspondant lusure par dlamination.
116
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
2.2.3. Usure adhesive et ingnierie des surfaces

Les matriaux du couple de frottement doivent tre diffrents mais il faut veiller
leur compatibilit. Celle-ci dpend du diagramme de phases des matriaux en
prsence :
miscibilit totale : forte adhsion ;
formation de composs dfinis : adhsion importante moyenne (la rupture
des contacts souds est fonction de la rsistance a u cisaillement des composs dfinis) ;
pas de miscibilit : faible adhsion.
Cette situation peut toutefois tre modifie par la formation doxydes
Les surfaces frottantes doivent tre dures afin de limiter les risques dcrasement des asprits (risque de grippage) ; la prsence de phases dures permet
dobtenir des points de non adhsion car ces phases ont en gnral une faible
affinit avec la surface antagoniste ; les structures fines et composites (martensite, bainite, perlite) sont plus favorables que les structures monophases (austnite, ferrite).
Fig. 3.23. Grippage dun palier avec destruction de la couche antifriction (cliche ENSAIS-LMCM).
L a rugosit doit tre faible, surtout pour la pice la plus dure ; les stries dusinage doivent tre perpendiculaires a u mouvement.
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
117
Lenvironnement se caractrise par son influence s u r loxydation des surfaces ; on observe en gnral u n effet favorable des oxydes qui forment une
<< postcouche >> limitant ladhrence. Ainsi dans lultravide, avec des surfaces
propres, on risque le grippage.
2.3. Usure induite par petits debattements

I1 sagit d u n phnomne affectant des mcanismes ou des assemblages fortement chargs et subissant des mouvements relatifs de faible amplitude (de
lordre de 100 pm), par exemple des vibrations. Ce phnomne trs gnral se
manifeste dans toutes les industries : dgradation de roulements de vhicules
transports par chemin de fer ou par bateau, rupture de ressorts lames,
endommagement dassemblages (y compris les assemblages coniques), blocage
de charnires de voitures.. .
Les symptmes sont trs caractristiques : ainsi, dans le cas des aciers on
observe une coloration des surfaces frottantes et ljection de poudre rouge
(oxyde de fer) ; en raison de cet aspect particulier on a donn a cette forme
dusure le nom de corrosion de contact lfretting corrosion).
Cette dgradation est u n phnomne grave qui saccompagne de la formation
de fissures et qui se termine gnralement mal, si on nintervient pas, a u mieux
par u n grippage, a u pire par une rupture de fatigue : fatigue induite en petits
debattements ou FIP lfrettingfatigue).Sur des rotors dalternateurs on a observ
u n abaissement de la limite dendurance dans u n rapport allant de 1 a 5 par suite
de la dgradation de surfaces de contact par usure en petits dbattements.
Comme le montre la figure 3.24, la dgradation fait intervenir une succession
dtapes. Dabord formation de particules dusure dans des conditions similaires
a celles de lusure adhsive svre, a la diffrence prs que le mouvement relatif
est considrablement plus faible :
adhsions locales avec plastification des asprits, crouissage, volution de
la structure (1).
cisaillement des adhsions, transferts (21,
cration de particules mtalliques par dtachement ( 3 ) .
Puis les dbris dusure sont broys et oxyds, les surfaces glissent s u r un << lit
de poudre B (4), le lit de poudre est ventuellement ject, les oxydes usent les
surfaces par abrasion et matage (5)et enfin lusure peut tre aggrave par la formation de fissures de fatigue (6).
Dans le cas des aciers, la coloration brun rouge observe correspond la formation doxydes de fer, essentiellement de lhmatite a-Fe,O, (dur)et u n peu de
magntite Fe,O,. Les fissures de fatigue sont en gnral lgrement inclines par
rapport la surface.
Variante : usure par faux effet Brinell (false brinelling). I1 sagit de dtriorations des surfaces de contact localises sous la forme dempreintes (billes,
aiguilles ... ) observes s u r des chemins de roulement. La forme des empreintes
est a lorigine du terme << faux effet Brinell .
118
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
Adhrence
Cisaillement
2 des soudures
avec transfert
Dtachement des
particules dusure
Particules dusure
broyes et oxydes
Glissement des surfaces

sur un lit de poudre
Ejections ventuelles
5 depoudre
Abrasion et matage
des surfaces par
les oxydes
Apparition des
6 fissures de
fatigue
Fig. 3.24. tapes successives de lusure en petits dbattements sous laction dun mouvement
vibratoire de faible amplitude, symbolise par les flches croises,
Cette dtrioration affecte principalement des roulements relativement charges et soumis des mouvements de faible amplitude, par exemple des vibrations. Elles sont souvent les consquences dun transport. La lutte contre cette
forme de dgradation passe par laugmentation de la duret superficielle.
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
119
Fig. 3.25. Rupture par usure en petits debattement d'un assemblage conique. La piece casse
constituait le maneton d'un systme bielle-manivelle (le roulement faisait partie de la bielle) assurant la translation d'un peigne de scies a bois transformant des arbres en planches dans une scierie. La rupture de fatigue s'est produite dans le volant par suite d'une mauvaise adaptation des
conicites de l'assemblage. L'tat de surface, la coloration brun rouge et l'amorage multiple ne laissent aucun doute sur l'origine de la rupture que l'on aurait pu attribuer a d'autres elements malheureux comme la vis entre cuir et chair (cliche ENSAIS-LMCM).
(<
))
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
120
Fig. 3.26.
(<
Faux effet Brinell
Fig. 3.27. Exemple de
(<
))
faux effet Brinell
: axe marque par des aiguilles de roulement (cliche
ENSAIS-LMCM).
2.4.
Usure par fatigue superficielle
L a fatigue superficielle est une dtrioration des surfaces subissant un mouvement cyclique de roulement pur ou de roulement-glissement et qui survient a u
bout dun temps de fonctionnement plus ou moins important. Cette dtrioration
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
121
se manifeste par lapparition de fissures et/ou dcailles et de piqres ; quelle

quen soit sa nature, elle rsulte directement des contraintes de cisaillement
induites par la gomtrie du contact : cest leffet de la pression de Hertz.
Sous leffet dun roulement pur, en raison de la localisation du point de Hertz,
on observe des fissures parallles la surface (contraintes de cisaillement maximales) : en prsence dun glissement, on observe des fissures superficielles perpendiculaires la surface (contraintes de traction maximales).
Roulement pur
Roulement avec glissement
Fig. 3.28. Formation de fissures en roulement pur et en roulement-glissement.
Dans le cas dune combinaison roulement-glissement on observe une combinaison des deux types de fissures. Lorsque lamorage est profond on observe un
caillage de la surface (spalling)alors que dans le cas d u n amorage superficiel
on observe une piqration (pitting).
Dans le cas des engrenages on observe des piqres u en ventail N (ou en << aile
de papillon >>) avec la pointe tourne vers le pied de la dent pour une roue
menante et vers le sommet pour une roue mene (Fig. 3.29).
Fig. 3.29. Fissures sur une dent dengrenage.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
122
Pour viter la fatigue superficielle il faut durcir les surfaces (carbonitruration,

cmentation, trempe superficielle) en introduisant en mme temps des
contraintes superficielles de compression : la profondeur traite doit tre suprieure la profondeur de Hertz. L a qualit d u mtal est prpondrante (absence
dinclusions, de criques).
Les autres paramtres sont la rugosit. la lubrification et la gomtrie d u
contact.
Fig. 3.30. Piqration sur dents dengrenage.
2.5.
Usure par fatigue thermique superficielle
L a fatigue thermique est provoque par la variation priodique de temprature

impose des pices dont la dilatation est contrarie. Cest typiquement le cas
de pices chauffes superficiellement alors que la sous-couche reste une
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
123
Fig. 3.31. Piqration sur des rouleaux de roulement. Observer lusure Caractristique en aile de
papillon (cliche ENSAIS).
124
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
temprature moyenne plus faible. Par chauffage et refroidissement cycliques 011

cre des contraintes susceptibles de faire apparatre des fissures caractristiques sous forme de rseaux oxyds ayant, dans le cas des matriels statiques,
laspect dun faenage (contraintes bidimensionnelles).
Fig. 3.32. Faenage par fatigue thermique du canal dinjection du metal dans le cas du moulage
dalliages lgers en moule dacier (clich ENSAIS-LMCM).
Un cart de temprature entre surface et sous-couche gal AB, pour u n

matriau dont le coefficient de dilatation linaire est a, induit des contraintes
superficielles bidimensionnelles :
(3.15)
avec E = module de Young et v = coefficient de Poisson.

Sont concernes toutes les pieces soumises a des chauffements ou des
gradients thermiques : ces conditions peuvent tre obtenues par :
leffet du frottement lorsque le produit (Pression x Vitesse x Facteur de frottement] est lev,
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
125
des conditions ambiantes svres (gaz chauds, vapeur...).

contact avec des pieces chaudes (cas des outillages de forge ou des cylindres
de laminoirs chaud par exemple) ou des mtaux liquides (moules pour
alliages daluminium).
Les aciers utiliss pour des ralisations soumises la fatigue thermique doivent contenir le moins possible daustnite rsiduelle dont la transformation en
martensite, facilite par les contraintes, a tendance a accentuer la fissuration.
Ces aciers doivent galement avoir une bonne rsistance a loxydation car les
oxydes moins ductiles que le matriau de base se fissurent facilement et ont un
effet dentaille.
2.6.
Usure par erosion et/ou cavitation
Lusure abrasive concernait des surfaces frottantes entre lesquelles pouvaient se

trouver des particules abrasives introduites accidentellement ou provenant de la
dgradation des surfaces.
Dans le cas de lrosion, on sintresse a la dgradation des surfaces sous leffet de limpact de particules, de gouttelettes, de jets ; il est difficile de sparer
lrosion de la corrosion qui affecte les surfaces dpassives par labrasion.
2.6.I. rosion par un fluide non charge (impingement erosion)
Fig. 3.33. Contrainte de cisaillement superficiel au contact dun coulement.
Lcoulement dun fluide le long dune paroi provoque une contrainte de cisaillement r0 :
du
(3.16)
y =O
71 = viscosit du liquide.
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
126
On a , pour un fluide newtonien :

1
ro=-pu2f.
(3.17)
2
p = densit du fluide, u = vitesse moyenne, f = coefficient correspondant a u rapport entre la force de frottement agissant sur laire A et lnergie cintique du
fluide par unit de volume :
1
E cin
. =--pu2
(3.18)
2
f=-
(3.19)
Ecin
La valeur def est caractristique de linstallation (vitesse du fluide, rugosit des

parois, gomtrie) ; pour la vitesse critique ucrit on obtient daprs (3.17) une
contrainte de cisaillement critique rCrit
provoquant lrosion :
(3.20)
Le cuivre a une rsistance relativement faible lrosion car ses produits de

corrosion sont friables et facilement cc cisaills , en revanche les cupronickels
et surtout ceux contenant un peu de chrome sont particulirement intressants.
Tableau 3.11. Vitesse et contrainte de cisaillement critiques pour quelques mtaux et alliages.
Mtal ou aNiage
Acier inoxydable 316, titane
Cuivre
Cupronickel (10 % Ni)
Cupronickel (16 % Ni - 0,5 % Cr)
cM (N.m-2)
9,6
43,l
269,9
vcfir(m.s-l)
Pas de limite
0,9
48
La rugosit augmente progressivement sous leffet de lrosion ; lattaque du

film superficiel, les turbulences, laration diffrentielle, finissent par creuser
des figures dattaque caractristiques (Fig. 3.34).
2.6.2. rosion par particules en << suspension >> dans des fluides
Ce phnomne (slurry erosion) diffre de labrasion dans la mesure o les dgradations sont induites par lnergie cintique des particules transportes par le
fluide liquide ou gazeux.
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
127
Sagissant des particules, les paramtres les plus importants en sont

leur vitesse,
leur angle dimpact,
leur taille et leur nombre.
Couche doxydes, produits de

corrosion, calamine...
Fig. 3.34. Facis Caractristique drosion dun metal par un fluide.
Pour les faibles angles dimpact, se produit essentiellement le mcanisme

dusure par effet de coupe : la rsistance du matriau dpend directement de sa
duret ; pour les grands angles dimpact on observe une dformation de la surface. Par consquent, u n matriau ductile et tenace offre une meilleure rsistance quun matriau plus dur.
Ce mode dusure se manifeste dans de nombreuses ralisations techniques,
par exemple dans le cas des vaporateurs de pompes chaleur, refroidis par
leau dun puits contenant du sable : cette usure intensifie alors considrablement celle due lrosion par le fluide lui-mme. On retrouve galement lusure
par fluides chargs dans le cas des moules de mtaux sous pression ou des
moules de plasturgie (effet abrasif des charges introduites dans les polymres).
2.6.3. Usure par cavitation

La cavitation correspond lusure des matriaux sous leffet de lexplosion
de bulles de vapeur du fluide. La rptition de ces explosions au voisinage de la
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
128
~
surface engendre des ondes de choc amenant une dgradation par fatigue mcanique avec amorage de fissures superficielles et formation de piqres.
La cavitation se produit en trois tapes :
formation des bulles aprs une chute de pression ; par exemple dans u n
divergent trop brutal (Fig. 3.35).Les bulles se forment lorsque les conditions
thermodynamiques sont remplies et que des germes sont prsents ; la germination peut tre htrogne (plus rapide dans u n fluide industriel que dans
un fluide pur) ;
croissance des bulles, prsentant des rayons compris entre quelques pm et
lmm;
explosion des bulles (ou plutt implosion) qui survient lorsque la pression du
fluide descend en dessous d'une valeur critique. On peut atteindre des pressions de 1 O00 MPa en quelques millisecondes. La temprature au point d'impact peut atteindre et dpasser 1 O 0 0 "C (lorsque la cavitation se produit
dans de l'huile, on trouve des traces de matires carbones).
Pression
Fig. 3.35. Chute brutale de pression et formation de bulles dans un divergent.
L a cavitation se manifeste dans de nombreux domaines technologiques et

occasionne des dgts importants : destruction des hlices et des pompes, percement des chemises des gros moteurs thermiques, destruction des coussinets de
paliers lisses ... On ne sait pas toujours si la destruction est le fait de la cavitation seule ou la consquence de la corrosion des surfaces mises nu par cette
cavitation ; en ralit, il se produit un effet de synergie conduisant une dgradation considrablement plus importante que celle provoque par chaque phnomne pris sparment.
Pour viter la cavitation il faut limiter les gradients de pression (changement
progressif de section, choix des liquides de refroidissement.. .) et choisir des
matriaux de grande tnacit pouvant amortir les ondes de choc.
CHAPITRE
3 - TRIBOLOCIE
: FROTTEMENT
129
e-
Fig. 3.36. Divergent plac (suite a une erreur de conception) a la sortie dun vaporateur de
pompe chaleur ; leau circulait dans le sens de la flche. la sortie du divergent la cavitation a
consomm la moiti de lpaisseur du mtal en quelques mois de fonctionnement (clich ENSAISLMCM).
2.7.
Usure par corrosion sous frottement
En prsence dun phnomne de corrosion pure, on peut atteindre un tat stationnaire correspondant la formation dune couche superficielle jouant le rle
de barrire entre les deux phases susceptibles dinteragir ; sous leffet d u n e
action mcanique cette couche peut tre partiellement dtruite (dpassivation
mcanique) et deux mcanismes vont alors intervenir :
attaque du mtal par corrosion,
reconstitution de la couche superficielle.
Le rsultat global dpend des cintiques relatives entre la dpassivation
mcanique, lattaque et la reconstitution de la couche passivante.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
130
3.
Frottement, usure et ingnierie des surfaces
3.1.
Approche exprimentale
et cartes de mcanismes dusure
Dans la section prcdente nous avons donn u n aperu succinct des mcanismes de dgradation des surfaces et montr que ces mcanismes sont trs
sensibles, dune part aux paramtres des surfaces : duret, microstructure,
rugosit.. ., dautre part toutes les conditions de sollicitation : pression, vitesse
relative...
Pour clarifier cette situation de nombreux auteurs ont procd, au cours des
annes quatre-vingts, des tudes exprimentales systmatiques dont ils ont
ensuite essay de reclasser les rsultats afin de les rattacher des bases thoriques. Pour caractriser les dgradations, on trouve soit des approches << tribologiques >> : on caractrise une transition dans le rgime dusure par u n changement de facteur de f r ~ t t e r n e n t ~soit
~ ) ,des approches u matriaux >> : on se base
sur lexamen des surfaces f r ~ t t a n t e s ~Les
~ .rsultats (conditions dexistence de
chaque type dusure, importance relative de lusure) sont reports sur une
<< carte dusure , valable pour u n couple de frottement donn, en fonction des
paramtres de chargement et de mouvement relatif.
Les appareils de test en laboratoire ou << tribomtres P drivent gnralement
du systme pion/disque (Fig. 3.37a). On peut les instrumenter pour mesurer le
facteur de frottement (Fig. 3.3713). Le tribomtre bille/disque (Fig. 3 . 3 7 ~permet
)
dvacuer les dbris dusure du contact alors que le systme disque/disque
(Fig. 3.37d) pige et recycle ces dbris (voir section suivante). Enfin on peut utiliser u n tribomtre plan/plan (ou bombe/bomb) dont lun des plans peut tre
remplac par u n saphir, permettant ainsi une observation directe du contact.
Lutilisation des tribomtres est galement possible en prsence de lubrifiants
pour tudier le frottement lubrifie ou en prsence de milieux corrosifs pour
tudier la tribocorrosion ; nous ne dvelopperons pas ici ces deux domaines de
grand intrt aussi bien scientifique que technologique.
L a figure 3.38 montre u n exemple de carte de mcanisme dusure en frottement sec (reprsentation dans le plan pression de contact, vitesse de glissement)
pour u n systme pion/disque dont les deux constituants sont en acier(30).
Lusage de ces cartes dusure peut tre tendu des cas plus complexes
comme lusure chaud. Lapport dun paramtre supplmentaire ncessite de
faire appel des cartes tridimensionnelles (par exemple, taux dusure en fonction de la vitesse de glissement et de la temprature)(31.
(291 Blau P.J., A model for run-in and other transitions in sliding friction, J . Tribol. 109
(1987) 537-544.
(30) Lim S.C. et Ashby M.F., Wear-mechanism maps, Acta Metall. 35 (1987) 1-24.
(311 Saito Y . et Mino K., Elevated temperature wear maps of X40 and Mar-M247 alloys,
J . Tribol. 117 (1995) 524-528.
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
131
(b)
6
A
Capteur de
proximit
N
Fig. 3.37. Exemples de tribomtres : (a) systme classique pionidisque, (b) mme systme quipe
dun dispositif de mesure en continu du facteur de frottement (le patin est fixe sur un ressort a lame
dont on mesure la deformation laide dun capteur de proximit), (c) systme billeidisque (contact
<< ouvert D), (d) systme disque/disque (contact c( ferme >>)et (e) systme planiplan.
3.2. Modlisation de lusure en frottement sec

Ce serait une erreur dutiliser les cartes dusure pour confectionner des catalogues de solutions en considrant ainsi que les phnomnes dusure sont des
proprits intrinsques des matriaux. I1 na pas fallu longtemps pour sapercevoir quune << bonne solution >> de laboratoire peut conduire une catastrophe en
conditions industrielles, ou, a u contraire, quune solution classe comme mauvaise sur u n banc dessais donne dexcellents rsultats sur le terrain.
Ce ne sont pas tant les cartes dusure qui sont en cause que la non prise en
compte de tous les phnomnes intervenant dans les systmes industriels. Leur
identification est ncessaire pour permettre la transposition du laboratoire
au terrain32. On a alors essay une approche base sur les paramtres
Borland D.W., Antoniou R., Maj S., Rizio D.P. et Subramanian C . , Some aspects of
unlubrificated sliding wear and the use of wear maps, Materials Forum 1 3 (1989) 21 1-215.
(32)
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
132
10-2
102
104
Vitesse rduite Y
Fig. 3.38. Exemple de carte d'usure correspondant a des essais pion/disque, acier sur acier
(d'aprs la Rf.(301).En abscisse, on a reprsente la vitesse de glissement v et la vitesse rduite ii
= vrda (v est la vitesse de glissement, ro est le rayon du pion et a est la diffusivit thermique),
et en ordonne on a port la pression rduite = F/A,Ho (est la pression nominale, A, l'aire
apparente de contact frottant et Ho la duret), Sur le diagramme, les lignes en traits forts marquent
les rgions o l'un des mcanismes d'usure est dominant et les courbes de niveaux reprsentent
des valeurs constantes du taux d'usure rduit fi = W/A, (West le taux d'usure) qui correspond au
volume perdu par unit d'aire apparente de contact et par unit de longueur parcourue pendant le
frottement ; d'autres dtails figurent dans la rfrence bibliographique. Les auteurs distinguent
l'usure par delamination de l'usure adhsive douce (voir Sect. 2.2.2 de ce chapitre).
tribologiques : vitesse relative des pices en contact, forme des contacts, pression, facteurs de frottement afin de classer, dans des conditions standard d e s sais, divers couples de matriaux et de revtements. L'application industrielle de
ces classements peut galement conduire l'chec e t / o u la contradiction.
Le maillon manquant du passage du laboratoire l'application industrielle a
t mis en vidence par Godet[331[341
a u cours des annes quatre-vingts dans u n
(33) Godet M., The third-body a p p r o a c h : a m e c h a n i c a l view of wear, Wear 100 (1984)
437-452.
(34) Godet M., Third-bodies i n tribology, Wear I36 (1990) 29-45.
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT ET
USURE DES SURFACES
133
contexte de concepts nouveaux introduits notamment par des quipes franaises

(Institut national des sciences appliques et cole Centrale de Lyon). Le modle
propos prend en compte tous les paramtres habituels du systme (pression,
vitesse, temprature, proprits des matriaux, traitements de surface, conditions ambiantes...) mais fait appel u n mcanisme unique bas sur la formation
dun troisime corps obtenu partir de la dgradation, ou plus exactement, de
lvolution des surfaces en contact (les deux premiers corps).
Ce troisime corps, ou lit de debris, se comporte comme le film dhuile dans
le cas du frottement lubrifi. En frottement lubrifi, les performances dpendent
des qualits du lubrifiant et de son apport linterface frottant. En frottement
sec, les performances dpendent du comportement du troisime corps et du
temps pendant lequel il reste << pig D entre les pices en frottement.
En consquence, les rsultats seront diffrents selon quon sintresse des
contacts << ouverts x comme le systme roue/rail de chemin de fer ou des
contacts u ferms x comme les systmes rotules. Le systme ouvert doit tre
test avec u n tribomtre du type de celui de la figure 3 . 3 7 ~
alors que celui de la
figure 3.37d est rserv aux systmes ferms. Les mcanismes ont t prciss
par Berthier(35)qui tient compte en particulier du fait que, sur les surfaces frottantes, se dveloppent des films doxydes et dadsorbats qui jouent le rle
dcrans limitant ladhrence entre les solides. Ces crans sont appels crans
statiques.
Dans le frottement fluide, la diffrence de vitesse entre les surfaces frottantes
est absorbe par le film dhuile qui accommode le mouvement par des cisaillements. Dans le frottement solide, cette accommodation peut tre obtenue selon
quatre modes nots de M, M, :
M, : mode lastique,
M, : mode rupture normale,
cisaillement,
roulement (particules sphriques ou cylindriques).
On distingue cinq sites, nots de S , S,, susceptibles daccueillir ces quatre
modes daccommodation ; ce sont : les deux corps initiaux, le troisime corps et
les deux crans statiques.
M,
M,
: mode
: mode
L a figure 3.39 montre la structure de linterface propose par Berthier.
Avec cinq sites et quatre modes daccommodation, il existe vingt possibilits

de mcanismes daccommodation ; dans chaque cas il faut identifier le (les)
mcanisme(s) not(s)SiMj.
La figure 3.40 rappelle que le fonctionnement de linterface frottante est
subordonn la circulation/recyclage des dbris dusure. Ce modle a t tabli
partir de nombreuses observations sur des systmes rels. Un mme site peut
tre le sige de plusieurs mcanismes successifs.
( 3 5 ) Berthier Y . , Mcanismes et tribologie, Thse, INSA e t universit C l a u d e B e r n a r d , Lyon

(1988).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
134
Modes
d'accommodation
M/V
M,
lastique
II
M,
Rupture normale
M,
Cisaillement
00
M,
Roulement
Fig. 3.39. Structure de l'interface frottante propose par Berthier

dans le cadre du modle
a trois corps et comportant cinq sites en tenant compte des crans ; a droite, rappel des mecanismes d'accommodation M, M, correspondant respectivement a la deformation lastique, a la
rupture, au cisaillement et au roulement des particules.
Particules recycles
Source interne : particules dtaches
ventuellement
apport de
lubrifiant
solide
2e corps
Particules perdues
Fig. 3.40. Circulation des dbris d'usure, d'aprs Berthier (Rf.'35').
En conclusion, l'usure par frottement sec est gouverne par la dynamique du

troisime corps ; les tapes en sont :
dtachement des particules d'usure a partir des deux premiers corps :
pigeage des particules dans le contact ;
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
135
limination des particules du contact et des pistes de frottement avec u n

ventuel recyclage dune partie de ces particules.
Les mcanismes de lusure abrasive, adhsive, par fatigue superficielle.. . interviennent dans le dtachement des particules dusure. Les cartes de mcanismes
dusure sarrtent ce niveau. Le modle de Berthier ajoute la << gestion >> du dbit
de ces particules. I1 nous montre quau lieu de rechercher systmatiquement les
traitements donnant des couches trs dures, il peut tre parfois utile de rechercher des traitements de surface facilitant la formation de dbris << favorables .
Les crans peuvent tre dtruits et se reconstituer sous laction de latmosphre ambiante ; ils deviennent alors des << crans dynamiques .
L a << bonne >> surface est celle qui
tger le matriau massif!
<<
sait
se dgrader (modrment)pour pro-
3.3. Application a ltude de lusure en petits dbattements

Lusure en petits dbattements a t dcrite dans la section 2.3 du prsent chapitre. Les contacts se rapprochent des contacts ferms en raison des trs faibles
amplitudes des mouvements et la quantit de dbris pigs est par consquent
importante. Nous avons vu que les dbris restent effectivement dans le contact,
tout au moins suffisamment longtemps pour tre transforms. Ce type dusure
se prte bien une approche exprimentale avec des simulateurs(36)du type de
celui de la figure 3.4 1.
Patin mobile-
Dispositif dapplication
Fig. 3.41. Simulateur dusure en petits debattements, daprs Colombi (Rf.(36)).
( 3 6 ) Colombi C., Usure induite parpetits dbattements, Thse, cole Centrale, Lyon (1986).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
136
un systme deux patins appliqus lun contre lautre avec une force normale F N , est impos un dplacement alternatif D (amplitude, frquence, forme
des cycles, nombre de cycles). La force tangentielle F est enregistre en continu.
L a forme des cycles met en vidence le comportement des contacts (Fig. 3.42).
Fig. 3.42. Exemples de cycles force tangentielle/deplacementenregistres sur le simulateur de la

figure 3.41 ; (a) : cycle ferme correspondant au collage des patins, (b) : regime mixte et (c) :
cycle quasi trapzodal indiquant un glissement total.
(<
>)
rl
1 500
1 500
105
\
106
Nbre de cycles N
Fig. 3.43. Exemple de bche de frottement daprs

(alliage Al-Li 2091 avec D = f 20 p m et
FN = 500 N) correspondant a un regime mixte avec fissuration.
(37) Z h o u Z.R., Fissuration induite en petits dbattements : application au cas dalliages

daluminium aronautiques, These, cole Centrale, Lyon (1992).
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
137
Les rsultats peuvent tre reports sur des reprsentations tridimensionnelles, FDN, correspondant la superposition des cycles de la figure 3.42 et souvent appeles, en raison de leur forme, << bches de frottement . Ces bches
donnent une bonne apprciation s u r lvolution dun contact ou s u r lefficacit
dun traitement de surface.
Les comportements des contacts peuvent aussi tre reports s u r le plan
charge normale F,/dplacement D afin dobtenir une carte de sollicitation locale
en fonction du nombre de cycles. Reporter sur cette carte la rponse du couple
de matriaux (dtachement de particules, fissuration.. .) permet dobtenir une
carte de rponse du matriau. On trouvera des exemples de telles cartes et de
On peut galement en dduire des
bches FDN dans la bibli~graphiel~~)l~~)I~~i.
critres de choix des traitements de surface1401.
Actuellement, on sachemine vers une modlisation plus fine essayant de prvoir les conditions damorage des fissures en faisant appel, en particulier, a u
critre de Dang Van141i(42).
Le modle de Berthier a t appliqu des cas comme le guidage des crayons
des grappes de contrle des racteurs PWR de 900 MW qui fait intervenir plus de
dix mille contacts concerns par des problmes de petits dbatte ment^'^^).
3.4. Usure et frottement des outillages

Pour conclure ce chapitre il nous semble utile de donner quelques indications
s u r le rle du frottement et de lusure dans le comportement des outillages de
mise en forme des mtaux.
Dans le cas de lemboutissage le frottement a une grande influence sur le rsultat44i145)
(distribution des dformations, profondeur maximale demboutissage) et
(38) Blanchard P., Colombi C., Pellerin V., Fayeulle S. et Vincent L., Material effects in
fretting wear : application to iron, titanium and aluminium alloys, Metall. Transact. A 22
(1991) 1535-1544.
(39) Vincent L., Berthier Y., Dubourg M.C. et Godet M., Mechanics and materials in fretting, Wear 153 (1992) 135-148.
(40) Carton J.F., Vannes A.B. et Vincent L., Basis of coating choice methodology in fretting, Wear 185 (1995) 47-57.
(41) Petiot C., Dueloppement dune mthodologie pruisionnelle du Comportement en fret-
tingifatigue couplqnt les approches exprimentales et thoriques, These, cole Centrale,

Lyon (1994).
(42) Fouvry S., Kapsa P., Vincent L. et Dang Van K., Theoretical analysis of fatigue cracking under dry friction for fretting loading conditions, Wear 195 (1996) 21-34.
(43) Nol B., Dgradations tribologiques de contacts de gomtrie conforme sollicits par
impactIfrottement. These, Institut national des sciences appliques, Lyon ( 1995).
(44) Monfort G., Defourny J . , Belliard P. et Thomas B., Le Frottement en emboutissage :
interaction entre tle, outil et lubrifiant, Mat& Techn. 1-2-3
(1993) 73-80.
(45) Alquier O., Blanc M., Deza R. et Terreaux P., Le Frottement des tles revtues de zinc.
tude du frottement sur diffrents matriaux et application la mtallurgie des outillages
(1993) 83-87.
demboutissage, Mat& Techn. 1-2-3
138
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
sur les conditions de lemboutissage (efforts).Depuis quelques annes, on utilise

des tles revtues avant mise en forme (zinc, alliages fer-zinc, alliages zinc-nickel, tles prpeintes) dont les comportements a u frottement et au grippage diffrent dune part par rapport aux tles nues, dautre part entre elles. Chaque cas
ncessite une mise a u point des outillages.
Dans ce qui prcde nous avons vu combien il est difficile de mesurer un facteur de frottement ; dans le cas des tles revtues on prfre faire appel u n
essai de frottement global avec u n simulateur mors plans, reprsentatif du
comportement dune tle sous u n serre-flan (Fig. 3.44).
Fig. 3.44. Simulateur de frottement a mors plans pour tles.
Les rsultats de ces essais sont transposs vers le comportement s u r les

pices relles laide de modles numriques. Dautres dispositifs (dformation
entre cylindres) simulent des parties de pices embouties sensibles a u grippage.
Dans la grande majorit des cas, le seul lubrifiant est lhuile de protection dpose s u r les tles a u moment du laminage ; la quantit dhuile est de 1 4 g.m-2.
Si cette quantit dhuile est suffisante pour combler tous les creux de la rugosit,
le frottement avec loutil se droule en rgime hydrodynamique (voir Figs. 3.5 et
3.6). En rgime de lubrification limite, la rugosit des tles a beaucoup moins
dimportance.
Le facteur de frottement augmente fortement avec la rugosit des outils ; on
distingue des comportements diffrents en fonction des matriaux de revtement
des tles selon quils sont << mous >> (zinc pur) ou plus durs (alliages zinc/nickel et
zinc/fer). Le comportement des outils est galement trs sensible la forme du
profil de rugosit et par consquent a u procd dusinage ( portance gale une
rugosit grand nombre de pics est plus favorable quune rugosit pics et valles larges).
On tudie des revtements adapts aux outils en acier ou en fonte : TiN,
TiCN, CrN ; le problme est dallier une forte rsistance lusure et a u grippage
CHAPITRE
3 - TRIBOLOGIE
: FROTTEMENT
139
u n faible facteur de frottement. Une solution pourrait tre trouve avec des traitements multicouches (Sic,TiN-Tic, WC-C) obtenus par la technique de PECVD
(voir Sect. 4 du Chap. 6).
En ce qui concerne les outils de coupe, u n des modes dusure est ladhsiondiffusion avec le mtal usin ; pour viter cette diffusion, il faut revtir les outils
dune couche barrire antidiffusion (Tic, TiN).
Bases physiques
de lanalyse des surfaces
R
Heureux celui qui a p u pntrer

les causes secrtes des choses. ))
Virgile
1.
Interaction ray0nnernent-matire
I1 ne sagit pas, dans cette section, dexposer lintgralit de la thorie de linteraction rayonnement-matire, mais de rappeler quelques bases ncessaires la comprhension des principes des mthodes danalyse pour lingnieur des surfaces.
Depuis les travaux de Louis de Broglie, on sait quil existe une dualit entre
onde et corpuscule. toute onde, peut tre associe une particule (rayons X ts
photons) : toute particule nergtique, une onde. Linteraction rayonnementmatire doit donc se comprendre ici a u sens large et on ne fera pas la diffrence
du point de vue formel entre rayons X, neutrons, ions ou lectrons.
1. I .
Relations nergie-longueur donde
Lnergie dune particule et sa longueur donde associe sont lies par
o m, u et E sont respectivement la masse, la vitesse et lnergie de la particule et

h la constante de Planck gale 6,626 x
J.s.
Rappelons que la pulsation w est linverse de la longueur donde et que
h=
est appel la constante rduite de Planck.
h/2,
Pour les photons, on aura A=1240/E avec A en nm et E en eV. Des

longueurs donde allant de 0,02 et 0.2 nm correspondront des nergies de photons comprises entre 60 et 6 keV.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
142
Pour les lectrons, en tenant compte de la masse relativiste pour les grandes
vitesses (nergies),on aura :
1,226
?L=
(4.2)
zjE(1+0,979xlO-'E)
Cette formule se simplifie pour les lectrons d'nergie infrieure 100 keV et
devient :
L = J T avec ?L en nm et E en eV
(4.3)
Tableau 4.1. Quelques longueurs d'ondes pour des nergies d'lectrons usuelles.
Domaine d'utisation
lectrons tents
Longueur d'onde
nergie
100 eV
600eV
0,123 nm
0,050nm
lectrons rapides
(RHEED - MEB)
5 keV
20 keV
0,Ol 7 nm
6,Opm
Microscopielectronique
40 keV
1O0 keV
200 keV
300 keV
400 keV
6 6 pm
3,7 pm
2 3 pm
2,O pm
1,6pm
On voit que pour des nergies allant d'une centaine d'eV quelques keV les longueurs d'onde seront comprises entre O, 1 et 0 , O l nm (Fig. 4.1).
3
Pour les neutrons thermiques d'nergie cintique E = - k T ,
avec
2
J.K-'), on aura :
k = constante de Boltzmann ( k = 1,380 x
A = - 2,514
JT
(4.4)
Pour des tempratures situes entre 273 et 373 K, les longueurs d'onde seront
comprises entre O, 155 et O, 135 nm.
La figure 4.1 prsente l'ensemble du spectre des ondes lectromagntiques.
1.2.
interaction rayons X-matire
La figure 4.2 rsume les divers processus qui entrent en comptition au cours de
l'interaction entre photons X et matire. Dans le domaine d'nergie qui nous intresse (10 eV-30 keV) on pourra ngliger la production de paires lectron-positon
et les phnomnes dominants seront l'absorption photolectrique, la diffusion
CHAPITRE
143
4 - BASESPHYSIQUES DE L'ANALYSE DES SURFACES
104
O0 Fm
104105
103106
infrarouge
102.
107
10.
1O8
1.
IR long
109
nergie
10-1.
1010
i0-23
IR moyen
(ev)
10-2
1O"
1 0-22
1012
10 21
O01
103
),O1
104
IR court
760 nm
Visible
1013
10-20
10-5
380 nm
10'4
10-19
10-18
1016
10-17
eL
Domaine
pratique
104
1(
10-7
1O(
104
150nm
--
Ultraviolet
15 nm
OUS n
1017
10'8
1019
Rayons X
10 l6
10-35
10 l 4
10-13
kel
1(
1O(
<<
cristallographie >>
10
Rayons X
10-'0
10
ayons X
We\
Fig. 4.1. Longueurs d'onde des ondes lectromagntiques.
<<
rnedicaux >>
radiographie industrielle
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
144
Rayleigh qui est u n processus lastique (elastic scattering) (la direction du vecteur donde change mais pas sa norme, on conserve lnergie incidente) ou la diffusion Compton qui est un processus inlastique (inelastic scattering) (on ne
conserve ni la direction, ni lnergie du photon incident). Les processus de relaxation seront soit la fluorescence X, soit lmission Auger.
Dsexcitation radiative
par fluorescence X
(probabilit OF)
y(
par mission dlectrons

Auger
e- 3
1 (probabilit O),
Transmission
I
Rayleigh (diffraction)
1 Photo-lectrons 1
Fig. 4.2. Diffrents processus dinteraction entre les rayons X et la matire.
I .2.1. Labsorption X
Les photons X ayant des nergies comparables aux nergies de liaisons des lectrons de cur des atomes, labsorption dun photon par un atome correspond
lexcitation dun lectron dune orbitale plus ou moins profonde vers u n tat li
vide ou vers le continuum. L a figure 4.3 montre pour u n lment donn la variation du nombre de photons absorbs en fonction de leur nergie. Tant que lnergie du photon est infrieure lnergie de liaison des lectrons dun niveau de
cur du matriau absorbant, il ne peut y avoir dabsorption. Ds que lnergie
est suffisante pour promouvoir cet lectron dans les tats vides de la bande de
CHAPITRE
4 - BASESPHYSIQUES DE
145
L'ANALYSE DES SURFACES
valence, l'nergie est transfre du photon l'lectron : le photon est absorb par
effet photolectrique. Le coefficient d'absorption atomique p , li au rapport entre
le nombre de photons incidents I, et le nombre de photons transmis I, suit une
loi de Lambert-Beer [I = I,exp- px)]qui peut s'crire :
(4.5)
._
8 6
c
UNES+
9
5
a 800
I
I
I
9 O00
9 200
I
I
EF
9 400
9 600
nergie des photons (eV)

Bande
e valence
Fig. 4.3. Variation du coefficient d'absorption X du cuivre au voisinage du seuil K (8 980 eV) ; fF
est le niveau de Fermi.
On observe trois rgions :

1. la rgion avant le seuil d'absorption o p est faible :
2. la rgion du seuil o ,u crot trs rapidement. La forme du seuil dpend beaucoup de la structure lectronique du matriau puisque les lectrons remplissent la bande de valence. Cela donne lieu a une spectroscopie appele
146
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
M E S (X-ray absorption near edge spectroscopy). Le XANES est encore peu

utilis dans lingnierie des surfaces car il suppose laccs a u n anneau de
rayonnement synchrotron. Cest pourtant une mthode davenir notamment
pour la caractrisation chimique et ltude de ladsorption des atomes lgers ;
3 . enfin une rgion o llectron photomis, responsable de labsorption des
photons, a une nergie suffisante pour tre considr comme libre. Dans
cette rgion, on peut observer des oscillations du coefficient dabsorption qui
napparaissent pas pour les gaz et qui sont donc Caractristiques de la structure ordonne de la matire. Ces oscillations, dites de Kronig, permettent de
raliser des mesures de lordre local : cest lEXAFS (Extended X-ray absorption Sine structure). Lutilisation du rayonnement blanc intense dune anode
tournante permet de faire des mesures mais on prfre se servir dune source
de rayons X ayant une brillance et une intensit exceptionnelles, dlivre par
u n anneau de rayonnement synchrotron. LEXAFS qui est une excellente
mthode dtude des interfaces et sa variante applicable aux surfaces
( S E W S )seront dcrites dans le prochain chapitre.
La figure 4.4 donne des ordres de grandeurs des sections efficaces des processus de diffusion et dabsorption pour le cuivre[).A u x faibles nergies de photons, les sections efficaces de diffusion sont extrmement faibles : les photons
auront donc un libre parcours moyen important et on ne pourra pas utiliser facilement les phnomnes lis la diffusion pour tester les surfaces, sauf utiliser
la diffraction en incidence rasante aux alentours de langle critique.
En revanche, les interactions lies labsorption pourront donner lieu a des
mthodes danalyse de surfaces.
1.2.2.La photoemission et la relaxation

L a photomission lectronique est la cause de labsorption des rayons X. Elle
correspond lmission d u n lectron qui peut tre initialement dans la bande de
valence ou dans u n niveau de cceur. Ce phnomne correspond une ionisation
de latome qui absorbe le rayonnement de photons. On pourra utiliser la photomission lectronique comme spectroscopie des niveaux dun atome. Si lionisation est faite a u moyen de rayons X suffisamment nergtiques, on testera les
niveaux de cceur : cest la photomission induite par les rayons X (X-ray induced photoelectron spectroscopy) quon appelle aussi ESCA ou XPS (Chap. 5,
Sect. 6.2). videmment, les niveaux de valence seront aussi ioniss mais du
point de vue de lanalyse des surfaces il est prfrable dans ce cas dutiliser u n
rayonnement moins nergtique et on excitera latome avec une source de
lumire mettant dans lultraviolet (quelques dizaines deV). L a technique de
photomission correspondante sappellera alors IUPS (ultrauiolet induced photoelectron spectroscopy) et ARUPS si elle est rsolue angulairement. L a section
(1) Hubbell J.H., Photon cross section compilation activity in the US in the range 1 keV to
100 GeV, J . Phys. C 4 32 (1971) 14-20.
CHAPITRE
4 - BASESPHYSIQUES D E LANALYSE D E S SURFACES
147
Domaine utilis dans les analyses de surface

T
c
O
.-c
O
(0
103 -
-__---_
-
Absorption photolectrique
1 -
/ ;
;
;
;
//
4,
Compton I
/I\
\I
/
/
LI
1OeV
1 keV
r, lectron-positon
\\
\
I\
I
Absorption
\A
\
,photonuclaire
I
1MeV
\\
1GeV
nergie des photons

