11 Cours de Physique Des Matériaux

Chapitre 1 : Etat Cristallin Laboratoire de Physique des Matériaux 1
Pr M. Abd-Lefdil
Chapitre 1 L'ETAT CRISTALLIN
INTRODUCTION GENERALE
Les propriétés des matériaux (des solides entre autres) sont définies par l'arrangement
atomique, la microstructure et la nature des liaisons chimiques. L'étude des relations entre ces
3 paramètres constitue la Sciences des matériaux.
Aucun objet ne peut être élaboré sans matériaux. Ainsi, tous les secteurs de l'activité humaine
en dépendent, de la puce à l'édification d'un barrage hydroélectrique par exemple. Ci-dessous,
nous donnons 3 exemples importants de l'utilisation des matériaux solides.
a- La ligne haute tension : dans une telle ligne, plusieurs types de matériaux sont nécessaires
pour obtenir un système fonctionnel. Ainsi, on y trouve des matériaux conducteurs,
isolants, des céramiques, des polymères et du béton.
b- Les prothèses : la mise au point de prothèses biomédicales utilise des polymères, des
céramiques et des métaux.
c- L'industrie électronique : Le silicium monocristallin est indispensable dans cette industrie.
On le retrouve dans les circuits intégrés, les ordinateurs, la robotique, les panneaux
photovoltaïques……
Toute substance peut en principe exister sous 3 états physiques distincts : solide, liquide ou
gazeux.
C'est la balance entre l'énergie de cohésion Ecoh et l'énergie thermique Eth qui détermine la
nature de l'état physique.
Rappelons que Eth résulte du mouvement permanent des atomes et qu'elle est proportionnelle
R
à la température T, soit Eth = KBT où KB = avec :
NA
KB : constante de Boltzmann = 1.38 10-23 J/K
R : constante des gaz parfaits
NA : nombre d'Avogadro
Quant à Ecoh, elle est définie par l'énergie nécessaire pour dissocier un système en ses
éléments constitutifs, comme la dissociation d'une molécule en atomes par exemple.
Rappelons que Ecoh augmente avec la force de liaison et qu'elle est en première approximation
indépendante de la température.
Par conséquent, les changements de phases ainsi que les transitions de structures dépendent de
la température.
a- Etat gazeux :
C'est une forme de la matière complètement désordonnée dont la forme limite est représentée
par un gaz parfait.
Exemple de gaz parfait : le Néon (Ne) à P = 1 atm = 105 Pa et T = 300 K.
Dans ces conditions, chaque atome de Ne a un volume égal à celui d'un cube d'arête
3 nm = 30 Å.
Puisque les interactions sont négligeables, les propriétés physiques du gaz parfait ne
dépendent que de la température. (revoir la thermodynamique de M.P1 - P.C1)
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b- Etat liquide :
Si on comprime un gaz à une température inférieure à sa température critique, on constate
qu'à une pression donnée, le système de particules (atomes ou molécules du gaz) devient
hétérogène et que les particules commencent à s'organiser sous forme d'îlots beaucoup plus
denses.
Lors de cette transformation (condensation), les particules se rapprochent brusquement et un
contact s'établit entre eux pour former, à partir du gaz, un état condensé : le liquide. En même
temps, l'énergie cinétique diminue. Ce changement d'état s'accompagne d'un dégagement de
chaleur et d'une diminution de l'entropie.
On montre expérimentalement que les liquides sont caractérisés par un ordre à courte distance
(ordre local) tout en ayant une densité proche de celle de l'état solide ordonné correspondant.
Cet arrangement partiellement désordonné résulte de la présence d'espaces vides dont la taille
peut atteindre les dimensions d'un atome. Le volume total vide dans les liquides peut atteindre
103 à 104 celui du solide ordonné correspondant.
La mobilité des vides dans les liquides est extrêmement grande et elle est comparable à celles
des atomes (ou molécules) dans les gaz. En plus, les espaces vides se déplacent de manière
continue, ce qui permet aux liquides de s'écouler sous l'action de forces relativement faibles
caractéristiques de leur viscosité.
c- Etat solide :
Quand l'énergie thermique est faible, les mouvements de translation des atomes (ou des
molécules) sont difficiles. Par conséquent, ils ont tendance à s'organiser suivant un schéma
rigoureux qui fait diminuer au maximum l'énergie potentielle du système. La substance se
trouve alors à l'état solide cristallin, qui est la forme ordonnée de la matière (figure 1). C'est
de loin l'état le plus important pour les matériaux, c'est pourquoi nous allons étudier de façon
plus approfondie certains concepts liés à cette structure
Remarque :
Il existe des solides appelés solides amorphes (ou vitreux) où les atomes sont entassés sans
un ordre à longue distance. Toutefois, il existe un ordre local. C'est en fait un liquide
extrêmement visqueux qui a l'apparence d'un solide. Il est obtenu, généralement, par trempe
(refroidissement brutal).
-----------------------------------------
Les solides cristallins (ou encore les cristaux) sont caractérisés par un ensemble d'atomes
arrangés périodiquement suivant les trois directions de l'espace dans un ordre strict. Ce
dernier définit la structure cristalline qui est décrite grâce à deux concepts fondamentaux : le
réseau et le motif.
I- Réseau, maille et motif
I.1- Réseau :
Il est constitué par un ensemble de points appelés nœuds, de dimension infinie, obtenu par
→ → →
translation dans l'espace de trois vecteurs non coplanaires a , b , et c qui déterminent les
directions et les distances entre les nœuds du réseau.
Dans le cristal, chaque nœud présente le même environnement pour une direction donnée.
Ainsi, une propriété fondamentale des cristaux est la translation. Pour la décrire, les différents
nœuds sont définis à partir d'une origine quelconque Ο par l'équation :
→ → → →
OM = m 1 a + m 2 b + m 3 c
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avec mi ∈ Z et non simultanément nuls.
Un réseau est appelé réseau de Bravais du cristal, si à partir de chacun de ses points, on voit le
cristal identiquement à lui-même, en structure, en orientation et en composition chimique.
Si Ο est situé sur un atome, alors chaque point M définit la position d'un atome de la structure
cristalline équivalent à l'atome origine.
I.2- Notion de maille :

→ →
Ex : réseau à deux dimensions ( c = 0 )
nœud
o" a"
b" → → →
b' M1 OM 1 = 2 a + 3 b
→ → →
o'
a' O' M 1 = a ' + b'
réseau
→ → →
b O" M 1 = b" + 0. a"

→
o → = b"
a
maille
élémentaire
→ →
On voit que le réseau peut être défini de plusieurs façons : la maille ( a , b ) permet de bâtir le
→ → → →
même réseau que les mailles (a ', b ' ) et (a ", b " ).
→ → → → → →
La surface des mailles ( a , b ) et (a ", b " ) est la même, par contre celle de (a ', b ' ) est deux fois
plus grande.
→ →
Les modules des vecteurs a et b sont appelés paramètres de la maille.
Opérations de symétrie dans les cristaux :

En plus de la symétrie de translation, on rencontre dans les cristaux, les opérations de
symétrie suivantes :
a- la rotation autour d'un axe : On parle d'une rotation d'ordre n si l'angle de rotation
nécessaire pour l'identité est égal à 2π/n.
On montre que les seules rotations possibles sont d'ordre : 1 (2π) ; 2 (π) ; 3 (2π/3) ; 4 (2π/4)
et 6 (6π/6).
La rotation d'ordre 5 est impossible dans les cristaux, mais existe dans les quasicristaux.
b- La symétrie par rapport à un point, un plan.

c- La combinaison d'une rotation d'ordre n et d'une symétrie/point dite rotation-inversion.
On montre que le nombre de réseaux de Bravais à deux dimensions est égal à 5 :

- Oblique, hexagonal,carré, rectangulaire et rectangulaire centré..
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→ → →
Dans le cas tridimensionnel, la maille élémentaire est constituée de trois vecteurs a , b et c
dont les modules forment les paramètres de la maille. On montre que le nombre de réseaux de
Bravais est égal à 14. Ces réseaux sont associés aux 7 systèmes cristallins suivants
Cubique (3), hexagonal (1), trigonal (1), tétragonal (2), orthorhombique (4), monoclinique (2)
et triclinique (1) (voir tableau 2).
Notation de Hermann-Mangium :
- L'axe de rotation d'ordre n est noté par le chiffre n.
- La rotation-inversion d'ordre n est notée par le symbole n .
- La réflexion est notée par la lettre (m = 2 ).
I.3- Motif
Il constitue l'élément de base dont la répétition suivant le réseau engendre le cristal. Le motif
peut être un atome ou un groupe d'atomes ayant une orientation et une géométrie bien
déterminées. En d'autres termes, le réseau ne fait que décrire les symétries de translation du
cristal. Par contre, la nature du cristal est définie par son motif.
Ainsi, on peut écrire :
Réseau + Motif = Cristal
I.2- Notion de maille élémentaire :
Soit un réseau plan formé par une face de la structure NaCl.
(figure 2)
Ici, nous avons choisi trois façons de dessiner la maille : ABCD, EFGH et IJKL.
La maille ABCD est appelée maille simple car elle ne contient des nœuds qu'à ses sommets.
Les deux autres mailles sont des mailles multiples car elles contiennent en plus des nœuds à
l'intérieur et sur les bords de la maille.
Si la maille simple contient tous les éléments de symétrie du réseau, on l'appellera maille
élémentaire. Sinon, on choisit comme maille élémentaire la plus petite maille multiple faisant
apparaître tous les éléments de symétrie du réseau.
Dans le cas du plan cristallin ci-dessus pour le cristal de NaCl, la maille EFGH est la maille
élémentaire.
II- Plans réticulaires et indices de Miller
II.1- Définitions
Toute droite passant par deux nœuds constitue une rangée réticulaire.
Tout plan passant par trois nœuds du réseau constitue un plan réticulaire.
Pour indexer les plans du cristal, on utilise généralement les indices de Miller.
→ → →
Dans un cristal où la maille est définie par les vecteurs fondamentaux ( a , b , c ), considérons
un plan réticulaire quelconque coupant les trois axes respectivement en (X,0,0) (0,Y,0) et
(0,0,Z).
On peut écrire :
X = Aa ; Y = Bb ; Z = Cc où A, B, C sont des réels.
z
→ → →
a = a ; b = b et c = c : paramètres de la maille. →
Z
c
→
Y →
y
a X b
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→ → →
Si a , b et c sont orthogonaux entre eux, alors :
x y z x y z
+ + = + + = 1
X Y Z Aa Bb Cc
Les indices de Miller h, k et l s'obtiennent en prenant les inverses de A, B et C et en
multipliant par un entier n de manière à ce que h, k et l soient entiers et les plus petits
possibles
n n n
h = ;k = ;l =
A B C
* Si un plan coupe la partie négative d'un axe, l'indice correspondant est négatif et le signe (-)
sera placé au-dessus.
* Les indices de Miller sont notés entre parenthèses, soit (hkl).
* (hkl) peuvent désigner un seul plan ou une famille de plans parallèles (figures 3 et 4).
Ex: Les plans des faces dans un réseau cubique sont : (100) ; (010) ; (001);
(1 00); (0 1 0) et (00 1 ). Les familles de plans équivalents par symétrie peuvent être désignées
par des accolades autour des indices de Miller. Ainsi l'ensemble des plans des faces du cube
est {100}.
( )
* Les indices de Miller h k l et (hkl) se rapportent à la même famille de plans.
Remarque :
On peut déterminer d'une autre façon les indices de Miller. En effet, considérons par exemple
la direction Ox. A partir du nœud choisi comme origine, on compte le nombre de plans
→
parallèles rencontrés sur la distance a séparant deux nœuds successifs du réseau. Celui-ci est
égal à la valeur absolue de l'indice de Miller h suivant la direction des x. La même procédure
est appliquée pour les deux autres directions y et z pour obtenir k et l.
C'est le cas de plans orientés perpendiculairement au plan de la page. Ces plans sont
représentés par leur ligne d'intersection avec le plan de la figure. Les points de celle-ci
représentent les nœuds du réseau. (figures 5 et 6)
II.2- Cas particulier d'un réseau hexagonal :
Dans ce cas, on utilise de préférence les indices de Miller-Bravais pour désigner les plans.
La figure (figure 7a) représente un réseau hexagonal ayant son axe de symétrie d'ordre 3
perpendiculaire au plan du papier et pris comme axe des z. Bien sûr, les deux autres axes x et
y sont situés dans le plan de la figure.
→ → →
Ici, les vecteurs fondamentaux sont notés a 1 , a 2 et c .
Bien qu'ayant des indices de Miller différents, les trois familles de plans représentées
(110 ), (210) et (120) . En effet, elles peuvent se déduire les unes des autres par une simple
rotation de 2π/3 autour de l'axe z.
Dans le but de rendre explicite l'indexation des plans équivalents dans le système hexagonal,
→ → →
on introduit un 4ème vecteur a 3 dans le plan a 1 , a 2 et un indice supplémentaire i .
Ainsi, on définit les indices de Miller-Bravais (hkil) de la même manière que les indices de
Miller (hkl) (figure 7b).
Cependant, le nouvel indice i n'est pas indépendant des indices h, k. En effet, la position d'un
point dans le plan est totalement définie par deux vecteurs. Alors h, k et i sont liés par :
h + k + i = 0.
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Les trois familles de plans équivalents de la figure ont alors des indices de Miller-Bravais
respectivement égaux à (1120 ) ; (12 10) et (2110) .
On remarque que les indices h, k, i peuvent se déduire les uns des autres par permutation
cyclique : on les désigne par l'accolade {hkil}.
La famille des plans équivalents dessinée dans la figure ci-dessus est représentée par {112 0} .
II.3- Notation des directions :

