1

CHAPITRE 1A
Rappels:
Semi-conducteur à l’équilibre
 2

Semi-conducteurs à l’équilibre

• Dopage des semi-conducteurs

• Semi-conducteur intrinsèque
• Le dopage n et p
• Calcul de la densité de porteurs extrinsèques
 3

Semi-conducteurs

• Structure en bandes
d’énergie:
• Bande de valence: c’est la
dernière bande remplie à
T=0K
• Bande de conduction: c’est
la bande immédiatement au
dessus et vide à T=0K
 4

Notion de trous (+e !)

• La notion de bandes
permet d’introduire le
porteur de charge positif
: un trou

 Aux températures
différentes de 0 K,
électrons « montent » dans
BC, laissent des « trous »
dans la BV
 5

Conduction bipolaire

• La présence d’électrons et 
trous entraîne une conduction 
bipolaire dans les SC

 On peut privilégier une       
conduction par le dopage  
du semi‐conducteur, ie
l’introduction d’impuretés

E externe
 6

Électrons dans une structure Diamant (ex: Si)

 7

Électrons dans une structure Diamant (ex: Si)

 8

Densité de porteurs dans les bandes

• Fonction de Fermi:

f (E)  1
1 e ( E  E F ) / kT

• Densité d’états:
3/ 2
1  2mc* 
NC (E)   2 
2 
( E  EC )1/ 2 Eg
2   
3/ 2
1  2mv* 
Nv (E)    ( E  E )1/ 2

2 2   2  
V

• Densité de porteurs:
n N
EC
C ( E ). f n ( E ).dE
EV

p  N ( E ). f

v p ( E ).dE
 9

Densité de porteurs dans les bandes

• Approximation de Boltzmann:
• Si le niveau de Fermi est à plus de « 3kT » du minimum de la
bande de conduction ou du maximum de la bande de valence, on
peut simplifier la fonction de distribution:

fn ( E )  e  ( E  E F
) / kT
( EF  E ) / kT
f p (E)  e
 10

Densité de porteurs dans les bandes

• Dans ces conditions (Boltzmann), la densité de

porteurs libres s’écrit:
• Dans la bande de conduction (électrons):

3/ 2
EC  EF  2m kT 
*
n  N•C Dans
exp(la bande de)valence N C  2
avec(trous): C
2

kT  h 

EF  Ev avec
3/ 2
 2m kT 
*
p  N v exp( ) N v  2 v
2

kT  h 
 11

Loi d’action de masse np=ni2

• Dans un semi-conducteur intrinsèque, la densité de

trous est égale à la densité d’électrons:
3
 kT  Eg
np  4  ( m * * 3/ 2
m ) exp(  )  n 2

 kT
e h i
 
2
2 

• En faisant n=p, on obtient le niveau de Fermi

intrinsèque:

EC  EV kT NC
Ei  EFi   ln( )
2 2 NV
 12

Semi-conducteur intrinsèque

• Variation exponentielle  Remarque:

de la densité de
porteurs
• Si ni>1015cm-3, le
matériau inadapté pour
des dispositifs
électroniques.
 Le produit np est
indépendant du
niveau de Fermi
Expression valable même
si semi-conducteur dopé

SC à grands « gap »
Type SiC, GaN, Diamant
Introduction du dopage
 13

Dopage: introduction de niveau énergétique

dans le gap

Dopage type n Dopage type p

 14

Dopage d’un SC: type n

 15

Dopage d’un SC: type p

 16

Variation de la conduction d’un semi-conducteur dopé en fonction

de la température

Tous les « donneurs

sont ionisés

3 régimes:
•Extrinsèque
•Épuisement des donneurs
•Intrinsèque
 17

Calcul de la position du niveau énergétique

Ed ou Ea

• Le problème « ressemble »
au modèle de l’atome
d’hydrogène
m0e 4 13.6
En   2 eV
2(4 0 ) 
2 2
n

• Introduction du Rydberg
« modifié » :

 m   0 
* 2

Ed  EC  13.6  
 m0   
Exemple de dopants et leurs énergies
 18

Densité de porteurs extrinsèques:

• nb d’électrons différents du nb de trous

n  p  n  0
• Mais loi d’action de masse toujours valable, avec n.p=cte
(sauf si dopage trop élevé).
n. p  ni2  cste
• Pour déterminer ces concentrations (n et p), on écrit la
neutralité électrique du système.

