Module P233

Électricité:
 Partie Électrostatique
 Champ et potentiel : calcul direct

 Champ et potentiel : Méthode de Gauss

 Partie Électrocinétique
 Lois de l’électrocinétique
 Théorème de Thévenin

Année Universitaire: 2020-2021

Par A. BRAHMI
 Ch 1: Rappel sur les systèmes de coordonnées

I Définition:
Un système de coordonnées (repère ou référentiel) est un dispositif de l’espace formé
de :
1- Un origine : ou on commence nos mesures de distances (point O)
2- Des axes: dont le nombre dépend de la dimension de l’espace considéré.

Son rôle est de faire correspondre à chaque point quelconque M de l’espace à N

dimensions le même nombre N de scalaires (valeurs) afin de bien repérer la position
de ce point M dans cet espace.

Exemple : Repères cartésiens

2
II Systèmes cartésiens

1) Repérage sur un axe : N=1 dimension de l’espace:

En plus de l’origine O et de l’axe considéré, on prend un vecteur

unitaire (norme = module = 1) d’origine O colinéaire avec cet
axe pour l’orienter et définir les unités de mesures.

Par exemple :
sur l’axe (OX), la position de M est connue par la connaissance de la seule
valeur ou du paramètre x.
Dans ce cas le vecteur position de M s’écrit alors:


OM  x.ex

Dans ce cas le vecteur unitaire est : e x
x est appelé l’abscisse de M
II Systèmes cartésiens

2) Repérage sur un plan : N=2: dimension de l’espace:

En plus de l’origine et de deux axes, on prend deux vecteurs unitaires

(norme=module=1) d’origine O colinéaires respectivement avec les deux axes
pris pour les orienter et définir les unités de mesures.

Par exemple, sur le plan (XOY) formé par l’axe (OX) et l’axe (OY), à tout point
M correspond un unique couple (x,y) de nombres appelés coordonnées de M.
Dans ce cas le vecteur position de M s’écrit alors:

 
OM  x.ex  y.e y

 
Les deux vecteurs unitaires sont : e x et e y

x est appelé abscisse de M

y est appelé ordonnée de M
II Systèmes cartésiens

3) Repérage dans l’espace à 3 dimensions de l’espace (N=3):

En plus de l’origine O et de trois axes nécessaires, on prend trois vecteurs

unitaires (norme=module=1) d’origine O colinéaires respectivement avec les
trois axes pris pour les orienter et définir les unités de mesures.

A tout point M correspond un unique triple (x,y,z) de nombres appelés

coordonnées de M.(M’ le projeté de M sur le plan (XOY) et M’’ le projeté sur
l’axe des Z))
Dans ce cas le vecteur position de M s’écrit :

OM  OM ' M ' M
  
 x.ex  y.e y  z.ez

x est appelé abscisse de M

y est appelé ordonnée de M
z est appelé cote ou hauteur de M
III Systèmes polaires

1) Repérage sur un disque ou sur un cercle:

Ce type de système est plus adéquat pour repérer un point M sur un cercle
(ou sur un disque). Dans cette situation, les coordonnées de M sont mieux
définies par deux données: un rayon r et un angle

r = OM

 = (Ox,OM)

Au niveau de M, on prend deux vecteurs unitaires : er et e

 OM  
er  et e  er
OM

Dans ce cas, le vecteur position s’écrit: OM  r.er
III Systèmes polaires

2) Formules:

 
On a: OM  x.ex  y.e y
Et:  
OM  r. cos( ).e x  r. sin( ).e y

Ainsi: x  r. cos( )
y  r. sin( )

  
er  cos( ).ex  sin( ).e y
   
e est un vecteur unitaire qui vérifie: er , e   
2
    
e  cos(  ).e x  sin(  ).e y
2 2
  
e   sin( ).ex  cos( ).e y
IV Systèmes cylindriques

1) Repérage sur la surface d’un cylindre:

Ce type de système est plus adéquat pour repérer un point M sur la surface
d’un cylindre. Dans cette situation, les coordonnées de M sont :
Un rayon r, r = OM’
Un angle θ, θ = (Ox,OM’)
Une hauteur ou une cote h ou z, z=MM’

M’ projeté de M sur (XOY)

IV Systèmes cylindriques

2) Formules:


er Et suivant OM '
   
e est un vecteur unitaire qui vérifie: er , e   
2 OM  OM ' M ' M

OM  OM ' M ' M
 r.er  z.ez
  
OM  r. cos( ).ex  r. sin( ).e y  z.ez
  
er e ez Vecteurs unitaires
V Systèmes sphériques

1) Repérage sur la surface d’une sphère:

Ce type de système est plus adéquat pour repérer un point M sur la surface
d’une sphère. Dans cette situation, les coordonnées de M sont : r, θ et 
telles que :
r  OM
  (OZ , OM ) ,   [0,  ]
  (OX , OM ' ) ,   [0,2 ]

θ : Colatitude

 : Longitude (Azimuth)
V Systèmes sphériques

1) Repérage sur la surface d’une sphère:

Au niveau de M, on trace trois

vecteurs: ces vecteurs forment la
base sphérique   
(er , e , e )

Dans ce cas, le vecteur position s’écrit:


OM  r.er
V Systèmes sphériques

2) Formules:

Les deux triangles (OMzM) et (OMxMo)

sont des triangles rectangles, ainsi les
formules trigonométriques nous
permettent d’arriver aux expressions
suivantes:

OM x  x
OM y  y
OM z  z
MM z  OM o  r. sin( )
x  OM o . cos( )  r '..cos( )
y  OM o . sin( )  r '.sin( )
z  OM z  r. cos( )
V Systèmes sphériques

2) Formules:


x  OM . ex  r. sin( ). cos( )

y  OM . e y  r. sin( ). sin( )

z  OM . ez  r. cos( )

r  x2  y 2  z 2
x
Tan ( ) 
y
z z
cos( )  
2 2
x y z 2 r
VI Produit scalaire

1) Définition
Ce produit est un nombre (ou un scalaire), il mesure l’intensité de projection
d’un vecteur sur un autre vecteur
Pour deux vecteur u et v , le produit scalaire est défini par:

u . v  u v . cos(u , v )

u . v  u v . cos( )

Remarques :
Selon la valeur de θ, on distingue les trois cas suivants (cas des vecteurs unitaires):

u .v  1

u .v  1 u .v  0 u .v  1
VI Produit scalaire

2) propriétés

1) Commutativité : u .v  v .u
2
2) Produit par lui-même : u .u  u

3) Associativité : u .(v  w )  u .v  u .w

  
Dans la base cartésienne (e x , e y , e z )
Pour u ( x, y, z ) et v ( x' , y ' , z ' )
u .v  x.x' y. y ' z.z '
Pour deux po int s A( x, y, z ) et B( x' , y ' , z ' )
AB  ( x  x' ).ex  ( y  y ' ).e y  ( z  z ' ).ez

AB  AB  ( x  x' ) 2  ( y  y ' ) 2  ( z  z ' ) 2

VII Changement de bases (projection produit scalaire)

1) Principe

Exprimer les coordonnées d’un système de référence en fonction des

coordonnées d’un autre référentiel.
2) Exemple
 
 la base Cartésienne r , e ) en fonction de
 de
les vecteurs unitaires ( e
ceux cartésiens (ex , e y )

r  x2  y2
y
Tan ( ) 
x
      
er  (er .ex )ex  (er .e y )e y
  
er  cos( ).ex  sin( ).e y

      
e  (e .ex )ex  (e .e y )e y
  
e   sin( ).ex  cos( ).e y
VIII Changement de coordonnées (trigonométrie)

1) Passage du polaire au cartésien:

2) Passage du cartésien au polaire :

VIII Changement de coordonnées (trigonométrie)

1) Passage du cylindrique au cartésien:

1) Passage du cartésien au cylindrique :

VIII Changement de coordonnées (trigonométrie)

1) Passage du sphérique au cartésien :

2) Passage du cartésien au sphérique:

M z M  OM o  r. sin( )
VIII Déplacement , surface et volume élémentaires

1) Éléments infinitésimaux:

Sur un axe (cartésien):

Le déplacement du point M de la position M(x) à la

position M’(x+dx) sur l’axe (OX) est :

dl  dx.ex

De même, le déplacement du point M de la position

M(y) à la position M’(y+dy) sur l’axe (OY) est :

dl  dy.e y

N.B: le point M est très proche de M’:voisinage

VIII Déplacement , surface et volume élémentaires

1) Éléments infinitésimaux:

Sur un plan (cartésien):

Le déplacement du point M de la position M(x,y) à la
position M’(x+dx, y+dy) sur le plan(XOY) est :

dl  dx.ex  dy.e y
La surface élémentaire sur ce plan est :
Sur le plan (XOY): ds  dx  dy
Le déplacement dl du point M de la position M(x,z) à
la position M’(x+dx, z+dz) sur le plan(XOZ) est :

dl  dx.ex  dy.ez
La surface élémentaire sur ce plan est :
Sur le plan (XOZ): ds  dx  dz
VIII Déplacement , surface et volume élémentaires

1) Éléments infinitésimaux:

Sur un plan (polaire):

Le déplacement dl du point M de la position M(x,y) à
la position M’(x+dx, y+dy) sur le plan(XOY) est :

dl  dr.er  rd  .e
Si r = cte, on aura:

dlr  rd  .e
M se déplace sur le cercle C(O,r)

La surface élémentaire sur ce plan est :

Sur le plan (XOY): ds  dr  rd 
VIII Déplacement , surface et volume élémentaires

1) Éléments infinitésimaux:

Dans l’espace (cartésien):

Le déplacement dl du point M de la position M(x,y,z)

à la position M’(x+dx, y+dy, z+dz) est :

dl  dx.ex  dy.e y  dz.ez

Les surfaces élémentaires sont:

Sur le plan (XOY): ds  dx  dy

Sur le plan (XOZ): ds  dx  dz

Sur le plan (YOZ): ds  dy  dz

Le volume infinitésimal est:

dv  dx  dy  dz
VIII Déplacement , surface et volume élémentaires

1) Éléments infinitésimaux:
Dans l’espace (cartésien):

Les éléments de surfaces ds

Les éléments: dx, dy et dz

L’élément de volume dv
VIII Déplacement , surface et volume élémentaires

1) Éléments infinitésimaux:

Dans l’espace (cylindrique):

Le déplacement du point M de la position M à la

position M’ est :

dl  dr.er  rd  .e  dz.ez

Les surfaces élémentaires sont:

 
Sur le plan (er , e ) : ds  dr  rd 
 
Sur le plan (e , e: z ) ds  rd   dz
 
Sur le plan (er , ez ) : ds  dr  dz

Le volume infinitésimal est:

dv  dr  rd  dz  r  dr  d  dz
VIII Déplacement , surface et volume élémentaires

1) Éléments infinitésimaux:
Dans l’espace (cylindrique):

Les éléments de surfaces ds

Les éléments:

L’élément de volume dv
VIII Déplacement , surface et volume élémentaires

1) Éléments infinitésimaux:

Dans l’espace (sphérique):

Le déplacement du point M de la position M à la

position M’ est :

dl  dr.er  rd  .e  r sin( )d .e

Les surfaces élémentaires sont:

 
Sur le plan (er , e ) : ds  dr  rd 
 
Sur le plan (e , e ) ds  rd   rd d
 
Sur le plan (er , e ) : ds  dr  r sin( )d

Le volume infinitésimal est:

dv  dr  rd   r sin( )d  r 2 dr  sin( )d  d

VIII Déplacement , surface et volume élémentaires

1) Éléments infinitésimaux:
Dans l’espace (sphérique):

Les éléments:

L’élément de volume dv: Les éléments de surfaces ds:

 VX. Cas d’utilisation des systèmes de coordonnées

Le choix d’un type de référentiel dépend de la

situation étudiée, ainsi:

• Le système cartésien est utilisé dans le cas ou M se

déplace avec mouvement rectiligne sur un axe ou plan
ou dans l’éspace (sur une droite)

• Le système polaire est utilisé dans le cas ou M se

déplace avec mouvement de rotation sur un plan (sur un
disque ou cercle)

• Le système cylindrique est utilisé dans la situation ou la

distance à l’axe des Z (OZ) joue un rôle important.

• Le système sphérique est utilisé dans la situation

ou la distance au centre O joue un rôle important.

NB: Il existe un autre syst de coord: syst

curviligne: compteur km de voiture
 Chap 2 : Les distributions de charges

En général, la matière est neutre, mais elle peut être électrisée:

• Ionisation: gain ou perte au niveau du nombre de charges (électrons ou trous)
• Polarisation: modification au niveau des positions des charges (répartition
modifiée, déformation du nuage électronique)

1) Propriétés:
Les charges de même signe sont répulsives, celles de signes différents sont
attractives, et les neutrons n’ont aucun effet entre elles.

2) Ordres de grandeurs:

N.B: Le signe – pour les é est arbitraire

3) Définition:
Une distribution de charge est un ensemble de charges électriques réparties
soit d’une manière discrète ou continue dans l’espace. Ses charges peuvent
être positives (protons +), négatives (électrons -) ou neutres (neutrons).
 Chap 2 : Les distributions de charges
1) Distribution de charges électriques discrètes:
Ces types de charges sont sous forme de point dites ponctuelles,
caractérisées par:
• Distances entre les charges sont importantes devant les dimensions
des charges
• Leurs nombres est limité

2) Distribution de charges électriques continues:

Ce type de charges est continue, caractérisé par:
• Distances intercharge sont négligeables devant les dimensions des
charges
• Leurs nombres est illimité, caractérisé par leur densité soit
(linéique, surfacique ou volumique)
 Les distributions de charges
2) Distribution de charges électriques continues:
2.1-Densité de charge:
Les distributions de charges continues sont caractérisées par leurs
densités (quantité de charges par unité de volume)
Exemple: Conducteur métallique: 5.1022 é/cm3 !!
a- Distribution linéaire
Dans l’élément dl, il y a une quantité dq, la densité de charge
dq
λ est alors:  (En C/m)
dl
b- Distribution surfacique

Dans l’élément ds, il y a une quantité dq, la densité de charge

dq
σ est alors: 
ds (En C/m2)
c- Distribution volumique

Dans l’élément dv, il y a une quantité dq, la densité de charge

ρ est alors: dq
 (En C/m3)
dv
 Les distributions de charges

3) Plans de symétrie et paramètres d’invariance:

L’étude des plans de symétrie et les paramètres d’invariance simplifient

considérablement la détermination des expressions du champ et du potentiel
électrostatiques dans le cas des distributions présentant des symétries.

3.1-Plans de symétrie:

C’est un plan qui divise une distribution de charges électriques en deux

parties identiques (signe et quantité)

Exemple 1:

Ce plan est perpendiculaire à cette distribution

et la coupe en deux morceaux égaux
 Les distributions de charges
3) Plans de symétrie et paramètres d’invariance:

3.1-Plans de symétrie:

Exemple 2: Fil infini uniformément chargé +

Ce plan est perpendiculaire à ce fil chargé

et le coupe en deux morceaux égaux

Exemple 3: Plan infini uniformément chargé -

Tout plan perpendiculaire à ce plan chargé

et le coupe en deux morceaux égaux est un plan
de symétrie.

N.B: Une distribution de charges électriques peut admettre

plusieurs plans de symétries (cas de l’exemple 3)
 Les distributions de charges

3) Plans de symétrie et paramètres d’invariance:

3.2-Paramétres d’invariance :
a - Invariance par translation suivant un axe :
Si au cours d’un déplacement rectiligne selon un axe, la densité de charge
d’une distribution reste la même, on dit que le paramètre associé à cet axe
est un paramètre d’invariance de cette distribution de charges électriques.

Exemple 1: Fil infini chargé uniformément λ = cste

Lorsqu’on se déplace sur ce fil suivant l’axe des Z, rien ne change

physiquement (même densité de charges en tout point du fil).

Le paramètre z est un paramètre d’invariance du fil infini chargé.