Fig. 4.4. Sections efficaces des principaux processus dinteraction photon X-matire pour le cuivre
Z = 29 (Ref.)).
efficace du processus et la rsolution en nergie sont meilleures, ce qui permettra de connatre finement la rpartition des tats lectroniques dans la bande de
valence qui est une image directe des orbitales chimiques. Par la suite, nous ne
parlerons plus dUPS dont lutilisation en ingnierie des surfaces est limite.
Aprs absorption du photon, le retour de latome ltat fondamental se fait
via une cascade de processus de dsexcitation soit radiatifs (fluorescence X), soit
non radiatifs (mission dlectrons Auger). La fluorescence X est une excellente
mthode analytique qui permet dtudier des volumes de lordre du pm3 : elle est
souvent utilise en ingnierie des surfaces lorsquon veut tudier la composition
de la rgion situe sous lextrme surface. En revanche, lmission Auger donne
lieu une mthode danalyse de lextrme surface et est trs complmentaire de
la fluorescence. Nous la dcrirons en dtail a u chapitre 5, section 6.1.
Pour dcrire les phnomnes dabsorption X, on utilise en gnral lapproximation dipolaire lectrique, correcte si il,la longueur donde du rayonnement X,
est bien suprieure la taille de latome (voir Fig. 4.1).Ce sera toujours vrai pour
les rayons X <c mous >> pour lesquels ilest suprieur 0,5 nm. Pour les rayons
<< pas trop durs >> comme ceux qui sont couramment utiliss en cristallographie
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
148
(0.05 5 il5 0,5 nm) lapproximation restera satisfaisante si on considre des inter-
actions avec des lectrons relativement localiss : par exemple ceux qui appartiennent des niveaux profonds ayant une grande nergie dionisation ou encore
les lectronsf des terres rares. Lapproximation dipolaire conduit des rgles de
slection bien connues : At? = k 1 , dj = O, k 1, As = O, Am = O (pour une polarisation
linaire du rayonnement X comme celle obtenue normalement avec u n rayonnement synchrotron) ou Am = f 1 (pour un rayonnement polaris circulairement).
t?,j, s et m sont les nombres quantiques caractrisant ltat de llectron. On rappelle que t? est gal respectivement O, 1, 2... pour les niveaux s , p , ci... et que j
peut prendre deux valeurs demi-entires (t? + 1/ 2 et 6 + 3/21, Ceci signifie quil ne
pourra pas y avoir de fluorescence X entre deux niveaux s , entre deux niveaux
p... Les nombres s et m qui caractrisent ltat de spin et magntique ne sont
importants que dans certains types de spectroscopies qui ne seront pas dcrites
dans cet ouvrage. Gardons seulement lesprit que la condition A s = O impose la
conservation du spin de llectron lors de labsorption et de la fluorescence. On
peut trouver u n traitement plus exhaustif dans la rfrence@.
1.2.3. Temps caractristiques

et processus dabsorption des rayons X
I1 est important de bien fixer les ides s u r les temps caractristiques mis en jeu
dans les processus dabsorption et de relaxation. Ils gouvernent u n certain
nombre de raies satellites, le rendement de fluorescence et permettent de comprendre pourquoi la plupart des modles donnant lnergie des photolectrons
peuvent reposer s u r la sparation du phnomne en plusieurs tapes indpendantes : cration du trou par photomission, jection du photolectron, cascade
de rarrangements lectroniques pour retourner progressivement ltat fondamental. Le tableau 4.11 donne une ide de ces temps caractristiques.
Le processus dabsorption est quasi instantan et de plusieurs ordres de
grandeur plus court que les processus de relaxation. Ceci justifie les modles en
Tableau 4.11. Temps Caractristiques dans les processus dinteraction rayons X
Processus
Dure du processus dabsorption dun photon X
Dure de vie du trou profond
Temps de relaxation des lectrons de cur
Temps de transit du photolectron
Dure de vie du photon dans la matire
Temps caractristique des vibrations thermiques
- matire.
Temps caractristique
infrieur a 1O-*O seconde
de 1O-I5 a 10-l6seconde
de 10-15a 10-l6seconde
de 10-15 10-17seconde
de 5 x 10-15
seconde
de 10-13 I 0-14seconde
( 2 ) Neutron and Synchrotron Radiation for Condensed Matter Studies (Vol. I : Theory,
Instruments and Methods) J . Baruchel, J.L. Hodeau, M.S. Lehmann, J.R. Regnard,
C. Schlenker, Eds. (Les ditions de Physique, Les Ulis, 1993).
CHAPITRE
4 - BASESPHYSIQUES
DE LANALYSE DES SURFACES
149
plusieurs tapes. En revanche, la probabilit quun niveau interne soit multiionis nest pas ngligeable puisquune nouvelle absorption peut avoir lieu avant
que la relaxation soit complte. Ceci explique notamment les satellites K c x ~ , ~
quon peut observer a u voisinage des pics de photomission en spectroscopie
ESCA/XPS. Ils correspondent lexistence d u n e raie excitatrice satellite qui provient de la fluorescence X partir dun niveau K doublement ionis. Le temps de
vie de cet tat doublement ionis est en effet suffisamment long par rapport a u
temps de cration d u n photolectron. La dure de vie du photolectron est troitement lie son libre parcours moyen dans la matire qui est minimum pour
des nergies de lordre de 40 eV.
Le temps des vibrations thermiques est trs suprieur tous les autres
temps caractristiques ; u n photolectron aura donc une vision << instantane >>
de larrangement atomique autour de latome absorbant. Une exprience dabsorption comme celle pratique quand on fait de 1EXAFSfournit la somme des
positions atomiques instantanes et non une position moyenne. On pourra donc
faire des analyses dpendant du temps avec cette mthode et, par exemple, tudier lvolution dune raction chimique en surface.
L a comparaison entre cette dure de vie et le temps de relaxation des lectrons

de cur est dune grande importance. Un lectron qui quitte u n atome << lentement >> (processus dabsorption prs du seuil) verra le trou totalement crant
(processus adiabatique) alors que sil sort rapidement il verra des potentiels
dorbitales << gels >> - << approximation soudaine >> (suddenapproximation), I1 faudra donc soigneusement tenir compte de ces divers temps caractristiques dans
linterprtation des spectres dabsorption ou de photomission.
1.2.4. La diffusion
I1 existe de trs nombreux ouvrages qui traitent de la diffusion (scattering) des
rayons X. En gnral, comme les rayons X sont trs pntrants, la diffusion
Rayleigh nest utilise que pour ltude des surfaces << paisses >> (par exemple,
mesure des contraintes superficielles, voir Sect. 3.2 d u Chap. 5, ou analyse
<< oblique , sous une incidence de quelques degrs, de couches doxydes). Cependant, comme lindice optique est trs lgrement infrieur 1, on peut se trouver
en condition de rflexion totale pour u n angle infrieur langle << critique B
(quelques valeurs figurent sur le Tabl. 4.111).
Deux modes danalyse sont alors envisageables :

1. la rflectomtrie qui permet danalyser des interfaces grce des simulations
du coefficient de rflectivit ;
2. la diffraction sous incidence rasante qui permet dtudier la structure cristallographique des surfaces. Malgr la faible section efficace dinteraction, qui
peut ncessiter dutiliser des faisceaux intenses de rayons X disponibles sur
les anneaux de rayonnement synchrotron, de nombreuses tudes sont ralisables sur des diffractomtres classiques quips de tubes de 1 2 kW
(Chap. 5, Sect. 4.1).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
150
Optique physique des rayons X

Ds la dcouverte des rayons X, par Roentgen en 1895, on a acquis la conviction
quil sagissait dondes lectromagntiques comme la lumire ; il a fallu attendre
les expriences de Laue en 1912 pour comprendre que leur longueur donde est
trs courte. Compton russira les premires expriences de rflexion totale avec
des rayons X alors que Siegbahn obtiendra leur dviation laide d u n prisme.
Les lois de loptique font intervenir lindice de rfraction du milieu, n ; Compton a
montr que cet indice est trs lgrement infrieur 1 pour les rayons X.
L a figure 4.5 montre lvolution de n en fonction de la longueur donde.
Pour les grandes longueurs donde, n tend vers &, E est la constante dilectrique statique du milieu : pour les courtes longueurs donde, n tend vers 1 par
valeurs infrieures. L a transition entre ces deux valeurs correspond la dispersion anomale, interaction de la lumire avec les vibrations des molcules.
10-3
10-2
io-
101
102
103
lo4
h(nm)
E 4
Fig. 4.5. Variation de lindice dun milieu en fonction de la longueur donde (daprs Guinier[3).
Dans le domaine des rayons X lindice peut scrire :
1-6 f
ip
L a partie relle 6 dpend de la densit lectronique moyenne du matriau

pression thorique en est :
(4.6)
;
lex(4.7)
e est la charge de llectron et rn s a masse, N est le nombre dAvogadro et Z le

nombre dlectrons par molcule, M est la masse molaire du matriau et p s a
masse volumique, enfin A est la longueur donde.
( 3 ) Guinier A., Thorie et Pratique de la radiocristallographie [Dunod, Paris, 1956).
CHAPITRE
4 - BASESPHYSIQUES
151
L a partie imaginaire 0 dpend du coefficient dabsorption massique du matriau, pour la longueur donde considre.
Dans le cas du fer pur et d u rayonnement K a , du cuivre on a :
n = 1-
(22,4 k i 2,97)
Conformment la loi de Descartes-Snell, on peut observer (Fig. 4.6)des phnomnes de rflexion et de rfraction. Notons que, dans le cas des rayons X, la
mesure des angles se fait par rapport la surface et non par rapport sa
normale.
Faisceau
Fig. 4.6. Optique des rayons X.
Pour u n angle critique ac (quelques dizimes de degrs), dfini par

cos ac = n ou ac
fis=
e2NZpA
nmc2M
la majeure partie de lintensit est rflchie, le reste se propage, sous forme

d u n e onde vanescente, dans une couche dpaisseur Lmin :
min
(4.9)
Tableau 4.111. Quelques valeurs dangles dincidence critique ac(valeurs en degrs).
Rayonnement X utilise
ithent
Au
C
Cu
Mo
Si
CrKrr
Cu&
MOKlY
A = 0,229 nm
A = 0,154 nm
A = 0,071 nm
0,85
0,27
0,62
0,65
0,33
0,57
0,18
0,26
0,41
0,43
0,22
0,oa
0,19
0,20
0,lO
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
152
Diffraction et fluorescence sous incidence rasante

Lapplication de la formule (4.9) montre que lpaisseur Lmin est, a u maximum,
d u n e dizaine de nm. Ltude thorique complte montre que cette paisseur
augmente de manire relativement progressive pour des angles a pas trop suprieurs ac (ala, < 2) : lpaisseur est donne par :
2 .
L = -sina
P
(4.10)
p est le coefficient dabsorption linaire.
On peut analyser des couches minces sous incidence rasante, ou voisine, et

dterminer leur structure par diffraction ou leur composition par fluores~ e n c e ( ~ ) ((Exemples
~ ) ( ~ ) . dapplication la diffraction a u Chap. 5, Sect. 4.1).
Reflectometrie spculaire et diffuse

Langle limite est li la densit lectronique en surface ; u n matriau rugueux
se comporte comme sil prsentait des fluctuations superficielles de densit lectronique. Ltude exprimentale de lintensit rflchie autour de ac (rflexion
spculaire) permet daccder une mesure de cette rugosit ; parmi les modles
proposs, on peut citer celui de Nvot et Croce(7)tabli partir d u n e distribution
gaussienne des hauteurs des pics de rugosit.
Si la surface est recouverte par une couche mince dpaisseur e , on observera
des interfrences provoques par la diffrence de marche entre les rayons rflchis sur la couche mince et ceux rflchis l i n t e r f a ~ e @ ~ [ ~ ~ [ ~ ~ .
Lintensit rflchie prsente une alternance de maximums et de minimums
ou franges de Kiessig (Fig. 4.7)de priode :
(4.11)
da=2e
Avec deux couches minces dpaisseurs pas trop voisines, on observera u n
double systme doscillations.
(4) Brunel M., Arnaud Y. et Moncoffre N., Diffraction X en incidence trs rasante.
Application aux surfaces daciers, Analusis 16 (5)(1988) 279-286.
(5) Brunel M., Rayons X rasants et surfaces, J. Phys. NFrance 6 (1996) 321-340.
(6) Andreazza P., De Buchre X. et Erre R., Diffraction des rayons X en incidence rasante
pour lanalyse des transformations structurales de surfaces daciers induite par implantation ionique multiple, J.Phys. NFrance 6 (1996) 399-408.
(7) Nvot L. et Croce P., Caractrisation des surfaces par rflexion rasante de rayons X.
Application a Itude du polissage de quelques verres silicates, Rev. Phys. Appl. 15 (1980)
761.779.
(8) Pardo B., Bridou F. et Maaza M., Rflectomtrie X et diffusion aux petits angles,
J.Phys. NFrance 6 (1996) 351-366.
(9) Bridou F. et Pardo B., Utilisation du spectre de Fourier des courbes de rflectivit X
pour ltude dempilements de couches minces, J.Phys. NFrance 6 (1996) 367-383.
(10) Duval H., Malaurent J.C., Cauchon G. et Dhez P., tude de matriaux multicouches
par reflectivit X en incidence rasante. Mthode par dispersion dnergie. Comparaison

thorie-exprience, J . Phys. N France 6 ( 1996) 409-4 14.
CHAPITRE
4 - BASESPHYSIQUES
153
DE L'ANALYSE DES SURFACES
Intensit rflchie (log)

Plateau de
rflexion totale
Rugosit interfaciale
1 ""X
\n
Au
Franges de Kiessig
UC
,
U
Fig. 4.7. Allure gnrale d'une courbe de reflexion de rayons X en fonction de l'angle d'incidence.
L a figure 4.8 montre une simulation des courbes de rflectomtrie correspondant la formation d'alumine sur de l'aluminium, en l'absence de rugosit, pour
le rayonnement K a du cuivre.
L a rflectomtrie est une bonne mthode pour tudier la cintique de formation des couches d'oxydes (voir Chap. 5, Sect. 4. l ) .
Au lieu d'tudier la rflexion spculaire des rayons X, on peut s'intresser
leur rflexion diffuse : l'intensit diffuse autour du faisceau rflchi spculairement dpend de la distribution latrale de la rugosit. Pour mesurer cette intensit diffuse on se place dans les conditions de rflexion spculaire (Fig. 4.9) puis
on fait tourner l'chantillon autour de cette position (rocking curue). Le montage
est reprsent sur les figures 5.49 et 5.50.
Le spectre de rflexion diffuse montre u n trs fort largissement de la raie de
rflexion spculaire (Fig. 4.10). On peut dfinir u n angle critique d'incidence et
u n angle critique d'mergence : pour ces angles, on peut obtenir des interfrences constructives qui font apparatre des pics satellites autour du pic de
rflexion spculaire (pics de Yoneda'")).
Sinha et ai.(1z)
ont modlis le spectre de rflexion diffuse et montr qu'il peut
dcrire la rugosit fractale l'aide de la fonction de corrlation :
Zh
C ( x )= e
(4.12)
( 11) Yoneda Y., Anomalous surface reflexion of X-rays, Phys. Rev. 131 (1963) 2010-2013.
(12) Sinha S.K., Sirota E.B., Garoff S . et Stanley H.B., X-ray and neutron scattering from
rough surfaces, Phys. Reu. B 38 (4) (1988) 2297-2311.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
154
Fig. 4.8. Simulation des courbes de rflexion spculaire correspondant l'oxydation d'un substrat
en aluminium (A. Knoll, ENSAIS-LMCM).
Rflexion diffuse
Rflexion spculaire
Rotation
Fig. 4.9. Rflexion spculaire et rflexion diffuse.
CHAPITRE
4 - BASESPHYSIQUES
155
Pics de Yoneda
i
c<
-3E
rugueux
(rflexion
diffuse)
-2E
)>
-E
spculaire)
2E
3E
Rotation de la surface
Fig. 4.10. Allure gnrale dun spectre de rflexion diffuse ; les amplitudes relatives de chaque pic
de Yoneda et du pic de rflexion spculaire ainsi que la forme du spectre dpendent de chaque cas
particulier.
h est reli a la dimension fractale D (h = 3 - D ) et 4 correspond a la longueur de

corrlation. Cette reprsentation fractale deux paramtres est caractristique
ont montre que le
des surfaces autoaffines (voir Annexe A). Bowen et
modle de Sinha donne des mesures de rugosit trs cohrentes avec celles obtenues en microscopie force atomique.
1.3.
Interaction lectron-matire
L a figure 4.1 1 montre schmatiquement les divers phnomnes qui interviennent lors de linteraction entre u n faisceau dlectrons et la matire. On illustre
les atomes de la matire par leurs niveaux dnergie indiqus dune part selon la
notation spectroscopique utilise en fluorescence X (K, L , M...),
dautre part selon
la notation utilise en photomission (ls,2s. 2p ...).
On observe :
1. des electrons lastiquement diffuses qui nont pas subi de pertes dnergie :
leur propagation peut se faire soit << en avant >> dans le solide, soit << en retour >> :
lectrons rtrodiffuss (backscattered electrons). Ces lectrons seront utiliss
pour tudier la structure cristallographique des surfaces et des interfaces.
(13) Bowen D.K. et Worrnington M., Measurement of surface roughness and topography at
nanometer levels by diffuse X-ray scattering, CIRPANNALS 43 (1)(1994) 497-500.
156
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
T -
a
t
\Kl
- 8 980
Is
Annihilation
Rendement de
fluorescence
Rendement
dmission
Auger
Fig. 4.11. Schma de linteraction entre les electrons et la matire.
On observera la diffraction des lectrons lents (LEED) pour des energies incidentes comprises entre une quarantaine deV et plusieurs centaines deV et la diffraction des lectrons rapides sous incidence rasante (RHEED)pour des nergies
comprises entre 5 et 40 keV. La diffraction avec des lectrons transmis est utilise
en microscopie lectronique en transmission (microdiffraction);
2. des lectrons inlastiquement diffuss qui ont subi des pertes dnergie,
soit interagissant avec les vibrations du rseau cristallin (phonons), soit en
induisant des vibrations lectroniques (plasmons). Ils donnent lieu aux spectroscopies de pertes caractristiques (EELS, HREELS) qui sont encore sans grand
intrt pour ltude de surfaces industrielles ;
3. des lectrons Auger obtenus la suite d u n e ionisation d u n niveau interne
par u n mcanisme de relaxation identique celui dcrit dans le cas de labsorption des rayons X ;
4. des electrons secondaires rsultant de cascades dinteractions entre les
electrons qui voyagent dans la matire. Par convention, ils sont dits secondaires
vrais quand leur nergie est infrieure 50 eV. Ils sont utiliss pour la microscopie a balayage (MEB) :
5. des rayons X obtenus selon u n mcanisme de relaxation identique celui de
la fluorescence. Ils sont utiliss chaque fois que la sonde dinvestigation de la
matire est constitue dlectrons, microsonde lectronique (EPMA : electron
probe microanalysis) en complment des microscopies lectroniques (transmission et balayage) :
6. des photons W/visibles obtenus selon le processus de cathodo-luminescence.
CHAPITRE
4 - BASESPHYSIQUES
157
La figure 4.12 compare les rendements des processus de dsexcitation : la

dsexcitation radiative (fluorescence X) et la dsexcitation non radiative (mission Auger). On constate que pour des nergies de liaison infrieures 2 keV le
rendement Auger sera toujours trs suprieur a u rendement de fluorescence. On
verra limportance de cette proprit a u chapitre 5, section 6.1.
A
,)
-.
10
20
30
40
50
60
70
80
Numro atomique
Fig. 4.12. Comparaison entre les rendements de dsexcitation par fluorescence X (K, L et M) et
par mission Auger.
2.
Les forces atomiques et molculaires
Cest en essayant de comprendre les carts la loi des gaz parfaits (loi de
Mariotte-Boyle) que Van der Waals (1873) a postul des effets de forces attractives entre les molcules et quil a pu crire lquation dtat bien connue pour
les gaz et les liquides :
( P + a / V 2 ) ( V - b ) = RT
(4.13)
o b permet de tenir compte de la taille finie des molcules et a / v est une
pression >> qui prend en compte des forces attractives entre molcules, dites
forces de Van der Waals.Rapidement, on se rendra compte que les forces intermolculaires sont plus complexes modliser et quil faut avoir recours u n
potentiel de paire comprenant u n terme rpulsif (les molcules ne peuvent sapprocher infiniment cause des diples quelles sinduisent mutuellement) et u n
terme attractif d aux forces de Van der Waals. Ds 1903, Mies a propos une loi
gnrale du type :
w(r)= - A / r n + B / r m
(4.14)
(<
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
158
avec n toujours suprieur 3. Ce type de loi, comportant u n terme attractif

( + B / r m ) et u n terme rpulsif ( - A / r n ) a conduit de nombreux potentiels
empiriques, le plus clbre tant probablement celui de Lennard-Jones ( n = 6,
rn
= 12).
r = 1,120
Fig. 4.13. Schema dun potentiel de Lennard-Jones.
Pourtant, aucun de ces potentiels ne permet de comprendre rellement les

forces en jeu entre des atomes et des molcules. I1 est donc difficile de faire une
classification rigoureuse et non ambigu des forces atomiques et molculaires :
cest--dire des forces qui sexercent entre deux atomes ou deux molcules. On
parle souvent de forces courte porte qui interviennent lorsque les distances
entre atomes ou molcules sont de lordre de grandeur des distances atomiques
et des forces longue porte qui sont toutes les autres. Hlas ce nest pas u n critre trs opratoire. I~raelachvili(~)
prfre classer ces forces de Van der Waals
en trois grandes catgories : les forces lectrostatiques (forces coulombiennes
entre des charges, des diples permanents...), les forces de polarisation induites
par les champs lectriques crs au voisinage par des charges ou des diples, les
forces qui donnent lieu la liaison chimique covalente (forces lies la mcanique quantique). Le tableau 4.W donne lnergie dinteraction pour diffrents
types dinteraction avec les noms de certaines dentre elles qui sont bien connues
(Coulomb, Keesom, London, Debye).
Dans le coefficient K , interviennent les charges Q, les moments dipolaires
lectriques u , les angles 8 que font les diples avec la direction qui unit les deux
espces en interaction une distance r, la polarisabilit a des molcules sur
(14) Israelachvili J.,intermolecular and surfaceforces (Academic Press, London, 1991).
CHAPITRE
4 - BASESPHYSIQUES DE LANALYSE DES SURFACES
159
lesquelles on induit le diple, kT lorsque les diples sont libres et la frquence

dabsorption lectronique v pour lnergie de Debye. La force est obtenue en drivant lnergie par rapport la distance, elle sera donc en -1 / r n + l .
Tableau 4.W. Diffrents types dinteractions entre atomes, ions et molcules dans le vide.
Liaison chimique (covalente ou mtal)

Charge-charge(Coulomb)
Charge-diplefixe
Charge-diplelibre
Diple fixe-diple fixe
Diple libre-diple libre (Keesom)
Charge-moleculeapolaire
Diple fixe-molecule apolaire
Diple libre-molecule apolaire (Debye)
Molcule apolaire-moleculeapolaire (London)
Liaison hydrogne
2.1.
complexe, courte distance

varie en r
varie en r
varie en r
varie en r -3
varie en r
varie en r
varie en r
varie en r -6
varie en r
complexe, courte distance
varie en r -2
-
-*
Les forces coulombiennes
Les forces de Coulomb sont parmi les plus intenses des forces intermolculaires.
Ce sont celles quon trouve dans les cristaux ioniques comme NaCl. Ces forces
sexercent trs longue porte et pour mesurer linteraction entre deux charges
comme par exemple les ions Na+ et C1- dans une telle structure il faut faire intervenir une sommation sur tous les ions du rseau et pas seulement s u r les plus
proches voisins. Linteraction totale sera lie la constante de Madelung qui est
de lordre de 1,7 pour les cristaux composs dions monovalents et qui peut monter 5 pour les cristaux de type CaF, et encore plus pour les composs comme
SiO, et TiO,. Ceci correspond u n crantage du champ lectrique qui tend
diminuer la porte de linteraction. Ce sera vrai non seulement dans les cristaux
mais aussi en solution puisquune charge ngative est toujours entoure de
charges positives ( plus ou moins grande distance) pour maintenir la neutralit
lectrique du systme.
2.2.
Les forces dipolaires
Les molcules sont neutres mais certaines possdent u n diple lectrique permanent d des transferts de charge lintrieur de la molcule. Le moment
dipolaire u, proportionnel la charge dipolaire et sa longueur, sexprime en
debye (1D = 3,336 x
C.m). Leau est une molcule polaire avec u n moment
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
160
gal 1,85D. Cest lordre de grandeur des moments dipolaires dans la plupart
des molcules (une liaison ionique correspond un diple d u n e dizaine de
debye). Les diples des molcules dpendent beaucoup de leur environnement :
en solution, les interactions seront donc assez complexes.
Si on considre des interactions entre deux molcules polaires ayant u n
moment de lordre de lD, lnergie est infrieure kT ds quon se trouve des
distances de lordre de 0.35 nm dans le vide. Cela signifie que les forces mises en
jeu ne permettront pas de conduire une orientation spontane des molcules
a u sein dun liquide.
En revanche, les molcules organiques contenant de lhydrogne conduisent
des diples importants, par exemple ceux du type 06-H+&, N-&-H+&,@-H+&).
tant donn la trs petite taille de latome dhydrogne, les atomes trs electrongatifs dautres molcules (O, N, F) pourront sapprocher de ces groupes
polaires et subir une forte interaction. Cest lorigine de la liaison hydrogne qui
a u n rle trs important dans les interactions au voisinage des surfaces puisquil
y a trs souvent une couche deau adsorbe.
2.3. Interactions avec les molecules polarisables

I1 sagit ici de molcules qui nont pas de diple permanent mais un diple induit
par des champs lectriques externes, soit crs par les molcules environnantes,
soit appliques. Le moment induit u sera proportionnel au champ lectrique E et
a u coefficient de polarisabilit (Y qui traduit le dplacement du nuage lectronique par rapport a u noyau. Ce sont les lectrons des liaisons covalentes qui
contribuent essentiellement la polarisabilit. Les gaz rares qui ne sont pas
polaires sont polarisables et le coefficient (x augmente en allant de lhlium au
xnon. Une double liaison est plus polarisable quune liaison conjugue qui est
elle-mme plus polarisable quune simple liaison. Lunit de polarisabilit sexprime en C2.m2.J-.
2.4.
Les forces de dispersion
Les forces dcrites dans les paragraphes prcdents sont purement lectrostatiques et donc faciles modliser. I1 existe dautres forces qui sappliquent
toutes les molcules : on les range sous le nom de forces de dispersion*. Elles
jouent un rle majeur dans les phnomnes de surface comme ladhsion, la
tension superficielle et la physisorption. Ce sont des forces longue porte, qui
sont perceptibles de 0,2 plus de 10 nm. Elles peuvent tre attractives ou rpulsives. Elles se traitent a u moyen de llectrodynamique quantique. On peut comprendre leur origine en considrant un atome strictement apolaire. La moyenne
du moment dipolaire dans le temps est nulle mais chaque instant il existe un
moment d aux variations de position des lectrons par rapport a u noyau.
* Ainsi nommes, car elles provoquent la dispersion de la lumire dans UV/visible.
CHAPITRE
4 - BASESPHYSIQUES
161
Ce diple instantan cre u n champ lectrique qui polarise les atomes voisins.
Linteraction entre ces deux diples induit une force attractive instantane et on
montre que s a moyenne temporelle est finie.
2.5.
La mesure des forces atomiques et molculaires
Les donnes thermodynamiques sont la premire source de mesures des potentiels attractifs courte porte entre les molcules. Les isothermes dadsorption
sont aussi une bonne manire daccder aux interactions molcules-surface. Les
mesures physiques (diffusion de rayons X ou de neutrons, RMN, viscosit) servent connatre les forces rpulsives. Les forces dadhsion se mesurent par
arrachement, pelage, rayure, angle de contact ... Ce ne sont pas souvent des
mesures trs reproductibles ou directes. Les seules mesures directes sont obtenues avec les machines de force dveloppes essentiellement par Israelachvili
et avec les microscopes force atomique. L a seule difficult, mais elle est
de taille, rside dans la connaissance de la gomtrie du systme car la force en
dpend troitement. Par exemple, lnergie libre dinteraction entre deux atomes
distants de r est - K / r 6 , celle entre u n atome et une surface situe une distance
D est - K/D3, celle entre une sphre et une surface plane distantes de D est
- K / D . Les machines de force sont conues pour viter ce problme en utilisant
des sondes sphriques trs bien calibres ou des cylindres de mica en regard
(Fig. 3.11). En AFM, les mesures dpendront beaucoup de la qualit de la pointe.
3.
Leffet tunnel
Leffet tunnel est le passage dun electron travers une barrire isolante. En
mcanique classique, la probabilit est nulle pour quun lectron puisse traverser une barrire dnergie potentielle si son nergie est infrieure la hauteur de
barrire. En mcanique quantique, on montre que la fonction donde de llectron ne sannule pas brusquement linterface solide-vide mais prend la forme
d u n e onde vanescente dont lamplitude dcrot exponentiellement avec la distance. Donc, si on approche suffisamment deux mtaux lun de lautre, il y a
recouvrement des fonctions dondes vanescentes et possibilit que les lectrons
traversent lespace vide par effet tunnel. On peut trouver u n traitement thorique complet du courant tunnel circulant entre deux mtaux dans la rfrence115).Considrons les schmas de barrire de la figure 4.14.
En (a), on a deux lectrodes mtalliques sans interaction, chacune a son
propre niveau de Fermi EF et son travail de sortie @ (workfunction).Si on rapproche les deux mtaux en interaction, (b), il se forme un quilibre lectrique qui
conduit lgalisation des niveaux de Fermi. Pour avoir un courant tunnel, il faut
appliquer une diffrence de potentiel V entre les deux mtaux, qui introduit un
(15) Tersoff J. et Hamann D.R., Theory of the scanning tunneling microscope, Phys. Reu. B
3 1 (1985)805-813.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
162
dcalage des niveaux de Fermi de part et dautre de la barrire dnergie eV (c).

Les lectrons des tats occups du mtal 1 peuvent tre transmis par effet tunnel
dans les tats vides du mtal 2. En appliquant lquation de Schrodinger une
barrire de forme carre et en se plaant dans le cas unidimensionnel1161,
la fonction donde de llectron scrit :
~ ( z =) exp-la) avec Ic = 242m * Q) / h
(4.15)
o @ est le travail de sortie et m* la masse effective de llectron. Comme le travail de sortie dun mtal est de lordre de 5 eV, on trouve que IC est de lordre de
0 , l nm-. La probabilit de prsence d u n lectron en dehors du solide est donc
non nulle et le courant circulant entre les deux mtaux sera I, = V exp(-21cd)
si d est la distance entre les deux mtaux. Si d est de lordre de quelques
dizimes de nanomtre, il y aura transfert dlectrons de 1 vers 2.
ir
-- --
(a)
E:
(b)
E; - - - - -
-----
Fig. 4.14. Schma de barrire de potentiel entre deux lectrodes mtalliques.
I161 Behm R.J.,Garcia N. et Rohrer H., Scanning tunneling microscopy and related
methods, NATO AS1 Series, Series E, Applied Sc. 184 (1990).
Mthodes danalyse
de lingnieur des surfaces
(( On va bientt rechercher comme une raret un objet ou un tre qui nait
pas t analys quelque part, par quelquun, comme linterface de ceci et cela.
Dejait, quoi que lon considre, rien n estplus facile que de dcouvrir une interyfce.
Tel objet technique ou telle fonction sociale ? Lisez sur leur compte le premier
R article projond N venu et, cest garanti, vous aurez droit de 1inter;fce.N
Didier Nordon
Des cailloux dans les choses sres (Pour la Science).
1.
Essai de classement des mthodes danalyse
Toute mthode danalyse ncessite laction d u n e sonde ( u n rayonnement lectromagntique, u n faisceau de particules nergtiques, u n champ, u n pntrateur
mcanique ...) s u r u n chantillon. Le rsultat de linteraction entre cette sonde et
la matire de lchantillon peut tre u n autre rayonnement, des particules, la
variation du champ, capts par une chane de mesure ou encore une loi de comportement. L a figure 5.1 illustre schmatiquement les diffrents phnomnes qui
interviennent lors de linteraction dun rayonnement (absorption, transmission,
rflexion, diffusion, mission, rponse mcanique ...) et les divers modes de
mesure (comptage, discrimination en nergie ou en longueur donde.. .).
Les techniques dindentation sont bases sur linteraction dun pntrateur
trs dur (diamant) avec la surface et permettent dobtenir la loi de comportement
(relation charge-dplacement) dun matriau. partir de cette loi de comportement, on accde la duret et a u module de Young ; depuis le dveloppement
rcent des techniques de nanoindentation, on peut obtenir ces mmes paramtres lchelle des couches superficielles (Fig. 5.2). Ces mthodes << mcaniques N compltent harmonieusement les mthodes bases sur lemploi des
rayonnements (Fig. 5.3).
Nous tudierons les techniques de nanoindentation dans la section 3 de ce
chapitre. Pour linstant nous allons examiner les techniques bases sur lemploi
des rayonnements.
Pour obtenir une bonne analyse de surface, il faut pouvoir tudier lpaisseur
la plus faible possible, sur u n diamtre faible en incluant la possibilit de balayage
de la surface pour pouvoir faire une imagerie. Pratiquement aucune mthode
ne rpond toutes ces conditions simultanment et il faudra soit adopter des
compromis, soit utiliser plusieurs techniques. On privilgiera les techniques pour
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
164
Chane d e mesure
Discrimination
Mesure de l'nergie
Particules
Zone d'interactio
transmission
Fig. 5.1. Analyses de surface a l'aide de rayonnements.
Capteurs d e mesure
Force
Dplacement
0+
Sonde mcanique
(indenteur)
((
))
I-
Loi de comportement
Mouvement continu :
nanoindentation
Mouvement continiJ +
oscillation ' CSM
Zone d'interaction
sonde-indenteur
= 1oz
Fig. 5.2. Analyses de surface par nanoindentation.
lesquelles le processus de l'interaction entre le << rayonnement sonde >> et l'chantillon a une grande section efficace : c'est pourquoi les mthodes utilisant des faisceaux incidents d'ions ou d'lectrons sont aussi frquentes. Les ions, s'ils ont une
nergie moyenne, ont une pntration trs faible, et tant chargs, peuvent se
focaliser. Les lectrons ont une pntration variable avec leur nergie et sont galement susceptibles de fournir des faisceaux focaliss. On peut aussi utiliser des
faisceaux incidents de photons qui pntreront loin dans la matire (quelques
micromtres) mais qui provoqueront l'jection d'ions ou d'lectrons qui ne pourront pas s'chapper de la matire s'ils sont mis trop profondment. Le cas des
champs est u n peu diffrent puisque leur porte est en 1/P.
L a premire classification des mthodes d'analyse se fera donc en fonction de
la nature des << rayonnements x qui sont utiliss.
CHAPITRE
165
MTHODES DANALYSE DE LINGNIEURDES SURFACES
Tableau 5.1. Mthodes danalyse des surfaces classes en fonction de la nature des sondes et du
mode de dtection [voir le lexique pour la signification des abrviations ou acronymes).
Sonde
Photons
lectrons
Particules
Ions
Neutrons
Atomes
Champs de force
lectrique
Magntique
Photons
lectrons
IR-FTIR
SERS
XRD
XRF
EPMA
BIS
XPS-ESCA
SEXAFS
uPS
XANES
AES
EELS
LEED
MEB
RHEED
Particules
Champs
SDL (ions)
LAMMA (ions)
ISS (ions)
NAA (neutrons)
RBS (ions)
SIMS (ions)
Diffract. dHe
AP
AFM
STM
MFM
Pour toute mthode impliquant des lectrons comme sonde et / ou comme

dtection, il est ais dvaluer la profondeur analyse, connaissant lnergie des
lectrons incidents (et/ou dtects), en utilisant le diagramme des libres parcours moyens des lectrons en fonction de leur nergie. L a profondeur analyse
est estime environ trois fois le libre parcours moyen, ce qui correspond en
gros la profondeur maximale de pntration (lectrons incidents) ou dmergence (lectrons dtects), applicable 99 % des lectrons concerns. Les photons (X et U V ) ont des libres parcours moyens suprieurs de plusieurs ordres de
grandeur ceux des lectrons et ne sont jamais limitants.
Une deuxime classification peut prendre en compte la nature des renseignements recherchs selon quon veut privilgier ltude de la morphologie, de la
physico-chimie, de la chimie analytique ou de la structure, quelle soit cristallographique ou lectronique. Pour des raisons pratiques, nous indiquons le vide
requis par la mthode puisque certains chantillons ne supportent pas dautre
tude quen atmosphre (Tabl. 5.11).
Une dernire classification concerne les dimensions dobservation caractristiques (rsolution latrale et rsolution en profondeur, plages de mesure) ; la
figure 5 . 3 compare les diverses mthodes danalyse des surfaces et des interfaces en ces termes.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
166
Tableau 5.11. Mthodes d'analyse des surfaces (classes en fonction des renseignementsrecherches).
Vicie requis
Renseignement
AES
AP
XRF
NAA
RBS
Analytique
SERS
IAMMA
SDL
SlMS
XPS - ESCA
STM
Vide conventionnel
Non
UltravidelAtmosphre
XRD
LEED
RHEED
FIM
STM
EXAFS
Non
Ultravide
Ultravide
Ultravide t Gaz rare
Ultravide
Ultravide
UPS
EELS
Ultravide
Ultravide
MEB
AFM
Morphologique
Structural
longue distance
courte distance
Structure
lectronique
Ultravide
Ultravide t gaz
Vide conventionnel
Non
Vide conventionnel
Atmosphre t liquide
Vide conventionnel
Non
Ultravide t gaz
Ultravide
Rflectornetrie X
spculaire
0,1 nrn
IOnrn
U
O
r
a IOOnrn
1 nrn
10nrn
100nm
1 prn
10vm 100pm
1 mrn
10mrn 100rnm
Largeur analyse
Fig. 5.3. Complmentarit des diverses techniques d'analyse des surfaces.
CHAPITRE
5 - MTHODES
167
DANALYSE DE LINGNIEUR DES SURFACES
Enfin, on aimera souvent savoir rapidement quelle mthode choisir pour...

ESCA
avoir une analyse lmentaire dune surface
AES
et, en prime, connatre les liaisons chimiques.. .
NAA
doser quantitativement...
XRF
SIMS
atteindre des concentrations trs faibles...
AP
faire u n profilage rapide (mais destructifl
avec beaucoup dlments caractriser...
faire u n profil non destructif...
avoir une analyse lmentaire non destructive...
connatre la morphologie dune surface.. .
lchelle atomique
lchelle molculaire
connatre la structure cristalline de surface.. .
SIMS
SDL
RBS
XRF
PEE
MEB
STM
AFM
ISS
LEED
RHEED
STM
connatre lordre courte distance.. .
GIXS
EXAFS
SEWS
faire une cartographie des lments

rsolue spatialement. ..
XRF
connatre la structure lectronique...
ARUPS
SAM
SIMS
EELS
travailler sans tre sous vide.. .
GDL
XRD
AFM
... et mme avec des liquides !
tudier des matriaux organiques.. .
STM
AFM
SERS
FTIR
XPS
LAMMA
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
168
2.
Caractrisation morphologique
2.1.
Rugosit
2.1.1. Classification des dispositifs de mesure

I1 convient de distinguer''' les instruments tactiles et les instruments sans
contact, utiliss en :
profilomtrie 2D,
topographie 3 D des surfaces.
Comparer ces dispositifs ncessite de prendre en compte u n certain nombre
de paramtres :
rsolution et plage de mesure verticales,
frquence de mesure,
distance de travail, capteur-surface,
rsolution et plage de mesure latrales,
proprits optiques de la surface : rflexion spculaire, rfiexion diffuse.
Les instruments tactiles utilisent u n stylet (diamant) ; ceux sans contact sont
gnralement optiques et oprent en mesurant la distance entre une rfrence
interne et les points de la surface. L a mesure utilise u n codage de l'espace de
mesure faisant gnralement appel de la lumire structure (point, ligne ou
champ 2D du type mire de Ronchi ou mire sinusodale). Pratiquement, cela se
traduira par la refocalisation dynamique d'un faisceau lumineux, le codage
interfrentiel ou le codage chromatique.
Une mire de Ronchi, ou mire de Foucault, est une mire de traits noirs et
blancs, de rapport cyclique 1 / 2 , dont le profil photonique est parfaitement
rectangulaire.
Nous prsenterons les mthodes optiques suivantes :

mthodes bases s u r la focalisation de la lumire :
- focalisation dynamique,
microscopie confocale,
mthodes interfromtriques :
- saut de phase,
- glissement de franges,
-
(1) La bibliographie est abondante, avec notamment un point (en 1993)dans The deueiopment of methodsfor the caracterisation of roughness in three dimensions, Rapport CEE EUR
15178 EN (19931,ISBN 0-7044-1313-2,sous la direction de K.J. Stout.
CHAPITRE
5 - MTHODES
169
variantes :
- projection de franges,
- analyse qq en chelles de gris .
ces mthodes, il convient dajouter celles bases sur les microscopies
champ proche (force atomique - AFM,effet tunnel - STM)dont les principes
sont prsents dans la suite de cette section ainsi que la rflectomtrie de rayons X
(voir Sect. 4.1 de ce chapitre). Nous ne prsentons pas les mesures par microscopie
lectronique balayage.
Les performances compares des systmes de mesure de rugosit en termes
de plage et de rsolutions verticale et latrale sont illustres en figure 5.4.
Nous reviendrons s u r la reprsentativit des diffrentes mthodes aprs les
avoir dcrites.
2.1.2. Mthodes tactiles

On utilise u n stylet constitu dun diamant gnralement conique avec u n rayon
de courbure de la pointe compris entre 2 et 5 pm. L a mesure du dplacement
vertical (Fig. 5.5) fait appel, par exemple, u n capteur inductif (on peut aussi
utiliser u n systme opto-lectronique).
1
al
al
1 nrr
I
confocales
?Iles
I
1 nrn
1 Pm
1 rnrn
lrn
Horizontal : resolution et domaine
Fig. 5.4. Domaines dutilisation et limites en rsolution des procds de mesure de rugosit ;
la rsolution latrale des mthodes optiques est fonction du procd de balayage.
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
170
Capteur inductif
*
(a)
Patin
Profil mesurer
Profil mesurer
Rfrence externe
rglable
Fig. 5.5. Emploi dun capteur tactile pour la mesure de rugosit (a) et pour la profilometrie (b).
En (a)le patin suit les ondulations de la surface, le stylet mesure les variations par rapport ces ondulations, cest--dire la rugosit. L a distance du patin
au stylet est impose par construction et on ne dispose daucun degr de libert.
L a solution (b) permet de relever le profil de la surface par rapport une rfrence externe ; le signal lectrique est numris et on spare ondulation et rugosit par le calcul.
Les mthodes tactiles ont des limitations lies au principe mme : erreur
commise dans les creux en raison d u rayon de courbure d u stylet, problmes
avec les surfaces r-entrantes.
Fig. 5.6. Problmes lies au stylet : (a) effet du rayon de courbure, (b) non prise en compte des
surfaces r-entrantes.
L a mthode est relativement lente et la force dapplication du stylet peut

endommager la surface mais elle est nanmoins bien adapte aux industries
mcaniques. On peut obtenir une reprsentation 3D dune surface par des palpages successifs : microscopie mcanique a balayage - MMB(2).Lacquisition
(2) Wehbi D., Quiniou J.F. et Rocques-Carmes C., Rle de la rugosit des surfaces en
science des matriaux, Trait. Therm. 222 (1988) 63-73.
CHAPITRE
MTHODESDANALYSE
DE LINGNIEUR DES SURFACES
171
est trs longue3 : 3 heures pour 1 cm2. Sur les appareils commerciaux, la force
sur le stylet est rglable entre 0.01 mN et 1 mN : on dispose dune tendue de
mesure verticale de lordre de 300 pm 4 mm (rsolution de 1 2 nm), ltendue
de mesure horizontale peut atteindre 200 400 mm.
2.1.3. Mthodes optiques