n  N A  p  ND n 2  ( N D  N A )n  ni2  0
 19

Densité de porteurs extrinsèques:

• Semi-conducteurs type n (ND>NA):

1

n  N D  N A  ( N D  N A )  4ni
2 
2 2 2
1



1

p   N D  N A  ( N D  N A )  4ni
2 
2 2 2
1



• Dans la pratique (ND, NA, et ND – NA >> )ni si bien que:

n  ND  N A
p  ni2 /( N D  N A )
 20

Niveau de Fermi dans un SC dopé

• Si le SC n’est pas dégénéré, l’approximation de

Boltzmann reste valable:
• Type n et p respectivement
EC  EFn
n  N D  N A  N C exp( )
kT
EFp  EV
p  N A  N D  NV exp( )
kT

• Soit un niveau de Fermi type n et type p donné par:

EFn  EC  kT ln( N C /( N D  N A ))
EFp  EV  kT ln( NV /( N A  N D ))
 21

Différence Ef - Efi

• Au lieu d’exprimer Ef en fonction de Nc et Nv, on peut

écrire:
type n
 Nd 
E f  Ei  kT ln  eFi

 ni 
type p

 Na 
Ei  E f  kT ln 
 ni 
 22

Différence Ef - Efi

• On peut alors exprimer les densité d’électrons et de trous

à l’équilibre par:

n  ni e ( E F  E Fi ) / kT
 ni e e Fi / kT
Équations de

p  ni e  ( E F  E Fi ) / kT
 ni e  e Fi / kT Boltzmann

avec:
e Fi  EF  EFi  0 type n

e Fi  EF  EFi  0 type p
 23

Semi-conducteurs dégénérés:
approximation de Joyce –Dixon
• Dans ce cas , l’approximation de Boltzmann n’est
plus valable pour le calcul:
• soit de n et p
• soit de la position du niveau de Fermi:
on utilise alors l’approximation de Joyce-Dixon:

 n 1 n   p 1 p 
EF  EC  kT ln    EV  kT ln  
 N C 8 C
N  N V 8 V
N
 24

Peuplement des niveaux d’impuretés : gel des porteurs

• En fonction de la température, le niveau d’impureté

est plus ou moins peuplé. Supposons un SC « avec »
ND donneurs et NA accepteurs (ND>NA)
• À T=0K
• BV =>pleine
• EA => NA électrons
•ED => ND-NA électrons
•BC => vide
 25

Peuplement des niveaux d’impuretés : gel des porteurs

• À température non nulle: les électrons sont redistribués

mais leur nombre reste constant !!!. L’équation de
neutralité électrique permet de connaître leur répartition:

(n  ni )  nd  N D
n  nd  N D  N A  p  pa
( p  ni )  pa  N A
n, p : électrons (trous) libres dans BC (BV)
nd (pa) : électrons (trous) liés aux donneurs (accepteurs)
 26

Fonction de distribution des atomes d’impuretés –

Principe d’exclusion de Pauli
Comparaison de l’image « chimique » et de la description en
« bande d’énergie » de l’atome donneur ou accepteur:

« liaison chimique » « Bande d’énergie »

Atome donneur  atome Si + Cristal parfait + puits de potentiel
noyau chargé positivement. attractif sur un site du réseau

Niveau énergétique Ed dans

Mécanique quantique
le gap sous Ec doublement
(électrons indépendants)
dégénéré (spin up et down)
Interaction Coulombienne Le deuxième électron
+ écrantage du noyau: Ed « s’échappe » : occupation
diminue du niveau par un seul électron
 27

Probabilité d’occupation du niveau

d’impureté
• Proba d’occupation et nb d’électrons sur Ed:

Ed  E f N
1 nd  d
f n  (1  exp ) 1 Ed  E f
2 kT 1  exp
2
• Proba de non occupation et nb de trous surkT
Ea :

E f  Ea Na
1 pa 
f p  (1  exp ) 1 E f  Ea
4 kT 1  exp
4 kT
 28

Niveau « donneur »:le facteur 1/2

• Atome de Phosphore (col V):
• États électroniques 3s² 3p3 : 2e s et 2e p participent aux
liaisons  1e sur le niveau ED (le 5° !)