 Les distributions de charges
3) Plans de symétrie et paramètres d’invariance:
a - Invariance par translation selon un axe :
Exemple 2:
Cylindre infini chargé uniformément en surface σ = cste d’axe (OZ)

Lorsqu’on se déplace sur ce cylindre chargé suivant l’axe des Z,

rien ne change physiquement (même densité de charges en tout
point de la surface du cylindre).

Le paramètre z est un paramètre d’invariance du cylindre infini

chargé.
 Les distributions de charges
3) Plans de symétrie et paramètres d’invariance:

a - Invariance par translation suivant un axe :

Exemple 3:
Parallélépipède infini chargé uniformément en surface σ = cste d’axe (OZ)

Lorsqu’on se déplace sur cette structure chargée suivant l’axe des

Z, rien ne change physiquement (même densité de charges en
tout point de la surface du parallélépipède).

Le paramètre z est un paramètre d’invariance de cette distribution

infinie chargée.
 Les distributions de charges
3) Plans de symétrie et paramètres d’invariance:

b - Invariance par rotation d’un angle :

Si la densité de charge reste inchangée lorsqu’on effectue

un mouvement de rotation d’un angle ϴ auteur d’un axe on
dit que cet angle est un paramètre d’invariance pour cette
distribution

Exemple :
Cylindre chargé uniformément en surface σ = cste d’axe (OZ)

Le paramètre ϴ est un
paramètre d’invariance de
cette distribution infinie
chargée.
 Les distributions de charges
3) Plans de symétrie et paramètres d’invariance:

c - Invariance par double rotation autour d’un point :Distribution Sphérique

Si au cours deux mouvements de rotation selon deux angles
différents auteur d’un point la densité de charge reste
inchangée on dit que ces deux angles sont deux paramètres
d’invariance pour cette distribution

Exemple :
Sphère S(O,R) chargée uniformément en surface σ = cste

La densité de charge ne varie pas par

double rotation auteur du centre O de la
sphère S(O,R)

Les deux paramètres ϴ et φ sont deux paramètres

d’invariance de cette distribution infinie chargée.
 Les distributions de charges

L’étude des plans de symétrie et des paramètres d’invariance simplifient

considérablement les calculs des champs et / ou potentiels des
distributions admettant des symétries.

4 Plans de symétrie: direction du champ

L’intersection d’au moins deux plans de symétrie

distincts permet de déterminer la direction du champ
électrostatique créé par une distribution continue qui
présente des symétries.

5 Paramètres d’invariance: variables du champ et/ ou du potentiel

La détermination des paramètres d’invariance d’une

distribution continue permet de connaître les variables
dont dépend l’expression du champ électrostatique
et/ou du potentiel. Le champ ne dépend pas des
paramètres d’invariances.
 Chap 2 : Les distributions de charges

6 Choix de la base de travail :

Ce choix est imposé par la forme (ou la géométrie) de la distribution étudiée.

Le tableau suivant donne les choix pour les distributions les plus rencontrées

Distribution Base associée

Fil rectiligne chargé Cylindrique (er ,eϴ ,ez)

Cylindre chargé Cylindrique (er ,eϴ ,ez)

Sphère chargée Sphérique (er , eϴ ,eφ)

Disque ou cercle chargés Cylindrique (er , eϴ ,ez)

Plan chargé Cylindrique (er , eϴ ,ez)

 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions discrètes

1 Généralités :

La discipline qui étudie les interactions entre des particules chargées au

repos (fixes, sans mouvement = statiques = rien ne bouge= immobiles)

La discipline qui étudie les interactions entre des particules chargées

dans le cas d’un mouvement uniforme s’appelle la magnétostatique

L’électromagnétique est la branche de la physique qui étudie les

interactions entre des particules chargées dans le cas d’un
mouvement non uniforme (quelconque)

Charge ponctuelle : particule ou corps de dimensions négligeables

devant les distances qui les séparent avec d’autre charges
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions discrètes
2 Champ électrostatique d’une charge ponctuelle:

Soit q une charge ponctuelle (positive +) placée au point O et M un point

quelconque de l’espace (M ≠ O). Q perturbe son environnement.

Le champ électrostatique E(M) créé au point M par la charge q située

en O caractérise cette perturbation. Ce champ est donné par la loi
dite de Coulomb :

 1 q 
E u
2 OM En Volt/ mettre (V/m)
4 0 (OM )
Constante multiplicative (de Coulomb):
1
 k  9.109 ( N .m 2 .C  2 )
4 0
Permittivité du vide:  0  8.85.10 12 (C 2 .N 1.m 2 )

U OM  1 De sens de O vers M OM  r
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions discrètes

2 Champ électrostatique d’une charge ponctuelle:

Selon le signe
 de q, on distingue
 2 cas:
q > 0: E ( M ) et U OM ont le même sens : de O vers M
 
q < 0: E ( M ) et U OM ont des sens opposés


U OM Toujours a un sens de O vers M
 
q  0 E (M )  0

Spectre du champ :
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions discrètes

3 Champ électrostatique d’un ensemble de charges ponctuelles:

3.1 Principe de superposition :

Soient q1, q2, …..qn un ensemble de n charges ponctuelles placées

respectivement aux points O1, O2, O3…..On
M un point de l’espace (M ≠ Oi=1…N).

E1 ( M ) : Le champ créé en M par q1 située en O1 au point M

E2 ( M ) : Le champ en M par q2 située en O2 au point M

Ei (M ) : Le champ en M par qi située en Oi au point M

En (M ) : Le champ en M par qn située en On au point M

Le champ total créé par toutes ces charges est :

   
E ( M )  E1 ( M )  E2 ( M )  .....  En ( M )
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions discrètes

3 Champ électrostatique d’un ensemble de charges ponctuelles:

3.2 Exemple :

Principe de superposition :

    
E ( M )  E1 ( M )  E2 ( M )  E3 ( M )  E4 ( M )
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions discrètes

4 Potentiel électrostatique d’une charge ponctuelle:

On peut aussi caractériser la perturbation du milieu due à la présentation

des charges électriques par ce qu’on appelle Le potentiel électrostatique.

Champ électrostatique = variation du potentiel électrostatique

Soit q une charge ponctuelle (positive +) placée au point O et M un point

quelconque de l’espace (M ≠ O).
Le potentiel électrostatique V(M) créé au point M par la charge q située
en O est donné par:
1 q
V (M )   V0
4 0 OM

V0 : potentiel de référence ou constante d’intégration. Elle

est choisie en général nulle (le potentiel est nul à l’infini)
L’unité du potentiel est le Volt (V).

N.B : Pour r = 0, ni le champ ni le potentiel ne sont pas définis.

 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions discrètes

5 Potentiel électrostatique d’un ensemble de charges ponctuelles:

Soient q1, q2, …..qn un ensemble de n charges ponctuelles placées

respectivement aux points O1, O2, O3…..On
M un point de l’espace (M ≠ Oi=1…N).

Soient :
V1 ( M ) : Le potentiel créé en M par q1 située en O1 au point M
V2 ( M ) : Le potentiel créé en M par q2 située en O2 au point M

Vi (M ) : Le potentiel créé en M par qi située en Oi au point M

Vn (M ) : Le potentiel créé en M par qn située en On au point M

Principe de superposition :

V ( M )  V1 ( M )  V2 ( M )  .....  Vn ( M )
 Chap 4 : Champ et potentiel électrostatique des distributions
continues calcul direct (champ élémentaire): les integrales

Ce type de distributions de charges est caractérisé par sa densité

vu le nombre de charges qu’elles contiennent est illimité.

