Dépôts ioniques

par Jean MACHET

Professeur à l’Université de Limoges

1. Description ................................................................................................ M 1 663 - 2

1.1 Rôle de la décharge ..................................................................................... — 2
1.2 Influence de la présence d’un gaz à pression réduite .............................. — 2
2. Caractéristiques des dépôts ................................................................. — 2
2.1 Adhérence des dépôts................................................................................. — 2
2.1.1 Préparation de la surface avant dépôt .............................................. — 2
2.1.2 Formation de l’interface dépôt-substrat ........................................... — 3
2.2 Vitesse de croissance et pouvoir de recouvrement.................................. — 3
2.3 Structure des dépôts ................................................................................... — 3
3. Dispositif expérimental.......................................................................... — 4
3.1 Dispositif de vide ......................................................................................... — 4
3.2 Source de mise en phase vapeur ............................................................... — 4
3.3 Alimentations électriques ........................................................................... — 4
4. Principales applications......................................................................... — 5
4.1 Métallisations............................................................................................... — 5
4.2 Dépôts de matériaux composés................................................................. — 5
4.2.1 Dépôts de nitrure de titane ................................................................ — 5
4.2.2 Dépôts d’oxydes d’indium et d’étain ................................................ — 5
5. Conclusion ................................................................................................. — 5
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. M 1 663