Focalisation dynamique
La figure 5.7 montre un dispositif dont le principe drive de celui mis en uvre
pour le pilotage de la tte d u n lecteur de disques compacts. On utilise u n dispositif optique comprenant deux lentilles ; la lentille frontale est mobile pour permettre la focalisation de la lumire dun laser semi-conducteurs sur la surface
analyser (spot dun pm). Le dplacement de cette lentille est obtenu laide
dun << moteur B constitu par une bobine et u n aimant. Le faisceau laser rflchi
par la surface est renvoy sur une photodiode deux quadrants par lintermdiaire dun sparateur de faisceau. Selon les diodes claires, une boucle de
rgulation refocalise le faisceau en agissant sur le moteur. L a position de la lentille est mesure par u n autre dispositif opto-lectronique et correspond 1 altitude >> de la surface. Les Caractristiques des composants optiques permettent
dobtenir une rsolution de quelques nm sur une plage de 100 pm. L a camera
CCD est utilise pour reprer la plage analyse. Pour obtenir une image 3D, on
balaye la surface en X et Y en la dplaant devant lobjectif laide dune table
motorise.
Les performances de ces appareils sont essentiellement tributaires de la qualit du systme de mesure de dplacement de la lentille.
Microscopie confocale
Sur la figure 5.8 ( gauche) on voit quun trs petit diaphragme (pinhole)plac a u
foyer dune lentille arrte tous les rayons provenant dobjets ne se trouvant pas
dans le plan de mise a u point.
On peut appliquer ce principe la ralisation dun microscope ne pouvant
observer que les objets situs dans ce plan de mise a u point : microscope confocal. En dplaant ce plan on obtient une information sur la rugosit de la surface, couche par couche.
Sur la partie droite de la figure, on a u n exemple de mise en uvre. L a source
de lumire est u n laser, le dtecteur est u n photomultiplicateur prcd de filtres,
permettant de slectionner une seule longueur donde de travail pour le laser.
Pour faire varier la mise a u point, on peut utiliser u n moteur semblable celui de
la figure 5.7 ou u n moteur pizo (dplacement de la lentille ou dplacement
( 3 ) Blouet J., Cretigny J.F. et Flamand L., Microgomtrie et Rugosimtrie dans Mthodes
usuelles de caractrisation des surfaces, D. David et R. Caplain, Eds. (Eyrolles, 19881,
pp. 270-289.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
172
C a r n r D
clairage
Sparateur
de faisceau
Dio
Fig. 5.7. Mesure de rugosit par focalisation dynamique, daprs document UBM-OPTILAS.
de lobjet). Pour raliser le balayage, on peut utiliser une table X Y pour dplacer
lobjet ou, comme sur la figure, u n << scanner >) miroirs mobiles pour agir sur le
spot ; les miroirs sont monts sur des cadres de galvanomtres.
Une variante intressante consiste faire appel une optique dans laquelle
on a volontairement introduit des aberrations chromatiques et utiliser u n
clairage en lumire blanche. Comme pour chaque longueur donde, on a une
image nette (plage de mesure jusqu 900 pm), on remplace le moteur de focalisation et le photomultiplicateur par u n analyseur chromatique barette de photodiodes permettant ainsi daccder une vraie mesure optique car il ny a plus
aucune pice en mouvement dans le capteur. L a figure 5.9 donne u n exemple
dacquisition avec ce type de dispositif.
L a rsolution verticale est infrieure 10 nm et la cadence dacquisition des
mesures est de 1 O 0 0 points/s, ce qui surpasse dj les mesures tactiles.
CHAPITRE
5 - MTHODES
D'ANALYSE DE L'INGNIEURDES SURFACES
173
tDiaphragme
Focalisation
4:;
\'
i'
Fig. 5.8. gauche, principe de la microscopie confocale ; a droite, exemple de mise en uvre
pour la mesure de rugosit.
Microscopies interfrentielles
Rappelons brivement le principe de l'interfromtre de M i ~ h e l s o n ' ~Consid).
rons deux miroirs perpendiculaires, M, et M,, et une lame sparatrice, G , place
45" (Fig. 5.10).
Un rayon lumineux, monochromatique, issu de S et se rendant en M va parcourir les deux trajets SOA,OM et SOA,OM : en M ces deux rayons prsentent
une diffrence de marche, A , gale 2 e . Sip est u n entier et il la longueur d'onde
de la lumire, on observe u n maximum d'intensit pour :
A =pa
(5.1)
(4) Franon M., L'optique moderne et ses dveloppements depuis l'apparition du laser
(Hachette-CNRS, 1986),pp. 30-36.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
174
Fig. 5.9. Exemple dacquisition, avec un dispositif confocal a analyse chromatique, sur une tle de
carrosserie automobile pour laquelle les cylindres de skin-pass ont subi un grenaillage laser cf. figure 2.4 (document STIL).
et un minimum nul pour
A = ( 2 p +l)(5.2)
2
en dplaant le miroir M, de de on observe deux maximums conscutifs pour :
A
de = 2
(5.3)
en admettant quon sait raisonnablement mesurer 1/ 100e de lintervalle entre

deux franges on trouve, dans le visible, une rsolution de quelques nm.
Si le miroir M, est << plan D on observe des franges parallles et sil est
<< ondul >> on observe les interfrences de la figure 5. lob. En clairant en lumire
blanche, on observera des franges << colores >> (Fig. 5 . 1 0 ~ ) .
L a figure 5.1 1 montre trois montages qui peuvent tre utiliss en microscopie
interfrentielle.
Le montage de Michelson ncessite de placer le prisme de sparation devant
lobjectif qui doit avoir une grande distance frontale (ce qui limite le grossissement possible). Le problme est rsolu avec le montage de Linnik qui permet
daccder aux plus forts grossissements avec des objectifs grande ouverture
numrique : en revanche, il faut deux objectifs appairs. Le montage de Mirau,
avec u n seul objectif, est u n bon compromis car le sparateur de faisceau est
moins encombrant que le prisme, par contre la perte de lumire a u centre est
gnante aux faibles grossissements.
travers u n microscope interfrentiel, fonctionnant en clairage monochromatique, on observe (par exemple, avec une camra CCD) des franges dinterfrences
CHAPITRE
5 - MTHODESDANALYSE DE
175
LINGNIEURDES SURFACES
M.
Fig. 5.10. Interfromtre de Michelson : (a) principe, (b) franges en lumire monochromatique,
(c) franges en lumire blanche.
Michelson
Linnik
de faisceau
Mirau
Fig. 5.11. Les trois montages fondamentaux de la microscopie interfrentielle.
qui correspondent laltitude de lobjet et son relief : cest la technique du saut

de phase utilisable avec de faibles reliefs (chantillons polis). En clairant en
lumire blanche, on obtient u n << paquet >> de franges dont le maximum se dplace
en fonction de laltitude de lobjet et peut tre dtermin avec prcision (Fig. 5.12) :
technique du glissement de franges. Linterfromtrie saut de phase acquiert le
champ complet, linterfromtrie glissement de franges ncessite une reconstruction de limage.
Les microscopes a glissement de franges comportent u n objectif interfromtrique fonctionnant selon lun des principes de la figure 5.10, une source de
lumire blanche, une camra CCD et u n porte-chantillon permettant un mouvement selon laxe z grce un moteur pizolectrique. On enregistre le rseau
de franges dans chaque plan focal ; u n calculateur dtermine la hauteur partir
de la position de lobjet et de la position des franges.
La rsolution verticale est de lordre de 1 nm.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
176
Intensit
I
l
I
I
Fig. 5.12. Principe de la mesure de laltitude par glissement de franges en lumire blanche.
Projection de franges
On projette s u r la surface des sries de franges parallles (Fig. 5.13) : ces franges
se dforment en fonction de la topographie de la surface. La camra CCD les
observe selon un angle (x par rapport la direction de projection et fournit les
donnes au calculateur qui reconstitue la surface.
Ce procd est applicable la microscopie mais aussi des dispositifs macroscopiques : amplitude danalyse verticale jusqu 5 mm avec une rsolution de
0,5 pm, plage de mesure latrale de 20 mm.
Source
lumineuse
mmrm
Camra CCD
Optique
danalyse
prolection
Fig. 5.13. Principe de la mesure de rugosit par projection de franges (daprs document
OMECA).
CHAPITRE
5 - MTHODES
177
DANALYSE DE LINGNIEURDES SURFACES
chelles de gris
On projette sur la surface une succession de trames de tailles dcroissantes

(Fig. 5.14) : lanalyse des images permet de dterminer laltitude de chaque point
et de la coder entre O et 255 s u r une chelle de gris.
La rsolution de ces deux dernires mthodes est limite par celle de la
camra CCD (par exemple 486 x 572 pixels) et se trouve de ce fait rduite a u fur
et mesure quon augmente la taille de lobjet. Elle est convenable pour la
mesure de la rugosit des routes ou de la peau (voir Figs. 2.1 et 2.2).
Projecteur
<<
Codes
de gris
Fig. 5.14. Principe de la mesure de rugosit par la technique des chelles de gris (daprs document OMECA).
2.1.4. Microscopies en champ proche

Les microscopies en champ proche (AFM, S T M ) sont prsentes dans ce chapitre, section 2.3 ; elles permettent dobtenir des analyses 3D des rugosits avec
une excellente rsolution verticale. L a figure 5.15 en montre u n exemple.
2. I .5. Reprsentativitdes diffrentes mthodes

Chaque mthode de mesure fait appel u n effet physique particulier : contact
mcanique entre surfaces pour les mthodes tactiles, interaction lumirematire pour les mthodes optiques, interaction avec les forces atomiques pour
1AFM. I1 est clair que tout ce qui se mesure en matire de rugosit nest pas la
rugosit mais le rsultat dune interaction entre la sonde >) de mesure et la surface : cette interaction est-elle reprsentative ? Par ailleurs, il faut sassurer que
la mesure ne modifie pas la surface mesurer : que devient la rugosit du papier
avec u n profilomtre tactile ?
L a richesse des informations fournies par les figures 5.9 et 5.15 pourrait les
rendre suspectes mais lexamen attentif de la figure 5.15 fait apparatre une
((
178
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
-10,o
Fig. 5.15. Analyse par AFM de la rugosit dun tube de gnrateur de vapeur de centrale PWR
(H. Joubert, IPCMS-GSI).
texture caractristique du procd de mise en uvre. Quant la figure 5.9, il

suffit de la reprsenter en fausses couleurs pour sapercevoir quon na pas
mesur du bruit mais les impacts caractristiques du traitement laser des
cylindres de skin-pass utiliss lors du laminage de la tle (Fig. 5.16).
Fig. 5.16. Reprsentation en fausses couleurs de la figure 5.9 (zone 500 x 500 pm) : tle lamine
avec des cylindres de skin-pass ayant subi un traitement laser (cf. Fig. 2.4).
CHAPITRE
5 - MTHODESDANALYSE
DE LINGNIEURDES SURFACES
179
Les mthodes optiques connaissent u n dveloppement important d la facilit

et la rapidit de mise en uvre. I1 est vraisemblable que toutes les mthodes ne
sont pas applicables tous les matriaux et toutes les configurations. Par
exemple, sur une surface mtallique, la lumire subit son propre dphasage
(rflexion spculaire, couches doxydes.. .) qui peut fausser les mesures interfromtriques et gnrer des u dfauts daltitude >> alors que linterfromtrie est une bonne
mthode avec dautres matriaux. Lemploi d u n e lumire blanche, incohrente,
permet de saffranchir de la granularite (speckle) des faisceaux laser qui peut tre
gnante dans certains cas (en microscopie confocale en lumire blanche on peut
mesurer des pentes de surface suprieures I 40 contre I 15 avec un laser).
Les mthodes tactiles bnficient de leur implantation industrielle conforte
par de nombreuses normes : les mthodes optiques se dvelopperont ds que
des normes, bases s u r des essais croiss entre laboratoires, prciseront les
moyens permettant de contrler les performances de chaque procd dans des
conditions demploi prcises.
2.2.
Microscopie lectronique a balayage - MEB
L a microscopie lectronique balayage (scanning electron microscopy : S E M ) permet dobtenir des images des surfaces de la plupart des matriaux solides. Le grandissement peut aller de celui de la loupe ( x 10) celui de microscopes lectroniques
transmission fonctionnant basse nergie (100 keV). Outre sa bonne ampleur de
grandissement, la microscopie balayage a la particularit doffrir une trs grande
profondeur de champ (plusieurs centaines de micromtres). En revanche, la
mesure absolue des dimensions dans le sens de la hauteur nest pas possible.
2.2.I. Principe
Un faisceau primaire dlectrons de diamtre compris entre 5 et 20 nm et dnergie allant de quelques keV 50 keV est focalis s u r u n chantillon. Ce faisceau
est balay s u r la surface tudier par u n systme de dflexion (Fig. 5.17).
Les lectrons mis par lchantillon sont dtects par u n scintillateur coupl
un photomultiplicateur. Le signal obtenu est amplifi et sert moduler lintensit du faisceau dun oscilloscope dont le balayage est synchrone avec celui du
faisceau primaire. chaque point de la zone balaye sur lchantillon correspond
donc u n point s u r lcran de visualisation. Le grandissement sobtient en changeant les dimensions de la zone balaye. Le contraste de limage observe provient pour lessentiel des diffrences de relief qui existent sur lchantillon. Trois
composantes entrent en jeu :
1. leffet de linclinaison de la surface par rapport au faisceau incident,
2. leffet dombrage : le dtecteur, mont latralement s u r le microscope, est
dans une position telle que toutes les parties de lchantillon ne le << voient >>
pas sous la mme incidence,
3 . leffet de pointe : lmission secondaire est plus intense sur des pointes ou sur
des artes fines.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
180
-4
Chauf. fil.
Filament
Anode
Alimentation
haute tension
540kV
Condenseur 1
de balayage
Condenseur 2
Bobines de
balayage
Vers pompe
a vide
Fig. 5.17. Principe du microscope lectronique a balayage.
2.2.2. Modes de fonctionnement

Dans linteraction lectron-matire, on tire profit soit des lectrons secondaires
(cest lutilisation la plus courante), soit des lectrons diffuss lastiquement,
soit des rayons X pour faire non plus de lanalyse morphologique mais de lanalyse chimique (Fig. 5.18).
Limage en lectrons secondaires est caractrise par une trs bonne dfinition. L a rsolution latrale va de 5 25 nm selon les appareils. Le grandissement
est le plus gnralement compris entre x 20 O00 et x 50 000. Les images obtenues partir des lectrons lastiques (rtrodiffuss) ont une moins bonne rsolution, de lordre de O, 1 ,urn et sont moins utilises. Cependant, si on remplace le
scintillateur par u n dtecteur semi-conducteur capable dune certaine discrimination en nergie des lectrons rtrodiffuss, on peut avoir des images o le
contraste crot avec le numro atomique des atomes constitutifs de la cible. Un
lment lourd donnera u n signal intense et apparatra en clair s u r limage alors
CHAPITRE
5 - MTHODESDANALYSE
DE LINGNIEUR
DES SURFACES
181
quun lment lger donnant u n signal faible sera en sombre sur lcran. Dans ce
cas, u n chantillon poli est le plus adquat pour identifier a u mieux la source du
contraste, mais son emploi fait perdre lavantage de lanalyse topographique.
Faisceau incident E,
-----------
Fig. 5.18. Interactions lectron-matire utilisables en microscopie lectronique.
2.2.3. Preparation des chantillons

Un des grands avantages du MEB est que la taille des chantillons peut aller de
quelques micromtres cubes quelques centimtres cubes : la plupart du temps
on pourra donc tudier des chantillons bruts de provenance ou trs reprsentatifs du matriau analyser. En mtallurgie, u n polissage chimique pralable permet souvent de faire ressortir certaines structures, par exemple les joints de
grains. Dans tous les cas, pour pouvoir faire de bonnes images il convient de
sassurer que trois conditions sont respectes :
1 . conductibilit lectrique superficielle - il faut pouvoir couler les charges
superficielles qui perturbent lmission secondaire et dforment limage. Si on
doit travailler avec des isolants, il faut a u pralable vaporer sur lchantillon
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
182
une fine couche conductrice dor, de carbone ou dun alliage Au-Pd. Des
paisseurs allant de 10 30 nm suffisent pour assurer un bon coulement
des charges ;
2. tenue au faisceau dlectrons - la majeure partie de lnergie primaire du faisceau est dissipe sous forme de chaleur dans lchantillon, ce qui peut entraner dgradation ou fusion locale. Ce sera le risque avec les polymres ou les
chantillons biologiques. Dans ce cas, il faudra travailler avec de faibles tensions primaires, de lordre de 5 kV. Quelquefois, les chantillons amorphes
tendront recristalliser sous le faisceau, induisant une modification locale de
la morphologie ;
3 . tenue a u vide - pendant longtemps les chantillons biologiques devaient tre
tudis aprs dshydratation. Rcemment sont apparus des microscopes
balayage dits << environnementaux qui permettent dobserver de tels chantillons. La rsolution est moins bonne mais cela est compens par lobservation dun objet rel. La figure 5.19 montre un exemple dutilisation dun tel
appareil.
))
Fig. 5.19. Observation de la surface dun os a laide dun microscope environnemental.

Lchantillon na subi aucune prparation ni tuvage pralables ; limage en lectrons secondaires
est ralise sous une pression partielle de 600 Pa de vapeur deau. Les conditions dobservation se
prtent bien la ralisation de cartes de rpartition des lments chimiques a laide dun dtecteur
Si(Li) (Document aimablement communiqu par J. Drr - cole des Mines de Douai).
CHAPITRE
2.3.
5 - MTHODESDANALYSE
183
Microscopies en champ proche
Dans les microscopies en champ proche, on sonde essentiellement la rponse de

la rugosit de la surface un champ de force a u moyen dune pointe qui balaye
la surface(5).Lamplitude latrale du balayage peut aller de quelques nanomtres
plusieurs centaines de micromtres. Les microscopies en champ proche permettent des rsolutions spatiales latrales trs leves, meilleures que le nanomtre. La rsolution en hauteur qui peut atteindre le centime de nanomtre est
encore meilleure. Par ailleurs, les microscopies en champ proche sont non destructives. Elles peuvent sonder tous les matriaux et peuvent tre appliques
dans divers environnements (atmosphres contrles ou non, liquides, vide). I1
existe plusieurs sortes de microscopies en champ proche qui diffrent selon la
nature d u champ qui est mesur.
STM : microscopie a effet tunnel (scanning tunneling microscopy). On teste
u n champ lectrique entre la pointe et lchantillon qui doit tre conducteur :
AFM : microscopie a force atomique (atomicforce microscopy). On sonde
u n champ de forces transmis levier avec u n montage dit en cantilever. Elle
sapplique tous les matriaux :
MFM : microscopie a force magntique (magneticforce microscopy). On
observe des variations de champ magntique ;
SNOM : microscopie a champ proche optique (scanning nearfield optical
microscopy). On observe le champ dondes vanescentes entre une fibre
optique et un chantillon transparent.
Pour des raisons essentiellement pratiques nous traiterons assez brivement
le STM qui, historiquement, a t la premire mthode de champ proche et plus
en dtail IAFM qui est certainement une mthode qui se dveloppera beaucoup
prochainement pour ltude de la morphologie des surfaces lchelle submicronique. Les autres microscopies seront laisses de ct car elles napportent pas
de rsultats marquants dans le domaine de lingnierie des surfaces.
2.3.1. Microscopie a effet tunnel - STM

Si on approche une pointe mtallique trs fine suffisamment prs dune surface
conductrice (cest--dire une distance de lordre du nanomtre) et quon
applique une diffrence de potentiel comprise entre 1 mV et quelques volts, des
lectrons peuvent passer par effet tunnel entre un atome de la pointe et un
atome de la surface sous investigation suivant les principes dcrits dans le chapitre prcdent.
Le courant cr, typiquement compris entre O, 1 nA et 10 nA, varie en fonction
de la distance selon une loi exponentielle. Par exemple, une variation de distance
(5) Wiesendanger R., Scanning probe microscopy and spectroscopy. Methods and applications (Springer, Berlin, 1994).
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
184
de 0.1 nm peut provoquer une variation de courant dun facteur 10 si on

applique lquation donne la fin du prcdent chapitre. La figure 5.20 montre
u n schma de principe de la microscopie effet tunnel. Les dplacements prcis
de la pointe par rapport lchantillon sont contrls a u moyen dune srie de
cales pizolectriques.
e-
Fig. 5.20. Schema de principe dun microscope effet tunnel (STM).
I1 existe plusieurs modes de fonctionnement du STM : le mode courant

constant, le mode courant variable et le mode spectroscopique.
Dans le mode a courant constant, une boucle dasservissement permet de
maintenir le courant une valeur de consigne, ce qui correspond imposer le
courant tunnel et donc la distance entre pointe et chantillon. Ce mode schmatis sur la figure 5.21a est utilis pour des chantillons prsentant des rugosits importantes ou si lon veut balayer des aires tendues (suprieures
10 x 10 nm2).
En revanche, lorsquon veut tudier de faibles variations de hauteur ou des
aires beaucoup plus petites, on travaille a courant variable (Fig. 5.21b). On
rduit le rle de la boucle dasservissement et on dplace la pointe hauteur
constante. Les variations de courant traduisent alors des variations de distance
pointe-chantillon. Cest dans ce mode quon peut envisager des rsolutions atomiques ou molculaires.
Le mode spectroscopique nest plus une analyse topographique. Le courant
tunnel i est mesur en fonction de la diffrence de potentiel V applique entre la
pointe et lchantillon. I1 permet de mettre en vidence des variations de nature
chimique des lments de la surface mais sans pouvoir faire leur identification. I1
permet aussi de tester en rsolution atomique les densits dtats lectroniques
de surface. Malgr quelques travaux effectus lair (Fig. 1.16 : terrasses dor)
ou sous atmosphre contrle, notamment en milieu lectrochimique, lutilisation du STM suppose le recours lultravide. Par ailleurs, ltude des isolants
nest videmment pas possible. Cest pourquoi on prfre souvent utiliser une
variante qui permet de travailler lair ou en atmosphre contrle sur toutes
sortes de surfaces : 1AFM.
CHAPITRE
5 - MTHODES
185
Fig. 5.21. Modes topographiques : (a) a courant constant ; (b) a courant variable
2.3.2. Microscopie a force atomique -AFM

Au lieu de tester des champs lectriques, on mesure des variations de forces
dinteraction entre une pointe et une surface. Ces forces peuvent tre de plusieurs types : interaction diple-diple entre les molcules diple permanent
ou induit (forces de Van der Waals), forces lectrostatiques ou magntiques,
forces capillaires. Dans le chapitre prcdent, nous avons introduit la notion de
forces molculaires au voisinage des surfaces et nous avons vu que les forces
exerces entre deux surfaces gomtriques dpendaient de la configuration gomtrique de ces deux surfaces. Ces forces sont en gnral en 1Idn dans la partie
rpulsive comme on la vu (Tabl. 4.W). L a pointe est en gnral en silicium, en
diamant ou en nitrure de silicium. Elle est fixe lextrmit dun levier (montage
en cantilever) de faible constante de raideur ( 0 , O l 10 N.m-) qui transmet la
force exerce entre la pointe et la surface (Fig. 5.22).
Fig. 5.22. Principe de fonctionnement de IAFM.
Lensemble est balay de la mme manire quen STM. La dflexion du cantilever permet de mesurer les forces entre pointe et surface qui sont de lordre de
N grce la dviation dun faisceau laser rflchi sur une partie

mtallise du cantilever et mesur par une diode quadrants. L a forme de la
pointe conduit aux mmes effets que ceux dcrits sur la figure 5.6.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
186
Travail en mode contact

I1 existe plusieurs modes de travail, trs semblables ceux utiliss en STM. On
parle de << mode contact N quand les forces sont mesures dans le rgime << rpulsif B courte distance. Le premier mode se fait force constante (Fig. 5.23a) : on
mesure les variations de la tension applique la cramique pizolectrique
pour maintenir constante la dflexion du cantilever grce une boucle dasservissement. Ce mode permet de travailler sur des surfaces trs rugueuses et avec
des balayages larges. Sur des surfaces planes ou pour des balayages de faible
amplitude, on prfre travailler force variable en diminuant le rle de la boucle
dasservissement et mesurer alors les variations de la dflexion du cantilever
(Fig. 5.23b).
Fig. 5.23. Mesure de la topographie en AFM : (a) a force constante ; (b) a force variable.
I1 existe un << mode spectroscopique >> o lon mesure la variation de la force

dinteraction entre la pointe et la surface en fonction de la distance pointechantillon. L a courbe F(z) (Fig. 5.24) prsente une hystrse qui provient de la
rsultante des forces microscopiques dune part (forces de Van der Waals attractives longue distance, forces de rpulsion ioniques courte distance) et des
forces macroscopiques dautre part (forces de capillarit et dadhsion).
F
Charge
Force attractive maximale

Contact
Z
Force dadhsion maximale

Fig. 5.24. Variation de la force entre pointe et surface en fonction de la distancez.
CHAPITRE
5 - MTHODESDANALYSE
187
Ce mode permet dtudier les proprits mcaniques (frottement et adhsion),

les dformations lastiques et plastiques et les proprits dilectriques des surfaces.
On peut aussi travailler en force latrale : on mesure alors les forces de friction latrales avec une diode quatre quadrants.
Travail en mode non contact

En << mode contact D les forces de capillarit rsultant de la prsence dune
couche dadsorption fluide tendent maintenir la pointe contre la surface. Dans
ce cas, on a tendance labourer la surface et linterprtation des images risque
dtre errone. Cest notamment le cas pour les matriaux mous, visqueux ou
humides. On doit alors travailler selon lun des deux << modes non contact >> possibles. Dans le premier, le mode resonant, on fait osciller le cantilever prs de s a
frquence de rsonance (une centaine de kHz) a u moyen d u n lment pizolectrique.
rs
Fig. 5.25. Schema du fonctionnement de IAFM en mode resonant.
Le gradient de force de Van der Waals modifie la constante de force du cantilever et donc sa rponse en frquence. L a mesure peut se faire soit en modulation damplitude, soit en modulation de frquence. En pratique, ce mode de fonctionnement suppose davoir la pointe situe entre 5 et 10 nm de la surface.
En-de de 5 nm, on risque de pntrer dans la couche adsorbe, au-del de
1 O nm, les forces de Van der Waals ne sont plus mesurables. Puisquon se trouve
relativement loign de la surface, la rsolution est moins bonne et il nest pas
possible denvisager de sparer des motifs molculaires.
I1 existe u n second mode dit tapotant (tapping)o la frquence applique s u r
le levier est beaucoup plus grande (plusieurs centaines de kHz). Dans ce cas, la
pointe touche la surface lorsquelle est son maximum dlongation, mais
comme lamplitude du mouvement est grande les forces de rappel sont suffisamment fortes pour lutter contre lattraction capillaire. En mode tapotant, on peut
obtenir des rsolutions aussi bonnes quen mode contact, une trs bonne qualit
dimage et u n faible endommagement de lchantillon. videmment, une utilisation maladroite de lappareil peut conduire u n atterrissage trop violent de la
pointe s u r la surface avec comme rsultat la destruction de la pointe.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
188
3.
Caractrisation mcanique
3.1.
Mesures par nanoindentation
La figure 5.26 montre le principe dun nanoindenteur permettant la mesure

dynamique.
(c
Lock-in >>
Calculateur
Fig. 5.26. Principe dun nanoindenteur (daprs Nanoinstruments Inc).
Lchantillon est plac sur une table mobile qui permet de slectionner la
zone a indenter (un grain mtallique par exemple) en lamenant sous lobjectif
dune camra vido. Lamplificateur a boucle verrouille en phase (lock-in)permet le traitement de la modulation du signal de dplacement dans le cas de la
nanoindentation dynamique (voir Sect. 3.2.4 du Chap. 2).
Il existe dautres ralisations faisant appel des solutions techniques diffrentes : par exemple, on peut utiliser un dispositif lectrostatique pour appliquer
la force dindentation@.
(6) Dargenton J.C. et Woirgard J., Description dun nanoindenteur a force lectrostatique,
J . Phys. IIIFrance 6 (1996) 1247-1260.
CHAPITRE
5 - MTHODES
DANALYSE DE LINGNIEUR
DES SURFACES
189
Le programme du calculateur assure la commande de linstrument et le traitement des signaux ; il ralise deux fonctions trs importantes :
compenser la drive thermique,
dtecter le moment o lindenteur touche la surface.
La figure 5.27 reprsente des courbes de chargement-dchargement obtenues
sur diffrents matriaux lastiques et lastoplastiques laide de lappareil de la
figure 5.26 fonctionnant en mode non modul.
2 12
E
A Acier 316L
O
TAGV
Silice fondue
a
A
50
100
150
200
250
300
350
4 O
Dplacement (nm)
Fig. 5.27. Diagrammes de chargement-dchargement obtenus sur de la silice fondue (comportement lastique), sur lalliage de titane TA6V et sur lacier inoxydable austnitique 316L.
L a figure 5.28 montre lintrt de la nanoindentation pour tudier leffet de

certains traitements de surface comme limplantation ionique haute nergie
dions azote (10ls at.cm-2) dans de lacier inoxydable 316L. On met en vidence
lcrouissage cr lors du polissage de lchantillon et laugmentation de duret
due limplantation ; on observe gaiement leffet dun recuit qui provoque la
formation de nitrures.
La figure 5.29 montre lapplication de la nanoindentation (en mode dynamique) la caractrisation de couches minces daluminium dposes sur du
verre. On observe u n cc plateau >> de duret dont la longueur est lie lpaisseur
des couches ; laugmentation de duret sur les premiers 10-30 nm correspond
loxydation des couches (formation dalumine).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
190
m 12
a
e.
Aprs implantation puis recuit a 425 OC pendant une heure
2 1 0 .
86.
42 -
Polissage mcanique diamant 3 pm
O
O
100
300
200
400
600
500
700
900
800
Profondeur analyse (nm)
Fig. 5.28. Analyse par nanoindentation dun chantillon dacier inoxydable 316L implant, haute
nergie, avec 10l8at.cm- dazote (H. Pelletier, ENSAIS-LMCM).
-m
a
e.
.$!?5
L3
n
4
0 1
10
I I I I
1O0
I , , , ,
1 O00
Pntration (nm)
Fig. 5.29. Nanoindentation dynamique de couches minces daluminium dposes sur du verre
(document INSTRUMAT).
CHAPITRE
5 - MTHODES
3.2.
DANALYSEDE LINGNIEURDES SURFACES
191
Mesure des contraintes superficielles
Dans le chapitre 2, nous avons indiqu quil existe trois ordres de contraintes dans
les matriaux cristallins :
les contraintes du premier ordre, ou macrocontraintes notes or,qui affectent plusieurs grains du mtal et correspondent une valeur moyenne pour
ces grains ;
les contraintes du deuxime ordre, ou microcontraintes homognes notes
orl,qui correspondent aux contraintes moyennes pour chaque grain :
les contraintes du troisime ordre, ou microcontraintes htrognes notes
drr,
qui correspondent aux fluctuations lintrieur des grains.
Trois familles de mthodes distinctes servent mesurer les contraintes
superficielles :
la relaxation mcanique : en enlevant de la matire sur une pice possdant
des contraintes superficielles, on rompt lquilibre de ces contraintes : cet quilibre se rtablit au prix d u n e nouvelle rpartition des contraintes qui engendre
des dformations des parties non modifies. On mesure ces dformations
laide de jauges de dformation, de vernis craquelants ou directement (flche
dun barreau par exemple). Ces mthodes sont connues sous diffrentes
variantes : mthode de Sachs, mthode de la flche, mthode du trou ...
la deformation homogne du reseau cristallin : on mesure, par diffraction
de rayons X ou de neutrons, la variation des paramtres du rseau afin d e n
dduire les contraintes par application des lois de llasticit ;
les effets physiques : les contraintes peuvent modifier certaines proprits
physiques des matriaux.
Le tableau 5.111 rsume les principales mthodes de mesure(7J.
Dans ce qui suit, nous nous limiterons aux mthodes de mesure bases sur
lemploi des rayons XI8) (12).
(7) Macherauch E. et Kloos K.H., Residual stresses in science and technology, E. Macherauch
et V. Hauk, Eds. (DGM, 1987),pp. 3-26.
(8) Castex L., Lebrun J.L., Maeder G. et Sprauel J.M., Mesures de contraintes rsiduelles
par diffraction X, Pub. Sci. Tech. 22 (ENSAM, Paris, 1981).
(9) Saint-tienne A., Lecroisey F. et Miege B., La mesure des contraintes rsiduelles,
mthode de dtermination par rayons X, Mrn. Tech. CETIM 33 (1978).
(10) Maeder G. et Lebrun J.L., Mesures de contraintes, Mthodes usuelles de caractrisation des surfaces, D. David et R. Caplain, Eds. (Eyrolles, Paris, 19881, pp. 251-269.
( i l ) Broll N. et Krier J., Mthodes auances en dlfraction X , applications industrielles
(Formation continue ENSAIS-ULP, 1996).
(12) Analyse d e s contraintes rsiduelles par dflraction d e s rayons X et des neutrons,
Colloque de mtallurgie, Saclay, 7 avril 1994, A. Lodini et M. Perrin, Eds. (dition CEA,
Saclay, 1996).
CHAPITRE
5 - MTHODES
Compteur
193
Filtre
tournant mi-vitesse
Tube RX
Fig. 5.30. Goniomtre 820 utilise pour la diffraction dite des poudres.
Si la loi de Bragg est vrifie pour une famille de plans {hkf} quidistants de
do, on remarque que seuls les plans parallles la surface (cristaux A et B) peuvent donner lieu une diffraction. Pour observer cette diffraction sur le cristal C,
il faut tourner le matriau d u n angle y ; en faisant varier y on peut amener tous
les cristaux de la surface ou de son voisinage dans les conditions de Bragg.
Les contraintes superficielles modifient les distances interrticulaires (loi de

Hooke) ; cette modification, qui dpend de lorientation des cristaux par rapport
la surface, se traduit par un dcalage du pic de diffraction (Fig. 5.32).
En faisant varier y on mesure d,,, sur des cristaux plus ou moins contraints
et on peut facilement comprendre quil est possible de dduire les contraintes de
la variation de d,,, en fonction de y. La distance interrticulaire est la jauge de
mesure des dformations. La mesure nest possible que si le matriau diffracte
correctement : petits grains orients alatoirement (absence de texture, anneaux
de diffraction non ponctus).
Fig. 5.31. Surface non contrainte
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
194
20
o
t20
Fig. 5.32. Surface contrainte (dformation homogne).
Les microcontraintes correspondent a une rpartition non uniforme des

contraintes et provoquent des dformations locales des cristaux (Fig. 5 . 3 3 ) .
Chaque grain est quivalent une juxtaposition de petits domaines de cohrence
ou cristallites. La raie de diffraction globale est largie par les contributions de
tous ces cristallites ; partir de la largeur des raies de diffraction, on peut calculer les microcontraintes.
Pour mettre en uvre la mesure des contraintes laide des rayons X, il faut
bien choisir :
la longueur donde,
les plans cristallins.
ri_= ri
Pic de diffraction
Fig. 5.33. Effet dune deformation non homogne.
CHAPITRE
5 - MTHODES
D'ANALYSE DE L'INGNIEUR DES SURFACES
195
Longueur d'onde du rayonnement : on utilise u n rayonnement de longueur

d'onde suffisante pour ne pas exciter la fluorescence du matriau qui introduirait u n fond parasite prohibitif.
Par exemple, pour mesurer les contraintes sur le fer (A,,,
= O, 1937 nm) il est
prfrable d'utiliser un tube anode de chrome (AcrK, = 0,2291 nm) et non un
tube anode de cuivre (AcuKa = O, 1542 nm).
Plans de diffraction : en diffrentiant la loi de Bragg on a :
Ad s i n 8 + d cos0A0 = O
1 Ad
A0 =
cotg0 d
(5.5)
ou, tant donn que pour u n angle 8 le pic est 20 :

2 Ad - -- 2 &
cotg0 d
cotg0
d -do
420 =
&=
(5.6)
do
Pour obtenir le maximum de sensibilit, on doit utiliser les plans qui correspondent une diffraction aux grands angles. Par exemple, pour le fer l'tat ferritique, on peut utiliser le plan (211) qui correspond, pour la radiation K a du
chrome, un angle 20 de 156,20".
3.2.2. Determination des contraintes principales

La figure 5.34 reprsente les ellipsodes des contraintes et des dformations a la
surface d'un matriau.
F-_'surface
A
Fig. 5.34. Contraintes et deformations en surface.
-..'.
/
non contrainte
Surface contrainte
196
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Les lois de lquilibre imposent o3 = O en surface ; la loi de Hooke gnralise

devient :
1
El = L[O1
E
- V ( 0 2 + O 3 ) ] = -(O,
E
-V02)
(5.7)
E2 = -1
[O2
+ O 3 ) ] = -(O2
1
-V(O1
-vol)
(5.8)
E3 = - [10 3 - v ( c 7 , + 0 2 ) ] = - - ( O l +V0 2 )
L a dformation
(5.9)
sexprime, en fonction des dformations principales, par
+ai&3
= a t & ,+a$&2
a,, a2, a3 sont les cosinus directeurs
(5.10)
a , = sinvcos@
a 2 = sinvsinqi
a 3 = cos4
de mme :
o9 = at.,
+a2 = o1cos2 @+O, sin2 @
(5.11)
partir des quations prcdentes on peut tablir la relation fondamentale entre

contraintes et dformations, appele loi des sin2v(z3 + E ~ : )
=-O
l+v
s i n 2 y - - (Va , + 0 2 ) = - o l + v
sin2v-El
E
E
@
cest lquation dune droite dans le plan

O@ =
pour t
y = O on mesure d, do
- &J-
E$,,,,
(5.12)
sin2yl(Fig.5.36).
E
1
1+ v sin2 iy
(5.13)
(5.14)
Fig. 5.35. Definition de d, et d,.
CHAPITRE
5 - MTHODES
197
Fig. 5.36. Droite des sin2ty.
de mme
(5.15)
On peut crire
(5.16)
a partir de (5.14)et (5.11),on a

O
d,,-di
d,
E 1
-
l+vsin2ty
(5.17)
partir de la relation (5.17)on peut dterminer les contraintes principales o1 et

O ,dans le plan de la surface ; la relation (5.11)montre quil y a trois inconnues
ol,oz et 4 : il faut effectuer 3 mesures dans des directions diffrentes mais on
prfre, en gnral, la mthode du sin2ty ; de (5.17)on dduit :
(5.18)
cest lquation d u n e droite, passant par lorigine, dans le plan

Cette droite et la prcdente conduisent la mme mesure (elles sont parallles) mais on saffranchit de la mesure de do en supposant que do = d,. L a grandeur mesurable la plus immdiate pour u n exprimentateur est le dcalage A28
des raies de diffraction : daprs (5.6) on a :
(5.19)
Ad 1 A28 -dl
d
2 tg
d,
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
198
Fig 5.37. Autre forme de la droite des sin2y.
et (5.18) devient
A28 = 2
l+v
tge
E
O$ sin2
(5.20)
En pratique, on explore ty entre + 45" et - 45" en effectuant la mesure sur des

angles intermdiaires de manire vrifier la linarit en fonction de sin2ty. Cette
linarit n'est pas toujours obtenue.
4 A28
4 ~ 2 0
Fig. 5.38. Quelques cas de non linarit : (a), ddoublement de la loi des sin2y en raison d'une
multiaxialit des contraintes (y-splitting) (contraintes de cisaillement), (b), effet d'une orientation
prfrentielle (texture).
3.2.3. Mise en uvre des mesures

On peut mesurer les contraintes << sur le terrain >> ou en laboratoire :
sur le terrain, on utilise des appareils portables qu'on installe << autour B de la
pice mesurer. Cette mthode est la seule possible pour de trs grosses
CHAPITRE
5 - MTHODESDANALYSE
199
pices (turbines, gros engrenages) mais ncessite de prendre des mesures de

scurit vis--vis des rayonnements, adaptes chaque cas :
a u laboratoire, on utilise des diffractomtres universels qui permettent facilement de mesurer des contraintes sur des petites pices industrielles.
Deux configurations sont possibles :
le montage y pour lequel la mesure est effectue par rotation de la surface
autour dun axe situ dans le plan source-chantillon-dtecteur ;
le montage B pour lequel on effectue la mesure par rotation autour dun
axe perpendiculaire au plan source-chantillon-dtecteur.
B
~
I
I
I
3 MontageQ
I
Fig. 5.39. Montage iy (rotation autour de OA) et montage SZ (rotation autour de OB).
L a figure 5.40 donne le principe dun montage de mesure classique et la

figure 5.41 montre sa mise en uvre sur un goniomtre classique. On remarquera les dispositions prises par le constructeur pour permettre laccs aux plus
grands angles possibles.
Le dplacement en 28 est impos par un moteur pas pas, ce qui permet de
disposer de pics numriss. U n traitement informatique permet de dterminer
leur position prcise laide dalgorithmes bien adapts (par exemple : recherche
du maximum, recherche du centrode tel que le pic soit divis en deux aires
gales...). On peut viter la rotation en 28 en utilisant un compteur linaire couvrant un domaine angulaire suffisant pour enregistrer le pic en une opration.
Suivant la gomtrie de lappareil et la forme des raies, il est souvent nces; celles-ci
saire deffectuer les corrections LPA (Lorentz-polarisation-absorption)
ne sont ncessaires que lorsque le pic dpasse une largeur mi-hauteur de 5.
Le plus important est certainement de rgler correctement la position de lchantillon par rapport a u faisceau.
L a mesure des contraintes superficielles est une mthode non destructive.
Par contre, lorsquon dsire dterminer le profil de contraintes en profondeur, on
doit procder une srie de mesures aprs limination des couches superficielles successives par dissolution chimique. On retrouve le profil en crivant
que les contraintes mesures aprs enlvement de la couche prcdente sont la
200
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
somme des contraintes induites par cet enlvement et des contraintes preexistantes (celles qu'on veut dterminer). On trouvera un exemple d'application au
chapitre 7, section 1.
Fig. 5.40. Exemple de montage R.
Fig. 5.41. Mise en uvre du montage de la figure prcdente (ENSAIS-LMCM).
CHAPITRE
5 - MTHODES
20 1
3.2.4. Techniques avances

valuation des microcontraintes
Dans u n grain de mtal croui, le rarrangement des dislocations conduit la
formation dune mosaque de domaines de cohrence, de taille D . Chaque
domaine subit une dformation lastique E diffrente d u n domaine lautre,
lensemble des grains subit une dformation moyenne qui peut tre exprime par
la racine carre de la dformation quadratique moyenne, soit ( E ) Y. Llargissement des raies de diffraction rsulte de la superposition de deux phnomnes
la taille, D , des domaines et la variation des ci,,,
reprsente par
1/
(E).
I1 est important de sparer D et ( E ~ )qui permettent de remonter la valeur

moyenne de la densit de dislocation et au calcul de lnergie lastique emmagasine dans le matriau.
I1 existe diffrents modles permettant cette sparation comme celui de
Warren-Averbach bas s u r lanalyse de Fourier des profils de raies.
Problme des constantes dlasticit radiocristailographiques

Les constantes dlasticit radiocristallographiques (CER) sont les constantes
relatives a u rseau cristallin ; en effet, beaucoup de cristaux sont anisotropes et
on constate que les valeurs de E et v varient selon les directions cristallograet
afin de les distinguer des constantes
phiques. Les CER sont notes E{hk1b
macroscopiques E et v. Llasticit est anisotrope pour tous les mtaux : par
exemple dans le cas d u fer (x on a E{i00t= 132 GPa et E{1l i i = 260 GPa.
I1 est ncessaire de connatre ces constantes pour mesurer les contraintes
dans d e s m a t r i a u x c o m m e les c r a m i q u e s . O n l e s d t e r m i n e s u r d e s c h a n tillons monocristallins quon soumet des contraintes de flexion(3.
Contraintes dans les couches minces

Tous les revtements superficiels, quil sagisse de dpts lectrolytiques pais ou
de couches minces, introduisent des contraintes superficielles qui se rpercutent
sur les proprits de ces couches. L a gense de ces contraintes est directement
lie la technique de
Les techniques basse nergie (quelques eV),
comme lvaporation, provoquent des contraintes de traction alors que les techniques haute nergie (nergie suprieure plusieurs eV), comme lablation laser
(PLD), peuvent provoquer des contraintes de compression. Des contraintes leves peuvent tre obtenues avec des matriaux rfractaires comme le tantale(l51,
le tungstne ou le molybdne pour lesquels le module dlasticit est grand.
(13) Cifarelli T., Kampfe A., Eigenmann B. et Lohe D., Analyse des constantes dlasticit
radiocristallographiques et des contraintes rsiduelles dusinage des cramiques AIN par
diffraction des rayons X, J . Phys. N F r a n c e 8 (1998) Pr 5-125.
(14) Badawi K.F., dans la rfrence (12),pp. 233-248.
(15) Chekour L., Krier J., Halimi R. et Cornet A., Analyse de dpts PVD de tantale par diffraction X, J . Phys. NFrance 6 (1996)251-258.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
202
L a mesure des contraintes dans ces couches, par diffraction X, est possible,
malgr un certain nombre de difficults :
lintensit diffracte est faible et les pics sont larges,
les couches sont gnralement textures,
on connat mal les paramtres cristallins de ces couches et leurs constantes
dlasticit radiocristallographiques,
la contribution du substrat est importante et on a souvent des gradients de
contraintes.
L a mesure des contraintes dans les couches minces est un domaine en cours
de dveloppement ; on y fait appel des montages ty sous incidence rasante. On
peut aussi utiliser la diffraction dlectrons retrodiffuses ou EBSD (electron
backscattered dflraction).
4.
Caractrisation structurale
4.1.
Diffraction rasante et reflectometrie X
Au chapitre 4 (Sect. 1.2.4), nous avons prsent les proprits optiques des
rayons X et montr quil existe un angle critique de rflexion totale ac pour lequel
une grande partie du faisceau est rflchie alors que le reste est absorb dans
une couche parallle la surface (ac est de lordre de quelques dizimes de
degr). Cette couche a une trs faible paisseur, infrieure 10 nm (alors que la
pntration normale des rayons X usuels est de lordre dune dizaine de pm) ;
par diffraction et fluorescence (Chap. 4) on obtient des informations prcieuses
sur cette couche.
~l~~~~~~~~~~
Faisceaux rflchis
................ .
Onde
vanescente
Fig. 5.42. Diffraction et fluorescence X sous incidence rasante ; le rayonnement diffract est forme
de faisceaux parallles.
Comme nous lavons indiqu, on peut faire varier langle dincidence vers des
valeurs lgrement suprieures aC(au maximum dun rapport 2) et G explorer x
CHAPITRE
5 - MTHODES
203
des paisseurs plus importantes (200 300 nm) : cest une bonne mthode
dtude des systmes multicouches.
Lincidence rasante peut tre installe sur u n goniomtre standard ; la
figure 5.43 indique le schma du montage et la figure 5.44 en montre la mise en
uvre.
Foyer trait
Fentes de Soller
entes de Soller
rayons x
Fig. 5.43. Montage de diffractionX sous incidence rasante.
Fig. 5.44. Mise en uvre de la diffraction X rasante (ENSAIS-LMCM).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
204
La figure 5.45 montre les spectres de diffraction raliss sur u n systme multicouche(16).
TiN
__ Tap
-
__
50nm
20nm
Si polvcristallin
300 nm
Substrat monocristallin
---.
.-
s/ (100)
Fig. 5.45. Analyse d'un systme multicouches par diffraction X rasante.
L'intrt de la mthode apparat encore plus sur la figure 5.46 correspondant

du fer oxyd : en diffraction 8-28 on ne peut observer que le fer et sous une
incidence de 0,2" on n'a plus que l'oxyde. On a galement reprsent le spectre
2" qui ne correspond plus une incidence rasante mais qui permet, par l'allongement du parcours des rayons X, de mettre en vidence la prsence d'oxydes.
C'est une mthode complmentaire utile lorsque l'chantillon n'est pas assez
plan.
(16) Broll N., Diffraction en incidence rasante avec le diffractomtre D 500, Analusis 16 ( 6 )
(1988) 329-333.
CHAPITRE
5 - MTHODES
205
8-28
Il
Fe
Fig. 5.46. Mise en evidence d'une couche d'oxyde sur du fer (N. Broll, ENSAIS-LMCM).
On peut galement s'intresser a u rayonnement rflchi qui permet de mesurer l'paisseur de couches [et multicouches) d'oxydes (franges de Kiessig), dvaluer la rugosit des interfaces ou le mcanisme de croissance latrale des oxydes
(utilisation de la rflexion diffuse).
L a figure 5.47 montre l'application de la rflectomtrie l'tude de la cintique d'oxydation du feril7).
L a figure 5.48 montre la rflexion diffuse s u r u n chantillon industriel de
verre plat. L a mesure est effectue l'aide d'un diffractomtre X classique (voir
Figs. 5.49 et 5.50).
Les figures 5.49 et 5.50 montrent le principe du montage de rflectomtrie et
sa mise en uvre.
L a rflectomtrie X applique la rflexion spculaire ou la rflexion diffuse
connat des dveloppements nouveaux et de plus en plus d'applications ; les
techniques deviennent plus fines. Par exemple, par traitement du signal, on peut
diffrencier l'ordre de succession des couches d'un systme multicouche[l8).
(17) Knoll A., Smigiel E., Broll N. et Cornet A., tude de l'oxydation du fer a haute temperature l'aide de la rflectomtrie de rayons X, J. Phys. WFrunce 8 (1998) Pr 5-429.
(18) Smigiel E., Knoll A., Broll N. et Cornet A., Use of a windowed Fourier transform in the
study of grazing X-ray reflectometry, J. Phys. N F r u n c e 8 (1998) Pr 5-215.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
206
105
104
103
1O2
1O'
1O0
1O-'
10-2
10-3
10 4
0,O
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
Angle d'incidence (O)