• il (le 5° !) possède un spin particulier up ou down

• Une fois l’e parti (f(E)) la « case » vide peut

capturer un spin up ou down => le mécanisme (la
proba.) de capture est augmenté / à l’émission.

f D (E)  f (E)
 29

Semi-conducteur fortement dopé

• Si dopage trop important, les impuretés se « voient »

(rayon de Bohr 100 angströms)
le niveau d’énergie associé s’élargit
• Un effet important est la diminution du « Gap » du SC et
donc ni augmente!!:

pour le Silicium
1/ 2
 N d 300 
Eg  22.5 18  meV
 10 T ( K ) 
 30

CHAPITRE 1B
Semi-conducteurs hors équilibre
 31

Plan:
• Recombinaison et génération
• Courants dans les SC
• Équation de densité de courants
• Équations de continuité
• Longueur de Debye
• Équation de Poisson
• Temps de relaxation diélectrique
 32

Phénomènes de Génération - Recombinaison

• Loi d’action de masse:

• À l’équilibre thermodynamique:
np  n
• Hors équilibre: apparition de phénomènes de Génération -i
2

Recombinaison
• création ou recombinaison de porteurs :
Unité [g]=[r]=s-1cm-3
• Taux net de recombinaison:

g ' r '  g  g th  r '  g  r avec r  r ' g th

externe interne
 33

Différents chemins de recombinaison

Génération depuis
état lié Génération bande à bande
 34

Recombinaison: 2 « chemins » possibles

• Recombinaison directe électron-trou

• Processus fonction du nombre d’électron et de trous

p n
rp  rn 
p n
• Exemple: type n +excitation lumineuse en faible injection (
ie )
n  p  n0

p  p0  p n  n0  n  n0
• En régime de faible injection le nombre de porteurs
majoritaires n’est pas affecté.
 35

Recombinaison: 2 « chemins » possibles

• Recombinaison par centres de recombinaison:
• En général ces centres se trouvent en milieu de bande interdite
• Le taux de recombinaison s’écrit:

np  ni2
1 Équation de
r
 m 2ni  p  n Shockley-Read

• Où m est caractéristique du centre recombinant

• Si les 2 processus s’appliquent:

1 1 1
 
 m  n( p)
 36

Recombinaison: 2 « chemins » possibles

• Si semi-conducteur peu dopé: on applique SR
• Si semi-conducteur dopé n:
p
rp 
p
• Si région « vide » de porteurs (ex: ZCE)

ni
r 0 Taux net de génération.
2 m Création de porteurs
 37

Excitation lumineuse

Type P
 38

Recombinaison radiative ou non

 39

Recombinaisons de surface
 40

Courants dans les SC

• Courant de conduction: présence de champ électrique

• Si E=0, vitesse des électron=vitesse thermique (107 cm/s) mais =>

vitesse moyenne nulle car chocs (« scattering ») avec le réseau +
impuretés.

• Libre parcours moyen (« mean free path »):

l  vth.  100 A
o
  0.1 ps
 41

Courants dans les SC

• Courant de conduction: présence de champ électrique

• Entre deux chocs, les électrons sont accélérés uniformément
suivant  E

• Accélération:   qE / m *

• Vitesse: v  qE / m   µE
*

Si : 1500 cm2/Vs
• Mobilité: µ  q / m* GaAs: 8500 cm2/Vs
In0.53Ga0.47As:11000 cm2/Vs
 42

Courants dans les SC

• La densité de courant de conduction s’écrit:

• Pour les électrons:

J c n  nev n  neµn E
• Pour les trous:

J c p   pev p  peµp E
• Pour l’ensemble:

J c total  J n  J p  (neµn  peµp ) E

 43

Courants dans les SC

• Importance de la mobilité sur les composants

• Mobilité la plus élevée possible
• => vitesse plus grande pour un même E
• Facteurs limitants:
• Dopage
• Défauts (cristallins, structuraux, …)
• Température
• Champ électrique de saturation + géométrie
 44

Courants dans les SC

• Vitesse de saturation des électrons

• La relation linéaire vitesse – champ valide uniquement

pour:
• Champ électrique pas trop élevé
• Porteurs en équilibre thermique avec le réseau
• Sinon:
• Au-delà d’un champ critique, saturation de la vitesse
• Apparition d’un autre phénomène: « velocity overshoot »
pour des semiconducteurs multivallée.
• Régime balistique:pour des dispositifs de dimensions
inférieures au libre parcours moyen (0.1µm)
 45