es dépôts ioniques (ou ion plating) regroupent différentes techniques de

L dépôts sous vide dans lesquelles le matériau à déposer est mis en phase
vapeur en présence d’une décharge électrique, le substrat jouant le rôle de
cathode.
1 - 1986
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1. Description
Le dispositif expérimental le plus simple est schématisé sur la
figure 1. Le corps à déposer est évaporé dans la nacelle N chauffée
par effet Joule. Les substrats S sont disposés sous l’électrode C
appelée cathode, polarisée négativement par rapport au reste de
l’enceinte reliée à la masse. L’introduction d’un gaz permet de faire
remonter la pression dans l’enceinte et d’amorcer une décharge
électrique entre la cathode porte-substrats et le reste de l’enceinte.
Si l’on veut réaliser le dépôt d’un métal, le gaz utilisé est de l’argon.
Si l’on veut obtenir un dépôt d’un matériau composé, on introduit
le ou les gaz correspondant à ce matériau.
Exemple : pour obtenir du nitrure de titane, le titane est évaporé en
présence d’une décharge réalisée dans l’azote ou dans un mélange
argon-azote.
La présence de la décharge électrique et celle d’un gaz à pression
réduite (p ≈ 6 × 10–2 à 6 Pa suivant les dispositifs) donnent naissance
à un certain nombre de phénomènes qui permettent d’améliorer
considérablement la qualité des dépôts.
1.1 Rôle de la décharge
La décharge qui prend naissance est une décharge luminescente
de type anormal (article Spectroscopie de décharge luminescente
[P 2 715] dans le traité Analyse et Caractérisation). Son rôle est
double :
— production de particules énergétiques ;
— production de particules excitées.
Figure 1 – Schéma de principe d’une installation de dépôt ionique
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Ces deux types de particules sont créés quel que soit le gaz
introduit. Si ce dernier est un gaz inerte chimiquement (l’argon en
général), seules les premières jouent un rôle. En première approxi-
mation, on peut considérer que ces particules énergétiques sont
des ions. Ceux-ci sont créés dans la zone de lumière négative.
Accélérés dans la chute de tension cathodique, ils acquièrent de
l’énergie, ce qui leur permet de pulvériser le substrat avant le
début du dépôt ou le dépôt en croissance. En effet, avant de
commencer la mise en phase vapeur du matériau à déposer, donc
le dépôt, on amorce la décharge ; les ions pulvérisent alors direc-
tement le substrat ce qui permet de le nettoyer, comme on le verra
par la suite (§ 2.1.1). Puis, pendant la phase dépôt, on maintient
toujours la décharge et c’est le dépôt en croissance qui est soumis
à un bombardement ionique. Il faut remarquer que cette descrip-
tion est très simplifiée et que les phénomènes réels sont plus
complexes. En particulier, en traversant la zone sombre, les ions
subissent des collisions avec échange de charge qui entraînent la
création de particules neutres énergétiques qui vont, elles aussi,
jouer un rôle important. Ces phénomènes sont décrits dans les
articles cités dans [1] [2] [3].
Lorsqu’on introduit un gaz réactif, les particules excitées
favorisent les réactions entre le gaz support de la décharge et le
matériau évaporé.
1.2 Influence de la présence d’un gaz
à pression réduite
Pour amorcer la décharge il faut maintenir dans l’enceinte une
pression de l’ordre de 2 Pa. Dans ces conditions le libre parcours
moyen des atomes évaporés est inférieur à 5 mm. Ceux-ci diffusent
à travers le gaz support de la décharge, dans toutes les directions,
et arrivent sur le substrat suivant une incidence quelconque. Ceci
permet d’obtenir un dépôt sur tout le substrat quelle que soit sa
forme géométrique.
2. Caractéristiques des dépôts
2.1 Adhérence des dépôts
L’adhérence est en général excellente, et elle est supérieure à
celle que l’on peut obtenir par les autres techniques quel que soit
le couple dépôt-substrat. Ceci est dû :
— à la préparation de la surface du substrat avant dépôt ;
— à la formation d’une interface dépôt-substrat où se mélangent
le matériau constituant le substrat et celui du dépôt.
2.1.1 Préparation de la surface avant dépôt
Quelle que soit la technique de dépôt utilisée, l’état de surface du
substrat avant le dépôt joue un rôle fondamental sur l’adhérence de
ce dernier. Ceci explique les nombreux procédés de nettoyage ou
d’activation chimiques du substrat avant la réalisation du dépôt dans
les méthodes classiques. Ces techniques, qui apportent souvent des
améliorations importantes au niveau de l’adhérence, sont aussi,
dans de nombreux cas, de portée limitée car elles ont lieu, en général,
à l’air libre, en dehors de l’enceinte où a lieu le dépôt. Le substrat
a alors le temps de se polluer à nouveau, entre la phase nettoyage
et la phase dépôt. Dans la technique des dépôts ioniques, ce
phénomène peut être évité en opérant de la manière suivante : avant
de commencer l’évaporation on amorce une décharge électrique
dans un gaz, neutre en général. Les ions créés dans cette décharge
pulvérisent le substrat ce qui permet de le débarrasser de ses impu-
retés de surface (oxydes, vapeur d’eau, etc.). En commençant ensuite
l’évaporation tout en maintenant la décharge, on peut réaliser un
dépôt sur une surface parfaitement propre. Pour montrer l’intérêt
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de cette continuité entre les phases nettoyage et dépôt, on peut
rappeler que, pour une pression résiduelle égale à 4 × 10–4 Pa, il faut
moins d’une seconde pour former une couche monomoléculaire du
gaz constituant cette atmosphère résiduelle à la surface du substrat.
2.1.2 Formation de l’interface dépôt-substrat
Lorsque commence le dépôt, on trouve au voisinage du substrat :
des ions et des atomes du gaz support de la décharge, mais aussi
des ions et des atomes du matériau à déposer ainsi que des ions
et des atomes du substrat. La pression étant relativement élevée (de
l’ordre de 2 Pa), le libre parcours moyen est inférieur à 5 mm. Une
partie des atomes pulvérisés du substrat retombe sur ce dernier en
se mélangeant aux atomes du matériau à déposer comme l’indique
la figure 2. En outre les ions du matériau à déposer, accélérés dans
la chute de tension cathodique, peuvent pénétrer dans le substrat
sur une profondeur de l’ordre du nanomètre. Il y a donc, sous l’action
conjuguée de ces deux phénomènes, formation d’une interface entre
le dépôt et le substrat où se mélangent les atomes de ces deux
matériaux. Enfin l’énergie libérée par les ions tombant sur le substrat
entraîne une élévation de la température de ce dernier, ce qui favorise
une interdiffusion entre le substrat et le matériau déposé.
Figure 2 – Mécanisme de formation de l’interface dépôt-substrat
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2.2 Vitesse de croissance
et pouvoir de recouvrement
La vitesse de croissance vc du dépôt en un point est fonction du
nombre N1 d’atomes qui tombent sur le substrat au point considéré
pendant l’unité de temps et du nombre N2 d’atomes pulvérisés en
ce point pendant le même temps. On peut écrire :
vc = k (N1 – N2)
Cette vitesse dépend de nombreux facteurs tels que la vitesse
d’évaporation du matériau à déposer, la pression dans l’enceinte [4],
l’intensité du courant de décharge, la forme géométrique du substrat
et sa position par rapport à la source d’évaporation.
Normalement des densités de courant de décharge de l’ordre de 1
à 2 A · m– 2 sont suffisantes pour obtenir des dépôts de bonnes
qualités. Dans ces conditions le nombre d’ions tombant sur le
substrat est très faible devant le nombre d’atomes neutres, et l’effet
de pulvérisation est négligeable.
Exemple : pour un dépôt de cuivre réalisé dans les conditions
suivantes :
• vc = 2 × 10– 8 m · s–1 ;
• densité de courant de décharge = 2 A × m–2 ;
• gaz support de la décharge : argon ;
le rapport du nombre d’atomes pulvérisés N 2 au nombre d’atomes N 1
tombant sur le dépôt en croissance est inférieur à 2 %.
Lorsque la pression décroît, la vitesse de dépôt croît. Pour pouvoir
amorcer la décharge il faut maintenir une pression minimale. La
vitesse de croissance du dépôt sera donc inférieure à celle que l’on
obtiendrait en évaporation simple à basse pression. Cette vitesse
reste cependant supérieure à celle que l’on obtient par les autres
techniques de dépôt physique en phase vapeur.
Le pouvoir de recouvrement du dépôt est bon. Il ne dépend
pratiquement que de la forme géométrique du substrat et de sa
position par rapport à la source d’évaporation [5]. Un problème
concret qui se pose souvent est celui des dépôts à l’intérieur de trous
borgnes. On peut avoir une idée de l’épaisseur obtenue à une
distance x du bord du trou en utilisant la relation :
e = e0 exp (– x / λm )
avec e0 épaisseur sur le bord du trou,
λm libre parcours moyen des atomes du matériau à déposer.
Lorsque le diamètre d du trou est inférieur à λm , la relation
précédente doit être remplacée par la suivante :
e = e0 exp (– x/d )
2.3 Structure des dépôts
Les dépôts sont, en général, très denses et de porosité faible. Ceci
est dû au bombardement ionique continu de la couche en croissance
qui a plusieurs rôles. Entre autres il provoque la pulvérisation des
atomes mal intégrés dans la couche en croissance. Il entraîne aussi
une diffusion latérale des sites de croissance ce qui évite la crois-
sance en colonnes souvent rencontrée en évaporation simple et
même en pulvérisation [6]. En jouant simultanément sur la pression,
l’intensité du courant de décharge et la vitesse d’évaporation on peut
notablement diminuer la porosité [7].
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3. Dispositif expérimental
Une installation classique comprend :
— une enceinte à vide et son groupe de pompage ;
— une source de mise en phase vapeur ;
— les alimentations électriques de la cathode et de la source de
mise en phase vapeur.