Fig. 5.47. Suivi par rflectomtrie X de l'oxydation du fer en fonction du temps d'oxydation ;
chaque courbe permet de calculer l'paisseur de la couche d'oxyde pour une dure d'oxydation
variant entre 40 et 450 mn. II suffit de reporter ces paisseurs en fonction du temps pour dterminer
la loi d'oxydation dans les conditions de l'exprience.
Fig. 5.48. Spectre de rflexion diffuse obtenu sur un verre traite ; on remarque le pic de rflexion
spculaire encadre par des satellites (A. Knoll, ENSAIS-LMCM).
CHAPITRE
5 - MTHODES
207
Fentes de Soller
ivergence verticale
Fig. 5.49. Montage de rflectomtrie X ; ltude se faisant sur une grande plage dintensit, on
rduit le faisceau direct avec une lame rglable. Pour mesurer la rflexion spculaire, on utilise le
montage classique 8 2 8 ; pour la rflexion diffuse, on laisse 28 fixe et on fait varier 8 (rocking
((
>)
curve).
Fig. 5.50. Mise en uvre de la rflectomtrie X (ENSAIS-LMCM)
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
208
Les spectroscopies dabsorption (EXAFS - SEXAFS)
4.2.
4.2.1. Principes
LEXAFS ou sa version adapte lanalyse des surfaces et interfaces (SEXAFS)
est une mesure de la variation du coefficient dabsorption dun matriau. Aprs
un seuil dabsorption d u n matriau en phase condense, on peut observer des
oscillations de ce coefficient p , caractristiques de la structure locale du matriau (oscillations de Kronig). On peut trouver une description exhaustive de ces
spectroscopies dans louvrage de Koningsberger(lQI.Rsumons les points fondamentaux de ce type dexprience. On envoie un faisceau intense de rayons X
(anode tournante ou rayonnement synchrotron) sur un matriau et on mesure
a u moyen de dtecteurs appropris les intensits incidentes et transmises des
rayons X (Fig. 4.3). On constate que la partie oscillante du coefficient dabsorption sexprime selon une fonction dpendant de lnergie h v correspondant u n
vecteur donde k des photons :
(5.21)
On montre que, dans u n modle de diffusion simple, ces oscillations peuvent

tre dcrites par une formule o lon introduit les interfrences entre la fonction
donde du photolectron de latome c< absorbeur >> et celles des lectrons rtrodiffuss par les i atomes voisins cc diffuseurs >> distants de Ri de labsorbeur.
(k) ,-ZR,/%kI
e-Zk%,?
sin[2kRi + q i ( k ) ]
avec
:
N,
cos2 a\ , pour i # j
Ni* = 3
(5.22)
i =1
Les deux exponentielles sont des termes damortissement (dure de vie du photolectron donne par le libre parcours moyen ilet dsordre d lagitation thermique, O est le facteur de Debye-Waller). Le facteur A est lamplitude de rtrodiffusion et rp est u n dphasage introduit par les atomes absorbeurs et diffuseurs.
N i est reli a u nombre de voisins de labsorbeur via langle entre la direction des
liaisons chimiques et la polarisation de la lumire du faisceau incident a. Les
oscillations E M S contiennent donc des paramtres cristallographiques (R, O, N)
et des paramtres lectroniques (A, q, A).Avec u n certain nombre dapproximations, de spectres obtenus sur des matriaux talons et de modles, on trouve
les paramtres cristallographiques et on teste lordre local (les distances entre
premiers voisins) mme pour des matriaux amorphes. On trouvera un exemple
dapplication dans le chapitre 7, section 7.
(19) X-ray absorption. Principes, Applications, Techniques of EXAFS, SEXAFS, and M E S ,
D.C. Koningsberger et R. Prim, Eds. (John Wiley and Sons, New York, 1988).
CHAPITRE
LINGNIEUR DES SURFACES
209
4.2.2.LEXAFS de surface ou SEXAFS

En E M S , on enregistre le spectre en transmission pour obtenir les oscillations.
Mais si lon veut tudier un matriau en couche mince dpos sur u n substrat,
le signal en transmission ne sera pas caractristique de la surface. I1 faudra
trouver une grandeur mesurable proportionnelle a u coefficient dabsorption et
sensible uniquement aux quelques premiers nanomtres. On a vu a u chapitre 4
quaprs photomission il y avait une dsexcitation soit radiative (fluorescence),
soit non radiative (mission dlectrons Auger). une nergie de photon donne,
les intensits des transitions de dsexcitation (Auger ou fluorescence) seront
proportionnelles a u nombre de photolectrons et donc a u coefficient dabsorption. I1 sensuit trois faons de procder :
en rendement total dlectrons - on collecte tous les lectrons mis par la
cible (photolectrons, Auger, secondaires) laide de dynodes places en face
de lchantillon : cest le mode usuel ;
en rendement Auger - on fait une discrimination en nergie avec u n analyseur ; ce mode qui est plus sensible encore la surface est limit par la faiblesse du signal ;
en rendement de fluorescence dun atome de ladsorbat mesur avec une
diode Si(Li) travaillant en slection dnergie.
4.3.
Ellipsometrie
Lellipsomtrie est une mthode optique non destructive de mesure de lpaisseur et de lindice dun dpt. Elle est fonde sur linterprtation du changement
de la polarisation dun faisceau de lumire en interaction avec la surface d u n
matriau. En gnral, elle est pratique en rflexion et permet dtudier les modifications dune surface par rapport u n tat de rfrence. Si on travaille en
transmission, on peut analyser les proprits optiques du milieu travers mais
on ne parle plus dellipsomtrie. Cest le cas classique, quoique u n peu dsuet,
de la polarimtrie o on mesure aussi des variations de langle de polarisation de
la lumire lors de son passage dans des milieux optiquement actifs (analyse des
sucres). II existe une variante de Iellipsomtrie fonde sur leffet Kerr magntooptique o MOKE (magneto optic Kerr egect) : la polarisation de la lumire peut
tre modifie lors de la rflexion sur u n matriau magntique. 11 existe trois gomtries de leffet Kerr :
polaire, laimantation M (magnetization uector) est perpendiculaire lchantillon et est dans le plan dincidence,
longitudinale, laimantation est dans le plan de lchantillon et dans le plan
dincidence,
transverse, laimantation est dans le plan de lchantillon et perpendiculaire
a u plan dincidence.
Dans les deux premires configurations (polaire et longitudinale), une onde
lectromagntique polarise linairement arrivant s u r lchantillon se transforme
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
210
en une onde elliptique aprs rflexion sur le milieu aimant. On verra une application de leffet Kerr magnto-optique a u chapitre 7.
4.3.1. Polarisation
Une onde lectromagntique (lumire visible, rayonnement infra-rouge, rayons X.. .)
est caractrise par son amplitude, sa frquence (en relation avec son nergie, voir
Chap. 4, Sect. 1.1). sa direction de propagation et lorientation du vecteur u champ
lectrique B E (electricfield)appel aussi vecteur de Poynting. Le comportement temporel de lorientation de ce vecteur, observe d u n point donn situ sur laxe de propagation, dtermine ltat de polarisation qui peut tre reprsent par la courbe
dcrite par lextrmit du vecteur E.
Le plus souvent, la lumire est polarise elliptiquement et lellipse dcrite par
le vecteur << champ lectrique D sera dtermine :
par son plan dans lespace (plan de polarisation), le plus souvent normal la
direction de propagation de la lumire qui se trouve dans le plan dincidence,
par son orientation dans ce plan, donne par langle 8 que fait le grand axe de
lellipse avec une direction donne du plan quon peut choisir perpendiculaire
a u plan dincidence,
par son amplitude caractrise par la longueur du grand axe, a ,
par son ellipticit qui est le rapport entre les longueurs des axes de lellipse
e = b / a , si b est la longueur d u petit axe.
Lamplitude de la vibration elliptique sera la racine carre de lintensit lumineuse :
(5.23)
A = (a2 + b ~ ) l ~
L a polarisation sera dite linaire si lellipticit est nulle et circulaire si elle est
gale f 1. On obtient de la lumire polarise linairement en mettant u n polariseur sur le trajet du faisceau incident.
4.3.2. Ellipsomtrie en rflexion

Les quantits donnes par un ellipsomtre sont les angles ellipsomtriques y et
A qui sont relis au rapport des coefficients de rflexion de Fresnel Rp et R, pour
la lumire polarise Paralllement (pi ou perpendiculairement ( s )a u plan dincidence. Cette valeur est un nombre complexe r tel que :
(5.24)
r = R / R s = tgY exp(iA)
P
* Par convention, cette direction est dnomme s (de lallemand

parallle a u plan de polarisation tant p .
c<
senkrecht
D),
la direction
CHAPITRE
5 - MTHODESDANALYSE
21 1
P
A
<
a = grand axe
b = petit axe
Onde incidente
polarise elliptiquement
polarise elliptiquement
Fig. 5.51. Polarisation elliptique.
A est la diffrence de phase entre la composante de polarisation s et celle de pola-
risation p , et tgY est lattnuation entre les ondes s et p . Le couple cosA tgY est
caractristique de la fonction dilectrique de la couche dpose et de son paisseur. Ces quantits (COSA, tgul) sont obtenues directement sur u n ellipsomtre
mthode de zro que nous allons dcrire brivement bien que de moins en moins
dappareils fonctionnent sur ce principe. Par tradition, les appareils modernes gardent souvent des mesures notes en A et Y mais de plus en plus frquemment ils
donnent directement la partie relle et la partie imaginaire de r = p i A .
Description de lellipsometre a mthode de zero

Lellipsomtre mthode de zro est parmi les appareils les plus classiques. Une
source intense de lumire monochromatique, par exemple u n laser hlium-non,
fournit u n faisceau de faible divergence et non polaris. Ce faisceau traverse
ensuite u n polariseur (par exemple u n prisme de Glan-Thomson) qui peut tourner autour de laxe de propagation de la lumire dterminant u n angle P avec le
plan dincidence : la lumire est alors polarise linairement. Suit u n compensateur qui fait office de lame quart donde. Langle C entre son axe rapide et le plan
dincidence est le plus souvent pris gal f 45 pour favoriser le calcul de ltat
de polarisation dans le systme. L a lumire qui sort du compensateur est alors
polarise elliptiquement et interagit avec la surface tudier qui devra tre la
plus rflchissante possible. Ensuite, on trouve u n deuxime prisme de GlanThomson qui sert danalyseur. I1 peut tourner autour de laxe de propagation de
la lumire rflchie et dtermine u n angle A avec le plan dincidence. Finalement,
on place le dtecteur de lumire.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
212
L a figure 5.52 montre ltat de la polarisation la sortie de chacun des lments.
Fig. 5.52. tats de polarisation a la sortie des divers lments dun ellipsometre a mthode de
zro.
En ralit, tout revient piloter le polariseur et le compensateur pour que la

lumire rflchie par la surface soit polarise linairement et puisse donc tre
<< dtruite >> par lanalyseur A plac en opposition de phase 90. On ajuste les
angles P , C (C est le plus souvent gard constant) et A de manire minimiser
lintensit de la lumire reue par le dtecteur. On aura alors la relation :
(5.25)
ce qui permet de tracer cosA et tgY en fonction de lvolution de la surface dans
le temps. laide de ces deux valeurs on peut trouver deux inconnues. Par
exemple, on peut obtenir lindice de rfraction et le coefficient dabsorption
optique dun chantillon absorbant et propre. Ou bien, si on a une couche mince
transparente s u r u n substrat dj bien caractris du point de vue optique, il
sera possible de dduire lindice de rfraction et lpaisseur de la couche. En
revanche, si cette couche est absorbante, trois paramtres inconnus (indice de
rfraction, coefficient dabsorption et paisseur) dterminent la rflectivit de
lchantillon et la modification de polarisation. Obtenir ces quantits avec une
seule mesure ne sera pas possible et exigera le recours des modlisations. On
constate quil est impossible dobtenir des solutions uniques pour les couches
trs minces, infrieures la dizaine de nanomtres. Par ailleurs, si la couche est
quelque peu complexe (modulation de composition, rugosit, mconnaissance
des donnes optiques fondamentales pour la couche ou pour le substrat ...) cette
modlisation sera trs hasardeuse.
4.3.3. Dveloppements exprimentaux rcents

Modulation de phase
Linconvnient majeur de la mthode de zro est que les dtecteurs de lumire
ont u n mauvais rapport signal/bruit lorsque le signal est trs faible. Ainsi,
CHAPITRE
5 - MTHODES
213
a u lieu de faire tourner le polariseur, on utilise maintenant u n modulateur de

phase photolastique qui module la polarisation du faisceau incident haute
frquence.
Source de
lumire
Polariseur et
Analyseur et
irernent
Dtecteur
elliptiqu
chantillon
Fig. 5.53. Principe de Iellipsometre a modulation de phase.
On procde une dtection synchrone avec un amplificateur dtection de

phase (lock in amplifier) qui permet datteindre une sensibilit de
degr avec
une constante de temps de lordre de la seconde. Ceci correspond environ
1 / 100e de monocouche doxyde s u r un substrat de silicium. Si on accepte une
limite de dtection moins grande, on peut videmment gagner en rsolution temporelle et accder des phnomnes ayant des cintiques de lordre de la milliseconde.
Eiiipsometrie spectroscopique
Lellipsomtrie classique en lumire monochromatique ne permet donc de mesurer que deux paramtres. En ellipsomtrie spectroscopique on utilise une source
de lumire blanche, en gnral une lampe a u xnon qui permet de couvrir un
spectre allant de lultraviolet (0,192 pm) a linfrarouge (2,051pm). Lchantillon
est mont s u r un goniomtre pour pouvoir changer langle dincidence 0. Le
monochromateur pour slectionner la longueur donde de son choix se trouve
derrire lanalyseur. On aura donc une mesure de AA, ) et yfc,). Un traitement des donnes permet alors danalyser des structures complexes telles que
des multicouches, des interfaces rugueuses, des couches htrognes ou anisotropes.
Imagerie
On peut focaliser le faisceau incident sur la surface et lui faire balayer lchantillon. Une camra CCD convenablement asservie permet dobtenir une image
des proprits optiques de la surface (diffrences dpaisseur dune couche
mince.. .) avec une rsolution latrale de lordre du micromtre.
214
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
4.3.4. Domaines dutilisation de Iellipsometrie

Lellipsomtrie est une mthode non destructive qui peut tre pratique in situ.
Une de ses grandes qualits est son excellente rsolution temporelle. Un autre
avantage rside dans la possibilit dtudier des couches dans de larges
domaines dpaisseur : du nanomtre plusieurs centaines de nanomtres de
faon continue. Dans les cas les plus favorables la sensibilit est de lordre du
1/ 100ede monocouche.
Linconvnient majeur rside dans les difficults dinterprtation des trajectoires dans le plan (tgY, COSA). Chaque interface traverse par la lumire joue un
rle dans la modification de ltat de polarisation : il ne faudra pas en oublier
dans la modlisation et il faudra bien connatre leur composition chimique
puisque chaque compos a ses propres proprits optiques, lesquelles peuvent
tre mal connues. Par ailleurs, pour pouvoir faire de lellipsomtrie, il convient
davoir une surface trs rflchissante ou transparente. Ceci induit videmment
quelques limitations pour lingnierie des surfaces qui sapplique souvent des
chantillons trs rugueux. On a vu cependant que la rugosit pouvait tre prise
en compte en ellipsomtrie spectroscopique. Enfin, tudier u n chantillon
immerg dans u n milieu liquide est possible mais il faut tenir compte des deux
interfaces air -liquide et liquide-solide dans la modlisation de ltat de la polarisation.
Lellipsomtrie a donc deux grands domaines dapplication :
ltude des semi-conducteurs et llaboration de microstructures et de dispositifs. Les surfaces des substrats (Si, GaAs...) sont trs planes, bien rflchissantes, faciles prparer dans des tats standards de propret. Les proprits optiques de ces composs sont connues depuis des annes. On pourra
donc faire le suivi in situ de tous les processus intervenant lors de la croissance (dpts mtalliques, oxydations...] ;
ltude des ractions chimiques en surface avec notamment les processus
de corrosion. Cest u n domaine trs prometteur bien que les difficults
dinterprtation soient souvent considrables en raison du manque de
connaissances sur les proprits optiques des phases et des interfaces mises
en jeu.
Un autre domaine dapplication est ltude des systmes en multicouches. La
figure 5.54 montre la trajectoire dans le plan (tgY, COSA) obtenue en alternant
des couches de tungstne et de silicium pour obtenir un miroir a rayons X mous.
Les paisseurs des diverses couches peuvent tre contrles trs exactement
en asservissant les caches mobiles des sources dvaporation du tungstne et du
silicium la rponse ellipsomtrique pralablement modlise. On trouvera dans
cet article (Rf.(20))
plusieurs autres exemples de lutilisation de lellipsomtrie.
(20) Houdy P., Kinetic ellipsometry applied to soft X-ray multilayer growth control, Rev.
PhYs. A@ 23 (1988) 1653-1659.
CHAPITRE
5 - MTHODES
- 0,6
cos A
215
eW = 0,746 nm
eSi = 1,332nm
d = 1,078nm
1O0 couches W - Si
- 0,7 -
Substrat
- 0,8
W
- 0,9
Fig. 5.54. Exemple dapplication de Iellipsomtrie a ltude dun systme multicouche W/Si (miroir
a rayons X mous) ; trajectoire exprimentale dans le plan tgd-cosy (daprs
Pour une description plus complte de la mthode et, notamment, une tude
dtaille des calculs en ellipsomtrie, on peut se rfrer louvrage dAzzam et
Bashara(21.
5.
Caractrisation physico-chimique
5.1.
Les bases de la mesure des angles de contact
Dans ce paragraphe, nous allons dcrire essentiellement des mesures dangles

de contact. Comme nous lavons expliqu dans le chapitre premier, langle de
contact est une mesure macroscopique de lnergie interfaciale entre deux
phases. Cest aussi la mesure des diverses composantes (polaires et dispersives)
de lnergie de surface. Rappelons que les interactions dispersives sont les forces
de London pour lesquelles il nest pas ncessaire davoir de diple permanent CJ tableau 4.W. Les forces polaires reprsentent toutes les autres forces non dispersives (Keesom, Debye, liaisons hydrogne, couples acido-basiques a u sens de
Lewis...). Plusieurs mesures dangles de contact avec des liquides judicieusement choisis sont donc ncessaires pour trouver ces deux composantes : une
avec un liquide sonde strictement apolaire, deux ou trois avec des liquides
polaires connus. I1 va de soi quune telle mthode reste trs empirique et quen
(21) Azzam R.M.A. et Bashara N.M., Ellipsometry and polarized light (North Holland,
Amsterdam, 1977).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
216
particulier la mesure de la composante polaire, reprsentant la somme de contributions trs diffrentes, pourra dpendre Considrablement du matriau tudi
et des divers traitements de surface quil aura pu subir. On sera donc amen
choisir lapproche dveloppe par Van Oss et al.(22)
qui proposent dassimiler les
interactions polaires des interactions accepteur -donneur dlectrons. Cette
approche permet une description chimique de lnergie de surface et de faire une
u titration >> de la surface en termes acido-basique. Du point de vue de ladhsion,
u n liquide acide a u sens de Lewis mouillera u n substrat basique et inversement.
Pour tablir une rfrence sur le comportement acido-basique des liquides
sondes, il est ncessaire de se fxer une convention : les composantes acide ( y )
et basique (y-) de leau sont considres comme tant gaies.
Sachant que :
ria,, = 2
4 z J C
= 51 mJ.m-2
on aura deux composantes gaies 25,5 mJ.m-2. Une fois cette rfrence pose,
on peut dterminer les composantes acide-base des autres liquides sondes avec
des liquides monopolaires (uniquement acides ou uniquement basiques)(23).En
gnrai, on utilise toujours un liquide basique.
5.2.
Lanalyse dynamique des angles de contact
I1 existe de nombreux appareils usuels permettant de mesurer les angles de

contact et il nest pas utile den donner une description dtaille. Ils donnent des
valeurs prcises de langle et en faisant tourner la goutte sur une platine on peut
vrifier que la goutte cc pose >> a bien sa forme dquilibre. Par ailleurs, ces appareils sont souvent coupls une camra vido ce qui permet de bien prendre en
compte les dformations de la goutte. I1 convient de remarquer que les avantages
de lanalyse par mesure dangles de contact sont la rapidit des mesures et la
possibilit dutiliser plusieurs liquides sondes pour pallier les incertitudes dues
la multiplicit des sources derreur. On trouve gaiement dans le commerce des
microbalances lectroniques qui permettent de faire des mesures dynamiques
des angles de contact.
La mesure consiste raliser vitesse constante limmersion puis lmersion
dun solide dans u n liquide sonde dont les caractristiques tensiomtriques sont
connues. La figure 5.55 montre le schma du tensiomtre (principe driv du
tensiomtre Dognon-Abribat].
(22) Van Oss C.J., Good R.J. et Chaudhury M.K., The role of Van der Waals forces and
Hydrogen Bonds in Hydrophobic interactions >> between biopolymers and low energy surfaces, J. Colloid Interface Sc. 11 1 (1986) 378-390.
(23) Darque-Ceretti E., LAdhsion : les concepts et les causes, Reu. Mtall., C a h . Int. Tech.
((
(1997) 617-633.
CHAPITRE
5 - MTHODES
217
Balance lectronique
Liquide <c sonde
)>
Fig. 5.55. Schma de principe d'un tensiometre dynamique (document Cahn).
Fig. 5.56. quilibre des forces en tensiomtrie dynamique.
L a mesure de l'angle de contact, indirecte, se dduit de la rsultante F des

forces appliques sur le systme schmatis sur la figure 5.56.
Ona:
F =mg+pyl,cos-FA
(5.26)
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
218
avec F la force mesure, m la masse de lchantillon, g lacclration de la pesanteur, S la section de la plaque chantillon et p son primtre,
la tension de
surface du liquide sonde de densit p. 8 langle de contact et FA la pousse
dArchimde du liquide sur le solide (FA = pgV = pgSx).
Le dplacement du rcipient o est immerg lchantillon se fait a u moyen
dun moteur pas pas.
La figure 5.57 montre lexemple dune courbe obtenue avec ce tensiomtre. Si
lchantillon est homogne, langle de contact est constant durant la mesure et la
variation de la force est linaire tant durant limmersion que pendant lmersion.
On mesure la force a u point dimmersion zro (ZDOI). Elle vaut alors p 3, coso.
x,
+
Fig. 5.57. Exemple de cycle de monte-descente en tensiomtrie dynamique.
6.
Caractrisation chimique
6.1.
Spectroscopie des electrons Auger
L a spectroscopie des lectrons Auger dont labrviation commune est AES

(Auger electron spectroscopy) peut tre considre comme larchtype des techniques danalyse des surfaces. Cest, avec lESCA, une des plus utilises dans les
laboratoires de recherche fondamentale et applique. Elle fournit une anaiyse
chimique de la surface dun matriau sur une paisseur allant de 1 2.5 nm.
Son succs repose sur sa facilit de mise en uvre et sur ladquation existant
entre ses possibilits et les renseignements couramment demands pour une
analyse de surface.
* Du nom de P. Auger (1899-19931,physicien franais, dcouvreur du phnomne en 1923.
CHAPITRE
5 - MTHODES
219
6. I. 1. Principe
LAES repose s u r une analyse en nergie des lectrons mis par une cible sous
limpact dune sonde lectronique de faible moyenne nergie (100 eV 10 keV).
L a figure 5.58 montre la distribution en nergie des lectrons mis et rtrodiffuss par u n monocristal de silicium. Pour pouvoir mettre en vidence les pics de
faible intensit, superposs un fond continu dlectrons secondaires ou inlastiquement diffuss, cette courbe se prsente sous la forme de la drive de N(E).
Cette courbe se rpartit en plusieurs rgions avec :
1 . des lectrons lastiques, diffuss s a n s perte dnergie (scattered),qui permettent lanalyse de lordre structural par la diffraction des lectrons (LEED
ou RHEED) ;
2 . des electrons incidents ou primaires ayant subi des pertes dnergie quantifies (excitations collectives dites de plasmons, pertes par ionisation) qui
permettent de renseigner s u r la structure lectronique travers une spectroscopie appele EELS ;
3 . des electrons secondaires qui proviennent de diverses interactions entre la
matire et le faisceau incident. Trs nombreux, ils sont utiliss dans les systmes de mesure o il faut amplifier u n signal dlectrons (channeltrons...) ;
4. des electrons Auger dont la position en nergie est indpendante de lnergie
du faisceau primaire et qui correspondent u n processus de dsexcitation
non radiative des atomes ioniss sous le bombardement lectronique (voir
Chap. 4, Sect. 1.3 et Fig. 4.21).
Ce processus de dsexcitation, appel emission ou effet Auger, met en jeu trois
niveaux dnergie de latome, soit pris isolment, soit inclus dans une molcule. Le
faisceau primaire induit une ionisation dun niveau de cur Wen jectant un lectron li ce niveau interne. Lnergie disponible permet u n lectron d u n niveau
plus externe, donc moins nergtique, de venir combler la lacune cre en W.
L a dsexcitation de latome ionis maintenant en couche X peut alors se raliser soit par un processus radiatit (mission dun rayonnement X de fluorescence utilis par exemple en EPMA), soit par lmission dun lectron ject dans
le continuum, dit electron Auger. L a somme des rendements aF et DA de ces
deux processus, radiatif et non radiatif, est gal 1 mais, a mme niveau ionis
de depart W, le rendement Auger est dominant pour les atomes de numro atomique plus faible (voir Fig. 4.12).
Si llectron Auger est mis partir dun niveau Y,son nergie cintique
scrira, en premire approximation :
E, = E , -E
-E Y
(5.27)
Cette nergie, indpendante de lnergie des lectrons primaires, mettant en jeu

trois niveaux de latome excit, est caractristique dun atome donn. Lanalyse
* Sa valeur est beaucoup plus complexe calculer puisque ltat final est doublement
ionis (introduction de multiplets lis a u couplage des lacunes lectroniques).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
220
lectrons
secondaires
*IJger
1O 0
300
200
nergie (eV)
Fig. 5.58. Distribution en nergie des electrons renvoys par du silicium ; Ep = 301,6 eV.
de lensemble des raies dun spectre Auger permettra donc une analyse lmentaire de la surface du matriau considr. Traditionnellement, on dnomme une
transition Auger par trois lettres, symboles spectroscopiques des niveaux atomiques mis en jeu (niveaux K , L , M , bandes de valence et de conduction notes
respectivement Vet C ) .
L a formule (5.24) montre par ailleurs que tout dplacement en nergie f AE
des niveaux d u n atome impliqu dans une liaison chimique (qui suppose des
transferts dlectrons dun atome vers u n autre), se traduira par une modification de lnergie des transitions Auger. On aura u n dplacement chimique (chemical shift). Dans le cas o la transition Auger met en jeu des lectrons de
CHAPITRE
5 - MTHODES
22 1
valence, les changements dans lenvironnement chimique dun atome saccompagneront dun dplacement en nergie e t / o u dune modification de la forme du
pic Auger correspondant, confrant la mthode une grande sensibilit aux
effets chimiques.
Enfin, comme les faisceaux dlectrons peuvent tre focaliss facilement, on
pourra raliser une analyse ponctuelle avec une rsolution spatiale latrale de
lordre de 20 nm et faire une cartographie des lments prsents la surface
avec en plus, quelquefois, leur diffrence dtat doxydation. Les appareils ayant
cette fonction dimagerie sont bass sur une colonne de microscopie balayage
travaillant sous ultravide. On a alors u n microscope Auger a balayage (SAM :
scanning Auger microscope).
Comme le bilan lectronique du processus dinteraction entre lectrons et
matire nest pas gal 1, ltude des isolants pourra tre dlicate car il apparat
une charge la surface qui modifie lnergie des lectrons Auger sortant du
matriau analys. Dans la rgion o le rendement dmission secondaire q est
peu suprieur 1, on montre que la charge superficielle se stabilise quelques
volts et nempche pas lanalyse.
6. I .2. Appareillage
La spectroscopie Auger doit tre mise en uvre dans une enceinte sous ultravide. L a cible analyser est bombarde sous incidence normale si le canon
lectrons qui sert de sonde est coaxial avec lanalyseur, sinon sous une incidence
plus ou moins rasante. Les analyseurs commerciaux permettant lanalyse en
nergie des lectrons rtrodiffuss sont de plusieurs types :
1 . potentiel retardateur ou RFA (retardingfield analyzer),
2. miroir cylindrique ou CMA (cylindrical mirror analyzer),
3. hmisphrique,
4. combin RFA - CMA.
Rentrer dans le dtail des performances et des limites de chacun de ces analyseurs va au-del des objectifs de cet ouvrage. En gnral, la configuration est
impose par le constructeur de lappareillage de spectroscopie Auger. En rsum,
on peut dire que le RFA, base des optiques de diffraction dlectrons lents
(LEED), nest plus gure utilis que comme analyseur dappoint dans des
enceintes ddies la caractrisation structurale de surfaces o des informations sur la composition chimique de la surface restent de premire ncessit. Le
CMA est un des analyseurs les plus couramment construits et les plus performants pour lanalyse Auger tandis que les autres types dappareils sont souvent
dvelopps en combinaison avec dautres mthodes analytiques.
Les spectres sont usuellement enregistrs dans le mode << driv B (analogique)
o on obtient la drive de la courbe de distribution en nergie d N ( E ) l d E [ou
E d N ( E ) / d E pour les CMA]. Cette courbe facilite lidentification des pics Auger et
222
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
de leur structure fine. Cependant, dans les systmes les plus rcents, on utilise
un simple comptage des lectrons. I1 donne des rsultats plus faciles interprter du point de vue de lanalyse quantitative.
6.7.3. LAES, mthode danalyse pour les surfaces

Comme il a t dit dans le chapitre 4, le concept danalyse des surfaces a u
moyen de sondes lectroniques repose sur la notion de libre parcours moyen
inelastique des lectrons (inelastic meanfree path : IMFP) dans un solide. On
dfinit ce libre parcours moyen comme la distance A parcourue sans perte
dnergie par un nombre dlectrons N l e , avec N, le nombre dlectrons incidents
et e la base des logarithmes npriens gale 2,718. La figure 5.59 montre que A
suit une loi quasi universelle avec un minimum aux environs de 0,4 nm.
2 0,5
7
nergie cintique d e s lectrons (eV)
Fig. 5.59. Libre parcours moyen des electrons en fonction de leur nergie.
Les nergies primaires utilises en analyse Auger sont toujours infrieures

quelques keV pour favoriser le rendement Auger toA par rapport au rendement de
fluorescence aF,les transitions Auger mises auront ainsi une nergie maximale
de 1-3 keV, lnergie minimale tant de quelques dizaines deV. Lattnuation de
lintensit I du signal Auger obit classiquement une loi de type Lambert-Beer.
(5.28)
o d est la distance parcourue par les lectrons Auger. Un calcul simple montre
que les 213 du signal proviennent des atomes de la surface, 99 % dune paisseur
CHAPITRE
5 - MTHODES
223
de lordre de 3d. On voit donc quun pic Auger de 50 eV sera caractristique du

premier nanomtre en surface d u n matriau tandis quun lectron de 1 keV
pourra provenir des trois premiers nanomtres.
L a spectroscopie Auger est donc sensible lextrme surface. Quelques

consquences pratiques doivent tre tires de ces donnes fondamentales :
1. un chantillon vierge de tout traitement possde une couche superficielle de
contamination (oxyde natif, dpt de substances organiques provenant de
notre environnement ou des manipulations) dont lpaisseur est gnralement suprieure la profondeur analyse par spectromtrie Auger. En ingnierie des surfaces, lanalyse de cette rgion peut tre trs importante. Si on
veut en plus accder par AES aux caractristiques intrinsques dun matriau, il faudra pratiquer un nettoyage de sa surface par bombardement
ionique, ou crer par fracture ou par clivage une surface frache, spcifique
du matriau.
2. une surface caractristique du matriau tant ainsi obtenue, on se rappelle
quil ne sera possible de la conserver sans altration pour la dure usuelle
dune tude (quelques minutes quelques heures), que si lexprience est
entirement ralise sous ultravide ( p c
mbar).
I1 existe diffrentes possibilits pour jouer sur la profondeur analyse en AES.
L a premire revient, pour u n lment donn, considrer deux transitions
dnergies suffisamment diffrentes pour que les d mis en jeu et, par voie de
consquence, les profondeurs analyses soient diffrentes. Ainsi dans le cas du
silicium, on peut choisir de travailler avec les pics Auger Caractristiques des
transitions KLL (Ecin= 1 600 eV) ou L W (Eci,,= 90 eV) qui intgrent des informations respectivement sur 4 et l ,5 nm.
Une autre mthode consiste pratiquer une analyse angulaire, cest--dire

attaquer avec le faisceau sonde ou recueillir les lectrons mis sous une incidence plus ou moins rasante par rapport la surface de lchantillon.
I1 est enfin possible de faire appel des techniques de profilage en profondeur
(depth profiiing) qui se fondent sur une abrasion ionique qui dcape graduellement la surface. Les vitesses de dcapage tant de quelques nanomtres par
minute, on comprend que ce profilage est trs lent et quil ne peut tre utilis que
dans des cas spcifiques danalyse. On utilisera plutt dautres techniques telles
que la spectromtrie de masse dions secondaires (SIMS), la spectroscopie de
dcharge luminescente (SDL) ou la diffusion Rutherford (RBS) pour procder
ltude de tels profils.
6.1.4. Les informations quantitatives en AES

En premire approximation, lintensit dun pic Auger spcifique dun lment
situ dans un environnement chimique donn est une fonction du nombre
datomes de cet lment se trouvant dans le volume analys, pourvu que les
conditions exprimentales (nergie incidente, intensit incidente, angle dincidence.. .) soient fixes.
224
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
I1 est possible de remonter des intensits mesures [dans les modes N(E) ou
EdN(E)/dE] aux concentrations grce a des standards de rfrence obtenus
exprimentalement ou grce au recours a des
Lexploitation la plus usuelle des rsultats de 1AESest de type semi-quantitatif : la procdure revient tudier les variations dintensit relative dun pic par
rapport une situation de rfrence donne. On peut ainsi analyser :
les mcanismes de sgrgation dimpurets en surface dun metal ou dun
alliage en fonction de divers traitements de recuits,
tout processus dadsorption de gaz en surface dun solide,
la croissance contrle dun lment sur un substrat.
Dans chacune de ces situations, lanalyse des variations dintensit des pics
Auger rend compte des processus physico-chimiques mis en jeu. Ainsi, pour la
croissance dun mtal sur u n solide, on peut mettre en vidence, a partir des
profils dintensit, soit la formation dun dpt homogne, soit la croissance
dlots, soit ltablissement dun processus dinterdiffusion a linterface. Cette
analyse se fonde sur des modles de simulation numrique partir des donnes
dites A S 4 (Auger signal versus time) qui sont la mesure de lintensit dune ou
plusieurs transitions Auger en fonction du temps ou du recouvrement(25.
Lexemple de la figure 5.60 montre la croissance de couches de platine sur du
cobalt, un matriau artificiel ayant des proprits danisotropie magntique perpendiculaire. On voit que le mode de croissance est du type Frank-Van der
Menve ou couche par couche (Chap. 1, Fig. 1.15).
6.1.5. Lexploitation qualitative des spectres Auger

Lanalyse dune surface donne par AES ne pose pas de problmes spcifiques,
la position du pic tant en rgle gnrale caractristique d u n e transition Auger
dun lment donn. I1 ny a pas ou peu de recouvrements entre les pics caractristiques dun atome. Par ailleurs, la mthode est sensible a lenvironnement chimique des atomes analyss, mme si IESCA est probablement plus efficace dans
ce domaine. Une analyse chimique prcise de la surface dun matriau impose
en gnral de faire appel a des travaux antrieurs relatifs a diffrents tats de
liaison du mme lment, ou de mettre en uvre lanalyse dchantillons de rfrence dans lesquels ltat chimique de llment est bien identifi.
Comme on la vu plus haut, lnergie cintique dun lectron Auger met en jeu
trois niveaux dnergie de latome. Si les niveaux W, X , Y sont des niveaux de
cceur, le dplacement chimique correspondra a un dplacement en nergie de
lordre de grandeur du dplacement de chacun des niveaux (tel quil pourrait tre
(24) Wagner C.D., R i g s W.M., Davis L.E., Moulder J.F. et Muilenberg G.E., Handbook o j
Auger Electron Spectroscopy, Perkin Elmer Corp. (Eden Prairie, Minnesota, USA).
( 2 5 ) Argile C. et Rhead G.E., Adsorbed layer and thin film growth modes monitored by
Auger electron spectroscopy, SurJ. Sci. Rep. 10 (1989) 277-356.
CHAPITRE
5 - MTHODES
225
4
5
Recouvrement (MC)
Fig. 5.60. volution des intensits des pics Auger du platine et du cobalt lors de
platine sur la face (100) du cobalt (MC= monocouche).
la croissance de
mesur en ESCA). Les dplacements mesurs exprimentalement peuvent tre

souvent plus importants en raison des processus de relaxation inter- et extraatomiques qui interviennent lors du processus dmission Auger.
En revanche, si la transition Auger met en jeu des lectrons de valence, les
dplacements des pics correspondants seront beaucoup plus marqus, traduisant les changements de distribution dtats lectroniques dans la bande de
valence qui interviennent lorsque lenvironnement chimique est modifi. Ainsi,
on mesure une diffrence dnergie de 1 3 eV pour la transition L W du silicium
entre le silicium lmentaire et son oxyde SiO, (silice). Ce dplacement des raies
Auger de type XW peut saccompagner aussi dune modification importante de
leur forme spectrale, permettant lanalyse Auger de fournir une << empreinte
digitale trs prcise des tats de liaison chimique superficielle, avec une trs
bonne rsolution en profondeur. L a figure 5.61 illustre ceci pour loxydation du
silicium.
titre de comparaison, le dplacement chimique observ en ESCA entre Si et
SiO, nest, pour la raie Si2p que de 4 eV et intgre une profondeur danalyse de
5 nm environ contre 1,5 nm pour IAES. Notons enfin que la modification de
))
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
226
la forme du pic Auger est gaiement spectaculaire dans le cas de la transition

KVV du carbone et permet de distinguer graphite, diamant, carbone amorphe et
carbure sans ambigut. On le verra dans le chapitre 7, section 4.
50
60
70
SiO,
80
Fig. 5.61. Spectre Auger L W d u silicium oxyde : (a) surface desordonne, (b) surface ordonne.
CHAPITRE
227
6.I . 6. Champs dapplications

Mtallurgie, sgrgation dans les mtaux et alliages
Interactions gaz-surfaces, corrosion, catalyse
Interfaces solide-solide, processus de croissance
Semi-conducteurs, interfaces mtal-semi-conducteur
Couches minces mtalliques, multicouches.
6.2.
Spectroscopie de photolectrons
induits par les rayons X
La spectroscopie de photolectrons induits par les rayons X (XPS pour X-ray

photoelectron spectroscopy) est souvent appele ESCA (electron spectroscopy for
c h e r n i d analysis), notamment par les chimistes et les industriels. Cet acronyme, forg par linventeur de la mthode*,est cependant peu informatif et trs
ambigu. Beaucoup dautres spectroscopies dlectrons comme, par exemple, la
spectroscopie Auger, dcrite plus haut, renseignent sur la chimie des chantillons. I1 est cependant vrai que le point fort de 1XPS est lanalyse des liaisons
chimiques en surface.
6.2.I. Principe
LESCA/XPS est une mthode danalyse des surfaces qui se fonde s u r lionisa-
tion de niveaux de cur et lmission d u n photolectron. Elle dcrit des tats

finals mono-ioniss. Le calcul de lnergie du photolectron est plus simple que
dans le cas de lmission Auger, o ltat final est doublement ionis.
U n faisceau de rayons X, en gnral u n rayonnement K a dnergie infrieure
a 3 keV, monochromatis ou non, frappe lchantillon analyser. Des lectrons
appartenant a des niveaux de cur ou a des orbitales de valence sont jects
avec une nergie cintique. E,, gale a la diffrence entre lnergie incidente (hv)
et leur nergie de liaison, E,, dans latome o ils se trouvaient comme on le
voit sur le diagramme dnergie de la figure 5.62 o W reprsente le travail de
sortie.
La terminologie utilise pour indexer ces pics se fonde s u r la dnomination de
2s,/,, 2p1,,, 2p3,2, 3d3/,, 3d,/,,
ltat quantique du niveau ionis (notation lsl12,
4f5/24f7,2...).
Lnergie est en gnral comprise entre 200 et 1 500 eV. Elle correspond des
profondeurs dchappement allant de 2 a 10 nm (Fig. 5.58).
* K. Siegbahn, physicien sudois, prix Nobel de physique en 1981.
_......
.
.
.
amog
CHAPITRE
229
6.2.2. Possibilits analytiques

Analyse qualitative
Tous les lments sauf lhydrogne donnent des raies caractristiques. Les
chantillons peuvent tre des solides massifs ou des poudres pastilles s u r de
lindium. Quelques expriences ont t faites sur les liquides, notamment dans
le laboratoire du pionnier de la mthode. Ce domaine riche de trs grandes
potentialits est encore trop peu dfrich en raison des problmes technologiques quil suppose. Le rayonnement X naffecte que trs peu la surface, le travail s u r les isolants demande cependant des prcautions comme en spectroscopie Auger car il apparat une charge superficielle due aux proprits de
lmission secondaire. Cette charge peut devenir beaucoup plus grande si on utilise un rayonnement monochromatis. Dans tous les cas, on peut utiliser un
canon lectrons auxiliaire dlivrant des lectrons de 10 100 eV qui servent
compenser la charge superficielle flood gun).
L a mthode XPS est trs utilise et trs fructueuse pour ltude des liaisons
chimiques. Les dplacements chimiques sont de lordre de quelques eV
quelques dizaines deV. Dans la plupart des cas, ils sont proportionnels a u
transfert de charge lectronique. On a donc une identification simple et rapide
des liaisons chimiques spcialement pour certains lments lgers (carbone,
soufre...). Au chapitre 7, nous montrons comment on peut modifier la surface
dun polymre industriel (Nylon 6) par traitement dans u n plasma doxygne,
afin dobtenir des proprits fonctionnelles, et mettre en vidence, par XPS, les
modifications des liaisons en surface.
Dans certains cas, le processus de relaxation est u n peu plus complexe et il
importe de travailler sur u n diagramme reliant les nergies dun pic de photomission et dun pic Auger (paramtreAuger).Cest le cas pour les lments suivants : F, N a , Cu, Zn, As, Ag, Cd, In, Te. Certains satellites (shake-up,shake-ofn
donnent des renseignements qualitatifs trs sensibles a loxydation. Cest le cas
du nickel et du cuivre.
L a rsolution en profondeur varie de 2 5 nm selon lnergie des pics de photomission observables. Grce lutilisation du bombardement ionique, il est
possible de tracer des profils danalyse chimique jusqu environ 1 p m de profondeur. I1 convient cependant de se mfier de ces profils dans le cas des oxydes car
linteraction avec les ions introduit souvent des modifications des tats doxydation. On peut aussi jouer s u r langle dmergence des photolectrons pour obtenir des informations sur la distribution des divers atomes en profondeur. L a plupart des configurations commerciales ne se prtent gure ce type dtude.
L a rsolution latrale en surface est u n point faible de IXPS par rapport la
spectroscopie Auger. Dans les appareils conventionnels, les dimensions du faisceau-sonde s u r la cible sont a u mieux denviron 3 x 3 mm2. Dans certains appareils modernes, laire du faisceau peut tre de lordre de 15 x 15 ,urnz. Cette diminution de laire sonde se fait videmment a u dtriment de la sensibilit.
Le recouvrement des pics est peu frquent et u n lment est souvent caractris par plusieurs pics. I1 y aura donc trs peu dambigut sur lattribution des
divers niveaux de photomission. On pourra analyser en mme temps une
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
230
dizaine dlments chimiques, qui peuvent tre prsents sous deux ou trois tats
de liaison chimique diffrents. L a figure 5.63 illustre cette proprit dans u n cas
typique de croissance en lectrochimie.
Ti
500
1 O00
,(eV)
Fig. 5.63. Spectres XPS de titane passive en milieu sulfurique : (a) x 1, (b) x 3, (c) x 10 le soufre
est sous deux tats doxydation, (d) de 900 a 1 250 eV, (e) N 1s avec deux tats doxydation :
NH,+ = ammonium et @N = phenyl-amino, (9 Ti 2p avec deux tats doxydation.
Analyse quantitative et sensibilit