→ → → → →
Soit un vecteur R d'origine O et d'extrémité R : R = A a + B b + C c
z
C
→
→ R
c B
→ y
a →
b
x A
→ →
Notons R ' = 2 R définiront, dans le cristal, la même direction. Par conséquent, la notation
de la direction peut se faire par des indices généralement notés u, v, w obtenus en divisant les
→
coordonnées de R (A,B,C) par un nombre entier de telle façon que u, v, w soient entiers et les
plus petits possibles.
La direction est notée par les indices entre crochets [uvw]. La direction opposée sera, quant à
elle, notée u v w .
Ex :
i) Dans le système cubique, les directions :
[111], 1 11 , 1 1 1 , 11 1 , 1 1 1 , 1 1 1 , 1 1 1 et 1 1 1 sont d'un point de vue
cristallographique identiques. Ainsi l'ensemble des directions équivalentes dans le cube est
représenté par <uvw>, soit <111>.
ii) La (figure 8) montre la procédure de détermination des indices uvw. Ainsi, l'indice u (v ou
w) est égal au nombre de nœuds dans la direction x (y ou z). Dans notre exemple, les
directions sont définies dans le plan de la page, d'où w = 0.
iii) Dans le système hexagonal, on fait aussi apparaître quatre indices uvjw. Là aussi, on
définit (pour garder la cohérence de l'approche) une relation similaire à celle vue pour les
indices de Miller-Bravais. Soit u + v + j = 0 (cas de la figure 9)
L'exemple de la figure 9 montre le cas d'un plan hexagonal avec son axe de symétrie c
perpendiculaire au plan du papier.
Le procédé à utiliser n'est pas aussi évident que celui utilisé pour indexer les plans.
Il faut procéder, comme cela est indiqué sur la figure 9, par une sommation des vecteurs en
veillant à ce que la relation u + v + j = 0 soit vérifiée.
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III- Réseau réciproque

→ → →
Soit a , b et c les vecteurs fondamentaux de la maille du réseau de Bravais du cristal (appelé
→ → →
aussi réseau direct). On définit une maille, de vecteurs a *, b * et c *, du réseau réciproque
par :
→ → → → → →
→ b ∧ c → c ∧ a → a ∧ b
a * = 2π b* = 2π c * = 2π
V V V
→
 → →

où V = a .  b ∧ c  : volume de la maille du réseau direct.
 
→ → →
Le réseau réciproque de points bâti à l'aide de cette maille ( a *, b * , c *) définit l'espace
réciproque qui est l'espace dual de l'espace direct.
L'intérêt d'un tel réseau vient de ce que tout vecteur du réseau réciproque
→* → → →
r hkl= h a * + k b * + l c * est normal au plan réticulaire d'indices de Miller (hkl).
D'après la définition des indices de Miller, le plan (hkl) voisin de l'origine passe par les points
a b c
H, K et L situés respectivement en , et .
h k l
z z
la normale au
plan (hkl)
y
l →
y c
→ K
c* k L
plan ayant pour
→
→ b indices de Miller (hkl)
b*
x x
→
h H →
a* a
→*
Pour démontrer que r hkl est perpendiculaire au plan HKL, il suffit de montrer que :
→ →
→* → → →b a →
r hkl . HK = 0 où HK = OK - OH = -
k h
→ → → → → →
 → → →
 b a
⇔  h a * + k b * + l c * .  -  = 0 ⇔ a * . a - b* . b = 2π - 2π = 0
  k h
 
→* → →* →
de même : r hkl . KL = r hkl . LH = 0
→ →* →
Soit P la projection du point O sur le plan HKL. OP a la direction de r hkl et OP = d hkl .
→* → → →*
Calculons r hkl . OH en remarquant que OP est la projection de OH sur r hkl .
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→* → →* →* 
r hkl . OH = r hkl . OP = r hkl . d hkl  → * 2π
→*
→
 ⇒ r hkl =
a d hkl
. OH =  h a * + k b * + l c *  . = 1 × 2π 
→ → → →
or r hkl
  h 
dhkl est la distance qui sépare l'origine du plan d'indice de Miller (hkl). C'est aussi la distance
entre deux plans consécutifs de la même famille des plans {hkl}. dhkl est appelée distance
interréticulaire.
Remarques :
i) Le réseau réciproque est indépendant du choix de la maille du réseau direct. Cela résulte de
la relation entre tout vecteur du réseau réciproque et les plans du réseau direct.
ii) Si on construit le réseau réciproque du réseau réciproque, on retrouve le réseau direct.
→ →
b ∧ c →
iii) On peut définir le réseau réciproque sans le coefficient 2π (c-à-d a * = ...).
V
→* 1
Dans ce cas : r hkl = .
d hkl
IV- Mise en évidence d'une structure cristalline
IV.1- Principe de détermination des structures
Le pouvoir de séparation d'une radiation électromagnétique dépend de sa longueur d'onde.

Ainsi, le pouvoir de résolution du microscope optique est limité par la longueur d'onde du
visible (en moyenne 500 nm).
On montre, en optique, que le pouvoir de résolution d'un microscope est inversement
proportionnel à la longueur d'onde utilisée. C'est pourquoi il faut utiliser des rayonnements
qui ont une longueur d'onde voisine ou inférieure à la distance inter-atomique pour voir les
atomes. C'est le cas des rayons X, des faisceaux d'électrons accélérés ou encore des neutrons
thermiques.
a- Rayons X :
La méthode la plus utilisée pour étudier la structure cristalline est la diffraction des rayons X.
Ceux-ci, en raison de leur faible coefficient d'absorption, pénètrent en profondeur dans la
matière.
hC
Ce sont des photons d'énergie E = hν = , soit :
λ
hC 12.4 12.4
λ = = 10-7 m = Å
E E (eV) E ( KeV)
Les rayons X sont produits par la décélération des électrons dans une cible métallique et par
excitation inélastique des électrons internes des atomes de la cible. Le premier mécanisme
donne un large spectre continu ; le deuxième donne des pics.
Ex :
i) Cas d'une cible en cuivre bombardée par des électrons → λ = 1.541 Å (raie Kα1).
ii) Cas d'une cible en molybdène bombardée par des électrons → λ = 0.709 Å (raie Kα1).
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b- Neutrons :
La diffraction des neutrons lents constitue également une méthode très intéressante de ce
point de vue, mais elle exige des équipements expérimentaux beaucoup plus lourds.
h
A partir de la relation de Louis de Broglie λ = , où λ est la longueur d'onde émise par une
P
particule de quantité de mouvement P et sachant que l'énergie du neutron de masse Mn
est :
P2 0.28
E = , alors λ = Å.
2 Mn E (eV)
Pour E = 0.08 eV : λ = 1 Å.
Signalons aussi que les neutrons, à cause de leur moment magnétique, interagissent avec les
moments magnétiques des atomes du solide : c'est pour cela qu'on les utilise pour l'étude des
matériaux magnétiques. Pour les matériaux paramagnétiques, le neutron réagit avec les
noyaux des atomes du solide.
Remarques :
i) En fait, les diffractions des rayons X et des neutrons sont complémentaires : la diffraction
des rayons X permet de localiser les atomes lourds, tandis que la diffraction des neutrons est
utilisée pour déterminer la position des atomes légers et pour distinguer les atomes de masse
voisine.
ii) Il n'existe pas de lentilles efficaces pour réfracter les rayons X ou les neutrons, il est donc
impossible dans ces deux cas de reconstituer l'image d'un objet au départ des rayons réfractés
comme le font les microscopes optique et électronique. Aussi, il est nécessaire de synthétiser
(pour les cas des diffractions de rayons X et des neutrons) l'image du cristal à partir des
diagrammes de diffraction par des méthodes d'analyse mathématique.
c- Electrons :
→
Dans ce cas, la longueur d'onde émise par un électron d'impulsion P et d'énergie E est donné
par :
12,3
λ = Å
E (eV)
Puisque les électrons sont chargés, ils interagissent avec la matière et pénètrent relativement
peu dans le cristal. Par conséquent, on les utilise surtout pour l'étude des surfaces et des
couches fines des solides. En d'autres termes, comme les faisceaux d'électrons interfèrent de
manière importante avec la matière, il est impossible d'analyser par cette technique le cristal
en profondeur.
IV.2- Diffraction des rayons X
Lorsqu'une radiation électromagnétique (comme les rayons X) rencontre une particule

chargée comme un électron, elle induit un déplacement périodique de cette charge électrique.
Celle-ci devient le centre d'une onde sphérique qui se propage de manière isotrope dans toutes
les directions de l'espace. La radiation incidente est donc en partie diffusée par la particule
chargée.
Dans le cas d'un atome (figure ci-contre), ce sont les électrons entourant cet atome qui entrent
en oscillation, et chaque atome peut-être considéré comme le centre d'une onde sphérique
dont l'intensité est proportionnelle au nombre d'électrons de l'atome. Ces ondes sphériques,
qui vont interférer entre elles de manière constructive ou destructive sont à l'origine du
phénomène de diffraction.
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rayons X
IV.2-1Démonstration générale de la loi de Bragg :
- Soit un faisceau incident de longueur d'onde λ et de direction définie par le vecteur