3.1 Dispositif de vide

Le dispositif de pompage utilisé dépend de la nature du matériau

à déposer. Si ce matériau est peu sensible à l’oxygène ou à l’azote,
le pompage peut être assuré par des pompes Roots qui permettent
d’obtenir une évacuation rapide et une pression limite suffisante
(p ≈ 1,5 × 10–2 Pa). Cependant dans la majorité des cas les dépôts
sont sensibles aux gaz résiduels et on a intérêt à avoir un bon vide
limite (p ≈ 10–4 à 10–5 Pa). Pour ceci on peut utiliser des pompes à
diffusion d’huile en ayant soin de placer entre l’enceinte et la pompe
une vanne d’étranglement qui limite le débit de cette dernière. Les
pompes turbomoléculaires sont, aussi, bien adaptées à ce type
d’application (article Pompes à transfert de gaz. Pompes cinétiques
[BM 4 272] dans le traité Génie mécanique). Il faut remarquer qu’en
limitant le débit de la pompe on diminue la vitesse de pompage des
gaz résiduels provenant du dégazage permanent des parois. Leur
pression partielle peut augmenter d’une manière sensible, ce qui
peut entraîner une pollution importante du dépôt. Pour éviter ceci
il faut s’assurer que le flux gazeux support de la décharge est
suffisant (de l’ordre de 5 × 10–2 à 10–1 Pa · m3 · s–1). En outre si on
veut obtenir des dépôts ayant des qualités reproductibles on a intérêt
à contrôler ce débit.