1 Champ d’une distribution linéaire

1.1 Champ élémentaire dE(M)
Soit F un fil rectiligne chargé uniformément avec une densité linéique λ, Q
est la charge totale de F. P un point fixe de F et M un point de l’espace
L’élément dl auteur de P contient une quantité élémentaire de charges dq
La densité de charges λ(P) au voisinage de P est :
dq
 ( P) 
dl
Selon la loi de Coulomb, le champ électrostatique
élémentaire dE(M) créé en M par dq(P) auteur de P est :
 1 dq( p ) 
dE ( M )  u
2 PM
4 0 ( PM )

U PM  1 de sens : P vers M d ' origine P
 Chap 4 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions continues

1 Champ d’une distribution linéaire

1.2 Champ total E(M)
Le champ total créé par tout le fil F de longueur L contenat la
charge totale Q au point M est alors:
  1 dq( p) 
E (M )   d E (M )   2
u PM
L L 4 0 r

D’après la densité, on a: Q  Ld q  L  dl

 1 dl 
Ce qui permet d’écrire: E (M )   u PM
2
L 4 0 r

Dans le cas d’une distribution uniforme, λ = cste, Le champ total

créé par tout le fil F de charge Q et de longueur L au point M est
alors:
  dl 
E (M )    2  u PM
4 0 L r
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions continues

2 Champ d’une distribution surfacique

2.1 Champ élémentaire dE(M)

S une surface chargée uniformément avec une densité surfacique σ, Q
est la charge totale de S. P un point fixe de S et M un point de l’espace
L’élément ds auteur de P contient une quantité élémentaire de charges dq

La densité de charges σ(P) au voisinage de P est :

dq( P)
 ( P) 
ds
Selon la loi de Coulomb, le champ électrostatique
élémentaire dE(M) créé en M par dq(P) auteur de P
est : 
1 dq( p ) 
dE ( M )  u
2 PM
4 0 ( PM )

U PM  1 de sens : P vers M d ' origine P
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions continues

2 Champ d’une distribution surfacique

2.2 Champ total E(M)
Le champ total créé par toute la surface S de charge totale Q au
point M est alors:
  1 dq( p) 
E (M )   d E (M )   2
u PM
S S 4 0 r

D’après la densité, on a: Q  Sd q  S  d s

 1   ds 
Ce qui permet d’écrire: E ( M ) 
S 4 0 r 2 uPM

Dans le cas d’une distribution uniforme σ = cste, Le champ total E(M) créé
par toute la surface S de charge totale Q au point M est alors:

  ds 
E (M ) 
4 0 S r 2 uPM
r = PM
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions continues

3 Champs(élémentaire et total) d’une distribution volumique uniforme

Le volume élémentaire dv contient la quantité élémentaire dq de

charges :
dq   ( P)  dv

• Le champ élémentaire dE(M) créé par dq est alors :

 1 dq( p) 
dE ( M )  2
u PM
4 0 r

• Le champ total E(M) du à toutes les charges du

volume V est alors : 
 dv 
E (M ) 
4 0  V r 2 u PM
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions continues
4 Potentiel des distributions de charges continues

Pour les distributions de charges continues uniformes (linéique λ,

surfacique σ et volumique ρ), on utilise les expressions suivantes :

• Linéique de densité λ :
 dl
V (M ) 
4 0 L r
 V0

• Surfacique de densité σ :
 ds
V (M ) 
4 0 S r  V0

• Volumique de densité ρ :
 dv
V (M ) 
4 0  V r  V0
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions continues
1 Expressions générales de E(M) dans les référentiels

• Système cartésien: M ( x, y , z ) (e x , e y , e z )

E ( M )  E x ( x , y , z ) e x  E y ( x, y , z ) e y  E z ( x , y , z ) e z

• Système cylindrique: M (r , , z ) (e r , e , e z )

E ( M )  Er (r , , z )e r  E (r , , z )e  E z (r , , z )e z

• Système sphérique: M (r , ,  ) (e r , e , e )

E ( M )  Er (r , ,  )e r  E (r , ,  )e  E (r , ,  )e
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions continues

1 Expressions générales de E(M) dans les référentiels

( Ex , E y , Ez ) : Les composantes du champ dans la base (e x , e y , e z )

( Er , E , E z ) : Les composantes du champ dans la base (e r , e , e z )

( Er , E , E ) : Les composantes du champ dans la base (e r , e , e )

( x, y, z ) coordonnées de M ou var iables du champ dans (e x , e y , e z )

(r , , z ) coordonnées ou var iables dans (e r , e , e z )

(r , ,  ) coordonnées ou var iables dans (e r , e , e )

 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions continues

N.B: Pour les distributions continues présentant des symétries:

• L’étude des plans de symétries et des paramètres des invariances

simplifient considérablement les expressions générales du champs
avant de se lancer dans les calculs.
• Cette étude permet d’avoir une idée (direction et paramètres de
variances) sur le résultat final avant tout calcul de ce champ.
• les bases polaire, cylindrique ou sphérique se tracent toujours au
niveau du point M ou on désire calculer le champ et / ou le potentiel.
Au niveau de O on trace la base cartésienne (e x , e y , e z )
• Les plans de symétries permettent d’éliminer 2 vecteurs d’une base
de travail formée par 3 vecteurs directeurs et de laisser qu’un seul
directeur dans l’expression du champ et du potentiel.
• La détermination des paramètres d’invariances permet elle aussi une
simplification au niveau des variables ou les coordonnées de M
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions continues
2 Relations entre le champ et le potentiel
• Champ = variation du potentiel dans l’espace : on dit que le
champ dérive d’un potentiel selon la relation suivante:

E ( M )   grad (V ( M ))

• Si dans l’espace règne un champ E(M), le potentiel associé V(M) s’écrit :

V ( M )    E ( M ).dl
dl : déplacement élémentaire (longueur élémentaire)
N.B :Le calcul de V(M) nécessite une constante d’intégration (ou potentiel de
référence) notée V0

• La différence de potentiel ΔV entre deux points M1 et M2 est:

M2
V    E ( M )  dl  (V ( M 2 )  V ( M 1 ))
M1

N.B :Le calcul de ΔV(M) ne nécessite pas de constante d’intégration V0

(ou potentiel de référence)
 Chap 3 : Champ et potentiel électrostatique
des distributions continues
3 Gradient du potentiel V(M) dans les référentiels

• Système cartésien: M ( x, y , z ) (e x , e y , e z )
  
grad (V ( M ))  V ( x, y, z )e x  V ( x, y, z )e y  V ( x, y, z )e z
x y z

• Système cylindrique: M (r ,  , z ) (e r , e , e z )
 1  
grad (V ( M ))  V (r ,  , z )e r  V (r ,  , z )e  V (r ,  , z )e z
r r  z

• Système sphérique: M ( r ,  ,  ) (e r , e , e )

 1  1 
grad (V ( M ))  V (r , ,  )e r  V (r , ,  )e  V (r , ,  )e
r r  r  sin( ) 
 Chap 4 : Calcul indirect du champ et du potentiel électrostatiques des
distributions continues (utilisant le champ total): TH de GAUSS

1 Flux Ø du champ E(M) à travers une surface

D’après la loi de Coulomb, la charge q > 0 placée au point
O crée en M le champ :
 1 q 
 E (M )  u
2 OM
U OM  1 4 0 (OM )

1) Le flux élémentaire dØ de E(M) à travers l’élément

de surface infinitesimal ds est :

d  E ( M ).ds  E ( M ).ds.n  E ( M ).ds. cos( ) OM  r

avec ds  ds.n n  1 n  ds Au point M

2) Le flux total Ø de E(M) à travers la surface totale S est alors :

   E ( M ).ds   E ( M ).ds.n   E.n.ds  E.S

S S
S
 Chap 4 : Calcul indirect du champ et du potentiel électrostatiques
des distributions continues
2 Théorème de Gauss: Raisons de symétries obligatoire pour la distribution
étudiée
Soit Q une distribution de charges quelconque et S une surface fermée entourant
Q et passant par un point de l’espace M. O un point fixe de la distribution Q.
Soit E (M) Le champ total créé en M par la charge totale Q

Soit ds une surface élémentaire de S prise auteur de M:

Le flux total Ø de E(M) sortant à travers la surface

fermée S orientée est égale à la somme de toutes les
charges électriques internes à cette surface S divisée
par ε0:
 Chap 4 : Calcul indirect du champ et du potentiel électrostatiques
des distributions continues