→
unité So .
- Considérons un réseau dont les nœuds seuls soient occupés par des atomes.
→
- Soit S le vecteur unité qui définit la direction du faisceau diffracté par un atome du réseau.
Pour que le faisceau diffracté ait une intensité appréciable, il faut qu'il y ait (entre les ondes
élémentaires diffusées par chaque atome du cristal) un accord de phase sur un plan d'onde
→
normal à S .
Calculons la différence de phase entre les ondes diffusées par l'atome situé à l'origine θ du
réseau et un atome M quelconque du réseau. Les plans d'onde des ondes incidents et diffractés
passant par O sont (ΠO) et (Π).
L'excès du chemin parcouru par le rayon passant par M est égal à δ tel que :
δ = mM + Mn
où m et n sont les projections de O sur les rayons passant par M. (figure 11)
On a :
→ →

mM = So . OM  →
→ → 
 ⇒ δ = - OM  S - So 
→ →
 
Mn = - S . OM 
La différence de phase cherchée est alors :
2π  2π → 2π →  →
ϕ= δ= - S- So  . OM
λ  λ λ 
→
ϕ = -  K - K o  . OM = - ∆ K . OM
→ → → → →
K = vecteur d'onde :
 
Pour que les ondes soient en phase, il faut que ϕ soit un multiple entier de 2π.
→
Or le vecteur OM , qui définit la direction [uvw], est donné par :
→ → → →
OM = u a + v b + w c
→
Exprimons ∆ K en fonction de ses coordonnées par rapport aux axes du réseau réciproque :
→ → → → → →
Soit : ∆ K = K - K0 = h a * + k b * + l c *
D'où : ϕ = -2π (hu + kv + lw)
ϕ est donc un multiple de 2π quand l'atome M est un atome quelconque du réseau (c.a.d u, v
et w entiers). La condition nécessaire et suffisante est que h, k et l soient des entiers. Donc :
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→ →
"le rayon parallèle à So donne naissance à un rayon diffracté parallèle à S si le vecteur
→
∆ K est équipollent à un vecteur qui joint l'origine du réseau réciproque à un nœud
quelconque de ce réseau"
Cette condition ci-dessus est une généralisation de la formule de Bragg. En effet, il y a
réflexion sélective des rayons X sur un système particulier de plans réticulaires.
→ → → →
On a K = Ko , le vecteur ∆ K est parallèle à leur bissectrice extérieure. Donc K a la
→ →
direction du rayon réfléchi d'un rayon incident (suivant Ko ) par le plan normale à ∆ K . Or
→ →*
∆ K doit coïncider avec un vecteur du réseau réciproque r hkl , ce dernier est perpendiculaire
aux plans (hkl) qui sont donc les plans réflecteurs.
→ →
Si 2θ est l'angle de diffraction (2θ = Ko , K ), θ est l'angle d'incidence ou de réflexion sur le
plan (hkl).
2π → → 2π
S - So = 2 sinθ
λ λ
→* 2π
et r hkl =
d hkl
2 dhkl sin θ = λ
IV.2-2 Autre démonstration de la loi de Bragg :

Si une radiation électromagnétique frappe un plan réticulaire du cristal, la radiation incidente
est partiellement réfléchie par le plan d'atomes. L'intensité absorbée par un plan réticulaire est
très faible et le phénomène de réflexion partiel se reproduit en cascade sur l'ensemble des
plans d'atomes du cristal. On n'observe cependant une réflexion que pour une valeur bien
définie de l'angle d'incidence θ. Pour que les ondes réfléchies soient en phase au moment où
elles atteignent le détecteur, il faut que leur différence de marche δ soit égale à nλ (n ∈ N).
R.X incidents
R.X diffractés
θ θ
distance
interréticulaire = dhkl A C
B 2θ
On a : δ = nλ et δ = AB + BC = 2 dhkl sin θ
⇔ 2 dhkl sin θ = nλ c'est la loi de Bragg
IV.2-3 Intensité de diffraction :

→ →
Lorsque l'onde touche l'atome M, elle est diffusée de manière élastique ( K = Ko ) et
isotrope (onde sphérique). Cette diffusion est dûe à l'excitation des électrons attachés à
Pr M. Abd-Lefdil
l'atome M (comme on l'a signalé auparavant), qui accélérés par cette onde ré-émettent une
onde de même longueur d'onde.
Calculons l'amplitude diffusée par tous les atomes M en un point P ( un détecteur par
→ →
exemple) éloigné du cristal avec OP = R . L'onde arrivant en P issue de l'atome (ou encore le
centre) diffuseur M a pour forme générale :
→ →
ψMP = A'M exp i( K ' . R -ωt)
où A'M est une constante liée au processus de diffusion.
Les ondes diffusées par O et M (ψOP et ψMP) présentent un déphasage :
ϕ = -  K - K o  . OM = - ∆ K . OM
→ → → → →
 
D'où la possibilité d'écrire :
→ →
ψMP = A' exp i( K ' . R -ωt) exp (i ϕ )
et ψP = ∑M
exp (i ϕ ) : amplitude totale diffusée au point P par tous les atomes M du cristal.
On peut écrire aussi : ψP = A1A2A3

N1
1 − exp( −i 2π ( N 1 + 1) ∆k1 ) 1 − exp( −i 2πN 1 ∆k1 )
Où A1= ∑ exp − i 2πn1 ∆k1 = ≈
1 1 − exp( −i 2π∆k1 ) 1 − exp( −i 2π∆k1 )
Le signal mesuré expérimentalement sur le détecteur P est proportionnel à l'énergie
transportée par l'onde, soit : I = I1 I2 I3 avec I1= A1 A*1:
sin 2 πNj∆kj
Ij= j = 1,2 et 3
sin 2 π∆kj
→
"L'intensité I( ∆ k ) est donc nulle dans presque toutes les directions de l'espace sauf
→
dans celles tel que ∆ k soit un vecteur du réseau réciproque"( voir figure 11')
→
La direction de k 0 ( faisceau incident) étant fixe, les faisceaux diffractés "sortent" du cristal
→ → → →
dans des directions k telle que ∆ k = k - k 0 soit égale à un vecteur dur réseau réciproque.
IV.3- Notion de zone de Brillouin

2
r *  r * 
→ →
→ → → → → → → →
On a vu que : ∆ K = K - K o = r * ⇔ K = K o + r * ⇔ K o . =
2  2 
 
D'où le vecteur d'onde incident doit avoir une extrémité qui s'appuie sur un des plans
médiateurs construits entre l'origine et les différents nœuds du réseau réciproque.
Le plus petit volume ainsi défini entourant l'origine est appelé première zone de Brillouin.
Une zone de Brillouin est l'équivalent de la maille élémentaire dans le réseau réciproque.
V- Etude de quelques réseaux réciproques et de leurs zones de Brillouin
a- Réseau cristallin linéaire :

→
a
o
Pr M. Abd-Lefdil
→
Le vecteur fondamental du réseau direct est a .
→ → 2π
Le vecteur fondamental du réseau réciproque est a * tel que : a * = .
a
O
→
π/a π/a →
-a* a*
première zone
de Brillouin
b- Réseau cristallin carré : réseau

direct
→
b
→
a
le réseau réciproque
est aussi carré
→ →
→ a* = b*
première zone
b*
de Brillouin
→
a*
c- Cas d'un cubique simple : (figure 13)
→ → →
Soit  i , j , k  base des coordonnées cartésiennes,
 
→ → → → → → → →
a = a i ; b = b j = a j et c = c k = a k
→ → →
le volume V = a . ( b ∧ c ) = a3
De la définition de réseau réciproque, on a :

→ 2π → → 2π →
a* 3 (b ∧ c) = i
a a
→ 2π → → 2π →
b* j et c * k
a a
Le réseau réciproque est aussi un réseau cubique simple.
Pr M. Abd-Lefdil
2π
La 1ère zone de Brillouin est le cube d'arête . En effet, la 1ère zone de Brillouin est formée
a
par l'espace compris entre les 6 plans perpendiculaires aux vecteurs
→ → → → → →
a* a * b* b* c * c*
et - ; et - , et - .
2 2 2 2 2 2
d- Cas d'un cubique centrée : (figure14)

On a :
→ a → → →
a' =  i + j - k 
2 
→ a  → → →
b' =  − i + j + k 
2 
→ a → → →

c' =  i - j + k 
2 
→ → →
Les vecteurs fondamentaux du réseau cubique centré sont a ' , b ' et c ' . D'où
3
→
 → → a
V = a ' .  b ' ∧ c'  = .
  2
Le réseau réciproque du cubique centré est alors :
→ 2π → → 2π  → → 
a*= (b' ∧ c') =  i + j
V a  
→ 2π  → →
 → 2π  → → 
b*=  j + k  et c * =  i + k
a   a  
Le réseau réciproque du cubique centré est un réseau cubique à faces centrées.
→ 2π  → → 
a *' =  i + j
a  
→ 2π  → →

b *' =  j +k
a  
→ 2π  → →

c *' = i +k
a  
→*
Soit hkl des entiers et r hkl un vecteur de réseau réciproque.
→* → → → 2π  → → →

r hkl = h a '* + k b '* + l c '* =  (h + l ) i + (h + k ) j + (k + l ) k
a  
→
La zone de Brillouin est le plus petit volume limité par les plans médiateurs des plus petits r *.
→
Les vecteurs r * les plus petits sont alors les 12 vecteurs suivant :
2π  → → 
± i ± j  soit 4 vecteurs
a  
2π  → → 
± j ± k soit 4 vecteurs
a  
2π  → → 
± i ± k soit 4 vecteurs
a  
Pr M. Abd-Lefdil
Dans ce cas, il s'agit d'une forme géométrique régulière à 12 faces : un dodécaèdre régulier
(figure 15).
Les vecteurs qui joignent l'origine aux centres des faces sont les moitiés des 12 vecteurs ci-
dessus.
e- Cas d'un cubique à faces centrées : (figure 16)
A partir de cette figure, on détermine facilement que :

→ a → →
a' =  i + j 
2 
3
→ a → →
 →
 → → a
b' =  j + k  V = a ' .  b ' ∧ c'  =
2    4
→ a → →
c' =  i + k 
2 
et
2π  → → → 
→
a *' =
 i + j - k
a  
→ 2π  → → →
 →
→ →
 2π
b *' =  − i + j + k  V * = a '* .  b '* ∧ c '* = 4 ( ) 3
a     aa
→ 2π  → → →

c *' =  i - j + k
a  
Le réseau réciproque d'un cubique à faces centrés est un réseau cubique simple.
Ici,
→* → → →
r hkl = h a '* + k b '* + l c '*
2π  → → →

=  (h - k + l ) i + (h + k - l ) j + (- h + k + l ) k
a  
→
Les plus petit r * sont données pars :
2π  → → → 
± i ± j ± k
a  
Soit au total 8 vecteurs.
Les limites de la zone de Brillouin est déterminée par les huit plans médiateurs des huit
vecteurs ci-dessus. Mais les coins de cet octaèdre sont tronqués par les plans perpendiculaires
aux bissectrices des six vecteurs :
2π  →  2π  → → 
± i  =  a'* + c'* 
a   a  
2π  →
 2π  → →

± j  =  a'* + b'* 
a   a  
2π  →
 2π  → →

± k =  b'* + c'* 
a   a  
La première zone de Brillouin est donc un octaèdre (figure 17).