Rappelons que le domaine danalyse couvre tous les numros atomiques hormis
lhydrogne. On peut dtecter la prsence dun atome pour cent ou pour mille de
la surface du substrat. Les atomes lourds offrent la meilleure sensibilit, cependant cest une des rares mthodes avec IAES qui renseignent sur les atomes
lgers (C, N, O...) avec une bonne prcision. Ces sensibilits correspondent
1012 I O l 3 at.cm-2. Si llment dos est rparti galement dans tout le volume
analys, cela reprsente environ O , ] %. Si llment est sgrg ou dpos en
surface, cela peut correspondre quelques ppm en volume surtout si on peut
faire lanalyse en incidence rasante.
CHAPITRE
5 - MTHODES
23 1
Du point de vue quantitatif, on peut avoir une prcision meilleure que 10 %

sur les concentrations des atomes prsents a u voisinage de la surface en utilisant des tables qui donnent des coefficients de sensibilit pour les diverses raies
de photomission. Cette prcision peut tre amliore sil y a peu atomes diffrents a analyser et si on peut utiliser des talons. Beaucoup dappareils sont
dots dun logiciel calculant les concentrations superficielles. Ils noffrent pas
toujours des garanties suffisantes pour les matriaux cc tout-venant . Les rsultats doivent donc tre interprts avec prudence lorsque les analyses sont soustraites un laboratoire danalyse.
6.2.3. Appareillage
Les appareils commerciaux dXPS utilisent presque tous le mme type danalyseur en nergie (HSA : analyseur hmisphrique) (Fig. 5.64).
I1 existe encore quelques appareils analyseur double miroir cylindrique.
Dans tous ces appareils, lXPS est souvent couple avec 1UPS et lAES. Les
caractristiques de la mthode et les conditions exprimentales dutilisation sont
en gnral les suivantes :
lultravide ou u n trs bon vide secondaire sont ncessaires dans la chambre
danalyse. Rappelons que sous
mbar, il suffit de quelques secondes pour
recouvrir lchantillon d u n e couche monoatomique ou mono-molculaire
(monolayer : M L ) de gaz adsorbs (environ 0.2 nm). Les appareils modernes,
munis de sas et de pompages diffrentiels pour isoler une chambre de prparation de la chambre danalyse, permettent dobtenir lultravide en moins
d u n quart dheure ;
les principales raies excitatrices qui sont :
Al Ka hv = 1 486,6 eV
AE = 1,0 eV
(0,5 eV si monochromatis)
Mg K a hv = 1 253,7 eV
AE = 0.7 eV
(0,4 eV si monochromatis)
(toujours monochromatis)
Ag L a hv = 2 984.3 eV
AE = 2,3 eV
AE = 0,8 eV.
Zr M< h v = 151,4 eV
Les appareils commerciaux sont en gnral quips d u n e double anode
Al/Mg. Le monochromateur permet davoir une meilleure rsolution mais a u
dtriment de lintensit du signal. Son utilisation est cependant ncessaire pour
ltude des matriaux organiques afin de distinguer les diverses liaisons chimiques du carbone et de loxygne. Lanode dargent permet daccder a des
nergies de liaison plus importantes et on profite du fait que lnergie de sa raie
caractristique est peu prs le double de celle de laluminium pour utiliser le
mme monochromateur. Lanode de zirconium peut servir quand on veut limiter
a u maximum la profondeur dchappement. Dans certains cas particuliers, il
peut tre judicieux dutiliser un autre rayonnement mais une anode cote cher a
lachat, son installation et son rglage sont des oprations longues : le recours a
ces solutions ne se fera que dans des cas exceptionnels.
232
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
6.2.4. Domaines dapplications

Le choix de IXPS se justifie tout particulirement quand :
la surface tudier est homogne et quon nest pas gn par des problmes
de rsolution latrale,
la surface risque dtre modifie chimiquement par une autre sonde (lectrons de la spectroscopie Auger par exemple),
les atomes en surface ont des dplacements chimiques faciles interprter,
il y a plusieurs types datomes avec des concentrations suprieures a u
dixime de pour cent,
lpaisseur de la couche intressante tudier est de lordre de 10 100 nm.
Fig. 5.64. Installation commerciale danalyse par XPS ; remarquer en haut lanalyseur hemispherique (IPCMS).
CHAPITRE
5 - MTHODES
233
I1 apparat que lanalyse des chantillons mtallurgiques, des polymres, des

oxydes, des couches organiques dposes s u r des mtaux sera le point fort de
IXPS. I1 est videmment impossible de dresser une liste de tous les problmes
dj tudis en XPS, et nous nen citerons que les domaines dapplication :
mtallurgie, sgrgation dans les mtaux et alliages,
interaction gaz-surfaces, corrosion, catalyse, oxydation superficielle,
interfaces solide-solide, processus de croissance,
semi-conducteurs, interfaces mtal-semi-conducteur,
couches minces mtalliques, multicouches,
couches organiques et polymres.
6.3.
Spectroscopie par dcharge luminescente
Cette technique, dite SDL ou quelquefois SODL (O signifiant optique), permet de

mesurer simultanment et en quelques minutes les profils de concentration, en
fonction de la profondeur, des lments prsents dans des chantillons conducteurs plans ayant en gnral u n diamtre nominal de lordre de 20 mm. Ces profils peuvent tre dtermins dautant plus prs de la surface quon sait mieux
matriser la stabilit initiale de la dcharge. On obtient ainsi des informations
concernant des couches de quelques nanomtres quelques micromtres
dpaisseur. Cette mthode permet danalyser lhydrogne mais laisse toute
quantification difficile et ne donne que des volutions de concentrations.
6.3.1.Principe
Mise a u point en 1968 par Grimm, la lampe dcharge luminescente (glow
discharge lamp) permet lanalyse spectrale dmission de raies caractristiques
des lments. L a dcharge a lieu entre une anode tubulaire amenant de largon
et une cathode constitue par lchantillon conducteur, situe 0,2 mm de
lanode. On fait travailler la lampe dans le rgime de dcharge dit << anormal x
situ aprs le rgime normal et avant la dcharge darc. L a figure 5.65 donne le
schma de principe dun tube dcharge.
Tout en maintenant une pression dargon de quelques millibars, on applique
une tension de 400 2 O00 V entre lanode et lchantillon. Sous linfluence du
champ lectrique les atomes dargon sont ioniss et vont frapper lchantillon,
provoquant une pulvrisation des atomes de la surface et une mission dlectrons secondaires. On cre ainsi u n plasma. Les atomes pulvriss sont alors
excits et mettent des radiations lumineuses caractristiques pour chaque lment du tableau priodique dans la zone de lumire ngative, spare de la paroi
intrieure par u n espace sombre annulaire (Fig. 5.66).
Les raies mises sont trs fines et peuvent tre analyses laide dun spectromtre rseau. Du fait de la faible densit du plasma, il ny a pas de radsorption des atomes pulvriss.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
234
Eau
Argon
Pompe 1 (refroidissement)
It,
Fig. 5.65. Principe de la lampe de Grimm.
6.3.2.Mise en uvre de la SDL

Le pouvoir de rsolution en profondeur est bon, de lordre du nanomtre. On
rencontre cependant tous les problmes du dcapage ionique (cratrisation, pulvrisation prfrentielle.. .). Lanalyse de lextrme surface est toujours problmatique car il faut attendre la fin dun rgime transitoire pour pouvoir dterminer la
composition relle du matriau.
Le nombre dlments tudis simultanment dpend videmment de la qualit du spectromtre rseau et du nombre de dtecteurs. Une trentaine dlments peuvent tre analyss en mme temps. En revanche, il ne peut pas exister
de relation simple entre les intensits lumineuses des raies mises par les divers
lments : on ne pourra pas faire danalyse quantitative sauf travailler en routine sur des chantillons ayant des compositions trs voisines.
Un des problmes fondamentaux poss par cette mthode est la dtermination de la profondeur abrase en fonction du temps. I1 ncessite la connaissance
du taux drosion qui dpend, dune part, du matriau analys et, dautre part,
des conditions opratoires de la dcharge. On procde en gnral des talonnages en mesurant soit la quantit de matire rode par micropese, soit la profondeur de la cuvette forme a u bout dun temps donn. Dans le cas de matrices
CHAPITRE
5 - MTHODES
235
Anode
Cathode
Colonne positive (plasma)
Fig. 5.66. Rgime de dcharge dans une lampe de Grimm.
simples, on peut calculer la profondeur analyse partir du volume dV rod par

unit de temps si on connat le rendement de pulvrisation R de la matrice, sa
masse atomique moyenne M , sa densit p ainsi que lintensit du courant
ionique I,. On aura :
(5.29)
o NA est le nombre dAvogadro et e la charge de llectron.

U n des inconvnients majeurs de la SDL est la ncessit de disposer dchantillons plans, ce qui suppose de faire u n dressage pralable de la surface analyser. Cest donc une mthode destructive qui ne peut sappliquer facilement qu
des coupons judicieusement slectionns. En revanche, la SDL permet en thorie daccder autant dlments quon le dsire (il suffit dy mettre le prix), et
autorise lanalyse de lhydrogne avec une bonne sensibilit relative, ce qui est
totalement impossible avec IAES ou 1ESCA. Les temps de mesure sont faibles et
permettent donc danalyser beaucoup dchantillons.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
236
6.3.3. Applications
Les premiers profils analyss concernaient des profondeurs allant de 0.1 40
micromtres, lexclusion de toute analyse de lextrme surface. L a rsolution
en profondeur dpend essentiellement de la vitesse dacquisition des donnes et
du temps mort des dtecteurs du spectromtre. Les progrs instrumentaux ont
permis damliorer lanalyse des premires couches dans lindustrie mtallurgique (mieux que 0.01 p m ) . La SDL est beaucoup utilise en mtallurgie o elle
permet dtudier la composition cur des alliages aprs des talonnages
convenables, de dterminer la prsence dimpurets, danalyser les couches de
surfaces obtenues aprs cmentation, phosphatation et passivation. Elle permet
aussi danalyser la contamination de surfaces aprs des traitements tels que le
polissage ou la rectification. Dans le domaine des semi-conducteurs, la SDL peut
servir dterminer des profils dimplantation des dopants comme le bore ou le
silicium. Dans ce cas, la spectroscopie de masse dions secondaires (SIMS) permet datteindre des limites de dtection beaucoup plus grandes.
Une application de la SDL lanalyse de surfaces dcapes par laser est traite chapitre 7, section 3 . l .
6.4.
Spectroscopie de masse dions

ou de neutres secondaires
La S I M S (SNMS) est une spectroscopie de masse dions (ou de neutres) dits

secondaires (secondary ion (neutral) mass spectroscopy). Lidentification par
spectromtrie de masse datomes ou de molcules mis partir dun matriau
est certainement la mthode la plus directe pour lanalyse chimique qualitative
de surface. Lmission des atomes est obtenue par u n bombardement ionique
qui produit une pulvrisation des atomes de la surface (sputtering).Ces atomes
sont analyss par u n spectromtre de masse. Si les particules dtectes ont
quitt la surface ltat dions (positifs ou ngatifs) la mthode est appele SIMS.
Si les particules neutres sont analyses aprs pulvrisation puis post-ionisation
la mthode sappelle SNMS.
Le dveloppement de la SIMS a commenc vers la fin des annes cinquante

grce aux travaux de Castaing et Slodzian. Cest surtout dans les annes
soixante-dixfquatre-vingts
que la mthode a pris son essor en tant quanalyse de
surfaces ou de monocouches adsorbes grce lintroduction de la mthode dite
statique. L a S N M S est de mise en uvre plus rcente et nest devenue comptitive s u r le march des analyses de surfaces que trs rcemment.
Ni la SIMS, ni la S N M S ne sont des techniques trs faciles mettre en uvre :
le march de lappareillage est troit et le dpouillement des rsultats demande
souvent rflexion et habilet. Le choix portera essentiellement sur ces techniques
quand il sera question de dtecter des impurets trs faibles concentrations,
dobtenir des profils de concentration prcis ou une sparation isotopique. Dans
le cas des polymres, la mthode est sensible la conformation : la section 5 du
CHAPITRE
5 - MTHODESDANALYSE
237
chapitre 7 en fournit u n exemple. Louvrage cit en rfrence(27)peut constituer

u n effort utile une meilleure connaissance de ces mthodes.
6.4.1. Principes physiques

Le bombardement dune surface solide par des ions incidents dits primaires (en
gnral des ions de gaz rares dnergie de quelques centaines deV a quelques
keV) mais aussi des ions alcalins (csium...), induit plusieurs processus a u voisinage de celle-ci (Fig. 6.2). Lion incident frappe ladite surface puis pntre dans
le solide. Son nergie est alors transfre aux atomes de la cible via une cascade
de collisions (collision cascade) qui se caractrise par :
1. des changements considrables a u voisinage de la surface (introduction de
dsordre cristallin, dplacement des atomes, ractions chimiques, implantation de gaz rares ...
2. des processus dmission de particules
- atomes ou molcules chargs positivement ou ngativement.
- atomes ou molcules neutres,
- lectrons secondaires,
- photons.
En SIMS, on ne dtecte que les ions tandis quen SNMS on analyse les
neutres. Dans ce dernier cas il faut faire une post-ionisation des atomes et molcules pulvriss a lentre du spectromtre de masse. Le faisceau incident agissant en pulvrisation de la surface, ces deux mthodes sont destructives.
Cependant, lutilisation de courants incidents trs faibles permet de minimiser
les dgts dirradiation : on emploie cette mthode de travail en SIMS statique.
Par ailleurs, le faisceau dions tant souvent de petit diamtre, seule une partie
infime de la surface est affecte.
Lintensit mesure du flux dun atome ou dune molcule i issus de la surface peut tre dcrite par les quations suivantes :
1: = I P Yl . w
? ~ , (SIMS)
1
(5.30)
(5.31)
o Ip est le courant dions primaires, Yi le taux de pulvrisation partiel pour lespce i (nombre de particules pulvrises par ion incident), a; la probabilit de
post-ionisation pour une particule neutre de lespce i, a: la probabilit de
formation dun ion ngatif ou positif de lespce i et qi un facteur gomtrique de
transmission dpendant de lappareillage utilis. En gnral, le flux de neutres
(27) Briggs D., Practical Surface A n a l y s i s , Volume 2 : Ion and Neutral Spectroscopy (Wiley,
1992).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
238
est largement suprieur a u flux despces ionises ( at << ao ). Donc la relation

(5.31),valide pour la SNMS, peut scrire plus simplement :
I;
= IpYiapqi.
(5.32)
6.4.2. Avantages respectifs d e la SIMS et d e la SNMS

Les deux mthodes sont trs sensibles la surface parce que les particules
mises ne proviennent que des toutes premires assises atomiques (une trois
couches soit moins de 1 nm). cette grande sensibilit de surface on associera
donc une excellente rsolution en profondeur, ncessaire chaque fois quon veut
faire des profils de concentration, faciles obtenir puisque la mthode est fonde
sur une pulvrisation continue de la surface. Les deux variantes permettent
danalyser tous les lments (y compris lhydrogne) et, grce la slectivit en
masse, les divers isotopes dun mme lment. Le seuil de dtection est de trs
bon excellent, de lordre de la ppm pour la SNMS et meilleur que la ppb pour la
SIMS. Ces valeurs dpendent de llment analys et de la matrice o il est inclus.
On a des informations sur la composition chimique de la surface en raisonnant
sur le spectre de masse dans lequel les intensits sont mesures en fonction du
nombre de masse ( m / e ) .Cependant, toute analyse quantitative est dlicate en
SIMS alors quelle est plus aise en SNMS, ce qui explique le succs actuel de
cette mthode. Enfin, il faut signaler que lanalyse des isolants peut tre perturbe par une charge locale de la cible puisquon jecte des particules charges.
6.4.3. Appareillage
Les spectroscopies ioniques doivent tre mises en uvre dans une enceinte sous
ultravide (entre
et 10-lo mbar). L a chane de mesure comporte une source
dions primaires (sonde),une cible (chantillon) analyser, une optique pour guider les ions secondaires vers u n spectromtre de masse (dtecteur). La
figure 5.67 montre le schma dun appareil de spectromtrie de masse dions
secondaires commercial. En gnral, la qualit de lappareil dpend surtout de la
sensibilit du spectromtre de masse et de ltendue du spectre en nombres de
masse que lon dsire.
En SIMS, lappareil travaille avec des faisceaux dions argon ou oxygne et,
grce une sparation en masse des ions incidents, permet dobtenir u n faisceau
de diamtre infrieur 10 pm qui peut tre balay sur la surface tudier. La
dtection est faite le plus souvent grce u n spectromtre de masse quadripolaire
qui travaille typiquement dans le domaine de 1 350 amu (atomic mass unit).
Cest u n appareil simple et peu onreux mais de rsolution mdiocre. Pour avoir
une trs bonne rsolution en masse, on utilise soit u n analyseur secteur lectrostatique, soit u n spectromtre temps de vol (time offlight) quon nomme
souvent ToF-SIMS. Dans ce cas, le nombre de canaux en masse, qui peut tre
considrable, peut rendre lexploitation des rsultats longue sinon fastidieuse. On
trouvera u n exemple de lutilisation de ce spectromtre au chapitre 7, section 5.
CHAPITRE
5 - MTHODES
239
En SNMS, la cible est bombarde par u n plasma dions positifs, et les neutres
pulvriss sont alors ioniss par impact lectronique dans une chambre o
rgne un plasma obtenu en ionisant u n gaz rare trs pur (argon) par rsonance
cyclotron lectronique (ECR). Le spectromtre de masse travaille dans le
domaine 1 500 amu avec une excellente rsolution en masse.
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
l
!
Source dions
i
I
I
I
I
I
I
I
I
Aimant de separation des masses

Vanne de sparation
Optique de-+*....
Porte-chantiiion
]Filtre
de masse quadrupolaire
Fig. 5.67. Principe dune sonde ionique (daprs document Atomika).
6.4.4. Lanalyse en mode SIMS

En SIMS, les processus dmission et dionisation sont fortement coupls. La
probabilit dionisation a,? pour lespce i dpend de la composition chimique de
laire pulvrise et de llment lui-mme. Donc a: peut varier de plusieurs
ordres de grandeurs d u n e matrice lautre et dun lment lautre. Du fait de
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
240
cet effet de matrice (auquel on peut remdier par u n faisceau primaire dions
actifs, O,+, qui favorise la production dions positifs) la quantification est assez
dlicate en SIMS et nest rellement possible quen cas de faibles concentrations
dans des matrices bien dfinies, ou en utilisant u n standard de calibration.
En revanche, cette variation considrable de la probabilit dionisation peut
avoir des consquences trs favorables quand, par exemple, la probabilit dionisation dun lment est trs grande. Dans ce cas, les limites de dtection sont
excellentes (meilleures que la ppb). Pour certains lments, on utilise un canon
dions Cs+ afin dabaisser le travail de sortie et de favoriser la production dions
ngatifs. On peut aussi focaliser le faisceau dions incidents et, grce u n
balayage de la surface, obtenir la distribution latrale de certaines espces chimiques et faire des cartographies. Dans certains cas, limagerie peut tre globale
mais on est alors limit par lastigmatisme du spectromtre. Certains appareils
sont munis d u n canon ions spcial (mtal liquide : gallium) qui permet de
diminuer le diamtre du faisceau incident jusqu quelques dizaines de nanomtres.
6.4.5. Lanalyse en mode SNMS

L a SNMS permet de contourner linconvnient majeur de la SIMS : le manque de
quantification. Ici les processus dmission et dionisation sont dcoupls grce
la post-ionisation des particules neutres jectes. La probabilit dionisation a; ,
de lordre de lo-,, est une constante de lappareil qui ne dpend que des paramtres du plasma et quon peut insrer dans la constante q. En posant
DO = a: 7; lquation (5.32)devient alors :
1p = lPY,D[?
(5.33)
Pour la pulvrisation atomique dun chantillon compos de plus dun lment,

on obtient pour la pulvrisation lquilibre :
(5.34)
Yi= CiYtO,
o ciest la concentration atomique de llment i, et Ytot

le taux de pulvrisation
total. Avec YtOt
= C Y i et c c i = 1 pour les lments i et j on obtient la
relation suivante en combinant les quations (5.32) et (5.34) :
i-- 1
-
cj
I. D J
Ij D i
(5.35)
Les facteurs de sensibilit relatifs peuvent tre obtenus partir de lanalyse

S N M S dun chantillon de composition connue. Contrairement ceux utiliss en
SIMS, ils ne varient que dun facteur 4 pour la plupart des lments. En
revanche, la rsolution latrale de la SNMS est mdiocre, de lordre de 0,5 cm.
Lutilisation dun canon ionique auxiliaire (externe) permet damliorer la rsolution latrale jusqu 150 pm, mais aux dpens de la sensibilit.
CHAPITRE
5 - MTHODESDANALYSE
DE LINGNIEURD E S SURFACES
24 1
6.4.6. Champs dapplications

Semi-conducteurs : dtection des impurets, profils de concentration des
dopants,
Catalyse, gomtrie de ladsorption,
Polymres : discrimination entre isomres structuraux, modifications de fonctions de surfaces,
Verres : hydroxylation des surfaces, dvitrification, couches de corrosion.
Mthodes de preparation
des surfaces
R
Ctait un plaisir pour les troupes daller au combat ou la mort,

ou du moins au carnage, portes sur des btiments superbes
auxquels la magnificence de la peinture confre tant dclat. ))
Pline lAncien (23-79 ap. J.-C.),

crivain et amiral de la flotte de Misne.
1.
Essai de classement
des mthodes de prparation
Depuis la plus haute Antiquit les hommes cherchent traiter les surfaces pour
des motifs trs divers :
religieux (statues, spultures.. .),
esthtiques (paratre riche),
militaires (faire peur ladversaire),
techniques (tanchit des bateaux, des toitures, protection contre la corrosion...).
Ces traitements de surface sont pris dans u n sens trs large et recouvrent
peintures, bitumes, maux, revtements par des mtaux prcieux, protection
des carnes de navires par des plaques de plomb ou de cuivre ...
Les dveloppements concernant de nombreuses techniques actuelles sont
relativement rcents ; en voici quelques repres :
industrie du fer blanc (fer tam) en 1725 en France (Raumur),
galvanisation industrielle depuis 1836 (Sorel),
dcouverte de la galvanoplastie par Jacobs en 1837, dveloppement industriel a partir de 1869 (Adents),
mise au point de la baklite en 1909 (Baeckland)et des rsines glycrophtaliques en 1930 (Pollack),
mtallisation par projection en 1910 (Shoop)...
244
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Une prsentation trs rductrice des traitements de surface consisterait

donner u n << catalogue >> de procds et recettes susceptibles de sappliquer sur
divers substrats : cette image est souvent entretenue par celle de la peinture que
les amateurs pensent pouvoir dposer nimporte comment sur nimporte quoi :
ds lors quon se penche sur le problme, on comprend trs vite quon ne peut pas
parler de peinture mais de << systmes de peintures B comprenant primaire dadhrence, couche dapprt, couche(s) de finition ... Ces systmes ne peuvent sappliquer que sur des matriaux bien dfinis dont la surface a t convenablement
prpare (tat de surface, dgraissage, conversion par phosphatation.. .).
Parfois le revtement fait partie intgrante du matriau (couche superficielle
modifie par trempe, par crouissage, par diffusion...). Dans certains cas, on utilise des pices mcaniques sans traitement de surface apparent : en ralit, on
saperoit que lors de lusinage on veille obtenir une faible rugosit avec des
stries dusinage bien orientes par rapport la direction du frottement et quon a
cr des proprits fonctionnelles qui constituent dj u n traitement de surface.. .
Nous pourrions citer dautres exemples qui tous nous montreraient quil ne
peut pas y avoir dun ct les matriaux et de lautre les revtements ; on doit
parler de matriaux revtus autant que de revtements de surface. Ces revtements doivent tre considrs de la mme manire que ... notre peau qui fait partie intgrante de nos tissus !
Les traitements de surface bnficient dune littrature trs abondante et
nous navons pas lintention de leur consacrer u n dveloppement qui sortirait du
cadre de cet ouvrage. Nous avons simplement choisi de prsenter ces traitements et modifications de surface en les classant en fonction de leffet induit.
Comme le montre la figure 6.1, tout traitement ou dpt commence par u n
nettoyage des surfaces mais le concept de surface << propre >> est une utopie qui
pourra ventuellement tre approche en laboratoire, en clivant, par exemple,
des cristaux sous ultravide ; dans les applications industrielles, une surface
propre est une surface dgraisse et dcape pouvant recevoir u n traitement
particulier. On obtiendra une surface Conditionne pour ce traitement et non
une surface propre dans labsolu. Dans les traitements lectrolytiques, ce conditionnement concerne souvent plus de la moiti de linstallation.
Les traitements par transformation structurale utilisent la dformation
plastique du mtal ou u n changement de phase et introduisent des
contraintes superficielles et une augmentation de duret.
Les traitements thermochimiques avec diffusion sont utiliss pour modifier
la composition superficielle du matriau, gnralement u n acier. Ce sont les
traitements classiques de cmentation, de nitruration, de carbonitruration.
Certains dentre eux peuvent tre poursuivis par u n traitement tel quune
trempe martensitique. Ces traitements obissent aux lois de la diffusion et
correspondent u n tat dquilibre.
I1 nen est pas de mme pour la catgorie suivante qui permet dobtenir des
tats hors quilibre par lemploi de faisceaux trs nergtiques. On peut
ainsi << forcer >> des ions en les implantant dans u n matriau ou obtenir des
concentrations thermodynamiquement impossibles grce des cycles fusionsolidification trs rapides (lasers, faisceaux dlectrons).
CHAPITRE
6 - MTHODES
245
DE PRPARATION DES SURFACES
Prparation
des surfaces avant traitements ou dpts
plastique
Grenaillage
Transformation
Chalumeau
Induction
-b
Nitruration
Carbonitruration
d'un mtalloide
Sous basse pression
Traitements
physirochimique
et dpts hors quilibre
Aluminisation
Titanisation
Siliciuration...
implantation ionique
I Chromisation
t,
nergtiques
(lasers, lectrons)
Ablation laser
Chimique
Sulfuration lectrol.
basse temprature
Electrolyse
F
+F
Par voie humide
Revtements
Etamage
Aluminiage
I Plnmhane
.
Au tremp
Par dpt en
phase vapeur
-)I
PVD, CVD
Par dpt et alliage

SOUS faisceau laser
Par placage
Par projection
Organiques
Cramiques
Fig. 6.1. Essai de classement des traitements de surface et des techniques de dpt.
246
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Les traitements par conversion consistent faire ragir la surface avec des
lments chimiques extrieurs (oxygne, phosphates, chromates.. .) pour
obtenir un compos rsistant la corrosion ou ayant des proprits particulires (couches dures dalumine sur les alliages daluminium, phosphatation
adapte a u frottement...).
La dernire rubrique, celle des revtements, concerne u n vaste domaine. Ces
revtements introduisent gnralement des modifications de la surface du
matriau de base (introduction de contraintes superficielles, ractions
induites par laccrochage...).
Le but de ce qui suit dans le prsent chapitre et le suivant est de donner
quelques pistes prparant le lecteur une recherche documentaire sur les traitements de surface ; par consquent, nous ne nous focaliserons que sur
quelques domaines particuliers :
les traitements hors quilibre, qui seront abords travers limplantation
ionique et les techniques laser ;
lintroduction de prcontraintes mcaniques par le procd de grenaillage
qui, bien quapparemment classique, reste primordiale pour amliorer la
tenue la fatigue de pices comme les ressorts : nous prsenterons une possibilit douverture vers les traitements par u choc laser >> :
la prsentation dune initiation la ralisation de couches minces par PVD et
CVD et la ralisation de multicouches.
Dans le domaine des traitements thermochimiques avec diffusion, nous
aurions pu prsenter les dveloppements rcents qui, par la matrise des paramtres des atmosphres associe au pilotage informatique, permettent la ralisation de toutes sortes de profils avec des cycles thermiques raccourcis ; ces procds sont bien dcrits dans les ouvrages rcents et dans les revues consacrs
au traitement thermique.
Un ouvrage spcialis ne suffirait pas dcrire les traitements lectrolytiques
qui connaissent actuellement une trs grande volution due, dune part la mise
a u point de traitements << multifonctionnels N (par exemple tenue la corrosion
plus tenue lusure), dautre part la prise en compte du respect de notre environnement. Le lecteur concern devra la fois sintresser aux bases dcrites,
par exemple, par Lacourcelle et se documenter sur les dpts par courants
pulss ou sur les dpts composites. Par contre, nous esprons quil aura
retenu, de la lecture du chapitre prcdent du prsent ouvrage, quil doit non
seulement analyser les revtements mais aussi mesurer les contraintes et les
proprits mcaniques.. .
Plusieurs traitements peuvent galement tre associs entre eux, par exemple
des dpts et des traitements therrniqued2) ; l aussi, le gisement de procds
possibles est considrable.
(1)
Lacourcelle L., Trait de galuanotechnique (Galva-Conseil dition).
( 2 ) Interactions traitements thermiques - traitements de surface, SF2M-AFTS-ART (PYC
Ed., 1992).
CHAPITRE
6 - MTHODES
DE PRPARATIONDES SURFACES
2.
Traitements hors quilibre
2.1.
Implantation ionique
247
Limplantation ionique est u n procd permettant de modifier la composition

superficielle des matriaux par pntration dions possdant une nergie suffisante. Cette nergie est fournie par acclration dans u n champ lectrique.
Lide est de Shockley (un des inventeurs du transistor), qui, ds 1951, proposa
limplantation ionique pour le dopage des semi-conducteurs. partir de 1971, le
procd fut industrialis pour la fabrication de circuits intgrs. Propos ds
1973 pour les applications la mcanique, il sy est rapidement rvl prometteur, et fut utilis avec succs en 1985 pour le traitement des b i ~ m a t r i a u x ~ ) ( ~ ) .
2.1.1. Interactions des faisceaux dions avec la matire

Les ions possdant une nergie suprieure quelques centaines deV (500 eV
300 keV) peuvent traverser la surface en provoquant une succession de collisions avec les atomes du matriau.
Sous leffet de ces collisions, les ions ont une trajectoire en u zigzag s mais
chaque collision les atomes heurts peuvent reculer et entrer eux-mmes en collision avec dautres atomes ; u n seul ion dune centaine de keV peut rencontrer
une bonne centaine datomes et provoquer, directement ou indirectement, la formation d u n millier de lacunes et dinterstitiels.
Par ailleurs, si le faisceau ionique est suffisamment intense, des atomes
superficiels seront jects, cest le phnomne de pulvrisation (sputtering). Le
taux de pulvrisation, Y p ,peut tre voisin de 1, cest--dire que pour chaque ion
incident on aura environ u n atome ject : on peut lexprimer plus exactement
par :
k
y p = -EFLp ( M i , M , , 8 ) S ( E , )
EL
Fp
= nergie de liaison des atomes de la
cible ,
= fonction de pulvrisation dpendant de la masse Mi des ions incidents,
de la masse M, des atomes du matriau cible et de langle, 8, entre les
particules incidentes et la normale la surface (Fp est maximale pour
8 = 60),
<<
S(E,) = pouvoir darrt du matriau pour les ions incidents dnergie E,.
( 3 ) ion Implantation Metallurgy, Annual Meeting of the Materials Reserch Society,

Cambridge Mass., November 30, 1979, Proc. AIME (1979), C.M. Preece et J.K. Hirvonen,
Eds. (The Metallurgical Society of AIME, 1979).
(41 Picraux S.T. et Peercy P.S., Ion implantation, Bull. Mater: Res. Soc. XII (2) (1987) 22-29.
248
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
L a concentration en ions implants est exprime par la dose ou fluence

nombre dions apports par cm2 de substrat.
Connaissant la fluence du faisceau dions et le taux de pulvrisation on peut calculer lpaisseur << abrase >> : avec 1017 ions Ti+ de 110 keV par cm2, la perte
dacier slve 12 nm.
L a figure 6.2 montre les diffrents phnomnes provoqus par linteraction
des ions avec la matire. Les ions secondaires mis sont la base des techniques
danalyse SIMS (voir Chap. 5, Sect. 6.4).
Les ions qui pntrent dans le matriau perdent leur nergie selon deux processus dcrits par la thorie LSS, due Lindhard, Scharff et S ~ h i o t t :~ )
collisions directes avec les atomes du matriau provoquant une perte dnergie
appele perte dnergie nuclaire et conduisant a u pouvoir darrt nuclaire,
Snuciaire ;
interactions avec le cortge lectronique des atomes produisant ionisations

et/ou excitations.
La mcanique quantique montre que les interactions nuclaires sont prdominantes avec les ions dnergie faible ou moyenne (de quelques keV
100/200 keV), domaine de limplantation ionique classique alors que les interactions lectroniques sont prdominantes lorsque lnergie est suprieure a u MeV,
cest le domaine de limplantation ionique haute nergie.
L a figure 6.3 illustre cette diffrence dans le cas dions argon implants dans
le cuivre.
Le parcours projet des ions, R p , correspond une distribution quasi gaussienne dont la dviation standard est ARP. Des modles permettent de calculer
assez prcisment la forme de cette distribution en faisant intervenir les
moments dordre 3 et 4, respectivement le skewness qui Caractrise la symtrie
du profil et le kurtosis qui mesure son aplatissement (les dfinitions de ces paramtres statistiques ont t donnes a u Chap. 2, Sect. 1.5.2).
On peut calculer des conditions dimplantation << multinergies >> telles que le
profil rsultant corresponde une concentration constante sur une profondeur
donne. L a figure 6.4 montre le rsultat dun tel calcul correspondant limplantation dazote dans du titane.
En implantant de fortes doses dions il est possible de dsorganiser totalement la surface au point de la rendre amorphe. Le matriau peut alors avoir tendance sautogurir par rarrangement des atomes sous leffet de lagitation
thermique, mais la surface amorphe reste stable si limplantation est faite
laide dlments amorphisants tels que phosphore ou bore.
( 5 ) Lindhard J., Scharff M. et Schiott H.E., Mat.-Fys. Med. 33 (1963)14.
CHAPITRE
6 - MTHODES
Ions primaires
Ions
rtrodiffuss
Agrgats
Ions
Neutres molculaires secondaires
249
informations utilises en
spectroscopie de masse
secondaires
oncentration dions irndants
Fig. 6.2. Interactions ions-matire.
2.1.2. Principe des implanteurs ioniques

Pour raliser un implanteur ionique il faut :
produire des ions dans une source dions,
extraire les ions de la source,
sparer les masses des ions laide dun champ magntique de manire
slectionner llment implanter ainsi que son nombre de charges,
acclrer les ions pour leur donner lnergie souhaite et en faire un faisceau
focalis,
provoquer un balayage du faisceau focalis s u r la surface traiter afin d o b tenir le profil correspondant a u dispositif raliser.
L a figure 6.5 montre le principe dun implanteur << post-acceleration B mais il
existe bien des variantes de ralisation.
250
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Fig. 6.3. Pouvoir d'arrt nuclaire et pouvoir d'arrt lectronique des ions argon implantes dans le
cuivre.
Profondeur (nrn)
Fig. 6.4. Simulation montrant la possibilit d'obtenir un profil << plat par implantation multinergies
d'azote dans le titane.
>)
CHAPITRE
6 - MTHODES
,---
25 1
Source dions
chantillons
Colonne
Quadrupoles
de focalisation
Plaques
de dviation
L[-]-L
200 kV
Fig. 6.5. lmplanteur a post-acclration
Dans la section 7.2 nous prsentons u n implanteur conomique sans sparation de masse et avec balayage mcanique de la surface ; ce procd baptis
<< incrustation ionique >> est bien adapt la biomcanique, la ralisation de cellules photovoltaques ou a u traitement doutils.
Les lments implanter sont obtenus partir dun gaz simple (azote,
argon...), dun compos gazeux (trifluorure de bore, BF,, arsine, ASH,, silane,
SiH4...) ou de vapeurs mtalliques obtenues partir dun creuset chauff.
Lionisation est ralise au contact dun filament chaud ou partir dune
dcharge dans le gaz.
2.1.3. Applications
Les applications rsultent directement des avantages de la mthode : indpendance vis--vis des coefficients de diffusion (possibilit dobtenir des tats hors
quilibre thermodynamique et de dpasser les limites de solubilit), conservation
des proprits du substrat en dehors de la zone implante, sans variation
dimensionnelle (possibilit de traiter des pices termines). Les surfaces implantes ne posent aucun problme dadhrence contrairement certaines couches
dposes ; ralises sous vide propre, elles ne sont pas pollues.
Le procd, largement appliqu aux semi-conducteurs, est potentiellement
applicable tous les matriaux (mtaux et alliages, cramiques, polymres), il
est trs reproductible. En revanche, il est difficile de traiter des gomtries complexes et des alsages : lpaisseur de traitement est limite par le parcours des
ions et la concentration lest par la pulvrisation.
252
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Limplantation ionique est relativement coteuse mais ceci nest pas un obstacle par rapport lintrt de certaines applications comme, par exemple, la
possibilit de raliser des circuits intgrs sans masque ou encore daugmenter
la dure de vie doutillages. Les applications llectronique sont nombreuses et
souvent lies la ralisation de dispositifsI6): nous nous limiterons ici aux applications la mcanique.
Mtaux
I1 est ncessaire dobtenir des concentrations atomiques importantes de lordre
de 20 % (doses de 1017 lo* ions.cm-2) pour modifier microstructures et proprits (blocage des dislocations en voisinage de la surface, durcissement, cration de contraintes de compression, formation de prcipits fins). On obtient des
amliorations intressantes de la tenue lusure, la fatigue, la corrosion et
loxydation ; le champ des applications couvre les outillages de mise en forme
(poinons, matrices, moules dinjection, matrices dextrusion), les composants
pour laronautique, les applications biomdicales (prothses orthopdiques,
instruments chirurgicaux)...
Tenue lusure
Dans les aciers, le systme le plus tudi est limplantation dazote qui amliore
les performances des alliages dj prvus pour rsister lusure (il faut la prsence dlments daddition susceptibles de former des composs). Ainsi pour
des aciers de construction dj rsistants et utiliss dans des conditions dusure
pas trop svres, on observe une amlioration vis--vis de la tenue lusure
adhsive et abrasive douce (de quelques % 20 fois) et de la tenue lusure par
petits dbattements par modification des conditions de formation des films
doxydes qui servent dcrans. Avec des aciers outils martensitiques, on
observe des augmentations de duret pouvant atteindre 200 % ( condition de
mesurer la duret par nanoindentation, voir Chap. 2, Sect. 3.2) ; on amliore
lusure sous fortes charges (formation de nitrures durs), la prsence doxynitrures joue un rle trs f a ~ o r a b l e Ces
~ ) . amliorations sont limites une temprature de 300 C a u maximum. Mais on peut gagner 100 C par implantation de
carbone et de titane. On amliore dans u n rapport 10 la dure de vie des revtements de chrome dur, les rsultats sont spectaculaires avec lalliage de titane
TAGV utilis en orthopdie : usure rduite dans u n rapport 1 000.
Tenue la fatigue
I1 en rsulte plusieurs effets bnfiques, comme leffet de durcissement par solution solide et la formation de prcipits qui gnent le mouvement des dislocations ou lintroduction de contraintes superficielles favorables. Ces mcanismes
nagissent que sur lamorage des fissures de fatigue et lamlioration ne peut
(6) Favennec P.N., Limplantation ionique pour la microlectronique et ioptique (Masson,
Paris, 1993).
(7) Onate, J.I., Dennis J.K. et Hamilton S., Implantation dazote dans les aciers outils,
Trait. Therm. 227 (1989)

41-47.
CHAPITRE
6 - M T H O D E S DE PRPARATION
DES
SURFACES
253
concerner que la dure de vie grand nombre de cycles. Par implantation dazote
dans lalliage de titane TAGV, on peut amliorer la limite de fatigue de 20 %@I
(voir galement lexemple de la Sect. 2 du Chap. 7).
Tenue a la corrosion et a loxydation
11 est possible dintroduire des ions favorisant la formation dun film passif (12
18 % de Cr dans un acier, Pd dans Ti) ou damorphiser les surfaces pour supprimer les joints de grains (bore implant dans lacier inoxydable). Nous savons que
certains lments limitent loxydation haute temprature et accroissent ladhrence du film doxyde, par exemple, lyttrium et les terres rares dans les aciers a u
chrome. Si les procds classiques de dpt altrent les caractristiques mcaniques et lectriques du substrat, limplantation permet de les conserver. De
mme le taux doxydation 1 100 C est divis par 10 par implantation de 1017
Al+ dans les alliages fer-chrome.
Cramiques
Les cramiques sont des matriaux fragiles, la plupart des ruptures samorcent
en surface. On montre quil est possible de les consolider (Sic, Si,N,, N,O,,
ZrO,. ..) par implantation dions mtalliques (Cr, Ti, Zr, Fe.. .). Les cramiques
peuvent tre cristallines ou amorphes ; les liaisons sont ioniques ou covalentes.
Dans les cramiques cristallines, limplantation agit par formation de solutions solides pouvant permettre la prcipitation de phases durcissantes lors dun
traitement thermique ultrieur : on amliore la tnacit, la duret et la rsistance la flexion. Dans les matriaux amorphes, limplantation agit par introduction de contraintes superficielles de compression.
Polymres
Les modifications des proprits de surface des polymres sont la consquence
de celles appliques aux liaisons sous leffet de lnergie apporte par les ions.
On peut rompre les chanes ou au contraire en crer des nouvelles, provoquer
des rticulations. Les principaux effets possibles sont laugmentation de la
conductivit lectrique (jusqu 14 fois) rendant les polymres semi-conducteurs
voire conducteurs, lamlioration des proprits mcaniques, chimiques,
optiques, de la tenue a u vieillissement. On peut modifier lnergie de surface
(incidence s u r la biocompatibilit, s u r ladhrence mtal/polymre...).
(8) Mille P., Ganter C., Cornet A., Stoquert J.P., Muller J.C. et Stuck R., Multi-Methods
Characterization of nitrogen implanted Titanium, Surface engineering with high energy
beams, Lisbonne 1989 (Association internationale de traitement thermique et de lingnierie des surfaces-CEMUL, 19891, pp. 547-560.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
254
2. I .4. Melanges ioniques

La figure 6.6 montre quelques variantes de limplantation ionique.
Quelle que soit sa nature, la technique utilise des ions comme projectiles
pour << pousser >> par recul des atomes dun lment dpos sur la surface du
matriau traiter :
des ions lourds et neutres (gaz rares : Ar, Ne, Xe) dnergie comprise entre 1,6
et 3,2 x
J (100 200 keV) afin de favoriser linteraction nuclaire (brassage efficace) ;
des ions de gaz ractifs (N2 sur Ti pour former un nitrure de titane).
Implantation classique
Faisceau dions
Alliage
Mlange ionique (implantation par recul)
i=
Ions de gaz rare Ar+, Ni

Prdpt
A,liage
Mlange interfacial
Ions de gaz rare Ar+, N+

Prdpt
Melange dynamique
Ions de aaz rare Ar+. N+

Dpt pendant limplantation
Alliage
Fig. 6.6. Mlanges ioniques.
CHAPITRE
6 - MTHODESDE
PRPARATIONDES SURFACES
255
Les fluences sont plus faibles que dans limplantation directe
ions.cm-2).
Le brassage affrent ces mthodes athermiques empche lapparition de
toute interface nette, et la zone de transition peut couvrir plusieurs dizaines de
nm do une excellente a d h r e n ~ e ( ~ I (Il. ~ ~ (
Selon le cas, il est possible de raliser des revtements pais (jusqu
quelques pm) avec des concentrations superficielles de 100 % qui ne peuvent
tre obtenues par implantation directe.
Le mixage ionique (ion mixing ou ion beam mixing) est u n procd squentiel
consistant en u n prdpt suivi dun bombardement ionique. Cette mthode permet dobtenir une concentration dions implants dpassant la limite impose
par le sputtering.
Le mixage ionique dynamique (ion beam assisted deposition - IBAD)
consiste en un dpt d u n film mince avec bombardement ionique simultan.
Comme le film dpos est continuellement brass pendant le dpt, lnergie des
ions peut tre faible (100 1 O 0 0 eV). Cette technique favorise la formation dune
structure fine (revtements denses dans lesquels les contraintes sont bien
contrles). Le mixage dynamique est un bon moyen de contrler sparment les
variables dans tous les procds pour lesquels le bombardement par un flux
nergtique donne u n effet bnfique.
10
Sur la figure 6.7 on compare ces diffrents procds en termes dpaisseur

maximum possible et de temps de traitement, avec le PVD, dpt physique en
phase vapeur (physical vapor deposition) qui est trait dans la section 4 de ce
chapitre : le mixage dynamique devrait se dvelopper en raison de s a comptitivit et de son aptitude raliser des microstructures intressantes.
Une autre variante possible est lvaporation sous faisceau puise dions
(pulsed ion beam euaporation - PIBE) qui est une mthode de dpt de films analogue lablation laser (voir section suivante), par utilisation dun faisceau puls,
rptitif et intense pour provoquer une vaporation flash d u n e cible et le dpt
sur le substrat. Comme pour lablation laser, il est possible de dposer rapidement des films qui reproduisent la composition de la cible avec le bnfice dune
nergie de couplage plus leve.
(9) Lilienfeld D.A., Hung L.S. et Mayer J.W., Ion Beam Mixing : Amorphous, Crystalline
and Quasycristalline Phases, Bull. Mater. Res. Soc. XII (2) (1987) 31-39.
( I O ) Rossnagel S.M. et Cuomo J.J., Ion-Beam-Assisted Deposition and Synthesis, Bull.
Mater. Res. Soc. XII (2) (1987) 40-49.
( I 1) Smidt F.A. et Hubler G.K., Recent advances in ion beam modification of metals, Nucl.
instrum. Methods Phys. Res. B 80/81 (1993) 207-216.
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
256
1 O00
Mixage ionique
dynamique (IBAD)
10-
Mixage
IrnDlantation
1-
0,1 -
o. 1
10
Temps en heures pour traiter 1 km
Fig. 6.7. Comparaison des divers procds dimplantation ionique
2.2. Techniques laser

