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La diode à jonction
Objectif du chapitre
Électronique analogique I 10
Chapitre 2 : La diode à jonction
Électronique analogique I 11
Chapitre 2 : La diode à jonction
Électronique analogique I 12
Chapitre 2 : La diode à jonction
2.1.3.1 Semi-conducteur P
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2.1.3.2 Semi-conducteur N
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Chapitre 2 : La diode à jonction
2.2 La jonction PN
(a) Mise en contact des deux semi-conducteurs (b) Création de la zone de déplétion
dopés
Si l’on munit un cristal de silicium dont une zone dopée P et une zone
dopée N séparée par la zone de déplétion, de deux électrodes, Il devient
une diode à jonction PN. Ces deux bornes sont l’anode disposée au niveau
de la zone P et la cathode disposée au niveau de la zone N. La structure
de base et le symbole d’une diode sont montrés à la figure 2.9.
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Chapitre 2 : La diode à jonction
Électronique analogique I 16
Chapitre 2 : La diode à jonction
V
! !
ID = IS · exp −1 (2.1)
VT
Avec :
- V : potentiel de barrière
- IS : courant de saturation
- VT : potentiel thermique
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Chapitre 2 : La diode à jonction
Ce modèle est le plus simple, mais le moins précis. Il est utilisé pour des
estimations rapides et pour des analyses de circuits complexes . En direct, la
diode agit comme un interrupteur fermé et comme un interrupteur ouvert
en inverse (figure 2.13.(a)). La figure 2.13.(b) présente la caractéristique
courant-tension d’une diode idéale.
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Chapitre 2 : La diode à jonction
Électronique analogique I 19
Chapitre 2 : La diode à jonction
plus complexe. Lorsque la diode est polarisée en directe, elle agit comme
un interrupteur fermé en série avec une source de tension et une faible
résistance dynamique directe comme indiqué à la figure 2.15.(a). Lorsque
la diode est polarisée inverse, elle agit comme un interrupteur ouvert en
parallèle avec une grande résistance interne inverse, comme le montre la
figure 2.15.(a). La courbe caractéristique d’une diode linéaire est montrée
à la figure 2.15.(b).
E−V
I= (2.2)
R
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et la caractéristique de la diode
V
! !
I = IS · exp −1 (2.3)
VT
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