Pr M. Abd-Lefdil
VI- Construction d'Ewald
C'est une application des résultats précédents au problème fondamental suivant :

Etant donné un faisceau de longueur d'onde tombant sur un cristal d'orientation donnée, y a-t-
il des faisceaux diffractés et quelles en sont les directions?
→ 2π → 2π
A partir d'un point O, nous traçons le vecteur Ko = So , de longueur parallèle au
λ λ
rayon incident.
→ 2π
L'extrémité de K , parallèle à un rayon diffracté quelconque issu de O et de longueur , est
λ
2π
situé sur la sphère de centre O et de rayon . On l'appelle sphère d'Ewald ou sphère de
λ
réflexion.(figure 12)
→
Prenons l'extrémité de Ko , So comme origine du réseau réciproque. Soit un point de la sphère
→ 2π  → → 
d'Ewald, le vecteur ∆ K est égal à  S - So  .
λ  
→
Pour qu'il y ait un rayon diffracté, il faut que ∆ K coïncide avec un nœud du réseau
→ →
réciproque, soit ∆ K = r *.
"Les rayons diffractés correspondent aux nœuds du réseau réciproque situés sur la sphère
d'Ewald. Leur direction est celle de la droite joignant ces points au centre de la sphère"
Quand le cristal est dans une position quelconque. il n'y a pas nécessairement de nœuds du
réseau réciproque à la surface de la sphère d'Ewald. Il n'y a donc pas de rayons diffractés.
Cette construction d'Ewald permet de trouver géométriquement les rayons diffractés. C'est
donc une méthode générale pour le calcul de la figure de diffraction.
VII- Facteur de structure
Soit un cristal dont la maille comprend n atomes A1, A2, ... Aj, ... An. La position de l'atome Aj
est donnée par :
→ → → → →
OA j = x j a + y j b + z j c = r j
→ → →
a , b et c : vecteurs fondamentaux du réseau direct.
A chaque famille de plans réticulaires sera attaché un nombre proportionnel à l'amplitude du
faisceau diffracté : c'est le facteur de structure.
En notation complexe, une onde est représentée par : A eiϕ Où A et ϕ sont respectivement
l'amplitude et la phase de l'onde.
Soit fj le coefficient de diffusion atomique ou facteur de forme associé au pouvoir diffusant du
jème atome de la maille.
Pour les rayons X, le pouvoir diffusant dépend uniquement des électrons de l'atome. fj fait
intervenir le nombre et la distribution des électrons dans l'atome j, ainsi que la longueur
d'onde des rayons X utilisés. On montre que l'onde diffractée par l'atome j et ses N
homologues est donnée par :
i2 π (hx j + ky j + lz j ) i2 π (hx j + ky j + lz j )
N fj ae e = N fj ae e
où ae est l'amplitude de l'onde diffusée par un électron libre. L'onde diffractée par le cristal est
la somme des ondes ci-dessus correspondant aux n atomes de la maille, d'où :
Pr M. Abd-Lefdil
→
→ → → → → → →
A = Nae Fhkl exp(i ∆k . rj ) avec : ∆ K = K - K0 = h a * + k b * + l c *
n
(
i2 π hx j + ky j + lz j )
D'où Fhkl = ∑ f j e
j=1
où Fhkl est le facteur de structure pour la réflexion sur le plan d'indices (hkl).
L'intensité du faisceau diffracté est donnée par Fhkl2, soit :
-2iπ h(x j - x q ) + k(y j - y q ) + l(z j - z q )
*
Fhkl . Fhkl = ∑ ∑ f jfq* e
j q
Remarques :
* Fhkl dépend de l'origine choisie pour la maille du réseau direct.
* Fhkl2 ne dépend pas de l'origine choisie pour la maille du réseau direct, car seules
interviennent les distances mutuelles entre les atomes du motif.
* Si Fhkl = 0, le faisceau diffracté par le nœud situé en (hkl) disparaît.
*Le calcul du facteur de structure proposé ci-dessus suppose que les atomes sont situés sur
des positions cristallines idéales (c.a.d fixes). En réalité, ces atomes sont n oscillation (autour
de cette position d'équilibre" sous l'effet de la température (voir chapitre 3). Ce décalage par
rapport à la position idéale brouille les interférences issues du phénomène de diffraction. En
→ → → →
effet, il faut remplacer r j par r j + ρ j où ρ j est l'écart par rapport à la position idéale. On
montre que l'agitation thermique ne supprime pas le phénomène de diffraction mais diminue
l'intensité des pics de diffraction.
VIII- Structures cubiques et hexagonale :
La figure 18 décrit la structure à empilement maximal pour des sphères (atomes) de même
diamètre. Cette structure peut se construire par empilement successif des couches d'atomes
sphériques. A la figure 18(a), on observe que les atomes occupent les nœuds du plan
réticulaire d'un réseau hexagonal. Chaque atome est donc en contact avec 6 voisins qui
occupent les sommets d'un hexagone régulier. L'introduction d'une deuxième couche à
entassement maximal s'obtient en plaçant les atomes dans les creux formés par chaque groupe
de 3 atomes de la première couche. On observe à la figure 18(b) que seulement 50 % des
creux de la première couche sont occupés par les atomes de la deuxième couche. Cette
dernière couche fait apparaître l'existence de 2 espèces de creux désignés à la figure 18(b) par
les sigles a et c. Nous utiliserons les lettres A et B pour représenter les atomes de la première
et de la deuxième couche.
Il existe donc deux possibilités de placer les atomes de la troisième couche. On peut mettre
ceux-ci dans les creux de type a au-dessus des atomes de la première couche. On obtient ainsi
la structure (1) de la figure 18(c) qui est une structure hexagonale compacte (hc) et qui se
caractérise par une alternance des couches composées de sphères en positon ABABAB…
Dans cette structure hexagonale à empilement maximum, les atomes des couches A occupent
les nœuds d'un réseau hexagonal (plan 0001) (figure 19). Les atomes des couches B occupent
les nœuds d'un second réseau hexagonal interpénétré et parallèle au premier. D'un point de
vue cristallographique, le motif élémentaire de cette structure cristalline est constitué par 2
Pr M. Abd-Lefdil
atomes : un atome de la couche A et un atome de la couche B comme cela est indiqué à la

figure 19(b) par des sphères noires.
Il existe une seconde configuration aussi compacte que la hc. Celle-ci s'obtient en plaçant les
sphères de la troisième couche dans les creux c situés au-dessus des creux non occupés de la
première couche (figure 20(b)). On obtient alors un empilement à trois couches ABC
superposées, avec décalage successif et différent avant la reprise de la couche A. Cet
empilement est donc caractérisé par la séquence ABCABC.. La structure (2) de la figure 18c
montre que cet empilement correspondant à une structure cubique à faces centrées (cfc) dont
la diagonale [111] est perpendiculaire aux plans compacts (111) (figure 20). Cette structure
comporte un seul atome par motif et 4 atomes par maille.
Pour chacune de ces deux structures compactes hc et cfc, le nombre d'atomes premiers voisins
d'un atome considéré est 12. On définit dans les 2 cas un nombre de coordination NC=12.
Pour les atomes de même diamètre, il n'y a pas de structure plus compacte que celle de ces
deux cristaux. On montre facilement que le taux de remplissage (ou facteur de compacité est
égal à 0.74 (Voir T.D et T.P.)
Il existe une troisième structure cristalline fréquemment observée dans les métaux (voir
tableau 3): c'est la structure cubique centré (cc) qui est moins compacte que les structures hc
et cfc. En effet le taux de remplissage est de 0.68 et la maille élémentaire contient 2 atomes.
IX- Sites interstitiels
Dans les réseaux cristallins, les espaces vides situés entre les atomes sphériques constituent
les sites interstitiels. Ces sites peuvent servir de logement pour des atomes de petit diamètre
comme dans certains alliages ou lors de la formation des composés entre atomes de
différentes tailles (Na et Cl par exemple). Il existe deux types de sites interstitiels: les sites
tétraédriques et les sites octaédriques qui peuvent être mis en évidence dans la structure cfc
par exemple (figure 21).
Les sites tétraédriques (figure 21(a)) sont formés par empilement compact de 4 sphères dont
les centres constituent les sommets d'un tétraèdre. Les sites tétraédriques se forment lorsqu'on
dispose une seconde couche sur un plan à entassement maximum (figure 18b). Chaque sphère
de la couche B est en contact avec 3 sphères de la couche A. Ces 4 sphères délimitent un
interstice tétraédrique.
Les sites octaédriques (figure 21(b)) sont formés par 6 sphères disposés suivant les sommets
d'un octaèdre. Le dépôt de la couche B sur la couche A (figure 18(b)) laisse vacant 50 % des
creux de la première couche. Signalons que ces sites tétraédriques et octaédriques existent
aussi dans d'autres types de structure cristalline.
X- Etude de quelques réseaux cristallins
a) Réseau cubique à faces centrées :