3 Précision sur le théo de Gauss

• S est appelée surface de Gauss notée SG, elle est
purement géométrique et choisie arbitrairement en
fonction des symétries de la distribution étudiée.
• Cette surface ne doit pas comporter de charges à sa
surface c’est une surface imaginaire pour les calculs.
• Elle est fermée et toujours finie et passe par le
point M ou en désire déterminer le champ et /ou le
potentiel.
• Qint(S) : la somme de toutes les charges contenues à
l’intérieur de SG

• E(M) : Le champ total créé en M par la charge totale Q délimitée par SG

 Chap 4 : Calcul indirect du champ et du potentiel électrostatiques
des distributions continues

4 Choix de la surface de Gauss SG:

Ce choix est imposé par la forme (ou la géométrie) de la distribution étudiée
afin de simplifier les calculs du champ. Le tableau suivant donne les choix
pour les distributions les plus rencontrées
Distribution Surface de Gauss associée

Fil chargé infini ou fini SG est un Cylindre fini

Cylindre chargé SG est un Cylindre fini

Sphère chargée SG est une Sphère finie

Disque ou cercle chargés SG est un Cylindre (polaire)

fini
Plan chargé Cylindre (ou cartésienne) fini
 Chap 4 : Calcul indirect du champ et du potentiel électrostatiques
des distributions continues

5. Direction du champ
Dans le cas d’une distribution présentant des symétries, la direction du
champ électrostatique est la droite d’intersection d’au moins deux plans de
symétries différents choisis parmi ceux de la distribution de charge.

Dans la base cartésienne (e x , e y , e z ) les plans possibles différents sont 3 à savoir :

P1  ( M , e x , e y ) P2  ( M , e x , e z ) P3  ( M , e y , e z )

Dans la base cylindrique (e r , e , e z ) les plans possibles sont 3 à savoir :.

P1  ( M , e r , e ) P2  ( M , e r , e z ) P3  ( M , e , e z )

Dans la base sphérique (e r , e , e ) les plans possibles sont 3 à savoir :.

P1  ( M , e r , e ) P2  ( M , e r , e ) P3  ( M , e , e )

N.B : Ces plans sont pris infinis . On les imagine

toujours infinis et passent par M
 Chap 4 : Calcul indirect du champ et du potentiel électrostatiques
des distributions continues

6. Paramètres du champ: exemple d’un cylindre infini chargé en surface

Dans le cas d’une distribution présentant des paramètres d’invariances,
l’expression du champ ne dépend pas des paramètres d’invariances de telle
distribution de charges électriques.

La base de travail est cylindrique ( M , e r , e , e z )

z et ϴ sont deux paramètres d’invariance du cylindre

chargé

E ( M )  Er (r , , z )e r  E (r , , z )e  E z (r ,  , z )e z
 Er (r )e r  E (r )e  E z (r )e z

Dans la base cylindrique (e r , e , e z ) les plans possibles sont 3 à savoir :.

P1  ( M , e r , e ) P2  ( M , e r , e z ) P3  ( M , e , e z )
 Chap 4 : Calcul indirect du champ et du potentiel électrostatiques
des distributions continues

Dans la base cylindrique (e r , e , e z ) les plans possibles sont 3 à savoir :.

P1  ( M , e r , e ) P2  ( M , e r , e z ) P3  ( M , e , e z )

P3 n’est pas un plan de symétrie:

P1 et P2 sont deux plans de symétries leur

intersection est la droite : D  ( M , e r )  (OM )

Ainsi, l’expression du champ devient:

E ( M )  E r ( r )e r
 Chap 4: Calcul indirect du champ et du potentiel
électrostatiques des distributions continues

7. Champ et flux
7.1. Notion du champ électrique

Un champ est un ensemble de vecteurs E(M) définis en tout point de l’espace.

Un champ électrostatique est un ensemble de vecteurs créées par des charges
électriques immobiles en tout point M de l’espace.

Vecteurs champ électrique d’une charge q :

 Chap 4: Calcul indirect du champ et du potentiel
électrostatiques des distributions continues

7. Champ et flux
7.2. Champ électrique uniforme
Un champ est dit uniforme ssi ce champ en tout point de l’espace vérifie les
conditions suivantes :
• Même direction (droites supports sont parallèles)
• Même sens
• Même module (norme)

7.3. Flux du champ électrique

Le flux électrique Ø sortant à travers une surface S est définie comme le

produit scalaire du vecteur champ E(M) et du vecteur surface ds

  E.S  E  S  cos( E , S )  E  S  cos( E , S )

ds  ds.n
 Chap 4: Calcul indirect du champ et du potentiel
électrostatiques des distributions continues

7. Champ et flux
7.3. Flux du champ électrique

Par analogie avec le débit d’un fluide, le flux électrique est la quantité de
champ électrique traversant une surface donnée.

  E.S  E  S  cos( E , S )  E  S  cos( E , S )

 Chap 4: Calcul indirect du champ et du potentiel
électrostatiques des distributions continues

8. Théorème de Gauss

Très utile: facilite les calculs du champ (module ou norme) et/ou du potentiel
pour les distributions admettant des propriétés de symétries particulières

Ces degrés de symétries facilitent aussi le calcul du flux par un choix adapté
de la surface d’intégration (de Gauss) qui est en faite possède les mêmes
symétries que la distribution étudiée.

Pour appliquer le théorème de Gauss, on suit généralement les étapes suivantes :

1) Choix du système de coordonnée adapté à la distribution étudiée

2) Recherche de deux plans de symétries différents leur l’intersection

donne la droite de direction du champ avant son calcul

3) Recherche des paramètres d’invariance pour sélectionner les

variables dont dépend l’expression du module du champ
 Chap 4: Calcul indirect du champ et du potentiel
électrostatiques des distributions continues

8. Théorème de Gauss

4) Choix approprié de la surface de Gauss (voir tableau de choix)

N.B. La surface de Gauss SG est choisie de telle sorte à avoir les éléments
ds soient parallèles ou perpendiculaires à la direction du champ.

5) Calcul de l’expression du flux total Ø du champ E à travers SG en fonction

du module E du champ

6) Calcul de la quantité des charges totale Qint(SG) délimitée par SG

7) Déduction du module E du champ

8) Écriture de l’expression du champ E(M)

10) Déduction de l’expression du potentiel V(M)

 Chap 4: Calcul indirect du champ et du potentiel
électrostatiques des distributions continues

10. Exemples d’application du Théorème de Gauss

I) Calcul du champ créé par une charge ponctuelle positive
Soit q une charge ponctuelle positive située en O et M un point de l’espace (M ≠ O).

Cherchons le module E supposé non connu du champ E(M) créé en M par q.

1) La base de travail est la base sphérique (er, eϴ, eφ)

2) La direction du champ E(M) est la droite (OM), son sens est : O vers M pour q > 0

3) Le champ dépend uniquement de la distance OM = r.

4) La surface de Gauss SG est une sphère S(O,r)

5) Le flux Ø de E(M) à travers la sphère S(O,r) est :

S (O ,r )   E ( M ).ds   E ( M ).ds.n
S (O ,r ) S (O ,r )
 Le champ est orienté vers l’extérieur (q > 0) et il est parallèle à la normale n
( n : unitaire dirigé vers l’extérieur perpendiculaire à ds au point M)
S ( O ,r )   E ( M ).ds   E ( M )n.ds.n
S (O ,r ) S (O ,r )

  E ( M ).ds
S (O ,r )

Car : E(M) et ds sont colinéaires de même sens

Le champ E(M) a le même module E en tout point de

la sphère S(O,r) vu la symétrie sphérique.