Vitesse de saturation

• Différents
comportement en
fonction du SC

Survitesse
(« overshoot »)
 46

Survitesse dans le cas de SC

multi vallées
 47

Courants dans les SC

• Courant de diffusion:
• Origine: gradient de concentration
• Diffusion depuis la région de forte concentration vers la région de
moindre [].
• 1° loi de Fick:

dn nb d’e- qui diffusent par unité de

nD   Dn
x
temps et de volume (flux)
dx
dp
pD   D p
x
nb de h+ qui diffusent par unité de
dx temps et de volume (flux)
 48

Courants dans les SC

• Courant de diffusion: somme des deux contributions

(électrons et trous):

dn dp
J diff  e(n  p )  eDn
x
D
x
D
 eDp
dx dx
• Constante ou coefficient de diffusion
[Dn , p ]=cm2/s.
 49

Courants dans les SC

• Courant total: somme des deux contributions (si elles existent)

de conduction et diffusion:

J T  J cond  J diff  J n  J p
dn dp
J T  (neµn  peµp ) E  e( Dn  Dp )
dx dx

• D et µ expriment la faculté des porteurs à se déplacer. Il existe

une relation entre eux: relation d’Einstein:

D kT

µ e
 50

Équations de continuité – longueur de diffusion

• G et R altèrent la distribution des

porteurs donc du courant

dn( x, t )  J n ( x  x) J n ( x) 
Ax  A   RG
dt  e e 
dn( x, t ) dJ n ( x) x
Ax A RG
dt dx e
 On obtient alors les équations de
continuité pour les électrons et les trous:

dn( x, t ) 1 dJ n dp ( x, t ) 1 dJ p
  rn  g n   rp  g p
dt e dx dt e dx
 51

Équations de continuité – longueur de diffusion

• Exemple: cas où le courant est exclusivement du à

de la diffusion:

dn d n n  n0
2

 Dn 2 
J n (diff )  eDn
dn dt dx n
dx
dp dp d2 p p  p0
J p (diff )  eD p  Dp 2 
dx dt dx p
 52

Équations de continuité – longueur de

diffusion
• En régime stationnaire, les
dérivées par rapport au temps
s’annulent:
d 2 (n  n0 ) n  n0 n  n0
 
dx 2
D n n L2n

d 2 ( p  p0 ) p  p0 p  p0
 
dx 2
D p p L2p  Longueur de diffusion: représente la
distance moyenne parcourue avant
Ln  Dn n Lp  Dp p que l’électron ne se recombine avec
un trou (qq microns voire qq mm)
• Solutions:  Ln ou Lp >> aux dispos VLSI
 R et G jouent un petit rôle sauf
n( x)  (n( x)  n0 )  n(0)e  x / Ln
dans qq cas précis (Taur et al)
 53

Équation de Poisson

• Elle est dérivée de la première équation de Maxwell. Elle relie le

potentiel électrique et la densité de charge:

d 2V dE  ( x)
 
dx 2
dx  sc
• Dans les SC, deux types de charges (fixes et mobiles):

d 2V
 
e
 p ( x )  n ( x )  N 
( x )  N 
A ( x)

dx 2
 sc D

Charge mobiles Charges fixes

(électrons et trous) (dopants ionisés)
 54

Longueur de Debye

• Si on écrit l’équation de Poisson dans un type n en exprimant n en

fonction de Fi :

d 2  Fi
dx 2
 
e
 sc
N 
d ( x )  ni e e Fi / kT

en remarquant que: V(x)=Fi cte
• Si Nd(x) => Nd+Nd(x) , alors Fi est modifié de Fi

d 2 Fi e 2 N d e
 Fi   N d ( x)
dx 2
 sc kT  sc
 55

Longueur de Debye

• Signification physique?
• Solution de l’équation différentielle du 2° degré:

x  sc kT
Fi  A exp avec LD 
LD e2 N D
• La « réponse » des bandes n’est pas abrupte mais « prend »
quelques LD ( si Nd=1016 cm-3, LD=0.04µm). Dans cette
région, présence d’un champ électrique (neutralité électrique
non réalisée)
 56

Temps de relaxation diélectrique

• Comment évolue dans le temps la densité de

porteurs majoritaires ?
• Équation de continuité (R et G négligés):

n 1 J n E
 or J n  E  E /  n et  en /  sc
t e x x

d’où
n

n
Solution: n(t )  exp(t /  n sc )
t  n sc

   n sc Temps de relaxation diélectrique ( 10-12 s)