La maille cubique d'arête a comprend 4 nœuds, le sommet et les centres de chaque face du
1 1 1 1 1 1
cube: 000, 0 , 0 , 0.
2 2 2 2 2 2
Pr M. Abd-Lefdil
La maille élémentaire vraie est 4 fois plus petite que la maille cubique et ne comprend qu'un
nœud par maille (à vérifier en T.P.).
Le calcul du facteur de structure Fhkl des plans (hkl) montre que les réflexions sur les plans
(hkl) s'annulent quand h,k,l sont de parité mixte. Si tous les indices sont pairs, alors Fhkl = 4f.
C'est le cas du KBr et KCl qui ont une structure cfc. Leurs spectres de rayons X ne
contiennent que des raies provenant de plans ayant tous les indices de Miller, soit pairs , soit
impairs (voir Kittel P. 80).
Etant donné le grand nombre de cristaux simples dont le réseau est cfc, l'importance de ce
système est très grande. Citons par exemple parmi les éléments, de nombreux métaux comme
l'argent, l'aluminium, l'or, le cuivre, le nickel, le plomb, le platine, etc…et de très nombreux
composés importants (halogénures alcalins, oxydes MgO, NiO, etc.).
Remarque :
Dans la structure diamant, à chaque nœud de la maille élémentaire est associé un motif de 2
1 1 1
atomes en position (0,0,0) et ( , , ). Ainsi, elle est formée de 2 réseaux C.F.C. déplacés
4 4 4
l'un par rapport à l'autre d'un quart d la diagonale. C'est le cas par exemple du silicium,
matériau utilisé à plus de 90 % dans les circuits électroniques. C'est le cas aussi des matériaux
binaires comme le CdS et l'AsGa où un des réseaux est occupé par les atomes d'une espèce et
le second par ceux de l'autre espèce.
b) Réseau cubique centré :

1 1 1
La maille cubique comprend 2 nœuds, le sommet et le centre du cube: 000, . Ce
2 2 2
réseau est aussi un réseau simple où tous les atomes jouent le même rôle car ils ont un
entourage identique. La maille élémentaire réelle a un volume moitié de celui du cube (à
vérifier en T.P.). Le facteur de structure est donné par :
  h + k + l    h + k + l 
Fhkl = f cos (0) + cos 2π   - i f sin (0) + sin 2π  
  2    2 
Les termes en sinus sont nuls. Fhkl = 2f quand h+k+l est pair. Fhkl = 0 quand h+k+l est impair.
Le sodium a une structure cc. Son diagramme de diffraction des rayons X contient des raies
comme (200) ou (110)… mais pas de raies (100) ou (221).
Dans le réseau réciproque, un nœud sur 2 disparaît. Quelques corps simples cristallisent dans
ce système : les métaux alcalins, le tungstène, etc.
c) Réseau hexagonal :
Le réseau hexagonal a un axe de symétrie sénaire. La maille est construite sur 2 axes égaux
→ → →
a 1 et a 2 faisant un angle de 120° et un axe c normal au plan des deux premiers. Le réseau
→ →
est défini par deux paramètres a et c, longueurs de a 1 et c .
→ → →
Dans le plan de base, il existe un troisième axe a 3 à 120° de a 1 et a 2 qui joue exactement
le même rôle.
→ →
En ce qui concerne le réseau réciproque, les vecteurs a * et b * ont la même longueur soit
2π
.
a 3
Pr M. Abd-Lefdil
→
2π
Quant au vecteur c * , il vaut . Le réseau réciproque est aussi un réseau hexagonal mais
c
ses axes ne sont pas parallèles aux axes du réseau direct. On passe de l'un à l'autre par une
rotation de 30° autour de l'axe sénaire.
On montre que la distance inter-réticulaire dhkl est donnée par :
a
dhkl =
4 2 a2
(h + k 2 + hk ) + l2 2
3 c
c
La succession des plans dépend donc de la valeur de .
a
Remarque : On peut , pour rapporter le réseau hexagonal à un trièdre trirectangle, prendre les
→ → → →
3 vecteurs fondamentaux suivants : 2 a 1 + a 2 , a 2 , c : la maille est un parallélépipède
rectangle à base centrée contenant 2 nœuds, le sommet et le milieu de la base. Dans ce
système, il y a un type de cristal de grande importance : la structure hexagonale compacte. La
1 2 1
maille élémentaire contient 2 atomes de coordonnés 000 et . A mi-distance entre 2
3 3 2
plans (0001) successifs du réseau simple est intercalé un réseau plan hexagonal identique qui
se projette au centre de 3 des 6 triangles équilatéraux que forment un nœud et son entourage
de 6 voisins. On vérifie aisément que les 2 atomes n'ont pas le même entourage : ce n'est donc
pas un réseau simple.
Le facteur de structure du réseau hexagonal compacte est :
  h + 2k 1   h + 2k 1 
Fhkl = f 1 + cos 2π  +  - i sin 2π  + 
  3 2  3 2 
Les seuls plans pour lesquels il s'annule sont ceux pour lesquels (h+2k) (ou (h-k)) est multiple
de 3 et l impair. Mais il n'a pas la même valeur pour tous les autres nœuds. On vérifie que :
Pour h+2k = 3n et l pair, Fhkl = 2f.
Pour h+2k ≠ 3n, Fhkl = f pour l pair et Fhkl = 3 f pour l impair.
Le magnésium, le zinc, notamment cristallisent dans ce système.
Pr M. Abd-Lefdil
XI- Défauts de structure :

Dans les cristaux réels, la périodicité géométrique parfaite des atomes n’est jamais réalisée.
Premièrement, les atomes du cristal ne sont jamais fixes sur leurs sites cristallins. Ils sont
animés de mouvement d’oscillations dont l’amplitude varie avec la température (objet du
chapitre 3).
On rappelle qu’un cristal est illimité. Un monocristal est défini comme étant une portion du
cristal.
Deux types de défauts existent dans les monocristaux :
a) Défauts de structure :
-Défauts ponctuels : ces derniers ont un rôle important dans la technologie des
semiconducteurs par exemple. En effet, ils interviennent dans le phénomène de diffusion
des atomes étrangers dans le cristal. Selon Frenkel, un atome peut quitter son site (à partir
d’une certaine valeur de l’énergie) sous l’effet de la température et se loger en position
intersticielle. La place vide est alors appelée lacune (voir figure 22): C’est un défaut de
Frenkel. Le nombre de défauts va donc dépendre de la température. Quand la température
baisse, les atomes reprennent leurs places initiales. Les lacunes peuvent aussi apparaître
suite à une migration des atomes vers la surface par exemple : On parle alors de défauts de
Schottky sans se loger en interstice.
-Défauts non ponctuels : Quand on soumet un cristal à une contrainte mécanique

(compression, torsion….) on constate en premier une déformation élastique (déformation
réversible), puis une déformation plastique (déformation irréversible) et enfin la rupture.
Un cristal est toujours obtenu par solidification d’un bain. Les conditions techniques et
mécaniques de cette solidification ont une influence majeur sur la qualité du cristal.
Généralement des gradients locaux de température ou de tension mécanique induisent des
défauts géométriques comme les dislocations (voir figure 23 ).
b) Défauts de composition :
Un cristal n’est jamais chimiquement parfait car les corps qui le forment ne sont jamais
purs à 100 %. Une purification très poussée conduit à une proportion d’impuretés > 10-6
(106 atomes pour un atome d’impureté). Ces atomes étrangers peuvent occuper soit des
positions d’interstice ou de substitution (en comblant les lacunes). Des purifications
physiques peuvent améliorer la pureté d’un cristal jusqu’à 10-10 .
Ces impuretés peuvent avoir un rôle positif. C’est le cas de leur incorporation volontaire et
de manière contrôlée dans les semi-conducteurs par exemple (opération appelée dopage)
car un semi-conducteur sans dopage ne présente qu’un intérêt très limité.
Chapitre 2 : Liaison cristalline Laboratoire de Physique des Matériaux
Pr M. Abd-Lefdil
Chapitre 2 LIAISON CRISTALLINE
Introduction
Tous les corps qui nous entourent sont formés d'atomes provenant d'éléments chimiques du
tableau de Mandeliev. Les différences d'aspect et des propriétés sont dues aux façons dont
sont distribuées les électrons et les noyaux de ces matériaux.
Pour ce qui nous concerne, on se limitera aux matériaux cristallins et on essayera d'énumérer
les différents types de liaison cristalline entre entités formant le cristal.
Les théories anciennes font la distinction entre plusieurs types de liaison en établissant une
distinction entre les liaisons chimiques fortes et les liaisons chimiques faibles. Aujourd'hui,
ces distinctions sont dépassées car la mécanique quantique nous offre une vue unitaire de la
liaison chimique. Cependant, il reste commode, pour des raisons purement didactiques de
continuer à faire la distinction entre liaison ionique, covalente et métallique.
Les forces de liaison, qui sont essentiellement de nature électrostatique, résultent d'une
redistribution plus ou moins importante des électrons de valence entre les noyaux atomiques
impliqués dans la liaison. Ainsi, Les atomes sont capables de s'unir pour former des agrégats
(composés polyatomiques) dont l'énergie est plus faible que celle des atomes séparés.
C'est la liaison chimique qui explique la cohésion de la matière et joue un rôle primordial
dans les propriétés des matériaux.
I- Liaison ionique :
Elle résulte de l'association d'ions positifs (cations) et d'ions négatifs (anions). C'est une
liaison non orientée car le champ d'attraction entre les ions a une symétrie sphérique. On la
rencontre dans les cristaux ioniques suivants:
- les halogénures alcalins : sel gemme Na+Cl- , sylvine K+Cl- ;
- les halogénures alcalino-terreux : Mg2+Cl-- , Ba++Cl2- ;
- les oxydes : Ca2+O--, Mg2+O--, ...
Soit un cation (resp. anion) entouré de n1 anions (resp. cations) à la distance r ; puis de n2
cations (resp. anions) à la distance r2 , n3 cations (resp. cations) à la distance r3 ……….
Soit r : distance minimale entre le cation et l'anion.
+
r r3
r2
- + -
n1 n2 n3
S'agissant d'ions une fois chargé (charge e) ; l'énergie coulombienne d'un tel cristal contenant
2N ions est donnée par :
 e2 e2 e2 
E coul = N  - n 1 . + n2 . - n3 . + ... 
 4πε 0 r 4πε 0 r2 4πε 0 r3 
e2 ni
⇔ E coul = - N . M où M = ∑±
4πε 0 r i αi
On a : r1 = r soit α1 = 1 et r2 = α2 r ... ri = αi r
Pr M. Abd-Lefdil
M est appelé constante de Madelung : C'est une caractéristique de la structure cristalline

ionique et elle est indépendante des distances inter-ioniques.
M est toujours positive, par conséquent Ecoul est négative :
Ecoul est donc une énergie d'attraction.
Ex :
Cas de NaCl : n1 = 6 ; n2 = 12 ; n3 = 8 ; n4 = 6 ; n5 = 24 ... d'où M = 1.7476
CsCl : M = 1.7627
ZnS (blende) : M = 1.6381
 ces deux structures seront vue en T.P.
ZnS (Wurtzite) : M = 1.641 
Si l'attraction coulombienne ci-dessus était la seule force en présence, le cristal s'effondrerait
(r → 0 ainsi que le volume spécifique pour baisser Ecoul), or il n'en est rien. Pour Madelung,
il ne s'agit que d'une non pénétrabilité des ions à laquelle il associe un terme de répulsion
B
posée, de manière phénoménologique égal à E R = n avec B une constante positive et n > 1.
r
Il existe d'autres formes d'énergie de répulsion ER comme : ER = λ e-r/ρ où λ et ρ sont des
paramètres empiriques.
Remarque :
La non pénétrabilité évoquée par Madelung (qui date d'avant la naissance de la mécanique
quantique) n'est autre qu'une conséquence du principe de Pauli.
* ER a peu d'influence sur la valeur de l'énergie totale :
Etot = Ecoul + ER Etotal < 0
* Etot n'est autre que l'énergie de cohésion Ecoh du cristal.
Ex :
Cas du NaCl
• distance Na+Cl- à l'équilibre : r0 = 2.81 Å d'où Ecoul = -8.9eV.
• EA = énergie de liaison = -7.9 eV (pratiquement égale à Ecoh).
Comme EA est l'énergie nécessaire pour dissocier le cristal en Na+ et Cl-, EA ≠ Ecoh car Ecoh est
l'énergie de sublimation qui correspond à une dissociation en atomes Na et Cl.
Comme la création de Na+ à partir de Na coûte l'énergie d'ionisation E, et que la création de
Cl- à partir de Cl fournit l'énergie d'affinité Ea, on a alors :
Ecoh = EA + Ei + Ea
EA + Ei + Ea sont déterminées expérimentalement