S (O ,r )   E ( M ).ds  E  .ds
S (O ,r ) S ( O ,r )

 2  2
 ds    rd  r sin( )d  r   sin( )d   d
2
S (O ,r ) 0 0 0 0

 2
   E ( M ).ds  E  .ds  E.4 .r 2 (1)

0
sin( )d  2 et 
0
d  2 S (O ,r ) S (O ,r )

6) La quantité totale de charges à l’intérieur de SG est: q. Ainsi : Qint( SG )  q (2)

7) Le théorème de Gauss s’écrit alors:
Qint( SG )
S (O ,r )   E ( M ).ds 
S (O ,r ) 0

Le flux est : La quantité des charges délimitée par SG:

2 Qint( SG ) q
  E.4. .r 
0 0
Le module E du champ E(M) est alors :
q
E
4. . 0 .r 2
8) Le champ E(M) est alors :

q q q q
E(M )  2
U OM  2
n e  k 2 U OM
2 r
4. . 0 .r 4. . 0 .r 4. . 0 .r r
 Chap 4: Calcul indirect du champ et du potentiel
électrostatiques des distributions continues
II) Calcul du champ créé par un fil rectiligne infini chargé uniformément

Considérons un fil F placé sur l’axe (OZ) sous forme de droite (rectiligne) de longueur
infinie chargé avec une densité linéique λ constante (uniforme) et positive.

1) La base de travail est la base cylindrique ( er, eϴ, ez)

(e r  e  e z ) e r  e  e z  1

Système cylindrique: M (r ,  , z ) (e r , e , e z )

2) Dans cette base, l’expression générale du champ E(M) s’écrit:

E ( M )  E (r ,  , z )  Er (r , , z )e r  E (r , , z )e  E z (r ,  , z )e z
3) Direction de E(M) : Intersection de deux plans de symétrie différents

Dans la base cylindrique (e r , e , e z ) les plans possibles sont 3 à savoir :.

P1  ( M , e r , e ) P2  ( M , e r , e z ) P3  ( M , e , e z )

Les deux plans : P1  ( M , e r , e ) et P2  ( M , e r , e z )

Sont deux plans de symétrie différents: prolongés a l’infini, ils coupent

le fil en le divisant en deux parties identiques (signe et quantité).

Le plan : P3  ( M , e , e z ) prolongé à l’infini , ce plan ne coupe pas ce fil , donc

ce n’est pas un plan de symétrie du fil (il est parallèle
au fil F)

Ainsi la direction de E(M) est la droite : P1  P2  ( M , e r )  (OM )

Ainsi E(M) devient : E ( M )  Er (r ,  , z ).e r

4) Étude des paramètres d’invariance (r , , z )
Si on se déplace sur le fil suivant l’axe (OZ) rien ne change physiquement en ce
qui concerne la densité (même densité de charges λ en tout point du fil F): z est
un paramètre d’invariance par translation suivant l’axe (OZ), donc le champ ne
dépend pas de la variable z.

Si on effectue une rotation d’un angle ϴ autour du fil rien ne change

physiquement (même densité de charges λ): ϴ est un paramètre d’invariance
par rotation, donc le champ ne dépend pas de la variable ϴ.

Ainsi, le champ ne dépend ni de ϴ ni de z et par suite l’expression générale du

champ peut s’écrire alors d’une manière simplifiée:

E ( M )  E r ( r )e r
5) Choix de la surface de Gauss SG
SG est un cylindre fermé fini de rayon r et de hauteur h (les deux dimensions r et
h sont finis) et d’axe (OZ).
SG est composée de trois surfaces à savoir : deux surfaces de bases SB1 et SB2
et une surface latérale SL
SG peut être se décomposée comme suit:

SG  S B1  S B 2  S L
5) Calcul du flux de E(M) à travers la surface de Gauss SG

 SG  S B1   S B 2  S L

5.1 Orientation de la surface de gauss SG

dsB 2  dsB 2 .n2

dsL  dsL .n3

ds B1  ds B1.n1
 5.2 Calcul des Flux à travers les surfaces formant la surface de Gauss SG

Pour les deux bases, le champ E(M) est perpendiculaire aux vecteurs normaux
n1 et n2

Pour la surface latérale, le champ E(M) est parallèle à la normale n3

Le champ E(M) est radial et constant sur la surface latérale SL car le rayon r de la
surface de Gauss SG est fixe

La charge est positive (λ > 0) donc le champ est

orienté suivant er

 E (M ).ds   E (M ).ds   E (M ).ds   E (M ).ds

SG S B1 SB 2 SL
 E (M ).ds   E (M ).ds   E (M ).ds   E (M ).ds
SG S B1 SB 2 SL

Sur les surfaces de base du cylindre de Gauss SG on a :

E ( M )  ds  E ( M ).ds  0
S B1   E ( M ).ds  0
S B1

S B 2   E (M ).ds  0
SB 2

Sur la surface latérale SL du cylindre de Gauss SG on a :

E ( M )  Er (r ).er et ds  ds.er

S L   E ( M ).ds   Er (r ).ds
SL SL
Sur la surface latérale SL du cylindre de Gauss SG le champ E(M) est constant
car r est fixe sur cette surface SL :
E ( M )  Er (r ).e r  f (r ).e r

S L   E ( M ).ds   Er (r ).ds  Er (r )  ds
SL SL SL

Sur la surface latérale SL du cylindre de Gauss SG la surface élémentaire dsL

s’écrit :
h h
dsL  rd   dz r est fixe ;  [0,2 ] ; z  [ , ]
2 2
h
2  2 h / 2
 ds  
SL
L
0
rd    dz  r  d  

h
2
2
0 h / 2
dz  r.2 .h

S L   E ( M ).ds  2 .r.h.Er (r )
SL

SG  S B1  S B 2  S L   E ( M ).ds  2 .r.h.Er (r )

SG
5.3 Calcul de la quantité totale de charges Qint(SG) situées à l’intérieur de la
surface de Gauss SG (cas d’u fil chargé), la densité linéique constante nous
donne:
h / 2 h/ 2
dq    dl  Qint(SG )     dl    dl .h (2)
h / 2 h / 2

Qint( SG )
Le théorème de Gauss s’écrit : SG   E ( M ).ds 
SG 0

SG  2 .r.h.Er (r ) (1)

De (1) et (2) on peut déterminer le module du champ:


Er ( r ) 
2 0 .r
Par suite comme le champ est orienté selon er :

E (M )  er
2 0 .r
Pour le potentiel V(M), Il y a invariance de la distribution de charges par
translation selon z et par rotation par ϴ, donc V ne dépend ni de r ni de ϴ ; il
dépend uniquement de r :
V ( M )  V (r )

E ( M )  Er (r ).er   gradV (r , , z )   gradV (r )

 dV (r )
gradV (r )  V (r ).er  .er
r dr
dV (r ) 
Er ( r )   
dr 2 0 .r
V (r )  r dr 
 r0 r 2 0
r
dV     [ln( r )] r0
V ( r0 ) 2 0

Par intégration on obtient :  r

V (r )  V (r0 )   [ln( )]
2 0 r0
 r  r
V (r )  V (r0 )  [ln( )]  V0  [ln( )]
2 0 r0 2 0 r0
 • Système cylindrique: M (r , , z ) (e r , e , e z )

E ( M )  Er (r , , z )e r  E (r , , z )e  E z (r , , z )e z
• Système cylindrique: M (r ,  , z ) (e r , e , e z )
 1  
grad (V ( M ))  V (r ,  , z )e r  V (r ,  , z )e  V (r ,  , z )e z
r r  z


E ( M )   grad (V ( M ))

 dV (r )
E ( M )  Er (r ).e r  grad (V ( M ))  V (r )e r  .e r
r dr

dV (r )
Er ( r )  
dr
 Module P233
Électricité:
 Partie Électrostatique
 Rappels Mathématiques
 Champ et potentiel : calcul direct
 Champ et potentiel : Méthode de Gauss

 Partie Électrocinétique
 Le courant électrique
 Les circuits électriques

 Méthodes d’analyses des circuits (Thevenin)

Année Universitaire: 2020-2021 Par A. BRAHMI

 Chap 1: Le courant électrique permanent

I. Le courant électrique

1. Définition
Un courant électrique est le déplacement de charges électriques dans un
conducteur sous l’action d’un champ électrique.
dQ(t )
i (t ) 
dt
i(t) = f(t) : le courant est dit temporaire.
i(t) = cste = I : le courant est dit permanent.
L’unité du courant est l’Ampère notée : A