Les lasers de puissance se sont tout dabord imposs dans le domaine de la
dcoupe des matriaux puis dans celui de la soudure, en commenant par les
aciers. Cest plus tardivement quils ont commenc tre utiliss pour les traitements de surface. Le recueil de propositions L a s e r Technologies f o r Tomorrows
N e e d s de 1EUROM (European Precision Mechanical and Optical Industries) a
orient la Commission europenne (Ve programme cadre de recherche et dveloppement) vers les traitements de surface suivants :
rechargement, formation dun alliage superficiel par raction active par le
faisceau laser ou alliation superficielle (alloying), dcomposition et refusion,
pour amliorer la rsistance lusure et la corrosion mais aussi diminuer le
bruit (secteur des transports) ;
nettoyage laser avec des pollutions rduites ;
dpt par laser : PLD ( p u l s e d laser deposition) et LCVD (laser a s s i s t e d chernical vapor deposition) : dpts de diamant, de supraconducteurs haute temprature critique, de revtements optiques ;
recristallisation de silicium amorphe ;
augmentation ou diminution de la rugosit de surface.
Pour raliser ces traitements, il faut disposer de sources fournissant une
nergie suffisante, fixe par le type de phnomne physique quon souhaite provoquer (nergie de rupture de liaisons). On peut caractriser les sources laser
par leur puissance (W) et les faisceaux focaliss ou mis en forme par leur nergie
spcifique (fluence nergtique) en J.crn- ou par leur << intensit >> I (en W.cm-2,
on lappelle aussi << densit de puissance D) ; il est ncessaire de dfinir le temps
CHAPITRE
6 - MTHODESDE
257
PRPARATION DES SURFACES
dinteraction, impos dans le cas des sources pulses ou choisi par lutilisateur
dans le cas des sources continues (lutilisateur fixe la vitesse de dfilement
devant le faisceau). Dans le cas des lasers pulss, on doit distinguer entre puissance moyenne et puissance crte.
L a figure 6.8 rsume les exigences requises pour les diffrents traitements de
surface.
Actuellement, on dispose de(12):
lasers continus CO, (i=l 10,6 pm), puissance maximale : 25 45 kW en laboratoire, 12 kW en milieu industriel, utilisables pour les traitements thermiques ;
lasers YAG (il
= 1,06 pm) continus (4 kW) ou pulss ( 1 2 kW, jusqua 100 J
par impulsion) ;
lasers excimres qui sont des lasers gaz mettant u n rayonnement puls ;
lnergie est mise dans le domaine de lultraviolet. Selon le milieu actif
(F2,ArF, KrF, XeC1, XeF), Avarie de 157 351 nm. La puissance reste modeste
pour les lasers industriels (200 W) ; en laboratoire, on atteint 1 O 0 0 W (impulsions de lordre du Joule pendant 10 30 n s avec une frquence de repetition
pouvant atteindre 500 Hz (application la photo-ablation).
+--
10
105
104
103
10-8
104
104
10-2
1O2
Temps dinteraction(s)
Fig. 6.8. Possibilits de traitements de surface sous faisceau laser.
cet ouvrage : comme base on pourra

consulter, par exemple : Vannes A.B., Lasers et industries de transformation (Technique et
Documentation, Paris, 1986) ; pour une actualisation, on pourra se rfrer a la collection
(parution annuelle) : Belforte D. et Levitt M., industrial Laser Handbook (SpringerVerlag).
(12) L a description de ces lasers sortirait du cadre de
258
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Cette situation volue vers lemploi de diodes laser GaAiAs ou InGaAs (Aentre
808 et 940 nm) dveloppes initialement pour le pompage des lasers YAG. Ces
diodes peuvent tre regroupes en barettes et constituer des sources de 1 500
2 O 0 0 W ( lo3 lo5 W.crn-,), leur rendement lectrique est de 40 50 % contre 5
10 % pour le laser CO, et 3 5 % pour le laser YAG. Les premires applications
de ces diodes concernent le durcissement par trempe mais elles sont aussi particulirement adaptes a u traitement de laluminium et de ses alliages (absorption
maximale du rayonnement 830 nm).
2.2.1. Interactions faisceau laser-matire

Lnergie d u faisceau doit tre transfre a u substrat avec le maximum de rendement ; trois phnomnes physiques perturbent ce transfert :
le faisceau laser sort de la cavit rsonante avec une dimension dfinie par la
taille des lments optiques, par exemple sous forme d u n cylindre de 25 mm
de diamtre ; dans ce faisceau, la rpartition de lnergie nest pas uniforme
mais dpend du (des) mode(s) dominant(s)de la cavit ;
une part importante de lnergie peut tre rflchie par le substrat : cest le
problme du couplage faisceau/matire ;
la vaporisatim superficielle du mtal provoque la formation dun plasma qui
absorbe de lnergie mais quon peut aussi faire << travailler >> avec profit :
dcapage des surfaces, durcissement par choc.
Rpartition de lnergie dans le faisceau

Selon leur type, les lasers peuvent fonctionner en mode fondamental transverse
lectromagntique TEM,, (lnergie est rpartie sous forme gaussienne) ou en
mode suprieur (TEMLo, TEM,,) avec une rpartition nergtique plus uniforme.
Le mode TEM,, est recherch pour le soudage ; pour les traitements de surface on utilise des lasers de mode plus lev mais dintensit plus faible. On peut
galement << homogniser x le faisceau laide de dispositifs optiques, avec perte
de rendement.
Fig. 6.9. Rpartition de lnergie dans un faisceau laser : (a) mode TEM,,
(b) mode TEM,,.
CHAPITRE
6 - MTHODESDE
PRPARATIONDES SURFACES
259
Couplage faisceadmatire
Les mtaux et alliages mtalliques massifs sont totalement opaques la lumire.
L a prsence des lectrons libres, due la nature mme de la liaison mtallique,
explique la rflectivit des surfaces mtalliques ainsi que lclat de ces surfaces :
les lectrons libres absorbent lnergie des photons et la restituent la mme frquence. Lorsquon diminue la longueur donde ildu rayonnement, lnergie des
lectrons augmente ainsi que leur vitesse et leur probabilit de collision avec les
autres lectrons, les phonons, les ions. Une partie de lnergie est alors absorbe
sur une profondeur trs faible (10 100 nm) ; linteraction entre le faisceau laser
et la surface se produit dans lpaisseur de peau correspondant londe lectromagntique associe puis lnergie est transfre a u rseau sous forme de chaleur. Cette chaleur diffuse ensuite par conduction dans le matriau sous-jacent.
Avant datteindre la surface, le faisceau interagit avec le milieu environnant
qui peut tre un gaz de protection (ou u n mlange de gaz) ou une couche absorbante. Lorsque lnergie est suffisante, il peut y avoir formation dun plasma.
L
Faisceau
laser
Lentille
paisseur dinteraction,,
10100nm
,+
.-
.-.+
Environnement
Fig. 6.10. Composantes du couplage faisceaulmatire.
LabsorptivitA est le rapport entre la puissance initiale du faisceau laser et

la puissance convertie en chaleur :
A=1-R
(6.2)
en dsignant la rflectivit par R.

Pour les raisons qui viennent dtre indiques, A et R sont des fonctions de il
comme le montre la figure 6.1 1 pour des surfaces mtalliques ; ce sont aussi des
fonctions de T : a u voisinage de la temprature de fusion les interactions sont de
plus en plus nombreuses et la rflectivit chute vers une valeur trs faible.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
260
Labsorption dpend galement de ltat de surface (la rugosit augmente la diffusion) et des dpts superficiels (lnergie peut tre absorbe et transforme en
chaleur dans ces dpts).
Sur la figure, sont reportes les longueurs donde correspondant aux principaux lasers ; on observe que le laser CO, serait pratiquement inutilisable si on
ne prenait soin de dposer u n revtement absorbant sur la surface (peinture
noire, phosphatation ...). Le laser YAG est mieux plac mais les diodes laser sont
potentiellement plus intressantes, en particulier pour le traitement de laluminium et de ses alliages (puissance et longueur donde sont adaptes).
On introduit le coefficient dabsorption a (m-l) :
avec k, = coefficient dextinction optique du matriau qui peut tre calcul partir des lois de llectrodynamique classique.
fi*
-
-I--
_+t.--~~
A argent poli
E alliage dAl 2024
F aluminium
II
Laser YAG (1,O6 pm)
Laser CO, (10,6 pm)
-1
Domaine des
I
0,2
0,3
0,5
0,8
8 10
20
Longueur donde en pm
Fig. 6.11. Rflectivit de quelques mtaux et alliages en fonction de la longueur donde.

On appelle longueur dabsorption d (m),linverse de a :
d = -1
(6.4)
En admettant la validit de la loi de Lambert, on montre que lintensit I,, absorbe par le matriau entre la surface et la profondeur z est donne par :
i,(z) = AI, e-az
(6.5)
I, est lintensit du faisceau incident, tenant compte de la rpartition nergtique

(mode).
CHAPITRE
6 - MTHODES
26 1
Transfert thermique
L'interaction avec le faisceau n'intressant qu'une trs faible paisseur, l'nergie

est ensuite transmise en profondeur par conduction thermique. L a temprature
T atteinte a u bout du temps t peut tre calcule en recherchant les solutions de
l'quation classique de conduction :
(6.6)
avec CP = capacit thermique volumique (J.m-3.K-1)
K = conductivit thermique (W.m-lK1)
S = fonction d'apport calorifique (W.m-3).
L a rsolution de cette quation n'est pas trs simple en raison des variations de
C p . de K et de A avec la temprature. On fait largement appel aux mthodes
numriques bases sur le calcul par lments finis.
L a figure 6.12 donne u n exemple de cycle thermique laser, obtenu exprimentalement l'aide de thermocouples de 0,5 mm trs faible constante de temps (25 ms)*.
2.2.2. Interactions avec l'environnement :plasma laser

Le faisceau laser interagit galement avec le gaz de couverture se trouvant audessus de la surface traiter : avec l'azote ou l'argon, on forme u n plasma ds
800
Fai eau aser
"C
t.
I,
600
Thermocouple
a x=0,5rnm
b x=lrnrn
c x=2rnrn
d x=4rnrn
e x=6rnm
= mm
g x = 10 rnm
h x=15rnrn
400
J
200
O
1
Fig. 6.12. Exemples de cycles thermiques rapides correspondant a l'interaction d'un faisceau de
laser CO, (3 O00 W.cm-*) avec un cylindre d'acier (diamtre 8 mm) pendant 0,5 s.
* Boisselier D., ENSAIS et IREPA LASER.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
262
quon dpasse une intensit critique de lo9 W.cm-2. Le plasma correspondant

u n tat dionisation quasi totale du gaz, linteraction avec les photons est trs
importante et le faisceau laser est trs fortement absorb.
Lemploi d u n gaz de couverture plus difficile ioniser comme lhlium permet
de retarder la formation du plasma, mais on se heurte u n problme de cot.
Lors de linteraction avec la surface il se produit une vaporisation de mtal
mais les vapeurs mtalliques sont plus faciles ioniser que le gaz et finalement
lintensit critique de formation du plasma est abaisse vers lo6 W.cm-2, pour
lacier. Le rsultat en est u n plasma mixte form dun plasma de vapeurs mtalliques ionises surmont d u n plasma de gaz ionis.
Plasma
Fig. 6.13. Plasma mixte.
Tant que le plasma reste en contact avec la surface, il y a transfert de lnergie absorbe vers le solide. Lnergie est rmise dans des longueurs donde plus
courtes mieux absorbes par le matriau. Les oprateurs laser savent matriser
le couplage faisceaulsurface en prsence de plasma, en tenant compte des
modifications optiques introduites et en rglant labsorption dans le plasma par
le dbit de gaz de couverture. On doit galement tenir compte des modifications
du plasma lorsquon effectue des traitements de surface avec apport de poudre
mtallique travers le faisceau laser.
Pour des puissances laser importantes (lasers pulss avec des puissances
instantanes suprieures a u GW.cm-2) on obtient un plasma qui subit une
expansion puis une dtente la fin de limpulsion. Cette dtente provoque une
onde de choc entranant un traitement mcanique de la surface ; cest un bon
moyen pour << nettoyer >> une surface par ablation. En << confinant >> le plasma, on
peut retarder sa dtente et augmenter lamplitude de londe de choc : cest le
principe du traitement par choc laser (voir Sect. 3.2).
CHAPITRE
6 - MTHODES
263
2.2.3. Principaux traitements de surface

Les traitements de surface peuvent tre classs en fonction des types dinteraction faisceau-surface (Fig. 6.14).
Traitements en phase solide

Ils sadressent essentiellement aux aciers et aux fontes : on provoque une trempe
martensitique classique base s u r lapport superficiel de chaleur par le faisceau
qui permet datteindre laustnitisation du matriau ; en raison du dfilement
relatif faisceau /pice, le refroidissement (trempe)est assur par la matire sousjacente qui sert de << puits thermique . Avec de tels cycles thermiques rapides, il
faut tenir compte du dplacement des points de transformation Ac, et Ac,. On
obtient une augmentation de duret et des contraintes de compression dans la
zone traite ( lo2 lo3 W.cm-2 pendant
quelques secondes, paisseur traite = l mm).
Ces contraintes amliorent la tenue la fatigue mais leur niveau nest pas
suprieur celui obtenu par les procds classiques (grenaillage, galetage), en
revanche leur stabilit est celle des traitements martensitiques : le procd peut
tre trs intressant pour des traitements locaux (zones de concentration de
contraintes) dans les lignes de production.
Laugmentation de duret est mise profit pour le traitement de glissires de
machines-outils. On peut galement traiter des lments tels que des chemises
de moteurs thermiques, laide de dispositifs de transport de faisceau miroirs
tournants : les problmes de recouvrement sont ngligs car lalternance de
zones dures et de zones moins dures favorise le transport des dbris dusure.
Traitements avec fusion
Ces traitements seffectuent avec ou s a n s apport de matire.
Fusion sans apport de matire
Une fusion suivie dune solidification rapide conduit u n affinage de la microstructure, quel que soit lalliage, et permet, en particulier, dobtenir u n << glaage >>
de surface ou micro-recristallisation improprement appele amorphisation. On
peut aussi faire voluer une structure dquilibre vers u n tat mtastable ; par
exemple, transformer superficiellement une fonte grise ou une fonte graphite
sphrodal en fonte blanche rsistant lusure (application lautomobile). Ou
traiter des outils de coupe en provoquant la dissolution des carbures lors de la
fusion : aprs solidification, la partie traite est sursature et possde alors u n
important potentiel de durcissement a u revenu.
L a difficult essentielle de tous ces traitements est le risque dapparition de
contraintes dfavorables la tenue la fatigue : surface en traction, souscouche en compression ; ils sont surtout intressants pour leur apport dans la
tenue lusure.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
264
sans fusion
thermique
de choc
photonique
Densification
superficielle
Obtention dune
Alliages de surface
recristallisation
Obtention dtats
Fig. 6.14. Classement des traitements de surface laser en fonction des types dinteractions.
Fusion avec apport d e matire
Cest un excellent moyen pour obtenir des couches superficielles dotes de proprits spcifiques et offrant lavantage dune liaison << mtallurgique >> a u lieu du
simple accrochage dun revtement classique. On peut amliorer la duret, la
tenue lusure ou la tenue la corrosion. Lapport de matire peut se faire sous
forme de prdpts qui sont ensuite refondus, par injection de poudres dans le
faisceau, par refusion dun fil alli.
CHAPITRE
6 - MTHODES
265
I1 est possible de raliser u n bain de fusion avec dilution totale : alliage superficiel ou avec dilution partielle : rechargement, dpt (stellitage de soupapes par
exemple). I1 est possible galement de refondre trs superficiellement u n prdpt poreux (ralis par projection) afin de le colmater.
Malgr la rapidit des traitements, les bains fondus sont relativement homognes en raison des forts mouvements de convection. Cette convection peut
tre provoque par les variations de temprature et de composition : convection naturelle par effet de gravite (buoyancy eflect) mais elle rsulte galement des diffrences de tension superficielle lintrieur de la zone fondue :
le liquide se dplace des zones de tension superficielle faible vers celles de
tension superficielle forte afin den abaisser la valeur, conformment aux
principes thermodynamiques : cest leffet Marangoni.
Zone liquide
laser
Fig. 6.15. Convection par effet de gravite et par effet Marangoni
Des exemples de mise en uvre des traitements de surface sous faisceau laser
sont cits chapitre 7, section 3 .
2.2.4.Ablation laser
Pour les mcaniciens, lablation laser correspond aux micro-usinages (microperage, usinage slectif.. .) : pour lingnieur des surfaces, lablation laser,
connue sous le nom de PLD (pulsed laser deposition), consiste vaporiser le
matriau dune cible a u moyen dun faisceau laser de grande p u i ~ s a n c e ( ~ ) (La~ ) .
figure 6.16 montre le schma de principe de la mthode.
(13) Chrysey D.B. et Hubler G.K., Pulsed Laser Deposition of Thin Films (John Wiley and
Sons, New York, 1994).
(14) Mihailescu I.N. et al., Excimer laser reactive ablation : a n efficient approach for the
deposition of high quality TiN films, J . Vac. Sci. Technol. A 11 (1993) 2577-2582.
266
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Substrat
chauff
Gaz
actif
Fig. 6.16. Schma dun systme de dpt par ablation laser.
Le faisceau laser est focalis s u r la cible a u moyen dune optique. Ainsi la

source de vaporisation est externe a u systme, ce qui peut constituer u n grand
avantage, notamment lorsquon introduit dans lenceinte de dpt u n gaz ractif
qui permet dobtenir une raction chimique avec le matriau sous vaporation.
Lablation laser sera donc particulirement utile pour lobtention de matriaux
comme les nitrures pour lesquels les cibles nexistent souvent pas. Un autre
avantage de lablation laser est que le transport de matire est en principe stchiomtrique, contrairement a ce qui se passe en MBE. Enfin, le cot dinstallation dun systme de PLD est largement moins onreux que celui dune MBE. En
revanche, faire des dpts s u r des substrats de grandes dimensions nest pas
facile en PLD en raison du caractre trs directionnel de lvaporation.
Par ailleurs, les mcanismes physiques qui rgissent lablation laser ne sont
pas simples et le pilotage de lvaporation peut tre complexe. Lorsque le rayonnement laser est absorb par une surface solide, lnergie est dabord convertie
en excitation lectronique puis ensuite en nergie thermique, chimique ou mcanique. I1 y a alors vaporation, ablation, formation dun plasma ... Les espces
vapores forment une << plume >> o on trouve des atomes, des molcules, des
lectrons, des ions, des agrgats et des particules de taille micronique.
La source laser et son optique
Les lasers utiliss en PLD ont en gnral des longueurs donde comprises entre
200 et 400 nm. Ce sont le plus souvent des lasers excimres qui permettent
CHAPITRE
6 - MTHODES
267
dobtenir des puissances suprieures a u joule par impulsion et par cm2. Le taux
de rptition peut tre de plusieurs centaines de Hertz.
Les optiques doivent permettre la focalisation du faisceau, sa transmission
dans la chambre de dpt uta des fentres et enfin son orientation s u r la cible.
Pour u n laser excimre KrF (A= 248 nm) les lentilles en silice offrent le meilleur
compromis.
Les cibles et le substrat

Tous les types de cibles solides peuvent tre utiliss : poudres presses ou frittes, matriaux massifs, alliages. Plus la cible est dense, meilleure sera la qualit
du film. Les poudres tendront ainsi donner des gouttelettes.
Le substrat sera en rotation pour homogniser le dpt et de plus il devra
tre chauff pour favoriser la diffusion superficielle des molcules de dpt et
viter des croissances en colonnes ou en lots. Une rgle empirique dit que la
temprature du substrat doit tre comprise entre le tiers et la moiti de sa temprature de fusion (en K).
Le vide devra tre bon : le graphe de la figure 6.17, valable pour tout type
dvaporation, donne la relation entre le taux de dpt et la pression rsiduelle
acceptable. Comme les taux dvaporation sont importants en ablation laser, on
pourra tolrer u n vide secondaire conventionnel (
mbar) pour les applications courantes. En micro-lectronique o le taux dimpurets doit tre minime,
lultravide est obligatoire.
Pression
autorise (mbar)
10-10
10-9
10-8
I
05
0,05
0,005
Taux de dpt
(nrn.ssl)
50
10-7
10-6
10-5
500
104
103
10-2
Fig. 6.17. Relation entre flux datomes, vitesse de dpt et pression rsiduelle : pour une vitesse
de dpt de 0,5 nm.s-, le flux arrivant sur le substrat est de I O l 5 at.cm-2s-1, il faudra atteindre une
pression limite avant dpt dau moins lo4 mbar (daprs Rf.(13)).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
268
3.
Introduction de Prcontraintes mcaniques
3.1.
Exemple du grenaillage
3. I. I. Apports du grenaillage de Prcontrainte

Le grenaiage de prcontrainte (shot peening) est une technique relativement
ancienne (peut-tre initie par les taillandiers de Tolde qui martelaient froid les
lames dpes) dveloppe aux tats-Unis la fin des annes vingt. Son efficacit
et sa simplicit font quelle reste toujours irremplaable pour de nombreuses
applications, en particulier le moteur thermique le plus performant qui ne durera
pas plus longtemps que ses ressorts de soupapes dont la dure de vie est directement lie la qualit du grenaillage. Certains lments davions, par exemple les
roues, sont obligatoirement grenaills : il en est de mme des ressorts de suspension des voitures de chemin de fer ou des barres d e torsion de chars.
Bien que lobjectif de cet ouvrage soit de prsenter des aspects de la physique
et de lingnierie des surfaces qui mergent et voluent, du laboratoire de
recherche vers lapplication industrielle, nous avons nanmoins tenu y faire
figurer le grenaillage en tant que technique de rfrence trs largement utilise
dans lindustrie et paramtre par rapport des repres technologiques. Pour
tout nouveau traitement de surface susceptible dentrer en concurrence avec le
grenaillage, on pourra sy rfrer pour se poser les questions habituelles : le traitement est-il plus performant ? Le traitement est-il moins onreux ? Le traitement fait-il franchir une limite technologique ?
Le grenaillage de prcontrainte consiste projeter des petites billes (acier,
fonte, verre, cramique ...I grande vitesse s u r les pices traiter. La vitesse des
billes est de lordre de 50 ms-1 et chaque impact cre une pression voisine de
1,5 GPa pendant 1 p s qui dforme plastiquement le matriau en ltirant autour
du point de choc. Par la rptition de ces impacts, on peut enfermer la pice
dans une << coquille >> de contraintes de compression : lpaisseur plastifie est
comprise entre O, 1 et 0,25 mm. Le grenaillage rduit la taille des asprits et des
rayures et amliore la tenue la fatigue et lusure en petits dbattements. Cest
la bonne mthode pour annuler ou inverser des contraintes de traction provoques par certains usinages (rectification)ou obtenues dans des cordons de soudure. On traite galement des pices brutes de forge ou de fonderie ; on dit souvent que << le grenaillage est le garant de la bonne sant de peau des surfaces .
3.1.2. Phnomnes induits et paramtres du grenaillage

Pendant le grenaillage, on considre que se superposent deux Phnomnes :
lallongement des couches superficielles (pour les matriaux ductiles) :
la cration de contraintes en sous-couche sous leffet de la plastification introduite pendant les impacts par les contraintes de Hertz. Pour des matriaux
haute rsistance, on obtient le maximum de prcontraintes en sous-couche.
CHAPITRE
6 - MTHODES
269
Pour obtenir le rsultat il faut viter tout surgrenaillage pouvant provoquer

des fissures superficielles : les paramtres sont :
les caractristiques des billes (forme, taille, duret, matriau) :
l intensit , I, du grenaillage fonction de la vitesse des billes, de langle dimpact, de la distance de projection :
le taux de recouvrement, fonction de la taille des billes et du temps dexposition.
Rappelons que la stabilit des contraintes superficielles nest pas lie aux
paramtres de grenaillage mais aux caractristiques du matriau grenaille et
ses conditions de chargement.
Le taux de recouvrement est le rapport R (%) entre la surface des impacts et
la surface grenailler ; u n observateur expriment dtecte facilement par
observation avec une loupe linstant partir duquel les empreintes recouvrent
entirement la surface. Le temps ncessaire pour obtenir ce recouvrement dans
des conditions donnes est appel temps de base : si on multiplie ce temps par 2
ou 3 , on parle de recouvrement de 200 ou 300 %.
Lintensit Aimen est u n repre technologique mis a u point par Aimen
(General Motors, USA) et universellement adopt. On utilise une prouvette en
acier a u carbone (XC65) trempe et revenue, bride sur un support et expose
au jet de grenaille, a u voisinage immdiat des pices grenailler. Lorsquon
libre lprouvette de ses brides, elle se dforme car la face grenaille est allonge
et on observe une flche caractristique appele flche Aimen.
Fig. 6.18. Mesure de la flche Almen
Pour obtenir une flche Almen donne il faut tracer la courbe de saturation
ou variation de la flche Aimen en fonction du temps dexposition.
Au bout d u n temps de grenaillage suffisant la flche naugmente pratiquement plus. Les normes dfinissent le temps de saturation, t,, comme le temps
dexposition ncessaire pour obtenir la flche Aimen souhaite dans des conditions telles que la flche naugmente pas de plus de 10 % lorsquon expose pendant 2t,.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
270
Intensit du grenaillage
(flche Almen)
Vitesse et/ou taille de la grenaille trop grandes
Temps de saturation ,t
2t,
Temps dexpositich
Fig. 6.19. Courbe de saturation et temps de saturation.
Lessai Almen permet de contrler la reproductibilit dune opration de grenaillage dans des conditions donnes ; il faut tre conscient quil nest valable
que dans des conditions bien dtermines appliques a u n matriau donn
(remarque valable pour tous les essais technologiques). Deux flches Almen
identiques obtenues dans des conditions diffrentes ne Caractrisent certainement pas le mme effet !
3. I .3. Technologie et caractrisation des surfaces grenailles

Le grenaillage a le double statut industriel de traitement de surface et de procd
dusinage ; la grenailleuse est une machine dont loutil est la grenaille. Une grenailleuse comprend u n systme de projection de la grenaille (jet, turbine) plac
dans une enceinte blinde de protection et u n dispositif pour la rcupration de
la grenaille et son tri ventuel aux fins de recyclage. L a turbine confre la grenaille une vitesse de 50 90 ms-1 ; dans le cas du jet, la grenaille est vhicule
par de leau (cas de billes de verre trs fines) et projete par de lair comprim
(voie humide) ou projete directement par lair comprim (voie sche).
Le choix de la nature de la grenaille (acier coul a u carbone-manganse
tremp-revenu, fonte, billes de verre, billes de cramique) est dict par le souci
dviter une contamination des surfaces (dgradation de la tenue la corrosion).
L a grenaille ne doit pas blesser la surface (les billes casses ne doivent pas tre
recycles).
CHAPITRE
6 - MTHODES
271
Sur une surface grenaille, on sintresse aux contraintes superficielles, la

rugosit et lamlioration apporte la tenue en fatigue de la pice ; la
figure 2.20 en donne u n bon exemple.
Avant de procder de coteux essais de fatigue il faut sassurer de labsence
de fissures et de replis. Sur de lacier ces dfauts dpendent de la nuance et de
lusinage avant grenaillage : formation de fissures courtes (10 pm) pour des taux
de recouvrement de 125 150 %, formation de fissures longues pour 300 %.
Lexemple de la section 1 du chapitre 7 illustre ces aspects.
Le galetage est u n procd driv qui consiste faire rouler u n galet qui
crase la surface traiter. Le rsultat dpend de la force de contact, des diffrences de duret entre galet et surface et de la vitesse davance ; cette vitesse est
limite par la formation dune << vague >> de matire qui prcde le galet. Par galetage on peut traiter une profondeur plus importante que par grenaillage : en pratique, ce procd est essentiellement appliqu au traitement des congs de raccordement des vilebrequins de moteurs thermiques.
3.2. Exemple du choc laser

laide de lasers pulss, on envoie sur la surface des impulsions de forte nergie
(quelques dizaines de joules) pendant des temps trs courts, de lordre de
quelques nanosecondes (voir Fig. 6.7). Ainsi que nous lavons vu, des densits de
puissance suprieures au GW.cm-2 conduisent la vaporisation et la formation d u n plasma. Ce plasma est caractris par une haute pression pouvant
atteindre 5 GPa et par une temprature superficielle trs leve (10 O 0 0 K), sa
dtente brutale gnre une onde de choc la surface du matriau.
La possibilit de crer de telles ondes de choc a t montre u n peu avant
1970 mais il est apparu trs vite que le transfert dnergie du plasma vers la surface ne peut tre suffisant quau prix dun confinement du plasma qui en retarde
lexpansion (brevets du Batelle Institute en 1973 et en 1983). Ces techniques
rejoignent les recherches sur lemploi des lasers pour la matrise de la fusion
thermonuclaire.
En confinant le plasma on augmente la pression dun facteur 10 et on double

le temps de maintien. Le milieu confinant peut tre du verre ou de leau. Divers
travaux montrent la faisabilit de la mthode condition de disposer de lasers
dveloppant a u moins 100 J en 30 n s avec une frquence de rptition du
17). Sur des alliages daluminium mouls on obtient (laser verre dop
Hzi15)i16)i
nodyme 1.06 pm de longueur donde, impulsions de 2 x 80 J pendant
(15) Fournier J., Gnration dondes de choc par laser puls de forte nergie. Applications
mcaniques et mtallurgiques, Thse, cole Polytechnique ( 1989).
(16) Fournier J., Le Choc laser : un traitement de surface concurrent futur du galetage et
du grenaillage, Trait. Therm. 239 (1990) 27-3 1.
(17) Peyre P., Merrien P. et al., Renforcement dalliages daluminium mouls par onde de
choc laser, Matr. Techn. 6-7 (1993) 7-12.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
272
Confinement du plasma
/ (verre, eau)
Revtement
absorbant
Plasma
Ondes de choc
Fig. 6.20. Choc laser sous plasma confine.
25-30 ns) des niveaux de contraintes moins levs quavec le grenaillage mais
affectant des profondeurs plus importantes ( 1,5 2 mm) en dgradant beaucoup
moins ltat de surface. En fatigue, on obtient des rsultats lgrement suprieurs ceux obtenus sur les surfaces grenailles.
Cette technique de << grenaillage photonique >> a t exprimente en aviation
pour le renforcement de trous de rivets et pour lamlioration de la tenue la
fatigue daubes et de disques de turbines(1s); on peut galement lutiliser pour
<< effacer B u n dfaut par densification de la surface.
Le choc laser est une technique qui mrite de retenir notre attention car son
dveloppement suivra celui des lasers (dont le cot est, pour linstant, trop lev)
et la matrise des mthodes de confinement du plasma. I1 pourrait se prsenter
comme un moyen de traitement, contrlable par informatique, plus pratique
intgrer dans u n atelier flexible quune cabine de grenaillage, mme robotise.
On peut esprer un gain au profit de la stabilit des contraintes de surface.
4.
Ralisation de couches minces par PVD et CVD
PVD (physical vapour deposition) et CVD (chemical vapour deposition) dsignent

les dpts de couches minces obtenus par des vapeurs formes partir de processus mettant en jeu respectivement des phnomnes physiques ou chimiques.
lintrieur de ces deux classes de procds, les classifications ont souvent une
grande part darbitraire. Ce sera essentiellement lnergie des particules vaporises qui fera la diffrence. Si lnergie est faible, les particules sont rapidement
thermalises sur la surface et nont donc pas le temps de diffuser. En consquence, la croissance sera souvent htrogne.
(18)Jeandin M., Traitements de surface par laser de puissance : influence de ltat de surface s u r les proprits des matriaux traits en particulier ceux pour laronautique,Mat&
Techn. 1-2(1996) 9-19.
CHAPITRE
4.1.
6 - MTHODESDE PRPARATION
DES SURFACES
273
Dpt physique en phase vapeur
Les dpts physiques en phase vapeur sont essentiellement :
Les dpts par evaporation thermique - ET

Le matriau vaporer est chauff dans un creuset par effet Joule ou par u n
canon lectrons. Cest un des modes les plus courants de dpt
I1 assure pour la plupart des mtaux usuels un bon taux dvaporation dans des
vides conventionnels : on lutilise pour les optiques (miroirs),les couches de protection, les matriaux pour llectronique. Une variante en est lpitaxie par jets
molculaires ou MBE (molecular beam epitaxy) qui se pratique sous ultravide(201.
Le matriau vaporer sort de cellules deffusion du type u cellule de Knudsen n.
Le terme jets molculaires ne veut pas dire quon vapore des molcules mais
que le jet de matire se fait dans u n rgime dit molculaire o le libre parcours moyen des molcules ou des atomes de la phase gazeuse est tel quils
ont peu de chances de subir de collisions avant de rejoindre le substrat.
Cest une vaporation trs propre et trs uniforme frquemment utilise, notamment dans le domaine des semi-conducteurs o les impurets sont dsastreuses
pour les proprits de transport (laboration de dispositifs, notamment avec les
III-V). L a littrature fournit des abrviations diverses pour les mthodes de dpts
de vapeurs physiques. On peut citer lALE (atomic layer epitaxy) qui suppose que
le faisceau molculaire soit hach par des caches rotatifs (voir Rf.(201). chaque
alternance, on dpose une monocouche (environ 1015 at/cm2) et pendant le pas-
sage du cache on laisse le t e m p s au matriau dpos de diffuser sur l a surface.

Existent aussi IAMBE (accelerated MBE)[21et Im(ionized vapour deposition)
deux techniques pour lesquelles le flux de vapeur est partiellement ionis sous
limpact dun faisceau dlectrons auxiliaire et o les espces vaporises sont acclres grce une polarisation du substrat. Enfin citons lICBD (ionized cluster
beam deposition) qui semploie par dpt directe des agrgats.
Les dpts par pulvrisation cathodique PC

Cette technique appele souvent sputtering repose s u r les principes de la pulvrisation dcrits au chapitre 5, section 6.4.1. L a rfrence(22)contient u n grand
(19) Bunshah R.F., Deposition technologiesfor Films and Coatings (Noyes Pub. Park Ridge,
N.J. 1982).
(20) Chatillon C. et Massies J., Practical Aspects of Molecular Beam Epitaxy, Mater. Sci.
For. 59/60 (1990) 229-286.
(21) The Technology and Physics oJMoiecular Beam Epitaxy, E.H.C. Parker, Ed., (Plenum,
New York, 1986).
(22) Richardt A. et Durand A.M., Les interactions ions nergtiques-solides [ditions InFine, Paris, 1997).
2 74
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
nombre de dtails sur le fonctionnement de la pulvrisation cathodique et

notamment sur la technologie des sources. La pulvrisation cathodique consiste
vaporer des matriaux qui se trouvent sous forme de cibles de quelques centimtres carrs. Un porte-cible peut contenir plusieurs cibles diffrentes quon
peut faire tourner pour vaporer plusieurs matriaux successivement. Cette
technique se prte trs bien lvaporation des mtaux, u n degr moindre qua
celle des alliages. En effet, la pulvrisation nest pas u n phnomne qui conserve
la stchiomtrie puisque le rendement de pulvrisation dpend du numro atomique. La covaporation nest pas facile car elle demande a u moins deux
sources. Un des grands inconvnients de la pulvrisation cathodique peut rsider dans son prix de revient. Les cibles sont onreuses et peuvent reprsenter
une immobilisation de capital importante. I1 est en effet trs rare que tout le
mtal dune cible finisse par tre vapor. Parmi les avantages, il faut signaler u n
fort taux dvaporation qui permet dobtenir des vitesses de dpts importantes.
La qualit cristallographique dpendra dun compromis entre nergie, vitesse de
dpt, qualit du substrat sur lequel est fait le dpt ... On observera trs souvent des croissances dites colonnaires. En gnral, les sources sont du type
<< magntron B : un champ magntique permet daugmenter la longueur des trajectoires des ions du gaz environnant et donc de faire crotre normment la probabilit des collisions. Cest dailleurs sur le mme principe que fonctionnent les
jauges ionisation qui sont utilises pour mesurer le vide.
I1 existe dautres versions de la pulvrisation cathodique. LIBS (ion beam
sputtering) est une mthode o la source dions est une source Kaufman telle
celle dcrite pour les implanteurs ioniques, travaillant avec des nergies de
lordre du keV. LIBS ne permet pas des taux dvaporation trs grands mais la
qualit cristallographique est souvent excellente. On peut lui reprocher son prix
de revient car, outre les cibles, le remplacement de la grille de la source Kaufman
est frquemment ncessaire. I1 est souvent dlicat de stabiliser le faisceau dions
dans cette configuration. LIBAD (ion beam assisted deposition)est une mthode
hybride runissant IBS et vaporation thermique. On peut aussi utiliser une
simple dcharge corona qui revient imposer une haute tension entre le matriau dposer et le substrat dans u n vide de quelques mbar obtenu en pompant
directement latmosphre. Cest u n procd rapide mais qui ne fournit pas des
couches de trs bonne qualit.
Les applications industrielles de la pulvrisation cathodique sont extrmement nombreuses : industrie automobile, recouvrement de vitrages, laboration
de dispositifs base de multicouches mtalliques. Cette mthode se justifie totalement si on vapore toujours les mmes lments, ou si on a besoin dun taux
dvaporation lev, par exemple pour avoir des paisseurs de lordre du micromtre. La propret du procd garantit des couches trs pures.
4.2.
Dpt chimique en phase vapeur - CVD
La CVD est base sur des ractions chimiques qui interviennent sur le substrat
chauff entre plusieurs gaz ractifs. En gnral, le gaz porteur de latome dposer
CHAPITRE
6 - MTHODES
275
est dcompos. Ce gaz est souvent mlang u n gaz vecteur qui peut dailleurs
tre actif dans le processus. Au chapitre 7, section 4, on donnera u n exemple de
couches de diamant obtenues par CVD. L a MOCVD (metal organic CVD) fait
intervenir des organo-mtalliques ou des hydrures. Lavantage de la MOCVD est
de pouvoir recouvrir des substrats ayant des formes gomtriques complexes.
Cette mthode prsente cependant des inconvnients qui tendent devenir rdhibitoires : les gaz utiliss sont souvent toxiques ou inflammables. Le prcurseur
organique devra tre labor judicieusement pour avoir une bonne tension de
vapeur. On peut utiliser des variantes de la MOCVD autorisant la suppression
du chauffage du substrat en fournissant aux atomes ou molcules lnergie qui
leur permettra de diffuser sa surface : il sagit des LA-, PE- ou PA-CVD (laser
assisted, plasma enhanced ou plasma assisted CVD)123).
5.
Essai de comparaison des mthodes
5.1.
Les paramtres physiques
Plusieurs paramtres peuvent entrer en jeu quand on cherche la meilleure

mthode de dpt sur u n substrat donn. Citons parmi les plus importants le
vide requis, le taux de dposition, lnergie des molcules dposes, la ncessit
de contrler lvaporation simultane de plusieurs lments, celle de contrler la
temprature du substrat. Cette dernire condition est certainement la plus facile
raliser. Le tableau 6.1 donne une valuation des mthodes de dpt au regard
de plusieurs de ces paramtres.
Tableau 6.1. Estimation de quelques paramtres de dpbts pour /es mthodes CVD et PVD. UHV
signifie ultravide, VC, vide conventionnel.
AMBE
ALE
CVD
ET
IBAD
IBS
MBE
MOCVD
PECVD
PC
PLD
0,l - 100
O,1
O,1
O,1
0,l - 1 O00
20 - 200
O,1
O,1
0,l - 500
1 - 1 O00
1 - 1 O00
UHV
UHV
vc
vc
vc
UHV
UHV
UHV
vc
vc
vc
moyen
moyen
moyen
difficile
difficile
difficile
moyen
moyen
moyen
facile
facile
03
0,1
2
2
1
0,Ol
0,3
1
2
1
1
(23) Ricard A., Plasmas ractvs (Socit franaise du vide, Paris, 1995).
non
non
oui
non
non
non
non
oui
oui
non
oui
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
276
Lnergie des particules dposes est u n facteur important : si cette nergie

est faible (infrieure quelques eV) les particules ne diffusent pas s u r la surface
et on tend favoriser la croissance par lots. Par ailleurs, il y a peu de raction
chimique avec le substrat et ladhsion est souvent mauvaise. Mais si lnergie
est trop forte (suprieure quelques dizaines deV),on peut pulvriser la couche
dj forme ou crer des dfauts dimplantation. La pulvrisation cathodique et
lablation laser sont certainement les mthodes les plus efficaces au regard de ce
paramtre. Du point de vue de la possibilit davoir le dpt de plusieurs clments diffrents (soit simultanment, soit conscutivement),ces deux mthodes
sont galement trs bonnes.
5.2.
Les paramtres pratiques
Parmi les paramtres pratiques, on peut citer les possibilits dobtenir des pitaxies souvent couples celles davoir des htrostructures, les taux de dpts
importants, les basses tempratures de substrats (cas des polymres), le recouvrement de grandes surfaces, ladhsion, le prix de revient de lappareil.
Ce sont videmment les mthodes qui ne requirent quun vide conventionnel
qui sont les plus avantageuses en termes de prix de revient et cela avantage
lvaporation thermique. Dans le cas de lablation laser, il ne faut pas oublier le
cot du laser excimre, pour la pulvrisation celui des cibles et dans le cas des
CVD il ne faut surtout pas ngliger les surcots induits par le traitement des gaz
mis et les mesures de scurit.
Tableau 6.11. Comparaison de quelques paramtres pratiques.
AMBE
CVD
oui
ET
MBE
MOCVD
PECVD
PC
PLD
oui
oui
oui
oui
oui
moyen
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
CHAPITRE
6 - MTHODES
5.3.
277
Les matriaux deposes
Tableau 6.111. Materiaux quon peut deposer en fonction de la technique utilise.
Borures
Carbures
Fluorures
Nitrures
Oxydes
Serni-conduct.
Siliciures
Sulfures
Supra HTc
oui
oui
oui
OUI
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
Dans le tableau 6.111 sont regroupes les potentialits de plusieurs mthodes de

dpts en fonction de la nature des matriaux dposer. I1 va de soi que toutes
les mthodes permettent dvaporer les mtaux.
6.
Ralisation de multicouches
Les matriaux en multicouches font actuellement lobjet de dveloppements

considrable^^^^). Ils sont utiliss pour raliser, dune part, des optiques pour les
rayons X et, dautre part, des dispositifs (semi-conducteurs, matriaux magntiques.. .). Les multicouches sont le plus souvent obtenues par pulvrisation
cathodique, mais lorsque la qualit de lpitaxie doit tre parfaite, la MBE est
prfre.
Une multicouche est une structure complexe qui suppose dabord un substrat rigide : le verre et le silicium sont les substrats les plus utiliss, lun comme
lautre peuvent tre trs plats et exempts de rugosit. Par ailleurs, le verre est
transparent ce qui pourra avoir des avantages dans le domaine de loptique et le
silicium est u n support pour lequel les problmes dintgration et de miniaturisation sont bien matriss. Au-dessus du substrat, on dpose trs souvent une
couche tampon (bufer layer) qui servira de couche damorage de lpitaxie et de
croissance correcte. On choisit en gnral u n mtal qui mouille le verre ou le silicium aussi bien que possible et qui recristallise bien temprature modre. Le
fer, le cobalt ou le palladium sont souvent utiliss. Ensuite, on peut procder a u
(24) Metallic Multilayers, Chamberod A. et Hillairet J., Eds. (Trans. Tech. Publications,
Zurich, 1989).
2 78
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
dpt des couches actives proprement dites, et terminer par une couche de protection contre loxydation, en dposant soit un mtal peu oxydable, soit un
nitrure. I1 faut videmment veiller ce que les contraintes induites par le matriau de protection ne dtruisent pas lordonnancement savant de larchitecture
sous-jacente. Comme dj signal, le nombre dlments dposer doit souvent
tre limit. Citons en exemple un matriau en multicouche dvelopp pour faire
des capteurs magntiques de position bass sur la magntorsistance gante.
Le support est en silicium pour pouvoir placer les lectrodes qui mesureront la
magntorsistance. une couche tampon en fer peut la fois permettre lpitaxie
de la multicouche Co-Cu, et servir de couche de dtection de lorientation des
champs magntiques. La multicouche Co-Cu sert induire la magntorsistance
sous forme dune couche antiferromagntique artificielle. Au-dessus, une nouvelle couche de fer sert de nouveau de couche de dtection et de couche tampon
pour le matriau de protection. Un tel dispositif sert de dtecteur de rotation
sans contact (prcision 1 3 degrs dangle).
* Collaboration IPCMS, Siemens, Selet Sensors et Sorep. Contrat Brite-Euram << SENSORS >>
BREU 7863, Contactless position sensors based on new GMR multilayer materials.
tude de cas
Continue, nexerce pas seulement ton art,