3.2 Source de mise en phase vapeur Figure 3 – Dispositif de dépôt ionique

avec évaporation au canon à électrons

L’évaporation par chauffage par effet Joule est simple à mettre

en œuvre. Ses limites sont cependant bien connues et son utilisation
industrielle ne peut être envisagée que pour des matériaux ayant
une température d’évaporation basse.
Le canon à électrons est, dans les conditions actuelles, la principale
source d’énergie pour l’évaporation thermique. Il faut prendre soin
d’isoler le canon de l’enceinte où a lieu le dépôt et où règne une
pression voisine de 2 Pa pour éviter tout amorçage entre les diverses
électrodes du canon et pour ne pas réduire d’une manière excessive
la durée de vie des filaments. Le filament et la partie haute tension
du canon sont situés du côté évacué par les pompes. Le creuset et
le substrat sont dans l’autre partie où a lieu le dépôt. Le montage
est schématisé sur la figure 3.
La vanne V est fermée pendant le dépôt. Les deux enceintes ne
communiquent alors entre elles que par le trou de l’anode du canon
à électrons. Le rapport des pressions régnant dans les deux parties
de l’enceinte est de l’ordre de 10. Si la pression dans la partie supé-
rieure est égale à 2 Pa, dans la partie inférieure elle vaut 0,2 Pa. Cette
valeur est encore élevée et elle n’est pas toujours compatible avec
un bon fonctionnement du canon. Il faut donc chercher à diminuer
la pression côté dépôt tout en maintenant une intensité de courant
de décharge suffisante. L’utilisation d’une électrode intermédiaire
placée entre le substrat et la source d’évaporation permet de
diminuer la pression côté dépôt dans un rapport voisin de 10 [8].
La pression côté canon est alors de l’ordre de 2,5 × 10–2 à 5 × 10–2 Pa,
ce qui permet un fonctionnement stable de ce dernier. Enfin si on
veut diminuer l’influence des gaz résiduels pendant le dépôt, on a
intérêt à placer sur l’enceinte supérieure un second groupe de
pompage.
Comme source de mise en phase vapeur on peut utiliser des cibles
de pulvérisation magnétron. Ces sources permettent de déposer
pratiquement tous les matériaux, simples ou composés, et ce, sur
des substrats de grandes dimensions [9].
Au laboratoire le laser est aussi utilisé pour mettre en phase vapeur
le matériau à déposer. Cependant son utilisation dans ce domaine
ne semble pas encore être passée au stade industriel.
3.3 Alimentations électriques
Les alimentations électriques pour les sources de mise en phase
vapeur dépendent du type de source utilisée. Elles sont classiques.
En ce qui concerne la polarisation du substrat, il faut distinguer
deux cas, suivant que celui-ci est un conducteur électrique ou un
isolant. Dans le premier cas une alimentation redressée simple
délivrant une tension de l’ordre de 3 à 4 kV suffit. Pour déterminer
sa puissance on peut admettre qu’une densité de courant ionique
tombant sur le substrat de l’ordre de 10 A · m–2 est suffisante dans
la majorité des cas. Si le substrat est un isolant, il faudra utiliser une
polarisation radiofréquence (13,56 MHz en général).