2. Sens du courant

Par convention, le sens du courant électrique dans un conducteur est celui

de déplacement des charges électriques positives (trous ou protons).
 Chap 1: Généralités sur le courant électrique permanent

II. Résistance et loi d’Ohm

1. Définitions et relations
Soit un conducteur AB de section S, de longueur L, de conductivité µ, et de
résistivité ρ.
La résistance R du conducteur AB donnée par:

L 1 L L
R    
 .S  S S

La résistance R se représente dans un circuit par :

La loi d’ohm s’écrit :

U AB  VA  VB  R  I
 Chap 1: Généralités sur le courant électrique permanent

2. Conventions de signes :

Les conventions adoptées pour les signes des courants et des tensions
(différence de potentiel ddp) sont :

• Si VA > VB le courant I entre par A et sort de B :

VAB=VA-VB=R*I

• Si VA < VB le courant I entre par B et sort par A :

VAB = VA-VB = - R*I

 Chap 1: Généralités sur le courant électrique permanent

3. Association de résistances
3.1. Association en série : exemple de 3 résistances

U AB  VA  VB  (VA  VN )  (VN  VM )  (VM V B)

U AB  R1 I  R2  I  R3  I  ( R1  R2  R3 )  I  Req  I

On pose :

i n in
V   Vi et Req   Ri
i 1 i 1

N.B : Le courant est le même pour toutes les résistances Ri

 Chap 1: Généralités sur le courant électrique permanent

3. Association de résistances

3.2 . Association parallèle :

U AB  V1  V2  V3

U AB  VA  VB et I  I1  I 2  I 3

U AB U AB U AB 1 1 1 U
I   (   )  U AB  AB
R1 R2 R3 R1 R 2 R 3 R eq
1 1 1 1
(   )
R eq R1 R 2 R 3

N.B : La tension est la même pour toutes les résistances Ri

 Chap 1: Généralités sur le courant électrique permanent

4. Transformation triangle-étoile des résistances

3.2 . Transformation de la forme étoile en triangle

 Chap 1: Généralités sur le courant électrique permanent

4. Transformation triangle-étoile des résistances

3.2 . Transformation du triangle en étoile

La transformation du triangle en étoile des résistances est parfois très utile

pour la simplification des circuits comportant des dérivation afin de faciliter les
écritures des lois des mailles et des nœuds afin de calculer les courants et les
tensions inconnus de certaines branches d’un circuit assez compliqué.
 Chap 2: Les circuits électriques

1. Circuit électrique
C’est un ensemble d’éléments appelés dipôles, reliées entre eux par des fils
conducteurs et constituent ainsi une structure fermée

2. Dipôle électrique
C’est un dispositif électrique qui s’insère dans un circuit électrique via deux
pôles, l’un est l’entrée du courant électrique (borne +) tandis que l’autre est son
sortie (Borne -). Il est caractérisé par sa réponse en courant I(t) à une
différence de potentiel UAB appliquée à ses bornes : I(t) = f(UAB)

I(t) = f(UAB) : La caractéristique courant - tension du dipôle AB

N.B: On s’intéresse au cas ou le courant est établi de manière permanente

dans les circuits étudiés : c-à-d : I = cste
 Chap 2: Les circuits électriques

3. Convention générateur et récepteur

Dans la convention générateur, le courant et la tension ont le même sens

tandis que dans la convention récepteur on a des sens opposés

Convention générateur Convention récepteur

NB : Un Dipôle AB est dit linéaire ssi sa caractéristique I = f(UAB) est une droite
 Chap 2: Les circuits électriques

4. Dipôle passif et dipôle actif

Dans la convention générateur, le courant et la tension ont le même sens
tandis que dans la convention récepteur on a des sens opposés
4.1. Dipôle passif

a. Résistance (Ohm Ω)

b. Bobine d’induction ou self d’induction (Henry H)

L : Inductance de la bobine (self) exprimée en Henry notée H

 Chap 2: Les circuits électriques

4. Dipôle passif et dipôle actif

c. Condensateur (Farad F)

Un condensateur est un réservoir de charges électriques, il est formé de

deux armatures conductrices séparées par diélectrique. Il est caractérisé par
sa capacité C à emmagasiner des charges.

Les unités :
 Chap 2: Les circuits électriques
4.2. Dipôle actif
a. Générateurs
Dans les circuits on rencontre les générateurs réels, ceux idéaux, de deux
types : ceux de courant et ceux de tension.

a.1. Générateurs idéaux

Générateur de tension variable

Générateur de tension continue

Générateur de courant continu Générateur de courant variable

 Chap 2: Les circuits électriques
4.2. Dipôle actif
a. Générateurs
a.2. Générateurs réels = idéal + résistance interne
Tout appareil qui fournit de l’énergie électrique (Batterie, Pile, Plaque PV, …

Générateur de tension continue Générateur de tension variable

Générateur de courant continu Générateur de courant variable

a.3. Représentation dans un circuit

La tension aux bornes du générateur réal s’écrit :

b. Récepteurs

Tout appareil qui reçoit de l’énergie électrique (résistances, moteurs,

chauffages….

La tension aux bornes du récepteur réal est :

3.3. Loi d’Ohm généralisé
Considérons la branche AB suivante :

La loi d’ohm dans ce cas est :

D’une manière générale, la loi d’ohm généralisée s’écrit :

Par convention:

I est positif si il entre par A et sort par B

I est négatif si il entre par B et sort par A
ei et e’i ont le signe du premier pôle rencontré en allant de A vers B
3.4. Caractéristique d’une résistance, loi d’Ohm

La caractéristique courant tension d’un dipôle est la représentation ou la courbe

des variations du courant qui le traverse en fonction des variations de la tension
appliquée à ce dipôle. A cette courbe correspond la fonction mathématique :

La droite : u AB = R*i est une droite de pente R = tan(ϴ) = ΔUAB/ Δi

3.5. Puissance électrique disponible

La puissance perdue par la résistance R sous forme de chaleur (dissipée par

l’effet de Joule) est définie par :

N.B :Pour un générateur réel (E,r) délivrant un courant I, la puissance fournie

au récepteur alimenté s’écrit:

: est La puissance perdue par la résistance interne r du générateur

sous forme de chaleur (dissipée par l’effet de Joule).
4. Étude des circuits électriques
Les circuits sont constitués par des générateurs (idéaux ou réels, de tension
ou de courant), des résistances R, des capacités C et des inductances L liés
avec des fils conducteurs de liaisons.

4.1. Définitions :

Nœud : le point d’interconnexion d’au moins 3 fils conducteurs.

A chaque nœud correspond un potentiel dit de potentiel de nœud.
Branche : une portion du circuit située entre deux nœuds consécutifs..

Maille : un ensemble fermé de branche et de nœuds en passant une seule

fois par un nœud.
5. Lois de Kirchhoff lois de conservation (charges énergie)
Les lois de Kirchhoff sont les deux lois de conservation des charges
électriques au niveau d’un nœud (loi des nœuds) et celle de conservation de
l’énergie électrique le long d’une maille fermée (loi des mailles)

5.1. Loi des nœuds :

a. Présentation de la loi des nœuds :

En régime permanent, la conservation des charges électriques se traduit par

la conservation du courant électrique. En tout point d’un circuit donné, il n y a
ni gain ni perte de charges électriques; cela signifie donc que l’ensemble des
courants entrants compense exactement les courants sortants. Ainsi en un
nœud d’un circuit donné, la somme algébrique des courants est nulle.
Cette loi nécessite d’adopter une convention de signe pour les courants en un
nœud donné.
Généralement les courants qui arrivent au nœud sont comptés positifs et ceux
qui sortent sont comptés négatifs. De ce fait, la loi des nœuds est :
b. Énoncé de la loi des nœuds :
La somme algébrique (signes : +, -) des courants entrant dans un nœud et les
courants sortant de ce même nœud est nulle.
c. Énoncé de la loi des mailles :
La somme algébrique des tensions (ou différence de potentiel) en parcourant
une maille fermée dans un sens de parcours choisi arbitraire est nulle.