Ecoh = -6.5 eV Ea = -3.71 eV Ei = 5.14 eV
D'où :
EA = -7.9 eV
Ne e B
L'énergie totale est donnée par : E tot = - M+ n
4πε 0 r r
à l'équilibre :
1
dE tot   n . B . 4πε 0  n −1
 = 0 ⇔ r0 =  2

dr  r = r0  Ne M 
et :
Pr M. Abd-Lefdil
E coul (r0 )
n=
E coul (r0 ) - E tot (r0 )
Cas de NaCl : n = 8.9
Cette valeur de n montre la caractère abrupt de la répulsion.
Pour KCl :
 r
i) ER = λ exp -  avec λ = 2.4 104 eV et ρ = 0.30
 ρ
25. 2
ii) Ecoul = − eV
r
Energie de répulsion
Position d’équilibre
ETot répu
Energie de Coulomb
Energie par molécule de KCl montrant les contributions de Madelung

et de répulsion.
Pr M. Abd-Lefdil
Remarques :
*Toute modification de la distance interatomique r par rapport à r0 entraîne l'apparition d'une
force qui tend à replacer les atomes dans la position d'équilibre.
*Les forces magnétiques ont un effet très faible sur la cohésion du cristal, alors que les forces
de gravitation sont tout simplement négligeables.
Variation de la coordination en fonction des rayons du cation et de l’anion :

On se placera dans le cas de cristaux ioniques formés d'ions porteurs de charges identiques en
valeur absolue .
R
La coordination des ions varie en fonction de c où Rc est le rayon du cation et Ra est le
Ra
rayon de l'anion.
R
* Si c > 0.73, c'est la structure primitive du CsCl qui est la plus stable ; le degré de
Ra
coordination est 8.
R
* Si 0.41 < c < 0.73, la forme cristalline la plus favorisé est un c.f.c. Le nombre de
Ra
coordination est égal à 6. C'est le cas de NaCl.
R
* Si 0.23 < c < 0.41, la coordination des ions dans la structure la plus favorisée est 4. C'est
Ra
le cas de ZnS.
On pourra vérifier ces coordinations en séances de T. P.
1 ∂V 
Compressibilité χ :Elle est définie par χ = - 
V ∂P  T
où V étant le volume et P la pression.
1
Le module de compression est donné par = B. C'est une mesure de l'énergie requise pour
χ
produire une déformation donnée.
A 0° K, l'entropie est nulle ; d'où : dEtot = - P dV
D'où :
1 d 2 E tot.
= V.
χ dV 2
dE tot. 
A l'équilibre (V = V0) :  =0
dV  V = V0
Ex : B = 2.40 1011 dynes/cm2 pour NaCl.
1
La rigidité d'un cristal augmente avec son module de compression.
χ
On rappelle qu'une Dyne est la force qu'il faut communiquer à 1 gramme de matière pour
avoir une accélération de 1 cm/s-2. C'est une unité C.G.S.
II- Liaison covalente :
C'est une redistribution des électrons, comme dans la liaison ionique, entraînant aussi une
baisse de l'énergie globale du système.
Pr M. Abd-Lefdil
Dans le cas d'une liaison entre deux atomes identiques, il n'y a aucune raison d'avoir un
transfert d'électrons préférentiel car les deux atomes ont la même énergie d'ionisation et la
même électroaffinité. Dans ce cas, la liaison résulte du partage des électrons périphériques qui
se déplacent sur des orbitales communes aux deux atomes.
La liaison covalente est directionnelle, c'est-à-dire qu'elle ne se forme que dans des directions
déterminées de l'espace.
Cette particularité est liée à la forme des orbitales pour les états p, d, f ...
Les orbitales moléculaires (O.M) s'obtiennent par combinaison linéaire d'orbitales atomiques
C.L.O.A (L.C.A.O. Linear Combination of Atomic Orbitals) introduite en 1930 par Mulliken
et qui est toujours valable.
Lorsque la liaison covalente intervient entre deux atomes différents, la répartition
électronique n'est pas symétrique en raison des différences d'énergie d'ionisation et
d'électroaffinité. D'où l'apparition d'un moment dipolaire qui détermine l'asymétrie de la
répartition électronique. Dans ce cas, on a affaire à une liaison iono-covalente.
D'une manière générale, les liaisons iono-covalentes ne peuvent se former que si les orbitales
atomiques ont approximativement la même énergie.
III- Liaison métallique :
Les métaux, matériaux formant à peu près 75% des éléments du tableau de Mandeliev, sont
caractérisés par une faible énergie d'ionisation et une faible électroaffinité.
Les électrons de valence sont très faiblement liés au noyau d'un atome métallique.
En pratique, ces électrons de valence ne sont pas liés à un atome déterminé, mais ils sont
délocalisés et répartis dans l'ensemble du cristal : la liaison métallique est donc caractérisée
par une structure d'ions positifs noyés dans un gaz d'électrons.
Ce gaz d'électrons assure la liaison entre les ions positifs. C'est une liaison forte et isotrope.
Elle favorise la création de structures cristallines simples, de grande symétrie et très
compactes (h.c, cc, c.f.c) (voir tableau 3, chapitre I).
C'est la présence du gaz d'électrons qui explique les grandes conductivités électrique et
thermique des métaux .
ions
métalliques
+ + + + +
gaz
+ + + + + d'électrons
Remarques :
* Dans les métaux de transition, des effets s'ajoutent dus aux interactions entre les couches
électroniques profondes, d'où de fortes énergies d'ionisation qui peuvent avoir comme origine
des liaisons du type Van Der Waals.
* Le rayon atomique dépend du type de liaison.. En effet, l'ion métallique a toujours un rayon
supérieur à celui de l'ion participant à une liaison ionique.
Ex :
a- Ion ferreux Fe2+ (liaison ionique) rayon = 0.74 Å
Ion métallique rayon = 1.24 Å
b- Fluor covalent rayon = 0.71 Å
-
Ion F rayon = 1.35 Å
Pr M. Abd-Lefdil
ion dans un cristal dans un métal

ionique
Na 1Å 1.86 Å
Al 0.5 Å 1.43 Å
IV- Liaisons secondaires :
A côté des liaisons ionique, covalente et métallique, il existe des liaisons faibles qui
n'entraînent que des modifications minimes de la position des électrons.
En effet, dans le cas des atomes de gaz rares (qui sont neutres), il doit bien exister entre eux
une attraction puisqu'ils peuvent se condenser en liquides et même en solides
Ex :
Ne est solide jusqu'à 24 K.
Kr est solide jusqu'à 117 K à pression ordinaire.
a) Liaison de Van Der Waals :

C'est en étudiant les interactions entre les molécules neutres de gaz rares sous forte pression
que Van Der Waals (1873) a compris l'existence de forces d'attraction faibles et à courte
portée entre ces molécules.
Ces forces ont été par la suite décrits en termes quantiques par London en 1930.
Dans ce cours, nous allons nous limiter à une étude semi-quantitative classique en prenant le
cas de deux atomes neutres d'un même gaz rare.
atome (2)
→
r > > rayons atomiques
→
r
θ
→
atome (1) P 1
Pour un temps long : <P> = 0 P : moment électrique ou moment dipolaire
Par contre, à un instant donné, le mouvement orbital des électrons de l'atome (1) (par
→
exemple) donne naissance à un moment dipolaire électrique P1 . Ce dernier va créer en (2) un
→ →
champ électrique E lequel induit sur (2) un moment dipolaire P 2 tel que :
→ →
P2 = P E
où P est la polarisabilité de l'atome (2).
Les deux dipôles interagissent et l'énergie d'interaction est donnée par :
→ →
E( r ) = - P 2 E = - P E2
Rappels :
Le potentiel crée en (2) par le dipôle en (1) est :
Pr M. Abd-Lefdil
P1 cos θ 1 → → 1 
V= =- P 1 . ∇ 
4πε 0 r 2 4πε 0 r
→ → → → →
Comme E = - ∇ V et E = E r + Eθ
Soit :
 → → 
3 p1 . r  →
→ 1 1 →
E=- .  P1 -  2  r 
4πε 0 r 3  r 
 
D'où :
 1  1
E(r ) = - P   . 6 (1 + 3 cos 2 θ) = E attractive (2)
 4πε 0  r
On remarque que E(r) est toujours négative.
Cette attraction entre atomes neutre, à faible portée, engendre les forces de Van Der Waals et
London qui prennent naissance dans des fluctuations momentanées et locales des moments
dipolaires des atomes et des ions.
C
Eatt ( r ) = - 6
r
N. B. :
→ →
Si P 1 // P 2 ; E att (r ) = -
4P
.
1
; C=
(
P 1 + 3 cos 2 θ
>0
)
(4πε 0 )2 r 6 (4πε 0 )2
L'énergie de répulsion dans les gaz rares peut-être exprimée par l'une des deux formes
empiriques cités auparavant dans I :
B
(1) E R = 12 où B = cte > 0
r
ou encore
(2) ER = λ e-r/ρ où ρ mesure le rayon d'action de ER
λ = cte > 0
Dans le cas (1) :
C B
E tot = - 6 + 12 connue sous le nom d'énergie de Lenmard-Jones
r r
Remarque :
On rappelle que l'énergie cinétique des atomes du gaz rare est négligée.
b) Liaison hydrogène :
L'hydrogène n'a qu'un seul électron (Z = 1), il ne peut à priori avoir qu'une seule liaison
chimique. Pourtant, il lui arrive d'être sollicité par deux atomes à la fois. Une des deux
liaisons est appelée liaison hydrogène.
En effet, cette liaison hydrogène intervient lorsque H est lié à un atome "petit" et à forte
électroaffinité comme (F, O, N) par une liaison iono-covalente très polaire.
Pr M. Abd-Lefdil
Ex :
H2O
H (Z = 1)
O (Z = 8)
liaison
hydrogène
Les liaisons secondaires jouent un rôle important dans les propriétés des matériaux
organiques (qui sont des matériaux moléculaires). En effet, des liaisons covalentes assurent
les liens intra-moléculaires. Par contre les liaisons secondaires assurent la cohésion
intermoléculaire.
Ex :
La liaison hydrogène assure la cohésion entre les chaînes du nylon (polyamide 6-6) et elle est
responsable de son point de fusion important.
La liaison hydrogène maintient les molécules de protéines dans leur configuration
géométrique normale.
Remarque :
Liaison Energie de liaison (eV) Distance (nm)