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4. Principales applications
Les dépôts ioniques semblent tout particulièrement désignés
pour :
— réaliser des dépôts métalliques très adhérents sur des substrats
de forme et de nature quelconques ;
— réaliser des dépôts de matériaux composés (matériaux
céramiques en particulier).
4.1 Métallisations
Dans ce cas la décharge est réalisée dans un gaz inerte chimi-
quement, l’argon en général.
Deux types de métallisations peuvent être envisagés :
— dépôt d’un métal sur un autre métal ;
— dépôt d’un métal sur un isolant.
En ce qui concerne les premières, les études montrent que, quel
que soit le couple dépôt-substrat, l’adhérence est excellente. Comme
application industrielle on peut citer les dépôts anticorrosion
d’aluminium. D’autres applications sont en cours de développement
dans le domaine de l’appareillage électrique (contacts électriques
par exemple).
La métallisation des isolants, que ce soit les matériaux céramiques
ou polymères, est un domaine où les dépôts ioniques peuvent
apporter des solutions intéressantes tant sur le plan de la qualité
des dépôts (adhérence, faible porosité) que sur celui de la rentabilité.
En ce qui concerne les matériaux céramiques, l’expérience prouve
qu’on peut réaliser sur l’alumine, sans sous-couche d’accrochage,
des dépôts d’or ou de cuivre ayant les mêmes caractéristiques que
ceux obtenus par les métallisations classiques avec sous-couche
d’accrochage. Dans le cas des matériaux polymères (polyépoxydes
en particulier), le nettoyage du substrat dans la décharge
luminescente, avant le dépôt, permet d’éviter toutes les séquences
de nettoyages chimiques et de sensibilisations indispensables dans
les méthodes de dépôts galvaniques classiques. Ceci est
particulièrement intéressant dans le domaine de l’industrie des
circuits imprimés, d’autant plus que la métallisation des trous
d’interconnexion se fait facilement.
4.2 Dépôts de matériaux composés
Grâce à la présence de la décharge qui entraîne la création de
particules excitées particulièrement réactives, les dépôts ioniques
permettent d’obtenir dans de bonnes conditions des dépôts de
matériaux composés.
L’indépendance de tous les paramètres, que ce soit la vitesse
d’évaporation, l’intensité du courant de décharge, la tension de
décharge, la pression et la composition du mélange gazeux, permet
d’obtenir des dépôts quelconques ayant les qualités désirées [8]. Il
faut cependant remarquer que cette indépendance qui est
extrêmement intéressante peut s’avérer dans certains cas être un
handicap certain. En effet le rôle de ces paramètres n’est pas encore
toujours clairement connu. En outre il faut savoir les mesurer et les
contrôler en permanence, ce qui n’est pas toujours facile. Il faut aussi
savoir contrôler en permanence la nature et le flux des gaz résiduels
qui peuvent très rapidement entraîner des dégradations des qualités
des dépôts.
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Parmi les dépôts qui sont les plus étudiés au laboratoire et qui
dans certains cas sont développés industriellement, on peut citer les
revêtements anti-usure de nitrure de titane et les couches d’oxydes
d’indium et d’étain.
4.2.1 Dépôts de nitrure de titane
Le titane est évaporé par bombardement électronique en présence
d’une décharge réalisée dans l’azote pur. Afin de favoriser
l’adhérence du dépôt sur le substrat, on a intérêt, après avoir nettoyé
ce dernier dans la décharge obtenue dans de l’argon, à déposer une
sous-couche de titane en commençant l’évaporation de ce matériau
en présence de la décharge réalisée dans l’argon. Puis on remplace
progressivement l’argon par l’azote.
Pour obtenir des dépôts ayant une dureté supérieure à 2 000 HV,
il est nécessaire d’utiliser des densités de courant de décharge
supérieures à 10 A × m– 2 et de maintenir une pression d’azote
comprise entre 0,2 et 0,6 Pa. Industriellement cette technique est
utilisée au Japon et en Europe.
4.2.2 Dépôts d’oxydes d’indium et d’étain
Ce sont des oxydes conducteurs et transparents. Les principales
applications de ces dépôts sont :
— les électrodes conductrices et transparentes ;
— les écrans thermiques ;
— les composants solaires.
L’indium et l’étain sont évaporés séparément par effet Joule en
présence d’une décharge réalisée dans l’oxygène. Ceci permet de
modifier à volonté les proportions d’indium et d’étain dans le dépôt.
Le chauffage in situ des substrats pendant le dépôt permet
d’améliorer les caractéristiques électriques des dépôts. Avec des
vitesses de croissance de l’ordre de 6 µm · h–1 on obtient des couches
ayant une résistivité de 2,5 × 10 – 6 Ω · m et une transparence dans
le visible supérieure à 90 % pour une épaisseur de 0,5 µm.
5. Conclusion
Les techniques des dépôts ioniques qui permettent d’obtenir,
avec une bonne vitesse de croissance, des couches :
— très adhérentes ;
— ayant un bon pouvoir de recouvrement ;
— présentant une faible porosité ;
peuvent être considérées comme des techniques de choix dans
certains domaines de l’électronique et dans les traitements de
surface en mécanique.
En électronique ils doivent pouvoir remplacer les dépôts
chimiques pour la métallisation des supports polyépoxydes utilisés
pour la réalisation des circuits imprimés. Ils peuvent aussi être
utilisés en microélectronique hybride pour la métallisation des
substrats céramiques ou la réalisation d’éléments passifs.
Dans le domaine des traitements de surface ils peuvent être utilisés
pour réaliser en particulier des dépôts anticorrosion ou anti-usure.
La première application est liée au bon pouvoir de recouvrement
du dépôt, à sa continuité, quelle que soit la forme géométrique du
substrat, et à sa porosité faible. Les dépôts ioniques d’aluminium
peuvent par exemple remplacer dans de nombreux cas le cadmiage
électrolytique. L’application à la protection anti-usure est liée au fait
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que l’on peut réaliser des dépôts de matériaux composés très
adhérents, très durs, possédant aussi de bonnes propriétés
chimiques et tribologiques. À l’heure actuelle le nitrure de titane
semble être le matériau de choix pour ces applications. Il est utilisé
pour la protection des outils de coupe, des moules, des poinçons,
etc. Des épaisseurs de 3 à 4 µm sont souvent suffisantes pour
multiplier la durée de vie de ces outils par 3 ou 4.
La possibilité d’obtenir des métallisations très adhérentes aussi
bien sur le verre que sur les polymères permet d’envisager
l’utilisation des dépôts ioniques en optique, en particulier pour la
réalisation de miroirs. On peut aussi envisager de remplacer le verre
par des polymères pour la réalisation de certains composants tels
que les lentilles en les recouvrant d’une couche dure et transparente
(TiO2 par exemple).
Les applications des dépôts ioniques sont donc nombreuses et
variées. Dans beaucoup de cas ils peuvent apporter des solutions
très avantageuses tant sur le plan de la qualité des dépôts que sur
celui de la rentabilité. Il faut cependant être conscient que ces
techniques sont encore récentes, qu’elles n’ont pas fait l’objet
d’études approfondies dans tous les cas et que tous les mécanismes
mis en jeu ne sont pas clairement connus. De ce fait elles peuvent
parfois être difficiles à mettre en œuvre. Il est souhaitable que tout
projet d’installation soit précédé d’une étude sérieuse et
approfondie.