Avant d’appliquer et d’écrire ces lois (Nœud et/ou Maille), on doit :

1) Choisir les sens pour tous les courants a priori sur le circuit étudié en
tenant compte des conventions générateur récepteur.
2) Choisir un sens de parcours arbitraire positif pour parcourir les mailles
fermée formant le circuit.
3) Flécher les différentes tensions aux bornes des éléments du circuits.

Exemple :
6. Étude et analyse des circuits électriques
En électrocinétique, les exercices contiennent un certain nombre de données
(E,r, R, C, L..) et des inconnus à déterminer (I,V,R…). L’objectif principal est de
connaître tous les paramètres des éléments du circuit (E, r, R, C, L..) et les
valeurs des courants (et/ou des tensions) qui traversent ces divers éléments.
Afin d’atteindre ce but, on suit les étapes suivantes:

1. Attribuer des lettres aux divers nœuds du circuits électrique

et compter le nombre de nœuds Nn.

2. Compter le nombre de branches Nb, nommer et indiquer les courants qui

traversent chaque branche en leurs donnant des sens arbitraires aux divers
courants du circuit.

3. Flécher les différentes tensions aux bornes de chaque élément du circuit

en respectant les conventions générateur et récepteur.

4. Choisir un sens positif arbitraire pour le parcours des mailles du circuit

 5. Appliquer la loi des nœuds (écrire Nn-1 équations indépendantes des
courants)

6. Appliquer la loi des mailles aux divers courants du circuit.

• En fait, Il faut un nombre d’équations indépendantes égal au nombres

d’inconnus pour s’assurer que notre problème admet une solution.
• En effet, nous avons Nn – 1 équations indépendantes tirées de la loi des
nœuds, donc il nous faut: Nb – (Nn - 1) équations indépendantes aussi
issues de la loi des mailles ou tous les courants doivent intervenir au
moins une seule fois dans ces équations de la loi des mailles .

7. Résoudre le système d’équations et en tirer les solutions cherchées.

8. Vérifier si les résultats trouvés sont plausibles par les deux lois de Kirchhoff :
 Chap 3: Méthodes d’analyse des circuits électriques

1. Diviseur de tension (cas d’une association série)

Dans le cas ou plusieurs résistances sont associées en série (sont sur une
même branche), la portion de la tension Ui de la ième résistance Ri vaut:

U : la tension totale aux bornes de toute la branche formée par les 3

résistances R1, R2, et R3 en série (même courant qui les traverse)

N.B: la tension totale U et les tensions partielles Ui ont le même sens.

 Chap 3: Analyse des circuits électriques

2. Diviseur de courant (cas d’une association parallèle)

Dans le cas ou plusieurs résistances sont branchées en parallèle entre deux
nœuds, la portion du courant Ii traversant la ième résistance Ri vaut:

I : le courant total qui arrive au nœud commun A des 3 résistances.

N.B: Le courant total I et les courantss partiels Ii ont le même sens.

 Chap 3: Analyse des circuits électriques

Exemple
On cherche à déterminer les courants I1, I2 et I3 qui cerclent dans les trois
branches AB, CD et EF.
On se donne arbitrairement les sens des courants comme indiqués sur le
circuit étudié
 Chap 3: Analyse des circuits électriques

Exemple

La résolution de ce système de 3 équations à 3 inconnus I1, I2 et I3 donne:

A partir de ces relations, connaissant les valeurs numériques des f.e.m e1 et

e2 et de résistances R1, R2, et R3, on peut calculer les valeurs des trois
courants I1, I2 et I3

N.B: Après avoir calculer les valeurs des courants a partir de leurs
sens choisis arbitrairement au départ, on peut alors déterminer leurs
vrais sens ( sens réels ou véritables orientations)
 Chap 3: Analyse des circuits électriques

3. Théorème de Thevenin
Tout réseau électrique linéaire aussi compliqué situé entre deux bornes A et B
d’une branche donnée dans laquelle circule un courant inconnu peut être
remplacé par un générateur réel de tension ( eth,rth) telles que après avoir enlever
la branche enter A et B ces deux éléments sont déterminés comme suit:

On peut utiliser ce théorème pour déterminer le courant qui circule dans

n’importe quelle branche du réseau linéaire .
 Chap 3: Analyse des circuits électriques

3. Théorème de Thevenin
Étapes à suivre pour appliquer le Théorème de Thevenin :

1) Désigner la branche AB ou circule le courant cherché

2) Enlever la branche AB désignée du circuit
3) Calculer la tension UAB = VA-VB = Eth entre A et B
4) Remplacer les sources de tension par des fils (les court-circuiter et les source
de courant par des circuits ouverts s’ils existent dans le circuit linéaire)
5) Toujours la branche désignée est supprimée, calculer la résistance équivalente
vue entre A et B rAB = Rth
6) Dessiner alors le générateur de Thevenin (Eth,rth en série entre A et B )
NB : A ce niveau tout le circuit sauf la branche supprimée enter A et B est
remplacé par le générateur de Thevenin.
7) Placer ainsi la branche supprimée enter A et B
8) Appliquer les lois de Kirchhoff (loi des mailles) pour tirer l’expression et la valeur
du courant cherché (ciculant entre A et B)
 Chap 3: Analyse des circuits électriques

Exemple :
En utilisant le théorème de Thevenin, Trouver le
courant I2 qui traverse R2
Le courant I2 circule dans la branche (E2,R2) située entre
les deux points A et M
Calcul de eth : tension entre A et M (circuit ouvert)
On supprime (E2, R2) , le circuit initial devient alors:

Calcul de Rth : La branche (E2, R2) , est toujours absente et

la source E1 est court-circuitée, le circuit devient alors:

La résistance rth vue enter A et M est alors :

 Chap 3: Analyse des circuits électriques
Exemple :

Calcul de I2 :

On remplace le circuit formé par la branche (E1,R1) et

R3 par le générateur (eth,rth série) et on fait revenir la
branche (E2,R2) coupée à sa place enter A et M ainsi
on obtient le circuit suivant :

On applique ensuite la loi des mailles :

 Chap 3: Analyse des circuits électriques
4. Théorème de Millman (parallèle)
Il s’agit d’une application des lois des nœuds en un nœud dont on cherche un
potentiel par rapport à la masse (la masse est un potentiel nul)
Calcul de V0
1) Lois d’Ohm au niveau de chaque branche :

2) Les courants de chaque branche :

3) La loi des nœuds au point de potentiel cherché V0 :

4) On regroupe les V0 et on factorise, puis on tire V0 :

 Chap 3: Analyse des circuits électriques

Application du Théorème de Millman

Ce théorème est très utile pour calculer les courants dans le cas d’un circuit
formé de plusieurs branches en parallèle.

4.1. Exemple 1: le point B est la masse de potentiel nul VB=0V

UAB=VA-VB

En suite, on calcule facilement les courants dans chaque branche par la loi d’ohm
 Chap 3: Analyse des circuits électriques

4.2. Exemple 2: le point A est la masse de potentiel nul : VA=0V

UBA = VB - VA = VB

Ensuite, on calcule facilement les courants dans chaque branche par la loi d’ohm
 Chap 3: Analyse des circuits électriques
5. Théorème de Pouillet : Série
Dans un circuit formé d’une seule maile, constitué des générateurs de tension ei de
résistances internes ri et de résistances Ri, le courant I circulant dans ce circuit est
donné par:

Exemple :
 Chap 3: Analyse des circuits électriques
6. Théorème de superposition:
Dans un circuit électrique linéaire constitué de plusieurs sources indépendantes (>2),
le courant cherché dans une branche est la somme algébrique des courants générés
dans cette branche par chacune des sources considérées isolement, les autres
sources étant court-circuités.
N.B: Les courants générés qui ont le même sens que celui du courant
cherché sont comptés positifs tendis que ceux de sens inverse sont comptés
négatif.

Exemple 1 : On désire calculer le courant I qui circule dans ce réseau suivant.

 Chap 3: Analyse des circuits électriques

6. Théorème de superposition:

Exemple :1
Pouillet:

Pouillet:

Superposition:
Exemple 2 : Calculer le courant I???? dans R3 de ce circuit suivant.