Chimique 1.5 0.1 - 0.2
Hydrogène 0.1 - 0.3 0.25 - 0.30
Van Der Waals < 0.1 0.3 - 0.4
La liaison Van Der Waals est susceptible d'unir faiblement des partenaires non actifs
chimiquement (atomes ou molécules stables) et de former ainsi une entité dite complexe de
Van Der Waals.
L'énergie de liaison est < 0.1 eV et elle est même souvent inférieure à l'énergie thermique
ambiante (0.03 eV).
Plusieurs centaines de complexes de Van Der Waals sont connus à ce jour comme Ca-HCl ou
Xe-Cl.
Des techniques telle que la détente supersonique d'un mélange gazeux permet de produire à
volonté des complexes de Van Der Waals.
En résumé, on peut dresser le tableau suivant :
Pr M. Abd-Lefdil
métallique covalente ionique

Liaison Métallique Homopolaire Hétéropolaire
isotrope directionnelle isotrope
Saturation des Délocalisée Inter atomique Locale
liaisons
Coordination 6 ou plus 4 6 ou plus
Densité Elevée Basse Elevée
Mécanique Ductile Dur Cassant
T° de fusion Basse Elevée Basse
Energie de cohésion Petite Grande Petite
Conductivité Conductivité grande Semi-conducteur Isolant
électrique
Chapitre 3 : Vibrations du réseau et phonons Laboratoire de Physique des Matériaux 30
Pr. M. Abd-Lefdil
VIBRATIONS THERMIQUES
DU RESEAU ET PHONONS
Introduction:
Les atomes sont placés de manière très ordonnée dans un cristal. Ce sont les forces inter-
atomiques qui leurs confèrent leur arrangement spécifique. Ces forces jouent les mêmes rôles
que les ressorts dans un système "masse- ressort". Par conséquent, si on déplace légèrement un
atome de sa position initiale et qu'on le relâche, il se mettra à osciller, comme un pendule. Etant
donné que cet atome est relié aux autres par les forces électrostatiques qui agissent entre eux, les
autres atomes du cristal se mettront eux aussi à vibrer, d'où le nom de vibration cristalline; Il y
aura alors propagation d'une onde de déformation dans un solide.
L'étude des différents modes de propagation de ces ondes est un sujet complexe qui faite partie
de la "physique de l'état solide". Certains de ces modes sont directement reliés à la propagation
du son dans un solide.
L'origine de ces vibrations peut être thermique (l'effet de la température) ou encore sous forme
d'excitation électromagnétique (rayonnement infrarouge par exemple).
Le phonon est une notion de la mécanique quantique faisant appel au concept de dualité onde-
corpuscule. Si l'étude des phonons prend une part importante dans la physique de la matière
condensée, c'est qu'ils jouent un rôle important dans un grand nombre de propriétés des solides
dont : La capacité calorifique ou capacité à échanger la chaleur ; La conductivité thermique, ou
capacité à conduire la chaleur ; La conductivité électrique, ou capacité à conduire le courant ; La
capacité à propager le son ; L'effet des vibrations du réseau sur l'interaction effective entre deux
électrons d'un métal est à la base de la compréhension de la supraconductivité. Les vibrations du
réseau peuvent jouer un rôle dans la réponse d'un solide en présence d'une radiation (X, visible,
neutrons…) ;
Traitement classique des vibrations du réseau

Introduction:
Les atomes d’un cristal ne sont pas fixes. Sous l’effet de la température ou d’une excitation
électromagnétique, ils oscillent par rapport à une position d’équilibre (stable). Si un noyau se
déplace, il en résulte une modification du nuage électronique qui est due à un effet d’écran
(force de rappel de la part des atomes voisins pour le ramener à cette position).
Si les amplitudes d’oscillation sont faibles, on dit qu’elles sont harmoniques c’est-à-dire que les
forces sont proportionnelles aux déplacements (loi de Hooke).
Définitions:
Le mouvement est parallèle à la direction de propagation si l’onde est longitudinale (voir figure
1). Le mouvement est perpendiculaire à la direction de propagation si l’onde est transversale
(voir figure 2).
Figure 1 Figure 2
Pr. M. Abd-Lefdil
A- Cas d’un atome par maille élémentaire (chaîne monoatomique):

Nous considérons les cristaux dont la maille élémentaire contient un seul atome de masse m,
et de distance inter-atomique entre les atomes les plus proches voisins est a.
Quand on parle de la direction, on parle des plans (nommés plans atomiques)

perpendiculaires à la direction du propagation de l’onde qu’on caractérise par le vecteur
d’onde de norme K.
Nous pouvons apprendre beaucoup de choses sur les forces reliant les différents plans
atomiques à partir de la relation entre la pulsation ω et la norme du vecteur d’onde K.
Soit u n ( t ) le déplacement de l’atome s par rapport à son point d’équilibre (voir figure 3).
Comme première approximation, nous considérons les atomes comme étant reliés entre eux
par des ressorts et on fait l’hypothèse de petites oscillations.
On se propose ici d’étudier le nième atome et ses deux proches voisins (s-1) et (s+1) ième
atomes.
Figure 3
On appliquant le principe fondamental de la dynamique sur l’atome s on aura :

d2us
F = Ma = M 2 (1)
dt
Fs = [C(u s +1 ( t ) − u s ( t )] + [C(u s −1 ( t ) − u s ( t )] où C est la constante du ressort.
On a la somme des contributions du ressort de droite et du ressort de gauche.

Alors l’équation devient:
d 2 u s (t)
F = Ma = M = C(u s +1 (t) + u s −1 (t) − 2u s (t)) (2)
dt 2
Essayons la solution qui dépend seulement du temps :

d²u s (t)
u s (t) = u s e − iωt ⇒ = −ω²u s e − iωt
dt²
Donc :
− Mω2 u s = C(u s +1 + u s −1 − 2u s )
Essayons la solution de la forme :
u s = ueiKsa
Remplaçant là dans l’équation de ω en fonction de la constante C, on aura alors :
⇔ −ω²Mueiksa = C ( ueik(s +1)a + ueik(s −1)a − 2ueiksa )
⇔ −ω²Mueiksa = Cueiksa ( eika + e − ika − 2 )
⇔ −ω²M = C ( 2 cos(ka) − 2 )
⇔ −ω²M = C ( 2 cos(ka) − 2 )
31
Pr. M. Abd-Lefdil
2C
⇔ ω² = (1 − cos(ka) )
M
4C   1 
Et comme : cos (2θ) = 1 – 2sin2 (θ) Alors ω² =  sin ²  ka  
M  2 
4C 1 
D’où ω(k) = sin  ka  (3)
M 2 
C  ka 
Puisque : ω0 = Alors on peut écrire : ω(k) = ω0 2 sin   (4)
M  2 
C’est la relation de dispersion. La représentation graphique de ω en fonction de k est donnée
par la figure 4:
Ω k se compose de demi-arches de sinusoïde.
Figur4a
Figure 4b
32
Pr. M. Abd-Lefdil
Remarques :
La constante de rappel, la masse des atomes et la distance entre voisins sont des valeurs prises
égales à l’unité.
 π k
ωmax = ω   = 2
a m
Cas particulier :
L’onde se propage vers la droite comme vers la gauche, d’où le domaine de k à considérer
peut être spécifié par :
π π
−π ≤ ka ≤ π Ou bien − ≤k≤
a a
Ce domaine de valeurs de k s’appelle la première zone de Brillouin du réseau linéaire. D’où les
π
valeurs extrêmes de k dans cette zone sont : k max = ±
a
Première zone de Brillouin :
 2π   2π 
i  k + sa i   sa
On a : u s = ue  a 
= ueiksa e  a 
= ueiksa
2π
k et k + G correspondent à des déplacements équivalents, avec G = .
a
⇒ ω(k+G) = ω(k)
*Exemple.
Figure 5
Vitesse de groupe :
Par définition la vitesse de groupe est donnée par la relation :
dω
vg = (5)
dk
Dans le cas d’une chaîne monoatomique et partir de la relation de dispersion on obtient:

Ca² 1 
vg = cos  ka 
M 2 
Pour k ≅ 0, on retrouve le modèle élastique :
 ka  ka
Le développement limité de sinus au voisinage de k = 0 : sin   ≈
 2  2
4C ka
Donc : ω(k) = .
M 2
4C C
= ka = ka
M4 M
33
Pr. M. Abd-Lefdil
C 
D’où : ω² =  a²  k² et comme ω(k) = vg k
M 
Ca²
Alors vg = (6)
M
Quelques vitesses de groupe particulier sous forme de schéma graphique:
Figure 6
Remarques importantes :
Un phonon n'est pas une véritable particule car son existence traduit un état de vibration
collective des atomes du cristal.
Revenons à la loi d dispersion (relation de dispersion) :
C ka
Ωk = 2 sin
m 2
• Ω k = 0 pour k = 0.
1 C C
• Pour k très petit, c'est-à-dire k << : Ωk ≈ ak = Vs k où Vs = a;
a m m
Ω k varie linéairement avec k .
1 2π
La condition k << exprime que la longueur d'onde λ = associée au mode considéré est
a k
très grande devant le paramètre du réseau a .
Ω
Pour de telles λ , la vitesse de phase Vϕ = k = Vs est indépendante de k : le milieu n'est pas
k
donc dispersif.
Ceci implique qu'un paquet d'ondes où n'interviennent que de faible k , se propage sans
déformation à la vitesse Vs .
Comme les ondes acoustiques ont des λ >> a ; Vs est alors la vitesse du son dans le cristal.
Alors on a :
1  ∗ −ik ( x − V t ) 
q n (t ) = ik ( x − V t )
∑ α k e n s + α k e n s 
N'  k 
34
Pr. M. Abd-Lefdil
 x 
Le déplacement du n-iéme atome est donc une fonction g t − n  , par conséquent :
 Vs 
 x 
q 0  t − n  = q n (t )
 Vs 
C'est-à-dire que l'oscillation de l'atome n et la même que celle de l'atome en n!0, mais décalé du
temps que met l'onde à parcourir la distance x n = n.a qui sépare en moyenne les deux atomes
(en x0 et x n ).
1
• Si k ≈ , la structure discontinue de la chaîne intervient et la pulsation Ω k croit
a
moins vite avec k que dans le cas précédent des remarques.
Le milieu est alors dispersif et le paquet d'ondes se délace à la vitesse de
dΩ k
groupe Vg = ≠ Vϕ .
dk
π
• Quand k s'approche des limites de la 1ére zone de Brillouin ( k → ± ), la vitesse V g
a
tend vers 0. Il n'y a plus de propagation de l'onde élastique.
dΩ k  C π
• Vg =  = a. cos = 0
dk  π m a
a
• Le modèle simple à une dimension que nous avons développé a permis de dégager des
notions physiques importantes :
1. Le quanta d'énergie phonon associé aux modes propres de vibration du réseau.
2. Dispersion du milieu.
Dans la réalité, le réseau cristallin est tridimensionnel. Ainsi un mode propre de vibration est
G
caractérisé par un véritable vecteur d'onde k .
G
Par conséquent Ω k dépend de l'intensité de k mais aussi de sa direction.
Il peut se produire (comme dans un cristal ionique) que les nœuds soient par des atomes
différents régulièrement (plus d'un atome par maille). C'est ce qu'on propose d'étudier dans la
partie suivante.
35
Pr. M. Abd-Lefdil
B- Cas de deux atomes par maille élémentaire (chaîne diatomique):
Introduction :
Dans cette partie les définitions et les remarques sont presque équivalentes à celles de la chaîne
monoatomique, la seule différence se remarquera au niveau du nombre des équations du
mouvement.
Equations du mouvement et relations de dispersion :
Figure 7
Nous n’envisageons que les ondes se propageant dans une seule direction de symétrie telle
qu’un plan d’atomes ne contienne qu’un seul type d’ions.
En utilisant la relation et les solutions du cas monoatomique présenter dans le cas I), on
obtient:
Les équations de mouvement pour tous les atomes de la chaîne :
d²u s (t)
M1 = C ( vs (t) + vs −1 (t) − 2u s (t) )
dt²
d²vs (t)
M2 = C ( u s +1 (t) + u s (t) − 2vs (t) )
dt²
Les solutions sont de types : u s (t) = uei(ksa −ωt ) ; vs (t) = vei(ksa −ωt )
⇒ −ω²M1u = Cv(1 + e −ika ) − 2Cu
⇒ −ω²M 2 v = Cu(1 + eika ) − 2Cv
Le système d’équations linéaires homogènes à deux inconnues u, v, n’a une solution non
triviale que si le déterminant des coefficients de u et v s’annule :
2C − M1ω² −C(1 + e − ika )
=0
−C(1 + eika ) 2C − M 2 ω²
⇒ M1M 2 ω4 − 2C(M1 + M 2 )ω² + 2C²(1 − cos ka) = 0 (7)
1
Pour k petit : cos (ka) ≅ 1- k²a² +…
2
⇔ M1M 2 ω4 − 2C(M1 + M 2 )ω² + C²k²a² = 0
2C(M1 + M 2 ) ± 4C²(M1 + M 2 )² − 4M1M 2 C²k²a²
⇔ ω± ² ≈
2M1M 2
4M1M 2 C²k²a²
2C(M1 + M 2 ) ± 2C(M1 + M 2 ) 1 −
4C²(M1 + M 2 )²
⇔ ω± ² ≈
2M1M 2
36
Pr. M. Abd-Lefdil
 1 M1M 2 k²a² 
2C(M1 + M 2 ) ± 2C(M1 + M 2 ) 1 − 
 2 (M1 + M 2 )² 
⇔ ω± ² ≈
2M1M 2
 M M Ck²a² 
2C(M1 + M 2 ) ±  2C(M1 + M 2 ) − 1 2 
 (M1 + M 2 ) 
⇔ ω± ² ≈
2M1M 2
Deux séries de solutions :

1. solutions (-) : mode vibrationnel acoustique.
2. solutions (+) : mode vibrationnel optique.
2C(M1 + M 2 ) CK²a²
ω² + ≈ − (8) (Mode optique)
M1M 2 2(M1 + M 2 )
C
ω² − ≈ K²a² (9) (Mode acoustique)
2(M1 + M 2 )
La représentation graphique qui résume ces relations :
Figure9
π
Pour K = ; cos Ka = cos π = -1
a
On revient à (7) et on obtient les solutions réelles possibles suivantes:
C(M1 + M 2 ) ± C²(M1 + M 2 )² − 4C²M1M 2

ω² =
M1M 2
C(M1 + M 2 ) ± C(M1 − M 2 )
=
M1M 2
37
Pr. M. Abd-Lefdil
2C 2C
D’où ω² + = (10) et ω² − = (11)
M2 M1
Première zone de Brillouin :

π π
Le domaine de la première zone de Brillouin est − ≤ k ≤ , où a est la période du réseau.
a a
π 2C 2C
Pour k max = ± les racines sont : ω² = ; ω² =
a M1 M2
La représentation graphique de la relation de dispersion est donnée par :
Figure10
1 1
Avec µ = +
M1 M 2
Ω1k = Ω acous et Ω 2 k = Ω opt .

1 1 1 
On définit µ la masse réduite :  = + 
 µ M1 M 2 
On remarque que les Ω1k coïncident avec Ω k de la deuxième partie qui caractérise les
pulsations de phonons pour un cristal unidimensionnel où l'atome a une masse M = M 1 + M 2
C k 2a 2
Si Ka<<1 : Ω12k =
M1 + M 2 2
C
Ω 22 k = 2
µ
→∞
Ω1k k
→ 0 et Ω 2k ≠ 0
38
Pr. M. Abd-Lefdil
Ω1k est associée aux vibrations acoustiques et Ω 2k est associée aux modes de vibrations
optiques.
Figure 8
On remarque que les solutions ondulatoires n'existent pas dans la bande interdite dans le cas
d'un réseau diatomique.
Cas particulier :
C C  π
M 1 >> M 2 : 2 →2  k =  ⇒ Branche acoustique.
M1 + M 2 M1  a
C C
2 →2 (k = 0) ⇒ Branche optique.
µ M2
C 2µ  C  π
2 1 −  → 2  k =  ⇒ Branche optique.
µ  M1 + M 2  M2  a
Dans une branche acoustique, les deux atomes de la même maille oscillent dans le même sens;
par contre pour une branche optique, les deux atomes de la même maille oscillent dans des sens
opposés avec des amplitudes dépendant de leurs masses.
Dans la maille des cristaux ioniques, les vibrations "optiques" donnent naissance à une
variation importante du moment dipolaire électrique de la maille : ce qui justifie l'appellation
de cette branche de vibration.
Quantité de mouvement d'un phonon

Il faut toutefois bien réaliser que les phonons d'un réseau ne portent pas de quantité de
mouvement. On peut démontrer ce résultat à une dimension, on a en effet
d N
p = m ∑ u n (t)
dt n =1
39
Pr. M. Abd-Lefdil
Où u n (t ) est donné par :

u n ( t ) ≈ a l exp[i(k l na − iωl t )]
Et
2π l
kl =
a N
En remplaçant dans l'expression de ci-dessus, il vient :
p ≅ −iωl M exp(− iω l t ) ∑ exp(ik l na )
N
n =1
La somme est une série géométrique qui s'annule pour toutes les valeurs k l compatibles
avec les conditions aux bords de la chaîne linéaire. On a ainsi démontré, dans le cas
classique, que la quantité de mouvement associée au mode normal k l , donc au phonon k l ,
s'annule.
Dans le cas où k l = 0 , les amplitudes sont les mêmes pour tous les ions du cristal, la
quantité de mouvement résultante est non nulle. k l = 0 corresponds à une translation
globale du cristal, ce n'est pas un mode propre du vibration.
Toutefois, c'est le déplacement en bloc du cristal qui assure la conservation de la quantité
de mouvement lors d'une interaction entre une particule (ou un rayonnement) et le cristal.
Ce calcul à une dimension se généralise immédiatement à 3 dimensions, de même que
lorsque les vibrations du réseau sont décrites de manière quantique.
40

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Chapitre 1 : Etat Cristallin Laboratoire de Physique des Matériaux 1

Chapitre 1 L'ETAT CRISTALLIN

I- Réseau, maille et motif

avec mi ∈ Z et non simultanément nuls.

I.2- Notion de maille :

b O" M 1 = b" + 0. a"

Opérations de symétrie dans les cristaux :

b- La symétrie par rapport à un point, un plan.

On montre que le nombre de réseaux de Bravais à deux dimensions est égal à 5 :

I.2- Notion de maille élémentaire :

Soit un réseau plan formé par une face de la structure NaCl.

II- Plans réticulaires et indices de Miller

II.2- Cas particulier d'un réseau hexagonal :

II.3- Notation des directions :

III- Réseau réciproque

IV- Mise en évidence d'une structure cristalline

IV.1- Principe de détermination des structures

Le pouvoir de séparation d'une radiation électromagnétique dépend de sa longueur d'onde.

IV.2- Diffraction des rayons X

Lorsqu'une radiation électromagnétique (comme les rayons X) rencontre une particule

IV.2-1Démonstration générale de la loi de Bragg :

- Soit un faisceau incident de longueur d'onde λ et de direction définie par le vecteur

IV.2-2 Autre démonstration de la loi de Bragg :

⇔ 2 dhkl sin θ = nλ c'est la loi de Bragg

IV.2-3 Intensité de diffraction :

On peut écrire aussi : ψP = A1A2A3

IV.3- Notion de zone de Brillouin

V- Etude de quelques réseaux réciproques et de leurs zones de Brillouin

a- Réseau cristallin linéaire :

b- Réseau cristallin carré : réseau

c- Cas d'un cubique simple : (figure 13)

De la définition de réseau réciproque, on a :

d- Cas d'un cubique centrée : (figure14)

e- Cas d'un cubique à faces centrées : (figure 16)

A partir de cette figure, on détermine facilement que :

La première zone de Brillouin est donc un octaèdre (figure 17).

VI- Construction d'Ewald

C'est une application des résultats précédents au problème fondamental suivant :

VII- Facteur de structure

VIII- Structures cubiques et hexagonale :

atomes : un atome de la couche A et un atome de la couche B comme cela est indiqué à la

IX- Sites interstitiels

X- Etude de quelques réseaux cristallins

a) Réseau cubique à faces centrées :

b) Réseau cubique centré :

XI- Défauts de structure :

-Défauts non ponctuels : Quand on soumet un cristal à une contrainte mécanique

Chapitre 2 LIAISON CRISTALLINE

M est appelé constante de Madelung : C'est une caractéristique de la structure cristalline

EA + Ei + Ea sont déterminées expérimentalement

Energie par molécule de KCl montrant les contributions de Madelung

Variation de la coordination en fonction des rayons du cation et de l’anion :

II- Liaison covalente :

III- Liaison métallique :

ion dans un cristal dans un métal

IV- Liaisons secondaires :

a) Liaison de Van Der Waals :

Pour un temps long : <P> = 0 P : moment électrique ou moment dipolaire

Liaison Energie de liaison (eV) Distance (nm)

métallique covalente ionique

Traitement classique des vibrations du réseau

A- Cas d’un atome par maille élémentaire (chaîne monoatomique):

Quand on parle de la direction, on parle des plans (nommés plans atomiques)