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Dépôts ioniques R

E
par Jean MACHET N
Professeur à l’Université de Limoges

Articles spécialisés
[1] MATTOX (D.M.). – Mechanisms of ion
plating, International Conference on Ion Pla-
ting and Allied Techniques. London, CEP.
Consultants Edinburgh, p. 1-10, bibl.
(52 réf.), 3-5 juil. 1979 (+ ∗ ∆).
[2] MACHET (J.), SAULNIER (P.), EZQUERRA
(J.) et GUILLE (J.). – Ion energy distribution
in ion plating. Vacuum (GB), 33, n o 5,
p. 279-84, bibl. (12 réf.) (1983) (∗ ∆).
[3] TEER (D.G.). – The energy of ions and
neutrals in ion plating. J. Phys. D. Appl.
Phys. (GB), 9, p. 187-9, bibl. (13 réf.) (1976)
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Bibliographie S
[4] CHAMBERS (D.L.) et CARMICHAEL (D.C.). –
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process parameters. Thin Solid Films (CH)
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A
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Research Development, p. 32-5, mai 1971
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PLAS (F.), GUILLE (J.) et MACHET (J.). –
[8] SAULNIER (P.), DEHBI (A.) et MACHET (J.).
– Ion energy distribution in triode ion plating
and applications 9th International Vacuum
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obtenus par ion plating. Le Vide (F) Les
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vol. 34, no 8-9, p. 765-9 (1984).
MUNZ (W.D.) et HESSBERGER (G.). – Le
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EBERSBACH (U.). – Thin Film growth under
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Ouvrages de base
MAISSEL (L.I.) et GLANG (R.). – Handbook of Thin
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R
(60 réf.) (1979) (∗ ∆). VOSSEN (J.L.) et KERN (W.). – Thin Film Processes.
[7] PATZ (W.) et FLAMIG (A.). – The dependence Academic Press (1978).
of the porosity of ion plated films on the

+ historique de la question ∗ étude théorique de la question ∆ comporte des résultats d’essais de laboratoire P
Constructeurs. Fournisseurs L
Matériels de vide et dépôts sous vide en général
(Liste non limitative)

En ce qui concerne plus spécialement les dépôts ioniques, seuls Balzers,

U
CIT Alcatel.
Balzers SA.
Leybold et Electrotech semblent travailler dans ce domaine.
Il faut signaler que ULVAC, firme japonaise, vend des installations de dépôts
S
Eta Electrotech (Sté). ioniques. Cette société doit avoir une succursale en Allemagne.
Leybold Heraeus Sogev SA.
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