mais pntre dans son intimit. N
Ludwig van Beethoven
Dans ce dernier chapitre nous nous proposons dexaminer quelques exemples

dingnierie des surfaces, pris dans des domaines trs varis, et la mise en
uvre des analyses associes.
1.
Traitements de surface
des ressorts de soupapes
Domaines abords
Traitements de surface :
Grenaillage daciers avec blocage chaud.
Analyses :
Mesure de contraintes par dflraction de rayons X , observations au MEB.
Les ressorts de soupapes sont des organes sollicits en permanence entre

une charge minimale qui assure la fermeture et une charge maximale lors de
louverture. La gomtrie du ressort est calcule de manire ce que la charge
maximale de service nintroduise pas de dformations plastiques irrversibles.
Ce sont donc le diamtre du fil et le diamtre denroulement, mais galement le
matriau qui vont dfinir les charges dutilisation des ressorts. Ces ressorts travaillent des tempratures suprieures 80 C en milieu non corrosif. Le bon
fonctionnement du moteur implique une bonne stabilit des Caractristiques
mcaniques du ressort. Les aciers les plus utiliss dans ce domaine sont des
aciers hautes performances au chrome-silicium et au chrome-vanadium.
* tude effectue en collaboration avec les socits ISH France et PSA.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
280
L a tendance actuelle est dutiliser plusieurs soupapes dadmission et

dchappement par cylindre, mais les moteurs tant installs transversalement
dans les vhicules, la place est limite et il faut rduire le diamtre en augmentant la course des soupapes ; les sollicitations augmentent. Dans le but de
rduire toujours plus cet encombrement et le poids embarqu, les ressorts sont
calculs avec le maximum de prcision. Pour assurer les performances mcaniques et leur stabilit en service il est indispensable de matriser les diffrentes
tapes du procd de fabrication. Les traitements mcaniques des ressorts doivent maximiser les caractristiques mcaniques du produit tout en minimisant
linfluence du couplage fatigue-fluage pour assurer une dure de vie suffisante.
L a qualit des aciers est actuellement optimise et les amliorations essentielles ne peuvent tre obtenues quau niveau de lassociation gamme de fabrication/traitements de surface.
Le ressort en service est principalement sollicit en torsion, do le cisaillement montr sur la figure 7.1.
Fig. 7.1. Rpartition des contraintes dans un fil soumis a un moment de torsion T
I1 en rsulte que les contraintes maximales se situent sur le diamtre intrieur denroulement, En exprimant le tenseur des contraintes dans le fil soumis
la torsion, il apparat dans le repre principal des directions sollicites en traction et en compression. I1 est important que la surface externe reste comprime
en service pour augmenter la dure de vie des ressorts en vitant lamorage de
fissures et leur propagation.
CHAPITRE 7 - TUDE
DE CAS
1. I .
28 1
Fabrication des ressorts et traitements de surface
Les tapes de fabrication dun ressort sont lenrouiage qui permet dobtenir la
raideur et les dimensions du ressort, le dtensionnement, traitement thermique
qui permet dattnuer les contraintes rsiduelles denroulement et le meulage
qui permet dobtenir des faces dappui perpendiculaires a laxe du ressort.
Le grenaillage de prcontrainte est ralis par projection de billes dacier de
0,6 mm : les ressorts sont grenaills en vrac (grenaillage a u tonneau) ou individuellement [en ligne). Les paramtres sont le diamtre, la vitesse et la duret des
billes ainsi que le temps dexposition qui dtermine le recouvrement des impacts.
On contrle les oprations de grenaillage laide dprouvettes Aimen et u n examen de la surface au microscope lectronique a balayage [MEB) peut permettre
la dtection de dfauts superficiels lis des conditions excessives.
Fig. 7.2. Recouvrement convenable des impacts de grenaillage (observation au MEB).
Aprs grenaillage, les ressorts subissent u n blocage a chaud. Cette opration consiste chauffer les ressorts une temprature infrieure 250 C puis
les mettre en compression pendant quelques secondes. Cette opration provoque
le fluage primaire du mtal et assure la stabilit long terme des dimensions des
ressorts ; elle gnre galement des contraintes rsiduelles intressantes.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
282
Fig. 7.3. Surgrenaillage amenant la formation de dfauts superficiels : replis, fissures ... (observation au MEB).
c
Compression Traction
Traction
' Compression
Blocage
Contraintes
rsiduelles
Contraintes
de service
Rsultante
Fig. 7.4. Rpartition des contraintes dans une section de spire. Le ressort, pralablement grenaille,
est soumis au blocage a chaud (a) pendant lequel on dpasse la limite d'lasticit en surface.
Comme la temperature de blocage n'est pas suffisante pour provoquer la relaxation des contraintes
de grenaillage on se retrouve aprs le blocage avec des contraintes rsiduelles de compression
selon le diagramme reprsent en (b). Ces contraintes se dduisent des contraintes de service (c).
CHAPITRE
1.2.
7 - ETUDE
DE
283
CAS
Mesure des contraintes superficielles
Les contraintes superficielles sont mesures'') par diffraction de rayons X (loi des
sin2W l'aide de la radiation K a du chrome (plans (21 l}, 20 = 156").tant donn
la forme hlicodale des ressorts on peut effectuer les mesures sur un prlvement d'un quart de spire (il n'y a pas de relaxation significative lors du dcoupage). Le diamtre des spires tant de 4 mm, il faut utiliser un faisceau fin de
1 mm et bien reprer le point mesur (utilisation d'un laser de pointage).
Les spectres de diffraction sont mesurs pour sept valeurs de l'angle Y comprises entre - 45" et + 45".
Tube RX
Compteur
Tube RX
Compteur
Fig. 7.5. Principe de la mesure et definition de l'angle Y.
Les contraintes peuvent tre mesures dans le sens << long >> du fil (cas de la
figure), dans le sens << travers >> ou pour toute direction intermdiaire, le portechantillon tant orientable. L a largeur des pics, lie aux microdformations provoques par l'crouissage, est de 3 4". Dans le sens << long >> et dans le sens
<< travers B les raies sont symtriques, elles sont asymtriques dans les autres
directions et, par consquent, il faut utiliser un faisceau X cylindrique. On
balaye u n angle A 0 de 6" afin d'enregistrer la base des raies. Avec un compteur
scintillation, il faut quatre heures pour dterminer une contrainte ; ce temps
peut tre rduit par l'emploi d'un compteur linaire.
Pour dterminer le profil des contraintes en profondeur, on enlve des
couches successives par dissolution dans l'acide nitrique dilu.
(1) Krier J., Mille P. et Cornet A., Caractrisation par diffraction X des contraintes rsiduelles de grenaillage de prcontrainte en vue d'augmenter la fiabilit mcanique des res475-480.
sorts hlicodaux, J. Phys. NFrance 0 (1996)
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
284
Profondeur (pn)
50
O
1O 0
150
200
- - -250
100
- 200
- 300
- 400
- 500
- 600
Contrainte de compression (MPa)
Fig. 7.6. Rpartition des contraintes en profondeur : on remarque que le blocage n'altre pratiquement pas les contraintes de grenaillage mais permet d'obtenir un gradient moins abrupt.
Quand on mesure les contraintes dans toutes les directions entre le sens
long B et le sens << travers , on peut en donner une reprsentation sous forme
<< polaire . On peut effectuer un grenaillage des ressorts sous une prdformation de l'ordre de grandeur de la dformation en service : les fibres 45" sont
grenailles sous tension alors que celles 135"le sont sous compression.
Aprs dcharge, on obtient une augmentation significative des contraintes
superficielles de compression pour les fibres tendues en service et une diminution pour les directions comprimes. L a courbe polaire montre une rpartition en
<< haricot (Fig. 7.7).
Cette technique ncessite des adaptations du grenaillage comme une rduction de la taille des billes (0,4 mm) qui doivent passer entre les spires. Lu et
Flavenott2)ont montr, dans le cas de ressorts lames prdforms avant grenaillage, que la dure de vie peut tre augmente, charge de service gale, d'un
facteur 10. Le surcot rserve, pour l'instant, cette technique aux prototypes et
la comptition automobile.
<<
))
(2) L u J. et Flavenot J.F., Influence des conditions d e chargement et d e grenaillage sur les
contraintes rsiduelles introduites dans les ressorts lames grenailies sous contrainte,
loe confrence s u r le grenaillage de prcontrainte, 1986 (CETIM, 1986).
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
285
CAS
7 90"
WaI
O 200 400 600 800
Grenaillage simple
[MPal
90"
O 200 400 600 800
Grenaillage sous prdformation
Fig. 7.7. Representation polaire des contraintes superficielles dans le cas d'un grenaillage simple
et dans celui d'un grenaillage de ressort predeforrne.
En conclusion, bien que l'exemple prsent concerne les ressorts de soupapes pour moteurs thermiques, le grenaillage est u n procd de choix pour
introduire des contraintes superficielles dans tous les types de ressorts : suspension de voitures de chemin de fer,'barres de torsion.. .
Les rayons X sont bien adapts pour dterminer les contraintes superficielles
et sont les partenaires de la mise au point des procds de grenaillage : tude
des paramtres de grenaillage, effet du diamtre des billes, effet de la duret
relative bille/ressort.. .
Ce n'est que lorsque les rayons X ont apport toutes les rponses a u niveau
des contraintes superficielles qu'on peut envisager de passer aux essais de
fatigue.
2.
Quelques traitements
de surface de biomatriaux
Domaines abordes
Implantation ionique,
Dpts sous plasma froid,
Nitruration CVD assiste plasma avec dflusion.
Analyses :
Essais defatigue acclrs.
Les biomatriaux utiliss comme implants en chirurgie osto-articulaire se
dgradent comme toutes les pices mcaniques : corrosion, usure et frottement,
amorage de fissures de fatigue : la biocompatibilit des matriaux est galement
une proprit de surface. Les mtallurgistes ont mis a u point des matriaux trs
sophistiqus : aciers inoxydables bas carbone et faible niveau d'inclusions
(316L), alliages de titane (TAGV ou Ti-Al-Fe)... mais les sollicitations auxquelles
sont soumis les implants sont trs complexes.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
286
Considrons, par exemple, le cas d u n e prothse totale de hanche : le biomatriau doit permettre de satisfaire les conditions suivantes :
limite dlasticit et surtout limite de fatigue leves,
excellente biocompatibilit, en particulier au niveau de la queue de prothse
dans le cas d u n e fixation sans cc ciment >> (polymre),
excellente tenue lusure-frottement a u niveau de la tte de prothse en
contact avec le cotyle en polythylne.
(flexion, changemen
de forme ou de secti
Scellement par ciment >>
ou par rehabilitation osseuse
(<
Fig. 7.8. Conditions auxquelles doit satisfaire une prothse de hanche.
D a n s le cas d u n alliage de titane, on sait que la limite de fatigue est leve, la

biocompatibilit bonne, surtout si on fait appel aux alliages Ti-Al-Fe, mais la
tenue lusure-frottement est dsastreuse et il faut utiliser une tte rapporte en
alumine. Les problmes sont les mmes avec les aciers inoxydables qui, de plus,
contiennent du nickel. Dautres matriaux comme les stellites coules conviennent a u niveau du frottement mais sont moins performants au niveau des caractristiques mcaniques.. .
Les traitements de surface permettent de confrer de nouvelles proprits aux
matriaux dj performants dans dautres domaines : ainsi on peut envisager :
de relever encore plus la limite de fatigue de manire disposer dune marge
de scurit permettant de rduire la section des implants ou daccepter
dautres conceptions introduisant, par exemple, des coefficients de concentration de contraintes,
damliorer la biocompatibilit,
de permettre une bonne tenue lusure-frottement
CHAPITRE 7 - TUDE
DE CAS
287
Le choix des traitements ne peut tre fait que lorsquon connat parfaitement
les mcanismes de dgradation. Par exemple, dans le cas de lusure-frottement
dune prothse de hanche, il faut considrer le mcanisme dusure abrasive
trois corps en raison de la prsence des produits de dgradation du mtal qui
viennent senchsser la surface du polythylne. On est alors dans les conditions dun frottement mtal sur dbris mtalliques plus ou moins oxyds et il
faut rechercher u n traitement de surface du mtal amenant une grande duret
superficielle.
Nous prsentons ici quelques traitements de surface*qui peuvent tre considrs comme des outils du concepteur de prothses :
amlioration de la limite de fatigue : implantation ionique,
amlioration de la biocompatibilit : dpts sous plasma froid,
amlioration de lusure-frottement : nitruration CVD assiste plasma avec
diffusion.
Appliquer des traitements de surface na de sens que lorsquon a choisi
convenablement le matriau de base.
2.1.
Implantation ionique
La technique dimplantation ionique, bien connue dans le domaine des matriaux semi-conducteurs peut permettre, si les conditions de traitement sont
convenables, une amlioration des proprits mcaniques dalliages tels que les
aciers inoxydables ou de titane[3).Le matriel classique mis en ceuvre est consquent et fait appel, entre autres, u n tri des lments implants par sparation
magntique ; on peut aussi utiliser des dispositifs sans sparation de masse
auxquels nous rservons le terme dncrusteurs ioniques.
Llment essentiel est la source dions qui peut tre une simple source
dcharge luminescente ou une source de type Kaufman :
source dcharge luminescente : utilisation possible de gaz corrosifs, nergie
0-60 keV, courant de faisceau 0-600 ,UA,taille du faisceau 1 cm2 ;
source Kaufman : tous les lments peuvent tre obtenus a partir de gaz non
corrosifs, nergie 50-60 keV, courant de faisceau 5-8 mA, taille du faisceau
15 cm2.
* Travail collectif effectu dans le cadre dun contrat BRITE-EURAM associant le LMCM de
lcole nationale suprieure des arts et industries de Strasbourg, le laboratoire dtude et
Dveloppement des biomatriaux de Strasbourg, le laboratoire PHASE du CNRS de
Strasbourg, luniversit et lcole des Mines de Nancy, luniversit de Braunschweig
(Allemagne)et luniversit de Porto (Portugal).
( 3 ) Mille P., Comportement mcanique et mtallurgique de lalliage de titane TAW dans le
domaine de lafatigue grand nombre de cycles - tude de modifications de surface et application lamorage defissures, Thse, universit Louis Pasteur, Strasbourg ( 1 987).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
288
Dans les deux cas, on peut balayer une longueur de lordre de 10 cm par
oscillation de la source, dans lautre direction la course du porte-chantillon prsente une longueur utile de 40 50 cm ; dans tous les cas il est possible de traiter des pices de la taille des implants. Pour certaines pices, queues de prothses de hanche par exemple, il est possible dutiliser u n porte-chantillon
tournant permettant de traiter toutes les faces. Le cot dun incrusteur est trs
infrieur celui d u n implanteur classique (2 5 fois moindre).
Source dcharge
luminescente
ur support oscillant
r-
Vers pompe vide
Fig. 7.9.
<(
Bio-incrusteur .
Dans les applications utilisant limplantation dazote, en raison de la non

sparation des masses, le faisceau contient des particules charges N+, des
molcules N,+ ..., en fait u n large spectre dnergies. Pour obtenir le mme rsultat avec u n implanteur sparation de masse il faudrait procder plusieurs
implantations successives avec des nergies diffrentes. On obtient en surface
une solution solide sature en azote. Par contre. il est assez difficile de mesurer
CHAPITRE
7 - TUDE
DE CAS
289
exactement la charge implante en raison de la dispersion des charges et de la

forme du faisceau.
De bonnes conditions de traitement pour amliorer la tenue a la fatigue sont :
courant faisceau 200 PA, nergie 40-50 keV, dose de lordre de 1017ions.cm-2
da~ote[~)[~).
2.2.
Dpts par plasma froid
Le racteur fonctionne sous faible pression partielle (0,4 Pa) dun mlange argonmthane.
Porte-substrats
- 500
Orifice de pornpag
Fig. 7.10. Dpt par plasma froid dacier inoxydable dop carbone.
(4) Mille P. et a l . , Effects of u n a n a l y z e d mass ion implantation on @+JI

Ti-GAI-4Vfatigue
limit, Sixth world conference on titanium, Cannes 6-9 juin 1988 (Les ditions de Physique,
1988).
(5) Lallemand V. et al., tude par diffraction X dun acier inoxydable traite par implantation ionique haute nergie, J . Phys. NFrance 6 ( 1 9 9 6 ) 4 7 5 - 4 8 0 .
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
290
Dans ce dispositif du type triode-magntron, on utilise des cibles en acier

inoxydable type 316L. Les ions argon arrachent des atomes des cibles qui se
dposent sur les substrats en mme temps que des atomes de carbone provenant de la dcomposition du mthane. On obtient une couche microcristalline
ou amorphe, trs dure, dacier inoxydable dop a u carbone.
2.3. Nitruration CVD assiste plasma avec diffusion

Aprs nettoyage des surfaces a traiter (alliages de titane) dans un plasma argonhydrogne, destin a supprimer la couche doxydes, on forme un plasma sous
azote avec apport de TiC1,.
II
Alimentation
pulse
lments
chauffants
Vers
pompe
a vide
Pige
cryognique
Fig. 7.11. Nitruration CVD assiste plasma avec diffusion.
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
CAS
29 1
En appliquant des impulsions de 350 650 V pendant des dures de 50

200 ,us combines avec u n chauffage 700-900 OC, on obtient la formation dune
couche de quelques dizaines de pm. Cette couche est forme de TiN, de Ti,N, de
Ti,AlN et dune importante couche de diffusion ; elle est trs dure (plus de
2 O00 HK ou units de duret Knoop).
2.4. Caractrisation et test des traitements

2.4. I. Analyses de surface
Lorsquon traite des surfaces dans le cadre dune telle exprimentation, il est
ncessaire de les caractriser convenablement afin de saffranchir de tout artefact susceptible de compromettre la reproductibilit ultrieure en conditions
industrielles. Pour caractriser limplantation ionique, il faut vrifier que les ions
azote ont t effectivement implants et mesurer leur profil de rpartition.
Diverses mthodes ont t mises en uvre(6):
le S I M S (voir Chap. 5, Sect. 6.4)avec lanalyse de la surface par pulvrisation
progressive de couches sous leffet dun bombardement par des ions argon ;
on peut ainsi dterminer la forme du profil en profondeur dune couche
implante ;
le RBS (Rutherford b a c k s c a t t e r i n g ) qui est une technique nuclaire, ncessitant u n acclrateur de particules, permettant de mesurer lpaisseur et la
composition des couches.
Par des ractions nuclaires, on peut effectuer des dosages absolus des
concentrations en lments lgers comme lazote laide de ractions telles
que 14N(d, (x)12Cou 15N(p, a, Y)l2C.
Limplantation ionique est maintenant considre comme u n procd industriel, par contre les acclrateurs relvent gnralement des laboratoires de
recherche fondamentale ; ltalonnage des implanteurs est u n motif supplmentaire, sil en fallait, de collaborations recherche-industrie.
Les couches dposes par plasma ou par CVD sont caractrises laide des
mthodes classiques de la mtallographie : micrographie, microduret, rugosit,
mesure des contraintes superficielles.
L a diffraction de rayons X rasants permet de rechercher les composs susceptibles de se former pendant limplantation ionique (nitrures).
(6) Cornet A. et al., Mthodes d e traitements d e surface d e s implants chirurgicaux, eualua-
tion critique, geSjournes de lInstitut europen des biomatriaux, Nancy, 26-27 sept. 1996
(Romillat Ed.).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
292
2.4.2.Essais de fatigue
I1 faut aussi effectuer des tests spcifiques pour vrifier si les proprits spcifiques recherches ont t obtenues : tests de biocompatibilit, essais dusure et
essais de fatigue.
Lessai sur prouvette de flexion 3 points entaille est bien adapte ltude
des traitements de surface. Lentaille introduit u n facteur de concentration de
contraintes qui est, pour la gomtrie utilise, gal 1,4. Lamorage de la fissure se produit au fond de lentaille ; pour caractriser u n traitement de surface,
il suffit de traiter cette entaille. Lprouvette est sollicite entre trois rouleaux
cylindriques. Les deux rouleaux infrieurs sont futes, le rouleau suprieur est
actionn par une machine lectrohydraulique de fatigue commande par une
servo-valve.
L a contrainte applique est une contrainte ondule telle que le rapport entre
la contrainte maximale et la contrainte minimale soit gal 10.
Eprouvette
Traitement
de surface
Fig. 7.12. Essai de fatigue en flexion 3 points sur prouvette entaille.
Avant tout test d u n traitement de surface, il faut vrifier la limite de fatigue

du matriau non trait pour carter tout artefact li lusinage des prouvettes.
I1 faut dterminer une limite sre tenant compte du domaine dincertitude inhrent aux phnomnes de fatigue ; une mesure c< directe D ncessiterait une bonne
centaine dprouvettes exigeant chacune environ 60 heures dessais ( lo7 cycles
40-50 Hz) soit un total de 6 O00 heures ou plus de 8 mois ...
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
293
CAS
On peut faire appel la mthode << de l'escalier B (staircase)qui est une

mthode statistique pouvant donner u n rsultat convenable sur un petit nombre
d'prouvettes. partir d'expriences prcdentes, on peut estimer une valeur
plausible de la limite de fatigue et on effectue u n essai de fatigue avec cette
valeur : l'prouvette peut casser ou rsister indfiniment ( lo7 cycles). Si l'prouvette rsiste, on recommence sur une nouvelle en majorant la contrainte d'une
quantit connue (un cart type), si elle casse on recommence en minorant la
contrainte, jusqu' tester successivement toutes les prouvettes du lot.
L a figure 7.13 reprsente un tableau typique de rsultats ; il existe des formules statistiques permettant de tester la validit de la mesure et de calculer la
limite de fatigue.
Rupture a :
Non rupture
Alliage de titane TA6V
Limite de fatigue 500 MPa
Ecart type 31 MPa
5 - 176 O00 cycles

6 - 252 O00
9 - 200 O00 "
10 - 210 O00 "
11 - 245 O00 "
16 - 235 O00
'I
'I
Fig. 7.13. Dpouillement d'un essai << staircase V .
3.
Mise en uvre des techniques laser
Domaines abordes
Dcapage laser,
Traitement thermique,
Refusion simple,
Refusion avec alliage d e surface.
294
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Analyses :
Sonde dcharge luminescente,
lectrons Auger;
Mtallographie,
Microduret.
3.1.
Dcapage des surfaces
Nous avons indiqu que la prparation, ou plutt le conditionnement, des surfaces avant tout traitement est u n acte essentiel pour la qualit de ce traitement.
I1 faut galement tre en mesure de supprimer u n traitement en cas de remise
neuf ; ceci concerne spcifiquement les avions dont la peinture doit tre enleve
lors des oprations de << grande maintenance , tous les cinq a n s environ. I1 est
exclu daccumuler les couches de peinture, en particulier cause du poids et
lemploi de solvants est dlicat en raison de la protection de lenvironnement et
de la diversit des matriaux du substrat (alliages lgers et composites). Lidal
rside dans la mise au point simultane dun systme de peintures cc pelables >> et
dun procd permettant de nenlever que la couche superficielle.
Les lasers pulss, focaliss s u r la surface, fournissent des impulsions lumineuses trs courtes (quelques dizaines quelques centaines de nanosecondes)
correspondant des crtes de puissance trs leves : lo7 los W, alors que la
puissance moyenne du laser reste faible (quelques dizaines de W pour les lasers
YAG, quelques kW pour les lasers CO, TEA). Les changes thermiques avec le
substrat sont ngligeables alors que les effets << photomcaniques B sur la surface
sont trs intenses. chaque impulsion, le plasma cre une onde de choc correspondant une pression de lordre de quelques milliers de bars capable de
<< dsintgrer >> la couche superficielle en respectant totalement le substrat. On
peut traiter des systmes htrognes : enlvement de peintures, de rsines
poxydes sur substrats mtalliques ou des systmes homognes : enlvement
doxydes s u r substrats mtalliques.
Lexemple prsent ici correspond a u dcapage de surface des alliages daluminium de manire prparer la surface avant collage ou avant soudure laser.
Le procd habituel consiste enlever la couche dalumine par dcapage chimique (nitro-fluorhydrique).
L a figure 7.14 compare les profils danalyse par sonde dcharge luminescente (SDL),raliss s u r u n alliage contenant Cu, Mg et Si. On remarque que le
dcapage chimique enrichit la surface en cuivre et lappauvrit dans les autres
lments ; le dcapage laser lenrichit en magnsium et en silicium. Avec le traitement laser, on observe une rduction importante de la teneur en oxygne de la
surface par rapport au volume (non reprsent sur la figure). Par ailleurs, le
dcapage laser abaisse fortement la teneur en hydrogne.
* Travaux raliss a IIREPA Laser (Illkirch-Strasbourg).
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
295
CAS
Dans cet exemple, on voit que le laser est u n outil permettant de conditionner
diffremment des surfaces en fonction des applications vises (sans oublier le
nettoyage des monuments historiques en pierre !).
unit. arbit
* .
I.
a*
2 O00
*
a*
a
I
8
-
<.
.,
..
. _____________
.
Al Dcapage laser 4J.cm-*

(AI) Dcapagechimique
8
I
1 500
1 O00
500
b
5
10
15
20
Temps derosion(s)
Fig. 7.14. Profils danalyse par SDL comparant un dcapage chimique et un dcapage laser a
4 J.cm-* sur un alliage daluminium contenant Cu, Mg et Si.
3.2.
Exemple de traitement thermique
Les traitements thermiques par trempe superficielle se ralisent avec des procds bien a u point comme le chauffage par induction. Leur intrt essentiel est la
possibilit deffectuer des traitements localiss dans des sites daccs difficile
et/ou de modifier le moins possible une structure sous-jacente en raison des
cycles thermiques trs rapides.
Lexemple prsent concerne la trempe des congs de raccordement des vilebrequins de moteurs automobiles. Ces lments, raliss en acier ou en fonte
* Les travaux prsents ont t effectus en collaboration avec PSA et 1IREPA Laser.
296
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
graphite sphrodal (GS), sont fortement sollicits en fatigue a u niveau des

congs de raccordement des portes de paliers ou des manetons. Ces congs
sont actuellement traits par galetage. Le problme le plus dlicat est la matrise
de lapport thermique du laser CO, qui a tendance provoquer des fusions localises des fontes G S a u voisinage des nodules de graphite proches de la surface.
Ces fusions amnent la formation de fissures. Nanmoins, u n tel problme
mrite dtre rexamin avec lemploi des nouveaux lasers semi-conducteurs
dont le contrle thermique est beaucoup plus favorable.
Fig. 7.15. Traitement par laser CO, dun cong de raccordement dun vilebrequin en fonte GS
(mtallographie optique) ; la partie trempe apparat en clair.
3.3. Exemples de refusion superficielle sans alliage

Les fontes grises sont obtenues par solidification dans le systme fer -graphite
alors que les fontes blanches correspondent au systme mtastable fer -cmentite. Pour obtenir une fonte grise il faut ajouter lalliage u n lment graphitisant comme le silicium, mais toute fonte grise refroidie rapidement se solidifie en
fonte blanche. Les fontes grises lamellaires sont intressantes pour leurs proprits de frottement lies la prsence des lamelles de graphite alors que les
fontes grises graphite sphrodal sont recherches pour leurs proprits mcaniques.
Les fontes blanches ont u n trs bon comportement lusure. Depuis trs
longtemps, on a cherch raliser des structures composites fonte grise/fonte
blanche, par exemple en introduisant des refroidisseurs dans les moules de
fonderie.
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
CAS
297
Les arbres cames des moteurs thermiques en sont u n exemple : sur des
sries particulires, les constructeurs sont amens refondre la surface des
cames laide dun arc (procd TIG) pour former de la fonte blanche, larbre
cames tant prchauff pour viter des transformations martensitiques.
L a refusion par laser de puissance remplace efficacement larc TIG
figure 7.16 donne la coupe dun tel traitement.
la
Fig. 7.16. Refusion laser superficielle dune came sur un arbre a cames en fonte* ; la figure du bas
montre le dtail de la structure.
L a structure refondue est ldburitique ; le pilotage du laser permet de traiter

toute la largeur de la came sans effondrement des bords.
* En collaboration avec Renault et IIREPA Laser
298
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Les outils de coupe en acier rapide contiennent des carbures primaires dont
on cherche minimiser la taille pendant l'laboration (fort corroyage ou matriau fritt). Par refusion laser des artes de coupe, il est possible de remettre ces
carbures en solution sursature et d'obtenir un potentiel de durcissement
important a u revenu.
L'tude' a t conduite sur un acier alli M42(7)(8)
dont le tableau 7.1 donne la
composition. Un pr-traitement (trempe suivie de deux revenus) a t effectu en
privilgiant la rsilience cur.
Tableau 7.1. Composition de l'acier M42,
L a figure 7.17 montre la microstructure obtenue aprs refusion ; l'examen

mtallographique de la zone fondue montre quatre couches, du fond vers la surface :
une couche blanche qui semble correspondre de la ferrite 6,
une couche de solidification quiaxe,
une couche de solidification dendritique,
une couche de peau.
Tous les carbures primaires et eutectiques disparaissent ou plus exactement
il ne reste que des carbures submicroscopiques dtectables seulement par diffraction de rayons X. L a chute de duret dans la zone affecte thermiquement
est le rsultat d'un sur-revenu. Au revenu (550 O C ) on observe l'apparition d'une
importante augmentation de duret dans la zone fondue (950 HV) compatible
avec la ralisation d'outils de coupe. On n'observe aucune fissure ; la chute de
duret dans la zone affecte thermiquement joue vraisemblablement u n rle

favorable.
* En collaboration avec PSA et I'IREPA Laser.

(7) Quesada J. et ai., Oberflachenbehandlung von Werkzeugsthalen mit dem Laser,
Bochum 6-8 septembre 1989, Neue Werkstoffe und Verfahren fr Werkzeuge, Berns H.,
Nordberg H. et Fleischer H.J., Eds. (Schrmann & Klagges, Bochum, 1989).
(8)Hlawka F. et al., Characterisation of M 4 2 type high speed steel after laser melting tratment, SurJ Eng. 9 (4)(1993) 300-304.
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
299
CAS
a
<I
t
K
1 O00
Hv 0,5
Zone affecte
thermiquement
900
Aprs revenu
,Aprs refusion
800
700
tat initiai
I
0.5
v
1,s
Profondeur (mm)
Fig. 7.17. Traitement par refusion laser dun acier M42.
3.4.
Exemples de refusion avec alliage superficiel
Lide gnrale est dutiliser u n substrat peu noble comme u n acier << ordinaire >>
et dapporter des lments daddition dans la zone fondue laide, par exemple,
du dispositif de la figure 7.18.
On peut aussi utiliser une buse permettant un apport coaxial de poudre ou

refondre u n pr-dpt (dpt lectrolytique, dpt par projection).
durcisseLes applications sont nombreuses : revtements anti-corrosi~n~,
ment superficiei(lO).
.,
(91 Boudoukha H., Formation dalliages de surface fer-chrome et fer-nickel par refusion
laser, Thse, universit Louis Pasteur, Strasbourg ( 1 990).
(10) Song G.Q., Ralisation dalliagesde surface sous faisceau laser, application au renforcement des aciers par injection de carbures, Thse, universit Louis Pasteur, Strasbourg
[ 1995).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
300
Miroir plan
Faisceau laser
Argon
Air comprime
J.
--
I cmtille rip
_"......_
focalisation
Argc
uepiacement de i'ecnantiiion
'
-:
Fig. 7.18. Buse de traitement par refusion laser avec alliage par apport lateral de poudre.
Pour caractriser les alliages obtenus on utilise la diffraction de rayons X

pour les lments << lourds >> ; pour les lments lgers on utilise l'analyse par
lectrons Auger en mode imagerie (Fig. 7.19).
La difficult essentielle introduite par ces traitements est le risque d'apparition de fissures qui ncessite une grande matrise des conditions mtallurgiques
et une bonne reproductibilit lors de la mise e n uvre.
4.
Nucleation et croissance
de couches de diamant par CVD
Domaines abordes
Dpt chimique en phase vapeur (CVD).
Analyses :
Photomission X P S ,
Spectroscopie d'lectrons Auger,
Microscopie balayage,
Microscopie transmission.
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
40 O00
CAS
30 1
Intensit (nb de coups)
30 O00
20 O00
10 O00
Fig. 7.19. Exemple d'utilisation de la microscopie Auger a balayage : en haut, image de dendrites
formes par refusion d'un alliage fer, carbone et bore ; en bas, profil des elements le long du segment pointill.
Le diamant artificiel peut tre synthtis soit haute pression dans la zone
du diagramme de phase du carbone o la phase diamant est stable, soit basse
pression dans u n domaine de mtastabilit. Les divers types de ces synthses et
les proprits gnrales du diamant sont dcrits dans l'ouvrage de Field'"). Les
cristaux obtenus sont en gnral micromtriques mme s'il existe des procds,
longs et coteux, qui permettent d'obtenir des gemmes de quelques carats. Le
matriau synthtique a rarement les qualits cristallographiques, optiques et
chimiques qui permettraient d'utiliser toutes les combinaisons des proprits
uniques du diamant naturel de grande puret.
( 1 1 ) The properties of natural and synthetic diamond, Field J.E., Ed. (Academic Press,
London, 1992), p. 710.
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
302
Actuellement, on utilise essentiellement ses proprits de trs grande duret

(50 100 GPa selon les plans). En outre, le diamant a une temprature de fusion
leve (4 O 0 0 OC), une conductivit thermique exceptionnelle (20 W.cm-.K-l),
K-l), une large bande interdite (gap)
une faible dilatation thermique ( 1 . 1 x
lectronique (5,45 eV comparer 1.1 eV pour le silicium), une grande transparence optique dans u n domaine allant du proche ultra-violet linfrarouge, une
tension de claquage importante (10 MV.cm-, trente fois suprieure celle du
silicium). Cest donc u n matriau semi-conducteur davenir, notamment pour les
amplificateurs de puissance puisquil peut travailler jusqu 700 C alors que
llectronique base de silicium ou darsniure de gallium reste limite 200250 OC. Sa capacit dintgration est mme prometteuse puisquelle pourrait tre
trente fois suprieure celle du silicium. Par ailleurs, lexcellente rsistance du
diamant aux agressions chimiques en fait u n matriau capable de travailler en
milieu hostile.
L a figure 7.20 rsume quelques applications envisageables pour le diamant
en relation avec ses proprits physico-chimiques
poneursr
ultra-rapides
aux environnemenis severes

(espace reacteurs nucieaires)
FaiDle coefficient de
ailatat on thermique
Fig. 7.20. Relations entre proprits physico-chimiques du diamant et applications.
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
CAS
303
En raison mme de ses proprits exceptionnelles lies la structure cristallographique et lhybridation sp3 des liaisons carbone, ce matriau de rve
quest le diamant est malheureusement trs difficile fabriquer : la puret chimique est de loin rarement suffisante, les dfauts cristallins sont beaucoup trop
nombreux, la mise en forme est toujours complexe. Au dbut des annes quatrevingts, des procds de synthse basse pression ont t dcouverts et la ralisation de couches minces de diamant par des procds de CVD basse pression
(quelques mbar) et relativement basse temprature (900-950 C) est devenue
possible. I1 reste cependant comprendre les mcanismes de nuclation du diamant pour pouvoir matriser la mise en forme et notamment obtenir des couches
chimiquement propres, continues, ayant une morphologie contrle et adhrentes a u substrat.
Toute application lectronique suppose la ralisation de toutes ces conditions
qui dpendent non seulement des processus du dpt CVD mais aussi de linteraction entre les espces actives du gaz et le substrat. Lassociation de techniques danalyse de surface (photomission XPS, spectroscopie dlectrons
Auger, microscopie balayage, microscopie en transmission) permet davancer
dans lamlioration des procds et de rpondre de nombreuses questions en
analysant les mcanismes de nuclation-croissance.
Quel est le rle du substrat qui pourra tre diffrent selon les applications
recherches ? Faut-il avoir une carburation ou une dissolution du carbone pour
obtenir une bonne couche diamante ? Faut-il passer par des tats structuraux
intermdiaires du carbone (tat amorphe, DLC diamond like carbon ... ) ? Les
dfauts du quatrime ordre de la surface, tels que les rayures, ont-ils une
influence sur la croissance ? Les dfauts cristallographiques comme les joints de
grains, les mergences de dislocations, les marches sont-ils importants dans la
formation de la couche ? Les rsidus de diamant issus des produits de polissage
servent-ils de sites de nuclation ? Toutes ces questions, typiques de lingnierie
des surfaces, supposent lutilisation de nombreuses techniques de prparation
et de caractrisation pour tre rsolues.
Parmi les nombreux procds CVD qui ont t tests, lun consiste activer
un mlange hydrogne-mthane a u moyen de filaments de tungstne ports
plus de 2 O00 O C . Plusieurs substrats ont t tests. Nous dcrivons ici des
couches obtenues sur un mtal qui ne forme pas de carbures et qui ne dissout
pas le carbone. Ceci permet donc de tester le rle des rsidus de polissage.
L a figure 7.21 montre lvolution d u n e surface de cuivre polycristallin en
fonction de la teneur en mthane du gaz porteur, en gardant constants tous les
autres paramtres (temprature du substrat, pression et dbit du mlange
gazeux, dure du dpt)(12).
La microscopie lectronique a balayage et les traitements dimages associs
permettent de voir que la taille des grains et la densit de nuclation croissent en
(12) Constant L., Nuclation et Croissance de couches de diamant labores par HFCVD,
Thse, universit Louis Pasteur, Strasbourg ( 1997).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
304
fonction du pourcentage de mthane. L a morphologie se modifie sensiblement

partir de 1 % de mthane : les faces (100)croissent a u dtriment des faces (1 11).
Au-del, vers 2 % de CH,, les faces cristallines ne sont mme plus dfinies et on
obtient une morphologie en cc chou-fleur >> qui atteste de la prsence de nombreux
dfauts cristallographiques. En revanche, si les cristaux sont moins beaux, la
continuit de la couche semble assure partir de cette concentration en
mthane.
[CH,] = 0,75 Yo
[CH,] = 0,35Yo
[CH,] = 2 O h
Fig. 7.21. Morphologie de couches de diamant obtenues par CVD en fonction de la teneur en
mthane du mlange ractif (clichs IPCMS-GSI).
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
305
CAS
L a slection du substrat et l'ajustement de la composition gazeuse seront

dfinis en fonction de l'objectif : favoriser la qualit cristallographique (avoir u n
bon semi-conducteur ou u n bon matriau optique), rechercher des couches protectrices contre les agressions chimiques (avoir une couche non poreuse), obtenir une couche abrasive (avoir la couche la plus rugueuse et la plus adhrente
possible).
L a spectroscopie des electrons Auger permet de distinguer les divers tats
d'hybridation des orbitales en se fondant sur l'analyse de la forme de la transition Kw du carbone qui est trs sensible la structure de bande du matriau.
L a figure 7.22 montre les diffrents tats du carbone : << diamant , << graphite ,
<< amorphe . L'tat << carbure >> donnerait encore une autre forme caractristique
de raie. I1 est possible d'obtenir u n ajustement des raies exprimentales en combinant linairement les diverses raies correspondant aux tats talons.
200
220
240
260
280
300
nergie cintique (eV)
Fig. 7.22. Changements de la forme des pics Auger K W en fonction de l'tat du carbone.
L a figure 7.23 montre ainsi l'volution des espces carbones en fonction du

temps de dpt s u r du cuivre polycristallin poli la pte diamante. Les concentrations de graphite et de diamant restent constantes pendant la premire heure
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
306
de dpt puis on observe la croissance du diamant a u dtriment du graphite. En

fin de raction, il apparat du carbone amorphe dont la croissance est corrle
la modification de morphologie de la couche. On dduit de ltude quantitative
quil faut une paisseur critique de graphite denviron 7 couches monoatomiques
pour que le diamant puisse crotre.
L a microscopie lectronique en transmission procure une vision plus pr-
s.Graphite
Y
O- - - 0
0,6-
:
P
0,4 -
d r t
1
0,2 - i
Carboneamomhe
-0
>
,O-
#I
O--.--.
60
120
180
240
Temps de dpt (mn)
Fig. 7.23. Concentration des espces de carbone en fonction du temps de dpt.
cise du mode de croissance des espces carbones dans cette synthse CVD. La
figure 7.24 montre une micrographie lectronique en champ clair, a faible grandissement, dune couche obtenue par rplique extractive. En haut, a gauche, on
voit les contours bien facetts dun grain de diamant dont les artes sont de
lordre dune dizaine de micromtres, trop pais pour tre travers par les lectrons. Les rgions en gris sont couvertes de plans parallles de graphite, superposs le long de laxe c du graphite mais dsorients les uns par rapport aux
autres (graphite turbostratique). Enfin, on note des objets circulaires qui, en
haute rsolution, apparaissent clairement comme tant des << oignons D de graphite, une espce carbone dcouverte r ~ e m m e n t ~Ces
) . oignons denviron
100 nm de diamtre tendent a se polygonaliser quand ils grossissent. Le cur de
certains dentre eux est cristallis avec des distances inter-plans trs proches de
celles du diamant. Ce cur cristallin a t observ aprs irradiation lectronique
(13) Ugarte D., Curling and Closure of graphitic networks under electron-beam irradiation, Nature 359 (1992) 707-709.
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
CAS
307
trs haute nergie doignons de carbone (300 keV, 200-400 A.cm-). Dans
le cas de la croissance CVD, il apparat sans quil soit ncessaire dapporter
dautre nergie que celles des espces actives. L a transformation oignon de graphite en diamant est due soit aux fortes contraintes existant a u centre des
oignons, soit la ractivit de lhydrogne atomique qui transformerait les liaisons sp2 en liaisons s p 3 . Est-ce l le mcanisme initial de la croissance d u diamant ? Au moment de la rdaction de cet ouvrage, il est encore impossible de
laffirmer.
Fig. 7.24. Micrographie lectronique dune couche diamant avec ses diverses espces
carbones ; (a) : grains de diamant, (b) : plans de graphite turbostratique, (c) : oignons de carbone
(clich G. Ehret IPCMS-GSI).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
308
5.
Modification de surfaces
de polymres par plasma
Domaines abordes
Plasmas froids,
Dpts de couches minces par CVD.
Analyses :
Photomission (ESCA - X P S J ,
TOF-SIMS,
Mesures dangles de contact,
Microscopie balayage.
Le dveloppement de lutilisation de matriaux polymres dans des
domaines aussi varis que la micro-lectronique, lemballage, lindustrie automobile ou les applications biomdicales suit une expansion rgulire. Les polymres sont en effet des matriaux qui possdent des proprits de mise en
forme facile, qui ont une grande ductilit, sont souvent biologiquement compatibles, sont optiquement transparents et ont de faibles conductivits thermique
et lectrique. Ce sont donc des matriaux conomiques. L a surface de la plupart des polymres est, en revanche, peu hydrophile et ncessite la mise en
uvre de traitements spcifiques pour la plupart des applications. Trs vite, les
traitements de surface par plasma se sont rvls plus efficaces que les traitements chimiques. En particulier, il est possible de garder les proprits intrinsques d u volume (ductilit, tenue mcanique) tout en amliorant les proprits spcifiques de la surface (meilleur mouillage, adhsion pour les dpts
rendue plus facile...).
Parmi les exemples industriels, on peut citer les films plastiques pour Iemballage alimentaire. Ils ne sont jamais utiliss tels quels car leur permabilit
loxygne et la vapeur deau est trop grande. On doit donc les recouvrir d u n e
couche daluminium si la transparence nest pas exige ou dune couche << barrire >> constitue souvent dun copolymre comme IEVOH (thylne et alcool
vinylique). Plus rcemment, les dpts doxyde de silicium sont apparus pour ces
couches barrires. Ils ont de grands avantages : recyclage plus facile, absence de
toxicit, transparence et possibilit dutilisation dans les fours micro-ondes.
Un autre exemple pour lindustrie des composants est celui des dpts daluminium qui permettent dobtenir des condensateurs bon march.
Quel que soit le matriau dpos (aluminium ou oxyde de silicium), on risque
dtre confront un problme dadhsion puisque la tension superficielle des
polymres est faible. Le manque dadhsion introduira des dfauts de permabilit chimique ou de conductibilit lectrique. I1 faudra donc procder une modification de la surface du polymre pour changer son nergie de surface et pour
introduire des fonctionnalits chimiques nouvelles qui favoriseront la liaison
entre le matriau de base et son revtement.
CHAPITRE
7 - TUDEDE
CAS
309
Dans dautres applications (matriaux biomdicaux), on peut en revanche

souhaiter augmenter lhydrophobie d u n matriau polymre. Des traitements
avec des gaz fluors activs seront alors ncessaires.
Industriellement, les modifications de surface des polymres ont t dabord

des traitements chimiques (attaque loxyde chromique), puis des traitements
par flamme et des traitements thermiques. Efficaces, ils prsentent cependant
des inconvnients majeurs : effluents polluants pour les traitements chimiques,
difficult de contrle des processus de flammage et de traitements thermiques.
Les procds par plasma ont donc souvent pris le relais. Dans les cas les plus
courants, une simple dcharge atmosphrique de type corona suffit ; elle permet
datteindre des vitesses de traitement de plusieurs mtres linaires par seconde.
Si la modification suppose lintroduction despces chimiques moins banales, on
pourra utiliser de nombreux gaz plasmagnes tels que lhlium, largon, lhydrogne, loxygne, lazote, lammoniac.
Outre la dcharge corona, on utilise souvent des plasmas <c froids B qui ont
lavantage dtre peu dgradants pour le matriau polymre. On en connat de
plusieurs types utilisant des puissances allant de quelques watts plusieurs
kilowatts, sous des pressions allant du millibar au bar. Ce sont des dcharges
radiofrquence (RF),micro-ondes par rsonance cyclotron lectronique (ECR).
5.1.
Traitements de surface
de Nylon 6 par plasma micro-ondes
Lexemple que nous avons choisi(14)est u n traitement de surface d u n polyamide : le Nylon 6, dans la post-dcharge dun plasma micro-ondes (argon, oxygne, azote, et leurs mlanges). I1 sagit de comprendre les mcanismes de fonctionnalisation en ntudiant que laction des espces actives. Lappareil est
schmatis sur la figure 7.25.
Ce racteur est reli u n appareil de photomission (Fig. 5.59) o lon peut
ventuellement transfrer les chantillons traits sans remise lair. On ne montrera dans cet exemple que des rsultats obtenus dans u n mlange argon-oxygne (puissance de la dcharge : 300 W : dbit doxygne : 20 seem* : dbit dargon : 0,7 sccm : pression dans le racteur : 2 mbar ; temps de traitement allant
de 5 secondes 4 heures).
(14) Scheuer A., Interaction dune post-dcharge d u n plasma micro-ondes avec des surfaces de polymres : fonctionnalisation et dgradation du Nylon 6 et du PMMA en postdcharge de plasmas doxygne ou de mlanges oxygne-azote, Thse, universit Louis
Pasteur, Strasbourg (1996).
* sscm : standard cubic centimeter, 1cm3.min- sous conditions normales de temprature.
310
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Fig. 7.25. Schma dun racteur plasma micro-ondestravaillant en post-dcharge.
5.2.
tude macroscopique de la surface modifie
Pour avoir une ide macroscopique de la modification de la surface aprs traitement plasma et dpt, on peut tout dabord faire des observations par microscopie lectronique balayage. L a figure 7.26 montre lvolution de la morphologie
de la surface constitue a u dpart de sphrolites dune dizaine de microns de
diamtre, assez lisses en surface. Au bout d u n e dizaine de minutes de traitement la rugosit de surface augmente, puis se modifie considrablement pour
des traitements plus longs : des dendrites apparaissent a u sommet des sphrolites qui finissent par se joindre les uns aux autres.
Cette observation montre essentiellement un changement de cristallinit du
matriau, le traitement plasma attaquant de manire privilgie les parties
amorphes du polymre.
Les mesures dangle de contact (composante non dispersive) en fonction du
temps de traitement et de la concentration en oxygne atomique (les donnes en
cm correspondent des concentrations dcroissantes en O : 12 cm = 4,9 x 1015
19 cm = 4 , l x 1015 a t . ~ m ;- 32
~ cm = 2,9 x 1015 at.cm) montrent que
a t . ~ m -; ~
lnergie de surface augmente trs rapidement avec le temps de traitement et
quelle se sature ds que la dose en oxygne atomique est suffisante.
31 1
CHAPITRE 7 - TUDE
DE CAS
Non trait
1 Pm
Trait 1 mm
Trait 240 mm
Trait 30 mm
Fig. 7.26. volution de la morphologie d'une surface de Nylon 6 traite dans la post-dcharge d'un
plasma micro-ondes d'oxygne vue par microscopie balayage (cliches A. Scheuer, IPCMS-GSI).
t
O
L
al
.w
12cm
19cm
32cm
2
O
50
1O0
,
150
200
250
Dure du traitement (mn)
Fig. 7.27. volution en fonction du temps de la tension non dispersive pour trois concentrations en
oxygne atomique.
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
312
On montre que cette valeur de la tension superficielle subsiste lors des

remises l'air des chantillons traits, ce qui tend tablir que la surface obtenue a t correctement modifie.
5.3. tude microscopique de la surface modifie

Deux mthode^"^) sont particulirement utiles pour l'tude microscopique de la
modification de surface : la spectroscopie de masse d'ions secondaires avec analyse en temps de vol : ToF-SIMS (voir Chap. 5, Sect. 6.4.3) qui permet d'obtenir
des renseignements chimiques et conformationnels sur l'extrme surface et la
photomission induite par les rayons X (ESCA-XPS)qui indique l'volution de la
composition chimique et des diverses liaisons. Dans le cas du ToF-SIMS, la
figure 7.28 montre l'volution de l'ion positif C,H50+ qui rend compte du
contenu oxygn de la surface.
L'interprtation des rsultats rend observable, ds les premiers stades du
traitement, l'apparition de liaisons non satures et de reticulation du Nylon
caractrise par l'augmentation du rapport x C 8 / c C 2 (somme des ions contenant 8 atomes de carbonelsomme des ions contenant 2 atomes de carbone). L a
fonctionnalisation est de type alcool, ester et carbonyle.
4l
-2
I
1019
I 1 1 1 1 l 1 1
I 1 1 1 1 1 1 1
1OZ'
I I I I 1 1 1 1
1OZ'
I l I I I I I
i023
Dose (at.cm-2)
Fig. 7.28. volution en fonction de la dose en oxygne atomique de l'ion positif C,H,O'
(15) Lonard D. et al., Time of flight SIMS and in situ XPS study of O, and O,-N, postdischarge microwave plasma-modified high-density polyethylene and hexatriacontane surfaces, J. Adh. Sci. Technol. 1 0 (1996) 1165-1197.
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
313
CAS
Dans le cas de l'ESCA-XPS, la figure 7.29a montre le spectre obtenu sur la

surface non traite du Nylon 6 avec les dcompositions du pic Caractristique du
carbone (C1s)en diffrentes contributions caractristiques des liaisons C-C et
C-H, C-CO-N, C-N et C-CO-N. Les paramtres en nergie sont donns dans le
tableau 7.11.
L a figure 7.29b montre l'volution de ce spectre aprs traitement ; on peut
aussi vrifier l'volution de la composition globale de la surface a partir des pics
O l s , C l s et N l s . L'interprtation des rsultats montre que le traitement cre des
fonctions de type ester pour les doses les plus faibles, puis des liaisons de type
carbonate quand on augmente la dose en oxygne atomique. Par ailleurs, le traitement coupe prfrentiellement les liaisons N-C ce qui permet l'amorage des
ractions d'oxydation du matriau responsables de l'augmentation de la tension
superficielle non dispersive.
(r)A
Q
u)
CH, - CH,
- 1 n-
a,
-C
282 283 284 285 286 287 288 289 290 291
282 283 284 285 286 287 288 289 290 291
nergie de liaison (eV)
Fig. 7.29. Spectres CIS de Nylon 6 ; (a) : avant traitement, (b) : aprs 30 mn de traitement (dose :
8,7 x IOzi at. oxygne). On note la coupure de la liaison C-N pour donner une fonction ester par la
diminution du pic C3 et l'apparition du pic C5.
A. CORNET
e t J.-P. DEVILLE
314
Tableau 7.11. Paramtres de la decomposition du pic ClS.
Liaisons
chimiques
I I
-c -c I I
I
--C -H
Positions
relatives (eV)
Largeur
mi-hauteurdes
lorentziennes
0,20
6.
-C-C-N<
-C-O-
-c-c-O-
-C-N<
-C-N<
-C-O-
-0-C-O-
>c=o
I 1,O-1,6 2,s-3,l
----t-- 0,40
0,4-0,7
3,8-4,2
0,50
4,8-5,2
0,50
Synthse et croissance dun matriau

pour la catalyse htrogne :
le carbure de silicium
de haute surface spcifique
Domaines abords
Croissance en phase vapeur.
Analyses :
Microscopie lectronique a transmission en haute rsolution.
Le carbure de silicium est un matriau connu pour son excellente tenue la
corrosion et des tempratures leves. I1 pourrait tre u n support de catalyseur
idal pour certains procds en conditions agressives extrmes. Cependant, il est
difficile mettre en uvre sous une morphologie compatible avec les rendements industriels car sa surface spcifique est gnralement beaucoup trop
faible. Dans cet exemple, nous dcrivons u n procd de synthse original qui
permet damliorer cette proprit. Ltude des interfaces montre des mcanismes de croissance cristalline intressants. Leur analyse permet de
comprendre les facteurs qui pilotent la morphologie du matriau et sur lesquels
on peut jouer pour amliorer les performances dun catalyseur platine-rhodium
(Pt-Rh)support par du carbure de silicium de haute surface spcifique dop
loxyde de crium (crine).
CHAPITRE
6.1.
7 - TUDE
DE
CAS
315
Synthse, nucleation et croissance

du carbure de silicium a haute surface spcifique(l6)
L a synthse consiste faire ragir du monoxyde de silicium (SiO) en phase

gazeuse sur du charbon actif, un matriau qui peut avoir de grandes surfaces
spcifiques. L a raction se fait a u sein dun four induction spar en deux
chambres.
Dans un premier tage ractionnel, un mlange de silicium et de silice plac
dans u n creuset de graphite permet dobtenir Si0 par la raction :
Si + SiO, 2 2 S i 0
L a vapeur forme traverse une entretoise de graphite sur laquelle est dpose la
poudre de charbon actif. On a alors la deuxime raction chimique :
Si0 + 2 C 2 Sic + CO
Au cours de sa synthse et de sa croissance, le carbure de silicium adopte une
morphologie voisine de celle du charbon actif et on peut alors obtenir des surfaces spcifiques satisfaisantes qui peuvent aller jusqu 60 m2/g. Du point de
vue cristallographique, on peut dcrire le matriau obtenu comme u n carbure
cubique de type 3C prsentant de nombreuses fautes dempilement ou comme
u n polytype hexagonal de Sic avec u n dsordre unidirectionnel suivant la famille
de directions < 111 > qui sont les directions de croissance facile.
Au tout dbut de la synthse de ces carbures haute surface spcifique, on
observe un trs grand nombre de nanocristaux de carbure de silicium, bidimensionnels et rpartis alatoirement sur le charbon actif.
Dans les stades ultrieurs d u processus, on peut observer lapparition de
whiskers de carbure de silicium. Sans intrt pour la catalyse puisque leur surface spcifique est trs faible, ils renseignent nanmoins sur le mode de croissance du matriau et sur le rle des impurets du matriau de base.
6.2.
Mise en evidence
du mcanisme de croissance VLS de whiskers de Sic()
Ces whiskers, dune centaine de nanomtres de diamtre leur sommet, ont une
longueur pouvant aller jusquau micromtre. Ils sont obtenus au cours de la
raction de formation du carbure de silicium haute surface spcifique travers
un mcanisme de croissance de type VLS (vapeur-liquide-solide). Ils sont amorcs par la prsence de fer, qui se trouve en impurets dans le charbon actif et qui
entrane, la temprature de raction (1 200 Cl, la formation dune phase
(16) B e n a i s s a M, H u t c h i s o n J . L . , W e r c k m a n n J . , Guille J . e t Ledoux M., HRTEM o n Sic

grown from Si0 a n d C : g r o w t h a n d s t r u c t u r a l characterization, J . Cryst. Growth 131
(1993) 5.
(17) B e n a i s s a M., W e r c k m a n n J., E h r e t G., Guille J. e t Peschiera E., HRTEM o n Sic whisk e r s , integ. Sci. 1 (1993) 91.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
316
Pompage
- Refroidissement
Feutres en graphite
Creuset en alumine
Pyromtre
infrarouge
,Creuset en graphite
, Bobine
dinduction
Fig. 7.30. Schema de lappareil permettant la croissance de carbure de silicium de haute surface
spcifique.
fusible dans le fer par dissolution des vapeurs de Si0 et CO gnres a u cours de
la raction. La sursaturation de la phase liquide en carbone et en silicium
entrane la prcipitation de Sic, et la formation de whiskers surmonts dune
boule liquide d u n alliage Fe-Si-C-O.
Leur nombre dpend de la quantit de particules de fer disperses dans le
charbon actif. Leur diamtre, pratiquement constant, ne dpend que de langle
de mouillage entre le carbure en formation et la phase liquide, et leur longueur
de la dure de la raction et de la quantit de phase fusible disponible localement. Le carbure form prsente la mme direction de croissance facile et le
mme dsordre unidirectionnel que celui dcrit plus haut. Les whiskers sont
surmonts dune boule qui, aprs refroidissement, est constitue d u n cristal de
Fe$ recouvert dune couche amorphe de Si, O et C qui se trouve sgrg a u
moment de la solidification. Lobservation en microscopie lectronique haute
rsolution de linterface boule-carbure permet dtablir le mode de croissance du
carbure, qui se fait couche par couche partir du bord du siliciure de fer qui agit
comme catalyseur. I1 y a pitaxie entre les deux phases suivant les plans et les
directions montres sur la figure 7.32.
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
317
CAS
Si
nergie
nergie
Fig. 7.31. Micrographie lectronique (HRTEM) d'un whisker de carbure de silicium obtenu par un
mcanisme de croissance VLS schmatis sur la gauche de la figure. En dessous, spectres d'mission X (EPMA) du catalyseur VLS FeSi, (a) et du whisker Sic (b). Le cuivre correspond a la grille
porte-chantillon.
Fig. 7.32. pitaxie entre Sic et Fe,Si. Cliche de microscopie lectronique en transmission haute
resolution (HRTEM) (M. Benaissa) (IPCMS-GSI).
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
3 18
Lalliage Fe-Si-C-O joue un rle de surfactant, cest--dire un matriau de

plus faible tension superficielle qui << flotte >> au-dessus du cristal en croissance et
qui provoque u n lissage de linterface. De tels surfactants sont souvent utiliss
dans la croissance des semi-conducteurs III-V.
6.3. Du matriau a la catalyse :

nanoparticules mtalliques disperses sur du Sic dop(18)
Le carbure de silicium haute surface spcifique, dop a u crium, peut tre utilis en catalyse htrogne comme support dune phase active constitue de
nanoparticules dun alliage platine-rhodium. Le dopage avec la crine (CeO,)
ralentit le frittage du Sic et amliore encore sa surface spcifique lors de la formation du carbure qui a lieu haute temprature (1 200 O C ) . I1 en rsulte une
augmentation de lactivit catalytique de la phase active. Lamlioration de la
fonctionnalit (catalyse)peut tre directement relie aux relations spatiales entre
Pt-Rh et CeO,. En effet, les particules de mtaux nobles (de diamtre infrieur a
7 nm) sont recouvertes par des particules de crine (diamtre infrieur a 1 nm)
multipliant ainsi les sites actifs du couple rdox crine-mtaux nobles. L a crine
supporte en effet de forts carts la stchiomtrie, ce qui lui permet de jouer le
rle de rservoir doxygne.
e
<111>,,
* .
0
202,,
Particules doxyde
d e cerium
1
Fig. 7.33. Augmentation de la fonctionnalit des catalyseurs en platine par recouvrement avec des
nanoparticules de crine.
(181 Benaissa M., Pham-Huu C., Werckmann J. et Ledoux M.J., A subnanometer structural study of Pt-Rh catalyst supported Ce doped Sic, Catai. Today 23 (1995) 283.
CHAPITRE
7 - TUDEDE
7.
CAS
319
Couches minces
pour lenregistrement magntique
Domaines abordes
Croissance par pitaxie,
Structures en sandwiches.
Analyses :
Duraction d lectrons lents,
Duraction des rayons X en incidence rasante,
Spectroscopie Auger,
Efet Kerr magnto-optique.
L a technologie des systmes denregistrement magntique et des supports
pour les mmoires a trs fortement progress ces dernires annes. Ceci se traduit notamment par une augmentation exponentielle en fonction des annes de
capacits de stockage et de la vitesse daccs aux donnes. Pendant longtemps,
les supports magntiques ont t labors partir dalliages massifs ou doxydes
dposs en couches minces s u r des bandes de polymres. Plus rcemment, ont
t conus des systmes multicouches priodicit artificielle. Ils sont labors
par vaporation contrle de couches successives de divers mtaux ou alliages.
Certains prsentent des proprits intressantes comme lanisotropie magntique perpendiculaire qui permet de raliser des supports pour les disques
magnto-optiques et daugmenter la densit de stockage. Dautres ont permis de
dcouvrir de nouvelles proprits comme la magnto-rsistance gante qui autorise la mise au point de nouvelles ttes de lecture et le dveloppement de capteurs magntiques (dtecteurs de position en rotation ou en proximit, dtecteurs de champs faibles ... ) (voir Chap. 6, Sect. 6).
Cependant, il est vite devenu clair que les performances de ces nouveaux systmes et leur tenue dans le temps ou dans des conditions extrmes de temprature taient largement tributaires de la qualit des interfaces mises en jeu. I1
convenait donc dtudier les modes de croissance, les relations dpitaxie, les
structures cristallographique et magntique de tels ensembles sachant quen raison des faibles paisseurs ces proprits ont toutes les chances dtre diffrentes
de celles dun matriau analogue obtenu par des procds mtallurgiques plus
classiques. Pour simplifier les problmes, il est utile dtudier la croissance de
couches ultra-minces d u n des lments s u r lautre et de raliser des structures
de type sandwich.
Nous dcrivons ici lutilisation de mthodes danalyse de surfaces sur le
systme cobalt-~hrome(~)
qui, outre son utilit dans le domaine de lenregistrement magntique, prsente quelques particularits intressantes du point de
Ohresser P., Croissance, structure et magntisme de linterface cobalt-chrome, Thse,

universit Louis Pasteur, Strasbourg ( 1996).
( 19)
320
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
vue fondamental. I1 sagit en effet de lassemblage de matriaux respectivement

ferromagntiques (Co)et antiferromagntiques (Cr) : comment se fera le couplage
entre des couches de cobalt et de chrome ? I1 sagit aussi de lpitaxie dun mtal
qui peut tre cubique faces centres (cfc) ou hexagonal compact (hc) selon la
temprature de dpt et lpaisseur des couches (Co) sur u n mtal cubique centr (Cr).Si on applique les prdictions sur le mouillage des mtaux dcrites dans
gal 0,303 et TAB
le chapitre 1 , on constate que dans le cas de Cr/Co on a rAB
gal 1,004. Ceci est la limite des conditions dpitaxie mais doit autoriser la
ralisation de multicouches. Par ailleurs, le diagramme de phase de Bauer et
Van der Merwe(20montre que le type dpitaxie va dpendre uniquement des
contraintes dinterfaces. Pour de faibles contraintes, on pourra avoir une croissance pseudomorphique (pitaxie bidimensionnelle), pour des contraintes plus
fortes on aura des orientations complexes (pitaxie unidimensionnelle), instables
et donc sources de dfauts dans les couches.
7.1.
Croissance de cobalt sur la face (001) du chrome
Dans le cas du dpt de cobalt sur une face (001) du chrome, la diffraction des
lectrons de faible nergie montre que jusqu trois couches le cobalt peut adopter la maille du chrome (pseudomorphisme) ce qui peut aussi se dcrire comme
une forme hexagonale contrainte du cobalt. Pour des recouvrements plus
grands, le cobalt retrouve s a forme hc stable temprature ambiante. La
figure 7.34 montre lvolution de la distance interplans du cobalt et la zone de
transition cc vers hc entre trois et cinq monocouches.
Dans ce cas, on constate par spectroscopie Auger quune impuret prsente
dans le chrome, lazote, tend migrer la surface. Elle permet la stabilisation
initiale de lpitaxie pseudomorphique du cobalt travers deux mcanismes :
labaissement de la tension superficielle du systme et la relaxation des
contraintes de surface. On constate quune partie de lazote tend continuer de
migrer au fur et mesure du dpt de cobalt. Cest ce quon appelle un effet surfactant : des lments de faible tension superficielle permettent de favoriser lpitaxie de matriaux croissant avec des contraintes et dviter la formation dlots
ou de dislocations dinterface. Ce phnomne est largement utilis dans la croissance des htrostructures contraintes dans les semi-conducteurs III-V qui servent faire des puits quantiques.
Pour mieux identifier la transition cc vers hc, il est intressant dutiliser
1EXAFS de surface (SEXAFS) qui permet de trouver le nombre de plus proches
voisins (voir Chap. 4 pour les principes).
L a figure 7.35 montre les spectres S E W S obtenus pour diverses paisseurs
de cobalt et la figure 7.36 leur transforme de Fourier.
(20) Bauer E. et Van der Menve, Structure and Growth of crystalline superlattices : from
monolayer to superlattice, Phy. Rev. B 33 (1986) 3657-3671.
CHAPITRE 7 - TUDE
DE CAS
32 1
Fig. 7.34. volution avec l'paisseur de Co de la distance interplans du Co dpos sur le Cr (001).
15 MC
MC
nergie (eV)
I
7700 7800 7900 8000 8100 8200 8300 8400

Fig. 7.35. Spectres SEXAFS pour diffrentes paisseurs.
Les diffrences par rapport a un talon de cobalt monocristallin sont surtout

sensibles a u niveau du pic caractristique des (< seconds voisins >> (vers 0.4 nm).
On constate que pour les faibles recouvrements ce pic est trs peu marqu : ceci
signifie d'une part une tendance a u mode cubique centr, d'autre part un
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
322
dsordre certain dans les couches. Aux forts recouvrements (15 MC), le spectre
tend vers celui du cobalt de rfrence ce qui montre bien la transition vers la
structure hc. Entre les deux, la situation est moins claire et une exploitation
rigoureuse des rsultats qui demanderait trop de place pour tre dveloppe ici
montre que lordre courte distance est faible : cela confirme bien linstabilit
structurale de ce systme telle quelle est prdite selon les critres de Bauer et
der Menve
-I
11MC
ln
6 MC
0,6
0,4
0,2
0,4
0,6
0,8
08
5 MC
3 MC
0,2
0,4
0,6
0,8
02
0,4
0,6
Fig. 7.36. Reprsentation dans lespace rel des transformes de Fourier des spectres SEXAFS
de la figure 7.35.
CHAPITRE
7 - TUDE
DE
323
CAS
En revanche, si on essaie de faire crotre du cobalt s u r une face trs propre

de chrome, on nobtient pas une telle croissance mais des structures classiques
dans les transitions martensitiques (passage de la phase cc la phase cfc) qui
correspondent des rseaux de concidence selon diverses directions communes
ou Kurdjumov-Sachs [KSI).
des deux phases (Nishiyama-Wassermann [NW]
7.2.
Croissance du chrome sur la face (0001) du cobalt
Ce type dorientations caractristiques des transitions martensitiques est observable quand on tudie le systme cc rciproque >> : la croissance du chrome s u r le
cobalt. Dans ce cas, le cobalt tant plus facile obtenir s a n s impurets, on nobserve que les orientations de type NW ou K S avec une prfrence pour lorientation NW.
Lanalyse de la croissance temprature ambiante et plus haute temprature (470 K) peut tre faite en regardant lvolution des intensits des transitions
Auger (Figs. 7.37 et 7.38). Ce sont les courbes dites As-t qui ont t prsentes
dans le chapitre 4. temprature ambiante, on observe une croissance (resp.
dcroissance) exponentielle pour les pics caractristiques du chrome (resp.
cobalt). Ceci est caractristique dun mode de croissance par << multicouches
simultanes >> o la croissance de la nime couche commence avant la compltion des couches dposes prcdemment. plus haute temprature, lvolution
des courbes As-t montre quil y a formation dlots e t / o u interdiffusion des lments Co et Cr. L a rsonance magntique nuclaire (RMN) montre quil faut retenir la deuxime hypothse.
Nombre de monocouches quivalentes
10
50
100
150
200
250
15
300
350
400
Temps (mn)
Fig. 7.37. Cintique de croissance dtermine sur les transitions Auger a 300 K.
324
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
50
100
150
200
250
300 350 400

Temps (mn)
Fig. 7.38. Cintique de croissance dtermine sur les transitions Auger a 470 K.
f
._
0,4Q
L
8
y
3
0,30,2 -
Cr 2MClCo lPd (1 11)
Fig. 7.39. Exemples de cycles d'hysteresis correspondant a l'analyse par ellipsomtrie (effet Kerr
magneto-optique) de couches minces Cr/Co et Co sur Pd (111).
CHAPITRE
7.3.
7 - TUDEDE
CAS
325
tude des proprits magntiques
tudier les proprits magntiques de ces couches ultra-minces suppose que la

contribution du substrat soit ngligeable. Pour cette raison, il est possible de
partir dun substrat de palladium et dy faire crotre une couche de cobalt. On
constate par diffraction des rayons X en incidence rasante que le cobalt adopte
une structure cubique faces centres aux faibles recouvrements et tend devenir hexagonal compact pour les recouvrements importants. Si on dpose le
chrome sur la couche << tampon D de cobalt, on observe des pitaxies du type N W
mises en vidence par des mthodes de diffraction (LEED, G K S ) . On peut analyser les proprits magntiques par effet Kerr magnto-optique (voqu au
Chap. 4 dans le cadre de lellipsomtrie). L a figure 7.39 montre quelques cycles
dhystrsis s u r de telles couches. Dans le cas de la couche de cobalt dpose
seule s u r du palladium, on voit que les dpts temprature ambiante favorisent une aimantation dans le plan : le cobalt est cubique faces centres et cette
structure isotrope ne favorise pas lanisotropie perpendiculaire. Si on met du
chrome, laimantation bascule hors du plan et u n recuit faible temprature
provoque u n largissement du champ coercitif.
Annexe A
Les fractales
Lorsque nous voulons mesurer les dimensions d u n objet : composant de mcanique, pice de notre habitation, terrain.. . nous cherchons un instrument convenable : pied coulisse, mtre, chane darpenteur ... et nous effectuons la mesure
sans nous poser de questions. Aux erreurs exprimentales prs, deux oprateurs
trouveront le mme rsultat, car, imprgns par la gomtrie dEuclide, nous ne
connaissons quune seule dfinition de la distance entre deux points. Quant
linstrument de mesure, il peut tre plus ou moins pratique et plus ou moins prcis
mais les rsultats ne sont pas fondamentalement diffrents lorsquon le change.
Si on sintresse maintenant la mesure de la longueur dune cte, on doit se
demander comment procder : doit-on partager la cte en segments conscutifs
et ajouter les longueurs de ces segments ? Quelle doit tre la taille de ces segments (pas de mesure) ? Faut-il faire le tour de chaque rocher ? De chaque grain
de sable ? On constate que le rsultat dpend du pas de mesure (pas dapproximation) comme le montre la figure A. 1.
L a thorie des fractales a t introduite par Mandelbrot partir de 1967. En
se basant sur la linarit, en reprsentation log-log, de la mesure L en fonction
du pas de mesure E , on peut crire :
L
oc
E1-D
avec D = dimension fractale.

Les objets euclidiens << habituels B : ligne, surface et volumes ont des dimensions, D , respectivement gaies 1, 2 et 3 : pour une courbe fractale on a 1 5 D 5 2
et pour une surface 2 5 D 5 3 . Entre le point de dimension O et la ligne de dimension 1 on peut trouver la << poussire B telle que O 5 D 5 1 .
Une surface fractale se situe entre la surface et le volume euclidiens. La
dimension fractale D est u n paramtre invariant lors des changements dchelle.
Des justifications rigoureuses et dtailles sont apportes dans les travaux de
Mandelbrot .
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
328
E
c
e,
e,
e,
4,o
c
O
g
Q
m
L
83
3,5
0)
O
m
e,
ci
3,O
e,
U
l5
O
A
l,o
2,o
23
3,O
33
Log. dec. du pas dapproximation (en km)
Fig. A.1. volution de la longueur dune fractale lorsquon rduit le pas de mesure : le cercle rappelle le comportement dun objet euclidien (daprs Mandelbrot).
Une caractristique fondamentale des fractales est la proprit dhomothtie
interne ou autosimilitude (self-similarity). Considrons tout dabord u n segment

de longueur 1 quon divise en m parties (rapport dhomothtie) : chaque partie a
pour longueur 1 / m et le nombre dobjets obtenus est N = m. On rpte lopration avec u n carr de cot 1 quon divise en m parties : on obtient N = m2 petits
carrs de cot 1 / m .
En gnralisant une dimension D , on a N = mD, do :
D = - log N
log m
(A.2)
Cette dimension est appele dimension dhomothtie (similarity dimension).

L a figure A.2 donne u n modle dhomothtie interne bas s u r une construction rcursive (construction de Von Koch) : on remplace le tiers central de chaque
segment par deux segments de mme longueur que le tronon retir.
On a D = log N/log m = 1,26. Les objets rels nont pas la rgularit du modle
de Von Koch ; ils peuvent tre statistiquement autohomothtiques.
Affinit interne ou auto-affinit (self-aflinity) : lhomothtie interne des
objets fractals implique que lchelle de ces objets est la mme dans toutes les
directions. L a forme de ces objets ne change pas lorsquon modifie cette chelle.
Mandelbrot a montr quil existe aussi des objets dont lchelle varie avec la
direction : lorsquon change lchelle dobservation, ils se dforment en subissant
une transformation affine.
Cette proprit a t mise en vidence partir du mouvement brownien : en
tudiant la fonction B ( t )qui reprsente la position, x , dune particule en fonction
LES FRACTALES
329
N = 4*
rn = 3 2
N = 43
rn = 33
Fig. A.2. Modle dhomothtie interne de Von Koch.
du temps, t , Mandelbrot a trouv, pour la valeur moyenne de B, une relation de

la forme :
B ( y t )= y%(t)
(A.3)
avec B ( 0 )= O.
Un tel comportement peut intuitivement se justifier par le fait que temps et
position correspondent des entits physiques diffrentes ; en matire de rugosit, on peut comprendre tout aussi intuitivement que la formation de cette
rugosit peut faire appel des processus de croissance dpendant de la direction. On peut en donner deux exemples : la formation des interfaces solide-solide
qui, quel que soit le mode de croissance (voir Fig. 1.15),na aucune raison de se
faire la mme vitesse dans toutes les directions et le dpt souvent textur des
poudres magntiques s u r u n support, bande ou disque.
Lorsquon sintresse la rugosit de couches doxydes formes s u r u n substrat prpar par polissage, on peut sattendre trouver des rponses diffrentes
en fonction de lchelle de mesure : aux (relativement) grandes chelles on aura
la rponse correspondant la rugosit de prparation du substrat avec u n comportement pouvant tre autohomothtique, et aux plus petites chelles on mesurera la rugosit de croissance de loxyde comportement trs vraisemblablement
auto-affine.
Pour des surfaces fractales isotropes, on peut caractriser la rugosit par le
paramtre D , indpendant de lchelle de mesure. Pour modliser ces surfaces
A. CORNET
et J.-P. DEVJLLE
330
Mandelbrot s'est appuy sur la fonction de Weierstrass (modle de WeierstrassMandelbrot ou W-M).

Pour modliser le profil des surfaces dont la topographie dpend de l'chelle
(multi-scalesurfaces), on utilise la fonction W-M modifie :
z(x)=GD-'
n =n
cos (2n ynx)

Y(2-D)n
iA.41
avec 1 < D < 2 et y > 1. Les termes

reprsentent les modes discrets correspondant aux frquences n qui varient entre la valeur n1 correspondant la plus
basse frquence du profil (low cut-oflfrequency) et l'infini. En fonction de la
valeur de yon peut simuler diverses formes de profils ; on trouvera les dtails de
cette simulation dans la bibliographie du chapitre 1, en particulier dans les rfr e n c e ~ ( 'et
~ )il7).
Le paramtre important de l'expression (A.4) est le terme G ou facteur
d'chelle qui traduit l'auto-affinit du profil. Ce paramtre est reli au spectre de
puissance du profil :
L est la longueur du profil (A. 1) ; on dtermine G a partir de la partie linaire de

la reprsentation log-log de P ( w ) en fonction de w.
L a surface est entirement Caractrise, quelle que soit l'chelle, par D et G.
L a lecture d'un ouvrage de base de Mandelbrot'') pourra constituer u n bon
dbut, et permettre de se rendre compte de l'importance des fractales dans tous
les domaines travers divers articles de revues scientifiques gnralistesi2)
Pour u n tout dbut, pourquoi ne pas commencer par la bande dessine de
Ian Stewart : Les Fractals (BELIN) (qui devraient d'ailleurs s'appeler Les
Fractales !).
Au-del, c'est un peu plus compliqu.. .
(1) Mandelbrot B., Les objetsfractals (Flammarion, 4e dition, 1995).

(2) Jullien R. et al., Les agrgats, La Recherche 171 (1985) 1334-1343.
(3) Entretien avec B. Mandelbrot, Comment j'ai dcouvert les fractales, La Recherche 175
(1986) 420-424.
(4) Vacher R. et al., L a structure fractale des arogels, La Recherche 220 (1990) 426-435.
( 5 ) McNamee J . , Les fractales dans les vaisseaux des poumons, La Recherche 232 (1991)
624-627.
(6) Bouchaud E. et al., Les fractales dans la rupture des matriaux, L a Recherche 233
(1991) 808-809.
(7)Sapoval B., Les changes a travers les fractales, Pour la Science 1 9 8 (1994) 30-37.
(8) Van Damme H. et ai.. L a physique de la boue, Pour la Science 167 (1991) 82-90.
Annexe B
Introduction
aux systmes dynamiques
Voici une exprience que chacun de nous a faite ou fera u n jour : essayons de
drouler horizontalement u n mtre ruban mtallique s u r la plus grande longueur possible. Le ruban possde une certaine rigidit en raison de sa section
incurve ; au-del dune certaine longueur, il seffondre brusquement. En le laissant se renrouler doucement on constate quil se redresse pour une longueur
infrieure la longueur ayant provoqu leffondrement (Fig. B. 1).
Leffondrement du ruban est une catastrophe ! Les mdias ont banalis lemploi de ce mot qui pourrait sembler dplac dans le contexte du mtre ruban ...
mais la thorie des catastrophes est une thorie gnrale* qui peut sappliquer
la description de phnomnes discontinus.
Considrons que le mtre possde deux tats stables : une position << haute P
(en ngligeant la flexion lastique dans cette position) et une position <<basse
B ou
effondre. Sur le diagramme de la figure B.2a on a report ltat de ce systme
dynamique en fonction de sa seule variable : la longueur dploye.
laller, le systme est stable jusquen A et mtastable de A B (en donnant
u n petit choc on peut provoquer leffondrement), en B il seffondre, a u retour il
retrouve la position haute en A.
Deux faits importants caractrisent ce systme :
il existe une valeur de la variable pour lequel le systme peut tre dans u n
tat ou dans u n autre mais on ne sait pas a priori lequel,
le retour ltat initial se fait avec hystrsis.
Considrons maintenant u n systme deux dimensions, dpendant de deux
variables. Nous essayons de reprsenter le comportement dune personne son
travail ; cest ltat du systme. Les deux variables sont dune part lintrt du
* Due au mathmaticien R. Thom.
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
332
5,
4,
\ I
d
Fig. B.l. Comportement du mtre ruban.
tat
tat
Position haute
c,
Longueur dploye
Longueur dploye
Fig. B.2. (a) : stabilit dun systme dynamique a une dimension, (b) : representation en z.
travail qui peut tre reprsent par une gradation allant de totalement inintressant passionnant et la rmunration comprise entre le minimum, en principe
le SMIC, et le u pont dor .
Quelquun de trs bien pay et effectuant u n travail passionnant est (gnralement) trs satisfait. Une personne faisant un travail passionnant mais trs mal
pay finira par tre aigrie et une autre effectuant un travail inintressant mais
bien pay pourra saccommoder de la situation mais ne dploiera certainement
pas beaucoup de zle ; les deux sont donc moyennement satisfaites. Toutes ces
ractions sont prvisibles. Comment va ragir celui qui est oblig de faire un travail inintressant et mai pay ?
Deux ractions sont alors possibles : la revendication qui traduit une certaine
insatisfaction (mais on conserve lespoir damliorer la situation) ou la rsignation
INTRODUCTION
AUX
333
SYSTMES DYNAMIQUES
qui traduit un abandon de la recherche de satisfaction. On peut revendiquer ou

se rsigner mais on ne peut pas, la fois, revendiquer et se rsigner ; on peut
aussi changer dtat (alternance entre dcouragement et espoir).
Le niveau de satisfaction peut tre reprsent par laltitude dun point repr
par le systme de coordonnes intrt du travail et rmunration.
On gnre ainsi une surface de rponse (Fig. B.3) ; le plan intrt du travail/rmunration est appel espace de commande.
Dans ce dernier espace, on trouve une ligne de bifurcation qui marque un
changement de rgime de fonctionnement (passage dune seule valeur de la
rponse plusieurs dans lexemple choisi).
((
))
Surface de rponse
Espace de commande
Fig. B.3. Surface de rponse et espace de commande dun systme dynamique a deux dimensions.
334
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
Le diagramme de la figure 3.9 reprsente lespace de commande (on lappelle

aussi diagramme de phases) dun systme dynamique dont les variables sont la
raideur et la vitesse. L a ligne AB correspond une bifurcation particulire qui
marque le passage d u n rgime stable u n rgime oscillatoire. Cette bifurcation
particulire est appele bifurcation de Hopf.
Lorsquon traverse cette bifurcation, on retrouve les conditions daccrochage
des oscillateurs : amplitude doscillation de plus en plus grande au fur et
mesure quon pntre dans le domaine deux valeurs et finalement obtention
doscillations de relaxation. Le grand avantage est quon peut exploiter ce comportement pour faire des mesures avec une sensibilit et une prcision ingales.
I1 y a encore quelques annes on se serait limit aux mesures dans le domaine
<< stable >> une seule valeur en attribuant les oscillations un artefact exprimentai.
Ces bifurcations font partie de la thorie des systmes
qui
explique le fonctionnement de nombreux systmes de notre environnement :
cette thorie aboutit la thorie du chaos : la thorie des fractales faisant lobjet de lAnnexe A est elle-mme u n lment de la thorie du chaos.
Nous encourageons vivement le lecteur a consulter les ouvrages cites en
bibliographie.
(1) Berge P., Pomeau Y. et Vidal C., Lordre dans le chaos. Vers une approche dterministe
d e la turbulence (Hermann, Paris, 1988).
(2) Ailigood K.T.,Sauer T.D. et Yorke J.A., Chaos. An introduction to dynamical systems
(Springer,New York, 1997).
Tableau priodique des elements

et leurs paramtres cristallins
(en nm)
A. CORNET
et J.-P. DEVILLE
336
'H
hc
0,47
0,34
Li
cc
0,351
-r
0,229
Na
l1
cc
0,429
0,321
l9
0,533
0,295
0,469
0,303
37
26
Fe 27 Co
cc
hc
0,287
0,251
0,407
MO 43 Tc
cc
hc
Ru 45 Rh
cc
hc
cfc
0,559
0,323
0,515
0,330
0,315
0,274
0,439
0,271
0,428
0,380
cs
72
cc
0,614
87
0,891
hc
40
0,573
55
0,291
cc
Rb
1,217
cc
23
hc
0,527
Ti
22
cc
t
+
Fr
Lanthanides
et terres rares
Actinides
et transuraniens
lo4
Zr
HI
Nb
41
73
Ta
hc
cc
0,320
0,505
0,330
RI
O5
42
74
75
Re 76 os
hc
cc
hc
MI
log
58Ce59 Pi
HEX2
0,516
0,367
1,183
63
TET
0,508
3,93
3,24
Eu
cc
0,366
1,180
0,899
0,459
"Am
goTh91 Pa
cfc
cc
0,384
Db
cfc
Ir
77
HEX2
I
0,347
1.124
La plupart des elements cristallisent dans des systmes compacts. Parmi eux certains prsentent
des varits allotropiques (Fe, et Fe, CgraPhjte
, ,et
, , ,C
,
Co, et C.o,
..).
Lgende :
hc : P63/mmc ( d a = 1,633 reprsente la compacit idale) ; cfc : Fm3m : cc : lm3m ; dia : Fd3m
(diamant = mode particulier de cfc) ; CUB, HEX2, ORTH, RHOM, TET et MONO sont respectivement des structures cubique, hexagonale a maille double, orthorhombique, rhombodrique, tetragonale et monoclinique correspondant a des empilements compacts plus ou moins dforms.
TABLEAU
PRIODIQUE DES
337
LMENTS
-T
He
cfc
0,357
0,424
5RHOMB 6hcC 7N
hc
0,506
a 58,06
l3
!8
Ni 29 Cu
30
AI
Si
cfc
hc
0,352
0,361
0,266
0.495
0,386
0,318
l5
cfc
dia
ORTH
0,405
0,543
Zn 31 Ga Ge
cfc
16
0,246
0,670
ORTH
Pd 47 Ag
* O 'F
33
As
l6
34
Se
0,566
0,376
1.O55
0,436
0.496
5 2 T e
cfc
cfc
TET
R3m
P3 /Zl
0,389
0,409
0,583
0,318
0,431
1,127
0,446
0,593
Pi 79 Au
2 P b 83
CI
Ar
cfc
ORTH
0,526
P3 121
Sb
l7
ORTH
R3m
5l
cfc
0,443
dia
oSn
Ne
Bi 84 Po
cfc
cfc
cfc
R3m
cc
0,392
0,408
0,495
0,455
1,186
0,336
Br
35
l6
ORTH
Kr
cfc
0,572
53
;4
ORTH
Xe
cfc
0,620
1
2
3
4
5
-
At
85
16
Rn
6
-
7
a
Gd 65 Tb
56
Dy 67 Ho
Er
Lu
6 9 T m 7 0 Y b 71
hc
hc
hc
hc
hc
hc
cfc
hc
0,363
0,578
0,360
0,569
0,359
0.565
0,358
0.562
0,356
0,559
0,354
0,555
0,548
0,350
0,555
1 6 C m 97
Bk
HEX2
HEX2
0,350
1,133
0,342
1,107
O F m 01
Md
03
Lr
0,338
Paramtre de rfrence : Si = 0,543088f 0,000011 nm (25 O C )
Valeurs extraites de Wickoff R. W.G., Crystal structures, Vol. 1

(John Wiley and Sons, New York, 1963).
Mises a jour effectues a partir du serveur de l'universitde Sheffield :
http//www.shef.ac.uk/chemistry/web-elements/
COOU
bo

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PHYSIOUE

Les quasicristaux, matire paradoxes

C. Janot et J.-M. Dubois

Si chacun connat le mot surface, il na pas pour tout le monde la mme

Strasbourg, Bucarest, mai 1998.

Table des matires

Petit lexique des acronymes et abrviations..............

Proprits physico-chimiques des surfaces

1. Description des surfaces.

1.1. Surface idale dun solide ...................

1.3. Critres de stabilit et dvolution dune surface ...........

2.1. Dfinitions.. .......................................

3.1. Interfaces liquide-solide

2. Reconstruction et relaxation .....

Topographie et mcanique des surfaces

1. Topographie des surfaces .....................................

1. l . Importance de la topographie des surfaces ......................................

1.4. Les paramtres des surSaces ...

2. Contraintes superficielles ...................................................................

2.1. Importance des contraintes superficielles .............

Tribologie : frottement et usure des surfaces

1. Contact et frottement entre solides ....................................................

1 . I . Contact entre surfaces

1.2. Introduction au frottement ...............................................................

2. Principaux modes dusure des surfaces ................

2.5. Usure par fatigue thermique superficielle.................

3. Frottement, usure et ingnierie des surfaces ....................................

3.3. Application ltude de lusure en petits dbattements ....................

Bases physiques de lanalyse des surfaces

1. Interaction rayonnement matire ....................................................

2. Les forces atomiques et molculaires ................................................

Les forces coulombiennes ...............................................................

Mthodes danalyse de lingnieur

1. Essai de classement des mthodes danalyse ....................................

3. caractrisation mcanique .................................................................

3.1. Mesures par nanoindentation ........

4.1. Dgraction rasante et rjectomtrie X ...........

5. Caractrisation physico-chimique ..........................

Mthodes de preparation des surfaces

1. Essai de classement des mthodes de preparation ...........................

3.1. Exemple du grenaillage ............................

4. Ralisation de couches minces par PVD et CVD ...................

6. Ralisation de multicouches ...............................................................

1.1. Fabrication des ressorts et traitements de surface ...........................

2. Quelques traitements de surface de biomatriaux ............................

Implantation ionique .......................................................................

3. Mise en uvre des techniques laser ....... .......................................

4. Nucleation et croissance de couches diamant par CVD ...........

5. Modification de surfaces de polymres par plasma...........................

6. Synthse et croissance dun matriau pour la catalyse htrogne :

le carbure de silicium de haute surface spcifique ..........

7. Couches minces pour lenregistreme

Annexe A : Les fractales .........................

Annexe B : Introduction aux systmes

Petit lexique des acronymes

* Studies of polymorphic systems using the methods of FTIR, DRIFT, 13C-,

Atomic absorption spectroscopy

Auger electron spectroscopy

Atomic emission spectroscopy

Atomic force microscopy

Atomic fLuorescence spectroscopy

Atomic Layer epitaxy

Angular resolved ultraviolet photoemission spectroscopy

Attenuated total reflection